KR101963785B1 - Organic Light Emitting Device - Google Patents

Organic Light Emitting Device Download PDF

Info

Publication number
KR101963785B1
KR101963785B1 KR1020120142717A KR20120142717A KR101963785B1 KR 101963785 B1 KR101963785 B1 KR 101963785B1 KR 1020120142717 A KR1020120142717 A KR 1020120142717A KR 20120142717 A KR20120142717 A KR 20120142717A KR 101963785 B1 KR101963785 B1 KR 101963785B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
passivation layer
layer
light emitting
inorganic passivation
emitting diode
Prior art date
Application number
KR1020120142717A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20140074597A (en
Inventor
유용우
정상철
이승현
조항섭
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120142717A priority Critical patent/KR101963785B1/en
Publication of KR20140074597A publication Critical patent/KR20140074597A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101963785B1 publication Critical patent/KR101963785B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H10K50/8445—Encapsulations multilayered coatings having a repetitive structure, e.g. having multiple organic-inorganic bilayers

Abstract

본 발명은, 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 형성된 발광 다이오드층; 및 상기 발광 다이오드층 상에 형성된 패시베이션층을 포함하여 이루어지고, 상기 패시베이션층은 상기 발광 다이오드층 상에 형성된 제1 무기계 패시베이션층, 상기 제1 무기계 패시베이션층 상에 형성된 유기계 패시베이션층, 및 상기 유기계 패시베이션층 상에 형성된 제2 무기계 패시베이션층을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 무기계 패시베이션층은 광투과율이 40%이하인 불투명한 실리콘 질화물, 불투명한 실리콘 산화물, 또는 불투명한 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광장치에 관한 것으로서,
본 발명에 따르면, 발광 다이오드층 상에 제1 무기계 패시베이션층, 유기계 패시베이션층, 및 제2 무기계 패시베이션층을 차례로 형성하고, 상기 제1 무기계 패시베이션층의 재료로서 광투과율이 40%이하인 불투명한 실리콘 질화물, 불투명한 실리콘 산화물, 또는 불투명한 실리콘을 이용함으로써, 발광 다이오드층 내로 수분이 침투하는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있고 또한 광의 굴절율 차이로 인한 얼룩 발생을 방지할 수 있다. The present invention provides a liquid crystal display comprising: a first substrate; A light emitting diode layer formed on the first substrate; And a passivation layer formed on the light emitting diode layer, the passivation layer including a first inorganic passivation layer formed on the light emitting diode layer, an organic passivation layer formed on the first inorganic passivation layer, Wherein the first inorganic passivation layer is formed of opaque silicon nitride having a light transmittance of 40% or less, opaque silicon oxide, or opaque silicon, and a second inorganic passivation layer formed on the first inorganic passivation layer. As regards the apparatus,
According to the present invention, a first inorganic passivation layer, an organic passivation layer, and a second inorganic passivation layer are formed in order on the light emitting diode layer, and as the material of the first inorganic passivation layer, opaque silicon nitride having a light transmittance of 40% , Opaque silicon oxide, or opaque silicon, it is possible to more effectively prevent moisture from penetrating into the light emitting diode layer and to prevent occurrence of stain due to difference in refractive index of light.

Description

유기발광장치{Organic Light Emitting Device}[0001] The present invention relates to an organic light-

본 발명은 유기발광장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 유기발광장치의 패시베이션층(Passivation layer)에 관한 것이다. The present invention relates to an organic light emitting device, and more particularly, to a passivation layer of an organic light emitting device.

평판표시장치로서 현재까지는 액정표시장치(Liquid Crystal Display Device)가 널리 이용되었지만, 액정표시장치는 별도의 광원으로 백라이트가 필요하고, 밝기 및 명암비 등에서 기술적 한계가 있다. 이에, 자체발광이 가능하여 별도의 광원이 필요하지 않고, 밝기 및 명암비 등에서 상대적으로 우수한 유기발광장치(Organic Light Emitting Device)에 대한 관심이 증대되고 있다. Although a liquid crystal display device has been widely used as a flat panel display device up to now, a liquid crystal display device requires a backlight as a separate light source and has a technical limitation in terms of brightness and contrast ratio. Accordingly, there is an increasing interest in organic light emitting devices (OLEDs) that are self-emitting and do not require a separate light source and are relatively superior in brightness and contrast ratio.

유기발광장치는 전자(electron)를 주입하는 음극(cathode)과 정공(hole)을 주입하는 양극(anode) 사이에 발광층이 형성된 구조를 가지며, 음극에서 발생된 전자 및 양극에서 발생된 정공이 발광층 내부로 주입되면 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성되고, 생성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 발광을 일으킴으로써 화상을 표시하는 표시장치이다. The organic light emitting device has a structure in which a light emitting layer is formed between a cathode for injecting electrons and an anode for injecting holes, and electrons generated in the cathode and holes generated in the anode are injected into the light emitting layer An exciton is generated by the injected electrons and holes, and the generated exciton drops from the excited state to the ground state to emit light, thereby displaying an image Device.

이하, 도면을 참조로 종래의 유기발광장치에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a conventional organic light emitting device will be described with reference to the drawings.

도 1은 종래의 유기발광장치의 개략적인 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic light emitting device.

도 1에서 알 수 있듯이, 종래의 유기발광장치는, 제1 기판(10), 유기발광소자(20), 패시베이션층(passivation layer)(30), 접착층(40), 및 제2 기판(50)을 포함하여 이루어진다. 1, a conventional organic light emitting device includes a first substrate 10, an organic light emitting diode 20, a passivation layer 30, an adhesive layer 40, and a second substrate 50. [ .

상기 유기발광소자(20)는 상기 제1 기판(10) 상에 형성되어 있다. 상기 유기발광소자(20)는 박막 트랜지스터 및 발광 다이오드를 포함하여 이루어진다. The organic light emitting diode 20 is formed on the first substrate 10. The organic light emitting diode 20 includes a thin film transistor and a light emitting diode.

상기 패시베이션층(30)은 상기 유기발광소자(20) 상에 형성되어 있다. 상기 패시베이션층(30)은 상기 유기발광소자(20) 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하는 역할을 한다. The passivation layer 30 is formed on the organic light emitting diode 20. The passivation layer 30 functions to prevent moisture from penetrating into the organic light emitting diode 20.

상기 접착층(40)은 상기 패시베이션층(30) 상에 형성되어 있다. 상기 접착층(40)은 상기 제2 기판(50)을 상기 패시베이션층(30) 상에 접착시키는 역할을 한다. The adhesive layer (40) is formed on the passivation layer (30). The adhesive layer 40 adheres the second substrate 50 to the passivation layer 30.

상기 제2 기판(50)은 상기 접착층(40) 상에 형성되어, 외부의 충격으로부터 유기발광장치를 보호하는 역할을 한다. The second substrate 50 is formed on the adhesive layer 40 and protects the organic light emitting device from external impact.

이와 같이 종래의 유기발광장치는 상기 패시베이션층(passivation layer)(30)을 이용하여 상기 유기발광소자(20) 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하고 있지만, 아직까지 수분 침투로 인한 발광 다이오드의 열화를 줄이는데 한계가 있다. As described above, the conventional organic light emitting device prevents moisture from penetrating into the organic light emitting diode 20 by using the passivation layer 30, but the deterioration of the light emitting diode due to moisture penetration There is a limit to reduce.

본 발명은 전술한 종래의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 본 발명은 수분 침투를 보다 효과적으로 방지할 수 있는 유기발광장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an organic light emitting device capable of more effectively preventing moisture penetration.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 제1 기판; 상기 제1 기판 상에 형성된 발광 다이오드층; 및 상기 발광 다이오드층 상에 형성된 패시베이션층을 포함하여 이루어지고, 상기 패시베이션층은 상기 발광 다이오드층 상에 형성된 제1 무기계 패시베이션층, 상기 제1 무기계 패시베이션층 상에 형성된 유기계 패시베이션층, 및 상기 유기계 패시베이션층 상에 형성된 제2 무기계 패시베이션층을 포함하여 이루어지고, 상기 제1 무기계 패시베이션층은 광투과율이 40%이하인 불투명한 실리콘 질화물, 불투명한 실리콘 산화물, 또는 불투명한 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광장치를 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a liquid crystal display comprising: a first substrate; A light emitting diode layer formed on the first substrate; And a passivation layer formed on the light emitting diode layer, the passivation layer including a first inorganic passivation layer formed on the light emitting diode layer, an organic passivation layer formed on the first inorganic passivation layer, Wherein the first inorganic passivation layer is formed of opaque silicon nitride having a light transmittance of 40% or less, opaque silicon oxide, or opaque silicon, and a second inorganic passivation layer formed on the first inorganic passivation layer. Device.

이상과 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above, the following effects can be obtained.

본 발명에 따르면, 발광 다이오드층 상에 제1 무기계 패시베이션층, 유기계 패시베이션층, 및 제2 무기계 패시베이션층을 차례로 형성함으로써, 발광 다이오드층 내로 수분이 침투하는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. According to the present invention, by sequentially forming the first inorganic passivation layer, the organic passivation layer, and the second inorganic passivation layer on the light emitting diode layer, it is possible to effectively prevent moisture from penetrating into the light emitting diode layer.

특히, 본 발명에 따르면, 상기 제1 무기계 패시베이션층의 재료로서 광투과율이 40%이하인 불투명한 실리콘 질화물, 불투명한 실리콘 산화물, 또는 불투명한 실리콘을 이용함으로써, 발광 다이오드층 내로 수분이 침투하는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있고 또한 광의 굴절율 차이로 인한 얼룩 발생을 방지할 수 있다. Particularly, according to the present invention, by using opaque silicon nitride, opaque silicon oxide, or opaque silicon having a light transmittance of 40% or less as the material of the first inorganic passivation layer, moisture penetration into the light emitting diode layer It is possible to effectively prevent the occurrence of stain due to the difference in refractive index of light.

도 1은 종래의 유기발광장치의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치의 박막 트랜지스터층을 구체적으로 보여주는 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of a conventional organic light emitting device.
2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view illustrating a thin film transistor layer of an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention.

본 명세서에서 기술되는 "상에"라는 용어는 어떤 구성이 다른 구성의 바로 상면 또는 바로 하면에 형성되는 경우 뿐만 아니라 이들 구성들 사이에 제3의 구성이 개재되는 경우까지 포함하는 것을 의미한다. The term "on " as used herein is meant to encompass not only when a configuration is formed directly on the top surface or directly below another configuration, but also when a third configuration is interposed between these configurations.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치의 개략적인 단면도이다. 2 is a schematic cross-sectional view of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention.

도 2에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치는, 제1 기판(100), 박막 트랜지스터층(200), 발광 다이오드층(300), 패시베이션층(passivation layer)(400), 접착층(500), 및 제2 기판(600)을 포함하여 이루어진다. 2, the organic light emitting device includes a first substrate 100, a thin film transistor layer 200, a light emitting diode layer 300, a passivation layer 400, An adhesive layer 500, and a second substrate 600.

상기 제1 기판(100)은 유리가 주로 이용되지만, 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱, 예로서, 폴리이미드가 이용될 수 있다. 폴리이미드를 상기 제1 기판(100)의 재료로 이용할 경우에는, 상기 제1 기판(100) 상에서 고온의 증착 공정이 이루어짐을 감안할 때, 고온에서 견딜 수 있는 내열성이 우수한 폴리이미드가 이용될 수 있다. Although glass is mainly used for the first substrate 100, transparent plastic such as polyimide which can be bent or rolled can be used. When polyimide is used as the material of the first substrate 100, polyimide excellent in heat resistance that can withstand high temperatures can be used, considering that a high temperature deposition process is performed on the first substrate 100 .

상기 박막 트랜지스터층(200)은 상기 제1 기판(100) 상에 형성되어 있다. 상기 박막 트랜지스터층(200)은 게이트 배선, 데이터 배선 및 전원 배선 등과 같은 다수의 배선들, 상기 다수의 배선들과 연결되는 스위칭 박막 트랜지스터 및 구동 박막 트랜지스터를 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 배선들 및 박막 트랜지스터의 전극들의 조합에 의해서 커패시터가 형성될 수 있다. 이와 같은 박막 트랜지스터층(200)의 구체적인 구성은 후술하기로 한다. The thin film transistor layer 200 is formed on the first substrate 100. The thin film transistor layer 200 includes a plurality of wirings such as gate wirings, data wirings, and power supply wirings, and switching thin film transistors and driving thin film transistors connected to the plurality of wirings. In addition, a capacitor may be formed by a combination of the wirings and the electrodes of the thin film transistor. The specific structure of the thin film transistor layer 200 will be described later.

상기 발광 다이오드층(300)은 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에 형성되어 있다. The light emitting diode layer 300 is formed on the thin film transistor layer 200.

상기 발광 다이오드층(300)은 뱅크층(310), 제1 전극(320), 발광부(330), 및 제2 전극(340)을 포함하여 이루어진다. The light emitting diode layer 300 includes a bank layer 310, a first electrode 320, a light emitting portion 330, and a second electrode 340.

상기 뱅크층(310)은 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에 패턴 형성되어 있다. 구체적으로, 상기 뱅크층(310)은 발광영역 이외의 영역에 형성되며, 이와 같은 뱅크층(310)에 의해서 발광영역이 정의된다. 상기 뱅크층(310)은 유기절연물질, 예를 들면 폴리이미드(polyimide), 포토아크릴(Photo acryl), 또는 벤조사이클로부텐(BCB)으로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The bank layer 310 is patterned on the thin film transistor layer 200. Specifically, the bank layer 310 is formed in a region other than the light emitting region, and the light emitting region is defined by the bank layer 310. The bank layer 310 may be formed of an organic insulating material such as polyimide, photo acryl, or benzocyclobutene (BCB), but the present invention is not limited thereto.

상기 제1 전극(320)은 상기 박막 트랜지스터층(200) 상에 패턴 형성되어 있다. 이와 같은 제1 전극(320)은 상기 박막 트랜지스터층(200) 내에 형성되는 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있다. 본 발명은 바텀 에미션(Bottom Emission) 방식으로 적용될 수 있고, 이 경우, 상기 제1 전극(320)은 투명 도전물로 이루어진다. The first electrode 320 is patterned on the thin film transistor layer 200. The first electrode 320 is electrically connected to a drain electrode formed in the thin film transistor layer 200. The present invention can be applied to the bottom emission method. In this case, the first electrode 320 is made of a transparent conductive material.

상기 발광부(330)는 상기 제1 전극(320) 상에 형성되어 있다. 상기 발광부(330)는 도시하지는 않았지만, 정공주입층, 정공수송층, 유기발광층, 전자수송층, 및 전자주입층이 차례로 적층된 구조로 형성될 수 있다. 다만, 상기 정공주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 하나 또는 둘 이상의 층은 생략이 가능하다. 상기 유기발광층은 화소 별로 동일한 색, 예로서 화이트(white)의 광을 발광하도록 형성될 수도 있고, 화소 별로 상이한 색, 예로서, 적색, 녹색, 또는 청색의 광을 발광하도록 형성될 수도 있다. The light emitting unit 330 is formed on the first electrode 320. Although not shown, the light emitting unit 330 may have a structure in which a hole injection layer, a hole transport layer, an organic light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer are sequentially stacked. However, one or two or more layers of the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, and the electron injection layer may be omitted. The organic light emitting layer may be formed to emit light of the same color, for example, white for each pixel, or may emit light of different colors, for example, red, green, or blue for each pixel.

상기 제2 전극(340)은 상기 발광부(330) 상에 형성되어 있다. 상기 제2 전극(340)은 화소 별로 구분되지 않고 전체 화소에 공통되는 전극 형태로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 전극(340)은 상기 발광부(330) 뿐만 아니라 상기 뱅크층(310) 상에도 형성될 수 있다. 상기 제2 전극(340)은 본 발명이 바텀 에미션(Bottom Emission) 방식으로 적용될 경우 불투명 도전물로 이루어진다. The second electrode 340 is formed on the light emitting portion 330. The second electrode 340 may be formed in an electrode shape that is common to all pixels without being divided for each pixel. That is, the second electrode 340 may be formed not only on the light emitting portion 330 but also on the bank layer 310. The second electrode 340 is made of an opaque conductive material when the present invention is applied in a bottom emission mode.

상기 패시베이션층(400)은 상기 발광 다이오드층(300) 상에 형성되어 있다. 특히, 상기 패시베이션층(400)은 상기 발광 다이오드층(300)의 상면 및 측면을 덮도록 형성되어 상기 발광 다이오드층(300)을 보호함과 더불어 외부의 수분이 상기 발광 다이오드층(300) 내부로 침투하는 것을 방지한다. The passivation layer 400 is formed on the light emitting diode layer 300. Particularly, the passivation layer 400 is formed to cover the top and side surfaces of the light emitting diode layer 300 to protect the light emitting diode layer 300 and to prevent external moisture from flowing into the light emitting diode layer 300 Prevent penetration.

상기 패시베이션층(400)은 캡핑층(capping layer)(410), 제1 무기계 패시베이션층(420), 유기계 패시베이션층(430), 및 제2 무기계 패시베이션층(440)을 포함하여 이루어진다. The passivation layer 400 includes a capping layer 410, a first inorganic passivation layer 420, an organic passivation layer 430, and a second inorganic passivation layer 440.

상기 캡핑층(410)은 상기 제2 전극(340) 상에 형성되어 있다. 상기 캡핑층(410)은 상기 발광 다이오드층(300)의 상면 및 측면을 덮도록 형성된다. The capping layer 410 is formed on the second electrode 340. The capping layer 410 is formed to cover the upper surface and side surfaces of the light emitting diode layer 300.

상기 캡핑층(410)은 광 추출 효과를 증가시키는 역할을 하며, 이와 같은 캡핑층(410)은 전술한 발광부(330)를 구성하는 물질로 이루어질 수 있다. 예로서, 상기 캡핑층(410)은 정공수송층 또는 정공주입층을 구성하는 물질로 이루어질 수도 있고, 유기발광층을 구성하는 호스트 물질로 이루어질 수도 있다. 상기 캡핑층(410)은 생략하는 것도 가능하다.The capping layer 410 functions to increase the light extracting effect. The capping layer 410 may be made of the material of the light emitting portion 330 described above. For example, the capping layer 410 may be formed of a material that constitutes the hole transporting layer or the hole injecting layer, or may be a host material that constitutes the organic light emitting layer. The capping layer 410 may be omitted.

상기 제1 무기계 패시베이션층(420)은 상기 캡핑층(410) 상에 형성되어 있다. 상기 제1 무기계 패시베이션층(420)은 상기 캡핑층(410) 전체 면 상에 형성되어 있다. 따라서, 상기 제1 무기계 패시베이션층(420)도 상기 발광 다이오드층(300)의 상면 및 측면을 덮도록 형성된다. The first inorganic passivation layer 420 is formed on the capping layer 410. The first inorganic passivation layer 420 is formed on the entire surface of the capping layer 410. Accordingly, the first inorganic passivation layer 420 is also formed to cover the upper surface and the side surface of the light emitting diode layer 300.

상기 제1 무기계 패시베이션층(420)은 불투명한 실리콘 질화물(SiNx), 불투명한 실리콘 산화물(SiOx), 또는 불투명한 실리콘(Si)으로 이루어진다. The first inorganic passivation layer 420 is made of opaque silicon nitride (SiNx), opaque silicon oxide (SiOx), or opaque silicon (Si).

일반적으로 무기계 절연막으로 사용되는 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)은 광투과율이 90% 이상인 투명한 절연 물질이다. 그러나, 상기 제1 무기계 패시베이션층(420)의 재료로 이용되는 상기 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)은 광투과율이 40% 이하로 불투명한 것이 바람직한데, 그 이유는 아래와 같다. Generally, silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) used as an inorganic insulating film is a transparent insulating material having a light transmittance of 90% or more. However, it is preferable that the silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) used as the material of the first inorganic passivation layer 420 is opaque with a light transmittance of 40% or less.

상기 유기계 패시베이션층(430)은 상기 제1 무기계 패시베이션층(420)의 전체 면 상에 형성되지 않고, 상기 제1 무기계 패시베이션층(420)의 일부 면 상에 형성된다. 보다 구체적으로, 상기 유기계 패시베이션층(430)은 상기 제1 기판(100)의 가장 자리 영역에 형성된다. 즉, 상기 유기계 패시베이션층(430)은 평면구조상으로 볼 때 4각형 제1 기판(100)의 4변 가장자리 영역에 형성된다. 특히, 상기 유기계 패시베이션층(430)은 최외곽의 뱅크층(310)과 오버랩되도록 형성될 수 있다. The organic passivation layer 430 is not formed on the entire surface of the first inorganic passivation layer 420 but is formed on a partial surface of the first inorganic passivation layer 420. More specifically, the organic passivation layer 430 is formed in the edge region of the first substrate 100. That is, the organic passivation layer 430 is formed in the four edge regions of the first substrate 100 in a plan view. In particular, the organic passivation layer 430 may be overlapped with the outermost bank layer 310.

이와 같이 유기계 패시베이션층(430)이 상기 제1 무기계 패시베이션층(420)의 전체 면 상에 형성되지 않기 때문에, 상기 유기계 패시베이션층(430)이 형성된 영역과 상기 유기계 패시베이션층(430)이 형성되지 않은 영역 사이에서 광의 굴절율 차이가 발생하고 그로 인해서 화상이 디스플레이될 때 얼룩이 발생할 수 있다. Since the organic passivation layer 430 is not formed on the entire surface of the first inorganic passivation layer 420, the region where the organic passivation layer 430 is formed and the region where the organic passivation layer 430 is not formed There is a difference in the refractive index of light between the regions, which may cause blotches when the image is displayed.

따라서, 본 발명이 바텀 에미션(Bottom Emission) 방식으로 적용될 경우, 상기 유기계 패시베이션층(430) 아래에 형성되는 제1 무기계 패시베이션층(420)을 불투명한 재료로 형성함으로써 상기와 같은 얼룩 문제를 해소할 수 있게 된다. Accordingly, when the present invention is applied to the bottom emission method, the first inorganic passivation layer 420 formed below the organic passivation layer 430 is formed of an opaque material, .

상기 제1 무기계 패시베이션층(420)의 재료로 이용될 수 있는 불투명한 실리콘 질화물(SiNx)은 SiH4와 같은 Si 소스 가스 및 N2 가스를 원료로 하여 플라즈마 강화 화학기상증착법(PECVD)을 이용하여 형성할 수 있는데, 이때, 상기 N2 가스를 10중량% 이하로 투입할 경우, 광투과율이 40%이하의 불투명한 실리콘 질화물(SiNx)을 얻을 수 있다. Using the first inorganic passivation layer 420 is opaque silicon nitride (SiNx) is a Si source gas and the N 2 gas as a raw material, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), such as SiH 4, which materials may be used as the At this time, opaque silicon nitride (SiNx) having a light transmittance of 40% or less can be obtained when the N 2 gas is added in an amount of 10 wt% or less.

상기 N2 가스를 투입하지 않을 경우 실리콘(Si), 특히 비정질 실리콘(s-Si)으로 이루어진 제1 무기계 패시베이션층(420)을 얻을 수 있으며, 이와 같은 실리콘(Si)은 광투과율이 30%이하가 된다. When the N 2 gas is not supplied, a first inorganic passivation layer 420 made of silicon (Si), particularly, amorphous silicon (s-Si) can be obtained. The silicon (Si) has a light transmittance of 30% .

한편, 광투과율이 30%이하의 불투명한 실리콘 질화물(SiNx)을 제1 무기계 패시베이션층(420)의 재료로 이용하는 것이 보다 바람직하다. N2 가스의 함량을 줄일 경우 보다 낮은 광투과율을 가지는 실리콘 질화물(SiNx)을 얻을 수 있다. On the other hand, it is more preferable to use opaque silicon nitride (SiNx) having a light transmittance of 30% or less as the material of the first inorganic passivation layer 420. When the content of N 2 gas is reduced, silicon nitride (SiN x) having lower light transmittance can be obtained.

또한, 제1 무기계 패시베이션층(420)의 재료로 이용될 수 있는 불투명한 실리콘 산화물(SiOx)은 SiH4와 같은 Si 소스 가스 및 O2 가스를 원료로 하여 플라즈마 강화 화학기상증착법(PECVD)을 이용하여 형성할 수 있는데, 이때, 상기 O2 가스를 10중량% 이하로 투입할 경우, 광투과율이 40%이하의 불투명한 실리콘 산화물(SiOx)을 얻을 수 있다. Also, the first use of the inorganic passivation layer 420 is an opaque silicon oxide (SiOx) by the Si source gas and O 2 gas, such as SiH 4 as a raw material, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), which materials may be used as the At this time, opaque silicon oxide (SiOx) having a light transmittance of 40% or less can be obtained when the O 2 gas is added in an amount of 10 wt% or less.

상기 O2 가스를 투입하지 않을 경우 실리콘(Si), 특히 비정질 실리콘(s-Si)으로 이루어진 제1 무기계 패시베이션층(420)을 얻을 수 있으며, 이와 같은 실리콘(Si)은 광투과율이 30%이하가 된다. The first inorganic passivation layer 420 made of silicon (Si), particularly, amorphous silicon (s-Si) can be obtained when the O 2 gas is not supplied. The silicon (Si) has a light transmittance of 30% .

광투과율이 30%이하의 불투명한 실리콘 산화물(SiOx)을 제1 무기계 패시베이션층(420)의 재료로 이용하는 것이 보다 바람직하다. O2 가스의 함량을 줄일 경우 보다 낮은 광투과율을 가지는 실리콘 산화물(SiOx)을 얻을 수 있다. It is more preferable to use opaque silicon oxide (SiOx) having a light transmittance of 30% or less as the material of the first inorganic passivation layer 420. When the content of O 2 gas is reduced, silicon oxide (SiOx) having lower light transmittance can be obtained.

한편, 이와 같은 불투명한 실리콘 질화물(SiNx) 및 불투명한 실리콘 산화물(SiOx)은 대략 0.03 ~ 0.05 WVTR(g/m2/day) 정도의 투습율을 가진다. 따라서, 불투명한 실리콘 질화물(SiNx) 및 불투명한 실리콘 산화물(SiOx)은 일반적으로 0.11 WVTR(g/m2/day) 정도의 투습율을 가지는 투명한 실리콘 질화물(SiNx) 및 투명한 실리콘 산화물(SiOx)에 비하여 투습율이 작아, 상기 발광 다이오드층(300)으로의 수분침투를 방지하는 효과도 증진될 수 있다. 실리콘(Si)의 투습율도 투명한 실리콘 질화물(SiNx) 및 투명한 실리콘 산화물(SiOx)의 투습율보다 작다. On the other hand, such opaque silicon nitride (SiNx) and opaque silicon oxide (SiOx) have moisture permeability of about 0.03 to 0.05 WVTR (g / m 2 / day). Thus, a non-transparent silicon nitride (SiNx) and an opaque silicon oxide (SiOx) is generally 0.11 WVTR (g / m 2 / day) transparent silicon nitride (SiNx), and a transparent silicon oxide having a moisture permeability of approximately (SiOx) The moisture permeation rate is small and the effect of preventing moisture infiltration into the light emitting diode layer 300 can be enhanced. The moisture permeability of silicon (Si) is also smaller than that of transparent silicon nitride (SiNx) and transparent silicon oxide (SiOx).

상기 유기계 패시베이션층(430)은 상기 제1 무기계 패시베이션층(420) 상에형성되며, 전술한 바와 같이, 상기 제1 무기계 패시베이션층(420) 상에서 상기 제1 기판(100)의 가장 자리 영역에 형성된다. The organic passivation layer 430 is formed on the first inorganic passivation layer 420 and is formed on the first inorganic passivation layer 420 in the edge region of the first substrate 100, do.

상기 유기계 패시베이션층(430)은 에폭시계 화합물로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The organic passivation layer 430 may be made of an epoxy compound, but is not limited thereto.

상기 제2 무기계 패시베이션층(440)은 상기 유기계 패시베이션층(430) 상에 형성되어 있다. 특히, 상기 제2 무기계 패시베이션층(440)은 상기 발광 다이오드층(300)의 상면 및 측면을 덮도록 형성되며, 따라서, 상기 유기계 패시베이션층(430)이 형성되지 않은 제1 기판(100)의 중앙부 영역에서는, 상기 제1 무기계 패시베이션층(420)의 상면에 상기 제2 무기계 패시베이션층(440)이 형성된다. The second inorganic passivation layer 440 is formed on the organic passivation layer 430. Particularly, the second inorganic passivation layer 440 is formed to cover the top and side surfaces of the light emitting diode layer 300, so that the center of the first substrate 100 on which the organic passivation layer 430 is not formed The second inorganic passivation layer 440 is formed on the upper surface of the first inorganic passivation layer 420.

상기 제2 무기계 패시베이션층(440)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)로 이루어질 수 있다. The second inorganic passivation layer 440 may be formed of silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx).

상기 제2 무기계 패시베이션층(440)의 재료로 이용되는 상기 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)은 광투과율이 90% 이상으로 투명한 물질이 이용될 수 있다. The silicon nitride (SiNx) or silicon oxide (SiOx) used as the material of the second inorganic passivation layer 440 may be a material having a light transmittance of 90% or more.

상기 제2 무기계 패시베이션층(440)의 재료로 이용될 수 있는 실리콘 질화물(SiNx)은 SiH4와 같은 Si 소스 가스 및 N2 가스를 원료로 하여 플라즈마 강화 화학기상증착법(PECVD)을 이용하여 형성할 수 있는데, 이때, 상기 N2 가스를 20 중량% 이상 및 60중량% 이하로 투입할 경우, 광투과율이 90%이상의 투명한 실리콘 질화물(SiNx)을 얻을 수 있다. Silicon nitride (SiN x), which may be used as the material of the second inorganic passivation layer 440, may be formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using Si source gas such as SiH 4 and N 2 gas as raw materials At this time, when the N 2 gas is supplied in an amount of 20 wt% or more and 60 wt% or less, transparent silicon nitride (SiN x) having a light transmittance of 90% or more can be obtained.

또한, 제2 무기계 패시베이션층(440)의 재료로 이용될 수 있는 실리콘 산화물(SiOx)은 SiH4와 같은 Si 소스 가스 및 O2 가스를 원료로 하여 플라즈마 강화 화학기상증착법(PECVD)을 이용하여 형성할 수 있는데, 이때, 상기 O2 가스를 20중량% 이상 및 60중량% 이하로 투입할 경우, 광투과율이 90%이상의 투명한 실리콘 산화물(SiOx)을 얻을 수 있다. In addition, silicon oxide (SiOx), which may be used as the material of the second inorganic passivation layer 440, is formed by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using Si source gas such as SiH 4 and O 2 gas as raw materials. At this time, when the O 2 gas is introduced in an amount of 20 wt% or more and 60 wt% or less, transparent silicon oxide (SiO x) having a light transmittance of 90% or more can be obtained.

한편 전술한 바와 같이, 투명한 실리콘 질화물 및 투명한 실리콘 산화물에 비하여, 불투명한 실리콘 질화물 및 불투명한 실리콘 산화물이 투습율이 작아 외부의 습기가 상기 발광 다이오드층(300) 내부로 침투하는 것을 방지하는 효과가 우수하다. On the other hand, as described above, opaque silicon nitride and opaque silicon oxide have a smaller moisture permeability than transparent silicon nitride and transparent silicon oxide, and thus prevent external moisture from penetrating into the light emitting diode layer 300 great.

따라서, 상기 제2 무기계 패시베이션층(440)의 재료로서 상기 제1 무기계 패시베이션층(420)과 마찬가지로 투과율이 40%이하의 불투명한 실리콘 질화물(SiNx), 불투명한 실리콘 산화물(SiOx), 또는 불투명한 실리콘(Si)을 이용할 수 있다. Accordingly, as the material of the second inorganic passivation layer 440, opaque silicon nitride (SiNx), opaque silicon oxide (SiOx) or the like, which has a transmittance of 40% or less as in the first inorganic passivation layer 420, Silicon (Si) can be used.

상기 접착층(500)은 상기 패시베이션층(400) 상에 형성되어, 상기 제2 기판(600)을 상기 패시베이션층(400)에 접착시키는 역할을 한다. The adhesive layer 500 is formed on the passivation layer 400 to adhere the second substrate 600 to the passivation layer 400.

상기 접착층(500)은 접착 필름을 이용할 수도 있고 액상의 접착물질을 경화하여 형성할 수도 있다. The adhesive layer 500 may be formed using an adhesive film or by curing a liquid adhesive material.

상기 제2 기판(600)은 유기발광장치를 외부로부터의 물리적 충격이나 긁힘 등으로부터 보호할 수 있도록 강화 글라스로 형성될 수 있으나, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 구부리거나 휠 수 있는 투명한 플라스틱, 예로서, 폴리이미드가 이용될 수 있다. The second substrate 600 may be formed of a reinforced glass so as to protect the organic light emitting device from physical impact or scratches from the outside, but is not necessarily limited to, a transparent plastic that can be bent or rolled, , Polyimide may be used.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치의 박막 트랜지스터층을 구체적으로 보여주는 단면도로서, 전술한 실시예와 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 반복 설명은 생략하기로 한다. FIG. 3 is a cross-sectional view showing a thin film transistor layer of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, wherein the same reference numerals are assigned to the same components as those of the previous embodiment, and a repeated description of the same components is omitted .

도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기발광장치는, 제1 기판(100), 게이트 전극(210), 게이트 절연막(220), 액티브층(230), 에치 스톱퍼(240), 소스 전극(250a), 드레인 전극(250b), 제1 보호막(260), 컬러 필터(270), 평탄화층(280), 제2 보호막(290), 및 발광 다이오드층(300)을 포함하여 이루어진다. 3, the organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first substrate 100, a gate electrode 210, a gate insulating layer 220, an active layer 230, an etch stopper 240, A source electrode 250a, a drain electrode 250b, a first passivation layer 260, a color filter 270, a planarization layer 280, a second passivation layer 290, and a light emitting diode layer 300 .

상기 게이트 전극(210)은 상기 제1 기판(100) 상에 패턴 형성되어 있다. 상기 게이트 전극(120)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다. The gate electrode 210 is patterned on the first substrate 100. The gate electrode 120 may be formed of one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ni, Ni, Cu, Alloy, and may be composed of a single layer of the metal or alloy or multiple layers of two or more layers.

상기 게이트 절연막(220)은 상기 게이트 전극(210) 상에 형성되어 있어, 상기 게이트 전극(210)을 상기 액티브층(230)으로부터 절연시킨다. 상기 게이트 절연막(220)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수도 있다. The gate insulating layer 220 is formed on the gate electrode 210 to isolate the gate electrode 210 from the active layer 230. The gate insulating layer 220 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride but may be formed of an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene have.

상기 액티브층(230)은 상기 게이트 절연막(220) 상에 패턴 형성되어 있다. 상기 액티브층(230)은 In-Ga-Zn-O(IGZO)와 같은 산화물 반도체로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 실리콘계 반도체로 이루어질 수도 있다. The active layer 230 is patterned on the gate insulating layer 220. The active layer 230 may be made of an oxide semiconductor such as In-Ga-Zn-O (IGZO), but is not limited thereto, and may be made of a silicon semiconductor.

상기 에치 스톱퍼(240)는 상기 액티브층(230) 상에 패턴 형성되어 있다. 상기 에치 스톱퍼(240)는 상기 소스 전극(250a) 및 드레인 전극(250b)의 패터닝을 위한 에칭 공정시 상기 액티브층(230)의 채널영역이 에칭되는 것을 방지하는 역할을 한다. 상기 에치 스톱퍼(240)는 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 에치 스톱퍼(240)는 경우에 따라서 생략하는 것도 가능하다. The etch stopper 240 is patterned on the active layer 230. The etch stopper 240 prevents the channel region of the active layer 230 from being etched during an etching process for patterning the source electrode 250a and the drain electrode 250b. The etch stopper 240 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, but is not limited thereto. The etch stopper 240 may be omitted in some cases.

상기 소스 전극(250a) 및 드레인 전극(250b)은 서로 마주하면서 상기 에치 스톱퍼(240) 상에 패턴 형성되어 있다. 상기 소스 전극(250a)은 상기 에치 스톱퍼(240) 상에서부터 상기 액티브층(230)의 일 측 방향으로 연장되면서 상기 액티브층(230)과 연결되어 있다. 상기 드레인 전극(250b)은 상기 에치 스톱퍼(240) 상에서부터 상기 액티브층(230)의 타 측 방향으로 연장되면서 상기 액티브층(230)과 연결되어 있다. 상기 소스 전극(250a) 및 드레인 전극(250b)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오듐(Nd), 구리(Cu), 또는 그들의 합금으로 이루어질 수 있으며, 상기 금속 또는 합금의 단일층 또는 2층 이상의 다중층으로 이루어질 수 있다. The source electrode 250a and the drain electrode 250b are patterned on the etch stopper 240 while facing each other. The source electrode 250a extends from the etch stopper 240 in one direction of the active layer 230 and is connected to the active layer 230. The drain electrode 250b extends from the etch stopper 240 toward the other side of the active layer 230 and is connected to the active layer 230. The source electrode 250a and the drain electrode 250b may be formed of one selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, (Cu), or an alloy thereof, and may be composed of a single layer of the metal or alloy or multiple layers of two or more layers.

상기 제1 보호막(260)은 상기 소스 전극(250a) 및 드레인 전극(250b) 상에 형성되어 있다. 상기 제1 보호막(260)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The first passivation layer 260 is formed on the source electrode 250a and the drain electrode 250b. The first protective layer 260 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, but is not limited thereto.

상기 컬러 필터(270)는 상기 제1 보호막(260) 상에 형성되어 있다. 상기 컬러 필터(270)는 발광 다이오드층(300)의 발광부(330)와 오버랩되도록 형성되어, 상기 발광부(330)에서 발광된 광이 상기 컬러 필터(270)를 경유하여 상기 제1 기판(100) 방향으로 방출될 수 있다. 이와 같은 컬러 필터(270)는 화소 별로 구별되게 형성되는 적색 컬러 필터, 녹색 컬러 필터, 및 청색 컬러 필터로 이루어질 수 있다. 다만, 상기 발광부(330)에서 화소 별로 적색, 녹색, 또는 청색의 광이 발광될 경우 상기 컬러 필터(270)는 생략이 가능하다. The color filter 270 is formed on the first protective film 260. The color filter 270 is formed to overlap the light emitting portion 330 of the light emitting diode layer 300 so that the light emitted from the light emitting portion 330 passes through the color filter 270, 100) direction. The color filter 270 may include a red color filter, a green color filter, and a blue color filter, which are separately formed for each pixel. However, the color filter 270 may be omitted when red, green, or blue light is emitted for each pixel in the light emitting unit 330.

상기 평탄화층(280)은 상기 컬러 필터(270) 상에 형성되어, 유기발광장치의 표면 단차를 줄이는 역할을 한다. 이와 같은 평탄화층(280)은 포토아크릴(Photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등과 같은 유기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. The planarization layer 280 is formed on the color filter 270 to reduce the surface step of the organic light emitting device. The planarization layer 280 may be formed of an organic insulating material such as photo acryl or benzocyclobutene (BCB), but is not limited thereto.

상기 제2 보호막(290)은 상기 평탄화층(280) 상에 형성되어 있다. 상기 제2 보호막(290)은 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기계 절연물질로 이루어질 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 상기 제2 보호막(290)은 생략할 수도 있다. The second passivation layer 290 is formed on the planarization layer 280. The second protective film 290 may be made of an inorganic insulating material such as silicon oxide or silicon nitride, but is not limited thereto. The second protective film 290 may be omitted.

상기 발광 다이오드층(300)은 전술한 바와 마찬가지로 뱅크층(310), 제1 전극(320), 발광부(330), 및 제2 전극(340)을 포함하여 이루어진다. The light emitting diode layer 300 includes a bank layer 310, a first electrode 320, a light emitting portion 330, and a second electrode 340 as described above.

상기 뱅크층(310) 및 제1 전극(320)은 상기 제2 보호막(290) 상에 형성되어 있다. The bank layer 310 and the first electrode 320 are formed on the second protective layer 290.

상기 제1 전극(320)은 상기 드레인 전극(250b)과 연결되어 있다. 즉, 상기 제1 보호막(260), 평탄화층(280), 및 제2 보호막(290)의 소정 영역에는 콘택홀이 형성되어 있어, 상기 콘택홀에 의해서 상기 드레인 전극(250b)이 노출되고, 상기 제1 전극(320)은 상기 콘택홀을 통해서 상기 드레인 전극(250b)과 연결되어 있다. The first electrode 320 is connected to the drain electrode 250b. That is, a contact hole is formed in a predetermined region of the first passivation layer 260, the planarization layer 280, and the second passivation layer 290, the drain electrode 250b is exposed by the contact hole, The first electrode 320 is connected to the drain electrode 250b through the contact hole.

상기 발광부(330)는 상기 제1 전극(320) 상에 형성되어 있고, 상기 제2 전극(340)은 상기 발광부(330) 상에 형성되어 있다. The light emitting unit 330 is formed on the first electrode 320 and the second electrode 340 is formed on the light emitting unit 330.

한편, 상기 게이트 전극(210), 게이트 절연막(220), 액티브층(230), 에치 스톱퍼(240), 소스 전극(250a), 및 드레인 전극(250b)으로 이루어지는 박막 트랜지스터는 당업계에 공지된 다양한 형태로 변경될 수 있다. The thin film transistor including the gate electrode 210, the gate insulating layer 220, the active layer 230, the etch stopper 240, the source electrode 250a, and the drain electrode 250b may be formed using various methods known in the art And the like.

이상은 화상을 디스플레이하는 유기발광장치에 대해서 설명하였지만, 본 발명이 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 본 발명에 따른 유기발광장치는 화상을 디스플레이하지는 않는 조명 등과 같은 장치도 포함한다. 조명 장치의 경우 전술한 박막 트랜지스터층(200)이 생략될 수도 있다. Although the above description has been made with respect to the organic light emitting device for displaying an image, the present invention is not necessarily limited thereto, and the organic light emitting device according to the present invention also includes an apparatus such as a light source which does not display an image. In the case of a lighting device, the above-described thin film transistor layer 200 may be omitted.

100: 제1 기판 200: 박막 트랜지스터층
300: 발광 다이오드층 310: 뱅크층
320: 제1 전극 330: 발광부
340: 제2 전극 400: 패시베이션층
410: 캡핑층 420: 제1 무기계 패시베이션층
430: 유기계 패시베이션층 440: 제2 무기계 패시베이션층
500: 접착층 600: 제2 기판100: first substrate 200: thin film transistor layer
300: light emitting diode layer 310: bank layer
320: first electrode 330:
340: second electrode 400: passivation layer
410: capping layer 420: first inorganic passivation layer
430: organic passivation layer 440: second inorganic passivation layer
500: adhesive layer 600: second substrate

Claims (10)

제1 기판;
상기 제1 기판 상에 형성된 발광 다이오드층; 및
상기 발광 다이오드층 상에 형성된 패시베이션층을 포함하여 이루어지고,
상기 패시베이션층은 상기 발광 다이오드층 상에 형성된 제1 무기계 패시베이션층, 상기 제1 무기계 패시베이션층 상에 형성된 유기계 패시베이션층, 및 상기 유기계 패시베이션층 상에 형성된 제2 무기계 패시베이션층을 포함하여 이루어지고,
상기 제1 무기계 패시베이션층은 광투과율이 40%이하인 불투명한 실리콘 질화물, 불투명한 실리콘 산화물, 또는 불투명한 실리콘으로 이루어지고,
상기 유기계 패시베이션층은 상기 제1 기판의 가장 자리 영역에 형성되고 상기 제1 기판의 중앙부에는 형성되지 않고, 상기 유기계 패시베이션층이 형성되지 않은 상기 제1 기판의 중앙부에서는 상기 제1 무기계 패시베이션층의 상면에 상기 제2 무기계 패시베이션층이 구비된 것을 특징으로 하는 유기발광장치. A first substrate;
A light emitting diode layer formed on the first substrate; And
And a passivation layer formed on the light emitting diode layer,
Wherein the passivation layer comprises a first inorganic passivation layer formed on the light emitting diode layer, an organic passivation layer formed on the first inorganic passivation layer, and a second inorganic passivation layer formed on the organic passivation layer,
Wherein the first inorganic passivation layer is made of opaque silicon nitride having a light transmittance of 40% or less, opaque silicon oxide, or opaque silicon,
Wherein the organic passivation layer is formed at the edge region of the first substrate and is not formed at the center of the first substrate and is formed on the upper surface of the first inorganic passivation layer at the central portion of the first substrate on which the organic passivation layer is not formed Wherein the second inorganic passivation layer is provided on the second inorganic passivation layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 무기계 패시베이션층은 Si 소스 가스 및 N2 가스를 원료로 하되, 상기 N2 가스를 10중량% 이하로 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광장치. The method according to claim 1,
Wherein the first inorganic passivation layer is formed using a Si source gas and an N 2 gas as raw materials, wherein the N 2 gas is used in an amount of 10 wt% or less. 제1항에 있어서,
상기 제1 무기계 패시베이션층은 Si 소스 가스 및 O2 가스를 원료로 하되, 상기 O2 가스를 10중량% 이하로 이용하여 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광장치. The method according to claim 1,
Wherein the first inorganic passivation layer is formed using a Si source gas and an O 2 gas as raw materials, wherein the O 2 gas is used in an amount of 10 wt% or less. 제1항에 있어서,
상기 제1 무기계 패시베이션층은 광투과율이 30%이하인 것을 특징으로 하는 유기발광장치. The method according to claim 1,
Wherein the first inorganic passivation layer has a light transmittance of 30% or less. 제1항에 있어서,
상기 제1 무기계 패시베이션층은 0.03 ~ 0.05 WVTR(g/m2/day)의 투습율을 가지는 것을 특징으로 하는 유기발광장치. The method according to claim 1,
Wherein the first inorganic passivation layer has a water vapor permeability of 0.03 to 0.05 WVTR (g / m 2 / day). 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제2 무기계 패시베이션층은 광투과율이 40%이하인 불투명한 실리콘 질화물, 불투명한 실리콘 산화물, 또는 불투명한 실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광장치. The method according to claim 1,
Wherein the second inorganic passivation layer is made of opaque silicon nitride having a light transmittance of 40% or less, opaque silicon oxide, or opaque silicon. 제1항에 있어서,
상기 발광 다이오드층과 상기 제1 무기계 패시베이션층 사이에 캡핑층이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광장치. The method according to claim 1,
Wherein a capping layer is further formed between the light emitting diode layer and the first inorganic passivation layer. 제1항에 있어서,
상기 발광 다이오드층은 상기 제1 기판 상에 형성된 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 형성된 발광부, 상기 발광부 상에 형성된 제2 전극을 포함하여 이루어지고,
상기 제1 전극은 투명한 도전물로 이루어지고, 상기 제2 전극은 불투명한 도전물로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기발광장치. The method according to claim 1,
Wherein the light emitting diode layer includes a first electrode formed on the first substrate, a light emitting portion formed on the first electrode, and a second electrode formed on the light emitting portion,
Wherein the first electrode is made of a transparent conductive material, and the second electrode is made of an opaque conductive material. 제1항에 있어서,
상기 제1 기판과 상기 발광 다이오드층 사이에 박막 트랜지스터층이 추가로 형성되고, 상기 패시베이션층 상에 접착층이 추가로 형성되고, 상기 접착층 상에 제2 기판이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광장치. The method according to claim 1,
Wherein a thin film transistor layer is additionally formed between the first substrate and the light emitting diode layer, an adhesive layer is further formed on the passivation layer, and a second substrate is further formed on the adhesive layer. .
KR1020120142717A 2012-12-10 2012-12-10 Organic Light Emitting Device KR101963785B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120142717A KR101963785B1 (en) 2012-12-10 2012-12-10 Organic Light Emitting Device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120142717A KR101963785B1 (en) 2012-12-10 2012-12-10 Organic Light Emitting Device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140074597A KR20140074597A (en) 2014-06-18
KR101963785B1 true KR101963785B1 (en) 2019-03-29

Family

ID=51127656

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120142717A KR101963785B1 (en) 2012-12-10 2012-12-10 Organic Light Emitting Device

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101963785B1 (en)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004001296A (en) * 2002-05-31 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Film with laminated film, manufacturing method thereof and film type indication element

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101560234B1 (en) * 2009-06-29 2015-10-15 엘지디스플레이 주식회사 Organic Light Emitting Display Device and Method for fabricating the same
KR20110058126A (en) * 2009-11-25 2011-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 Organic light emitting diode display

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004001296A (en) * 2002-05-31 2004-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd Film with laminated film, manufacturing method thereof and film type indication element

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140074597A (en) 2014-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9595691B2 (en) Organic light emitting diode device
KR101994227B1 (en) Organic light emitting diode device and method for fabricating the same
US8921837B2 (en) Organic light emitting display device with light compensation layer
KR102096054B1 (en) Display device and method of fabricating the same
KR102331597B1 (en) Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same
KR101908514B1 (en) Organic light emitting display device and method for fabricating the same
KR102096800B1 (en) Method of manufacturing Organic Light Emitting Display Device
US20170005293A1 (en) Organic light emitting display device
KR20190081481A (en) Organic electroluminescence display device and method of fabricating thereof
KR20140101605A (en) Organic light emitting display device
KR20160021335A (en) Display device
KR20160093173A (en) Display device and manufacturing method thereof
KR100754395B1 (en) Organic Electro-luminescent Display and Fabrication method thereof
KR102332594B1 (en) Organic light emitting display apparatus and the manufacturing method thereof
KR101957145B1 (en) Organic Light Emitting diode display and method of manufacturing the same
US9035433B2 (en) Organic light emitting device
KR102086393B1 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing thereof
KR102094143B1 (en) Fabricating Method Of Organic Light Emitting Diode Display
KR101963785B1 (en) Organic Light Emitting Device
KR102383323B1 (en) Flexible organic light emitting display device
KR102022299B1 (en) Organic Light Emitting Device and Method of Manufacturing the same
KR102034050B1 (en) organic light-emitting dIODE DISPLAY device
KR101903418B1 (en) Organic light emitting device and method for manufacturing the same
KR102536343B1 (en) Thin film transistor and mehtod of fabricating thereof, display device having thin film transistor
KR102234173B1 (en) Organic light emitting display device and method for manufacturing thereof

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant