KR101903418B1 - Organic light emitting device and method for manufacturing the same - Google Patents

Organic light emitting device and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR101903418B1
KR101903418B1 KR1020110139606A KR20110139606A KR101903418B1 KR 101903418 B1 KR101903418 B1 KR 101903418B1 KR 1020110139606 A KR1020110139606 A KR 1020110139606A KR 20110139606 A KR20110139606 A KR 20110139606A KR 101903418 B1 KR101903418 B1 KR 101903418B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light emitting
region
optical compensation
compensation layer
Prior art date
Application number
KR1020110139606A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130072059A (en
Inventor
한창욱
배성준
방희석
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020110139606A priority Critical patent/KR101903418B1/en
Publication of KR20130072059A publication Critical patent/KR20130072059A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101903418B1 publication Critical patent/KR101903418B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness

Abstract

발광 영역과 비 발광 영역이 정의된 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치는 기판; 상기 기판 상에 형성된 드라이빙 TFT(Thin Film Transistor); 상기 드라이빙 TFT를 덮도록 형성된 보호층; 상기 보호층 상부에 형성된 광 보상층; 상기 발광 영역을 정의하는 뱅크; 캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 포함하며, 상기 광 보상층은 상기 발광 영역과 비 발광 영역에서 서로 다른 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention in which a light emitting region and a non-light emitting region are defined includes a substrate; A driving TFT (Thin Film Transistor) formed on the substrate; A protective layer formed to cover the driving TFT; An optical compensation layer formed on the protective layer; A bank defining the light emitting region; And an organic light emitting layer disposed between the cathode electrode and the anode electrode that is in contact with the drain of the driving TFT and emitting light according to a driving current, wherein the optical compensation layer has a different thickness in the light emitting region and the non- do.

Description

유기발광 장치와 이의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same,

본 발명은 유기발광 장치와 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same.

평판 디스플레이 장치로서 현재까지는 액정 디스플레이 장치(LCD: Liquid Crystal Display apparatus)가 널리 이용되었지만, 액정 디스플레이 장치는 백라이트가 필요하고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 기술적 한계가 있다. 이에 따라, 발광효율, 휘도, 시야각이 뛰어나며 응답속도가 빠른 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 주목받고 있다.As a flat panel display device, a liquid crystal display apparatus (LCD) has been widely used up to now, but a liquid crystal display apparatus requires a backlight and has technical limitations in terms of brightness, contrast ratio and viewing angle. Accordingly, a display device using a light emitting element that is excellent in luminous efficiency, luminance, viewing angle, and response speed is attracting attention.

최근 자체발광이 가능하여 별도의 광원(백라이트)이 필요 없고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 상대적으로 우수한 유기발광 장치(OLED: Organic Light Emitting Device)에 대한 관심이 증대되고 있다.Recently, an organic light emitting device (OLED: Organic Light Emitting Device), which is relatively light in brightness, contrast ratio, viewing angle and the like,

이하에서는, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 능동 매트릭스 방식의 유기발광 장치에 대해서 설명하기로 한다. 참고로, 이하 본 명세서에서는 '능동 매트릭스 방식의 유기발광 장치(AMOLED)'를 간략하게 '유기발광 장치'로 칭하도록 한다.Hereinafter, an active matrix organic light emitting device according to the related art will be described with reference to the drawings. For reference, the 'active matrix type organic light emitting device (AMOLED)' will be briefly referred to as 'organic light emitting device' in the present specification.

도 1은 종래 기술에 따른 유기발광 장치의 구조를 나타내는 도면이다. 도 1에서는 복수의 픽셀 중 하나의 픽셀을 도시하고 있으며, 복수의 픽셀을 구동시키기 위한 구동 회로부 및 라인들의 도시는 생략하였다.1 is a view showing a structure of an organic light emitting device according to the related art. 1 shows one pixel of a plurality of pixels, and illustration of driving circuits and lines for driving a plurality of pixels is omitted.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 유기발광 장치는 복수의 픽셀을 포함하며, 복수의 픽셀 각각은 글래스 기판(10) 상에 형성된 복수의 TFT(Thin Film Transistor), OLED(90, Organic Light Emitting Diode) 및 스토리지 커패시터(미도시)를 포함한다. 도 1에서는 OLED(90)를 구동시키기 위한 복수의 TFT들 중에서 드라이빙 TFT(20)를 도시하고 있다.1, a conventional organic light emitting device includes a plurality of pixels, and each of the plurality of pixels includes a plurality of thin film transistors (TFT) formed on a glass substrate 10, an OLED 90, And a storage capacitor (not shown). 1, the driving TFT 20 is shown among a plurality of TFTs for driving the OLED 90. In FIG.

픽셀은 크게 OLED(90)에서 생성된 빛이 출사되는 픽셀 영역(A)과 OLED(90)를 구동시키기 위한 TFT들이 형성된 TFT 영역(B)으로 구분할 수 있다.The pixel can be roughly divided into a pixel region A in which light generated in the OLED 90 is emitted and a TFT region B in which TFTs for driving the OLED 90 are formed.

드라이빙 TFT(20)는 글래스 기판(10) 상에 형성된 게이트(22, gate), 반도체층(24, active), 소스(26, source), 드레인(28, drain) 및 게이트 절연층(25, GI: gate insulator layer)으로 구성된다. 여기서, 드라이빙 TFT(20)에는 소거 라인(30, ESL)이 컨택되어 있다.The driving TFT 20 includes a gate 22, a gate, a semiconductor layer 24, a source 26, a drain 28, a drain, and a gate insulating layer 25 formed on a glass substrate 10 : gate insulator layer). Here, the driving TFT 20 is connected to the erasing line 30 (ESL).

드라이빙 TFT(20)를 덮도록 글래스 기판(10)의 전면에 보호층(40, PAS)이 형성되어 있고, 보호층(40) 상에는 오버코트층(60, OC)이 형성되어 있다.A protective layer 40 (PAS) is formed on the entire surface of the glass substrate 10 so as to cover the driving TFT 20 and an overcoat layer 60 (OC) is formed on the protective layer 40.

픽셀 영역(A)에서 보호층(40)과 오버코트층(60) 사이에는 색 변환층(50)이 형성되어 있다. 그리고, 오버코트층(60) 상부에는 광 보상층(70, OCL: optical compensation layer)이 형성되어 있다.In the pixel region A, a color conversion layer 50 is formed between the protective layer 40 and the overcoat layer 60. An optical compensation layer (OCL) 70 is formed on the overcoat layer 60.

광 보상층(70)의 상부 중에서, TFT 영역(B)에는 화상이 표시되는 픽셀 영역(A) 즉, 개구부를 정의하는 뱅크(80)가 형성되어 있다.In the upper portion of the optical compensation layer 70, a pixel region A in which an image is displayed, that is, a bank 80 defining an opening is formed in the TFT region B.

픽셀 영역(A)의 광 보상층(70) 상부 및 TFT 영역(B)의 뱅크(80) 상부에는 OLED(90)가 형성되어 있다.An OLED 90 is formed on the upper portion of the light compensation layer 70 of the pixel region A and the bank 80 of the TFT region B. [

여기서, OLED(90)는 인듐틴옥사이드(ITO)와 같은 투명 전도성 물질로 형성된 애노드(anode) 전극(92), 인가된 전류에 의해 발광하는 유기 발광층(94) 및 상기 유기 발광층(94) 상에 형성된 캐소드(cathode) 전극(96)을 포함한다.Here, the OLED 90 includes an anode electrode 92 formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), an organic light-emitting layer 94 that emits light by an applied current, and an anode electrode 92 formed on the organic light- And a cathode electrode 96 formed thereon.

보호층(40), 오버코트층(60) 및 광 보상층(70)의 일부 영역이 식각되어 드레인(28)의 상면을 노출시키는 컨택홀이 형성되고, 상기 컨택홀 내에 전도성 메탈 물질이 매립되어 컨택(CNT)이 형성되어 있다.A portion of the protective layer 40, the overcoat layer 60 and the optical compensation layer 70 is etched to form a contact hole exposing the upper surface of the drain 28. A conductive metal material is embedded in the contact hole, (CNT) are formed.

애노드 전극(92)은 상기 컨택(CNT)을 통해 드라이빙 TFT(20)의 드레인(28)과 접속된다. 이러한, OLED(90)는 바텀 에미션 방식으로 백색 광을 생성하여 출사시킨다. OLED(90)의 상부에는 봉지 글라스(미도시)가 형성되어 OLED(90)를 습기와 같은 외부 요인으로부터 봉지하게 된다.The anode electrode 92 is connected to the drain 28 of the driving TFT 20 through the contact CNT. The OLED 90 generates and emits white light in a bottom emission manner. A sealing glass (not shown) is formed on the OLED 90 to seal the OLED 90 from external factors such as moisture.

종래 기술에 따른 유기발광 장치에는 오버코트층(60) 상부에 산화물(oxide) 박막으로 광 보상층(70)이 형성되어 색 시야각의 특성을 만족시킨다.In the organic light emitting device according to the related art, an optical compensation layer 70 is formed as an oxide thin film on the overcoat layer 60 to satisfy the characteristic of the color viewing angle.

TFT 영역에는 드라이빙 TFT(20), 스위칭 TFT들 및 구동에 필요한 라인들이 형성되는데, 픽셀 영역(A) 및 TFT 영역(B)에서 광 보상층(70)이 동일한 두께로 형성된다. 광 보상층(70)의 두께가 1,600Å인 경우에 TFT들의 특성이 최적화되고, 광 보상층(70)의 두께가 2,200Å으로 형성되어야 OLED(90)의 색 시야각 특성이 최적화된다.In the TFT region, the driving TFT 20, the switching TFTs, and the lines necessary for driving are formed. In the pixel region A and the TFT region B, the optical compensation layer 70 is formed to have the same thickness. The characteristics of the TFTs are optimized when the thickness of the optical compensation layer 70 is 1,600 angstroms and the color viewing angle characteristic of the OLED 90 is optimized only when the thickness of the optical compensation layer 70 is set to 2,200 angstroms.

종래 기술에서는 색 시야각의 특성을 향상시키기 위해 광 보상층(70)을 2,200Å 이상으로 형성하는데, 이로 인해 TFT들의 구동 특성 저하되는 문제점이 있다.In the prior art, the optical compensation layer 70 is formed to have a thickness of 2,200 ANGSTROM or more in order to improve the characteristics of the color viewing angle, thereby deteriorating the driving characteristics of the TFTs.

광 보상층(70)이 1,600Å의 두께 및 2,200Å의 두께로 형성된 경우를 대비하여 TFT들이 특성이 변화된 것을 아래의 표 1에 나타내고 있다.Table 1 below shows that the characteristics of the TFTs are changed in comparison with the case where the optical compensation layer 70 is formed to have a thickness of 1,600 Å and a thickness of 2,200 Å.

Figure 112011102054299-pat00001
Figure 112011102054299-pat00001

구체적으로, 광 보상층(70)이 2,200Å 이상의 두께로 형성되면, 스토리지 커패시턴스(Storage capacitance)가 4% 감소하고, 라인들과 캐소드(96) 간의 로드(load)가 1% 감소하는 문제점이 있다. 또한, 드라이빙 TFT(20)의 피크 전류(peak current)가 5.2% 감소하고, 문턱 전압(Vth)의 보상특성이 2.2% 감소하는 문제점이 있다.Specifically, if the optical compensation layer 70 is formed to a thickness of 2,200 ANGSTROM or more, there is a problem that the storage capacitance is reduced by 4% and the load between the lines and the cathode 96 is reduced by 1% . Also, there is a problem that the peak current of the driving TFT 20 is reduced by 5.2% and the compensation characteristic of the threshold voltage Vth is decreased by 2.2%.

한편, 스토리지 커패시턴스의 면적을 증가시켜 커패시턴스를 보상할 수 있지만, 이로 인해 개구율이 0.5% 감소하는 다른 문제점이 발생될 수 있다.On the other hand, it is possible to compensate the capacitance by increasing the area of the storage capacitance, but this may cause another problem that the aperture ratio is reduced by 0.5%.

상술한 문제점들은 캐소드(96)와 라인들 사이의 산화물 박막의 두께에 기인한 것으로, TFT들의 구동 특성 저하를 방지하기 위해서는 광 보상층(70)을 1,600Å 정도의 두께로 형성하여야 하지만, 이러한 경우에는 반대로 색 시야각 특성이 저하되는 다른 문제점이 있다.The above-described problems are caused by the thickness of the oxide thin film between the cathode 96 and the lines. In order to prevent deterioration of the driving characteristics of the TFTs, the optical compensation layer 70 should be formed to a thickness of about 1,600 angstroms. There is another problem that the color viewing angle characteristics are deteriorated.

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 색 시야각의 특성을 향상시킬 수 있는 유기발광 장치와 이의 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.An object of the present invention is to provide an organic light emitting device and a method of manufacturing the same that can improve the characteristics of a color viewing angle.

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, TFT 영역에 형성된 광 보상층에 의해 스토리지 커패시턴스(Storage capacitance) 및 라인들과 캐소드(96) 간의 로드(load)가 감소하는 것을 방지할 수 있는 유기발광 장치와 이의 제조 방법을 제공하는 것을 다른 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide an organic light emitting device capable of preventing a storage capacitance and an load between a line and a cathode 96 from being reduced by an optical compensation layer formed in a TFT region, Another object of the present invention is to provide a device and a manufacturing method thereof.

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, TFT 영역에 형성된 광 보상층에 의해 드라이빙 TFT의 피크 전류(peak current) 및 문턱 전압(Vth)의 보상특성이 감소하는 것을 방지할 수 있는 유기발광 장치와 이의 제조 방법을 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide an organic light emitting device capable of preventing a decrease in the compensation characteristics of a peak current and a threshold voltage Vth of a driving TFT by an optical compensation layer formed in a TFT region And a method for producing the same.

발광 영역과 비 발광 영역이 정의된 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치는 기판; 상기 기판 상에 형성된 드라이빙 TFT(Thin Film Transistor); 상기 드라이빙 TFT를 덮도록 형성된 보호층; 상기 보호층 상부에 형성된 광 보상층; 상기 발광 영역을 정의하는 뱅크; 캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 포함하며, 상기 광 보상층은 상기 발광 영역과 비 발광 영역에서 서로 다른 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention in which a light emitting region and a non-light emitting region are defined includes a substrate; A driving TFT (Thin Film Transistor) formed on the substrate; A protective layer formed to cover the driving TFT; An optical compensation layer formed on the protective layer; A bank defining the light emitting region; And an organic light emitting layer disposed between the cathode electrode and the anode electrode that is in contact with the drain of the driving TFT and emitting light according to a driving current, wherein the optical compensation layer has a different thickness in the light emitting region and the non- do.

픽셀 영역과 TFT(Thin Film Transistor) 영역이 정의된 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 드라이빙 TFT; 상기 드라이빙 TFT를 덮도록 형성된 보호층; 상기 보호층 상부에 형성된 광 보상층; 캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 포함하며, 상기 광 보상층은 상기 픽셀 영역과 TFT 영역에서 서로 다른 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, in which a pixel region and a TFT (Thin Film Transistor) region are defined, includes: a substrate; A driving TFT formed on the substrate; A protective layer formed to cover the driving TFT; An optical compensation layer formed on the protective layer; And an organic light emitting layer disposed between the cathode electrode and the anode electrode which is in contact with the drain of the driving TFT and emitting light according to a driving current, wherein the optical compensation layer is formed to have a different thickness in the pixel region and the TFT region .

발광 영역과 비 발광 영역이 정의된 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치의 제조방법에 있어서, 기판 상의 비 발광 영역에 드라이빙 TFT(Thin Film Transistor)를 형성하는 단계; 상기 드라이빙 TFT를 덮도록 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층을 덮도록 광 보상층을 형성하는 단계; 발광 영역을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계; 및 캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광 보상층은 상기 발광 영역과 비 발광 영역에서 서로 다른 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.A manufacturing method of an organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, in which a light emitting region and a non-light emitting region are defined, includes the steps of: forming a driving TFT (Thin Film Transistor) in a non- Forming a protective layer to cover the driving TFT; Forming an optical compensation layer to cover the protective layer; Forming a bank defining a light emitting region; And forming an organic light emitting layer that is positioned between the cathode electrode and the anode electrode that is in contact with the drain of the driving TFT and emits light in accordance with a driving current, wherein the optical compensation layer has a thickness As shown in FIG.

본 발명은 색 시야각의 특성을 향상시킬 수 있는 유기발광 장치와 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.The present invention can provide an organic light emitting device capable of improving the color viewing angle characteristics and a method of manufacturing the same.

본 발명은 픽셀 영역과 TFT 영역에서 광 보상층의 두께를 최적화시켜 스토리지 커패시턴스(Storage capacitance) 및 라인들과 캐소드 간의 로드(load)가 감소하는 것을 방지할 수 있는 유기발광 장치와 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.The present invention provides an organic light emitting device capable of optimizing the thickness of an optical compensation layer in a pixel region and a TFT region to reduce a storage capacitance and a load between lines and a cathode, and a manufacturing method thereof can do.

본 발명은 픽셀 영역과 TFT 영역에서 광 보상층의 두께를 최적화시켜 광 보상층에 의해 드라이빙 TFT의 피크 전류(peak current) 및 문턱 전압(Vth)의 보상특성이 감소하는 것을 방지할 수 있는 유기발광 장치와 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.The present invention relates to an organic light emitting device capable of preventing a decrease in characteristics of compensating for a peak current and a threshold voltage (Vth) of a driving TFT by optimizing the thickness of an optical compensation layer in a pixel region and a TFT region, Device and a method of manufacturing the same.

도 1은 종래 기술에 따른 유기발광 장치의 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 구조를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치의 구조를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 유기발광 장치의 색 시야각 특성을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 2 및 도 3에 도시된 광 보상층에 의해 TFT의 특성이 향상된 효과를 나타내는 도면이다.
도 6 내지 도 13은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 제조방법을 나타내는 도면이다.1 is a view showing a structure of an organic light emitting device according to the related art.
2 is a view illustrating a structure of an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
3 is a view showing a structure of an organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
4 is a view showing color viewing angle characteristics of an organic light emitting device according to embodiments of the present invention.
FIG. 5 is a diagram showing an effect of improving the characteristics of a TFT by the optical compensation layer shown in FIG. 2 and FIG. 3. FIG.
6 to 13 are views showing a method of manufacturing an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 유기발광 장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, an organic light emitting device according to embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시 예들을 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물 '상에 또는 상부에' 및 '아래에 또는 하부에' 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다.In describing embodiments of the present invention, when it is described that a structure is formed on or above another structure and below or below the substrate, such a substrate may be used as well as when these structures are in contact with each other, To the extent that a third structure is interposed between the first and second structures.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 유기발광 장치와 이의 제조방법을 설명함에 있어서, 구조물들 간의 상/하 관계는 제조 과정과 제조가 완료된 이후 서로 상이할 수 있다.Hereinafter, the organic light emitting device and the method of manufacturing the same according to embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, wherein the top / bottom relation between the structures may be different from each other after the fabrication process and the fabrication are completed.

도면에 도시되지 않았지만, 본 발명의 실시 예들에 따른 유기발광 장치는 픽셀에 형성된 OLED를 발광시키기 위한 구동 회로부를 포함한다.Although not shown in the drawing, an organic light emitting device according to embodiments of the present invention includes driving circuitry for emitting an OLED formed on a pixel.

도 2은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 구조를 나타내는 도면이다. 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치는 광을 하부로 방출하는 바텀 이미션(Bottom emission) 방식이며, 도 2에서는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 전체 픽셀 중에서 하나의 픽셀을 예로서 도시하고 있다.2 is a view showing a structure of an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention. The organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention is a bottom emission method for emitting light downward. In FIG. 2, one of the pixels of the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention Pixel as an example.

도 2을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치는 글래스 기판(110, 또는 백 플랜 기판) 상에 복수의 픽셀이 형성된다.Referring to FIG. 2, in the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention, a plurality of pixels are formed on a glass substrate 110 (or a back plan substrate).

복수의 픽셀 각각은 영상 신호에 따라 인가된 전류에 의해 발광하는 OLED(190)와, 상기 OLED(190)에 구동 전류를 공급하기 위한 복수의 TFT; 및 스토리지 커패시터(Ctc)를 포함한다. 여기서, 복수의 TFT는 스위칭 TFT들 및 드라이빙 TFT(120)를 포함한다.Each of the plurality of pixels includes: an OLED (190) emitting light by an applied current according to an image signal; a plurality of TFTs for supplying a driving current to the OLED (190); And a storage capacitor Ctc. Here, the plurality of TFTs includes the switching TFTs and the driving TFT 120.

도 2에 도시되어 있지 않지만, 글래스 기판(110)에는 게이트 라인, 발광 신호 라인, 데이터 라인, 구동 전원(VDD) 라인, 기준 전원(Vss) 라인이 형성되어 있다. 여기서, 글래스 기판(110)을 대체하여 플렉서블 한 투명 재질의 플라스틱 기판이 적용될 수 있다. 또한, 글래스 기판(110) 상에는 SiO2, 또는 SiNx와 같은 무기물로 버퍼층(미도시)이 2,000Å~ 3,000Å의 두께로 형성될 수 있다.Although not shown in FIG. 2, a gate line, a light emission signal line, a data line, a driving power supply (VDD) line, and a reference power supply (Vss) line are formed on the glass substrate 110. Here, a flexible transparent plastic substrate may be used instead of the glass substrate 110. In addition, a buffer layer (not shown) formed on an inorganic material such as a glass substrate (110) SiO 2, or SiNx may be formed to a thickness of 2,000Å ~ 3,000Å.

상기 도 2에서는 복수의 TFT 중에서 스위칭 TFT들은 도시하고 있지 않으며, OLED(190)에 공급되는 전류를 스위칭 하는 드라이빙 TFT(120)를 도시하고 있다. 드라이빙 TFT(120)는 글래스 기판(110) 상에서 TFT 영역(D)에 형성되고, OLED(190)는 픽셀 영역(C), 즉, 개구부에 형성된다.2, the switching TFTs among the plurality of TFTs are not shown, and the driving TFT 120 for switching the current supplied to the OLED 190 is shown. The driving TFT 120 is formed in the TFT region D on the glass substrate 110 and the OLED 190 is formed in the pixel region C,

드라이빙 TFT(120)는 글래스 기판(110) 상에 형성된 게이트(122, gate), 반도체층(124, active), 소스(126, source), 드레인(128, drain) 및 게이트 절연층(125, GI: gate insulator layer)으로 구성된다. 여기서, 드라이빙 TFT(120)에는 소거 라인(130, ESL)이 컨택되어 있다.The driving TFT 120 includes a gate 122, a gate 124, an active layer 126, a source 126, a drain 128, and a gate insulating layer 125 formed on a glass substrate 110, : gate insulator layer). Here, the driving TFT 120 is connected to the erasing line 130 (ESL).

게이트(122), 소스(126) 및 드레인(128)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)와 같은 메탈 물질로 형성될 수 있다.The gate 122, the source 126 and the drain 128 may be formed of a material selected from the group consisting of Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, And may be formed of a metal material such as copper (Cu).

반도체층(124)은 산화물을 포함하는 투명전도성 물질 일 예로서, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 물질로 형성될 수 있으며, P형 또는 N형의 불순물이 1014 ~ 1015[㎤] 농도로 도핑되어 있다.The semiconductor layer 124 may be formed of an indium gallium zinc oxide (IGZO) material, for example, a transparent conductive material containing an oxide, and a P-type or N-type impurity may be doped at a concentration of 10 14 to 10 15 [ .

픽셀 영역(C) 및 TFT 영역(D)의 드라이빙 TFT(120)를 덮도록 3um 내외의 두께로 보호층(140, PAS)이 형성되고 보호층(140) 상에는 오버코트층(160, OC)이 형성되어 있다. 도면에 도시되지 않았지만, 드라이빙 TFT(120)와 보호층(140) 사이에는 층간 절연층(ILD: inter layer dielectric)이 더 형성될 수 있다.A protective layer 140 and PAS are formed to have a thickness of about 3 mu m so as to cover the driving TFT 120 of the pixel region C and the TFT region D and an overcoat layer 160 OC is formed on the protective layer 140 . Although not shown in the drawing, an interlayer dielectric (ILD) may be further formed between the driving TFT 120 and the passivation layer 140.

픽셀 영역(C)에서 보호층(140)과 오버코트층(160) 사이에는 색 변환층(150)이 형성되어 있다. 이러한, 색 변환층(150)은 OLED(190)에서 생성된 광을 레드(red), 그린(green) 또는 블루(blue)의 색광으로 변환시키기 위한 컬러필터층이다.In the pixel region C, a color conversion layer 150 is formed between the protective layer 140 and the overcoat layer 160. The color conversion layer 150 is a color filter layer for converting light generated in the OLED 190 into red, green, or blue color light.

색 변환층(150)에 의해 OLED(190)에서 생성된 백색 광이 컬러 광으로 변환되며, OLED(190) 및 색 변환층(150)을 포함하는 픽셀이 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.The white light generated in the OLED 190 is converted into color light by the color conversion layer 150 and the pixels including the OLED 190 and the color conversion layer 150 may be arranged in a matrix form.

도 2를 참조한 상술한 설명에서는 색 변환층(150)이 보호층(140)과 오버코트층(160) 사이에 형성된 것으로 설명하였으나 이는 본 발명의 여러 실시 예들 중에서 일 예를 설명한 것이다.2, the color conversion layer 150 is formed between the passivation layer 140 and the overcoat layer 160. However, the color conversion layer 150 is one example of the various embodiments of the present invention.

본 발명의 다른 실시 예에서 색 변환층(150)은 TFT들과 동일 레이어 상에 형성될 수 있다. 즉, 색 변환층(150)은 게이트 절연층(125)과 보호층(140) 사이에도 형성될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the color conversion layer 150 may be formed on the same layer as the TFTs. That is, the color conversion layer 150 may also be formed between the gate insulating layer 125 and the protective layer 140.

오버코트층(160) 상부에는 광 보상층(170, OCL: optical compensation layer)이 형성되어 있다.An optical compensation layer (OCL) 170 is formed on the overcoat layer 160.

여기서, 광 보상층(170)은 산화물 실리콘(silicon oxide: SiOX) 또는 질화물 실리콘(silicon nitride: SiNY)으로 형성될 수 있으며, 상기 TFT 영역(D)과 상기 픽셀 영역(C)에서 서로 다른 두께를 가지도록 형성된다.Here, the optical compensation layer 170 may be formed of silicon oxide (SiO x ) or silicon nitride (SiN Y ), and the TFT region (D) and the pixel region (C) Thickness.

구체적으로, 상기 광 보상층(170)은 픽셀 영역(C)의 두께가 TFT 영역(D)의 두께보다 얇게 형성된다.Specifically, the optical compensation layer 170 is formed such that the thickness of the pixel region C is thinner than the thickness of the TFT region D.

일 예로서, 상기 픽셀 영역(C)에서는 광 보상층(170)이 1,000Å~3,000Å의 두께를 가지도록 형성되고, 상기 TFT 영역(D)에서는 광 보상층(170)이 500Å~2,000Å의 두께를 가지도록 형성되어 있다.For example, in the pixel region C, the optical compensation layer 170 is formed to have a thickness of 1,000 Å to 3,000 Å. In the TFT region D, the optical compensation layer 170 has a thickness of 500 Å to 2,000 Å. As shown in Fig.

상술한 바와 같이, 바텀 이미션 구조의 유기발광 장치는 광 보상층의 두께가 1,600Å인 경우에 TFT들의 구동 특성이 최적화되므로, 본 발명의 실시 제1 예에 따른 유기발광 장치의 광 보상층(170)은 TFT 영역(D)에서 1,600Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.As described above, since the driving characteristics of the TFTs are optimized when the thickness of the optical compensation layer is 1,600 angstroms, the organic light emitting device of the bottom emission structure is optimized for the optical compensation layer of the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention 170 may be formed to have a thickness of 1,600 ANGSTROM in the TFT region D. [

이와 함께, 바텀 이미션 구조의 유기발광 장치는 광 보상층의 두께가 2,200Å인 경우에 색 시야각의 특성이 최적화되므로, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 광 보상층(170)은 픽셀 영역(C)에서 2,200Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.In addition, since the characteristics of the color viewing angle are optimized when the thickness of the optical compensating layer is 2,200 angstroms, the organic light emitting device of the bottom emission structure is optimized for the optical compensation layer 170 of the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention, May be formed in the pixel region C to have a thickness of 2,200 ANGSTROM.

본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치에서 광 보상층(170)의 두께를 결정함에 있어서, 픽셀 영역(C)에는 색 시야각에 최적화된 두께를 적용하고, TFT 영역(D)에는 TFT의 구동 특성에 최적화된 두께를 적용한다.In determining the thickness of the optical compensation layer 170 in the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention, a thickness optimized for the color viewing angle is applied to the pixel region C, Applies thickness optimized for driving characteristics.

광 보상층(170)을 형성하는 물질에 따라서 TFT들의 구동 특성 및 색 시야각의 특성이 최적화되는 광 보상층의 두께가 달라질 수 있으므로, 본 발명의 다른 실시 예에서는 광 보상층(170)을 1,000Å 이하의 두께 또는 3,000Å 이상의 두께로도 형성할 수 있다.The thickness of the optical compensation layer in which the driving characteristics of the TFTs and the characteristic of the color viewing angle are optimized may vary depending on the material forming the optical compensation layer 170. In another embodiment of the present invention, Or a thickness of 3,000 ANGSTROM or more.

여기서, 광 보상층(170)은 글래스 기판(110)의 전면에 산화물 실리콘(silicon oxide: SiOX) 또는 질화물 실리콘(silicon nitride: SiNY)을 증착하여 픽셀 영역(C) 및 TFT 영역(D)에서 동일한 두께를 가지도록 형성되는데, TFT 영역(D)에만 선택적으로 식각(etching) 공정을 수행하여 두께를 줄이게 된다. 이때, 식각 공정은 건식 식각(dry etching) 또는 습식 식각(wet etching) 방식을 적용할 수 있다.Here, the optical compensation layer 170 is formed by depositing silicon oxide (SiO x ) or silicon nitride (SiN Y ) on the entire surface of the glass substrate 110 to form the pixel region C and the TFT region D, The thickness of the TFT region D is reduced by selectively performing an etching process only on the TFT region D. [ At this time, the etching process may be dry etching or wet etching.

이와 같이, TFT 영역(D)의 광 보상층(170)에만 선택적으로 건식 식각 공정을 적용하므로, 광 보상층(170)은 상기 TFT 영역(D)과 상기 픽셀 영역(C)에서 상이한 거칠기(roughness)로 형성된다. 전체 광 보상층(170) 중에서 건식 식각 공정이 적용된 TFT 영역(D)이 픽셀 영역(C)보다 큰 거칠기를 가지게 된다.Since the dry etching process is selectively applied only to the optical compensation layer 170 of the TFT region D as described above, the optical compensation layer 170 can be formed in the TFT region D and the pixel region C with different roughness . The TFT region D to which the dry etching process is applied in the entire optical compensation layer 170 has a roughness larger than the pixel region C. [

광 보상층(170)의 상부 중에서, TFT 영역(D)에는 화상이 표시되는 픽셀 영역(C) 즉, 개구부를 정의하는 뱅크(180)가 형성되어 있다. 여기서, 뱅크(180)는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지로 형성될 수 있다.In the upper portion of the optical compensation layer 170, a pixel region C in which an image is displayed, that is, a bank 180 defining an opening is formed in the TFT region D. Here, the bank 180 may be formed of a benzocyclobutene (BCB) based resin, an acrylic based resin, or a polyimide resin.

픽셀 영역(C)의 광 보상층(170) 상부 및 TFT 영역(D)의 뱅크(180) 상부에는 드라이빙 TFT(120)를 통해 인가된 구동 전류에 의해 발광하는 OLED(190) 형성되어 있다.An OLED 190 is formed on the upper portion of the light compensation layer 170 of the pixel region C and the upper portion of the bank 180 of the TFT region D by a driving current applied through the driving TFT 120.

여기서, OLED(190)는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로 형성된 애노드(anode) 전극(192), 인가된 전류에 의해 발광하는 유기 발광층(194) 및 상기 유기 발광층(194) 상에 형성된 캐소드(cathode) 전극(196)을 포함한다. 이와 같이, 애노드 전극(192), 유기 발광층(194) 및 캐소드 전극(196)이 순차적으로 형성되어 OLED(190)를 구성하게 된다.The OLED 190 includes an anode 192 formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO) And a cathode electrode 196 formed on the organic light emitting layer 194. Thus, the anode electrode 192, the organic light emitting layer 194, and the cathode electrode 196 are sequentially formed to constitute the OLED 190.

보호층(140), 오버코트층(160) 및 광 보상층(170)의 일부 영역이 식각되어 드레인(128)의 상면을 노출시키는 컨택홀이 형성되고, 상기 컨택홀 내에 전도성 메탈 물질이 매립되어 컨택(CNT)이 형성되어 있다.A portion of the protective layer 140, the overcoat layer 160 and the optical compensation layer 170 is etched to form a contact hole exposing the upper surface of the drain 128. A conductive metal material is buried in the contact hole, (CNT) are formed.

애노드 전극(192)은 상기 컨택(CNT)을 통해 드라이빙 TFT(120)의 드레인(128)과 접속된다.The anode electrode 192 is connected to the drain 128 of the driving TFT 120 through the contact CNT.

한편, 도 2에 구체적으로 도시되어 있지 않지만, OLED(190)는 애노드 전극(192), 유기 발광층(194) 및 캐소드 전극(196) 이외에도 정공 주입층 및 전자 주입층을 포함한다.2, the OLED 190 includes a hole injection layer and an electron injection layer in addition to the anode electrode 192, the organic light emitting layer 194, and the cathode electrode 196.

캐소드 전극(196)에서 발생된 전자 및 애노드 전극(192)에서 발생된 정공이 유기 발광층(194) 내부로 주입되면, 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성된다. 생성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 백색 광을 발생시킨다. OLED(190)에서 생성된 백색 광이 색 변환층(150)을 통과하면서 고유의 색광으로 변환되어 외부로 출사되게 된다.When electrons generated in the cathode electrode 196 and holes generated in the anode electrode 192 are injected into the organic light emitting layer 194, injected electrons and holes are coupled to generate an exciton. And the generated axiton drops from the excited state to the ground state to generate white light. The white light generated in the OLED 190 passes through the color conversion layer 150 and is converted into intrinsic color light and externally emitted.

OLED(190)의 상부에는 봉지 기판(미도시)이 형성되어 OLED(190)를 습기와 같은 외부 요인으로부터 봉지하게 된다.An encapsulation substrate (not shown) is formed on the OLED 190 to encapsulate the OLED 190 from external factors such as moisture.

여기서, 봉지 기판은 OLED(190)를 외부 습기 및 이물질로부터 보호하기 위한 것으로, 봉지 기판으로 글라스 기판 또는 금속 시트(metal sheet)가 적용될 수 있다. 또한, 봉지 기판으로 박막 필름 봉지제(TFE: Thin Film Encapsulation)가 적용될 수도 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, OLED(190)를 보호할 수 있는 물질이면 봉지 기판의 역할을 대체할 수 있다.Here, the sealing substrate is for protecting the OLED 190 from external moisture and foreign matter, and a glass substrate or a metal sheet may be applied to the sealing substrate. Thin film encapsulation (TFE) may also be applied to the encapsulation substrate. However, the present invention is not limited thereto, and if the OLED 190 can protect the OLED 190, the sealing substrate can be substituted.

도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치의 구조를 나타내는 도면이다. 도 3을 참조하여 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치를 설명함에 있어서 상술한 제1 실시 예와 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.3 is a view showing a structure of an organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention. Referring to FIG. 3, a detailed description of the same structure as that of the first embodiment will be omitted in the description of the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention.

광 보상층(175)은 산화물 실리콘(silicon oxide: SiOX) 또는 질화물 실리콘(silicon nitride: SiNY)으로 형성될 수 있으며, 발광 영역(E)과 비 발광 영역(F)에서 서로 다른 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 여기서, 발광 영역(E)과 비 발광 영역(F)은 뱅크(180)에 의해 정의된다.The light compensation layer 175 may be formed of silicon oxide (SiO x ) or silicon nitride (SiN Y ), and may have different thicknesses in the light emitting region E and the non- . Here, the light emitting region (E) and the non-light emitting region (F) are defined by the bank (180).

구체적으로, 상기 광 보상층(170)은 발광 영역(E)의 두께가 비 발광 영역(E)의 두께보다 얇게 형성된다.Specifically, the light compensation layer 170 is formed such that the thickness of the light emitting region E is thinner than the thickness of the non-light emitting region E.

일 예로서, 상기 발광 영역(E)에서는 광 보상층(175)이 1,000Å~3,000Å의 두께를 가지도록 형성되고, 상기 비 발광 영역(F)에서는 광 보상층(175)이 500Å~2,000Å의 두께를 가지도록 형성되어 있다.For example, in the light emitting region E, the optical compensation layer 175 is formed to have a thickness of 1,000 Å to 3,000 Å. In the non-emitting region F, the optical compensation layer 175 has a thickness of 500 Å to 2,000 Å As shown in Fig.

상술한 바와 같이, 바텀 이미션 구조의 유기발광 장치는 광 보상층의 두께가 1,600Å인 경우에 TFT들의 구동 특성이 최적화되므로, 본 발명의 실시 제2 예에 따른 유기발광 장치의 광 보상층(175)은 비 발광 영역(F)에서 1,600Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.As described above, since the driving characteristics of the TFTs are optimized when the thickness of the optical compensation layer is 1,600 angstroms, the organic light emitting device of the bottom emission structure is optimized for the optical compensation layer of the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention 175 may be formed to have a thickness of 1,600 ANGSTROM in the non-emission region (F).

이와 함께, 바텀 이미션 구조의 유기발광 장치는 광 보상층의 두께가 2,200Å인 경우에 색 시야각의 특성이 최적화되므로, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치의 광 보상층(175)은 발광 영역(E)에서 2,200Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.In addition, since the characteristics of the color viewing angle are optimized when the thickness of the optical compensation layer is 2,200 angstroms in the organic emission device of the bottom emission structure, the optical compensation layer 175 of the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention, May be formed to have a thickness of 2,200 ANGSTROM in the light emitting region (E).

본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치에서 광 보상층(175)의 두께를 결정함에 있어서, 발광 영역(E)에는 색 시야각에 최적화된 두께를 적용하고, 비 발광 영역(F)에는 TFT의 구동 특성에 최적화된 두께를 적용한다.In the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention, the thickness of the optical compensation layer 175 is determined by applying a thickness optimized for the color viewing angle to the light emitting region E, Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI >

광 보상층(175)을 형성하는 물질에 따라서 TFT들의 구동 특성 및 색 시야각의 특성이 최적화되는 광 보상층의 두께가 달라질 수 있으므로, 본 발명의 다른 실시 예에서는 광 보상층(175)을 1,000Å 이하의 두께 또는 3,000Å 이상의 두께로도 형성할 수 있다.The thickness of the optical compensation layer in which the driving characteristics of the TFTs and the characteristic of the color viewing angle are optimized may vary depending on the material forming the optical compensation layer 175. In another embodiment of the present invention, Or a thickness of 3,000 ANGSTROM or more.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치의 광 보상층(175)도 식각 공정을 선택적으로 적용하여 발광 영역(E)과 비 발광 영역(F)에서의 두께가 상이하게 형성되다. 따라서, 광 보상층(175)은 발광 영역(E)과 비 발광 영역(F)에서 상이한 거칠기(roughness)를 가진다.The optical compensating layer 175 of the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention is formed by selectively applying the etching process so that the thicknesses of the light emitting region E and the non-emitting region F are different. Therefore, the optical compensation layer 175 has a different roughness in the luminescent region E and the non-luminescent region F. [

도 4은 본 발명의 실시 예들에 따른 유기발광 장치의 색 시야각 특성을 나타내는 도면이고, 도 5는 도 2 및 도 3에 도시된 광 보상층에 의해 TFT의 특성이 향상된 효과를 나타내는 도면이다.FIG. 4 is a view showing the color viewing angle characteristics of the organic light emitting device according to the embodiments of the present invention, and FIG. 5 is a view showing an effect of improving the characteristics of the TFT by the optical compensation layer shown in FIG. 2 and FIG.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상술한 구성을 포함하는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치는 시야각 및 TFT 구동 특성에 최적화되도록 픽셀 영역(C)과 TFT 영역(D)에서 광 보상층(170)의 두께를 상이하게 형성하였다.4 and 5, the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention including the above-described structure has an optical compensating layer (not shown) in the pixel region C and the TFT region D so as to be optimized for viewing angle and TFT driving characteristics 170 were formed to have different thicknesses.

픽셀 영역(C)에서는 광 보상층(170)의 두께를 2,200Å으로 형성하여 색 시야각을 최적화시켰고, TFT 영역(D)에서는 광 보상층(170)의 두께를 1,600Å으로 형성하여 TFT들의 구동 특성 및 스토리지 커패시턴스의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.In the pixel region C, the thickness of the optical compensation layer 170 is set to 2,200 ANGSTROM to optimize the color viewing angle. In the TFT region D, the thickness of the optical compensation layer 170 is set to 1,600 ANGSTROM, And the characteristics of the storage capacitance can be prevented from deteriorating.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 임의의 제1 색(u1', v1')과 제2 색(u2', v2')의 색 차이를 나타낼 때에는 u', v' 좌표 값으로 두 색간의 거리를 표시한다. 이때, △u', v' 좌표 값이 0.02 이상인 경우, OLED 패널의 시야각에 따른 색 변화(Color shift)를 사용자가 인지하게 된다.As shown in FIGS. 4 and 5, when the color difference between any of the first colors u1 'and v1' and the second colors u2 'and v2' is represented, u 'and v' . At this time, when the coordinate values of u u and v 'are 0.02 or more, the user recognizes the color shift according to the viewing angle of the OLED panel.

본 발명의 실시 예의 따른 유기 발광 장치는 △u', v' 의 좌표 값이 0.02 미만이 되도록 픽셀 영역(C) 또는 발광 영역(E)에서 광 보상층(170)의 두께를 색 시야각에 최적화시켰다. 또한, TFT 영역(D) 또는 비 발광 영역(F)에서 TFT들의 구동 특성이 저하되지 않도록 광 보상층(170)의 두께를 최적화시켰다. 이를 통해, 본 발명의 실시 예의 따른 유기 발광 장치는 TFT 들의 구동 특성을 보장하면서, 0°~±80°의 범위에서 우수한 색 시야각을 얻을 수 있다.The organic light emitting device according to the embodiment of the present invention optimizes the thickness of the optical compensation layer 170 in the pixel region C or the luminescent region E to a color viewing angle such that the coordinate value of? U ', v' is less than 0.02 . Further, the thickness of the optical compensation layer 170 is optimized so that the driving characteristics of the TFTs in the TFT region D or the non-emission region F are not degraded. Thus, the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention can obtain an excellent color viewing angle in the range of 0 ° to ± 80 ° while ensuring the driving characteristics of the TFTs.

상술한 구성으로, 전체 픽셀을 형성하면 OLED 패널의 구동 특성을 향상시킬 수 있고, 개구율의 저하 없이 우수한 스토리지 커패시턴스를 형성시킬 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치가 적용된 조정 장치의 성능 및 디스플레이 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.With the above-described configuration, the driving characteristics of the OLED panel can be improved by forming all the pixels, and excellent storage capacitance can be formed without decreasing the aperture ratio. Thus, the performance of the adjustment device to which the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention is applied and the display quality of the display device can be improved.

도 6 내지 도 13는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 제조방법을 나타내는 도면이다. 이하, 도 6 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 제조방법의 일 예를 설명한다.6 to 13 are views showing a method of manufacturing an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention. Hereinafter, an example of a method of manufacturing the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 13. FIG.

도 6을 참조하면, 글래스 기판(110) 상의 TFT 영역(D)에 게이트(122, gate)를 형성하고, 게이트(122)를 덮도록 게이트 절연층(125)을 형성한다. 이때, 게이트 절연층(125)은 SiO2로 형성될 수 있으며, 1,300Å의 두께를 가질 수 있다. 한편, 게이트 절연층(125)은 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 또는 MTO(Middle Temperature Oxide)를 CVD(Chemical Vapor Deposition)로 증착하여 형성할 수도 있다.6, a gate 122 is formed in a TFT region D on a glass substrate 110, and a gate insulating layer 125 is formed so as to cover the gate 122. At this time, the gate insulating layer 125 may be formed of SiO 2 and may have a thickness of 1,300 Å. Meanwhile, the gate insulating layer 125 may be formed by depositing TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate) or MTO (Middle Temperature Oxide) by CVD (Chemical Vapor Deposition).

이후, 반도체층(124, active)을 형성하고, 그 위에 소스(126, source) 및 드레인(128, drain)을 형성하여 드라이빙 TFT(120)의 제조한다. 이후, 드라이빙 TFT(120)에 컨택되도록 소거 라인(130, ESL)을 형성한다.Thereafter, a semiconductor layer 124 is formed, and a source 126 and a drain 128 are formed on the semiconductor layer 124 to form a driving TFT 120. Thereafter, an erasing line 130 (ESL) is formed so as to be in contact with the driving TFT 120.

여기서, 게이트(122), 소스(126) 및 드레인(128)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)와 같은 메탈 물질로 형성될 수 있다.Here, the gate 122, the source 126, and the drain 128 are formed of a metal such as Mo, Al, Cr, Au, Ti, Ni, Nd ) And copper (Cu).

그리고, 반도체층(124)은 산화물을 포함하는 투명전도성 물질 일 예로서, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 물질로 형성될 수 있으며, P형 또는 N형의 불순물이 1014 ~ 1015[㎤] 농도로 도핑된다.The semiconductor layer 124 may be formed of, for example, an IGZO (indium gallium zinc oxide) material. The P-type or N-type impurity may have a concentration of 10 14 to 10 15 [cm 3] Lt; / RTI >

여기서, 글래스 기판(110)은 투명 재질의 유기 기판 또는 플렉서블 한 플라스틱 기판이 적용될 수 있다. 도 6에 도시되어 있지 않지만, 글래스 기판(110)에는 게이트 라인, 발광 신호 라인, 데이터 라인, 구동 전원 라인(VDD), 기준 전원 라인이 형성되어 있다.Here, the glass substrate 110 may be a transparent organic substrate or a flexible plastic substrate. Although not shown in FIG. 6, a gate line, a light emission signal line, a data line, a driving power supply line (VDD), and a reference power supply line are formed on a glass substrate 110.

이어서, 도 7을 참조하면, 픽셀 영역(C) 및 TFT 영역(D)의 드라이빙 TFT(120)를 덮도록 보호층(140, PAS)을 형성한다. 이때, 보호층(140)은 포토 아크릴(photo acryl)로 3um 내외의 두께로 형성될 수 있다. 도면에 도시하지 않았지만, 드라이빙 TFT(120)와 보호층(140) 사이에 층간 절연층(ILD: inter layer dielectric)이 더 형성할 수도 있다.7, a protective layer 140 (PAS) is formed so as to cover the driving TFT 120 of the pixel region C and the TFT region D. Next, as shown in Fig. At this time, the protective layer 140 may be formed with a thickness of about 3 μm by photo acryl. Although not shown in the drawing, an interlayer dielectric (ILD) may be further formed between the driving TFT 120 and the passivation layer 140.

이후, 픽셀 영역(C)의 보호층(140) 상부에 색 변환층(150)을 형성한다. 이때, 색 변환층(150)은 후속 공정에서 제조되는 OLED(190)에서 생성된 광을 레드(red), 그린(green) 또는 블루(blue)의 색광으로 변환시키기 위한 컬러필터층으로 형성된다.Thereafter, the color conversion layer 150 is formed on the passivation layer 140 of the pixel region C. [ At this time, the color conversion layer 150 is formed of a color filter layer for converting light generated in the OLED 190 manufactured in the subsequent process into red, green, or blue color light.

이어서, 도 8을 참조하면, 보호층(140) 및 색 변환층(150)을 덮도록 오버코트층(160)을 형성한다. 이를 통해, 픽셀 영역(C)에서 보호층(140)과 오버코트층(160) 사이에는 색 변환층(150)이 형성된 구조를 가진다.Referring to FIG. 8, an overcoat layer 160 is formed to cover the protective layer 140 and the color conversion layer 150. Accordingly, the color conversion layer 150 is formed between the passivation layer 140 and the overcoat layer 160 in the pixel region C.

도 8을 참조한 상술한 설명에서는 색 변환층(150)이 보호층(140)과 오버코트층(160) 사이에 형성되는 것으로 설명하였으나 이는 본 발명의 여러 실시 예들 중에서 일 예를 설명한 것이다.In the above description with reference to FIG. 8, it is described that the color conversion layer 150 is formed between the protective layer 140 and the overcoat layer 160, but this is an example of the various embodiments of the present invention.

본 발명의 다른 실시 예에서 색 변환층(150)은 TFT들과 동일 레이어 상에 형성될 수 있다. 즉, 색 변환층(150)은 게이트 절연층(125)과 보호층(140) 사이에도 형성될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the color conversion layer 150 may be formed on the same layer as the TFTs. That is, the color conversion layer 150 may also be formed between the gate insulating layer 125 and the protective layer 140.

이후, 글래스 기판(110)의 전면에 산화물 실리콘(silicon oxide: SiOX) 또는 질화물 실리콘(silicon nitride: SiNY)을 증착하여 픽셀 영역(C) 및 TFT 영역(D)에서 동일한 두께를 가지도록 광 보상층(170)을 형성한다.Thereafter, silicon oxide (SiO x ) or silicon nitride (SiN y ) is deposited on the entire surface of the glass substrate 110 to form a light-shielding film having the same thickness in the pixel region C and the TFT region D. A compensation layer 170 is formed.

이어서, 도 9를 참조하면, TFT 영역(D)에만 선택적으로 건식 식각(dry etching) 공정을 수행하여, TFT 영역(D)에서 광 보상층(170)의 두께를 줄인다.9, a dry etching process is selectively performed only on the TFT region D to reduce the thickness of the optical compensation layer 170 in the TFT region D. [

이와 같이, TFT 영역(D)의 광 보상층(170)에만 선택적으로 건식 식각 공정을 적용하므로, 광 보상층(170)은 상기 TFT 영역(D)과 상기 픽셀 영역(C)에서 상이한 거칠기(roughness)로 형성된다. 전체 광 보상층(170) 중에서 건식 식각 공정이 적용된 TFT 영역(D)이 픽셀 영역(C)보다 큰 거칠기를 가지게 된다.Since the dry etching process is selectively applied only to the optical compensation layer 170 of the TFT region D as described above, the optical compensation layer 170 can be formed in the TFT region D and the pixel region C with different roughness . The TFT region D to which the dry etching process is applied in the entire optical compensation layer 170 has a roughness larger than the pixel region C. [

이와 같이, 광 보상층(170)은 상기 TFT 영역(D)과 상기 픽셀 영역(C)에서 서로 다른 두께를 가지도록 형성되는데, 광 보상층(170)은 픽셀 영역(C)의 두께가 TFT 영역(D)의 두께보다 얇게 형성된다.The optical compensation layer 170 is formed such that the thickness of the pixel region C is different from the thickness of the TFT region D. In this case, (D).

본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치에서 광 보상층(170)의 두께를 설계함에 있어서, 픽셀 영역(C)에는 색 시야각에 최적화된 두께를 적용하고, TFT 영역(D)에는 TFT의 구동 특성에 최적화된 두께를 적용한다.In designing the thickness of the optical compensation layer 170 in the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention, a thickness optimized for the color viewing angle is applied to the pixel region C, and a TFT driving characteristic The thickness optimized for

일 예로서, 상기 픽셀 영역(C)에서는 광 보상층(170)을 1,000Å~3,000Å의 두께를 가지도록 형성하고, 상기 TFT 영역(D)에서는 광 보상층(170)을 500Å~2,000Å의 두께를 가지도록 형성할 수 있다.For example, in the pixel region C, the optical compensation layer 170 is formed to have a thickness of 1,000 Å to 3,000 Å, and in the TFT region D, the optical compensation layer 170 is formed to have a thickness of 500 Å to 2,000 Å Can be formed to have a thickness.

상술한 바와 같이, 바텀 이미션 구조의 유기발광 장치는 광 보상층의 두께가 1,600Å인 경우에 TFT들의 구동 특성이 최적화되므로, TFT 영역(D)에서 광 보상층(170)을 1,600Å의 두께로 형성할 수 있다.As described above, since the driving characteristics of the TFTs are optimized when the thickness of the optical compensation layer is 1,600 angstroms, the organic EL device of the bottom emission structure has a thickness of 1,600 angstroms in the TFT region (D) .

이와 함께, 바텀 이미션 구조의 유기발광 장치는 광 보상층의 두께가 2,200Å인 경우에 색 시야각의 특성이 최적화되므로, 픽셀 영역(C)에서 광 보상층(170)을 2,200Å의 두께로 형성할 수 있다.In addition, since the characteristic of the color viewing angle is optimized when the thickness of the optical compensation layer is 2,200 angstroms, the organic light emitting device of the bottom emission structure is formed with a thickness of 2,200 angstroms in the pixel region C can do.

광 보상층(170)을 형성하는 물질에 따라서 TFT들의 구동 특성 및 색 시야각의 특성이 최적화되는 광 보상층의 두께가 달라질 수 있으므로, 본 발명의 다른 실시 예에서는 광 보상층(170)을 1,000Å 이하의 두께 또는 3,000Å 이상의 두께로도 형성할 수 있다.The thickness of the optical compensation layer in which the driving characteristics of the TFTs and the characteristic of the color viewing angle are optimized may vary depending on the material forming the optical compensation layer 170. In another embodiment of the present invention, Or a thickness of 3,000 ANGSTROM or more.

이어서, 도 10을 참조하면, 보호층(140), 오버코트층(160) 및 광 보상층(170)의 일부 영역을 식각하여 드레인(128)의 상면을 노출시키는 컨택홀을 형성한다.Referring to FIG. 10, a protective layer 140, an overcoat layer 160, and a portion of the optical compensation layer 170 are etched to form a contact hole exposing an upper surface of the drain 128.

한편, 도 9에 도시된, 픽셀 영역(C)과 TFT 영역(D)에서 서로 다른 두께를 가지도록 광 보상층(170)에 건식 식각 공정을 수행하는 단계와, 도 10에 도시된, 컨택홀을 형성하는 공정은 순서에 제약 없이 적용될 수 있다.9, a step of performing a dry etching process on the optical compensation layer 170 so as to have different thicknesses in the pixel region C and the TFT region D, May be applied in any order without limitation.

이어서, 도 11을 참조하면, 픽셀 영역(C)의 광 보상층(170) 상부에 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide) 물질로 OLED(120)의 애노드 전극(192)을 형성한다.Referring to FIG. 11, an OLED 120 is formed on an optical compensation layer 170 of a pixel region C by using ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), or ITZO (indium tin zinc oxide) And an anode electrode 192 is formed.

이때, 상기 컨택홀 내에도 애노드 전극(192)이 도포되어 컨택(CNT)이 형성되어 있다. 애노드 전극(192)은 상기 컨택(CNT)을 통해 드라이빙 TFT(120)의 드레인(128)과 접속된다.At this time, an anode electrode 192 is also applied to the contact hole to form a contact (CNT). The anode electrode 192 is connected to the drain 128 of the driving TFT 120 through the contact CNT.

이어서, 도 12를 참조하면, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지로 광 보상층(170)의 상부 중에서 TFT 영역(D)에 뱅크(180)를 형성한다. 이러한, 뱅크(180)에 의해 화상이 표시되는 픽셀 영역(C) 즉, 개구부가 정의된다.12, a bank 180 is formed in the TFT region D in an upper portion of the light compensation layer 170 with a benzocyclobutene (BCB) based resin, an acrylic based resin, or a polyimide resin. The pixel region C in which an image is displayed by the bank 180, that is, an opening is defined.

이어서, 도 13을 참조하면, 애노드 전극(192) 상부 및 뱅크(180) 상부에 유기물질을 도포하여 유기 발광층(194)을 형성한다.Referring to FIG. 13, an organic light emitting layer 194 is formed by applying an organic material to the upper portion of the anode electrode 192 and the upper portion of the bank 180.

이후, 유기 발광층(194) 상에 캐소드(cathode) 전극(196)을 형성한다. 여기서, 캐소드 전극(196)은 광이 출사되는 반대쪽에 위치하므로, 반드시 투명할 필요는 없으며, 광의 효율을 높이기 위해 광 반사율일 높은 메탈 재료로 형성될 수 있다.Thereafter, a cathode electrode 196 is formed on the organic light emitting layer 194. Since the cathode electrode 196 is located on the opposite side from which light is emitted, the cathode electrode 196 need not necessarily be transparent. The cathode electrode 196 may be formed of a metal material having a high light reflection factor to enhance light efficiency.

한편, 도면에 구체적으로 도시하지 않았지만, 애노드 전극(192), 유기 발광층(194) 및 캐소드 전극(196) 이외에도 정공 주입층 및 전자 주입층을 형성하는 공정이 더 수행될 수 있다.Although not specifically shown in the drawing, a process of forming a hole injection layer and an electron injection layer in addition to the anode electrode 192, the organic emission layer 194, and the cathode electrode 196 may be further performed.

아울러, OLED(190)의 상부에 봉지 글라스(미도시)를 형성하는 공정을 더 수행할 수 있다. 여기서, 봉지 글라스는 OLED(190)를 외부 습기 및 이물질로부터 보호하기 위한 것으로, 글라스 재질뿐만 아니라 박막 필름 봉지제(TFE: Thin Film Encapsulation)로도 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, OLED(190)를 보호할 수 있는 물질이면 봉지 글라스의 역할을 대체할 수 있다.In addition, a process of forming an encapsulant (not shown) on the OLED 190 may be further performed. Here, the sealing glass is for protecting the OLED 190 from external moisture and foreign matter, and may be formed not only of a glass material but also a thin film encapsulation (TFE). However, the present invention is not limited thereto, and if the OLED 190 can protect the OLED 190, the function of the sealing glass can be substituted.

도 6 내지 도 13을 참조한 설명에서는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 제조방법만을 설명하였으나, 도 3에 도시된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치도 도 6 내지 도 13에 도시된 제조방법을 통해 용이하게 제조할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치의 제조방법에 대한 상세한 설명은 생략한다.6 to 13, only the method of manufacturing the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention has been described. However, the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. And can be easily produced through the production method shown in FIG. Therefore, a detailed description of the method of manufacturing the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention will be omitted.

상술한 공정을 통해 제조된 유기발광 장치는 TFT 들의 구동 특성을 보장하면서, 0°~±80°의 범위에서 우수한 색 시야각을 보장할 수 있다.The organic light emitting device manufactured through the above-described process can ensure an excellent color viewing angle in the range of 0 ° to ± 80 ° while ensuring the driving characteristics of the TFTs.

상술한 공정을 통해 제조된 유기발광 장치는 픽셀 영역(C) 및 TFT 영역(D)에서 광 보상층(170)의 두께를 최적화시켜 스토리지 커패시턴스(Storage capacitance) 및 라인들과 캐소드 간의 로드(load)가 감소하는 것을 방지할 수 있다.The organic light emitting device manufactured through the above-described process optimizes the thickness of the light compensation layer 170 in the pixel region C and the TFT region D to improve the storage capacitance and the load between the lines and the cathode. Can be prevented from decreasing.

상술한 공정을 통해 제조된 유기발광 장치는 픽셀 영역(C) 및 TFT 영역(D)에서 광 보상층(170)의 두께를 최적화시켜 광 보상층(170)에 의해 드라이빙 TFT의 피크 전류(peak current) 및 문턱 전압(Vth)의 보상특성이 감소하는 것을 방지할 수 있다.The organic light emitting device manufactured through the above-described process optimizes the thickness of the light compensation layer 170 in the pixel region C and the TFT region D so that the peak current ) And the threshold voltage (Vth) can be prevented from decreasing.

또한, 개구율의 저하 없이 우수한 스토리지 커패시턴스를 형성시킬 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치가 적용된 조정 장치의 성능 및 디스플레이 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.In addition, an excellent storage capacitance can be formed without lowering the aperture ratio. Thus, the performance of the adjustment device to which the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention is applied and the display quality of the display device can be improved.

본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

120: 드라이빙 TFT 122: 게이트
124: 반도체층 125: 게이트 절연층
126: 소스 128: 드레인
130: 소거 라인 140: 보호층
150: 색 변환층 160: 오버코트층
170: 광 보상층 180: 뱅크
190: OLED 192: 애노드
194: 유기 발광층 196: 캐소드120: Driving TFT 122: Gate
124: semiconductor layer 125: gate insulating layer
126: source 128: drain
130: Erase line 140: Protective layer
150: color conversion layer 160: overcoat layer
170: optical compensation layer 180: bank
190: OLED 192: anode
194: Organic luminescent layer 196: Cathode

Claims (14)

발광 영역과 비 발광 영역이 정의된 유기발광 장치는,
기판;
상기 기판 상에 형성된 드라이빙 TFT(Thin Film Transistor);
상기 드라이빙 TFT를 덮도록 형성된 보호층;
상기 보호층 상부에 형성된 광 보상층;
상기 발광 영역을 정의하는 뱅크;
캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 포함하며,
상기 광 보상층은 상기 발광 영역 대비 상기 비 발광 영역의 두께가 작은, 유기발광 장치.The organic light emitting device in which the light emitting region and the non-
Board;
A driving TFT (Thin Film Transistor) formed on the substrate;
A protective layer formed to cover the driving TFT;
An optical compensation layer formed on the protective layer;
A bank defining the light emitting region;
And an organic light emitting layer which is positioned between the cathode electrode and the anode electrode which is in contact with the drain of the driving TFT and emits light in accordance with a driving current,
Wherein the light compensation layer has a smaller thickness than the light emitting region. 픽셀 영역과 TFT(Thin Film Transistor) 영역이 정의된 유기발광 장치는,
기판;
상기 기판 상에 형성된 드라이빙 TFT;
상기 드라이빙 TFT를 덮도록 형성된 보호층;
상기 보호층 상부에 형성된 광 보상층;
캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 포함하며,
상기 광 보상층은 상기 픽셀 영역 대비 상기 TFT 영역의 두께가 작은, 유기발광 장치.An organic light emitting device in which a pixel region and a TFT (Thin Film Transistor) region are defined,
Board;
A driving TFT formed on the substrate;
A protective layer formed to cover the driving TFT;
An optical compensation layer formed on the protective layer;
And an organic light emitting layer which is positioned between the cathode electrode and the anode electrode which is in contact with the drain of the driving TFT and emits light in accordance with a driving current,
Wherein the light compensation layer has a smaller thickness of the TFT region than the pixel region. 제 1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 보호층과 상기 광 보상층 사이에 형성된 오버코트층 및
상기 유기 발광층에서 발산된 광의 색을 변환하는 색 변환층을 더 포함하고,
상기 색 변환층은 상기 보호층과 동일층 또는 상기 오버코트층과 동일층에 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
An overcoat layer formed between the protective layer and the optical compensation layer,
Further comprising a color conversion layer for converting the color of light emitted from the organic light emitting layer,
Wherein the color conversion layer is formed on the same layer as the protective layer or on the same layer as the overcoat layer. 제 1 항에 있어서,
상기 발광 영역의 광 보상층은 1,000Å~3,000Å의 두께로 형성되고,
상기 비 발광 영역의 광 보상층은 500Å~2,000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.The method according to claim 1,
The light compensation layer of the light emitting region is formed to a thickness of 1,000 Å to 3,000 Å,
And the optical compensation layer of the non-emission region is formed to a thickness of 500 ANGSTROM to 2,000 ANGSTROM. 제 2항에 있어서,
상기 픽셀 영역의 광 보상층은 1,000Å~3,000Å의 두께로 형성되고,
상기 TFT 영역의 광 보상층은 500Å~2,000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.3. The method of claim 2,
The optical compensation layer of the pixel region is formed to a thickness of 1,000 Å to 3,000 Å,
Wherein the optical compensation layer of the TFT region is formed to a thickness of 500 ANGSTROM to 2,000 ANGSTROM. 제 1 항에 있어서,
상기 광 보상층은 질화물 실리콘 또는 산화물 실리콘으로 형성되고,
상기 비 발광 영역과 상기 발광 영역에서 상이한 거칠기(roughness)를 가지는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.The method according to claim 1,
Wherein the optical compensation layer is formed of a nitride silicon or an oxide silicon,
Emitting region and has a different roughness in the non-emission region and the emission region. 제 2 항에 있어서,
상기 광 보상층은 질화물 실리콘 또는 산화물 실리콘으로 형성되고,
상기 TFT 영역과 상기 픽셀 영역에서 상이한 거칠기(roughness)를 가지는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the optical compensation layer is formed of a nitride silicon or an oxide silicon,
Wherein the TFT region and the pixel region have different roughnesses. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 드라이빙 TFT의 동작을 스위칭하는 적어도 하나의 스위칭 TFT 및 상기 드라이빙 TFT와 스위칭 TFT에 구동 신호를 공급하는 라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
And at least one switching TFT for switching the operation of the driving TFT and lines for supplying driving signals to the driving TFT and the switching TFT. 발광 영역과 비 발광 영역이 정의된 유기발광 장치의 제조방법에 있어서,
기판 상의 비 발광 영역에 드라이빙 TFT(Thin Film Transistor)를 형성하는 단계;
상기 드라이빙 TFT를 덮도록 보호층을 형성하는 단계;
상기 보호층을 덮도록 광 보상층을 형성하는 단계;
발광 영역을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계; 및
캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 광 보상층은 상기 발광 영역 대비 상기 비 발광 영역의 두께가 작은, 유기발광 장치의 제조 방법.A method of manufacturing an organic light emitting device in which a light emitting region and a non-light emitting region are defined,
Forming a driving TFT (Thin Film Transistor) in a non-emission region on the substrate;
Forming a protective layer to cover the driving TFT;
Forming an optical compensation layer to cover the protective layer;
Forming a bank defining a light emitting region; And
And forming an organic light emitting layer which is positioned between the cathode electrode and the anode electrode which is in contact with the drain of the driving TFT and emits light in accordance with the driving current,
Wherein the light compensation layer has a smaller thickness than the light emitting region. 제 9 항에 있어서,
상기 보호층과 상기 광 보상층 사이에 추가로 오버코트층을 형성하는 단계;
상기 유기 발광층에서 발산된 광의 색을 변환하는 색 변환층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 색 변환층은 상기 보호층과 동일층 또는 상기 오버코트층과 동일층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치의 제조방법.10. The method of claim 9,
Forming an additional overcoat layer between the protective layer and the optical compensation layer;
Forming a color conversion layer for converting the color of light emitted from the organic light emitting layer,
Wherein the color conversion layer is formed on the same layer as the protective layer or on the same layer as the overcoat layer. 제 10 항에 있어서,
상기 광 보상층을 형성하는 단계에 있어서,
상기 오버코트층을 덮도록 질화물 실리콘 또는 산화물 실리콘을 증착하여 상기 광 보상층을 형성하고,
상기 비 발광 영역에 형성된 광 보상층에만 선택적으로 식각 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치의 제조 방법.11. The method of claim 10,
In the step of forming the optical compensation layer,
Depositing silicon nitride or silicon oxide to cover the overcoat layer to form the optical compensation layer,
And selectively etching only the optical compensation layer formed in the non-emission region. 제 9 항에 있어서,
상기 발광 영역의 광 보상층을 1,000Å~3,000Å의 두께로 형성하고,
상기 비 발광 영역의 광 보상층을 500Å~2,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치의 제조방법.10. The method of claim 9,
The light compensation layer of the light emitting region is formed to a thickness of 1,000 Å to 3,000 Å,
Wherein the light compensation layer in the non-emission region is formed to a thickness of 500 to 2,000 ANGSTROM. 제 9 항에 있어서,
상기 비 발광 영역과 상기 발광 영역에서 상이한 거칠기를 가지도록 상기 광 보상층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치의 제조방법.10. The method of claim 9,
And the light compensation layer is formed to have a different roughness in the non-light emitting region and the light emitting region. 제 9 항에 있어서,
질화물 실리콘 또는 산화물 실리콘으로 상기 광 보상층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치의 제조방법.10. The method of claim 9,
Wherein the light-compensating layer is formed of silicon nitride or silicon oxide.
KR1020110139606A 2011-12-21 2011-12-21 Organic light emitting device and method for manufacturing the same KR101903418B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110139606A KR101903418B1 (en) 2011-12-21 2011-12-21 Organic light emitting device and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110139606A KR101903418B1 (en) 2011-12-21 2011-12-21 Organic light emitting device and method for manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130072059A KR20130072059A (en) 2013-07-01
KR101903418B1 true KR101903418B1 (en) 2018-10-04

Family

ID=48986902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110139606A KR101903418B1 (en) 2011-12-21 2011-12-21 Organic light emitting device and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101903418B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102289701B1 (en) * 2014-12-01 2021-08-12 엘지디스플레이 주식회사 Organic light emitting display device and method of fabricating the same
KR102649240B1 (en) * 2016-08-23 2024-03-21 삼성디스플레이 주식회사 Display device and manufacturing method of the same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010040356A (en) * 2008-08-06 2010-02-18 Seiko Epson Corp Light-emitting device, and electronic equipment

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100438797B1 (en) * 2001-10-10 2004-07-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Organic Electroluminescent Device
KR101469031B1 (en) * 2008-04-16 2014-12-05 삼성디스플레이 주식회사 Organic light emitting devicce

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010040356A (en) * 2008-08-06 2010-02-18 Seiko Epson Corp Light-emitting device, and electronic equipment

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130072059A (en) 2013-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10411080B2 (en) Flexible organic electroluminescent device and method for fabricating the same
US10332919B2 (en) Organic light-emitting diode (OLED) array substrate and manufacturing method thereof and display device
US11489029B2 (en) Transparent display substrate including capacitor overlapping driving and switching TFTs, and manufacturing method therefor
US20180226508A1 (en) Tft backplane and manufacturing method thereof
KR20150005264A (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
WO2016095335A1 (en) Oled display device and manufacturing method therefor
TWI596755B (en) Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same
US20140061598A1 (en) Organic Light Emitting Display Device and Method of Fabricating the Same
US9000426B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US11778880B2 (en) Display substrate and manufacturing method thereof, display panel and display device
US10665820B2 (en) Display device
KR101958525B1 (en) Organic light enitting diode anode connection structure and manufacturing method thereof
TW202125862A (en) Display device
KR101903418B1 (en) Organic light emitting device and method for manufacturing the same
KR20150131428A (en) Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
KR102355605B1 (en) Organic Light Emitting Diode Display Device and Method of Fabricating the Same
US7095171B2 (en) Active matrix organic electroluminescent device and fabricating method thereof
KR101866390B1 (en) Organic light emitting display device
KR20140086500A (en) Organic Light Emitting Device
KR101717075B1 (en) organic electroluminescent display device
KR101936124B1 (en) Organic Light Emitting Display Device
JP2005215649A (en) Electro-optical device and electronic equipment
KR101798234B1 (en) Organic Light Emitting Display Device
KR20170079638A (en) Thin film transistor and mehtod of fabricating thereof, display device having thin film transistor
KR102089320B1 (en) Organic Light Emitting Display Device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant