KR20130072059A - Organic light emitting device and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: An organic light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to prevent the decrease of a load between a storage capacitance/lines and a cathode by optimizing the thickness of a light compensation layer in a pixel region and a TFT region. CONSTITUTION: A driving TFT (Thin Film Transistor) (120) is formed on a substrate. A protection layer (140) covers the driving TFT. The thickness of a light compensation layer (170) in a light emitting region is different from the thickness of the light compensation layer in a non-emitting region. A bank (180) defines the light emitting region. An organic light emitting layer (194) is formed between a cathode electrode (192) and an anode electrode (196).

Description

유기발광 장치와 이의 제조 방법{ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}Organic light emitting device and its manufacturing method {ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 유기발광 장치와 이의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting device and a method of manufacturing the same.

평판 디스플레이 장치로서 현재까지는 액정 디스플레이 장치(LCD: Liquid Crystal Display apparatus)가 널리 이용되었지만, 액정 디스플레이 장치는 백라이트가 필요하고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 기술적 한계가 있다. 이에 따라, 발광효율, 휘도, 시야각이 뛰어나며 응답속도가 빠른 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치가 주목받고 있다.Liquid crystal display apparatus (LCD) has been widely used as a flat panel display apparatus until now, but the liquid crystal display apparatus requires a backlight and has technical limitations in brightness, contrast ratio and viewing angle. Accordingly, display apparatuses using light emitting devices having excellent luminous efficiency, luminance, viewing angle, and fast response speed have attracted attention.

최근 자체발광이 가능하여 별도의 광원(백라이트)이 필요 없고, 밝기, 명암비 및 시야각 등에서 상대적으로 우수한 유기발광 장치(OLED: Organic Light Emitting Device)에 대한 관심이 증대되고 있다.Recently, since self-emission is possible, a separate light source (back light) is not required, and interest in organic light emitting devices (OLEDs), which are relatively excellent in brightness, contrast ratio, and viewing angle, has increased.

이하에서는, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 능동 매트릭스 방식의 유기발광 장치에 대해서 설명하기로 한다. 참고로, 이하 본 명세서에서는 '능동 매트릭스 방식의 유기발광 장치(AMOLED)'를 간략하게 '유기발광 장치'로 칭하도록 한다.Hereinafter, an organic light emitting device of an active matrix type according to the prior art will be described with reference to the drawings. For reference, in the present specification, an 'active matrix organic light emitting device (AMOLED)' will be referred to simply as an 'organic light emitting device'.

도 1은 종래 기술에 따른 유기발광 장치의 구조를 나타내는 도면이다. 도 1에서는 복수의 픽셀 중 하나의 픽셀을 도시하고 있으며, 복수의 픽셀을 구동시키기 위한 구동 회로부 및 라인들의 도시는 생략하였다.1 is a view showing the structure of an organic light emitting device according to the prior art. In FIG. 1, one pixel of a plurality of pixels is illustrated, and illustration of a driving circuit unit and lines for driving the plurality of pixels is omitted.

도 1을 참조하면, 종래 기술에 따른 유기발광 장치는 복수의 픽셀을 포함하며, 복수의 픽셀 각각은 글래스 기판(10) 상에 형성된 복수의 TFT(Thin Film Transistor), OLED(90, Organic Light Emitting Diode) 및 스토리지 커패시터(미도시)를 포함한다. 도 1에서는 OLED(90)를 구동시키기 위한 복수의 TFT들 중에서 드라이빙 TFT(20)를 도시하고 있다.Referring to FIG. 1, an organic light emitting device according to the related art includes a plurality of pixels, each of which includes a plurality of TFTs (Thin Film Transistors) and OLEDs 90 formed on the glass substrate 10. Diode) and a storage capacitor (not shown). 1 illustrates a driving TFT 20 among a plurality of TFTs for driving the OLED 90.

픽셀은 크게 OLED(90)에서 생성된 빛이 출사되는 픽셀 영역(A)과 OLED(90)를 구동시키기 위한 TFT들이 형성된 TFT 영역(B)으로 구분할 수 있다.The pixel can be largely divided into a pixel region A in which light generated by the OLED 90 is emitted and a TFT region B in which TFTs for driving the OLED 90 are formed.

드라이빙 TFT(20)는 글래스 기판(10) 상에 형성된 게이트(22, gate), 반도체층(24, active), 소스(26, source), 드레인(28, drain) 및 게이트 절연층(25, GI: gate insulator layer)으로 구성된다. 여기서, 드라이빙 TFT(20)에는 소거 라인(30, ESL)이 컨택되어 있다.The driving TFT 20 includes a gate 22, a semiconductor layer 24, an active layer 26, a source 26, a drain 28, and a gate insulating layer 25 formed on the glass substrate 10. : gate insulator layer). Here, the erase line 30 (ESL) is contacted to the driving TFT 20.

드라이빙 TFT(20)를 덮도록 글래스 기판(10)의 전면에 보호층(40, PAS)이 형성되어 있고, 보호층(40) 상에는 오버코트층(60, OC)이 형성되어 있다.A protective layer 40 (PAS) is formed on the entire surface of the glass substrate 10 to cover the driving TFT 20, and an overcoat layer 60 (OC) is formed on the protective layer 40.

픽셀 영역(A)에서 보호층(40)과 오버코트층(60) 사이에는 색 변환층(50)이 형성되어 있다. 그리고, 오버코트층(60) 상부에는 광 보상층(70, OCL: optical compensation layer)이 형성되어 있다.In the pixel region A, the color conversion layer 50 is formed between the protective layer 40 and the overcoat layer 60. An optical compensation layer 70 (OCL: optical compensation layer) is formed on the overcoat layer 60.

광 보상층(70)의 상부 중에서, TFT 영역(B)에는 화상이 표시되는 픽셀 영역(A) 즉, 개구부를 정의하는 뱅크(80)가 형성되어 있다.In the upper portion of the light compensation layer 70, in the TFT region B, a pixel region A in which an image is displayed, that is, a bank 80 defining an opening is formed.

픽셀 영역(A)의 광 보상층(70) 상부 및 TFT 영역(B)의 뱅크(80) 상부에는 OLED(90)가 형성되어 있다.The OLED 90 is formed on the light compensation layer 70 of the pixel region A and on the bank 80 of the TFT region B.

여기서, OLED(90)는 인듐틴옥사이드(ITO)와 같은 투명 전도성 물질로 형성된 애노드(anode) 전극(92), 인가된 전류에 의해 발광하는 유기 발광층(94) 및 상기 유기 발광층(94) 상에 형성된 캐소드(cathode) 전극(96)을 포함한다.Here, the OLED 90 is formed on an anode electrode 92 formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), an organic emission layer 94 emitting light by an applied current, and the organic emission layer 94. And formed cathode electrode 96.

보호층(40), 오버코트층(60) 및 광 보상층(70)의 일부 영역이 식각되어 드레인(28)의 상면을 노출시키는 컨택홀이 형성되고, 상기 컨택홀 내에 전도성 메탈 물질이 매립되어 컨택(CNT)이 형성되어 있다.A portion of the passivation layer 40, the overcoat layer 60, and the light compensation layer 70 is etched to form a contact hole exposing the top surface of the drain 28, and a conductive metal material is buried in the contact hole to contact it. (CNT) is formed.

애노드 전극(92)은 상기 컨택(CNT)을 통해 드라이빙 TFT(20)의 드레인(28)과 접속된다. 이러한, OLED(90)는 바텀 에미션 방식으로 백색 광을 생성하여 출사시킨다. OLED(90)의 상부에는 봉지 글라스(미도시)가 형성되어 OLED(90)를 습기와 같은 외부 요인으로부터 봉지하게 된다.The anode electrode 92 is connected to the drain 28 of the driving TFT 20 through the contact CNT. The OLED 90 generates and emits white light in a bottom emission method. A sealing glass (not shown) is formed on the OLED 90 to seal the OLED 90 from external factors such as moisture.

종래 기술에 따른 유기발광 장치에는 오버코트층(60) 상부에 산화물(oxide) 박막으로 광 보상층(70)이 형성되어 색 시야각의 특성을 만족시킨다.In the organic light emitting device according to the prior art, the light compensation layer 70 is formed of an oxide thin film on the overcoat layer 60 to satisfy the characteristics of the color viewing angle.

TFT 영역에는 드라이빙 TFT(20), 스위칭 TFT들 및 구동에 필요한 라인들이 형성되는데, 픽셀 영역(A) 및 TFT 영역(B)에서 광 보상층(70)이 동일한 두께로 형성된다. 광 보상층(70)의 두께가 1,600Å인 경우에 TFT들의 특성이 최적화되고, 광 보상층(70)의 두께가 2,200Å으로 형성되어야 OLED(90)의 색 시야각 특성이 최적화된다.The driving TFT 20, the switching TFTs, and the lines necessary for driving are formed in the TFT region, and the light compensation layer 70 is formed in the pixel region A and the TFT region B with the same thickness. When the thickness of the optical compensation layer 70 is 1,600 µs, the characteristics of the TFTs are optimized, and when the thickness of the optical compensation layer 70 is formed at 2,200 µs, the color viewing angle characteristic of the OLED 90 is optimized.

종래 기술에서는 색 시야각의 특성을 향상시키기 위해 광 보상층(70)을 2,200Å 이상으로 형성하는데, 이로 인해 TFT들의 구동 특성 저하되는 문제점이 있다.In the prior art, the optical compensation layer 70 is formed to be 2,200 Hz or more in order to improve the color viewing angle.

광 보상층(70)이 1,600Å의 두께 및 2,200Å의 두께로 형성된 경우를 대비하여 TFT들이 특성이 변화된 것을 아래의 표 1에 나타내고 있다.In contrast to the case where the light compensation layer 70 is formed to have a thickness of 1,600 및 and a thickness of 2,200 Å, the characteristics of the TFTs are shown in Table 1 below.

Figure pat00001
Figure pat00001

구체적으로, 광 보상층(70)이 2,200Å 이상의 두께로 형성되면, 스토리지 커패시턴스(Storage capacitance)가 4% 감소하고, 라인들과 캐소드(96) 간의 로드(load)가 1% 감소하는 문제점이 있다. 또한, 드라이빙 TFT(20)의 피크 전류(peak current)가 5.2% 감소하고, 문턱 전압(Vth)의 보상특성이 2.2% 감소하는 문제점이 있다.Specifically, when the optical compensation layer 70 is formed to a thickness of 2,200 Å or more, the storage capacitance is reduced by 4%, and the load between the lines and the cathode 96 is reduced by 1%. . In addition, there is a problem in that the peak current of the driving TFT 20 is reduced by 5.2% and the compensation characteristic of the threshold voltage Vth is reduced by 2.2%.

한편, 스토리지 커패시턴스의 면적을 증가시켜 커패시턴스를 보상할 수 있지만, 이로 인해 개구율이 0.5% 감소하는 다른 문제점이 발생될 수 있다.On the other hand, although the capacitance can be compensated for by increasing the area of the storage capacitance, this may cause another problem that the opening ratio is reduced by 0.5%.

상술한 문제점들은 캐소드(96)와 라인들 사이의 산화물 박막의 두께에 기인한 것으로, TFT들의 구동 특성 저하를 방지하기 위해서는 광 보상층(70)을 1,600Å 정도의 두께로 형성하여야 하지만, 이러한 경우에는 반대로 색 시야각 특성이 저하되는 다른 문제점이 있다.The above-mentioned problems are caused by the thickness of the oxide thin film between the cathode 96 and the lines. In order to prevent deterioration of the driving characteristics of the TFTs, the light compensation layer 70 should be formed to a thickness of about 1,600 GHz. On the contrary, there is another problem that the color viewing angle characteristic is lowered.

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, 색 시야각의 특성을 향상시킬 수 있는 유기발광 장치와 이의 제조 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide an organic light emitting device capable of improving the characteristics of a color viewing angle and a method of manufacturing the same.

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, TFT 영역에 형성된 광 보상층에 의해 스토리지 커패시턴스(Storage capacitance) 및 라인들과 캐소드(96) 간의 로드(load)가 감소하는 것을 방지할 수 있는 유기발광 장치와 이의 제조 방법을 제공하는 것을 다른 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and the organic light emitting diode can prevent the storage capacitance and the load between the lines and the cathode 96 from being reduced by the optical compensation layer formed in the TFT region. It is another technical problem to provide an apparatus and a manufacturing method thereof.

본 발명은 상술한 문제점들을 해결하기 위한 것으로서, TFT 영역에 형성된 광 보상층에 의해 드라이빙 TFT의 피크 전류(peak current) 및 문턱 전압(Vth)의 보상특성이 감소하는 것을 방지할 수 있는 유기발광 장치와 이의 제조 방법을 제공하는 것을 또 다른 기술적 과제로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an organic light emitting device capable of preventing the compensation characteristics of the peak current and the threshold voltage Vth of the driving TFT from being reduced by the light compensation layer formed in the TFT region. It is another technical problem to provide a manufacturing method thereof.

발광 영역과 비 발광 영역이 정의된 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치는 기판; 상기 기판 상에 형성된 드라이빙 TFT(Thin Film Transistor); 상기 드라이빙 TFT를 덮도록 형성된 보호층; 상기 보호층 상부에 형성된 광 보상층; 상기 발광 영역을 정의하는 뱅크; 캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 포함하며, 상기 광 보상층은 상기 발광 영역과 비 발광 영역에서 서로 다른 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention in which the emission area and the non-emission area are defined includes a substrate; A driving TFT (Thin Film Transistor) formed on the substrate; A protective layer formed to cover the driving TFT; An optical compensation layer formed on the protective layer; A bank defining the light emitting area; And an organic light emitting layer disposed between the cathode electrode and the anode electrode contacting the drain of the driving TFT and emitting light according to a driving current, wherein the light compensation layer is formed to have a different thickness in the light emitting region and the non-light emitting region. do.

픽셀 영역과 TFT(Thin Film Transistor) 영역이 정의된 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치는, 기판; 상기 기판 상에 형성된 드라이빙 TFT; 상기 드라이빙 TFT를 덮도록 형성된 보호층; 상기 보호층 상부에 형성된 광 보상층; 캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 포함하며, 상기 광 보상층은 상기 픽셀 영역과 TFT 영역에서 서로 다른 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.An organic light emitting device according to an embodiment of the present invention in which a pixel region and a thin film transistor (TFT) region are defined may include a substrate; A driving TFT formed on the substrate; A protective layer formed to cover the driving TFT; An optical compensation layer formed on the protective layer; And an organic light emitting layer disposed between the cathode electrode and the anode electrode in contact with the drain of the driving TFT and emitting light according to a driving current, wherein the light compensation layer is formed to have a different thickness in the pixel region and the TFT region. .

발광 영역과 비 발광 영역이 정의된 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치의 제조방법에 있어서, 기판 상의 비 발광 영역에 드라이빙 TFT(Thin Film Transistor)를 형성하는 단계; 상기 드라이빙 TFT를 덮도록 보호층을 형성하는 단계; 상기 보호층을 덮도록 광 보상층을 형성하는 단계; 발광 영역을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계; 및 캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 광 보상층은 상기 발광 영역과 비 발광 영역에서 서로 다른 두께로 형성된 것을 특징으로 한다.An organic light emitting device manufacturing method according to an exemplary embodiment of the present invention, wherein a light emitting area and a non-light emitting area are defined, the method comprising: forming a driving thin film transistor (TFT) in a non-light emitting area on a substrate; Forming a protective layer to cover the driving TFT; Forming a light compensation layer to cover the protective layer; Forming a bank defining a light emitting area; And forming an organic light emitting layer disposed between the cathode electrode and the anode electrode in contact with the drain of the driving TFT to emit light according to a driving current, wherein the light compensation layer has a different thickness in the light emitting region and the non-light emitting region. Characterized in that formed.

본 발명은 색 시야각의 특성을 향상시킬 수 있는 유기발광 장치와 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.The present invention can provide an organic light emitting device and a method for manufacturing the same that can improve the characteristics of the color viewing angle.

본 발명은 픽셀 영역과 TFT 영역에서 광 보상층의 두께를 최적화시켜 스토리지 커패시턴스(Storage capacitance) 및 라인들과 캐소드 간의 로드(load)가 감소하는 것을 방지할 수 있는 유기발광 장치와 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.The present invention provides an organic light emitting device capable of optimizing the thickness of an optical compensation layer in a pixel region and a TFT region and preventing a reduction in storage capacitance and load between lines and a cathode, and a method of manufacturing the same. can do.

본 발명은 픽셀 영역과 TFT 영역에서 광 보상층의 두께를 최적화시켜 광 보상층에 의해 드라이빙 TFT의 피크 전류(peak current) 및 문턱 전압(Vth)의 보상특성이 감소하는 것을 방지할 수 있는 유기발광 장치와 이의 제조 방법을 제공할 수 있다.The present invention optimizes the thickness of the optical compensation layer in the pixel region and the TFT region, thereby preventing the compensation characteristics of the peak current and threshold voltage (Vth) of the driving TFT from being reduced by the optical compensation layer. It is possible to provide an apparatus and a method of manufacturing the same.

도 1은 종래 기술에 따른 유기발광 장치의 구조를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 구조를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치의 구조를 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 실시 예들에 따른 유기발광 장치의 색 시야각 특성을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 2 및 도 3에 도시된 광 보상층에 의해 TFT의 특성이 향상된 효과를 나타내는 도면이다.
도 6 내지 도 13은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 제조방법을 나타내는 도면이다.1 is a view showing the structure of an organic light emitting device according to the prior art.
2 is a view showing the structure of an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
3 is a view showing the structure of an organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
4 is a view showing color viewing angle characteristics of an organic light emitting display device according to example embodiments.
5 is a diagram illustrating an effect of improving the characteristics of a TFT by the light compensation layers shown in FIGS. 2 and 3.
6 to 13 are views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 유기발광 장치에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, an organic light emitting device according to embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.

본 발명의 실시 예들을 설명함에 있어서 어떤 구조물이 다른 구조물 '상에 또는 상부에' 및 '아래에 또는 하부에' 형성된다고 기재된 경우, 이러한 기재는 이 구조물들이 서로 접촉되어 있는 경우는 물론이고 이들 구조물들 사이에 제3의 구조물이 개재되어 있는 경우까지 포함하는 것으로 해석되어야 한다.In describing embodiments of the present invention, when a structure is described as being formed 'on or on top' and 'under or under' another structure, these descriptions may be used to describe these structures as well as when the structures are in contact with each other. It should be interpreted as including even if a third structure is interposed between them.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예들에 따른 유기발광 장치와 이의 제조방법을 설명함에 있어서, 구조물들 간의 상/하 관계는 제조 과정과 제조가 완료된 이후 서로 상이할 수 있다.Hereinafter, in describing an organic light emitting device and a method of manufacturing the same according to embodiments of the present invention with reference to the drawings, the relationship between the structure may be different from each other after the manufacturing process and the manufacturing is completed.

도면에 도시되지 않았지만, 본 발명의 실시 예들에 따른 유기발광 장치는 픽셀에 형성된 OLED를 발광시키기 위한 구동 회로부를 포함한다.Although not shown in the drawings, the organic light emitting device according to the embodiments of the present invention includes a driving circuit unit for emitting an OLED formed in the pixel.

도 2은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 구조를 나타내는 도면이다. 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치는 광을 하부로 방출하는 바텀 이미션(Bottom emission) 방식이며, 도 2에서는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 전체 픽셀 중에서 하나의 픽셀을 예로서 도시하고 있다.2 is a view showing the structure of an organic light emitting device according to a first embodiment of the present invention. The organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention is a bottom emission method that emits light downward, and in FIG. 2, one organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention The pixel is shown as an example.

도 2을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치는 글래스 기판(110, 또는 백 플랜 기판) 상에 복수의 픽셀이 형성된다.2, in the organic light emitting diode display according to the first exemplary embodiment, a plurality of pixels are formed on a glass substrate 110 or a back plan substrate.

복수의 픽셀 각각은 영상 신호에 따라 인가된 전류에 의해 발광하는 OLED(190)와, 상기 OLED(190)에 구동 전류를 공급하기 위한 복수의 TFT; 및 스토리지 커패시터(Ctc)를 포함한다. 여기서, 복수의 TFT는 스위칭 TFT들 및 드라이빙 TFT(120)를 포함한다.Each of the plurality of pixels includes an OLED 190 emitting light by a current applied according to an image signal, and a plurality of TFTs for supplying a driving current to the OLED 190; And a storage capacitor Ctc. Here, the plurality of TFTs includes switching TFTs and driving TFT 120.

도 2에 도시되어 있지 않지만, 글래스 기판(110)에는 게이트 라인, 발광 신호 라인, 데이터 라인, 구동 전원(VDD) 라인, 기준 전원(Vss) 라인이 형성되어 있다. 여기서, 글래스 기판(110)을 대체하여 플렉서블 한 투명 재질의 플라스틱 기판이 적용될 수 있다. 또한, 글래스 기판(110) 상에는 SiO2, 또는 SiNx와 같은 무기물로 버퍼층(미도시)이 2,000Å~ 3,000Å의 두께로 형성될 수 있다.Although not shown in FIG. 2, the glass substrate 110 includes a gate line, a light emission signal line, a data line, a driving power supply (VDD) line, and a reference power supply (Vss) line. Here, a plastic substrate of a flexible transparent material may be applied in place of the glass substrate 110. In addition, on the glass substrate 110, a buffer layer (not shown) may be formed with an inorganic material such as SiO 2 or SiNx to a thickness of 2,000 μm to 3,000 μm.

상기 도 2에서는 복수의 TFT 중에서 스위칭 TFT들은 도시하고 있지 않으며, OLED(190)에 공급되는 전류를 스위칭 하는 드라이빙 TFT(120)를 도시하고 있다. 드라이빙 TFT(120)는 글래스 기판(110) 상에서 TFT 영역(D)에 형성되고, OLED(190)는 픽셀 영역(C), 즉, 개구부에 형성된다.In FIG. 2, the switching TFTs of the plurality of TFTs are not shown, and the driving TFT 120 for switching the current supplied to the OLED 190 is illustrated. The driving TFT 120 is formed in the TFT region D on the glass substrate 110, and the OLED 190 is formed in the pixel region C, that is, the opening.

드라이빙 TFT(120)는 글래스 기판(110) 상에 형성된 게이트(122, gate), 반도체층(124, active), 소스(126, source), 드레인(128, drain) 및 게이트 절연층(125, GI: gate insulator layer)으로 구성된다. 여기서, 드라이빙 TFT(120)에는 소거 라인(130, ESL)이 컨택되어 있다.The driving TFT 120 includes a gate 122, a semiconductor layer 124, an active layer, a source 126, a drain 128, and a gate insulating layer 125 formed on the glass substrate 110. : gate insulator layer). Here, the erase line 130 (ESL) is in contact with the driving TFT 120.

게이트(122), 소스(126) 및 드레인(128)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)와 같은 메탈 물질로 형성될 수 있다.Gate 122, source 126, and drain 128 include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), neodymium (Nd), and It may be formed of a metal material such as copper (Cu).

반도체층(124)은 산화물을 포함하는 투명전도성 물질 일 예로서, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 물질로 형성될 수 있으며, P형 또는 N형의 불순물이 1014 ~ 1015[㎤] 농도로 도핑되어 있다.As an example, the semiconductor layer 124 may be formed of an indium gallium zinc oxide (IGZO) material including an oxide, and doped with a P-type or N-type impurity at a concentration of 10 14 to 10 15 [cm 3]. It is.

픽셀 영역(C) 및 TFT 영역(D)의 드라이빙 TFT(120)를 덮도록 3um 내외의 두께로 보호층(140, PAS)이 형성되고 보호층(140) 상에는 오버코트층(160, OC)이 형성되어 있다. 도면에 도시되지 않았지만, 드라이빙 TFT(120)와 보호층(140) 사이에는 층간 절연층(ILD: inter layer dielectric)이 더 형성될 수 있다.A protective layer 140 (PAS) is formed to a thickness of about 3 μm so as to cover the driving TFT 120 of the pixel region C and the TFT region D, and an overcoat layer 160 (OC) is formed on the protective layer 140. It is. Although not illustrated, an interlayer dielectric (ILD) may be further formed between the driving TFT 120 and the protective layer 140.

픽셀 영역(C)에서 보호층(140)과 오버코트층(160) 사이에는 색 변환층(150)이 형성되어 있다. 이러한, 색 변환층(150)은 OLED(190)에서 생성된 광을 레드(red), 그린(green) 또는 블루(blue)의 색광으로 변환시키기 위한 컬러필터층이다.In the pixel region C, the color conversion layer 150 is formed between the protective layer 140 and the overcoat layer 160. The color conversion layer 150 is a color filter layer for converting light generated by the OLED 190 into red, green, or blue color light.

색 변환층(150)에 의해 OLED(190)에서 생성된 백색 광이 컬러 광으로 변환되며, OLED(190) 및 색 변환층(150)을 포함하는 픽셀이 매트릭스 형태로 배열될 수 있다.The white light generated by the OLED 190 is converted into color light by the color conversion layer 150, and pixels including the OLED 190 and the color conversion layer 150 may be arranged in a matrix form.

도 2를 참조한 상술한 설명에서는 색 변환층(150)이 보호층(140)과 오버코트층(160) 사이에 형성된 것으로 설명하였으나 이는 본 발명의 여러 실시 예들 중에서 일 예를 설명한 것이다.In the above description with reference to FIG. 2, the color conversion layer 150 has been described as being formed between the passivation layer 140 and the overcoat layer 160, which is an example of various embodiments of the present disclosure.

본 발명의 다른 실시 예에서 색 변환층(150)은 TFT들과 동일 레이어 상에 형성될 수 있다. 즉, 색 변환층(150)은 게이트 절연층(125)과 보호층(140) 사이에도 형성될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the color conversion layer 150 may be formed on the same layer as the TFTs. That is, the color conversion layer 150 may also be formed between the gate insulating layer 125 and the protective layer 140.

오버코트층(160) 상부에는 광 보상층(170, OCL: optical compensation layer)이 형성되어 있다.An optical compensation layer 170 (OCL: optical compensation layer) is formed on the overcoat layer 160.

여기서, 광 보상층(170)은 산화물 실리콘(silicon oxide: SiOX) 또는 질화물 실리콘(silicon nitride: SiNY)으로 형성될 수 있으며, 상기 TFT 영역(D)과 상기 픽셀 영역(C)에서 서로 다른 두께를 가지도록 형성된다.Here, the light compensation layer 170 may be formed of silicon oxide (SiO X ) or silicon nitride (SiN Y ), and may be different from each other in the TFT region D and the pixel region C. It is formed to have a thickness.

구체적으로, 상기 광 보상층(170)은 픽셀 영역(C)의 두께가 TFT 영역(D)의 두께보다 얇게 형성된다.Specifically, the light compensation layer 170 is formed to have a thickness of the pixel region C smaller than that of the TFT region D. FIG.

일 예로서, 상기 픽셀 영역(C)에서는 광 보상층(170)이 1,000Å~3,000Å의 두께를 가지도록 형성되고, 상기 TFT 영역(D)에서는 광 보상층(170)이 500Å~2,000Å의 두께를 가지도록 형성되어 있다.As an example, in the pixel region C, the light compensation layer 170 is formed to have a thickness of 1,000 ns to 3,000 ns, and in the TFT region D, the light compensation layer 170 is 500 ns to 2,000 ns. It is formed to have a thickness.

상술한 바와 같이, 바텀 이미션 구조의 유기발광 장치는 광 보상층의 두께가 1,600Å인 경우에 TFT들의 구동 특성이 최적화되므로, 본 발명의 실시 제1 예에 따른 유기발광 장치의 광 보상층(170)은 TFT 영역(D)에서 1,600Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.As described above, since the driving characteristics of the TFTs are optimized when the thickness of the bottom emission structure is 1600 μs, the light compensation layer of the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention 170 may be formed to have a thickness of 1,600 Å in the TFT region D. FIG.

이와 함께, 바텀 이미션 구조의 유기발광 장치는 광 보상층의 두께가 2,200Å인 경우에 색 시야각의 특성이 최적화되므로, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 광 보상층(170)은 픽셀 영역(C)에서 2,200Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.In addition, the organic light emitting device having the bottom emission structure has optimized color viewing angle when the thickness of the light compensating layer is 2,200 μs, so that the light compensating layer 170 of the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention is May be formed to have a thickness of 2,200 에서 in the pixel region C.

본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치에서 광 보상층(170)의 두께를 결정함에 있어서, 픽셀 영역(C)에는 색 시야각에 최적화된 두께를 적용하고, TFT 영역(D)에는 TFT의 구동 특성에 최적화된 두께를 적용한다.In determining the thickness of the light compensation layer 170 in the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention, the thickness optimized for the color viewing angle is applied to the pixel region C, and the TFT is applied to the TFT region D. Apply thickness optimized for driving characteristics.

광 보상층(170)을 형성하는 물질에 따라서 TFT들의 구동 특성 및 색 시야각의 특성이 최적화되는 광 보상층의 두께가 달라질 수 있으므로, 본 발명의 다른 실시 예에서는 광 보상층(170)을 1,000Å 이하의 두께 또는 3,000Å 이상의 두께로도 형성할 수 있다.Since the thickness of the optical compensation layer in which driving characteristics and color viewing angles of the TFTs are optimized may vary depending on the material forming the optical compensation layer 170, in another embodiment of the present invention, the optical compensation layer 170 may be 1,000 Å. It can also be formed with the following thickness or thickness of 3,000 Pa or more.

여기서, 광 보상층(170)은 글래스 기판(110)의 전면에 산화물 실리콘(silicon oxide: SiOX) 또는 질화물 실리콘(silicon nitride: SiNY)을 증착하여 픽셀 영역(C) 및 TFT 영역(D)에서 동일한 두께를 가지도록 형성되는데, TFT 영역(D)에만 선택적으로 식각(etching) 공정을 수행하여 두께를 줄이게 된다. 이때, 식각 공정은 건식 식각(dry etching) 또는 습식 식각(wet etching) 방식을 적용할 수 있다.Here, the light compensation layer 170 deposits oxide silicon (SiO X ) or silicon nitride (SiN Y ) on the entire surface of the glass substrate 110 to form the pixel region C and the TFT region D. It is formed to have the same thickness in, to reduce the thickness by selectively performing the etching (etching) process only in the TFT region (D). At this time, the etching process may be a dry etching (wet etching) or wet etching (wet etching) method.

이와 같이, TFT 영역(D)의 광 보상층(170)에만 선택적으로 건식 식각 공정을 적용하므로, 광 보상층(170)은 상기 TFT 영역(D)과 상기 픽셀 영역(C)에서 상이한 거칠기(roughness)로 형성된다. 전체 광 보상층(170) 중에서 건식 식각 공정이 적용된 TFT 영역(D)이 픽셀 영역(C)보다 큰 거칠기를 가지게 된다.As such, since a dry etching process is selectively applied only to the light compensation layer 170 of the TFT region D, the light compensation layer 170 may have different roughnesses in the TFT region D and the pixel region C. FIG. Is formed. The TFT region D to which the dry etching process is applied among the entire light compensation layers 170 has a larger roughness than the pixel region C.

광 보상층(170)의 상부 중에서, TFT 영역(D)에는 화상이 표시되는 픽셀 영역(C) 즉, 개구부를 정의하는 뱅크(180)가 형성되어 있다. 여기서, 뱅크(180)는 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지로 형성될 수 있다.In the upper portion of the light compensation layer 170, the TFT region D is formed with a pixel region C on which an image is displayed, that is, a bank 180 defining an opening. Here, the bank 180 may be formed of benzocyclobutene (BCB) -based resin, acrylic resin or polyimide resin.

픽셀 영역(C)의 광 보상층(170) 상부 및 TFT 영역(D)의 뱅크(180) 상부에는 드라이빙 TFT(120)를 통해 인가된 구동 전류에 의해 발광하는 OLED(190) 형성되어 있다.An OLED 190 is formed on the light compensation layer 170 of the pixel region C and on the bank 180 of the TFT region D to emit light by a driving current applied through the driving TFT 120.

여기서, OLED(190)는 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide)와 같은 투명 전도성 물질로 형성된 애노드(anode) 전극(192), 인가된 전류에 의해 발광하는 유기 발광층(194) 및 상기 유기 발광층(194) 상에 형성된 캐소드(cathode) 전극(196)을 포함한다. 이와 같이, 애노드 전극(192), 유기 발광층(194) 및 캐소드 전극(196)이 순차적으로 형성되어 OLED(190)를 구성하게 된다.Here, the OLED 190 is an anode electrode 192 formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or indium tin zinc oxide (ITZO), and emits light by an applied current. An organic emission layer 194 and a cathode electrode 196 formed on the organic emission layer 194. As such, the anode electrode 192, the organic emission layer 194, and the cathode electrode 196 are sequentially formed to constitute the OLED 190.

보호층(140), 오버코트층(160) 및 광 보상층(170)의 일부 영역이 식각되어 드레인(128)의 상면을 노출시키는 컨택홀이 형성되고, 상기 컨택홀 내에 전도성 메탈 물질이 매립되어 컨택(CNT)이 형성되어 있다.A portion of the passivation layer 140, the overcoat layer 160, and the light compensation layer 170 is etched to form a contact hole exposing an upper surface of the drain 128, and a conductive metal material is embedded in the contact hole to contact the contact hole. (CNT) is formed.

애노드 전극(192)은 상기 컨택(CNT)을 통해 드라이빙 TFT(120)의 드레인(128)과 접속된다.The anode electrode 192 is connected to the drain 128 of the driving TFT 120 through the contact CNT.

한편, 도 2에 구체적으로 도시되어 있지 않지만, OLED(190)는 애노드 전극(192), 유기 발광층(194) 및 캐소드 전극(196) 이외에도 정공 주입층 및 전자 주입층을 포함한다.Although not specifically illustrated in FIG. 2, the OLED 190 includes a hole injection layer and an electron injection layer in addition to the anode electrode 192, the organic emission layer 194, and the cathode electrode 196.

캐소드 전극(196)에서 발생된 전자 및 애노드 전극(192)에서 발생된 정공이 유기 발광층(194) 내부로 주입되면, 주입된 전자 및 정공이 결합하여 액시톤(exciton)이 생성된다. 생성된 액시톤이 여기상태(excited state)에서 기저상태(ground state)로 떨어지면서 백색 광을 발생시킨다. OLED(190)에서 생성된 백색 광이 색 변환층(150)을 통과하면서 고유의 색광으로 변환되어 외부로 출사되게 된다.When electrons generated from the cathode electrode 196 and holes generated from the anode electrode 192 are injected into the organic emission layer 194, the injected electrons and holes are combined to generate excitons. The generated axtone falls from the excited state to the ground state to generate white light. The white light generated by the OLED 190 passes through the color conversion layer 150 and is converted into unique color light to be emitted to the outside.

OLED(190)의 상부에는 봉지 기판(미도시)이 형성되어 OLED(190)를 습기와 같은 외부 요인으로부터 봉지하게 된다.An encapsulation substrate (not shown) is formed on top of the OLED 190 to encapsulate the OLED 190 from external factors such as moisture.

여기서, 봉지 기판은 OLED(190)를 외부 습기 및 이물질로부터 보호하기 위한 것으로, 봉지 기판으로 글라스 기판 또는 금속 시트(metal sheet)가 적용될 수 있다. 또한, 봉지 기판으로 박막 필름 봉지제(TFE: Thin Film Encapsulation)가 적용될 수도 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, OLED(190)를 보호할 수 있는 물질이면 봉지 기판의 역할을 대체할 수 있다.Here, the encapsulation substrate is to protect the OLED 190 from external moisture and foreign matter, and a glass substrate or a metal sheet may be applied as the encapsulation substrate. In addition, a thin film encapsulation (TFE) may be applied to the encapsulation substrate. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of protecting the OLED 190 may replace the role of the encapsulation substrate.

도 3은 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치의 구조를 나타내는 도면이다. 도 3을 참조하여 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치를 설명함에 있어서 상술한 제1 실시 예와 동일한 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.3 is a view showing the structure of an organic light emitting device according to a second embodiment of the present invention. In describing the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention with reference to FIG. 3, detailed description of the same configuration as that of the first embodiment will be omitted.

광 보상층(175)은 산화물 실리콘(silicon oxide: SiOX) 또는 질화물 실리콘(silicon nitride: SiNY)으로 형성될 수 있으며, 발광 영역(E)과 비 발광 영역(F)에서 서로 다른 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 여기서, 발광 영역(E)과 비 발광 영역(F)은 뱅크(180)에 의해 정의된다.The light compensation layer 175 may be formed of silicon oxide (SiO X ) or silicon nitride (SiN Y ), and may have different thicknesses in the light emitting region E and the non-light emitting region F. FIG. It can be formed to be. Here, the light emitting area E and the non-light emitting area F are defined by the bank 180.

구체적으로, 상기 광 보상층(170)은 발광 영역(E)의 두께가 비 발광 영역(E)의 두께보다 얇게 형성된다.In detail, the light compensation layer 170 is formed to have a thickness less than that of the non-emission area E.

일 예로서, 상기 발광 영역(E)에서는 광 보상층(175)이 1,000Å~3,000Å의 두께를 가지도록 형성되고, 상기 비 발광 영역(F)에서는 광 보상층(175)이 500Å~2,000Å의 두께를 가지도록 형성되어 있다.As an example, in the emission region E, the light compensation layer 175 is formed to have a thickness of 1,000 ns to 3,000 ns, and in the non-emission region F, the light compensation layer 175 is 500 ns to 2,000 ns. It is formed to have a thickness of.

상술한 바와 같이, 바텀 이미션 구조의 유기발광 장치는 광 보상층의 두께가 1,600Å인 경우에 TFT들의 구동 특성이 최적화되므로, 본 발명의 실시 제2 예에 따른 유기발광 장치의 광 보상층(175)은 비 발광 영역(F)에서 1,600Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.As described above, since the driving characteristics of the TFTs are optimized when the thickness of the bottom emission structure is 1600 μs, the light compensation layer of the organic light emitting apparatus according to the second embodiment of the present invention 175 may be formed to have a thickness of 1,600 에서 in the non-light emitting region F. FIG.

이와 함께, 바텀 이미션 구조의 유기발광 장치는 광 보상층의 두께가 2,200Å인 경우에 색 시야각의 특성이 최적화되므로, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치의 광 보상층(175)은 발광 영역(E)에서 2,200Å의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.In addition, the organic light emitting device having a bottom emission structure has optimized color viewing angle characteristics when the thickness of the optical compensation layer is 2,200 ,, and thus the optical compensation layer 175 of the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention. May be formed to have a thickness of 2,200 에서 in the emission region E. FIG.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치에서 광 보상층(175)의 두께를 결정함에 있어서, 발광 영역(E)에는 색 시야각에 최적화된 두께를 적용하고, 비 발광 영역(F)에는 TFT의 구동 특성에 최적화된 두께를 적용한다.In determining the thickness of the light compensation layer 175 in the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention, a thickness optimized for the color viewing angle is applied to the light emitting region E, and a TFT is applied to the non-light emitting region F. Apply the optimized thickness to the driving characteristics.

광 보상층(175)을 형성하는 물질에 따라서 TFT들의 구동 특성 및 색 시야각의 특성이 최적화되는 광 보상층의 두께가 달라질 수 있으므로, 본 발명의 다른 실시 예에서는 광 보상층(175)을 1,000Å 이하의 두께 또는 3,000Å 이상의 두께로도 형성할 수 있다.Since the thickness of the optical compensation layer in which the driving characteristics and the color viewing angle of the TFTs are optimized may vary depending on the material forming the optical compensation layer 175, in another embodiment of the present invention, the optical compensation layer 175 may be 1,000 Å. It can also be formed with the following thickness or thickness of 3,000 Pa or more.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치의 광 보상층(175)도 식각 공정을 선택적으로 적용하여 발광 영역(E)과 비 발광 영역(F)에서의 두께가 상이하게 형성되다. 따라서, 광 보상층(175)은 발광 영역(E)과 비 발광 영역(F)에서 상이한 거칠기(roughness)를 가진다.The light compensation layer 175 of the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention also has a thickness different in the emission region E and the non-emission region F by selectively applying an etching process. Therefore, the light compensation layer 175 has different roughness in the light emitting area E and the non-light emitting area F. FIG.

도 4은 본 발명의 실시 예들에 따른 유기발광 장치의 색 시야각 특성을 나타내는 도면이고, 도 5는 도 2 및 도 3에 도시된 광 보상층에 의해 TFT의 특성이 향상된 효과를 나타내는 도면이다.4 is a view showing color viewing angle characteristics of an organic light emitting device according to embodiments of the present invention, and FIG. 5 is a view showing an effect of improving TFT characteristics by the light compensation layers shown in FIGS. 2 and 3.

도 4 및 도 5를 참조하면, 상술한 구성을 포함하는 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치는 시야각 및 TFT 구동 특성에 최적화되도록 픽셀 영역(C)과 TFT 영역(D)에서 광 보상층(170)의 두께를 상이하게 형성하였다.4 and 5, an organic light emitting device according to an exemplary embodiment of the present invention having the above-described configuration includes an optical compensation layer in the pixel region C and the TFT region D so as to be optimized for a viewing angle and TFT driving characteristics. 170) were formed differently.

픽셀 영역(C)에서는 광 보상층(170)의 두께를 2,200Å으로 형성하여 색 시야각을 최적화시켰고, TFT 영역(D)에서는 광 보상층(170)의 두께를 1,600Å으로 형성하여 TFT들의 구동 특성 및 스토리지 커패시턴스의 특성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.In the pixel region C, the thickness of the optical compensation layer 170 was formed to be 2,200 µs to optimize the color viewing angle. In the TFT region D, the thickness of the optical compensation layer 170 was formed to be 1,600 µs in driving characteristics of the TFTs. And it is possible to prevent the deterioration of the characteristics of the storage capacitance.

도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 임의의 제1 색(u1', v1')과 제2 색(u2', v2')의 색 차이를 나타낼 때에는 u', v' 좌표 값으로 두 색간의 거리를 표시한다. 이때, △u', v' 좌표 값이 0.02 이상인 경우, OLED 패널의 시야각에 따른 색 변화(Color shift)를 사용자가 인지하게 된다.As shown in FIGS. 4 and 5, when the color difference between any of the first colors u1 'and v1' and the second colors u2 'and v2' is represented, two colors are represented as u 'and v' coordinate values. Indicates the distance between. In this case, when the Δu 'and v' coordinate values are 0.02 or more, the user may recognize a color shift according to the viewing angle of the OLED panel.

본 발명의 실시 예의 따른 유기 발광 장치는 △u', v' 의 좌표 값이 0.02 미만이 되도록 픽셀 영역(C) 또는 발광 영역(E)에서 광 보상층(170)의 두께를 색 시야각에 최적화시켰다. 또한, TFT 영역(D) 또는 비 발광 영역(F)에서 TFT들의 구동 특성이 저하되지 않도록 광 보상층(170)의 두께를 최적화시켰다. 이를 통해, 본 발명의 실시 예의 따른 유기 발광 장치는 TFT 들의 구동 특성을 보장하면서, 0°~±80°의 범위에서 우수한 색 시야각을 얻을 수 있다.In the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention, the thickness of the light compensation layer 170 is optimized for the color viewing angle in the pixel region C or the emission region E such that the coordinate values of Δu 'and v' are less than 0.02. . In addition, the thickness of the light compensation layer 170 is optimized so that the driving characteristics of the TFTs in the TFT region D or the non-light emitting region F are not deteriorated. Through this, the organic light emitting device according to the embodiment of the present invention can obtain the excellent color viewing angle in the range of 0 ° ~ ± 80 ° while ensuring the driving characteristics of the TFTs.

상술한 구성으로, 전체 픽셀을 형성하면 OLED 패널의 구동 특성을 향상시킬 수 있고, 개구율의 저하 없이 우수한 스토리지 커패시턴스를 형성시킬 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치가 적용된 조정 장치의 성능 및 디스플레이 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.With the above-described configuration, when all the pixels are formed, the driving characteristics of the OLED panel can be improved, and excellent storage capacitance can be formed without lowering the aperture ratio. Through this, the performance of the adjustment device to which the organic light emitting device is applied and the display quality of the display device may be improved.

도 6 내지 도 13는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 제조방법을 나타내는 도면이다. 이하, 도 6 내지 도 13을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 제조방법의 일 예를 설명한다.6 to 13 are views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention. Hereinafter, an example of a method of manufacturing the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 13.

도 6을 참조하면, 글래스 기판(110) 상의 TFT 영역(D)에 게이트(122, gate)를 형성하고, 게이트(122)를 덮도록 게이트 절연층(125)을 형성한다. 이때, 게이트 절연층(125)은 SiO2로 형성될 수 있으며, 1,300Å의 두께를 가질 수 있다. 한편, 게이트 절연층(125)은 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate) 또는 MTO(Middle Temperature Oxide)를 CVD(Chemical Vapor Deposition)로 증착하여 형성할 수도 있다.Referring to FIG. 6, a gate 122 is formed in the TFT region D on the glass substrate 110, and a gate insulating layer 125 is formed to cover the gate 122. In this case, the gate insulating layer 125 may be formed of SiO 2 , and may have a thickness of 1,300 μs. The gate insulating layer 125 may be formed by depositing TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate) or MTO (Middle Temperature Oxide) by Chemical Vapor Deposition (CVD).

이후, 반도체층(124, active)을 형성하고, 그 위에 소스(126, source) 및 드레인(128, drain)을 형성하여 드라이빙 TFT(120)의 제조한다. 이후, 드라이빙 TFT(120)에 컨택되도록 소거 라인(130, ESL)을 형성한다.Thereafter, the semiconductor layer 124 is formed, and a source 126 and a drain 128 are formed thereon to manufacture the driving TFT 120. Thereafter, an erase line 130 (ESL) is formed to contact the driving TFT 120.

여기서, 게이트(122), 소스(126) 및 드레인(128)은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 금(Au), 티타늄(Ti), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd) 및 구리(Cu)와 같은 메탈 물질로 형성될 수 있다.The gate 122, the source 126, and the drain 128 may include molybdenum (Mo), aluminum (Al), chromium (Cr), gold (Au), titanium (Ti), nickel (Ni), and neodymium (Nd). ) And a metal material such as copper (Cu).

그리고, 반도체층(124)은 산화물을 포함하는 투명전도성 물질 일 예로서, IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide) 물질로 형성될 수 있으며, P형 또는 N형의 불순물이 1014 ~ 1015[㎤] 농도로 도핑된다.In addition, the semiconductor layer 124 may be formed of an indium gallium zinc oxide (IGZO) material as an example of a transparent conductive material including an oxide, and has a P-type or N-type impurity concentration of 10 14 to 10 15 [cm 3]. Doped with.

여기서, 글래스 기판(110)은 투명 재질의 유기 기판 또는 플렉서블 한 플라스틱 기판이 적용될 수 있다. 도 6에 도시되어 있지 않지만, 글래스 기판(110)에는 게이트 라인, 발광 신호 라인, 데이터 라인, 구동 전원 라인(VDD), 기준 전원 라인이 형성되어 있다.Here, the glass substrate 110 may be an organic substrate or a flexible plastic substrate of a transparent material. Although not shown in FIG. 6, the glass substrate 110 includes a gate line, a light emission signal line, a data line, a driving power line VDD, and a reference power line.

이어서, 도 7을 참조하면, 픽셀 영역(C) 및 TFT 영역(D)의 드라이빙 TFT(120)를 덮도록 보호층(140, PAS)을 형성한다. 이때, 보호층(140)은 포토 아크릴(photo acryl)로 3um 내외의 두께로 형성될 수 있다. 도면에 도시하지 않았지만, 드라이빙 TFT(120)와 보호층(140) 사이에 층간 절연층(ILD: inter layer dielectric)이 더 형성할 수도 있다.Subsequently, referring to FIG. 7, the passivation layer 140 (PAS) is formed to cover the driving TFT 120 of the pixel region C and the TFT region D. Referring to FIG. In this case, the protective layer 140 may be formed of photo acryl and have a thickness of about 3 μm. Although not illustrated, an interlayer dielectric (ILD) may be further formed between the driving TFT 120 and the protective layer 140.

이후, 픽셀 영역(C)의 보호층(140) 상부에 색 변환층(150)을 형성한다. 이때, 색 변환층(150)은 후속 공정에서 제조되는 OLED(190)에서 생성된 광을 레드(red), 그린(green) 또는 블루(blue)의 색광으로 변환시키기 위한 컬러필터층으로 형성된다.Thereafter, the color conversion layer 150 is formed on the passivation layer 140 of the pixel region C. In this case, the color conversion layer 150 is formed as a color filter layer for converting light generated by the OLED 190 manufactured in a subsequent process into color light of red, green, or blue.

이어서, 도 8을 참조하면, 보호층(140) 및 색 변환층(150)을 덮도록 오버코트층(160)을 형성한다. 이를 통해, 픽셀 영역(C)에서 보호층(140)과 오버코트층(160) 사이에는 색 변환층(150)이 형성된 구조를 가진다.Subsequently, referring to FIG. 8, the overcoat layer 160 is formed to cover the protective layer 140 and the color conversion layer 150. As a result, the color conversion layer 150 is formed between the passivation layer 140 and the overcoat layer 160 in the pixel region C.

도 8을 참조한 상술한 설명에서는 색 변환층(150)이 보호층(140)과 오버코트층(160) 사이에 형성되는 것으로 설명하였으나 이는 본 발명의 여러 실시 예들 중에서 일 예를 설명한 것이다.In the above description with reference to FIG. 8, the color conversion layer 150 has been described as being formed between the protective layer 140 and the overcoat layer 160. This is an example of various embodiments of the present disclosure.

본 발명의 다른 실시 예에서 색 변환층(150)은 TFT들과 동일 레이어 상에 형성될 수 있다. 즉, 색 변환층(150)은 게이트 절연층(125)과 보호층(140) 사이에도 형성될 수 있다.In another embodiment of the present invention, the color conversion layer 150 may be formed on the same layer as the TFTs. That is, the color conversion layer 150 may also be formed between the gate insulating layer 125 and the protective layer 140.

이후, 글래스 기판(110)의 전면에 산화물 실리콘(silicon oxide: SiOX) 또는 질화물 실리콘(silicon nitride: SiNY)을 증착하여 픽셀 영역(C) 및 TFT 영역(D)에서 동일한 두께를 가지도록 광 보상층(170)을 형성한다.Subsequently, silicon oxide (SiO X ) or silicon nitride (SiN Y ) is deposited on the entire surface of the glass substrate 110 to have the same thickness in the pixel region C and the TFT region D. The compensation layer 170 is formed.

이어서, 도 9를 참조하면, TFT 영역(D)에만 선택적으로 건식 식각(dry etching) 공정을 수행하여, TFT 영역(D)에서 광 보상층(170)의 두께를 줄인다.Subsequently, referring to FIG. 9, a dry etching process may be selectively performed only on the TFT region D to reduce the thickness of the light compensation layer 170 in the TFT region D. FIG.

이와 같이, TFT 영역(D)의 광 보상층(170)에만 선택적으로 건식 식각 공정을 적용하므로, 광 보상층(170)은 상기 TFT 영역(D)과 상기 픽셀 영역(C)에서 상이한 거칠기(roughness)로 형성된다. 전체 광 보상층(170) 중에서 건식 식각 공정이 적용된 TFT 영역(D)이 픽셀 영역(C)보다 큰 거칠기를 가지게 된다.As such, since a dry etching process is selectively applied only to the light compensation layer 170 of the TFT region D, the light compensation layer 170 may have different roughnesses in the TFT region D and the pixel region C. FIG. Is formed. The TFT region D to which the dry etching process is applied among the entire light compensation layers 170 has a larger roughness than the pixel region C.

이와 같이, 광 보상층(170)은 상기 TFT 영역(D)과 상기 픽셀 영역(C)에서 서로 다른 두께를 가지도록 형성되는데, 광 보상층(170)은 픽셀 영역(C)의 두께가 TFT 영역(D)의 두께보다 얇게 형성된다.As such, the light compensation layer 170 is formed to have a different thickness in the TFT region D and the pixel region C. In the light compensation layer 170, the thickness of the pixel region C is a TFT region. It is formed thinner than the thickness of (D).

본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치에서 광 보상층(170)의 두께를 설계함에 있어서, 픽셀 영역(C)에는 색 시야각에 최적화된 두께를 적용하고, TFT 영역(D)에는 TFT의 구동 특성에 최적화된 두께를 적용한다.In designing the thickness of the light compensation layer 170 in the organic light emitting device according to an embodiment of the present invention, the thickness optimized for the color viewing angle is applied to the pixel region C, and the driving characteristics of the TFT is applied to the TFT region D. Apply the optimized thickness to.

일 예로서, 상기 픽셀 영역(C)에서는 광 보상층(170)을 1,000Å~3,000Å의 두께를 가지도록 형성하고, 상기 TFT 영역(D)에서는 광 보상층(170)을 500Å~2,000Å의 두께를 가지도록 형성할 수 있다.For example, in the pixel region C, the light compensation layer 170 is formed to have a thickness of 1,000 ns to 3,000 ns, and in the TFT area D, the light compensation layer 170 is 500 ns to 2,000 ns. It may be formed to have a thickness.

상술한 바와 같이, 바텀 이미션 구조의 유기발광 장치는 광 보상층의 두께가 1,600Å인 경우에 TFT들의 구동 특성이 최적화되므로, TFT 영역(D)에서 광 보상층(170)을 1,600Å의 두께로 형성할 수 있다.As described above, in the organic light emitting device having the bottom emission structure, the driving characteristics of the TFTs are optimized when the thickness of the light compensation layer is 1,600 μs. It can be formed as.

이와 함께, 바텀 이미션 구조의 유기발광 장치는 광 보상층의 두께가 2,200Å인 경우에 색 시야각의 특성이 최적화되므로, 픽셀 영역(C)에서 광 보상층(170)을 2,200Å의 두께로 형성할 수 있다.In addition, the organic light emitting device having the bottom emission structure has optimized color viewing angle when the thickness of the light compensation layer is 2,200Å, so that the light compensation layer 170 is formed to have a thickness of 2,200Å in the pixel region C. can do.

광 보상층(170)을 형성하는 물질에 따라서 TFT들의 구동 특성 및 색 시야각의 특성이 최적화되는 광 보상층의 두께가 달라질 수 있으므로, 본 발명의 다른 실시 예에서는 광 보상층(170)을 1,000Å 이하의 두께 또는 3,000Å 이상의 두께로도 형성할 수 있다.Since the thickness of the optical compensation layer in which driving characteristics and color viewing angles of the TFTs are optimized may vary depending on the material forming the optical compensation layer 170, in another embodiment of the present invention, the optical compensation layer 170 may be 1,000 Å. It can also be formed with the following thickness or thickness of 3,000 Pa or more.

이어서, 도 10을 참조하면, 보호층(140), 오버코트층(160) 및 광 보상층(170)의 일부 영역을 식각하여 드레인(128)의 상면을 노출시키는 컨택홀을 형성한다.Next, referring to FIG. 10, a portion of the passivation layer 140, the overcoat layer 160, and the light compensation layer 170 is etched to form a contact hole exposing the top surface of the drain 128.

한편, 도 9에 도시된, 픽셀 영역(C)과 TFT 영역(D)에서 서로 다른 두께를 가지도록 광 보상층(170)에 건식 식각 공정을 수행하는 단계와, 도 10에 도시된, 컨택홀을 형성하는 공정은 순서에 제약 없이 적용될 수 있다.Meanwhile, a dry etching process is performed on the light compensation layer 170 to have different thicknesses in the pixel region C and the TFT region D shown in FIG. 9, and the contact hole shown in FIG. 10. Forming process can be applied without restriction in order.

이어서, 도 11을 참조하면, 픽셀 영역(C)의 광 보상층(170) 상부에 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 또는 ITZO(indium tin zinc oxide) 물질로 OLED(120)의 애노드 전극(192)을 형성한다.Subsequently, referring to FIG. 11, the OLED 120 may be formed of an indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), or indium tin zinc oxide (ITZO) material on the light compensation layer 170 of the pixel region C. An anode electrode 192 is formed.

이때, 상기 컨택홀 내에도 애노드 전극(192)이 도포되어 컨택(CNT)이 형성되어 있다. 애노드 전극(192)은 상기 컨택(CNT)을 통해 드라이빙 TFT(120)의 드레인(128)과 접속된다.In this case, an anode 192 is also coated in the contact hole to form a contact CNT. The anode electrode 192 is connected to the drain 128 of the driving TFT 120 through the contact CNT.

이어서, 도 12를 참조하면, 벤조사이클로부텐(benzocyclobutene, BCB)계 수지, 아크릴계 수지 또는 폴리이미드 수지로 광 보상층(170)의 상부 중에서 TFT 영역(D)에 뱅크(180)를 형성한다. 이러한, 뱅크(180)에 의해 화상이 표시되는 픽셀 영역(C) 즉, 개구부가 정의된다.Next, referring to FIG. 12, a bank 180 is formed in the TFT region D in the upper portion of the light compensation layer 170 using a benzocyclobutene (BCB) -based resin, an acrylic resin, or a polyimide resin. Such a bank 180 defines the pixel region C, that is, the opening, on which an image is displayed.

이어서, 도 13을 참조하면, 애노드 전극(192) 상부 및 뱅크(180) 상부에 유기물질을 도포하여 유기 발광층(194)을 형성한다.Subsequently, referring to FIG. 13, an organic material is coated on the anode electrode 192 and the bank 180 to form an organic emission layer 194.

이후, 유기 발광층(194) 상에 캐소드(cathode) 전극(196)을 형성한다. 여기서, 캐소드 전극(196)은 광이 출사되는 반대쪽에 위치하므로, 반드시 투명할 필요는 없으며, 광의 효율을 높이기 위해 광 반사율일 높은 메탈 재료로 형성될 수 있다.Thereafter, a cathode electrode 196 is formed on the organic emission layer 194. Here, since the cathode electrode 196 is located on the opposite side from which light is emitted, it is not necessarily transparent, and may be formed of a metal material having a high light reflectance in order to increase light efficiency.

한편, 도면에 구체적으로 도시하지 않았지만, 애노드 전극(192), 유기 발광층(194) 및 캐소드 전극(196) 이외에도 정공 주입층 및 전자 주입층을 형성하는 공정이 더 수행될 수 있다.Although not specifically illustrated in the drawings, a process of forming a hole injection layer and an electron injection layer may be further performed in addition to the anode electrode 192, the organic emission layer 194, and the cathode electrode 196.

아울러, OLED(190)의 상부에 봉지 글라스(미도시)를 형성하는 공정을 더 수행할 수 있다. 여기서, 봉지 글라스는 OLED(190)를 외부 습기 및 이물질로부터 보호하기 위한 것으로, 글라스 재질뿐만 아니라 박막 필름 봉지제(TFE: Thin Film Encapsulation)로도 형성될 수 있다. 그러나, 이에 한정되지 않고, OLED(190)를 보호할 수 있는 물질이면 봉지 글라스의 역할을 대체할 수 있다.In addition, a process of forming an encapsulation glass (not shown) on the upper portion of the OLED 190 may be further performed. Here, the encapsulation glass is to protect the OLED 190 from external moisture and foreign matter, and may be formed of a thin film encapsulation (TFE) as well as a glass material. However, the present invention is not limited thereto, and a material capable of protecting the OLED 190 may replace the role of the encapsulating glass.

도 6 내지 도 13을 참조한 설명에서는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 유기발광 장치의 제조방법만을 설명하였으나, 도 3에 도시된 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치도 도 6 내지 도 13에 도시된 제조방법을 통해 용이하게 제조할 수 있다. 따라서, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 유기발광 장치의 제조방법에 대한 상세한 설명은 생략한다.6 to 13 illustrate only a method of manufacturing the organic light emitting device according to the first embodiment of the present invention, the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. It can be easily produced through the manufacturing method shown in 13. Therefore, a detailed description of the manufacturing method of the organic light emitting device according to the second embodiment of the present invention will be omitted.

상술한 공정을 통해 제조된 유기발광 장치는 TFT 들의 구동 특성을 보장하면서, 0°~±80°의 범위에서 우수한 색 시야각을 보장할 수 있다.The organic light emitting device manufactured through the above-described process can ensure excellent color viewing angle in the range of 0 ° to ± 80 ° while ensuring driving characteristics of the TFTs.

상술한 공정을 통해 제조된 유기발광 장치는 픽셀 영역(C) 및 TFT 영역(D)에서 광 보상층(170)의 두께를 최적화시켜 스토리지 커패시턴스(Storage capacitance) 및 라인들과 캐소드 간의 로드(load)가 감소하는 것을 방지할 수 있다.The organic light emitting device manufactured through the above-described process optimizes the thickness of the optical compensation layer 170 in the pixel region C and the TFT region D, thereby storing storage capacitance and load between the lines and the cathode. Can be prevented from decreasing.

상술한 공정을 통해 제조된 유기발광 장치는 픽셀 영역(C) 및 TFT 영역(D)에서 광 보상층(170)의 두께를 최적화시켜 광 보상층(170)에 의해 드라이빙 TFT의 피크 전류(peak current) 및 문턱 전압(Vth)의 보상특성이 감소하는 것을 방지할 수 있다.The organic light emitting device manufactured through the above process optimizes the thickness of the light compensation layer 170 in the pixel region C and the TFT region D so that the peak current of the driving TFT by the light compensation layer 170. ) And the compensation characteristics of the threshold voltage Vth can be prevented from decreasing.

또한, 개구율의 저하 없이 우수한 스토리지 커패시턴스를 형성시킬 수 있다. 이를 통해, 본 발명의 실시 예에 따른 유기발광 장치가 적용된 조정 장치의 성능 및 디스플레이 장치의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.In addition, excellent storage capacitance can be formed without lowering the aperture ratio. Through this, the performance of the adjustment device to which the organic light emitting device is applied and the display quality of the display device may be improved.

본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention can be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

120: 드라이빙 TFT 122: 게이트
124: 반도체층 125: 게이트 절연층
126: 소스 128: 드레인
130: 소거 라인 140: 보호층
150: 색 변환층 160: 오버코트층
170: 광 보상층 180: 뱅크
190: OLED 192: 애노드
194: 유기 발광층 196: 캐소드120: driving TFT 122: gate
124: semiconductor layer 125: gate insulating layer
126: source 128: drain
130: erase line 140: protective layer
150: color conversion layer 160: overcoat layer
170: optical compensation layer 180: bank
190: OLED 192: anode
194 organic light emitting layer 196 cathode

Claims (13)

발광 영역과 비 발광 영역이 정의된 유기발광 장치는,
기판;
상기 기판 상에 형성된 드라이빙 TFT(Thin Film Transistor);
상기 드라이빙 TFT를 덮도록 형성된 보호층;
상기 보호층 상부에 형성된 광 보상층;
상기 발광 영역을 정의하는 뱅크;
캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 포함하며,
상기 광 보상층은 상기 발광 영역과 비 발광 영역에서 서로 다른 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.The organic light emitting device in which the light emitting area and the non-light emitting area are defined,
Board;
A driving TFT (Thin Film Transistor) formed on the substrate;
A protective layer formed to cover the driving TFT;
An optical compensation layer formed on the protective layer;
A bank defining the light emitting area;
An organic light emitting layer disposed between the cathode electrode and the anode electrode in contact with the drain of the driving TFT and emitting light according to a driving current,
And the light compensation layer is formed to have a different thickness in the light emitting area and the non-light emitting area. 픽셀 영역과 TFT(Thin Film Transistor) 영역이 정의된 유기발광 장치는,
기판;
상기 기판 상에 형성된 드라이빙 TFT;
상기 드라이빙 TFT를 덮도록 형성된 보호층;
상기 보호층 상부에 형성된 광 보상층;
캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 포함하며,
상기 광 보상층은 상기 픽셀 영역과 TFT 영역에서 서로 다른 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.An organic light emitting device in which a pixel region and a thin film transistor (TFT) region is defined,
Board;
A driving TFT formed on the substrate;
A protective layer formed to cover the driving TFT;
An optical compensation layer formed on the protective layer;
An organic light emitting layer disposed between the cathode electrode and the anode electrode in contact with the drain of the driving TFT and emitting light according to a driving current,
And the light compensation layer is formed in different thicknesses in the pixel region and the TFT region. 제 1 항 또는 제2 항에 있어서,
상기 보호층과 상기 광 보상층 사이에 형성된 오버코트층 및
상기 유기 발광층에서 발산된 광의 색을 변환하는 색 변환층을 더 포함하고,
상기 색 변환층은 상기 보호층과 동일층 또는 상기 오버코트층과 동일층에 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.The method according to claim 1 or 2,
An overcoat layer formed between the protective layer and the light compensation layer;
Further comprising a color conversion layer for converting the color of the light emitted from the organic light emitting layer,
The color conversion layer is an organic light emitting device, characterized in that formed on the same layer as the protective layer or the overcoat layer. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 광 보상층은 상기 발광 영역 대비 상기 비 발광 영역의 두께가 얇게 형성되거나 또는,
상기 광 보상층은 상기 픽셀 영역 대비 상기 TFT 영역의 두께가 얇게 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The light compensation layer has a thinner thickness than that of the light emitting area, or
The light compensation layer is an organic light emitting device, characterized in that the thickness of the TFT area is thinner than the pixel area. 제 1 항 또는 제 2항에 있어서,
상기 발광 영역 또는 픽셀 영역의 광 보상층은 1,000Å~3,000Å의 두께로 형성되고,
상기 비 발광 영역 또는 TFT 영역의 광 보상층은 500Å~2,000Å의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.The method according to claim 1 or 2,
The light compensation layer of the light emitting region or the pixel region is formed to a thickness of 1,000 ~ 3,000Å,
And the light compensation layer of the non-light emitting region or the TFT region is formed to a thickness of 500 kPa to 2,000 kPa. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 광 보상층은 질화물 실리콘 또는 산화물 실리콘으로 형성되고,
상기 비 발광 영역과 상기 발광 영역에서 상이한 거칠기(roughness)를 가지거나, 또는 상기 TFT 영역과 상기 픽셀 영역에서 상이한 거칠기를 가지는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
The light compensation layer is formed of silicon nitride or silicon oxide,
And a different roughness in the non-light emitting region and the light emitting region or a different roughness in the TFT region and the pixel region. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 드라이빙 TFT의 동작을 스위칭하는 적어도 하나의 스위칭 TFT 및 상기 드라이빙 TFT와 스위칭 TFT에 구동 신호를 공급하는 라인들을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
And at least one switching TFT for switching the operation of the driving TFT and lines for supplying a driving signal to the driving TFT and the switching TFT. 발광 영역과 비 발광 영역이 정의된 유기발광 장치의 제조방법에 있어서,
기판 상의 비 발광 영역에 드라이빙 TFT(Thin Film Transistor)를 형성하는 단계;
상기 드라이빙 TFT를 덮도록 보호층을 형성하는 단계;
상기 보호층을 덮도록 광 보상층을 형성하는 단계;
발광 영역을 정의하는 뱅크를 형성하는 단계; 및
캐소드 전극과 상기 드라이빙 TFT의 드레인과 컨택되는 애노드 전극의 사이에 위치하고 구동 전류에 따라 발광하는 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 광 보상층은 상기 발광 영역과 비 발광 영역에서 서로 다른 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 유기발광 장치의 제조 방법.In the method of manufacturing an organic light emitting device in which the light emitting area and the non-light emitting area are defined,
Forming a driving thin film transistor (TFT) in a non-light emitting region on the substrate;
Forming a protective layer to cover the driving TFT;
Forming a light compensation layer to cover the protective layer;
Forming a bank defining a light emitting area; And
Forming an organic light emitting layer disposed between the cathode electrode and the anode electrode in contact with the drain of the driving TFT and emitting light according to a driving current;
The light compensation layer is a method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that formed in different thickness in the light emitting area and the non-light emitting area. 제 8 항에 있어서,
상기 보호층과 상기 광 보상층 사이에 추가로 오버코트층을 형성하는 단계;
상기 유기 발광층에서 발산된 광의 색을 변환하는 색 변환층을 형성하는 단계를 더 포함하고,
상기 색 변환층은 상기 보호층과 동일층 또는 상기 오버코트층과 동일층에 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치의 제조방법.The method of claim 8,
Further forming an overcoat layer between the protective layer and the light compensation layer;
Forming a color conversion layer for converting the color of the light emitted from the organic light emitting layer,
And the color conversion layer is formed on the same layer as the protective layer or on the same layer as the overcoat layer. 제 9 항에 있어서,
상기 광 보상층을 형성하는 단계에 있어서,
상기 오버코트층을 덮도록 질화물 실리콘 또는 산화물 실리콘을 증착하여 상기 광 보상층을 형성하고,
상기 비 발광 영역에 형성된 광 보상층에만 선택적으로 식각 공정을 수행하여 상기 표시 영역 대비 상기 비 표시 영역에서 광 보상층의 두께를 얇게 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치의 제조 방법.The method of claim 9,
In the forming of the optical compensation layer,
Depositing nitride silicon or oxide silicon to cover the overcoat layer to form the light compensation layer,
And selectively performing an etching process only on the light compensation layer formed in the non-emission area to form a thinner thickness of the light compensation layer in the non-display area than the display area. 제 8 항에 있어서,
상기 발광 영역의 광 보상층을 1,000Å~3,000Å의 두께로 형성하고,
상기 비 발광 영역의 광 보상층을 500Å~2,000Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치의 제조방법.The method of claim 8,
The light compensation layer of the light emitting region is formed to a thickness of 1,000 ~ 3,000Å,
The method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that to form a light compensation layer of the non-emission area to a thickness of 500 ~ 2,000Å. 제 8 항에 있어서,
상기 비 발광 영역과 상기 발광 영역에서 상이한 거칠기를 가지도록 상기 광 보상층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치의 제조방법.The method of claim 8,
And forming the light compensation layer to have different roughnesses in the non-light emitting region and the light emitting region. 제 8 항에 있어서,
질화물 실리콘 또는 산화물 실리콘으로 상기 광 보상층을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기발광 장치의 제조방법.The method of claim 8,
A method of manufacturing an organic light emitting device, characterized in that the light compensation layer is formed of silicon nitride or oxide silicon.
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