KR101958411B1 - Film Deposition Apparatus and Method - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 서로 접속된 복수개의 챔버, 상기 복수개의 챔버의 내부에 각각 설치되는 반송레인, 상기 복수개의 챔버 중 일 챔버의 내부에 설치되는 보관레인, 상기 일 챔버의 옆 챔버에 설치되어 반송레인을 슬라이드 가능하게 지지하는 작동부,를 포함하고, 더미를 이용한 예비처리 후 아웃가싱 없이 기판에 대한 처리를 수행할 수 있는 막 증착 장치 및 방법이 제시된다.The present invention relates to an image forming apparatus comprising a plurality of chambers connected to each other, a conveyance lane provided inside each of the plurality of chambers, a storage lane provided inside a chamber of the plurality of chambers, A film deposition apparatus and method capable of performing a process on a substrate without pretaching after preliminary processing using a dummy is disclosed.
Description
본 발명은 막 증착 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 더미를 이용한 예비처리 후 아웃가싱 없이 기판에 대한 처리를 수행할 수 있는 막 증착 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a film deposition apparatus and method, and more particularly, to a film deposition apparatus and method capable of performing a process on a substrate without performing outgassing after pretreatment using a dummy.
액정 디스플레이와 같은 평판 디스플레이는 제조 중 기판에 배선용 금속막을 성막 처리하는 공정을 수행하는데, 이는 인라인 타입의 종형 스퍼터 장치에서 수행된다. 이 종형 스퍼터 장치는, 성막 처리를 수행하는 진공 챔버, 진공 챔버에 직렬로 접속되어 로트 단위로 준비된 기판을 진공 챔버에 순차 반입하는 로드락 챔버, 진공 챔버에 장착되는 타겟, 진공 챔버의 내부에 직렬로 설치되어 기판을 수직으로 지지하면서 공정진행 방향으로 반송하는 반송레인 등으로 구성된다.A flat panel display, such as a liquid crystal display, performs a process of depositing a metal film for wiring on a substrate during fabrication, which is performed in an inline type vertical sputter device. This type of sputtering apparatus includes a vacuum chamber for performing a film forming process, a load lock chamber connected in series to the vacuum chamber for sequentially bringing the substrate prepared in lot units into the vacuum chamber, a target mounted in the vacuum chamber, And a conveyance lane for supporting the substrate vertically while conveying the substrate in the process advancing direction.
한편, 일정기간 사용하지 않은 타겟을 이용하여 기판에 대한 성막 처리를 하기 전, 타겟을 교환한 후, 규정된 처리 매수의 기판에 대한 성막 처리를 수행한 후 등의 다양한 시점에서, 타겟의 청정성을 확보하기 위하여 예비처리 예컨대 프리스퍼터 처리를 수행한다. 이전에는 기판을 여러 장 준비한 후 순서대로 진공 챔버에 반입하면서 기판을 이용하여 예비처리를 수행하였으나, 현재는 더미를 진공 챔버에 반입한 후 더미를 이용하여 예비처리를 수행한다.On the other hand, at various time points, such as after a film formation process is performed on a substrate using a target that has not been used for a certain period of time, after a target has been replaced, and after a film formation process has been performed on a substrate with a specified number of processes, A pre-sputtering process is performed. Previously, a plurality of substrates were prepared, and then the substrate was transferred to the vacuum chamber in order, and the substrate was preliminarily processed. However, at present, the dummy is carried into the vacuum chamber and then preliminarily processed using the dummy.
통상적으로 더미를 이용한 예비처리 시, 더미는 트레이에 장착된 후 대기 중에 준비되고, 예비처리를 위해 진공 챔버의 내부로 반입되었다가, 예비처리가 종료되면 진공 챔버의 외부로 반출되어 대기 중에 보관된다.Typically, during the preliminary treatment using the dummy, the dummy is mounted on the tray and then prepared in the atmosphere, transferred to the inside of the vacuum chamber for the preliminary treatment, and then transferred to the outside of the vacuum chamber after the preliminary treatment is finished .
즉, 한 번의 예비처리가 종료되면 더미는 진공 챔버의 외부로 반출되어 처리대상 기판이 반송되어야 하는 경로로부터 제거되었다가, 다음 번 예비처리 시 진공 챔버의 내부로 반입된다. 이런 방식에서는 더미가 진공 챔버로 반입되기 전이나 더미를 이용한 예비처리 전후에 더미가 항상 대기에 노출되기 때문에 대기 중의 수분이나 이물이 더미에 부착되어 진공 챔버로 유입되는 문제가 있다.That is, once the preliminary process is completed, the dummy is taken out of the vacuum chamber, removed from the path through which the substrate to be processed is to be transported, and then carried into the vacuum chamber in the next preliminary process. In this method, since the dummy is always exposed to the atmosphere before the dummy is brought into the vacuum chamber or before and after the preliminary treatment using the dummy, moisture or foreign matter in the air adheres to the dummy and flows into the vacuum chamber.
따라서, 더미를 이용한 예비처리 후 바로 기판에 대한 성막 처리를 수행하지 못하고, 더미를 이용한 예비처리 후 기판에 대한 성막 처리를 하기 전 진공 챔버를 고온 및 고진공 상태로 제어하면서 불순 가스를 제거하는 아웃가싱(outgassing) 처리를 수행하는데, 진공 챔버가 아웃가싱되는 동안 기판의 생산이 중단된다. 즉, 이런 종래의 방식의 경우 장치의 가동율을 저하시키는 문제점이 있다.Therefore, it is difficult to perform the film forming process on the substrate immediately after the preliminary process using the dummy, and the outgassing process for removing the impurity gas while controlling the vacuum chamber in the high temperature and high vacuum state before the film formation process for the substrate after the preliminary process using the dummy (outgassing) process, in which production of the substrate is interrupted while the vacuum chamber is outgassing. In other words, this conventional method has a problem of lowering the operating rate of the apparatus.
한편, 본 발명의 배경이 되는 기술은 하기의 특허문헌들에 개시되어 있다.On the other hand, the technology as the background of the present invention is disclosed in the following patent documents.
본 발명은 더미를 이용한 예비처리 후 아웃가싱 없이 기판에 대한 처리를 수행할 수 있는 막 증착 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides a film deposition apparatus and method capable of performing a process on a substrate without pretreatment after preliminary treatment using a dummy.
본 발명은 더미를 이용한 예비처리 전후에 챔버 내부의 진공 및 청정 상태를 유지할 수 있는 막 증착 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides a film deposition apparatus and method capable of maintaining a vacuum and a clean state inside a chamber before and after pretreatment using a dummy.
본 발명은 더미를 이용한 예비처리 전후에 더미가 대기에 접촉하여 오염되는 것을 방지할 수 있는 막 증착 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides a film deposition apparatus and method capable of preventing the dummy from being contaminated by contact with the atmosphere before and after the pretreatment using the dummy.
본 발명은 기판에 대한 처리가 수행되는 위치에서 더미를 이용한 예비처리를 수행하면서도 장치의 가동율을 높일 수 있는 막 증착 장치 및 방법을 제공한다.The present invention provides a film deposition apparatus and method capable of increasing the operating rate of the apparatus while performing preliminary processing using a dummy at a position where processing on the substrate is performed.
본 발명의 실시 형태에 따른 막 증착 장치는, 서로 접속된 복수개의 챔버; 상기 복수개의 챔버의 내부에 각각 설치되는 반송레인; 상기 복수개의 챔버 중 일 챔버의 내부에 설치되고, 더미 트레이를 수납 및 반송하는 보관레인; 적어도 상기 일 챔버의 옆 챔버에 설치되며 상기 일 챔버에 선택적으로 설치되어 반송레인을 슬라이드 가능하게 지지하는 작동부; 및 더미를 이용한 프리스퍼터 시 상기 보관레인에서 상기 반송레인으로의 상기 더미 트레이의 반송과, 기판에 대한 스퍼터 시 상기 반송레인에서 상기 보관레인으로의 상기 더미 트레이의 수납 및 상기 반송레인에서의 기판 트레이의 반송을 제어하는 제어부;를 포함하고, 상기 복수개의 챔버는 상기 복수개의 챔버가 접속한 방향으로 연장된 복수의 열을 제공하고, 상기 복수의 열은 상기 복수개의 챔버가 접속한 방향에 교차하는 방향으로 이격되는 제1열, 제2열 및 제3열을 포함하고, 상기 복수의 열 중 하나의 열에서 상기 더미 트레이의 수납, 반송 및 보관이 가능하고, 나머지 열에서 처리대상 기판과 상기 더미 트레이의 반송, 상기 더미 트레이를 이용한 예비처리 및 상기 처리대상 기판에 대한 처리가 가능하고, 상기 일 챔버의 제1열 및 제2열에 각각 반송레인이 설치되고, 제3열에 상기 더미 트레이가 수납된 보관레인이 설치되면, 상기 옆 챔버는 하나의 반송 레인이 제1열에서 제3열까지 슬라이드 가능하게 설치되고, 상기 일 챔버의 제1열 또는 제2열에 하나의 반송레인이 설치되어 제2열 또는 제1열로 슬라이드 가능하고, 제3열에 상기 더미 트레이가 수납된 보관레인이 설치되면, 상기 옆 챔버는 제1열 및 제2열에 각각 반송레인이 설치되어 제2열 및 제3열로 각각 슬라이드 가능하다.A film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a plurality of chambers connected to each other; A plurality of chambers; a plurality of chambers; A storage lane installed in a chamber of the plurality of chambers and storing and transporting the dummy tray; An operating part installed at least in a side chamber of the one chamber and selectively installed in the one chamber to slidably support the conveyance lane; And transferring the dummy tray from the storage lane to the conveyance lane during sputtering using the dummy and storing the dummy tray from the conveyance lane to the storage lane at the time of sputtering with respect to the substrate, Wherein the plurality of chambers provide a plurality of rows extending in a direction in which the plurality of chambers are connected, and the plurality of columns intersect the direction in which the plurality of chambers are connected And a second row and a third row which are spaced apart from each other in the direction of the first row and the second row and are capable of storing, transporting and storing the dummy tray in one of the plurality of rows, A preliminary process using the dummy tray, and a process on the substrate to be processed are possible, and the first and second rows of the one chamber Wherein when the conveyance lane is installed and the storage lane accommodating the dummy tray is installed in the third row, the side chamber is slidably installed from one row to the third row in the one conveyance lane, When one of the conveyance lanes is provided in the column or the second column and is slidable in the second column or the first column and the storage lane in which the dummy tray is accommodated is provided in the third column, And a conveyance lane is provided so as to be slidable in the second row and the third row, respectively.
상기 복수개의 챔버는 직렬로 배치되고, 공정 시 내부가 진공으로 유지되며, 상기 반송레인들 및 보관레인은 각각 상기 복수개의 챔버가 접속된 방향으로 연장 형성될 수 있다.The plurality of chambers are arranged in series, and the interior of the chambers is maintained in vacuum during the process, and the conveyance lanes and the storage lanes may be extended in the direction in which the plurality of chambers are connected.
상기 반송레인은 상기 일 챔버에 복수개 설치되고, 처리대상 기판의 반입 방향을 기준으로, 상기 일 챔버는 상기 처리대상 기판이 가장 먼저 반입되는 챔버일 수 있다.The plurality of transfer lanes may be provided in the one chamber, and the one chamber may be the chamber in which the substrate to be processed is first transferred, based on the loading direction of the substrate to be processed.
상기 반송레인은 상기 일 챔버에 복수개 설치되고, 처리대상 기판의 반입 방향을 기준으로, 상기 일 챔버는 상기 처리대상 기판이 가장 나중에 반입되는 챔버를 제외한 챔버일 수 있다.The plurality of transfer lanes may be provided in the one chamber, and the one chamber may be a chamber excluding a chamber in which the substrate to be processed is most recently introduced, with reference to a carrying-in direction of the substrate to be processed.
상기 반송레인은 상기 옆 챔버에 복수개 설치되고, 처리대상 기판의 반입 방향을 기준으로, 상기 일 챔버는 상기 처리대상 기판이 가장 나중에 반입되는 챔버일 수 있다.The plurality of conveyance lanes may be provided in the side chambers, and the one chamber may be the chamber in which the substrate to be processed is most recently introduced, with reference to the carrying-in direction of the substrate to be processed.
본 발명의 실시 형태에 따른 막 증착 방법은, 상기 증착 장치를 이용한 막 증착 방법으로서, 서로 접속된 복수개의 챔버 중 일 챔버에 수납되는 더미 트레이를 예비처리를 수행할 챔버로 반송하는 과정; 상기 더미 트레이를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정; 상기 더미 트레이를 상기 일 챔버로 반송하여 보관하는 과정; 및 적어도 하나의 챔버에서 기판에 대한 처리를 수행하는 과정;을 포함하고, 공정진행 방향으로 연장되고 공정진행 방향에 교차하는 방향으로 이격된 복수의 열 중, 기판의 반송 경로를 형성하는 제1열 및 제2열에서 처리대상 기판을 반송 및 처리할 때, 상기 제1열 및 제2열에서 이격된 제3열에 상기 더미 트레이를 수납 및 보관한다.The method for depositing a film according to an embodiment of the present invention is a method for depositing a film using the deposition apparatus, the method comprising: transferring a dummy tray stored in a chamber among a plurality of chambers connected to each other to a chamber to be pretreated; Performing a preliminary process using the dummy tray; Transporting the dummy tray to the one chamber and storing the dummy tray; And performing a process on the substrate in at least one of the plurality of chambers, the process comprising: a first step of forming a transfer path of the substrate among a plurality of rows extending in a process advancing direction and spaced apart from each other in a direction crossing the process advancing direction; And the dummy tray is housed and stored in a third row spaced apart from the first row and the second row when the substrate to be processed is transported and processed in the second row.
상기 제3열에서 상기 더미 트레이의 반송이 가능하고, 상기 제1열 및 제2열에서 상기 처리대상 기판 및 상기 더미 트레이의 반송이 가능하고, 상기 더미 트레이를 이용한 예비처리 및 상기 기판에 대한 처리가 가능할 수 있다.Wherein the dummy tray is capable of transporting the dummy tray in the third row and capable of transporting the substrate to be processed and the dummy tray in the first row and the second row and performing preliminary processing using the dummy tray and processing .
상기 일 챔버의 제1열 및 제2열에 각각 반송레인이 설치되고, 제3열에 상기 더미 트레이가 수납된 보관레인이 설치되며, 상기 일 챔버의 옆 챔버에 반송레인이 제1열에서 제3열까지 슬라이드 가능하게 설치될 때, 상기 더미 트레이를 예비처리를 수행할 챔버로 반송하는 과정은, 상기 옆 챔버의 반송레인을 제3열까지 슬라이드하는 과정; 상기 일 챔버의 보관레인에 수납된 더미 트레이를 상기 옆 챔버의 반송레인에 반송하는 과정; 및 상기 옆 챔버의 반송레인을 제1열까지 슬라이드하는 과정;을 포함할 수 있다.Wherein the first lane and the second lane of the one chamber are respectively provided with a conveyance lane and a third column is provided with a storage lane accommodating the dummy tray, The process of transporting the dummy tray to the chamber to be preliminarily processed includes the steps of sliding the conveyance lane of the side chamber to the third row; Returning a dummy tray accommodated in a storage lane of the one chamber to a conveyance lane of the side chamber; And sliding the conveyance lane of the side chamber up to the first row.
상기 더미 트레이를 예비처리를 수행할 챔버로 반송하는 과정은, 상기 옆 챔버의 반송레인에서 상기 일 챔버의 제1열에 설치된 반송레인으로 상기 더미 트레이를 반송하는 과정;을 더 포함할 수 있다.The step of transporting the dummy tray to the chamber to be preliminarily processed may further include the step of transporting the dummy tray from the transfer lane of the side chamber to the transfer lane provided in the first row of the one chamber.
상기 일 챔버의 제3열에 상기 더미 트레이가 수납된 보관레인이 설치되고, 제1열 또는 제2열에 반송레일이 설치되어 제2열 또는 제1열에 슬라이드 가능하며, 상기 일 챔버의 옆 챔버에 두 개의 반송레인이 제1열 및 제2열에 각각 설치되어 각각 제2열 및 제3열에 슬라이드 가능할 때, 상기 더미 트레이를 예비처리를 수행할 챔버로 반송하는 과정은, 상기 옆 챔버의 제2열의 반송레인을 제3열까지 슬라이드하는 과정; 상기 일 챔버의 보관레인에 수납된 더미 트레이를 상기 옆 챔버의 제3열의 반송레인에 반송하는 과정; 상기 옆 챔버의 제3열의 반송레인을 제2열까지 슬라이드하는 과정; 더미 트레이를 상기 옆 챔버의 제2열의 반송레인에서 상기 일 챔버의 제2열의 반송레인으로 반송하는 과정; 및 상기 일 챔버의 제2열의 반송레인을 제1열까지 슬라이드하는 과정;을 포함할 수 있다.Wherein a storage lane in which the dummy tray is accommodated is provided in a third row of the one chamber and a transport rail is provided in the first row or the second row so as to be slidable in the second row or the first row, The process of transferring the dummy tray to the chamber to be preliminarily processed when the transfer lanes are installed in the first column and the second column respectively and slidable in the second column and the third column, respectively, Sliding the lane to the third row; Transporting a dummy tray accommodated in a storage lane of the one chamber to a transport lane of a third row of the side chamber; Sliding the third row of the conveyance lanes of the side chamber to the second row; Conveying a dummy tray from a conveyance lane of a second row of the side chambers to a conveyance lane of a second row of the one chamber; And sliding the conveyance lane of the second row of the one chamber to the first row.
상기 더미 트레이를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정은, 상기 더미 트레이를 이용하여 상기 예비처리를 수행할 챔버에서 프리스퍼터 처리를 수행하는 과정;을 포함할 수 있다.The process of performing the preliminary process using the dummy tray may include performing a pre-sputter process in the chamber to perform the preliminary process using the dummy tray.
상기 더미 트레이를 상기 일 챔버로 반송하여 보관하는 과정은, 상기 더미 트레이를 상기 일 챔버의 제3열의 보관레인에 반송하여 보관하는 과정;을 포함할 수 있다.The step of transporting and storing the dummy tray to the one chamber may include the step of transporting the dummy tray to the storage lane of the third row of the one chamber and storing the dummy tray.
본 발명의 실시 형태들에 따르면, 더미가 장착된 트레이를 챔버의 내부에 반입해둔 상태로 기판에 대한 처리를 원활하게 수행할 수 있다. 따라서, 더미가 장착된 트레이를 챔버의 내부에 최초 한번 반입한 후, 기판에 대한 처리를 반복하여 연속 수행하는 동안 더미가 장착된 트레이를 챔버의 내부에 보관할 수 있고, 더미를 이용한 예비처리를 수행하고자 하는 시점마다 트레이에 장착된 채로 챔버의 내부에 보관 중인 더미를 이용하여 예비처리를 신속히 준비할 수 있다. 이때, 기판에 대한 처리가 수행되는 위치에 더미를 준비할 수 있다. 예를 들어, 기판을 스퍼터 처리할 때의 기판과 타겟 간의 거리만큼 더미를 타겟에서 이격시켜 준비할 수 있고, 이에, 기판에 대한 처리와 더미를 이용한 예비 처리를 동일 조건으로 수행할 수 있다. 또한, 더미를 이용한 예비처리 이후에 더미가 트레이에 장착된 채로 챔버의 내부에 보관되기 때문에, 챔버의 내부 분위기를 유지한 채로 기판에 대한 처리를 바로 수행할 수 있다.According to the embodiments of the present invention, it is possible to smoothly perform the processing on the substrate in a state in which the tray with the dummy is brought into the chamber. Therefore, after the trays having the dummy are brought into the chamber for the first time, the tray on which the dummy is mounted can be stored in the chamber while the process for the substrate is repeatedly performed, and preliminary processing using the dummy is performed It is possible to quickly prepare the preliminary processing by using the dummy stored in the chamber while being mounted on the tray at each desired point. At this time, a dummy can be prepared at a position where processing on the substrate is performed. For example, a dummy can be prepared at a distance from the target by a distance between the substrate and the target when the substrate is sputtered. Thus, the processing on the substrate and the preliminary processing using the dummy can be performed under the same conditions. In addition, since the dummy is stored in the chamber while being mounted on the tray after the preliminary processing using the dummy, the processing on the substrate can be performed immediately while maintaining the inner atmosphere of the chamber.
따라서, 더미를 사용한 예비처리 후 아웃가싱 없이 기판에 대한 처리를 즉시 수행할 수 있고, 더미를 이용한 예비처리를 기판에 대한 처리 시 조건에 맞춰 수행할 수 있다. 또한, 더미를 이용한 예비처리 전후에 챔버 내부의 진공 및 청정 상태를 유지할 수 있다. 특히, 더미를 사용한 예비처리 직후 기판에 대한 처리를 수행할 수 있으므로, 아웃가싱에 의해 기판에 대한 처리가 일시 중단되지 않을 수 있고, 더미를 사용한 예비처리 전후에 대기시간이 발생하지 않는다. 이는 더미를 이용한 예비처리를 수행하면서도 장치 가동율을 높일 수 있음을 의미한다.Therefore, after the preliminary process using the dummy, the process on the substrate can be performed immediately without the outgassing, and the preliminary process using the dummy can be performed in accordance with the conditions of the process for the substrate. In addition, the vacuum and clean state inside the chamber can be maintained before and after the pretreatment using the dummy. Particularly, since the processing on the substrate can be performed immediately after the preliminary processing using the dummy, the processing on the substrate by the outgassing may not be temporarily stopped, and the waiting time does not occur before and after the preliminary processing using the dummy. This means that it is possible to increase the utilization rate of the apparatus while performing the preliminary processing using the dummy.
예컨대 대면적의 평판 디스플레이용 기판을 제조하는 공정이나 산화물 반도체를 제작하는 공정 중 인라인 타입의 종형 스퍼터링 장치를 이용하여 기판에 배선용 금속막을 성막 처리하는 공정에 적용될 수 있다.For example, the present invention can be applied to a process of manufacturing a large-area substrate for a flat panel display or a process of forming a metal film for wiring on a substrate by using an inline type vertical sputtering apparatus in the process of manufacturing an oxide semiconductor.
이 경우, 챔버들 중 하나는 내부에 보관레인이 더미가 장착된 트레이를 수납 가능하게 마련되고, 이 보관레인이 설치된 챔버의 옆 챔버는 내부의 반송레인이 슬라이드 가능하게 마련된다. 이들 구조를 이용하여, 더미를 이용한 예비처리 예컨대 프리스퍼터 시 챔버의 내부에 상시 보관되는 더미를 이용할 수 있고, 예비처리가 완료되면 더미를 챔버의 내부에 반입해둔 상태에서 기판에 대한 처리 예컨대 기판에 막을 증착을 위한 스퍼터를 수행할 수 있다.In this case, one of the chambers is provided so as to accommodate a tray in which a storage lane is loaded with a dummy, and the side chamber of the chamber in which the storage lane is provided is slidably provided inside the transfer lane. By using these structures, it is possible to use a preliminary process using a dummy, for example, a dummy that is always stored inside the chamber at the time of pre-sputtering. When the preliminary process is completed, A sputter for depositing a film can be performed.
이처럼 더미를 챔버의 내부에 반입해 둔 상태로 모든 공정을 실시할 수 있으므로, 예비처리 전후에 더미 트레이가 대기 중에 노출되어 오염되는 것을 방지함과 함께 챔버의 내부 진공 및 청정 상태를 유지할 수 있다. 이에, 예비처리 전후 챔버의 아웃가싱을 생략할 수 있고, 이로부터 장치의 가동율을 높일 수 있다. 특히, 이 경우, 장치에 안정된 플라즈마 시스템을 구축할 수 있는 이점도 있다.Thus, the dummy tray can be exposed to the atmosphere before and after the pretreatment to prevent the dirty tray from being contaminated, and the chamber can be maintained in an internal vacuum and clean state. Therefore, outgassing of the chamber before and after the pretreatment can be omitted, and the operating rate of the apparatus can be increased. Particularly, in this case, there is an advantage that a stable plasma system can be constructed in the apparatus.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 장치의 개략도 이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 장치의 작동도 이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 막 증착 장치의 개략도 이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 막 증착 장치의 작동도 이다.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 막 증착 방법의 순서도 이다.
도 6는 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 방법의 공정도 이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 막 증착 방법의 공정도 이다.1 is a schematic view of a film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an operational view of a film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic view of a film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
4 is an operational view of a film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a flowchart of a film deposition method according to embodiments of the present invention.
6 is a process diagram of a film deposition method according to an embodiment of the present invention.
7 is a process diagram of a film deposition method according to another embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여, 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니고, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이다. 단지 본 발명의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 해당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 본 발명의 실시 예를 설명하기 위하여 도면은 과장될 수 있고, 도면상의 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in various forms. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description of the present invention are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS The drawings may be exaggerated for purposes of describing embodiments of the present invention, wherein like reference numerals refer to like elements throughout.
본 발명은 더미를 이용한 예비처리 후 아웃가싱 없이 기판에 대한 처리를 수행할 수 있는 막 증착 장치 및 방법에 관한 것이다. 산화물 반도체의 제작 공정 중 인라인 타입의 종형 스퍼터 장치를 이용하여 기판의 배선용 금속막을 성막 처리하는 공정을 기준으로 실시 예를 상세하게 설명한다. 물론, 본 발명은 대면적의 평판 디스플레이를 제조 중인 기판이나 반도체 소자를 제조 중인 기판에 각종 막을 증착 처리하는 공정 등에 다양하게 활용될 수 있다.The present invention relates to a film deposition apparatus and method capable of performing a process on a substrate without pretreatment after preliminary treatment using a dummy. An embodiment will be described in detail on the basis of a process of forming a metal film for wiring on a substrate using an inline type vertical sputtering apparatus in the process of manufacturing an oxide semiconductor. Of course, the present invention can be variously applied to a substrate during manufacture of a flat panel display having a large area or a process for depositing various films on a substrate in which semiconductor devices are being manufactured.
한편, 본 발명의 실시 예들 중, 후술하는 보관레인(50)이 최외각 챔버를 제외한 복수개의 챔버나 히터 챔버에 위치하는 경우의 실시 예를 도 1 및 도 2에 도시하였고, 보관레인(50)이 최외각 챔버에 위치하는 경우의 실시 예를 도 3 및 도 4에 도시하였다.1 and 2 illustrate embodiments of the present invention in which a
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 장치의 개략도이고, 도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 장치의 작동도이다.FIG. 1 is a schematic view of a film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is an operational view of a film deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시 예(제1실시 예)에 따른 막 증착 장치는 챔버(30), 반송레인(40), 보관레인(50) 및 작동부(60)를 포함하고, 로드락 챔버(10), 히터 챔버(20), 더미 트레이(70), 타겟(80), 히터(90) 및 플라즈마 생성기(미도시)를 더 포함할 수 있고, 또한, 제어부(미도시)를 더 포함할 수 있다.1, a film deposition apparatus according to an embodiment (first embodiment) of the present invention includes a
로드락 챔버(10)는 진공 및 대기압 분위기로 전환 가능한 소정의 챔버이고, 챔버(30)에 직렬로 접속된다. 로드락 챔버(10)는 복수의 매수로 준비되는 기판 트레이를 게이트 밸브(미도시)를 통하여 내부의 감압실에 반입받아 챔버(30)에 순서대로 반송할 수 있다. 챔버(30)에서 처리가 완료된 기판 트레이는 로드락 챔버(10)로 반송된 후 대기 중에 반출될 수 있다.The
기판 트레이(미도시)는 처리대상 기판 및 처리대상 기판이 장착된 트레이를 포함한다. 처리대상 기판은 전자 소자가 제조되는 공정이 진행 중이거나 종료된 각종 판일 수 있는데, 예컨대 산화물 반도체가 제조되는 공정이 진행 중인 기판일 수 있다. 물론, 처리대상 기판은 디스플레이 장치가 제조되는 공정이 진행 중인 기판, 반도체 소자가 제조되는 공정이 진행 중인 기판 등 다양할 수 있다.A substrate tray (not shown) includes a substrate to be processed and a tray to which a substrate to be processed is mounted. The substrate to be processed may be various plates in which processes for manufacturing electronic devices are in progress or completed, for example, a process in which an oxide semiconductor is manufactured may be an ongoing substrate. Of course, the substrate to be processed may be a substrate in which a process of manufacturing a display device is in progress, a substrate in which a process of manufacturing a semiconductor device is in progress, and the like.
트레이(또는, '캐리어'라고 함)는 처리대상 기판이 장착 가능한 형태의 트레이 프레임 및 트레이 프레임의 하부를 지지 가능한 형태의 트레이 베이스를 포함할 수 있다. 처리대상 기판은 트레이 프레임에 수직하게 장착 고정되고, 트레이 베이스에 의해 반송레인(40) 상에 지지되면서 로드락 챔버(10)의 내부 감압실에 반입되어 챔버(30)의 내부에 공정진행 방향으로 반송될 수 있다. 처리가 완료된 기판은 공정진행 방향을 따라 챔버(30)의 내부에서 로드락 챔버(10)로 반송된 후 대기 중으로 반출될 수 있다.The tray (or referred to as a "carrier") may include a tray frame in a form in which a substrate to be processed is mountable, and a tray base in a form capable of supporting a lower portion of the tray frame. The substrate to be processed is vertically mounted on the tray frame and is supported on the
히터 챔버(20)는 내부에 가열실이 구비되는 챔버로서, 로드락 챔버(10)와 챔버(30) 사이를 공정진행 방향으로 직렬 연결하도록 접속될 수 있다. 가열실은 진공 펌프(미도시)에 의해 진공으로 제어되면서, 가열수단(미도시)에 의해 온도가 제어될 수 있다. 이때, 가열실은 장치의 정비 시를 제외하고, 내부가 항상 진공 상태로 제어될 수 있다. 한편, 히터 챔버(20)는 기판 트레이가 통과 가능한 게이트 밸브를 사이에 두고 로드락 챔버(10)에 접속될 수 있다.The
챔버(30)는 진공 및 대기압 분위기로 전환 가능한 챔버로서, 예컨대 프로세스 챔버일 수 있다. 챔버(30)는 복수개 구비될 수 있고, 공정진행 방향을 따라서 직렬로 배치되어 서로 직렬 접속될 수 있다. 챔버(30)에는 진공 펌프(미도시)가 제공되고, 이를 이용하여 기판에 대한 처리가 수행되는 동안 내부 처리실을 진공 분위기로 제어할 수 있다. 여기서, 기판에 대한 처리는 성막 처리일 수 있고, 예컨대 성막 처리는 기판에 산화물 박막 등 각종 박막을 증착하는 스퍼터 공정을 포함할 수 있다. 챔버(30)는 장치의 정비 시점을 제외하고 내부가 항상 진공으로 제어될 수 있으며, 기판 트레이가 통과 가능한 게이트 밸브를 사이에 두고 히터 챔버(20)에 접속될 수 있다.The
반송레인(40)은 로드락 챔버(10), 히터 챔버(20) 및 복수개의 챔버(30)의 내부에 각각 설치될 수 있고, 기판 트레이 및 더미 트레이(70)를 반송 가능하게 지지할 수 있다. 반송레인(40)은 복수개의 챔버(30)가 접속된 방향 예컨대 공정진행 방향으로 각각 연장되어 형성될 수 있고, 자기 부상 방식 및 롤러 지지 방식 등의 다양한 방식으로 기판 트레이 및 더미 트레이(70)를 수직 지지하면서 반송할 수 있도록 다양한 방식으로 구성될 수 있다. 반송레인(40)에 의하여 후술하는 경로 상에서 기판 트레이의 반입, 반송 및 반출이 가능하면서, 또한, 더미 트레이(70)의 반송이 가능하다. 반송레인(40)은 각각의 챔버(로드락 챔버(10), 히터 챔버(20) 및 복수개의 챔버(30)를 지칭함)의 내부에 적어도 하나 이상 설치될 수 있으며, 각각의 챔버에 설치된 반송레인(40)은 공정진행 방향을 따라 직렬 배치되어 정렬될 수 있다.The
한편, 반송레인(40)이 복수개 예컨대 두 개 이상 설치될 경우, 반송레인(40)은 공정진행 방향(또는, 복수개의 챔버(30)가 접속된 방향 이라고도 함)에 교차하는 방향으로 서로 이격되어 배치될 수 있다.On the other hand, when a plurality of
예컨대 로드락 챔버(10)와 히터 챔버(20)의 내부에는 각각 복수개 예컨대 두 개의 반송레인(40)이 설치될 수 있고, 이 반송레인(40)들은 로드락 챔버(10)와 히터 챔버(20)의 내부에 공정진행 방향으로 연장되고 공정진행 방향에 교차하는 방향으로 이격된 복수의 열 예컨대 두 개의 열 상에 배치될 수 있다. 이때, 두 개의 열은 후술하는 제1열(A) 및 제2열(B)일 수 있다(도 1 및 도 6 참조).A plurality of
즉, 반송레인(40)은 로드락 챔버(10)와 히터 챔버(20)의 내부에서 두 개의 열을 이루며 직렬 및 병렬 배치될 수 있다. 이에, 기판 트레이의 반송과 반입 및 반출이 원활할 수 있다. 이때, 직렬 배치는 공정진행 방향으로 나란하게 배치되는 것을 의미하고, 병렬 배치는 직렬로 배치된 복수의 열이 각각 공정진행 방향에 교차하는 방향으로 이격되어 배치되는 것을 의미한다.That is, the
반송레인(40)은 복수개의 챔버(30) 내부에 각각 설치되는데, 이때, 챔버(30)의 위치에 따라 챔버의 내부에 복수개로 설치될 수 있다. 즉, 반송레인(40)은 복수개의 챔버(30)의 내부에 각각 적어도 하나 이상의 개수로 설치될 수 있다. 예를 들면, 반송레인(40)은 처리대상 기판이 장치에 반입되는 방향을 기준으로 할 때 처리대상 기판이 가장 나중에 반입될 수 있는 최외각의 챔버에 하나 설치될 수 있으며, 이 최외각의 챔버를 제외한 나머지 챔버에 각각 복수개 예컨대 두 개씩 설치될 수 있다.The
각각의 챔버(30)에 설치된 반송레인(40)은 공정진행 방향으로 직렬 정렬되어 복수의 열을 형성하며, 복수의 열은 공정진행 방향에 교차하는 방향으로 서로 이격되어 병렬 배치될 수 있다. 물론, 반송레인(40)의 설치 방식은 다양할 수 있고, 복수개의 챔버(30) 중 적어도 하나의 챔버에 하나 설치되고, 나머지 챔버에 각각 복수개 설치될 수 있다. 복수개의 챔버(30) 내부에 설치된 반송레인(40)에 의하여 기판 트레이 및 더미 트레이(70)가 공정진행 방향으로 반송되면서 복수개의 챔버(30) 중 원하는 챔버에 기판 트레이 및 더미 트레이(70)가 각각 위치될 수 있다.The
보관레인(50)은 복수개의 챔버(30) 중 일 챔버(30a)의 내부에 설치될 수 있다. 보관레인(50)은 복수개의 챔버(30)가 접속된 방향으로 연장 형성되며, 자기 부상 방식 및 롤러 지지 방식 등의 다양한 방식으로 더미 트레이(70)를 수직 지지하면서 반송할 수 있다. 반송레인(40)에 의해 복수개의 챔버(30) 내부의 경로 상에서 더미 트레이(70)의 반송이 가능하고, 일 챔버(30a)의 내부로 더미 트레이(70)를 수납 및 보관 가능하다. 보관레인(50)은 챔버(30)의 내부에서 기판에 대한 처리가 수행되는 동안 더미 트레이(70)를 수납 및 보관하는 역할을 하면서, 챔버(30)의 내부에서 더미 트레이(70)를 이용한 예비처리가 수행 가능하도록 더미 트레이(70)를 반송레인(40)에 반송하고, 예비처리가 완료되면 더미 트레이(70)를 반송레인(40)으로부터 반송받는 역할을 한다. 이의 원활한 작동을 위하여, 보관레인(50) 및 반송레인(40)은 복수개의 챔버(30)의 내부에서 하기의 배치 형태를 갖는다.The storage lane (50) may be installed inside the one chamber (30a) of the plurality of chambers (30). The storage rails 50 are extended in the direction in which the plurality of
이하에서는, 복수개의 챔버(30)의 내부에 보관레인(50)이 배치되는 형태를 설명하는데, 이 배치 형태는 기판 트레이의 반송과 더미 트레이(70)의 수납, 반송 및 보관을 서로 충돌하는 것 없이 원활하게 하는 배치 형태이고, 또한, 더미를 이용한 예비처리를 기판에 대한 처리가 수행되는 조건(예를 들면, 스퍼터 처리 시 스퍼터 대상과 타겟의 간격 및 스퍼터 대상의 위치)과 동일하게 해줄 수 있는 배치 형태이다. 즉, 기판에 대한 처리와 더미를 이용한 예비처리를 모두 고려한 배치 형태로서, 이 배치 형태에 의해, 기판의 스퍼터가 원활할 수 있고, 더미를 이용한 프리스퍼터가 서로 간섭함 없이 원활할 수 있다.Hereinafter, a description will be given of a configuration in which the storage rails 50 are disposed in the plurality of
반송레인(40)은 일 챔버(30a)에 복수개 설치되어, 반송레인(40)의 연장 방향에 교차하는 방향으로 서로 이격되고, 보관레인(50)은 반송레인(40)의 연장 방향에 교차하는 방향으로 반송레인(40)에서 이격될 수 있다.A plurality of conveying
처리대상 기판의 반입 방향을 기준으로, 보관레인(50)은 처리대상 기판이 가장 나중에 반입되는 챔버인 최외각 챔버를 제외한 나머지 중 하나의 챔버에 설치될 수 있다. 여기서, 처리대상 기판이 반입되는 방향은, 로드락 챔버(10)에서 히터 챔버(20)를 향하는 방향을 의미한다. 반대로, 처리대상 기판이 반출되는 방향은 히터 챔버(20)에서 로드락 챔버(10)를 향하는 방향일 수 있다.On the basis of the carrying-in direction of the substrate to be processed, the
한편, 챔버(30)의 개수가 두 개일 때, 상기의 배치 형태를 아래와 같이 설명한다. 처리대상 기판의 반입 방향을 기준으로, 보관레인(50)은 처리대상 기판이 가장 먼저 반입되는 챔버에 설치될 수 있다. 즉, 일 챔버(30a)는 처리대상 기판이 가장 먼저 반입되는 챔버일 수 있다.On the other hand, when the number of the
이때, 보관레인(50)이 설치되는 챔버 즉, 일 챔버(30a)에는 반송 레인(40)이 두 개 설치될 수 있고, 일 챔버(30a)의 옆 챔버(30b)에는 반송 레인(40)이 하나 설치될 수 있으며, 이 경우 옆 챔버(30b)에 설치된 반송 레인(40)은 공정진행 방향에 교차하는 방향으로 슬라이드 가능하도록 후술하는 작동부(60)에 지지될 수 있다.At this time, two
한편, 챔버(30)의 개수가 세 개 이상일 때, 보관 레인(50)의 배치 형태는 아래와 같다. 처리대상 기판의 반입 방향을 기준으로, 보관레인(50)은 처리대상 기판이 가장 나중에 반입되는 챔버 예컨대 최외각 챔버를 제외한 나머지 챔버들 중 어느 하나의 챔버에 설치될 수 있다. 이때, 보관레인(50)이 설치되는 챔버는 처리대상 기판이 가장 먼저 반입되는 챔버일 수도 있고, 처리대상 기판이 두번째 순서로 반입되는 챔버일 수도 있고, 처리대상 기판이 가장 나중에 반입되는 챔버의 옆 챔버일 수도 있는 등 다양할 수 있다. 이때, 챔버(30)의 개수가 세 개 이상인 경우에서는 반송레인(40)의 배치 형태가 달라지고, 이의 변형 예를 아래에서 설명한다.On the other hand, when the number of the
보관레인(50)이 설치되는 챔버인 일 챔버(30a)에 반송 레인(40)이 두 개 설치될 수 있고, 일 챔버(30a)의 옆 챔버(30b)에는 반송 레인(40)이 하나 설치될 수 있으며, 이 경우 옆 챔버(30b)에 설치된 반송 레인(40)은 공정진행 방향에 교차하는 방향으로 슬라이드 가능하게 후술하는 작동부(60)에 지지될 수 있다. 이때, 최외각 챔버의 반송레인(40)은 하나 설치될 수 있고, 두 개 설치될 수도 있다.Two
즉, 챔버(30)의 개수가 세 개 이상이고, 보관레인(50)이 처리대상 기판이 가장 나중에 반입되는 챔버 및 이 최외각 챔버의 옆 챔버를 제외한 다른 챔버에 설치될 때, 반송레인(40)의 배치 형태를 보면, 복수개의 챔버(30)들 중 보관레인(50)이 설치된 챔버의 옆 챔버에 하나 설치되고, 최외각 챔버에 하나 또는 두개 설치되며, 그리고 나머지 챔버들에 두 개 설치될 수 있다. 그리고, 보관레인(50)이 설치된 챔버의 옆 챔버에 설치된 반송레인(40)이 작동부(60)에 슬라이드 가능하게 지지될 수 있고, 또한, 최외각 챔버에 설치된 반송레인(40)이 다른 작동부(60)에 슬라이드 가능하게 지지될 수도 있다.That is, when the number of the
상기한 바와 같이 보관레인(50)과 반송레인(40)이 배치되면, 옆 챔버(30b)에 위치하는 반송레인(40)이 공정진행 방향에 교차하는 방향으로 슬라이드되며 보관레인(50)에 직렬 정렬될 수 있고, 이후, 보관레인(50) 상에 수납된 더미 트레이(70)를 반송받을 수 있다. 즉, 상기 배치 형태에서, 반송레인(40)과 보관레인(50)간의 더미 트레이(70)의 반송이 가능하다. 또한, 기판이 스퍼터 처리되는 열의 뒤쪽 열에 더미 트레이(70)를 상시 보관하다가 필요할 때만 반송하여 사용할 수 있으므로, 더미(71)의 오염을 막을 수 있고, 전체 공정에서 시간적인 소요를 상당히 줄일 수 있고, 예비처리 전후 아웃가싱 처리를 생략할 수 있다.The
또한, 더미 트레이(70)를 반송받은 반송레인(40)은 옆 챔버(30b)의 내부에서 공정진행 방향에 교차하는 방향으로 슬라이드되어 일 챔버(30a) 및 다른 챔버들의 반송레인(40)에 공정진행 방향으로 직렬 정렬되고, 이후, 더미 트레이(70)는 옆 챔버(30b)에서 원하는 챔버로 원활하게 반송될 수 있다. 즉, 상기 배치 형태에서, 옆 챔버(30b)의 반송레인(40)과 옆 챔버(30b) 외 다른 챔버의 반송레인(40)들 간에도 더미 트레이(70)의 반송이 가능하다. 또한, 이 배치 형태에서 더미 트레이(70)가 기판 트레이의 스퍼터 처리 위치 상에 마련될 수 있다.The
상기한 반송레인(40) 및 보관레인(50)의 배치 형태에 의하여, 직렬로 배치된 복수개의 챔버(30)는 내부에 복수개의 챔버(30)가 접속된 방향으로 경로가 제공된다. 이때, 이 경로는 복수개의 챔버(30)가 접속된 방향에 교차하는 방향으로 서로 이격되는 제1열(A), 제2열(B) 및 제3열(C)을 포함(도 6 참조)한다. 반송레인(40)들은 제1열(A) 및 제2열(B) 상에 설치되고, 적어도 하나가 작동부(60)에 지지되어 경로를 가로지르면서 슬라이드 가능하다. 그리고 보관레인(50)은 제3열(C) 상에 설치된다. 이 경로 상에서의 반송레인(40) 및 보관레인(50)의 작동은 이하에서 본 발명의 실시 예들에 따른 막 증착 방법을 설명할 때 상세히 설명한다.According to the arrangement of the
한편, 챔버들의 내부에는 반송레인(40) 및 보관레인(50)을 각각 상하로 마주보는 위치에 각각 가이드(미도시)가 마련되어, 반송레인(40) 및 보관레인(50)과 각각 짝을 이루어 배치될 수 있다. 가이드는 반송레인(40) 및 보관레인(50)을 따라서 반송 중인 기판 트레이나 더미 트레이(70)의 상면을 롤러나 자기 부상이나 에어 베어링 등 다양한 수단 또는 방식으로 접촉 또는 비접촉으로 지지하는 역할을 한다.A guide (not shown) is provided at each of the chambers facing the conveying
작동부(60)는 일 챔버(30a)의 옆 챔버(30b)에 설치될 수 있고, 최외각 챔버에 더 설치될 수도 있다. 작동부(60)는 반송레인(40)을 슬라이드 가능하게 지지하는 것이면 그 설치 구조 및 작동 방식을 특별히 한정하지 않는다. 예를 들어서, 작동부(60)는 엘엠 가이드(LM guide) 등 직동기구를 포함할 수 있다. 이때, 엘엠 가이드는 레일과 베어링 등을 이용하여 일 방향으로 슬라이드 가능한 구조의 직선운동 기구이고, 다양한 형태를 가질 수 있다. 작동부(60)에 의해 반송레인(40)이 복수의 열을 가로질러 슬라이드될 수 있고, 원하는 열의 위치에 정렬될 수 있다.The operating
더미 트레이(70)는 더미(71) 및 더미(71)가 장착된 트레이(72, 73)를 포함할 수 있다. 더미(71)는 예컨대 알루미늄 용사 처리된 판 예컨대 실드를 포함할 수 있고, 하나의 판이거나, 복수의 판 조각이 나란히 부착된 형태일 수 있다.The
트레이(72, 73)는 더미(71)가 장착 가능한 형태의 트레이 프레임(72), 및 트레이 프레임(72)의 하부를 지지 가능한 트레이 베이스(73)를 포함할 수 있다. 트레이 프레임(72)은 사각 틀의 형태일 수 있고, 트레이 베이스(73)는 바 형태일 수 있다. 트레이 베이스(73)는 반송레인(40) 및 보관레인(50) 상에서 지지 및 반송 가능한 형태로 마련될 수 있다. 예를 들어, 반송레인(40) 및 보관레인(50)이 자기 부상 방식의 구조이면, 트레이 베이스(73)도 자기 부상이 가능한 구조일 수 있다.The
더미(71)는 트레이 프레임(72)에 수직으로 장착되어 지지되고, 트레이 베이스(73)에 의해 반송레인(40)과 보관레인(50) 사이를 오가거나, 반송레인(40)들 사이를 오가며, 반송레인(40)에 지지되어 챔버(30)의 내부에서 예비처리에 사용되고, 챔버(30)의 내부에서 기판 처리가 수행되는 동안 보관레인(50)에 수납되어 보관될 수 있다. 즉, 더미(71)는 챔버(30)의 내부에서 수납, 반송 및 보관될 수 있어서 대기 중에 노출되는 것이 방지될 수 있다.The
타겟(80)은 복수개의 챔버(30) 중 적어도 하나에 설치될 수 있는데, 제3열측보다 제1열측에 가깝게 설치될 수 있고, 반송레인(40)을 중심으로 보관레인(50)의 반대측에 설치될 수 있다. 타겟(80)은 얇은 두께의 판 형태일 수 있고, 챔버(30)에 부착되어 챔버(30)의 내부에 노출될 수 있다. 타겟(80)은 산화물 막의 증착이 가능한 타겟일 수 있으나, 이 외에도 다양할 수 있다. 이때, 타겟(80)이 산화물 반도체의 제조 시 막의 증착에 사용되는 타겟일 경우, 정해진 횟수의 막 증착이 완료되면 타겟(80)을 예비처리 예컨대 프리스퍼터 처리하여 그 상태를 초기 상태로 회복해야 하는데, 본 발명의 실시 예에서는 신속하게 안정적으로 프리스퍼터가 가능하다.The
히터(90)는 반송레인(40)을 중심으로 하여 타겟(80)의 반대측에 이격되어 챔버(30)의 내부에 수직 설치되는데, 복수개의 챔버(30) 중 적어도 하나에 설치될 수 있다. 히터(90)는 예컨대 전기저항가열방식 또는 적외선가열 방식으로 작동하는 히터일 수 있고, 기판의 가열 및 챔버의 아웃가싱 역할을 한다. 일 챔버(30a)의 내부에 설치되는 히터(90)는 보관레인(50)과 반송레인(40)의 사이에 설치되는데, 이에 기판만 가열할 수 있다. 한편, 히터(90)나 히터(90) 부근에 보관레일 측으로의 가열을 최소화하는 기구를 더 설치할 수도 있다. 일 챔버(30a)의 옆 챔버(30b)에 설치되는 히터(90)와 최외각 챔버에 설치되는 히터(90)는 각각 경로의 외측에 설치되고, 이에, 반송레인(40)의 슬라이드가 자유로울 수 있다.The
플라즈마 생성기(미도시)는 산화물 반도체 제조 부분의 인라인 방식 종형 스퍼터 장치에서 사용되는 다양한 형태의 플라즈마 생성기가 적용될 수 있으며, 이를 특별히 한정하지 않는다. 플라즈마 생성기가 타겟(80)과 기판 사이 및 타겟(80)과 더미 사이에 플라즈마를 인가하여 스퍼터 및 프리스퍼터 처리가 가능하다.The plasma generator (not shown) may be applied to various types of plasma generators used in the inline type vertical sputtering apparatus of the oxide semiconductor manufacturing part, and is not particularly limited thereto. A plasma generator is capable of sputtering and pre-sputter processing by applying a plasma between the
제어부(미도시)는 더미를 이용한 프리스퍼터 처리 시의 반송레인(40)과 보관레인(50)의 작동 및 더미 트레이(70)의 이동을 제어하는 역할을 한다. 또한, 제어부는 기판에 대한 스퍼터 처리 시 반송레인(40)과 보관레인(50)의 작동 및 더미 트레이(70) 수납을 제어하고, 기판 트레이의 반송을 위한 반송레인(40)의 작동을 제어하는 역할을 한다.The control unit (not shown) controls the operation of the
한편, 상기에서는 보관레인(50)이 기판에 대한 처리가 수행되는 프로세스 챔버인 복수의 챔버(30)에 설치되는 것으로 예시되나, 보관레인(50)은 히터 챔버(20)에 설치될 수도 있으며, 이 경우 더미 트레이(70)는 히터 챔버(20)에 수납 및 보관되었다가 필요시 복수의 챔버(30)로 반송될 수 있다.Although the
도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 실시 예를 설명하였으나 본 발명은 하기의 다른 실시 예를 포함하여 다양한 형식으로 구성될 수 있다.Although the embodiments of the present invention have been described with reference to FIGS. 1 and 2, the present invention can be configured in various formats including the following embodiments.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 막 증착 장치의 개략도이고, 도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 막 증착 장치의 작동도 이다.FIG. 3 is a schematic view of a film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is an operational view of a film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention.
도 3 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예(제2실시 예)에 따른 막 증착 장치는 서로 접속된 복수개의 챔버(30), 복수개의 챔버(30)의 내부에 각각 설치되는 반송레인(40), 복수개의 챔버(40) 중 일 챔버(30a)의 내부에 설치되는 보관레인(50), 일 챔버(30a)의 옆 챔버(30b)에 설치되어 반송레인(40)을 슬라이드 가능하게 지지하고, 일 챔버(30a)에 더 설치되어 반송레인(40)을 슬라이드 가능하게 지지하는 작동부(60)를 포함하고, 또한, 로드락 챔버(10), 히터 챔버(20), 더미 트레이(70), 타겟(80), 히터(90), 플라즈마 생성기(미도시) 및 제어부(미도시)를 더 포함할 수 있다.3 to 4, a film deposition apparatus according to another embodiment (second embodiment) of the present invention includes a plurality of
한편, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 막 증착 장치는 상술한 본 발명의 실시 예(제1실시 예)에 따른 막 증착 장치와 구성이 유사하므로, 중복되는 설명은 생략한다. 이하, 본 발명의 실시 예와 구분되는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 막 증착 장치의 특징을 하기에서 자세히 설명한다. 도 4를 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 반송레인(40), 보관레인(50) 및 작동부(60)의 배치는 아래와 같다.Meanwhile, the film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention is similar in structure to the film deposition apparatus according to the first embodiment of the present invention (described above), so a duplicate description will be omitted. Hereinafter, the features of the film deposition apparatus according to another embodiment of the present invention, which are different from the embodiments of the present invention, will be described in detail below. Referring to FIG. 4, the arrangement of the
더미 트레이(70)는 일 챔버에 수납되고, 반송레인(40)은 일 챔버(30a)의 옆 챔버(30b)에 복수개 예컨대 두 개 설치되며, 일 챔버(30a)에 하나 설치될 수 있다. 이 구조에서, 작동부(60)는 일 챔버(30a)와 옆 챔버(30b)에 각각 설치되어, 각각의 반송레인(40)을 슬라이드 가능하게 지지할 수 있다. 이에, 더미 트레이(70)가 경로 상을 오가거나 경로 상을 가로지르면서, 보관레인(50)과 반송레인(40)들 상에서 반송될 수 있다. 한편, 옆 챔버(30b)에 설치된 복수개의 반송레인(40)은 함께 슬라이드 가능할 수 있고, 각각 슬라이드 가능할 수도 있다. The
한편, 본 발명의 제1실시 예에서는 보관레인(50)이 최외각 챔버를 제외한 챔버에 설치되고, 제2실시 예에서는 최외각 챔버에 보관레인(50)이 설치되는데, 이때, 반송레인(40)은 실시 예의 구분 없이 어떤 챔버든 하나 또는 두 개 설치 가능하고, 작동부(60)는 실시 예의 구분 없이 적어도 옆 챔버(30b)에 설치되면서 나머지 챔버들에는 선택적으로 설치될 수 있다. 본 발명은 제1실시 예에서 보관레인(50)이 설치된 일 챔버(30a)에 반송레인(40)이 두 개 설치되고, 제2실시 예에서 보관레인(50)이 설치된 챔버에 반송레인(40)이 하나 설치되면서 옆 챔버에 반송레인(40)이 두 개 설치되는 것을 예시한다. 이때, 제2실시 예에서 더미 트레이(70)가 보관된 일 챔버(30a)에 반송레인(40)하나 설치되므로, 상대적으로 양챔버(30a,30b)에 슬라이드 기구의 설치가 필요 할 수 있다. 반면, 제1실시 예는 더미 트레이(70)가 보관된 일 챔버(30a)에 반송레인(40)이 두 개 설치되므로, 상대적으로 옆챔버(30b)에만 슬라이드 설치로 동작이 가능할 수 있다.In the first embodiment of the present invention, the
보관레인(50)이 설치된 챔버가 일 챔버(30a)라고 하면, 제1실시 예와 제2실시예는 일 챔버의 위치가 서로 다르다. 제1실시 예에서 최외각 챔버를 제외한 챔버에 더미 트레이(70)가 보관되고, 제2실시 예에서는 최외각 챔버에 더미 트레이(70)가 보관되는데, 제1실시 예에서는 상대적으로 동작이 더 단순할 수 있고(공정 효율이 좋음), 제2실시 예에서는 상대적으로 슬라이드 거리가 짧아져, 챔버사이즈 및 챔버구동 요소가 축소 및 간소화 될 수 있다.If the chamber in which the
이하, 본 발명의 실시 예들에 따른 막 증착 방법을 자세히 설명한다.Hereinafter, the film deposition method according to the embodiments of the present invention will be described in detail.
도 5는 본 발명의 실시 예들에 따른 막 증착 방법의 순서도 이고, 도 6는 본 발명의 실시 예에 따른 막 증착 방법의 공정도 이며, 도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 막 증착 방법의 공정도 이다.FIG. 5 is a flow chart of a film deposition method according to embodiments of the present invention, FIG. 6 is a process diagram of a film deposition method according to an embodiment of the present invention, and FIG. 7 is a flow chart of a film deposition method according to another embodiment of the present invention Fig.
도 2, 도 4, 도 5 내지 도 7을 참조하면, 본 발명의 실시 예들에 따른 막 증착 방법은, 서로 접속된 복수개의 챔버 중 일 챔버에 수납되는 더미 트레이를 예비처리를 수행할 챔버로 반송하는 과정, 더미 트레이를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정, 더미 트레이를 일 챔버로 반송하여 보관하는 과정, 적어도 하나의 챔버에서 기판에 대한 처리를 수행하는 과정을 포함한다.2, 4, and 5 to 7, a film deposition method according to embodiments of the present invention is a method of depositing a dummy tray, which is accommodated in a chamber among a plurality of chambers connected to each other, Performing a preliminary process using a dummy tray, carrying the dummy tray to a chamber and storing the chamber, and performing a process on the substrate in at least one chamber.
본 발명의 실시 예들에 따른 막 증착 방법이 적용되는 막 증착 장치는 앞서 설명한 바와 같이, 복수개의 챔버(30)에 복수개의 챔버(30)가 접속한 방향으로 경로가 제공되고, 이 경로는 복수개의 챔버(30)가 접속된 방향에 교차하는 방향으로 이격된 복수의 열을 가진다. 복수의 열 중 하나의 열에서 더미 트레이의 수납, 반송 및 보관이 가능하고, 나머지 열에서 처리대상 기판 및 더미 트레이의 반송이 가능하다. 또한, 나머지 열에서 더미 트레이를 이용한 예비처리 및 기판에 대한 처리가 가능하다.As described above, the film deposition apparatus to which the film deposition method according to the embodiments of the present invention is applied is provided with a path in a direction in which a plurality of
한편, 본 발명의 제1실시 예의 경우, 복수의 열은 제1열(A), 제2열(B) 및 제3열(C)을 포함하고, 일 챔버(30a)의 제1열(A) 및 제2열(B)에 각각 반송레인(40)이 설치되고, 제3열(C)에 더미 트레이(70)가 수납된 보관레인(50)이 설치되며, 일 챔버(30a)의 옆 챔버(30b)에 반송레인(40)이 제1열에서 제3열까지 슬라이드 가능하게 설치된다. 이하에서는, 제1실시 예에 따른 막 증착 방법을 먼저 설명하고, 제2실시 예에 따른 막 증착 방법을 설명한다.In the first embodiment of the present invention, the plurality of rows includes the first row A, the second row B and the third row C, and the first row A of the one
우선, 일 챔버(30a)에 수납된 더미 트레이(70)를 예비처리를 수행할 챔버로 반송(S100)한다. 예컨대 옆 챔버(30b)의 반송레인(40)을 제3열(C)까지 슬라이드하고, 일 챔버(30a)의 보관레인(50)에 수납된 더미 트레이(70)를 옆 챔버(30b)의 반송레인(40)에 반송하고, 옆 챔버(30b)의 반송레인(40)을 제1열(A)까지 슬라이드한다. 그리고 옆 챔버(30b)의 반송레인(40)에서 일 챔버(30a)의 제1열(A)에 설치된 반송레인(40)으로 더미 트레이(70)를 반송한다.First, the
이 과정으로 제3열(C)에 수납된 더미 트레이(70)를 일 챔버(30a)의 제1열(A)에 준비한다. 그리고 일 챔버(30a)의 제1열(A)에 준비된 더미 트레이(70)를 제1열(A) 상에서 예비처리를 수행할 챔버로 반송한다. 이의 일련의 과정을 도 2의 (a) 내지 (e)에 순서대로 도시하였고, 더미 트레이(70)의 움직임만 명확하게 볼 수 있게 도 6의 (a) 내지 (d)에도 순서대로 도시하였다.In this process, the
한편, 상기의 과정에서 옆 챔버(30b)가 예비처리를 수행할 챔버이면 더미 트레이(70)가 지지된 옆 챔버(30b)의 반송레인(40)을 제1열(A)까지 슬라이드한 후 과정을 종료할 수도 있다. 또한, 일 챔버(30a)가 예비처리를 수행할 챔버이면 옆 챔버(30b)의 반송레인(40)에서 일 챔버(30a)의 제1열(A)에 설치된 반송레인(40)으로 더미 트레이(70)를 반송한 후 과정을 종료할 수도 있다.Meanwhile, if the
이후, 더미 트레이(70)를 이용하여 예비처리를 수행(S200)한다. 예컨대 더미 트레이(70)를 이용하여 예비처리를 수행할 챔버에서 프리스퍼터 처리를 수행한다. 이때, 더미 트레이(70)가 기판 트레이가 스퍼터 처리되는 위치에 동일하게 위치될 수 있기 때문에, 프리스퍼터 효율이 좋을 수 있고, 타켓이 원하는 상태로 원활하게 회복될 수 있다. 이때, 예비처리를 수행할 챔버는 여러 개일 수 있고, 이 경우, 더미 트레이(70)가 제1열(A) 상에서 이들 챔버에 반송되면서 차례대로 프리스퍼터 처리될 수 있다. 한편, 복수개의 챔버(30) 중 예비처리가 수행 중인 챔버 외에 다른 챔버 중 적어도 하나의 챔버에서 기판에 대한 처리가 진행될 수도 있다.Thereafter, preliminary processing is performed using the dummy tray 70 (S200). For example, the
이후, 더미 트레이(70)를 일 챔버(30a)로 반송하여 보관(S300)한다. 예컨대 더미 트레이(70)를 일 챔버(30a)의 제3열(C)의 보관레인(50)에 반송하여 보관한다. 상세하게는, 더미 트레이(70)를 일 챔버(30a)의 옆 챔버(30b)의 반송레인(40)에 반송하고, 옆 챔버(30b)의 반송레인(40)을 제1열(A)에서 제3열(C)로 슬라이드시키고, 옆 챔버(30b)의 반송레인(40)에 지지되어 제3열(C)에 위치하는 더미 트레이(70)를 일 챔버(30a)의 제3열(C)의 보관레인(50)에 반송하여 보관한다.Thereafter, the
이후, 적어도 하나의 챔버에서 기판에 대한 처리를 수행(S400)한다. 예컨대 적어도 하나의 열 예컨대 제3열(C)에 더미 트레이(70)를 보관하면서 나머지 열에서 트레이에 장착된 처리대상 기판을 반송하면서 막을 증착한다. 이에, 아웃가싱 과정이 생략될 수 있고, 장치의 생산 중단이 방지될 수 있다.Thereafter, processing is performed on the substrate in at least one of the chambers (S400). For example, the
이후, 규정된 처리 매수의 기판에 대한 성막 처리를 수행하게 되면, 기판에 대한 처리를 종료하고, 일 챔버(30a)에 수납된 더미 트레이(70)를 예비처리를 수행할 챔버로 반송하는 과정을 수행한 후 이하 과정들을 반복하여 실시할 수 있다.Thereafter, when the film forming process is performed on the substrate having the specified number of processes, the process for the substrate is terminated, and the process of returning the
이하, 제2실시 예에 따른 막 증착 방법을 설명한다. 이때, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 막 증착 방법은 상술한 본 발명의 실시 예(제1실시 예)에 따른 막 증착 방법과 과정이 유사하므로, 중복되는 설명은 생략하고, 본 발명의 실시 예와 구분되는 본 발명의 다른 실시 예(제2실시 예)에 따른 막 증착 방법의 특징을 하기에서 자세히 설명한다.The film deposition method according to the second embodiment will be described below. Since the film deposition method according to another embodiment of the present invention is similar to the film deposition method according to the first embodiment of the present invention described above, (Second embodiment) of the present invention, which is distinguished from the first embodiment of the present invention, will be described in detail below.
본 발명의 제2실시 예의 경우, 복수의 열은 제1열(A), 제2열(B) 및 제3열(C)을 포함하고, 일 챔버(30a)의 제3열(C)에 더미 트레이(70)가 수납된 보관레인(50)이 설치되고, 제1열(A) 또는 제2열(B)에 반송레일(40)이 설치되어 제2열(B) 또는 제1열(A)에 슬라이드 가능하며, 일 챔버(30a)의 옆 챔버(30b)에 두 개의 반송레인(40)이 제1열(A) 및 제2열(B)에 각각 설치되어 각각 제2열(B) 및 제3열(C)에 슬라이드 가능하다.In the second embodiment of the present invention, the plurality of rows includes the first row (A), the second row (B) and the third row (C), and the third row
따라서, 일 챔버(30a)에 수납된 더미 트레이(70)를 예비처리를 수행할 챔버로 반송(S100)하는 과정은 다음과 같이 수행된다. 예컨대 옆 챔버(30b)의 제2열(B)의 반송레인(40)을 제3열(C)까지 슬라이드하고, 일 챔버(30a)의 보관레인(50)에 수납 중인 더미 트레이(70)를 옆 챔버(30b)의 제3열(C)의 반송레인(40)에 반송한 후, 옆 챔버(30b)의 제3열(C)의 반송레인(40)을 제2열(B)까지 슬라이드한다. 그리고 더미 트레이(70)를 옆 챔버(30b)의 제2열(B)의 반송레인(40)에서 일 챔버(30a)의 제2열(B)의 반송레인으로 반송한 후, 일 챔버(30a)의 제2열(B)의 반송레인(40)을 제1열(A)까지 슬라이드한다.Therefore, the process of transferring the
이 과정으로 일 챔버(30a)의 제3열(C)에 수납된 더미 트레이(70)를 제1열(A)에 준비한다. 그리고 일 챔버(30a)의 제1열(A)에 준비된 더미 트레이(70)를 제1열(A) 상에서 예비처리를 수행할 챔버로 반송한다. 이의 일련의 과정을 도 4의 (a) 내지 (e)에 순서대로 도시하였고, 더미 트레이(70)의 움직임만 명확하게 볼 수 있게 도 7의 (a) 내지 (e)에도 순서대로 도시하였다.In this process, the
한편, 상기의 과정에서 일 챔버(30a)가 예비처리를 수행할 챔버이면 일 챔버(30a)의 제2열(B)의 반송레인(40)을 제1열(A)까지 슬라이드 한 후 과정을 종료할 수 있다.If the one
이후, 더미 트레이(70)를 이용하여 예비처리를 수행(S200)하는데, 예비처리를 수행할 챔버가 여러 개이면, 더미 트레이(70)가 제1열(A) 상에서 이들 챔버에 반송되면서 차례대로 프리스퍼터 처리될 수 있다. 또한, 복수개의 챔버(30) 중 예비처리가 수행 중인 챔버 외에 다른 챔버 중 적어도 하나의 챔버에서 기판에 대한 처리가 진행될 수도 있다.Thereafter, the preliminary process is performed using the dummy tray 70 (S200). If there are a plurality of chambers to perform the preliminary process, the
이후, 더미 트레이(70)를 일 챔버(30a)로 반송하여 보관(S300)한다. 예컨대 더미 트레이(70)를 일 챔버(30a)의 제3열(C)의 보관레인(50)에 반송하여 보관한다. 상세하게는, 더미 트레이(70)를 일 챔버(30a)의 제1열(A)의 반송레인(40)에 반송하고, 일 챔버(30a)의 반송레인(40)을 제1열(A)에서 제2열(B)로 반송하고, 더미 트레이(70)를 일 챔버(30a)의 제2열(B)의 반송레인에서 옆 챔버(30b)의 제2열(B)의 반송레인(40)으로 반송한다. 그리고 옆 챔버(30b)의 제2열(B)의 반송레인(40)을 제3열(C)까지 슬라이드하고, 옆 챔버(30b)의 제3열(C)의 반송레인(40)에 지지 중인 더미 트레이(70)를 일 챔버(30a)의 보관레인(50)에 수납하여 보관한다. 그리고 옆 챔버(30b)의 제3열(C)의 반송레인(40)을 제2열(B)까지 슬라이드시킨다.Thereafter, the
이후, 적어도 하나의 챔버에서 기판에 대한 처리를 수행(S400)한다. 예컨대 적어도 하나의 열 예컨대 제3열(C)에 더미 트레이(70)를 보관하면서 나머지 열에서 트레이에 장착된 처리대상 기판을 반송하면서 막을 증착한다. 이에, 아웃가싱 과정이 생략될 수 있고, 장치의 생산 중단이 방지될 수 있다.Thereafter, processing is performed on the substrate in at least one of the chambers (S400). For example, the
이후, 규정된 처리 매수의 기판에 대한 성막 처리를 수행하게 되면, 기판에 대한 처리를 종료하고, 일 챔버(30a)에 수납된 더미 트레이(70)를 예비처리를 수행할 챔버로 반송하는 과정을 수행한 후 이하 과정들을 반복하여 실시할 수 있다.Thereafter, when the film forming process is performed on the substrate having the specified number of processes, the process for the substrate is terminated, and the process of returning the
본 발명의 상기 실시 예는 본 발명의 설명을 위한 것이고, 본 발명의 제한을 위한 것이 아니다. 본 발명의 상기 실시 예에 제시된 구성과 방식들은 서로 결합하거나 교차 적용되어 다양한 형태로 변형될 것이고, 이의 변형 예들을 본 발명의 범주로 볼 수 있음을 주지해야 한다. 결국, 본 발명은 청구범위 및 이와 균등한 기술적 사상의 범위 내에서 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 본 발명이 해당하는 기술 분야의 업자는 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.The above-described embodiments of the present invention are for the explanation of the present invention and are not intended to limit the present invention. It should be noted that the configurations and methods described in the above embodiments of the present invention may be combined or cross-applied to each other and modified in various forms, and modifications thereof may be regarded as the scope of the present invention. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the inventions. You will understand.
10: 로드락 챔버 20: 히터 챔버
30: 챔버 40: 반송레인
50: 보관레인 60: 작동부
70: 더미 트레이 80: 타겟
90: 히터 A: 제1열
B: 제2열 C: 제3열10: load lock chamber 20: heater chamber
30: chamber 40: conveying lane
50: Storage lane 60: Operation part
70: Dummy tray 80: Target
90: heater A: first column
B: second column C: third column
Claims (12)
서로 접속된 복수개의 챔버 중 일 챔버에 수납되는 더미 트레이를 예비처리를 수행할 챔버로 반송하는 과정;
상기 더미 트레이를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정;
상기 더미 트레이를 상기 일 챔버로 반송하여 보관하는 과정; 및
적어도 하나의 챔버에서 기판에 대한 처리를 수행하는 과정;을 포함하고,
공정진행 방향으로 연장되고 공정진행 방향에 교차하는 방향으로 이격된 복수의 열 중, 기판의 반송 경로를 형성하는 제1열 및 제2열에서 처리대상 기판을 반송 및 처리할 때, 상기 제1열 및 제2열에서 이격된 제3열에 상기 더미 트레이를 수납 및 보관하고,
상기 제3열에서 상기 더미 트레이의 반송이 가능하고,
상기 제1열 및 제2열에서 상기 처리대상 기판 및 상기 더미 트레이의 반송이 가능하고, 상기 더미 트레이를 이용한 예비처리 및 상기 기판에 대한 처리가 가능하고,
상기 일 챔버의 제1열 및 제2열에 각각 반송레인이 설치되고, 제3열에 상기 더미 트레이가 수납된 보관레인이 설치되며, 상기 일 챔버의 옆 챔버에 반송레인이 제1열에서 제3열까지 슬라이드 가능하게 설치될 때,
상기 더미 트레이를 예비처리를 수행할 챔버로 반송하는 과정은,
상기 옆 챔버의 반송레인을 제3열까지 슬라이드하는 과정;
상기 일 챔버의 보관레인에 수납된 더미 트레이를 상기 옆 챔버의 반송레인에 반송하는 과정; 및
상기 옆 챔버의 반송레인을 제1열까지 슬라이드하는 과정;을 포함하고,
상기 더미 트레이를 이용하여 예비처리를 수행하는 과정은,
상기 더미 트레이를 이용하여 상기 예비처리를 수행할 챔버에서 프리스퍼터 처리를 수행하는 과정;을 포함하고,
상기 기판에 대한 처리를 수행하는 과정은,
상기 일 챔버의 제3열에 상기 더미 트레이를 보관하면서 상기 기판에 막을 증착하는 과정을 포함하는 막 증착 방법.As a film deposition method,
Transferring a dummy tray accommodated in a chamber among the plurality of chambers connected to each other to a chamber to be preliminarily processed;
Performing a preliminary process using the dummy tray;
Transporting the dummy tray to the one chamber and storing the dummy tray; And
And performing a process on the substrate in at least one of the chambers,
When the substrate to be processed is transported and processed in the first and second rows forming the transport path of the substrate among a plurality of rows extending in the process progress direction and spaced apart from each other in the direction crossing the process progress direction, And a third row spaced apart from the second row,
The dummy tray can be transported in the third row,
The substrate to be processed and the dummy tray can be transported in the first and second rows, and preliminary processing using the dummy tray and processing on the substrate are enabled,
Wherein the first lane and the second lane of the one chamber are respectively provided with a conveyance lane and a third column is provided with a storage lane accommodating the dummy tray, When slidably installed,
The process of transferring the dummy tray to a chamber for performing preliminary processing includes:
Sliding the conveyance lane of the side chamber to the third row;
Returning a dummy tray accommodated in a storage lane of the one chamber to a conveyance lane of the side chamber; And
And sliding the conveyance lane of the side chamber to the first row,
The process of performing the preliminary process using the dummy tray may include:
And performing a pre-sputtering process in a chamber for performing the preliminary process using the dummy tray,
The process for processing the substrate may include:
And depositing a film on the substrate while keeping the dummy tray in a third row of the one chamber.
상기 더미 트레이를 예비처리를 수행할 챔버로 반송하는 과정은,
상기 옆 챔버의 반송레인에서 상기 일 챔버의 제1열에 설치된 반송레인으로 상기 더미 트레이를 반송하는 과정;을 더 포함하는 막 증착 방법.The method of claim 6,
The process of transferring the dummy tray to a chamber for performing preliminary processing includes:
And transferring the dummy tray from the transfer lane of the side chamber to the transfer lane provided in the first row of the one chamber.
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