KR101956017B1 - Indium filling apparatus and method for rotary target assembly for sputtering - Google Patents

Indium filling apparatus and method for rotary target assembly for sputtering Download PDF

Info

Publication number
KR101956017B1
KR101956017B1 KR1020180160044A KR20180160044A KR101956017B1 KR 101956017 B1 KR101956017 B1 KR 101956017B1 KR 1020180160044 A KR1020180160044 A KR 1020180160044A KR 20180160044 A KR20180160044 A KR 20180160044A KR 101956017 B1 KR101956017 B1 KR 101956017B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
indium
backing tube
guide member
filling space
sputtering target
Prior art date
Application number
KR1020180160044A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
신규식
한순석
김동소
배갑록
Original Assignee
(주)코아엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)코아엔지니어링 filed Critical (주)코아엔지니어링
Priority to KR1020180160044A priority Critical patent/KR101956017B1/en
Priority to CN201910093682.8A priority patent/CN111304603A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101956017B1 publication Critical patent/KR101956017B1/en

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3423—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3488—Constructional details of particle beam apparatus not otherwise provided for, e.g. arrangement, mounting, housing, environment; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3491—Manufacturing of targets

Abstract

The present invention relates to an indium filling apparatus and a method of a rotary target assembly for sputtering and, more specifically, relates to an indium filling apparatus and a method of a rotary target assembly for sputtering, wherein indium is supplied to be filled in a vacuum state in a filling space existing between a backing tube and a sputtering target. According to the present invention, a vacuum lid portion is mounted on the upper portion of the rotary target assembly for sputtering, and after sealing the filling space existing between the backing tube and the sputtering target, the filling space is evacuated and then indium is supplied. Moreover, the indium filled in the filling space couples the backing tube and the sputtering target without an oxide film.

Description

스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치 및 충진방법 { INDIUM FILLING APPARATUS AND METHOD FOR ROTARY TARGET ASSEMBLY FOR SPUTTERING }FIELD OF THE INVENTION [0001] The present invention relates to an indium filling apparatus and a filling method for a rotary target assembly for sputtering,

본 발명은 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치 및 충진방법에 관한 것으로서, 특히 백킹튜브와 스퍼터링 타겟 사이에 존재하는 충진공간에 인듐을 진공상태에서 공급하여 충진시킬 수 있는 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치 및 충진방법에 관한 것이다.The present invention relates to an indium filling apparatus and a filling method of a rotary target assembly for sputtering. More particularly, the present invention relates to an indium filling apparatus and a filling method for a sputtering rotary target assembly in which indium is filled in a filling space existing between a backing tube and a sputtering target, A filling device and a filling method.

일반적으로 스퍼터링(Sputtering)이란 타겟 물질의 박막을 기판에 증착시키기 위한 진공 증착법을 말하는 것으로, 이러한 스퍼터링에 사용되는 재료로는 원소금속인 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 티탄(Ti), 동(Cu), 은(Ag), 금(Au), 네오디뮴(Nd) 및 실리콘(Si) 등이 있다.Generally, sputtering is a vacuum deposition method for depositing a thin film of a target material on a substrate. Examples of the material used for the sputtering include aluminum (Al), molybdenum (Mo), titanium (Ti), copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), neodymium (Nd), and silicon (Si).

전술한 바와 같은 스퍼터링시 회전 음극(Cathod)용 원통형 받침관인 백킹 튜브(Backing Tube)의 재질로는 티탄(Ti)이나 스테인리스가 대부분 사용되고, 산화물 타겟으로는 ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zink Oxide), IGZO(Indium Gallium Zink Oxide) 및 산화규소(SiO2) 등이 있으며, 타겟 재료를 증착한 기판의 예로는 반도체, 평판 디스플레이(LCD, AMOLED, White OLED) 및 솔라셀(Solar Cell) 등이 있다.As a material of the backing tube which is a cylindrical bearing tube for a rotating cathode during the sputtering as described above, most of titanium (Ti) and stainless steel are used. As the oxide target, ITO (Indium Tin Oxide), IZO Examples of the substrate on which the target material is deposited include semiconductors, flat panel displays (LCDs, AMOLEDs, white OLEDs), and solar cells. have.

한편, 기존의 기술에 따른 스퍼터링 장치는 진공실 안에 타겟과 기판을 배치하였다. On the other hand, a sputtering apparatus according to a conventional technique places a target and a substrate in a vacuum chamber.

이때, 타겟은 전기적으로 이온류가 큰 전극이고, 진공실은 불활성 기체로 채워 전력을 타겟과 전극에 공급할 때 이온화시킨다. At this time, the target is an electrode having a large ion current, and the vacuum chamber is filled with an inert gas to ionize when power is supplied to the target and the electrode.

양극으로 대전된 불활성 기체 이온들이 타겟과 충돌하면서 원자크기의 입자들이 타겟에서 방출되고 이들 입자가 기판 표면에 박막으로 증착되는 것이다.As the anode charged positively charged inert gas ions collide with the target, particles of atomic size are released from the target and these particles are deposited as a thin film on the substrate surface.

최근에는 고전압을 인가하는 전극으로써 회전 음극형 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리가 사용되는데, 회전 음극형 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리는 원통형의 백킹 튜브와 백킹 튜브의 외주면으로 결합 구성되는 원통형 타겟으로 이루어지되, 원통형 타겟은 인듐(Indium)의 용융 결합에 의한 접합을 통해 백킹 튜브의 외주면 상에 결합되어진다.In recent years, a rotating cathode target sputtering rotary target assembly is used as an electrode for applying a high voltage, wherein a rotary cathode sputtering rotary target assembly is composed of a cylindrical backing tube and a cylindrical target which is coupled to the outer circumferential surface of a backing tube, Is bonded onto the outer circumferential surface of the backing tube through bonding by melt bonding of indium (Indium).

이러한 회전 음극형 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리는 스퍼터링 재료로 성막 분야에서 기대되고 있음은 물론, 타겟 크기도 커져 대형화되고 있는 추세이다.Such a rotary cathode target rotary target assembly for sputtering is expected not only in the field of film formation with a sputtering material, but also in the tendency of becoming larger in size with a larger target.

종래의 기술에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리는 원통형 타겟과 백킹 튜브를 조립하기 전에 미리 인듐 코팅을 완료하고, 상온 상태에서 원통형 타겟을 백킹 튜브에 끼워서 조립한 다음, 173도 까지 가열하여 인듐을 원통형 타겟과 백킹 튜브 사이의 틈새 즉 충진공간에 채워 넣어서 접합하기 때문에 가열 중에 인듐 산화박이 발생하게 되었다.The rotary target assembly for sputtering according to the prior art is manufactured by previously completing the indium coating before assembling the cylindrical target and the backing tube, assembling the cylindrical target in a backing tube at room temperature, heating it to 173 degrees, And the backing tube, the indium oxide foil is generated during heating.

백킹튜브와 원통형 타겟을 결합시키는 인듐에 산화막이 형성되게 되면, 인듐 산화막이 형성된 부분의 접합이 잘 안되어 결합력이 떨어짐은 물론, 쿨링이 잘 안되어 사용 중에 열팽창과 수축이 상이하게 발생하는 등의 문제로 인하여 타겟이 깨지거나 금이 가고 심할 경우 타겟이 분리되기도 한다.When an oxide film is formed on the indium that combines the backing tube and the cylindrical target, the indium oxide film is not easily joined to each other, resulting in deterioration of the bonding strength. Moreover, the thermal expansion and shrinkage occur differently during use due to poor cooling The target may break if the target is broken or cracked.

따라서, 인듐에 산화막이 형성되지 않도록 하는 것이 매우 중요하다.Therefore, it is very important to prevent an oxide film from being formed on indium.

특히, 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 대형화에 따라 원통형 타겟의 수량이 많아지고, 백킹 튜브의 길이가 길어짐에 따라 고온의 접합 온도에서 열팽창과 수축이 길이만큼 비례해짐은 물론, 원통형 타겟 수만큼 타겟과 타겟 사이의 밀봉면이 많아짐에 따라 접합 면적만큼 인듐에 산화막이 많이 발생하고 있다. Particularly, as the size of the rotary target assembly for sputtering is increased, the number of the cylindrical target increases, and as the length of the backing tube becomes longer, the thermal expansion and shrinkage becomes proportional to the length at the high temperature bonding temperature, The number of oxide films on indium is increased by the junction area.

이에 따라, 산화막이 적은 고기술의 접합률이 요구되고 있다.As a result, a bonding ratio of a high technology with a small oxide film is required.

전술한 바와 같이 산화막이 적은 고기술의 접합률이 요구됨에 따라, 진공 상태하에서 가열을 통해 인듐 산화막이 발생하는 것을 원천적으로 방지할 수 있는 방법에 제공되고 있으나, 이러한 종래의 진공 상태하에서의 접합방법은 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리 전체가 들어가는 큰 챔버가 필요하고, 큰 챔버에 존재하는 공기를 모두 배출하여 진공시켜야 하기 때문에, 비용과 작업시간이 걸어지는 단점이 있었다.The present invention provides a method for preventing the occurrence of an indium oxide film through heating under a vacuum state due to a demand for a high technology bonding rate with few oxide films as described above, A large chamber for accommodating the entire rotary target assembly for sputtering is required, and all of the air present in the large chamber must be evacuated and vacuumed.

특히, 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 크기가 커짐에 따라, 그에 맞게 챔버 장치의 크기도 켜져 전체적으로 제작비용이 더 증가하고, 작업시간이 더 오래 걸리는 등의 단점이 있었다.Particularly, as the size of the rotary target assembly for sputtering is increased, the size of the chamber device is also turned on in accordance with the size of the rotary target assembly, resulting in a further increase in manufacturing cost as a whole and a longer operation time.

공개특허 제10-2014-0129677호Published Japanese Patent Application No. 10-2014-0129677

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 크기에 상관없이 백킹 튜브와 스퍼터링 타겟 사이에 존재하는 충진공간에 인듐을 모두 충진시키고 이렇게 충진된 인듐에 산화막이 발생되지 않도록 하여, 백킹 튜브와 스퍼터링 타겟 간의 결합력을 유지하고 열팽창과 수축이 전체적으로 균일하게 이루어지도록 할 수 있는 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치 및 충진방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a sputtering rotary target assembly, And an object of the present invention is to provide an indium filling apparatus and a filling method of a rotary target assembly for sputtering capable of maintaining a bonding force between a backing tube and a sputtering target and achieving uniform thermal expansion and contraction as a whole.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치는, 상부가 원기둥 형상으로 이루어져 상하방향으로 설치되는 백킹튜브와, 중공형상으로 이루어져 상기 백킹튜브의 외주면에 삽입 설치되고 내주면이 상기 백킹튜브의 외주면과 이격되어 충진공간을 형성하며 다수개가 상하방향으로 적층 결합되는 스퍼터링 타겟과, 상기 충진공간에 충진된 인듐을 포함하여 이루어진 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리에서 상기 충진공간에 인듐을 충진시키는 장치에 있어서, 상기 스퍼터링 타겟의 하부가 상기 백킹튜브의 하부에 접하여 상기 충진공간의 하부가 밀폐된 상기 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리가 내부에 삽입 배치되고, 히터가 장착된 본체와; 상기 백킹튜브 및 스퍼터링 타겟의 상부에 결합되어 상기 충진공간의 상부를 밀폐시키는 진공덮개부와; 상기 진공덮개부에 연결되어 상기 충진공간을 진공시키는 진공펌프와; 상기 진공덮개부에 연결되어 상기 충진공간에 인듐을 공급하는 인듐공급부재;를 포함하여 이루어지되, 상기 진공펌프에 의해 상기 충진공간이 진공된 상태에서 상기 인듐공급부재에서 상기 충진공간에 인듐을 공급하여 상기 충진공간에 인듐이 충진되도록 하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides an indium filling apparatus for a sputtering rotary target assembly, comprising: a backing tube having a cylindrical shape at an upper portion and installed in an up-and-down direction; a hollow tube having an inner peripheral surface inserted into the outer peripheral surface of the backing tube, A sputtering target which is spaced apart from an outer circumferential surface of the backing tube to form a filling space, and a plurality of the sputtering targets are laminated in a vertical direction; and indium filled in the filling space. In the rotary target assembly for sputtering, indium is filled in the filling space A sputtering target assembly for sputtering in which a lower portion of the sputtering target is in contact with a lower portion of the backing tube and a lower portion of the filling space is sealed; A vacuum lid coupled to an upper portion of the backing tube and the sputtering target to seal the upper portion of the filling space; A vacuum pump connected to the vacuum lid to evacuate the filling space; And an indium supplying member connected to the vacuum lid to supply indium to the filling space, wherein the indium supplying member supplies indium to the filling space in the state where the filling space is evacuated by the vacuum pump So that the filling space is filled with indium.

상기 백킹튜브의 상단은 상기 스퍼터링 타겟보다 상방향으로 더 돌출되고, 상기 진공덮개부는, 상기 진공펌프와 연결되는 제1포트와, 상기 인듐공급부재와 연결되는 제2포트가 형성된 커버부재와; 중공형상으로 이루어져 상기 커버부재의 하부에 결합되는 외부가이드부재와; 상기 외부가이드부재의 내부에 배치되면서 상기 커버부재의 하부에 결합되고, 상기 외부가이드부재와 이격되어 그 사이에 링 형상의 제1이격공을 형성하는 내부가이드부재;를 포함하여 이루어지되, 상기 진공덮개부를 상기 백킹튜브 및 스퍼터링 타겟의 상부에 장착하였을 때, 상기 외부가이드부재는 상기 스퍼터링 타겟에 밀착되고 상기 내부가이드부재는 상기 백킹튜브의 내부에 삽입되면서 상기 백킹튜브의 내주면에 밀착되어 상기 충진공간의 상부를 밀폐시키며, 상기 제1이격공에는 상기 백킹튜브의 상부가 삽입되고, 상기 제1이격공에 삽입된 상기 백킹튜브의 외주면은 상기 외부가이드부재의 내주면과 이격되며, 상기 제1포트 및 제2포트는 상기 제1이격공을 통해 상기 충진공간과 연통된다.The upper end of the backing tube further protrudes upward from the sputtering target, and the vacuum lid unit includes a cover member having a first port connected to the vacuum pump and a second port connected to the indium supply member; An outer guide member having a hollow shape and coupled to a lower portion of the cover member; And an inner guide member which is disposed inside the outer guide member and is coupled to a lower portion of the cover member and is spaced apart from the outer guide member to form a ring-shaped first spacing hole therebetween, The outer guide member is in close contact with the sputtering target and the inner guide member is inserted into the backing tube and closely attached to the inner circumferential surface of the backing tube when the lid part is mounted on the backing tube and the sputtering target, The upper portion of the backing tube is inserted into the first spacing hole, the outer circumferential surface of the backing tube inserted into the first spacing hole is spaced from the inner circumferential surface of the outer guide member, And the second port communicates with the filling space through the first spacing hole.

상기 커버부재는, 상부에 상기 제1포트 및 제2포트가 형성된 커버상면부와; 상기 커버상면부의 바깥쪽에서 하방향으로 돌출되고, 상기 외부가이드부재의 상부가 결합되는 중공형상의 커버외측면부와; 상기 커버상면부의 안쪽에서 상기 커버외측면부와 이격되면서 하방향으로 돌출되고, 상기 내부가이드부재의 상부가 결합되는 중공형상의 커버내측면부;를 포함하여 이루어지되, 상기 커버상면부, 커버외측면부 및 커버내측면부 사이에는 하부로 개방되어 상기 제1이격공과 연통되는 링 형상의 제2이격공이 형성되며, 상기 제1포트 및 제2포트는 상기 제2이격공과 연통되는 것을 특징으로 한다.Wherein the cover member includes: a cover upper surface portion having the first port and the second port formed thereon; A cover outer side surface portion protruding downward from an outer side of the cover upper surface portion and having an upper portion coupled to the outer guide member; And a cover inner side surface portion that protrudes downward from the inside of the cover upper surface portion while being separated from the outer side surface portion of the cover and to which an upper portion of the inner guide member is coupled, A ring-shaped second spacing hole communicating with the first spacing hole is formed between the inner side surface of the cover and the first port and the second port are communicated with the second spacing hole.

상기 진공덮개부는, 상기 제2이격공에 장착되어 상기 제2이격공의 하부를 덮는 디퓨저;를 더 포함하여 이루어지되, 상기 디퓨저에는 상기 제2이격공과 상기 제1이격공을 연통시키는 다수개의 관통공이 일정한 간격으로 형성되어 있다.The vacuum lid may further include a diffuser mounted on the second spacing hole and covering a lower portion of the second spacing hole, wherein the diffuser has a plurality of through holes for communicating the second spacing hole and the first spacing hole, The balls are formed at regular intervals.

상기 외부가이드부재의 하면에는 제1가스켓이 장착되고, 상기 진공덮개부를 상기 백킹튜브 및 스퍼터링 타겟의 상부에 장착하였을 때, 상기 외부가이드부재의 하면은 상기 제1가스켓에 의해 상기 스퍼터링 타겟의 상면에 밀착되며, 상기 외부가이드부재의 측면에는 상기 제1이격공과 연통되는 오버플로우포트가 형성되되, 상기 오버플로우포트는 상기 스퍼터링 타겟보다 상부에 위치하면서 상기 제1포트 및 제2포트보다 하부에 위치한다.Wherein when the vacuum lid unit is mounted on the backing tube and the sputtering target, the lower surface of the outer guide member is positioned on the upper surface of the sputtering target by the first gasket And an overflow port communicating with the first spacing hole is formed on a side surface of the outer guide member. The overflow port is positioned above the sputtering target and is located below the first port and the second port .

상기 내부가이드부재의 외주면는 제2가스켓이 장착되고, 상기 진공덮개부를 상기 백킹튜브 및 스퍼터링 타겟의 상부에 장착하였을 때, 상기 내부가이드부재의 외주면은 상기 제2가스켓에 의해 상기 백킹튜브의 내주면에 밀착된다.Wherein the outer circumferential surface of the inner guide member is attached to the inner circumferential surface of the backing tube by the second gasket when the second gasket is mounted on the outer circumferential surface of the inner guide member and the vacuum lid unit is mounted on the backing tube and the sputtering target, do.

상기 인듐공급부재는 상기 진공덮개부의 상부에 배치되고, 상기 인듐공급부재의 외주면에는 열선이 장착되며, 상기 인듐공급부재의 하면에는 상기 제2포트와 연통되는 배출공이 형성되어 있되, 상기 인듐공급부재에 투입된 인듐은 상기 열선에 의해 가열되면서 상기 배출공을 통해 상기 제2포트로 공급된다.Wherein the indium supplying member is disposed on an upper portion of the vacuum lid, a heat ray is mounted on an outer circumferential surface of the indium supplying member, and an exhaust hole communicating with the second port is formed on the lower surface of the indium supplying member, Is supplied to the second port through the discharge hole while being heated by the hot wire.

상기 외부가이드부재의 외주면과 상기 스퍼터링 타겟의 외주면을 감싸면서 결합되는 밴드부재;를 더 포함하여 이루어지되, 상기 밴드부재에 의해 상기 진공덮개부는 상기 스퍼터링 타겟에 고정되면서 상기 외부가이드부재와 상기 스퍼터링 타겟 사이의 간극을 밀폐시킨다.The sputtering target according to claim 1, further comprising a band member that is coupled to the outer circumference of the outer guide member and surrounds the outer circumference of the sputtering target, wherein the vacuum lid unit is fixed to the sputtering target by the band member, Thereby sealing the gap between them.

또한, 상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진방법은, 원기둥 형상으로 이루어진 백킹튜브를 상하방향으로 설치하는 단계와; 중공형상으로 이루어진 다수개의 스퍼터링 타겟이 상기 백킹튜브를 감싸면서 상하방향으로 적층되면서 결합되고, 상기 백킹튜브의 외주면과 상기 스퍼터링 타겟의 내주면이 이격되어 충진공간을 형성하도록 하는 단계와; 상기 백킹튜브 및 스퍼터링 타겟의 상부에 진공펌프 및 인듐공급부재와 연결된 진공덮개부를 결합하여 상기 충진공간의 상부를 밀폐시키는 단계와; 상기 진공덮개부에 연결된 진공펌프를 이용하여 상기 충진공간에 존재하는 공기를 외부로 배출시켜 상기 충진공간을 진공시키는 단계와; 상기 백킹튜브와 스퍼터링 타겟을 가열하는 단계와; 진공된 상기 충진공간에 상기 진공덮개부에 연결된 인듐공급부재를 통해 인듐을 주입하여 충진하는 단계;를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided an indium filling method for a rotary target assembly for sputtering, the method comprising: installing a cylindrical backing tube in a vertical direction; A plurality of hollow sputtering targets are stacked and stacked in a vertical direction while surrounding the backing tube and the outer peripheral surface of the backing tube and the inner peripheral surface of the sputtering target are spaced apart to form a filling space; Sealing the upper part of the filling space by coupling a vacuum lump connected to the vacuum pump and the indium supplying member to the top of the backing tube and the sputtering target; Evacuating the filling space by discharging air existing in the filling space to the outside by using a vacuum pump connected to the vacuum lid part; Heating the backing tube and the sputtering target; And injecting and filling indium into the vacuum space through an indium supplying member connected to the vacuum lid unit.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명의 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치 및 충진방법에 따르면 다음과 같은 효과가 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the indium filling apparatus and filling method of the rotary target assembly for sputtering of the present invention as described above, the following effects can be obtained.

본 발명은 진공덮개부를 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 상부에 장착하여, 백킹튜브와 스퍼터링 타겟 사이에 존재하는 충진공간을 밀폐시키기 때문에, 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 크기에 상관없이 사용할 수 있다.The present invention can be used regardless of the size of the rotary target assembly for sputtering because the vacuum lid is mounted on the top of the rotary target assembly for sputtering to seal the filling space existing between the backing tube and the sputtering target.

그리고 본 발명은 백킹튜브와 스퍼터링 타겟 사이에 존재하는 충진공간만을 진공시킨 후 인듐을 충진시키기 때문에, 진공을 위한 작업시간을 매우 단축시킬 수 있고, 진공을 위한 별도의 큰 챔버 등이 불필요하다.In addition, since only the filling space existing between the backing tube and the sputtering target is filled with indium after the vacuum is filled, the working time for vacuum can be greatly shortened and a separate large chamber for vacuum is not required.

또한, 본 발명은 인듐이 충진되는 충진공간이 진공된 상태에서 인듐이 충진되기 때문에, 인듐에 산화막이 발생하는 것을 방지하고, 이로 인해 인듐이 백킹 튜브와 스퍼터링 타겟 간의 결합력을 유지하면서 열팽창과 수축이 전체적으로 균일하게 이루어지도록 하여, 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 내구성 및 신뢰성을 증대시킬 수 있다.In addition, since the indium is filled in the filling space in which the indium is filled, the oxidation film is prevented from being generated on the indium, and thereby the indium maintains the bonding force between the backing tube and the sputtering target while thermal expansion and contraction So that the durability and reliability of the rotary target assembly for sputtering can be increased.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치의 개략적인 구성도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치의 진공덮개부의 사시도,
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치의 진공덮개부의 분해시시도,
도 4는 도 2의 A-A선을 취하여 본 단면도,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치의 진공덮개부를 장착한 상태의 단면구조도,
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리에 인듐을 충진시키는 과정도.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic diagram of an indium filling apparatus for a rotary target assembly for sputtering according to an embodiment of the present invention;
FIG. 2 is a perspective view of a vacuum lid of an indium filling apparatus of a rotary target assembly for sputtering according to an embodiment of the present invention, FIG.
3 is a perspective view of an attempt to disassemble the vacuum lid of the indium filling apparatus of the rotary target assembly for sputtering according to the embodiment of the present invention,
Fig. 4 is a sectional view taken along the line AA in Fig. 2,
FIG. 5 is a cross-sectional structure of a rotary target assembly for sputtering according to an embodiment of the present invention, in which a vacuum lid of the indium filling apparatus is mounted,
6 is a process diagram of filling indium into a rotary target assembly for sputtering according to an embodiment of the present invention.

본 발명의 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치는, 도 1 내지도 6에 도시된 바와 같이, 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리에서 백킹튜브(10)와 스퍼터링 타겟(20) 사이에 존재하는 충진공간(30)에 인듐(90)을 충진시키는 장치이다.The indium filling apparatus of the rotary target assembly for sputtering according to the present invention is characterized in that the filling space 30 existing between the backing tube 10 and the sputtering target 20 in the rotary target assembly for sputtering, as shown in Figs. 1 to 6 ) Is filled with indium (90).

상기 스퍼터링용 로터리 타겟(20) 어셈블리는, 상부가 원기둥 형상으로 이루어져 상하방향으로 설치되는 백킹튜브(10)와, 중공형상으로 이루어져 상기 백킹튜브(10)의 외주면에 삽입 설치되고 내주면이 상기 백킹튜브(10)의 외주면과 이격되어 충진공간(30)을 형성하며 다수개가 상하방향으로 적층 결합되는 스퍼터링 타겟(20)으로 이루어진다.The rotary target 20 for sputtering includes a backing tube 10 having a cylindrical shape at the top and installed in a vertical direction, and a hollow cylindrical tube 20 inserted into the outer circumferential surface of the backing tube 10, And a sputtering target 20 which is spaced apart from the outer circumferential surface of the sputtering target 10 to form a filling space 30 and a plurality of sputtering targets are vertically stacked.

상하방향으로 적층된 상기 스퍼터링 타겟(20)의 하부는 상기 백킹튜브(10)의 하부에 접하여 상기 충진공간(30)의 하부는 밀폐되고, 상기 충진공간(30)의 상부는 개방되어 있다.The lower part of the sputtering target 20 stacked in the vertical direction is in contact with the lower part of the backing tube 10 so that the lower part of the filling space 30 is closed and the upper part of the filling space 30 is open.

그리고, 상하방향으로 적층된 다수개의 상기 스퍼터링 타겟(20) 사이는 실링재 등에 의해 밀폐되어 있다.A plurality of the sputtering targets 20 stacked in the vertical direction are sealed by a sealing material or the like.

또한, 상기 백킹튜브(10)의 최상단은 최상부에 배치된 상기 스퍼터링 타겟(20)보다 상방향으로 더 돌출되어 있다.The top end of the backing tube 10 projects further upward than the sputtering target 20 disposed at the top.

이러한 스퍼터링용 로터리 타겟(20) 어셈블리는 종래의 공지된 것과 동일하기 때문에, 이에 대한 보다 자세한 설명은 생략한다.Since the rotary target 20 for sputtering is the same as that known in the prior art, a detailed description thereof will be omitted.

본 발명은 상술한 바와 같이 상기 백킹튜브(10)의 외주면과 상기 스퍼터링 타겟(20)의 내주면 사이에 형성된 충진공간(30)에 인듐(90)을 충진하는 장치이며, 본체(40)와, 진공덮개부(50)와, 진공펌프(60)와, 인듐공급부재(70) 등을 포함하여 이루어진다.The present invention is a device for filling indium (90) in a filling space (30) formed between the outer peripheral surface of the backing tube (10) and the inner peripheral surface of the sputtering target (20) A lid 50, a vacuum pump 60, an indium supplying member 70, and the like.

상기 본체(40)는 대략 육면체 형상으로 형성되고, 내부에 상기 스퍼터링용 로터리 타겟(20) 어셈블리가 배치되기 위한 공간이 형성되어 있으며, 내측면에 히터(41)가 장착되어 있다.The main body 40 is formed in a substantially hexahedral shape, and a space for arranging the assembly of the sputtering rotary target 20 therein is formed therein, and a heater 41 is mounted on the inner side.

상기 진공덮개부(50)는 상기 백킹튜브(10) 및 스퍼터링 타겟(20)의 상부에 결합되어 상방향으로 개방된 상기 충진공간(30)의 상부를 밀폐시킨다.The vacuum lid unit 50 is coupled to the backing tube 10 and the upper portion of the sputtering target 20 to seal the upper portion of the filling space 30 opened upward.

이러한 상기 진공덮개부(50)의 구체적인 구조에 대해서는 후술하기로 한다.The specific structure of the vacuum lid unit 50 will be described later.

상기 진공펌프(60)는 상기 진공덮개부(50)에 연결되어 상기 충진공간(30)에 존재하는 공기를 외부로 배출시켜 상기 충진공간(30)을 진공시키는 역할을 한다.The vacuum pump 60 is connected to the vacuum lid unit 50 to discharge the air present in the filling space 30 to the outside to evacuate the filling space 30.

상기 인듐공급부재(70)는 상기 진공덮개부(50)에 연결되어 상기 충진공간(30)에 인듐(90)을 공급한다.The indium supplying member 70 is connected to the vacuum lid unit 50 to supply the indium 90 to the filling space 30.

상기 진공펌프(60)에 의해 상기 충진공간(30)이 진공된 상태에서 상기 인듐공급부재(70)에서 상기 충진공간(30)에 인듐(90)을 공급하여 상기 충진공간(30)에 인듐(90)이 충진되도록 한다.The indium 90 is supplied to the filling space 30 from the indium supplying member 70 while the filling space 30 is evacuated by the vacuum pump 60 so that indium 90) is filled.

상기 진공펌프(60)에 의해 상기 충진공간(30)이 진공된 상태에서 상기 충진공간(30)에 인듐(90)이 공급되기 때문에, 상기 인듐공급부재(70)를 통해 공급되는 인듐(90)이 상기 충진공간(30)의 구석구석에 모두 잘 충진되도록 할 수 있다.Since the indium 90 is supplied to the filling space 30 in a state where the filling space 30 is vacuumed by the vacuum pump 60, the indium 90 supplied through the indium supplying member 70 is discharged, Can be filled well in all the corners of the filling space (30).

특히, 상기 충진공간(30)이 진공된 상태에서 인듐(90)이 공급되기 때문에, 인듐(90)에 산화막이 발생하는 것을 방지할 수 있다.Particularly, since the indium 90 is supplied in a state where the filling space 30 is vacuumed, it is possible to prevent an oxide film from being formed on the indium 90.

상기 진공덮개부(50)는 도 2 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 커버부재(51)와, 외부가이드부재(52)와, 내부가이드부재(53) 등을 포함하여 이루어진다.2 to 5, the vacuum lid unit 50 includes a cover member 51, an outer guide member 52, an inner guide member 53, and the like.

상기 커버부재(51)는 상기 진공덮개부(50)의 상부를 이루는 부분으로서, 상기 커버부재(51)에는 상기 진공펌프(60)와 연결되는 제1포트(54a)와, 상기 인듐공급부재(70)와 연결되는 제2포트(54b)가 형성되어 있다.The cover member 51 is an upper portion of the vacuum lid unit 50. The cover member 51 is provided with a first port 54a connected to the vacuum pump 60, And a second port 54b connected to the second port 70 is formed.

상기 외부가이드부재(52)는 중공 기둥형상으로 이루어져 상기 커버부재(51)의 하부에 결합된다.The outer guide member 52 has a hollow pillar shape and is coupled to the lower portion of the cover member 51.

상기 내부가이드부재(53)는 상기 외부가이드부재(52)의 내부에 배치되면서 상기 커버부재(51)의 하부에 결합되고, 상기 외부가이드부재(52)와 이격되어 그 사이에 링 형상의 제1이격공(57)을 형성한다.The inner guide member 53 is disposed inside the outer guide member 52 and is coupled to the lower portion of the cover member 51. The inner guide member 53 is spaced apart from the outer guide member 52, Thereby forming spacing holes 57.

즉, 상기 제1이격공(57)은 상기 내부가이드부재(53)와 외부가이드부재(52) 사이에 링 형상으로 형성되게 된다.That is, the first spacing hole 57 is formed in a ring shape between the inner guide member 53 and the outer guide member 52.

이러한 상기 내부가이드부재(53)는 기둥형상 또는 중공기둥형상으로 이루어질 수 있다.The inner guide member 53 may have a columnar shape or a hollow columnar shape.

상기 커버부재(51)는, 커버상면부(51a)와, 커버외측면부(51b)와, 커버내측면부(51c)로 이루어진다.The cover member 51 includes a cover upper surface portion 51a, a cover outer side surface portion 51b, and a cover inner side surface portion 51c.

상기 커버상면부(51a)는 상기 커버부재(51)의 상부를 이루는 부분으로써, 상부에 상기 제1포트(54a) 및 제2포트(54b)가 형성되어 있다.The cover upper surface portion 51a constitutes the upper portion of the cover member 51 and the first port 54a and the second port 54b are formed on the upper portion.

상기 커버외측면부(51b)는 중공형상으로 이루어져 상기 커버상면부(51a)의 바깥쪽에서 하방향으로 돌출되고, 하부에 상기 외부가이드부재(52)의 상부가 결합된다.The cover outer side surface portion 51b is hollow and protrudes downward from the outer side of the cover upper surface portion 51a and the upper portion of the outer guide member 52 is coupled to the lower portion.

상기 커버내측면부(51c)는 중공형상으로 이루어져 상기 커버상면부(51a)의 안쪽에서 상기 커버외측면부(51b)와 이격되면서 하방향으로 돌출되고, 하부에 상기 내부가이드부재(53)의 상부가 결합된다.The cover inner side surface portion 51c is hollow and protrudes downward from the inside of the cover upper surface portion 51a while being separated from the cover outer side surface portion 51b and the upper portion of the inner guide member 53 .

본 실시예에서 상기 커버상면부(51a), 커버외측면부(51b) 및 커버내측면부(51c)는 일체로 이루어져 있다.In the present embodiment, the cover upper surface portion 51a, the cover outer side surface portion 51b, and the cover inner side surface portion 51c are integrally formed.

상기 커버상면부(51a), 커버외측면부(51b) 및 커버내측면부(51c) 사이에는 하부로 개방되어 상기 제1이격공(57)과 연통되는 링 형상의 제2이격공(58)이 형성되어 있다.A ring-shaped second spacing hole 58 opened to the lower portion and communicating with the first spacing hole 57 is formed between the cover upper surface portion 51a, the cover outer side surface portion 51b and the cover inner side surface portion 51c .

그리고, 상기 커버상면부(51a)에 형성된 상기 제1포트(54a) 및 제2포트(54b)는 상기 제2이격공(58)과 연통되어 있다.The first port 54a and the second port 54b formed in the cover upper surface portion 51a communicate with the second spacing hole 58. [

따라서, 상기 제1포트(54a) 및 제2포토는 상기 제2이격공(58)을 통해 상기 제1이격공(57) 및 충진공간(30)과 연통되게 된다.Therefore, the first port 54a and the second port are communicated with the first spacing hole 57 and the filling space 30 through the second spacing hole 58.

상기 진공덮개부(50)는, 상기 제2이격공(58)에 장착되어 상기 제2이격공(58)의 하부를 덮는 디퓨저(55)를 더 포함하여 이루어질 수도 있다.The vacuum lid unit 50 may further include a diffuser 55 mounted on the second spacing hole 58 to cover a lower portion of the second spacing hole 58.

상기 디퓨저(55)에는 상기 제2이격공(58)과 상기 제1이격공(57)을 연통시키는 다수개의 관통공(55a)이 일정한 간격으로 형성되어 있다.The diffuser 55 is formed with a plurality of through holes 55a communicating the second spacing holes 58 with the first spacing holes 57 at regular intervals.

따라서, 후술하는 바와 같이 상기 제2포트(54b)를 통해 공급되는 인듐(90)이 상기 디퓨저(55)에 형성된 다수개의 관통공(55a)을 통해 분사됨으로써, 상기 충진공간(30)에 전체적으로 균일하게 인듐(90)이 공급되도록 할 수 있다.Accordingly, as described later, the indium 90 supplied through the second port 54b is injected through the plurality of through holes 55a formed in the diffuser 55, So that the indium 90 can be supplied.

위와 같은 구성으로 이루어진 상기 진공덮개부(50)를 상기 백킹튜브(10) 및 스퍼터링 타겟(20)의 상부에 장착하였을 때, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 외부가이드부재(52)는 상기 백킹튜브(10)의 외부에 배치된 상기 스퍼터링 타겟(20)에 밀착되고, 상기 내부가이드부재(53)는 상기 백킹튜브(10)의 내부에 삽입되면서 상기 백킹튜브(10)의 내주면에 밀착되어 상기 충진공간(30)의 상부를 밀폐시키게 된다.5, when the vacuum lid unit 50 constructed as described above is mounted on the backing tube 10 and the sputtering target 20, the outer guide member 52 is inserted into the backing tube 10, The inner guide member 53 is closely attached to the inner circumferential surface of the backing tube 10 while being inserted into the backing tube 10 so as to be closely contacted with the sputtering target 20, Thereby sealing the upper portion of the space 30.

상기 외부가이드부재(52)와 내부가이드부재(53) 사이에 형성된 상기 제1이격공(57)에는 상기 백킹튜브(10)의 상부가 삽입된다.An upper portion of the backing tube 10 is inserted into the first spacing hole 57 formed between the outer guide member 52 and the inner guide member 53.

그리고, 상기 제1이격공(57)에 삽입된 상기 백킹튜브(10)의 외주면은 상기 외부가이드부재(52)의 내주면과 이격되어 있다.The outer circumferential surface of the backing tube 10 inserted into the first spacing hole 57 is spaced apart from the inner circumferential surface of the outer guide member 52.

따라서, 상기 제1포트(54a) 및 제2포트(54b)는 상기 백킹튜브(10)의 외주면과 상기 외부가이드부재(52)의 내주면 사이에 형성된 상기 제1이격공(57)을 통해 상기 충진공간(30)과 연통되게 된다.The first port 54a and the second port 54b may be connected to the backing tube 10 through the first spacing hole 57 formed between the outer circumferential surface of the backing tube 10 and the inner circumferential surface of the outer guide member 52, And communicates with the space (30).

보다 구체적으로, 상기 외부가이드부재(52)의 하면에는 제1가스켓(59a)이 장착되고, 상기 진공덮개부(50)를 상기 백킹튜브(10) 및 스퍼터링 타겟(20)의 상부에 장착하였을 때, 상기 외부가이드부재(52)의 하면은 상기 제1가스켓(59a)에 의해 상기 스퍼터링 타겟(20)의 상면에 밀착된다.More specifically, when the first gasket 59a is mounted on the lower surface of the outer guide member 52 and the vacuum lid unit 50 is mounted on the backing tube 10 and the sputtering target 20 , The lower surface of the outer guide member 52 is closely attached to the upper surface of the sputtering target 20 by the first gasket 59a.

그리고, 상기 내부가이드부재(53)의 외주면는 제2가스켓(59b)이 장착되고, 상기 진공덮개부(50)를 상기 백킹튜브(10) 및 스퍼터링 타겟(20)의 상부에 장착하였을 때, 상기 내부가이드부재(53)의 외주면은 상기 제2가스켓(59b)에 의해 상기 백킹튜브(10)의 내주면에 밀착된다.When the second gasket 59b is mounted on the outer circumferential surface of the inner guide member 53 and the vacuum lid unit 50 is mounted on the backing tube 10 and the sputtering target 20, The outer circumferential surface of the guide member 53 is in close contact with the inner circumferential surface of the backing tube 10 by the second gasket 59b.

또한, 상기 외부가이드부재(52)와 상기 커버부재(51) 사이 및 상기 내부가이드부재(53) 및 상기 커버부재(51) 사이에도 밀폐를 위해 별도의 가스켓이 장착되어 있다.A separate gasket is also mounted between the outer guide member 52 and the cover member 51 and between the inner guide member 53 and the cover member 51 for sealing.

위와 같은 상기 제1가스켓(59a)과 제2가스켓(59b)에 의해 상기 충진공간(30)의 상부는 상기 진공덮개부(50)에 의해 밀폐된다.The upper portion of the filling space 30 is sealed by the vacuum lid 50 by the first gasket 59a and the second gasket 59b.

또한, 상기 외부가이드부재(52)의 측면에는 상기 제1이격공(57)과 연통되는 오버플로우포트(56)가 형성되어 있다.An overflow port 56 communicating with the first spacing hole 57 is formed on a side surface of the outer guide member 52.

상기 오버플로우포트(56)는 상기 스퍼터링 타겟(20)보다 상부에 위치하면서 상기 제1포트(54a) 및 제2포트(54b)보다 하부에 위치한다.The overflow port 56 is positioned above the sputtering target 20 and below the first port 54a and the second port 54b.

이러한 상기 오버플로우포트(56)는 상기 충진공간(30)에 인듐(90)이 모두 충진된 상태에서 상기 오버플로우포트(56)를 통해 인듐(90)이 외부로 배출되도록 함으로써, 작업자가 상기 충진공간(30)에 인듐(90)이 모두 충진되었는지 여부를 확인할 수 있도록 한다.The overflow port 56 allows the indium 90 to be discharged to the outside through the overflow port 56 in a state that the indium 90 is filled in the filling space 30, So that it is possible to check whether or not the indium (90) is completely filled in the space (30).

상기 인듐공급부재(70)는 상기 진공덮개부(50)의 상부에 배치되고, 상기 인듐공급부재(70)의 외주면에는 열선(72)이 장착되어 있다.The indium supplying member 70 is disposed on the upper portion of the vacuum lid unit 50 and a heat ray 72 is mounted on the outer peripheral surface of the indium supplying member 70.

상기 인듐공급부재(70)의 하면에는 상기 제2포트(54b)와 연통되는 배출공이 형성되어 있다.And an exhaust hole communicating with the second port 54b is formed on a lower surface of the indium supplying member 70. [

상기 인듐공급부재(70)에 투입된 인듐(90)은 상기 열선(72)에 의해 가열되면서 상기 배출공을 통해 액체상태로 상기 제2포트(54b)로 공급되며, 상기 제2포트(54b)를 통해 공급된 상기 인듐(90)은 상기 제2이격공(58), 제1이격공(57)을 통해 상기 충진공간(30)에 충진된다.The indium 90 injected into the indium supply member 70 is heated by the heat ray 72 and supplied to the second port 54b through the discharge hole in a liquid state, The indium 90 supplied through the second spacing hole 58 is filled in the filling space 30 through the second spacing hole 58 and the first spacing hole 57.

또한, 본 발명은 상기 외부가이드부재(52)의 외주면과 상기 스퍼터링 타겟(20)의 외주면을 감싸면서 결합되는 밴드부재(80)를 더 포함하여 이루어질 수도 있다.The sputtering target 20 may further include a band member 80 coupled to the outer circumferential surface of the outer guide member 52 to surround the outer circumferential surface of the sputtering target 20.

상기 밴드부재(80)에 의해 상기 진공덮개부(50)는 상기 스퍼터링 타겟(20)에 고정되면서 상기 외부가이드부재(52)와 상기 스퍼터링 타겟(20) 사이의 간극을 더욱 밀폐시키게 된다.The band member 80 secures the vacuum lid unit 50 to the sputtering target 20 to seal the gap between the outer guide member 52 and the sputtering target 20.

상기 밴드부재(80)는 고무, 금속밴드 등으로 이루어지며, 그 외 종래에 공지된 다양한 구조 및 재질로 상기 외부가이드부재(52)의 외주면과 상기 스퍼터링 타겟(20)의 외주면을 감싸면서 그 간극을 밀폐시키도록 할 수 있다.The band member 80 is made of rubber, a metal band, and the like. The outer circumferential surface of the outer guide member 52 and the outer circumferential surface of the sputtering target 20 are surrounded by various conventionally known structures and materials, As shown in Fig.

상기 밴드부재(80)는 상기 스퍼터링 타겟(20)과 진공덮개부(50) 사이 뿐만 아니라, 상하로 적층된 스퍼터링 타겟(20) 사이를 감싸도록 설치될 수도 있다.The band member 80 may be installed not only between the sputtering target 20 and the vacuum lid 50 but also between the sputtering targets 20 stacked up and down.

이하, 상술한 구성으로 이루어진 본 발명의 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진방법에 대하여 살펴본다.Hereinafter, the indium filling method of the rotary target assembly for sputtering of the present invention having the above-described configuration will be described.

도 6(a)에 도시된 바와 같이, 원기둥 형상으로 이루어진 백킹튜브(10)를 상기 본체(40)의 내부에서 상하방향으로 설치한다.As shown in Fig. 6 (a), a backing tube 10 having a cylindrical shape is vertically installed inside the main body 40. As shown in Fig.

상기 백킹튜브(10)의 설치 후, 도 6(b)에 도시된 바와 같이 중공형상으로 이루어진 다수개의 스퍼터링 타겟(20)이 상기 백킹튜브(10)를 감싸도록 하면서 상하방향으로 적층하여 결합한다.After the backing tube 10 is installed, as shown in FIG. 6 (b), a plurality of hollow sputtering targets 20 are stacked and coupled in the vertical direction so as to surround the backing tube 10.

이때, 상기 백킹튜브(10)의 외주면과 상기 스퍼터링 타겟(20)의 내주면은 상호 이격되어 그 사이에 상기 충진공간(30)을 형성하게 된다.At this time, the outer circumferential surface of the backing tube 10 and the inner circumferential surface of the sputtering target 20 are spaced from each other to form the filling space 30 therebetween.

그리고, 상기 충진공간(30)의 하부는 별도의 접착제 등에 의해 상기 백킹튜브(10)의 하부에 접하여 밀폐되고, 다수개의 상기 스퍼터링 타겟(20)은 접착제 등에 의해 서로 밀폐된다.The lower part of the filling space 30 is sealed by a separate adhesive or the like in contact with the lower part of the backing tube 10 and a plurality of the sputtering targets 20 are sealed with each other with an adhesive or the like.

도 6(c)에 도시된 바와 같이, 상기 백킹튜브(10) 및 스퍼터링 타겟(20)의 상부에 상기 진공펌프(60) 및 인듐공급부재(70)와 연결된 상기 진공덮개부(50)를 결합하여 상기 충진공간(30)의 상부를 밀폐시킨다.The vacuum lid 50 connected to the vacuum pump 60 and the indium supplying member 70 is coupled to the upper portion of the backing tube 10 and the sputtering target 20 as shown in Figure 6 (c) Thereby sealing the upper portion of the filling space 30.

도 6(d)에 도시된 바와 같이, 상기 진공덮개부(50)에 연결된 상기 진공펌프(60)를 이용하여 상기 충진공간(30)에 존재하는 공기를 외부로 배출시켜 상기 충진공간(30)을 진공시킨다.6 (d), the air existing in the filling space 30 is discharged to the outside by using the vacuum pump 60 connected to the vacuum lid unit 50, Lt; / RTI >

상기 충진공간(30)이 진공 완료되면 상기 제1포트(54a)를 폐쇄하고, 상기 본체(40)에 장착된 히터(41)를 이용하여 상기 백킹튜브(10) 및 스퍼터링 타겟(20)을 가열한다.When the filling space 30 is completed in vacuum, the first port 54a is closed and the backing tube 10 and the sputtering target 20 are heated using the heater 41 mounted on the main body 40 do.

그러면서, 도 6(e)에 도시된 바와 같이, 상기 진공덮개부(50)에 연결된 상기 인듐공급부재(70)를 통해 인듐(90)을 진공된 상기 충진공간(30)에 주입하여 충진시킨다.6 (e), the indium (90) is injected into the vacuum filling space (30) through the indium supplying member (70) connected to the vacuum lid unit (50)

이때, 상기 충진공간(30)은 진공된 상태에서 인듐(90)이 공급되기 때문에, 상기 인듐공급부재(70)를 통해 공급되는 인듐(90)은 상기 충진공간(30)의 진공압에 의해 상기 충진공간(30) 전체에 신속하고 균일하게 충진되게 되고, 공기와 접하여 산화막이 형성되는 것을 방지할 수 있다.The indium 90 supplied through the indium supplying member 70 is supplied to the charging space 30 by the vacuum pressure of the filling space 30, The filling space 30 is quickly and uniformly filled, and the formation of the oxide film due to the contact with the air can be prevented.

상기 충진공간(30)에 인듐(90)이 다 충진되게 되면, 도 6(f)에 도시된 바와 같이, 상기 오버플로우포트(56)를 통해 인듐(90)이 외부로 배출되게 되고, 이렇게 되면 작업자는 상기 충진공간(30)에 인듐(90)이 모두 충진되었다고 판단하고, 상기 충진공간(30)에 인듐(90)이 공급되는 것을 중단하도록 한다.When the indium 90 is filled in the filling space 30, the indium 90 is discharged to the outside through the overflow port 56 as shown in FIG. 6 (f) The operator determines that the indium 90 is completely filled in the filling space 30 and stops the supply of the indium 90 to the filling space 30. [

위와 같이 상기 충진공간(30)에 인듐(90)이 모두 충진되게 되면, 상기 인듐(90)을 경화시켜 상기 백킹 튜브와 상기 스퍼터링 타겟(20)이 상기 인듐(90)에 의해 고정되면서 유동되지 않도록 한다.When the indium 90 is filled in the filling space 30 as described above, the indium 90 is cured so that the backing tube and the sputtering target 20 are fixed by the indium 90, do.

이때, 상기 충진공간(30)은 진공상태이기 때문에, 상기 인듐(90)에 산화막이 발생하는 것을 방지할 수 있다.At this time, since the filling space 30 is in a vacuum state, it is possible to prevent an oxide film from being formed on the indium 90.

위와 같이 본 발명은, 상기 진공덮개부(50)를 스퍼터링용 로터리 타겟(20) 어셈블리의 상부에 장착하여, 백킹튜브(10)와 스퍼터링 타겟(20) 사이에 존재하는 충진공간(30)을 밀폐시키기 때문에, 스퍼터링용 로터리 타겟(20) 어셈블리의 크기에 상관없이 사용할 수 있다.The vacuum lid unit 50 is mounted on the upper portion of the rotary target 20 for sputtering to seal the filling space 30 existing between the backing tube 10 and the sputtering target 20, The rotary target 20 for sputtering can be used regardless of the size of the assembly.

그리고 본 발명은 백킹튜브(10)와 스퍼터링 타겟(20) 사이에 존재하는 충진공간(30)만을 진공시킨 후 인듐(90)을 충진시키기 때문에, 진공을 위한 작업시간을 매우 단축시킬 수 있고, 진공을 위한 별도의 큰 챔버 등이 불필요하다.In the present invention, since only the filling space 30 existing between the backing tube 10 and the sputtering target 20 is filled and the indium 90 is filled, the working time for the vacuum can be extremely shortened, A separate large chamber for the < RTI ID = 0.0 >

또한, 본 발명은 인듐(90)이 충진되는 충진공간(30)이 진공된 상태에서 인듐(90)이 충진되기 때문에, 진공압에 의해 상기 인듐(90)의 충진이 전체적으로 신속하고 완전하게 이루어지도록 할 수 있으며, 진공환경에 의해 인듐(90)에 산화막이 발생하는 것을 방지할 수 있다.In addition, since the indium (90) is filled in the filling space (30) filled with the indium (90), the filling of the indium (90) And it is possible to prevent an oxide film from being formed on the indium 90 by a vacuum environment.

경화된 인듐(90)에 산화막이 없고 상기 충진공간(30)에 인듐(90)이 전체적으로 충진되어 있기 때문에, 상기 인듐(90)이 상기 백킹 튜브와 스퍼터링 타겟(20) 간의 결합력을 전체적으로 유지하면서, 열팽창과 수축이 전체적으로 균일하게 이루어지도록 하여, 스퍼터링용 로터리 타겟(20) 어셈블리의 내구성 및 신뢰성을 증대시킬 수 있다.Since the indium 90 is entirely filled in the filling space 30 without the oxide film in the cured indium 90 and the indium 90 keeps the bonding force between the backing tube and the sputtering target 20 as a whole, The thermal expansion and shrinkage can be made uniform as a whole, so that the durability and reliability of the rotary target 20 for sputtering can be increased.

본 발명인 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치 및 충진방법은 전술한 실시예에 국한하지 않고, 본 발명의 기술 사상이 허용되는 범위 내에서 다양하게 변형하여 실시할 수 있다.The indium filling apparatus and the filling method of the rotary target assembly for sputtering according to the present invention are not limited to the above embodiments and can be variously modified within the scope of the technical idea of the present invention.

10 : 백킹튜브,
20 : 스퍼터링 타겟,
30 : 충진공간,
40 : 본체, 41 : 히터,
50 : 진공덮개부, 51 : 커버부재, 51a : 커버상면부, 51b : 커버외측면부, 51c : 커버내측면부, 52 : 외부가이드부재, 53 : 내부가이드부재, 54a : 제1포트, 54b : 제2포트, 55 : 디퓨저, 55a : 관통공, 56 : 오버플로우포트, 57 : 제1이격공, 58 : 제2이격공, 59a : 제1가스켓, 59b : 제2가스켓,
60 : 진공펌프,
70 : 인듐공급부재, 72 : 열선
80 : 밴드부재,
90 : 인듐,10: backing tube,
20: sputtering target,
30: filling space,
40: main body, 41: heater,
The present invention relates to an image forming apparatus and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an image forming apparatus having a cover, a cover member, a cover member, a cover upper surface portion, a cover outer side surface portion, A second gasket, 59a: a first gasket, 59b: a second gasket, 58a: a second gasket, 59a: a first gasket,
60: Vacuum pump,
70: indium supply member, 72: hot wire
80: band member,
90: indium,

Claims (9)

삭제delete 상부가 원기둥 형상으로 이루어져 상하방향으로 설치되는 백킹튜브와, 중공형상으로 이루어져 상기 백킹튜브의 외주면에 삽입 설치되고 내주면이 상기 백킹튜브의 외주면과 이격되어 충진공간을 형성하며 다수개가 상하방향으로 적층 결합되는 스퍼터링 타겟과, 상기 충진공간에 충진된 인듐을 포함하여 이루어진 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리에서 상기 충진공간에 인듐을 충진시키는 장치에 있어서,
상기 스퍼터링 타겟의 하부가 상기 백킹튜브의 하부에 접하여 상기 충진공간의 하부가 밀폐된 상기 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리가 내부에 삽입 배치되고, 히터가 장착된 본체와;
상기 백킹튜브 및 스퍼터링 타겟의 상부에 결합되어 상기 충진공간의 상부를 밀폐시키는 진공덮개부와;
상기 진공덮개부에 연결되어 상기 충진공간을 진공시키는 진공펌프와;
상기 진공덮개부에 연결되어 상기 충진공간에 인듐을 공급하는 인듐공급부재;를 포함하여 이루어지되,
상기 진공펌프에 의해 상기 충진공간이 진공된 상태에서 상기 인듐공급부재에서 상기 충진공간에 인듐을 공급하여 상기 충진공간에 인듐이 충진되도록 하며,
상기 백킹튜브의 상단은 상기 스퍼터링 타겟보다 상방향으로 더 돌출되고,
상기 진공덮개부는,
상기 진공펌프와 연결되는 제1포트와, 상기 인듐공급부재와 연결되는 제2포트가 형성된 커버부재와;
중공형상으로 이루어져 상기 커버부재의 하부에 결합되는 외부가이드부재와;
상기 외부가이드부재의 내부에 배치되면서 상기 커버부재의 하부에 결합되고, 상기 외부가이드부재와 이격되어 그 사이에 링 형상의 제1이격공을 형성하는 내부가이드부재;를 포함하여 이루어지며,
상기 진공덮개부를 상기 백킹튜브 및 스퍼터링 타겟의 상부에 장착하였을 때,
상기 외부가이드부재는 상기 스퍼터링 타겟에 밀착되고 상기 내부가이드부재는 상기 백킹튜브의 내부에 삽입되면서 상기 백킹튜브의 내주면에 밀착되어 상기 충진공간의 상부를 밀폐시키며,
상기 제1이격공에는 상기 백킹튜브의 상부가 삽입되고, 상기 제1이격공에 삽입된 상기 백킹튜브의 외주면은 상기 외부가이드부재의 내주면과 이격되며,
상기 제1포트 및 제2포트는 상기 제1이격공을 통해 상기 충진공간과 연통되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치.A backing tube which is formed in a columnar shape and which is installed in a vertical direction and which has a hollow shape and is inserted into the outer circumferential surface of the backing tube and whose inner circumferential surface is spaced apart from the outer circumferential surface of the backing tube to form a filling space, And an indium filled in the filling space, the apparatus comprising: a rotary target assembly for sputtering comprising indium filled in the filling space,
A lower body of the sputtering target is in contact with a lower portion of the backing tube to seal the lower portion of the filling space, the rotary target assembly for sputtering being inserted into the body;
A vacuum lid coupled to an upper portion of the backing tube and the sputtering target to seal the upper portion of the filling space;
A vacuum pump connected to the vacuum lid to evacuate the filling space;
And an indium supplying member connected to the vacuum lid to supply indium into the filling space,
The indium is supplied to the filling space in the indium supplying member in a state where the filling space is evacuated by the vacuum pump so that the filling space is filled with indium,
An upper end of the backing tube is further projected upward from the sputtering target,
The vacuum lid part
A cover member having a first port connected to the vacuum pump and a second port connected to the indium supply member;
An outer guide member having a hollow shape and coupled to a lower portion of the cover member;
And an inner guide member which is disposed inside the outer guide member and is coupled to a lower portion of the cover member and spaced apart from the outer guide member to form a ring-shaped first spacing hole therebetween,
When the vacuum lid part is mounted on the backing tube and the sputtering target,
Wherein the outer guide member is in close contact with the sputtering target and the inner guide member is inserted into the backing tube to closely contact the inner circumferential surface of the backing tube to seal the upper portion of the filling space,
Wherein an upper surface of the backing tube is inserted into the first spacing hole, an outer circumferential surface of the backing tube inserted into the first spacing hole is spaced from an inner circumferential surface of the outer guide member,
Wherein the first port and the second port communicate with the filling space through the first spacing hole. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI > 청구항2에 있어서,
상기 커버부재는,
상부에 상기 제1포트 및 제2포트가 형성된 커버상면부와;
상기 커버상면부의 바깥쪽에서 하방향으로 돌출되고, 상기 외부가이드부재의 상부가 결합되는 중공형상의 커버외측면부;
상기 커버상면부의 안쪽에서 상기 커버외측면부와 이격되면서 하방향으로 돌출되고, 상기 내부가이드부재의 상부가 결합되는 중공형상의 커버내측면부;를 포함하여 이루어지되,
상기 커버상면부, 커버외측면부 및 커버내측면부 사이에는 하부로 개방되어 상기 제1이격공과 연통되는 링 형상의 제2이격공이 형성되며,
상기 제1포트 및 제2포트는 상기 제2이격공과 연통되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치.The method of claim 2,
The cover member
A cover upper surface portion on which the first port and the second port are formed;
A hollow cover outer side surface portion protruding downward from an outer side of the cover upper surface portion and coupled to an upper portion of the outer guide member;
And a hollow cover inner side portion protruding downward from the inside of the cover upper surface portion while being spaced apart from the cover outer side surface portion and coupled to an upper portion of the inner guide member,
A ring-shaped second spacing hole which is opened to the lower portion and communicates with the first spacing hole is formed between the cover upper surface portion, the cover outer side portion and the cover inner side portion,
Wherein the first port and the second port are in communication with the second spacing hole. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI > 청구항3에 있어서,
상기 진공덮개부는,
상기 제2이격공에 장착되어 상기 제2이격공의 하부를 덮는 디퓨저;를 더 포함하여 이루어지되,
상기 디퓨저에는 상기 제2이격공과 상기 제1이격공을 연통시키는 다수개의 관통공이 일정한 간격으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치.The method of claim 3,
The vacuum lid part
And a diffuser mounted on the second spacing hole to cover a lower portion of the second spacing hole,
Wherein the diffuser is formed with a plurality of through holes communicating the second spacing hole and the first spacing hole at regular intervals. 청구항2에 있어서,
상기 외부가이드부재의 하면에는 제1가스켓이 장착되고,
상기 진공덮개부를 상기 백킹튜브 및 스퍼터링 타겟의 상부에 장착하였을 때, 상기 외부가이드부재의 하면은 상기 제1가스켓에 의해 상기 스퍼터링 타겟의 상면에 밀착되며,
상기 외부가이드부재의 측면에는 상기 제1이격공과 연통되는 오버플로우포트가 형성되되,
상기 오버플로우포트는 상기 스퍼터링 타겟보다 상부에 위치하면서 상기 제1포트 및 제2포트보다 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치.The method of claim 2,
A first gasket is mounted on a lower surface of the outer guide member,
When the vacuum lid unit is mounted on the backing tube and the sputtering target, the lower surface of the outer guide member is in close contact with the upper surface of the sputtering target by the first gasket,
An overflow port communicating with the first spacing hole is formed on a side surface of the outer guide member,
Wherein the overflow port is positioned above the sputtering target and below the first port and the second port. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI > 청구항2에 있어서,
상기 내부가이드부재의 외주면는 제2가스켓이 장착되고,
상기 진공덮개부를 상기 백킹튜브 및 스퍼터링 타겟의 상부에 장착하였을 때, 상기 내부가이드부재의 외주면은 상기 제2가스켓에 의해 상기 백킹튜브의 내주면에 밀착되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치.The method of claim 2,
Wherein an outer circumferential surface of the inner guide member is fitted with a second gasket,
Wherein the outer circumferential surface of the inner guide member is closely attached to the inner circumferential surface of the backing tube by the second gasket when the vacuum lid unit is mounted on the backing tube and the sputtering target. Device. 청구항2에 있어서,
상기 인듐공급부재는 상기 진공덮개부의 상부에 배치되고,
상기 인듐공급부재의 외주면에는 열선이 장착되며,
상기 인듐공급부재의 하면에는 상기 제2포트와 연통되는 배출공이 형성되어 있되,
상기 인듐공급부재에 투입된 인듐은 상기 열선에 의해 가열되면서 상기 배출공을 통해 상기 제2포트로 공급되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치.The method of claim 2,
The indium supplying member is disposed on the upper portion of the vacuum lid,
The indium supply member is mounted on the outer circumferential surface with a hot wire,
And an exhaust hole communicating with the second port is formed on a lower surface of the indium supplying member,
Wherein the indium charged in the indium supplying member is heated by the hot wire and supplied to the second port through the discharge hole. 청구항2에 있어서,
상기 외부가이드부재의 외주면과 상기 스퍼터링 타겟의 외주면을 감싸면서 결합되는 밴드부재;를 더 포함하여 이루어지되,
상기 밴드부재에 의해 상기 진공덮개부는 상기 스퍼터링 타겟에 고정되면서 상기 외부가이드부재와 상기 스퍼터링 타겟 사이의 간극을 밀폐시키는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진장치.The method of claim 2,
And a band member which is coupled to the outer circumferential surface of the outer guide member while surrounding the outer circumferential surface of the sputtering target,
Wherein the vacuum lid unit is fixed to the sputtering target by the band member to seal the gap between the outer guide member and the sputtering target. 원기둥 형상으로 이루어진 백킹튜브를 상하방향으로 설치하는 단계와;
중공형상으로 이루어진 다수개의 스퍼터링 타겟이 상기 백킹튜브를 감싸면서 상하방향으로 적층되면서 결합되고, 상기 백킹튜브의 외주면과 상기 스퍼터링 타겟의 내주면이 이격되어 충진공간을 형성하도록 하는 단계와;
상기 백킹튜브 및 스퍼터링 타겟의 상부에 진공펌프 및 인듐공급부재와 연결된 진공덮개부를 결합하여 상기 충진공간의 상부를 밀폐시키는 단계와;
상기 진공덮개부에 연결된 진공펌프를 이용하여 상기 충진공간에 존재하는 공기를 외부로 배출시켜 상기 충진공간을 진공시키는 단계와;
상기 백킹튜브와 스퍼터링 타겟을 가열하는 단계와;
진공된 상기 충진공간에 상기 진공덮개부에 연결된 인듐공급부재를 통해 인듐을 주입하여 충진하는 단계;를 포함하여 이루어지되,
상기 백킹튜브의 상단은 상기 스퍼터링 타겟보다 상방향으로 더 돌출되고,
상기 진공덮개부는,
상기 진공펌프와 연결되는 제1포트와, 상기 인듐공급부재와 연결되는 제2포트가 형성된 커버부재와;
중공형상으로 이루어져 상기 커버부재의 하부에 결합되는 외부가이드부재와;
상기 외부가이드부재의 내부에 배치되면서 상기 커버부재의 하부에 결합되고, 상기 외부가이드부재와 이격되어 그 사이에 링 형상의 제1이격공을 형성하는 내부가이드부재;를 포함하여 이루어지며,
상기 진공덮개부를 상기 백킹튜브 및 스퍼터링 타겟의 상부에 장착하였을 때,
상기 외부가이드부재는 상기 스퍼터링 타겟에 밀착되고 상기 내부가이드부재는 상기 백킹튜브의 내부에 삽입되면서 상기 백킹튜브의 내주면에 밀착되어 상기 충진공간의 상부를 밀폐시키며,
상기 제1이격공에는 상기 백킹튜브의 상부가 삽입되고, 상기 제1이격공에 삽입된 상기 백킹튜브의 외주면은 상기 외부가이드부재의 내주면과 이격되며,
상기 제1포트 및 제2포트는 상기 제1이격공을 통해 상기 충진공간과 연통되는 것을 특징으로 하는 스퍼터링용 로터리 타겟 어셈블리의 인듐 충진방법.
Installing a backing tube having a cylindrical shape in a vertical direction;
A plurality of hollow sputtering targets are stacked and stacked in a vertical direction while surrounding the backing tube and the outer peripheral surface of the backing tube and the inner peripheral surface of the sputtering target are spaced apart to form a filling space;
Sealing the upper part of the filling space by coupling a vacuum lump connected to the vacuum pump and the indium supplying member to the top of the backing tube and the sputtering target;
Evacuating the filling space by discharging air existing in the filling space to the outside by using a vacuum pump connected to the vacuum lid part;
Heating the backing tube and the sputtering target;
And injecting and filling indium through the indium supplying member connected to the vacuum lid part in the vacuum filling space,
An upper end of the backing tube is further projected upward from the sputtering target,
The vacuum lid part
A cover member having a first port connected to the vacuum pump and a second port connected to the indium supply member;
An outer guide member having a hollow shape and coupled to a lower portion of the cover member;
And an inner guide member which is disposed inside the outer guide member and is coupled to a lower portion of the cover member and spaced apart from the outer guide member to form a ring-shaped first spacing hole therebetween,
When the vacuum lid part is mounted on the backing tube and the sputtering target,
Wherein the outer guide member is in close contact with the sputtering target and the inner guide member is inserted into the backing tube to closely contact the inner circumferential surface of the backing tube to seal the upper portion of the filling space,
Wherein an upper surface of the backing tube is inserted into the first spacing hole, an outer circumferential surface of the backing tube inserted into the first spacing hole is spaced from an inner circumferential surface of the outer guide member,
Wherein the first port and the second port communicate with the filling space through the first spacing hole. ≪ RTI ID = 0.0 > 11. < / RTI >
KR1020180160044A 2018-12-12 2018-12-12 Indium filling apparatus and method for rotary target assembly for sputtering KR101956017B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180160044A KR101956017B1 (en) 2018-12-12 2018-12-12 Indium filling apparatus and method for rotary target assembly for sputtering
CN201910093682.8A CN111304603A (en) 2018-12-12 2019-01-30 Indium filling device and method for rotary target assembly for sputtering

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180160044A KR101956017B1 (en) 2018-12-12 2018-12-12 Indium filling apparatus and method for rotary target assembly for sputtering

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101956017B1 true KR101956017B1 (en) 2019-03-08

Family

ID=65800317

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180160044A KR101956017B1 (en) 2018-12-12 2018-12-12 Indium filling apparatus and method for rotary target assembly for sputtering

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101956017B1 (en)
CN (1) CN111304603A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110453187A (en) * 2019-08-21 2019-11-15 东莞市欧莱溅射靶材有限公司 A kind of ITO target pipe and titanium penstock bind pretreated method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080059281A (en) * 2005-10-03 2008-06-26 써멀 컨덕티브 본딩 인코포레이션 Very long cylindrical sputtering target and method for manufacturing
KR20140029456A (en) * 2011-04-29 2014-03-10 프랙스에어 에스.티. 테크놀로지, 인코포레이티드 Method of forming a cylindrical sputter target assembly
KR20140057213A (en) * 2011-06-27 2014-05-12 솔레라스 리미티드 Sputtering target
KR20140129677A (en) 2013-04-30 2014-11-07 한순석 Rotary for sputtering target assembly manufactured by the bonding method for rotary sputtering target assembly and bonding method thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4795174B2 (en) * 2006-08-31 2011-10-19 新明和工業株式会社 Sputtering equipment
US20120222956A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming a cylindrical target assembly
JP6744323B2 (en) * 2015-03-18 2020-08-19 ユミコア Lithium-containing transition metal oxide target
KR102039499B1 (en) * 2017-02-23 2019-11-04 (주)코아엔지니어링 Separating apparatus of rotary target assembly for sputtering

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080059281A (en) * 2005-10-03 2008-06-26 써멀 컨덕티브 본딩 인코포레이션 Very long cylindrical sputtering target and method for manufacturing
KR20140029456A (en) * 2011-04-29 2014-03-10 프랙스에어 에스.티. 테크놀로지, 인코포레이티드 Method of forming a cylindrical sputter target assembly
KR20140057213A (en) * 2011-06-27 2014-05-12 솔레라스 리미티드 Sputtering target
KR20140129677A (en) 2013-04-30 2014-11-07 한순석 Rotary for sputtering target assembly manufactured by the bonding method for rotary sputtering target assembly and bonding method thereof

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110453187A (en) * 2019-08-21 2019-11-15 东莞市欧莱溅射靶材有限公司 A kind of ITO target pipe and titanium penstock bind pretreated method
CN110453187B (en) * 2019-08-21 2020-09-01 东莞市欧莱溅射靶材有限公司 Method for binding pretreatment of ITO target tube and titanium back tube

Also Published As

Publication number Publication date
CN111304603A (en) 2020-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7977255B1 (en) Method and system for depositing a thin-film transistor
KR100525500B1 (en) Low temperature glass frit sealing for thin computer displays
KR101209652B1 (en) Apparatus to Sputter
CN109768051B (en) TFT-driven addressable cold cathode flat X-ray source device and preparation method thereof
CN103337511A (en) OLED panel and packaging method thereof
KR20140129677A (en) Rotary for sputtering target assembly manufactured by the bonding method for rotary sputtering target assembly and bonding method thereof
KR101956017B1 (en) Indium filling apparatus and method for rotary target assembly for sputtering
US8551307B2 (en) Sputtering target apparatus
US8033886B2 (en) Manufacturing method of airtight container and image displaying apparatus
TWI705151B (en) Physical vapor deposition in-chamber electro-magnet
US10355247B2 (en) OLED encapsulation glovebox
EP2368258B1 (en) Rf sputtering arrangement
US9911584B2 (en) Batch production of microchannel plate photo-multipliers
KR102204230B1 (en) Apparatus for deposition of material on a substrate in a vacuum deposition process, a system for sputter deposition on a substrate, and a method for manufacturing an apparatus for deposition of material on a substrate
KR101209651B1 (en) Apparatus to Sputter
US20030143914A1 (en) Method for sealing and fabricating cap for field emission display
JP5827499B2 (en) Surface treatment method for equipment
JPH11283492A (en) Vacuum peripheral vessel and method for forming a vacuum therein
US10217960B2 (en) OLED encapsulation method
CN107523793B (en) A kind of lithium metal vaporising device, evaporated device and lithium metal method of evaporating
KR101493410B1 (en) Method of manufacturing organic light emitting display apparatus
KR101312922B1 (en) Plasma processing apparatus and method
US20150027875A1 (en) Deposition apparatus and method for manufacturing display apparatus using the deposition apparatus
KR20020031816A (en) Sealing method of an outgasing holl for field emission display
KR0183546B1 (en) Improved field emission display

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant