KR101942686B1 - 퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법 - Google Patents

퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 퀀텀닷(20) 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법에 관한 것으로서, 글라스에 표면과 저면의 폭 차이가 최소화된 퀀텀닷홀(11)을 제조할 수 있도록 함을 목적으로 한 것이다.
즉, 본 발명은 퀀텀닷(20) 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법에 있어서, 글라스에 퀀텀닷홀(11) 이외의 글라스 보호를 위하여 UV잉크로 마스킹하는 마스킹인쇄과정과, 상기 마스킹인쇄과정을 통하여 인쇄된 마스킹을 건조하는 마스킹건조과정, 글라스에 퀀텀닷홀(11) 이외의 글라스 보호를 위하여 마스킹에 자외선을 조사하여 퀀텀닷홀(11) 이외의 마스킹을 UV경화시키는 노광과정, 글라스에 인쇄된 마스크층이 글라스에 견고하게 밀착되게 건조하는 프리베이크과정, 마스크층 중 UV경화되지 않은 비 노광 마스크층을 제거하여 퀀텀닷홀(11) 형성 부위의 글라스가 노출되게 하는 현상과정, 상기 현상과정을 통하여 글라스와의 부착력이 약화된 UV경화 마스크층이 글라스에 더욱 밀착되게 건조하는 하드베이크과정, 퀀텀닷홀(11) 형성 반대 측 글라스에 보호필름을 합지하는 보호필름합지과정, 글라스에 에칭액을 분무하여 노출된 현상과정을 통하여 노출된 글라스 표면을 에칭하는 에칭과정, 에칭과정 완료 후 글라스표면의 UV경화 마스킹층을 제거하는 박리과정 및 글라스를 세척하는 세척과정을 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.
따라서, 본 발명은 노광과정과 현상과정을 통하여 들 뜰 수 있는 마스크층을 글라스에 표면에 밀착시킴으로서 에칭과정에 글라스 표면과 퀀텀닷홀(11) 저면의 폭 차이가 최소화된 퀀텀닷홀(11)이 제조되는 효과를 갖는 것이다.

Description

퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법{Fabrication method of luminous body protection glass for Quantum dot display}
본 발명은 퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법에 있어서, 글라스에 퀀텀닷홀 이외의 글라스 보호를 위하여 UV잉크로 마스킹하는 마스킹인쇄과정과, 글라스에 인쇄된 마스크층이 글라스에 견고하게 밀착되게 건조하는 프리베이크과정 및 하드베이크과정 등을 통하여 디스플레이용 발광체보호글라스의 제조가 이루어져 , 퀀텀닷홀 형성 반대 측 글라스에 보호필름을 합지하는 보호필름합지과정, 글라스에 에칭액을 분무하여 노출된 현상과정을 통하여 노출된 글라스 표면을 에칭하는 에칭과정, 에칭과정 완료 후 글라스표면의 UV경화 마스킹층을 제거하는 박리과정 및 글라스를 세척하는 세척과정을 이루어져 글라스에 표면과 저면의 폭 차이가 최소화된 퀀텀닷홀을 제조할 수 있도록 함을 목적으로 한 것이다.
일반적으로, QLED(Quantum dot LED)는 양자점 즉 퀀텀닷(Quantum dot)이라는 유기물을 이용하여 색을 구현하는 디스플레이 인 것이다.
이상과 같은 QLED는 퀀텀닷에 의한 발광을 통하여 디스플레이가 이루어지는 것으로서, 전기에 의한 전기발광방식과 외부광원에 의한 형광발광방식이 개발되어 사용되고 있다.
상기한 바와 같은 QLED 중 형광발광방식은 광원을 생성하는 LED백라이트와 상기 LED백라이트의 광원에 의하여 발광이 이루어지게 퀀텀닷이 수용되는 퀀텀닷발광글라스 및 상기 퀀텀닷발광글라스에 조사되는 3원색의 광원을 제어부의 제어에 따라 투과를 제어하여 화면이 디스플레이되게 하는 액정부로 구성되는 것이다.
이와 같이 구성된 형광발광방식 QLED의 퀀텀닷발광글라스는 발광체보호글라스와 상기 발광체보호글라스의 퀀텀닷홀에 충진되는 퀀텀닷 상기 발광체보호글라스의 퀀텀닷홀 측을 커버하는 커버글라스로 구성되는 것이다.
한편, 상기 발광체보호글라스의 퀀텀닷홀 가공은 글라스 에칭을 통하여 글라스의 표면에 퀀텀닷홀을 가공형성하는 것이다.
그러나, 상기한 바와 같은 발광체보호글라스의 가공방법은 글라스 표면에 에칭을 통하여 퀀텀닷홀의 가공과정에 글라스표면 측이 폭이 넓어져 글라스표면과 퀀텀닷홀 바닥면의 폭 차이가 과다해져 수용된 퀀텀닷홀에서 발광된 광원이 산란에 의한 선명도와 광도가 저하되는 문제점이 있었다.
대한민국 특허공개 제10-2017-0015014호
이에, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래 발광체보호글라스의 가공방법이 가공된 퀀텀닷홀의 글라스표면 측 폭이 넓어져 글라스표면과 퀀텀닷홀 바닥면의 폭 차이가 과다해져 수용된 퀀텀닷홀에서 발광된 광원이 산란에 의한 선명도와 광도가 저하되는 문제점을 해결할 수 있도록 한 것이다.
즉, 본 발명은 퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법에 있어서, 글라스에 퀀텀닷홀 이외의 글라스 보호를 위하여 UV잉크로 마스킹하는 마스킹인쇄과정과, 상기 마스킹인쇄과정을 통하여 인쇄된 마스킹을 건조하는 마스킹건조과정, 글라스에 퀀텀닷홀 이외의 글라스 보호를 위하여 마스킹에 자외선을 조사하여 퀀텀닷홀 이외의 마스킹을 UV경화시키는 노광과정, 글라스에 인쇄된 마스크층이 글라스에 견고하게 밀착되게 건조하는 프리베이크과정, 마스크층 중 UV경화되지 않은 비 노광 마스크층을 제거하여 퀀텀닷홀 형성 부위의 글라스가 노출되게 하는 현상과정, 상기 현상과정을 통하여 글라스와의 부착력이 약화된 UV경화 마스크층이 글라스에 더욱 밀착되게 건조하는 하드베이크과정, 퀀텀닷홀 형성 반대 측 글라스에 보호필름을 합지하는 보호필름합지과정, 글라스에 에칭액을 분무하여 노출된 현상과정을 통하여 노출된 글라스 표면을 에칭하는 에칭과정, 에칭과정 완료 후 글라스표면의 UV경화 마스킹층을 제거하는 박리과정 및 글라스를 세척하는 세척과정을 이루어진 것을 특징으로 하는 것이다.
따라서, 본 발명은 글라스에 퀀텀닷홀 이외의 글라스 보호를 위하여 UV잉크로 마스킹하는 마스킹인쇄과정과, 글라스에 인쇄된 마스크층이 글라스에 견고하게 밀착되게 건조하는 프리베이크과정 및 하드베이크과정 등을 통하여 디스플레이용 발광체보호글라스의 제조가 이루어짐으로써, 노광과정과 현상과정을 통하여 들 뜰 수 있는 마스크층을 글라스에 표면에 밀착시킴으로서 에칭과정에 글라스 표면과 퀀텀닷홀 저면의 폭 차이가 최소화된 퀀텀닷홀이 제조되는 효과를 갖는 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 공정도.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 프리베이크가압 및 하드베이크가압 공정을 실시하는 공정도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 에칭베이크을 실시하는 공정도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 에칭베이크가압을 실시하는 공정도.
도 5는 본 발명의 실시예를 보인 글라스의 상세 예시도.
도 6은 본 발명의 실시예를 보인 퀀텀닷홀의 상세 사진.
도 6 은 본 발명의 실시예를 보인 측 단면 예시도.
도 7 는 본 발명의 글라스 상면에 보호글라스가 결합된 것을 보인 예시도.
이하, 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명은 마스크층을 글라스에 표면에 밀착시켜 글라스 표면과 퀀텀닷홀 저면의 폭 차이가 최소화된 퀀텀닷홀이 제조되도록 한 것으로서, 본 발명의 권리범위는 본문에 설명된 실시예에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 즉, 실시예는 다양한 변경이 가능하고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 본 발명의 권리범위는 기술적 사상을 실현할 수 있는 균등물들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 본 발명에서 제시된 목적 또는 효과는 특정 실시예가 이를 전부 포함하여야 한다거나 그러한 효과만을 포함하여야 한다는 의미는 아니므로, 본 발명의 권리범위는 이에 의하여 제한되는 것으로 이해 되어서는 아니 될 것이다.
즉, 본 발명은 퀀텀닷(20) 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법에 있어서, 마스킹인쇄과정(110)과, 마스킹건조과정(120), 노광과정(130), 프리베이크과정(140), 현상과정(150), 하드베이크과정(160), 보호필름합지과정(170), 에칭과정(180), 박리과정(190) 및 세척과정(200)으로 이루어진 것이다.
여기서, 상기 마스킹인쇄과정(110)은 글라스에 퀀텀닷홀(11) 이외의 글라스 보호를 위하여 UV잉크로 마스킹 인쇄하는 것이다.
상기 마스킹인쇄과정(110)의 글라스는 화학적 내구성과 반응성이 균일한 무알카리글라스를 적용하여 실시함이 바람직한 것이다.
상기 마스킹인쇄과정(110)의 글라스는 원판을 사용하여 실시할 수 있는 것이다.
상기 마스킹인쇄과정(110)의 글라스는 원판 글라스를 셀단위로 절단된 셀글라스로 실시할 수 있는 것이다.
그리고, 상기 마스킹건조과정(120)은 마스킹인쇄과정(110)을 통하여 인쇄된 마스킹층을 건조하는 것이다.
상기 마스킹건조과정(120)의 온도는 100℃ ~ 130℃에서 5~15분 동안 실시할 수 있는 것이다.
또한, 상기 노광과정(130)은 글라스에 퀀텀닷홀(11) 이외의 글라스 보호를 위하여 마스킹층에 365nm파장에서 5~20mj/㎠ 자외선을 조사하여 퀀텀닷홀(11) 이외의 마스킹을 UV경화시키는 것이다.
또한, 상기 프리베이크과정(140)(PRE BAKE)은 글라스에 인쇄된 마스크층이 글라스에 견고하게 밀착되게 건조하는 것이다.
상기 프리베이크과정은 90℃ ~ 140℃의 온도에서 5~15분간 열풍 또는 IR 방식으로 이루어질 수 있는 것이다.
상기 프리베이크과정에 마스크층을 가압하여 밀착시키는 프리베이크가압과정(141)이 이루어지게 실시할 수 있는 것이다.
또한, 상기 현상과정(150)은 마스크층 중 UV경화되지 않은 비 노광 마스크층을 제거하여 퀀텀닷홀(11) 형성 부위의 글라스가 노출되게 경화되지 않은 마스크층을 제거하는 것이다.
또한, 상기 하드베이크과정(160)(HARD BAKE)은 현상과정(150)을 통하여 글라스와의 부착력이 약화된 UV경화 마스크층이 글라스에 더욱 밀착되게 건조하는 것이다.
상기 하드베이크과정(160)은 130℃~190℃온도에서 20~90분간 열풍 또는 IR 방식에 의하여 이루어지게 실시할 수 있는 것이다.
상기 하드베이크과정(160)에 마스크층을 가압하여 밀착시키는 하드베이크가압과정(161)이 이루어지게 실시할 수 있는 것이다.
또한, 상기 보호필름합지과정(170)은 퀀텀닷홀(11) 형성 반대 측 글라스에 보호필름을 합지하는 것이다.
또한, 상기 에칭과정(180)은 글라스에 에칭액을 분무하여 노출된 현상과정(150)을 통하여 노출된 글라스 표면을 에칭하는 것이다.
상기 에칭과정(180)은 글라스의 하부에서 에칭액을 스프레이하여 실시할 수 있는 것이다.
상기 에칭과정(180)은 글라스를 수직으로 세워 높고 측면에서 에칭액을 스프레이하여 실시할 수 있는 것이다.
상기 에칭과정(180)에 있어서, 들뜬 마스킹을 글라스 표면에 더욱 밀착시켜 글라스표면에서 퀀턴탓홀의 폭이 넓어지지 않게 에칭베이크과정(181)이 추가로 이루어지게 실시할 수 있는 것이다.
상기 에칭베이크과정(181)은 130℃~190℃온도에서 5~100분간 열풍 또는 IR 방식에 의하여 이루어지게 실시할 수 있는 것이다.
상기 에칭베이크과정(181)에 마스킹을 가압하는 에칭베이크가압과정(182)이 추가로 이루어지게 실시할 수 있는 것이다.
또한, 상기 박리과정(190)은 에칭과정(180) 완료 후 글라스표면의 UV경화 마스킹층을 제거하는 것이다.
상기 박리과정(190)은 글라스 표면의 잔여 마스킹을 50℃~70℃ 온도에서 10~15분 동안 박리액을 이용하여 글라스 표면에 잔여 파티클이 남지 않도록 제거하는 것이다.
또한 상기 세척과정(200)은 글라스를 순수한 세정수로 잔여 오염을 차단하고 글라스 표면 및 패턴닝 영역을 세척하고 패턴 에칭 내부의 얼룩 및 잔상이 없도록 하며, 세척 후에는 수분이 남지 않도록 세척후 열풍으로 수분을 증발시켜 이루어지는 것이다.
한편, 본 발명의 실시에 있어서 원판으로 박리과정(190) 까지 이루어진 경우에는 셀단위로 절단하는 셀절단과정이 추가로 이루어지는 것이다.
이하, 본 발명의 작용효과에 대하여 설명하면 다음과 같다.
상기한 바와 같이 퀀텀닷(20) 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법에 있어서, 글라스에 퀀텀닷홀(11) 이외의 글라스 보호를 위하여 UV잉크로 마스킹하는 마스킹인쇄과정(110)과, 상기 마스킹인쇄과정(110)을 통하여 인쇄된 마스킹을 건조하는 마스킹건조과정(120), 글라스에 퀀텀닷홀(11) 이외의 글라스 보호를 위하여 마스킹에 자외선을 조사하여 퀀텀닷홀(11) 이외의 마스킹을 UV경화시키는 노광과정(130), 글라스에 인쇄된 마스크층이 글라스에 견고하게 밀착되게 건조하는 프리베이크과정(140), 마스크층 중 UV경화되지 않은 비 노광 마스크층을 제거하여 퀀텀닷홀(11) 형성 부위의 글라스가 노출되게 하는 현상과정(150), 상기 현상과정(150)을 통하여 글라스와의 부착력이 약화된 UV경화 마스크층이 글라스에 더욱 밀착되게 건조하는 하드베이크과정(160), 퀀텀닷홀(11) 형성 반대 측 글라스에 보호필름을 합지하는 보호필름합지과정(170), 글라스에 에칭액을 분무하여 노출된 현상과정(150)을 통하여 노출된 글라스 표면을 에칭하는 에칭과정(180), 에칭과정(180) 완료 후 글라스표면의 UV경화 마스킹층을 제거하는 박리과정(190) 및 글라스를 세척하는 세척과정(200)을 이루어진 본 발명을 적용하여 실시하게 되면, 노광과정(130)과 현상과정(150)을 통하여 마스킹층이 들떠 에칭과정(180)의 에칭액이 들뜬 마스킹층으로 침투되어서 글라스표면 측이 폭이 넓어지게 에칭되지 않도록 마스크층을 글라스에 표면에 밀착시킴으로서 에칭과정(180)에 마스킹층으로 에칭액이 침투되어 글라스 표면이 넓게 에칭되지 않아 표면과 저면의 폭 차이가 최소화된 퀀텀닷홀(11)이 제조되는 것이다.
한편, 본 발명의 실시에 있어, 하드베이크가압과정(161)을 추가로 실시하게 되면, 하드베이크과정(160)에 마스크층을 긴밀하게 글라스에 밀착되게 되는 것이다.
또한, 본 발명의 실시에 있어, 에칭베이크가압과정(182)을 추가로 실시하게 되면 에칭베이크과정(181)에 마스킹이 더욱 글라스에 밀착되는 것이다.
미설명부호 20은 퀀텀닷홀(11)에 채워지는 퀀텀닷(20)이고, 미설명부호 30은 글라스(10) 상면을 보호하는 커버글라스(30)인 것이다.
10 : 글라스 11 : 퀀텀닷홀
20 : 퀀텀닷
30 : 커버글라스
110 : 마스킹인쇄과정
120 : 마스킹건조과정
130 : 노광과정
140 : 프리베이크과정
141 : 프리베이크가압과정
150 : 현상과정
160 : 하드베이크과정
161 : 하드베이크가압과정
170 : 보호필름합지과정
180 : 에칭과정
181 : 에칭베이크과정
182 : 에칭베이크가압과정
190 : 박리과정
200 : 세척과정

Claims (7)

  1. 퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법에 있어서;
    글라스에 퀀텀닷홀(11) 이외의 글라스 보호를 위하여 UV잉크로 마스킹하는 마스킹인쇄과정(110)과, 상기 마스킹인쇄과정(110)을 통하여 인쇄된 마스킹을 건조하는 마스킹건조과정(120), 글라스에 퀀텀닷홀(11) 이외의 글라스 보호를 위하여 마스킹에 자외선을 조사하여 퀀텀닷홀(11) 이외의 마스킹을 UV경화시키는 노광과정(130), 글라스에 인쇄된 마스크층이 글라스에 견고하게 밀착되게 건조하는 프리베이크과정(140), 마스크층 중 UV경화되지 않은 비 노광 마스크층을 제거하여 퀀텀닷홀(11) 형성 부위의 글라스가 노출되게 하는 현상과정(150), 상기 현상과정(150)을 통하여 글라스와의 부착력이 약화된 UV경화 마스크층이 글라스에 더욱 밀착되게 건조하는 하드베이크과정(160), 퀀텀닷홀(11) 형성 반대 측 글라스에 보호필름을 합지하는 보호필름합지과정(170), 글라스에 에칭액을 분무하여 노출된 현상과정(150)을 통하여 노출된 글라스 표면을 에칭하는 에칭과정(180), 에칭과정(180) 완료 후 글라스표면의 UV경화 마스킹층을 제거하는 박리과정(190) 및 글라스를 세척하는 세척과정(200)을 이루어진 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서;
    상기 프리베이크과정은 90℃ ~ 140℃의 온도에서 5~15분간 열풍 또는 IR 방식으로 이루어지며,
    상기 프리베이크과정에 마스크층을 가압하여 밀착시키는 프리베이크가압과정(141)이 이루어진 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서;
    상기 하드베이크과정(160)은 130℃~190℃온도에서 20~90분간 열풍 또는 IR 방식에 의하여 이루어지며,
    상기 하드베이크과정(160)에 마스크층을 가압하여 밀착시키는 하드베이크가압과정(161)이 이루어진 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서;
    상기 에칭과정(180)은 글라스의 하부에서 에칭액을 스프레이하여 이루어진 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서;
    상기 에칭과정(180)은 글라스를 수직으로 세워 높고 측면에서 에칭액을 스프레이하여 이루어진 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법.
  6. 제 5 항에 있어서;
    상기 에칭과정(180)에 들뜬 마스킹을 글라스 표면에 더욱 밀착시켜 글라스표면에서 퀀턴탓홀의 폭이 넓어지지 않게 에칭베이크과정(181)이 추가로 이루어지되,
    상기 에칭베이크과정(181)은 130℃~190℃온도에서 5~100분간 열풍 또는 IR 방식에 의하여 이루어진 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서;
    상기 에칭베이크과정(181)에 마스킹을 가압하는 에칭베이크가압과정(182)이 추가로 이루어진 것을 특징으로 하는 퀀텀닷 디스플레이용 발광체보호글라스 제조방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100729653B1 (ko) * 2006-03-03 2007-06-19 (주)나노닉스 유기 전계 발광 소자 밀봉용 커버 글라스의 제조 방법
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Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102508995B1 (ko) * 2015-10-21 2023-03-10 삼성전자주식회사 감광성 조성물 및 이로부터 제조된 양자점-폴리머 복합체 패턴

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100729653B1 (ko) * 2006-03-03 2007-06-19 (주)나노닉스 유기 전계 발광 소자 밀봉용 커버 글라스의 제조 방법
KR20170015014A (ko) 2015-07-31 2017-02-08 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치

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