KR101938990B1 - 광학 위상 어레이 칩 내 나노 메탈 안테나의 제작 방법 및 그 소자 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)에 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 제작하는 방법 및 그 소자에 관한 것으로서, 상기 광학 위상 어레이 칩의 단면도에 따른 웨이퍼(Wafer) 내 일정 영역에 상기 나노 메탈 안테나를 제작하기 위한 캐비티(cavity)를 형성하는 단계, 및 상기 형성된 캐비티에 나노 금속박막 구조의 상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)에 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 제작하는 방법 및 그 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 빔의 반사 및 굴절 효과를 향상시키는 나노 메탈 안테나를 제작하는 방법 및 나노 메탈 안테나를 구성하는 소자에 관한 것이다.
광학 위상 어레이(Optical Phased Array; OPA)는 무인자동차, 로봇 등에서 영상 스캐닝을 위해 광 빔을 주사하는 광원으로 사용될 수 있다. 이러한 응용을 위한 광학 위상 어레이 안테나의 바람직한 성능은 크기가 작고, 광 빔 발산 효율이 높으며, 선명한 빔을 형성하고, 빔 스캐닝 범위가 넓으며, 빔 스캐닝 속도가 빨라야 한다. 이에 따라, 소형화를 우선적으로 달성하고자 반도체 소재를 사용하는 나노포토닉스 기반의 광학 위상 어레이 안테나가 제안될 필요가 있다. 반도체 소재의 나노포토닉스 기반의 광학 위상 어레이 안테나를 구현하려면, 소자의 규모가 작음으로 인하여 다른 여러 가지 성능을 확보하는데에 복합적인 제약이 개입될 수 있다.
나노포토닉스 기반의 광 위상배열 안테나에 대한 종래의 발명(US Patent Application 2014/0192394 A1)에서 반도체 실리콘 소재를 기반으로 위상제어 광소자를 matrix형으로 집적한 광 위상배열 안테나가 제안된 바 있다. 종래의 위상배열 안테나에서는 광파의 위상제어를 thermooptic 효과에 의해 굴절률이 변화되는 원리를 이용한다. 상기 발명에서는 안테나 전단에 광 지연선(optical delay line)을 설치하고, 광 지연선 부분에 전류를 주입해서 가열시키는 것이며 지연선 부분이 가열되어 온도가 올라가면, 광학에서 잘 알려진, thermooptic 효과에 의해 굴절률이 증가되어 지연선을 통과한 광파의 위상을 변화시키는 것이다. 하지만 상기 발명은 종래의 기술과 같이, thermooptic 효과를 이용할 경우에는 반도체 소재 가열에 소모되는 소비전력이 크고 제어 속도도 느린 단점이 있다.
위상배열 안테나를 구성함에 있어서 광파의 공급선 배치 또한 중요한 설계변수이다. 상기 발명에서는 matrix형으로 배치된 단위 안테나 소자에 광파를 공급하는 방식은 직렬분배 방식을 사용하였다. 다시 말해서, 상기 발명은 직선의 광 도파로(optical waveguide)에 광파를 주입하고 이 직선 광 도파로 측면에 여러 개의 광 커플러를 직렬로 설치하여, 각 커플러로 일정부분의 광 파워를 순차적으로 추출하여 단위 안테나 소자로 공급해주는 방식이다. 이러한 직렬 공급방식에서는 앞선 단위소자로 분배되고 남은 파워 중에서 일부를 다음 단위소자로 추출해주기 때문에 균일한 광 파워를 각 단위 소자로 공급하기가 어렵다.
이러한 종래의 기술을 제안하는 상기 발명의 문제점을 극복하기 위해 나노포토닉 발산기(nanophotonic radiator)를 어레이(array)로 배열하여 각각의 발산기에 공급되는 광파의 위상을 제어함으로써, 광파의 간섭에 의해 좁은 영역에 광 빔(light beam)을 형성시키는 기술이 새로이 제안되었다. 다만, 상기 제안 기술은 그레이팅 어레이(Grating Array)의 광파 발산기를 이용함으로써, 방사각이 한정된다는 한계가 존재하였다.
본 발명의 목적은 그레이팅 어레이(Grating Array) 대신에 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 사용하는 광파 발산기를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예에 따른 광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)에 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 제작하는 방법에 있어서, 상기 광학 위상 어레이 칩의 단면도에 따른 웨이퍼(Wafer) 내 일정 영역에 상기 나노 메탈 안테나를 제작하기 위한 캐비티(cavity)를 형성하는 단계 및 상기 형성된 캐비티에 나노 금속박막 구조의 상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계를 포함한다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계 전, 상기 나노 메탈 안테나의 전자 빔(EBeam) 공정을 위한 전자 빔 키(EBeam Key)를 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 전자 빔 키를 형성하는 단계는 매립형 산화물(buried oxide; BOX) 층 상에 형성된 탑 실리콘(Top Si) 상에, 반사방지막(BARC) 포토레지스트(PhotoResist)를 코팅하는 단계, 상기 반사방지막 포토레지스트 내 양측 영역을 오픈(open)하는 단계, 건식식각(Dry Etch) 공정을 통해 상기 양측 영역에 따른 상기 탑 실리콘의 일부를 식각하는 단계 및 상기 반사방지막 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 전자 빔 키는 광 도파로(Waveguide)의 양측에 각각 형성되며, 상기 형성된 캐비티에 수직 형상으로 형성될 수 있다.
상기 광 도파로는 Rib형 및 channel형 중 적어도 어느 하나의 도파로 구조로 제작될 수 있다.
상기 캐비티를 형성하는 단계는 상기 웨이퍼 상에 불화크립톤(KrF) 포토레지스트(PhotoResist)를 코팅하는 단계, 상기 불화크립톤 포토레지스트 내 상기 일정 영역을 오픈(open)하는 단계, 상기 일정 영역에 대응하는 상기 웨이퍼 내 산화물(Oxide) 층을 식각하는 단계 및 상기 불화크립톤 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 일정 영역을 오픈하는 단계는 불화크립톤 스캐너(KrF Scanner)를 이용하여 상기 나노 메탈 안테나가 형성되는 위치에서의 상기 불화크립톤 포토레지스트 내 상기 일정 영역을 오픈할 수 있다.
상기 웨이퍼 내 산화물 층을 식각하는 단계는 건식식각(Dry Etch) 공정을 통해 상기 일정 영역에 따른 상기 산화물 층의 일부분을 식각하고, 습식식각(Wet Etch) 공정을 통해 상기 일정 영역에 따른 상기 산화물 층을 모두 식각할 수 있다.
상기 불화크립톤 포토레지스트를 제거하는 단계는 상기 불화크립톤 포토레지스트를 제거하고, 화학물질(Chemical)을 이용하여 상기 웨이퍼를 클리닝(Cleaning)할 수 있다.
상기 캐비티를 형성하는 단계는 건식식각 및 습식식각의 식각 공정을 통해 상기 웨이퍼 내 상기 일정 영역에서의 탑 실리콘(Top Si)을 오픈(open)하여 상기 캐비티를 형성할 수 있다.
상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계는 상기 캐비티를 포함한 웨이퍼(Wafer) 상에 전자 빔(EBeam) 포토레지스트(PhotoResist)를 코팅하는 단계, 전자 빔(EBeam)을 이용하여 상기 전자 빔 포토레지스트 내 안테나 형성 영역을 오픈(open)하는 단계, 상기 오픈된 안테나 형성 영역을 포함하는 상기 전자 빔 포토레지스트 상에 나노 금속 물질을 증착하는 단계 및 상기 전자 빔 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 안테나 형성 영역을 오픈하는 단계는 상기 전자 빔을 이용하여 상기 나노 메탈 안테나가 형성되는 탑 실리콘(Top Si) 상의 위치에서의 상기 전자 빔 포토레지스트 내 상기 안테나 형성 영역을 오픈할 수 있다.
상기 나노 금속 물질을 증착하는 단계는 상기 안테나 형성 영역을 포함하는 상기 전자 빔 포토레지스트 상에 상기 나노 금속 물질을 증발(Evaporation) 또는 스퍼터(Sputter)로 증착할 수 있다.
상기 나노 금속 물질은 금(Au) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나인 것이 특징일 수 있다.
상기 전자 빔 포토레지스트를 제거하는 단계는 아세톤(Acetone) 또는 전자 빔 포토레지스트 리무버(Remover)가 담긴 용기에 상기 웨이퍼를 침지시켜 상기 웨이퍼 상의 상기 전자 빔 포토레지스트를 제거할 수 있다.
상기 전자 빔 포토레지스트를 제거하는 단계는 상기 전자 빔 포토레지스트의 제거 후, 용제 세정 화학물질(Solvent Cleaning Chemical)을 이용하여 클리닝(Cleaning)할 수 있다.
상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계는 상기 캐비티를 포함한 웨이퍼 내 상기 안테나 형성 영역에서의 탑 실리콘(Top Si) 상에 상기 나노 금속 물질을 증착하여 상기 나노 메탈 안테나를 제작할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)에 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 제작하는 방법에 있어서, 상기 광학 위상 어레이 칩의 단면도에 따른 웨이퍼(Wafer) 내 일정 영역에 상기 나노 메탈 안테나를 제작하기 위한 캐비티(cavity)를 형성하는 단계, 상기 나노 메탈 안테나의 전자 빔(EBeam) 공정을 위한 전자 빔 키(EBeam Key)를 형성하는 단계 및 상기 형성된 캐비티에 나노 금속박막 구조의 상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노 메탈 안테나를 구성하는 소자는 적어도 하나 이상으로 구성된 광원, 상기 광원으로부터 발생되는 광파를 분배하는 광 파워 분배기, 상기 광파가 분배됨에 따라 상기 광파의 위상을 제어하는 위상 제어기 및 상기 제어된 위상에 기초하여 상기 광파를 공간으로 발산하는 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 포함하고, 상기 나노 메탈 안테나에 수직 형상으로 형성되며, 광 도파로(Waveguide)의 양측에 각각 형성된 전자 빔 키를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 나노 메탈 안테나는 캐비티(cavity)를 포함한 광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)의 단면도에 따른 웨이퍼(Wafer) 내 탑 실리콘(Top Si) 상에 나노 금속 물질을 증착하여 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 광학 위상 어레이 칩 내 나노 메탈 안테나를 제작하는 방법은 그레이팅 어레이(Grating Array) 대신에 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 사용하는 광파 발산기를 제공함으로써, 빔의 반사 및 굴절 효과를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 광학 위상 어레이 칩 내 나노 메탈 안테나를 제작하는 방법은 나노 메탈 안테나를 제작하기 위한 공정 전에 전자 빔 키(EBeam Key)를 형성함으로써, 정렬 정밀도(Align Accuracy)를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 광학 위상 어레이 칩 내 나노 메탈 안테나를 제작하는 방법은 광 파워 분배기를 1:N 광 파워 분배기로 다단계 병렬분배 시킴으로써, 광파 발산기 어레이에 비교적 균일하게 광 파워를 공급해 줄 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 광학 위상 어레이 안테나를 구성하는 소자들의 배치를 나타내는 개략도를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법의 흐름도를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 캐비티를 형성하는 단계의 흐름도를 도시한 것이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 실시예에 따른 캐비티의 형성 과정을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전자 빔 키를 형성하는 단계의 흐름도를 도시한 것이다.
도 6은 전자 빔 키를 포함하는 구조 예를 도시한 것이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 실시예에 따른 전자 빔 키의 형성 과정을 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계의 흐름도를 도시한 것이다.
도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 과정을 도시한 것이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 캐비티를 포함하는 웨이퍼의 단면도를 도시한 것이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 단면에서의 나노 메탈 안테나의 구조 예를 도시한 것이다.
도 12a 및 도 12b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 단면에서의 나노 메탈 안테나의 구조 예를 도시한 것이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나 어레이의 예를 도시한 것이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 캐비티에 대한 주사전자현미경 이미지를 도시한 것이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나에 대한 주사전자현미경 이미지를 도시한 것이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 메탈 안테나를 구성하는 소자의 구조를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법의 흐름도를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 캐비티를 형성하는 단계의 흐름도를 도시한 것이다.
도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 실시예에 따른 캐비티의 형성 과정을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전자 빔 키를 형성하는 단계의 흐름도를 도시한 것이다.
도 6은 전자 빔 키를 포함하는 구조 예를 도시한 것이다.
도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 실시예에 따른 전자 빔 키의 형성 과정을 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계의 흐름도를 도시한 것이다.
도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 과정을 도시한 것이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 캐비티를 포함하는 웨이퍼의 단면도를 도시한 것이다.
도 11a 및 도 11b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 단면에서의 나노 메탈 안테나의 구조 예를 도시한 것이다.
도 12a 및 도 12b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 단면에서의 나노 메탈 안테나의 구조 예를 도시한 것이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나 어레이의 예를 도시한 것이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 캐비티에 대한 주사전자현미경 이미지를 도시한 것이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나에 대한 주사전자현미경 이미지를 도시한 것이다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 메탈 안테나를 구성하는 소자의 구조를 도시한 것이다.
이하, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 시청자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 일 실시예에 따른 광학 위상 어레이 안테나를 구성하는 소자들의 배치를 나타내는 개략도를 도시한 것이다.
광학 위상 어레이 안테나(Optical Phased Array Antenna 또는 Photonic Phased Array Antenna)를 구성하는 주요 소자들은 크게 광원(light source, 110), 광 파워 분배기(power distributor, 120, 130), 위상 제어기(phase controller, 140), 광파 발산기(radiator, 150)로 구성될 수 있다. 이들 구성 소가 간에는 광원(110)과 광 파워 분배기(120, 130)의 사이, 광 파워 분배기(120, 130)와 위상 제어기(140) 사이, 위상 제어기(140)와 광파 발산기(150)의 사이에 각각의 광 도파로(Waveguide, 161, 162, 163)로 연결될 수 있다. 이 때, 위상 제어기(140)와 광파 발산기(150) 사이에 연결되어 있는 광 도파로는 밀집도가 높아 도파로 간의 커플링(coupling)이 발생될 수 있어 그 배치가 중요하므로, 위상 공급선(phasefeeding line, 171)이라는 별도의 명칭을 부여하여 설명하기로 한다.
일 실시예에 따른 광학 위상 어레이 안테나를 구성하는 소자들은 위상 어레이 안테나를 소형화하기 위하여, 광 파워 분배기(120, 130), 위상 제어기(140), 위상 공급선(171), 광파 발산기(150)와 광 도파로(161, 162, 163)는 반도체 소재로 형성할 수 있다. 여기서, 반도체 소재에는 실리콘, 화합물 소재 반도체뿐만 아니라 이들 소재의 광소자 제작에 사용되는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 등의 절연체(dielectric) 소재와 금속 박막 소재들을 포함할 수 있다. 일 실시예에 따른 반도체 기반 소자들은 기하학적인 크기와 광파의 파장 규모에 근접하거나 파장 보다 작은 규모로 형성하는 것이 적합하므로, 나노포토닉스 영역에 해당된다.
광원(110)은 위상이 정합된 광파(coherent light)를 제공할 수 있는 레이저(laser) 광원을 사용할 수 있다. 광원은 일반적인 연속파(continues wave, CW) 광원을 사용하는 것이 바람직하지만, 이에 국한되지 않고, 거리 측정 등의 기능을 부여하기 위하여 변조(modulation) 또는 코딩(coding)이 된 광원을 사용할 수도 있다. 광원(110)은 광 도파로(161)에 직접 결합시키거나, 광섬유, 격자 커플러, 빔 인버터(beam invertor) 등을 통하여 광 도파로(161)에 결합시킬 수도 있다.
광 도파로(161, 162, 163)는 일반적인 반도체 또는 절연체 소재가 사용될 수 있으며, rib형, channel형 등의 도파로 구조로 제작될 수 있다. 광원의 파장은 사용되는 광 도파로(161, 162, 163)에서 광손실(optical loss)이 적은 파장대역 중에서 선택될 수 있다.
광 파워 분배기(120, 130)는 단일의 광원(110)으로부터 나오는 광파를 N(N은 자연수)개의 위상 제어기(140)로 분배시키기 위한 소자이다. 광 파워 분배기(120, 130)는 광 파워를 분배함에 있어서, 1:N으로 분배되는 단일의 광 파워 분배기를 사용하거나 또는 1:N 광 파워 분배기를 다단계로 연결하여 1:N으로 분배시킬 수도 있다. 도 1에서는, 광 파워 분배기(120, 130)는 1:4 분배기를 2단계로 분배시켜 1:16 분배를 시행한 일례를 보여주고 있다. 또 다른 예로 1:2 분배기를 이용할 경우, 4단계 분배로 1:16 분배도 가능하다. 상기 1:N 분배기로는 다중모드 간섭기(Multimode interference; MMI), 커플러(coupler), 빔 스플리터(beam splitter) 등의 광소자를 활용하여 구현할 수 있다.
위상 제어기(140)는 발산기 어레이(151)에 각 발산기(150) 소자 마다 위상이 등간격으로 차이를 둔 광파를 공급하기 위하여, 광파의 위상을 제어하는 기능을 갖는다.
이하에서는 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 사용한 광파 발산기(150)를 포함하는 소자 및 광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)에 나노 메탈 안테나를 제작하는 방법에 대해 도 2 내지 도 16을 참조하여 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법의 흐름도를 도시한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)에 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 제작하는 방법은 단계 210에서 광학 위상 어레이 칩의 단면도에 따른 웨이퍼(Wafer) 내 일정 영역에 나노 메탈 안테나를 제작하기 위한 캐비티(cavity)를 형성한다. 이후, 단계 220에서 형성된 캐비티에 나노 금속박막 구조의 나노 메탈 안테나를 제작한다.
이하에서는 도 3 내지 도 4d를 참조하여 단계 210에 대해 보다 상세히 설명하고자 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 캐비티를 형성하는 단계의 흐름도를 도시한 것이고, 도 4a 내지 도 4d는 본 발명의 실시예에 따른 캐비티의 형성 과정을 도시한 것이다.
도 3 및 도 4a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 211에서, 웨이퍼(400) 상에 불화크립톤 포토레지스트(KrF PhotoResist, 450)를 코팅할 수 있다.
예를 들면, 단계 211에서 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 웨이퍼(400) 전면에 불화크립톤(KrF) 상에 포토레지스트를 도포한 후, 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하여 불화크립톤 포토레지스트(450)를 코팅할 수 있다. 실시예에 따라서, 노광 방식에 따라 G라인, I라인, 불화크립톤(KrF), 불화아르곤(ArF) 및 극자외선(EUV) 방식으로 분류될 수 있다.
이 때, 도 4a에 도시된 바와 같은 웨이퍼(400)는 광학 위상 어레이 칩(OPA Chip)의 단면도를 나타내며, 웨이퍼(400)는 실리콘 기판(Si Substrate, 410) 상에 형성된 매립형 산화물(buried oxide; BOX, 420)층을 포함할 수 있다. 또한, 웨이퍼(400)는 매립형 산화물층(420) 상에 광소자가 형성되는 탑 실리콘(430)을 포함하며, 광소자의 오버 클래딩(over cladding) 및 반도체 소자의 IMD(InterMetal Dielectric) 역할인 산화물층(Oxide, 440)를 포함할 수 있다.
이후, 도 3 및 도 4b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 212에서, 불화크립톤 포토레지스트(750) 내 일정 영역(460)을 오픈할 수 있다.
예를 들면, 단계 212에서 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 불화크립톤 스캐너(KrF Scanner)를 이용하여 나노 메탈 안테나가 형성되는 위치에서의 불화크립톤 포토레지스트(450) 내 일정 영역(460)을 오픈할 수 있다. 나아가, 단계 212를 통해 오픈된 일정 영역(460)에 의해 웨이퍼(400) 내의 산화물층(440) 일부가 오픈되며, 이후 과정에서, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 오픈된 산화물층(440)의 일부에 대해 식각 공정을 수행할 수 있다.
이후, 도 3 및 도 4c를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 213에서, 일정 영역(460)에 대응하는 웨이퍼 내 산화물(Oxide) 층을 식각(461)할 수 있다.
예를 들면, 단계 213에서, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 건식식각(Dry Etch) 공정을 통해 일정 영역(460)에 따른 산화물 층(440)의 일부분을 건식식각하고, 남은 산화물 층(440)을 고 선택비의 화학물질(Chemical)을 이용하여 습식식각(Wet Etch) 공정을 통해 습식식각함으로써, 광파 발산기(Radiator)인 나노 메탈 안테나가 형성될 탑 실리콘(430)의 손상을 최소화하여 오픈(open)할 수 있다.
실시예에 따라서, 단계 213은 습식식각(Wet Etch) 공정만을 이용하여 웨이퍼(400) 내의 산화물 층(440)을 식각할 수도 있다. 또한, 단계 213에 따른 식각공정을 통해 불화크립톤 포토레지스트(451)의 두께가 감소할 수도 있다.
이후, 도 3 및 도 4d를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 214에서, 불화크립톤 포토레지스트(451)를 제거하여 캐비티의 오픈(462)을 형성할 수 있다.
예를 들면, 단계 214에서, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 나노 메탈 안테나가 형성될 캐비티(462)가 오픈되면, 불화크립톤 포토레지스트(451)를 제거하고, 탑 실리콘(430) 또는 산화물층(440)에 손상을 최소화하는 화학물질(chemical)을 이용하여 웨이퍼(400)를 클리닝(cleaning)할 수 있다.
이에 따라서, 도 2에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법의 단계 210은 건식식각 및 습식식각의 식각 공정을 통해 웨이퍼(400) 내 일정 영역(460)에서의 탑 실리콘(Top Si, 430)을 오픈(open)하여 캐비티(462)를 형성하는 것을 특징으로 한다.
다시 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 220 전, 나노 메탈 안테나의 전자 빔(EBeam) 공정을 위한 전자 빔 키(EBeam Key)를 형성하는 단계(단계 230)를 선행할 수 있다.
이하에서는 도 5 내지 도 7d를 참조하여 단계 230에 대해 보다 상세히 설명하고자 한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 전자 빔 키를 형성하는 단계의 흐름도를 도시한 것이고, 도 6은 전자 빔 키를 포함하는 구조 예를 도시한 것이며, 도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 실시예에 따른 전자 빔 키의 형성 과정을 도시한 것이다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 메탈 안테나를 구성하는 소자는 캐비티(cavity) 형성 영역(610) 및 전자 빔 키(EBeam Key) 형성 영역(620)을 포함할 수 있다. 이 때, 전자 빔 키 형성 영역(620)은 광 도파로(Waveguide)의 양측에 각각 형성되며, 형성된 캐비티 형성 영역(610)에 수직 형상으로 형성될 수 있으며, 상기 광 도파로는 Rib형 및 Channel형 중 적어도 어느 하나의 도파로 구조로 제작될 수 있다.
이에 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 230을 통해 나노 메탈 안테나를 제작하기 위한 공정 전, 전자 빔 공정을 위한 전자 빔 키를 선행하여 형성함으로써, 정렬 정밀도(Align Accuracy)를 향상시킬 수 있는 효과를 제공한다.
도 5 및 도 7a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 231에서, 매립형 산화물(buried oxide; BOX, 710) 층 상에 탑 실리콘(Top Si, 720)이 형성되고, 탑 실리콘(720) 상에 반사방지막 포토레지스트(BARC PhotoResist, 730)를 코팅할 수 있다.
예를 들면, 단계 231에서 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 탑 실리콘(720)을 기반으로, 반사방지막 상에 포토레지스트를 도포한 후, 노광 및 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하여 반사방지막 포토레지스트(730)를 코팅할 수 있다. 이 때, 매립형 산화물(710)층은 옥사이드(oxide) 막으로, SOI웨이퍼일 수 있으며, 탑 실리콘(720)은 실리콘 층일 수 있다.
이후, 도 5 및 도 7b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 232에서, 반사방지막 포토레지스트 내 양측 영역(740)을 오픈(open)할 수 있다.
예를 들면, 단계 232에서 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 반사방지막 스캐너(Scanner)를 이용하여 양측 영역(740)에서의 탑 실리콘(720)의 일부가 오픈되도록 포토(photo) 작업할 수 있다.
이후, 도 5 및 도 7c를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 233에서, 건식식각(Dry Etch) 공정을 통해 양측 영역(741)을 건식식각하여 탑 실리콘의 일부(741)를 식각할 수 있다.
이후, 도 5 및 도 7d를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 234에서, 반사방지막 포토레지스트를 제거하여 전자 빔 키의 오픈(742)을 형성할 수 있다.
예를 들면, 단계 234에서 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 전자 빔 키의 영역(742)이 오픈되면, 아세톤(Acetone) 또는 리무버(Remover)를 이용하여 반사방지막 포토레지스트(730)을 제거하고, 탑 실리콘(720)에 손상을 최소화하는 화학물질(chemical)을 이용하여 클리닝(cleaning)할 수 있다.
나아가, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 210에서 습식식각 공정을 통해 캐비티를 형성한 후, 단계 230에서 전자 빔 키를 형성함으로써, 전자 빔 키의 선예도의 손상을 최소화하고, 정렬도를 향상시키는 효과 또한 제공한다.
다시 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법 단계 230 이후, 단계 220에서 형성된 캐비티에 나노 금속박막 구조의 나노 메탈 안테나를 제작한다.
이하에서는 도 8 내지 도 9d를 참조하여 단계 220에 대해 보다 상세히 설명하고자 한다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계의 흐름도를 도시한 것이고, 도 9a 내지 도 9d는 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 과정을 도시한 것이다.
도 8 및 도 9a를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 221에서, 캐비티(950)를 포함한 웨이퍼(900) 상에 전자 빔 포토레지스트(EBeam PhotoResist, 960)를 코팅할 수 있다.
예를 들면, 단계 221에서 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 캐비티(950)를 포함한 웨이퍼(900) 전면에 리프트 오프(Liftoff) 공정이 가능한 전자 빔 포토레지스트(960)를 코팅할 수 있다.
이 때, 도 9a에 도시된 바와 같은 웨이퍼(900)는 광학 위상 어레이 칩(OPA Chip)의 단면도를 나타내며, 웨이퍼(900)는 실리콘 기판(Si Substrate, 910) 상에 형성된 매립형 산화물(Buried oxide; BOX, 920)층을 포함할 수 있다. 또한, 웨이퍼(900)는 매립형 산화물층(920) 상에 광소자가 형성되는 탑 실리콘(Top Si, 930)을 포함하며, 광소자의 오버 클래딩(over cladding) 및 반도체 소자의 IMD(InterMetal Dielectric) 역할인 산화물층(Oxide, 940)를 포함할 수 있다.
이후, 도 8 및 도 9b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 222에서, 전자 빔을 이용하여 전자 빔 포토레지스트(960) 내 안테나 형성 영역(970)을 오픈할 수 있다.
예를 들면, 단계 222에서 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 전자 빔(EBeam)으로 라이팅(Writing) 및 현상(Development)하여 나노 메탈 안테나가 형성되는 위치에서의 전자 빔 포토레지스트(960) 내 안테나 형성 영역(970)을 오픈할 수 있다. 이 때, 오픈된 안테나 형성 영역(970)의 포토레지스트 프로파일(PR Profile)은 리프트 오프(Liftoff) 공정이 용이하도록 네거티브 슬로프(Negative Slope)를 포함한 공정조건을 조절할 수 있다.
나아가, 단계 222를 통해 오픈된 안테나 형성 영역(970)에 의해 웨이퍼(900) 내의 탑 실리콘(930)의 일부가 오픈되며, 이후 과정에서, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 오픈된 탑 실리콘(930)의 일부에 나노 메탈 안테나를 형성할 수 있다.
이후, 도 8 및 도 9c를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 223에서, 오픈된 안테나 형성 영역(970)을 포함하는 전자 빔 포토레지스트(960) 상에 나노 금속 물질(980)을 증착할 수 있다.
예를 들면, 단계 223에서, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 안테나 형성 영역(970)을 포함하는 전자 빔 포토레지스트(960) 상에 나노 메탈 안테나의 대상 물질인 나노 금속 물질(980)을 증발(Evaporation) 또는 스퍼터(Sputter)로 증착할 수 있다. 이 때, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 나노 금속 물질(980)로 금(Au) 또는 알루미늄(Al) 등을 단독으로 사용하거나, 탑 실리콘(930)과의 접착력(adhesion)을 향상시키기 위하여 티타늄(Ti) 또는 크롬(Cr) 등의 접착력 물질(Adhesion Metal)을 우선적으로 증발 또는 스퍼터로 증착(Deposition)하고, 대상 물질인 나노 금속 물질(980)을 더 증착할 수도 있다.
이후, 도 8 및 도 9d를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단계 224에서, 전자 빔 포토레지스트(960)를 제거하여 나노 메탈 안테나(990)를 제작할 수 있다.
예를 들면, 단계 224에서, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 아세톤(Acetone) 또는 전자 빔 포토레지스트 리무버(Remover)가 담긴 용기에 웨이퍼(900)를 침지시킬 수 있으며, 침지에 따른 전자 빔 포토레지스트(960)를 제거함으로써, 탑 실리콘(930) 상의 나노 메탈 안테나(990)를 형성시킬 수 있다.
이후, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 전자 빔 포토레지스트(960)의 제거 후, 용제 세정 화학물질(Solvent Cleaning Chemical)을 이용하여 잔여 포토레지스트 잔여물(PR Residue)을 클리닝(Cleaning)할 수 있다.
이에 따라서, 도 2에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법의 단계 220은 캐비티(950)를 포함한 웨이퍼(900) 내 안테나 형성 영역(970)에서의 탑 실리콘(930) 상에 나노 금속 물질(980)을 증착하여 나노 메탈 안테나(990)를 형성하는 것을 특징으로 한다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 캐비티를 포함하는 웨이퍼의 단면도를 도시한 것이고, 도 11a 및 도 11b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 웨이퍼 단면에서의 나노 메탈 안테나의 구조 예를 도시한 것이며, 도 12a 및 도 12b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 웨이퍼 단면에서의 나노 메탈 안테나의 구조 예를 도시한 것이다.
보다 상세하게는, 도 10은 앞서 도시한 도 7d와 동일하게 캐비티(cavity)가 형성된 웨이퍼를 나타낸다. 이 때, 도 10에 도시된 바와 같이 나노 메탈 안테나의 캐비티를 점선(1000)에 따라 자른 단면을 살펴보면, 도 11a 내지 도 13과 같다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 도 11a 및 도 11b를 살펴보면, 웨이퍼(Wafer, 1100)는 캐비티를 포함한 광학 위상 어레이 칩(OPA Chip)의 일측 단면도에서 캐비티의 중심을 점선(1000)에 따라 자른 타측 단면도를 나타낸다. 이 때, 웨이퍼(1100)는 매립형 산화물(Buried oxide; BOX, 1110) 상에 형성된 탑 실리콘(Top Si, 1120)을 포함하고, 탑 실리콘(1120) 상에 산화물층(Oxide, 1130)을 포함할 수 있다.
도 11a를 참조하면, 웨이퍼(1100)는 산화물층(1130) 상에 코팅된 전자 빔 포토레지스트(EBeam PhotoResist, 1140)를 포함하며, 코팅된 전자 빔 포토레지스트(1140) 상에 나노 금속 물질(1150)이 증착된 형태일 수 있다.
이후, 도 11b를 참조하면, 웨이퍼(1100)는 제거된 전자 빔 포토레지스트(1140)에 의해 나노 메탈 안테나(1160)가 제작된 형태일 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 도 12a 및 도 12b를 살펴보면, 웨이퍼(Wafer, 1200)는 캐비티를 포함한 광학 위상 어레이 칩(OPA Chip)의 일측 단면도에서 캐비티의 중심을 점선(1000)에 따라 자른 타측 단면도를 나타낸다. 이 때, 웨이퍼(1200)는 매립형 산화물(Buried oxide; BOX, 1210) 상에 형성된 탑 실리콘(Top Si, 1220)을 포함하고, 탑 실리콘(1220) 상에 산화물층(Oxide, 1230)을 포함할 수 있다.
도 12a를 참조하면, 웨이퍼(1200)는 산화물층(1230) 상에 코팅된 전자 빔 포토레지스트(EBeam PhotoResist, 1240)를 포함하며, 코팅된 전자 빔 포토레지스트(1240) 상에 나노 금속 물질(1250)이 증착된 형태일 수 있다.
이후, 도 12b를 참조하면, 웨이퍼(1200)는 제거된 전자 빔 포토레지스트(1240)에 의해 나노 메탈 안테나(1260)가 제작된 형태일 수 있다.
즉, 도 11a 내지 도 12b를 참조하면, 본 발명이 적용되는 실시예에 따라서, 나노 메탈 안테나(1160, 1260) 내 탑 실리콘(1120, 1220)의 개수, 형태 및 크기는 서로 다르게 형성되며, 본 발명은 보다 다양한 형태의 나노 메탈 안테나(1160, 1260)를 제작할 수 있다. 이 때, 나노 메탈 안테나(1160, 1260)를 형성하는 과정은 앞서 도시한 도 8 내지 도 9d를 통해 전술하였으므로, 생략하기로 한다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나 어레이의 예를 도시한 것이다.
보다 상세하게는, 도 13(a)는 본 발명의 제1 실시예에 따른 나노 메탈 안테나 어레이(1310)의 예를 도시한 것이고, 도 13(b)는 본 발명의 제2 실시예에 따른 나노 메탈 안테나 어레이(1320)의 예를 도시한 것이다.
즉, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나의 제작 방법은 단일의 나노 메탈 안테나 또는 나노 메탈 안테나 어레이(1310, 1320)를 제작함으로써, 빔의 반사 및 굴절 효과를 향상시킬 수 있다. 이 때, 나노 메탈 안테나 어레이(1310, 1320)의 개수, 형태, 크기 및 물질의 종류는 이에 한정되지 않는다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 캐비티에 대한 주사전자현미경 이미지를 도시한 것이고, 도 15는 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나에 대한 주사전자현미경 이미지를 도시한 것이다.
도 14를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 나노 메탈 안테나가 형성될 캐비티(cavity)의 영역을 확인할 수 있다. 또한, 도 15를 참조하면, 티타늄(Ti)/금(Au), 티타늄(Ti)/은(Ag), 티타늄(Ti)/알루미늄(Al)의 각 물질에서의 나노 메탈 안테나를 확인할 수 있다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 메탈 안테나를 구성하는 소자의 구조를 도시한 것이다.
광파 발산기(1600)는 나노 메탈 안테나(1620)를 포함할 수 있다. 이 때, 광파 발산기(1600)는 도 1에 도시된 광파 발산기(150)일 수 있다.
도 16을 참조하면, 광파 발산기(1600)는 나노 금속박막 구조에서 광 도파로(1610) 끝 부분의 상에 나노 메탈 안테나(1620)를 포함하되, 박막의 두께를 금속 소재의 표피 깊이(skin depth)에 가깝거나 그 보다 얇은 박막으로 형성할 수 있다. 광파 발산기(1600)는 금속 박막에서 나타나는 표면 플라스몬(surface plasmonic) 현상을 이용하여 광파(1630)를 방사시킬 수 있으며, 광파(1630)의 방사효율을 높이기 위해서는 표면 플라스몬에서 분류한 바운드 모드(bound mode) 보다는 콰지바운드 모드(quasibound mode)나 방사성 모드(radiative mode)를 이용하는 것이 바람직하다. 광파 발산기(1600)는 금속소재의 종류와 금속박막의 두께, 너비, 길이, 형태 등의 기하학적 변수를 적절히 조절하여 방사각(θ)을 결정할 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
Claims (20)
- 광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)에 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 제작하는 방법에 있어서,
상기 광학 위상 어레이 칩의 단면도에 따른 웨이퍼(Wafer) 내 일정 영역에 상기 나노 메탈 안테나를 제작하기 위한 캐비티(cavity)를 형성하는 단계;
상기 나노 메탈 안테나의 전자 빔(E-Beam) 공정을 위한 전자 빔 키(E-Beam Key)를 형성하는 단계; 및
상기 형성된 캐비티에 나노 금속박막 구조의 상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계를 포함하되,
상기 전자 빔 키를 형성하는 단계는
매립형 산화물(buried oxide; BOX) 층 상에 형성된 탑 실리콘(Top Si) 상에, 반사방지막(BARC) 포토레지스트(PhotoResist)를 코팅하는 단계;
상기 반사방지막 포토레지스트 내 양측 영역을 오픈(open)하는 단계;
건식식각(Dry Etch) 공정을 통해 상기 양측 영역에 따른 상기 탑 실리콘의 일부를 식각하는 단계; 및
상기 반사방지막 포토레지스트를 제거하는 단계를 포함하며,
상기 전자 빔 키는
광 도파로(Waveguide)의 양측에 각각 형성되고, 상기 형성된 캐비티에 수직 형상으로 형성되며,
상기 나노 메탈 안테나는
캐비티(cavity)를 포함한 상기 광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)의 단면도에 따른 웨이퍼(Wafer) 내 탑 실리콘(Top Si) 상에 나노 금속 물질을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 삭제
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 광 도파로는
Rib형 및 channel형 중 적어도 어느 하나의 도파로 구조로 제작되는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 제1항에 있어서,
상기 캐비티를 형성하는 단계는
상기 웨이퍼 상에 불화크립톤(KrF) 포토레지스트(PhotoResist)를 코팅하는 단계;
상기 불화크립톤 포토레지스트 내 상기 일정 영역을 오픈(open)하는 단계;
상기 일정 영역에 대응하는 상기 웨이퍼 내 산화물(Oxide) 층을 식각하는 단계; 및
상기 불화크립톤 포토레지스트를 제거하는 단계
를 포함하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 제6항에 있어서,
상기 일정 영역을 오픈하는 단계는
불화크립톤 스캐너(KrF Scanner)를 이용하여 상기 나노 메탈 안테나가 형성되는 위치에서의 상기 불화크립톤 포토레지스트 내 상기 일정 영역을 오픈하는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 제6항에 있어서,
상기 웨이퍼 내 산화물 층을 식각하는 단계는
건식식각(Dry Etch) 공정을 통해 상기 일정 영역에 따른 상기 산화물 층의 일부분을 식각하고, 습식식각(Wet Etch) 공정을 통해 상기 일정 영역에 따른 상기 산화물 층을 모두 식각하는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 제6항에 있어서,
상기 불화크립톤 포토레지스트를 제거하는 단계는
상기 불화크립톤 포토레지스트를 제거하고, 화학물질(Chemical)을 이용하여 상기 웨이퍼를 클리닝(Cleaning)하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 제1항에 있어서,
상기 캐비티를 형성하는 단계는
건식식각 및 습식식각의 식각 공정을 통해 상기 웨이퍼 내 상기 일정 영역에서의 탑 실리콘(Top Si)을 오픈(open)하여 상기 캐비티를 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 제1항에 있어서,
상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계는
상기 캐비티를 포함한 웨이퍼(Wafer) 상에 전자 빔(EBeam) 포토레지스트(PhotoResist)를 코팅하는 단계;
전자 빔(EBeam)을 이용하여 상기 전자 빔 포토레지스트 내 안테나 형성 영역을 오픈(open)하는 단계;
상기 오픈된 안테나 형성 영역을 포함하는 상기 전자 빔 포토레지스트 상에 나노 금속 물질을 증착하는 단계; 및
상기 전자 빔 포토레지스트를 제거하는 단계
를 포함하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 제11항에 있어서,
상기 안테나 형성 영역을 오픈하는 단계는
상기 전자 빔을 이용하여 상기 나노 메탈 안테나가 형성되는 탑 실리콘(Top Si) 상의 위치에서의 상기 전자 빔 포토레지스트 내 상기 안테나 형성 영역을 오픈하는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 제11항에 있어서,
상기 나노 금속 물질을 증착하는 단계는
상기 안테나 형성 영역을 포함하는 상기 전자 빔 포토레지스트 상에 상기 나노 금속 물질을 증발(Evaporation) 또는 스퍼터(Sputter)로 증착하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 제13항에 있어서,
상기 나노 금속 물질은
금(Au) 또는 알루미늄(Al) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 제11항에 있어서,
상기 전자 빔 포토레지스트를 제거하는 단계는
아세톤(Acetone) 또는 전자 빔 포토레지스트 리무버(Remover)가 담긴 용기에 상기 웨이퍼를 침지시켜 상기 웨이퍼 상의 상기 전자 빔 포토레지스트를 제거하는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 제15항에 있어서,
상기 전자 빔 포토레지스트를 제거하는 단계는
상기 전자 빔 포토레지스트의 제거 후, 용제 세정 화학물질(Solvent Cleaning Chemical)을 이용하여 클리닝(Cleaning)하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 제1항에 있어서,
상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 단계는
상기 캐비티를 포함한 웨이퍼 내 상기 안테나 형성 영역에서의 탑 실리콘(Top Si) 상에 상기 나노 금속 물질을 증착하여 상기 나노 메탈 안테나를 제작하는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나의 제작 방법. - 삭제
- 적어도 하나 이상으로 구성된 광원;
상기 광원으로부터 발생되는 광파를 분배하는 광 파워 분배기;
상기 광파가 분배됨에 따라 상기 광파의 위상을 제어하는 위상 제어기; 및
상기 제어된 위상에 기초하여 상기 광파를 공간으로 발산하는 나노 메탈 안테나(Nano Metal Antenna)를 포함하고,
상기 나노 메탈 안테나에 수직 형상으로 형성되며, 광 도파로(Waveguide)의 양측에 각각 형성된 전자 빔 키를 포함하는 것을 특징으로 하며,
상기 전자 빔 키는
매립형 산화물(buried oxide; BOX) 층 상에 형성된 탑 실리콘(Top Si) 상에, 반사방지막(BARC) 포토레지스트(PhotoResist)를 코팅하는 단계;
상기 반사방지막 포토레지스트 내 양측 영역을 오픈(open)하는 단계;
건식식각(Dry Etch) 공정을 통해 상기 양측 영역에 따른 상기 탑 실리콘의 일부를 식각하는 단계; 및
상기 반사방지막 포토레지스트를 제거하는 단계에 의해 형성되고,
상기 나노 메탈 안테나는
캐비티(cavity)를 포함한 광학 위상 어레이 칩(Optical Phased Array Chip; OPA Chip)의 단면도에 따른 웨이퍼(Wafer) 내 탑 실리콘(Top Si) 상에 나노 금속 물질을 증착하여 형성되는 것을 특징으로 하는 나노 메탈 안테나를 구성하는 소자. - 삭제
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| KR1020170117587A KR101938990B1 (ko) | 2017-09-14 | 2017-09-14 | 광학 위상 어레이 칩 내 나노 메탈 안테나의 제작 방법 및 그 소자 |
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|---|---|---|---|---|
| KR20220104875A (ko) * | 2021-01-19 | 2022-07-26 | 한국과학기술원 | Mems 광 스위치를 활용하는 광 위상 배열 칩 및 그 제조 방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016526295A (ja) * | 2013-05-22 | 2016-09-01 | ワン， シー−ユアンＷａｎｇ， Ｓｈｉｈ−Ｙｕａｎ | マイクロストラクチャ向上型吸収感光装置 |
| KR101720434B1 (ko) * | 2015-11-10 | 2017-03-28 | 한국과학기술원 | 광 위상배열 안테나 |
-
2017
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| KR102644811B1 (ko) * | 2021-01-19 | 2024-03-08 | 한국과학기술원 | Mems 광 스위치를 활용하는 광 위상 배열 칩 및 그 제조 방법 |
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