KR101936349B1 - 표면공진 원리를 이용한 가스 센서 - Google Patents

Abstract

본 발명은 가스를 감지하기 위해 주파수 특성 변화의 원리에 따른 표면공진 현상을 이용하는 가스센서에 대한 발명이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 기판; 상기 기판 상에 배치되어 공기 중의 물질이 흡착되는 감지막; 상기 감지막의 표면 상에 배치되는 전극; 및 상기 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 감지막의 표면에 흡착되는 물질의 양에 따라 변화하는 공진 주파수를 측정하는 회로소자부를 포함하는 표면공진 원리를 이용한 가스센서를 제공한다
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Description

표면공진 원리를 이용한 가스 센서{THE GAS SENSOR USING THE PRINCIPLE OF SKIN RESONANCE}

본 발명은 가스를 감지하기 위해 주파수 특성 변화의 원리에 따른 표면공진 현상을 이용하는 가스센서에 대한 발명이다.

현대 사회에서 가스의 사용이 날로 늘어나면서 가스는 우리의 일상생활에 도움이 되기도 하지만 잘못 사용하였을 경우에는 심각한 피해를 입히기도 한다. 이러한 위험성 때문에, 가스 피해를 사전에 예방하기 위하여 가연성 또는 유해성 가스를 조기에 감지 또는 검출하기 위한 수단으로서 가스센서의 활용이 늘고 있다.

통상적으로 가스센서는 크게 고체 전해질, 접촉 연소식, 전기 화학식, 반도체식으로 분류된다. 이중에서 최근에 가장 많이 연구되고 있는 것은 반도체식 마이크로 가스센서이다. 이는 반도체식 마이크로 가스센서가 실리콘칩 위에 제조되거나 집적됨으로써 일반IC와의 호환성과, 제조와 동작에 있어서 저비용, 고효율의 특성을 나타내기 때문이다.

도 1 내지 도 4를 참조하여 종래기술의 반도체식 가스센서에 대해 구체적으로 설명하기로 한다.

도 1은 종래기술의 반도체식 가스센서를 나타내는 단면도이다. 도 2(a)는 종래기술의 반도체식 가스센서의 상면 개념도이고, 도 2(b)는 반도체식 가스센서에서 저항 측정 방식의 원리를 나타내는 도면이다.

도 1과 도 2에 도시된 바와 같이 종래기술의 반도체식 가스센서는 기판 상부에 전극을 형성하고, 전극 사이에 감지막을 형성한다. 종래기술의 반도체식 가스센서는 감지막을 통해 공기 중의 가스를 흡수하는데, 여기의 감지막은 일반적으로 금속산화물막으로 형성되어, 그 표면의 산소와 공기 중의 가스가 반응하게 된다.

여기서의 금속산화물막은 일종의 촉매 역할을 하게 되는데, 공기 중의 가스 입자가 촉매내부로 침투 및 확산하게 되다. 이에 따른 금속산화물막의 컨덕턴스 변화에 따라 전기적 저항이 변경되고, 이 변경되는 저항을 측정하여 특정 가스의 양을 측정하게 되는 원리를 갖는다.

도 3은 저항 측정 방식을 이용한 가스센서의 응답속도를 나타내는 그래프인데, 가로축은 시간을 세로축은 저항의 크기를 나타낸다. 도 3에 도시된 바와 같이 종래기술에 따르면 가스 감지하는데 필요한 반응시간(응답)과 반응으로부터 회복하는 시간이 수분 단위로 형성되는 것을 알 수 있다. 경우에 따라선 촉매의 종류에 따라 응답과 회복시간이 수 분에서 수 십분까지 소요되기도 한다. 이는 통상 감지막(금속 산화물)에 가스가 접촉할 때, 가스분자의 확산에 기초하여 측정하기 때문이다. 그리고 기본적으로 확산 방식을 이용한 가스센서는 감도가 일정하게 유지되지 않고 사용할 수록 감도가 저하되는 문제점이 발생한다.

구조상 나노 단위로 빠르게 할 수 있는 방법이 연구되고 있으나, 그럼에도 불구하고 기본적으로 수분이 걸리는 저항 변화 기반 측정 방식을 이용하기 때문에 응답속도의 현저한 개선은 이뤄내지 못하고 있다.

안전에 대한 인식이 높아져가는 현대사회에서, 가스센서는 밀폐된 공간 또는 개방된 공간 내에서 실시간 환경 모니터링에 사용되는 경우가 많은데 상기와 같은 저항측정방식의 가스센서는 현실의 요청에 부합하지 못하고 있는 실정이다.

대한민국 등록실용신안문헌 20-0342819 대한민국 등록특허문헌 10-1384415

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로서, 가스 감지 시 응답속도가 개선된 가스센서를 제공하고자 한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서는 기판; 상기 기판 상에 배치되어 공기 중의 물질이 흡착되는 감지막; 상기 감지막의 표면 상에 배치되는 전극; 및 상기 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 감지막의 표면에 흡착되는 물질의 양에 따라 변화하는 공진 주파수를 측정하는 회로소자부를 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면 상기 회로소자부에서 측정되는 표면공진 주파수의 주파수 영역은 수 백 MHz 내지 수 GHz 주파수대역인 것을 특징으로 할 수 있다. 김성호

일 실시예에 따르면 상기 전극은 상기 감지막 표면 상에 상호 이격되어 배치되는 (+)전극과 (-)전극으로 구성되되, 상기 (+)전극에서 (-)전극 방향으로 분기된 분기부는 상기 (-)전극에서 (+)전극 방향으로 분기된 분기부와 지그재그로 번갈아 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 따르면 상기 전극과 전기적으로 연결되는 접지전극이 기판 하부에 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 따르면 상기 전극의 전기장 크기를 조절하여 상기 감지막의 유전율을 조절하는 것을 특징으로 할 수 있다.

일 실시예에 따르면 상기 전극의 상부를 덮는 산화방지용 캡을 더 포함할 수 있다.

일 실시예에 따르면 상기 감지막은 상기 전극의 적어도 두개의 면을 감싸도록 형성될 수 있다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따르면, 종래기술에 비해 응답성이 현저히 향상된 가스센서를 제공한다.

본 발명에서는 화학반응에 따른 저항 측정원리를 사용하지 않고 공진 주파수 변화의 원리를 사용함으로써 높은 감도와 가스 물질 선택의 유연성이 향상되는 장점이 있다.

아울러, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 감지막 상부에 전극을 형성함에 따라 종래기술과 같이 전극 사이에 감지막을 형성할 때, 전극과 감지막의 접점 하단에 발생할 수 있는 데드스페이스(dead space)를 없앨 수 있는 장점이 있다.

본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 일 실시예를 예시하는 것이며, 전술된 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 종래기술의 반도체식 가스센서를 나타내는 단면도이다.
도 2(a)는 종래기술의 반도체식 가스센서의 상면 개념도이고, 도 2(b)는 저항 측정 방식의 원리를 나타내는 도면이다.
도 3은 저항 측정 방식을 이용한 가스센서의 응답속도를 나타내는 그래프이다.
도 4는 본 발명에 따른 표면공진 원리를 이용한 가스센서를 나타내는 사시도이다.
도 5는 본 발명에 따른 표면공진 원리를 이용한 가스센서를 나타내는 단면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 가스센서의 검침 원리를 나타내는 도면이다.
도 7(a)는 본 발명에 따른 표면공진 원리를 이용한 가스센서의 공진주파수 변화를 나타내는 그래프이고, 도 7(b)는 본 발명에 따른 표면공진 원리를 이용한 가스센서의 주파수 이동을 에러 바 형태로 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표면공진 원리를 이용한 가스센서를 나타내는 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표면공진 원리를 이용한 가스센서를 나타내는 도면이다.

이하 설명하는 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 당업자가 용이하게 이해할 수 있도록 제공되는 것으로서 이에 의해 본 발명이 한정되지는 않는다. 또한, 첨부된 도면에 표현된 사항들은 본 발명의 실시 예들을 쉽게 설명하기 위해 도식화된 도면으로 실제로 구현되는 형태와 상이할 수 있다.

그리고 여기서의 "연결"이란 일 부재와 타 부재의 직접적인 연결, 간접적인 연결을 포함하며, 접착, 부착, 체결, 접합, 결합 등 모든 물리적인 연결 또는 전기적인 연결을 의미할 수 있다.

보다 구체적으로 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 연결되어 있거나 접속되어 있다고 언급될 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 접속되어 있을 수도 있지만 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 한다. 또한, 본 명세서 전체에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.

실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.

도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.

도 4는 본 발명에 따른 표면공진 원리를 이용한 가스센서를 나타내는 사시도이다. 도 5는 본 발명에 따른 표면공진 원리를 이용한 가스센서를 나타내는 단면도이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서는 기판(100); 상기 기판(100) 상에 배치되어 공기 중의 물질이 흡착되는 감지막(200); 상기 감지막(200)의 표면 상에 배치되는 전극(300); 및 상기 전극(300)과 전기적으로 연결되며, 상기 감지막(200)의 표면에 흡착되는 물질의 양에 따라 변화하는 공진 주파수를 측정하는 회로소자부를 포함한다.

본 발명의 기판은 강성재질로 형성되어 리지드(rigid)하거나 또는 플렉서블(flexible)한 기판일 수 있다. 예컨대, 기판은 유리 또는 플라스틱을 포함하는 기판일 수 있다. 또한, 상기 기판은 부분적으로 곡면을 가지면서 휘어질 수 있다. 즉, 기판은 부분적으로는 평면을 가지고, 부분적으로는 곡면을 가지면서 휘어질 수도 있다.

상기 기판 상부에는 감지막이 형성될 수 있다. 여기의 감지막은 예를 들어 인듐 주석 산화물(indium tin oxide), 인듐 아연 산화물(indium zinc oxide), 구리 산화물(copper oxide), 주석 산화물(tin oxide), 아연 산화물(zinc oxide), 티타늄 산화물(titanium oxide) 등의 금속 산화물을 포함할 수 있다. 여기에는, 세라믹(ceramic), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene), 전도성 폴리머 또는 이들의 혼합물을 포함할 수도 있다.

그리고 상기 감지막(200)의 상부에는 전극(300)이 배치된다. 상기 전극(300)은 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 은(Ag), 몰리브덴(Mo), 금(Au), 백금(Pt), 티타튬(Ti) 및 이들의 합금 중 적어도 하나의 금속을 포함할 수 있다. 상기 감지막의 상부에 배치되는 전극에는 (+)전극(301)과 (-)전극(302)이 포함될 수 있으며, (+)전극(301)과 (-)전극(302)은 각각 미도시된 배선전극과 연결될 수 있다.

상기 배선전극을 통해 (+)전극(301)과 (-)전극(302)은 상기 감지막(200)의 표면에 흡착되는 물질의 양에 따라 변화하는 공진 주파수를 측정하는 회로소자부와 전기적으로 연결될 수 있게 된다.

도 6은 본 발명에 따른 가스센서의 검침 원리를 나타내는 도면이다. 여기서의 검침 원리는 종래기술에서도 동일하게 적용될 수 있으므로 간략하게 설명한다.

도 6을 참조하면, 본 발명 가스센서의 감지막(200)은 일정온도 이상의 조건에서 금속산화물의 결정립계(Grain Boundary)의 경계면 부근에서 Double Shottky potential barrier를 형성하게 되고, 대체로 이 경계면에서 전도대 에너지(Conduction band Energy)의 팁이 형성된다. 금속산화물 표면에 위치하는 산소와 가스가 접촉하여 산화 또는 환원 반응이 일어나면 상기 potential barrier에 변화가 발생해 전도대 에너지(Conduction band Energy)의 에너지 준위가 변화하며, 이러한 변화에 따라 금속산화물의 컨덕턴스(conductance)가 변화하게 되는 것이다.

특히, 본 발명의 전극(300)에서는 감지막(금속산화물)이 가스와 만나 산화 또는 환원 반응이 일어났을 때, 감지막(200) 표피에서 전해지는 전류를 회로소자부에 전달하여 주파수의 변화를 측정하도록 한다.

한편, 본 발명의 회로소자부에는 VCO(Voltage Controlled Oscillator), PLL(위상 고정 루프, Phase Locked Loop)와 같은 보조소자들을 포함할 수 있다. 이와 같은 보조소자들을 이용하여 측정된 주파수를 안정화시키며, 가스 센서 측정값의 정밀도를 높일 수 있게 된다.

한편, 본 발명에서는 상기한 요소들을 결합하여 하나의 가스센서를 구성하되, 그 특징으로서 종래의 가스센서들과 달리 전극 사이에 감지막을 배치하는 것이 아니라, 감지막 상에 전극을 배치하는 것에 주요 특징을 가진다.

구체적으로 본 발명에서는 편평한 기판 위에 감지막을 적층 또는 도포하여 배치시키고, 감지막 위에 전극을 배치하는 간단한 구성을 마련함으로써 본 발명의 장치가 가스센서로서 역할을 할 수 있는 상태가 된다.

나아가 본 발명의 핵심 기술은 감지막 위에 전극을 배치하는 것에 그치지 않고, 가스센서의 운용조건을 고주파대역으로 설정하는 것을 특징으로 한다.

여기서의 고주파대역이란 통상적으로 RF(Radio Frequency)라 불리는 주파수 영역을 의미할 수 있으며, 수 백 MHz 내지 수 GHz 주파수대역인 것을 특징으로 할 수 있다. 예를들어 본 발명의 고주파대역은 100 MHz ~300 MHz의 범위가 해당될 수 있다.

무엇보다도 본 발명에서는 표면효과(Skin Effect)를 이용하여 가스를 측정하는 것을 특징으로 한다.

표면효과(Skin Effect)란 신호의 주파수가 높아질수록, 도체 표면으로 전류가 집중하는 현상을 말한다. 이때 전류가 흐르는 깊이를 표면 깊이(Skin Depth, δ)라고도 하는데, 표면 깊이(δ)는 다음과 같은 [수식 1]으로 나타낼 수 있다.

[수식 1]

여기서 σγ 는 구리에 대한 비도전율로서, 은(Ag)을 제외한 대부분의 금속은 1 이하의 값을 가지는데, 이에 따른 주파수별 금속산화물의 종류에 따른 표면 깊이는 다음의 [표 1]과 같은 양상으로 나타날 수 있다. 단, 하기 실시예의 구체적인 수치는 고정되는 값은 아니며, 금속산화물의 구체적인 조성에 따라 가변될 수 있음을 유의하여야 한다.

주파수(GHz)		0.1	0.5	1	5	10	50	100	1000
표면깊이 (μm)	ITO	3.24	1.72	0.88	0.54	0.38	0.21	0.14	0.07
	IZO	3.16	1.82	0.96	0.59	0.31	0.23	0.16	0.08
	CO	3.58	1.54	0.92	0.59	0.34	1.21	0.19	0.05

위 표를 살펴보면, 고주파수 영역 대에서 매우 얇은 깊이의 표면에 전류가 흐른다는 것을 확인할 수 있다. 위 깊이보다 깊숙한 위치에서는 전류가 검출되지 않는다.

주파수가 높으면 높을수록 표면효과가 증가하여 우수한 효율을 가지는 센서를 제조할 수 있겠으나, 현실적으로 무한대의 주파수를 제공할 수 있는 것도 아니며, 본 발명의 가스센서가 사용될 산업체, 과학, 의료용 기기 제조업체 등에서 는 사용 가능한 주파수 범위가 존재하기 때문에, 본 발명 가스센서의 운용조건은 실질적으로 수 백 MHz 내지 수 GHz 주파수대역이 적절하다.

센서 전극 구조, 디자인 및 구성 물질에 따라 주파수 대역은 가변될 수 있다.

예컨대, RF 주파수 대역을 ISM BAND 를 참고하여, 2.4~2.48GHz, 5.725~5.875GHz로 설정할 수 있다.

본 발명의 가스센서에서는 이러한 표면효과를 이용하여 가스를 측정하고자 한다.

그 실시예로서, 회로소자부에서 측정되는 공진 주파수의 주파수 영역을 수 백 MHz 내지 수 GHz 주파수대역으로 설정한다. 구체적으로 회로소자부를 R(저항), L(인덕턴스), C(커패시턴스)의 조합으로 구성된 고주파대역 공진기(Resonance)로 제작하여 본 발명의 전극(300)에 연결시킨다. 보다 구체적인 연결관계는 고주파대역 특성에 따라 달리 설계될 수 있으므로 생략하기로 한다.

본 발명의 주파수 특성 변화 원리는 다음의 [수식 2]를 참조하여 설명하기로 한다.

[수식 2]

여기서,

은 기판(100)의 유전율이고,

는 가스 분자의 유전율이다. 그리고

는 감지막(200)의 유전율이다.

도 5에 도시된 은 공기의 유전율인데, 통상적으로 공기의 유전율은 1인 것으로 가정한다.

(effective permittivity)은 감지막(200)에 가스 분자가 접촉하여 반응하였을 때 증가하는 양상을 보이며,

의 증가는 공진기의 커패시턴스(C)를 증가시킨다.

이에 따라 다음 [수식 3]으로 표시된 공진주파수가 감소하는 결과로 도출된다.

[수식 3]

도 7(a)는 본 발명에 따른 표면공진 원리를 이용한 가스센서의 공진주파수 변화를 나타내는 그래프이고, 도 7(b)는 본 발명에 따른 표면공진 원리를 이용한 가스센서의 주파수 이동을 에러 바 형태로 나타낸 그래프이다.

도 7(a)를 참조하면, 주파수의 변화는 공진주파수의 변화 그래프를 통해 간단히 확인할 수 있다. 우측의 실선이 초기 설정 상태의 공진기에서 측정한 주파수에 대한 곡선이며, 좌측의 파선이 감지막(200)이 가스를 감지했을 때 측정한 주파수에 대한 곡선이다. 공진주파수는 여기 주파수 곡선의 팁부근에 형성되는데, 도면을 참조하면 가스 감지 전/후에서 공진주파수가 좌측으로 눈에 띄게 이동했음을 확인할 수 있다.

본 발명에서는 표면공진 원리를 이용한 가스센서를 가지고, 금속산화물의 조성마다 공진주파수를 미리 측정 및 데이터를 구축해 놓을 수 있으며, 나아가 일종의 룩업 테이블(Look-Up Table)로 구성하여, 사용자가 공진주파수의 변화값만을 관찰하고도 곧바로 어떠한 조성의 가스가 측정되는지 파악할 수 있도록 시스템화할 수도 있다.

도 7(b)를 참조하면, 가스센서의 구조를 제외한 나머지 동일한 환경조건에서 반복실험 했을 때 본원발명의 가스센서(Control Group)와 종래기술의 가스센서(Experimental Group)의 감도의 차이를 확인할 수 있다. 도 7(b)에서는 이를 Error Bar 형태로 도시하였다. 본 발명의 가스센서는 물질의 감지막(200)에의 확산 현상에 의존하여 가스를 측정하는 것이 아니라, 물질의 확산보다는 감지막(200) 표면에서의 공진주파수의 변화를 측정하는 것이므로 감도의 오차율이 종래기술보다 훨씬 저감되는 장점을 갖는다.

한편, 도 4와 5를 다시 참조하면, 본 발명에서의 전극(300)은 상기 감지막 표면 상에 상호 이격되어 배치되는 (+)전극과 (-)전극으로 구성되되, 상기 (+)전극에서 (-)전극 방향으로 분기된 분기부는 상기 (-)전극에서 (+)전극 방향으로 분기된 분기부와 지그재그로 번갈아 배치되는 것을 특징으로 할 수 있다.

이는, 금속산화물로 형성된 감지막(200)의 표면을 전극(300)이 촘촘히 덮어 감지막(200)과 가스 물질 간의 표면효과(Skin Effect)에 따른 컨덕턴스 변화를 좀더 정밀하게 측정하기 위한 것이다. 그러나 반드시 도면 4와 같이 도시된 바에 국한될 필요는 없다.

다만, 감지막(200)에 가스 물질이 안착하여야 하므로 (+)전극의 분기부와 (-)전극의 분기부 사이의 간격은 에어로졸 형태의 가스 분자의 크기인 3 내지 5 마이크로 미터보다는 크도록 설정됨이 바람직하다. 즉, 5 마이크로미터 초과의 간격을 갖는 것이 좋다.

본 발명의 일 실시예에 따른 가스센서는 전극(300)과 전기적으로 연결되는 접지전극(ground, 303)이 기판(100) 하부에 배치되는 것을 일 특징으로 할 수 있다. 가스센서에서 접지전극(303)은 기판 상에 전극과 나란히 배치되는 것이 일반적이지만, 본 발명에서는 이와 달리 기판(100) 하부에 접지전극(303)을 마련할 수 있다. 이를 통해 최대한 넓은 면적에서 가스를 감지할 수 있도록 감지막(200)이 기판(100)의 가용 가능한 면적 대부분을 차지하도록 한다. 참고로 감지막(200)은 기판(100) 상에 증착시켜 형성함이 바람직하다. 이로써 감지막(200) 상에는 전극(300)을 제외한 다른 방해요소가 구비되지 않아, 표면효과를 이용한 가스 감지성능을 최대한 발휘하게 된다.

또한 본 발명의 가스센서는 상기 전극(300)의 전기장 크기를 조절하여 상기 감지막(200)의 유전율을 조절하는 것을 특징으로 할 수 있다. 감지막(200)의 유전율

은 전술한 바와 같이 기판(100)의 유전율

의 변화에 대해 종속적이다. 기판(100)의 유전율

은 전극(300)의 전기장의 변화에 의해 기판(100) 내부의 유전분극이 증가하거나 감소함으로써 변화하게 되는데, 이를 종합하면 전극(300)의 전기장을 조절시킴으로써 결과적으로 감지막(200)의 유전율을 조절할 수 있게 된다. 감지막(200)의 유전율을 조절함으로써 가스센서의 감지 성능의 조절 또한 가능해질 수 있다.

나아가 본 발명의 가스센서의 전극(300) 또한 금속의 일종이므로 가스 물질에 의해 산화될 우려가 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에 따르면 전극(300)의 상부를 가리는 산화방지용 캡을 더 포함할 수 있다. 산화 방지용 캡과 관련한 실시예는 실시예는 도면 8과 도면 9에 각각 다른 형상으로 도시된다.

한편, 본 발명의 일 실시예에 따르면 표면공진효과를 극대화시키기 위해, 감지막(200)이 전극(300)의 두 개의 면(surface) 이상을 감싸도록 형성할 수 있다. 이에 대한 실시예는 도면 9에 도시된다. 도 9에는 감지막(200)이 전극(300)의 삼면을 감싸게 되므로, 감지막(200) 표면에 가스물질이 접촉하여 전류가 발생하였을 때 전극(300)으로의 전자의 이동경로가 더 짧아지는 이점이 있다. 이에 따라 손실전류가 감소하게 되고 결과적으로 가스센서의 감도가 향상될 수 있다.

앞서 말했듯이 기존 전극형 센서의 경우 직류나 저주파 영역에서 동작하는 경우가 대부분이다.

본 발명에서는 고주파 영역(예컨대 RF 대역 또는 (기 설정된 수 백 MHz 내지 수 GHz 범위 안의 대역))을 사용하는 경우 표면효과(Skin effect)에 의해 전류의 대부분이 전극의 표면을 흐르게 되는 것에 착안하여, 감지하고자 하는 가스의 종류에 알맞은 고주파 대역에서 동작하는 공진기를 사용하고자 한다.

공진기를 사용하는 경우, 가스의 흡착에 의해 감지막의 전기적 특성이 변하게 되면, 이는 공진 주파수의 변화를 불러일으키고, 공진주파수의 변화량은 대상측정가스의 농도와 상관관계를 가지므로, 이를 통해 가스 감지가 가능하게 되는 것이다.

종래에는 가스가 감지막에 흡착하여 확산되는 과정에 따른 화학적 반응에 의존적이었기에 가스의 농도를 실시간 측정하기에 어려움이 따랐으나, 본 발명의 가스 센서는 전기적 공진장치를 이용하여, 감지막 표면의 반응만으로도 가스 검출이 가능하기 때문에 종래의 가스센서에 비해 민감도와 반응시간이 대폭 증대되므로, 실시간 측정이 가능한 가스센서로 사용할 수 있게 되는 장점이 있다.

또한, 가스분자와 감지막의 화학적 확산이 아닌, 표면효과를 이용하므로 아주 적은 양의 시료도 감지 가능하다.

또한, 감지막 위에 전극을 형성하는 단순한 구조로 인해, 초소형 구조의 센서 구형이 가능하다. 따라서, 센서의 배열화 또는 집적화가 용이하고, MEMS 공정을 통한 대량 생산도 용이하므로 다양한 생활공간에서 상시적 혹은 실시간 가스 모니터링을 구현하도록 하는데 도움이 될 수 잇다.

경우에 따라서는 감지막 물질을 여러 가지 가스에 대응하도록 다중으로 형성하여, 복수의 종류의 가스를 감지하는 센서로도 구현이 가능하다.

단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 표현하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. "포함한다" 또는 "가진다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 의미하기 위한 것으로, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들이 부가될 수 있는 것으로 해석될 수 있다.

또한, 도면에 도시된 구성요소의 크기나 형상 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시될 수 있다. 또한, 본 발명의 구성 및 작용을 고려하여 특별히 정의된 용어들은 본 발명의 실시예를 설명하기 위한 것일 뿐이고, 본 발명의 범위를 한정하는 것이 아니다.

이상의 본 발명의 상세한 설명에서는 그에 따른 특별한 실시 예에 대해서만 기술하였다. 하지만, 본 발명은 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것은 아니며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

본 발명에 대한 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 본 발명의 사상과 범위 안에서 위와 같은 실시례를 다양한 수정 및 변경을 가할 수 있을 것이다.

본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

100: 기판
200: 감지막
300: 전극
310: 산화방지용 캡

Claims (7)

1. 기판;
   상기 기판 상에 배치되어 공기 중의 물질이 흡착되는 감지막;
   상기 감지막의 표면 상에 배치되는 전극; 및
   상기 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 감지막의 표면에 흡착되는 물질의 양 및 종류에 따라 변화하는 공진 주파수를 측정하는 회로소자부;
   를 포함하고,
   상기 기판의 유전율 및 상기 흡착되는 물질의 유전율에 종속되는 상기 감지막의 유전율이 상기 물질이 상기 감지막에 흡착하였을 때 증가함에 따라 상기 공진 주파수가 감소하는 변화값에 의해 상기 물질의 종류를 판정할 수 있고,
   상기 회로소자부에서 측정되는 표면공진 주파수의 주파수 영역은 수백 MHz 내지 수 GHz 주파수대역인 것을 특징으로 하는 표면공진 원리를 이용한 가스센서.
   
2. 삭제
3. 제1항에 있어서,
   상기 전극은 상기 감지막의 표면 상에 상호 이격되어 배치되는 (+)전극과 (-)전극으로 구성되되, 상기 (+)전극에서 (-)전극 방향으로 분기된 분기부는 상기 (-)전극에서 (+)전극 방향으로 분기된 분기부와 지그재그로 번갈아 배치되는 것을 특징으로 하는 표면공진 원리를 이용한 가스센서.
   
4. 제1항에 있어서,
   상기 전극과 전기적으로 연결되는 접지전극이 기판 하부에 배치되는 것을 특징으로 하는 표면공진 원리를 이용한 가스센서.
   
5. 제1항에 있어서,
   상기 전극의 전기장 크기를 조절하여 상기 감지막의 유전율을 조절하는 것을 특징으로 하는 표면공진 원리를 이용한 가스센서.
   
6. 제1항에 있어서,
   상기 전극의 상부를 덮는 산화방지용 캡을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표면공진 원리를 이용한 가스센서.
   
7. 제1항에 있어서,
   상기 감지막은 상기 전극의 적어도 두개의 면을 감싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 표면공진 원리를 이용한 가스센서.
   
   

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