KR101935580B1 - Apparatus for steam cleaning - Google Patents
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Abstract
본 발명은 스팀세정장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 순수를 공급받아 저장하고, 히터가 구비되어 포화수를 생성하는 포화수생성부; 상기 포화수에 포함된 파티클을 제거하는 파티클제거부; 상기 파티클이 제거된 포화수를 공급받아 스팀 및 과열증기 중 적어도 하나 이상을 생성하는 스팀생성부; 상기 스팀 및 과열증기 중 적어도 하나 이상을 분사하는 노즐부; 및 상기 포화수생성부와 스팀생성부의 동작을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.The present invention relates to a steam cleaning apparatus, and more particularly, to a steam cleaning apparatus which includes a saturated aquatic part for receiving and storing pure water and having a heater to generate saturated water; A particle removing unit for removing particles contained in the saturated water; A steam generator for generating at least one of steam and superheated steam by receiving the saturated water from which the particles have been removed; A nozzle unit for spraying at least one of the steam and the superheated steam; And a controller for controlling operations of the saturated aquatic part and the steam generating part.
Description
본 발명은 스팀세정장치에 관한 것으로, 구체적으로는 파티클이 제거된 포화수를 이용하여 생성된 스팀을 기판에 분사하는 스팀세정장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a steam cleaning apparatus, and more particularly, to a steam cleaning apparatus for spraying steam generated by using saturated water from which particles have been removed onto a substrate.
일반적으로 반도체 웨이퍼, 화면표시 장치의 기판은 여러 공정을 거쳐 제조되며, 각 공정에서 미립자, 여러 금속을 함유한 무기물 및 폴리머화합물 등의 유기오염물이 발생한다. 이 오염물은 기판의 품질에 큰 영향을 미치는 문제를 발생한다. 또한, 산업이 발달함에 따라 기판의 미세화 동향은 90 → 65 → 45nm로, 점점 미세화되며 이에 따라 회로 패턴의 미세화, 고밀도화, 고집적화, 배선의 다층화가 진행됨에 따라 제조공정이 복잡해지고 제조 공정수도 계속 증가하고 있다. 뿐만 아니라, 칩 면적도 증대되고 웨이퍼 지름도 200mm에서 300mm로 대구경화되어 파티클(이물 미립자), 금속불순물, 표면 흡착 화학물질 등 미세(미량) 오염물질을 줄일 수 있는 세정공정이 요구되고 있는 실정이다.Generally, semiconductor wafers and substrates of screen display devices are manufactured through various processes, and organic contaminants such as fine particles, inorganic substances containing various metals, and polymer compounds are generated in each process. This contaminant causes a problem that greatly affects the quality of the substrate. Also, as the industry develops, the miniaturization trend of the substrate becomes gradually from 90 → 65 → 45 nm, and as a result, miniaturization, high density, high integration and wiring multi-layering are progressed, . In addition, the chip area is increased and the diameter of the wafer is also increased from 200 mm to 300 mm, and a cleaning process is required to reduce minute contaminants such as particles (foreign particles), metal impurities, and surface adsorption chemicals .
세정공정 중 발생하는 미세 오염물질은 제조된 기판에 구조적 형상의 왜곡과 전기적 특성을 저하시킴으로써 기판의 성능, 신뢰성 및 수율 저하 등의 문제를 야기하고 이를 해결하기 위하여 이온이 제거된 순수를 사용하여 기판을 세정하고 있다.The fine contaminants generated during the cleaning process deteriorate the distortion of the structural shape and the electrical characteristics of the substrate, thereby causing problems such as poor performance, reliability, and yield of the substrate. To solve this problem, .
하지만, 순수는 물의 경도를 감소시켜 세정공정에 사용이 가능도록 칼슘과 마그네슘을 제거하여 이온을 제거하는 공정을 거쳐 제조하는데, 이러한 순수에는 금속이온으로 분류되는 양이온과 비금속 이온으로 분류되는 음이온이 극미량으로 존재하여 세정공정시 기판을 세정하기 위한 고순도의 스팀을 제공하지 못하는 문제점이 있다.However, pure water is produced by reducing the hardness of water and removing ions by removing calcium and magnesium so that it can be used in the cleaning process. In this pure water, a cation classified as a metal ion and a negative ion classified as a non- There is a problem that high purity steam for cleaning the substrate during the cleaning process can not be provided.
또한, 순수에 극 미량으로 잔존하는 양이온과 음이온은 기판오염을 발생시키는 원인이 되며, 이러한 이온들은 공정상에서 각각의 영향을 미친다.In addition, cations and anions remaining in pure water in a very small amount cause contamination of the substrate, and these ions have respective influences on the process.
예를 들어, 기판에 잔존하는 칼슘성분의 미세 오염물질은 기판의 절연막 내압불량이 발생하게 된다.For example, fine contaminants of the calcium component remaining on the substrate may cause defective in the dielectric strength of the insulating film of the substrate.
이에 따라 전체 공정의 30%이상을 차지하는 세정공정은 기판 제조간 반복적으로 사용되고 있으며, 기판의 미세화에 따라 더욱 엄격한 오염관리가 요구되고 있어 세정을 위한 공정장비의 설계와 공정조건의 최적화 등을 위한 다양한 기술개발이 요구되어지고 있는 실정이다.Accordingly, the cleaning process, which accounts for more than 30% of the entire process, is repeatedly used between substrate fabrication, and more strict contamination control is required due to the miniaturization of the substrate. Thus, various processes for designing process equipment for cleaning and optimization of process conditions Technology development has been demanded.
본 발명의 목적은 세정 공정간 순수에 잔존하는 극미량의 부유물질 및 입자등과 같은 파티클이 제거된 포화수를 제공하여 기판을 세정하는 스팀세정장치를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a steam cleaning apparatus for cleaning a substrate by providing saturated water in which particulates such as particulate matters and particles remaining in purified water remaining in the cleaning process are removed.
또한, 본 발명의 다른 목적은 순수가 포화수로 상태변화시 발생되는 극미량의 양이온과 음이온이 포함된 파티클을 제거하여 고순도의 스팀을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a high purity steam by removing particles containing a very small amount of positive ions and negative ions generated when pure water is changed into saturated water.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 스팀세정장치는 순수를 공급받아 저장하고, 히터가 구비되어 포화수를 생성하는 포화수생성부; 상기 포화수에 포함된 파티클을 제거하는 파티클제거부; 상기 파티클이 제거된 포화수를 공급받아 스팀 및 과열증기 중 적어도 하나 이상을 생성하는 스팀생성부; 상기 스팀 및 과열증기 중 적어도 하나 이상을 분사하는 노즐부; 및 상기 포화수생성부와 스팀생성부의 동작을 제어하는 제어부를 포함할 수 있다.To achieve the above object, according to the present invention, there is provided a steam cleaning apparatus comprising: a saturated aquatic part for receiving and storing pure water and generating a saturated water with a heater; A particle removing unit for removing particles contained in the saturated water; A steam generator for generating at least one of steam and superheated steam by receiving the saturated water from which the particles have been removed; A nozzle unit for spraying at least one of the steam and the superheated steam; And a controller for controlling operations of the saturated aquatic part and the steam generating part.
상기 순수는, DI워터(Deionized Water) 및 울트라 퓨어 워터(Ultra Pure Water) 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.The pure water may include at least one of DI Water (Deionized Water) and Ultra Pure Water.
상기 히터는, 상기 포화수생성부 내부에 구비되어, 저장된 순수를 가열할 수 있다.The heater is provided inside the saturated aquatic part to heat the stored pure water.
상기 히터는, 상기 포화수생성부 외부에 구비되어, 상기 포화수생성부의 표면을 가열할 수 있다.The heater may be provided outside the saturated aquatic part to heat the surface of the saturated water producing part.
상기 포화수생성부는, 상기 포화수 생성전 내부 압력 및 상기 내부 압력의 변화를 감지하는 압력센서; 저장된 순수의 수위를 감지하는 하는 수위센서; 상기 내부 압력에 기반하여, 상기 포화수가 생성되는 내부 온도를 감지하는 온도센서; 상기 저장된 순수의 농도를 측정하는 순수농도 측정기를 포함하고, 상기 내부 압력, 상기 내부 압력의 변화, 상기 수위, 상기 내부 온도 및 상기 농도 중 적어도 하나이상을 상기 제어부에 전달할 수 있다.Wherein the saturated water generating unit comprises: a pressure sensor for sensing a change in the internal pressure and the internal pressure before the saturated water is generated; A level sensor for sensing the level of the stored pure water; A temperature sensor for sensing an internal temperature at which the saturated water is generated based on the internal pressure; And a pure water concentration meter for measuring the concentration of the stored pure water, and may transmit at least one of the internal pressure, the internal pressure change, the water level, the internal temperature, and the concentration to the control unit.
상기 파티클제거부는, 양이온 교환수지, 음이온 교환수지 및 마이크로 필터 중 적어도 하나 이상을 이용하여, 상기 포화수에 포함된 파티클을 제거할 수 있다.The particle removing unit may remove particles included in the saturated water by using at least one of a cation exchange resin, an anion exchange resin, and a micro filter.
상기 파티클제거부는, 상기 포화수생성부 및 상기 스팀생성부 사이에 배치되고, 상기 포화수에 포함된 파티클을 제거하는 적어도 하나 이상의 파티클제거기를 포함할 수 있다.The particle removing unit may include at least one particle remover disposed between the saturated aquatic part and the steam generating part, for removing particles contained in the saturated water.
상기 파티클제거부는, 상기 스팀생성부 및 상기 노즐부 사이에 배치되고, 상기 스팀 및 상기 과열증기 중 적어도 하나 이상에 포함된 파티클을 제거하는 적어도 하나 이상의 파티클제거기를 포함할 수 있다.The particle removing unit may include at least one particle removing unit disposed between the steam generating unit and the nozzle unit and removing particles included in at least one of the steam and the superheated steam.
상기 노즐부는, 상기 스팀 및 상기 과열증기 중 적어도 하나 이상과 다른 유체를 혼합한 혼합유체를 분사하는 토출부를 포함할 수 있다.The nozzle unit may include a discharge unit for spraying a mixed fluid obtained by mixing at least one of the steam and the superheated steam with another fluid.
상기 다른 유체는, CDA(Clean Dry Air), 세정액, 혼합된 약액, 오존수 및 순수 중 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다.The other fluid may include at least one of Clean Dry Air (CDA), cleaning liquid, mixed chemical liquid, ozone water, and pure water.
상기 토출부는, 슬릿 또는 복수의 스팟 형상을 구비하여, 상기 혼합유체를 상기 슬릿 형상 또는 상기 복수의 스팟 형상으로 분사할 수 있다.The discharging portion may include a slit or a plurality of spot shapes, and may spray the mixed fluid in the form of a slit or a plurality of spots.
상기 제어부는, 전기전도도를 통하여 상기 포화수생성부에 저장된 상기 순수의 농도를 측정하여, 상기 순수의 유입을 제어할 수 있다.The control unit may control the inflow of the pure water by measuring the concentration of the pure water stored in the saturated aquatic part through the electrical conductivity.
상기 스팀생성부는, 상기 파티클이 제거된 포화수를 상기 포화수생성부 보다 높은 온도로 가열하여 상기 스팀 및 상기 과열증기 중 적어도 하나 이상을 생성할 수 있다.The steam generator may generate at least one of the steam and the superheated steam by heating the saturated water from which the particles have been removed to a temperature higher than the saturation aquatic function.
상기 포화수생성부는, 적어도 둘 이상의 포화수생성기를 포함할 수 있다.The saturated water generator may include at least two saturated water generators.
상술한 바와 같이, 본 발명은 파티클제거부를 통해 파티클이 제거된 포화수를 이용하여 스팀을 생성함으로써, 기판오염의 원인이 되는 미세 파티클이 함유되지 않은 고순도의 스팀을 제공할 수 있다.As described above, according to the present invention, steam is generated using saturated water from which particles have been removed through a particle removing unit, thereby providing high-purity steam containing no fine particles which may cause substrate contamination.
특히, 본 발명은 포화수 생성시 순수의 온도 상승의 영향으로 발생되는 극미량의 양이온과 음이온을 포함하는 파티클이 제거될 수 있는 구조를 제공함으로써, 스팀의 순도를 확보할 수 있다.Particularly, the present invention provides a structure in which particles including a trace amount of positive ions and anions generated by the influence of temperature rise of pure water in the production of saturated water can be removed, thereby securing the purity of steam.
또한, 본 발명은 제어부에 의해 포화수생성부 내부에 유입된 순수의 농도를 측정하여 균일한 순수의 농도를 유지함으로써, 균일한 농도의 포화수를 제공할 수 있는 효과가 있다.In addition, the present invention has the effect of providing a uniform concentration of saturated water by measuring the concentration of pure water introduced into the saturated aquatic part by the control unit to maintain a uniform concentration of pure water.
도 1은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판세정장치의 구성을 보인 구성도.
도 2는 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판세정장치의 구성을 보인 구성도.
도 3은 본 발명의 제 3실시 예에 따른 기판세정장치의 구성을 보인 구성도.
도 4는 본 발명의 제 4실시 예에 따른 기판세정장치의 구성을 보인 구성도.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 노즐부를 보인 사시도.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 노즐부의 토출구를 보인 단면도.1 is a configuration diagram showing a configuration of a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention;
2 is a configuration diagram showing the configuration of a substrate cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention.
3 is a configuration diagram showing the configuration of a substrate cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention.
4 is a configuration diagram showing the configuration of a substrate cleaning apparatus according to a fourth embodiment of the present invention.
5 is a perspective view illustrating a nozzle unit according to an embodiment of the present invention;
6 is a sectional view showing a discharge port of a nozzle unit according to an embodiment of the present invention.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 명세서에 개시된 실시 예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 유사한 구성요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다. 이하의 설명에서 사용되는 구성요소에 대한 접미사 "모듈" 및 "부"는 명세서 작성의 용이함만이 고려되어 부여되거나 혼용되는 것으로서, 그 자체로 서로 구별되는 의미 또는 역할을 갖는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 개시된 실시 예를 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 명세서에 개시된 실시 예의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 첨부된 도면은 본 명세서에 개시된 실시 예를 쉽게 이해할 수 있도록 하기 위한 것일 뿐, 첨부된 도면에 의해 본 명세서에 개시된 기술적 사상이 제한되지 않으며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, wherein like reference numerals are used to designate identical or similar elements, and redundant description thereof will be omitted. The suffix " module " and " part " for the components used in the following description are given or mixed in consideration of ease of specification, and do not have their own meaning or role. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of related arts will be omitted when it is determined that the gist of the embodiments disclosed herein may be blurred. It is to be understood that both the foregoing general description and the following detailed description are exemplary and explanatory and are intended to provide further explanation of the invention as claimed. , ≪ / RTI > equivalents, and alternatives.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.Terms including ordinals, such as first, second, etc., may be used to describe various elements, but the elements are not limited to these terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is to be understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, . On the other hand, when an element is referred to as being "directly connected" or "directly connected" to another element, it should be understood that there are no other elements in between.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise.
본 출원에서, "포함한다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기In this application, the terms " comprises " or " having "
재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을But are not limited to, a feature, a number, a step, an operation, an element, a component,
지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성One or more other features or numbers, steps, operations, configurations
요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않Elements, components, or combinations thereof without departing from the spirit and scope of the invention.
는 것으로 이해되어야 한다..
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 실시 예에 대해 상세히 설명하기로 한다. 본 발명은 본 발명의 정신 및 필수적 특징을 벗어나지 않는 범위에서Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It is intended that the present invention cover the modifications and variations of this invention that fall within the spirit and essential characteristics thereof
다른 특정한 형태로 구체화될 수 있음은 당업자에게 자명하다.It will be apparent to those skilled in the art that the invention may be embodied in other specific forms.
다만, 이하의 도 1 내지 도 6을 통하여 설명되는 스팀세정장치는, 본 발명에 따른 특징적인 기능을 소개함에 있어서, 필요한 구성요소만이 도시된 것으로서, 그 외 다양한 구성요소가 스팀세정장치에 포함될 수 있음은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 자명하다.1 to 6, only the necessary components are shown in introducing the characteristic functions according to the present invention, and various other components are included in the steam cleaning apparatus It will be apparent to those skilled in the art that the present invention can be carried out without departing from the spirit and scope of the invention.
도 1은 본 발명의 제 1실시 예에 따른 기판세정장치의 구성을 보인 구성도이고, 도 2는 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판세정장치의 구성을 보인 구성도이다.Fig. 1 is a configuration diagram showing a configuration of a substrate cleaning apparatus according to a first embodiment of the present invention, and Fig. 2 is a configuration diagram showing the configuration of a substrate cleaning apparatus according to a second embodiment of the present invention.
도 1을 참조하면, 스팀세정장치(10)는 포화수생성부(100), 파티클제거부(200),스팀생성부(300), 노즐부(400) 및 제어부(500)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the
포화수생성부(100)는 포화수를 파티클제거부(200)에 공급한다. 여기서 포화수는 외부로부터 순수를 공급받아 포화수생성부 내부에 구비된 히터(110)가 순수를 가열하여 생성된다.The saturated aquatic part (100) supplies the saturated water to the particle removing part (200). Here, the saturated water is generated by supplying pure water from the outside and the
순수는 증류수 및 초순수를 이용하여 반도체 및 글라스 기판을 세정하는 액체로, 일반적으로 양이온(양전하를 띈 이온)과 음이온(은전하를 띈 이온)을 제거한 수지컬럼 방법으로 제조되거나, 원수에 녹아 있는 염을 제거하는 탈염장치를 통한 역삼투 방법 등으로 제조된 순수를 포함할 수 있다.Pure water is a liquid that cleans semiconductor and glass substrates by using distilled water and ultrapure water. It is usually manufactured by a resin column method in which positive ions (positive ions) and anions (negative ions) are removed, or salts And a reverse osmosis method through a desalination unit for removing water.
또한, 포화수는 순수를 가열하여 생성될 수 있다.In addition, the saturated water can be produced by heating pure water.
구체적으로, 포화수는 내부 에너지(압력 및 온도)가 포화상태에 도달한 물로써 1기압(표준대기압)에서는 100℃의 온도에서 포화수가 생성된다. 이러한 포화수는 압력에 따라 100℃ 이상일 수 있으며, 100℃ 이하일 수 있다.Specifically, saturated water is water in which internal energy (pressure and temperature) reaches a saturated state, and saturated water is produced at a temperature of 100 ° C at 1 atm (standard atmospheric pressure). Such saturated water may be 100 ° C or higher, depending on the pressure, and may be 100 ° C or lower.
이때, 포화수생성부(100)에서 생성된 포화수는 포화수 공급라인(L1)을 통해 스팀생성부(300)로 공급되며, 파티클제거부(200), 포화수 유량을 조절하는 밸브(미도시) 등이 포화수생성부(100)와 스팀생성부(300)사이에 구비될 수 있다.At this time, the saturated water produced in the saturated
또한, 포화수생성부(100)는 압력센서(120), 수위센서(130), 온도센서(140), 순수농도 측정기(150)를 포함하며 센서 및 측정기를 통해 감지된 정보를 제어부(500)에 전달할 수 있다.The saturated
압력센서(120)는 포화수생성부(100) 내부에 유입된 순수가 포화수 생성전 내부 압력 및 포화수 생성간 포화수생성부(100) 내부 압력의 변화를 감지할 수 있다.The
수위센서(130)는 포화수생성부 내부에 저장된 순수의 수위를 감지하고, 온도센서(140)는 내부 압력을 기반하여, 포화수가 생성되는 내부온도를 감지하며, 순수농도 측정기(150)는 저장된 순수의 농도를 측정할 수 있다. 이러한 포화수생성부(100) 내부의 압력, 압력의 변화, 수위, 온도 및 농도는 센서에 의해 감지된 정보는 제어부(500)로 전달될 수 있다.The water level sensor 130 senses the level of the pure water stored in the saturated aquatic part and the
파티클제거부(200)는 포화수생성부(100)로부터 포화수를 공급받아 여과과정을 수행하여 파티클이 제거된 포화수를 스팀생성부(300)로 공급한다. 이때, 여과과정은 포화수 생성간 발생되는 미세한 이온성 파티클을 여과하는 과정으로 양이온 교환수지, 음이온 교환수지 및 마이크로 필터 등을 포함할 수 있다. 이러한 파티클제거부(200)는 포화수생성부(100) 및 스팀생성부(300) 사이에 배치될 수 있으며, 스팀생성부(300) 및 노즐부(400) 사이에 배치될 수 있다. 이때, 각각의 위치에 배치되는 파티클제거부(200)는 포화수의 파티클을 제거할 수 있으며, 스팀 및 과열증기의 파티클을 제거할 수 있다.The
스팀생성부(300)는 파티클이 제거된 포화수를 공급받아 스팀 및 과열증기를 생성한다. 이때, 스팀생성부(300)는 파티클이 제거된 포화수를 포화수생성부(100) 보다 높은 온도로 가열할 수 있다.The
구체적으로, 스팀생성부(300)의 온도 변화에 따라 생성되는 스팀은 100℃ ~ 150℃범위에서 파티클이 제거된 포화수를 가열하여 생성되는 수증기 형태로, 극 미량의 양이온과 음이온을 포함한 파티클이 제거된 고순도의 스팀일 수 있으며, 과열증기는 180℃ ~ 220℃범위에서 파티클이 제거된 포화수를 가열하여 생성되는 고온의 가스체 형태로, 극 미량의 양이온과 음이온을 포함한 파티클이 제거된 기체일 수 있다.Particularly, the steam generated in accordance with the temperature change of the
노즐부(400)는 스팀생성부(300)에서 생성된 스팀 및 과열증기를 공급라인(L2)을 통해 공급받아 대상물(S)의 세정면에 스팀 및 과열증기를 분사할 수 있다. 이때, 노즐부(400)는 공급받은 스팀 및 과열증기 이외에 세정이 필요한 공정의 난이도에 따라 다른 유체를 혼합한 혼합유체를 포함할 수 있다. 이러한 다른 유체는 CDA(Clean Dry Air), 세정액, 혼합된 약액, 오존수 및 순수가 혼합되어 대상물(S)의 세정면에 분사될 수 있다. 또한, 노즐부(400)는 토출부(410)가 구비되어 혼합유체가 대상물(S)의 세정면에 다양한 형상으로 분사될 수 있다.The
제어부(500)는 감지된 정보를 이용하여 포화수생성부(100)에서 생성된 포화수가 균일하게 생성 및 유지되도록 제어할 수 있다. 이때, 제어부(500)는 전기전도도를 통해 포화수생성부(100)에 저장된 순수의 농도를 측정하고 외부로부터 포화수생성부로 순수가 유입되도록 동작을 제어할 수 있다. The
또한, 제어부(500)는 별도의 전원장치(미도시)가 구비될 수 있으며, 별도의 전원장치(미도시)는 포화수생성부(100) 및 스팀생성부(300)에 전원을 인가하여 포화수, 스팀 및 과열증기를 생성할 수 있다. 일반적으로 각 산업분야 등에서 필요에 따라 제조되는 순수는 극미량의 양이온과 음이온이 포함될 수 있으며 그 농도를 정략화하기 어렵기 때문에, 이러한 순수의 농도는 포화수생성시 발생되는 파티클의 양을 측정할 수 있으며, 측정된 순수의 농도를 기준으로 파티클제거부에서 제거되어야 하는 파티클의 양을 측정할 수 있다.A separate power supply unit (not shown) may be connected to the
구체적으로, 순수의 전기전도도를 통해 측정된 비저항 값은 1800만 ohm.cm이지만 반도체 세척에 사용되는 순수의 비저항 값은 1700만 ohm.cm으로 사용함으로써 세정공정 수행 간 원치않는 파티클이 발생될 수 있다. 다시 말해, 반도체 세척에 사용되는 순수를 포화수로 생성하고, 파티클제거부(200)를 통해 포화수의 파티클을 제거하여 비저항 값을 상승시켜 고순도의 스팀 및 과열증기를 생성함으로써 세정 공정의 수율을 향상시킬 수 있다.Specifically, the resistivity value measured through pure electrical conductivity is 18 million ohm.cm, but the resistivity value of pure water used for semiconductor cleaning is 17 million ohm.cm, so that undesired particles may be generated during the cleaning process . In other words, the pure water used for cleaning the semiconductor is generated as saturated water, the particles of the saturated water are removed through the
도 2를 참조하여, 본 발명의 제 2실시 예에 따른 기판세정장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.The operation of the substrate cleaning apparatus according to the second embodiment of the present invention will now be described with reference to FIG.
스팀세정장치(10)는 포화수생성부(100), 파티클제거부(200),스팀생성부(300), 노즐부(400) 및 제어부(500)를 포함한다. 이러한 구성들은 앞서 도 1을 설명한 바와 같으므로 중복되는 설명은 생략한다.The
본 발명의 제 1 실시 예와 대비되는 부분은 히터(110)가 포화수생성부(100)의 외부에 구비되고, 포화수생성부(100)의 표면을 가열하여 포화수를 생성한다.In contrast to the first embodiment of the present invention, the
파티클이 제거된 포화수는 스팀생성부(300)로 공급되어 스팀 및 과열증기를 생성하고 공급라인(L2)을 통해 노즐부(400)로 공급된다.The saturated water from which the particles have been removed is supplied to the
노즐부(400)로 공급된 스팀 및 과열증기는 파티클이 제거된 고순도의 스팀 및 과열증기로 대상물(S)의 세정면에 분사될 수 있으며, 노즐부(400)는 내부에서 스팀 및 과열증기 이외에 세정이 필요한 공정의 난이도에 따라 다른 유체와 혼합되어 혼합유체를 분사할 수 있다.The steam and the superheated steam supplied to the
이때, 제어부(500)는 포화수생성부(100)에 구비된 압력센서(120), 수위센서(130), 온도센서(140), 순수농도 측정기(150)를 통해 감지된 정보를 전달받아 포화수생성부(100) 내부의 압력, 압력의 변화, 수위, 온도, 농도, 순수의 유입 및 스팀생성부의 동작을 제어한다.At this time, the
도 3은 본 발명의 제 3실시 예에 따른 기판세정장치의 구성을 보인 구성도이며, 도 4는 본 발명의 제 4실시 예에 따른 기판세정장치의 구성을 보인 구성도이다.FIG. 3 is a configuration diagram showing the configuration of a substrate cleaning apparatus according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a configuration diagram showing the configuration of a substrate cleaning apparatus according to the fourth embodiment of the present invention.
도 3을 참조하면, 스팀세정장치(10)는 포화수생성부(100), 파티클제거부(200),스팀생성부(300), 노즐부(400) 및 제어부(500)를 포함한다. 이러한 구성들은 앞서 도 1 내지 도 2를 설명한 바와 같으므로 중복되는 설명은 생략한다.3, the
포화수생성부(100)는 둘 이상의 포화수생성기(100-1,100-n)로 구비될 수 있다. 여기서, 포화수생성기(100-1,100-n)는 히터 각각을 내부에 구비시키거나 외부에 구비시켜 포화수를 생성할 수 있다. 또한, 포화수생성기((100-1,100-n)의 외부에 구비되어 표면을 가열하는 히터는 포화수생성기((100-1,100-n)의 면적에 비례하여 적어도 하나 이상의 히터가 구비될 수 있다.The saturated
도 4를 참조하면, 스팀세정장치(10)는 포화수생성부(100), 파티클제거부(200),스팀생성부(300), 노즐부(400) 및 제어부(500)를 포함한다. 이러한 구성들은 앞서 도 1 내지 도 3을 설명한 바와 같으므로 중복되는 설명은 생략한다.Referring to FIG. 4, the
파티클제거부(200)는 둘 이상의 파티클제거기(200-1,200-n)로 구비될 수 있다. 여기서, 파티클제거기(200-1,200-n)는 포화수생성부(100)로부터 포화수를 공급받아 여과과정을 수행하여 파티클이 제거된 포화수를 스팀생성부(300)로 공급할 수 있다. 또한, 파티클제거기(210)는 스팀생성부(300)로부터 스팀 및 포화증기를 공급받아 여과과정을 수행하여 파티클이 제거된 스팀 및 과열증기를 노즐부(400)로 공급할 수 있다. The
도면에는 도시하지 않았지만 포화수생성기(100-1,100-n) 및 파티클제거기(200-1,200-n, 210)의 갯수 및 간격은 임의로 조절될 수 있으며 세정이 필요한 공정의 난이도에 따라 변형 실시 예의 적용이 가능하다.Although not shown in the figure, the number and spacing of the saturation water generators 100-1 and 100-n and the particle removers 200-1 and 200-n and 210 can be arbitrarily adjusted, and the application of the modified embodiment according to the degree of difficulty of the process It is possible.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 노즐부을 보인 사시도이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 노즐부의 토출구를 보인 단면도이다.FIG. 5 is a perspective view showing a nozzle unit according to an embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a sectional view showing a discharge port of a nozzle unit according to an embodiment of the present invention.
도 5 및 6을 참조하면, 노즐부는 스팀 및 과열증기 공급부(410), 유체공급부(420), 혼합부(430), 토출부(440)를 포함한다.Referring to FIGS. 5 and 6, the nozzle unit includes a steam and superheated
스팀 및 과열증기 공급부(410)는 스팀생성부(300)에서 생성된 스팀 및 과열증기가 공급될 수 있다.The steam and superheated
유체공급부(420)는 외부로부터 다른 유체를 공급될 수 있다. The
그 결과, 스팀 및 과열증기 공급부와 유체공급부로부터 공급되는 서로 다른 유체는 혼합부(430)에서 서로 혼합된 혼합유체로써 체류할 수 있게 된다.As a result, the different fluids supplied from the steam and overheated steam supply unit and the fluid supply unit can be mixed with each other in the
다른 유체는 CDA(Clean Dry Air), 세정액, 혼합된 약액, 오존수 및 순수를 포함할 수 있다. 이때, 혼합유체는 다양한 종류의 유체의 혼합으로 생성될 수 있다.Other fluids may include Clean Dry Air (CDA), cleaning liquid, mixed chemical liquid, ozonated water, and pure water. At this time, the mixed fluid can be generated by mixing various kinds of fluids.
토출부(440)는 대상물(S)의 세정면과 대응하게 구비되며 대상물(S)의 세정면에 대비하여 일정한 각도로 구비될 수 있다. 이때, 노즐부의 일면에 구비되는 토출부는 슬릿 또는 복수의 스팟 형상으로 구비되어 혼합유체를 슬릿 형상 또는 복수의 스팟 형상으로 대상물(S)의 세정면에 분사할 수 있다.The discharging
결국, 본 발명에 따른 스팀세정장치는 파티클이 제거된 포화수를 이용하여 스팀을 생성함으로써, 기판오염의 원인이 되는 미세 파티클이 함유되지 않은 고순도의 스팀을 제공할 수 있고, 포화수 생성시 순수의 온도 상승영향으로 발생되는 극미량의 양이온과 음이온을 포함하는 파티클이 제거될 수 있는 구조를 제공함으로써, 스팀의 순도를 확보할 수 있다.As a result, the steam cleaning apparatus according to the present invention can generate steam using the saturated water from which particles have been removed, thereby providing high-purity steam that does not contain fine particles that cause substrate contamination, It is possible to secure the purity of steam by providing a structure in which particles including a very small amount of positive ions and negative ions generated by the influence of the temperature rise of the particles can be removed.
또한, 세정공정 수행 간 원치않는 파티클이 발생될 수 경우, 파티클제거부를 통해 포화수의 파티클을 제거하여 포화수의 비저항 값을 상승시켜 고순도의 스팀 및 과열증기를 생성함으로써 세정 공정의 수율을 향상시킬 수 있다.In addition, when undesired particles may be generated during the cleaning process, the particles of the saturated water are removed through the particle removing unit to increase the resistivity value of the saturated water to generate high purity steam and superheated steam, thereby improving the yield of the cleaning process .
이상에서 설명된 본 발명의 실시 예는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속한 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 잘 알 수 있을 것이다. 그럼으로 본 발명은 상기의 상세한 설명에서 언급되는 형태로만 한정되는 것은 아님을 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다. 또한, 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 그 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and equivalent arrangements may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. Accordingly, it is to be understood that the present invention is not limited to the above-described embodiments. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims. It is also to be understood that the invention includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims.
10 : 스팀세정장치 100 : 포화수생성부
100-1, 100-n : 포화수생성기 110 : 히터
120 : 압력센서 130 : 수위센서
140 : 온도센서 150 : 농도 측정기
200 : 파티클제거부 200-1, 200-n, 210 : 파티클제거기
300 : 스팀생성부 400 : 노즐부
410 : 스팀 및 과열증기 공급부 420 : 유체공급부
430 : 혼합부 440 : 토출부
500 : 제어부 L1, L2 : 공급라인
S : 대상물(S)10: steam cleaner 100: saturated aquatic part
100-1, 100-n: Saturated water generator 110: heater
120: pressure sensor 130: water level sensor
140: Temperature sensor 150: Concentration meter
200: particle removing unit 200-1, 200-n, 210: particle removing unit
300: steam generator 400: nozzle unit
410: steam and superheated steam supply part 420: fluid supply part
430: mixing section 440:
500: control unit L1, L2: supply line
S: object (S)
Claims (14)
상기 포화수에 포함된 상기 파티클을 제거하는 파티클제거부;
상기 파티클이 제거된 포화수를 공급받아 스팀 및 과열증기 중 적어도 하나 이상을 생성하는 스팀생성부;
상기 스팀 및 과열증기 중 적어도 하나 이상을 분사하는 노즐부; 및
상기 포화수생성부와 스팀생성부의 동작을 제어하는 제어부를 포함하되,
상기 노즐부는,
상기 스팀 및 상기 과열증기 중 적어도 하나 이상과 다른 유체를 혼합한 혼합유체를 분사하는 토출부를 포함하고,
상기 토출부는,
복수의 스팟 형상을 구비하여, 상기 혼합유체를 상기 슬릿 형상 또는 상기 복수의 스팟 형상으로 분사하되,
상기 복수의 스팟 형상은,
제1열 및 제2열의 지그재그 형태로 구비되는 스팀세정장치.A saturated aquatic part which is supplied with and stores pure water and has a heater to generate saturated water containing particles including positive and negative ions;
A particle removing unit for removing the particles included in the saturated water;
A steam generator for generating at least one of steam and superheated steam by receiving the saturated water from which the particles have been removed;
A nozzle unit for spraying at least one of the steam and the superheated steam; And
And a controller for controlling operations of the saturated aquatic part and the steam generating part,
In the nozzle unit,
And a discharge portion for spraying a mixed fluid obtained by mixing at least one of the steam and the superheated steam with another fluid,
The discharge unit
A plurality of spot shapes are provided, and the mixed fluid is sprayed into the slit shape or the plurality of spot shapes,
Wherein the plurality of spot shapes include:
Wherein the steam cleaning device is provided in a zigzag form of a first row and a second row.
상기 순수는,
DI워터(Deionized Water) 및 울트라 퓨어 워터(Ultra Pure Water) 중 적어도 하나 이상을 포함하는 스팀세정장치.The method according to claim 1,
The pure water,
Wherein the steam cleaning device comprises at least one of DI Water (Deionized Water) and Ultra Pure Water.
상기 히터는,
상기 포화수생성부 내부에 구비되어, 저장된 순수를 가열하는 스팀세정장치.The method according to claim 1,
The heater
And a steam cleaning device provided inside the saturated aquatic part for heating the stored pure water.
상기 히터는,
상기 포화수생성부 외부에 구비되어, 상기 포화수생성부의 표면을 가열하는 스팀세정장치.The method according to claim 1,
The heater
And a heater provided outside the saturated aquatic part to heat the surface of the saturated water producing part.
상기 포화수생성부는,
상기 포화수 생성전 내부 압력 및 상기 내부 압력의 변화를 감지하는 압력센서;
저장된 순수의 수위를 감지하는 하는 수위센서;
상기 내부 압력에 기반하여, 상기 포화수가 생성되는 내부 온도를 감지하는 온도센서;
상기 저장된 순수의 농도를 측정하는 순수농도 측정기를 포함하고,
상기 내부 압력, 상기 내부 압력의 변화, 상기 수위, 상기 내부 온도 및 상기 농도 중 적어도 하나이상을 상기 제어부에 전달하는 스팀세정장치.The method according to claim 1,
Wherein the saturation number generating unit comprises:
A pressure sensor for detecting a change in the internal pressure and the internal pressure before the saturated water is generated;
A level sensor for sensing the level of the stored pure water;
A temperature sensor for sensing an internal temperature at which the saturated water is generated based on the internal pressure;
And a pure water concentration meter for measuring the concentration of the stored pure water,
And transmits at least one of the internal pressure, the change in the internal pressure, the water level, the internal temperature, and the concentration to the control unit.
상기 파티클제거부는,
양이온 교환수지, 음이온 교환수지 및 마이크로 필터 중 적어도 하나 이상을 이용하여, 상기 포화수에 포함된 파티클을 제거하는 스팀세정장치.The method according to claim 1,
The particle removing unit includes:
Wherein at least one of a cation exchange resin, an anion exchange resin, and a micro filter is used to remove particles contained in the saturated water.
상기 파티클제거부는,
상기 포화수생성부 및 상기 스팀생성부 사이에 배치되고, 상기 포화수에 포함된 파티클을 제거하는 적어도 하나 이상의 파티클제거기를 포함하는 스팀세정장치.The method according to claim 1,
The particle removing unit includes:
And at least one particle remover disposed between the saturated aquatic part and the steam generating part for removing particles contained in the saturated water.
상기 파티클제거부는,
상기 스팀생성부 및 상기 노즐부 사이에 배치되고, 상기 스팀 및 상기 과열증기 중 적어도 하나 이상에 포함된 파티클을 제거하는 적어도 하나 이상의 파티클제거기를 포함하는 스팀세정장치.The method according to claim 1,
The particle removing unit includes:
And at least one particle removing unit disposed between the steam generating unit and the nozzle unit for removing particles contained in at least one of the steam and the superheated steam.
상기 다른 유체는,
CDA(Clean Dry Air), 세정액, 혼합된 약액, 오존수 및 순수 중 적어도 하나 이상을 포함하는 스팀세정장치.The method according to claim 1,
The other fluid,
A clean air (CDA), a cleaning liquid, a mixed chemical liquid, ozone water, and pure water.
상기 제어부는,
전기전도도를 통하여 상기 포화수생성부에 저장된 상기 순수의 농도를 측정하여, 상기 순수의 유입을 제어하는 스팀세정장치.The method according to claim 1,
Wherein,
Wherein the concentration of the pure water stored in the saturated aquatic part is measured through electrical conductivity to control the inflow of the pure water.
상기 스팀생성부는,
상기 파티클이 제거된 포화수를 상기 포화수생성부 보다 높은 온도로 가열하여 상기 스팀 및 상기 과열증기 중 적어도 하나 이상을 생성하는 스팀세정장치.The method according to claim 1,
The steam generator comprises:
And the saturated water from which the particles are removed is heated to a temperature higher than that of the saturated aquatic part to generate at least one of the steam and the superheated steam.
상기 포화수생성부는,
적어도 둘 이상의 포화수생성기를 포함하는 스팀세정장치.The method according to claim 1,
Wherein the saturation number generating unit comprises:
And at least two saturated water generators.
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JP2004125736A (en) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Osaka Gas Co Ltd | Method and device for measuring enthalpy of saturated water, latent evaporation heat of saturated water, enthalpy of superheated steam and dryness fraction of wet steam |
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- 2017-02-28 KR KR1020170025950A patent/KR101935580B1/en active IP Right Grant
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JP2004125736A (en) * | 2002-10-07 | 2004-04-22 | Osaka Gas Co Ltd | Method and device for measuring enthalpy of saturated water, latent evaporation heat of saturated water, enthalpy of superheated steam and dryness fraction of wet steam |
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