KR101932334B1 - 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 나선 형태의 블록공중합체 자기조립 유도를 위한 트렌치의 제작 및 이를 이용한 나선형 나노구조체의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 상향식 공정(bottom―up process)만을 이용하여 비대칭 형태인 나선형 나노구조체를 제작할 수 있다.
Description
본 발명은 나선 형태의 블록공중합체 자기조립 유도를 위한 트렌치의 제작 및 이를 이용한 나선형 나노구조체의 제조방법에 관한 것이다.
과학기술의 발전과 함께 떠오른 차세대 나노 소자는 뛰어난 성능과 활용도로 인해 높은 미래 잠재성을 가지고 있다. 이와 더불어 전자기기들의 소형화 및 경량화의 동향에 따라 나노미터 크기의 패터닝의 중요성이 부각되고 있다.
특히, 단순한 형태의 패터닝에 대한 연구가 포화상태에 접어들면서 복잡하고 비대칭적인 나노구조체의 제작의 필요성이 드러나고 있다.
기존에는 다양한 나노구조체의 제작에 전자빔 리소그래피(e―beam lithography) 또는 딥 UV 리소그래피(deep UV lithography) 등의 고해상도 리소그래피 기술을 적용하였으나, 이 같은 패터닝 공정들이 갖는 공정 비용 및 생산성 측면, 대면적 적용 가능성에서 큰 단점이 존재하였다.
반면에, 블록공중합체 유도 자기 조립을 이용한 패터닝 공정은 수십 나노 크기의 분해능(resolution)과 더불어 대면적의 패턴 형성, 매우 균일한 크기 분포 등 차세대 패터닝 기술로써 갖추어야 할 대부분의 요소를 갖추고 있으며, 상향식 기술로 공정비용이 저렴하여 양산성이 뛰어나다는 장점 등으로 주목 받고 있다.
여기서, 블록공중합체는 화학적으로 서로 다른 두 고분자 블록이 공유결합에 의해 연결된 형태의 고분자를 의미하며, 이는 필요한 유동성이 주어졌을 때 열역학적 에너지를 최소화하기 위해 수십 나노 크기의 마이크로도메인(microdomain)을 형성하며 자기 조립한다. 유도 자기 조립은 고분자의 성질을 이용하여 원하는 형태의 다양한 나노 패턴을 구현할 수 있는 기술이다.
전술한 원리에 의해 자연적으로 형성된 나노 구조는 배열이 불규칙하고 결함이 형성되기 때문에 실제 소자 제작에 이용되기에는 제약이 생기게 된다.
이러한 문제를 해결하기 위해 기존에는 패턴의 위치와 방향성을 제어하기 위한 그래포에피택시(Graphoepitaxy)를 이용하였다. 그래포에피택시는 기판에 수백 나노미터에서 수 마이크로미터 크기의 트렌치를 구현하여 블록공중합체의 패턴이 트렌치의 방향에 따라 정렬되도록 형성하며, 이를 이용하여 다양한 형태의 구조체를 제작할 수 있다.
다만, 트렌치의 형태를 통하여 블록공중합체의 다양한 패터닝을 유도할 수 있으나, 블록공중합체 유도 자기 조립은 본질적으로 열역학적 추진력(driving force)에 의해 유도되는 과정이기 때문에 트렌치 내에서는 대칭인 패턴이 형성된다.
이는 대면적에서 주기적인 패턴을 형성한다는 장점이기도 하지만, 제작할 수 있는 구조체가 제한된다는 단점이기도 하다.
이러한 한계는 블록공중합체의 다양한 응용 가능성에 걸림돌이 되어왔다.
따라서 상기한 바와 같은 블록공중합체의 장점을 극대화시키며 다양한 분야에서의 응용을 위해선 블록공중합체를 이용하여 비대칭 구조를 포함한 다양한 형태의 패턴 제작이 가능한 트렌치가 요구된다.
본 발명은 상향식 공정(bottom―up process)만을 이용하여 비대칭 형태인 나선형 나노구조체를 제작할 수 있는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체 및 그의 제조 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 상향식 공정인 블록공중합체의 장점을 극대화시켜 차세대 패터닝 기술로써 공정 비용과 생산성에서의 경쟁력을 높이고, 블록공중합체의 장점을 극대화시키는 제조 공정을 제공할 수 있는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체 및 그의 제조 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 실리콘 기판에 비대칭 형태의 홈을 가지는 원형 트렌치의 제작 방법을 고안하고, 트렌치 내에서 블록공중합체 자기 조립을 유도하여 나선형 나노구조체를 형성할 수 있는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체 및 그의 제조 방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 공정의 간단한 조정을 통해 나선형 구조의 크기 및 방향을 조절하고, 비대칭 형태의 홈의 방향성을 조절함으로써 나선형 구조의 핸디드니스(handedness)를 제어할 수 있는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체 및 그의 제조 방법을 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예에 따른 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법은 기판 상에 규칙적으로 배열되는 원형 구조체를 형성하는 단계, 상기 원형 구조체에 산화물의 수직 증착에 따른 산화물층을 증착하고, 식각 마스크의 섬광각 증착에 따른 금속층을 증착하여 나노홀 구조를 형성하는 단계, 상기 형성된 나노홀 구조에 의해 노출되는 상기 산화물층의 노출 영역을 식각하는 단계, 상기 원형 구조체 및 상기 금속층을 제거하여 블록공중합체의 나선형 자기조립 유도를 위한 트렌치를 형성하는 단계, 상기 트렌치에 블록공중합체를 코팅하고, 상기 블록공중합체의 자기조립을 유도하는 단계 및 상기 블록공중합체의 산화를 통해 나선형 나노구조체를 형성하는 단계를 포함한다.
상기 원형 구조체를 형성하는 단계는 구형 폴리스티렌(polystyrene sphere), 구형 실리카(silica sphere) 및 구형 폴리머(polymer sphere) 중 어느 하나로 상기 원형 구조체를 형성할 수 있다.
상기 원형 구조체를 형성하는 단계는 반응성 이온 식각(reactive ion etching)을 이용하여 상기 원형 구조체의 크기를 조절하는 것이 특징일 수 있다.
상기 나노홀 구조를 형성하는 단계는 상기 원형 구조체가 형성된 상기 기판 상에 상기 산화물을 수직 방향의 상기 수직 증착하여 상기 산화물층을 형성하고, 상기 산화물층 상에 금속을 입사각 방향의 상기 섬광각 증착(glancing angle deposition)하여 상기 금속층을 형성하며, 상기 나노홀 구조를 형성하는 것이 특징일 수 있다.
상기 나노홀 구조를 형성하는 단계는 상기 섬광각 증착의 입사각의 각도차와 증착 방향 간의 각도차는 90° 이하인 것이 특징일 수 있다.
또한, 상기 나노홀 구조를 형성하는 단계는 상기 섬광각 증착의 방향에 따라 상기 나노홀 구조의 방향을 조정하는 것이 특징일 수 있다.
상기 산화물층의 노출 영역을 식각하는 단계는 아르곤(Ar), 산소(O2), 사불화탄소(CF4) 및 육불화황(SF6) 중 어느 하나의 기체를 이용한 단일 단계 프로세스(single―step process) 또는 두 개 이상의 기체를 이용한 다중 단계 프로세스(multiple―step process)를 이용하여 상기 노출 영역을 식각할 수 있다.
상기 트렌치를 형성하는 단계는 염산(hydrochloric acid), 황산(sulfuric acid), 질산(nitric acid) 및 초산(acetic acid) 중 어느 하나의 용액, 또는 산을 포함하는 용액을 이용하여 상기 금속층을 제거할 수 있다.
또한, 상기 트렌치를 형성하는 단계는 반응성 이온 식각(reactive ion etching)을 통한 상기 원형 구조체의 산화 및 유기용매를 이용한 상기 원형 구조체의 용해 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 이용하여 상기 원형 구조체를 제거할 수 있다.
상기 트렌치에 블록공중합체 코팅 및 자기조립을 유도하는 단계는 딥 코팅(dip coating) 및 스핀 코팅(spin coating) 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 통해 상기 블록공중합체를 코팅할 수 있다.
이후, 상기 트렌치에 블록공중합체 코팅 및 자기조립을 유도하는 단계는 열적 어닐링(thermal annealing) 및 용매 어닐링(solvent annealing) 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 통해 상기 블록공중합체의 자기조립을 유도할 수 있다.
상기 나선형 나노구조체를 형성하는 단계는 상기 블록공중합체의 산화를 통해 5nm 내지 50nm의 선폭을 포함하는 라인 패턴(line pattern)으로 형성된 10nm 내지 1um의 크기의 상기 나선형 나노구조체를 형성할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따른 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체는 기판 상에 블록공중합체의 나선형 자기조립 유도를 위한 트렌치 ― 여기서, 상기 트렌치는 상기 기판 상에 형성된 원형 구조체에 수직 증착에 따른 산화물층 및 식각 마스크의 섬광각 증착에 따른 금속층을 통해 형성되는 나노홀 구조를 기반으로 상기 원형 구조체 및 상기 금속층을 제거하여 형성됨 ― 를 포함하고, 상기 트렌치에 상기 블록공중합체의 코팅 및 자기조립의 유도와, 상기 블록공중합체의 산화를 통해 형성된다.
상기 원형 구조체는 구형 폴리스티렌(polystyrene sphere), 구형 실리카(silica sphere) 및 구형 폴리머(polymer sphere) 중 어느 하나로 형성되는 것이 특징일 수 있다.
상기 기판은 규소(Si), 이산화규소(SiO2), 유리(Glass), 석영(Quartz) 및 폴리머(Polymer) 중 적어도 어느 하나의 비금속 물질로 형성될 수 있다.
상기 나노홀 구조는 상기 원형 구조체가 형성된 상기 기판 상에 산화물을 수직 방향의 상기 수직 증착하여 형성된 상기 산화물층, 및 상기 산화물층 상에 금속을 입사각 방향의 상기 섬광각 증착(glancing angle deposition)하여 형성된 상기 금속층에 기반하여 형성될 수 있다.
여기서, 상기 섬광각 증착의 입사각의 각도차와 증착 방향 간의 각도차는 90° 이하인 것이 특징일 수 있다.
상기 트렌치는 상기 형성된 나노홀 구조에 의해 노출되는 상기 산화물층의 노출 영역이 식각되고, 상기 원형 구조체 및 상기 금속층을 제거되어 형성될 수 있다.
상기 블록공중합체의 코팅 및 상기 자기조립의 유도는 상기 트렌치에 딥 코팅(dip coating) 및 스핀 코팅(spin coating) 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 통한 상기 블록공중합체의 코팅, 및 열적 어닐링(thermal annealing) 및 용매 어닐링(solvent annealing) 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 통한 상기 블록공중합체의 자기조립 유도되는 것이 특징일 수 있다.
상기 나선형 나노구조체는 산소(O2) 식각을 이용하는 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 또는 아르곤(Ar), 산소(O2), 사불화탄소(CF4) 및 육불화황(SF6) 중 어느 하나의 기체를 이용한 단일 단계 프로세스(single―step process) 또는 두 개 이상의 기체를 이용한 다중 단계 프로세스(multiple―step process)에 의한 상기 블록공중합체의 산화를 통해 형성될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 상향식 공정(bottom―up process)만을 이용하여 비대칭 형태인 나선형 나노구조체를 제작할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 상향식 공정인 블록공중합체의 장점을 극대화시켜 차세대 패터닝 기술로써 공정 비용과 생산성에서의 경쟁력을 높이고, 블록공중합체의 장점을 극대화시키는 제조 공정을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 실리콘 기판에 비대칭 형태의 홈을 가지는 원형 트렌치의 제작 방법을 고안하고, 트렌치 내에서 블록공중합체 자기 조립을 유도하여 나선형 나노구조체를 형성할 수 있다.
또한, 본 발명은 공정의 간단한 조정을 통해 나선형 구조의 크기 및 방향을 조절하고, 비대칭 형태의 홈의 방향성을 조절함으로써 나선형 구조의 핸디드니스(handedness)를 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 제시하는 제조방법을 이용하여 다양한 나선형 나노구조체의 제작이 대면적으로 가능해지고, 이를 이용한 다양한 응용 기술의 개발이 가능할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법의 흐름도를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 블록공중합체의 나선형 자기조립을 가능하게 하는 다양한 트렌치들의 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다양한 증착 방법 및 이들의 조합으로 인해 제작된 결과물을 도식으로 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 비대칭 형태의 나노홀 구조를 형성하기 위한 공정의 조감도 및 그에 따른 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 트렌치 제작 과정을 조감도 및 단면도로 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 원형 구조체 및 비대칭 트렌치에 대한 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 나선형 나노구조체에 대한 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 도시한 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 블록공중합체의 나선형 자기조립을 가능하게 하는 다양한 트렌치들의 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다양한 증착 방법 및 이들의 조합으로 인해 제작된 결과물을 도식으로 도시한 것이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 비대칭 형태의 나노홀 구조를 형성하기 위한 공정의 조감도 및 그에 따른 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 도시한 것이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 트렌치 제작 과정을 조감도 및 단면도로 도시한 것이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 원형 구조체 및 비대칭 트렌치에 대한 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 도시한 것이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 나선형 나노구조체에 대한 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 도시한 것이다.
이하, 본 발명에 따른 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
또한, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 시청자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법의 흐름도를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 단계 110에서 기판 상에 규칙적으로 배열되는 원형 구조체를 형성한다.
상기 기판은 규소(Si), 이산화규소(SiO2), 유리(Glass), 석영(Quartz) 및 폴리머(Polymer) 중 적어도 어느 하나의 비금속 물질로 형성될 수 있다.
실시예에 따라서, 기판은 실리콘(Si), 갈륨 아세나이드(gallium arsenide) 또는 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 이루어질 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들면, 단계 110에서 기판 상에 구형 폴리스티렌(polystyrene sphere), 구형 실리카(silica sphere) 및 구형 폴리머(polymer sphere) 중 어느 하나의 물질을 이용하여 딥 코팅(dip coating) 및 스핀 코팅(spin coating) 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 통해 원형 구조체를 형성할 수 있다.
실시예에 따라서, 단계 110에서 반응성 이온 식각(reactive ion etching)을 이용하여 원형 구조체의 크기를 조절할 수 있으며, 상기 원형 구조체는 10nm 내지 1um의 크기로 형성될 수 있다.
다른 실시예에 따라서, 상기 원형 구조체의 크기 및 배열은 적용되는 실시예에 따라 다양한 크기 및 규칙적 또는 불규칙적으로 다양하게 적용가능 하므로, 이에 한정되는 것은 아니다.
단계 120에서 원형 구조체에 산화물의 수직 증착에 따른 산화물층을 증착하고, 식각 마스크의 섬광각 증착에 따른 금속층을 증착하여 나노홀 구조를 형성한다.
예를 들면, 단계 120은 원형 구조체가 형성된 기판 상에 산화물을 수직 방향의 수직 증착하여 산화물층을 형성하고, 산화물층 상에 금속을 입사각 방향의 섬광각 증착(glancing angle deposition)하여 금속층을 형성하며, 나노홀 구조를 형성하는 단계일 수 있다.
보다 구체적으로는 단계 120에서 섬광각 증착의 입사각의 각도차와 증착 방향 간의 각도차를 90°이하인 것으로 한정하여 나노홀 구조를 형성할 수 있으며, 섬광각 증착의 방향에 따라 다양한 나노홀 구조의 방향을 조정할 수 있다.
또한, 단계 120은 이산화 티탄(TiO2), 이산화 규소(SiO2) 및 산화 알루미늄(Al2O3) 중 어느 하나를 포함하는 산화물을 이용하여 산화물층을 형성하는 단계일 수 있으며, 상기 산화물층은 50nm 이하의 두께일 수 있다.
또한, 단계 120은 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 중 어느 하나의 금속, 또는 상기 금속을 포함하는 합금을 이용하여 금속층을 형성하는 단계일 수 있으며, 상기 금속층은 50nm 이하의 두께일 수 있다.
실시예에 따라서, 상기 산화물층 및 상기 금속층의 두께는 적용되는 실시예에 따라 다양하게 형성되며, 이에 한정되는 것은 아니다.
단계 130에서 형성된 나노홀 구조에 의해 노출되는 산화물층의 노출 영역을 식각한다.
단계 130은 아르곤(Ar), 산소(O2), 사불화탄소(CF4) 및 육불화황(SF6) 중 어느 하나의 기체를 이용한 단일 단계 프로세스(single―step process) 또는 두 개 이상의 기체를 이용한 다중 단계 프로세스(multiple―step process)를 이용하여 노출영역을 식각하는 단계일 수 있다.
예를 들면, 수직 증착에 따라 증착된 산화물층과, 섬광각 증착에 따라 증착된 금속층에 기반하여, 금속층에 의해 커버되지 않는 산화물층의 노출 영역이 존재할 수 있다. 이에 따라서, 단계 130에서 나노홀 구조에 의해 노출되는 산화물층의 노출 영역을 식각할 수 있다.
이후, 단계 140에서 원형 구조체 및 금속층을 제거하여 블록공중합체의 나선형 자기조립 유도를 위한 트렌치를 형성한다.
예를 들면, 단계 140은 염산(hydrochloric acid), 황산(sulfuric acid), 질산(nitric acid) 및 초산(acetic acid) 중 어느 하나의 용액, 또는 산을 포함하는 용액을 이용하여 금속층을 제거하는 단계일 수 있다.
또한, 단계 140은 반응성 이온 식각(reactive ion etching)을 통한 상기 원형 구조체의 산화 및 유기용매를 이용한 상기 원형 구조체의 용해 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 이용하여 원형 구조체를 제거하는 단계일 수 있다.
실시예에 따라서, 상기 반응성 이온 식각 공정은 사불화탄소(CF4)/아르곤(Ar) 기체 이온을 사용하여 약 40~60/20~40 sccm, 약 60~100 Watt 및 약 1 내지 10분의 조건 하에서 진행될 수 있다.
또한, 상기 반응성 이온 식각 공정 이후에 산소 플라즈마로 처리하여 원형 구조체를 제거하는 공정이 더 수행될 수 있다. 이러한 산소 플라즈마는 예를 들어, 약 20~60 sccm, 약 20~100W, 약 1 내지 10분의 조건 하에서 진행될 수 있다.
이에 따른 단계 140은 원형 구조체 및 금속층을 제거하여 비대칭 형태의 홈을 포함하는 10nm 내지 1um의 크기의 트렌치를 형성하는 단계일 수 있다.
단계 150에서 트렌치에 블록공중합체를 코팅하고, 블록공중합체의 자기조립을 유도한다.
실시예에 따라서, 상기 블록공중합체는 이블록 공중합체(즉, 2개의 블록 구조단위를 갖는 공중합체), 삼블록 공중합체(즉, 3개의 블록 구조단위를 갖는 공중합체), 다중블록 공중합체(즉, 4개 이상의 블록 구조단위를 갖는 공중합체) 및 그 조합을 포함할 수 있다.
실질적으로 대칭인 이블록 공중합체는 층상 박막을 형성하기 위해 자기 조립하는 공정에서 사용될 수 있고, 비대칭 이블록 공중합체는 예를 들어, 구형, 원통형, 나선형 또는 그 조합을 포함하는 기타 구조를 형성하기 위해 자기 조립하는 공정에서 사용될 수 있다.
상기 블록공중합체의 구체적인 예로는 폴리스타일렌―b―폴리디메틸실록산(polystyrene―bpolydimethylsioxane), 폴리아크릴로나이트릴―b―폴리디메틸실록산(polyacrylonitrile―b―polydimethylsiloxane), 폴리에틸렌옥사이드―b―폴리디메틸실록산(polyethylene oxide―b―polydimethylsiloxane), 폴리(2―비닐피리딘)―b―폴리디메틸실록산(poly(2―vinylpyridine)―b―polydimethylsiloxane), 폴리(4―비닐피리딘)―b―폴리디메틸실록산(poly(4―vinylpyridine)―b―polydimethylsiloxane), 폴리메틸메타크릴레이트―b―폴리디메틸실록산(polymethylmethacrylate―bpolydimethylsiloxane), 폴리아크릴로나이트릴―b―폴리이소프렌(polyacrylonitrile―b―polyisopyrene) 및 폴리에틸렌옥사이드―b―폴리이소프렌(poly(ethylene oxide)―b―polyisopyrene) 등이 있다.
단계 150은 딥 코팅(dip coating) 및 스핀 코팅(spin coating) 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 통해 블록공중합체를 코팅하는 단계일 수 있다.
실시예에 따라서, 단계 150은 딥 코팅 및 스핀 코팅뿐만 아니라, 딥 코팅, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 존 캐스팅(zone casting) 또는 이들의 조합을 이용하여 블록공중합체를 코팅하는 단계일 수도 있다.
이후, 단계 150은 열적 어닐링(thermal annealing) 및 용매 어닐링(solvent annealing) 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 통해 블록공중합체의 자기조립을 유도하는 단계일 수 있다.
예를 들면, 상기 용매 어닐링 공정은 블록공중합체를 용매의 증기(vapor)에 노출시키는 단계 및 블록공중합체의 블록 구조단위를 선택적으로 팽윤(swell)시키는 단계를 포함할 수 있다. 이러한 용매 어닐링 공정에 의하여 블록공중합체의 고분자 체인(chain)의 이동도를 증가시켜 블록공중합체의 자기조립을 유도할 수 있다.
단계 160에서 블록공중합체의 산화를 통해 나선형 나노구조체를 형성한다.
단계 160은 산소(O2) 식각을 이용하는 반응성 이온 식각(reactive ion etching), 및 아르곤(Ar), 산소(O2), 사불화탄소(CF4) 및 육불화황(SF6) 중 어느 하나의 기체를 이용한 단일 단계 프로세스(single―step process) 또는 두 개 이상의 기체를 이용한 다중 단계 프로세스(multiple―step process)를 이용하여 블록공중합체를 산화하는 단계일 수 있다.
또한, 단계 160에서 블록공중합체의 산화를 통해 5nm 내지 50nm의 선폭을 포함하는 라인 패턴(line pattern)으로 형성된 10nm 내지 1um의 크기의 상기 나선형 나노구조체를 형성할 수 있다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 블록공중합체의 나선형 자기조립을 가능하게 하는 다양한 트렌치들의 예를 도시한 것이다.
도 2a 내지 도 2f를 참조하면, 일반적인 원형 트렌치는 한 측이 다른 측에 비해 하나 더 많은 원통을 형성하는 것을 알 수 있다. 이러한 비대칭 형태의 홈은 원통을 형성하는 블록공중합체의 자기조립에서 원형 트렌치의 한 측이 다른 측에 비해 하나 더 많은 원통을 형성하는 것이 열역학적으로 안정적인 상태를 만들어 주어 나선형의 자기조립을 유도하게 된다.
이에 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법은 도 2a 내지 도 2f에서 나열한 다양한 구상도와 같은 트렌치에서 이와 같은 현상으로 나선형 나노구조체를 제작할 수 있다.
다만, 도 2a 내지 도 2f에 도시된 트렌치 외에 섬광각 증착의 방향에 따라 다양한 형태의 트렌치 제작이 가능하므로, 이에 한정되는 것은 아니다.
이하에서는 이 같은 구성도의 예로써, 이 중 도 2a와 같은 형태의 트렌치를 이용하여 나선형 나노구조체를 제조하는 방법의 상세한 내용을 제공한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 다양한 증착 방법 및 이들의 조합으로 인해 제작된 결과물을 도식으로 도시한 것이다.
구체적으로 도 3a 내지 도 3c는 기판 상에 규칙적으로 배열된 원형 구조체를 형성하고, 반응성 이온 식각을 이용하여 크기를 조절한 원형 구조체에 대한 공정을 나타낸다. 또한, 도 3a 내지 도 3c는 규칙적으로 배열된 원형 구조체 중 어느 하나의 원형 구조체(210)를 도식으로 나타낸 것이다.
도 3a은 원형 구조체(210)에 산화물의 수직 증착에 따라 증착된 산화물층(220)을 나타낸다.
구체적으로 도 3a는 트렌치 역할의 산화물을 기판에 수직한 방향으로 증착된 결과물의 도식이며, 원형 구조체(210)로 인해 기판에 원형으로 증착되지 않는 부분이 형성되는 것을 확인할 수 있다.
실시예에 따라서, 상기 산화물은 이산화 티탄(TiO2), 이산화 규소(SiO2) 및 산화 알루미늄(Al2O3) 등 금속 식각 마스크에 비해 선택적 식각이 가능한 산화물일 수 있으며, 산화물층(220)의 두께는 50nm 이하일 수 있다.
상기 기판은 규소(Si), 이산화규소(SiO2), 유리(Glass), 석영(Quartz) 및 폴리머(Polymer) 등 대면적에서의 코팅(coating)이 가능한 비금속 물질로 이루어질 수 있다.
또한, 규칙적으로 배열된 원형 구조체(210)는 구형 폴리스티렌(polystyrene sphere), 구형 실리카(silica sphere) 및 구형 폴리머(polymer sphere) 등 10nm 내지 1um의 크기를 가질 수 있으며, 대면적에서의 코팅이 가능한 물질로 형성될 수 있다. 이때, 원형 구조체(210)는 딥 코팅(dip coating) 및 스핀 코팅(spin coating) 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 통해 대면적 공정이 가능한 것을 이용할 수 있다.
실시예에 따라서, 규칙적으로 배열된 원형 구조체(210)는 반응성 이온 식각에 의해 크기가 조정될 수도 있다.
도 3b는 원형 구조체(210)에 식각 마스크의 섬광각 증착에 따라 증착된 금속층(230)을 나타낸다.
구체적으로 도 3b는 식각 마스크 역할의 금속을 섬광각 증착으로 입사각을 주어 증착된 결과물의 도식이며, 원형 구조체(210)와 입사각의 그림자 효과(shadow effect)로 인해 증착 방향과 반대편에 증착되지 않은 부분(240)이 형성되는 것을 확인할 수 있다.
실시예에 따라서, 섬광각 증착에 사용되는 금속은 니켈(Ni), 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt), 구리(Cu) 및 알루미늄(Al) 등 반응성 이온 식각에 마스크로 사용될 수 있는 금속일 수 있으며, 금속층(230)의 두께는 50nm 이하일 수 있다.
도 3c는 도 3a 및 도 3b의 연속 공정으로 인한 결과물을 나타낸다. 이 같이 연속된 수직 증착 및 섬광각 증착으로 인해 형성되는 증착되지 않은 부분의 차이는 비대칭 형태의 홈 제조에 사용된다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 비대칭 형태의 나노홀 구조를 형성하기 위한 공정의 조감도 및 그에 따른 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법은 섬광각 증착에 따른 금속층을 증착하여 비대칭 나노홀 구조를 형성하기 위해, 앞서 언급한 크기를 조절한 원형 구조체(310)를 사용한다. 이때, 조감도에서는 규칙적으로 배열된 원형 구조체 중 하나의 원형 구조체(310)를 도식으로 나타낼 수 있다.
도 4b 및 도 4c는 도 3b와 같이 원형 구조체(310)에 섬광각 증착(330)을 하였을 경우, 나타내는 그림자 효과로써 초승달(crescent) 형태로 증착이 되지 않는 부분(340, 360)이 형성되는 것을 나타낸다. 이때, 서로 다른 입사각(320, 350)을 이용하면 초승달 형태의 크기 및 모양이 바뀌게 되는 특징을 나타낸다.
이때, 섬광각 증착의 입사각 간의 각도차와 증착 방향 간의 각도차는 90°도 이하일 수 있다. 또한, 섬광각 증착의 증착 방향을 반대로 설정하여 형성되는 나노홀 구조의 방향을 반대로 조정할 수도 있으므로, 섬광각 증착의 방향에 따라 다양한 형태의 나노홀 구조를 형성할 수 있다.
이에 따라서 도 4d는 서로 다른 입사각(320, 350)과 증착 방향을 갖는 섬광각 증착을 통해 형성되는 비대칭 나노홀 구조를 포함하는 형태의 나노구조체를 나타낸다.
또한, 도 4의 하부는 상부의 조감도의 각 공정에 따른 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 나타낸다.
구체적으로, 도 4a는 상기의 규칙적으로 배열된 원형 구조체(310)를 반응성 이온 식각을 이용하여 크기를 조절한 형상을 사진 결과물로 도시한 것이다.
도 4b 및 도 4c는 약 20도의 입사각(320) 및 약 50도의 입사각(350) 각각으로 30나노미터 두께의 니켈을 섬광각 증착한 모습을 사진 결과물로 도시한 것이며, 입사각에 따라 그림자 효과로 인한 초승달 형태의 크기 및 모양이 서로 다른 것을 확인할 수 있다.
도 4d는 도 4b 및 도 4c의 공정을 연속적으로 수행한 후의 원형 구조체(310)의 모습을 사진 결과물로 도시한 것이며, 조감도와 상응한 형태의 비대칭 나노홀 구조가 형성된 것을 확인할 수 있다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 트렌치 제작 과정을 조감도 및 단면도로 도시한 것이다.
보다 구체적으로 도 5에서의 ①은 도 2a와 같은 형태의 홈을 가지는 트렌치 제작 과정을 조감도로 나타낸 것이고, ②는 도 2a와 같은 형태의 홈을 가지는 트렌치 제작 과정을 단면도로 나타낸 것이다.
도 5를 참조하면, 도 5a와 같은 원형 구조체(420)에 산화물(430)을 기판(410)에 수직한 방향으로 증착하여 도 5b와 같은 구조가 형성되며, 도 4와 같은 식각 마스크 금속(440)의 섬광각 증착을 통해 도 5c와 같은 구조가 형성된다.
다만, 도 5c를 참조하면 증착된 산화물층(430) 중 섬광각 증착 기술을 통하여 형성된 비대칭 나노홀 구조에 의해 노출 영역(441)이 노출되는 것을 알 수 있다. 이에 따라서, 본 발명의 실시예에 따른 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법은 반응성 이온 식각을 이용하여 노출 영역(441)을 식각하여 도 5d와 같은 구조를 획득하게 되며, 이후 습식 식각법 및 반응성 이온 식각 공정을 이용하여 식각 마스크 금속(440) 및 원형 구조체(420)를 제거함으로써, 도 5e와 같은 비대칭 형태의 홈을 가지는 원형 트렌치(451)가 형성된다.
실시예에 따라서, 도 5e에서의 비대칭 형태의 홈을 가지는 원형 트렌치(451)는 10nm 내지 1um의 크기로 형성되나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5c에서 산화물층(430)의 노출 영역(441)을 식각하기 위한 반응성 이온 식각은 아르곤(Ar), 산소(O2), 사불화탄소(CF4) 및 육불화황(SF6)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 기체를 이용한 단일 단계 프로세스(single―step process) 또는 두 개 이상의 기체를 이용한 다중 단계 프로세스(multiple―step process)를 이용할 수 있다.
또한, 도 5d에서 식각 마스크 금속(440)의 제거를 위한 습식 식각은 염산(hydrochloric acid), 황산(sulfuric acid), 질산(nitric acid) 및 초산(acetic acid)을 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 용액, 또는 그룹에서 선택된 적어도 하나의 산을 포함하는 용액을 이용할 수 있다.
또한, 도 5d에서 원형 구조체(420)를 제거하기 위한 반응성 이온 식각 공정은 사불화탄소(CF4)/아르곤(Ar) 기체 이온을 사용하여 약 40sccm 내지 60sccm/20sccm 내지 40sccm, 약 60~100 Watt 및 약 1 내지 10분의 조건 하에서 진행될 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 원형 구조체 및 비대칭 트렌치에 대한 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 도시한 것이다.
도 6을 참조하면, 도 6a 및 도 6b는 도 5c와 같이 산화물 증착 및 식각 마스크 금속 증착을 통해 형성된 비대칭 나노홀 구조에 대한 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 나타낸다.
또한, 도 6c 및 도 6d는 도 5d 및 도 5e와 같이 반응성 이온 식각을 이용한 부분적 식각 및 식각 마스크 금속의 습식 식각 후에 형성된 비대칭 홈을 가지는 원형 트렌치의 형태에 대한 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 나타낸다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 원형 구조체에 산화물 증착 및 식각 마스크 금속 증착에 따른 입사각의 그림자 효과로 인해 증착 방향과 반대편에 증착되지 않은 부분이 형성되는 것을 알 수 있고, 도 6c 및 도 6d를 참조하여 비대칭 홈을 가지는 원형 트렌치의 형태를 확인할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 나선형 나노구조체에 대한 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 도시한 것이다.
보다 구체적으로 도 7은 비대칭 홈을 포함하는 원형 트렌치에 블록공중합체로 자기조립하고, 이를 반응성 이온 식각 공정을 통해 블록공중합체를 산화함으로써 나타나는 나선형 나노구조체의 형태에 대한 주사 전자 현미경 사진의 결과물을 나타낸 것이다.
도 7을 참조하면, 주사 전자 현미경 사진은 블록공중합체 중 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane, PDMS)을 통해 30% 부피를 갖는 폴리스타일렌―b―폴리디메틸실록산(polystyrene―b―polydimethylsiloxane)의 자기조립을 유도하고, 이를 산소(O2) 식각을 이용하는 반응성 이온 식각 공정, 또는 사불화탄소(CF4) 식각 및 산소(O2) 식각을 포함하는 2단계(2―step) 반응성 이온 식각 공정으로 선택적 식각하여 형성된 나선형 나노구조체의 형태를 확인한 결과이다.
구체적으로 도 7a 및 도 7b를 참조하면, 대면적에서 균일하게 나선형 나노구조체가 형성된 것을 확인할 수 있다(도 7b는 복수의 나선형 나노구조체 중 하나의 트렌치를 확대한 사진을 나타낸다.).
도 7b를 참조하면 비대칭 홈 제조의 의도에 따라 홈에서 나선형 구조가 시작하는 것을 확인할 수 있으며, 도 7c 및 도 7d를 참조하면 홈의 방향성에 따라 나선형의 핸디드니스(handedness)를 조절할 수 있음을 확인할 수 있다.
상기 홈의 방향성은 식각 마스크 금속 증착에서 두 번의 증착의 상대적 방향을 반대로 함으로써 조절이 가능하므로, 다양한 실시예에 따라 홈의 방향성은 변동 가능하다.
이때, 상기 블록공중합체의 구체적인 예로는 폴리스타일렌―b―폴리디메틸실록산(polystyrene―bpolydimethylsioxane), 폴리아크릴로나이트릴―b―폴리디메틸실록산(polyacrylonitrile―b―polydimethylsiloxane), 폴리에틸렌옥사이드―b―폴리디메틸실록산(polyethylene oxide―b―polydimethylsiloxane), 폴리(2―비닐피리딘)―b―폴리디메틸실록산(poly(2―vinylpyridine)―b―polydimethylsiloxane), 폴리(4―비닐피리딘)―b―폴리디메틸실록산(poly(4―vinylpyridine)―b―polydimethylsiloxane), 폴리메틸메타크릴레이트―b―폴리디메틸실록산(polymethylmethacrylate―bpolydimethylsiloxane), 폴리아크릴로나이트릴―b―폴리이소프렌(polyacrylonitrile―b―polyisopyrene) 및 폴리에틸렌옥사이드―b―폴리이소프렌(poly(ethylene oxide)―b―polyisopyrene) 등이 있다.
상기 블록공중합체는 블록공중합체의 원통형 자기조립을 유도하기 위하여 100% 부피에 대해 한쪽 블록이 10% 내지 30% 부피를 갖는 것을 이용하고, 5kg/mol 내지 100kg/mol의 분자량을 가지는 것을 이용한다.
여기서, 상기 블록공중합체의 코팅은 2개 이상의 유기용매가 혼합된 용매를 사용하며, 대면적 공정이 가능한 딥 코팅(dip coating) 및 스핀 코팅(spin coating), 또는 이들의 조합을 포함하는 방법을 사용한다.
또한, 상기 블록공중합체의 산화는 산소(O2) 식각을 이용하는 반응성 이온 식각 공정, 또는 사불화탄소(CF4) 식각 및 산소(O2) 식각을 포함하는 2단계(2―step) 반응성 이온 식각 공정으로 선택적 식각될 수 있다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
Claims (20)
- 기판 상에 규칙적으로 배열되는 원형 구조체를 형성하는 단계;
상기 원형 구조체 상에 산화물을 수직 증착하여 산화물층을 형성하고, 상기 산화물층 상에 금속을 입사각 방향의 섬광각 증착(glancing angle deposition)하여 금속층을 형성하여 나노홀 구조를 형성하는 단계;
상기 형성된 나노홀 구조에 의해 노출되는 상기 산화물층의 노출 영역을 식각하는 단계;
상기 원형 구조체 및 상기 금속층을 제거하여 블록공중합체의 나선형 자기조립 유도를 위한 트렌치를 형성하는 단계;
상기 트렌치에 블록공중합체를 코팅하고, 상기 블록공중합체의 자기조립을 유도하는 단계; 및
상기 블록공중합체의 산화를 통해 나선형 나노구조체를 형성하는 단계를 포함하되,
상기 산화물층의 노출 영역을 식각하는 단계는
상기 수직 증착으로 형성된 상기 산화물층과 상기 입사각 방향의 섬광각 증착으로 형성된 상기 금속층에 의해, 상기 금속층에 비해 넓은 영역으로 형성되어 노출되는 상기 산화물층의 노출 영역을 식각하고,
상기 트렌치를 형성하는 단계는
상기 원형 구조체 및 상기 금속층을 제거하여 비대칭 형태의 홈을 포함하는 상기 트렌치를 형성하며,
상기 나선형 나노구조체를 형성하는 단계는
상기 비대칭 형태의 홈에 대한 방향성에 따라 나선형의 핸디드니스(handedness)를 조절하여 비대칭의 상기 나선형 나노구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 원형 구조체를 형성하는 단계는
구형 폴리스티렌(polystyrene sphere), 구형 실리카(silica sphere) 및 구형 폴리머(polymer sphere) 중 어느 하나로 상기 원형 구조체를 형성하는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법.
- 제2항에 있어서,
상기 원형 구조체를 형성하는 단계는
반응성 이온 식각(reactive ion etching)을 이용하여 상기 원형 구조체의 크기를 조절하는 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 나노홀 구조를 형성하는 단계는
상기 섬광각 증착에 대한 입사각의 각도와 상기 수직 증착에 대한 각도 간의 각도차는 90° 이하인 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법.
- 제5항에 있어서,
상기 나노홀 구조를 형성하는 단계는
상기 섬광각 증착의 방향에 따라 상기 나노홀 구조의 방향을 조정하는 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 산화물층의 노출 영역을 식각하는 단계는
아르곤(Ar), 산소(O2), 사불화탄소(CF4) 및 육불화황(SF6) 중 어느 하나의 기체를 이용한 단일 단계 프로세스(single―step process) 또는 두 개 이상의 기체를 이용한 다중 단계 프로세스(multiple―step process)를 이용하여 상기 노출 영역을 식각하는 것을 특징으로 하는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 트렌치를 형성하는 단계는
염산(hydrochloric acid), 황산(sulfuric acid), 질산(nitric acid) 및 초산(acetic acid) 중 어느 하나의 용액, 또는 산을 포함하는 용액을 이용하여 상기 금속층을 제거하는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 트렌치를 형성하는 단계는
반응성 이온 식각(reactive ion etching)에 의한 상기 원형 구조체의 산화 및 유기용매를 이용한 상기 원형 구조체의 용해 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 이용하여 상기 원형 구조체를 제거하는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 트렌치에 블록공중합체 코팅 및 자기조립을 유도하는 단계는
딥 코팅(dip coating) 및 스핀 코팅(spin coating) 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 통해 상기 블록공중합체를 코팅하는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법.
- 제10항에 있어서,
상기 트렌치에 블록공중합체 코팅 및 자기조립을 유도하는 단계는
열적 어닐링(thermal annealing) 및 용매 어닐링(solvent annealing) 중 적어도 어느 하나, 또는 이들의 조합을 통해 상기 블록공중합체의 자기조립을 유도하는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법.
- 제1항에 있어서,
상기 나선형 나노구조체를 형성하는 단계는
상기 블록공중합체의 산화를 통해 5nm 내지 50nm의 선폭을 포함하는 라인 패턴(line pattern)으로 형성된 10nm 내지 1um의 크기의 상기 나선형 나노구조체를 형성하는 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체의 제조 방법.
- 트렌치를 이용한 나선형 나노구조체에 있어서,
기판 상에 규칙적으로 배열되는 원형 구조체를 형성하는 단계;
상기 원형 구조체 상에 산화물을 수직 증착하여 산화물층을 형성하고, 상기 산화물층 상에 금속을 입사각 방향의 섬광각 증착(glancing angle deposition)하여 금속층을 형성하여 나노홀 구조를 형성하는 단계;
상기 형성된 나노홀 구조에 의해 노출되는 상기 산화물층의 노출 영역을 식각하는 단계;
상기 원형 구조체 및 상기 금속층을 제거하여 블록공중합체의 나선형 자기조립 유도를 위한 상기 트렌치를 형성하는 단계;
상기 트렌치에 블록공중합체를 코팅하고, 상기 블록공중합체의 자기조립을 유도하는 단계; 및
상기 블록공중합체의 산화를 통해 나선형 나노구조체를 형성하는 단계를 포함하되,
상기 산화물층의 노출 영역을 식각하는 단계는
상기 수직 증착으로 형성된 상기 산화물층과 상기 입사각 방향의 섬광각 증착으로 형성된 상기 금속층에 의해, 상기 금속층에 비해 넓은 영역으로 형성되어 노출되는 상기 산화물층의 노출 영역을 식각하고,
상기 트렌치를 형성하는 단계는
상기 원형 구조체 및 상기 금속층을 제거하여 비대칭 형태의 홈을 포함하는 상기 트렌치를 형성하며,
상기 나선형 구조체를 형성하는 단계는
상기 비대칭 형태의 홈에 대한 방향성에 따라 나선형의 핸디드니스(handedness)를 조절하여 비대칭의 상기 나선형 나노구조체를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법에 의해 제조되는 나선형 나노구조체.
- 제13항에 있어서,
상기 원형 구조체는
구형 폴리스티렌(polystyrene sphere), 구형 실리카(silica sphere) 및 구형 폴리머(polymer sphere) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 나선형 나노구조체.
- 제13항에 있어서,
상기 기판은
규소(Si), 이산화규소(SiO2), 유리(Glass), 석영(Quartz) 및 폴리머(Polymer) 중 적어도 어느 하나의 비금속 물질로 형성되는 나선형 나노구조체.
- 삭제
- 제13항에 있어서,
상기 섬광각 증착에 대한 입사각의 각도와 상기 수직 증착에 대한 각도 간의 각도차는 90° 이하인 것을 특징으로 하는 나선형 나노구조체.
- 삭제
- 삭제
- 제13항에 있어서,
상기 나선형 나노구조체는
산소(O2) 식각을 이용하는 반응성 이온 식각(reactive ion etching) 또는 아르곤(Ar), 산소(O2), 사불화탄소(CF4) 및 육불화황(SF6) 중 어느 하나의 기체를 이용한 단일 단계 프로세스(single―step process) 또는 두 개 이상의 기체를 이용한 다중 단계 프로세스(multiple―step process)에 의한 상기 블록공중합체의 산화를 통해 형성되는 나선형 나노구조체.
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