KR101922457B1 - Resin sheet laminate and process for producing semiconductor light-emitting element using same - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기재 상에 형광체 함유 수지층이 형성된 수지 시트 적층체이며, 상기 형광체 함유 수지층이 복수의 구획을 갖고, 기재는 길이 방향과 폭 방향을 갖고, 상기 복수의 구획이 길이 방향으로 반복 배치되어 열을 이루고 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체에 의해, 형광체 함유 수지층을 부착한 반도체 발광 소자의 색이나 휘도의 균일성, 제조의 용이함, 설계의 자유도 등을 향상시키는 것을 목적으로 하는 것이다.The present invention relates to a resin sheet laminate having a phosphor-containing resin layer formed on a substrate, wherein the phosphor-containing resin layer has a plurality of compartments, the substrate has a longitudinal direction and a width direction, The resin sheet laminate according to the present invention is intended to improve the uniformity of color and brightness of a semiconductor light emitting element having a phosphor-containing resin layer adhered thereto, ease of manufacture, freedom of design, and the like will be.
Description
본 발명은 형광체 함유 수지 시트가 기재 상에 설치된 수지 시트 적층체에 관한 것이다. 보다 상세하게는 기재가 길이 방향과 폭 방향을 갖고, 반도체 발광 소자의 발광 파장을 변환하기 위한 형광재 함유 수지 시트층의 구획이 길이 방향으로 반복 배치되어 열을 이루고 있는 수지 시트 적층체에 관한 것이다.The present invention relates to a resin sheet laminate provided with a phosphor-containing resin sheet on a substrate. More specifically, the present invention relates to a resin sheet laminate in which a base material has a longitudinal direction and a transverse direction, and a section of the fluorescent material-containing resin sheet layer for converting the emission wavelength of the semiconductor light emitting element is repeatedly arranged in the longitudinal direction to form heat .
발광 다이오드(LED, Light Emitting Diode)는 그 발광 효율의 놀라운 향상을 배경으로 하여 낮은 소비전력, 고수명, 의장성 등을 특징으로 해서 액정 디스플레이(LCD)의 백라이트용이나, 차의 헤드라이트 등의 차량 탑재 분야뿐만 아니라 일반 조명용에서도 급격하게 시장을 확대하고 있다.BACKGROUND ART [0002] Light emitting diodes (LEDs) are used as backlights for liquid crystal displays (LCDs), headlights of automobiles, and the like, which are characterized by low power consumption, high durability, The market is rapidly expanding not only in vehicles but also in general lighting applications.
LED의 발광 스펙트럼은 반도체 발광 소자를 형성하는 반도체 재료에 의존하기 때문에 그 발광색은 한정되어 있다. 그 때문에, LED를 이용하여 LCD 백라이트나 일반 조명용의 백색광을 얻기 위해서는 반도체 발광 소자 상에 각각의 칩에 적합한 형광체를 배치하고, 발광 파장을 변환할 필요가 있다. 구체적으로는, 청색 발광하는 반도체 발광 소자 상에 황색 형광체를 설치하는 방법, 청색 발광하는 반도체 발광 소자 상에 적 및 녹의 형광체를 설치하는 방법, 자외선을 발하는 반도체 발광 소자 상에 적, 녹, 청 형광체를 설치하는 방법 등이 제안되어 있다. 이들 중에서 반도체 발광 소자의 발광 효율이나 비용의 면으로부터 청색 LED 상에 황색 형광체를 설치하는 방법, 및 청색 LED 상에 적 및 녹의 형광체를 설치하는 방법이 현재 가장 널리 채용되고 있다.Since the emission spectrum of the LED is dependent on the semiconductor material forming the semiconductor light emitting element, its emission color is limited. Therefore, in order to obtain white light for an LCD backlight or a general illumination by using an LED, it is necessary to dispose a phosphor suitable for each chip on the semiconductor light emitting element and to convert the light emission wavelength. Specifically, there are a method of providing a yellow phosphor on a semiconductor light emitting element that emits blue light, a method of providing red and green phosphors on a semiconductor light emitting element that emits blue light, a method of forming red, And the like are proposed. Among these methods, a method of installing a yellow phosphor on a blue LED and a method of installing red and green phosphors on a blue LED from the viewpoint of luminous efficiency and cost of a semiconductor light emitting element are currently widely used.
반도체 발광 소자 상에 형광체를 설치하는 구체적인 방법 중 하나로서, 반도체 발광 소자를 밀봉하기 위한 액상의 수지 중에 형광체를 분산시켜 두는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 및 2 참조). 그러나, 액상의 수지 중에서의 형광체의 분산이 불균일하면 반도체 발광 소자마다 색 변이가 발생해 버린다. 또한, 액상 수지를 반도체 발광 소자 상에 개별적으로 공급할 때에 분량을 일정하게 하는 것이 어렵고, 액상 수지의 경화 중에 두께에도 불균일이 쉽게 발생할 수 있기 때문에 반도체 발광 소자 상에 배치한 형광체의 양을 일정하게 하는 것이 어렵다.As a specific method of providing a phosphor on a semiconductor light emitting element, there has been proposed a method of dispersing a phosphor in a liquid resin for sealing a semiconductor light emitting element (see, for example,
그래서, 미리 형광 재료가 균일하게 분포된 시트 형상의 수지층을 사용하는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 3 및 4 참조). 이러한 시트를 소편화(小片化)해서 반도체 발광 소자에 접합시킴으로써 각 반도체 발광 소자 상에 배치하는 형광체를 일정하게 할 수 있고, LED의 품질을 향상시킬 수 있다.Thus, a method of using a sheet-like resin layer in which a fluorescent material is uniformly distributed has been proposed (see, for example,
LED가 백열전구나 형광등을 대신해서 일반 조명 용도로 널리 적응되어 가기 위해서는 발광색의 불균일이 작은 것을 안정되게 공급해 갈 필요가 있다. 상술한 바와 같이, 미리 형광 재료를 균일하게 분산시키고 균일한 두께로 시트화하는 방법은 색 편차를 억제하는 방법으로서 뛰어나지만, LED를 사용한 발광 소자의 제조 공정에 이하에 설명하는 바와 같은 시트를 커팅하는 공정이나, 접착제를 이용하여 시트와 반도체 발광 소자를 접합시키는 공정이 발생하여 제조 공정이 번잡해서 스루풋이 나쁘고, 제조 비용이 상승하는 문제가 있었다.In order for LEDs to be widely adopted for general lighting purposes instead of incandescent lamps or fluorescent lamps, it is necessary to stably supply small unevenness of light emission. As described above, the method of uniformly dispersing the fluorescent material uniformly and making the sheet into a uniform thickness in advance is excellent as a method of suppressing the color deviation, but a method of cutting the sheet as described below in the manufacturing process of the light- Or a step of joining the sheet and the semiconductor light emitting element by using an adhesive occurs, so that the manufacturing process is troublesome and the throughput is bad and the manufacturing cost is increased.
형광체 함유 수지를 미리 시트화했을 경우, 그것을 개별의 반도체 발광 소자에 설치해야 한다. 예를 들면, 형광체 함유 수지 시트를 미리 개별의 반도체 발광 소자에 설치하는 사이즈로 커팅해 둔 경우에는 1㎜ 정도의 개편(個片)으로 커팅한 형광체 함유 시트를 취급하는 것이 어려워진다. 또한, 각각의 개편을 1개씩 접착제를 사용해서 반도체 발광 소자에 부착하는 작업은 정밀도를 요구하는 것이 되어 생산 속도와 정확함을 양립시키는 것이 어렵다.When the phosphor-containing resin is previously formed into a sheet, it must be installed in a separate semiconductor light-emitting device. For example, when the phosphor-containing resin sheet is previously cut into a size to be installed in each of the semiconductor light emitting elements, it becomes difficult to handle the phosphor-containing sheet cut into individual pieces of about 1 mm. In addition, the work of attaching each of the individual pieces to the semiconductor light emitting element by using an adhesive requires precision, making it difficult to achieve both the production speed and accuracy.
다른 방법으로서, 형광체 함유 수지 시트를 개편으로 커팅하지 않고 연속된 시트 형상인 상태로 LED에 부착하는 방법이 있다. 그 경우, 개편의 반도체 발광 소자를 시트 형상의 형광체 함유 수지층에 부착하는 경우와, LED측도 개편으로 나누기 전의 웨이퍼 형상인 상태로 형광체 함유 수지층에 일괄해서 부착하는 경우가 있다. 그러나, 어느 방법도 반도체 발광 소자와 부착한 후에 형광체 함유 수지 시트를 커팅하기 위해서는 방법이 한정되고, 특히 후자의 경우에는 LED의 웨이퍼를 절단하는 것과 동시에 형광체 함유 수지층을 절단하는 것이 곤란하다. 또한, 반도체 발광 소자에 부착한 후에 형광체 수지 시트를 절단하는 경우에는 절단 형상은 반도체 발광 소자를 따른 형상이거나 또는 그것보다 큰 형상에 한정된다. 그 때문에, 반도체 발광 소자의 일부를 형광체 함유 수지층으로 덮고 일부를 노출시키고 싶을 경우, 예를 들면 전극 인출부 등을 형성하고 싶을 경우에는 그 부분만의 형광체 함유 수지층을 제거하는 것은 곤란하다.As another method, there is a method in which the phosphor-containing resin sheet is attached to the LED in a continuous sheet-like state without cutting into individual pieces. In this case, there are cases where the individual semiconductor light emitting elements are adhered to the sheet-like fluorescent substance-containing resin layer and the LED side is attached collectively to the fluorescent substance-containing resin layer in a wafer shape before being divided into individual pieces. However, either method is limited in terms of cutting the phosphor-containing resin sheet after attaching it to the semiconductor light emitting element, and in the latter case, it is difficult to cut the wafer of the LED and to cut the phosphor-containing resin layer. Further, in the case of cutting the phosphor resin sheet after attaching to the semiconductor light emitting element, the cut shape is limited to a shape along the semiconductor light emitting element or a shape larger than that. Therefore, when a part of the semiconductor light emitting element is covered with the phosphor-containing resin layer and a part is to be exposed, for example, when it is desired to form an electrode lead-out part or the like, it is difficult to remove only the phosphor-
발명자들은 형광체 함유 수지 시트를 부착한 반도체 발광 소자의 색이나 휘도의 균일성, 제조의 용이함, 설계의 자유도 등을 예의 검토한 결과, 이것들을 전부 향상시키기 위해서는 기재 상의 형광체 함유 수지 시트의 가공 형상과 배열이 매우 중요한 것을 발견했다.The present inventors have intensively studied the uniformity of color and brightness of a semiconductor light emitting device with a phosphor-containing resin sheet attached thereto, ease of manufacture, degree of freedom of design, and the like. As a result, And the arrangement is very important.
즉, 본 발명은 장척의 기재 상에 형광체 및 수지를 함유하는 수지 시트를 갖고, 상기 수지 시트의 구획이 상기 장척의 기재의 길이 방향으로 반복 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체이다.That is, the present invention is a resin sheet laminate characterized in that it has a resin sheet containing a phosphor and a resin on a long substrate, and the section of the resin sheet is repeatedly arranged in the longitudinal direction of the elongate substrate.
(발명의 효과)(Effects of the Invention)
본 발명에 의하면, 휘도나 색이 균일한 LED를 용이한 공정으로 제조할 수 있다.According to the present invention, an LED having uniform luminance and color can be manufactured by an easy process.
도 1은 본 발명의 수지 시트 적층체의 일례를 나타내는 평면도이다.
도 2는 본 발명의 수지 시트 적층체의 다른 일례를 나타내는 평면도이다.
도 3은 본 발명의 수지 시트 적층체의 다른 일례를 나타내는 평면도이다.
도 4는 본 발명의 수지 시트 적층체의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 5는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 공정 측면도이다.
도 6은 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 공정 측면도이다.
도 7은 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 8a는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 공정 측면도이다.
도 8b는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 공정 측면도이다.
도 9는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 10은 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 11은 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 12는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 13은 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 14는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 측면도이다.
도 15는 본 발명에 있어서의 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 접착하는 방법의 일례를 나타내는 공정 측면도이다.1 is a plan view showing an example of a resin sheet laminate of the present invention.
2 is a plan view showing another example of the resin sheet laminate of the present invention.
3 is a plan view showing another example of the resin sheet laminate of the present invention.
4 is a cross-sectional view showing an example of the resin sheet laminate of the present invention.
Fig. 5 is a process side view showing an example of a method of bonding a phosphor-containing resin sheet according to the present invention to a semiconductor light emitting element.
6 is a process side view showing an example of a method of adhering a fluorescent substance-containing resin sheet according to the present invention to a semiconductor light emitting element.
7 is a side view showing an example of a method of adhering a phosphor-containing resin sheet according to the present invention to a semiconductor light emitting element.
8A is a process side view showing an example of a method of adhering a phosphor-containing resin sheet according to the present invention to a semiconductor light emitting element.
8B is a process side view showing an example of a method of adhering a fluorescent substance-containing resin sheet according to the present invention to a semiconductor light emitting element.
9 is a side view showing an example of a method of adhering a phosphor-containing resin sheet according to the present invention to a semiconductor light emitting element.
10 is a side view showing an example of a method of bonding a phosphor-containing resin sheet according to the present invention to a semiconductor light emitting element.
11 is a side view showing an example of a method of bonding a phosphor-containing resin sheet according to the present invention to a semiconductor light emitting element.
12 is a side view showing an example of a method of adhering a fluorescent substance-containing resin sheet according to the present invention to a semiconductor light emitting device.
13 is a side view showing an example of a method of adhering a phosphor-containing resin sheet according to the present invention to a semiconductor light emitting element.
14 is a side view showing an example of a method of adhering a fluorescent material-containing resin sheet according to the present invention to a semiconductor light emitting device.
15 is a process side view showing an example of a method of adhering a fluorescent substance-containing resin sheet according to the present invention to a semiconductor light emitting element.
본 발명은 장척의 기재 상에 형광체 및 수지를 함유하는 수지 시트를 갖고, 상기 수지 시트의 구획이 상기 장척의 기재의 길이 방향으로 반복 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 수지 시트 적층체이다. 이하, 형광체 및 수지를 함유하는 수지 시트를 「형광체 함유 수지 시트」라고 한다.The present invention relates to a resin sheet laminate having a resin sheet containing a phosphor and a resin on a long substrate, wherein the sections of the resin sheet are repeatedly arranged in the longitudinal direction of the elongate substrate. Hereinafter, a resin sheet containing a phosphor and a resin is referred to as a " phosphor-containing resin sheet ".
형광체 함유 수지 시트의 구획은 목적에 따라서 원하는 형상·치수·개수로 배치할 수 있다. 한편으로, 형광체 함유 수지 시트의 구획을 지지하는 기재는 형광체 함유 수지 시트의 복수의 구획에 걸쳐서 일체이며, 형광체 함유 수지 시트의 구획은 개별적으로 뿔뿔이 흩어지는 것은 아니다.The sections of the phosphor-containing resin sheet can be arranged in a desired shape, dimensions, and number according to the purpose. On the other hand, the substrate supporting the section of the fluorescent substance-containing resin sheet is integral over the plurality of sections of the fluorescent substance-containing resin sheet, and the sections of the fluorescent substance-containing resin sheet are not individually scattered.
본 발명의 수지 시트 적층체는 형광체가 균일하게 분산된 수지 시트의 구획이 미리 원하는 두께·형상으로 형성되어 있기 때문에, 이것을 이용하여 개개의 LED에 균일한 막 두께, 균일한 조성의 형광체 함유 수지층을 형성할 수 있다. 또한, 형광체 함유 수지 시트의 구획은 미리 원하는 형상으로 나뉘어져 있는 한편으로, 그것들은 기재의 길이 방향으로 반복 배치되어 있으므로 취급이 용이하고, 간편한 공정으로 반도체 발광 소자에 부착할 수 있다. 따라서, 본 발명의 수지 시트 적층체를 사용함으로써 휘도나 색이 균일한 LED를 용이한 공정으로 제조할 수 있다.Since the resin sheet laminate of the present invention is formed in a desired thickness and shape of the resin sheet in which the fluorescent material is uniformly dispersed in advance, it is possible to form a resin film having a uniform film thickness and uniform composition of the phosphor- Can be formed. Further, while the sections of the phosphor-containing resin sheet are divided into the desired shapes in advance, they are arranged repeatedly in the longitudinal direction of the substrate, so that they are easy to handle and can be attached to the semiconductor light emitting element by a simple process. Therefore, by using the resin sheet laminate of the present invention, an LED having uniform brightness and color can be manufactured with an easy process.
이와 같이, 본 발명의 수지 시트 적층체에 있어서의 기재는 연속하고 있는 길이 방향과 폭 방향을 갖는다. 여기에서, 본 명세서에 있어서 기재가 연속하고 있다는 것은 기재가 완전하게는 분리되어 있지 않은 상태를 가리킨다. 즉, 기재에 절단선이 들어 있지 않은 경우에는 물론, 기재를 두께 방향으로 관통하지 않는 절단면을 갖고 있을 경우나, 부분적으로 관통하는 절단면을 갖고 있지만 전체로서는 일체의 연속된 형상을 유지하고 있을 경우 등도 포함된다.As described above, the base material in the resin sheet laminate of the present invention has a continuous longitudinal direction and a transverse direction. Here, in the present specification, the continuity of description means that the substrate is not completely separated. That is, in the case where the substrate has no cutting line, or when the substrate has a cut surface that does not penetrate in the thickness direction, or when the substrate has a partially cut through surface, .
도 1∼도 4를 이용하여 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성을 설명한다. 또한, 이것들은 일례이며 본 발명의 수지 시트 적층체는 이것들에 한정되는 것은 아니다.The constitution of the resin sheet laminate of the present invention will be described with reference to Figs. These are merely examples, and the resin sheet laminate of the present invention is not limited thereto.
도 1(a)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 일례이다. 길이 방향과 폭 방향을 갖고 연속된 기재(1) 상에, 소정의 형상으로 형성된 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 다수, 길이 방향으로 1열로 적층되어 있다.Fig. 1 (a) is an example of the constitution of the resin sheet laminate of the present invention. A plurality of sections of the fluorescent substance-containing
도 1(b)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 다른 일례이다. 길이 방향과 폭 방향을 갖고 연속된 기재(1) 상에, 소정의 형상으로 형성된 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 다수, 길이 방향으로 2열로 적층되어 있다. 이와 같이, 형광체 함유 수지 시트(2)의 열은 1열일 필요는 없고 필요에 따라서 복수열 형성할 수 있다.Fig. 1 (b) is another example of the constitution of the resin sheet laminate of the present invention. A plurality of sections of the fluorescent substance-containing
도 1(c)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 다른 일례이다. 길이 방향과 폭 방향을 갖고 연속된 기재(1) 상에, 소정의 형상으로 형성된 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 다수, 길이 방향으로 1열로 적층되어 있고, 기재(1)에는 형광체 함유 수지 시트(2)가 존재하지 않는 부분에 수지 시트 적층체를 반송할 때에 사용하는 구멍[반송 구멍(3)]이 길이 방향으로 열을 이루도록 형성되어 있다. 본 발명의 수지 시트 적층체를 이용하여 반도체 발광 소자의 발광면 상에 형광체 함유 수지 시트를 부착하는 공정에 있어서, 수지 시트 적층체를 길이 방향으로 이송하면서 위치 맞춤을 행할 경우에 이러한 반송 구멍(3)을 사용하여 기어식의 이송 장치로 반송함으로써 정밀한 위치 맞춤을 행할 수 있다.Fig. 1 (c) is another example of the constitution of the resin sheet laminate of the present invention. A plurality of sections of the fluorescent substance-containing
도 1(d)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 다른 일례이다. 길이 방향과 폭 방향을 갖고 연속된 기재(1) 상에, 소정의 형상으로 형성된 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 다수, 길이 방향으로 3열로 적층되어 있고, 기재(1)에는 형광체 함유 수지 시트(2)가 존재하지 않는 부분에 반송 구멍(3)이 길이 방향으로 열을 이루도록 형성되어 있다. 반송 구멍(3)을 기재(1)에 형성할 경우에도 이와 같이 형광체 함유 수지 시트의 구획은 복수열 형성할 수 있다.Fig. 1 (d) is another example of the constitution of the resin sheet laminate of the present invention. A plurality of sections of the fluorescent substance-containing
또한, 기재(1) 상에 배열된 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획은 직사각형일 필요는 없고, 도 2(a)에 나타내는 바와 같은 육각형이나 그 외의 다각형, 또한 도2(b)와 같은 원형이라도 상관없다. 또한, 도 2(c)와 같이 직사각형, 타원형, 육각형 등의 다른 형태가 규칙적으로 또는 불규칙하게 배열되어 있어도 상관없다. 기본적으로는 반도체 발광 소자의 발광면의 형상에 일치하는 형상으로 만들어진다. 발광면측에 전극을 갖는 반도체 발광 소자에 접착할 경우에는 전극 접합 부분을 피해서 형광체 함유 수지 시트를 부착하기 때문에, 도 3(a)와 같이 일부분에 노치를 형성하거나, 도 3(b)와 같이 구멍을 형성하거나 해도 좋다.The section of the phosphor-containing
도 4(a)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성의 일례를 나타내는 단면도이다. 기재(1) 상에, 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 직접 접해서 배열되어 있다. 도 4(b)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성 단면도의 다른 일례이며, 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2) 사이에 이형층(4)이 존재한다. 이형층(4)은 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2) 사이의 접착력을 공정에 적합한 최적의 접착력으로 하기 위해서 형성되는 것이며, 공지의 것을 이용할 수 있다. 도 4(c)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성 단면도의 다른 일례이다. 형광체 함유 수지 시트(2)의 기재와는 다른 측의 면에 접착층(5)을 갖고 있다. 접착층(5)은 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자의 접착력을 향상시키기 위해서 형성되고, 성분 중에 접착 성분 또는 감압식 접착 성분, 소위 점착 성분을 갖고 있다. 형광체 함유 수지 시트(2) 자체가 접착성을 갖는 경우나 열융착성을 갖는 경우에는 접착층(5)은 불필요하다.4 (a) is a cross-sectional view showing an example of the constitution of the resin sheet laminate of the present invention. On the
여기에서 말하는 「형광체 함유 수지 시트가 접착성을 갖는」 것이란 형광체 함유 수지 시트 자체가 반도체 발광 소자와 접착하는 성능을 갖는 것을 가리킨다. 구체적으로는, (1) 형광체 함유 수지 시트 중의 수지 성분이 감압성 접착 성분, 소위 점착 성분을 갖고 있고, 점착에 의해 반도체 발광 소자와 접착하는 것, 또는 (2) 형광체 함유 수지 시트 중의 수지 성분에 상온 또는 가열에 의한 경화 성분을 갖고 있고, 경화 반응에 의해 반도체 발광 소자와 접착하는 것을 들 수 있다.Here, the phrase " the phosphor-containing resin sheet has adhesiveness " means that the phosphor-containing resin sheet itself has a capability of bonding to the semiconductor light-emitting element. Specifically, (1) the resin component in the fluorescent substance-containing resin sheet has a pressure-sensitive adhesive component or a so-called adhesive component and is adhered to the semiconductor light-emitting device by adhesion; or (2) And has a curing component at room temperature or by heating and is bonded to the semiconductor light emitting element by a curing reaction.
또한, 여기에서 말하는 「형광체 함유 수지 성분이 열융착성을 갖는」이란 형광체 함유 수지 시트 중의 수지 성분에 온도 상승에 의해 탄성률이 대폭 저하되는 열가소성 성분을 갖고 있고, 가열해서 접합시킴으로써 반도체 발광 소자에 밀착하고, 실온으로 냉각시킴으로써 다시 탄성률이 높아져 고정화됨으로써 반도체 발광 소자와의 접착을 행하는 것을 가리킨다. 또한, 형광체 함유 수지 시트의 수지 성분 중에 경화성과 열융착성을 아울러 갖고, 가열에 의해 탄성률이 낮아져 반도체 발광 소자에 밀착되고, 더 가열함으로써 경화해서 반도체 발광 소자 상에 고정화되는 것이라도 상관없다.The phrase " the phosphor-containing resin component having heat-sealability " as used herein means that the resin component in the phosphor-containing resin sheet has a thermoplastic component whose elastic modulus is significantly lowered by temperature rise, And then cooled to room temperature to increase the elastic modulus and fix it, thereby indicating adhesion to the semiconductor light emitting element. Further, the resin component of the fluorescent substance-containing resin sheet may have a curing property and a thermal fusion property together, have a low elastic modulus by heating and adhere to the semiconductor light emitting device, and may be cured by heating to be immobilized on the semiconductor light emitting device.
접착층(5)은 형광체를 함유하고 있어도 상관없지만, 통상 입자를 고농도로 함유시키면 접착력이 저하되므로 접착층(5)은 형광체를 포함하지 않거나, 또는 형광체 함유 수지 시트(2)보다 낮은 농도의 형광체를 함유하는 것이 바람직하다. 도 4(b)에서 나타낸 이형층(4)과, 도 4(c)에서 나타낸 접착층(5)을 양쪽 갖는 것도 가능하다.Although the
도 4(d)는 본 발명의 수지 시트 적층체의 구성 단면도의 다른 일례이다. 기재(1) 상에 형광체 함유 수지 시트(2)가 배열되어 있고, 기재(1)는 형광체 함유 수지 시트(2)의 각 구획의 경계와 거의 같은 위치에 있어서 오목부를 갖고 있다. 이때, 기재의 오목부는 기재가 일체인 한은 부분적으로는 기재를 관통하는 균열선으로 되어 있어도 좋다. 이러한 구성이면, 형광체 함유 수지 시트(2)의 1개의 구획만을 박리할 때에 인접한 구획이 박리될 일이 없어지기 때문에 바람직하다. 구획으로 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)를 구획마다 기재로부터 박리할 때에, 기재에 이러한 오목부가 없으면 구획이 매우 작을 때에는 인접한 구획도 동시에 박리되어 버릴 우려가 있지만, 기재를 관통하지 않는 깊이로 오목부가 형성되어 있으면 응력이 분산되어 인접한 구획에는 큰 박리력이 작용하지 않기 때문이다. 이러한 기재(1)의 오목부는 도 4(b)에서 나타낸 이형층(4)을 갖는 구성의 경우나, 도 4(c)에서 나타낸 형광체 함유 수지 시트(2) 상에 접착층을 갖는 경우, 또는 도 4(b)와 도 4(c)의 이형층(4) 및 접착층(5)을 갖는 경우에 있어서도 적용 가능하다.4 (d) is another example of the structural cross-sectional view of the resin sheet laminate of the present invention. The fluorescent substance-containing
(기재)(materials)
장척의 기재(1)로서는 공지의 금속, 필름, 유리, 세라믹, 종이 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는 알루미늄(알루미늄 합금도 포함함), 아연, 구리, 철 등의 금속판이나 박, 셀룰로오스아세테이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리에스테르, 폴리아미드, 폴리이미드, 폴리페닐렌술피드, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리스티렌, 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리비닐아세탈, 아라미드 등의 수지 필름, 플라스틱(폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌 등)이 라미네이트, 코팅되거나, 상기와 같은 금속이 라미네이트 또는 증착된 종이 또는 플라스틱 필름 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 형광체 함유 수지 시트(2)를 반도체 발광 소자에 부착할 때의 밀착성으로부터 기재는 유연한 필름 형상인 것이 바람직하고, 또한 필름 형상의 기재를 취급할 때에 파단 등의 우려가 없도록 강도가 높은 필름이 바람직하다. 그들의 요구 특성이나 경제성의 면에서 수지 필름이 바람직하고, 그 중에서도 PET 필름이 특히 바람직하다. 반송 구멍 등의 펀칭 가공을 행할 때에는 기계적 가공에 의한 펀칭 가공성으로부터 폴리페닐렌술피드 필름이 더욱 바람직하다. 수지의 경화에 200℃ 이상의 고온을 필요로 하는 경우에는 내열성의 면에서 폴리이미드 필름이 보다 바람직하다. 또한, 기재가 금속판인 경우 표면에 크롬계나 니켈계 등의 도금 처리나 세라믹 처리되어 있어도 좋다.As the
기재의 막 두께는 특별하게 제한은 없지만, 하한으로서는 25㎛ 이상이 바람직하고, 50㎛ 이상이 보다 바람직하다. 또한, 상한으로서는 5000㎛ 이하가 바람직하고, 3000㎛ 이하가 보다 바람직하다.The thickness of the base material is not particularly limited, but it is preferably 25 占 퐉 or more and more preferably 50 占 퐉 or more as the lower limit. The upper limit is preferably 5000 탆 or less, more preferably 3000 탆 or less.
형광체 함유 수지 시트(2)의 성분으로서는 주로 수지와 형광체를 포함하는 것이면 특별하게 한정되지 않고 여러 가지 것을 사용하는 것이 가능하다. 필요에 따라 기타 성분을 포함하고 있어도 좋다.As the component of the phosphor-containing resin sheet (2), it is not particularly limited as long as it contains mainly a resin and a fluorescent substance, and various substances can be used. And may contain other components as required.
(형광체)(Phosphor)
형광체는 반도체 발광 소자로부터 방출되는 광을 흡수해서 파장을 변환하고, 반도체 발광 소자의 광과 다른 파장의 광을 방출하는 것이다. 이에 따라, 반도체 발광 소자들 방출되는 광의 일부와 형광체로부터 방출되는 광의 일부가 혼합하여, 백색을 포함하는 다색계의 발광 장치가 얻어진다. 구체적으로는, 청색계 반도체 발광 소자에 반도체 발광 장치로부터의 광에 의해 황색계의 발광색을 발광하는 형광체를 광학적으로 조합시킴으로써 단일의 반도체 발광 소자를 이용하여 백색계의 발광을 얻을 수 있다.The phosphor absorbs light emitted from the semiconductor light emitting device to convert the wavelength, and emits light of a wavelength different from that of the semiconductor light emitting device. Thus, a part of light emitted from the semiconductor light emitting elements and a part of light emitted from the phosphor are mixed to obtain a multicolor light emitting device including white light. Specifically, white light emission can be obtained by using a single semiconductor light emitting element by optically combining phosphors emitting blue light emission colors with light from a semiconductor light emitting device in a blue light emitting semiconductor element.
상술한 바와 같은 형광체에는 녹색으로 발광하는 형광체, 청색으로 발광하는 형광체, 황색으로 발광하는 형광체, 적색으로 발광하는 형광체 등의 여러 가지 형광체가 있다. 본 발명에 사용되는 구체적인 형광체로서는 무기 형광체, 유기 형광체, 형광 안료, 형광 염료 등 공지의 형광체를 들 수 있다. 유기 형광체로서는 알릴술포아미드·멜라민포름알데히드 공축합 염색물이나 페릴렌계 형광체 등을 들 수 있고, 장기간 사용 가능한 점으로부터 페릴렌계 형광체가 바람직하게 사용된다. 본 발명에 특히 바람직하게 사용되는 형광 물질로서는 무기 형광체를 들 수 있다. 이하에, 본 발명에 사용되는 무기 형광체에 대해서 기재한다.The above-mentioned phosphors include various phosphors such as phosphors emitting green light, phosphors emitting blue light, phosphors emitting yellow light, and phosphors emitting red light. As specific phosphors used in the present invention, known phosphors such as inorganic phosphors, organic phosphors, fluorescent pigments and fluorescent dyes can be cited. Examples of the organic fluorescent material include allyl sulfoamide-melamine formaldehyde co-condensation dyes and perylene-based fluorescent materials, and perylene-based fluorescent materials are preferably used because they can be used for a long period of time. As the fluorescent material particularly preferably used in the present invention, an inorganic fluorescent material can be mentioned. Hereinafter, the inorganic phosphor used in the present invention will be described.
녹색으로 발광하는 형광체로서, 예를 들면 SrAl2O4: Eu, Y2SiO5: Ce, MgAl11O19: Ce, Sr7Al12O25: Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 1 이상)Ga2S4: Eu 등이 있다.Examples of the phosphor that emits green light include at least SrAl 2 O 4 : Eu, Y 2 SiO 5 : Ce, MgAl 11 O 19 : Ce, Sr 7 Al 12 O 25 : 1 or more) Ga 2 S 4 : Eu.
청색으로 발광하는 형광체로서, 예를 들면 Sr5(PO4)3Cl: Eu, (SrCaBa)5(PO4)3Cl: Eu, (BaCa)5(PO4)3Cl: Eu, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 1 이상)2B5O9Cl: Eu, Mn, (Mg, Ca, Sr, Ba 중 적어도 1 이상)(PO4)6Cl2: Eu, Mn 등이 있다.As a phosphor that emits blue light, for example, Sr 5 (PO 4) 3 Cl : Eu, (SrCaBa) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu, (BaCa) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu, (Mg, Ca, Sr, at least one of Ba) 2 B 5 O 9 Cl : and the like Eu, Mn: Eu, Mn, (Mg, Ca, Sr, at least one of Ba) (PO 4) 6 Cl 2.
녹색에서 황색으로 발광하는 형광체로서, 적어도 세륨에서 부활된 이트륨·알루미늄 산화물 형광체, 적어도 세륨에서 부활된 이트륨·가돌리늄·알루미늄 산화물 형광체, 적어도 세륨에서 부활된 이트륨·알루미늄·가닛 산화물 형광체, 및 적어도 세륨에서 부활된 이트륨·갈륨·알루미늄 산화물 형광체 등이 있다(소위 YAG계 형광체). 구체적으로는, Ln3M5O12: R(Ln은 Y, Gd, La로부터 선택되는 적어도 1 이상이다. M은 Al, Ca 중 적어도 어느 한쪽을 포함한다. R은 란타노이드계이다),（Y1-xGax)3(Al1-yGay)5O12: R(R은 Ce, Tb, Pr, Sm, Eu, Dy, Ho로부터 선택되는 적어도 1 이상이다. 0<x<0.5, 0<y<0.5이다)을 사용할 수 있다.A phosphor emitting light from green to yellow, comprising at least a cerium-activated yttrium-aluminum oxide phosphor, at least cerium-activated yttrium-gadolinium-aluminum oxide phosphor, at least cerium-activated yttrium aluminum-garnet oxide phosphor, Activated yttrium-gallium-aluminum oxide phosphor (so-called YAG-base phosphor). Specifically, Ln 3 M 5 O 12 : R (Ln is at least one selected from Y, Gd and La, M includes at least one of Al and Ca, R is a lanthanoid system), ( Y 1-x Ga x ) 3 (Al 1-y Ga y ) 5 O 12 : R (R is at least one or more selected from Ce, Tb, Pr, Sm, Eu, , 0 < y < 0.5) can be used.
적색으로 발광하는 형광체로서, 예를 들면 Y2O2S: Eu, La2O2S: Eu, Y2O3: Eu, Gd2O2S: Eu 등이 있다.Examples of the phosphor that emits red light include Y 2 O 2 S: Eu, La 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 3 : Eu, and Gd 2 O 2 S: Eu.
또한, 현재 주류의 청색 LED에 대응해 발광하는 형광체로서는 Y3(Al, Ga)5O12: Ce, (Y, Gd)3Al5O12: Ce, Lu3Al5O12: Ce, Y3Al5O12: Ce 등의 YAG계 형광체, Tb3Al5O12: Ce 등의 TAG계 형광체, (Ba, Sr)2SiO4: Eu계 형광체나 Ca3Sc2Si3O12: Ce계 형광체, (Sr, Ba, Mg)2SiO4: Eu 등의 실리케이트계 형광체, (Ca, Sr)2Si5N8: Eu, (Ca, Sr)AlSiN3: Eu, CaSiAlN3: Eu 등의 나이트라이드계 형광체, Cax(Si, Al)12(O, N)16: Eu 등의 옥시나이트라이드계 형광체, 또한 (Ba, Sr, Ca)Si2O2N2: Eu계 형광체, Ca8MgSi4O16Cl2: Eu계 형광체, SrAl2O4: Eu, Sr4Al14O25: Eu 등의 형광체를 들 수 있다.Examples of the phosphor which emits light by the current corresponding to the blue LED in the mainstream Y 3 (Al, Ga) 5 O 12: Ce, (Y, Gd) 3 Al 5 O 12: Ce,
이들 중에서는 YAG계 형광체, TAG계 형광체, 실리케이트계 형광체가 발광 효율이나 휘도 등의 점에서 바람직하게 사용된다.Among them, the YAG-base phosphor, the TAG-base phosphor and the silicate-base phosphor are preferably used in terms of luminous efficiency and brightness.
상기 이외에도 용도나 목적으로 하는 발광색에 따라 공지의 형광체를 사용할 수 있다.In addition to the above, known phosphors may be used according to the intended luminescent color for the purpose or purpose.
형광체의 입자 사이즈는 특별하게 제한은 없지만, D50이 0.05㎛ 이상인 것이 바람직하고, 3㎛ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, D50이 30㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다. 여기에서, D50이란 레이저 회절 산란식 입도 분포 측정법에 의해 측정해서 얻어지는 체적 기준 입도 분포에 있어서, 소입경측으로부터의 통과분 적산이 50%가 될 때의 입자 지름을 말한다. D50이 상기 범위이면, 시트 중의 형광체의 분산성이 양호해서 안정된 발광이 얻어진다.The particle size of the phosphor is not particularly limited, but it is preferable that D50 is 0.05 mu m or more, more preferably 3 mu m or more. Further, the D50 is preferably 30 mu m or less, more preferably 20 mu m or less. Here, D50 refers to the particle diameter when the particle size distribution based on the particle size distribution obtained by the laser diffraction scattering type particle size distribution measurement method is 50% of the passing particle size distribution from the small diameter side. When D50 is in the above range, the dispersibility of the phosphor in the sheet is good and stable light emission is obtained.
(수지)(Suzy)
본 발명에 사용되는 수지는 형광체를 내부에 함유시키는 수지이며, 최종적으로 시트를 형성한다. 따라서, 내부에 형광체를 균질하게 분산시키는 것이며, 시트 형성할 수 있는 것이면 어떠한 수지라도 상관없다. 구체적으로는, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 폴리아릴레이트 수지, PET 변성 폴리아릴레이트 수지, 폴리카보네이트 수지, 환상 올레핀, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리메틸메타아크릴레이트 수지, 폴리프로필렌 수지, 변성 아크릴, 폴리스티렌 수지 및 아크릴니트릴·스티렌 공중합체 수지 등을 들 수 있다. 본 발명에 있어서는 투명성의 면으로부터 실리콘 수지나 에폭시 수지가 바람직하게 사용된다. 또한, 내열성의 면으로부터 실리콘 수지가 특히 바람직하게 사용된다.The resin used in the present invention is a resin containing a phosphor therein, and finally forms a sheet. Therefore, it is possible to uniformly disperse the phosphor in the inside, and any sheet may be used as long as it can form a sheet. Specific examples of the resin include silicone resin, epoxy resin, polyarylate resin, PET modified polyarylate resin, polycarbonate resin, cyclic olefin, polyethylene terephthalate resin, polymethylmethacrylate resin, polypropylene resin, modified acrylic, polystyrene resin And acrylnitrile-styrene copolymer resins. In the present invention, a silicone resin or an epoxy resin is preferably used from the viewpoint of transparency. From the viewpoint of heat resistance, a silicone resin is particularly preferably used.
본 발명에서 사용되는 실리콘 수지로서는 경화형 실리콘 고무가 바람직하다. 1액형, 2액형(3액형) 중 어느 액 구성을 사용해도 좋다. 경화형 실리콘 고무에는 공기 중의 수분 또는 촉매에 의해 축합 반응을 일으키는 타입으로서 탈알콜형, 탈옥심형, 탈아세트산형, 탈히드록실아민형 등이 있다. 또한, 촉매에 의해 히드로실릴화 반응을 일으키는 타입으로서 부가 반응형이 있다. 이들 중 어느 타입의 경화형 실리콘 고무를 사용해도 좋다. 특히, 부가 반응형의 실리콘 고무는 경화 반응에 따른 부생성물이 없고, 경화 수축이 작은 점, 가열에 의해 경화를 빠르게 하는 것이 용이한 점에서 보다 바람직하다.As the silicone resin used in the present invention, a curing-type silicone rubber is preferable. Any one of a one-liquid type and a two-liquid type (three-liquid type) may be used. The curing type silicone rubber is a type which causes a condensation reaction by moisture or catalyst in the air, such as an alcohol type, a defoaming type, a deacetyl type, and a dehydroxylamine type. Further, there is an addition reaction type as a type which causes a hydrosilylation reaction by a catalyst. Any of these types of curable silicone rubber may be used. Particularly, the addition reaction type silicone rubber is more preferable because it has no byproducts due to the curing reaction, has a small curing shrinkage, and is easy to accelerate curing by heating.
부가 반응형의 실리콘 고무는, 일례로서 규소 원자에 결합한 알케닐기를 함유하는 화합물과, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 화합물의 히드로실릴화 반응에 의해 형성된다. 이러한 재료로서는 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 알릴트리메톡시실란, 프로페닐트리메톡시실란, 노보네닐트리메톡시실란, 옥테닐트리메톡시실란 등의 규소 원자에 결합한 알케닐기를 함유하는 화합물과, 메틸하이드로겐폴리실록산, 디메틸폴리실록산-CO-메틸하이드로겐폴리실록산, 에틸하이드로겐폴리실록산, 메틸하이드로겐폴리실록산-CO-메틸페닐폴리실록산 등의 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 화합물의 히드로실릴화 반응에 의해 형성되는 것을 들 수 있다. 또한, 그 밖에도 예를 들면 일본 특허 공개 2010-159411호 공보에 기재되어 있는 바와 같은 공지의 것을 이용할 수 있다.The addition reaction type silicone rubber is formed, for example, by a hydrosilylation reaction of a compound containing an alkenyl group bonded to a silicon atom and a compound containing a hydrogen atom bonded to a silicon atom. Examples of such a material include alkenyl groups bonded to silicon atoms such as vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, allyltrimethoxysilane, propenyltrimethoxysilane, norbornyltrimethoxysilane, and octenyltrimethoxysilane And a hydrosilylation reaction of a compound having a hydrogen atom bonded to a silicon atom such as methylhydrogenpolysiloxane, dimethylpolysiloxane-CO-methylhydrogenpolysiloxane, ethylhydrogenpolysiloxane, methylhydrogenpolysiloxane-CO-methylphenylpolysiloxane, And the like. In addition, known ones as described in, for example, JP-A-2010-159411 may be used.
또한, 시판되고 있는 것으로서 일반적인 LED 용도의 실리콘 밀봉재를 사용하는 것도 가능하다. 구체예로서는 도레이·다우코닝사 제의 OE-6630A/B, OE-6336A/B나 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제의 SCR-1012A/B, SCR-1016A/B 등이 있다.In addition, it is also possible to use a silicone sealant for general LED applications, which is commercially available. Specific examples thereof include OE-6630A / B and OE-6336A / B manufactured by Toray Dow Corning Incorporated, and SCR-1012A / B and SCR-1016A / B manufactured by Shin-Etsu Chemical Co.,
또한, 수지가 열융착성을 갖는 경우에는 형광체 함유 수지 시트 상에 별도 후술의 접착층을 설치할 필요가 없기 때문에 공정이 간략화된다. 광학 특성이나 내구성으로부터, 부가 반응형 실리콘 고무이며 열융착성을 갖는 것이 가장 바람직하다.Further, in the case where the resin has thermal fusibility, the process is simplified because it is not necessary to separately provide an adhesive layer to be described later on the phosphor-containing resin sheet. From the viewpoint of optical properties and durability, it is most preferable that the addition reaction-type silicone rubber has heat-sealability.
(기타 성분)(Other components)
또한, 첨가제로서 도포막 안정화를 위한 분산제나 레벨링제, 시트 표면의 개질제로서 실란커플링제 등의 접착 보조제 등을 첨가하는 것도 가능하다. 또한, 형광체 침강 억제제로서 실리콘 미립자 등의 무기 입자를 첨가하는 것도 가능하다.As an additive, it is also possible to add a dispersing agent or a leveling agent for stabilizing the coating film, or an adhesion aid such as a silane coupling agent as a modifier for the surface of the sheet. It is also possible to add inorganic particles such as silicon fine particles as the phosphor precipitation inhibitor.
형광체 침강 억제용의 실리콘 미립자는 평균 입경(D50)이 0.01㎛ 이상 5㎛ 미만인 것이 바람직하다. 0.01㎛ 이상이면 실리콘 미립자의 제조와 형광체 함유 수지 시트 중으로의 분산이 용이하다. 5㎛ 미만이면 형광체 함유 수지 시트의 투과율에 악영향을 주지 않는다.It is preferable that the silicon fine particles for suppressing the sedimentation of the phosphor have an average particle diameter (D50) of not less than 0.01 탆 and less than 5 탆. If it is 0.01 m or more, it is easy to manufacture silicon fine particles and disperse them into the phosphor-containing resin sheet. When the thickness is less than 5 mu m, the transmittance of the phosphor-containing resin sheet is not adversely affected.
(형광체 함유량)(Phosphor content)
형광체의 함유량은 형광체 함유 수지 시트 전체의 53중량% 이상인 것이 바람직하고, 60중량% 이상인 것이 보다 바람직하다. 형광체 함유 수지 시트 중의 형광체 함유량을 상기 범위로 함으로써 형광체 함유 수지 시트의 내광성을 높일 수 있다. 또한, 형광체 함유량의 상한은 특별하게 규정되지 않지만, 작업성이 뛰어난 시트가 작성하기 쉽다고 하는 관점으로부터 형광체 함유 수지 시트 전체의 95중량% 이하인 것이 바람직하고, 90중량% 이하인 것이 보다 바람직하고, 85중량% 이하인 것이 더욱 바람직하고, 80중량% 이하인 것이 특히 바람직하다.The content of the phosphor is preferably 53% by weight or more, more preferably 60% by weight or more, of the entire phosphor-containing resin sheet. By setting the phosphor content in the phosphor-containing resin sheet within the above range, the light resistance of the phosphor-containing resin sheet can be increased. The upper limit of the phosphor content is not specifically defined, but is preferably 95% by weight or less, more preferably 90% by weight or less, and more preferably 85% by weight or less based on the entire phosphor- % Or less, and particularly preferably 80 wt% or less.
(형광체 함유 수지 시트의 막 두께)(Film Thickness of Phosphor-Containing Resin Sheet)
형광체 함유 수지 시트의 내열성을 향상시키는 관점으로부터 형광체 함유 수지 시트의 막 두께는 200㎛ 이하인 것이 바람직하고, 100㎛ 이하인 것이 보다 바람직하다.From the viewpoint of improving the heat resistance of the fluorescent substance-containing resin sheet, the film thickness of the fluorescent substance-containing resin sheet is preferably 200 탆 or less, more preferably 100 탆 or less.
본 발명에 있어서의 시트의 막 두께는 JIS K7130(1999) 플라스틱 -필름 및 시트- 두께 측정 방법에 있어서의 기계적 주사에 의한 두께의 측정 방법 A법에 의거하여 측정되는 막 두께(평균 막 두께)를 말한다.The film thickness of the sheet in the present invention is determined by measuring the film thickness (average film thickness) measured according to Method A of Measuring Method by Thickness Measurement by Mechanical Injection in the Plastic-Film and Sheet-Thickness Measurement Method of JIS K7130 (1999) It says.
LED는 작은 공간에서 대량의 열이 발생하는 환경에 있고, 특히 하이파워 LED의 경우 발열이 현저하다. 이러한 발열에 의해 형광체의 온도가 상승함으로써 LED의 휘도가 저하된다. 따라서, 발생한 열을 어떻게 효율적으로 방열할지가 중요하다. 본 발명에 있어서는 시트 막 두께를 상기 범위로 함으로써 내열성이 뛰어난 시트를 얻을 수 있다. 또한, 시트 막 두께에 불균일이 있으면 반도체 발광 소자마다 형광체량에 차이가 발생하고, 결과적으로 발광 스펙트럼에 불균일이 발생한다. 따라서, 시트 막 두께의 불균일은 바람직하게는 ±5% 이내, 보다 바람직하게는 ±3% 이내, 더욱 바람직하게는 ±1.5% 이내이다. 또한, 여기에서 말하는 막 두께 불균일이란 JIS K7130(1999) 플라스틱 -필름 및 시트- 두께 측정 방법에 있어서의 기계적 주사에 의한 두께의 측정 방법 A법에 의거하여 막 두께를 측정하고, 하기에 나타내는 식에 의해 산출된다.The LEDs are in an environment where a large amount of heat is generated in a small space, and in particular, the heat generation is remarkable in the case of a high power LED. The temperature of the phosphor is increased by such heat generation, and the brightness of the LED is lowered. Therefore, it is important how to efficiently heat generated heat. In the present invention, by setting the thickness of the sheet to the above-mentioned range, a sheet having excellent heat resistance can be obtained. Further, if the thickness of the sheet is uneven, there is a difference in the amount of phosphor for each semiconductor light emitting element, resulting in non-uniformity in the emission spectrum. Therefore, the unevenness of the sheet film thickness is preferably within ± 5%, more preferably within ± 3%, and even more preferably within ± 1.5%. The film thickness unevenness referred to here is measured by the method of measuring the thickness A by mechanical scanning in the method of measuring the thickness of the plastic film and sheet in JIS K7130 (1999) Lt; / RTI >
보다 구체적으로는, 기계적 주사에 의한 두께의 측정 방법 A법의 측정 조건을 이용하고, 시판되고 있는 접촉식의 두께계 등의 마이크로미터를 사용해서 막 두께를 측정하고, 얻어진 막 두께의 최대값 또는 최소값과 평균 막 두께의 차를 계산하고, 이 값을 평균 막 두께로 나누어서 100분율로 나타낸 값이 막 두께 불균일 B(%)가 된다.More specifically, the film thickness is measured by using a micrometer such as a commercially available contact type thickness meter using the measurement conditions of the method A of measuring the thickness by mechanical scanning, and the maximum value of the obtained film thickness or The difference between the minimum value and the average film thickness is calculated, and this value is divided by the average film thickness, and the value represented by 100 percent becomes the film thickness unevenness B (%).
막 두께 불균일 B(%)=(최대 막 두께 어긋남값*-평균 막 두께)/평균 막 두께×100Film thickness unevenness B (%) = (maximum film thickness deviation * - average film thickness) / average film thickness 占 100
*최대 막 두께 어긋남값은 막 두께의 최대값 또는 최소값 중 평균 막 두께와의 차가 큰 쪽을 선택한다.* The maximum film thickness deviation value is selected when the difference between the maximum value or the minimum value of the film thickness is larger than the average film thickness.
(기타 구성)(Other configurations)
이형층(4)의 재료에 대해서는 특별하게 제한은 없고, 일반적으로 이용되고 있는 것을 사용할 수 있다. 범용적인 이형제로서는 왁스, 유동 파라핀, 실리콘계, 불소계 등의 이형제가 있지만, 통상 수지의 이형제로서는 실리콘계, 불소계인 것이 많이 사용되고, 본 발명에 있어서도 이것들을 바람직하게 사용할 수 있다. 특히, 실리콘계의 것이 이탈성이 높아 바람직하다. 이형층(4)의 재료 선정이나 기재 상으로의 도포량은 필요한 박리 강도에 따라 결정된다. 즉, 이형제의 종류, 양을 적정하게 선정함으로써 형광체 함유 수지 시트를 원하는 형상으로 가공할 때에는 기재로부터 박리되지 않고, 또한 형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자에 부착할 때에는 신속하게 기재로부터 박리할 수 있다. 박리 강도는 동일한 이형제를 동량 사용한 경우에도 형광체 함유 수지 시트의 조성에 따라 다르므로, 필요한 박리성을 얻기 위해서는 사용하는 형광체 함유 수지 시트마다 조정하는 것이 바람직하다.The material for the
접착층(5)의 재료로서는 특별하게 제한은 없지만, 일반적인 고무계, 아크릴계, 우레탄계, 실리콘계 점착제 등을 들 수 있다. 어떤 것을 사용해도 좋지만, 내열성, 절연성, 투명성에 적합한 점착제로서는 실리콘계 점착제가 유용하다.The material for the
접착층(5)의 두께는 2㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 바람직하다. 점착제의 종류에 상관없이 2㎛ 이상 있으면 높은 점착 강도가 얻어진다. 200㎛ 이하임으로써 형광체 함유 수지 시트(2)를 원하는 형상으로 가공할 때에 접착층(5)의 점착성이 문제를 일으키지 않고 가공할 수 있고, 또한 반도체 발광 소자에 부착한 후에 광학적인 손실을 초래하지 않는다. 또한, 반도체 발광 소자 표면의 구조나 실장 전극 등의 돌기물을 매립할 필요가 있을 경우, 그것들의 구조는 통상 100㎛ 이하이므로 접착층(5)의 막 두께가 200㎛ 이하에서 충분한 매립성을 얻을 수 있다.The thickness of the
형광체 함유 수지 시트(2)에는 보호 필름이 설치되어 있어도 좋다. 보호 필름의 재료로서는 특별하게 제한은 없지만, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 셀로판 등을 들 수 있다. 또한, 보호 필름은 실리콘계나 불소계 등 공지의 이형제에 의해 이형 처리되어 있어도 좋다. 도 4(c)와 같이, 형광체 함유 수지 시트(2) 상에 접착층(5)이 존재하는 경우에는 접착층(5) 상에 보호 필름을 설치할 수 있다.The phosphor-containing
(수지 시트 적층체의 제작 방법)(Production method of resin sheet laminate)
본 발명의 수지 시트 적층체를 제조하는 방법을 설명한다. 또한, 이것들은 일례이며 본 발명의 수지 시트 적층체의 제조 방법은 이것들에 한정되는 것은 아니다.A method for producing the resin sheet laminate of the present invention will be described. These are only examples, and the production method of the resin sheet laminate of the present invention is not limited thereto.
기재(1) 상에 형광체 함유 수지 시트(2)를 후술의 방법으로 적층한다. 이어서, 포토레지스트를 적층하고, 패턴 가공을 실시함으로써 방촉 패턴을 형성하고, 그것을 마스크로 해서 형광체 함유 수지 시트(2)를 용해하는 것이 가능한 약액에 의해 에칭을 실시하여 형광체 함유 수지 시트(2)를 원하는 형상으로 분할한다. 포토레지스트로서는 시판하는 것을 이용할 수 있다.The phosphor-containing
또한, 별도의 방법으로서 기재(1) 상에 패턴이 형성된 스크린 인쇄판을 겹치고, 거기에 형광체를 수지 용액에 분산시킨 페이스트를 스퀴지에 의해 충전해서 인쇄, 건조함으로써 원하는 형상으로 분할된 형광체 함유 수지 시트(2)를 형성한다. 이 방법에서는 형광체 함유 수지 시트(2)를 기재 상에 형성하는 데에 스크린 인쇄 등 패턴 형상으로 인쇄할 수 있는 방법을 사용하기 때문에, 직접적으로 원하는 패턴의 형광체 함유 수지 시트(2)를 얻을 수 있다. 스크린 인쇄판은 형광체 함유 수지 시트(2)에 포함되는 용제에 내구성이 있는 것을 선택할 필요가 있다. 스테인리스사에 고내약품성 수지에 의한 패턴이 실시된 것이 바람직하다.As another method, a screen printing plate having a pattern formed thereon is superimposed on the
또한, 별도의 방법으로서 기재(1) 상에 형광체 함유 수지 시트(2)를 후술의 방법으로 형성한다. 그 후에, 금형에 의한 펀칭, 레이저에 의한 가공, 또는 블레이드에 의한 절삭 중 어느 하나의 가공 방법에 의해 형광체 함유 수지 시트(2)를 원하는 형상으로 분할, 가공한다. 형광체 함유 수지 시트(2)를 각각의 구획으로 분할할 때에는 기재가 일체화한 상태가 되도록, 적어도 일부에 있어서 기재를 관통하지 않는 것이 중요하고, 그것을 위한 방법으로서는 블레이드에 의한 절삭이 바람직하다. 블레이드에 의한 절삭 방법으로서는 단순한 블레이드를 압입해서 자르는 방법과, 회전 블레이드에 의해 자르는 방법이 있다. 회전 블레이드에 의해 절단하는 장치로서는 다이서라고 불리는 반도체 기판을 개별의 칩으로 절단(다이싱)하는 데에 사용하는 장치를 바람직하게 이용할 수 있다. 다이서를 사용하면 회전 블레이드의 두께나 조건 설정에 의해 분할 라인의 폭을 정밀하게 제어할 수 있기 때문에, 단순한 블레이드의 압입에 의해 절단하는 것보다 높은 가공 정밀도가 얻어진다.As another method, a phosphor-containing
어느 블레이드를 사용하는 방법에 있어서나 매우 정밀한 블레이드의 위치 제어를 행하면 형광체 함유 수지 시트(2)를 분할하면서 기재를 절단하지 않는 것이 가능하지만, 현실적으로는 항상 완전하게 동일한 깊이로 절단하는 것은 매우 곤란하다. 따라서, 절단 깊이가 약간 어긋났을 경우에 형광체 함유 수지 시트(2)가 깔끔히 분할되지 않게 되어 버리는 것을 막기 위해서, 절단 깊이는 기재를 부분적으로 절단하는 깊이로 설정해 두는 것이 바람직하다.이 방법으로 본 발명의 수지 시트 적층체를 제조했을 경우에는 사실상 대부분의 경우에 형광체 함유 수지 시트(2)의 절단 위치와 거의 동일한 위치에 기재를 관통하지 않는 오목부가 새겨진 것이 된다. 이 경우, 오목부는 연속적 또는 단속적인 홈 형상으로 형성되는 경우가 많지만, 기재가 분단되어 버리지 않는 한에 있어서 오목부가 부분적으로는 기재를 관통하는 균열선으로 되어 있어도 상관없다.In the method of using either blade or the position control of the blade with a very high precision, it is possible not to cut the base material while dividing the phosphor-containing
어느 방법에 의해서나 바람직하게 본 발명의 수지 시트 적층체를 제조할 수 있지만, 특히 바람직한 것은 형광체 함유 수지 시트(2)를 형성하고 나서 각각의 구획으로 가공하는 방법이다. 레지스트, 약액이나 판재를 형광체 함유 수지 시트(2)에 접촉시키는 것에 의한 시트 손상의 우려가 없으므로, 균일한 형광체 함유 수지 시트(2)를 얻는 것이 용이하다.The resin sheet laminate of the present invention can be preferably produced by any method, but particularly preferred is a method of forming the phosphor-containing
본 발명의 수지 시트 적층체의 제작 방법을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 이하는 일례이며 수지 시트 적층체의 제작 방법은 이것에 한정되지 않는다. 우선, 형광체 함유 수지 시트 형성용의 도포액으로서 형광체를 수지에 분산시킨 용액(이하 「시트 용액」이라고 함)을 제작한다. 시트 용액은 형광체와 수지를 적당한 용매 중에서 혼합함으로써 얻어진다. 부가 반응형 실리콘 수지를 사용하는 경우에는 규소 원자에 결합한 알케닐기를 함유하는 화합물과, 규소 원자에 결합한 수소 원자를 갖는 화합물을 혼합하면 실온에서도 경화 반응이 시작되는 경우가 있으므로, 아세틸렌 화합물 등의 히드로실릴화 반응 지연제를 시트 용액에 더 배합하여 포트 라이프를 연장하는 것도 가능하다. 또한, 첨가제로서 도포막 안정화를 위한 분산제나 레벨링제, 시트 표면의 개질제로서 실란커플링제 등의 접착 보조제 등을 시트 용액에 혼합하는 것도 가능하다. 또한, 형광체 침강 억제제로서 실리콘 미립자 등의 무기 입자를 시트 용액에 혼합하는 것도 가능하다.The production method of the resin sheet laminate of the present invention will be described more specifically. The following is only an example, and the production method of the resin sheet laminate is not limited to this. First, as a coating liquid for forming a phosphor-containing resin sheet, a solution in which a phosphor is dispersed in a resin (hereinafter referred to as a "sheet solution") is prepared. The sheet solution is obtained by mixing the phosphor and the resin in an appropriate solvent. When an addition reaction type silicone resin is used, a curing reaction may start even at room temperature if a compound containing an alkenyl group bonded to a silicon atom and a compound having a hydrogen atom bonded to a silicon atom are mixed, so that a hydride such as an acetylene compound It is also possible to further extend the pot life by further compounding the silylation reaction retarder into the sheet solution. As an additive, it is also possible to mix a dispersing agent and a leveling agent for stabilizing the coating film, and an adhesion aid such as a silane coupling agent as a modifier for the surface of the sheet, into the sheet solution. It is also possible to mix inorganic particles such as silicon fine particles as the phosphor precipitation inhibitor into the sheet solution.
용매는 유동 상태의 수지의 점도를 조정할 수 있는 것이면 특별하게 한정되지 않는다. 예를 들면, 톨루엔, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 헥산, 아세톤 등을 들 수 있다.The solvent is not particularly limited as long as it can adjust the viscosity of the resin in a flowing state. Examples thereof include toluene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, hexane, and acetone.
이들 성분을 소정의 조성이 되도록 조합한 후, 호모지나이저, 자공전형 교반기, 3단 롤러, 볼 밀, 유성식 볼 밀, 비드 밀 등의 교반·혼련기로 균질하게 혼합 분산시킴으로써 시트 용액이 얻어진다. 혼합 분산 후, 또는 혼합 분산의 과정에서 진공 또는 감압 조건 하에서 탈포하는 것도 바람직하게 행해진다.These components are combined so as to have a predetermined composition and homogeneously mixed and dispersed with a stirring / kneading machine such as a homogenizer, a self-ball type stirrer, a three-stage roller, a ball mill, a planetary ball mill or a bead mill to obtain a sheet solution. It is also preferable to perform defoaming under vacuum or reduced pressure conditions after the mixed dispersion or in the course of mixed dispersion.
이어서, 시트 용액을 기재 상에 도포하고, 건조시킨다. 도포는 리버스 롤 코터, 블레이드 코터, 슬릿다이 코터, 다이렉트 그라비어 코터, 오프셋 그라비어 코터, 키스 코터, 스크린 인쇄, 내츄럴 롤 코터, 에어나이프 코터, 롤 블레이드 코터, 바리바 롤 블레이드 코터, 투 스트림 코터, 로드 코터, 와이어 바 코터, 애플리케이터, 딥 코터, 커튼 코터, 스핀 코터, 나이프 코터 등에 의해 행할 수 있다. 시트 막 두께의 균일성을 얻기 위해서는 슬릿다이 코터로 도포하는 것이 바람직하다. 또한, 스크린 인쇄나 그라비어 인쇄, 평판 인쇄 등의 인쇄법을 이용해서도 제작할 수도 있다. 특히, 스크린 인쇄가 바람직하게 사용된다.The sheet solution is then applied onto the substrate and dried. The application can be carried out using a reverse roll coater, blade coater, slit die coater, direct gravure coater, offset gravure coater, kiss coater, screen printing, natural roll coater, air knife coater, roll blade coater, A wire bar coater, an applicator, a dip coater, a curtain coater, a spin coater, a knife coater, or the like. In order to obtain uniformity of the sheet film thickness, it is preferable to coat the film with a slit die coater. It can also be produced by a printing method such as screen printing, gravure printing, or flat printing. In particular, screen printing is preferably used.
시트의 건조는 열풍 건조기나 적외선 건조기 등의 일반적인 가열 장치를 이용하여 행할 수 있다. 시트의 가열 경화에는 열풍 건조기나 적외선 건조기 등의 일반적인 가열 장치가 사용된다. 이 경우, 가열 경화 조건은 통상 40∼250℃에서 1분∼5시간, 바람직하게는 100℃∼200℃에서 2분∼3시간이다.The sheet may be dried using a general heating apparatus such as a hot air dryer or an infrared dryer. For heating and curing the sheet, a general heating apparatus such as a hot air dryer or an infrared dryer is used. In this case, the heat curing is usually carried out at 40 to 250 캜 for 1 minute to 5 hours, preferably 100 to 200 캜 for 2 minutes to 3 hours.
상기한 바와 같이, 기재 상에 형성된 형광체 함유 수지 시트(2)는 상술한 바와 같은 방법으로 소정의 형상과 구획으로 분할할 수 있다.As described above, the phosphor-containing
또한, 도 2 및 3에 나타내는 바와 같이 단순한 직사각형 이외의 형광체 함유 수지 시트(2)의 분할 형상을 얻고 싶을 경우에는 포토마스크 또는 스크린판으로서 원하는 패턴인 것을 준비해 두는 것만으로 좋다. 균일한 형광체 함유 수지 시트(2)를 후에 구획 형상으로 가공할 경우에는 형광체 수지층을 개별의 구획으로 분할하는 가공의 전후에 레이저 가공 등에 의해 가공을 실시할 필요가 있다.When it is desired to obtain a divided shape of the fluorescent substance-containing
[형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자의 접합][Bonding of Phosphor-Containing Resin Sheet (2) to Semiconductor Light Emitting Element)
이어서, 본 발명의 수지 시트 적층체를 사용한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법에 대하여 설명한다. 본 발명의 수지 시트 적층체는 장척의 기재 상에 형광체 및 수지를 함유하는 수지 시트를 갖고, 상기 수지 시트의 구획이 상기 장척의 기재의 길이 방향으로 반복 배치되어 있으므로,Next, a method of manufacturing a semiconductor light emitting device with a phosphor-containing resin sheet using the resin sheet laminate of the present invention will be described. Since the resin sheet laminate of the present invention has a resin sheet containing a phosphor and a resin on a long substrate and the sections of the resin sheet are repeatedly arranged in the longitudinal direction of the elongate substrate,
(A) 상기 장척의 기재 상에 상기 형광체 함유 수지 시트의 하나의 구획을 하나의 반도체 발광 소자의 발광면에 대향시키는 위치 맞춤 공정, 및(A) an alignment step for opposing one segment of the fluorescent substance-containing resin sheet to the light emitting surface of one semiconductor light emitting element on the elongate substrate, and
(B) 가압 툴에 의해 가압해서 상기 형광체 함유 수지 시트의 상기 하나의 구획과 상기 하나의 반도체 발광 소자의 발광면을 접착시키는 접착 공정(B) a bonding step of pressing the one section of the fluorescent substance-containing resin sheet with the light emitting surface of the one semiconductor light emitting element by pressing with a pressing tool
을 적어도 포함하고, (A) 및 (B)의 공정을 반복해서 행함으로써 형광체 함유 수지 시트와 반도체 발광 소자의 접착을 연속적으로 행하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법에 바람직하게 이용할 수 있다.Containing resin sheet and the semiconductor light-emitting element are continuously bonded by repeating the steps (A) and (B), wherein the phosphor-containing resin sheet and the semiconductor light- Can be preferably used.
또한, (A) 및 (B)의 공정을 반복해 행한다는 것은 장척의 기재 상에 상기 형광체 함유 수지 시트의 n번째의 구획과 n개째의 반도체 발광 소자의 발광면의 세트에 대하여 (A) 및 (B) 공정을 행한 후, n+1번째의 구획과 n+1개째의 반도체 발광 소자의 발광면의 세트에 대하여 (A) 및 (B) 공정을 행하는 조작을 반복하여 행하는 것을 말한다. 여기에서, n은 1 이상의 정수이다.The repeating of the steps (A) and (B) is carried out by repeating the steps (A) and (B) for a set of the nth light emitting surface of the nth semiconductor light emitting element of the phosphor- (A) and (B) are repeated for the set of the light emitting surfaces of the (n + 1) th division and the (n + 1) th semiconductor light emitting element after the step (B) is performed. Here, n is an integer of 1 or more.
도 5는 본 발명의 수지 시트 적층체를 사용한 형광체 함유 수지 시트(2)가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법의 제 1 예이다. 장척의 기재(1)에 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 배열되어 있고, 이것들과 마주보는 위치에 이동 스테이지(8) 상에 반도체 발광 소자(9)가 배치되어 있다. 제 1 예는 상기 반도체 발광 소자가 상기 접착 공정이 행해지는 스테이지에 있어서 1의 방향으로 반복 배치되어 있는, 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법이다.Fig. 5 shows a first example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device to which a phosphor-containing
도 5(a)에서 나타내는 바와 같이, 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 1 구획과 제 1 반도체 발광 소자(9)의 발광면이 대향하도록 각각의 위치를 맞춘다. 이 쌍방을 위치 맞춤함에 있어서 광학적인 위치 맞춤 시스템을 장비하고 있는 것이 바람직하다.As shown in Fig. 5 (a), the first section of the fluorescent substance-containing
이어서, 도 5(b)에서 나타내는 바와 같이 가압 툴(7)을 사용하여 기재(1)의 측으로부터 가압함으로써 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)가 접착된다.Subsequently, as shown in Fig. 5 (b), the phosphor-containing
이어서, 도 5(c)에서 나타내는 바와 같이 가압 툴(7)을 상방으로 인상해서 가압을 멈춘다. 이때, 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착력과, 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)의 접착력을 적절하게 조정해 둠으로써 가압 툴(7)을 인상함과 동시에 기재(1)가 형광체 함유 수지 시트(2)로부터 박리되고, 형광체 함유 수지 시트(2)만이 반도체 발광 소자(9)에 접착된 상태가 된다.Then, as shown in Fig. 5 (c), the
기재(1)와 수지 시트의 접착력을 적절하게 조정하는 방법으로서는 기재(1)의 재질을 선택하는 방법이나, 도 4(b)에서 나타내는 바와 같이 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2) 사이에 이형층(4)을 설치하는 것을 예시할 수 있다.As a method for appropriately adjusting the adhesive force between the
이어서, 도 5(d)에서 나타내는 바와 같이 수지 시트 적층체와 반도체 발광 소자를 배열한 스테이지를 이동시키고, 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 2 구획(도면에서는 부호 2'로 나타냄)과 제 2 반도체 발광 소자(9)(도면에서는 부호 9'로 나타냄)를 대향시켜서 위치 맞춤한다.Next, as shown in Fig. 5 (d), the stage in which the resin sheet laminate and the semiconductor light emitting device are arranged is moved, and the second compartment (denoted by 2 'in the drawing) of the phosphor- The semiconductor light emitting element 9 (denoted by
이렇게 해서, 도 5(b)∼도 5(d)에 나타내는 조작을 반복해서 행함으로써 형광체 함유 수지 시트(2) 첨부 반도체 발광 소자(10)를 높은 스루풋으로 연속적으로 생산할 수 있다.By repeating the operations shown in Figs. 5 (b) to 5 (d) in this manner, the semiconductor
이 제 1 예에서는 반도체 발광 소자는 미리 하나의 방향으로 반복 배치되어 있다. 본 발명의 수지 시트 적층체를 사용한 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법은 반드시 이러한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 반도체 발광 소자가 스테이지에 개별적으로 이송되는 형태라도 좋지만, 제 1 예에 나타내는 형태는 보다 바람직한 실시형태로서 예시된다.In this first example, the semiconductor light emitting elements are repeatedly arranged in one direction in advance. The method of manufacturing the semiconductor light emitting device with the phosphor-containing resin sheet using the resin sheet laminate of the present invention is not necessarily limited to this embodiment, and for example, the semiconductor light emitting element may be separately transported to the stage, The embodiment shown in the first example is exemplified as a more preferable embodiment.
도 6에 본 발명에 의한 수지 시트 적층체를 사용한 형광체 함유 수지 시트(2)가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법의 제 2 예를 나타낸다. 제 2 예는 상기 형광체 함유 수지 시트의 길이 방향의 배열 피치와 상기 반도체 발광 소자의 하나의 방향의 배열 피치가 같은, 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법이다.6 shows a second example of a manufacturing method of a semiconductor light emitting element to which a phosphor-containing
여기에서, 형광체 함유 수지 시트의 구획의 배열 피치와 반도체 발광 소자의 배열 피치가 같다는 것은 반도체 발광 소자에 형광체 함유 수지 시트를 접착시킬 때에 새로운 위치 맞춤을 필요로 하지 않을 정도로 피치가 같은 것을 말한다.Here, the arrangement pitch of the sections of the phosphor-containing resin sheet and the arrangement pitch of the semiconductor light emitting elements are equal to each other so that a new alignment is not required when the phosphor-containing resin sheet is bonded to the semiconductor light emitting element.
제 1 예에서는 수지 시트 적층체에 있어서의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획의 배열 피치와 반도체 발광 소자(9)의 배열 피치가 달랐기 때문에, 개개의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 반도체 발광 소자(9)를 개별적으로 위치 맞춤할 필요가 있었다. 제 2 예에서도 개별적으로 위치 맞춤을 행해도 좋지만, 미리 복수개의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 복수개의 반도체 발광 소자(9)의 위치 맞춤을 할 수도 있기 때문에 개별의 위치 맞춤을 생략할 수 있다.Since the arrangement pitch of the sections of the fluorescent substance-containing
따라서, 제 2 예에 있어서의 바람직한 실시형태는,Therefore, in the preferred embodiment of the second example,
상기 (A)공정이 (C) 상기 형광체 함유 수지 시트의 복수개의 구획과 상기 반도체 발광 소자의 복수개의 발광면을 각각 한번에 대향시키는 위치 맞춤 공정이고,Wherein the step (A) is an aligning step of (C) facing a plurality of sections of the phosphor-containing resin sheet and a plurality of light emitting surfaces of the semiconductor light emitting element,
상기 (B)공정이 (D) 가압 툴에 의해 가압해서 상기 형광체 함유 수지 시트의 구획과 상기 반도체 발광 소자의 발광면을 순차적으로 접착시키는 접착 공정이고,Wherein the step (B) is an adhering step of sequentially pressing the section of the fluorescent substance-containing resin sheet and the light emitting surface of the semiconductor light emitting element by pressing with a pressing tool (D)
(C) 및 (D)의 공정을 반복해서 행함으로써 형광체 함유 수지 시트와 반도체 발광 소자의 접착을 연속적으로 행하는 것을 특징으로 하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법이다.Containing resin sheet is continuously attached to the semiconductor light-emitting element by repeating the steps (C) and (D) described above.
도 6(a)에 나타내는 바와 같이, 기재(1)에 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 배열되어 있고, 이것들과 마주보는 위치에 스테이지(8) 상에 반도체 발광 소자(9)가 배치되어 있는 기재(1) 상의 형광체 함유 수지 시트(2)와, 스테이지(8) 상의 반도체 발광 소자(9)는 동일한 피치로 배열되어 있고, 동시에 복수개의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 복수개의 반도체 발광 소자(9)가 위치를 맞춰서 대향되어 있다.As shown in Fig. 6 (a), a partition of the phosphor-containing
도 6(b)에서 나타내는 바와 같이, 가압 툴(7)을 사용하여 기재(1)의 측으로부터 가압함으로써 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 1 구획과 제 1 반도체 발광 소자(9)가 접착된다.As shown in Fig. 6 (b), the first section of the fluorescent substance-containing
이어서, 도 6(c)에서 나타내는 바와 같이 가압 툴(7)을 상방으로 인상해서 가압을 멈춘다. 이때, 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착력과, 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)의 접착력을 적절하게 조정해 둠으로써 가압 툴(7)을 인상함과 동시에 기재(1)가 형광체 함유 수지 시트(2)로부터 박리되고, 형광체 함유 수지 시트(2)만이 반도체 발광 소자(9)에 접착된 상태가 된다.Subsequently, as shown in Fig. 6 (c), the
계속해서, 도 6(d)에서 나타내는 바와 같이 가압 툴(7)이 이동하여 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 2 구획과 제 2 반도체 발광 소자(9) 상으로 이동한다.Subsequently, as shown in Fig. 6 (d), the
이어서, 도 6(b)∼(d)에 나타내는 공정을 반복해서 행함으로써 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자(10)를 높은 스루풋으로 연속적으로 생산할 수 있다.Subsequently, by repeating the steps shown in Figs. 6 (b) to 6 (d), it is possible to continuously produce the semiconductor
형광체 함유 수지 시트의 구획의 배열 피치와 반도체 발광 소자의 배열 피치가 같은 범위는 장척의 기재 전체에 걸쳐져 있을 필요는 없다. 수개∼십수개 정도라도 각각의 피치가 같은 부분이 있으면 그 범위에 대해서 상기 제 2 예를 실시하는 것이 가능해서 택트 타임을 짧게 할 수 있다. 피치가 어긋나 오는 부분에서 다시 공정(D)을 행하면 좋다.It is not necessary that the arrangement pitch of the sections of the phosphor-containing resin sheet and the arrangement pitch of the semiconductor light emitting elements are all over the entire length of the substrate. If there are several to the same number of pitches, if there is a portion having the same pitch, the second example can be applied to the range, and the tact time can be shortened. Step (D) may be carried out again at the portion where the pitch shifts.
또한, 도 6(d)에서는 가압 툴을 이동시키는 방법을 예시했지만, 가압 툴과, 위치 맞춤된 수지 시트 적층체 및 스테이지의 세팅은 상대적으로 이동의 관계에 있으면 좋다. 따라서, 가압 툴은 정지하고 있고 위치 맞춤된 수지 시트 적층체 및 스테이지의 세트를 이동시켜도 좋고, 양쪽 모두 움직여도 좋다.In Fig. 6 (d), a method of moving the pressing tool is exemplified. However, the setting of the pressing tool, the aligned resin sheet laminate, and the stage need only be in a relatively moving relationship. Therefore, the pressing tool may move the set and the set of the aligned resin sheet laminate and the stage, or both of them may be moved.
또한, 형광체 함유 수지 시트의 구획의 배열 피치와 반도체 발광 소자의 배열 피치가 같을 경우에는 복수개의 형광체 함유 수지 시트의 구획과 반도체 발광 소자에 대하여 가압을 실시하여 이것들을 동시에 접착할 수 있다. 즉, 상기 (D)공정에 있어서 대향시킨 형광체 함유 수지 시트의 복수개의 구획 중 2개 이상을 동시에 가압함으로써, 상기 2개 이상의 형광체 함유 수지 시트의 구획을 2개 이상의 반도체 발광 소자의 발광면에 접착시킬 수 있다.When the arrangement pitch of the sections of the phosphor-containing resin sheet and the arrangement pitch of the semiconductor light-emitting elements are the same, the sections of the plurality of phosphor-containing resin sheets and the semiconductor light-emitting elements can be pressed and adhered at the same time. That is, by simultaneously pressing two or more of the plurality of compartments of the opposed phosphor-containing resin sheet in the step (D), the sections of the two or more phosphor-containing resin sheets are adhered to the light-emitting surfaces of two or more semiconductor light- .
제 2 예의 변형예로서, 상기 (D)공정에 있어서 대향시킨 형광체 함유 수지 시트의 복수개의 구획 중 2개 이상을 동시에 가압함으로써, 상기 2개 이상의 형광체 함유 수지 시트의 구획을 2개 이상의 반도체 발광 소자의 발광면에 접착시키는 방법을 들 수 있다. 도 7은 3개의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과, 3개의 반도체 발광 소자(9)를 일괄 가압 툴(13)에 의해 동시에 가압 접착하고 있는 예를 나타내고 있다. 도 7에 있어서는 동시에 가압·접착하고 있는 형광체 함유 수지 시트의 구획과 반도체 발광 소자의 수는 각각 3개이지만, 개수에 제한은 없다.As a modification of the second example, at least two of the plurality of compartments of the fluorescent substance-containing resin sheet opposed to each other in the step (D) are simultaneously pressed to divide the two or more fluorescent substance- To the light-emitting surface of the light-emitting layer. 7 shows an example in which the three semiconductor
도 8(도 8a∼도 8b)은 본 발명의 수지 시트 적층체를 사용한 형광체 함유 수지 시트(2)가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법의 제 3 예이며, 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착력이 비교적 높고, 가압 툴(7)과는 별도로 박리 툴을 필요로 할 경우의 예이다.Fig. 8 (Figs. 8A to 8B) is a third example of a method for producing a semiconductor light emitting element to which a phosphor-containing
도 8a의 (a)는 기재(1)에 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 배열되어 있고, 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 마주보는 위치에 이동 스테이지(8) 상에 반도체 발광 소자(9)가 배치되어 있다. 수지 시트 적층체의 기재(1)측에 가압 툴(7)과 박리 롤(11)이 배치되어 있다.8A is a sectional view of a semiconductor light emitting device according to a second embodiment of the present invention. Fig. 8A is a sectional view of a semiconductor light emitting device in which a section of a fluorescent substance-containing
도 8a의 (b)에서 나타내는 바와 같이, 가압 툴(7)을 사용하여 기재(1)의 측으로부터 가압함으로써 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)가 접착된다. 그것과 동시에, 또는 그러고 나서 박리 롤(11)은 가압 툴(7)과 같은 높이까지 떨어져서 기재(1)에 접촉한다.As shown in Fig. 8A, the phosphor-containing
도 8a의 (c)에서 나타내는 바와 같이, 가압 툴(7)이 올라가서 가압을 해제해도 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착력이 비교적 강할 경우, 기재(1)가 자동적으로 형광체 함유 수지 시트(2)로부터 박리되지 않는다.As shown in Fig. 8 (c), if the adhesive force between the
도 8a의 (d)에 나타내는 바와 같이, 기재(1), 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)는 접착된 상태에서 도면 우측 방향으로 이송된다.As shown in Fig. 8 (d), the
도 8b의 (e) 및 (f)에서 나타내는 바와 같이, 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 2 구획과 제 2 반도체 발광 소자(9)가 가압 툴(7)에 의해 접착되고, 수지 시트 적층체와 반도체 발광 소자는 도면의 더 우측 방향으로 이송된다.The second section of the fluorescent substance-containing
도 8b의 (g)에 있어서, 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 1 구획과 제 1 반도체 발광 소자(9)가 박리 롤(11)에 도달한 시점에서 기재(1)는 반도체 발광 소자(9)의 끝으로부터 순차적으로 상방으로 인상되고, 기재(1)가 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획으로부터 박리된다.8B, when the first section of the fluorescent substance-containing
기재(1)를 형광체 함유 수지시트(2)로부터 박리하는 툴로서는 도 8a와 도 8b의 (a)∼(g)에 나타내는 바와 같은 박리 롤(11) 이외에도 도 8b의 (g')에 나타내는 바와 같은 흡착에 의해 상방으로 기재(1)를 인상하는 진공 흡착 박리 툴(12)이라도 좋다.As a tool for peeling the
또한, 도 8에 있어서는 접착 전후의 반도체 발광 소자의 반송 속도를 변경할 수 있도록 해서 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 2 구획과 제 2 반도체 발광 소자(9)를 위치 맞춤하고 있다. 기재(1) 상의 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획의 배열 피치와, 반도체 발광 소자(9)의 배열 피치가 다르기 때문에 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 1 구획과 제 1 반도체 발광 소자(9)를 접착하는 전후에서 기재(1)와 반도체 발광 소자(9)의 반송 속도가 모두 일정하면, 형광체 함유 수지 시트(2)의 제 2 구획과 제 2 반도체 발광 소자(9)를 위치 맞춤할 수 없기 때문이다. 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획의 배열 피치와 반도체 발광 소자(9)의 배열 피치가 같은 경우에는 그러한 조정을 행할 필요는 없다.In Fig. 8, the second section of the fluorescent substance-containing
형광체 함유 수지 시트를 반도체 발광 소자의 발광면에 접착시킬 때에, 형광체 함유 수지 시트나 기재의 유연성에 따라서는 접착면에 기포가 들어가는 경우가 있다. 기포가 한번 들어가면 제거하는 것이 어렵고, 반도체 발광 소자로부터의 발광이 산란되어 광학 특성을 현저하게 손상시킨다. 따라서, 접착시에 기포가 들어가지 않도록 하는 것이 중요하지만, 그 방법으로서는 형광체 함유 수지 시트와 반도체 발광 소자를 접착할 때에 면 전체에 있어서 동시에 균일하게 가압하는 것은 아니고, 일부분을 선행해서 가압하고, 거기에서 다른 영역을 향해서 가압하는 방법이 유효하다.When the fluorescent substance-containing resin sheet is adhered to the light emitting surface of the semiconductor light emitting element, depending on the flexibility of the fluorescent substance-containing resin sheet or the substrate, air bubbles may enter the adhesive surface. Once the bubbles enter, it is difficult to remove them, and the light emitted from the semiconductor light emitting element is scattered, thereby remarkably damaging the optical characteristics. Therefore, it is important to prevent bubbles from entering at the time of bonding. However, in this method, when the phosphor-containing resin sheet and the semiconductor light emitting element are bonded, the whole surface is not uniformly pressed at the same time, To the other area is effective.
도 9는 기포 들어감을 막는 가압 툴 구조의 일례를 모식적으로 나타낸 것이다. 가압 툴 내부에 경첩과 같은 가동 부분(14)과, 스프링 등에 의한 탄성체 구조(15)를 갖고 있다. 가압을 개시하면 앞에 툴의 탄성체 구조(15)를 갖는 측이 수지 시트 적층체를 가압하기 시작하고, 가압 툴을 눌러서 내려감으로써 탄성체 구조(15)가 축소되고, 동시에 가동 부분(14)이 접혀서 탄성체 구조(15)의 끝으로부터 그 반대측의 끝을 향해서 가압해 가게 되고, 공기는 도면 중 오른쪽으로부터 왼쪽으로 압출되어 가므로 기포의 들어감을 막는 것이 가능해진다.9 schematically shows an example of a pressing tool structure for preventing bubbles from entering. A
도 10은 기포 들어감을 막는 가압 툴의 제 2 예이다. 가압 롤(16)에 의해 기재(1)의 측으로부터 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획을 가압하고, 반도체 발광 소자(9)의 발광면 상에 접착된다. 가압 롤(16)은 도면의 우측으로부터 좌측을 향해서 가압하고, 이에 따라 접착 계면의 공기는 순차적으로 압출되어 기포의 들어감을 막는 것이 가능해진다.10 is a second example of a pressing tool for preventing bubbles from entering. The resin-containing
도 9 및 도 10에서 나타낸 기포 들어감을 막는 가압 툴 구조는 도 5∼8에서 설명한 제조 방법 중 어느 쪽에나 적용 가능하다. 또한, 도 9 및 도 10은 모두 가압 툴이 기재측으로부터 가압할 경우의 예이지만, 이하에 설명하는 바와 같이 가압 툴이 반도체 발광 소자측으로부터 가압할 경우라도 적용할 수 있다. 즉, 가압 대상의 구획의 일부분을 선행해서 가압하고, 거기에서 다른 영역을 향해서 가압하는 것이 바람직하다.9 and 10 can be applied to any of the manufacturing methods described in Figs. 5-8. 9 and 10 are all examples in which the pressing tool is pressed from the substrate side, but can be applied even when the pressing tool presses the semiconductor light emitting element side as described below. That is, it is preferable that a portion of the section to be pressed is precedently pressed and pressed therefrom toward the other region.
도 5∼도 10에서 나타낸 제조 방법은 모두 본 발명의 수지 시트 적층체를 형광체 함유 수지 시트(2)를 하향으로 배치하고, 그 아래에 반도체 발광 소자(9)를 발광면을 위로 해서 스테이지 상에 배열하고, 수지 시트 적층체의 기재(1)측으로부터 가압 툴(7)로 가압해서 접착하는 방법이지만, 수지 시트 적층체, 반도체 발광 소자 및 가압 툴의 배치의 상하는 반드시 이 순서에 한정되는 것은 아니고, 수지 시트 적층체가 아래에, 반도체 발광 소자가 위에 배치되어 있어도 상관없고, 접착 공정에 있어서 가압 툴은 반도체 발광 소자측으로부터 가압하는 것도 가능하다.5 to 10, all of the resin sheet laminate of the present invention is arranged such that the phosphor-containing
도 11에 일례를 나타낸다. 이 예는,An example is shown in Fig. In this example,
(E) 스테이지 상에 수지 시트 적층체를 수지 시트의 구획이 위로 되도록 배치하는 공정,(E) a step of arranging the resin sheet laminate on the stage so that the section of the resin sheet is upward,
(F) 반도체 발광 소자의 발광면을 하향으로 상기 수지 시트의 구획과 대향시키는 공정, 및(F) a step of opposing the light emitting surface of the semiconductor light emitting element to the section of the resin sheet downward, and
(G) 반도체 발광 소자측으로부터 가압함으로써 상기 수지 시트의 구획과 상기 반도체 발광 소자의 발광면을 접착시키는 공정을 포함하는 방법이다.(G) a step of bonding the section of the resin sheet to the light emitting surface of the semiconductor light emitting element by pressing from the side of the semiconductor light emitting element.
수지 시트 적층체는 기재(1)를 아래로, 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획을 위를 향해서 스테이지(8) 상에 배치되어 있다. 반도체 발광 소자(9)는 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획의 상부에 배치되고, 반도체 발광 소자(9)의 상부로부터 반도체 발광 소자를 흡착하여 지지한 가압 툴(7)에 의해 가압되어 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 반도체 발광 소자(9)가 접착된다.The resin sheet laminate is disposed on the
도 5∼도 11에서 나타낸 모든 경우에 있어서, 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획이 접착성, 점착성을 갖는 경우나, 또는 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획 상에 접착성, 점착성의 수지층이 적층되어 있을 경우에는 가압 툴에 의한 가압에 의해 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)는 서로 접착한다. 형광체 함유 수지 시트(2)가 열융착성일 경우나, 형광체 함유 수지 시트(2) 상에 열융착성을 갖는 수지가 적층되어 있을 경우에는 가압 툴에 의한 가압의 동안에 열을 부여함으로써 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 반도체 발광 소자(9)가 서로 접착한다.In all cases shown in Figs. 5 to 11, when the section of the phosphor-containing
가압의 동안에 열을 부여하는 방법으로서는 가압 툴(7)에 가열 기능을 갖게 하는 방법, 반도체 발광 소자(9)를 배열하는 스테이지(8)에 가열 기능을 갖게 하여 반도체 발광 소자(9)를 가열하는 방법, 적외선 등의 복사열을 이용하는 방법, 가압하는 장소의 분위기 온도를 높이는 방법 등을 적용할 수 있다.As a method of applying heat during the pressurization, a method of providing the
도 5 및 도 7∼도 11에 있어서의 각 제조 방법에 있어서, 본 발명의 수지 시트 적층체와 반도체 발광 소자는 상대적으로 이동함으로써 연속적으로 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획과 반도체 발광 소자(9)의 접착을 행한다. 상대적으로 이동시키는 방향으로서는, 예를 들면 도 12(a)에 나타내는 바와 같이 기재(1)와 형광체 함유 수지 시트(2)의 구획으로 이루어지는 수지 시트 적층체의 길이 방향과, 반도체 발광 소자를 배열한 스테이지의 방향을 평행하게 하는 것이 일반적이지만, 반드시 평행할 필요는 없고 도 12(b)에 나타내는 바와 같이 직행하고 있어도 좋다. 즉, 반도체 발광 소자가 접착 공정이 행해지는 스테이지에 있어서 하나의 방향으로 반복 배치되어 있을 때의 「하나의 방향」은 형광체 함유 수지 시트의 길이 방향과 동일하지 않아도 좋다.5 and 7 to 11, the resin sheet laminate of the present invention and the semiconductor light emitting element are moved relatively to each other by the partition of the fluorescent substance-containing
또한, 도 13에는 반도체 발광 소자(9)가 XY방향으로 이동하는 스테이지(19)에 2차원으로 배열되었을 경우의 예를 나타낸다. 수지 시트 적층체와 XY 이동 스테이지(19)를 서로 X방향으로 이동시키면서 2차원으로 배치된 반도체 발광 소자의 1행분의 배열에 대하여 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착을 순차적으로 행하고, 1행분의 반도체 발광 소자에 대하여 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착이 완료되면, 이어서 XY 이동 스테이지를 반도체 발광 소자 1열분 Y방향으로 이동시켜 제 2 행에 대하여 순차적으로 형광체 함유 수지 시트(2)를 접착해 감으로써, 2차원 형상으로 배치된 반도체 발광 소자에 대하여 연속적으로 형광체 함유 수지 시트(2)의 접착을 행할 수 있는 것이다.13 shows an example in which the semiconductor
수지 시트 적층체 상의 형광체 함유 수지 시트(2)도 또한 2차원 형상으로 배치되어 있어도 좋고, 도 14에 나타내는 바와 같이 수지 시트 적층체와 반도체 발광 소자 각각을 2차원 형상으로 배열하고, 상대적으로 2차원 형상으로 이동시켜서 순차적으로 형광체 함유 수지 시트(2)와 반도체 발광 소자(9)의 접착을 행하는 것도 가능하다. 즉, 수지 시트의 구획이 장척의 기재의 길이 방향으로 반복 배치되어 있을 경우에 있어서는 상기 구획이 상기 길이 방향 이외의 방향에도 반복 배치되어 있는 것은 방해할 수 없다.The phosphor-containing
마찬가지로, 반도체 발광 소자가 접착 공정이 이루어지는 스테이지에 있어서 하나의 방향으로 반복 배치되어 있을 경우에 있어서는 상기 반도체 발광 소자가 상기 하나의 방향 이외의 방향에도 반복 배치되어 있는 것은 방해할 수 없다. 또한, 예를 들면 도 14에 있어서의 Y방향의 복수행에 대해서 형광체 함유 수지 시트와 반도체 발광 소자의 위치 맞춤이 가능하면, 2행 이상을 동시에 접착시켜도 좋다.Likewise, when the semiconductor light emitting element is repeatedly arranged in one direction on the stage where the bonding step is performed, it can not be prevented that the semiconductor light emitting element is repeatedly arranged in directions other than the one direction. Further, for example, if the phosphor-containing resin sheet and the semiconductor light emitting element can be aligned with each other in the Y direction in Fig. 14, two or more rows may be bonded at the same time.
도 5 및 도 7∼도 11에 있어서의 각 제조 방법에 있어서, 본 발명의 수지 시트 적층체의 형광체 함유 수지 시트(2)는 모두 반도체 발광 소자의 상부 발광면에 평면적으로 부착되는 도면에서 나타내고 있지만, 각 제조 방법은 모두 반도체 발광 소자의 측면 부분에까지 형광체 함유 수지 시트(2)를 부착하는 방법으로서 응용할 수 있다. 도 15에 일례를 나타낸다.5 and Figs. 7 to 11, the phosphor-containing
도 15(a)와 같이, 스테이지(8) 상에 배치된 반도체 발광 소자(9) 상에 본 발명의 수지 시트 적층체가 형광체 함유 수지 시트(2)를 하면으로 해서 배치되고, 기재측에 오목부를 갖는 가압 툴(7)이 배치된다. 형광체 함유 수지 시트(2)는 반도체 발광 소자(9)의 상부 발광면보다 크게 설계되어 있다.15A, the resin sheet laminate of the present invention is disposed on the semiconductor
도 15(b)에서 나타내는 바와 같이, 오목부를 갖는 가압 툴(7)로 기재측으로부터 수지 시트 적층체를 반도체 발광 소자(9) 상에 압박해서 가압한다. 이때, 가압 툴(7)의 오목부에 반도체 발광 소자(9)가 둘러싸이고, 수지 시트 적층체는 반도체 발광 소자(9)의 상면과, 측면의 일부에 압박되어 가압된다.As shown in Fig. 15 (b), the resin sheet laminate is pressed onto the semiconductor
도 15(c)에서 나타내는 바와 같이, 가압 툴(7)을 상부로 이동시켜 분리함으로써 형광체 함유 수지 시트(2)에 의해 상면 전체와 측면의 일부분을 피복한 반도체 발광 소자(9)가 제조된다. 반도체 발광 소자(9)가 측면에도 발광의 방사 방향을 갖는 경우에는 이와 같이 측면까지 형광체 함유 수지 시트(2)로 덮을 필요가 있지만, 본 발명에 의하면 용이하게 측면을 피복하는 것이 가능하다.As shown in Fig. 15 (c), the
1 : 기재 2, 2' : 형광체 함유 수지 시트
3 : 반송 구멍 4 : 이형층
5 : 접착층 6 : 기재 상의 홈
7 : 가압 툴 8 : 이동 스테이지
9, 9' : 반도체 발광 소자
10 : 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자
11 : 박리 롤 12 : 흡착 박리 툴
13 : 일괄 가압 툴 14 : 가동 부분
15 : 탄성체 구조 16 : 가압 롤
19 : 스테이지1:
3: conveying hole 4: release layer
5: adhesive layer 6: groove on substrate
7: pressing tool 8: moving stage
9, 9 ': semiconductor light emitting element
10: Semiconductor light-emitting device with a phosphor-containing resin sheet
11: peeling roll 12: adsorption peeling tool
13: Batch pressing tool 14: Movable portion
15: elastic structure 16: pressure roll
19: stage
Claims (20)
상기 반도체 발광 소자는 발광면측에 전극을 갖는 반도체 발광 소자이고,
상기 수지 시트 적층체는 장척의 기재 상에 형광체 및 수지를 함유하는 수지 시트를 갖고, 상기 수지 시트의 구획이 상기 장척의 기재의 길이 방향으로 반복 배치되고, 상기 형광체 함유 수지 시트의 구획이 그 일부분에 노치를 형성하고 있거나 또는 구멍을 형성하고 있고,
상기 제조 방법이,
(A) 상기 장척의 기재 상의 상기 형광체 함유 수지 시트의 하나의 구획을 하나의 반도체 발광 소자의 발광면에 대향시키는 위치 맞춤 공정, 및
(B) 가압 툴에 의해 가압해서 상기 형광체 함유 수지 시트의 상기 하나의 구획과 상기 하나의 반도체 발광 소자의 발광면을, 상기 노치 또는 상기 구멍에 의해 상기 반도체 발광 소자의 발광면 측에 전극이 존재하는 부분을 피해서 접착시키는 접착 공정
을 적어도 포함하고, (A) 및 (B)의 공정을 반복해서 행함으로써 형광체 함유 수지 시트와 반도체 발광 소자의 접착을 연속적으로 행하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device with a phosphor-containing resin sheet using a resin sheet laminate,
The semiconductor light emitting element is a semiconductor light emitting element having an electrode on the light emitting surface side,
Wherein the resin sheet laminate has a resin sheet containing a phosphor and a resin on a long base material, the section of the resin sheet is repeatedly arranged in the longitudinal direction of the elongate substrate, and the section of the phosphor- Forming a notch or forming a hole,
The above-
(A) an alignment step for opposing one section of the fluorescent substance-containing resin sheet on the elongated substrate to the light emitting surface of one semiconductor light emitting element, and
(B) is pressed by a pressing tool so that the light-emitting surface of the one semiconductor light-emitting element and the one section of the fluorescent-substance-containing resin sheet are exposed by the notch or the hole, Adhesive process to avoid adhesion
Containing resin sheet for continuously bonding the phosphor-containing resin sheet and the semiconductor light-emitting element by repeating the steps (A) and (B).
상기 수지 시트의 막 두께는 200㎛ 이하인 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein a thickness of the resin sheet is 200 mu m or less.
상기 수지 시트는 상기 장척의 기재의 폭 방향으로 복수열 배치되어 있는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the resin sheet is arranged in a plurality of rows in the width direction of the elongate substrate.
상기 장척의 기재에 반송 구멍이 형성되어 있는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
And a fluorescent material-containing resin sheet having a transfer hole formed in the elongated substrate.
상기 장척의 기재와 상기 수지 시트 사이에 이형층을 갖는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
And a phosphor-containing resin sheet having a release layer between the elongate substrate and the resin sheet.
상기 수지 시트의 상기 장척의 기재와 반대측의 면에 접착층 또는 점착층이 설치되어 있는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
And a phosphor-containing resin sheet having an adhesive layer or an adhesive layer provided on a surface of the resin sheet opposite to the elongate substrate.
상기 수지 시트는 열융착성을 갖는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the resin sheet is provided with a phosphor-containing resin sheet having heat sealability.
상기 장척의 기재에 있어서 상기 수지 시트의 구획과 대략 일치하는 위치에 홈이 형성되어 있는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
And a groove is formed at a position substantially coinciding with the section of the resin sheet in the long base material.
상기 수지 시트는 LED의 발광면에 부착되어 있는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the resin sheet is attached to a phosphor-containing resin sheet attached to a light emitting surface of the LED.
상기 반도체 발광 소자는 상기 접착 공정이 행해지는 스테이지에 있어서 하나의 방향으로 반복 배치되어 있는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor light emitting element is provided with a phosphor-containing resin sheet repeatedly arranged in one direction on a stage where the bonding step is performed.
상기 형광체 함유 수지 시트의 길이 방향의 배열 피치와 상기 반도체 발광 소자의 하나의 방향의 배열 피치가 같은 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.11. The method of claim 10,
Containing resin sheet having the same arrangement pitch in the longitudinal direction of the phosphor-containing resin sheet and the same arrangement pitch in one direction of the semiconductor light-emitting element.
상기 (A)공정은 (C) 상기 형광체 함유 수지 시트의 복수개의 구획과 상기 반도체 발광 소자의 복수개의 발광면을 각각 한번에 대향시키는 위치 맞춤 공정이고,
상기 (B)공정은 (D) 가압 툴에 의해 가압해서 상기 형광체 함유 수지 시트의 구획과 상기 반도체 발광 소자의 발광면을 순차적으로 접착시키는 접착 공정이고,
(C) 및 (D)의 공정을 반복해서 행함으로써 형광체 함유 수지 시트와 반도체 발광 소자의 접착을 연속적으로 행하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.12. The method of claim 11,
The step (A) is an aligning step of (C) opposing a plurality of sections of the phosphor-containing resin sheet and a plurality of light emitting surfaces of the semiconductor light emitting element, respectively, at one time,
The step (B) is an adhering step of sequentially pressing the section of the fluorescent substance-containing resin sheet and the light emitting surface of the semiconductor light emitting element by pressing with a pressing tool (D)
Containing resin sheet is continuously adhered to the semiconductor light-emitting element by repeating the steps (C) and (D).
상기 (D)공정에 있어서 대향시킨 형광체 함유 수지 시트의 복수개의 구획 중 2개 이상을 동시에 가압함으로써, 상기 2개 이상의 형광체 함유 수지 시트의 구획을 2개 이상의 반도체 발광 소자의 발광면에 접착시키는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.13. The method of claim 12,
Wherein at least two of the plurality of compartments of the opposed phosphor-containing resin sheet in the step (D) are pressed at the same time to form a phosphor layer for bonding the sections of the two or more phosphor-containing resin sheets to the light- Containing resin sheet.
상기 접착 공정에 있어서 가압 툴은 기재측으로부터 가압하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the pressing tool in the adhering step is provided with a phosphor-containing resin sheet to be pressed from the substrate side.
상기 접착 공정에 있어서 가압 툴은 반도체 발광 소자측으로부터 가압하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the pressing tool in the adhering step is provided with a phosphor-containing resin sheet to be pressed from the side of the semiconductor light emitting element.
형광체 함유 수지 시트의 구획과 반도체 발광 소자의 발광면을 접착시킨 후, 가압 툴과는 다른 박리 툴을 이용하여 기재를 박리하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising: attaching a phosphor-containing resin sheet for peeling a substrate using a peeling tool different from a pressing tool after bonding a section of the phosphor-containing resin sheet to the light emitting surface of the semiconductor light emitting element;
상기 접착 공정에 있어서 가압 툴은 가압 대상의 구획의 일부분을 선행해서 가압하고, 거기에서 다른 영역을 향해서 가압하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
Wherein the pressing tool in the adhering step is provided with a phosphor-containing resin sheet that presses a part of the section to be pressed first and presses it to another area therefrom.
가압 툴은 가압 롤인 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.17. The method of claim 16,
Wherein the pressing tool is a pressing roll with a phosphor-containing resin sheet attached thereto.
상기 접착 공정에 있어서 가압과 함께 가열하는 형광체 함유 수지 시트가 부착된 반도체 발광 소자의 제조 방법.The method according to claim 1,
And a phosphor-containing resin sheet which is heated together with the pressure in the adhering step is attached.
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Families Citing this family (44)
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|---|---|---|---|---|
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| JP6267011B2 (en) * | 2014-03-05 | 2018-01-24 | シチズン電子株式会社 | Semiconductor light emitting device manufacturing method and semiconductor light emitting device |
| JP2015182429A (en) * | 2014-03-26 | 2015-10-22 | 日東電工株式会社 | Sheet for molding, and processing method thereof |
| KR101520743B1 (en) * | 2014-05-16 | 2015-05-18 | 코닝정밀소재 주식회사 | Method of led package |
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| US11543083B2 (en) | 2014-09-28 | 2023-01-03 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament and LED light bulb |
| US12007077B2 (en) | 2014-09-28 | 2024-06-11 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED filament and LED light bulb |
| US11073248B2 (en) * | 2014-09-28 | 2021-07-27 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd. | LED bulb lamp |
| US11997768B2 (en) | 2014-09-28 | 2024-05-28 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament and LED light bulb |
| US11525547B2 (en) | 2014-09-28 | 2022-12-13 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED light bulb with curved filament |
| US11085591B2 (en) | 2014-09-28 | 2021-08-10 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED light bulb with curved filament |
| US11686436B2 (en) | 2014-09-28 | 2023-06-27 | Zhejiang Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | LED filament and light bulb using LED filament |
| JP2017533476A (en) * | 2014-10-02 | 2017-11-09 | ライタイザー コリア カンパニー リミテッド | Arrangement method of fluorescent layer |
| WO2016194948A1 (en) * | 2015-06-02 | 2016-12-08 | 日東電工株式会社 | Method for producing fluorescent resin sheet |
| WO2016194947A1 (en) * | 2015-06-02 | 2016-12-08 | 日東電工株式会社 | Fluorescent resin sheet, adhesive optical semiconductor element, and method for producing same |
| WO2017014198A1 (en) | 2015-07-17 | 2017-01-26 | 大日本印刷株式会社 | Laminate for optical members and image display device |
| CN106469768B (en) * | 2015-08-18 | 2018-02-02 | 江苏诚睿达光电有限公司 | A kind of special-shaped organic siliconresin light conversion body fitting encapsulation LED change system |
| CN106469772B (en) * | 2015-08-18 | 2018-01-05 | 江苏诚睿达光电有限公司 | A kind of process of the thermoplastic resin light conversion body fitting encapsulation LED based on rolling-type |
| CN106469767B (en) * | 2015-08-18 | 2017-12-01 | 江苏诚睿达光电有限公司 | A kind of change system of the organic siliconresin light conversion body fitting encapsulation LED based on series connection rolling |
| CN106469780B (en) * | 2015-08-18 | 2018-02-13 | 江苏诚睿达光电有限公司 | A kind of process of the organic siliconresin light conversion body fitting encapsulation LED based on series connection rolling |
| KR101957871B1 (en) * | 2015-08-18 | 2019-03-13 | 장쑤 체리티 옵트로닉스 컴퍼니, 리미티드 | Processing method and purification equipment system for bonding and packaging LED with purified light conversion material |
| CN106469778B (en) * | 2015-08-18 | 2017-12-22 | 江苏诚睿达光电有限公司 | A kind of special-shaped organic siliconresin light conversion body fitting encapsulation LED process |
| JP6731005B2 (en) * | 2015-08-18 | 2020-07-29 | ジアンスー チェリティ オプトロニクス カンパニー リミテッドＪｉａｎｇｓｕ Ｃｈｅｒｒｉｔｙ Ｏｐｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | An equipment system in which LEDs are attached and packaged with a thermoplastic resin light converter by rolling. |
| US10193031B2 (en) * | 2016-03-11 | 2019-01-29 | Rohinni, LLC | Method for applying phosphor to light emitting diodes and apparatus thereof |
| US11840367B2 (en) * | 2016-03-22 | 2023-12-12 | Hokkai Can Co., Ltd. | Synthetic resin multilayer bottle |
| JP6447557B2 (en) * | 2016-03-24 | 2019-01-09 | 日亜化学工業株式会社 | Method for manufacturing light emitting device |
| JP2017194581A (en) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | 加藤 陽弘 | Adhesive fluorescent sheet and light emitting device using the same |
| CN106098909B (en) * | 2016-06-15 | 2019-04-26 | 厦门大学 | A kind of preparation method of LED illumination composite construction fluorescent glass piece |
| JP6758387B2 (en) * | 2016-09-02 | 2020-09-23 | 富士フイルム株式会社 | Fluorescent film and backlight unit |
| US10276763B2 (en) * | 2016-10-04 | 2019-04-30 | Lumileds Llc | Light emitting device with phase changing off state white material and methods of manufacture |
| CN106449951B (en) * | 2016-11-16 | 2019-01-04 | 厦门市三安光电科技有限公司 | A kind of production method of light-emitting diode encapsulation structure |
| JP6566016B2 (en) * | 2016-12-21 | 2019-08-28 | 日亜化学工業株式会社 | Method for manufacturing light emitting device |
| KR102354871B1 (en) * | 2016-12-21 | 2022-01-21 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | Method for manufacturing light emitting device |
| WO2018219460A1 (en) * | 2017-06-01 | 2018-12-06 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic device |
| US11355548B2 (en) | 2017-12-20 | 2022-06-07 | Lumileds Llc | Monolithic segmented LED array architecture |
| US10854794B2 (en) | 2017-12-20 | 2020-12-01 | Lumileds Llc | Monolithic LED array structure |
| US10982048B2 (en) | 2018-04-17 | 2021-04-20 | Jiaxing Super Lighting Electric Appliance Co., Ltd | Organosilicon-modified polyimide resin composition and use thereof |
| US11527683B2 (en) | 2018-10-11 | 2022-12-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Laser printing of color converter devices on micro LED display devices and methods |
| US10910433B2 (en) | 2018-12-31 | 2021-02-02 | Lumileds Llc | Pixelated LED array with optical elements |
| US11749786B2 (en) | 2019-10-15 | 2023-09-05 | Lumileds Llc | Multicolor phosphor-converted LED array |
| WO2021076724A1 (en) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | Lumileds Llc | Forming a multicolor phosphor-converted led array |
| US11063191B2 (en) | 2019-10-15 | 2021-07-13 | Lumileds Llc | Forming a multicolor phosphor-converted LED array |
| CN112721209B (en) * | 2020-12-15 | 2022-09-20 | 业成科技（成都）有限公司 | Film bonding's clamp plate tool, pressfitting structure and film bonding device |
| DE102021118749A1 (en) * | 2021-07-20 | 2023-01-26 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | METHOD FOR MANUFACTURING A NUMBER OF OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENTS |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103901A (en) | 2005-09-09 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Works Ltd | Light emitting device |
| US20120052608A1 (en) | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Yoo Cheol-Jun | Phosphor film, method of forming the same, and method of coating phosphor layer on led chips |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
| JP3378465B2 (en) * | 1997-05-16 | 2003-02-17 | 株式会社東芝 | Light emitting device |
| JPH11242327A (en) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Hitachi Chem Co Ltd | Photosensitive element, its production, production of phosphor pattern using photosensitive element, phosphor pattern, and back plate for plasma display panel |
| JP4213616B2 (en) * | 2004-03-31 | 2009-01-21 | 大日本印刷株式会社 | Base film for liquid crystal panel, functional film for liquid crystal panel, method for producing functional film, and apparatus for producing functional film |
| KR20080082071A (en) * | 2007-03-07 | 2008-09-11 | 삼성테크윈 주식회사 | Tape feeder |
| US7973327B2 (en) * | 2008-09-02 | 2011-07-05 | Bridgelux, Inc. | Phosphor-converted LED |
| US9151040B2 (en) * | 2008-10-16 | 2015-10-06 | Zephyros, Inc. | Tape material and roll comprising pressure sensitive adhesive |
| JP5255421B2 (en) * | 2008-12-15 | 2013-08-07 | 株式会社小糸製作所 | Light emitting module, method for manufacturing light emitting module, and lamp unit |
| JP5630966B2 (en) * | 2009-04-27 | 2014-11-26 | 日亜化学工業株式会社 | Light emitting element chip assembly and method for manufacturing the same |
| KR101171290B1 (en) * | 2010-05-12 | 2012-08-07 | 서울반도체 주식회사 | Light-emitting device having phosphor sheet |
| JP5427709B2 (en) * | 2010-06-29 | 2014-02-26 | 日東電工株式会社 | Phosphor layer transfer sheet and light emitting device |
| WO2012026757A2 (en) * | 2010-08-25 | 2012-03-01 | 삼성엘이디 주식회사 | Phosphor film, method for manufacturing same, method for depositing a phosphor layer, method for manufacturing a light-emitting device package, and light-emitting device package |
| US8410679B2 (en) * | 2010-09-21 | 2013-04-02 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices with densely packed phosphor layer at light emitting surface |
| EP2943046A1 (en) * | 2010-12-13 | 2015-11-11 | Toray Industries, Inc. | Phosphor sheet, led and light emitting device using same and method for producing led |
| SG189315A1 (en) * | 2011-06-07 | 2013-05-31 | Toray Industries | Resin sheet laminated body, method for producing same, and method for producing led chip with phosphor-containing resin sheet using same |
-
2013
- 2013-06-13 US US14/407,307 patent/US20150171287A1/en not_active Abandoned
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007103901A (en) | 2005-09-09 | 2007-04-19 | Matsushita Electric Works Ltd | Light emitting device |
| US20120052608A1 (en) | 2010-08-25 | 2012-03-01 | Yoo Cheol-Jun | Phosphor film, method of forming the same, and method of coating phosphor layer on led chips |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| KR101330592B1 (en) | Resin sheet laminated body, method for producing same, and method for producing led chip with phosphor-containing resin sheet using same | |
| US9478715B2 (en) | Discrete phosphor chips for light-emitting devices and related methods | |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| A302 | Request for accelerated examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |