KR101920091B1 - Bonding sheet and method for mounting semiconductor chip - Google Patents

Bonding sheet and method for mounting semiconductor chip Download PDF

Info

Publication number
KR101920091B1
KR101920091B1 KR1020137003462A KR20137003462A KR101920091B1 KR 101920091 B1 KR101920091 B1 KR 101920091B1 KR 1020137003462 A KR1020137003462 A KR 1020137003462A KR 20137003462 A KR20137003462 A KR 20137003462A KR 101920091 B1 KR101920091 B1 KR 101920091B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thermosetting
adhesive layer
semiconductor chip
layer
adhesive sheet
Prior art date
Application number
KR1020137003462A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20130106351A (en
Inventor
사야카 와키오카
요시오 니시무라
아츠시 나카야마
양수 이
Original Assignee
세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤 filed Critical 세키스이가가쿠 고교가부시키가이샤
Publication of KR20130106351A publication Critical patent/KR20130106351A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101920091B1 publication Critical patent/KR101920091B1/en

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/35—Heat-activated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J163/00—Adhesives based on epoxy resins; Adhesives based on derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
    • C09J133/066—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing -OH groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J133/00—Adhesives based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof; Adhesives based on derivatives of such polymers
    • C09J133/04—Homopolymers or copolymers of esters
    • C09J133/06—Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, the oxygen atom being present only as part of the carboxyl radical
    • C09J133/062—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06
    • C09J133/068—Copolymers with monomers not covered by C09J133/06 containing glycidyl groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/29—Laminated material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3043—Making grooves, e.g. cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L25/0657—Stacked arrangements of devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/16—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer
    • C09J2301/162—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the structure of the carrier layer the carrier being a laminate constituted by plastic layers only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/304—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being heat-activatable, i.e. not tacky at temperatures inferior to 30°C
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/312—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier parameters being the characterizing feature
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/40—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the presence of essential components
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2433/00—Presence of (meth)acrylic polymer
    • C09J2433/006—Presence of (meth)acrylic polymer in the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2463/00—Presence of epoxy resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H01L2021/6006—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting with temporary supporting member not part of an apparatus, e.g. removable coating, film or substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/6834—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used to protect an active side of a device or wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68377—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support with parts of the auxiliary support remaining in the finished device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
    • H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16135—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/731—Location prior to the connecting process
    • H01L2224/73101—Location prior to the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73103—Bump and layer connectors
    • H01L2224/73104—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/8185—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/81855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/8185—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/81855—Hardening the adhesive by curing, i.e. thermosetting
    • H01L2224/81862—Heat curing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
    • H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
    • H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
    • H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
    • H01L2225/06513—Bump or bump-like direct electrical connections between devices, e.g. flip-chip connection, solder bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]

Abstract

본 발명은, 돌기 전극의 손상 및 변형을 억제할 수 있어, 신뢰성이 우수한 반도체 칩 실장체의 제조에 바람직하게 사용되는 접착 시트, 및 그 접착 시트를 사용한 반도체 칩의 실장 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 표면에 돌기 전극을 갖는 반도체 칩을 기판 또는 다른 반도체 칩에 실장하기 위해서 사용되는 접착 시트로서, 40 ∼ 80 ℃ 에서의 인장 저장 탄성률이 0.5 ㎬ 이상인 경질층과, 그 적어도 일방의 면에 적층되고, 40 ∼ 80 ℃ 에서의 인장 저장 탄성률이 10 ㎪ ∼ 9 ㎫ 인 가교 아크릴 폴리머로 이루어진 유연층을 갖는 수지 기재를 갖고, 상기 유연층 상에 형성되고, 회전식 레오미터를 이용하여, 승온 속도 5 ℃/분, 주파수 1 ㎐ 로 40 ∼ 80 ℃ 에 있어서의 용융 점도를 측정했을 경우의 최저 용융 점도가 3000 ㎩·s 보다 크고 100000 ㎩·s 이하인 열경화성 접착제층을 갖는 접착 시트이다.An object of the present invention is to provide an adhesive sheet which can suppress damages and deformation of protruding electrodes and is preferably used for manufacturing a semiconductor chip mounting body having excellent reliability and a method of mounting a semiconductor chip using the adhesive sheet do. The present invention relates to an adhesive sheet for use in mounting a semiconductor chip having protruding electrodes on its surface to a substrate or another semiconductor chip, which comprises a hard layer having a tensile storage elastic modulus at 40 to 80 캜 of 0.5 ㎬ or more, And having a flexible layer made of a crosslinked acrylic polymer having a tensile storage elastic modulus at 40 to 80 캜 of 10 ㎪ to 9 ㎫, wherein the resin base material is formed on the flexible layer, An adhesive sheet having a thermosetting adhesive layer having a minimum melt viscosity of not less than 3000 Pa · s and not more than 100000 Pa · s when a melt viscosity is measured at a speed of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz at 40 to 80 ° C.

Description

접착 시트 및 반도체 칩의 실장 방법{BONDING SHEET AND METHOD FOR MOUNTING SEMICONDUCTOR CHIP}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a bonding sheet,

본 발명은, 돌기 전극의 손상 및 변형을 억제할 수 있어, 신뢰성이 우수한 반도체 칩 실장체 (實裝體) 의 제조에 바람직하게 사용되는 접착 시트, 및 그 접착 시트를 사용한 반도체 칩의 실장 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive sheet which is capable of suppressing damage and deformation of protruding electrodes and which is preferably used for manufacturing a semiconductor chip mounting body having excellent reliability and a method of mounting a semiconductor chip using the adhesive sheet .

최근, 반도체 장치의 소형화, 고집적화가 진전되어, 표면에 전극으로서 복수의 돌기 (범프) 를 갖는 플립 칩, 복수의 얇게 연삭한 반도체 칩을 적층한 스택드 칩 등이 생산되게 되었다. 동시에 반도체 칩의 실장 방법도 다양한 방법이 제안되어 있는데, 현재는 반도체 칩의 접착은 접착제를 이용하여 이루어지는 경우가 많다 (특허문헌 1, 2 등).2. Description of the Related Art In recent years, miniaturization and high integration of a semiconductor device have progressed, and a flip chip having a plurality of projections (bumps) as an electrode on a surface thereof and a stacked chip in which a plurality of thinly ground semiconductor chips are stacked have been produced. At the same time, various methods for mounting semiconductor chips have also been proposed. In many cases, bonding of semiconductor chips is made by using an adhesive (Patent Documents 1 and 2).

이와 같은 소형의 반도체 칩은, 예를 들어, 플립 칩 실장을 사용한 이하와 같은 방법에 의해 제조된다.Such a small semiconductor chip is manufactured by the following method using, for example, flip chip mounting.

먼저, 전극으로서 복수의 돌기 (범프) 를 갖는 반도체 웨이퍼 원판의 표면에 백그라인드 테이프라 불리는 점착 시트 또는 테이프를 첩합 (貼合) 하고, 이 상태로 반도체 웨이퍼 원판의 이면을 소정의 두께까지 연삭한다. 연삭 종료 후, 백그라인드 테이프를 박리한다. 이어서, 연삭 후의 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개개의 반도체 칩으로 하고, 얻어진 반도체 칩을 다른 반도체 칩 또는 기판 상에 플립 칩 실장에 의해 본딩한다. 그 후, 언더필제를 충전하여 경화시킨다. 그러나, 이와 같은 공정은 매우 번잡하다는 문제가 있다.First, an adhesive sheet or tape called a back grind tape is bonded to the surface of a semiconductor wafer original plate having a plurality of projections (bumps) as electrodes, and in this state, the back surface of the original semiconductor wafer wafer is ground to a predetermined thickness . After grinding is finished, the back grind tape is peeled off. Then, the ground semiconductor wafer is diced into individual semiconductor chips, and the obtained semiconductor chips are bonded to other semiconductor chips or substrates by flip chip mounting. Thereafter, the underfill agent is filled and cured. However, such a process is very troublesome.

그래서, 보다 간편한 방법으로서, 백그라인드 테이프를 박리하는 대신에, 백그라인드 테이프의 접착제층을 반도체 웨이퍼 상에 남긴 채로 기재 (基材) 만을 박리하고, 얻어진 반도체 칩을 접착제층을 개재하여 다른 반도체 칩 또는 기판 상에 플립 칩 실장하는 방법이 제안되어 있다.Therefore, as a simpler method, instead of peeling the back grind tape, only the base material is peeled off while leaving the adhesive layer of the back grind tape on the semiconductor wafer, and the obtained semiconductor chip is bonded to another semiconductor chip Or a method of flip-chip mounting on a substrate has been proposed.

예를 들어, 특허문헌 3 에는, 기재와, 기재 상에 형성된 층간 접착용 접착제층으로 이루어진 점착 시트의 층간 접착용 접착제층과 웨이퍼를 첩합하는 공정 1, 웨이퍼를 점착 시트에 고정한 상태로 연삭하는 공정 2, 연삭 후의 웨이퍼로부터 층간 접착용 접착제층을 남기고 기재를 박리하여, 층간 접착용 접착제층이 부착된 웨이퍼를 얻는 공정 3 을 갖는 반도체의 제조 방법이 개시되어 있다. 특허문헌 3 에는, 동 문헌의 방법에 의하면, 매우 간편하게, 얇게 연삭된 층간 접착제층이 부착된 웨이퍼를 얻을 수 있고, 얻어진 웨이퍼를 이용하여 반도체 장치가 얻어지는 것이 기재되어 있다.For example, Patent Document 3 discloses a process for bonding a wafer and an interlayer adhesion adhesive layer of an adhesive sheet comprising an adhesive layer for interlayer bonding formed on a substrate, a step 1 of grinding the wafer in a state of being fixed to the adhesive sheet, 2, a step 3 of obtaining a wafer having an interlayer bonding adhesive layer attached thereon by peeling the base material from the wafer after the grinding, leaving an interlayer adhesive layer therebetween. Patent Document 3 discloses that a wafer with a thinly ground interlaminar adhesive layer can be obtained very easily and a semiconductor device can be obtained using the obtained wafer.

또한, 통상, 특허문헌 3 에 기재된 바와 같은 방법에 있어서, 접착제층의 두께가 반도체 웨이퍼 원판 상의 돌기 전극의 높이보다 두꺼운 경우에는, 점착 시트 또는 테이프와 반도체 웨이퍼 원판을 첩합하면, 반도체 웨이퍼 원판 상의 돌기 전극은 점착 시트 또는 테이프의 접착제층에 매립된 상태가 된다. 그리고, 연삭시에 가해지는 압력에 의해 돌기 전극의 정상부로부터 접착제가 밀려 떨어져나가, 이로써, 기재의 박리 후에는 돌기 전극의 정상부가 접착제층으로부터 노출될 수 있어, 플립 칩 실장에 의해 전기적인 접속을 실시할 수 있다. 또한, 접착제층의 두께가 반도체 웨이퍼 원판 상의 돌기 전극의 높이 이하인 경우에는, 점착 시트 또는 테이프와 반도체 웨이퍼 원판을 첩합하는 공정 및 연삭시에 있어서, 돌기 전극의 정상부로부터 접착제가 밀려 떨어져나가, 이로써 플립 칩 실장에 의해 전기적인 접속을 실시할 수 있다.When the thickness of the adhesive layer is larger than the height of the protruding electrodes on the semiconductor wafer original plate in the method described in Patent Document 3, when the adhesive sheet or tape and the semiconductor wafer original plate are stuck together, The electrodes are embedded in the adhesive layer of the adhesive sheet or tape. Then, the adhesive is pushed away from the top of the projection electrode by the pressure applied at the time of grinding, whereby the top of the projection electrode can be exposed from the adhesive layer after the substrate is peeled off. . When the thickness of the adhesive layer is less than or equal to the height of the protruding electrodes on the semiconductor wafer original plate, the adhesive is pushed away from the top of the protruding electrode during the process of bonding the adhesive sheet or tape to the semiconductor wafer original plate and during grinding, It is possible to perform electrical connection by chip mounting.

이와 같은 방법에 있어서, 점착 시트 또는 테이프에는, 접착제층을 도공, 건조할 때에도 열팽창 및 수축이 적어, 양호한 형상 유지성을 유지할 수 있는 점에서, 일반적으로 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 등의 단단한 재료로 이루어진 기재가 다용되고 있다. 그러나, 단단한 재료로 이루어진 기재를 사용하면, 첩합 공정 또는 연삭시에 가해지는 압력에 의해 돌기 전극의 손상 및 변형이 생겨, 얻어지는 반도체 칩 실장체의 신뢰성이 저하되는 것이 문제이다.In this method, the pressure-sensitive adhesive sheet or tape is generally made of a rigid material such as polyethylene terephthalate (PET) or the like, since thermal expansion and contraction are small even when the adhesive layer is coated and dried, The base material is often used. However, when a substrate made of a rigid material is used, there is a problem that the projection electrode is damaged and deformed by the pressure applied at the time of the bonding process or grinding, and the reliability of the resulting semiconductor chip package is deteriorated.

이와 같은 문제에 대해, 특허문헌 4 에는, 적어도 회로면과 접하는 층 (A 층) 이 소정의 열경화성 수지층이고, A 층 상에 직접 적층된 층 (B 층) 이 40 ℃ ∼ 80 ℃ 에서 1 ∼ 300 ㎫ 의 인장 탄성률을 갖는 열가소성 수지층이며, 또한 최외층 (C 층) 이 적어도 25 ℃ 에서 비가소성의 열가소성 수지층인 적층 시트가 개시되어 있다. 그러나, 특허문헌 4 에 기재된 바와 같은 열경화성 수지층 (A 층) 을 사용한 경우에는, 첩합 공정 또는 반도체 칩을 다른 반도체 칩 또는 기판 상에 본딩할 때에, 열경화성 수지층 (A 층) 에 보이드가 발생하게 되는 것이 문제로, 얻어지는 반도체 칩 실장체의 신뢰성은 여전히 불충분하다.To solve such a problem, Patent Document 4 discloses a thermosetting resin composition wherein at least a layer (A layer) in contact with a circuit surface is a predetermined thermosetting resin layer, and a layer (B layer) And a thermoplastic resin layer having a tensile modulus of elasticity of 300 MPa, and the outermost layer (C layer) is a thermoplastic resin layer which is non-plastic at 25 占 폚. However, when the thermosetting resin layer (A layer) as described in Patent Document 4 is used, voids are generated in the thermosetting resin layer (A layer) when the bonding process or bonding of the semiconductor chip onto another semiconductor chip or substrate The reliability of the obtained semiconductor chip package is still insufficient.

일본 공개특허공보 2005-126658호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-126658 일본 공개특허공보 2003-231875호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-231875 일본 공개특허공보 2008-016624호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-016624 일본 특허 제4170839호Japanese Patent No. 4170839

본 발명은, 돌기 전극의 손상 및 변형을 억제할 수 있어, 신뢰성이 우수한 반도체 칩 실장체의 제조에 바람직하게 사용되는 접착 시트, 및 그 접착 시트를 사용한 반도체 칩의 실장 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide an adhesive sheet which can suppress damages and deformation of protruding electrodes and is preferably used for manufacturing a semiconductor chip mounting body having excellent reliability and a method of mounting a semiconductor chip using the adhesive sheet do.

본 발명은, 표면에 돌기 전극을 갖는 반도체 칩을 기판 또는 다른 반도체 칩에 실장하기 위해서 사용되는 접착 시트로서, 40 ∼ 80 ℃ 에서의 인장 저장 탄성률이 0.5 ㎬ 이상인 경질층과, 그 적어도 일방의 면에 적층되고, 40 ∼ 80 ℃ 에서의 인장 저장 탄성률이 10 ㎪ ∼ 9 ㎫ 인 가교 아크릴 폴리머로 이루어진 유연층을 갖는 수지 기재를 갖고, 상기 유연층 상에 형성되고, 회전식 레오미터를 이용하여, 승온 속도 5 ℃/분, 주파수 1 ㎐ 로 40 ∼ 80 ℃ 에 있어서의 용융 점도를 측정했을 경우의 최저 용융 점도가 3000 ㎩·s 보다 크고 100000 ㎩·s 이하인 열경화성 접착제층을 갖는 접착 시트이다.The present invention relates to an adhesive sheet for use in mounting a semiconductor chip having protruding electrodes on its surface to a substrate or another semiconductor chip, which comprises a hard layer having a tensile storage elastic modulus at 40 to 80 캜 of 0.5 ㎬ or more, And having a flexible layer made of a crosslinked acrylic polymer having a tensile storage elastic modulus at 40 to 80 캜 of 10 ㎪ to 9 ㎫, wherein the resin base material is formed on the flexible layer, An adhesive sheet having a thermosetting adhesive layer having a minimum melt viscosity of not less than 3000 Pa · s and not more than 100000 Pa · s when a melt viscosity is measured at a speed of 5 ° C./min and a frequency of 1 Hz at 40 to 80 ° C.

이하, 본 발명을 상세히 서술하는데, 인장 저장 탄성률을 간단히 탄성률이라 표기한다.Hereinafter, the present invention will be described in detail. The tensile storage modulus is simply referred to as the modulus of elasticity.

첩합 공정 또는 연삭시에 가해지는 압력에 의해 생기는 돌기 전극의 손상 및 변형을 억제하기 위해서는, 예를 들어, 부드러운 재료로 이루어진 기재를 사용하는 것이 생각된다. 그러나, 부드러운 재료로 이루어진 기재를 사용하면, 연삭시에 반도체 웨이퍼 원판을 보호하는 지지체로서의 기능, 즉 백그라인드 테이프로서의 기능의 저하로 이어진다. 이에 대해 본 발명자는, 소정의 탄성률을 갖는 경질층과, 그 적어도 일방의 면에 적층된 소정의 탄성률을 갖는 가교 아크릴 폴리머로 이루어진 유연층을 갖고, 이 유연층 상에 열경화성 접착제층이 형성되어 이루어지는 접착 시트를 사용함으로써, 돌기 전극의 손상 및 변형을 억제할 수 있는 것을 알아냈다. 또한, 본 발명자는, 열경화성 접착제층의 40 ∼ 80 ℃ 에 있어서의 최저 용융 점도를 소정 범위로 함으로써, 돌기 전극의 손상 및 변형의 억제와 더불어 보이드를 저감할 수도 있어, 신뢰성이 우수한 반도체 칩 실장체를 제조할 수 있는 것을 알아내고, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.In order to suppress the damage and deformation of the projecting electrode caused by the pressure applied during the bonding process or grinding, for example, a substrate made of a soft material may be used. However, when a substrate made of a soft material is used, the function as a support for protecting the semiconductor wafer original plate at the time of grinding, that is, the function as a back grind tape, is lowered. On the other hand, the inventors of the present invention have found that when a rigid layer having a predetermined modulus of elasticity and a flexible layer composed of a crosslinked acrylic polymer laminated on at least one surface thereof and having a predetermined modulus of elasticity and having a thermosetting adhesive layer formed on the rigid layer, It has been found that by using an adhesive sheet, damage and deformation of the projecting electrode can be suppressed. Further, the present inventors have found that, by setting the minimum melt viscosity of the thermosetting adhesive layer at a temperature in the range of 40 to 80 캜 within a predetermined range, voids can be reduced along with suppression of damage and deformation of the projecting electrodes, And the present invention has been accomplished.

표면에 돌기 전극을 갖는 반도체 칩을 기판 또는 다른 반도체 칩에 실장할 때에는, 돌기 전극을 갖는 반도체 웨이퍼 원판의 이면을 소정의 두께까지 연삭한 후, 연삭 후의 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩으로 개편화하고, 얻어진 반도체 칩을 기판 또는 다른 반도체 칩 상에 플립 칩 실장에 의해 본딩한다.When the semiconductor chip having the protruding electrode on the surface is mounted on the substrate or another semiconductor chip, the back surface of the semiconductor wafer original plate having the protruding electrode is ground to a predetermined thickness, and then the ground semiconductor wafer is diced into semiconductor chips And the obtained semiconductor chip is bonded to the substrate or another semiconductor chip by flip chip mounting.

본 발명의 접착 시트는, 이와 같이 표면에 돌기 전극을 갖는 반도체 칩을 기판 또는 다른 반도체 칩에 실장할 때에 사용된다. 보다 구체적으로는, 본 발명의 접착 시트는, 돌기 전극을 갖는 반도체 웨이퍼 원판의 표면에 첩합되어 사용된다.The adhesive sheet of the present invention is used when a semiconductor chip having protruding electrodes on its surface is mounted on a substrate or another semiconductor chip. More specifically, the adhesive sheet of the present invention is used by being bonded to the surface of a semiconductor wafer original plate having protruding electrodes.

본 발명의 접착 시트는, 경질층과 그 적어도 일방의 면에 적층된 유연층을 갖는 수지 기재를 갖는다.The adhesive sheet of the present invention has a rigid layer and a resin substrate having a flexible layer laminated on at least one surface thereof.

경질층은, 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률의 하한이 0.5 ㎬ 이다. 이와 같은 탄성률을 갖는 경질층을 가짐으로써, 본 발명의 접착 시트는 연삭시에 반도체 웨이퍼 원판을 보호하는 지지체로서의 기능을 충분히 할 수 있다. 따라서, 본 발명의 접착 시트를 사용함으로써, 반도체 웨이퍼 원판의 연삭 공정을 양호하게 실시할 수 있다. 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률이 0.5 ㎬ 미만이면, 얻어지는 접착 시트는 연삭시에 반도체 웨이퍼 원판을 보호하는 지지체로서의 기능이 저하된다. 또한, 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률이 0.5 ㎬ 미만이면, 얻어지는 접착 시트는, 반도체 웨이퍼 원판에 첩합될 때에 주름, 구김 등을 일으키는 경우가 있다. 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률의 바람직한 하한은 1 ㎬, 보다 바람직한 하한은 3 ㎬ 이다.The hard layer has a lower limit of elastic modulus at 40 to 80 캜 of 0.5.. By having the hard layer having such a modulus of elasticity, the adhesive sheet of the present invention can sufficiently function as a support for protecting the semiconductor wafer original plate at the time of grinding. Therefore, by using the adhesive sheet of the present invention, it is possible to satisfactorily perform the grinding step of the semiconductor wafer original plate. When the modulus of elasticity at 40 to 80 占 폚 is less than 0.5 占 퐉, the resulting adhesive sheet deteriorates as a support for protecting the original plate of the semiconductor wafer during grinding. If the elastic modulus at 40 to 80 占 폚 is less than 0.5 占 퐉, the resultant adhesive sheet may cause wrinkling, creasing, or the like when being adhered to the original plate of the semiconductor wafer. The preferable lower limit of the elastic modulus at 40 to 80 占 폚 is 1 占 ㎬, and the more preferable lower limit is 3 占..

경질층의 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률의 바람직한 상한은 50 ㎬ 이다. 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률이 50 ㎬ 를 초과하면, 얻어지는 접착 시트는 제조시의 가공성이 떨어지는 경우가 있다. 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률의 보다 바람직한 상한은 10 ㎬ 이다.The preferable upper limit of the elastic modulus of the hard layer at 40 to 80 캜 is 50.. If the elastic modulus at 40 to 80 캜 exceeds 50 ㎬, the resulting adhesive sheet may have poor processability at the time of production. A more preferable upper limit of the elastic modulus at 40 to 80 占 폚 is 10 占..

또한, 본 명세서 중 탄성률이란, 상품명 「DVA-200」, 아이티 계측 제어사 제조의 동적 점탄성 측정 장치에 의해, 10 ㎐ 의 주파수에서 측정한 탄성률을 의미한다.In the present specification, the modulus of elasticity means the modulus of elasticity measured at a frequency of 10 Hz by the dynamic viscoelasticity measuring apparatus manufactured by Haitian Instrumentation & Control Company under the trade name of "DVA-200".

또한, 40 ∼ 80 ℃ 의 온도 범위는, 예를 들어 반도체 웨이퍼 원판의 연삭 공정 등의, 본 발명의 접착 시트의 수지 기재가 기재로서의 역할을 하는 공정에 있어서의 온도 범위를 고려하여 설정되어 있다. 이와 같은 온도 범위에서의 경질층의 탄성률을 상기 범위로 함으로써, 본 발명의 접착 시트는, 연삭시에 반도체 웨이퍼 원판을 보호하는 지지체로서의 기능을 충분히 할 수 있어, 본 발명의 접착 시트를 이용하여 신뢰성이 우수한 반도체 칩 실장체를 제조할 수 있다.The temperature range of 40 to 80 占 폚 is set in consideration of the temperature range in the step of the resin base material of the adhesive sheet of the present invention serving as the base material, for example, the grinding step of the semiconductor wafer original plate. By setting the elastic modulus of the hard layer within the above-described temperature range within the above range, the adhesive sheet of the present invention can sufficiently function as a support for protecting the original plate of the semiconductor wafer during grinding, It is possible to manufacture this excellent semiconductor chip mounting body.

경질층은, 탄성률이 온도에 따라 크게 변화하지 않는 것이 바람직하다.In the hard layer, it is preferable that the modulus of elasticity does not change significantly with temperature.

본 발명의 접착 시트를 반도체 웨이퍼 원판에 첩합할 때에는, 열경화성 접착제층을 약간 용융시켜 돌기 전극에 추종시키기 쉽게 할 목적으로, 50 ℃ 이상 100 ℃ 미만 정도로 가열하는 것이 바람직하다. 그 때문에, 경질층의 탄성률이 온도에 따라 크게 변화하면, 얻어지는 접착 시트는 반도체 웨이퍼 원판에 첩합될 때에 주름 등을 일으키는 경우가 있다.When the adhesive sheet of the present invention is applied to the semiconductor wafer original plate, it is preferable to heat the adhesive sheet to about 50 ° C or more and less than 100 ° C for the purpose of slightly melting the thermosetting adhesive layer and making it easier to follow the protruding electrode. Therefore, if the modulus of elasticity of the hard layer varies greatly with temperature, the resultant adhesive sheet may cause wrinkles or the like when being adhered to the original plate of the semiconductor wafer.

또한, 탄성률이 온도에 따라 크게 변화하는 경질층이라도, 그 밖의 보강 수단을 강구하여 주름 등을 억제함으로써 사용할 수 있는데, 이 경우에는, 보강 수단을 강구할 필요가 있기 때문에 작업이 번잡해지는 경우가 있다.Further, even if the hardness layer in which the modulus of elasticity changes greatly according to the temperature is used, it is possible to use other reinforcing means by suppressing wrinkles or the like. In such a case, .

구체적으로는, 경질층은, 100 ℃ 에서의 탄성률을 30 ℃ 에서의 탄성률로 나눈 값의 바람직한 하한이 0.5, 보다 바람직한 하한이 0.6 이다. 또한, 경질층은, 70 ℃ 에서의 탄성률을 30 ℃ 에서의 탄성률로 나눈 값의 바람직한 하한이 0.8, 보다 바람직한 하한이 0.9 이다.Specifically, the hard layer preferably has a lower limit of 0.5 and a lower limit of 0.6, which is obtained by dividing the elastic modulus at 100 占 폚 by the elastic modulus at 30 占 폚. The hard layer preferably has a lower limit of 0.8 and a lower limit of 0.9, which is obtained by dividing the elastic modulus at 70 占 폚 by the elastic modulus at 30 占 폚.

경질층은, 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률이 상기 범위를 만족하고 있으면 되고, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET), 폴리카보네이트, 폴리메타크릴산메틸, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등으로 이루어진 층을 들 수 있다. 그 중에서도 경질층은, PET 를 함유하는 층인 것이 바람직하다.The hard layer is not particularly limited as long as the elastic modulus at 40 to 80 캜 satisfies the above range. For example, polyethylene terephthalate (PET), polycarbonate, polymethyl methacrylate, polyethylene naphthalate, polybutylene terephthalate, Polyethylene, polypropylene, and the like. Among them, the hard layer is preferably a layer containing PET.

경질층의 두께의 바람직한 하한은 5 ㎛, 바람직한 상한은 200 ㎛ 이다. 경질층의 두께가 5 ㎛ 미만이면, 얻어지는 접착 시트는 연삭시에 반도체 웨이퍼 원판을 보호하는 지지체로서의 기능이 저하되는 경우가 있다. 경질층의 두께가 200 ㎛ 를 초과하면, 얻어지는 수지 기재가 연삭 후의 반도체 웨이퍼로부터 열경화성 접착제층을 남긴 채로 박리될 때에, 반도체 웨이퍼에 과잉의 응력을 발생시키는 경우가 있다. 경질층의 두께의 보다 바람직한 하한은 10 ㎛, 보다 바람직한 상한은 50 ㎛ 이다.The preferable lower limit of the thickness of the hard layer is 5 mu m, and the preferable upper limit is 200 mu m. If the thickness of the hard layer is less than 5 占 퐉, the obtained adhesive sheet may have a deteriorated function as a support for protecting the semiconductor wafer original plate during grinding. If the thickness of the hard layer exceeds 200 占 퐉, excessive stress may be generated in the semiconductor wafer when the resin base material to be obtained is peeled off from the semiconductor wafer after grinding while leaving the thermosetting adhesive layer. A more preferable lower limit of the thickness of the hard layer is 10 mu m, and a more preferable upper limit is 50 mu m.

본 발명의 접착 시트는, 경질층의 적어도 일방의 면에 적층된 유연층을 갖는다.The adhesive sheet of the present invention has a flexible layer laminated on at least one surface of the hard layer.

유연층은, 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률의 하한이 10 ㎪, 상한이 9 ㎫ 이다. 이와 같은 탄성률을 갖는 유연층을 가짐으로써, 본 발명의 접착 시트는, 첩합 공정 또는 연삭시에 가해지는 압력에 의해 생기는 돌기 전극의 손상 및 변형을 억제할 수 있다. 따라서, 본 발명의 접착 시트를 이용하여, 신뢰성이 우수한 반도체 칩 실장체를 제조할 수 있다. 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률이 10 ㎪ 미만이면, 얻어지는 접착 시트는, 연삭시에 반도체 웨이퍼 원판을 보호하는 지지체로서의 기능이 저하된다. 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률이 9 ㎫ 를 초과하면, 얻어지는 접착 시트를 사용하면 첩합 공정 또는 연삭시에 가해지는 압력에 의해 돌기 전극의 손상 및 변형이 생기기 쉬워, 반도체 칩 실장체의 신뢰성이 저하되기 쉬워진다. 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률의 바람직한 하한이 15 ㎪, 보다 바람직한 하한이 20 ㎪ 이며, 바람직한 상한이 5 ㎫, 보다 바람직한 상한이 1 ㎫ 이다.The soft layer has a lower limit of elastic modulus at 40 to 80 캜 of 10 ㎪ and an upper limit of 9 ㎫. By having the flexible layer having such a modulus of elasticity, the adhesive sheet of the present invention can suppress the damage and deformation of the projecting electrode caused by the pressure applied during the bonding process or grinding. Therefore, by using the adhesive sheet of the present invention, a semiconductor chip mounting body having excellent reliability can be manufactured. When the elastic modulus at 40 to 80 占 폚 is less than 10 占 퐉, the resulting adhesive sheet deteriorates in its function as a support for protecting the semiconductor wafer original plate during grinding. If the elastic modulus at 40 to 80 占 폚 exceeds 9 MPa, if the obtained adhesive sheet is used, damage or deformation of the protruding electrode is liable to occur due to the pressure applied during the bonding process or grinding, and the reliability of the semiconductor chip- It gets easier. The preferable lower limit of the elastic modulus at 40 to 80 캜 is 15 ㎪, more preferably the lower limit is 20,, the preferable upper limit is 5 MPa, and the more preferable upper limit is 1 MPa.

본 명세서 중 유연층의 탄성률이란, 반드시 본 발명의 접착 시트에 있어서의 유연층에 대해 측정한 값을 의미하지 않는다. 즉, 탄성률은 재료의 고유의 값이기 때문에, 예를 들어, 유연층이 매우 부드러운 재료로 이루어진 경우에는, 탄성률을 충분히 측정할 수 있는 정도의 두께를 갖는 유연층을 별도 제조하여, 얻어진 유연층에 대해 탄성률을 측정해도 된다.The elastic modulus of the flexible layer in the present specification does not necessarily mean a value measured for the flexible layer in the adhesive sheet of the present invention. That is, since the elastic modulus is an inherent value of the material, for example, when the flexible layer is made of a very soft material, a flexible layer having a thickness enough to measure the elastic modulus can be separately prepared, The elastic modulus may be measured.

유연층은, 열경화성 접착제층과 접하는 면의 표면 조도 Ra 의 바람직한 상한이 0.4 ㎛ 이다. 표면 조도 Ra 가 0.4 ㎛ 를 초과하면, 열경화성 접착제층의 표면에 유연층의 표면의 요철이 전사되어 버리는 경우가 있다. 열경화성 접착제층의 표면에 요철이 형성되어 버리면, 경화 후의 열경화성 접착제층과 피착체의 계면에 보이드가 생기기 쉬워져 반도체 칩 실장체의 신뢰성이 저하되는 경우가 있다. 또한, 열경화성 접착제층의 표면에 요철이 형성되어 버리면 투명성이 손상되기 때문에, 다이싱 공정이나 플립 칩 실장 공정에 있어서, 열경화성 접착제층을 개재하여 반도체 칩 상의 얼라이먼트 마크 또는 돌기 전극을 인식할 수 없는 경우가 있다.The preferable upper limit of the surface roughness Ra of the surface of the flexible layer in contact with the thermosetting adhesive layer is 0.4 탆. If the surface roughness Ra exceeds 0.4 占 퐉, the unevenness of the surface of the flexible layer may be transferred to the surface of the thermosetting adhesive layer. If unevenness is formed on the surface of the thermosetting adhesive layer, voids are easily formed at the interface between the thermosetting adhesive layer and the adherend after curing, thereby reducing the reliability of the semiconductor chip mounting body. Further, when the surface of the thermosetting adhesive layer is uneven, the transparency is impaired. Therefore, in the case where the alignment mark or protruding electrode on the semiconductor chip can not be recognized through the thermosetting adhesive layer in the dicing step or the flip chip mounting step .

표면 조도 Ra 를 상기 범위로 하기 위해서는, 예를 들어, 경질층이 되는 필름의 적어도 일방의 면에 유연층이 되는 필름을 적층하는 경우에는, 유연층이 되는 필름으로서 상기 범위의 표면 조도 Ra 를 갖는 필름을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 예를 들어, 경질층 상에 유연층이 되는 수지의 도액을 도포한 후 건조하는 경우에는, 도포 및 건조 후의 유연층의 표면 조도 Ra 가 상기 범위가 되도록 조정하는 것이 바람직하다.In order to set the surface roughness Ra in the above range, for example, when a film to be a flexible layer is laminated on at least one surface of a film to be a hard layer, the film to be a flexible layer has a surface roughness Ra It is preferable to use a film. For example, in the case of drying a coating solution of a resin to become a flexible layer on the hard layer, it is preferable to adjust the surface roughness Ra of the soft layer after application and drying to be in the above range.

또한, 표면 조도 Ra 는, JIS B 0601 에 준하여, 예를 들어, 컬러 3D 레이저 현미경 (상품명 「VK-9700」, 키엔스사 제조) 을 이용하여 측정할 수 있다.The surface roughness Ra can be measured using, for example, a color 3D laser microscope (trade name "VK-9700", manufactured by Keyence Corporation) according to JIS B 0601.

유연층은, 가교 아크릴 폴리머로 이루어진 것이다.The flexible layer is made of a crosslinked acrylic polymer.

가교 아크릴 폴리머란, 폴리알킬(메트)아크릴레이트 (이하, 간단히 아크릴 폴리머라고 한다) 의 주사슬 사이에 가교 구조가 형성되어 있는 폴리머를 말한다. 가교 구조의 정도를 조정하거나 아크릴 폴리머를 구성하는 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머의 종류나 구성 비율을 조정하거나 함으로써, 유연층의 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률을 조정할 수 있다. 가교 구조를 형성하는 방법으로서, 예를 들어, 가교 가능한 관능기를 갖는 아크릴 폴리머 (이하, 관능기 함유 아크릴 폴리머라고도 한다) 에 가교제를 배합하는 방법을 들 수 있다.The crosslinked acrylic polymer refers to a polymer having a crosslinked structure formed between the main chains of polyalkyl (meth) acrylates (hereinafter simply referred to as acrylic polymer). The modulus of elasticity of the flexible layer at 40 to 80 占 폚 can be adjusted by adjusting the degree of crosslinking structure or by adjusting the kind or composition ratio of the (meth) acrylic acid alkyl ester monomer constituting the acrylic polymer. As a method for forming a crosslinked structure, for example, a method of blending a crosslinking agent with an acrylic polymer having a crosslinkable functional group (hereinafter, also referred to as a functional group-containing acrylic polymer) may be mentioned.

아크릴 폴리머는, 예를 들어, 1 종 또는 2 종 이상의 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머를 중합 또는 공중합하여 이루어지는 일반적인 (메트)아크릴산알킬에스테르계 수지, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머와 이것과 공중합할 수 있는 다른 비닐 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다. 그 중에서도, (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머와 이것과 공중합할 수 있는 다른 비닐 모노머의 공중합체가 바람직하다. 또한, 본 명세서 중 (메트)아크릴레이트란, 아크릴레이트와 메타크릴레이트의 양방을 의미하고, (메트)아크릴산이란, 아크릴산과 메타크릴산의 양방을 의미한다.The acrylic polymer may be, for example, a general (meth) acrylic acid alkyl ester-based resin obtained by polymerizing or copolymerizing one or more (meth) acrylic acid alkyl ester monomers, (meth) acrylic acid alkyl ester monomers and And copolymers of other vinyl monomers. Among them, copolymers of alkyl (meth) acrylate monomers and other vinyl monomers copolymerizable therewith are preferable. In the present specification, (meth) acrylate means both of acrylate and methacrylate, and (meth) acrylic acid means both of acrylic acid and methacrylic acid.

(메트)아크릴산알킬에스테르 모노머는, 알킬기의 탄소수가 2 ∼ 12 인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 예를 들어, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산부틸, (메트)아크릴산-2-에틸헥실 등을 들 수 있다. 이들 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The alkyl (meth) acrylate monomer preferably has 2 to 12 carbon atoms in the alkyl group, and specifically includes, for example, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl And the like. These (meth) acrylic acid alkyl ester monomers may be used alone or in combination of two or more.

관능기 함유 아크릴 폴리머는, 일반적인 아크릴 폴리머의 경우와 마찬가지로, 알킬기의 탄소수가 통상 2 ∼ 18 의 범위에 있는 (메트)아크릴산알킬에스테르 모노머를 주모노머로 하고, 이와 같은 주모노머와, 관능기 함유 모노머와, 필요에 따라 이들과 공중합할 수 있는 다른 개질용 모노머를 통상적인 방법에 의해 공중합시킴으로써 얻어지는, 상온에서 점착성을 갖는 폴리머인 것이 바람직하다.The functional group-containing acrylic polymer, as in the case of a general acrylic polymer, has a (meth) acrylic acid alkyl ester monomer in which the number of carbon atoms in the alkyl group is usually in the range of 2 to 18 as a main monomer, and contains such a main monomer, It is preferable that the polymer is a polymer having adhesiveness at room temperature, which is obtained by copolymerizing other modifying monomers copolymerizable therewith, if necessary, by a conventional method.

관능기 함유 모노머로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산 등의 카르복실기 함유 모노머, (메트)아크릴산하이드록시에틸 등의 하이드록실기 함유 모노머, (메트)아크릴산글리시딜 등의 에폭시기 함유 모노머, (메트)아크릴산이소시아네이트에틸 등의 이소시아네이트기 함유 모노머, (메트)아크릴산아미노에틸 등의 아미노기 함유 모노머 등을 들 수 있다.Examples of the functional group-containing monomer include a carboxyl group-containing monomer such as (meth) acrylic acid, a hydroxyl group-containing monomer such as (meth) acrylic acid hydroxyethyl, an epoxy group-containing monomer such as glycidyl (meth) acrylate, Isocyanate group-containing monomers such as ethyl acrylate isocyanate ethyl, amino group-containing monomers such as aminoethyl (meth) acrylate, and the like.

다른 개질용 모노머는, 예를 들어, 아세트산비닐, 아크릴로니트릴, 스티렌 등의 일반적인 (메트)아크릴산알킬에스테르계 수지에 사용되는 각종 모노머를 들 수 있다.Examples of other modifying monomers include various monomers used in a general (meth) acrylic acid alkyl ester resin such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.

또한, 가교 가능한 관능기로서 라디칼 중합성 불포화기를 갖는 아크릴 폴리머도 사용할 수 있다.An acrylic polymer having a radically polymerizable unsaturated group as a crosslinkable functional group can also be used.

라디칼 중합성 불포화 결합을 갖는 아크릴 폴리머는, 분자 내에 관능기를 갖는 관능기 함유 아크릴 폴리머를 미리 합성하고, 분자 내에 상기의 관능기와 반응하는 관능기와 라디칼 중합성 불포화기를 갖는 화합물을 반응시킴으로써 얻어지는 것이 바람직하다.The acrylic polymer having a radically polymerizable unsaturated bond is preferably obtained by previously synthesizing an acrylic polymer having a functional group having a functional group in the molecule and reacting the compound having a functional group that reacts with the functional group with a compound having a radically polymerizable unsaturated group in the molecule.

또한, 유연층이 라디칼 중합성 불포화기를 갖는 아크릴 폴리머를 함유하는 경우, 유연층은 광중합 개시제 또는 열중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다.When the flexible layer contains an acrylic polymer having a radically polymerizable unsaturated group, the flexible layer preferably contains a photopolymerization initiator or a thermal polymerization initiator.

아크릴 폴리머의 중량 평균 분자량은, 통상 20 만 ∼ 200 만 정도이다.The weight average molecular weight of the acrylic polymer is generally about 200,000 to 2,000,000.

가교제는, 예를 들어, 이소시아네이트계 가교제, 아지리딘계 가교제, 에폭시계 가교제, 금속 킬레이트형 가교제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 이소시아네이트계 가교제의 이소시아네이트기와 아크릴 폴리머에 있어서의 알코올성 수산기가 반응하여 부분적인 3 차원 구조를 형성함으로써, 유연층의 40 ∼ 80 ℃ 에서의 탄성률을 용이하게 조정할 수 있는 점, 수지 기재를 박리할 때에 풀의 잔류물이 잘 생기지 않는 점으로부터, 이소시아네이트계 가교제가 바람직하다.Examples of the crosslinking agent include an isocyanate crosslinking agent, an aziridine crosslinking agent, an epoxy crosslinking agent, and a metal chelate crosslinking agent. Among them, the isocyanate group of the isocyanate-based crosslinking agent reacts with the alcoholic hydroxyl group in the acrylic polymer to form a partial three-dimensional structure, whereby the elastic modulus at 40 to 80 ° C of the flexible layer can be easily adjusted, Isocyanate-based cross-linking agent is preferable because the residue of the grass is not easily generated at the time of drying.

유연층은, 또한 후술하는 열경화성 접착제층에 함유되는 열경화제와 동일한 열경화제를 함유해도 된다. 여기서, 열경화제에 추가로 열경화 촉진제를 병용하는 경우, 본 명세서에 있어서의 열경화제는, 열경화제 단독 또는 열경화제와 열경화 촉진제의 조합의 어느 것이나 포함하는 것으로 한다.The flexible layer may contain the same thermosetting agent as the thermosetting agent contained in the thermosetting adhesive layer described later. Here, when a thermosetting accelerator is used in addition to the thermosetting agent, the thermosetting agent in this specification includes either a thermosetting agent alone or a combination of a thermosetting agent and a thermosetting accelerator.

유연층에 열경화제를 배합함으로써, 유연층 상에 열경화성 접착제층이 적층된 상태로 일정 기간 경과하는 경우에, 열경화제가 열경화성 접착제층으로부터 유연층으로 이행되어 버리는 것을 억제하거나 지연시키거나 할 수 있다. 또한, 유연층 상에 열경화성 접착제층이 적층된 상태로 일정 기간 경과한 후에는, 유연층에 함유되는 열경화제는, 열경화성 접착제층으로부터 이행되어 온 열경화제를 함유하고 있어도 된다.By incorporating a thermosetting agent into the flexible layer, it is possible to suppress or delay the transition of the thermosetting adhesive layer from the thermosetting adhesive layer to the flexible layer when a certain period of time has elapsed with the thermosetting adhesive layer laminated on the flexible layer . Further, after a certain period of time in a state where the thermosetting adhesive layer is laminated on the flexible layer, the thermosetting agent contained in the flexible layer may contain the thermosetting agent transferred from the thermosetting adhesive layer.

유연층에 열경화제를 배합하는 경우, 열경화제의 배합량은, 아크릴 폴리머 100 중량부에 대한 바람직한 하한이 0.1 중량부, 바람직한 상한이 10 중량부이다. 열경화제의 배합량이 0.1 중량부 미만이면, 유연층에 열경화제를 배합하는 효과가 충분히 얻어지지 않는 경우가 있다. 열경화제의 배합량이 10 중량부를 초과하면, 얻어지는 수지 기재를 연삭 후의 반도체 웨이퍼로부터 열경화성 접착제층을 남긴 채로 박리할 때에, 풀의 잔류물이 생기는 경우가 있다.When the thermosetting agent is blended in the flexible layer, the blending amount of the thermosetting agent is preferably 0.1 part by weight and more preferably 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the acrylic polymer. If the blending amount of the thermosetting agent is less than 0.1 part by weight, the effect of blending the thermosetting agent into theflexible layer may not be sufficiently obtained. When the blending amount of the thermosetting agent exceeds 10 parts by weight, residues of the resin sometimes occur when the resin base material obtained is peeled off from the semiconductor wafer after grinding while leaving the thermosetting adhesive layer left.

유연층의 두께의 바람직한 하한은 2 ㎛, 바람직한 상한은 100 ㎛ 이다. 유연층의 두께가 2 ㎛ 미만이면, 얻어지는 접착 시트는, 연삭시에 반도체 웨이퍼 원판의 전극을 보호하는 기능이 저하되는 경우가 있고, 또한, 첩합 공정 또는 연삭시에 돌기 전극의 정상부로부터 접착제를 밀어 떨어트리기가 곤란해지는 경우가 있다. 유연층의 두께가 100 ㎛ 를 초과하면, 얻어지는 접착 시트는 연삭시에 충분한 반도체 웨이퍼 원판의 유지를 할 수 없어, 반도체 웨이퍼의 두께 편차, 균열 등을 발생시키는 경우가 있다. 유연층의 두께의 보다 바람직한 하한은 4 ㎛, 더욱 바람직한 하한은 10 ㎛, 보다 바람직한 상한은 60 ㎛, 더욱 바람직한 상한은 50 ㎛ 이다.The preferable lower limit of the thickness of the flexible layer is 2 mu m, and the preferable upper limit is 100 mu m. If the thickness of the flexible layer is less than 2 占 퐉, the resulting adhesive sheet may deteriorate the function of protecting the electrode of the semiconductor wafer original plate during grinding, and may also push the adhesive agent from the top of the projection electrode during the bonding process or grinding It may become difficult to drop. If the thickness of the flexible layer is more than 100 占 퐉, the resulting adhesive sheet can not hold a sufficient amount of the semiconductor wafer original plate at the time of grinding, which may cause thickness variations, cracks, and the like of the semiconductor wafer. A more preferable lower limit of the thickness of the flexible layer is 4 占 퐉, a more preferable lower limit is 10 占 퐉, a more preferable upper limit is 60 占 퐉, and a more preferable upper limit is 50 占 퐉.

유연층은, 경질층의 일방의 면에 적층되어 있으면 되는데, 경질층의 양면에 적층되어 있어도 된다.The flexible layer may be laminated on one side of the hard layer, but may be laminated on both sides of the hard layer.

유연층이 경질층의 양면에 적층되어 있는 경우에는, 경질층의 선팽창률과 유연층의 선팽창률이 상이한 것에서 기인하는 문제, 즉, 가열 또는 냉각을 수반하는 공정에 있어서, 얻어지는 접착 시트에 휨 및 변형이 생기는 경우가 있다는 문제를 방지할 수 있다. 또한, 접착 시트에 휨 및 변형이 생기면, 예를 들어, 접착 시트 자체의 제조가 곤란해지거나, 수지 기재와 열경화성 접착제층 사이에서 박리가 생김으로써 반도체 칩의 실장을 양호하게 실시하는 것이 곤란해지거나 하는 경우가 있다.In the case where the flexible layer is laminated on both sides of the hard layer, there is a problem caused by the difference between the linear expansion coefficient of the hard layer and the linear expansion coefficient of the soft layer, that is, in the step involving heating or cooling, It is possible to prevent the problem that deformation may occur. Further, if the adhesive sheet is warped or deformed, for example, it becomes difficult to manufacture the adhesive sheet itself or peeling occurs between the resin substrate and the thermosetting adhesive layer, thereby making it difficult to implement the semiconductor chip well .

또한, 가열을 수반하는 공정으로서, 예를 들어 수지 기재 상에 접착제 조성물을 도공, 건조하는 공정, 접착 시트와 반도체 웨이퍼 원판을 첩합하는 공정 등을 들 수 있다. 냉각을 수반하는 공정으로서, 예를 들어 반도체 웨이퍼 원판의 연삭 공정, 접착 시트의 냉장 보존시 등을 들 수 있다. 가열 또는 냉각을 수반하는 공정이 이루어지는 온도 범위는, 예를 들어, -20 ∼ 100 ℃ 정도의 온도 범위를 들 수 있다.Examples of the step involving heating include a step of coating and drying an adhesive composition on a resin substrate, a step of bonding the adhesive sheet and a semiconductor wafer original plate, and the like. Examples of the process involving cooling include a grinding process of a raw disk of a semiconductor wafer, a process of preserving the adhesive sheet in a refrigerator, and the like. The temperature range in which the step involving heating or cooling is carried out may be, for example, a temperature range of about -20 to 100 ° C.

본 발명의 접착 시트는, 수지 기재의 유연층 상에 형성된 열경화성 접착제층을 갖는다. 열경화성 접착제층은, 회전식 레오미터를 이용하여, 승온 속도 5 ℃/분, 주파수 1 ㎐ 로 40 ∼ 80 ℃ 에 있어서의 용융 점도를 측정했을 경우의 최저 용융 점도가 3000 ㎩·s 보다 크고 100000 ㎩·s 이하이다.The adhesive sheet of the present invention has a thermosetting adhesive layer formed on a flexible layer of a resin base material. The thermosetting adhesive layer has a minimum melt viscosity of more than 3000 Pa · s and a viscosity of 100000 Pa · s at a temperature raising rate of 5 ° C / min and a frequency of 1 ㎐ measured at 40 to 80 ° C using a rotary rheometer s or less.

최저 용융 점도가 3000 ㎩·s 를 초과함으로써, 얻어지는 접착 시트를 반도체 웨이퍼 원판에 첩합할 때, 및 반도체 칩을 열경화성 접착제층을 개재하여 기판 또는 다른 반도체 칩 상에 본딩할 때에, 열경화성 접착제층의 응집력에 의해 보이드를 저감시킬 수 있다. 또한, 최저 용융 점도가 3000 ㎩·s 를 초과함으로써, 연삭 후의 반도체 웨이퍼로부터 열경화성 접착제층을 남긴 채로 수지 기재를 박리할 때에, 풀의 잔류물이 없이 비교적 용이하게 박리할 수 있다. 즉, 이와 같은 최저 용융 점도를 갖는 열경화성 접착제층과 상기 서술한 바와 같은 수지 기재를 적층함으로써, 경박리 (輕剝離) 라는 이점을 얻을 수 있다. 최저 용융 점도는 4000 ㎩·s 이상인 것이 보다 바람직하다.When the obtained adhesive sheet is bonded to the original plate of the semiconductor wafer and the semiconductor chip is bonded to the substrate or another semiconductor chip via the thermosetting adhesive layer, the cohesive force of the thermosetting adhesive layer The voids can be reduced. In addition, when the minimum melt viscosity exceeds 3000 Pa · s, the resin base material can be relatively easily peeled off without residues of the resin when the resin base material is peeled off from the semiconductor wafer after grinding, leaving the thermosetting adhesive layer. That is, by laminating the thermosetting adhesive layer having the lowest melt viscosity and the resin base as described above, an advantage of light separation can be obtained. The lowest melt viscosity is more preferably 4000 Pa s or more.

최저 용융 점도가 100000 ㎩·s 를 초과하면, 열경화성 접착제층의 유동성 부족에 의해, 반도체 웨이퍼와 열경화성 접착제층의 밀착성이 충분히 얻어지지 않는다. 반도체 웨이퍼와 열경화성 접착제층의 밀착성이 불충분하면, 수지 기재를 연삭 후의 반도체 웨이퍼로부터 열경화성 접착제층을 남긴 채로 박리할 때에, 반도체 웨이퍼와 열경화성 접착제층 사이에서 계면 박리가 생기기 쉽다. 또한, 반도체 칩을 열경화성 접착제층을 개재하여 기판 또는 다른 반도체 칩 상에 본딩할 때에, 혼입 보이드의 배출성이 저하되기 때문에 혼입 보이드가 잔존하기 쉬워진다. 이와 같은 경우, 보이드에 의해 땜납 내열성, 온도 사이클 내열성 등이 저하되는 경우가 있다. 최저 용융 점도의 바람직한 상한은 50000 ㎩·s 이다.If the minimum melt viscosity exceeds 100000 Pa 占 퐏, adhesion between the semiconductor wafer and the thermosetting adhesive layer can not be sufficiently obtained due to insufficient fluidity of the thermosetting adhesive layer. If the adhesion between the semiconductor wafer and the thermosetting adhesive layer is insufficient, interface peeling easily occurs between the semiconductor wafer and the thermosetting adhesive layer when the resin substrate is peeled off from the semiconductor wafer after grinding with the thermosetting adhesive layer left. Further, when the semiconductor chip is bonded to the substrate or another semiconductor chip via the thermosetting adhesive layer, the dischargeability of the mixed void is lowered, so that the mixed void is likely to remain. In such a case, solder heat resistance, temperature cycle heat resistance, etc. may be lowered by voids. The preferred upper limit of the lowest melt viscosity is 50000 Pa 占 퐏.

최저 용융 점도를 상기 범위로 조정하는 방법으로서, 예를 들어 열경화성 접착제층에 함유되는 각 성분을 소정의 배합량으로 배합함으로써 최저 용융 점도를 조정하는 방법을 들 수 있다.As a method of adjusting the lowest melt viscosity to the above range, for example, a method of adjusting the minimum melt viscosity by blending each component contained in the thermosetting adhesive layer in a predetermined blending amount can be cited.

열경화성 접착제층은, 얻어지는 반도체 칩 실장체의 신뢰성을 보다 향상시킬 수 있는 점에서, 열경화성 화합물 및 열경화제를 함유하는 접착제 조성물을 이용하여 형성되는 열경화성 접착제층이 바람직하다. 또한, 열경화성 접착제층으로서, 예를 들어 열경화성 화합물, 광경화성 화합물, 열경화제 및 광중합 개시제를 함유하는 접착제 조성물을 이용하여 형성되는 열경화성 접착제층 등도 들 수 있다.The thermosetting adhesive layer is preferably a thermosetting adhesive layer formed using an adhesive composition containing a thermosetting compound and a thermosetting agent in that the reliability of the obtained semiconductor chip mounting body can be further improved. As the thermosetting adhesive layer, a thermosetting adhesive layer formed using an adhesive composition containing, for example, a thermosetting compound, a photo-curable compound, a thermosetting agent, and a photopolymerization initiator can be exemplified.

광경화성 화합물을 함유하는 접착제 조성물을 이용하여 형성됨으로써, 얻어지는 열경화성 접착제층은 에너지선의 조사에 의해 반경화되고, 이와 같은 반경화된 열경화성 접착제층은 더욱 충분한 접착성을 갖는다. 따라서, 예를 들어, 본 발명의 접착 시트를 반도체 웨이퍼 원판과 첩합하여 반도체 웨이퍼 원판의 이면을 연삭한 후, 열경화성 접착제층을 반경화시키고, 이어서 연삭 후의 반도체 웨이퍼로부터 수지 기재를 박리함으로써, 반경화된 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼를 제조할 수 있다. 또한, 이와 같은 반경화된 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 반도체 칩으로 개편화하고, 얻어진 반경화된 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩을 기판 또는 다른 반도체 칩 상에 플립 칩 실장에 의해 본딩함으로써, 반도체 칩 실장체를 간편하게 제조할 수 있다.The thermosetting adhesive layer obtained by using an adhesive composition containing a photo-curable compound is semi-cured by irradiation of energy rays, and such a semi-cured thermosetting adhesive layer has more sufficient adhesiveness. Therefore, for example, the adhesive sheet of the present invention is bonded to a semiconductor wafer original plate to grind the back side of the original plate of the semiconductor wafer, followed by semi-curing the thermosetting adhesive layer, and then peeling the resin base material from the semiconductor wafer after the grinding, A semiconductor wafer to which the thermosetting adhesive layer is adhered can be produced. The semi-cured thermosetting adhesive layer may be diced into semiconductor chips, and the resulting semi-cured thermosetting adhesive layer may be adhered to a substrate or another semiconductor chip by flip chip mounting The semiconductor chip mounting body can be easily manufactured.

열경화성 화합물은 에폭시 수지를 함유하는 것이 바람직하다.The thermosetting compound preferably contains an epoxy resin.

에폭시 수지는, 다고리형 탄화수소 골격을 주사슬에 갖는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 열경화성 화합물이 다고리형 탄화수소 골격을 주사슬에 갖는 에폭시 수지를 함유함으로써, 얻어지는 열경화성 접착제층의 경화물은, 강직하여 분자의 운동이 저해되기 때문에 우수한 기계적 강도 및 내열성을 발현하고, 또한 흡수성이 낮아지기 때문에 우수한 내습성을 발현할 수 있다.The epoxy resin is preferably an epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton in its main chain. Since the thermosetting compound contains an epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton as its main chain, the obtained cured product of the thermosetting adhesive layer is stiff and exhibits excellent mechanical strength and heat resistance because the movement of the molecule is inhibited, Excellent moisture resistance can be exhibited.

다고리형 탄화수소 골격을 주사슬에 갖는 에폭시 수지는, 예를 들어, 디시클로펜타디엔디옥사이드, 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 페놀노볼락 에폭시 수지 등의 디시클로펜타디엔 골격을 갖는 에폭시 수지 (이하, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지라고도 한다), 1-글리시딜나프탈렌, 2-글리시딜나프탈렌, 1,2-디글리시딜나프탈렌, 1,5-디글리시딜나프탈렌, 1,6-디글리시딜나프탈렌, 1,7-디글리시딜나프탈렌, 2,7-디글리시딜나프탈렌, 트리글리시딜나프탈렌, 1,2,5,6-테트라글리시딜나프탈렌 등의 나프탈렌 골격을 갖는 에폭시 수지 (이하, 나프탈렌형 에폭시 수지라고도 한다), 테트라하이드록시페닐에탄형 에폭시 수지, 테트라키스(글리시딜옥시페닐)에탄, 3,4-에폭시-6-메틸시클로헥실메틸-3,4-에폭시-6-메틸시클로헥산카보네이트 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 디시클로펜타디엔디옥사이드가 바람직하다. 이들 다고리형 탄화수소 골격을 주사슬에 갖는 에폭시 수지는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 병용해도 된다.The epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton in its main chain is, for example, an epoxy resin having a dicyclopentadiene skeleton such as dicyclopentadiene dioxide and a phenol novolak epoxy resin having a dicyclopentadiene skeleton (Also referred to as chloropentadiene type epoxy resin), 1-glycidyl naphthalene, 2-glycidyl naphthalene, 1,2-diglycidyl naphthalene, 1,5-diglycidyl naphthalene, An epoxy resin having a naphthalene skeleton such as cyclopentene, cyclohexanedimethanol, cyclohexanedimethanol, cyclohexanedimethanol, cyclohexanedimethanol, cyclohexanedimethanol, cyclohexanedimethanol, cyclohexanedimethanol, (Hereinafter also referred to as naphthalene type epoxy resin), tetrahydroxyphenyl ethane type epoxy resin, tetrakis (glycidyloxyphenyl) ethane, 3,4-epoxy-6-methylcyclohexylmethyl- 6-methylcyclohexanecarbonate, and the like. Among them, dicyclopentadiene dioxide is preferable. The epoxy resin having these polycyclic hydrocarbon skeletons in the main chain may be used alone or in combination of two or more.

다고리형 탄화수소 골격을 주사슬에 갖는 에폭시 수지의 중량 평균 분자량의 바람직한 하한은 500, 바람직한 상한은 2000 이다. 중량 평균 분자량이 500 미만이면, 얻어지는 열경화성 접착제층의 경화물의 기계적 강도, 내열성, 내습성 등이 충분히 향상되지 않는 경우가 있다. 중량 평균 분자량이 2000 을 초과하면, 얻어지는 열경화성 접착제층의 경화물이 지나치게 강직해져 물러지는 경우가 있다.The preferred lower limit of the weight average molecular weight of the epoxy resin having the polycyclic hydrocarbon skeleton as the main chain is 500, and the preferable upper limit is 2000. If the weight average molecular weight is less than 500, the mechanical strength, heat resistance, moisture resistance, etc. of the resulting cured product of the thermosetting adhesive layer may not be sufficiently improved. If the weight average molecular weight exceeds 2000, the resulting cured product of the thermosetting adhesive layer may become too rigid and may be sagged.

또한, 에폭시 수지로서 에폭시기를 갖는 아크릴 폴리머도 들 수 있다.As the epoxy resin, an acrylic polymer having an epoxy group is also exemplified.

에폭시기를 갖는 아크릴 폴리머는, 예를 들어, 글리시딜(메트)아크릴레이트와 알킬(메트)아크릴레이트로 이루어진 공중합체 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 글리시딜(메트)아크릴레이트와 알킬(메트)아크릴레이트로 이루어지고, 에폭시 당량이 약 300 g/eq 인 공중합체가 바람직하다.Examples of the acrylic polymer having an epoxy group include a copolymer composed of glycidyl (meth) acrylate and alkyl (meth) acrylate. Among them, a copolymer comprising glycidyl (meth) acrylate and alkyl (meth) acrylate and having an epoxy equivalent of about 300 g / eq is preferable.

에폭시기를 갖는 아크릴 폴리머의 중량 평균 분자량의 바람직한 하한은 1 만, 바람직한 상한은 100 만이다. 중량 평균 분자량이 1 만 미만이면, 얻어지는 접착제 조성물을 이용하여 열경화성 접착제층을 형성하는 것이 곤란해지거나, 경화물의 접착력이 부족하거나 하는 경우가 있다. 중량 평균 분자량이 100 만을 초과하면, 얻어지는 접착제 조성물을 이용하여 일정한 두께를 갖는 열경화성 접착제층을 형성하는 것이 곤란해지는 경우가 있다.The preferred lower limit of the weight average molecular weight of the acrylic polymer having an epoxy group is 10,000, and the preferable upper limit is 1,000,000. If the weight average molecular weight is less than 10,000, it may be difficult to form the thermosetting adhesive layer using the obtained adhesive composition, or the adhesive strength of the cured product may be insufficient. If the weight average molecular weight exceeds 1 million, it may be difficult to form a thermosetting adhesive layer having a constant thickness using the obtained adhesive composition.

열경화제는, 예를 들어, 열경화성 화합물이 에폭시 수지를 함유하는 경우에는, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산 등의 열경화형 산무수물계 경화제, 페놀계 경화제, 아민계 경화제, 디시안디아미드 등의 잠재성 경화제, 카티온계 촉매형 경화제 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지용 경화제는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 그 중에서도, 열경화형 산무수물계 경화제가 바람직하다. 열경화제로서 열경화형 산무수물계 경화제를 사용하면 열경화 속도가 빠르기 때문에, 경화물에 있어서의 보이드를 효과적으로 저감할 수 있어, 얻어지는 접착 시트를 이용하여 보다 신뢰성이 우수한 반도체 칩 실장체를 제조할 수 있다.When the thermosetting compound contains an epoxy resin, for example, the thermosetting agent may be a thermosetting acid anhydride-based curing agent such as trialkyltetrahydrophthalic anhydride, a phenolic curing agent, an amine-based curing agent, a latent curing agent such as dicyandiamide , Cationic catalyst type curing agents, and the like. These curing agents for epoxy resins may be used alone or in combination of two or more. Among them, a thermosetting acid anhydride-based curing agent is preferable. When the thermosetting acid anhydride-based curing agent is used as the thermosetting agent, the thermosetting rate is fast, voids in the cured product can be effectively reduced, and the resulting adhesive sheet can be used to manufacture a semiconductor chip- have.

열경화제의 배합량은, 열경화성 화합물의 관능기와 등량 반응하는 열경화제를 사용하는 경우에는, 열경화성 화합물의 관능기량에 대한 바람직한 하한이 0.8 당량, 바람직한 상한이 1.2 당량이다. 열경화제의 배합량이 0.8 당량 미만이면, 얻어지는 열경화성 접착제층을 가열해도 충분히 경화시킬 수 없는 경우가 있으며, 특히 접착 시트의 보관 중에 열경화제가 열경화성 접착제층으로부터 유연층으로 이행된 경우에는 심각한 경화 부족이 되는 경우가 있다. 열경화제의 배합량이 1.2 당량을 초과해도 특히 열경화성 접착제층의 열경화성에 기여하지 않아, 과잉의 열경화제가 휘발됨으로써 보이드의 원인이 되는 경우가 있다.When the thermosetting agent is used in an amount equivalent to the functional group of the thermosetting compound, the preferable lower limit to the amount of the functional group of the thermosetting compound is 0.8 equivalent, and the preferable upper limit is 1.2 equivalent. If the compounding amount of the thermosetting adhesive agent is less than 0.8 equivalent, the resulting thermosetting adhesive layer may not be sufficiently cured even by heating. In particular, when the thermosetting adhesive layer is transferred from the thermosetting adhesive layer to the flexible layer during storage of the adhesive sheet, . If the blending amount of the thermosetting agent exceeds 1.2 equivalents, it does not contribute to the thermosetting property of the thermosetting adhesive layer in some cases, and the excessive thermosetting agent is volatilized, which may cause voids.

또한, 접착 시트의 보관 중에 열경화제가 열경화성 접착제층으로부터 유연층으로 이행되어 버리는 것을 고려하면, 열경화제의 배합량은, 열경화성 화합물의 관능기량에 대한 바람직한 하한이 0.9 당량이다. 단, 열경화제의 배합량이 0.9 당량 미만이라도, 상기 서술한 바와 같이 유연층이 열경화성 접착제층에 함유되는 열경화제와 동일한 열경화제를 함유하는 경우에는, 열경화제의 이행을 억제하거나 지연하거나 할 수 있으므로 심각한 문제는 되지 않는다.Considering that the thermosetting adhesive layer is transferred from the thermosetting adhesive layer to the flexible layer during storage of the adhesive sheet, the amount of the thermosetting agent to be blended is preferably 0.9 equivalent to the amount of the functional group of the thermosetting compound. However, even when the blending amount of the thermosetting agent is less than 0.9 equivalent, when the flexible layer contains the same thermosetting agent as the thermosetting agent contained in the thermosetting adhesive layer, the transfer of the thermosetting agent can be suppressed or delayed There is no serious problem.

광경화성 화합물은, 예를 들어, 라디칼에 의해 가교 가능한 이중 결합을 갖는 아크릴 폴리머 등을 들 수 있다.The photo-curing compound includes, for example, an acrylic polymer having a double bond capable of being crosslinked by a radical.

아크릴 폴리머는, 예를 들어, 이소보로닐아크릴레이트, 2-에틸헥실아크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 2-하이드록시에틸메타크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트 등으로 이루어진 분자량 5 만 ∼ 60 만 정도의 중합체 또는 공중합체에, 이중 결합으로 반응하도록 메타크릴레이트기를 우레탄 결합으로 결합시킨 수지 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 이중 결합의 양이 약 1 meq/g 인 아크릴레이트, 메타크릴레이트의 중합체 또는 공중합체가 바람직하다. 이들 아크릴 폴리머는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The acrylic polymer is a polymer having a molecular weight of, for example, isobornyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, butyl acrylate, methyl methacrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate and glycidyl methacrylate And a resin in which a methacrylate group is bonded with a urethane bond to react with a polymer or copolymer of about 50,000 to 600,000 by a double bond. Of these, polymers or copolymers of acrylates, methacrylates having an amount of double bonds of about 1 meq / g are preferred. These acrylic polymers may be used alone or in combination of two or more.

광경화성 화합물을 사용하는 경우, 접착제 조성물에는 광중합 개시제가 배합되는 것이 바람직하다.When a photocurable compound is used, it is preferable that a photopolymerization initiator is blended in the adhesive composition.

광중합 개시제는, 예를 들어 250 ∼ 800 ㎚ 파장의 광을 조사함으로써 활성화되는 광중합 개시제가 바람직하고, 예를 들어, 메톡시아세토페논 등의 아세토페논 유도체 화합물이나, 벤조인프로필에테르, 벤조인이소부틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물이나, 벤질디메틸케탈, 아세토페논디에틸케탈 등의 케탈 유도체 화합물이나, 포스핀옥사이드 유도체 화합물이나, 비스(η5-시클로펜타디에닐)티타노센 유도체 화합물, 벤조페논, 미힐러케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, α-하이드록시시클로헥실페닐케톤, 2-하이드록시메틸페닐프로판 등의 광라디칼 중합 개시제 등을 들 수 있다. 이들 광중합 개시제는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.As the photopolymerization initiator, for example, a photopolymerization initiator which is activated by irradiation with light having a wavelength of 250 to 800 nm is preferable. For example, acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone, benzoinpropyl ether, benzoinisobutyl (Eta 5-cyclopentadienyl) titanocene derivative compounds such as benzophenone, acetophenone diethyl ketal, and the like, benzoin ether compounds such as benzoin dimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal, Photo-radical polymerization initiators such as Heilan ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone,? -Hydroxycyclohexylphenylketone and 2-hydroxymethylphenylpropane have. These photopolymerization initiators may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

광중합 개시제의 배합량은, 경화도, 경제성 등을 고려하면, 광경화성 화합물 100 중량부에 대한 바람직한 하한이 0.05 중량부, 바람직한 상한이 5 중량부이다.The blending amount of the photopolymerization initiator is preferably 0.05 parts by weight, and more preferably 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the photocurable compound, considering the degree of curing and economy.

접착제 조성물이 열경화성 화합물과 광경화성 화합물을 함유하는 경우, 열경화성 화합물 100 중량부에 대한 광경화성 화합물의 배합량의 바람직한 하한은 10 중량부, 바람직한 상한은 40 중량부이다. 광경화성 화합물의 배합량이 10 중량부 미만이면, 얻어지는 열경화성 접착제층에 에너지선을 조사해도, 충분한 형상 유지 효과가 얻어지지 않는 경우가 있다. 광경화성 화합물의 배합량이 40 중량부를 초과하면, 얻어지는 열경화성 접착제층의 경화물의 내열성이 부족한 경우가 있다.When the adhesive composition contains a thermosetting compound and a photocurable compound, the preferable lower limit of the amount of the photocurable compound to 100 parts by weight of the thermosetting compound is 10 parts by weight, and the preferable upper limit is 40 parts by weight. If the compounding amount of the photo-curing compound is less than 10 parts by weight, sufficient shape-retaining effect may not be obtained even when the obtained thermosetting adhesive layer is irradiated with energy rays. If the blending amount of the photo-curing compound exceeds 40 parts by weight, the resulting cured product of the thermosetting adhesive layer may have insufficient heat resistance.

접착제 조성물은, 또한 에폭시 수지와 반응하는 관능기를 갖는 고형 폴리머를 함유해도 된다.The adhesive composition may also contain a solid polymer having a functional group reactive with the epoxy resin.

에폭시기와 반응하는 관능기를 갖는 고형 폴리머는, 예를 들어 아미노기, 우레탄기, 이미드기, 수산기, 카르복실기, 에폭시기 등을 갖는 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 에폭시기를 갖는 폴리머가 바람직하다.Examples of the solid polymer having a functional group reactive with an epoxy group include resins having an amino group, a urethane group, an imide group, a hydroxyl group, a carboxyl group, an epoxy group and the like. Among them, a polymer having an epoxy group is preferable.

접착제 조성물이 에폭시기를 갖는 폴리머를 함유함으로써, 얻어지는 열경화성 접착제층의 경화물은 우수한 가요성을 발현할 수 있다. 따라서, 예를 들어, 접착제 조성물이 다고리형 탄화수소 골격을 주사슬에 갖는 에폭시 수지와 에폭시기를 갖는 폴리머를 함유하는 경우, 얻어지는 열경화성 접착제층의 경화물은, 다고리형 탄화수소 골격을 주사슬에 갖는 에폭시 수지에서 유래하는 우수한 기계적 강도, 우수한 내열성 및 우수한 내습성과, 에폭시기를 갖는 폴리머에서 유래하는 우수한 가요성을 가져, 얻어지는 접착 시트를 이용하여 우수한 내냉열 사이클성, 내땜납 리플로우성, 치수 안정성 및 접착 신뢰성 등을 실현할 수 있다.When the adhesive composition contains a polymer having an epoxy group, the cured product of the obtained thermosetting adhesive layer can exhibit excellent flexibility. Thus, for example, when the adhesive composition contains an epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton as a main chain and a polymer having an epoxy group, the obtained cured product of the thermosetting adhesive layer is an epoxy resin having a polycyclic hydrocarbon skeleton as a main chain Excellent heat resistance and excellent moisture resistance, and excellent flexibility derived from a polymer having an epoxy group, which are excellent in resistance to heat and cold cycles, solder reflow resistance, dimensional stability and adhesion reliability And so on.

에폭시기를 갖는 폴리머는, 말단 및/또는 측사슬에 에폭시기를 갖는 폴리머이면 되고, 예를 들어, 에폭시기 함유 아크릴 고무, 에폭시기 함유 부타디엔 고무, 비스페놀형 고분자량 에폭시 수지, 에폭시기 함유 페녹시 수지, 에폭시기 함유 아크릴 폴리머, 에폭시기 함유 우레탄 수지, 에폭시기 함유 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 이들 에폭시기를 갖는 폴리머는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 그 중에서도, 에폭시기를 많이 함유하여, 얻어지는 열경화성 접착제층의 경화물의 기계적 강도 및 내열성을 보다 높일 수 있는 점에서, 에폭시기 함유 아크릴 폴리머가 바람직하다.The polymer having an epoxy group may be a polymer having an epoxy group at the terminal and / or side chain, and examples thereof include an epoxy group-containing acrylic rubber, an epoxy group-containing butadiene rubber, a bisphenol-type high molecular weight epoxy resin, an epoxy group-containing phenoxy resin, A polymer, an epoxy group-containing urethane resin, and an epoxy group-containing polyester resin. These polymers having epoxy groups may be used alone or in combination of two or more. Among them, an epoxy group-containing acrylic polymer is preferable because it contains a large amount of epoxy groups and can further increase the mechanical strength and heat resistance of the resulting cured product of the thermosetting adhesive layer.

접착제 조성물은, 열경화성 접착제층의 경화 속도 또는 경화물의 물성 등을 조정할 목적으로, 추가로 열경화 촉진제를 함유해도 된다.The adhesive composition may further contain a thermosetting accelerator for the purpose of adjusting the curing rate of the thermosetting adhesive layer or the physical properties of the cured product.

열경화 촉진제는, 예를 들어 이미다졸계 경화 촉진제, 3 급 아민계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 이들 열경화 촉진제는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다. 그 중에서도, 경화 속도 또는 경화물의 물성 등을 조정하기 위한 반응계의 제어를 하기 쉬운 점에서, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하다.Examples of the thermal curing accelerator include an imidazole-based curing accelerator, a tertiary amine-based curing accelerator, and the like. These thermosetting accelerators may be used alone or in combination of two or more. Among them, an imidazole-based curing accelerator is preferable in that it is easy to control the reaction system for adjusting the curing rate or physical properties of the cured product.

이미다졸계 경화 촉진제는, 예를 들어, 이미다졸의 1 위치를 시아노에틸기로 보호한 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 이소시아눌산으로 염기성을 보호한 이미다졸계 경화 촉진제 (상품명 「2MA-OK」, 시코쿠 화성 공업사 제조), 액상 이미다졸 (상품명 「FUJICURE 7000」, T＆K TOKA 사 제조) 등을 들 수 있다. 또한, 그 외에 예를 들어, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-에틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐-4,5-디-(시아노에톡시메틸)이미다졸, 1,8-디아자비시클로(5.4.0)운데센-7 등의 이미다졸 화합물, 및 이들의 유도체 등을 들 수 있다. 이들 이미다졸계 경화 촉진제는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.The imidazole-based curing accelerator is, for example, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole in which 1 position of imidazole is protected with a cyanoethyl group, imidazole-based curing accelerator in which basicity is protected with isocyanuric acid (Trade name " 2MA-OK ", manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.) and liquid imidazole (trade name: FUJICURE 7000, manufactured by T & K TOKA). Further, in addition to the above, there may be mentioned, for example, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-methylimidazole, 1-cyanoethyl- Imidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-ethylimidazole, 1-benzyl- , Imidazole compounds such as 5-di- (cyanoethoxymethyl) imidazole and 1,8-diazabicyclo (5.4.0) undecene-7, and derivatives thereof. These imidazole-based curing accelerators may be used alone or in combination of two or more.

열경화 촉진제의 배합량은, 열경화제 100 중량부에 대한 바람직한 하한이 5 중량부, 바람직한 상한이 50 중량부이다. 열경화 촉진제의 배합량이 5 중량부 미만이면, 얻어지는 열경화성 접착제층을 가열해도 충분히 경화시킬 수 없는 경우가 있으며, 특히 접착 시트의 보관 중에 열경화 촉진제가 열경화성 접착제층으로부터 유연층으로 이행된 경우에는 심각한 경화 부족이 되는 경우가 있다. 열경화 촉진제의 배합량이 50 중량부를 초과해도 특별히 열경화성 접착제층의 열경화성에 기여하지 않는다.The blending amount of the thermosetting accelerator is preferably 5 parts by weight, and more preferably 50 parts by weight, based on 100 parts by weight of the thermosetting agent. If the blending amount of the thermosetting accelerator is less than 5 parts by weight, the resulting thermosetting adhesive layer may not be sufficiently cured even by heating. In particular, when the thermosetting promoter is transferred from the thermosetting adhesive layer to the flexible layer during storage of the adhesive sheet, There may be a shortage of curing. If the blending amount of the thermosetting accelerator is more than 50 parts by weight, it does not particularly contribute to the thermosetting property of the thermosetting adhesive layer.

열경화성 접착제층에 있어서의 열경화제 및/또는 열경화 촉진제의 배합량은, 본 발명의 접착 시트를 제조하여, 실온에서 2 주간 보관한 후에 상기 서술한 범위 내로 유지되어 있는 것이 바람직하다.The blending amount of the thermosetting agent and / or the thermosetting promoter in the thermosetting adhesive layer is preferably kept within the above-mentioned range after the adhesive sheet of the present invention is prepared and stored at room temperature for 2 weeks.

단, 열경화제 및/또는 열경화 촉진제는, 접착 시트의 보관 중에 열경화성 접착제층으로부터 유연층으로 이행되어 버리는 경우가 있다. 이와 같은 열경화제 및/또는 열경화 촉진제의 이행은, 유연층이 가교 아크릴 폴리머로 이루어지기 때문에 생기기 쉬워지는 것으로 생각된다. 특히 열경화제 및/또는 열경화 촉진제가 액상 성분 또는 용제 가용 성분인 경우에는, 열경화제 및/또는 열경화 촉진제는, 접착 시트의 보관 중에 열경화성 접착제층으로부터 유연층으로 이행되기 쉬워지는 것이 염려된다.However, the thermosetting agent and / or the thermosetting promoter may be transferred from the thermosetting adhesive layer to the flexible layer during storage of the adhesive sheet. It is considered that the transition of the thermosetting agent and / or the thermosetting promoter becomes easy because the flexible layer is made of the crosslinked acrylic polymer. In particular, when the thermosetting agent and / or the thermosetting accelerator is a liquid component or a solvent-soluble component, the thermosetting agent and / or the thermosetting promoter may be easily transferred from the thermosetting adhesive layer to the flexible layer during storage of the adhesive sheet.

열경화제 및/또는 열경화 촉진제가 접착 시트의 보관 중에 열경화성 접착제층으로부터 유연층으로 이행되어 버린 경우라도, 열경화성 접착제층을 충분히 경화시키기 위해서는, 예를 들어, 미리 원하는 재료에 의해 원하는 두께로 형성한 유연층과 열경화성 접착제층을 적층하여, 일정 기간 경과 후에 이행되는 열경화제 및/또는 열경화 촉진제의 양을 관찰하여, 열경화성 접착제층에 당해 이행량분을 잉여로 첨가하는 방법, 상기 서술한 바와 같이 유연층에 열경화제 및/또는 열경화 촉진제를 배합해 두는 방법 등을 들 수 있다.In order to sufficiently cure the thermosetting adhesive layer even when the thermosetting adhesive and / or the thermosetting promoter is transferred from the thermosetting adhesive layer to the flexible layer during storage of the adhesive sheet, for example, A method of laminating a flexible layer and a thermosetting adhesive layer to observe the amount of the thermosetting agent and / or the thermosetting promoter to be transferred after a lapse of a predetermined period of time and adding the amount of the transfuse to the thermosetting adhesive layer in excess; And a method of mixing a thermosetting agent and / or a thermosetting accelerator to the layer.

본 발명의 접착 시트를 제조하여, 실온에서 2 주간 보관한 후에 있어서의 열경화성 접착제층 및 수지 기재의 유연층에 있어서의 열경화제 및/또는 열경화 촉진제의 배합량은, 예를 들어 GC-MS 측정을 실시함으로써 직접적으로 구할 수 있다.The blending amount of the thermosetting adhesive and / or the thermosetting promoter in the thermosetting adhesive layer and the flexible layer of the resin substrate after the adhesive sheet of the present invention is manufactured and stored at room temperature for 2 weeks is measured by, for example, GC-MS Can be obtained directly.

또한, 열경화성 접착제층의 물성 변화를 조사함으로써, 열경화제 및/또는 열경화 촉진제의 이행 정도를 간접적으로 조사할 수도 있다. 예를 들어, 시차 주사 열량 측정 (DSC) 에 의해, 본 발명의 접착 시트의 제조 직후, 및 실온에서 2 주간 보관한 후에 있어서의 열경화성 접착제층의 유리 전이 온도 (Tg) 를 측정하여, Tg 의 변화량을 구함으로써, 열경화제 및/또는 열경화 촉진제의 이행 정도를 조사할 수 있다.Further, the degree of migration of the thermosetting agent and / or the thermosetting promoter can be indirectly examined by examining the change in physical properties of the thermosetting adhesive layer. For example, the glass transition temperature (Tg) of the thermosetting adhesive layer is measured by differential scanning calorimetry (DSC) immediately after the production of the adhesive sheet of the present invention and after storage at room temperature for 2 weeks, The degree of migration of the thermosetting agent and / or the thermosetting promoter can be investigated.

또한, 접착 시트의 제조 직후란, 접착 시트의 제조로부터 3 시간 이내인 것이 바람직하다. 단, 접착 시트의 제조로부터 3 시간보다 긴 시간이 경과한 경우라도, 접착 시트를 제조하여 즉시 10 ℃ 이하에서 냉장 보존한 경우에는, 접착 시트의 제조 직후로 간주할 수 있다.Immediately after the production of the adhesive sheet is preferably within 3 hours from the production of the adhesive sheet. However, even when a time longer than 3 hours has elapsed from the production of the adhesive sheet, when the adhesive sheet is immediately prepared and stored at 10 ° C or lower in a refrigerator, it can be regarded as immediately after the production of the adhesive sheet.

본 발명의 접착 시트의 제조 직후와, 실온에서 2 주간 보관한 후에 있어서의 열경화성 접착제층의 Tg 의 변화량은, 3 ℃ 미만인 것이 바람직하고, 2 ℃ 미만인 것이 보다 바람직하다. Tg 의 변화량이 3 ℃ 이상이면, 반도체 칩 실장체의 신뢰성이 저하되는 경우가 있다. Tg 의 변화량을 3 ℃ 미만으로 조정하는 방법으로서, 예를 들어, 상기 서술한 바와 같이, 열경화성 접착제층에 이행량분을 잉여로 첨가하거나, 유연층에 열경화제를 배합하거나 하는 방법을 들 수 있다.The amount of change in Tg of the thermosetting adhesive layer immediately after the production of the adhesive sheet of the present invention and after storage at room temperature for 2 weeks is preferably less than 3 캜 and more preferably less than 2 캜. If the change amount of Tg is 3 DEG C or more, the reliability of the semiconductor chip mounting body may be lowered. As a method for adjusting the change amount of Tg to less than 3 占 폚, for example, there can be mentioned a method of adding a transition amount to the thermosetting adhesive layer in excess or adding a thermosetting agent to the flexible layer as described above.

또한, DSC 에 의해 관측되는 열경화성 접착제층의 Tg 는, 0 ℃ 이상 20 ℃ 미만이 바람직하다. Tg 가 0 ℃ 미만이면, 택에 의해 작업성이 저하되는 경우가 있다. Tg 가 20 ℃ 이상이면, 수지 기재를 박리할 때나 연삭시에, 열경화성 접착제층의 균열이 생기거나 크랙이 생기거나 하는 경우가 있다. Tg 는 3 ℃ 이상 15 ℃ 미만인 것이 보다 바람직하다.The Tg of the thermosetting adhesive layer observed by DSC is preferably 0 占 폚 or more and less than 20 占 폚. If the Tg is less than 0 占 폚, the workability may deteriorate in some cases. When the Tg is 20 占 폚 or more, cracks or cracks may occur in the thermosetting adhesive layer when the resin base material is peeled off or during grinding. The Tg is more preferably 3 ° C or more and less than 15 ° C.

접착제 조성물은, 무기 충전재를 함유하는 것이 바람직하다.The adhesive composition preferably contains an inorganic filler.

접착제 조성물에 무기 충전재를 배합함으로써, 얻어지는 열경화성 접착제층의 경화물의 기계적 강도를 확보할 수 있고, 또한 경화물의 선팽창률을 저하시켜 높은 접합 신뢰성을 실현할 수 있다.By compounding the inorganic filler in the adhesive composition, the mechanical strength of the cured product of the obtained thermosetting adhesive layer can be ensured, and the linear expansion rate of the cured product can be lowered, realizing high bonding reliability.

무기 충전재는, 예를 들어, 실리카 입자, 유리 입자, 알루미나 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 열경화성 접착제층의 저장 탄성률을 원하는 범위 내로 조정하는 것이 용이한 점에서 실리카 입자가 바람직하고, 특히 유동성이나 접합 신뢰성 등의 점에서 구상 실리카가 바람직하다.Examples of the inorganic filler include silica particles, glass particles, alumina, and the like. Among them, silica particles are preferable in view of easiness of adjusting the storage elastic modulus of the thermosetting adhesive layer to a desired range, and spherical silica is particularly preferable in view of fluidity and bonding reliability.

무기 충전재의 평균 입자경의 바람직한 하한은 0.01 ㎛, 바람직한 상한은 1 ㎛ 이다. 평균 입자경이 0.01 ㎛ 미만이면, 열경화성 접착제층을 형성하기 위한 접착제 용액의 점도가 증대하기 때문에, 그 접착제 용액의 유동성 및 도공성이 저하되는 경우가 있다. 또한, 접착제 용액의 점도가 증대되면, 얻어지는 접착 시트는 반도체 웨이퍼 원판에 첩합될 때에 추종성이 저하되고, 보이드가 생기기 쉬워져 반도체 칩 실장체의 신뢰성이 저하되는 경우가 있다. 평균 입자경이 1 ㎛ 를 초과하면, 열경화성 접착제층의 투명성이 손상되기 때문에, 플립 칩 실장에 있어서, 열경화성 접착제층을 개재하여 반도체 칩 상의 얼라이먼트 마크 또는 돌기 전극을 인식할 수 없는 경우가 있다. 평균 입자경의 보다 바람직한 하한은 0.02 ㎛, 보다 바람직한 상한은 0.5 ㎛, 더 바람직한 하한은 0.05 ㎛, 더욱 바람직한 상한은 0.3 ㎛ 이다.The preferable lower limit of the average particle diameter of the inorganic filler is 0.01 mu m, and the preferable upper limit is 1 mu m. If the average particle diameter is less than 0.01 占 퐉, the viscosity of the adhesive solution for forming the thermosetting adhesive layer is increased, so that the fluidity and the coating property of the adhesive solution sometimes deteriorate. In addition, if the viscosity of the adhesive solution is increased, the resulting adhesive sheet may deteriorate in followability when adhering to a semiconductor wafer original plate, voids tend to occur, and reliability of the semiconductor chip mounting body may be lowered. If the average particle diameter exceeds 1 占 퐉, the transparency of the thermosetting adhesive layer is impaired, so that alignment marks or protruding electrodes on the semiconductor chip may not be recognized through the thermosetting adhesive layer during flip chip mounting. A more preferable lower limit of the average particle diameter is 0.02 mu m, a more preferable upper limit is 0.5 mu m, a more preferable lower limit is 0.05 mu m, and a more preferable upper limit is 0.3 mu m.

또한, 접착제 용액의 도공성의 향상과 열경화성 접착제층의 투명성의 향상을 함께 달성하기 위해, 상이한 평균 입자경을 갖는 2 종류 이상의 무기 충전재를 병용해도 된다.Two or more kinds of inorganic fillers having different average particle diameters may be used in combination in order to improve the coating property of the adhesive solution and the transparency of the thermosetting adhesive layer at the same time.

열경화성 접착제층의 두께의 바람직한 하한은 5 ㎛, 바람직한 상한은 150 ㎛ 이다. 열경화성 접착제층의 두께가 5 ㎛ 미만이면, 얻어지는 열경화성 접착제층은 경화물의 접착력이 부족한 경우가 있다. 열경화성 접착제층의 두께가 150 ㎛ 를 초과하면, 얻어지는 접착 시트를 이용하여 제조되는 반도체 칩 실장체가 지나치게 두꺼워지는 경우가 있다.The preferable lower limit of the thickness of the thermosetting adhesive layer is 5 占 퐉, and the preferable upper limit is 150 占 퐉. If the thickness of the thermosetting adhesive layer is less than 5 占 퐉, the obtained thermosetting adhesive layer may have insufficient adhesive force of the cured product. If the thickness of the thermosetting adhesive layer is more than 150 占 퐉, the semiconductor chip mounting material produced using the resulting adhesive sheet may become excessively thick.

열경화성 접착제층의 두께는, 돌기 전극의 높이에 따라 조정하는 것이 바람직하고, 돌기 전극의 높이와 동등 또는 그 이하의 두께인 것이 바람직하다.The thickness of the thermosetting adhesive layer is preferably adjusted in accordance with the height of the protruding electrodes and is preferably equal to or less than the height of the protruding electrodes.

본 발명의 접착 시트를 제조하는 방법은, 예를 들어 수지 기재를 제조한 후, 적당한 용매로 희석한 접착제 조성물을 수지 기재의 유연층 상에 도공한 후, 건조시키는 방법 등을 들 수 있다.The method for producing the adhesive sheet of the present invention includes, for example, a method in which an adhesive composition diluted with an appropriate solvent is coated on a flexible layer of a resin substrate after the resin substrate is prepared and then dried.

도공하는 방법은, 예를 들어 콤마 코트, 그라비아 코트, 다이 코트 등의 코팅법이나 캐스팅법을 들 수 있다.Examples of the coating method include a coating method such as a comma coat, a gravure coat and a die coat, and a casting method.

수지 기재를 제조하는 방법은, 예를 들어, 경질층이 되는 필름의 적어도 일방의 면에 라미네이터를 이용하여 유연층이 되는 필름을 적층하는 방법, 공압출 장치를 이용한 성형에 의한 방법, 경질층 상에 유연층이 되는 수지의 도액을 도포한 후, 건조하는 방법 등을 들 수 있다.The resin substrate can be produced by, for example, a method of laminating a film to be a flexible layer on at least one surface of a film to be a hard layer using a laminator, a molding method using a co-extrusion apparatus, A method of applying a coating liquid of a resin to become a flexible layer, and then drying.

본 발명의 접착 시트를 사용하는 반도체 칩의 실장 방법으로서, 본 발명의 접착 시트의 열경화성 접착제층과, 회로가 형성됨과 함께 돌기 전극을 갖는 반도체 웨이퍼 원판의 표면을 첩합하는 공정 1 과, 본 발명의 접착 시트가 첩합된 반도체 웨이퍼 원판의 이면을 연삭하는 공정 2 와, 연삭 후의 반도체 웨이퍼에 첩합된 본 발명의 접착 시트로부터 수지 기재만을 박리하여, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼를 얻는 공정 3 과, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼를 다이싱하여, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩으로 개편화하는 공정 4 와, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩을, 열경화성 접착제층을 개재하여 기판 또는 다른 반도체 칩에 접착하여 반도체 칩을 실장하는 공정 5 를 이 순서로 구비하는 반도체 칩의 실장 방법도 또한, 본 발명의 하나이다.A method for mounting a semiconductor chip using the adhesive sheet of the present invention is characterized by comprising the step of bonding a thermosetting adhesive layer of the adhesive sheet of the present invention and a surface of a semiconductor wafer original plate having a protruding electrode with a circuit formed thereon, A step 2 of grinding the back surface of a semiconductor wafer original plate to which an adhesive sheet is adhered, a step 3 of peeling only the resin base material from the adhesive sheet of the present invention bonded to the semiconductor wafer after grinding to obtain a semiconductor wafer with a thermosetting adhesive layer, A step 4 of dicing a semiconductor wafer to which a thermosetting adhesive layer is adhered and separating the semiconductor wafer into a semiconductor chip with a thermosetting adhesive layer attached thereto and a step of bonding the semiconductor chip with the thermosetting adhesive layer to a substrate or another semiconductor chip And a step 5 of bonding the semiconductor chip to the semiconductor chip One, one of the present invention.

이와 같은 반도체 칩의 실장 방법에 의해 실장되는 표면에 돌기 전극을 갖는 반도체 칩으로서, 예를 들어 플립 칩, TSV 등을 들 수 있다.As the semiconductor chip having protruding electrodes on the surface to be mounted by such a semiconductor chip mounting method, for example, flip chip, TSV and the like can be mentioned.

또한, 이하의 설명에 있어서, 본 발명의 반도체 칩의 실장 방법을 간단히 본 발명 방법이라고 기재한다.In the following description, the mounting method of the semiconductor chip of the present invention will be simply referred to as the present invention method.

본 발명 방법에 있어서는, 먼저, 본 발명의 접착 시트의 열경화성 접착제층과, 회로가 형성됨과 함께 돌기 전극을 갖는 반도체 웨이퍼 원판의 표면을 첩합하는 공정 1 을 실시한다.In the method of the present invention, first, the thermosetting adhesive layer of the adhesive sheet of the present invention is subjected to Step 1 in which a circuit is formed and the surface of the semiconductor wafer original plate having protruding electrodes is bonded.

반도체 웨이퍼 원판은, 예를 들어, 실리콘, 갈륨비소 등의 반도체로 이루어지고, 금, 구리, 은-주석 땜납, 알루미늄, 니켈 등으로 이루어진 돌기 전극을 표면에 갖는 반도체 웨이퍼 원판을 들 수 있다.The semiconductor wafer original plate may be, for example, a semiconductor wafer original plate made of a semiconductor such as silicon or gallium arsenide and having protruding electrodes made of gold, copper, silver-tin solder, aluminum, nickel or the like on its surface.

공정 1 은 상압하에서 실시해도 되지만, 밀착성이나 돌기 전극에 대한 추종성을 보다 향상시키기 위해서는, 1 torr 정도의 진공하에서 실시하는 것이 바람직하다. 첩합 방법은, 진공 라미네이터를 사용하는 방법이 바람직하다.Step 1 may be carried out under atmospheric pressure, but it is preferable to carry out the step 1 under a vacuum of about 1 torr in order to further improve adhesiveness and followability to the projecting electrode. The bonding method is preferably a method using a vacuum laminator.

본 발명 방법에 있어서는, 이어서, 본 발명의 접착 시트가 첩합된 반도체 웨이퍼 원판의 이면을 연삭하는 공정 2 를 실시한다. 이로써, 반도체 웨이퍼 원판을 원하는 두께로 연삭한다.In the method of the present invention, a step 2 of grinding the back surface of a semiconductor wafer original plate to which the adhesive sheet of the present invention is applied is performed. Thereby, the semiconductor wafer original plate is ground to a desired thickness.

연삭하는 방법은, 종래 공지된 방법을 사용할 수 있으며, 예를 들어, 시판되는 연삭 장치 (예를 들어, Disco 사 제조의 「DFG8540」 등) 를 이용하여, 2400 rpm 의 회전으로 10 ∼ 0.1 ㎛/s 의 연삭량의 조건으로 연삭을 실시하고, 최종적으로는 CMP 로 마무리하는 방법 등을 들 수 있다.For grinding, conventionally known methods can be used. For example, a commercially available grinding apparatus (e.g., " DFG8540 " manufactured by Disco Co., Ltd.) grinding is performed under the condition of the grinding amount of s, and finally, the grinding is finished by CMP.

열경화성 접착제층의 두께가 반도체 웨이퍼 원판 상의 돌기 전극의 높이보다 두꺼운 경우에는, 공정 2 를 실시하기 전, 돌기 전극은 열경화성 접착제층 중에 매립되어 있다. 그리고, 공정 2 의 연삭시에 가해지는 압력에 의해 돌기 전극의 정상부로부터 접착제가 밀려 떨어져 나간다. 또한, 열경화성 접착제층의 두께가 반도체 웨이퍼 원판 상의 돌기 전극의 높이 이하인 경우에는, 공정 1 및 공정 2 에 있어서, 돌기 전극의 정상부로부터 접착제가 밀려 떨어져 나간다.When the thickness of the thermosetting adhesive layer is thicker than the height of the protruding electrodes on the semiconductor wafer original plate, the protruding electrodes are embedded in the thermosetting adhesive layer before the step 2 is carried out. Then, the adhesive is pushed away from the top of the projection electrode by the pressure applied during grinding in the step 2. When the thickness of the thermosetting adhesive layer is equal to or less than the height of the protruding electrodes on the semiconductor wafer original plate, the adhesive is pushed away from the top of the protruding electrodes in steps 1 and 2.

이때, 후의 공정에 있어서 수지 기재를 박리한 후, 돌기 전극의 정상부가 열경화성 접착제층으로부터 노출될 정도로 돌기 전극의 정상부로부터 충분히 접착제가 밀려 떨어져 나가도 되지만, 반드시 돌기 전극의 정상부가 열경화성 접착제층으로부터 노출될 필요는 없다. 또한, 본 발명의 접착 시트는, 유연층을 가짐으로써 첩합 공정 또는 연삭시에 가해지는 압력에 의해 생기는 돌기 전극의 손상 및 변형을 억제할 수 있기 때문에, 본 발명의 접착 시트를 사용함으로써, 신뢰성이 우수한 반도체 칩 실장체를 제조할 수 있다.At this time, after the resin base material is peeled off in a subsequent step, the adhesive may be sufficiently pushed out from the top of the projecting electrode to the extent that the top of the projecting electrode is exposed from the thermosetting adhesive layer, but the top of the projecting electrode is necessarily exposed from the thermosetting adhesive layer There is no need. Further, since the adhesive sheet of the present invention has a flexible layer, it is possible to suppress the damage and deformation of the projecting electrode caused by the pressure applied at the time of the bonding process or the grinding, so that by using the adhesive sheet of the present invention, An excellent semiconductor chip mounting body can be manufactured.

본 발명 방법에 있어서는, 열경화성 접착제층에 광경화성 화합물이 함유되는 경우, 공정 2 후에, 연삭 후의 반도체 웨이퍼에 첩합된 본 발명의 접착 시트에 에너지선을 조사하여, 열경화성 접착제층을 반경화시키는 공정을 실시해도 된다. 이로써, 열경화성 접착제층의 접착성이 저하되어, 후의 공정에 있어서의 수지 기재의 박리가 용이해진다. 또한 이때, 열경화성 접착제층은 완전한 경화가 아니라 「반경화」 시킴으로써, 열경화성 접착제층은, 후의 공정에 있어서의 기판 또는 다른 반도체 칩과의 접착시에는 더욱 충분한 접착성을 발휘할 수 있다.In the method of the present invention, when the photocurable compound is contained in the thermosetting adhesive layer, after the step 2, the adhesive sheet of the present invention bonded to the semiconductor wafer after the grinding is irradiated with energy rays to perform a process of semi-curing the thermosetting adhesive layer . As a result, the adhesiveness of the thermosetting adhesive layer is lowered, and the resin substrate can be easily peeled off in a subsequent step. Further, at this time, the thermosetting adhesive layer is not completely cured but is "semi-cured" so that the thermosetting adhesive layer can exert more sufficient adhesiveness when bonded to a substrate or another semiconductor chip in a subsequent step.

본 명세서에 있어서 반경화란, 겔 분율이 10 ∼ 60 중량％ 인 것을 의미한다. 겔 분율이 10 중량％ 미만인 열경화성 접착제층은 유동성이 높아, 형상 유지력이 부족하거나, 다이싱시에 깨끗하게 절단되기 곤란해지거나 하는 경우가 있다. 겔 분율이 60 중량％ 를 초과하는 열경화성 접착제층은 접착성이 불충분해져, 이와 같은 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩은 본딩하기 곤란해지는 경우가 있다.In the present specification, the term "radialization" means that the gel fraction is 10 to 60% by weight. The thermosetting adhesive layer having a gel fraction of less than 10% by weight may have a high fluidity, which may result in insufficient shape retention or difficulty in cutting cleanly at the time of dicing. The thermosetting adhesive layer having a gel fraction of more than 60% by weight has insufficient adhesiveness, and the semiconductor chip to which such a thermosetting adhesive layer is adhered may be difficult to be bonded.

또한, 겔 분율은, 예를 들어 아세트산메틸 또는 메틸에틸케톤 등의, 접착제 조성물을 충분히 용해할 수 있는 용해도를 갖는 용제에 반경화시킨 열경화성 접착제층을 침투시켜 충분한 시간 교반하고, 메시를 이용하여 여과한 후, 건조시켜 얻어지는 미용해물의 양으로부터 하기 식 (1) 에 의해 산출할 수 있다.The gel fraction can be measured by, for example, penetrating a thermosetting adhesive layer, such as methyl acetate or methyl ethyl ketone, which has been semi-cured to a solvent having a solubility sufficient for dissolving the adhesive composition, stirring for a sufficient time, (1) from the amount of the undissolved product obtained by drying the dried product.

겔 분율 (중량％) = 100×(W2-W0)/(W1-W0) (1)Gel fraction (% by weight) = 100 x (W 2 -W 0 ) / (W 1 -W 0 ) (1)

식 (1) 중, W0 은 수지 기재의 중량을 나타내고, W1 은 용제에 침지시키기 전의 접착 시트의 중량을 나타내고, W2 는 용제에 침지시켜 건조한 후의 접착 시트의 중량을 나타낸다.In the formula (1), W 0 represents the weight of the resin base material, W 1 represents the weight of the adhesive sheet before immersion in a solvent, and W 2 represents the weight of the adhesive sheet after being immersed in a solvent and dried.

반경화된 상태는, 광경화성 화합물의 종류, 또는 접착제 조성물의 배합을 상기 서술한 바와 같이 선택하거나, 예를 들어 열경화성 접착제층이 광경화성 화합물로서 라디칼에 의해 가교 가능한 이중 결합을 갖는 아크릴 폴리머를 함유하는 경우에는, 에너지선의 조사량을 조정하거나 함으로써 용이하게 달성할 수 있다.The semi-cured state can be selected by selecting the type of photo-curing compound or the combination of the adhesive composition as described above, or by selecting, for example, an acrylic polymer having a double bond capable of crosslinking with a radical as a photo- It can be easily achieved by adjusting the irradiation amount of the energy ray.

예를 들어, 열경화성 접착제층이 광경화성 화합물로서 라디칼에 의해 가교 가능한 이중 결합을 갖는 아크릴 폴리머를 함유하는 경우, 에너지선의 조사에 의해 발생한 라디칼이, 아크릴로일기의 탄소-탄소 이중 결합의 연쇄 반응을 촉진시켜, 3 차원 네트워크 구조를 형성하여 반경화된 상태를 형성한다.For example, when the thermosetting adhesive layer contains an acrylic polymer having a double bond capable of being crosslinked by radicals as a photo-curable compound, the radical generated by irradiation of the energy ray reacts with a chain reaction of the carbonyl double bonds of the acryloyl group Thereby forming a three-dimensional network structure to form a semi-hardened state.

에너지선을 조사하는 방법은, 예를 들어 본 발명의 접착 시트측으로부터, 초고압 수은등을 이용하여, 365 ㎚ 부근의 자외선을 반도체 웨이퍼면에 대한 조도가 60 mW/㎠ 가 되도록 조도를 조절하여 20 초간 조사하는 (적산 광량 1200 mJ/㎠) 방법 등을 들 수 있다.The method of irradiating the energy ray is, for example, an ultra-high pressure mercury lamp from the side of the adhesive sheet of the present invention, for 20 seconds by adjusting the illuminance so that the ultraviolet ray in the vicinity of 365 nm is irradiated onto the semiconductor wafer surface at 60 mW / (Total light amount: 1200 mJ / cm < 2 >).

본 발명 방법에 있어서는, 이어서, 연삭 후의 반도체 웨이퍼에 첩합된 본 발명의 접착 시트로부터, 수지 기재만을 박리하여 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼를 얻는 공정 3 을 실시한다.In the method of the present invention, step 3 is then performed to obtain a semiconductor wafer having a thermosetting adhesive layer attached thereto by peeling only the resin substrate from the adhesive sheet of the present invention bonded to the semiconductor wafer after grinding.

공정 3 에 있어서, 열경화성 접착제층의 접착제는, 돌기 전극의 정상부보다 수지 기재의 유연층측에 부착되기 쉬우므로, 돌기 전극의 정상부에 잔존하는 접착제량은 억제된다. 또한, 에너지선의 조사에 의해 열경화성 접착제층이 반경화되어 있는 경우에는, 수지 기재를 매우 용이하게 박리할 수 있다.In the step 3, the adhesive of the thermosetting adhesive layer is more likely to adhere to the flexible layer side of the resin substrate than the top of the protrusion electrode, so that the amount of the adhesive remaining on the top of the projecting electrode is suppressed. In addition, when the thermosetting adhesive layer is semi-cured by irradiation of energy rays, the resin base material can be peeled very easily.

본 발명 방법에 있어서는, 이어서, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼를 다이싱하여, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩으로 개편화하는 공정 4 를 실시한다.In the method of the present invention, the semiconductor wafer with the thermosetting adhesive layer is diced and the step 4 is performed to separate the semiconductor wafer into the semiconductor chip with the thermosetting adhesive layer attached thereto.

다이싱하는 방법은, 예를 들어, 종래 공지된 지석 (砥石) 이나 레이저 등을 이용하여 절단 분리하는 방법 등을 들 수 있다.Method of dicing, for example, and a method for cutting isolated using a conventional grinding wheel (砥石) or laser.

공정 4 에 있어서는, 에너지선의 조사에 의해 열경화성 접착제층이 반경화되어 있는 경우에는 특히, 열경화성 접착제층에서 기인하는 함몰이 발생하지 않아, 열경화성 접착제층마다 깨끗하게 용이하게 절단할 수 있다. 또한, 열경화성 접착제층이 반경화되어 있는 경우에는 특히, 절삭 부스러기가 열경화성 접착제층에 부착되는 것을 억제할 수 있고, 다이싱시에 사용하는 물에 의한 열경화성 접착제층의 열화도 억제할 수 있다.In step 4, when the thermosetting adhesive layer is semi-cured by the irradiation of the energy rays, the recesses caused by the thermosetting adhesive layer do not occur in particular, and the thermosetting adhesive layer can be easily cut easily and cleanly. In addition, when the thermosetting adhesive layer is semi-cured, it is possible to suppress the adhesion of cutting debris to the thermosetting adhesive layer, and deterioration of the thermosetting adhesive layer due to water used for dicing can be suppressed.

본 발명 방법에 있어서는, 이어서, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩을, 열경화성 접착제층을 개재하여 기판 또는 다른 반도체 칩에 접착하여 반도체 칩을 실장하는 공정 5 를 실시한다.In the method of the present invention, a semiconductor chip having a thermosetting adhesive layer is bonded to a substrate or another semiconductor chip via a thermosetting adhesive layer to perform a step 5 for mounting the semiconductor chip.

또한, 열경화성 접착제층이 반경화되어 있는 경우라도, 열경화성 접착제층은 또한 충분한 접착성을 가지고 있어, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩을 열경화성 접착제층을 개재하여 기판 또는 다른 반도체 칩에 접착할 수 있다.Further, even when the thermosetting adhesive layer is semi-cured, the thermosetting adhesive layer also has sufficient adhesiveness, so that the semiconductor chip to which the thermosetting adhesive layer is adhered can be bonded to the substrate or another semiconductor chip via the thermosetting adhesive layer .

또한, 본 명세서에 있어서 반도체 칩의 실장이란, 기판 상에 반도체 칩을 실장하는 경우와, 기판 상에 실장되어 있는 1 이상의 반도체 칩 상에 추가로 반도체 칩을 실장하는 경우의 양방을 포함한다.In this specification, mounting of a semiconductor chip includes both of mounting a semiconductor chip on a substrate and mounting the semiconductor chip on one or more semiconductor chips mounted on the substrate.

공정 5 에 의해 반도체 칩을 실장한 후, 추가로 가열함으로써 열경화성 접착제층을 경화시키는 공정 6 을 실시함으로써, 보다 안정적인 접합 상태를 실현할 수 있어 접속 신뢰성이 우수한 반도체 장치를 얻을 수 있다.By performing Step 6 of curing the thermosetting adhesive layer by mounting the semiconductor chip by Step 5 and further heating the semiconductor chip, a more stable bonding state can be realized and a semiconductor device having excellent connection reliability can be obtained.

상기의 설명에 있어서는, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼를 얻는 공정 3 을 실시한 후, 그 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼를 다이싱하여, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩으로 개편화하는 공정 4 를 실시하였다.In the above description, the step 3 of obtaining the semiconductor wafer with the thermosetting adhesive layer attached thereto, the step 4 of dicing the semiconductor wafer with the thermosetting adhesive layer thereon and separating the semiconductor wafer into the semiconductor chip with the thermosetting adhesive layer attached thereto Respectively.

다른 양태로서, 공정 3 에서 얻어진 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼 상에, 열경화성 접착제층을 개재하여 다른 반도체 웨이퍼를 적층하여 반도체 웨이퍼 적층체를 제조하고, 얻어진 반도체 웨이퍼 적층체를 일괄적으로 다이싱하여, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩의 적층체를 얻어도 된다.As another aspect, another semiconductor wafer is laminated on a semiconductor wafer having the thermosetting adhesive layer attached thereto obtained in the step 3 via a thermosetting adhesive layer to produce a semiconductor wafer laminate, and the obtained semiconductor wafer laminate is diced Thus, a laminate of semiconductor chips to which a thermosetting adhesive layer is adhered may be obtained.

본 발명에 의하면, 돌기 전극의 손상 및 변형을 억제할 수 있어, 신뢰성이 우수한 반도체 칩 실장체의 제조에 바람직하게 사용되는 접착 시트, 및 그 접착 시트를 사용한 반도체 칩의 실장 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an adhesive sheet which can be preferably used for manufacturing a semiconductor chip mounting body which can suppress damages and deformation of protruding electrodes and is excellent in reliability, and a method of mounting a semiconductor chip using the adhesive sheet .

이하에 실시예를 들어 본 발명의 양태를 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에만 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

이하에 실시예 및 비교예에서 사용한 재료를 나타낸다.The materials used in Examples and Comparative Examples are shown below.

(경질층)(Hard layer)

PET 필름 (상품명 「테이진 테트론 필름 HPE」, 두께 25 ㎛, 50 ㎛, 테이진 듀퐁 필름사 제조)PET film (trade name " Teijin Tetronic Film HPE ", thickness 25 占 퐉, 50 占 퐉, manufactured by Teijin DuPont Film Co., Ltd.)

폴리올레핀계 필름 (상품명 「하이시보오브」, 두께 200 ㎛, 하야시카즈지사 제조)Polyolefin film (trade name " Haishibo of ", thickness 200 占 퐉, manufactured by Hayashi Kazuji)

PET 와 폴리에틸렌의 적층 필름 (오쿠라 공업사 제조)A laminated film of PET and polyethylene (manufactured by Okura Kogyo Co., Ltd.)

(유연층)(Flexible layer)

아크릴 폴리머 A (상품명 「SK 다인 1495C」, 소켄 화학사 제조)Acrylic polymer A (trade name " SK Dain 1495C ", manufactured by Soken Chemical & Engineering Co., Ltd.)

아크릴 폴리머 B (상품명 「HT-6537AM」, 신소 공업사 제조)Acrylic polymer B (trade name " HT-6537AM ", manufactured by Shinso Kogyo Co., Ltd.)

폴리에틸렌 필름 (두께 50 ㎛, 오쿠라 공업사 제조)A polyethylene film (thickness: 50 mu m, manufactured by Okura Kogyo Co., Ltd.)

올레핀 필름 (두께 50 ㎛, 표면 주름 가공)Olefin film (thickness: 50 占 퐉, surface wrinkle processing)

이소시아네이트계 가교제 (상품명 「콜로네이트 L-45」, 닛폰 폴리우레탄사 제조)Isocyanate crosslinking agent (trade name: " Colonate L-45 ", manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.)

(열경화성 화합물)(Thermosetting compound)

디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 (에피크론 「HP-7200HH」, DIC 사 제조)Dicyclopentadiene type epoxy resin (Epikron " HP-7200HH ", manufactured by DIC Corporation)

레조르시놀형 에폭시 수지 (데나콜 「EX201P」, 나가세켐텍스사 제조)Resorcinol type epoxy resin (Denacol EX201P, manufactured by Nagase Chemtex Co., Ltd.)

나프탈렌형 에폭시 수지 (에피크론 「HP-4710」, DIC 사 제조)Naphthalene type epoxy resin (Epikron HP-4710, manufactured by DIC)

(에폭시기를 갖는 폴리머)(A polymer having an epoxy group)

에폭시기 함유 아크릴 폴리머 A (상품명 「마프루프 G-2050」, 니치유사 제조)Epoxy group-containing acrylic polymer A (trade name " Mahurup G-2050 &

에폭시기 함유 아크릴 폴리머 B (상품명 「마프루프 G-017581」, 니치유사 제조)Epoxy group-containing acrylic polymer B (trade name " Mahurup G-017581 &

(열경화제)(Thermosetting agent)

산무수물 A (상품명 「YH-307」, 미츠비시 화학사 제조)Acid anhydride A (trade name " YH-307 ", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)

산무수물 B (상품명 「YH-309」, 미츠비시 화학사 제조)Acid anhydride B (trade name " YH-309 ", manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation)

(열경화 촉진제)(Thermal curing accelerator)

이미다졸 화합물 A (상품명 「큐아졸 2MA-OK」, 시코쿠 화성 공업사 제조)Imidazole compound A (trade name " Cueazole 2MA-OK ", manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.)

액상 이미다졸 화합물 B (상품명 「FUJICURE 7000」, T＆K TOKA 사 제조)Liquid imidazole compound B (trade name " FUJICURE 7000 ", manufactured by T & K TOKA)

(광경화성 화합물)(Photo-curing compound)

광경화성 아크릴 폴리머 (2-에틸헥실아크릴레이트와, 이소보르닐아크릴레이트와, 하이드록시에틸아크릴레이트의 공중합체에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트를 부가시킨 것, 분자량 30 만, 이중 결합 당량 0.9 meq/g, SK-2-37, 신나카무라 화학사 제조)Photo-curable acrylic polymer (2-ethylhexyl acrylate, a copolymer of isobornyl acrylate and hydroxyethyl acrylate with 2-methacryloyloxyethyl isocyanate added, molecular weight of 300,000, double bond equivalent 0.9 meq / g, SK-2-37, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)

(광중합 개시제)(Photopolymerization initiator)

상품명 「Esacure 1001」, Lamberti 사 제조Trade name " Esacure 1001 ", manufactured by Lamberti

(실란 커플링제)(Silane coupling agent)

이미다졸실란 커플링제 (상품명 「SP-1000」, 닛코 마테리알즈사 제조)Imidazole silane coupling agent (trade name " SP-1000 ", manufactured by Nikko Matrix Co., Ltd.)

페닐아미노실란 커플링제 (상품명 「KBM-573」, 신에츠 화학 공업사 제조)Phenylamino silane coupling agent (trade name: KBM-573, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

(무기 충전재)(Inorganic filler)

구상 실리카 A (상품명 「SE1050-SPE」, 평균 입경 0.3 ㎛, 아드마텍스사 제조)Spherical silica A (trade name " SE1050-SPE ", average particle diameter 0.3 mu m, manufactured by Admatechs Co., Ltd.)

구상 실리카 B (상품명 「YA050C-MJF」, 평균 입경 0.05 ㎛, 아드마텍스사 제조)Spherical silica B (trade name " YA050C-MJF ", average particle diameter 0.05 mu m, manufactured by Admatechs Co., Ltd.)

흄드 실리카 (상품명 「레오로실 MT10」, 토쿠야마사 제조)Fumed silica (trade name: " Leorosil MT10 ", manufactured by Tokuyama)

(그 외)(etc)

응력 완화 고무계 고분자 (상품명 「AC-4030」, 간츠 화성사 제조)Stress-relieving rubber-based polymer (trade name " AC-4030 ", manufactured by Gansu Chemical Industry Co., Ltd.)

(실시예 1)(Example 1)

(1) 수지 기재의 제조(1) Production of resin substrate

경질층으로서의 두께 50 ㎛ 의 PET 필름의 편측에, 아크릴 폴리머 A 100 중량부에 가교제로서 이소시아네이트계 가교제를 1.6 중량부 배합한 도액을, 콤마 코터를 이용하여 도포하고, 두께 30 ㎛ 의 유연층을 형성하여, 2 층 구조의 수지 기재를 얻었다. 경질층, 유연층 각각의 40 ℃, 80 ℃ 에서의 탄성률을 표 1 에 나타냈다.On one side of a PET film having a thickness of 50 탆 as a hard layer, a coating liquid prepared by blending 1.6 parts by weight of an isocyanate crosslinking agent as a crosslinking agent in 100 parts by weight of the acrylic polymer A was applied using a comma coater to form a flexible layer having a thickness of 30 탆 To obtain a resin substrate having a two-layer structure. The elastic modulus of each of the hard layer and the flexible layer at 40 ° C and 80 ° C is shown in Table 1.

(2) 접착 시트의 제조(2) Production of adhesive sheet

표 1 의 조성에 따라, 각 재료를 MEK 와 혼합하고, 호모디스퍼를 이용하여 교반 혼합하여 접착제 조성물의 50 중량％ 용액을 조제하였다. 수지 기재의 유연층 상에, 콤마 코트법에 의해, 얻어진 접착제 조성물의 50 중량％ 용액을 건조 후의 두께가 60 ㎛ 가 되도록 도공하고, 100 ℃ 에서 5 분간 건조시켜 접착 시트를 얻었다. 사용시까지, 얻어진 열경화성 접착제층의 표면을 이형 처리한 PET 필름의 이형면으로 보호하였다. 열경화성 접착제층의 최저 용융 점도를 표 1 에 나타냈다.According to the composition shown in Table 1, the respective materials were mixed with MEK and stirred with homodisperser to prepare a 50 wt% solution of the adhesive composition. A 50% by weight solution of the obtained adhesive composition was coated on the flexible layer of the resin base by the comma coating method so as to have a thickness of 60 탆 after drying and dried at 100 캜 for 5 minutes to obtain an adhesive sheet. The surface of the obtained thermosetting adhesive layer was protected with a releasing surface of a PET film which had been subjected to release treatment. The lowest melt viscosity of the thermosetting adhesive layer is shown in Table 1.

(3) 반도체 칩의 실장 (實裝)(3) Implementation of semiconductor chip

직경 20 ㎝, 두께 750 ㎛ 이고, 표면에 평균 높이 80 ㎛, 직경 110 ㎛ 의 구형의 Ag-Sn 땜납볼을 250 ㎛ 피치로 다수 갖는 반도체 웨이퍼 원판을 준비하였다. 접착 시트의 열경화성 접착제층을 보호하는 PET 필름을 벗기고, 진공 라미네이터 (상품명 「ATM-812M」, 타카트리사 제조) 를 이용하여, 진공하 (1 torr), 70 ℃, 10 초간의 조건으로 반도체 웨이퍼 원판의 표면 (땜납볼을 갖는 면) 에 첩부 (貼付) 하였다.A semiconductor wafer original plate having a diameter of 20 cm and a thickness of 750 占 퐉 and having a plurality of spherical Ag-Sn solder balls each having a pitch of 250 占 퐉 and having an average height of 80 占 퐉 and a diameter of 110 占 퐉 on its surface was prepared. The PET film for protecting the thermosetting adhesive layer of the adhesive sheet was peeled off and the film was peeled off under vacuum (1 torr) at 70 DEG C for 10 seconds using a vacuum laminator (trade name: ATM-812M, manufactured by Takatori) And then adhered to the surface of the original plate (the surface having the solder balls).

이어서, 이것을 연삭 장치에 부착하여, 반도체 웨이퍼 원판의 이면을 웨이퍼 두께가 약 100 ㎛ 가 될 때까지 연삭하였다. 이때, 연삭의 마찰열에 의해 반도체 웨이퍼 원판의 온도가 상승하지 않도록, 반도체 웨이퍼 원판에 물을 산포하면서 작업을 실시하였다. 연삭 후에는, CMP 프로세스에 의해 알칼리의 실리카 분산 수용액에 의한 연마를 실시함으로써 경면화 가공을 실시하였다.Then, this was attached to an abrasive machine, and the back surface of the original plate of the semiconductor wafer was ground until the wafer thickness became about 100 탆. At this time, the work was performed while spraying water on the original plate of the semiconductor wafer so that the temperature of the original plate of the semiconductor wafer would not rise due to the frictional heat of grinding. After the grinding, polishing with a silica-dispersed aqueous solution of alkali was performed by a CMP process to perform mirror-surface processing.

연마 장치로부터 연삭 후의 반도체 웨이퍼를 떼어내고, 반도체 웨이퍼의 접착 시트가 첩부되어 있지 않은 측의 면에 다이싱 테이프 (상품명 「PE 테이프 ＃6318-B」, 세키스이 화학 공업사 제조) 를 첩부하여 다이싱 프레임에 마운트하였다. 이어서, 접착 시트의 수지 기재측으로부터, 초고압 수은등을 이용하여 365 ㎚ 부근의 자외선을, 반도체 웨이퍼면에 대한 조도가 60 mW/㎠ 가 되도록 조도를 조절하여 20 초간 조사하였다 (적산 광량 1200 mJ/㎠).The semiconductor wafer after the grinding was removed from the polishing apparatus and a dicing tape (trade name "PE Tape # 6318-B" manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) was stuck to the side of the semiconductor wafer on which the adhesive sheet was not adhered, Frame. Subsequently, ultraviolet rays of about 365 nm were irradiated from the resin base material side of the adhesive sheet for 20 seconds while adjusting the illuminance so that the illuminance on the semiconductor wafer surface was 60 mW / cm 2 using an ultra-high pressure mercury lamp (total light amount: 1200 mJ / ).

이어서, 자외선에 의해 반경화된 열경화성 접착제층으로부터 수지 기재를 박리하여, 연삭 후의 반도체 웨이퍼 상에 열경화성 접착제층이 부착된 웨이퍼를 얻었다.Subsequently, the resin base material was peeled off from the thermosetting adhesive layer semi-cured by ultraviolet rays to obtain a wafer to which a thermosetting adhesive layer was adhered on the semiconductor wafer after the grinding.

다이싱 장치 (상품명 「DFD651」, 디스코사 제조) 를 이용하여, 전송 속도 50 ㎜/초로, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼를 10 ㎜×10 ㎜ 의 칩 사이즈로 분할하고 개편화하여, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩을 얻었다.The semiconductor wafer with the thermosetting adhesive layer attached thereto was divided into chip sizes of 10 mm x 10 mm at a transfer speed of 50 mm / sec using a dicing machine (trade name " DFD651 ", Disco) Thereby obtaining a semiconductor chip having a layer thereon.

얻어진 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩을 열풍 건조로 내에서 80 ℃ 에서 10 분간 건조 후, 본딩 장치 (상품명 「DB-100」, 시부야 공업사 제조) 를 이용하여 압력 0.15 ㎫, 온도 230 ℃ 에서 10 초간 압착하여 기판 상에 실장하였다. 이것을 반복하여 5 층의 반도체 칩을 실장한 후, 180 ℃ 에서 30 분간에 걸쳐 경화하여, 반도체 칩 실장체를 얻었다.The obtained semiconductor chip with the thermosetting adhesive layer was dried in a hot-air drying furnace at 80 DEG C for 10 minutes, and then dried at a pressure of 0.15 MPa and a temperature of 230 DEG C for 10 seconds using a bonding machine (trade name: DB-100, manufactured by Shibuya Kogyo Co., Pressed and mounted on a substrate. This was repeated to mount five semiconductor chips, and then cured at 180 DEG C for 30 minutes to obtain a semiconductor chip mounting body.

(실시예 2)(Example 2)

경질층으로서의 두께 50 ㎛ 의 PET 필름의 편측에, 아크릴 폴리머 A 100 중량부에 가교제로서 이소시아네이트계 가교제를 0.8 중량부 배합한 도액을, 건조 후의 두께가 20 ㎛ 가 되도록 도포하고, 건조시켜, 유연층을 형성하여 2 층 구조의 수지 기재를 얻었다.0.8 part by weight of an isocyanate crosslinking agent as a crosslinking agent was added to one side of a PET film having a thickness of 50 占 퐉 as a hard layer to a thickness of 20 占 퐉 and then dried to form a flexible layer To obtain a resin substrate having a two-layer structure.

얻어진 수지 기재를 사용한 것, 표 1 의 조성에 따라 조제한 접착제 조성물을 사용한 것, 및 자외선 조사를 실시하지 않은 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 접착 시트 및 반도체 칩 실장체를 얻었다.An adhesive sheet and a semiconductor chip mounted body were obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin substrate thus obtained, the adhesive composition prepared in accordance with the composition in Table 1, and the ultraviolet ray irradiation were not performed.

(실시예 3 ∼ 5)(Examples 3 to 5)

표 1 의 조성에 따라 조제한 접착제 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 하여, 수지 기재, 접착 시트 및 반도체 칩 실장체를 얻었다.A resin substrate, an adhesive sheet and a semiconductor chip mounted body were obtained in the same manner as in Example 2 except that the adhesive composition prepared according to the composition shown in Table 1 was used.

(실시예 6)(Example 6)

경질층으로서의 두께 50 ㎛ 의 PET 필름의 편측에, 아크릴 폴리머 B 100 중량부에 가교제로서 이소시아네이트계 가교제를 0.8 중량부 배합한 도액을, 건조 후의 두께가 30 ㎛ 가 되도록 도포하고, 건조시켜, 유연층을 형성하여 2 층 구조의 수지 기재를 얻었다.0.8 part by weight of an isocyanate crosslinking agent as a crosslinking agent was blended with 100 parts by weight of acrylic polymer B on one side of a PET film having a thickness of 50 占 퐉 as a hard layer to a thickness of 30 占 퐉 and dried, To obtain a resin substrate having a two-layer structure.

얻어진 수지 기재를 사용한 것, 표 1 의 조성에 따라 조제한 접착제 조성물을 사용한 것, 및 자외선 조사를 실시하지 않은 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 접착 시트 및 반도체 칩 실장체를 얻었다.An adhesive sheet and a semiconductor chip mounted body were obtained in the same manner as in Example 1 except that the resin substrate thus obtained, the adhesive composition prepared in accordance with the composition in Table 1, and the ultraviolet ray irradiation were not performed.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

경질층으로서의 두께 25 ㎛ 의 PET 필름의 편측에, 유연층으로서 두께 50 ㎛ 의 폴리에틸렌 필름을 적층한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여 수지 기재를 얻었다.A resin substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that a polyethylene film having a thickness of 50 占 퐉 was laminated as a flexible layer on one side of a 25 占 퐉 thick PET film as a hard layer.

얻어진 수지 기재를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 접착 시트 및 반도체 칩 실장체를 얻었다.An adhesive sheet and a semiconductor chip mounted body were obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained resin base was used.

(비교예 2 및 3)(Comparative Examples 2 and 3)

표 1 의 조성에 따라 조제한 접착제 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 하여, 수지 기재, 접착 시트 및 반도체 칩 실장체를 얻었다.A resin substrate, an adhesive sheet and a semiconductor chip mounted body were obtained in the same manner as in Example 2 except that the adhesive composition prepared according to the composition shown in Table 1 was used.

(평가 1)(Evaluation 1)

실시예 1 ∼ 6 및 비교예 1 ∼ 3 에 대해, 이하의 평가를 실시하였다. 결과를 표 1 에 나타낸다.The following evaluations were performed on Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 3. The results are shown in Table 1.

(1) 돌기 전극의 손상 유무(1) Damage to protruding electrodes

광학 현미경에 의해, 실장 전의 개편화한 반도체 칩의 관찰을 실시하여 땜납볼 상태를 확인하였다. 땜납볼이 원래의 형상을 유지한 경우를 ○ 로, 땜납볼의 선단이 무너져 변형된 경우를 × 로 하였다.The state of the solder ball was confirmed by observing the semiconductor chip which had been separated before mounting by an optical microscope. A case in which the solder ball retained its original shape was represented by?, And a case where the tip of the solder ball was deformed by collapse was evaluated as?.

(2) 땜납 내열성(2) Solder heat resistance

얻어진 반도체 칩 실장체에 대해, 85 ℃, 85 ％ RH 의 조건하에서 48 시간의 습윤 처리를 실시한 후, 260 ℃, 10 초간의 조건으로 땜납 리플로우 처리를 실시하였다. 이와 같은 일련의 리플로우 처리를 5 회 반복하였다. 5 회째의 리플로우 처리를 실시한 후의 반도체 칩 실장체에 대해, 층간이 박리되었는지 여부에 대해 관찰을 실시하였다. 또한, 층간의 박리에 대한 관찰은, 초음파 탐상 장치 (상품명 「SAT」, SONOSCAN 사 제조) 를 이용하여 실시하였다. 그 후, 이 반도체 칩 실장체의 열경화성 접착제층을 혼산으로 제거하고, 반도체 칩 표면의 질화 실리콘 보호막에 균열이 생겼는지 여부에 대해 관찰을 실시하였다.The obtained semiconductor chip package was subjected to wet treatment for 48 hours under the conditions of 85 캜 and 85% RH, and then solder reflow treatment was performed at 260 캜 for 10 seconds. This series of reflow processes was repeated five times. The semiconductor chip mounting body subjected to the fifth reflow process was observed as to whether or not the interlayer was peeled off. The peeling between the layers was observed using an ultrasonic flaw detector (trade name " SAT ", manufactured by SONOSCAN). Thereafter, the thermosetting adhesive layer of the semiconductor chip mounting body was removed with a mixed acid, and a check was made as to whether or not a crack occurred in the silicon nitride protective film on the surface of the semiconductor chip.

층간 박리 및 보호막의 균열이 관찰되지 않은 경우를 ○ 로, 층간 박리 또는 보호막의 균열이 조금 관찰된 경우를 △ 로, 층간에 눈에 띄는 박리가 확인되거나, 또는 보호막에 눈에 띄는 균열이 관찰된 경우를 × 로 하였다.A case where no delamination of the interlayer peeling and a protective film was observed was indicated by A, a case where a delamination of the interlayer film or a crack of the protective film was slightly observed was regarded as a marked peeling between the layers, And the case was rated as x.

(3) TCT(3) TCT

얻어진 반도체 칩 실장체에 대해, -55 ℃, 9 분간, 125 ℃, 9 분간을 1 사이클로 하는 온도 사이클 시험 (30 분에 1 사이클) 을 실시하고, 1000 사이클 후의 반도체 칩 실장체에 대해, 전술한 초음파 탐상 장치를 이용하여 층간이 박리되었는지 여부에 대해 관찰을 실시하였다. 그 후, 반도체 칩 실장체의 열경화성 접착제층을 혼산으로 제거하고, 반도체 칩 표면의 질화 실리콘 보호막에 균열이 생겼는지 여부에 대해 관찰을 실시하였다.The obtained semiconductor chip mounted body was subjected to a temperature cycle test (one cycle every 30 minutes) in which the cycle was made to be one cycle at -55 DEG C for 9 minutes and at 125 DEG C for 9 minutes. Then, with respect to the semiconductor chip package after 1000 cycles, An ultrasonic inspection apparatus was used to observe whether or not the delamination occurred. Thereafter, the thermosetting adhesive layer of the semiconductor chip mounting body was removed with a mixed acid, and it was observed whether or not a crack occurred in the silicon nitride protective film on the surface of the semiconductor chip.

층간 박리 및 보호막의 균열이 관찰되지 않은 경우를 ○ 로, 층간 박리 또는 보호막의 균열이 조금 관찰된 경우를 △ 로, 층간에 눈에 띄는 박리가 확인되거나, 또는 보호막에 눈에 띄는 균열이 관찰된 경우를 × 로 하였다.A case where no delamination of the interlayer peeling and a protective film was observed was indicated by A, a case where a delamination of the interlayer film or a crack of the protective film was slightly observed was regarded as a marked peeling between the layers, And the case was rated as x.

(4) 보이드(4) void

얻어진 반도체 칩 실장체에 대해, 전술한 초음파 탐상 장치를 이용하여 관찰하였다. 칩 면적에 대한 보이드 발생 부분의 면적이 5 ％ 미만인 경우를 ○ 로, 5 ％ 이상 10 ％ 미만인 경우를 △ 로, 10 ％ 이상인 경우를 × 로 하였다.The obtained semiconductor chip package was observed using the above-described ultrasonic flaw detector. A case where the area of the void generation portion with respect to the chip area was less than 5% was rated as & cir &, a case where the void was less than 10% was evaluated as DELTA, and a case where the area was 10% or more was evaluated as x.

(5) 기재 박리성(5) Peeling property

열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼의 열경화성 접착제층으로부터 수지 기재를 박리할 때에, 열경화성 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이에서 계면 박리가 생기지 않은 경우를 ○ 로, 웨이퍼 단부의 극히 일부에 있어서, 열경화성 접착제층과 반도체 웨이퍼 사이에서 계면 박리가 생긴 경우를 △ 로, 계면 박리가 크게 생긴 경우를 × 로 하였다.The case where no interface delamination occurred between the thermosetting adhesive layer and the semiconductor wafer at the time of peeling the resin substrate from the thermosetting adhesive layer of the semiconductor wafer to which the thermosetting adhesive layer was adhered was evaluated as & A case where interface delamination occurred between semiconductor wafers was evaluated as DELTA, and a case where interface delamination occurred largely was evaluated as DELTA.

Figure 112013012115941-pct00001
Figure 112013012115941-pct00001

본 발명의 접착 시트를 이용하여 가공 및 제조한 반도체 칩 실장체는, 땜납 내열성도 온도 사이클 내열성도 우수하였다. 이로써, 돌기 전극의 손상 및 변형을 억제함으로써, 실장 후의 신뢰성도 높일 수 있는 것이 나타났다.The semiconductor chip mounted body manufactured and manufactured using the adhesive sheet of the present invention was also excellent in solder heat resistance and temperature cycle heat resistance. As a result, it has been shown that the reliability after mounting can be improved by suppressing damage and deformation of the projection electrode.

(실시예 7)(Example 7)

유연층의 두께를 20 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 2 층 구조의 수지 기재를 얻었다.A resin substrate having a two-layer structure was obtained in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the flexible layer was 20 占 퐉.

얻어진 수지 기재를 사용한 것, 및 표 2 의 조성에 따라 조제한 접착제 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 접착 시트를 얻었다.An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the obtained resin base was used and that the adhesive composition prepared according to the composition in Table 2 was used.

또한, 접착 시트를 제조 후, 실온 (25 ℃) 에서 2 주간 보관하였다. 제조 직후의 접착 시트 및 실온에서 2 주간 보관한 후의 접착 시트를, 일단 베어 실리콘 웨이퍼 상에 라미네이트한 후, 수지 기재만을 박리하여, 수지 기재와 열경화성 접착제층을 분리하였다. 또한, 수지 기재 중 유연층만을 박리하여 단리 (單離) 하였다. 단리한 유연층 및 열경화성 접착제층에 대해, 1 중량％ 의 THF 용액을 조정하여 상온에서 하루 정치 (靜置) 한 후, GC-MS 측정에 의해, 유연층 및 열경화성 접착제층 중의 열경화제 및 열경화 촉진제의 함유량을 정량하였다. GC-MS 측정의 측정 조건을 이하에 나타낸다.After the adhesive sheet was produced, it was stored at room temperature (25 DEG C) for 2 weeks. The adhesive sheet immediately after the preparation and the adhesive sheet after being stored at room temperature for two weeks were once laminated on a bare silicon wafer and then the resin base material was exfoliated to separate the resin base material and the thermosetting adhesive layer. Further, only the flexible layer in the resin substrate was peeled and isolated. A 1 wt% solution of THF was adjusted to the isolated flexible layer and the thermosetting adhesive layer and allowed to stand at room temperature for one day. Thereafter, a thermosetting agent and a thermosetting agent in the flexible layer and the thermosetting adhesive layer The content of the accelerator was determined. Measurement conditions for GC-MS measurement are shown below.

장치 : 상품명 「JMS K-9」, 니혼 전자사 제조Apparatus: " JMS K-9 "

GC 칼럼 : ZB-1 (무극성) 직경 0.25 ㎜ × 길이 30 m × 코팅 막두께 0.25 ㎛GC column: ZB-1 (non-polar) 0.25 mm diameter × 30 m length × coating thickness 0.25 μm

주입구 온도 : 300 ℃Inlet temperature: 300 ° C

주입량 : 1 ㎕Injection volume: 1 μl

GC 온도 : 80 ℃ (1 min)→5 ℃/min→200 ℃ (0 min)→20 ℃/min→300 ℃ (10 min)GC temperature: 80 ° C. (1 min) → 5 ° C./min → 200 ° C. (0 min) → 20 ° C./min → 300 ° C. (10 min)

He 유량 : 1.0 ㎖/min 스플릿비 1 : 50He Flow rate: 1.0 ml / min Split ratio 1: 50

MS 측정 범위 : 33 ∼ 600 amu (scan 550 ms)MS Measuring range: 33 to 600 amu (scan 550 ms)

이온화 전압 : 70 eVIonization voltage: 70 eV

MS 온도 : 이온원；230 ℃, 인터페이스；250 ℃MS temperature: ion source; 230 占 폚, interface; 250 占 폚

또한, 제조 직후의 접착 시트, 및 실온에서 2 주간 보관한 후의 접착 시트에 대해, DSC 에 의해 열경화성 접착제층의 유리 전이 온도 측정을 실시하였다. 제조 직후 (1 시간 이내) 의 접착 시트, 및 실온에서 2 주간 보관한 후의 접착 시트를 사용한 것, 그리고 자외선 조사를 실시하지 않은 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 반도체 칩 실장체를 얻었다.The glass transition temperature of the thermosetting adhesive layer was measured by DSC on the adhesive sheet immediately after preparation and the adhesive sheet after storage for 2 weeks at room temperature. A semiconductor chip mounted body was obtained in the same manner as in Example 1 except that the adhesive sheet immediately after the production (within 1 hour), the adhesive sheet after the storage at room temperature for 2 weeks, and the ultraviolet radiation were not used.

(실시예 8 ∼ 11)(Examples 8 to 11)

표 2 의 조성에 따라 조제한 접착제 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 7 과 동일하게 하여, 접착 시트를 얻어, 각 층의 평가를 실시하였다. 또한, 실시예 7 과 동일하게 하여, 반도체 칩 실장체를 얻었다.An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 7 except that the adhesive composition prepared according to the composition shown in Table 2 was used, and evaluation of each layer was carried out. Further, in the same manner as in Example 7, a semiconductor chip mounted body was obtained.

(실시예 12)(Example 12)

경질층으로서의 두께 50 ㎛ 의 PET 필름의 편측에, 아크릴 폴리머 A 100 중량부에 가교제로서 이소시아네이트계 가교제를 1.6 중량부 배합하고, 또한 산무수물 B 및 액상 이미다졸 화합물 B 를 각각 1 중량부씩 첨가한 혼합물을 용제로 희석한 것을, 건조 후의 두께가 20 ㎛ 가 되도록 도포하고, 건조시켜, 유연층을 형성하여 2 층 구조의 수지 기재를 얻었다.1.6 parts by weight of an isocyanate crosslinking agent as a crosslinking agent and 100 parts by weight of an acrylic anhydride B and 1 part by weight of a liquid imidazole compound B were added to one side of a 50 占 퐉 thick PET film as a hard layer, Was diluted with a solvent so as to have a thickness of 20 mu m after drying and dried to form a flexible layer to obtain a resin base material having a two-layer structure.

얻어진 수지 기재를 사용한 것, 및 표 2 의 조성에 따라 조제한 접착제 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 7 과 동일하게 하여, 접착 시트를 얻어, 각 층의 평가를 실시하였다. 또한, 실시예 7 과 동일하게 하여, 반도체 칩 실장체를 얻었다.An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 7 except that the obtained resin base was used and the adhesive composition prepared in accordance with the composition in Table 2 was used to evaluate each layer. Further, in the same manner as in Example 7, a semiconductor chip mounted body was obtained.

(실시예 13)(Example 13)

표 2 의 조성에 따라 조제한 접착제 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 12 와 동일하게 하여, 접착 시트를 얻어, 각 층의 평가를 실시하였다. 또한, 실시예 12 와 동일하게 하여, 반도체 칩 실장체를 얻었다.An adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 12 except that the adhesive composition prepared according to the composition shown in Table 2 was used, and evaluation of each layer was carried out. Further, in the same manner as in Example 12, a semiconductor chip mounted body was obtained.

(평가 2)(Evaluation 2)

실시예 7 ∼ 13 에서 얻어진 반도체 칩 실장체에 대해, 이하의 평가를 실시하였다. 결과를 표 2 에 나타낸다.The following evaluations were carried out on the semiconductor chip assemblies obtained in Examples 7 to 13. The results are shown in Table 2.

(1) TCT(1) TCT

1000 사이클 및 2000 사이클 경과 후의 반도체 칩 실장체에 대해, (평가 1) 과 동일한 평가를 실시하였다.The evaluations of the semiconductor chip package after 1000 cycles and 2000 cycles were evaluated in the same manner as (Evaluation 1).

Figure 112013012115941-pct00002
Figure 112013012115941-pct00002

(실시예 14)(Example 14)

실시예 2 와 동일하게 하여 얻은 수지 기재를 사용한 것, 표 3 의 조성에 따라 조제한 접착제 조성물을 사용한 것, 및 자외선 조사를 실시하지 않은 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 접착 시트 및 반도체 칩 실장체를 얻었다.Except that the resin base material obtained in the same manner as in Example 2 was used, the adhesive composition prepared in accordance with the composition in Table 3 was used, and the ultraviolet light irradiation was not carried out, I got a sieve.

(실시예 15)(Example 15)

경질층으로서 PET 와 폴리에틸렌의 적층 필름 (오쿠라 공업사 제조) 을 사용한 것 이외에는 실시예 14 와 동일하게 하여, 수지 기재, 접착 시트 및 반도체 칩 실장체를 얻었다.A resin substrate, an adhesive sheet and a semiconductor chip mounted body were obtained in the same manner as in Example 14 except that a laminated film of PET and polyethylene (manufactured by Okura Kogyo K.K.) was used as the hard layer.

(비교예 4)(Comparative Example 4)

경질층으로서 두께 200 ㎛ 의 폴리올레핀계 필름을 사용한 것 이외에는 실시예 13 과 동일하게 하여, 수지 기재, 접착 시트 및 반도체 칩 실장체를 얻었다.A resin substrate, an adhesive sheet and a semiconductor chip-mounted body were obtained in the same manner as in Example 13 except that a polyolefin-based film having a thickness of 200 mu m was used as the hard layer.

(평가 3)(Evaluation 3)

실시예 14, 15 및 비교예 4 에서 얻어진 접착 시트 및 반도체 칩 실장체에 대해, 이하의 평가를 실시하였다. 결과를 표 3 에 나타낸다.The following evaluations were performed on the adhesive sheets and semiconductor chip assemblies obtained in Examples 14 and 15 and Comparative Example 4. The results are shown in Table 3.

(1) 첩합성(1) Synthesis Synthesis

접착 시트를, 진공 라미네이터 (상품명 「ATM-812M」, 타카트리사 제조) 를 이용하여, 진공하 (1 torr), 70 ℃ 또는 100 ℃, 10 초간의 조건으로 반도체 웨이퍼의 땜납볼을 갖는 면에 첩합하였다. 첩합 후의 상태를 육안으로 확인하였다.The adhesive sheet was laminated on the surface of the semiconductor wafer with the solder balls under vacuum (1 torr) at 70 ° C or 100 ° C for 10 seconds using a vacuum laminator (trade name "ATM-812M" Respectively. The state after the fusion was visually confirmed.

주름 및 구김이 없이 반도체 웨이퍼 전면에 균일하게 라미네이트되어 있는 경우를 ○, 주름 또는 구김이 발생한 경우를 × 로 하였다.A case where the laminate was uniformly laminated on the entire surface of the semiconductor wafer without wrinkles and creases was rated as & cir & and a case where creases or creases occurred was evaluated as x.

(2) TCT(2) TCT

1000 사이클 경과 후의 반도체 칩 실장체에 대해, (평가 1) 과 동일한 평가를 실시하였다.The same evaluation as in (Evaluation 1) was performed on the semiconductor chip mounted body after the lapse of 1000 cycles.

Figure 112013012115941-pct00003
Figure 112013012115941-pct00003

(실시예 16)(Example 16)

유연층의 두께를 50 ㎛ 로 한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 하여, 2 층 구조의 수지 기재를 얻었다.A resin substrate having a two-layer structure was obtained in the same manner as in Example 2 except that the thickness of the flexible layer was 50 탆.

얻어진 수지 기재를 사용한 것, 표 4 의 조성에 따라 조제한 접착제 조성물을 사용한 것, 자외선 조사를 실시하지 않은 것, 및 반도체 칩의 실장 공정에 있어서, 자동 본딩 장치 (상품명 「FC-3000」, 토레 엔지니어링사 제조) 를 사용한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 하여, 접착 시트 및 반도체 칩 실장체를 얻었다.(Trade name "FC-3000" manufactured by Toray Engineering Co., Ltd.) in the resin substrate obtained, the adhesive composition prepared in accordance with the composition in Table 4, the unexposed ultraviolet ray, and the semiconductor chip mounting process, Ltd.) was used in place of the adhesive sheet and the semiconductor chip mounted body.

(비교예 5)(Comparative Example 5)

경질층으로서의 두께 50 ㎛ 의 PET 필름의 편측에, 유연층으로서 두께 50 ㎛ 의 표면에 주름 가공이 있는 올레핀 필름을 적층하여, 2 층 구조의 수지 기재를 얻었다.On one side of a PET film having a thickness of 50 占 퐉 as a hard layer, an olefin film having a wrinkle finish was laminated on the surface of a thickness of 50 占 퐉 as a flexible layer to obtain a resin base material having a two-layer structure.

얻어진 수지 기재를 사용한 것 이외에는 실시예 16 과 동일하게 하여, 접착 시트 및 반도체 칩 실장체를 얻었다.An adhesive sheet and a semiconductor chip mounted body were obtained in the same manner as in Example 16 except that the obtained resin base was used.

(평가 4)(Evaluation 4)

실시예 16 및 비교예 5 에서 얻어진 수지 기재 및 반도체 칩 실장체에 대해, 이하의 평가를 실시하였다. 결과를 표 4 에 나타낸다.The resin base material and semiconductor chip mounted body obtained in Example 16 and Comparative Example 5 were subjected to the following evaluations. The results are shown in Table 4.

(1) 표면 조도(1) Surface roughness

컬러 3D 레이저 현미경 (상품명 「VK-9700」, 키엔스사 제조) 을 이용하여, 수지 기재의 유연층의 열경화성 접착제층과 접하는 측의 표면 조도 Ra 를 측정하였다.The surface roughness Ra of the side of the resin-based flexible layer in contact with the thermosetting adhesive layer was measured using a color 3D laser microscope (trade name " VK-9700 "

(2) 실장시의 얼라이먼트 마크 인식(2) Alignment mark recognition at mounting

반도체 칩을 자동 본딩 장치를 이용하여 기판 상에 실장할 때, 10 개의 반도체 칩에 대해 실장을 실시했을 때에, 반도체 칩 상의 얼라이먼트 마크가 10 개 중 10 개 모두 자동 인식 가능한 경우를 ○, 7 ∼ 9 개 자동 인식 가능한 경우를 △, 6 개 이하 자동 인식 가능한 경우를 × 로서 판정하였다.A case in which ten of the ten alignment marks on the semiconductor chip can be automatically recognized when the semiconductor chip is mounted on the substrate using the automatic bonding apparatus and the case where the alignment marks on the semiconductor chip are automatically recognized when the semiconductor chip is mounted on the substrate, &Amp; cir & was judged as & cir & if automatic recognition was possible, and & cir &

(3) TCT(3) TCT

1000 사이클 경과 후의 반도체 칩 실장체에 대해, (평가 1) 과 동일한 평가를 실시하였다.The same evaluation as in (Evaluation 1) was performed on the semiconductor chip mounted body after the lapse of 1000 cycles.

Figure 112013012115941-pct00004
Figure 112013012115941-pct00004

산업상의 이용 가능성Industrial availability

본 발명에 의하면, 돌기 전극의 손상 및 변형을 억제할 수 있어, 신뢰성이 우수한 반도체 칩 실장체의 제조에 바람직하게 사용되는 접착 시트, 및 그 접착 시트를 사용한 반도체 칩의 실장 방법을 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide an adhesive sheet which can be preferably used for manufacturing a semiconductor chip mounting body which can suppress damages and deformation of protruding electrodes and is excellent in reliability, and a method of mounting a semiconductor chip using the adhesive sheet .

Claims (8)

표면에 돌기 전극을 갖는 반도체 칩을 기판 또는 다른 반도체 칩에 실장 (實裝) 하기 위해서 사용되는 접착 시트로서,
40 ∼ 80 ℃ 에서의 인장 저장 탄성률이 0.5 ㎬ 이상인 경질층과, 그 적어도 일방의 면에 적층되고, 40 ∼ 80 ℃ 에서의 인장 저장 탄성률이 10 ㎪ ∼ 9 ㎫ 인 가교 아크릴 폴리머로 이루어진 유연층을 갖는 수지 기재 (基材) 를 갖고,
상기 유연층 상에 형성되고, 에폭시 수지, 열경화제 및 열경화 촉진제를 함유하고, 회전식 레오미터를 이용하여, 승온 속도 5 ℃/분, 주파수 1 ㎐ 로 40 ∼ 80 ℃ 에 있어서의 용융 점도를 측정했을 경우의 최저 용융 점도가 3000 ㎩·s 보다 크고 100000 ㎩·s 이하인 열경화성 접착제층을 갖고,
상기 열경화제 및/또는 상기 열경화 촉진제는, 액상 성분 또는 용제 가용 성분이고,
접착 시트의 제조 직후와, 실온에서 2 주간 보관한 후에 있어서의 열경화성 접착제층의 유리 전이 온도 (Tg) 의 변화량이 3 ℃ 미만인 것을 특징으로 하는 접착 시트.An adhesive sheet for use in mounting a semiconductor chip having projecting electrodes on a surface thereof to a substrate or another semiconductor chip,
A hard layer having a tensile storage elastic modulus of at least 0.5 40 at 40 to 80 캜 and a flexible layer of a crosslinked acrylic polymer laminated on at least one surface thereof and having a tensile storage elastic modulus at 40 to 80 캜 of 10 ㎪ to 9 ㎫ (Base material)
A melt viscosity at 40 to 80 占 폚 was measured at a temperature raising rate of 5 占 폚 / min and a frequency of 1 Hz using a rotary rheometer, which was formed on the above-described flexible layer and contained an epoxy resin, a thermosetting agent and a thermosetting accelerator And having a minimum melt viscosity of not less than 3000 Pa 占 퐏 and not more than 100000 Pa 占 퐏,
The thermosetting agent and / or the thermosetting accelerator is a liquid component or a solvent-soluble component,
Wherein the amount of change in the glass transition temperature (Tg) of the thermosetting adhesive layer immediately after the production of the adhesive sheet and after storage at room temperature for 2 weeks is less than 3 占 폚. 제 1 항에 있어서,
유연층은, 열경화성 접착제층에 함유되는 열경화제와 동일한 열경화제를 함유하는 것을 특징으로 하는 접착 시트.The method according to claim 1,
Wherein the flexible layer contains the same thermosetting agent as the thermosetting agent contained in the thermosetting adhesive layer. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
경질층은, 100 ℃ 에서의 인장 저장 탄성률을 30 ℃ 에서의 인장 저장 탄성률로 나눈 값이 0.5 이상이고, 또한 70 ℃ 에서의 인장 저장 탄성률을 30 ℃ 에서의 인장 저장 탄성률로 나눈 값이 0.8 이상인 것을 특징으로 하는 접착 시트.3. The method according to claim 1 or 2,
The hard layer has a value obtained by dividing the tensile storage elastic modulus at 100 ° C by a tensile storage elastic modulus at 30 ° C of 0.5 or more and a value obtained by dividing the tensile storage elastic modulus at 70 ° C by the tensile storage elastic modulus at 30 ° C of 0.8 or more Characterized by an adhesive sheet. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
유연층은, 열경화성 접착제층과 접하는 면의 JIS B 0601 에 의한 표면 조도 Ra 가 0.4 ㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 접착 시트.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the flexible layer has a surface roughness Ra of not more than 0.4 占 퐉 according to JIS B 0601 of the surface in contact with the thermosetting adhesive layer. 제 1 항 또는 제 2 항에 기재된 접착 시트를 사용하는 반도체 칩의 실장 방법으로서,
접착 시트의 열경화성 접착제층과, 회로가 형성됨과 함께 돌기 전극을 갖는 반도체 웨이퍼 원판의 표면을 첩합 (貼合) 하는 공정 1 과,
접착 시트가 첩합된 반도체 웨이퍼 원판의 이면을 연삭하는 공정 2 와,
연삭 후의 반도체 웨이퍼에 첩합된 접착 시트로부터, 수지 기재만을 박리하여, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼를 얻는 공정 3 과,
열경화성 접착제층이 부착된 반도체 웨이퍼를 다이싱하여, 열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩으로 개편화하는 공정 4 와,
열경화성 접착제층이 부착된 반도체 칩을, 열경화성 접착제층을 개재하여 기판 또는 다른 반도체 칩에 접착하여 반도체 칩을 실장하는 공정 5 를 이 순서로 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 실장 방법.A mounting method of a semiconductor chip using the adhesive sheet according to claim 1 or 2,
A step 1 of bonding a thermosetting adhesive layer of the adhesive sheet to a surface of a semiconductor wafer original plate having a protruding electrode formed with a circuit,
A step 2 of grinding the back surface of the semiconductor wafer original plate to which the adhesive sheet is adhered,
A step 3 of peeling only the resin base material from the adhesive sheet bonded to the semiconductor wafer after the grinding to obtain a semiconductor wafer with a thermosetting adhesive layer attached thereto,
A step 4 of dicing the semiconductor wafer with the thermosetting adhesive layer attached thereto and separating the semiconductor wafer into a semiconductor chip with a thermosetting adhesive layer attached thereto,
And a step (5) of bonding a semiconductor chip having a thermosetting adhesive layer on a substrate or another semiconductor chip via a thermosetting adhesive layer to mount the semiconductor chip in this order. 제 5 항에 있어서,
추가로, 공정 5 에 의해 반도체 칩을 실장한 후, 가열함으로써 열경화성 접착제층을 경화시키는 공정 6 을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 칩의 실장 방법.6. The method of claim 5,
And a step (6) of curing the thermosetting adhesive layer by heating after mounting the semiconductor chip by the step (5). 삭제delete 삭제delete
KR1020137003462A 2010-08-23 2011-08-22 Bonding sheet and method for mounting semiconductor chip KR101920091B1 (en)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010186465 2010-08-23
JPJP-P-2010-186465 2010-08-23
JP2011109781 2011-05-16
JPJP-P-2011-109781 2011-05-16
PCT/JP2011/068887 WO2012026431A1 (en) 2010-08-23 2011-08-22 Bonding sheet and method for mounting semiconductor chip

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130106351A KR20130106351A (en) 2013-09-27
KR101920091B1 true KR101920091B1 (en) 2018-11-19

Family

ID=45723430

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020137003462A KR101920091B1 (en) 2010-08-23 2011-08-22 Bonding sheet and method for mounting semiconductor chip

Country Status (5)

Country Link
JP (2) JP5385988B2 (en)
KR (1) KR101920091B1 (en)
CN (1) CN103081081B (en)
TW (1) TWI488937B (en)
WO (1) WO2012026431A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020138632A1 (en) * 2018-12-27 2020-07-02 주식회사 두산 Non-conductive adhesive film for semiconductor package and semiconductor package manufacturing method using same

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5989397B2 (en) * 2012-05-09 2016-09-07 積水化学工業株式会社 Semiconductor device manufacturing method and semiconductor bonding adhesive
JP5976573B2 (en) * 2013-03-13 2016-08-23 日東電工株式会社 Reinforcing sheet and method for manufacturing secondary mounting semiconductor device
JP6069142B2 (en) * 2013-09-11 2017-02-01 デクセリアルズ株式会社 Underfill material and method for manufacturing semiconductor device using the same
JP6347657B2 (en) * 2014-04-22 2018-06-27 デクセリアルズ株式会社 Protective tape and method of manufacturing semiconductor device using the same
JP6328987B2 (en) * 2014-04-22 2018-05-23 デクセリアルズ株式会社 Manufacturing method of semiconductor device
JP6364314B2 (en) * 2014-10-23 2018-07-25 積水化学工業株式会社 Adhesive film for semiconductor bonding
JP6379051B2 (en) * 2015-01-23 2018-08-22 日東電工株式会社 Hollow electronic device sealing sheet
JP6599134B2 (en) * 2015-06-04 2019-10-30 デクセリアルズ株式会社 Protective tape and method of manufacturing semiconductor device using the same
JP6265954B2 (en) * 2015-09-16 2018-01-24 古河電気工業株式会社 Film for semiconductor backside
JP6721963B2 (en) * 2015-10-28 2020-07-15 日東電工株式会社 Bump root reinforcement sheet
SG11201807869SA (en) 2016-03-31 2018-10-30 Mitsui Chemicals Tohcello Inc Film for component manufacture and component manufacturing method
JP6196751B1 (en) 2016-03-31 2017-09-13 三井化学東セロ株式会社 Film for parts production and method for producing parts
CN110431003A (en) * 2017-03-17 2019-11-08 汉高股份有限及两合公司 Working life improvement of multi-layer product and its preparation method and application
CN111656499A (en) * 2018-01-30 2020-09-11 日立化成株式会社 Film-like adhesive and method for producing same, and semiconductor device and method for producing same
SG11202006592VA (en) * 2018-01-30 2020-08-28 Hitachi Chemical Co Ltd Method for manufacturing semiconductor device, film adhesive and adhesive sheet
JP2018100423A (en) * 2018-03-20 2018-06-28 リンテック株式会社 Adhesive tape and method of manufacturing semiconductor device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005028734A (en) * 2003-07-11 2005-02-03 Nitto Denko Corp Laminated sheet
JP2008159755A (en) * 2006-12-22 2008-07-10 Sekisui Chem Co Ltd Manufacturing method of semiconductor device
JP2010056409A (en) * 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive film for processing semiconductor wafer

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3911088B2 (en) * 1997-04-28 2007-05-09 日東電工株式会社 Semiconductor device
JP2000144070A (en) * 1998-11-05 2000-05-26 Nitto Denko Corp Sheet adhesive composition, electronic part device using the same, and repairing of the device
US20030064579A1 (en) * 2001-09-27 2003-04-03 Masafumi Miyakawa Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer and protecting method for semiconductor wafer using said adhesive film
JP4536367B2 (en) * 2003-12-24 2010-09-01 東レ・ダウコーニング株式会社 Sheet for dicing die bonding and manufacturing method thereof
SG185968A1 (en) * 2007-11-08 2012-12-28 Hitachi Chemical Co Ltd Adhesive sheet for semiconductor, and dicing tape integrated adhesive sheet for semiconductor
JP5525200B2 (en) * 2008-07-28 2014-06-18 積水化学工業株式会社 Manufacturing method of semiconductor chip laminated body

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005028734A (en) * 2003-07-11 2005-02-03 Nitto Denko Corp Laminated sheet
JP2008159755A (en) * 2006-12-22 2008-07-10 Sekisui Chem Co Ltd Manufacturing method of semiconductor device
JP2010056409A (en) * 2008-08-29 2010-03-11 Hitachi Chem Co Ltd Adhesive film for processing semiconductor wafer

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020138632A1 (en) * 2018-12-27 2020-07-02 주식회사 두산 Non-conductive adhesive film for semiconductor package and semiconductor package manufacturing method using same

Also Published As

Publication number Publication date
JP2012256849A (en) 2012-12-27
TW201213489A (en) 2012-04-01
CN103081081B (en) 2016-03-02
JPWO2012026431A1 (en) 2013-10-28
KR20130106351A (en) 2013-09-27
CN103081081A (en) 2013-05-01
JP5385988B2 (en) 2014-01-08
TWI488937B (en) 2015-06-21
WO2012026431A1 (en) 2012-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101920091B1 (en) Bonding sheet and method for mounting semiconductor chip
JP5725329B2 (en) Dicing die bonding film and semiconductor device with excellent burr characteristics and reliability
KR101832450B1 (en) Adhesive film for semiconductor
TWI504715B (en) Thermal setting type die-bond film
TWI503395B (en) Die-bonding film, dicing. die-bonding film and fabricating method of semicomductor device
JP5477144B2 (en) Adhesive sheet for connecting circuit members and method for manufacturing semiconductor device
TW201631092A (en) Adhesive resin composition for semiconductor, adhesive film for semiconductor and dicing die-bonding film
JP6833083B2 (en) Manufacturing method for film-like adhesives, adhesive sheets and semiconductor devices
JP2009242605A (en) Adhesive composition, adhesive sheet, and production method of semiconductor device
TW201231586A (en) Adhesive Compositions for a Semiconductor, an Adhesive Sheet for a Semiconductor and a Production Method of a Semiconductor Device
JP5792592B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, adhesive film, and bonding method of adhesive film
JP5525200B2 (en) Manufacturing method of semiconductor chip laminated body
JP5395701B2 (en) Adhesive sheet substrate, adhesive sheet and semiconductor chip mounting method
JP2012074623A (en) Adhesive film for processing semiconductor, and method of manufacturing semiconductor chip mounting body
JP4806815B2 (en) Adhesive composition, adhesive sheet and method for producing semiconductor device
TW202141603A (en) Sheet for production of semiconductor device and method for producing semiconductor chip with film-form adhesive
JP5476033B2 (en) Mounting method of semiconductor chip
JP2010258239A (en) Insulating adhesive sheet
TWI439530B (en) Thermoset die-bonding film,dicing.bonding film, and method of fabricating semiconductor apparatus
JP2016194020A (en) Adhesive for dicing film integrated type semiconductor
KR20170114727A (en) Surface protecting adhesive film for semiconductor wafer
TW202342600A (en) Curable resin film, composite sheet, semiconductor chip, and method for producing semiconductor chip
TW202342601A (en) Curable resin film, composite sheet, semiconductor chip, and method for producing semiconductor chip

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant