KR101917165B1 - Semiconductor memory apparatus - Google Patents
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Abstract
반도체 메모리 장치는 핀 감축 신호 생성부, 제 1 및 제 2 순환 중복 검사부, 제 1 및 제 2 출력부를 포함한다. 상기 핀 감축 신호 생성부는 핀 감축 모드 진입 신호 및 테스트 모드 신호를 수신하여 핀 감축 신호를 생성한다. 상기 제 1 순환 중복 검사부는 복수의 제 1 데이터에 대하여 순환 중복 검사를 실시하여 제 1 순환 중복 검사 데이터를 생성한다. 상기 제 2 순환 중복 검사부는 복수의 제 2 데이터에 대하여 순환 중복 검사를 실시하여 제 2 순환 중복 검사 데이터를 생성한다. 상기 제 1 출력부는 상기 핀 감축 신호의 상태에 상관 없이 상기 제 1 순환 중복 검사 데이터를 제 1 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력한다. 상기 제 2 출력부는 상기 핀 감축 신호가 비활성화 상태이면 디스에이블되고, 상기 핀 감축 신호가 활성화 상태이면 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터를 제 2 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력한다.The semiconductor memory device includes a pin reduction signal generating unit, first and second cyclic redundancy checking units, and first and second output units. The pin reduction signal generator receives the pin reduction mode entry signal and the test mode signal and generates a pin reduction signal. The first cyclic redundancy checker performs a cyclic redundancy check on a plurality of first data to generate first cyclic redundancy check data. The second cyclic redundancy checker performs a cyclic redundancy check on a plurality of second data to generate second cyclic redundancy check data. The first output unit outputs the first cyclic redundancy check data to the first error detection code output pin regardless of the state of the pin reduction signal. The second output unit is disabled when the pin reduction signal is inactive and outputs the second cyclic redundancy check data to the second error detection code output pin when the pin reduction signal is active.
Description
본 발명은 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 반도체 메모리 장치의 테스트 회로에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor memory device, and more particularly, to a test circuit of a semiconductor memory device.
패키징된 반도체 메모리 장치는 다량의 데이터 전송을 위하여 복수개의 출력 핀을 보유한다. A packaged semiconductor memory device has a plurality of output pins for transferring a large amount of data.
도 1은 일반적인 반도체 메모리 장치 중 그래픽 디램(Graphics DRAM)의 출력 핀 배치를 나타낸 도면이다.1 is a diagram showing an output pin arrangement of a graphics DRAM among general semiconductor memory devices.
도 1에 도시된 반도체 메모리 장치는 총 40 개의 출력 핀을 보유한다. 이때, 출력 핀은 복수의 데이터 입출력 핀(DQ<0:7>, DQ<8:15>, DQ<16:23>, DQ<24:31>), 데이터 버스 반전(Data Bus Inversion) 정보 출력 핀(DBI<0>, DBI<1>, DBI<2>, DBI<3>) 및 에러 검출 코드(Error Detection Code) 출력 핀(EDC<0>, EDC<1>, EDC<2>, EDC<3>)을 포함한다.The semiconductor memory device shown in Fig. 1 has a total of 40 output pins. At this time, the output pin has a plurality of data input / output pins DQ <0: 7>, DQ <8:15>, DQ <16:23>, DQ <24:31>, data bus inversion information output And the error detection code output pins EDC <0>, EDC <1>, EDC <2>, EDC <2>, and DBC < ≪ 3 >).
상기 데이터 입출력 핀(DQ<0:7>, DQ<8:15>, DQ<16:23>, DQ<24:31>)은 반도체 메모리 장치에 저장되어 있는 데이터를 입력 또는 출력하는 역할을 한다.The data input / output pins DQ <0: 7>, DQ <8:15>, DQ <16:23>, and DQ <24:31> serve to input or output data stored in the semiconductor memory device .
상기 데이터 버스 반전 정보 출력 핀(DBI<0>, DBI<1>, DBI<2>, DBI<3>)은 데이터 버스 반전 정보를 출력하는 역할을 한다. 데이터 버스 반전 정보란 전체 데이터 비트 중에서 논리값이 이전과 다르게 변경된 비트 수가 절반 이상일 경우 활성화되는 신호이다. 이러한 데이터 버스 반전 신호는 데이터 전송 시 전체 데이터 비트 중에서 이전 데이터 비트와 비교하여 현재 데이터 비트의 논리 값이 바뀌는 개수가 증가함에 따라 발생되는 문제, 즉 동시 스위칭 노이즈(simultaneous switching noise) 또는 내부 심볼 간섭(inter symbol interference)을 방지하기 위해 사용된다.The data bus inversion information output pins DBI <0>, DBI <1>, DBI <2> and DBI <3> serve to output data bus inversion information. The data bus inversion information is a signal that is activated when the number of bits whose logical value is changed from the previous data bit is half or more. This data bus inversion signal has a problem that is caused by an increase in the number of logical values of the current data bit compared to the previous data bits in the entire data bits during data transmission, i.e., simultaneous switching noise or internal symbol interference inter symbol interference).
상기 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<0>, EDC<1>, EDC<2>, EDC<3>)은 에러 검출 코드를 출력하는 역할을 한다. 에러 검출 코드란 데이터 전달의 신뢰성을 보장하기 위해 생성되는 신호로서, 최근 반도체 메모리 장치는 저장된 데이터에 대한 순환 중복 검사(Cyclic Redundancy Check)를 수행하여 생성된 결과, 즉 순환 중복 검사 데이터를 상기 에러 검출 코드로 출력한다. 일 실시예로써, 저장된 데이터 및 상기 데이터에 대한 데이터 버스 반전 신호를 수신하여 상기 순환 중복 검사를 실시할 수 있다. 검사가 종료되면, 외부에서 출력된 상기 에러 검출 코드를 판별하여 데이터 출력 결과에 에러가 있는지 여부를 판단할 수 있다.The error detection code output pins EDC <0>, EDC <1>, EDC <2> and EDC <3> serve to output an error detection code. The error detection code is a signal generated in order to ensure the reliability of data transfer. Recently, the semiconductor memory device has recently performed a cyclic redundancy check (Cyclic Redundancy Check) on the stored data, Output to the code. In one embodiment, the stored data and the data bus inversion signal for the data may be received to perform the cyclic redundancy check. When the inspection is completed, the error detection code output from the outside can be discriminated and it can be determined whether or not there is an error in the data output result.
이때, DQ<0:7>에 할당된 데이터에 대한 데이터 버스 반전 정보 및 에러 검출 코드가 각각 DBI<0>과 EDC<0>으로 출력되고, DQ<8:15>에 할당된 데이터에 대한 데이터 버스 반전 정보 및 에러 검출 코드가 각각 DBI<1>과 EDC<1>으로 출력되며, DQ<16:23>에 할당된 데이터에 대한 데이터 버스 반전 정보 및 에러 검출 코드가 각각 DBI<2>과 EDC<2>으로 출력되고, DQ<24:31>에 할당된 데이터에 대한 데이터 버스 반전 정보 및 에러 검출 코드가 각각 DBI<3>과 EDC<3>으로 출력된다. At this time, data bus inversion information and error detection code for the data allocated to DQ <0: 7> are output as DBI <0> and EDC <0>, respectively, and data for data allocated to DQ < The bus reversal information and the error detection code are output as DBI <1> and EDC <1>, respectively, and the data bus inversion information and error detection code for data allocated to DQ <16:23> are DBI < <2>, and data bus inversion information and error detection code for data allocated to DQ <24:31> are output as DBI <3> and EDC <3>, respectively.
한편, 도 1에 도시된 반도체 메모리 장치는 전체 데이터 입출력 핀(DQ<0:7>, DQ<8:15>, DQ<16:23>, DQ<24:31>)을 사용하여 데이터를 입출력하는 모드인 x32모드로도 동작할 수 있지만, x16모드와 같이 절반의 데이터 입출력 핀을 이용하여 데이터를 입출력할 수도 있다. 도 1에는 4세트의 입출력 핀 세트를 도시하고 있는데, x16모드에서는 좌측의 데이터 입출력 핀(DQ<0:7>, DQ<16:23>)을 통해서 데이터를 입출력하도록 할 수 있다. 즉, x16 모드에서 라이트 동작을 하는 경우, 절반의 데이터 입출력 핀(DQ<0:7>, DQ<16:23>)을 통해 전체 메모리 셀에 데이터를 라이트할 수 있고, x16 모드에서 리드 동작을 하는 경우, 절반의 데이터 입출력 핀(DQ<0:7>, DQ<16:23>)을 통해 전체 메모리 셀의 데이터를 리드할 수 있다. 이때, 데이터 버스 반전 정보 출력 핀도 DBI<0>, DBI<2>만 활성화되고, 에러 검출 코드 출력 핀도 EDC<0>, EDC<2>만 활성화되게 된다.1 uses data input / output pins DQ <0: 7>, DQ <8:15>, DQ <16:23>, and DQ <24:31> X32 mode, but it is also possible to input and output data by using half of the data input / output pins as in the x16 mode. In FIG. 1, four sets of input / output pins are shown. In the x16 mode, data can be input / output through the left data input / output pins (DQ <0: 7>, DQ <16:23>). That is, when the write operation is performed in the x16 mode, data can be written to all the memory cells through half of the data input / output pins (DQ <0: 7> and DQ <16:23>), , The data of all the memory cells can be read out via the half data input / output pins (DQ <0: 7>, DQ <16:23>). At this time, only DBI <0> and DBI <2> are activated in the data bus inversion information output pin, and only EDC <0> and EDC <2> are activated in the error detection code output pin.
이러한 핀 감축 모드는 테스트 모드 시 유용하다. 패키지 테스트를 수행하는 경우, 테스트 보드에 연결되는 반도체 메모리 장치의 개수는 제한적일 수밖에 없는데, 핀 감축 모드를 실행하게 되면 동시에 더 많은 반도체 메모리 장치에 대한 테스트 수행이 가능해진다.This pin reduction mode is useful in test mode. When the package test is performed, the number of semiconductor memory devices connected to the test board is limited. When the pin reduction mode is executed, more semiconductor memory devices can be tested simultaneously.
그러나, 핀 감축 모드로 테스트를 수행하면 동시에 많은 반도체 메모리 장치에 대한 테스트 수행이 가능한 반면, 연결된 입출력핀에 할당되지 않은 데이터를 다시 읽고 출력하는 동작을 수행하여야 하기 때문에 테스트 시간이 기존 보다 늘어나는 단점이 있다. 즉, x16모드로 테스트를 수행하면 x32모드일 때보다 2배로 많은 반도체 메모리 장치를 테스트 보드에 연결할 수 있으나 테스트 시간이 2배로 걸리게 된다.However, if the test is performed in the pin reduction mode, it is possible to perform test on many semiconductor memory devices at the same time, but the operation of reading and outputting data not allocated to the connected I / O pins must be performed, have. That is, if you run the test in x16 mode, you can connect twice as many semiconductor memory devices to the test board as in x32 mode, but it takes twice the test time.
본 발명은 효율적으로 반도체 메모리 장치를 테스트할 수 있는 스킴을 제공 한다.The present invention provides a scheme for efficiently testing a semiconductor memory device.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 복수의 데이터 입출력 핀 및 복수의 에러 검출 코드 출력 핀을 포함하며, 핀 감축 모드 시 상기 복수의 데이터 입출력 핀 중 일부만을 이용하여 이에 할당되는 데이터를 출력하고 상기 복수의 에러 검출 코드 출력 핀 중 일부만을 이용하여 이에 할당되는 에러 검출 코드를 출력하는 반도체 메모리 장치로서, 상기 핀 감축 모드로 테스트를 수행하는 경우에는, 전체의 상기 복수의 에러 검출 코드 출력 핀을 통하여 각각에 할당되는 상기 에러 검출 코드를 출력하는 테스트 회로를 포함한다.A semiconductor memory device according to an embodiment of the present invention includes a plurality of data input / output pins and a plurality of error detection code output pins. In the pin reduction mode, only a part of the plurality of data input / And outputting an error detection code assigned to the plurality of error detection code output pins using only a part of the plurality of error detection code output pins, wherein when the test is performed in the pin reduction mode, And outputting the error detection code assigned to each of the plurality of test patterns.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 핀 감축 모드 진입 신호 및 테스트 모드 신호를 수신하여 핀 감축 신호를 생성하는 핀 감축 신호 생성부; 복수의 제 1 데이터에 대하여 순환 중복 검사를 실시하여 제 1 순환 중복 검사 데이터를 생성하는 제 1 순환 중복 검사부; 복수의 제 2 데이터에 대하여 순환 중복 검사를 실시하여 제 2 순환 중복 검사 데이터를 생성하는 제 2 순환 중복 검사부;A semiconductor memory device according to an embodiment of the present invention includes a pin reduction signal generator for receiving a pin reduction mode input signal and a test mode signal and generating a pin reduction signal; A first cyclic redundancy check unit for performing a cyclic redundancy check on a plurality of first data to generate first cyclic redundancy check data; A second cyclic redundancy check unit for performing a cyclic redundancy check on a plurality of second data to generate second cyclic redundancy check data;
상기 핀 감축 신호의 상태에 상관 없이 상기 제 1 순환 중복 검사 데이터를 제 1 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력하는 제 1 출력부; 및 상기 핀 감축 신호가 비활성화 상태이면 디스에이블되고, 상기 핀 감축 신호가 활성화 상태이면 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터를 제 2 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력하는 제 2 출력부를 포함한다.A first output unit for outputting the first cyclic redundancy check data to a first error detection code output pin regardless of a state of the pin reduction signal; And a second output unit for outputting the second cyclic redundancy check data to the second error detection code output pin if the pin reduction signal is in an inactive state and the pin reduction signal is in an active state.
본 발명의 일 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 핀 감축 모드 진입 신호 및 테스트 모드 신호를 수신하여 핀 감축 신호를 생성하고, 상기 핀 감축 신호의 상태에 기초하여 제 1 및 제 2 스트로브 신호, 제 1 및 제 2 직렬화 신호 및 제 1 및 제 2 출력 인에이블 신호를 생성하는 신호 생성부; 복수의 제 1 데이터에 대하여 순환 중복 검사를 실시하여 복수의 제 1 순환 중복 검사 데이터를 생성하는 제 1 순환 중복 검사부; 복수의 제 2 데이터에 대하여 순환 중복 검사를 실시하여 복수의 제 2 순환 중복 검사 데이터를 생성하는 제 2 순환 중복 검사부; 상기 제 1 및 제 2 스트로브 신호에 응답하여 상기 제 1 및 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터의 전달을 제어하는 전달부; 상기 제 1 직렬화 신호에 응답하여 상기 복수의 제 1 순환 중복 검사 데이터를 직렬화하고, 상기 제 1 출력 인에이블 신호에 응답하여 직렬화된 상기 제 1 순환 중복 검사 데이터를 제 1 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력하는 제 1 출력부; 및 상기 제 2 직렬화 신호에 응답하여 상기 복수의 제 2 순환 중복 검사 데이터를 직렬화하고, 상기 제 2 출력 인에이블 신호에 응답하여 직렬화된 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터를 제 2 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력하는 제 2 출력부를 포함한다.A semiconductor memory device according to an embodiment of the present invention receives a pin reduction mode input signal and a test mode signal to generate a pin reduction signal and generates first and second strobe signals based on the state of the pin reduction signal, A signal generator for generating a second serialization signal and first and second output enable signals; A first cyclic redundancy check unit for performing a cyclic redundancy check on a plurality of first data to generate a plurality of first cyclic redundancy check data; A second cyclic redundancy check unit for performing a cyclic redundancy check on a plurality of second data to generate a plurality of second cyclic redundancy check data; A transfer unit for transferring the first and second cyclic redundancy check data in response to the first and second strobe signals; Serializing the plurality of first cyclic redundancy check data in response to the first serialization signal and outputting the first cyclic redundancy check data serialized in response to the first output enable signal to a first error detection code output pin A first output unit for outputting a first output signal; And serializing the plurality of second cyclic redundancy check data in response to the second serialization signal and outputting the second cyclic redundancy check data serialized in response to the second output enable signal to a second error detection code output pin And a second output unit for outputting the output signal.
본 기술에 의하면 복수의 반도체 메모리 장치에 대한 빠르고 효율적인 테스트 수행이 가능하다.According to the present technique, it is possible to perform a quick and efficient test on a plurality of semiconductor memory devices.
도 1은 일반적인 반도체 메모리 장치의 출력 핀 배치를 나타낸 도면,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치의 테스트 회로에 대한 블록도,
도 3은 도 2의 전달부의 구체적인 실시예를 나타내는 블록도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS Fig. 1 is a diagram showing an output pin arrangement of a general semiconductor memory device,
2 is a block diagram of a test circuit of a semiconductor memory device according to an embodiment of the present invention;
FIG. 3 is a block diagram showing a concrete embodiment of the transmission unit of FIG. 2. FIG.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치의 테스트 회로(20)에 대한 블록도이다.2 is a block diagram of a
상기 도 2에 도시된 테스트 회로(20)는 도 1에 도시된 반도체 메모리 장치(100)에 삽입될 수 있다. 상기 테스트 회로(20)는 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<0>, EDC<1>)을 통하여 에러 검출 코드를 테스트 데이터로 출력한다. 도 2에는 발명의 특징을 설명하기 위하여 DQ<0:7>에 할당된 복수의 제 1 데이터(DATA_u<0:63>)에 대한 테스트 데이터 출력 경로 및 DQ<8:15>에 할당된 복수의 제 2 데이터(DATA_d<0:63>)에 대한 테스트 데이터 출력 경로를 예시로써 도시하고 있다.The
도 2에 도시된 반도체 메모리 장치의 테스트 회로(20)는 테스트 데이터 출력부(20A) 및 신호 생성부(20B)를 포함한다.The
신호 생성부(20B)는 핀 감축 신호 생성부(21)를 포함한다.The
상기 핀 감축 신호 생성부(21)는 핀 감축 모드 진입 신호(RDC_in) 및 테스트 모드 신호(TM)를 수신하여 핀 감축 신호(RDC)를 생성한다. 상기 핀 감축 모드 진입 신호(RDC_in)는 반도체 메모리 장치에 대하여 핀 감축 모드를 실행하고자 하는 경우에 활성화되는 신호이다. 상기 테스트 모드 신호(TM)는 반도체 메모리 장치에 대하여 테스트를 수행하고자 하는 경우에 활성화되는 신호이다. The pin reduction
상기 핀 감축 신호 생성부(21)는 핀 감축 모드 진입 신호(RDC_in)만 활성화된 경우, 즉 전체 반도체 메모리 장치가 핀 감축 모드로 정상 동작하는 경우에는 상기 핀 감축 신호(RDC)를 활성화시킨다. 아래에서 자세하게 설명하겠지만, 상기 핀 감축 신호(RDC)는 제 1 및 제 2 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<0>, EDC<1>)으로의 제 1 및 제 2 에러 검출 코드(EDC_u, EDC_d) 출력에 대한 핀 감축 동작 여부를 결정하는 신호이다. 즉, 상기 핀 감축 신호(RDC)가 활성화되면 상기 제 1 및 제 2 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<0>, EDC<1>) 중 제 1 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<0>)으로만 제 1 에러 검출 코드(EDC_u)가 출력되게 된다. 물론, 설정에 따라서 상기 제 2 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<1>)만 동작하도록 할 수도 있다.The pin reduction
반면, 상기 핀 감축 신호 생성부(21)는 핀 감축 모드 진입 신호(RDC_in) 및 테스트 모드 신호(TM)가 모두 활성화된 경우, 즉 전체 반도체 메모리 장치가 핀 감축 모드로 테스트 동작을 수행하는 경우에는 상기 핀 감축 신호(RDC)를 비활성화시킨다. 상기 핀 감축 신호(RDC)가 비활성화된 경우에는 제 1 및 제 2 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<0>, EDC<1>)이 각각 제 1 및 제 2 에러 검출 코드(EDC_u, EDC_d)를 정상적으로 출력하게 된다.On the other hand, when both the pin-down mode entering signal RDC_in and the test mode signal TM are activated, that is, when the entire semiconductor memory device performs the test operation in the pin-down mode And deactivates the pin reduction signal RDC. When the pin reduction signal RDC is inactivated, the first and second error detection code output pins EDC <0> and EDC <1> respectively output the first and second error detection codes EDC_u and EDC_d .
구체적으로, 상기 핀 감축 신호 생성부(21)는 도 3에 도시된 것과 같이 제 1 인버터(IV1) 및 제 1 앤드 게이트(AD1)로 구현될 수 있다. 상기 제 1 인버터(IV1)는 상기 테스트 모드 신호(TM)를 반전시켜 출력한다. 상기 제 1 앤드 게이트(AD1)는 상기 제 1 인버터(IV1)의 출력 신호 및 상기 핀 감축 모드 진입 신호(RDC_in)를 수신하여 핀 감축 신호(RDC)를 출력한다. 따라서, 상기 테스트 모드 신호(TM)가 비활성화된 상태에서 상기 핀 감축 모드 진입 신호(RDC_in)가 활성화되면, 상기 핀 감축 신호(RDC)가 활성화된다. 반면, 상기 핀 감축 모드 진입 신호(RDC_in)가 활성화되더라도, 상기 테스트 모드 신호(TM)가 활성화되면, 상기 핀 감축 신호(RDC)가 비활성화되게 된다. Specifically, the pin reduction
즉, 본 발명의 실시예에 따르면, 핀 감축 모드로 테스트를 수행하는 경우, 핀 감축 모드이기 때문에 데이터 출력 핀으로 모든 데이터가 동시에 출력되지 못하는 대신, 모든 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<0>, EDC<1>)으로 전체 데이터 출력의 에러 정보를 담고 있는 에러 검출 코드(EDC_u, EDC_d)를 테스트 데이터로 출력함으로써, 외부에서 데이터 출력에 에러가 있는지 여부를 판단할 수 있다.That is, according to the embodiment of the present invention, when the test is performed in the pin reduction mode, all the data can not be output simultaneously to the data output pin because of the pin reduction mode. Instead, all the error detection code output pins (EDC <0> (EDC_u, EDC_d) containing the error information of the entire data output in the EDC <1> as the test data, it is possible to judge whether there is an error in the data output from the outside.
상기 신호 생성부(20B)는 스트로브 신호 생성부(24), 직렬화 신호 생성부(25) 및 출력 인에이블 신호 생성부(26)를 더 포함할 수 있다.The
상기 스트로브 신호 생성부(24)는 제 1 및 제 2 스트로브 제어 신호(stb_ctrl<0:1>)를 입력받아 상기 핀 감축 신호(RDC)의 상태에 기초하여 제 1 및 제 2 스트로브 신호(strobe<0:1>)를 생성한다. 상기 제 1 및 제 2 스트로브 제어 신호(stb_ctrl<0:1>)는 각각 복수의 제 1 데이터(DATA_u<0:63>)에 대한 순환 중복 검사 결과 및 복수의 제 2 데이터(DATA_d<0:63>)에 대한 순환 중복 검사 결과를 출력하고자 하는 경우 활성화되는 신호이다.The
상기 스트로브 신호 생성부(24)는 상기 핀 감축 신호(RDC)가 비활성화된 경우에는 상기 제 1 및 제 2 스트로브 제어 신호(stb_ctrl<0:1>)가 활성화되면 상기 제 1 및 제 2 스트로브 신호(strobe<0:1>)를 모두 활성화시킨다. 반면, 상기 핀 감축 신호(RDC)가 활성화된 경우에는 상기 제 1 및 제 2 스트로브 제어 신호(stb_ctrl<0:1>)가 활성화되더라도 상기 제 1 스트로브 신호(strobe<0>)는 활성화시키고 상기 제 2 스트로브 신호(strobe<1>)는 비활성화시킨다.If the first and second strobe control signals stb_ctrl <0: 1> are activated when the pin reduction signal RDC is inactive, the
구체적으로, 상기 스트로브 신호 생성부(24)는 상기 핀 감축 신호(RDC)에 응답하여 상기 제 2 스트로브 제어 신호(stb_crtl<1>)로부터 상기 제 2 스트로브 신호(strobe<1>)의 출력을 차단하는 패스 게이트(미도시)를 포함할 수 있다.Specifically, the
한편, 상기 스트로브 신호 생성부(24)는 상기 제 1 및 제 2 스트로브 신호(strobe<0:1>)를 생성하고 소정 시간 뒤에 활성화된 직렬화 제어 신호(pin)를 생성할 수 있다. The
상기 직렬화 신호 생성부(25)는 상기 직렬화 제어 신호(pin)를 입력받아 상기 핀 감축 신호(RDC)의 상태에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 직렬화 신호(pin_u, pin_d)를 생성한다. 상기 제 1 및 제 2 직렬화 신호(pin_u, pin_d)는 각각 병렬로 전달되는 상기 복수의 제 1 데이터(DATA_u<0:63>)에 대한 순환 중복 검사 결과 및 복수의 제 2 데이터(DATA_d<0:63>)에 대한 순환 중복 검사 결과를 직렬화시키는 신호이다.The
상기 직렬화 신호 생성부(25)는 상기 핀 감축 신호(RDC)가 비활성화된 경우에는 상기 직렬화 제어 신호(pin)가 활성화되면 상기 제 1 및 제 2 직렬화 신호(pin_u, pin_d)를 모두 활성화시킨다. 반면, 상기 핀 감축 신호(RDC)가 활성화된 경우에는 상기 직렬화 제어 신호(pin)가 활성화되더라도 상기 제 1 직렬화 신호(pin_u)는 활성화시키고 상기 제 2 직렬화 신호(pin_d)는 비활성화시킨다.The
구체적으로, 상기 직렬화 신호 생성부(25)는 상기 핀 감축 신호(RDC)에 응답하여 상기 직렬화 제어 신호(pin)로부터 상기 제 2 직렬화 신호(pin_d)의 출력을 차단하는 패스 게이트(미도시)를 포함할 수 있다.Specifically, the
즉, 상기 직렬화 신호 생성부(25)는 제 1 및 제 2 데이터에 대하여 순환 중복 검사 수행 결과가 생성된 이후에, 상기 핀 감축 신호(RDC)의 상태에 따라 상기 결과들의 직렬화 여부를 결정하게 된다.That is, after the cyclic redundancy check result is generated for the first and second data, the
상기 출력 인에이블 신호 생성부(26)는 출력 인에이블 제어 신호(outen)를 입력받아 상기 핀 감축 신호(RDC)의 상태에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 출력 인에이블 신호(outen_u, outen_d)를 생성한다. 상기 출력 인에이블 제어 신호(outen)는 테스트 데이터를 외부로 출력하고자 하는 경우에 활성화되는 신호이다. 상기 제 1 및 제 2 출력 인에이블 신호(outen_u, outen_d)는 각각 직렬화된 상기 제 1 데이터(DATA_u<0:63>)에 대한 순환 중복 검사 결과 및 제 2 데이터(DATA_d<0:63>)에 대한 순환 중복 검사 결과를 제 1 및 제 2 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<0>, EDC<1>)으로 출력할 것인지 여부를 결정하는 신호이다.The output enable
상기 출력 인에이블 신호 생성부(26)는 상기 핀 감축 신호(RDC)가 비활성화된 경우에는 상기 출력 인에이블 제어 신호(outen)가 활성화되면 상기 제 1 및 제 2 출력 인에이블 신호(outen_u, outen_d)를 모두 활성화시킨다. 반면, 상기 핀 감축 신호(RDC)가 활성화된 경우에는 상기 출력 인에이블 제어 신호(outen)가 활성화되더라도 상기 제 1 출력 인에이블 신호(outen_u)는 활성화시키고 상기 제 2 출력 인에이블 신호(outen_d)는 비활성화시킨다.The output enable
구체적으로, 상기 출력 인에이블 신호 생성부(26)는 상기 핀 감축 신호(RDC)에 응답하여 상기 출력 인에이블 제어 신호(outen)로부터 상기 제 2 출력 인에이블 신호(outen_d)의 출력을 차단하는 패스 게이트(미도시)를 포함할 수 있다.Specifically, the output enable
테스트 데이터 출력부(20A)는 제 1 및 제 2 순환 중복 검사부(22, 23), 전달부(27)와 제 1 및 제 2 출력부(28, 29)를 포함한다.The test
상기 제 1 순환 중복 검사부(22)는 복수의 제 1 데이터(DATA_u<0:63>)에 대하여 순환 중복 검사를 실시하여 복수의 제 1 순환 중복 검사 데이터(CRC_u<0:7>)를 생성한다. 이때, 상기 제 1 순환 중복 검사부(22)는 상기 복수의 제 1 데이터(DATA_u<0:63>)와 함께 상기 복수의 제 1 데이터에 대한 데이터 버스 반전 정보(DBI_u<0:7>)를 수신하여 상기 순환 중복 검사를 실시할 수 있다. The first cyclic
상기 제 2 순환 중복 검사부(23)는 복수의 제 2 데이터(DATA_d<0:63>)에 대하여 순환 중복 검사를 실시하여 복수의 제 1 순환 중복 검사 데이터(CRC_d<0:7>)를 생성한다. 이때, 상기 제 2 순환 중복 검사부(23)는 상기 복수의 제 2 데이터(DATA_d<0:63>)와 함께 상기 복수의 제 2 데이터에 대한 데이터 버스 반전 정보(DBI_d<0:7>)를 수신하여 상기 순환 중복 검사를 실시할 수 있다.The second cyclic
상기 제 1 및 제 2 순환 중복 검사부(22, 23)은 일반적인 CRC회로로 구현될 수 있다.The first and second cyclic
상기 전달부(27)는 상기 제 1 및 제 2 스트로브 신호(strobe<0:1>)에 응답하여 상기 제 1 및 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터(CRC_u<0:7>, CRC_d<0:7>)의 전달을 제어한다. 전달부(27)는 상기 제 1 스트로브 신호(strobe<0>)가 활성화되면 상기 제 1 순환 중복 검사 데이터(CRC_u<0:7>)를 상기 제 1 출력부(28)로 전달한다. 그리고 상기 제 2 스트로브 신호(strobe<1>)가 활성화되면 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터(CRC_d<0:7>)를 상기 제 2 출력부(29)로 전달한다.The
도 4는 상기 전달부(27)의 구체적인 실시예를 나타내는 블록도이다.Fig. 4 is a block diagram showing a concrete embodiment of the
상기 전달부(27)는 복수 비트의 상기 제 1 및 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터(CRC_u<0:7>, CRC_d<0:7>) 중에서 각각 한 비트 수신하여 상기 제 1 및 제 2 스트로브 신호(strobe<0:1>)에 따라 해당 비트의 전달 여부를 결정하는 제 1 내지 제 8 선택 전달부(27_1~27_8)를 포함한다. 상기 제 1 및 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터(CRC_u<0:7>, CRC_d<0:7>)의 비트 수에 따라 상기 선택 전달부의 개수는 조절될 수 있다.The
제 1 선택 전달부(27_1)의 동작을 예로써 설명하면 다음과 같다. 핀 감축 모드로 정상 동작을 실시하는 경우에는 상기 제 1 스트로브 신호(strobe<0>)는 활성화되어 인가되나 상기 제 2 스트로브 신호(strobe<1>)는 비활성화되어 인가된다. 따라서, 상기 제 1 선택 전달부(27_1)는 CRC_u<0>을 전달하여 CRC_du<0>로 출력하나, CRC_d<0>에 대해서는 전달을 차단한다.The operation of the first selection transfer unit 27_1 will be described below as an example. When the normal operation is performed in the pin reduction mode, the first strobe signal (strobe <0>) is activated but the second strobe signal (strobe <1>) is deactivated and applied. Therefore, the first selection transfer unit 27_1 delivers CRC_u <0> to CRC_du <0>, but blocks transmission of CRC_d <0>.
반면 핀 감축 모드로 테스트 동작을 실시하는 경우에는 상기 제 1 및 제 2 스트로브 신호(strobe<0:1>)가 모두 활성화되어 인가된다. 따라서, 상기 상기 제 1 선택 전달부(27_1)는 CRC_u<0>을 전달하여 CRC_du<0>로 출력하고, CRC_d<0>를 전달하여 CRC_dd<0>로 출력한다.On the other hand, when the test operation is performed in the pin reduction mode, both the first and second strobe signals strobe <0: 1> are activated and applied. Therefore, the first selection transfer unit 27_1 transfers CRC_u <0> to CRC_du <0>, and transmits CRC_d <0> to CRC_dd <0>.
구체적으로, 상기 제 1 선택 전달부(27_1)는 상기 제 1 스트로브 신호(strobe<0>) 응답하여 CRC_u<0> 전달의 차단 여부를 결정하는 패스 게이트(미도시) 및 상기 제 2 스트로브 신호(strobe<1>) 응답하여 CRC_d<0> 전달의 차단여부를 결정하는 패스 게이트(미도시)를 포함할 수 있다.Specifically, the first selection transfer unit 27_1 includes a pass gate (not shown) for determining whether or not to block transfer of CRC_u <0> in response to the first strobe signal (strobe <0>), (not shown) for determining whether or not the transmission of CRC_d <0> is blocked in response to the strobe <1>.
나머지 제 2 내지 제 8 선택 전달부(27_2~27_8)도 상기와 같이 구성 및 동작하여 복수 비트의 상기 제 1 및 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터(CRC_u<0:7>, CRC_d<0:7>)를 각각 제 1 출력부(28) 및 제 2 출력부(29)로 전달한다.The second to eighth selective transfer units 27_2 to 27_8 are configured and operated as described above to generate the first and second cyclic redundancy check data CRC_u <0: 7>, CRC_d <0: 7> To the
상기 제 1 출력부(28)는 상기 전달된 제 1 순환 중복 검사 데이터(CRC_du<0:7>)를 제 1 에러 검출 코드(EDC_u)로 제 1 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<0>)을 통해 출력한다.The
구체적으로, 상기 제 1 출력부(28)는 상기 제 1 직렬화 신호(pin_u)가 활성화되면 전달된 상기 제 1 순환 중복 검사 데이터(CRC_du<0:7>)를 직렬화하고, 상기 제 1 출력 인에이블 신호(outen_u)가 활성화되면 직렬화된 상기 제 1 순환 중복 검사 데이터를 제 1 에러 검출 코드(EDC_u)로 상기 제 1 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<0>)으로 출력한다. 상기 제 1 출력부(28)는, 상기 제 1 직렬화 신호(pin_u)에 응답하여 상기 전달된 제 1 순환 중복 검사 데이터(CRC_du<0:7>)를 직렬화하는 파이프 래치(미도시) 및 상기 제 1 출력 인에이블 신호(outen_u)에 응답하여 제 1 에러 검출 코드(EDC_u)를 출력하는 출력 드라이버(미도시)를 포함할 수 있다.Specifically, the
상기 제 2 출력부(29)는 상기 전달된 제 2 순환 중복 검사 데이터(CRC_dd<0:7>)를 제 2 에러 검출 코드(EDC_u)로 제 2 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<1>)을 통해 출력한다.The
구체적으로, 상기 제 2 출력부(29)는 상기 제 2 직렬화 신호(pin_d)가 활성화되면 전달된 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터(CRC_dd<0:7>)를 직렬화하고, 상기 제 2 출력 인에이블 신호(outen_d)가 활성화되면 직렬화된 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터를 제 2 에러 검출 코드(EDC_d)로 상기 제 2 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<1>)으로 출력한다. 상기 제 2 출력부(29)는, 상기 제 2 직렬화 신호(pin_d)에 응답하여 상기 전달된 제 2 순환 중복 검사 데이터(CRC_dd<0:7>)를 직렬화하는 파이프 래치(미도시) 및 상기 제 2 출력 인에이블 신호(outen_d)에 응답하여 제 2 에러 검출 코드(EDC_d)를 출력하는 출력 드라이버(미도시)를 포함할 수 있다.Specifically, the
즉, 핀 감축 모드로 테스트를 수행하는 경우, 상기 제 1 및 제 2 출력부(28, 29)는 제 1 및 제 2 에러 검출 코드 출력 핀(EDC<0>, EDC<1>)으로 각각 제 1 및 제 2 에러 검출 코드(EDC_u, EDC_d)를 테스트 데이터로 출력한다.That is, when the test is performed in the pin reduction mode, the first and
본 발명의 실시예에 따른 반도체 메모리 장치는 핀 감축 모드로 정상 동작을 하는 경우에는 출력 핀 중에 일부만을 이용하여 데이터를 출력하나, 핀 감축 모드로 테스트 동작을 하는 경우에는 모든 에러 검출 코드 핀을 통하여 대응하는 에러 검출 코드를 테스트 데이터로 출력하게 함으로써, 동시에 전체 데이터 출력 결과의 에러 여부를 판별할 수 있게 한다.The semiconductor memory device according to the embodiment of the present invention outputs data by using only a part of the output pins when the semiconductor memory device operates normally in the pin reduction mode but when the test operation is performed in the pin reduction mode, And outputting the corresponding error detection code as the test data, it is possible to determine whether or not the entire data output result is erroneous at the same time.
본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the following claims and their equivalents. Only. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.
100: 반도체 메모리 장치 20 : 테스트 회로
20A : 테스트 데이터 출력부 20B : 신호 생성부
21 : 핀 감축 신호 생성부 22 : 제 1 순환 중복 검사부
23 : 제 2 순환 중복 검사부 24 : 스트로브 신호 생성부
25 : 직렬화 신호 생성부 26 : 출력 인에이블 신호 생성부
27 : 전달부 28 : 제 1 출력부
29 : 제 2 출력부100: semiconductor memory device 20: test circuit
20A: Test
21: pin reduction signal generating unit 22: first cyclic redundancy check unit
23: second cyclic redundancy checking unit 24: strobe signal generating unit
25: serialization signal generator 26: output enable signal generator
27: transfer part 28: first output part
29: second output section
Claims (22)
상기 핀 감축 모드로 테스트를 수행하는 경우에는, 전체의 상기 복수의 에러 검출 코드 출력 핀을 통하여 각각에 할당되는 상기 에러 검출 코드를 출력하는 테스트 회로를 포함하는 반도체 메모리 장치.A plurality of data input / output pins and a plurality of error detection code output pins, wherein in a pin reduction mode, only a part of the plurality of data input / output pins is used to output data assigned thereto, and only a part of the plurality of error detection code output pins And outputting an error detection code assigned to the semiconductor memory device,
And a test circuit for outputting the error detection code assigned to each of the plurality of error detection code output pins through the plurality of error detection code output pins as a whole when the test is performed in the pin reduction mode.
각각의 상기 에러 검출 코드는 할당된 데이터에 대하여 순환 중복 검사(Cyclic Redundancy Check)를 수행하여 생성되는 반도체 메모리 장치.The method according to claim 1,
Wherein each of the error detection codes is generated by performing a cyclic redundancy check on the allocated data.
복수의 제 1 데이터에 대하여 순환 중복 검사를 실시하여 제 1 순환 중복 검사 데이터를 생성하는 제 1 순환 중복 검사부;
복수의 제 2 데이터에 대하여 순환 중복 검사를 실시하여 제 2 순환 중복 검사 데이터를 생성하는 제 2 순환 중복 검사부;
상기 핀 감축 신호의 상태에 상관 없이 상기 제 1 순환 중복 검사 데이터를 제 1 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력하는 제 1 출력부; 및
상기 핀 감축 신호가 활성화 상태이면 디스에이블되고, 상기 핀 감축 신호가 비활성화 상태이면 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터를 제 2 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력하는 제 2 출력부를 포함하는 반도체 메모리 장치.A pin reduction signal generation unit for receiving a pin reduction mode entry signal and a test mode signal to generate a pin reduction signal;
A first cyclic redundancy check unit for performing a cyclic redundancy check on a plurality of first data to generate first cyclic redundancy check data;
A second cyclic redundancy check unit for performing a cyclic redundancy check on a plurality of second data to generate second cyclic redundancy check data;
A first output unit for outputting the first cyclic redundancy check data to a first error detection code output pin regardless of a state of the pin reduction signal; And
And a second output unit for outputting the second cyclic redundancy check data to the second error detection code output pin if the pin reduction signal is in an inactive state and disabled if the pin reduction signal is in an inactive state.
상기 핀 감축 신호 생성부는,
상기 핀 감축 모드 진입 신호만 활성화된 경우 상기 핀 감축 신호를 활성화시키고,
상기 핀 감축 모드 진입 신호 및 상기 테스트 모드 신호 모두 활성화된 경우 상기 핀 감축 신호를 비활성화시키는 반도체 메모리 장치.The method of claim 3,
Wherein the pin reduction signal generating unit comprises:
Activates the pin reduction signal when only the pin reduction mode entering signal is activated,
And deactivates the pin reduction signal when both the pin reduction mode entry signal and the test mode signal are activated.
상기 제 1 순환 중복 검사부는,
상기 복수의 제 1 데이터와 함께 상기 복수의 제 1 데이터에 대한 데이터 버스 반전(Data Bus Inversion) 정보를 수신하여 상기 순환 중복 검사를 실시하는 반도체 메모리 장치.The method of claim 3,
Wherein the first cyclic redundancy check unit comprises:
And performs data cyclic redundancy checking by receiving data bus inversion information for the plurality of first data together with the plurality of first data.
상기 제 2 순환 중복 검사부는,
상기 복수의 제 2 데이터와 함께 상기 복수의 제 2 데이터에 대한 데이터 버스 반전(Data Bus Inversion) 정보를 수신하여 상기 순환 중복 검사를 실시하는 반도체 메모리 장치.The method of claim 3,
Wherein the second cyclic redundancy check unit comprises:
And data bus inversion information for the plurality of second data together with the plurality of second data to perform the cyclic redundancy check.
출력 인에이블 제어 신호 및 상기 핀 감축 신호를 수신하여 제 1 출력 인에이블 신호 및 제 2 출력 인에이블 신호를 생성하는 출력 인에이블 신호 생성부를 더 포함하는 반도체 메모리 장치.The method of claim 3,
And an output enable signal generating section for receiving the output enable control signal and the pin reduction signal to generate a first output enable signal and a second output enable signal.
상기 출력 인에이블 신호 생성부는,
상기 출력 인에이블 제어 신호가 활성화될 때 상기 핀 감축 신호가 비활성화 상태이면, 상기 제 1 및 제 2 출력 인에이블 신호를 모두 활성화시키고,
상기 출력 인에이블 제어 신호가 활성화될 때 상기 핀 감축 신호가 활성화 상태이면, 상기 제 1 출력 인에이블 신호는 활성화시키고 상기 제 2 출력 인에이블 신호는 비활성화시키는 반도체 메모리 장치.8. The method of claim 7,
Wherein the output enable signal generator comprises:
When the pin enable signal is inactivated when the output enable control signal is activated, activating both the first and second output enable signals,
And activates the first output enable signal and deactivates the second output enable signal if the pin reduction signal is active when the output enable control signal is activated.
상기 제 1 출력부는,
상기 제 1 출력 인에이블 신호가 활성화되면 상기 제 1 순환 중복 검사 데이터를 제 1 에러 검출 코드로 상기 제 1 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력하는 반도체 메모리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the first output unit comprises:
And outputs the first cyclic redundancy check data to the first error detection code output pin with a first error detection code when the first output enable signal is activated.
상기 제 2 출력부는,
상기 제 2 출력 인에이블 신호가 활성화되면 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터를 제 2 에러 검출 코드로 상기 제 2 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력하는 반도체 메모리 장치.9. The method of claim 8,
Wherein the second output unit comprises:
And outputs the second cyclic redundancy check data to the second error detection code output pin with a second error detection code when the second output enable signal is activated.
복수의 제 1 데이터에 대하여 순환 중복 검사를 실시하여 복수의 제 1 순환 중복 검사 데이터를 생성하는 제 1 순환 중복 검사부;
복수의 제 2 데이터에 대하여 순환 중복 검사를 실시하여 복수의 제 2 순환 중복 검사 데이터를 생성하는 제 2 순환 중복 검사부;
상기 제 1 및 제 2 스트로브 신호에 응답하여 상기 제 1 및 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터의 전달을 제어하는 전달부;
상기 제 1 직렬화 신호에 응답하여 상기 복수의 제 1 순환 중복 검사 데이터를 직렬화하고, 상기 제 1 출력 인에이블 신호에 응답하여 직렬화된 상기 제 1 순환 중복 검사 데이터를 제 1 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력하는 제 1 출력부; 및
상기 제 2 직렬화 신호에 응답하여 상기 복수의 제 2 순환 중복 검사 데이터를 직렬화하고, 상기 제 2 출력 인에이블 신호에 응답하여 직렬화된 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터를 제 2 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력하는 제 2 출력부를 포함하는 반도체 메모리 장치.Receiving a pin reduction mode entry signal and a test mode signal to generate a pin reduction signal and outputting the first and second strobe signals, the first and second serialization signals, and the first and second outputs A signal generator for generating an enable signal;
A first cyclic redundancy check unit for performing a cyclic redundancy check on a plurality of first data to generate a plurality of first cyclic redundancy check data;
A second cyclic redundancy check unit for performing a cyclic redundancy check on a plurality of second data to generate a plurality of second cyclic redundancy check data;
A transfer unit for transferring the first and second cyclic redundancy check data in response to the first and second strobe signals;
Serializing the plurality of first cyclic redundancy check data in response to the first serialization signal and outputting the first cyclic redundancy check data serialized in response to the first output enable signal to a first error detection code output pin A first output unit for outputting a first output signal; And
Serializing the plurality of second cyclic redundancy check data in response to the second serialization signal and outputting the second cyclic redundancy check data serialized in response to the second output enable signal to a second error detection code output pin And a second output section for outputting the second output signal.
상기 신호 생성부는,
상기 핀 감축 모드 진입 신호 및 상기 테스트 모드 신호를 수신하여 상기 핀 감축 신호를 생성하는 핀 감축 신호 생성부;
제 1 및 제 2 스트로브 제어 신호를 입력받아 상기 핀 감축 신호의 상태에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 스트로브 신호를 생성하는 스트로브 신호 생성부;
직렬화 제어 신호를 입력받아 상기 핀 감축 신호의 상태에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 직렬화 신호를 생성하는 직렬화 신호 생성부;
출력 인에이블 제어 신호를 입력받아 상기 핀 감축 신호의 상태에 기초하여 상기 제 1 및 제 2 출력 인에이블 신호를 생성하는 출력 인에이블 신호 생성부를 포함하는 반도체 메모리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the signal generator comprises:
A pin reduction signal generation unit receiving the pin reduction mode entry signal and the test mode signal and generating the pin reduction signal;
A strobe signal generator for receiving the first and second strobe control signals and generating the first and second strobe signals based on the state of the pin reduction signal;
A serialization signal generator for receiving the serialization control signal and generating the first and second serialization signals based on the state of the pin reduction signal;
And an output enable signal generator for receiving the output enable control signal and generating the first and second output enable signals based on the state of the pin reduction signal.
상기 핀 감축 신호 생성부는,
상기 핀 감축 모드 진입 신호만 활성화된 경우 상기 핀 감축 신호를 활성화시키고,
상기 핀 감축 모드 진입 신호 및 상기 테스트 모드 신호 모두 활성화된 경우 상기 핀 감축 신호를 비활성화시키는 반도체 메모리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the pin reduction signal generating unit comprises:
Activates the pin reduction signal when only the pin reduction mode entering signal is activated,
And deactivates the pin reduction signal when both the pin reduction mode entry signal and the test mode signal are activated.
상기 제 1 및 제 2 스트로브 제어 신호는 각각 상기 제 1 및 제 2 순환 중복 검사 데이터를 출력하고자 하는 경우 활성화되는 신호로서,
상기 스트로브 신호 생성부는,
상기 핀 감축 신호가 비활성화된 경우에는 상기 제 1 및 제 2 스트로브 제어 신호가 활성화되면 상기 제 1 및 제 2 스트로브 신호를 모두 활성화시키고,
상기 핀 감축 신호가 활성화된 경우에는 상기 제 1 및 제 2 스트로브 제어 신호가 활성화되더라도 상기 제 1 스트로브 신호는 활성화시키고 상기 제 2 스트로브 신호는 비활성화시키는 반도체 메모리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the first and second strobe control signals are activated when the first and second cyclic redundancy check data are to be output, respectively,
Wherein the strobe signal generator comprises:
Wherein when the first and second strobe control signals are activated, both the first and second strobe signals are activated when the pin reduction signal is inactivated,
And activates the first strobe signal and deactivates the second strobe signal even if the first and second strobe control signals are activated when the pin reduction signal is activated.
상기 스트로브 신호 생성부는,
상기 제 1 및 제 2 스트로브 신호를 생성하고 소정 시간 뒤에 활성화된 상기 직렬화 제어 신호를 생성하는 반도체 메모리 장치.15. The method of claim 14,
Wherein the strobe signal generator comprises:
And generates the first and second strobe signals and generates the serialization control signal activated after a predetermined time.
상기 직렬화 신호 생성부는,
상기 핀 감축 신호가 비활성화된 경우에는 상기 직렬화 제어 신호가 활성화되면 상기 제 1 및 제 2 직렬화 신호를 모두 활성화시키고,
상기 핀 감축 신호가 활성화된 경우에는 상기 직렬화 제어 신호가 활성화되더라도 상기 제 1 직렬화 신호는 활성화시키고 상기 제 2 직렬화 신호는 비활성화시키는 반도체 메모리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the serialization signal generator comprises:
And activating the first and second serialization signals when the serialization control signal is activated when the pin reduction signal is inactivated,
And activates the first serialization signal and deactivates the second serialization signal even if the serialization control signal is activated when the pin reduction signal is activated.
상기 출력 인에이블 신호 생성부는,
상기 핀 감축 신호가 비활성화된 경우에는 상기 출력 인에이블 제어 신호가 활성화되면 상기 제 1 및 제 2 출력 인에이블 신호를 모두 활성화시키고,
상기 핀 감축 신호가 활성화된 경우에는 상기 출력 인에이블 제어 신호가 활성화되더라도 상기 제 1 출력 인에이블 신호는 활성화시키고 상기 제 2 출력 인에이블 신호는 비활성화시키는 반도체 메모리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein the output enable signal generator comprises:
When the pin enable signal is inactivated, activating both the first and second output enable signals when the output enable control signal is activated,
And activates the first output enable signal and deactivates the second output enable signal even if the output enable control signal is activated when the pin reduction signal is activated.
상기 제 1 순환 중복 검사부는,
상기 복수의 제 1 데이터와 함께 상기 복수의 제 1 데이터에 대한 데이터 버스 반전(Data Bus Inversion)정보를 수신하여 상기 순환 중복 검사를 실시하는 반도체 메모리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the first cyclic redundancy check unit comprises:
And performs data cyclic redundancy checking by receiving data bus inversion information for the plurality of first data together with the plurality of first data.
상기 제 2 순환 중복 검사부는,
상기 복수의 제 2 데이터와 함께 상기 복수의 제 2 데이터에 대한 데이터 버스 반전(Data Bus Inversion)정보를 수신하여 상기 순환 중복 검사를 실시하는 반도체 메모리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the second cyclic redundancy check unit comprises:
And data bus inversion information for the plurality of second data together with the plurality of second data to perform the cyclic redundancy check.
상기 전달부는,
상기 제 1 스트로브 신호가 활성화되면 상기 제 1 순환 중복 검사 데이터를 상기 제 1 출력부로 전달하고, 상기 제 2 스트로브 신호가 활성화되면 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터를 상기 제 2 출력부로 전달하는 복수의 선택 전달부를 포함하는 반도체 메모리 장치.12. The method of claim 11,
[0030]
A plurality of selection units for transferring the first cyclic redundancy check data to the first output unit when the first strobe signal is activated and transferring the second cyclic redundancy check data to the second output unit when the second strobe signal is activated, And a transfer portion.
상기 제 1 출력부는,
상기 제 1 직렬화 신호가 활성화되면 상기 전달부로부터 전달된 복수의 상기 제 1 순환 중복 검사 데이터를 직렬화하고, 상기 제 1 출력 인에이블 신호가 활성화되면 직렬화된 상기 제 1 순환 중복 검사 데이터를 제 1 에러 검출 코드로 상기 제 1 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력하는 반도체 메모리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the first output unit comprises:
Serializing the plurality of first cyclic redundancy check data transmitted from the transfer unit when the first serialization signal is activated and outputting the first cyclic redundancy check data serialized when the first output enable signal is activated, And outputting the detection code to the first error detection code output pin.
상기 제 2 출력부는,
상기 제 2 직렬화 신호가 활성화되면 상기 전달부로부터 전달된 복수의 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터를 직렬화하고, 상기 제 2 출력 인에이블 신호가 활성화되면 직렬화된 상기 제 2 순환 중복 검사 데이터를 제 2 에러 검출 코드로 상기 제 2 에러 검출 코드 출력 핀으로 출력하는 반도체 메모리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the second output unit comprises:
Serializing the second cyclic redundancy check data transmitted from the transfer unit when the second serialization signal is activated and outputting the second cyclic redundancy check data serialized when the second output enable signal is activated to a second error And outputting the detection code to the second error detection code output pin.
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---|---|---|---|
KR1020120095553A KR101917165B1 (en) | 2012-08-30 | 2012-08-30 | Semiconductor memory apparatus |
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
US11482261B2 (en) | 2020-10-23 | 2022-10-25 | SK Hynix Inc. | Memory device and method of operating with different input/output modes |
Citations (2)
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KR100378684B1 (en) * | 2000-07-31 | 2003-04-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | Parallel test circuit |
US20090086551A1 (en) * | 2007-10-01 | 2009-04-02 | Elpida Memory, Inc. | Semiconductor device |
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2012
- 2012-08-30 KR KR1020120095553A patent/KR101917165B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (2)
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