KR101915194B1 - 그래핀이 함유된 투명 전극 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
그래핀이 함유된 투명 전극 기판 및 그 제조 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101915194B1 KR101915194B1 KR1020120056226A KR20120056226A KR101915194B1 KR 101915194 B1 KR101915194 B1 KR 101915194B1 KR 1020120056226 A KR1020120056226 A KR 1020120056226A KR 20120056226 A KR20120056226 A KR 20120056226A KR 101915194 B1 KR101915194 B1 KR 101915194B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- graphene
- substrate
- layer
- graphene layer
- transparent electrode
- Prior art date
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 180
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 171
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 131
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 52
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 51
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 13
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920000997 Graphane Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 30
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 129
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 35
- 239000010408 film Substances 0.000 description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 23
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N n-pentane Natural products CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N cyclopentadiene Chemical compound C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000001273 butane Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N n-butane Chemical compound CCCC IJDNQMDRQITEOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N pentene Chemical compound CCCC=C YWAKXRMUMFPDSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920006264 polyurethane film Polymers 0.000 description 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/003—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables using irradiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1606—Graphene
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Toxicology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
본 발명은 그래핀이 함유된 투명 전극 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 투명 전극 기판의 제조 방법은, (a) 절연체인 기판 위에 그래핀층이 형성된 그래핀 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 그래핀층 위에 특정 패턴이 형성된 마스크를 배치하는 단계; (c) 상기 마스크 위에 수소 플라즈마를 발생시키는 단계; 및 (d) 상기 수소 플라즈마가 상기 마스크를 통해 상기 그래핀층에 부분적으로 증착되며, 상기 수소 플라즈마가 증착된 영역이 절연체로 변하여 상기 그래핀층에 전극 패턴이 형성되는 단계를 포함한다.
Description
본 발명은 전기 소자에 관한 것으로서, 특히 그래핀이 함유된 투명 전극 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
통신 제품의 사용량이 증가하면서 통신 제품에 많이 사용되는 디스플레이 패널의 생산이 급속도로 늘어나고 있다. 디스플레이 패널에는 투명 전극 기판이 필수적으로 구비된다. 투명 전극 기판은 콘트롤러의 제어를 받아서 디스플레이 패널로 하여금 영상을 디스플레이시키는 역할을 수행한다. 투명 전극 기판에는 전기 신호를 전달하는 전극들이 형성되어 있다. 상기 전극은 일반적으로 전도성이 좋고 가격이 저렴한 구리로 이루어져 있다.
그런데, 최근에는 구리보다 도전성이 훨씬 더 좋은 그래핀의 활용에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그래핀은 2차원 탄소 동소체로서, 기존의 물질과 다른 매우 유용한 특성을 가진다. 그래핀의 특징 중 하나로, 그래핀에 전자가 이동할 경우 마치 전자의 질량이 제로인 것처럼 흐른다는 것이다. 이는 전자가 진공 중의 빛이 이동하는 속도, 즉 광속으로 흐르는 것을 의미한다. 현재까지 알려진 그래핀의 전자 이동도는 최대 200,000 [cm2/Vs]에 달한다.
그래핀을 이용한 기판의 제조 방법이 문헌(한국특허공개 #2011-01184)에 개시되어 있다. 상기 문헌은 기본 그래핀에 아르곤 이온을 조사하여 상기 기본 그래핀의 일함수와 다른 일함수를 갖는 변형 그래핀을 형성하는 방법을 개시하고 있다. 그러나, 상기 문헌은 빛을 이용하여 그래핀 패턴을 형성하는 방법에 대해서는 개시하고 있지 않다.
본 발명은 육안으로 전극 패턴이 보이지 않는 투명 전극 기판 및 그 제조 방법을 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 형태는,
(a) 절연체인 기판 위에 그래핀층이 형성된 그래핀 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 그래핀층 위에 특정 패턴이 형성된 마스크를 배치하는 단계; (c) 상기 마스크 위에 수소 플라즈마를 생성하는 단계; 및 (d) 상기 수소 플라즈마가 상기 마스크를 통해 상기 그래핀층에 부분적으로 증착되며, 상기 수소 플라즈마가 증착된 영역이 절연체로 변하여 상기 그래핀층에 전극 패턴이 형성되는 단계를 포함하는 투명 전극 기판의 제조 방법을 제공한다.
상기 수소 플라즈마는 수소와 불활성 기체로 구성되며, 상기 불활성 기체는 아르곤과 질소를 포함할 수 있다.
상기 마스크에 형성된 특정 패턴은, 상기 그래핀층의 전극 패턴이 형성되는 영역에 상기 수소 플라즈마가 증착되는 것을 차단하고, 상기 절연체로 변하는 영역에 상기 플라즈마가 증착되도록 형성된다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 또한,
상기 본 발명의 일 형태에 따른 제조 방법을 이용하여 제조된 투명 전극 기판을 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 형태는,
(a) 절연체인 기판 위에 그래핀층이 형성된 그래핀 기판을 준비하는 단계; (b) 상기 그래핀층 위에 특정 패턴을 갖는 포토레지스트층을 형성하는 단계; (c) 상기 포토레지스트층 위에 수소 플라즈마를 생성하는 단계; (d) 상기 수소 플라즈마가 상기 그래핀층에 부분적으로 증착되며, 상기 플라즈마가 증착된 영역이 절연체로 변하여 상기 그래핀층에 전극 패턴이 형성되는 단계; 및 (e) 상기 포토레지스트층을 제거하는 단계를 포함하는 투명 전극 기판의 제조 방법을 제공한다.
상기 수소 플라즈마는 수소와 불활성 기체로 구성되며, 상기 불활성 기체는 아르곤과 질소를 포함할 수 있다.
상기 포토레지스트층에 형성된 특정 패턴은, 상기 그래핀층의 전극 패턴이 형성되는 영역에 상기 수소 플라즈마가 증착되는 것을 차단하고, 상기 절연체로 변하는 영역에 상기 수소 플라즈마가 증착되도록 형성된다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 또한,
상기 본 발명의 다른 형태에 따른 제조 방법을 이용하여 제조된 투명 전극 기판을 제공한다.
본 발명은 그래핀을 함유한 투명 기판 위에 전극 패턴을 형성한다. 전극 패턴 형성 과정에서 투명 기판 위에 형성된 그래핀층에 수소 플라즈마를 부분적으로 증착시킨다. 이 때, 수소 플라즈마가 증착된 그래핀층은 절연물질로 변하고, 수소 플라즈마가 증착되지 않은 그래핀층은 도전성을 갖게 된다. 상기 그래핀층에 의해 그래핀층에는 전극 패턴이 형성된다. 즉, 그래핀층에 전극 패턴을 형성할 때, 그래핀층은 조금도 제거되지 않는다. 이에 따라, 그래핀층은 평평한 상태로 유지된다.
상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 그래핀층에 전극 패턴이 형성됨에도 불구하고 그래핀층은 평평한 상태로 유지된다. 따라서, 빛이 전극 패턴에 조사될 때 그 반사율은 일정하게 된다. 빛의 반사율이 일정함에 따라 전극 패턴은 외부에서 육안으로 구분이 되지 않는다.
또한, 종래에는 빛의 반사율을 일정하게 하기 위하여 전극 패턴 위에 인덱스 매칭층을 형성하고 있는데, 본 발명은 이러한 인덱스 매칭층이 필요없게 되어 투명 전극 기판의 제조 공정이 단축된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극 기판의 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 2A 내지 도 2D는 투명 전극 기판의 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 3A 내지 도 3E는 도 1의 그래핀 기판의 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 4A는 마스크의 평면도이다.
도 4B는 도 4A의 A-A'선을 따라 자른 마스크의 단면도이다.
도 5는 챔버의 일 예를 도시한 단면도이다.
도 6은 투명 전극 기판의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 8A 내지 도 8E는 투명 전극 기판의 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 그래핀 기판의 단면도들이다.
도 9A 내지 도 9E는 도 7의 그래핀층 위에 특정 패턴을 갖는 포토레지스트층이 형성된 그래핀 기판의 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 그래핀 기판의 단면도들이다.
도 10은 그래핀 기판을 현상하는 방법의 일 예를 보여준다.
도 11은 디스플레이 패널에 구비되는 투명 전극 기판의 일 예를 보여준다.
도 2A 내지 도 2D는 투명 전극 기판의 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 3A 내지 도 3E는 도 1의 그래핀 기판의 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 단면도들이다.
도 4A는 마스크의 평면도이다.
도 4B는 도 4A의 A-A'선을 따라 자른 마스크의 단면도이다.
도 5는 챔버의 일 예를 도시한 단면도이다.
도 6은 투명 전극 기판의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 제조 방법을 도시한 흐름도이다.
도 8A 내지 도 8E는 투명 전극 기판의 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 그래핀 기판의 단면도들이다.
도 9A 내지 도 9E는 도 7의 그래핀층 위에 특정 패턴을 갖는 포토레지스트층이 형성된 그래핀 기판의 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 그래핀 기판의 단면도들이다.
도 10은 그래핀 기판을 현상하는 방법의 일 예를 보여준다.
도 11은 디스플레이 패널에 구비되는 투명 전극 기판의 일 예를 보여준다.
이하, 첨부한 도면들을 참고하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명하기로 한다. 각 도면에 제시된 참조부호들 중 동일한 참조부호는 동일한 부재를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극 기판의 제조 방법을 도시한 흐름도이고, 도 2A 내지 도 2D는 투명 전극 기판의 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 단면도이며, 도 3A 내지 도 3E는 그래핀 기판의 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 단면도들이다. 도 2A 내지 도 3E를 참조하여 도 1에 도시된 투명 전극 기판의 제조 방법을 상세히 설명하기로 한다. 도 1을 참조하면, 투명 전극 기판의 제조 방법은 제1 내지 제4 단계들(111∼141)을 포함한다.
제1 단계(111)로써, 도 2A를 참조하면, 절연체인 기판(211) 위에 그래핀층(221)이 형성된 그래핀 기판(201)을 준비한다.
기판(211)은 전기가 통하지 않는 절연성을 가지며, 또한 투명한 물질로 구성될 수 있다. 즉, 기판(211)은 PET(polyethylene terephthalate), 유리(glass), 석영(quartz), 사파이어(sapphire), 웨이퍼(wafer) 중 하나로 구성될 수 있다. 기판(211)은 평평하며, 플렉시블(flexible)한 재질로 구성되는 것이 바람직하다.
그래핀층(221)은 그래핀(graphene)으로 구성된다. 상기 그래핀은 탄소(C) 원자 한 층 또는 복수의 층으로 이루어진 벌집 구조의 2차원 박막을 갖는다. 상기 그래핀은 평면 구조를 가지는 탄소 원자의 집합체이며, 단일층의 두께는 탄소 원자 하나의 크기에 불과하여 약 0.3 [nm]이다. 상기 그래핀은 그 특성이 금속성으로, 층방향으로 전도성을 가지며 열전도성이 우수하고, 전하 캐리어(carrier)의 이동도(mobility)가 커서 고속 전자 소자를 구현할 수 있다. 상기 그래핀으로 구성된 그래핀 시트(sheet)의 전자 이동도는 약 20,000 내지 50,000 [cm2/Vs]의 값을 갖는다. 상기 그래핀은 역학적 견고성과 화학적 안정성이 뛰어나고, 반도체와 도체의 성질을 모두 가지고 있으며, 두께가 얇아, 평판 표시 소자, 트랜지스터, 에너지 저장체 및 나노 크기의 전자소자로의 응용성이 크다. 상기 그래핀을 이용하면 반도체 공정 기술을 이용하여 소자를 제조하기 용이하며, 특히 대면적 집적화가 용이한 이점이 있다.
그래핀층(221)은 기판(211)에 전사되어 형성될 수 있다. 그래핀층(221)을 기판(211)에 전사하기 위해서는 다음과 같이 5가지 공정을 진행할 수 있다.
첫 번째 공정으로써, 도 3A를 참조하면, 촉매 금속(311)의 일 면에 그래핀층(221)을 합성한다. 촉매 금속(311)에 그래핀층(221)을 합성하기 위하여 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition)이나 열화학기상증착법(Thermal Chemical Vapor Deposition)을 이용할 수 있다. 특히, 화학기상증착법은 저온에서 진행이 가능하고 대량 생산이 가능하여 촉매 금속(311)에 그래핀층(221)을 합성하기에 바람직한 공정이라 할 수 있다.
촉매 금속(311)은 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 구리(Cu), 마그네슘(Mg), 망간(Mn), 몰리브덴(Mo), 로듐(Rh), 실리콘(Si), 탄탈럼(Ta), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 우라늄(U), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 이트리움(Y), 및 지르코늄(Zr) 중 하나 이상으로 구성될 수 있다.
촉매 금속(311)의 표면에 그래핀층(221)을 형성하기 위해서는 먼저, 촉매 금속(311)을 챔버(chamber)(도 5의 501) 내에 장착한다. 이어서, 챔버(도 5의 501) 내에 탄화수소(CH4) 가스를 일정 농도로 충진한 후, 상기 탄화수소에서 탄소(C) 원자와 수소(H) 원자를 분리시키기 위해 챔버(도 5의 501) 내에 열에너지를 공급한다. 그러면, 상기 열에너지에 의해 탄소 원자와 수소 원자가 분리되고, 상기 분리된 탄소 원자가 촉매 금속(311)의 표면에 증착되어 그래핀층(221)이 합성된다.
촉매 금속(311)이 챔버(도 5의 501) 내에 장착된 상태에서 챔버(도 5의 501) 내에 열에너지를 주입하기 전에 챔버(도 5의 501)에 수소(H2) 가스를 먼저 주입하여 촉매 금속(311)의 표면을 표면 처리하는 공정을 더 진행할 수 있다. 촉매 금속(311)을 표면처리함으로써, 그래핀층(221)이 촉매 금속(311)의 표면에 보다 더 견고하게 형성될 수 있다.
본 실시 예에서는 탄소 공급원으로 탄화수소 가스가 투입되는 경우를 설명하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 일산화탄소, 에탄, 에틸렌, 에탄올, 아세틸렌, 프로판, 프로필렌, 부탄, 부타티엔, 펜탄, 펜텐, 사이클로펜타디엔, 헥산, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔 등 탄소 원자가 포함된 군에서 선택된 하나 이상이 상기 탄소 공급원으로써 사용될 수 있다.
촉매 금속(311)의 표면에 그래핀층(221)을 형성하기 전에 촉매 금속(311)의 표면에 대하여 전처리를 수행할 수 있다. 상기 전처리 공정은 촉매 금속(311)의 표면에 존재하는 이물질을 제거하기 위한 공정으로, 예컨대 수소(H2) 기체를 사용할 수 있다. 상기 수소 기체의 공급으로 촉매 금속(311)의 표면을 깨끗이 유지할 수 있다. 다른 실시예로써, 특정 용액을 이용하여 촉매 금속(311)의 표면을 전처리할 수 있다. 예컨대, 산 용액이나 알칼리 용액을 사용하여 촉매 금속(311)의 표면을 세정할 수 있다.
촉매 금속(311)의 일 면에 그래핀층(221)이 형성된 소재를 구비하기 위하여, 촉매 금속(311)의 양면에 그래핀층(221)들을 합성한 후에 양 면 중 한 면의 그래핀층을 제거할 수도 있다. 촉매 금속(311)의 양 면에 그래핀층(221)들을 합성하기 위하여 촉매 금속(311)의 일 면에 그래핀층(221)을 합성하는 방법과 동일한 방법 및 동일한 장비를 이용할 수 있다.
두 번째 공정으로써, 도 3B를 참조하면, 그래핀층(221)의 표면에 캐리어 필름(321)을 부착한다. 캐리어 필름(321)은 액상 소재, 예컨대 솔더 레지스트(Solder Resist), 포토레지스트(Photoresist), 포토 솔더 레지스트(Photo Solder Resist) 중 하나로 구성될 수 있다. 상기 액상 소재는 스크린 프린팅(screen printing) 방법과 롤 코팅(roll coating) 방법 중 하나를 이용하여 캐리어 필름(321)으로 구성될 수 있다. 상기 스크린 프린팅 방법을 사용하는 경우, 스크린 프린팅 후 150∼180[℃]에서 약 5분 가량 경화(curing)를 수행하는 것이 바람직하다.
캐리어 필름(321)은 폴리다이메탈실록세인 (polydimethylsiloxane), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(polyethylen terephthalate), 폴리 이미드 필름(polyimide film), 폴리우레탄 필름(polyurethane film), 유리(glass) 등의 다양한 소재로써 구성될 수 있고, 일정한 온도에 이르면 접착력을 잃는 열 박리 필름으로 구성될 수도 있다.
캐리어 필름(321)을 그래핀층(221)의 표면에 접착하기 위하여, 그래핀층(221)과 캐리어 필름(321)이 나란히 배치된 상태에서 캐리어 필름(321)의 후면에 복수개의 분사노즐들(도시 안됨)을 배치하고, 상기 복수개의 분사노즐들로 캐리어 필름(321)에 공기를 분사하여 공압을 가한다. 그러면, 상기 복수개의 분사노즐들이 가하는 공압에 의해서, 캐리어 필름(321)은 그래핀층(221) 쪽으로 밀려나 그래핀층(221)에 접착된다. 이 때, 캐리어 필름(321)을 가압하는 공기를 가열하는 단계를 더 포함할 수 있다. 캐리어 필름(321)에 가해지는 공기를 가열하는 단계를 더 구비함으로써, 공기가 캐리어 필름(321)에 공압을 가함과 동시에 캐리어 필름(321)을 가열하므로 캐리어 필름(321)과 그래핀층(221)이 더욱 잘 달라붙게 된다. 또한, 캐리어 필름(321)이 가열되면 캐리어 필름(321) 및 그래핀층(221)의 계면 간의 접촉시 유연성이 증가된다. 따라서, 캐리어 필름(321) 또는 그래핀층(221)의 표면에 요철, 곡면 또는 패턴이 형성되는 등, 캐리어 필름(321) 또는 그래핀층(221)이 다양한 표면 상태를 가지더라도 유연하게 대처할 수 있다.
세 번째 공정으로써, 도 3C를 참조하면, 그래핀층(221)으로부터 촉매 금속(311)을 제거한다. 촉매 금속(311)은 에칭 공정을 이용하여 제거할 수 있다. 상기 에칭 공정으로는 습식 공정이 이용될 수 있다. 상기 에칭 공정에 이용되는 에칭액으로는 산, 불화수소(HF), BOE(buffered oxide etch), 염화 제2철(FeCl3) 용액, 질산 제2철(Fe(No3)3) 용액 등이 있다. 상기 에칭 공정으로써, 건식 에칭 공정이 이용될 수도 있고, 또한, 스퍼터링(sputtering))을 이용하여 촉매 금속(311)을 제거하는 공정이 이용될 수도 있다. 촉매 금속(311)을 제거하면 그래핀층(221)이 외부로 노출된다.
네 번째 공정으로써, 도 3D를 참조하면, 그래핀층(221)을 기판(211)에 전사한다. 그래핀층(221)은 습식 전사 방법 또는 건식 전사 방법을 이용하여 기판(211)에 전사할 수 있다. 건식 전사 방법으로는 UV 테이프(Ultraviolet tape), 온도 반응형 점착력 소멸 테이프(thermal release tape) 등을 이용한 간접 전사 방법을 사용하거나, 직접 그래핀층(221)을 기판(211)에 전사하는 직접 전사 방법이 사용될 수 있다.
그래핀층(221)을 전사하기 전에 그래핀층(221)의 표면을 플라즈마 처리할 수 있다. 그래핀층(221)의 표면을 플라즈마 처리함으로써 그래핀층(221)의 표면 특성이 향상되어 그래핀층(221)이 기판(211)에 견고하게 결착된다.
다섯 번째 공정으로써, 도 3E를 참조하면, 캐리어 필름(321)을 제거한다. 그래핀층(221)이 기판(211)에 전사된 상태에서 캐리어 필름(321)을 제거하기 위하여, 그래핀 기판(201)의 한쪽 끝을 잡고 캐리어 필름(321)을 상방 또는 하방으로 잡아당긴다. 그러면, 물리적 힘에 의하여 캐리어 필름(321)이 그래핀 기판(201)으로부터 분리된다. 따라서, 도 2A에 도시된 그래핀 기판(201)이 완성된다.
캐리어 필름(321)을 그래핀 기판(201)으로부터 용이하게 분리시키기 위하여 특정 조건을 제공할 때 캐리어 필름(321)의 접착력이 약해지는 부재를 사용할 수 있다. 예컨대, 캐리어 필름(321)으로써 열박리 테이프를 사용하게 되면, 열을 캐리어 필름(321)에 가함으로써 캐리어 필름(321)의 접착력이 약하여져서 그래핀 기판(201)으로부터 쉽게 분리될 수 있다.
제2 단계(121)로써, 도 2B를 참조하면, 그래핀 기판(201) 위에 특정 패턴이 형성된 마스크(231)를 배치한다. 즉, 마스크(231)는 그래핀 기판(201) 위에 배치되며, 그래핀 기판(201)과 소정 거리 이격되도록 배치된다.
도 4A 및 도 4B는 마스크(231)의 평면도 및 단면도이다. 도 4A 및 도 4B를 참조하면, 마스크(231)에는 마스킹 패턴(237)이 형성되어 있다. 마스킹 패턴(237)은 마스킹 영역(233)과 오픈 영역(235)으로 구성된다. 마스킹 영역(233)은 마스크 소재가 존재하고, 오픈 영역(235)은 마스크 소재가 존재하지 않는다. 마스킹 영역(233)은 그래핀층(221)에 형성되는 전극(도 6의 221a)과 동일한 형태를 갖는다.
제3 단계(131)로써, 도 2C를 참조하면, 마스크(231) 위에 수소 플라즈마(241)를 생성한다. 즉, 그래핀 기판(201) 위에 마스크(231)를 배치하고, 마스크(231) 위에 수소 플라즈마(241)를 생성한다. 수소 플라즈마(241)는 수소와 불활성 기체를 포함한다. 상기 불활성 기체는 아르곤(Ar), 질소(N2), 헬륨(He), 네온(Ne), 크세논(Xe) 중 하나 또는 둘 이상을 포함할 수 있다.
제3 단계(131)는 챔버(도 5의 501) 내에서 이루어진다. 도 5는 챔버(501)의 일 실시예를 보여준다. 도 5를 참조하면, 챔버(501)는 밀폐된 내부 공간을 형성하는 상부(503)와 하부(504), 상부(503)에 설치되며 고주파 신호가 인가되는 상부 전극(511), 하부(504)에 설치되며 그래핀 기판(201)과 마스크(231)가 장착 및 고정되는 척 조립체(521), 챔버(501)의 내부에 수소와 불활성 기체를 공급하기 위하여 챔버(501)의 중간 측벽에 설치된 공정 노즐(531), 척 조립체(521)에 장착되는 기판(201)을 세정하기 위한 세정 가스를 분사하는 세정 노즐(541), 및 챔버(501)의 내부에 존재하는 가스를 외부로 배출하는 배기관(551)을 구비한다.
상부(503)는 돔 형상을 이루며, 돔 형상의 내주면은 고주파 파워가 인가되는 상부 전극(511)으로 이루어지고, 하부(504)의 측면의 일부는 사용자가 내부를 볼 수 있도록 투명한 소재로 구성될 수 있다.
제3 단계(131)를 진행하기 위해서는, 그래핀 기판(201)을 챔버(501) 안에 넣고, 그래핀 기판(201) 위에 마스크(231)를 배치한 다음, 챔버(501)의 안쪽 상부에 수소 플라즈마(241)를 생성한다. 수소 플라즈마(241)를 생성하기 위해서는, 먼저 수소와 불활성 가스를 공정 노즐(531)을 통해 챔버(501)의 내부로 공급한다. 이 상태에서, 고주파 신호를 상부 전극(511)에 인가한다. 그러면, 상기 고주파 신호에 의해 상기 수소와 불활성 가스가 여기되어 수소 플라즈마(241)가 생성된다. 수소 플라즈마(241)는 중력에 의해 마스크(231)의 오픈 영역(235)을 통해 그래핀 기판(201)에 증착된다.
제3 단계(131)를 진행하고 나면, 챔버(501)의 내벽에는 유전막이 형성될 수 있다. 상기 유전막이 소정 두께만큼 형성되면 챔버(501)의 내벽으로부터 분리되어 하부로 떨어지게 된다. 만일 상기 분리된 유전막이 그래핀 기판(201)의 표면에 떨어질 경우 그래핀 기판(201)의 성능을 저하시켜서 그래핀 기판(201)이 불량으로 될 수가 있다. 때문에 특정 시간마다 챔버(501)에 대한 예방 정비를 실행할 필요가 있다.
제4 단계(141)로써, 도 2D를 참조하면, 수소 플라즈마(241)가 그래핀층(221)에 부분적으로 증착된다. 수소 플라즈마(241)가 증착된 영역은 절연체로 변하여 그래핀 기판(201)의 상면에 전극 패턴(도 6의 227)이 형성된다. 즉, 수소 플라즈마(241)가 증착된 그래핀층(221)은 절연물질인 그래페인(Graphane)층으로 변하고, 수소 플라즈마(241)가 증착되지 않은 그래핀층(221)은 그대로 유지된다.
마스크(도 2C의 231)의 마스킹 영역(도 2C의 233)은 수소 플라즈마(241)가 그래핀층(221)의 표면에 증착되는 것을 차단한다. 따라서, 마스크(도 2C의 231)의 마스킹 영역(도 2C의 233)에 일치하는 그래핀층(221)의 영역은 그대로 유지되어 도전성을 갖게 됨으로 전극의 기능을 수행한다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 그래핀 기판(201)의 상면에는 전극 패턴(227)이 형성된 투명 전극 기판(205)이 완성된다.
전극 패턴(도 6의 227)이 형성된 투명 전극 기판(205)은 챔버(도 5의 501)로부터 외부로 이송된다. 또한, 다음 공정을 위해 챔버(도 5의 501) 내부의 가스는 배기관(도 5의 551)을 통해 외부로 완전히 배출된다.
도 6은 도 1에 도시된 방법으로 제조된 투명 전극 기판(205)의 일 예를 보여준다. 도 6을 참조하면, 기판(211)의 상부에 그래핀층(221a)과 그래페인층(225)에 의해 구성된 전극 패턴(227)이 형성되어 있다. 그래핀층(221a)은 전기가 흐르는 전극 역할을 하며, 그래페인층(225)은 그래핀층(221a)을 상호 격리시킨다. 그래핀층(221a)과 그래페인층(225)은 평평한 상태이다. 이와 같이 본 발명에 따르면, 그래핀 기판(201) 위에 전극 패턴(227)이 형성됨에도 불구하고 그래핀 기판(201)의 상부는 평평한 상태로 유지된다.
따라서, 빛이 그래핀 기판(201) 위에 조사될 때 그 반사율은 일정하게 된다. 빛의 반사율이 일정함에 따라 그래핀 기판(201) 위에 형성된 전극 패턴(227)은 외부에서 육안으로 구분이 되지 않는다.
또한, 종래에는 빛의 반사율을 일정하게 하기 위하여 전극 패턴(227) 위에 인덱스 매칭층을 형성하고 있는데, 본 발명은 이러한 인덱스 매칭층이 필요없게 되어 투명 전극 기판(205)의 제조 공정이 단축된다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 투명 전극 기판의 제조 방법을 도시한 흐름도이고, 도 8A 내지 도 8E는 투명 전극 기판의 제조 방법을 설명하기 위하여 도시한 단면도들이고, 도 9A 내지 도 9E는 특정 패턴을 갖는 포토레지스트층이 형성된 그래핀 기판의 제조 방법을 설명하기 위하여 순차적으로 도시한 단면도들이다. 도 8A 내지 도 9E를 참조하여 도 7의 투명 전극 기판도 의 제조 방법을 상세히 설명하기로 한다. 도 7을 참조하면, 투명 전극 기판(도 6의 205)의 제조 방법은 제1 내지 제5 단계들(711∼751)을 포함한다.
제1 단계(711)로써, 도 8A를 참조하면, 절연체인 기판(811) 위에 그래핀층(821)이 형성된 그래핀 기판(801)을 준비한다. 기판(811) 위에 그래핀층(821)을 형성하는 방법은 도 1에 도시된 제1 단계(111)와 동일하게 진행할 수 있으므로, 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.
제2 단계(721)로써, 도 8B를 참조하면, 그래핀층(821) 위에 특정 패턴(837)을 갖는 포토레지스트층(831)을 형성한다. 포토레지스트층(831)에는 특정 패턴(837)이 형성되어 있다. 특정 패턴(837)은 마스킹 영역(831a)과 오픈 영역(835)으로 구성된다. 마스킹 영역(831a)은 포토레지스트층(831)이 존재하고, 오픈 영역(835)은 포토레지스트층(831)이 존재하지 않아 그래핀층(821)이 노출된다. 즉, 마스킹 영역(831a)은 그래핀층(821)에 형성되는 전극 패턴(도 6의 221a)과 동일한 형태를 갖는다.
그래핀층 (821)위에 특정 패턴(837)을 갖는 포토레지스트층(831)이 형성된 그래핀 기판(801)의 제조 방법은 다음과 같이 4개의 공정들을 포함할 수 있다.
첫 번째 공정으로써, 도 9A를 참조하면, 그래핀층(821)의 전면에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트층(831)을 형성한다. 그래핀층(821)의 전면에 포토레지스트층(831)을 형성하기 위하여, 포토레지스트 용액을 그래핀층(821)의 표면에 떨어뜨린 후 그래핀 기판(801)을 고속으로 회전시키는 스핀 코팅 방법을 이용할 수 있다.
두 번째 공정으로써, 도 9B를 참조하면, 포토레지스트층(831)의 상부에 마스킹 패턴(847)이 형성된 마스크(841)를 설치한다. 마스킹 패턴(847)은 포토레지스트층(831)에서 현상되어야 할 부분은 빛에 노출되고, 현상되지 않아야할 영역은 빛에 노출되지 않도록 구성된다. 마스킹 패턴(847)은 마스크(841)의 재질에 따라 이와 반대로 구성될 수도 있다. 즉, 마스킹 패턴(847)은 포토레지스트층(831)에서 현상되어야 할 부분은 빛(도 9C의 851)에 노출되지 않고, 현상되지 않아야할 영역은 빛(도 9C의 851)에 노출되도록 구성될 수도 있다. 포토레지스트층(831)의 현상 결과는 상기 두 경우 모두 동일하게 나타난다. 마스크(841)는 포토레지스트층(831)에 접촉될 수도 있고, 포토레지스트층(831)에 접촉되지 않고 그 위에 부양된 상태로 설치될 수도 있다.
세 번째 공정으로써, 도 9C를 참조하면, 포토레지스트층(831)을 빛(851)에 노출시킨다. 즉, 마스크(841) 위에서 빛(851)을 조사한다. 그러면, 도 9D에 도시된 바와 같이 빛(851)에 노출된 포토레지스트층(833)은 경화되고, 빛(851)에 노출되지 않은 포토레지스트층(835)은 액체 상태로 유지된다.
네 번째 공정으로써, 그래핀 기판(801)을 현상한다. 즉, 도 9E를 참조하면, 그래핀 기판(801)을 현상액(905)에 담근다. 그러면, 액체 상태의 포토레지스트층(835)은 현상액(905)에 의해 그래핀 기판(801)으로부터 제거되고 경화된 포토레지스트층(833)만 남게 된다. 따라서, 도 8B에 도시된 바와 같이, 그래핀층(821) 위에 형성된 포토레지스트층(831)은 특정 패턴(837)을 갖게 된다.
그래핀 기판(801)을 현상하는 방법의 일 예가 도 10에 도시되어 있다. 도 10을 참조하면, 그래핀 기판(801)을 용기(901)에 담긴 현상액(905)에 담근다. 그래핀 기판(801)을 현상하기 위해서는, 그래핀 기판(801)이 감긴 공급 릴(reel)(1011), 현상액(905)이 담긴 용기(901), 및 수신 릴(1012)을 순서대로 설치한다. 이 상태에서, 공급 릴(1011)로부터 그래핀 기판(801)을 풀면서 수신 릴(1012)에 그래핀 기판(801)을 감는다. 이 때, 공급 릴(1011)로부터 풀리는 그래핀 기판(801)이 현상액(905)이 담긴 용기(901)를 통과하도록 한다. 이와 같이, 그래핀 기판(801)이 현상액(905)이 담긴 용기(901)를 통과하면서, 빛(도 9C의 851)에 노출된 포토레지스트층(도 9D의 835)은 그래핀 기판(801)으로부터 분리된다.
제3 단계(731)로써, 도 8C를 참조하면, 그래핀 기판(801) 위에 수소 플라즈마(841)를 생성한다. 즉, 그래핀 기판(801) 위에 수소 플라즈마(841)를 공급한다. 수소 플라즈마(841)는 수소와 불활성 기체를 포함한다. 상기 불활성 기체는 아르곤(Ar)과 질소(N2)를 포함한다. 그래핀 기판(801) 위에 수소 플라즈마를 생성하는 방법은 도 1의 제3 단계(131)를 통해 상세히 설명하였으므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.
제4 단계(741)로써, 도 8D를 참조하면, 수소 플라즈마(841)가 그래핀 기판(801)의 상면에 증착되며, 수소 플라즈마(841)가 증착된 그래핀층(821)은 절연체로 변하여 그래핀 기판(801)의 상부에 전극 패턴도 6의 227)이 형성된다.
즉, 수소 플라즈마(841)는 포토레지스트층(831)의 오픈 영역(도 8B의 835)을 통과하여 그래핀층(821)의 표면에 증착된다. 수소 플라즈마(841)가 증착된 그래핀층(821)은 절연물질인 그래페인(Graphane)층으로 변하고, 수소 플라즈마(841)가 증착되지 않은 그래핀층(821)은 그대로 유지된다.
포토레지스트층(831)의 마스킹 영역(도 8B의 831a)은 수소 플라즈마(841)가 그래핀층(821)의 표면에 증착되는 것을 차단한다. 따라서, 포토레지스트층(831)의 마스킹 영역(도 8B의 831a)에 일치하는 그래핀층(821)의 영역은 그대로 유지되어 도전성을 갖게 됨으로 전극의 기능을 수행한다. 즉, 도 6에 도시된 바와 같이, 그래핀 기판(801)의 표면에는 전극 패턴(227)이 형성된다.
제5 단계(751)로써, 도 8E를 참조하면, 그래핀 기판(801) 위에 형성된 포토레지스트층(831)을 제거한다. 포토레지스트층(831)을 제거하기 위하여 에칭 방법을 사용한다. 즉, 그래핀 기판(801)을 포토레지스트를 에칭하는 에칭액에 소정 시간 담구면 포토레지스트층(831)이 상기 에칭액에 의해 제거된다. 포토레지스트층(831)이 제거되면 도 6에 도시된 투명 전극 기판(205)이 완성된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 그래핀 기판(801)의 상부에 전극 패턴(227)이 형성됨에도 불구하고 그래핀 기판(801)의 상부는 평평한 상태로 유지된다. 따라서, 빛(851)이 그래핀 기판(801)의 표면에 조사될 때 그 반사율은 일정하게 된다. 빛(851)의 반사율이 일정함에 따라 그래핀 기판(801)에 형성된 전극 패턴(227)은 외부에서 육안으로 구분이 되지 않는다.
또한, 종래에는 빛(851)의 반사율을 일정하게 하기 위하여 전극 패턴(227) 위에 인덱스 매칭층을 형성하고 있는데, 본 발명은 이러한 인덱스 매칭층이 필요없게 되어 투명 전극 기판(205)의 제조 공정이 축소된다.
도 11은 디스플레이 패널에 구비되는 투명 전극 기판(605)의 일 예를 보여준다. 도 7을 참조하면, 투명 전극 기판(605)은 X축 전극 기판(205)과 Y축 전극 기판(206) 및 접착층(202)을 구비한다. X축 전극 기판(205)과 Y축 전극 기판(206)은 각각 본 발명에 따른 투명 전극 기판(도 6의 205)으로 구성될 수 있다. 즉, 본 발명의 투명 전극 기판(도 6의 205)을 2장 겹쳐서 디스플레이 패널용 투명 전극 기판(605)을 만들 수 있다. 접착층(202)은 X축 전극 기판(205)과 Y축 전극 기판(206)을 접착시켜주며, 투명성을 갖는다. 접착층(202)은 OCA(Optically Clear Adhesive)로 구비될 수 있다.
본 발명의 투명 전극 기판(605)은 상기한 디스플레이 패널 외에 터치 패널(touch panel)에도 이용될 수 있다.
상기와 같이, 디스플레이 패널용 투명 전극 기판(605)은 본 발명의 투명 전극 기판(205)을 구비함으로써, 디스플레이 패널용 투명 전극 기판(605)의 전극들은 외부에서 육안으로 구분이 되지 않는다. 또한, 인덱스 매칭층이 필요없게 되어 투명 전극 기판(605)의 제조 비용이 감소된다.
본 발명은 도면들에 도시된 실시예들을 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이들로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
Claims (10)
- (a) 절연체인 기판 위에 그래핀층이 형성된 그래핀 기판을 준비하는 단계;
(b) 상기 그래핀층 위에 특정 패턴이 형성된 마스크를 배치하는 단계;
(c) 상기 마스크 위에 수소 플라즈마를 발생시키는 단계; 및
(d) 상기 수소 플라즈마가 상기 마스크를 통해 상기 그래핀층에 부분적으로 증착되며, 상기 수소 플라즈마가 증착된 영역이 절연체인 그래페인(Graphane)층으로 변하여 상기 그래핀층에 전극 패턴이 형성되는 단계를 포함하는 투명 전극 기판의 제조 방법. - 제1항에 있어서,
상기 수소 플라즈마는 수소와 불활성 기체로 구성된 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판의 제조 방법. - 제2항에 있어서,
상기 불활성 기체는 아르곤과 질소를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판의 제조 방법. - 제1항에 있어서, 상기 마스크에 형성된 특정 패턴은
상기 그래핀층의 전극 패턴이 형성되는 영역에 상기 수소 플라즈마가 증착되는 것을 차단하고, 상기 절연체로 변하는 영역에 상기 플라즈마가 증착되도록 형성된 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판의 제조 방법. - 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 방법을 이용하여 제조된 투명 전극 기판.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120056226A KR101915194B1 (ko) | 2012-05-25 | 2012-05-25 | 그래핀이 함유된 투명 전극 기판 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020120056226A KR101915194B1 (ko) | 2012-05-25 | 2012-05-25 | 그래핀이 함유된 투명 전극 기판 및 그 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20130132102A KR20130132102A (ko) | 2013-12-04 |
| KR101915194B1 true KR101915194B1 (ko) | 2018-11-05 |
Family
ID=49981089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020120056226A KR101915194B1 (ko) | 2012-05-25 | 2012-05-25 | 그래핀이 함유된 투명 전극 기판 및 그 제조 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR101915194B1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101475182B1 (ko) * | 2014-07-01 | 2014-12-23 | 연세대학교 산학협력단 | 수소 표면처리된 그래핀, 이의 형성방법 및 이를 포함하는 전자 소자 |
| KR101682501B1 (ko) | 2014-07-04 | 2016-12-05 | 국민대학교산학협력단 | 은 나노와이어 패턴층 및 그래핀층을 포함하는 투명전극 및 그 제조방법 |
| KR102303722B1 (ko) * | 2019-08-08 | 2021-09-17 | 재단법인 파동에너지 극한제어 연구단 | 스텔스용 투명필름 구조체 및 스텔스용 투명필름 구조체의 제조방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212619A (ja) | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Toshiba Corp | グラフェンの作製方法、グラフェン、グラフェン作製装置及び半導体素子 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590225A (ja) * | 1991-01-22 | 1993-04-09 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR101006488B1 (ko) * | 2009-03-13 | 2011-01-07 | 한국표준과학연구원 | 그래핀의 전기적 특성 제어 방법 |
| KR101087829B1 (ko) * | 2009-06-12 | 2011-11-30 | 한양대학교 산학협력단 | 전기화학반응을 이용한 탄소 패턴 형성방법 |
| KR20130132103A (ko) * | 2012-05-25 | 2013-12-04 | 삼성테크윈 주식회사 | 그래핀을 이용한 회로 기판 제조 방법 |
-
2012
- 2012-05-25 KR KR1020120056226A patent/KR101915194B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010212619A (ja) | 2009-03-12 | 2010-09-24 | Toshiba Corp | グラフェンの作製方法、グラフェン、グラフェン作製装置及び半導体素子 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| D. C. Elias외, Control of Graphene’s Properties by Reversible Hydrogenation: Evidence for Graphane, SCIENCE VOL 323, 610-613(30 JANUARY 2009 ) |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20130132102A (ko) | 2013-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101878011B1 (ko) | 그라펜을 주성분으로 하는 투명 도전막을 구비한 전사 시트와 그 제조방법, 및 투명 도전물 | |
| US8419880B2 (en) | Method of transferring graphene | |
| US9023221B2 (en) | Method of forming multi-layer graphene | |
| US9510457B2 (en) | Methods of manufacturing metal wiring buried flexible substrate by using plasma and flexible substrates manufactured by the same | |
| KR101858642B1 (ko) | 그래핀의 전사 방법 | |
| KR101842018B1 (ko) | 그래핀을 포함하는 필름 제조 방법 | |
| JP5516046B2 (ja) | 接合膜転写シートおよび接合方法 | |
| KR101236138B1 (ko) | 마이크로파 및 ｉｐｌ조사를 이용한 그래핀 복합필름 제조방법 | |
| KR101429518B1 (ko) | 그래핀의 전사 장치 및 전사 방법 | |
| KR20130132103A (ko) | 그래핀을 이용한 회로 기판 제조 방법 | |
| US20200201100A1 (en) | Manufacturing method of graphene electrode and liquid crystal display panel | |
| KR101915194B1 (ko) | 그래핀이 함유된 투명 전극 기판 및 그 제조 방법 | |
| US20170358486A1 (en) | Metal-graphene heterojunction metal interconnects, method of forming the same, and semiconductor device including the same | |
| KR101320407B1 (ko) | 그래핀 시트의 직접 전사 방법 | |
| KR101498082B1 (ko) | 광을 이용한 그래핀의 제조 방법 | |
| US20060045988A1 (en) | Pretreatment process of a substrate in micro/nano imprinting technology | |
| US9346679B2 (en) | Method for enhancing growth of carbon nanotubes | |
| KR20130035617A (ko) | 그래핀상의 금속 박막의 형성 방법 | |
| JP2011235559A (ja) | 接合膜転写シートおよび接合方法 | |
| KR20140057079A (ko) | 그래핀 필름의 제조 방법 및 그 제조 방법으로 수득한 그래핀 필름 | |
| KR20130136241A (ko) | 표면 처리된 리드프레임 및 그 제조 방법 | |
| KR101795637B1 (ko) | 그래핀 필름 제조 방법 | |
| KR101915192B1 (ko) | 그래핀의 수득 방법 | |
| KR101461978B1 (ko) | 패턴된 그래핀의 제조방법 | |
| JP5120007B2 (ja) | 凹凸付き基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |