KR101910563B1 - 전자 블록층을 갖는 질화물 반도체 소자 및 전자 블록층 성장 방법 - Google Patents

전자 블록층을 갖는 질화물 반도체 소자 및 전자 블록층 성장 방법 Download PDF

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Abstract

전자 블록층을 갖는 질화물 반도체 소자 및 전자 블록층 성장 방법이 개시된다. 이 방법은 질화물 반도체 소자의 p형 전자 블록층을 성장시키는 방법으로, 기판이 배치된 챔버 온도를 제1 온도로 상승시키고, Ga 소스 가스, Al 소스 가스, N 소스 가스 및 Mg 소스 가스를 공급하면서 상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시켜 상기 기판 상에 전자 블록층을 성장시키는 것을 포함한다. 이에 따라, 전자의 오버플로우를 방지하면서 p형 불순물이 고농도로 도핑된 전자 블록층이 제공될 수 있다.

Description

전자 블록층을 갖는 질화물 반도체 소자 및 전자 블록층 성장 방법{NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING ELECTRON BLOCKING LAYER AND METHOD OF GROWING ELECTRON BLOCKING LAYER}
본 발명은 질화물 반도체 소자에 관한 것으로, 특히 전자 블록층을 갖는 질화물 반도체 소자 및 상기 전자 블록층 성장 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물 반도체를 이용하는 발광 소자는 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 포함한다. 상기 활성층은 전자와 홀이 결합하여 광을 방출한다. 상기 활성층 내에서 전자와 홀의 재결합율은 발광 소자의 발광 효율에 직접적인 영향을 미친다. 활성층 내 전자와 홀의 재결합율을 향상시키기 위해 전자의 오버 플로우를 방지할 필요가 있으며, 이를 위해 p형 AlGaN층의 전자 블록층이 채택되고 있다. 상기 전자 블록층은 활성층에 비해 밴드갭이 상대적으로 넓어 전자를 활성층 내에 가두어 전자와 홀의 재결합율을 증가시킨다.
한편, 전자 블록층 내의 Mg의 도핑량은 홀의 이동도에 영향을 미친다. 전자 블록층 내에 Mg을 도핑하지 않은 경우, 전자 블록층은 전자의 오버 플로우를 방지하지만, 활성층 내로의 홀의 주입 또한 방해한다. 홀의 주입 효율을 높이기 위해 전자 블록층 내 Mg의 도핑 농도를 증가시킬 필요가 있지만, Mg의 도핑량을 증가시킬 경우, 전자 블록층의 결정 품질이 나빠질 수 있어 도핑량을 증가시키는데 한계가 있다.
한편, 밴드갭이 상대적으로 넓은 전자 블록층을 채택함에 따라 활성층과 전자블록층 사이에 밴드갭 불연속이 발생하고, 이에 따라 활성층과 전자블록층의 계면에 이차원 전자가스층이 형성된다. 이차원 전자가스층은 활성층 내 전자의 분산을 도와 전자와 홀의 재결합율을 향상시킨다. 그러나, 전자가스층이 전도대 아래로 내려가면, 전자블록층의 에너지 장벽을 감소시켜 전자의 오버 플로우 방지 기능이 약해질 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 전자의 오버플로우를 방지함과 아울러 홀의 주입을 원활하게 할 수 있는 전자 블록층 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 전자 블록층의 결정 품질을 떨어뜨리지 않으면서 Mg 도핑 농도를 증가시킬 수 있는 전자 블록층 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 태양에 따른 질화물 반도체 소자는, n형 질화물 반도체층; 활성층; p형 전자 블록층; 및 p형 질화물 반도체층을 포함하며, 상기 p형 전자 블록층은 Al을 함유하고, 상기 활성층측에서 상기 p형 반도체층측을 향해 Al 조성비가 변한다. 특히, Al 조성비를 p형 반도체층측에 비해 활성층측에서 더 높게 함으로써전자블록층의 밴드갭을 활성층측에서 상대적으로 넓게 할 수 있어 전자의 오버플로우를 방지하며, 또한, p형 질화물 반도체층측에서 홀의 주입 효율을 증가시킬 수 있다. 나아가, p형 질화물 반도체층측에서 Al 조성비를 상대적으로 낮게 함으로써 p형 질화물 반도체층측의 Mg 도핑 농도를 상대적으로 높게 형성할 수 있으며, 따라서 전자 블록층 내에서 홀의 이동도를 향상시킬 수 있다.
상기 p형 전자 블록층은 Mg을 포함하되, 상기 Mg 도핑 농도는 상기 활성층측에서 상기 p형 반도체층측을 향해 증가할 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 Mg 도핑 농도는 상기 전자 블록층의 두께를 따라 일정할 수도 있다.
상기 전자 블록층은 AlGaN층 또는 InAlGaN층일 수 있다. 상기 전자 블록층이 InAlGaN층인 경우, 상기 전자 블록층 내의 In 조성비는 상기 활성층측에서 상기 p형 반도체층측을 향해 증가할 수 있다.
본 발명의 다른 태양에 따르면, 질화물 반도체 소자의 p형 전자 블록층을 성장시키는 방법이 제공된다. 이 방법은, 기판이 배치된 챔버 온도를 제1 온도로 상승시키고, Ga 소스 가스, Al 소스 가스, N 소스 가스 및 Mg 소스 가스를 공급하면서 상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시켜 상기 기판 상에 전자 블록층을 성장시키는 것을 포함한다.
상기 전자 블록층을 형성하기 전에 상기 챔버 내에서 상기 기판 상에 활성층이 미리 성장될 수 있다. 상대적으로 높은 온도에서 전자 블록층을 성장시키기 시작함에 따라, 상기 활성층 상에 결정 품질이 양호한 전자 블록층을 성장시킬 수 있다.
한편, 상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시키는 동안, 상기 Ga 소스 가스 및 Al 소스 가스는 일정한 유량으로 공급될 수 있다. 또한, 상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시키는 동안, Mg 소스 가스는 일정한 유량으로 공급될 수 있다. Ga 소스 가스 및 Al 소스 가스를 일정한 유량으로 공급하더라도, 챔버 온도가 하강함에 따라 전자 블록층 내의 Al 조성비가 감소한다. 또한, Mg 소스 가스를 일정한 유량으로 공급하더라도 Al 조성비가 감소하므로 Mg 도핑 농도가 증가한다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시키는 동안, Mg 소스 가스의 유량이 감소할 수 있다. 즉, 제1 온도에서 더 많은 유량의 Mg 소스 가스를 공급하고, 온도가 하강함에 따라 Mg 소스 가스의 유량을 감소시킬 수 있다. 이에 따라, 전자 블록층의 두께에 걸쳐 Mg을 대체로 일정하게 고농도로 도핑할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 전자 블록층은 AlGaN층일 수 있다.
다른 실시예들에 있어서, 상기 방법은 상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시키는 동안, In 소스 가스를 공급하는 것을 더 포함할 수 있으며, 이에 따라 InAlGaN층의 전자 블록층이 형성된다.
한편, 상기 제1 온도는 1050℃ 이상일 수 있다. 제1 온도가 1050℃ 미만에서는 양호한 결정질의 전자 블록층을 성장시키기 어렵다. 상기 제1 온도의 상한은 전자 블록층을 성장시킬 수 있는 한 제한되지 않으며, 약 1200℃이다. 한편, 제2 온도는 900℃ 이하일 수 있다. 제2 온도가 900℃를 초과하면, 전자 블록층 내에 도핑되는 Mg의 도핑 농도를 증가시키기 어렵다. 상기 제2 온도의 하한은 전자 블록층을 성장시킬 수 있는 한 제한되지 않으며, 약 800℃이다.
본 발명의 또 다른 태양에 따르면 질화물 반도체 소자 제조 방법이 제공된다. 이 질화물 반도체 소자 제조 방법은 앞서 설명한 전자 블록층 성장 방법을 포함한다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상대적으로 높은 온도에서 상대적으로 낮은 온도로 온도를 하강시키면서 전자블록층을 성장시킴으로써, 활성층측의 전자 블록층의 밴드갭을 증가시켜 전자의 오버플로우를 방지할 수 있으며, 전자 블록층 내에 함유되는 p형 불순물의 도핑 농도를 증가시킬 수 있다. 더욱이, 상대적으로 높은 온도에서 전자블록층을 성장시키기 시작함으로써 전자블록층 전체의 결정 품질을 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 블록층 성장 방법을 설명하기 위한 챔버 온도 프로파일을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 블록층 성장 방법을 설명하기 위한 소스 가스의 유량을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 블록층 성장 방법을 설명하기 위한 Mg 소스 가스의 유량을 나타낸다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 성장된 전자 블록층의 밴드갭을 설명하기 위한 다이어그램이다.
도 6은 종래의 전자 블록층 성장 방법 및 본 발명의 전자 블록층 성장 방법을 적용한 실험예를 설명하기 위한 개략적인 온도 프로파일을 나타낸다.
도 7은 종래의 전자 블록층 성장 방법 및 본 발명의 전자 블록층 성장 방법을 적용한 실험 결과를 설명하기 위한 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수 있다. 그리고, 도면에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 질화물 반도체 소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 질화물 반도체 소자는 기판(21), 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25), 전자 블록층(27) 및 제2 도전형 반도체층(29)을 포함한다. 또한, 상기 활성층(25)은 우물층(25w) 및 장벽층(25b)을 포함할 수 있다.
상기 기판(21)은 질화갈륨 계열의 에피층을 성장시키기 위한 기판으로서, 예컨대, 사파이어 기판, 탄화 실리콘 기판, 스피넬 기판, 실리콘 기판 등일 수 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25), 전자 블록층(27) 및 제2 도전형 반도체층(29)은 발광 다이오드를 제공하기 위한 에피층들로서, 예컨대 AlInGaN 계열의 화합물 반도체층일 수 있으며, 상기 기판(21)을 배치한 챔버 내에서 금속유기화학기상 성장법에 의해 성장될 수 있다.
또한, 상기 제1 도전형 반도체층(23) 및/또는 제2 도전형 반도체층(29)은 단일층일 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 다중층일 수 있다. 상기 제1 도전형 반도체층(23) 및 제2 도전형 반도체층(27)은 각각 n형 및 p형이다. 상기 제1 도전형 반도체층(23) 및 제2 도전형 반도체층(27)에 각각 오믹 콘택(도시하지 않음)이 제공될 수 있다.
한편, 상기 활성층(25)은 제1 도전형 반도체층(23)과 제2 도전형 반도체층(29) 사이에 위치하며, 장벽층(25b)과 우물층(25w)을 갖는 단일양자우물 구조 또는 다중양자우물 구조를 가질 수 있다. 도시한 바와 같이, 장벽층(25b)이 최상층일 수 있으나, 이에 반드시 한정되는 것은 아니며, 우물층(25w)이 최상층일 수도 있다.
전자 블록층(27)은 상기 활성층(25)과 제2 도전형 반도체층(29) 사이에 위치한다. 상기 전자 블록층(27)은 활성층(25)측에서 제2 도전형 반도체층(29)을 향해 Al 조성비가 감소하는 AlGaN 또는 InAlGaN으로 형성된다. 상기 전자 블록층(27)이 InAlGaN으로 형성될 경우, In의 조성비는 활성층(25)측에서 제2 도전형 반도체층(29)을 향해 증가한다. 상기 Al 조성비 및 In 조성비는 선형으로 경사질 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니며, 계단형으로 변할 수도 있다.
나아가, 상기 전자 블록층(27)에 p형 불순물로서 Mg이 도핑된다. Mg 도핑 농도는 상기 전자 블록층(27)의 두께에 걸쳐 일정할 수도 있으나, 활성층(25)측에서 제2 도전형 반도체층(29)을 향해 증가할 수도 있다.
상기 질화물 반도체 소자는 기판(21)을 챔버 내에 배치하고, 금속유기화학 기상 성장법을 사용하여 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25), 전자 블록층(27) 및 제2 도전형 반도체층(29)을 성장시켜 제조될 수 있다. 여기서, 상기 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(29)은 통상의 기술을 사용하여 성장될 수 있다.
한편, 종래 기술에 있어서, 전자 블록층(27)은 통상 일정한 온도에서 성장되어 왔다. 이에 반해, 본 발명은 전자 블록층(27)을 성장하는 동안 온도를 변화시키는 것을 특징으로 한다. 따라서, 이하에서는, 전자 블록층(27) 성장 방법에 대해 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 블록층 성장 방법을 설명하기 위한 챔버 온도 프로파일을 나타내고, 도 3은 Ga 소스 가스 및 Al 소스 가스의 유량을 나타내며, 도 4는 Mg 소스 가스의 유량을 나타낸다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 챔버 내에 배치된 기판(21) 상에 T0의 온도에서 활성층(25), 예컨대 장벽층(25b)이 성장된 후, 챔버 내의 온도를 t1 시간 동안, 예를 들어 약 3분 30초 동안, T1(제1 온도)까지 상승시킨다. 상기 기판(21) 상에는 제1 도전형 반도체층(23)이 미리 성장될 수 있으며, 활성층(25)은 상기 제1 도전형 반도체층(23) 상에 성장될 수 있다. 한편, 상기 제1 온도(T1)는 종래 전자 블록층을 성장시키기 위한 온도보다 상대적으로 높은 온도로 설정된다. 예컨대, 상기 제1 온도(T1)는 1050℃ 내지 1200℃ 범위 내일 수 있다.
T1까지 챔버 온도를 상승시키는 동안, 도 3에 도시한 바와 같이, TMG와 같은 Ga 소스 가스 및 TMA와 같은 Al 소스 가스의 유량을 증가시킬 수 있다. 나아가, 장벽층(25b) 성장 동안 공급하던 N 소스 가스를 계속해서 공급하거나 유량을 달리하여 공급할 수 있다. 또한, 도 4(a) 또는 도 4(b)에 도시한 바와 같이, Cp2Mg와 같은 Mg 소스 가스의 유량을 증가시킬 수 있다.
챔버 온도가 T1에 도달된 후, t2 시간 동안, 예컨대 약 4분 동안, Ga 소스 가스 및 Al 소스 가스를 일정하게 공급하면서 챔버 온도를 T1(제1 온도)에서 T2(제2 온도)로 하강시키면서 전자 블록층(도 1의 27)을 성장시킨다. 상기 제2 온도(T2)는 800℃ 내지 900℃ 범위 내의 온도일 수 있다. 한편, 도 4(a)에 도시한 바와 같이, Mg 소스 가스는 일정한 유량으로 공급될 수 있으나, 도 4(b)에 도시한 바와 같이, T1 온도에서 상대적으로 높은 유량으로 공급되고, 온도가 T2로 하강함에 따라 유량이 감소할 수 있다.
챔버 온도가 상대적으로 높은 온도에서, 전자 블록층(27) 내 Al의 조성비가 상대적으로 높으며 또한 전자 블록층(27)의 결정 품질이 개선된다. 한편, Mg 소스 가스를 일정하게 공급할 경우, 상대적으로 높은 온도에서 Mg의 도핑 농도가 낮아진다. 따라서, 온도를 T2까지 하강함으로써 전자 블록층(27)의 상부에 도핑되는 Mg의 도핑 농도를 증가시킬 수 있다.
나아가, 도 4(b)에 도시한 바와 같이, 상대적으로 높은 온도, 즉 T1에 가까울수록 Mg 소스 가스의 유량을 더 높게 함으로써 전자 블록층(27)의 전 영역에 걸쳐 상대적으로 높은 농도로 일정하게 Mg을 도핑할 수 있다.
한편, 본 실시예에 있어서, AlGaN층의 전자 블록층(27)을 성장시키는 것에 대해 설명하였지만, InAlGaN층의 전자 블록층을 성장시킬 수도 있다. 즉, 소스 가스를 공급할 때, TMI와 같은 In 소스 가스를 함께 공급하여 InAlGaN 전자 블록층을 성장시킬 수 있다. 이때, 챔버 온도를 T1에서 T2로 하강시킴에 따라, 전자 블록층(27) 내 In의 조성비는 전자 블록층(27)의 두께 방향을 따라 증가한다. 더욱이, In의 조성비가 증가함에 따라, Mg의 도핑 농도를 더욱 증가시킬 수 있다.
상기 전자 블록층(27)의 성장이 완료된 후, t3 시간 동안, 예컨대 5분 동안, 다시 온도를 T3까지 상승시킨 후, 제2 도전형 반도체층(29)이 성장된다. 상기 제2 도전형 반도체층(29)은 p형 GaN층으로 성장될 수 있다.
본 실시예에 따르면, 전자 블록층(27)을 성장하는 동안, 상대적으로 높은 온도(제1 온도)까지 챔버 온도를 상승시킨 후, 챔버 온도를 하강하기 때문에, 결정 품질이 양호한 전자 블록층(27)을 성장시킬 수 있으며, 전자 블록층(27) 내 p형 불순물의 도핑 농도를 증가시킬 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 성장된 전자 블록층의 밴드갭을 설명하기 위한 밴드 다이어그램이다. 여기서는 전도대(conduction band)만을 도시하였다.
전자 블록층(27)은 Al을 함유하여 GaN 장벽층(25b) 및 제2 질화물 반도체층(29)에 비해 상대적으로 높은 밴드갭을 갖는다. 더욱이, 본 발명에 따른 전자 블록층(27)은 활성층(25)측에서 제2 도전형 반도체층(29)측을 향해 Al의 조성비가 감소하며, 이에 따라 밴드갭이 감소하는 경향을 나타낸다. 전자 블록층(27)을 InAlGaN층으로 형성할 경우, In의 조성비가 활성층(25)측에서 제2 도전형 반도체층(29)측을 향해 증가하기 때문에, 밴드갭의 감소량을 더 크게 할 수 있다.
본 발명에 따르면, 상대적으로 높은 제1 온도(T1)에서 전자 블록층(27)을 성장하기 시작하기 때문에, 활성층(25)에 가까운 전자 블록층(27) 내 Al의 조성비를 더욱 증가시킬 수 있다. 따라서, 장벽층(25b)과 전자블록층(27) 계면에서 밴드갭 장벽을 증가시킬 수 있어 전자의 오버플로우를 효율적으로 방지할 수 있다.
도 6은 종래의 전자 블록층 성장 방법 및 본 발명의 전자 블록층 성장 방법을 적용한 실험예를 설명하기 위한 개략적인 온도 프로파일을 나타낸다.
도 6(a)를 참조하면, 종래의 전자 블록층 성장 방법(실험예 1)은 AlGaN의 전자 블록층을 960℃의 일정한 챔버 온도하에서 성장시킨 것이며, 이에 대해, 본 발명에 따른 전자 블록층 성장 방법(실험예 2)은 1100℃까지 챔버 온도를 상승시킨 후, 840℃까지 온도를 하강하면서 성장시킨 것이다. 실험예 1 및 실험예 2는, 전자 블록층(27) 성장 조건을 제외하면, 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(29)을 동일한 조건하에서 성장하였다. 장벽층(25b) 성장 온도에서 전자 블록층(27)을 성장시키기 위한 온도까지의 온도 상승 및 전자 블록층(27)을 성장 시킨 후 제2 도전형 반도체층(29)을 성장시키기 위한 온도까지의 온도 상승은 편의상 수직 점선으로 나타내었다.
도 6(b)를 참조하면, 상기 실험예 1 및 2에서 전자 블록층(27)을 성장시키는 동안 Mg 소스 가스의 유량은 일정하게 유지되었다. 이에 반해, 실험예 3은 전자 블록층(27)을 성장시키는 동안 Mg 소스 가스의 유량을 감소시켰으며, 그 이외의 성장 조건은 실험예 2와 동일하였다.
도 7은 종래의 전자 블록층 성장 방법 및 본 발명의 전자 블록층 성장 방법을 적용한 실험 결과를 설명하기 위한 그래프이다.
도 7을 참조하면, 일정한 온도에서 전자 블록층(27)을 성장시킨 종래의 질화물 반도체 소자(실험예 1)에 비해, 종래 기술의 전자 블록층 성장 온도보다 상대적으로 높은 온도에서 온도를 하강시키면서 전자 블록층(27)을 성장한 질화물 반도체 소자들(실험예 2, 3)이 상대적으로 높은 광출력 및 상대적으로 낮은 순방향 전압을 나타내었다. 또한, 전자 블록층(27)을 성장시키는 동안 Mg 소스 가스의 유량을 감소시킨 실험예 3이 Mg 소스 가스의 유량을 일정하게 유지한 실험예 2에 비해 순방향 전압을 더욱 낮출 수 있음을 확인할 수 있다.

Claims (19)

  1. n형 질화물 반도체층;
    활성층;
    p형 전자 블록층; 및
    p형 질화물 반도체층을 포함하되,
    상기 p형 전자 블록층은 Al을 함유하고, 상기 활성층측에서 상기 p형 질화물 반도체층측을 향해 Al 조성비가 감소하며,
    상기 p형 전자 블록층은 Mg을 포함하되, 상기 Mg 도핑 농도는 상기 전자 블록층의 두께를 따라 일정한 질화물 반도체 소자.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 활성층측의 p형 전자블록층 부분과 상기 p형 질화물 반도체층측의 p형 전자블록층 부분은 다른 성장 온도에서 성장된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 소자.
  5. 삭제
  6. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,
    상기 전자 블록층은 AlGaN층인 질화물 반도체 소자.
  7. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서,
    상기 전자 블록층은 InAlGaN층이고,
    상기 전자 블록층 내의 In 조성비는 상기 활성층측에서 상기 p형 질화물 반도체층측을 향해 증가하는 질화물 반도체 소자.
  8. 질화물 반도체 소자의 p형 전자 블록층을 성장시키는 방법에 있어서,
    기판이 배치된 챔버 온도를 제1 온도로 상승시키고,
    Ga 소스 가스, Al 소스 가스, N 소스 가스 및 Mg 소스 가스를 공급하면서 상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시켜 상기 기판 상에 전자 블록층을 성장시키는 것을 포함하되,
    상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시키는 동안, Mg 소스 가스의 유량이 감소하는 전자 블록층 형성 방법.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시키는 동안, 상기 Ga 소스 가스 및 Al 소스 가스는 일정한 유량으로 공급되는 전자 블록층 형성 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 청구항 8에 있어서,
    상기 제1 온도는 1050℃ 내지 1200℃ 범위 내의 온도이고, 상기 제2 온도는 800℃ 내지 900℃ 범위 내의 온도인 전자 블록층 형성 방법.
  13. 청구항 8, 청구항 9 및 청구항 12의 어느 한 항에 있어서,
    상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시키는 동안, In 소스 가스를 공급하는 것을 더 포함하는 전자 블록층 형성 방법.
  14. 질화물 반도체 소자 제조 방법에 있어서,
    챔버 내에 배치된 기판 상에 활성층을 성장시키고,
    상기 기판이 배치된 챔버 온도를 제1 온도로 상승시키고,
    Ga 소스 가스, Al 소스 가스, N 소스 가스 및 Mg 소스 가스를 공급하면서 상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시켜 상기 기판 상에 전자 블록층을 성장시키는 것을 포함하되,
    상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시키는 동안, Mg 소스 가스의 유량이 감소하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시키는 동안, 상기 Ga 소스 가스 및 Al 소스 가스는 일정한 유량으로 공급되는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 청구항 14에 있어서,
    상기 제1 온도는 1050℃ 내지 1200℃ 범위 내의 온도이고, 상기 제2 온도는 800℃ 내지 900℃ 범위 내의 온도인 질화물 반도체 소자 제조 방법.
  19. 청구항 14, 청구항 15 및 청구항 18의 어느 한 항에 있어서,
    상기 챔버 온도를 제1 온도에서 제2 온도로 하강시키는 동안, In 소스 가스를 공급하는 것을 더 포함하는 질화물 반도체 소자 제조 방법.
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