KR101909187B1 - Substrate treating apparatus and liquid monitoring method - Google Patents
Substrate treating apparatus and liquid monitoring method Download PDFInfo
- Publication number
- KR101909187B1 KR101909187B1 KR1020160085950A KR20160085950A KR101909187B1 KR 101909187 B1 KR101909187 B1 KR 101909187B1 KR 1020160085950 A KR1020160085950 A KR 1020160085950A KR 20160085950 A KR20160085950 A KR 20160085950A KR 101909187 B1 KR101909187 B1 KR 101909187B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- chemical liquid
- substrate
- buffer
- module
- sensor
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
Abstract
본 발명은 기판 처리 장치 및 약액 모니터링 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 약액 공급관에 위치되는 밸브; 상기 약액 공급관에 위치되는 펌프; 상기 펌프 또는 상기 약액 공급관에 위치되어 압력을 감지하는 센서; 및 상기 센서에서 감지된 압력을 미리 설정된 기준 압력 파형과 비교하여 상기 약액 공급관을 통해 공급되는 상기 약액의 공급 상태를 모니터링 한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a chemical liquid monitoring method. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes: a valve positioned in a chemical liquid supply pipe; A pump located in the chemical liquid supply pipe; A sensor disposed in the pump or the chemical liquid supply pipe for sensing pressure; And the pressure detected by the sensor is compared with a preset reference pressure waveform to monitor the supply state of the chemical liquid supplied through the chemical liquid supply pipe.
Description
본 발명은 기판 처리 장치 및 약액 모니터링 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a chemical liquid monitoring method.
반도체 소자 또는 액정 디스플레이를 제조하기 위해서, 기판에 포토리소그라피, 식각, 애싱, 이온주입, 박막 증착, 그리고 세정 등의 다양한 공정들이 수행된다. 이 중 사진 공정은 기판 상에 원하는 회로 패턴을 형성하기 위한 공정으로, 도포 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정가 순차적으로 진행된다. 도포 공정에는 기판 상에 포토 레지스트와 같은 감광액을 도포하고, 노광 공정에는 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하며, 현상 공정에는 기판 상에 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상 처리한다. 그리고 기판의 식각 공정 또는 세정 공정은 크게 케미칼 처리 단계, 린스 처리 단계, 그리고 건조 처리 단계가 순차적으로 수행된다. 케미칼 처리 단계에는 기판 상에 형성된 박막을 식각 처리하거나 기판 상의 이물을 제거 하기 위한 케미칼을 기판으로 공급하고, 린스 처리 단계에는 기판 상에 순수와 같은 린스액이 공급된다. 이와 같이 기판의 처리에는 기판에 액이 도포되는 방식으로 처리되는 공정을 포함한다.To fabricate semiconductor devices or liquid crystal displays, various processes such as photolithography, etching, ashing, ion implantation, thin film deposition, and cleaning are performed on the substrate. The photolithography process is a process for forming a desired circuit pattern on a substrate, and the application process, the exposure process, and the development process are sequentially performed. In the coating step, a photosensitive liquid such as a photoresist is coated on the substrate. In the exposure step, a circuit pattern is exposed on the substrate having the photosensitive film. In the developing step, the exposed region is selectively developed on the substrate. The substrate etching process or the cleaning process is largely performed by a chemical processing step, a rinsing processing step, and a drying processing step. In the chemical treatment step, a chemical for etching the thin film formed on the substrate or removing foreign substances on the substrate is supplied to the substrate, and in the rinsing step, a rinsing liquid such as pure water is supplied onto the substrate. As described above, the processing of the substrate includes a step of processing the substrate in such a manner that the liquid is applied to the substrate.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 약액 모니터링 방법을 제공하기 위한 것이다.An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a chemical liquid monitoring method for efficiently processing a substrate.
또한, 본 발명은 약액의 공급 상태 이상을 효율적으로 감지할 수 있는 기판 처리 장치 및 약액 모니터링 방법을 제공하기 위한 것이다.The present invention also provides a substrate processing apparatus and a chemical liquid monitoring method capable of efficiently detecting abnormality in the supply state of a chemical liquid.
본 발명의 일 측면에 따르면, 약액 공급관으로 공급되는 약액을 토출하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 약액 공급관에 위치되는 밸브; 상기 약액 공급관에 위치되는 펌프; 상기 펌프 또는 상기 약액 공급관에 위치되어 압력을 감지하는 센서; 및 상기 센서에서 감지된 압력을 미리 설정된 기준 압력 파형과 비교하여 상기 약액 공급관을 통해 공급되는 상기 약액의 공급 상태를 모니터링하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for performing a process of discharging a chemical liquid supplied to a chemical liquid supply pipe, the apparatus comprising: a valve positioned in the chemical liquid supply pipe; A pump located in the chemical liquid supply pipe; A sensor disposed in the pump or the chemical liquid supply pipe for sensing pressure; And a substrate processing apparatus for monitoring the supply state of the chemical liquid supplied through the chemical liquid supply pipe by comparing the pressure sensed by the sensor with a preset reference pressure waveform.
또한, 상기 기준 압력 파형은, 상기 약액의 공급이 개시되는 시점을 전후로 한 설정 시간 사이의 제1구간; 상기 제1구간 직후 상기 약액이 지속적으로 공급되는 제2구간; 및 상기 제2구간 직후 상기 약액의 공급이 종료되는 시점을 전후로 한 제3구간을 포함하되, 제1구간에서 상기 제어기는 상기 센서에서 감지된 압력의 최대값을 상기 기준 압력 파형의 최대값과 비교할 수 있다.The reference pressure waveform may include a first interval between a set time before and after the start of the supply of the chemical liquid; A second section in which the chemical solution is continuously supplied immediately after the first section; And a third section in which the supply of the chemical solution is terminated immediately after the second section. In a first section, the controller compares a maximum value of the pressure detected by the sensor with a maximum value of the reference pressure waveform .
또한, 상기 제어기는 상기 센서에서 감지된 압력의 파형과 상기 기준 압력 파형을 비교할 수 있다.In addition, the controller may compare the reference pressure waveform with the waveform of the pressure sensed by the sensor.
또한, 상기 기준 압력 파형은 처리된 기판의 품질 확인을 통해 설정 조건의 약액이 공급된 것으로 확인 되었을 때, 해당 약액 공급 과정에서 상기 센서를 통해 감지된 실측 압력 파형으로 설정될 수 있다.The reference pressure waveform may be set to a measured pressure waveform sensed through the sensor in the chemical liquid supply process when it is confirmed that the chemical liquid of the set condition is supplied through the quality check of the processed substrate.
또한, 상기 기준 압력 파형은 기판으로 토출되는 약액의 모니터링을 통해 설정 조건의 약액이 공급된 것으로 확인 되었을 때, 해당 약액 공급 과정에서 상기 센서를 통해 감지된 실측 압력 파형으로 설정될 수 있다.The reference pressure waveform may be set to a measured pressure waveform sensed by the sensor during the supply of the chemical liquid when it is confirmed that the chemical liquid of the set condition is supplied through the monitoring of the chemical liquid discharged to the substrate.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 밸브를 개방하여, 펌프가 제공하는 압력으로 약액 공급관을 통해 약액의 공급을 개시하는 단계; 상기 약액의 공급을 지속하는 단계; 및 상기 밸브를 닫아 상기 약액의 공급을 종료하는 단계를 포함하되, 상기 약액 공급관 또는 상기 펌프에 위치되는 센서에서 감지된 압력을 미리 설정된 기준 압력 파형과 비교하여 상기 약액 공급관을 통해 공급되는 상기 약액의 공급 상태를 모니터링하는 약액 모니터링 방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of controlling an apparatus for opening a valve, comprising: opening a valve to initiate supply of a chemical liquid through a chemical liquid supply pipe at a pressure provided by a pump; Continuing the supply of the chemical liquid; And stopping the supply of the chemical solution by closing the valve, wherein the pressure detected by the sensor located in the chemical solution supply pipe or the pump is compared with a preset reference pressure waveform, and the pressure of the chemical solution supplied through the chemical solution supply pipe A chemical solution monitoring method for monitoring the supply state can be provided.
또한, 상기 약액의 공급이 개시되는 시점을 전후로 한 설정 시간 사이의 구간에서 상기 센서에서 감지된 압력의 최대값을 상기 기준 압력 파형의 최대값과 비교할 수 있다.In addition, the maximum value of the pressure sensed by the sensor may be compared with the maximum value of the reference pressure waveform in a period between a set time before and after the start of the supply of the chemical liquid.
또한, 상기 약액의 공급이 종료되는 시점을 전후로 한 설정 시간 사이의 구간에서 상기 센서에서 감지된 압력의 파형과 상기 기준 압력 파형을 비교할 수 있다.In addition, it is possible to compare the reference pressure waveform with the waveform of the pressure sensed by the sensor in a period between a set time before and after the end of the supply of the chemical liquid.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 약액 모니터링 방법이 제공될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a chemical liquid monitoring method for efficiently processing a substrate can be provided.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 약액의 공급 상태 이상을 효율적으로 감지할 수 있는 기판 처리 장치 및 약액 모니터링 방법이 제공될 수 있다.In addition, according to an embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus and a chemical liquid monitoring method capable of efficiently detecting abnormality in the supply state of a chemical liquid can be provided.
도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이다.
도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이다.
도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다.
도 5는 약액 도포 유닛과 이에 연결되는 배관 구성을 나타내는 도면이다.
도 6은 제어기에 의한 제어 관계를 나타내는 도면이다.
도 7은 기준 압력 파형을 나타내는 도면이다.1 is a top view of a substrate processing apparatus.
Fig. 2 is a view of the facility of Fig. 1 viewed from the direction AA.
Fig. 3 is a view of the equipment of Fig. 1 viewed from the BB direction.
Fig. 4 is a view of the facility of Fig. 1 viewed from the CC direction; Fig.
5 is a view showing a chemical solution applying unit and a piping structure connected thereto.
6 is a diagram showing a control relationship by the controller.
7 is a view showing a reference pressure waveform.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention can be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.
도 1은 기판 처리 설비를 상부에서 바라본 도면이고, 도 2는 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 도면이고, 도 3은 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 도면이고, 도 4는 도 1의 설비를 C-C 방향에서 바라본 도면이다. FIG. 1 is a view of the substrate processing apparatus viewed from above, FIG. 2 is a view of the apparatus of FIG. 1 viewed from the AA direction, FIG. 3 is a view of the apparatus of FIG. 1 viewed from the BB direction, In the CC direction.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.1 to 4, the
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다. Hereinafter, the
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다. The substrate W is moved in a state accommodated in the
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 제 1 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 제 2 버퍼 모듈(500), 노광 전후 처리 모듈(600), 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, the
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 2에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다. The
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 제 1 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 제 1 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 제 1 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.The
제 1 버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다. The
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 제 1 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 제 1 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다. The
제 1 버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 제 1 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다. The
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다. The cooling
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.The application and
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 레지스트 도포 챔버(410)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(420)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(420)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The
반송 챔버(430)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320), 그리고 후술하는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(520) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.The
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포한다. 레지스트 도포 챔버(410)는 하우징(411), 지지 플레이트(412), 그리고 노즐(413)을 가진다. 하우징(411)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(412)는 하우징(411) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(412)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(413)은 지지 플레이트(412)에 놓인 기판(W) 상으로 포토 레지스트를 공급한다. 노즐(413)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 포토 레지스트를 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(413)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(413)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 추가적으로 레지스트 도포 챔버(410)에는 포토 레지스트가 도포된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(414)이 더 제공될 수 있다. The resist
베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다. The
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(800), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(800), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(800)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(800)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 현상 챔버(800)가 제공된 예가 도시되었다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 도면에서는 6개의 베이크 챔버(470)가 제공된 예가 도시되었다. 그러나 이와 달리 베이크 챔버(470)는 더 많은 수로 제공될 수 있다.The developing
반송 챔버(480)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(800), 제 1 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350), 그리고 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.The
제 2 버퍼 모듈(500)은 도포 및 현상 모듈(400)과 노광 전후 처리 모듈(600) 사이에 기판(W)이 운반되는 통로로서 제공된다. 또한, 제 2 버퍼 모듈(500)은 기판(W)에 대해 냉각 공정이나 에지 노광 공정 등과 같은 소정의 공정을 수행한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 프레임(510), 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)을 가진다. 프레임(510)은 직육면체의 형상을 가진다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 제 2 냉각 챔버(540), 에지 노광 챔버(550), 그리고 제 2 버퍼 로봇(560)은 프레임(510) 내에 위치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에 대응하는 높이에 배치된다. 제 2 냉각 챔버(540)는 현상 모듈(402)에 대응하는 높이에 배치된다. 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 제 2 냉각 챔버(540)는 순차적으로 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 배치된다. 상부에서 바라볼 때 버퍼(520)은 도포 모듈(401)의 반송 챔버(430)와 제 1 방향(12)을 따라 배치된다. 에지 노광 챔버(550)는 버퍼(520) 또는 제 1 냉각 챔버(530)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 배치된다. The
제 2 버퍼 로봇(560)은 버퍼(520), 제 1 냉각 챔버(530), 그리고 에지 노광 챔버(550) 간에 기판(W)을 운반한다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 에지 노광 챔버(550)와 버퍼(520) 사이에 위치된다. 제 2 버퍼 로봇(560)은 제 1 버퍼 로봇(360)과 유사한 구조로 제공될 수 있다. 제 1 냉각 챔버(530)와 에지 노광 챔버(550)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 후속 공정을 수행한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 도포 모듈(401)에서 공정이 수행된 기판(W)을 냉각한다. 제 1 냉각 챔버(530)는 제 1 버퍼 모듈(300)의 냉각 챔버(350)과 유사한 구조를 가진다. 에지 노광 챔버(550)는 제 1 냉각 챔버(530)에서 냉각 공정이 수행된 기판들(W)에 대해 그 가장자리를 노광한다. 버퍼(520)는 에지 노광 챔버(550)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 후술하는 전처리 모듈(601)로 운반되기 전에 기판(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 냉각 챔버(540)는 후술하는 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)이 현상 모듈(402)로 운반되기 전에 기판들(W)을 냉각한다. 제 2 버퍼 모듈(500)은 현상 모듈(402)와 대응되는 높이에 추가된 버퍼를 더 가질 수 있다. 이 경우, 후처리 모듈(602)에서 공정이 수행된 기판들(W)은 추가된 버퍼에 일시적으로 보관된 후 현상 모듈(402)로 운반될 수 있다.The
노광 전후 처리 모듈(600)은, 노광 장치(900)가 액침 노광 공정을 수행하는 경우, 액침 노광시에 기판(W)에 도포된 포토레지스트 막을 보호하는 보호막을 도포하는 공정을 처리할 수 있다. 또한, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 이후에 기판(W)을 세정하는 공정을 수행할 수 있다. 또한, 화학증폭형 레지스트를 사용하여 도포 공정이 수행된 경우, 노광 전후 처리 모듈(600)은 노광 후 베이크 공정을 처리할 수 있다. The pre- and
노광 전후 처리 모듈(600)은 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)을 가진다. 전처리 모듈(601)은 노광 공정 수행 전에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행하고, 후처리 모듈(602)은 노광 공정 이후에 기판(W)을 처리하는 공정을 수행한다. 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 전처리 모듈(601)은 후처리 모듈(602)의 상부에 위치된다. 전처리 모듈(601)은 도포 모듈(401)과 동일한 높이로 제공된다. 후처리 모듈(602)은 현상 모듈(402)과 동일한 높이로 제공된다. 전처리 모듈(601)은 보호막 도포 챔버(610), 베이크 챔버(620), 그리고 반송 챔버(630)를 가진다. 보호막 도포 챔버(610), 반송 챔버(630), 그리고 베이크 챔버(620)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 보호막 도포 챔버(610)와 베이크 챔버(620)는 반송 챔버(630)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 보호막 도포 챔버(610)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 보호막 도포 챔버(610)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 베이크 챔버(620)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 선택적으로 베이크 챔버(620)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The
반송 챔버(630)는 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 1 냉각 챔버(530)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(630) 내에는 전처리 로봇(632)이 위치된다. 반송 챔버(630)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 전처리 로봇(632)은 보호막 도포 챔버들(610), 베이크 챔버들(620), 제 2 버퍼 모듈(500)의 버퍼(520), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 1 버퍼(720) 간에 기판(W)을 이송한다. 전처리 로봇(632)은 핸드(633), 아암(634), 그리고 지지대(635)를 가진다. 핸드(633)는 아암(634)에 고정 설치된다. 아암(634)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 아암(634)은 지지대(635)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(635)에 결합된다. The
보호막 도포 챔버(610)는 액침 노광 시에 레지스트 막을 보호하는 보호막을 기판(W) 상에 도포한다. 보호막 도포 챔버(610)는 하우징(611), 지지 플레이트(612), 그리고 노즐(613)을 가진다. 하우징(611)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(612)는 하우징(611) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(612)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(613)은 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W) 상으로 보호막 형성을 위한 보호액을 공급한다. 노즐(613)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 보호액을 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(613)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(613)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 이 경우, 지지 플레이트(612)는 고정된 상태로 제공될 수 있다. 보호액은 발포성 재료를 포함한다. 보호액은 포토 레지스터 및 물과의 친화력이 낮은 재료가 사용될 수 있다. 예컨대, 보호액은 불소계의 용제를 포함할 수 있다. 보호막 도포 챔버(610)는 지지 플레이트(612)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 보호액을 공급한다. The protective
베이크 챔버(620)는 보호막이 도포된 기판(W)을 열처리한다. 베이크 챔버(620)는 냉각 플레이트(621) 또는 가열 플레이트(622)를 가진다. 냉각 플레이트(621)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(623)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(622)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(624)이 제공된다. 가열 플레이트(622)와 냉각 플레이트(621)는 하나의 베이크 챔버(620) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버들(620) 중 일부는 가열 플레이트(622) 만을 구비하고, 다른 일부는 냉각 플레이트(621) 만을 구비할 수 있다. The
후처리 모듈(602)은 세정 챔버(660), 노광 후 베이크 챔버(670), 그리고 반송 챔버(680)를 가진다. 세정 챔버(660), 반송 챔버(680), 그리고 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 세정 챔버(660)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 반송 챔버(680)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 세정 챔버(660)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(660)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 복수 개가 제공되며, 서로 층을 이루도록 제 3 방향(16)을 따라 배치될 수 있다. 선택적으로 노광 후 베이크 챔버(670)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공될 수 있다. The
반송 챔버(680)는 상부에서 바라볼 때 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(680)는 대체로 정사각 또는 직사각의 형상을 가진다. 반송 챔버(680) 내에는 후처리 로봇(682)이 위치된다. 후처리 로봇(682)은 세정 챔버들(660), 노광 후 베이크 챔버들(670), 제 2 버퍼 모듈(500)의 제 2 냉각 챔버(540), 그리고 후술하는 인터페이스 모듈(700)의 제 2 버퍼(730) 간에 기판(W)을 운반한다. 후처리 모듈(602)에 제공된 후처리 로봇(682)은 전처리 모듈(601)에 제공된 전처리 로봇(632)과 동일한 구조로 제공될 수 있다. The
세정 챔버(660)는 노광 공정 이후에 기판(W)을 세정한다. 세정 챔버(660)는 하우징(661), 지지 플레이트(662), 그리고 노즐(663)을 가진다. 하우징(661)는 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(662)는 하우징(661) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(662)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(663)은 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W) 상으로 세정액을 공급한다. 세정액으로는 탈이온수와 같은 물이 사용될 수 있다. 세정 챔버(660)는 지지 플레이트(662)에 놓인 기판(W)을 회전시키면서 기판(W)의 중심 영역으로 세정액을 공급한다. 선택적으로 기판(W)이 회전되는 동안 노즐(663)은 기판(W)의 중심 영역에서 가장자리 영역까지 직선 이동 또는 회전 이동할 수 있다. The
노광 후 베이크 챔버(670)는 원자외선을 이용하여 노광 공정이 수행된 기판(W)을 가열한다. 노광 후 베이크 공정은 기판(W)을 가열하여 노광에 의해 포토 레지스트에 생성된 산(acid)을 증폭시켜 포토 레지스트의 성질 변화를 완성시킨다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 가열 플레이트(672)를 가진다. 가열 플레이트(672)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(674)이 제공된다. 노광 후 베이크 챔버(670)는 그 내부에 냉각 플레이트(671)를 더 구비할 수 있다. 냉각 플레이트(671)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(673)이 제공된다. 또한, 선택적으로 냉각 플레이트(671)만을 가진 베이크 챔버가 더 제공될 수 있다. The
상술한 바와 같이 노광 전후 처리 모듈(600)에서 전처리 모듈(601)과 후처리 모듈(602)은 서로 간에 완전히 분리되도록 제공된다. 또한, 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(680)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 보호막 도포 챔버(610)와 세정 챔버(660)는 서로 동일한 크기로 제공되어 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다. 또한, 베이크 챔버(620)와 노광 후 베이크 챔버(670)는 동일한 크기로 제공되어, 상부에서 바라볼 때 서로 간에 완전히 중첩되도록 제공될 수 있다.As described above, the
인터페이스 모듈(700)은 노광 전후 처리 모듈(600), 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다. The
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다. 인터페이스 로봇(740)은 제 2 버퍼 로봇(560)과 대체로 유사한 구조를 가진다.The
제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)에서 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 후처리 모듈(602)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 및 전처리 로봇(632)이 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 전처리 로봇(632)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 2 버퍼(730)의 하우징(731)에는 인터페이스 로봇(740)이 제공된 방향 및 후처리 로봇(682)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판(W)에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.The
현상 챔버들(800)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(800)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(800)는 기판을 현상 처리하는 장치로 제공된다. 현상 챔버(800)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.The
도 5는 약액 도포 유닛과 이에 연결되는 배관 구성을 나타내는 도면이다.5 is a view showing a chemical solution applying unit and a piping structure connected thereto.
도 5를 참조 하면, 약액 도포 유닛(1000)은 약액 공급관(1100)을 통해 제공되는 약액을 기판에 도포하여, 기판을 처리 한다. 일 예로, 약액 도포 유닛(1000)은 레지스트 도포 챔버(410)에 제공되어 기판에 레지스트를 도포하는 장치일 수 있다. 레지스트는 소량이 기판의 상면 전체에 걸쳐 균일하게 도포되어야 하므로, 약액 도포 유닛(1000)에 공급되는 레지스트의 양을 설정 값으로 조절되어야 한다. 또 다른 예로, 약액 도포 유닛(1000)은 레지스트 포도에 앞서 기판을 소수화 하기 위한 약액을 기판에 도포하는 장치, 현상 챔버(800)에 제공되어 기판에 현상액을 도포하는 장치 등일 수 있다.5, the chemical
약액 공급관(1100)에는 밸브(1110) 및 펌프(1120)가 위치된다. 밸브(1110)는 약액 공급관(1100)을 개폐한다. 그리고 펌프(1120)는 약액이 약액 공급관(1100)을 유동하는 압력을 제공한다.A
도 6은 제어기에 의한 제어 관계를 나타내는 도면이고, 도 7은 기준 압력 파형을 나타내는 도면이다.FIG. 6 is a view showing a control relationship by the controller, and FIG. 7 is a view showing a reference pressure waveform.
도 6 및 도 7을 참조하면, 제어기(1200)는 밸브(1110)의 개방 또는 폐쇄 상태 여부를 감지할 수 있다. 또한, 제어기(1200)는 밸브(1110)의 개방 폐쇄 동작을 제어할 수 있다. 펌프(1120)에는 센서(1130)가 제공될 수 있다. 또한, 센서(1130)는 펌프(1120)와 밸브(1110) 사이 구간의 약액 공급관(1100)에 위치될 수 도 있다. 센서(1130)는 펌프(1120) 또는 약액 공급관(1100)의 압력을 감지한다. 제어기(1200)는 센서(1130)를 통해 약액이 공급될 때, 또는 약액 공급 전후의 압력을 모니터링 할 수 있다. 그리고, 제어기(1200)는 센서(1130)가 제공하는 압력 신호를 기준 압력 파형과 비교하여, 약액이 설정 조건 또는 설정량에 따라 공급되는지 여부를 감지할 수 있다.6 and 7, the
기준 압력 파형은 약액이 설정 조건 또는 설정량에 따라 공급될 때, 센서(1130)에서 감지되는 신호의 파형을 고려하여 설정될 수 있다. 일 예로, 처리된 기판의 품질 확인 또는 기판으로 토출되는 약액의 모니터링을 통해 설정 조건 또는 설정량의 약액이 공급된 것으로 확인 되었을 때, 해당 약액 공급 과정에서 센서(1130)를 통해 감지된 실측 압력 파형을 기준 압력 파형으로 설정 할 수 있다. 약액이 설정 조건에 따라 공급되는 경우에도 센서(1130)에서 감지되는 압력의 파형은 편차가 발생할 수 있다. 이를 고려하여, 기준 압력 파형은 2회 이상의 실측 압력 파형을 평균 처리한 파형으로 설정 될 수 있다.The reference pressure waveform can be set in consideration of the waveform of the signal sensed by the
기준 압력 파형을 살펴보면, 기준 압력 파형은 제1구간(S1), 제2구간(S2) 및 제3구간(S3)으로 구획된다.Referring to the reference pressure waveform, the reference pressure waveform is divided into a first section S1, a second section S2, and a third section S3.
제1구간(S1)은 약액 공급이 개시되는 시점을 전후로 한 설정 시간 사이의 구간이다. 약액 공급이 개시되면, 밸브(1110)가 개방되고, 펌프(1120)가 동작을 개시한다. 이때, 밸브(1110)의 개방 및 펌프(1120)의 동작은 설정 조건에 따라 약액이 공급되도록 서로 연동될 수 있다. 예를 들어, 펌프(1120)의 동작 및 밸브(1110)의 개방은 동시에 이루어 질 수 있다. 또한, 펌프(1120)가 동작을 개시 후 설정 시간이 경과되면 밸브(1110)가 개방되거나, 밸브(1110)가 개방된 후 설정 시간이 경과되면 펌프(1120)가 동작을 개시할 수 있다.The first section S1 is a section between the set time before and after the time point at which the chemical liquid supply is started. When the chemical liquid supply is started, the
제1구간(S1)에서 기준 압력 파형은 최대값을 갖는다. 이는 약액이 유동을 개시할 때, 펌프(1120)가 제공하는 압력에 대해 펌프(1120)의 앞쪽 구간의 정지된 약액, 약액과 배관 구성 사이의 마찰력 등이 부하로 작용하여 센서(1130)에서 감지되는 압력을 상승 시키는 데 기인한다. 제1구간(S1)에서 약액이 공급되는 상태에 이상이 있는 경우, 센서(1130)에서 감지된 압력 신호의 최대값이 기준 압력 파형의 최대값과 차이가 발생된다. 이는, 밸브(1110)의 동작 이상 또는 펌프(1120)의 동작 이상으로 인해 밸브(1110)와 펌프(1120)가 설정 동작 조건에 맞게 연동하여 동작되지 않는 원인, 약액 공급관(1100), 밸프 또는 펌프(1120)에 이물질이 끼이는 것으로 인해 이들 구성의 막힘 또는 이들 구성과 약액 사이에 작용하는 마찰 정도의 변화, 약액 공급관(1100), 밸프 또는 펌프(1120)의 노후화로 인한 누액 도는 이들 구성과 약액 사이의 마찰 정도의 변화에 따라 압력 신호의 최대값이 변화 되는 것으로 확인되었다. 따라서, 제어기(1200)는 제1구간(S1)에서 압력 신호의 최대값이 기준 압력 파형의 최대값에 대해 개시 허용 오차값을 벗어나면 장치에 이상이 있는 것으로 감지할 수 있다.In the first section S1, the reference pressure waveform has a maximum value. This is because when the chemical liquid starts to flow, the static chemical solution in the front section of the
제2구간(S2)은 제1구간(S1) 직후 약액이 지속적으로 공급되는 구간이다. 제2구간(S2)에서 기준 압력 파형은 일정 압력을 기준으로 상하로 진동한다. 이는 압력이 실제 진동하거나 전기적으로 구성되는 센서(1130)의 동작 특성에 의한 것으로 평가된다. 제어기(1200)는 제1구간(S1)에서 이상이 감지되지 않은 경우, 제2구간(S2)에서 대해 기준 압력 파형과 압력 신호를 비교하지 않는다.The second section S2 is a section in which the chemical solution is continuously supplied immediately after the first section S1. In the second section S2, the reference pressure waveform vibrates up and down with reference to a certain pressure. This is due to the fact that the pressure is due to the operating characteristics of the
제3구간(S3)은 제2구간(S2) 직후 약액의 공급이 종료되는 시점을 전후로 한 설정 시간 사이의 구간이다. 약액 공급의 종료 시, 밸브(1110)는 닫히고, 펌프(1120)가 동작을 종료한다. 이때, 밸브(1110)의 닫힘 및 펌프(1120)의 동작 정지는 설정 조건에 따라 서로 연동될 수 있다. 예를 들어, 펌프(1120)의 동작 정지 및 밸브(1110)의 닫힘은 동시에 이루어 질 수 있다. 또한, 펌프(1120)가 동작을 정지한 후 설정 시간이 경과되면 밸브(1110)가 닫히거나, 밸브(1110)가 닫힌 후 설정 시간이 경과되면 펌프(1120)가 동작을 정지할 수 있다. The third section S3 is a section between a set time before and after the end of the supply of the chemical immediately after the second section S2. At the end of the chemical liquid supply, the
제3구간(S3)에서 기준 압력 파형은 펌프(1120)가 동작을 정지하는 것에 의해, 압력이 설정 시간 동안 감소하는 구간을 갖는다. 제어기(1200)는 압력 신호의 파형을 기준 압력 파형과 비교하여, 파형이 종료 허용 오차값을 벗어나면 장치에 이상이 있는 것으로 감지할 수 있다. 제3구간(S3)에서 압력 신호의 파형이 기준 압력 파형과 상이한 정도가 증가될수록 기판 처리의 이상 발생 빈도가 증가 되는 것으로 확인 되었다. 이는, 압력 신호의 파형 변화는 밸브(1110)와 펌프(1120)의 연동이 맞지 않거나, 밸브(1110)에 누액이 발생하는 것에 의해 발생하는 것으로 확인 되었다. 그리고, 이는 기판으로 약액 공급이 종료되는 것으로 제어된 후, 기판에 약액 방울이 떨어지는 현상을 야기하여 기판 처리 품질을 저하시킨다. 따라서, 제어부는 이 같은 현상 발생을 감지할 수 있다. 제어기(1200)는 제3구간(S3)에서 기준 압력 파형과 압력 신호의 파형 비교를 위해 피어슨 곱 상관 계수를 이용할 수 있다.In the third section S3, the reference pressure waveform has a period in which the pressure decreases during the set time period by the
이상 약액 도포 유닛은 포토리소그래피 공정을 수행하는 기판 처리 장치에 위치되는 경우를 예로 들어 설명하였다. 그러나, 약액 도포 유닛은 이에 한정 되지 않고 식각 공정, 세정 공정 등 기판의 처리에 약액을 사용하는 장치에 제공될 수 있다.The above-described chemical solution applying unit is located in a substrate processing apparatus that performs a photolithography process. However, the chemical liquid application unit is not limited to this, and may be provided in an apparatus using a chemical liquid for processing a substrate such as an etching process, a cleaning process, and the like.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.The foregoing detailed description is illustrative of the present invention. In addition, the foregoing is intended to illustrate and explain the preferred embodiments of the present invention, and the present invention may be used in various other combinations, modifications, and environments. That is, it is possible to make changes or modifications within the scope of the concept of the invention disclosed in this specification, within the scope of the disclosure, and / or within the skill and knowledge of the art. The embodiments described herein are intended to illustrate the best mode for implementing the technical idea of the present invention and various modifications required for specific applications and uses of the present invention are also possible. Accordingly, the detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments. It is also to be understood that the appended claims are intended to cover such other embodiments.
100: 로드 포트 200: 인덱스 모듈
300: 제 1 버퍼 모듈 400: 도포 및 현상 모듈
500: 제 2 버퍼 모듈 600: 노광 전후 처리 모듈
700: 인터페이스 모듈 1000: 약액 도포 유닛100: Load port 200: Index module
300: first buffer module 400: application and development module
500: second buffer module 600: pre-exposure processing module
700: Interface module 1000: Chemical solution dispensing unit
Claims (8)
상기 약액 공급관에 위치되는 밸브;
상기 약액 공급관에 위치되는 펌프;
상기 펌프 또는 상기 약액 공급관에 위치되어 압력을 감지하는 센서; 및
제어기를 포함하고,
상기 제어기는 상기 센서에서 감지된 압력을 미리 설정된 기준 압력 파형과 비교하여 상기 약액 공급관을 통해 공급되는 상기 약액의 공급 상태를 모니터링하되,
상기 기준 압력 파형은,
상기 약액의 공급이 개시되는 시점을 전후로 한 설정 시간 사이의 제1구간;
상기 제1구간 직후 상기 약액이 지속적으로 공급되는 제2구간; 및
상기 제2구간 직후 상기 약액의 공급이 종료되는 시점을 전후로 한 제3구간을 포함하고,
상기 제1구간에서 상기 제어기는 상기 센서에서 감지된 압력의 최대값을 상기 기준 압력 파형의 최대값과 비교하고,
상기 제2구간에서 상기 제어기는 상기 센서에서 감지된 압력과 상기 기준 압력 파형의 비교를 수행하지 않으며,
상기 제3구간에서 상기 제어기는 상기 센서에서 감지된 압력의 파형과 상기 기준 압력 파형을 비교하는 기판 처리 장치.A substrate processing apparatus for performing a process of discharging a chemical liquid supplied to a chemical liquid supply pipe,
A valve positioned in the chemical liquid supply pipe;
A pump located in the chemical liquid supply pipe;
A sensor disposed in the pump or the chemical liquid supply pipe for sensing pressure; And
A controller,
The controller monitors the supply state of the chemical liquid supplied through the chemical liquid supply pipe by comparing the pressure sensed by the sensor with a preset reference pressure waveform,
The reference pressure waveform,
A first interval between a set time before and after a time point when the supply of the chemical liquid is started;
A second section in which the chemical solution is continuously supplied immediately after the first section; And
And a third section in which the supply of the chemical liquid is terminated immediately after the second section,
Wherein the controller compares a maximum value of the pressure detected by the sensor with a maximum value of the reference pressure waveform in the first section,
The controller in the second section does not perform a comparison of the pressure sensed by the sensor with the reference pressure waveform,
And in the third period, the controller compares the reference pressure waveform with the waveform of the pressure sensed by the sensor.
상기 기준 압력 파형은 처리된 기판의 품질 확인을 통해 설정 조건의 약액이 공급된 것으로 확인 되었을 때, 해당 약액 공급 과정에서 상기 센서를 통해 감지된 실측 압력 파형으로 설정되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the reference pressure waveform is set to a measured pressure waveform sensed by the sensor during the supply of the chemical liquid when the chemical liquid of the set condition is confirmed through the quality check of the processed substrate.
상기 기준 압력 파형은 기판으로 토출되는 약액의 모니터링을 통해 설정 조건의 약액이 공급된 것으로 확인 되었을 때, 해당 약액 공급 과정에서 상기 센서를 통해 감지된 실측 압력 파형으로 설정되는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein the reference pressure waveform is set to an actual pressure waveform sensed through the sensor in the chemical liquid supply process when it is confirmed that the chemical liquid of the set condition is supplied through monitoring of the chemical liquid discharged to the substrate.
밸브를 개방하여, 펌프가 제공하는 압력으로 상기 약액 공급관을 통해 상기 약액의 공급을 개시하는 단계;
상기 약액의 공급을 지속하는 단계; 및
상기 밸브를 닫아 상기 약액의 공급을 종료하는 단계를 포함하고,
상기 약액 공급관 또는 상기 펌프에 위치되는 센서에서 감지된 압력을 미리 설정된 기준 압력 파형과 비교하되,
상기 약액의 공급이 개시되는 시점을 전후로 한 설정 시간 사이의 구간에서 상기 센서에서 감지된 압력의 최대값을 상기 기준 압력 파형의 최대값과 비교하고,
상기 약액의 공급을 지속하는 단계에서 상기 센서에서 감지된 압력과 상기 기준 압력 파형의 비교를 수행하지 않고,
상기 약액의 공급이 종료되는 시점을 전후로 한 설정 시간 사이의 구간에서 상기 센서에서 감지된 압력의 파형과 상기 기준 압력 파형을 비교하는 약액 모니터링 방법.A chemical liquid monitoring method for monitoring a supply state of a chemical liquid supplied through a chemical liquid supply pipe,
Opening the valve and initiating the supply of the chemical liquid through the chemical liquid supply pipe at a pressure provided by the pump;
Continuing the supply of the chemical liquid; And
Closing the valve to terminate the supply of the chemical liquid,
Comparing the pressure sensed by the sensor located in the chemical liquid supply pipe or the pump with a preset reference pressure waveform,
Comparing a maximum value of the pressure detected by the sensor with a maximum value of the reference pressure waveform in a period between a set time before and after the start of the supply of the chemical liquid,
Without performing the comparison between the pressure sensed by the sensor and the reference pressure waveform in the step of continuing the supply of the chemical liquid,
And comparing the waveform of the pressure sensed by the sensor with the reference pressure waveform in a period between a set time before and after the end of the supply of the chemical liquid.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160085950A KR101909187B1 (en) | 2016-07-07 | 2016-07-07 | Substrate treating apparatus and liquid monitoring method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160085950A KR101909187B1 (en) | 2016-07-07 | 2016-07-07 | Substrate treating apparatus and liquid monitoring method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180005822A KR20180005822A (en) | 2018-01-17 |
KR101909187B1 true KR101909187B1 (en) | 2018-10-17 |
Family
ID=61026056
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160085950A KR101909187B1 (en) | 2016-07-07 | 2016-07-07 | Substrate treating apparatus and liquid monitoring method |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101909187B1 (en) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102378987B1 (en) * | 2020-01-15 | 2022-03-25 | 세메스 주식회사 | Apparatus for discharging droplet |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004327781A (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing equipment |
-
2016
- 2016-07-07 KR KR1020160085950A patent/KR101909187B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004327781A (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | Substrate processing equipment |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180005822A (en) | 2018-01-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20180049310A (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR102000019B1 (en) | Unit for supplying liquid, Apparatus for treating a substrate, and Method for treating a substrate | |
KR20160108653A (en) | Method and Apparatus for treating substrate | |
KR101909187B1 (en) | Substrate treating apparatus and liquid monitoring method | |
KR101985756B1 (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR101769440B1 (en) | Method for treating substrate | |
KR20180076691A (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR101927920B1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR102000017B1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR20160141248A (en) | Apparatus and Method for treating substrate | |
KR20150049184A (en) | Method for treating substrate | |
KR101914482B1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR101721148B1 (en) | Nozzle, Apparatus for treating substrate and method for applying chemicals | |
KR102000010B1 (en) | Apparatus and method for treating substrate | |
KR101909186B1 (en) | Substrate treating apparatus and liquid leakage detecting method | |
KR101870669B1 (en) | Injection unit, Apparatus and Method for treating substrate with the unit | |
KR101853373B1 (en) | Substrate treating apparatus | |
KR20130061245A (en) | Injecion unit | |
KR20140050863A (en) | Apparatus for treating substrate | |
KR101884858B1 (en) | Test method for substrate treating apparatus | |
KR101914481B1 (en) | Substrate treating apparatus | |
KR20180061536A (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR101909185B1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR102231773B1 (en) | Method and Apparatus for treating substrate | |
KR20180049309A (en) | Apparatus and Method for treating substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
GRNT | Written decision to grant |