KR101908232B1 - 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자 - Google Patents
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Abstract
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.
Description
본 명세서는 2016년 07월 14일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제 10-2016-0089372 호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자에 관한 것이다.
유기 전자 소자의 대표적인 예로는 유기 발광 소자가 있다. 일반적으로 유기 발광 현상이란 유기 물질을 이용하여 전기에너지를 빛에너지로 전환시켜주는 현상을 말한다. 유기 발광 현상을 이용하는 유기 발광 소자는 통상 양극과 음극 및 이 사이에 유기물층을 포함하는 구조를 가진다. 여기서 유기물층은 유기 발광 소자의 효율과 안정성을 높이기 위하여 각기 다른 물질로 구성된 다층의 구조로 이루어진 경우가 많으며, 예컨대 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층 등으로 이루어 질 수 있다. 이러한 유기 발광 소자의 구조에서 두 전극 사이에 전압을 걸어주게 되면 양극에서는 정공이, 음극에서는 전자가 유기물층에 주입되게 되고, 주입된 정공과 전자가 만났을 때 엑시톤(exciton)이 형성되며, 이 엑시톤이 다시 바닥상태로 떨어질 때 빛이 나게 된다.
상기와 같은 유기 발광 소자를 위한 새로운 재료의 개발이 계속 요구되고 있다.
본 명세서는 화합물 및 이를 포함하는 유기 전자 소자를 제공하고자 한다.
본 명세서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
a1 내지 a16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C-L-A 또는 N이며,
상기 L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기이고,
상기 A는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
또한, 본 명세서는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 전술한 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 유기 발광 소자를 비롯한 유기 전기 소자에 사용되어, 유기 전기 소자의 구동전압을 낮추고, 광효율을 향상시키며, 화합물의 열적 안정성에 의하여 소자의 수명 특성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따르는 유기 발광 소자(10)를 도시한 것이다.
도 2는 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르는 유기 발광 소자(11)를 도시한 것이다.
도 3은 화합물 1의 H-NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 4는 화합물 1의 COSY(1H-1H corr. through bond) 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 5는 화합물 8의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 6은 화합물 11의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 7은 화합물 16의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 8은 화합물 20의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 9는 화합물 21의 H-NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 10은 화합물 23의 H-NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 11은 화합물 26의 H-NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 2는 본 명세서의 또 하나의 실시상태에 따르는 유기 발광 소자(11)를 도시한 것이다.
도 3은 화합물 1의 H-NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 4는 화합물 1의 COSY(1H-1H corr. through bond) 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 5는 화합물 8의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 6은 화합물 11의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 7은 화합물 16의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 8은 화합물 20의 MS 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 9는 화합물 21의 H-NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 10은 화합물 23의 H-NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
도 11은 화합물 26의 H-NMR 스펙트럼을 나타낸 도이다.
이하, 본 명세서에 대하여 더욱 상세하게 설명한다.
본 명세서는 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다.
본 명세서에서 치환기의 예시들은 아래에서 설명하나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 
는 연결되는 부위를 의미한다.
상기 "치환"이라는 용어는 화합물의 탄소 원자에 결합된 수소 원자가 다른 치환기로 바뀌는 것을 의미하며, 치환되는 위치는 수소 원자가 치환되는 위치 즉, 치환기가 치환 가능한 위치라면 한정하지 않으며, 2 이상 치환되는 경우, 2 이상의 치환기는 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서에서 "치환 또는 비치환된" 이라는 용어는 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 알킬기; 시클로알킬기; 알케닐기; 실릴기; 포스핀옥사이드기; 아민기; 아릴아민기; 아릴기; 및 N, O, S, Se 및 Si 원자 중 1개 이상을 포함하는 헤테로고리기로 이루어진 군에서 선택된 1 또는 2 이상의 치환기로 치환되었거나 상기 예시된 치환기 중 2 이상의 치환기가 연결된 치환기로 치환되거나, 또는 어떠한 치환기도 갖지 않는 것을 의미한다.
본 명세서에 있어서, 할로겐기의 예로는 불소, 염소, 브롬, 또는 요오드가 있다.
본 명세서에 있어서, 카보닐기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 에스테르기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 이미드기의 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 1 내지 30인 것이 바람직하다. 구체적으로 하기와 같은 구조의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아미노기는 아미노기의 질소가 수소, 탄소수 1 내지 30의 직쇄, 분지쇄 또는 고리쇄 알킬기 또는 탄소수 6 내지 30의 아릴기로 치환될 수 있다. 구체적으로, 하기 구조식의 화합물이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 1 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 메틸, 에틸, 프로필, n-프로필, 이소프로필, 부틸, n-부틸, 이소부틸, tert-부틸, sec-부틸, 1-메틸-부틸, 1-에틸-부틸, 펜틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, tert-펜틸, 헥실, n-헥실, 1-메틸펜틸, 2-메틸펜틸, 4-메틸-2-펜틸, 3,3-디메틸부틸, 2-에틸부틸, 헵틸, n-헵틸, 1-메틸헥실, 시클로펜틸메틸, 시클로헥실메틸, 옥틸, n-옥틸, tert-옥틸, 1-메틸헵틸, 2-에틸헥실, 2-프로필펜틸, n-노닐, 2,2-디메틸헵틸, 1-에틸-프로필, 1,1-디메틸-프로필, 이소헥실, 4-메틸헥실, 5-메틸헥실 등이 있으나, 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 시클로알킬기는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 3 내지 60인 것이 바람직하며, 구체적으로 시클로프로필, 시클로부틸, 시클로펜틸, 3-메틸시클로펜틸, 2,3-디메틸시클로펜틸, 시클로헥실, 3-메틸시클로헥실, 4-메틸시클로헥실, 2,3-디메틸시클로헥실, 3,4,5-트리메틸시클로헥실, 4-tert-부틸시클로헥실, 시클로헵틸, 시클로옥틸 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 알케닐기는 직쇄 또는 분지쇄일 수 있고, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 2 내지 40인 것이 바람직하다. 구체적인 예로는 비닐, 1-프로페닐, 이소프로페닐, 1-부테닐, 2-부테닐, 3-부테닐, 1-펜테닐, 2-펜테닐, 3-펜테닐, 3-메틸-1-부테닐, 1,3-부타디에닐, 알릴, 1-페닐비닐-1-일, 2-페닐비닐-1-일, 2,2-디페닐비닐-1-일, 2-페닐-2-(나프틸-1-일)비닐-1-일, 2,2-비스(디페닐-1-일)비닐-1-일, 스틸베닐기, 스티레닐기 등이 있으나 이들에 한정되지 않는다.
본 명세서에 있어서, 실릴기는 Si를 포함하고 상기 Si 원자가 라디칼로서 직접 연결되는 치환기이며, -SiR201R202R203로 표시되고, R201 내지 R203은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소; 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 실릴기의 구체적인 예로는 트리메틸실릴기, 트리에틸실릴기, t-부틸디메틸실릴기, 비닐디메틸실릴기, 프로필디메틸실릴기, 트리페닐실릴기, 디페닐실릴기, 페닐실릴기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에서 아릴기가 단환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 탄소수 6 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 단환식 아릴기로는 페닐기, 비페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 아릴기가 다환식 아릴기인 경우 탄소수는 특별히 한정되지 않으나. 탄소수 10 내지 50인 것이 바람직하다. 구체적으로 다환식 아릴기로는 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트릴기, 파이레닐기, 페릴레닐기, 크라이세닐기, 플루오레닐기 등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 상기 플루오레닐기는 치환될 수 있으며, 인접한 치환기들이 서로 결합하여 고리를 형성할 수 있다.
상기 플루오레닐기가 치환되는 경우, 
, 
,
, 
, 
, 
등이 될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로고리기는 이종원자로 N, O, S, Si 및 Se 중 1개 이상을 포함하는 것으로서, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나 탄소수 2 내지 60인 것이 바람직하다. 헤테로고리기의 예로는 티오펜기, 퓨란기, 피롤기, 이미다졸기, 티아졸기, 옥사졸기, 옥사디아졸기, 트리아졸기, 피리딜기, 비피리딜기, 피리미딜기, 트리아진기, 아크리딜기, 피리다진기, 피라지닐기, 퀴놀리닐기, 퀴나졸린기, 퀴녹살리닐기, 프탈라지닐기, 피리도 피리미디닐기, 피리도 피라지닐기, 피라지노 피라지닐기, 이소퀴놀린기, 인돌기, 카바졸기, 벤즈옥사졸기, 벤즈이미다졸기, 벤조티아졸기, 벤조카바졸기, 벤조티오펜기, 디벤조티오펜기, 벤조퓨라닐기, 페난쓰롤린기(phenanthroline), 티아졸릴기, 이소옥사졸릴기, 옥사디아졸릴기, 티아디아졸릴기 및 디벤조퓨라닐기 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 헤테로아릴기는 방향족인 것을 제외하고는 상기 헤테로고리기의 예시 중에서 선택될 수 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아민기는 -NR206R207로 표시되고, R206 및 R207은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소; 할로겐기; 알킬기; 알케닐기; 알콕시기; 시클로알킬기; 아릴기; 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 예컨대, -NH2; 모노알킬아민기; 디알킬아민기; N-알킬아릴아민기; 모노아릴아민기; 디아릴아민기; N-아릴헤테로아릴아민기; N-알킬헤테로아릴아민기; 모노헤테로아릴아민기 및 디헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐비페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, N-비페닐나프틸아민기, N-나프틸플루오레닐아민기, N-페닐페난트레닐아민기, N-비페닐페난트레닐아민기, N-페닐플루오레닐아민기, N-페닐터페닐아민기, N-페난트레닐플루오레닐아민기, N-비페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.본 명세서에 있어서, 아민기는 -NR206R207로 표시되고, R206 및 R207은 서로 같거나 상이하며, 각각 독립적으로 수소, 중수소, 할로겐기, 알킬기, 알케닐기, 알콕시기, 시클로알킬기, 아릴기, 및 헤테로고리기 중 적어도 하나로 이루어진 치환기일 수 있다. 예컨대, -NH2, 모노알킬아민기, 디알킬아민기, N-알킬아릴아민기, 모노아릴아민기, 디아릴아민기, N-아릴헤테로아릴아민기, N-알킬헤테로아릴아민기, 모노헤테로아릴아민기 및 디헤테로아릴아민기로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있으며, 탄소수는 특별히 한정되지 않으나, 1 내지 30인 것이 바람직하다. 아민기의 구체적인 예로는 메틸아민기, 디메틸아민기, 에틸아민기, 디에틸아민기, 페닐아민기, 나프틸아민기, 비페닐아민기, 안트라세닐아민기, 9-메틸-안트라세닐아민기, 디페닐아민기, 디톨릴아민기, N-페닐톨릴아민기, 트리페닐아민기, N-페닐비페닐아민기, N-페닐나프틸아민기, N-비페닐나프틸아민기, N-나프틸플루오레닐아민기, N-페닐페난트레닐아민기, N-비페닐페난트레닐아민기, N-페닐플루오레닐아민기, N-페닐터페닐아민기, N-페난트레닐플루오레닐아민기, N-비페닐플루오레닐아민기 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 포스핀옥사이드기는 구체적으로 디페닐포스핀옥사이드기, 디나프틸포스핀옥사이드 등이 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서에 있어서, 아릴아민기의 예로는 치환 또는 비치환된 모노아릴아민기, 치환 또는 비치환된 디아릴아민기, 또는 치환 또는 비치환된 트리아릴아민기가 있다. 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 단환식 아릴기일 수 있고, 다환식 아릴기일 수 있다. 상기 아릴기가 2 이상을 포함하는 아릴아민기는 단환식 아릴기, 다환식 아릴기, 또는 단환식 아릴기와 다환식 아릴기를 동시에 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 아릴아민기 중의 아릴기는 전술한 아릴기의 예시 중에서 선택될 수 있다.
본 명세서에 있어서, 아릴렌기는 아릴기에 결합 위치가 두 개 있는 것 즉 2가기를 의미한다. 이들은 각각 2가기인 것을 제외하고는 전술한 아릴기의 설명이 적용될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, a1 내지 a16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C-L-A 또는 N이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합; 치환 또는 비치환된 아릴렌기; 또는 치환 또는 비치환된 2가의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 직접결합이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 비페닐릴렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 페닐렌기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 50의 2가의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 2가의 피리딘기, 치환 또는 비치환된 2가의 피리미딘기, 치환 또는 비치환된 2가의 트리아진기, 치환 또는 비치환된 2가의 퀴나졸린기, 또는 치환 또는 비치환된 2가의 퀴녹살린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 아릴기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 2가의 피리딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 2가의 피리딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 2가의 피리딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 아릴기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 2가의 피리미딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 2가의 피리미딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 2가의 피리미딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 아릴기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 2가의 트리아진기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 2가의 트리아진기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 2가의 트리아진기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 아릴기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 2가의 퀴나졸린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 2가의 퀴나졸린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 2가의 퀴나졸린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 2가의 퀴녹살린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 아릴기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 2가의 퀴녹살린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 페닐기, 비페닐기, 나프틸기, 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 2가의 퀴녹살린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 L은 치환 또는 비치환된 
또는 
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소; 중수소; 할로겐기; 니트릴기; 니트로기; 히드록시기; 카보닐기; 에스테르기; 이미드기; 아미노기; 치환 또는 비치환된 알킬기; 치환 또는 비치환된 시클로알킬기; 치환 또는 비치환된 알케닐기; 치환 또는 비치환된 실릴기; 치환 또는 비치환된 포스핀옥사이드기; 치환 또는 비치환된 아민기; 치환 또는 비치환된 아릴기; 또는 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 중수소이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 30의 아릴기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 비페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 또는 치환 또는 비치환된 플루오레닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 페닐기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 디페닐아민기, 치환 또는 비치환된 디비페닐아민기, 치환 또는 비치환된 페닐비페닐아민기, 치환 또는 비치환된 페닐플루오레닐아민기, 치환 또는 비치환된 비페닐플루오레닐아민기, 또는 치환 또는 비치환된 디플루오레닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소, 중수소, 할로겐기, 트리플루오로메틸기, 알킬기, 니트로기, 실릴기, 아릴기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소, 중수소, 할로겐기, 트리플루오로메틸기, 메틸기, 중수소로 치환된 메틸기, 에틸기, tert-부틸기, 니트로기, 실릴기, 페닐기, 중수소로 치환된 페닐기, 피리딘기, 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 디페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 디페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소, 중수소, 할로겐기, 트리플루오로메틸기, 알킬기, 니트로기, 실릴기, 아릴기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 디비페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소, 중수소, 할로겐기, 트리플루오로메틸기, 메틸기, 중수소로 치환된 메틸기, 에틸기, tert-부틸기, 니트로기, 실릴기, 페닐기, 중수소로 치환된 페닐기, 피리딘기, 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 디비페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 디비페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소, 중수소, 할로겐기, 트리플루오로메틸기, 알킬기, 니트로기, 실릴기, 아릴기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 페닐비페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소, 중수소, 할로겐기, 트리플루오로메틸기, 메틸기, 중수소로 치환된 메틸기, 에틸기, tert-부틸기, 니트로기, 실릴기, 페닐기, 중수소로 치환된 페닐기, 피리딘기, 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 페닐비페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 페닐비페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소, 중수소, 할로겐기, 트리플루오로메틸기, 알킬기, 니트로기, 실릴기, 아릴기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 페닐플루오레닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소, 중수소, 할로겐기, 트리플루오로메틸기, 메틸기, 중수소로 치환된 메틸기, 에틸기, tert-부틸기, 니트로기, 실릴기, 페닐기, 중수소로 치환된 페닐기, 피리딘기, 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 페닐플루오레닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 페닐플루오레닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소, 중수소, 할로겐기, 트리플루오로메틸기, 알킬기, 니트로기, 실릴기, 아릴기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 비페닐플루오레닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소, 중수소, 할로겐기, 트리플루오로메틸기, 메틸기, 중수소로 치환된 메틸기, 에틸기, tert-부틸기, 니트로기, 실릴기, 페닐기, 중수소로 치환된 페닐기, 피리딘기, 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 비페닐플루오레닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 비페닐플루오레닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소, 중수소, 할로겐기, 트리플루오로메틸기, 알킬기, 니트로기, 실릴기, 아릴기, 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 디플루오레닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 수소, 중수소, 할로겐기, 트리플루오로메틸기, 메틸기, 중수소로 치환된 메틸기, 에틸기, tert-부틸기, 니트로기, 실릴기, 페닐기, 중수소로 치환된 페닐기, 피리딘기, 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 디플루오레닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 디플루오레닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 탄소수 6 내지 50의 아릴헤테로아릴아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 페닐디벤조퓨라닐아민기, 또는 치환 또는 비치환된 페닐디벤조티오페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 페닐디벤조퓨라닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 페닐디벤조티오페닐아민기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 탄소수 3 내지 50의 헤테로고리기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 피리딘기, 치환 또는 비치환된 피리미딘기, 치환 또는 비치환된 트리아진기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸린기, 또는 치환 또는 비치환된 퀴녹살린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 아릴기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 피리딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 페닐기, 비페닐기, 페닐기로 치환된 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 피리딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 피리딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 아릴기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 피리미딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 페닐기, 비페닐기, 페닐기로 치환된 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 피리미딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 피리미딘기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 아릴기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 트리아진기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 페닐기, 비페닐기, 페닐기로 치환된 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 트리아진기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 트리아진기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 아릴기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 페닐기, 비페닐기, 페닐기로 치환된 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 퀴나졸린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 퀴나졸린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 아릴기 또는 헤테로고리기로 치환 또는 비치환된 퀴녹살린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 페닐기, 비페닐기, 페닐기로 치환된 카바졸기, 디벤조퓨란기, 또는 디벤조티오펜기로 치환 또는 비치환된 퀴녹살린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 퀴녹살린기이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 치환 또는 비치환된 
, 또는 치환 또는 비치환된 
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 아릴기로 치환 또는 비치환된 
, 또는 치환 또는 비치환된 
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 페닐기, 비페닐기, 또는 나프틸기로 치환 또는 비치환된 
, 또는 치환 또는 비치환된 
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 
이다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 A는 하기 구조 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물은 하기 구조식들 중에서 선택되는 어느 하나일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서의 일 실시상태에 따른 화합물은 후술하는 제조 방법으로 제조될 수 있다. 후술하는 제조예들에서는 대표적인 예시들을 기재하지만, 필요에 따라, 치환기를 추가하거나 제외할 수 있으며, 치환기의 위치를 변경할 수 있다. 또한, 당기술분야에 알려져 있는 기술을 기초로, 출발물질, 반응물질, 반응 조건 등을 변경할 수 있다.
또한, 본 명세서는 상기 전술한 화합물을 포함하는 유기 전자 소자를 제공한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자를 제공한다.
본 명세서에서 어떤 부재가 다른 부재 "상에" 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본 명세서에서 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서의 유기 전자 소자의 유기물층은 단층 구조로 이루어질 수도 있으나, 2층 이상의 유기물층이 적층된 다층 구조로 이루어질 수 있다. 예컨대, 본 명세서의 유기 전자 소자의 대표 적인 예로서, 유기 발광 소자는 유기물층으로서 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자차단층, 정공차단층 등을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 그러나 유기 전자 소자의 구조는 이에 한정되지 않고 더 적은 수의 유기층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기 전자 소자는 유기발광소자, 유기인광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 및 유기트랜지스터로 이루어진 군으로부터 선택될 수 있다.
이하에서는 유기발광소자에 대하여 예시한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 호스트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 따르면, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 인광 호스트 또는 형광 호스트로서 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 호스트로서 포함하고, 다른 유기화합물, 금속 또는 금속화합물을 도펀트로 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 발광층의 호스트로서 포함하고, 이리듐 착체를 도펀트로 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 복수개의 정공수송층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자 주입 및 수송을 동시에 하는 층을 포함하고, 상기 전자수송층, 전자주입층, 또는 전자 주입 및 전자수송을 동시에 하는 층은 상기 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 복수개의 전자수송층을 포함할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 전자차단층을 포함하고, 상기 전자차단층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층, 정공수송층. 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 전자 주입 및 수송층, 정공차단층 및 전자차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함한다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 발광층; 상기 발광층과 상기 제1 전극 사이, 또는 상기 발광층과 상기 제2 전극 사이에 구비된 2층 이상의 유기물층을 포함하고, 상기 2층 이상의 유기물층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함한다. 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 2층 이상의 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 전자 수송과 전자주입을 동시에 하는 층 및 정공차단층으로 이루어진 군에서 2 이상이 선택될 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 2층 이상의 전자수송층을 포함하고, 상기 2층 이상의 전자수송층 중 적어도 하나는 상기 화합물을 포함한다. 구체적으로 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물은 상기 2층 이상의 전자수송층 중 1층에 포함될 수도 있으며, 각각의 2층 이상의 전자수송층에 포함될 수 있다.
또한, 본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화합물이 상기 각각의 2층 이상의 전자수송층에 포함되는 경우, 상기 화합물을 제외한 다른 재료들은 서로 동일하거나 상이할 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 유기물층은 상기 화합물을 포함하는 유기물층 이외에 아릴아미노기, 카바졸릴기 또는 벤조카바졸릴기를 포함하는 화합물을 포함하는 정공주입층 또는 정공수송층을 더 포함한다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 구조(normal type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 유기물층이 전자수송층인 경우, 상기 전자수송층은 n형 도펀트를 더 포함할 수 있다. 상기 n형 도펀트는 당기술분야에 알려져 있는 것들을 사용할 수 있으며, 예컨대 금속 또는 금속착체를 사용할 수 있다. 일 예에 따르면 상기 화학식 1의 화합물을 포함하는 전자수송층은 LiQ(Lithium Quinolate)를 더 포함할 수 있다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 유기 발광 소자는 기판 상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조(inverted type)의 유기 발광 소자일 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자의 구조는 도 1 및 도 2에 나타난 것과 같은 구조를 가질 수 있으나 이에만 한정되는 것은 아니다.
도 1에는 기판(20) 위에 제1 전극(30), 발광층(40) 및 제2 전극(50)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자(10)의 구조가 예시 되어 있다. 상기 도 1은 본 명세서의 일 실시상태에 따른 유기 발광 소자의 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
도 2에는 기판(20) 위에 제1 전극(30), 정공주입층(60), 정공수송층(70), 전자차단층(80), 발광층(40), 전자수송층(90), 전자주입층(100) 및 제2 전극(50)이 순차적으로 적층된 유기 발광 소자의 구조가 예시되어 있다. 상기 도 2는 본 명세서의 실시상태에 따른 예시적인 구조이며, 다른 유기물층을 더 포함할 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 본 명세서의 화합물, 즉 상기 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
상기 유기 발광 소자가 복수개의 유기물층을 포함하는 경우, 상기 유기물층은 동일한 물질 또는 다른 물질로 형성될 수 있다.
본 명세서의 유기 발광 소자는 유기물층 중 1층 이상이 상기 화합물, 즉 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 제외하고는 당 기술분야에 알려져 있는 재료와 방법으로 제조될 수 있다.
예컨대, 본 명세서의 유기 발광 소자는 기판 상에 제1 전극, 유기물층 및 제2 전극을 순차적으로 적층시킴으로써 제조할 수 있다. 이 때, 스퍼터링법(sputtering)이나 전자빔 증발법(e-beam evaporation)과 같은 PVD(physical Vapor Deposition)방법을 이용하여, 기판 상에 금속 또는 전도성을 가지는 금속 산화물 또는 이들의 합금을 증착시켜 양극을 형성하고, 그 위에 정공주입층, 정공수송층, 발광층 및 전자수송층을 포함하는 유기물층을 형성한 후, 그 위에 음극으로 사용할 수 있는 물질을 증착시킴으로써 제조될 수 있다. 이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수 있다.
또한, 상기 화학식 1의 화합물은 유기 발광 소자의 제조시 진공 증착법 뿐만 아니라 용액 도포법에 의하여 유기물층으로 형성될 수 있다. 여기서, 용액 도포법이라 함은 스핀 코팅, 딥코팅, 닥터 블레이딩, 잉크젯프린팅, 스크린 프린팅, 스프레이법, 롤 코팅 등을 의미하지만, 이들만으로 한정되는 것은 아니다.
이와 같은 방법 외에도, 기판 상에 음극 물질로부터 유기물층, 양극 물질을 차례로 증착시켜 유기 발광 소자를 만들 수도 있다 (국제 특허 출원 공개 제 2003/012890호). 다만, 제조 방법이 이에 한정되는 것은 아니다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 양극이고, 상기 제2 전극은 음극이다.
또 하나의 실시상태에 있어서, 상기 제1 전극은 음극이고, 상기 제2 전극은 양극이다.
상기 양극 물질로는 통상 유기물층으로 정공 주입이 원활할 수 있도록 일함수가 큰 물질이 바람직하다. 사용될 수 있는 양극 물질의 구체적인 예로는 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연 산화물, 인듐 산화물, 인듐주석 산화물(ITO), 인듐아연 산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO:Al 또는 SnO2 : Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리[3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜](PEDOT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 음극 물질로는 통상 유기물층으로 전자 주입이 용이하도록 일함수가 작은 물질인 것이 바람직하다. 음극 물질의 구체적인 예로는 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석 및 납과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al 또는 LiO2/Al과 같은 다층 구조 물질 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 발광층은 호스트 재료 및 도펀트 재료를 포함할 수 있다. 호스트 재료는 축합 방향족환 유도체 또는 헤테로환 함유 화합물 등이 있다. 구체적으로 축합 방향족환 유도체로는 안트라센 유도체, 피렌 유도체, 나프탈렌 유도체, 펜타센 유도체, 페난트렌 화합물, 플루오란텐 화합물 등이 있고, 헤테로환 함유 화합물로는 화합물, 디벤조퓨란 유도체, 래더형 퓨란 화합물, 피리미딘 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 도펀트 재료로는 방향족 아민 유도체, 스트릴아민 화합물, 붕소 착체, 플루오란텐 화합물, 금속 착체 등이 있다. 구체적으로 방향족 아민 유도체로는 치환 또는 비치환된 아릴아미노기를 갖는 축합 방향족환 유도체로서, 아릴아미노기를 갖는 피렌, 안트라센, 크리센, 페리플란텐 등이 있으며, 스티릴아민 화합물로는 치환 또는 비치환된 아릴아민에 적어도 1개의 아릴비닐기가 치환되어 있는 화합물로, 아릴기, 실릴기, 알킬기, 시클로알킬기 및 아릴아미노기로 이루어진 군에서 1 또는 2 이상 선택되는 치환기가 치환 또는 비치환된다. 구체적으로 스티릴아민, 스티릴디아민, 스티릴트리아민, 스티릴테트라아민 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다. 또한, 금속 착체로는 이리듐 착체, 백금 착체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물이 발광층 이외의 유기물층에 포함되거나, 추가의 발광층이 구비되는 경우, 상기 발광층의 발광 물질로는 정공수송층과 전자수송층으로부터 정공과 전자를 각각 수송 받아 결합시킴으로써 가시광선 영역의 빛을 낼 수 있는 물질로서, 형광이나 인광에 대한 양자 효율이 좋은 물질이 바람직하다. 구체적인 예로는 8-히드록시-퀴놀린 알루미늄 착물(Alq3); 카르바졸 계열 화합물; 이량체화 스티릴(dimerized styryl) 화합물; BAlq; 10-히드록시벤조 퀴놀린-금속 화합물; 벤족사졸, 벤즈티아졸 및 벤즈이미다졸 계열의 화합물; 폴리(p-페닐렌비닐렌)(PPV) 계열의 고분자; 스피로(spiro) 화합물; 폴리플루오렌, 루브렌 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 정공주입층은 전극으로부터 정공을 주입하는 층으로, 정공 주입 물질로는 정공을 수송하는 능력을 가져 양극에서의 정공 주입효과, 발광층 또는 발광재료에 대하여 우수한 정공 주입 효과를 갖고, 발광층에서 생성된 엑시톤의 전자주입층 또는 전자주입재료에의 이동을 방지하며, 또한, 박막 형성 능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 정공 주입 물질의 HOMO(highest occupied molecular orbital)가 양극 물질의 일함수와 주변 유기물층의 HOMO 사이인 것이 바람직하다. 정공 주입 물질의 구체적인 예로는 금속 포피린(porphyrin), 올리고티오펜, 아릴아민 계열의 유기물, 헥사니트릴헥사아자트리페닐렌 계열의 유기물, 퀴나크리돈(quinacridone)계열의 유기물, 페릴렌(perylene) 계열의 유기물, 안트라퀴논 및 폴리아닐린과 폴리티오펜 계열의 전도성 고분자 등이 있으나, 이들에만 한정 되는 것은 아니다.
상기 정공수송층은 정공주입층으로부터 정공을 수취하여 발광층까지 정공을 수송하는 층으로, 정공 수송 물질로는 양극이나 정공 주입층으로부터 정공을 수송받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로 정공에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 아릴아민 계열의 유기물, 전도성 고분자, 및 공액 부분과 비공액 부분이 함께 있는 블록 공중합체 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 전자차단층은 정공주입층으로부터 주입된 정공이 발광층을 지나 전자주입층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광층과 전자주입층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.
상기 정공차단층은 정공의 음극 도달을 저지하는 층으로, 일반적으로 정공주입층과 동일한 조건으로 형성될 수 있다. 구체적으로 옥사디아졸 유도체나 트리아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 알루미늄 착물 (aluminum complex) 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 전자수송층은 전자주입층으로부터 전자를 수취하여 발광층까지 전자를 수송하는 층으로 전자 수송 물질로는 음극으로부터 전자를 잘 주입 받아 발광층으로 옮겨줄 수 있는 물질로서, 전자에 대한 이동성이 큰 물질이 적합하다. 구체적인 예로는 8-히드록시퀴놀린의 Al착물; Alq3를 포함한 착물; 유기 라디칼 화합물; 히드록시플라본-금속 착물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다. 전자수송층은 종래기술에 따라 사용된 바와 같이 임의의 원하는 음극 물질과 함께 사용할 수 있다. 특히, 적절한 음극 물질의 예는 낮은 일함수를 가지고 알루미늄층 또는 실버층이 뒤따르는 통상적인 물질이다. 구체적으로 세슘, 바륨, 칼슘, 이테르븀 및 사마륨이고, 각 경우 알루미늄 층 또는 실버층이 뒤따른다.
상기 전자주입층은 전극으로부터 전자를 주입하는 층으로, 전자를 수송하는 능력을 갖고, 음극으로부터의 전자주입 효과, 발광층 또는 발광 재료에 대하여 우수한 전자주입 효과를 가지며, 발광층에서 생성된 엑시톤의 정공 주입층에의 이동을 방지하고, 또한, 박막형성능력이 우수한 화합물이 바람직하다. 구체적으로는 플루오레논, 안트라퀴노다이메탄, 다이페노퀴논, 티오피란 다이옥사이드, 옥사졸, 옥사다이아졸, 트리아졸, 이미다졸, 페릴렌테트라카복실산, 프레오레닐리덴 메탄, 안트론 등과 그들의 유도체, 금속 착체 화합물 및 함질소 5원환 유도체 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 금속 착체 화합물로서는 8-하이드록시퀴놀리나토 리튬, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)아연, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)구리, 비스(8-하이드록시퀴놀리나토)망간, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(2-메틸-8-하이드록시퀴놀리나토)알루미늄, 트리스(8-하이드록시퀴놀리나토)갈륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)베릴륨, 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리나토)아연, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)클로로갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(o-크레졸라토)갈륨, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(1-나프톨라토)알루미늄, 비스(2-메틸-8-퀴놀리나토)(2-나프톨라토)갈륨 등이 있으나, 이에 한정되지 않는다.
본 명세서에 따른 유기 발광 소자는 사용되는 재료에 따라 전면 발광형, 후면 발광형 또는 양면 발광형일 수 있다.
본 명세서의 일 실시상태에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자 외에도 유기 태양 전지 또는 유기 트랜지스터에 포함될 수 있다.
본 명세서에 따른 화합물은 유기인광소자, 유기태양전지, 유기감광체, 유기트랜지스터 등을 비롯한 유기 전자 소자에서도 유기 발광 소자에 적용되는 것과 유사한 원리로 작용할 수 있다. 예컨대, 상기 유기태양전지는 음극, 양극 및 상기 음극과 양극 사이에 구비된 광활성층을 포함하는 구조일 수 있고, 상기 광활성층은 상기 화합물을 포함할 수 있다.
이하, 본 명세서를 구체적으로 설명하기 위해 실시예 및 비교예 등을 들어 상세하게 설명하기로 한다. 그러나, 본 명세서에 따른 실시예 및 비교예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 명세서의 범위가 아래에서 상술하는 실시예 및 비교예에 한정되는 것으로 해석되지 않는다. 본 명세서의 실시예 및 비교예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 명세서를 보다 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물은 Suzuki coupling reaction, Buchwald-Hartwig coupling reaction, cadogan carbazole synthesis 등을 이용하여 제조될 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
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제조예
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제조예
1> - 화합물 1의 제조
1) 화합물 1-a의 제조
1,4-디브로모나프탈렌(1,4-dibromonaphthalene) 50.0g (1.00 eq), (2-니트로페닐)보론산((2-nitrophenyl)boronic acid) 61.29 g (2.1 eq), 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐 2.02 g (0.01 eq)을 테트라하이드로퓨란 0.5L 에 녹여 교반한 다음, 포타슘카보네이트(K2CO3) 60.41 g (2.5 eq)를 물 200 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 클로로포름(CHCl3)에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 1-a 54.35 g (수율 91 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 371
2) 화합물 1-b의 제조
상기 화합물 1-a 54.35 g (1.0 eq)를 트라이에틸포스파이트 (P(OEt)3) 300 mL 에 녹여 환류하여 교반했다. 3시간 후 반응이 종료되면 진공 감압하여 50% 정도의 용매를 제거하고 식혀서 결정을 떨어트렸다. 여과 후 에틸아세테이트에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 70% 정도 감압 농축하고 식혀서 결정을 떨어트리고 여과하여, 화합물 1-b 34.16 g (수율 76 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 370
3) 화합물 1의 제조
상기 화합물 1-b 34.16 g (1.0 eq), 화합물 1-c 31.56 g (1.2 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.25 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 26.78 g (2.5 eq)을 자일렌(Xylene) 300 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 1 30.96 g (수율 78 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 381
<
제조예
1-1 내지 1-5> - 화합물 1-1 내지 1-5의 제조
상기 제조에 1에서, 화합물 1-c 대신에 화합물 1-d 내지 1-h를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조에 1과 동일한 방법으로 화합물 1-1 내지 1-5를 제조하였다.
<일반식 1-1 내지 1-8>
상기 제조예 1과 동일한 방법으로 하기와 같이 코어구조를 제조할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
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제조예
2> - 화합물 2의 제조
1) 화학식 2-a의 제조
1,4-디브로모나프탈렌(1,4-dibromonaphthalene) 50.0 g (1.00 eq), (3-니트로피리딘-4-일)보론산((3-nitropyridin-4-yl)boronic acid) 61.65 g (2.1 eq), 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐 2.02 g (0.01 eq)을 테트라하이드로퓨란 0.5L 에 녹여 교반한 다음 K2CO3 60.41 g (2.5 eq)를 물 200 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 2-a 54.68 g (수율 84 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 373
2) 화합물 2-b의 제조
상기 화합물 2-a 54.68 g (1.0 eq)를 트라이에틸포스파이트 (P(OEt)3) 250 mL 에 녹여 환류하여 교반했다. 3시간 후 반응이 종료되면 진공 감압하여 50% 정도의 용매를 제거하고 식혀서 결정을 떨어트렸다. 여과 후 에틸아세테이트에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 70% 정도 감압 농축하고 식혀서 결정을 떨어 트리고 여과하여, 화합물 2-b 34.86 g (수율 77 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 309
3) 화합물 2의 제조
상기 화합물 1-b 34.86 g (1.0 eq), 화합물 1-c 34.84 g (1.2 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.31 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 29.56 g (2.5 eq)을 자일렌(Xylene) 300 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 2 32.94 g (수율 70 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 383
<
제조예
2-1 내지 2-3> - 화합물 2-1 내지 2-3의 제조
상기 제조예 2에서, 화합물 2-b 대신에 화합물 2-c 내지 2-e를 사용한 것을 제외하고는, 상기 제조예 2와 동일한 방법으로 화합물 2-1 내지 2-3을 제조하였다.
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제조예
3> - 화합물 3의 제조
1) 화합물 3-a의 제조
1-브로모-4-클로로나프탈렌(1-bromo-4-chloronaphthalene) 30.0 g (1.00 eq), (3-니트로피리딘-4-일)보론산((3-nitropyridin-4-yl)boronic acid) 22.94 g (1.1 eq), 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐 1.43 g (0.01 eq)을 테트라하이드로퓨란 0.5L 에 녹여 교반한 다음 K2CO3 25.75 g (1.5 eq)를 물 200 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 3-a 27.93 g (수율 79 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 285
2) 화합물 3-b의 제조
상기 화합물 3-a 27.93 g (1.00 eq), (2-니트로페닐)보론산((2-nitrophenyl)boronic acid) 18.01 g (1.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.25 g (0.005 eq)을 테트라하이드로퓨란 0.5L 에 녹여 교반한 다음 K2CO3 20.34 g (1.5 eq)를 물 200 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 3-b 27.32 g (수율 75 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 372
3) 화합물 3-c의 제조
상기 화합물 3-b 27.32 g (1.0 eq)를 트리에틸포스파이트(P(OEt) 3) 120 mL 에 녹여 환류하여 교반했다. 3시간 후 반응이 종료되면 진공 감압하여 50% 정도의 용매를 제거하고 식혀서 결정을 떨어트렸다. 여과 후 에틸아세테이트에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 70% 정도 감압 농축하고 식혀서 결정을 떨어 트리고 여과하여, 화합물 3-c 16.50 g (수율 73 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 308
3) 화합물 3의 제조
상기 화합물 3-b 308 g (1.0 eq), 1-c 15.19 g (1.2 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.14 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 12.89 g (2.5 eq)을 자일렌(Xylene) 200 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 3 14.33 g (수율 70 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 382
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제조예
4> - 화합물 4의 제조
1) 화합물 4-a의 제조
1,4-디브로모나프탈렌(1,4-dibromonaphthalene) 50.00 g (1.00 eq), (4-클로로-2-니트로페닐)보론산((4-chloro-2-nitrophenyl)boronic acid) 73.93 g (1.1 eq), 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐 2.02 g (0.01 eq)을 테트라하이드로퓨란 0.5L 에 녹여 교반한 다음 K2CO3 60.41 g (2.5 eq)를 물 200 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 4-a 62.20 g (수율 81 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 440
2) 화합물 4-b의 제조
상기 화합물 4-a 62.2 g (1.0 eq)를 트리에틸포스파이트(P(OEt) 3) 300 mL 에 녹여 환류하여 교반했다. 3시간 후 반응이 종료되면 진공 감압하여 50% 정도의 용매를 제거하고 식혀서 결정을 떨어트렸다. 여과 후 에틸아세테이트에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 70% 정도 감압 농축하고 식혀서 결정을 떨어 트리고 여과하여, 화합물 4-b 37.71 g (수율 71 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 376
3) 화합물 4의 제조
상기 화합물 4-b 37.71 g (1.0 eq), 화합물 1-c 28.44 g (1.2 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.25 g (0.005 eq), 소듐-tert-부톡사이드 24.14 g (2.5 eq)을 자일렌(Xylene) 300 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 4 33.41 g (수율 74 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 450
<일반식 4-1 및 4-2>
상기 제조예 4와 동일한 방법으로 하기와 같이 코어구조를 제조할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<
제조예
5> - 화합물 5의 제조
화합물 1 30.0 g (1.0 eq), 디메틸포름아마이드(DMF) 1L에 녹이고 N-브로모숙신이미드(NBS) 28.07 g (2.0 eq)을 천천히 적가하며 교반했다. 3시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 DMF를 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 5 32.25g (수율 76 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 539
<일반식 5-1>
상기 제조예 5와 동일한 방법으로 하기와 같이 코어구조를 제조할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<
제조예
6> - 화합물 6의 제조
1) 화합물 6-a의 제조
5,8-디브로모퀴놀린(5,8-dibromoquinoline) 50.00 g (1.00 eq), (2-니트로페닐)보론산((2-nitrophenyl)boronic acid) 61.08 g (2.1 eq), 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐 2.01 g (0.01 eq)을 테트라하이드로퓨란 0.5L 에 녹여 교반한 다음 K2CO3 60.20 g (2.5 eq)를 물 200 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 6-a 51.11 g (수율 79 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 372
2) 화합물 6-b의 제조
상기 화합물 6-a 51.11 g (1.0 eq)를 트리에틸포스파이트(P(OEt) 3) 300 mL 에 녹여 환류하여 교반했다. 3시간 후 반응이 종료되면 진공 감압하여 50% 정도의 용매를 제거하고 식혀서 결정을 떨어트렸다. 여과 후 에틸아세테이트에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 70% 정도 감압 농축하고 식혀서 결정을 떨어 트리고 여과하여, 화합물 6-b 31.30 g (수율 74 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 308
3) 화합물 6의 제조
상기 화합물 6-b 31.30 g (1.0 eq), 화합물 1-c 28.82 g (1.2 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.26 g (0.005 eq), 소듐-tert-부톡사이드 24.46 g (2.5 eq)을 자일렌(Xylene) 300 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 6 26.80 g (수율 69 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 382
<
제조예
6-1 내지 6-4> - 화합물 6-1 내지 6-4의 제조
상기 제조예 6과 동일한 방법으로 화합물 6-1 내지 6-4를 제조하였다.
<
제조예
7> - 화합물 7의 제조
1) 화합물 7-a의 제조
1,4-디브로모-6-클로로나프탈렌(1,4-dibromo-6-chloronaphthalene) 80.00 g (1.00 eq), (2-니트로페닐)보론산((2-nitrophenyl)boronic acid) 87.52 g (2.1 eq), 테트라키스트리페닐포스피노팔라듐 2.89 g (0.01 eq)을 테트라하이드로퓨란 0.6L 에 녹여 교반한 다음 K2CO3 86.26 g (2.5 eq)를 물 200 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 7-a 77.82 g (수율 77 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 405
2) 화합물 7-b의 제조
상기 화합물 7-a 77.82 g (1.0 eq)를 트리에틸포스파이트(P(OEt)3) 400 mL 에 녹여 환류하여 교반했다. 3시간 후 반응이 종료되면 진공 감압하여 50% 정도의 용매를 제거하고 식혀서 결정을 떨어트렸다. 여과 후 에틸아세테이트에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 70% 정도 감압 농축하고 식혀서 결정을 떨어트리고 여과하여, 화합물 7-b 45.86 g (수율 70 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 341
3) 화합물 7의 제조
상기 화합물 7-b 45.86 g (1.0 eq), 화합물 1-c 38.09 g (1.2 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.34 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 32.32 g (2.5 eq)를 자일렌(Xylene) 400 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 7 40.19 g (수율 72 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 415
<일반식 7-1 내지 7-4>
상기 제조예 7과 동일한 방법으로 하기와 같이 코어구조를 제조할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
<
제조예
8> - 화합물 8의 제조
화합물 8-a 10.00 g (1.00 eq), 페닐보론산(phenylboronic acid) 5.94 g (2.2 eq) 및 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq)을 1,4-디옥산(1,4-dioxane) 200 mL 에 녹여 교반한 다음 K3PO4 11.75 g (2.5 eq)를 물 80 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 8 8.52 g (수율 72 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 535
<
제조예
9> - 화합물 9의 제조
화합물 9-a 10.00 g (1.00 eq), 페닐보론산(phenylboronic acid) 5.91 g (2.2 eq) 및 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq)을 1,4-디옥산(1,4-dioxane)200 mL 에 녹여 교반한 다음 K3PO4 11.70 g (2.5 eq)를 물 80 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 9 8.28 g (수율 70 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 537
<
제조예
10> - 화합물 10의 제조
화합물 10-a 10.00 g (1.00 eq), 페닐보론산(phenylboronic acid) 5.94 g (2.2 eq) 및 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq)을 1,4-디옥산(1,4-dioxane) 200 mL 에 녹여 교반한 다음 K3PO4 11.76 g (2.5 eq)를 물 80 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 10 8.05 g (수율 68 %)를 얻었다.
MS: [M+H]+ = 535
<
제조예
11> - 화합물 11의 제조
화합물 11-a 10.0 g (1.0 eq), 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민 (bis(4-(tert-butyl)phenyl)amine) 7.46 g (1.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 3.47 g (1.5 eq)를 자일렌(Xylene) 200 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 11 11.45 g (수율 72 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 660
<
제조예
12> - 화합물 12의 제조
화합물 12-a 10.0 g (1.0 eq), 9,9-디메틸-N-페닐-9H-플루오렌-2-아민 (9,9-dimethyl-N-phenyl-9H-fluoren-2-amine) 7.56 g (1.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 3.47 g (1.5 eq)을 자일렌(Xylene) 200 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 12 11.04 g (수율 69 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 664
<
제조예
13> - 화합물 13의 제조
화합물 13-a 10.0 g (1.0 eq), N-페닐디벤조[b,d]퓨란-4-아민(N-phenyldibenzo[b,d]furan-4-amine) 6.87 g (1.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 3.47 g (1.5 eq)을 자일렌(Xylene) 200 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 13 10.29 g (수율 67 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 638
<
제조예
14> - 화합물 14의 제조
화합물 14-a 10.0 g (1.0 eq), 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민(bis(4-(tert-butyl)phenyl)amine) 7.46 g (1.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 3.47 g (1.5 eq)을 자일렌(Xylene) 200 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 14 11.13 g (수율 70 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 660
<
제조예
15> - 화합물 15의 제조
화합물 15-a 10.0 g (1.0 eq), 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민(bis(4-(tert-butyl)phenyl)amine) 6.71 g (1.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 3.12 g (1.5 eq)을 자일렌(Xylene) 200 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 15 10.61 g (수율 74 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 662
<
제조예
16> - 화합물 16의 제조
화합물 16-a 10.0 g (1.0 eq), 디-o-톨릴아민(di-o-tolylamine) 9.22 g (2.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 5.34 g (2.5 eq)을 자일렌(Xylene) 200 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 16 10.46 g (수율 61 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 771
<
제조예
17> - 화합물 17의 제조
화합물 17-a 10.0 g (1.0 eq), 디-o-톨릴아민(di-o-tolylamine) 9.22 g (2.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 5.34 g (2.5 eq)을 자일렌(Xylene) 200 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 17 10.46 g (수율 61 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 771
<
제조예
18> - 화합물 18의 제조
화합물 18-a 10.0 g (1.0 eq), 비스(4-(tert-부틸)페닐)아민(bis(4-(tert-butyl)phenyl)amine) 13.15 g (2.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 5.34 g (2.5 eq)을 자일렌(Xylene) 200 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene)을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 18 13.16 g (수율 63 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 940
<
제조예
19> - 화합물 19의 제조
화합물 19-a 10.0 g (1.0 eq), 비스(4-(트리메틸실릴)페닐)아민 (bis(4-(trimethylsilyl)phenyl)amine) 14.66 g (2.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 5.34 g (2.5 eq)을 자일렌(Xylene) 200 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene) 을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 19 13.62 g (수율 61 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 1,004
<
제조예
20> - 화합물 20의 제조
화합물 20-a 10.0 g (1.0 eq), 디페닐아민(diphenylamine) 7.87 g (2.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq) 및 소듐-tert-부톡사이드 5.32 g (1.5 eq)을 자일렌(Xylene) 200 mL에 넣고 환류하여 교반했다. 5시간 후 반응이 종료되면 상온으로 식힌 뒤 자일렌(Xylene) 을 감압하여 제거 한 후 CHCl3에 완전히 녹여 물로 씻어주고 다시 감압하여 용매를 제거하고 이를 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 20 10.95 g (수율 69 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 717
<
제조예
21> - 화합물 21의 제조
화합물 21-a 10.0 g (1.00 eq), 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 (2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 5.81 g (1.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.05 g (0.005 eq)을 테트라하이드로퓨란 200 mL 에 녹여 교반한 다음 K2CO3 4.09 g (1.5 eq)를 물 50 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 21 8.57 g (수율 71 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 612
<
제조예
22> - 화합물 22의 제조
화합물 22-a 10.0 g (1.00 eq), 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 (2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 5.80 g (1.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.05 g (0.005 eq)을 테트라하이드로퓨란 200 mL 에 녹여 교반한 다음 K2CO3 4.09 g (1.5 eq)를 물 50 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 22 8.81 g (수율 73 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 613
<
제조예
23> - 화합물 23의 제조
화합물 23-a 10.0 g (1.00 eq), 2,4-디페닐-6-(4-(4,4,5,5-테트라메틸-1,3,2-디옥사보로란-2-일)페닐)-1,3,5-트리아진(2,4-diphenyl-6-(4-(4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2-dioxaborolan-2-yl)phenyl)-1,3,5-triazine) 11.54 g (1.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.06 g (0.005 eq)을 테트라하이드로퓨란 200 mL 에 녹여 교반한 다음 K2CO3 4.99 g (1.5 eq)를 물 50 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 23 11.27 g (수율 68 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 688
<
제조예
24> - 화합물 24의 제조
화합물 24-a 10.0 g (1.00 eq), 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 (2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 5.79 g (1.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.05 g (0.005 eq)을 테트라하이드로퓨란 200 mL 에 녹여 교반한 다음 K2CO3 4.07 g (1.5 eq)를 물 50 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 24 9.05 g (수율 75 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 614
<
제조예
25> - 화합물 25의 제조
화합물 25-a 10.0 g (1.00 eq), 2-클로로-4,6-디페닐-1,3,5-트리아진 (2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine) 5.81 g (1.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.05 g (0.005 eq)을 테트라하이드로퓨란 200 mL 에 녹여 교반한 다음 K2CO3 4.09 g (1.5 eq)를 물 50 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 25 8.81 g (수율 73 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 612
<
제조예
26> - 화합물 26의 제조
화합물 26-a 10.0 g (1.00 eq), 2-클로로-4-페닐벤조[4,5]티에노[3,2-d]피리미딘(2-chloro-4-phenylbenzo[4,5]thieno[3,2-d]pyrimidine) 6.42 g (1.1 eq), 비스(트리-tert-부틸포스핀)팔라듐 0.05 g (0.005 eq)을 테트라하이드로퓨란 200 mL 에 녹여 교반한 다음 K2CO3 4.07 g (1.5 eq)를 물 50 ml 에 녹여 첨가 이를 환류하여 교반했다. 2시간 후 반응이 종료되면 유기층을 분리한 뒤 감압하여 용매를 제거했다. 생성물을 CHCl3에 완전히 녹인 후 물로 씻어주고 용액을 50% 정도 감압 농축하고 에탄올을 넣어서 결정을 떨어트리고 여과했다. 이 후 컬럼크로마토그래피를 이용하여 정제하여, 화합물 26 8.84 g (수율 70 %)을 얻었다.
MS: [M+H]+ = 643
<
실험예
1>
ITO(indium tin oxide)가 1,000Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이 때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀러포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 이렇게 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기 화학식의 헥사니트릴 헥사아자트리페닐렌 (hexaazatriphenylene; HAT)를 150Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 정공을 수송하는 물질인 하기 화합물 HT(1150Å)를 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 전자 차단층 위에 막 두께 30Å으로 하기 BH와 BD를 25:1의 중량비로 진공증착하여 발광층을 형성하였다. 상기 발광층 위에 하기 화합물 ET 및 화합물 LiQ(Lithium Quinolate)를 1:1의 중량비로 진공증착하여 360Å의 두께로 전자 주입 및 수송층을 형성하였다. 상기 전자 주입 및 수송층 위에 순차적으로 12Å두께로 리튬플로라이드(LiF)와 2,000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다. 상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 내지 0.7Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플로라이드는 0.3Å/sec, 알루미늄은 2Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 ⅹ10-7 내지 5 ⅹ10-6 torr를 유지하여, 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-1>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 6-1을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-2>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 8을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-3>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 9를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-4>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 10을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-5>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 11을 사용한 것을 제외하고 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-6>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 12를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-7>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 13을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-8>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 14를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-9>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 15를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-10>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 16을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-11>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 17을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-12>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 18을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-13>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 19를 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 1-14>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 상기 화합물 20을 사용한 것을 제외하고는 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-1>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 화합물 B1을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-2>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 화합물 B2을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-3>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 화합물 B3을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-4>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 화합물 B4을 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 1-5>
상기 실험예 1에서 화합물 BD 대신 화합물 B5를 사용한 것을 제외하고는 상기 실험예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
상기 실험예 1, 1-1 내지 1-14 및 비교예 1-1 내지 비교예 1-5 에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율, 색좌표 및 수명을 측정하고 그 결과를 하기 [표 1]에 나타내었다. T95는 휘도가 초기휘도보다 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
| 화합물 | 전압 (V@10mA/cm2) |
효율 (cd/A@10mA/cm2) |
색좌표 (x, y) |
T95 (hr) |
|
| 실험예 1 | BD | 4.73 | 5.35 | (0.144, 0.051) | 197 |
| 실험예 1-1 | 화합물 6-1 | 4.40 | 5.96 | (0.141, 0.053) | 265 |
| 실험예 1-2 | 화합물 8 | 4.42 | 6.63 | (0.142, 0.051) | 253 |
| 실험예 1-3 | 화합물 9 | 4.43 | 6.51 | (0.140, 0.050) | 260 |
| 실험예 1-4 | 화합물 10 | 4.41 | 6.55 | (0.140, 0.050) | 255 |
| 실험예 1-5 | 화합물 11 | 4.46 | 6.56 | (0.141, 0.051) | 250 |
| 실험예 1-6 | 화합물 12 | 4.69 | 6.34 | (0.140, 0.052) | 251 |
| 실험예 1-7 | 화합물 13 | 4.67 | 6.39 | (0.142, 0.052) | 253 |
| 실험예 1-8 | 화합물 14 | 4.68 | 6.28 | (0.143, 0.050) | 267 |
| 실험예 1-9 | 화합물 15 | 4.64 | 6.25 | (0.140, 0.055) | 275 |
| 실험예 1-10 | 화합물 16 | 4.41 | 6.57 | (0.140, 0.050) | 265 |
| 실험예 1-11 | 화합물 17 | 4.43 | 6.51 | (0.140, 0.052) | 254 |
| 실험예 1-12 | 화합물 18 | 4.41 | 6.50 | (0.142, 0.051) | 261 |
| 실험예 1-13 | 화합물 19 | 4.42 | 6.49 | (0.141, 0.053) | 253 |
| 실험예 1-14 | 화합물 20 | 4.44 | 6.53 | (0.142, 0.052) | 251 |
| 비교예 1-1 | B1 | 5.86 | 3.67 | (0.146, 0.053) | 170 |
| 비교예 1-2 | B2 | 5.25 | 3.82 | (0.145, 0.051) | 153 |
| 비교예 1-3 | B3 | 5.11 | 3.95 | (0.145, 0.051) | 165 |
| 비교예 1-4 | B4 | 5.96 | 3.85 | (0.146, 0.050) | 185 |
| 비교예 1-5 | B5 | 5.96 | 3.85 | (0.146, 0.053) | 155 |
상기 표 1에서 보는 바와 같이, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물을 청색 도펀트로 사용하여 제작한 유기 발광 소자의 경우, 비교예 1-1 내지 1-5에 비하여 저전압 및 고효율의 특성을 보이는 것을 알 수 있다. 또한, 비교예 1-1 내지 1-5의 화합물은 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물에 비하여, Tg가 낮고 승화 정제 과정에서 물질이 깨질 가능성이 높기 때문에 열 안정성 또한 떨어지고, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물의 수명이 비교예 1-1 내지 1-5에 비하여 10 내지 50% 이상 증가하므로, 장수명의 효과도 우수함을 알 수 있다. 따라서, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 청색 발광 물질로 적합하다는 것을 알 수 있다.
<실험예 2>
ITO(indium tin oxide)가 1,300 Å의 두께로 박막 코팅된 유리 기판을 세제를 녹인 증류수에 넣고 초음파로 세척하였다. 이때, 세제로는 피셔사(Fischer Co.) 제품을 사용하였으며, 증류수로는 밀리포어사(Millipore Co.) 제품의 필터(Filter)로 2차로 걸러진 증류수를 사용하였다. ITO를 30분간 세척한 후 증류수로 2회 반복하여 초음파 세척을 10분간 진행하였다. 증류수 세척이 끝난 후, 이소프로필알콜, 아세톤, 메탄올의 용제로 초음파 세척을 하고 건조시킨 후 플라즈마 세정기로 수송시켰다. 또한, 산소 플라즈마를 이용하여 상기 기판을 5분간 세정한 후 진공 증착기로 기판을 수송시켰다. 상기와 같이 준비된 ITO 투명 전극 위에 하기와 같은 HT-1 화합물을 500Å의 두께로 열 진공 증착하여 정공 주입층을 형성하였다. 상기 정공 주입층 위에 HT-1 화합물을 800Å의 두께로 열 진공증착하고, 순차적으로 HT-2 화합물을 500Å 두께로 진공 증착하여 정공 수송층을 형성하였다. 이어서, 상기 정공수송층 위에 화합물 H-1 및 H-2를 5:5의 비율로 하여, 5 내지 10%의 중량비로 인광 도펀트 DP 와 진공증착하여 400Å 두께의 발광층을 형성하였다.
상기 발광층 위에 ET-1 물질을 50Å의 두께로 진공 증착하여 정공 차단층을 형성하고, 상기 정공차단층 위에 ET-2 물질 및 LiQ를 1:1의 중량비로 진공증착하여 250Å의 전자 수송층을 형성하였다. 상기 전자 수송층 위에 순차적으로 10Å 두께의 리튬 프루라이드(LiF)를 증착하고, 이위에 1000Å 두께로 알루미늄을 증착하여 음극을 형성하였다.
상기의 과정에서 유기물의 증착속도는 0.4 내지 0.7 Å/sec를 유지하였고, 음극의 리튬플루오라이드는 0.3 Å/sec, 알루미늄은 2 Å/sec의 증착 속도를 유지하였으며, 증착시 진공도는 2 × 10-7 내지 5 × 10-8 torr를 유지하였다.
<실험예 2-1>
상기 실험예 2에서 화합물 H-1 대신 화합물 21을 사용한 것을 제외하고는 실험예 2와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 2-2>
상기 실험예 2에서 화합물 H-1 대신 화합물 22를 사용한 것을 제외하고는 실험예 2와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 2-3>
상기 실험예 2에서 화합물 H-1 대신 화합물 23를 사용한 것을 제외하고는 실험예 2와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 2-4>
상기 실험예 2에서 화합물 H-1 대신 화합물 24를 사용한 것을 제외하고는 실험예 2와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 2-5>
상기 실험예 2에서 화합물 H-1 대신 화합물 25를 사용한 것을 제외하고는 실험예 2와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<실험예 2-6>
상기 실험예 2에서 화합물 H-1 대신 화합물 26를 사용한 것을 제외하고는 실험예 2와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 2-1>
상기 실험예 2에서 화합물 H-1 대신 화합물 G1를 사용한 것을 제외하고는 실험예 2와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 2-2>
상기 실험예 2에서 화합물 H-1 대신 화합물 G2를 사용한 것을 제외하고는 실험예 2와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 2-3>
상기 실험예 2에서 화합물 H-1 대신 화합물 G3를 사용한 것을 제외하고는 실험예 2와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
<비교예 2-4>
상기 실험예 2에서 화합물 H-1 대신 화합물 G4를 사용한 것을 제외하고는 실험예 2와 동일한 방법으로 유기 발광 소자를 제작하였다.
실험예 2 및 2-1 내지 2-6 및 비교예 2-1 내지 2-4에 의해 제작된 유기 발광 소자에 전류를 인가하였을 때, 전압, 효율, 색좌표 및 수명을 측정하고 그 결과를 하기 [표 2]에 나타내었다. T95은 휘도가 초기휘도 95%로 감소되는데 소요되는 시간을 의미한다.
| 화합물 | 전압 V (@10mA/cm2) |
효율 cd/A (@10mA/cm2) |
색좌표 (x, y) |
T95 (hr) |
|
| 실험예 2 | H-1 | 4.43 | 100.1 | (0.250, 0.710) | 231 |
| 실험예 2-1 | 화합물 21 | 4.10 | 113.9 | (0.245, 0.713) | 280 |
| 실험예 2-2 | 화합물 22 | 4.16 | 117.1 | (0.242, 0.715) | 277 |
| 실험예 2-3 | 화합물 23 | 4.13 | 111.4 | (0.244, 0.714) | 270 |
| 실험예 2-4 | 화합물 24 | 4.20 | 115.9 | (0.242, 0.713) | 267 |
| 실험예 2-5 | 화합물 25 | 4.21 | 114.7 | (0.244, 0.714) | 278 |
| 실험예 2-6 | 화합물 26 | 4.17 | 120.3 | (0.237, 0.717) | 276 |
| 비교예 2-1 | G1 | 4.41 | 102.9 | (0.143, 0.050) | 191 |
| 비교예 2-2 | G2 | 4.53 | 104.1 | (0.140, 0.055) | 180 |
| 비교예 2-3 | G3 | 4.47 | 101.4 | (0.140, 0.050) | 186 |
| 비교예 2-4 | G4 | 4.31 | 100.9 | (0.141, 0.053) | 173 |
상기 표 2에서 보는 바와 같이, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물을 녹색 호스트로 사용하여 제작한 유기 발광 소자의 경우, 비교예 2-1 내지 2-4에 비하여 저전압 및 고효율의 특성을 보이는 것을 알 수 있다. 또한, 비교예 2-1 내지 2-4의 화합물은 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물에 비하여, Tg가 낮고 승화 정제 과정에서 물질이 깨질 가능성이 높기 때문에 열 안정성 또한 떨어지고, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물의 수명이 비교예 2-1 내지 2-4에 비하여 10 내지 50% 이상 증가하므로, 장수명의 효과도 우수함을 알 수 있다. 따라서, 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 화합물은 유기 발광 소자의 녹색 발광 물질로 적합하다는 것을 알 수 있다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실험예(청색 도펀트, 녹색 호스트)에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 발명의 범주에 속한다.
10, 11: 유기 발광 소자
20: 기판
30: 제1 전극
40: 발광층
50: 제2 전극
60: 정공주입층
70: 정공수송층
80: 전자차단층
90: 전자수송층
100: 전자주입층
20: 기판
30: 제1 전극
40: 발광층
50: 제2 전극
60: 정공주입층
70: 정공수송층
80: 전자차단층
90: 전자수송층
100: 전자주입층
Claims (9)
- 하기 화학식 1로 표시되는 화합물:
[화학식 1]
상기 화학식 1에 있어서,
a1 내지 a16은 서로 같거나 상이하고, 각각 독립적으로 C-L-A 또는 N이며,
상기 L은 직접결합; 또는 아릴렌기이고,
상기 A는 수소; 중수소, 할로겐기, 니트릴기, 알킬기, 트리플루오로메틸기 또는 실릴기로 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 헤테로고리기로 치환된 아민기; 아릴기; 또는 아릴기로 치환 또는 비치환된 헤테로고리기이다. - 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1은 하기 화합물 중에서 선택되는 어느 하나인 것인 화합물:
- 제1 전극; 상기 제1 전극과 대향하여 구비된 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 구비된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 또는 2 에 따른 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
- 청구항 3에 있어서, 상기 유기물층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
- 청구항 3에 있어서, 상기 유기물층은 정공주입층 또는 정공수송층을 포함하고, 상기 정공주입층 또는 정공수송층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
- 청구항 3에 있어서, 상기 유기물층은 전자주입층 또는 전자수송층을 포함하고, 상기 전자수송층 또는 전자주입층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
- 청구항 3에 있어서, 상기 유기물층은 전자차단층 또는 정공차단층을 포함하고, 상기 전자차단층 또는 정공차단층은 상기 화합물을 포함하는 것인 유기 전자 소자.
- 청구항 3에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 발광층, 정공주입층, 정공수송층. 전자주입, 전자수송층, 전자차단층 및 정공차단층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 또는 2층 이상을 더 포함하는 것인 유기 전자 소자.
- 청구항 3에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자, 유기 인광 소자, 유기 태양 전지, 유기감광체(OPC) 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기 전자 소자.
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