KR101906195B1 - Exhaust pipe and thermal diffusion apparatus including the same - Google Patents

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Abstract

본 실시예에 따른 열 확산 장치는, 피처리 부재가 내부에 위치하는 확산 챔버; 및 상기 확산 챔버의 일측에 위치하며, 내측관 및 상기 내측관 외부에 위치하는 외측관을 포함하는 배기관을 포함한다. The heat spreading device according to the present embodiment includes: a diffusion chamber in which a member to be processed is located; And an exhaust pipe located at one side of the diffusion chamber, the exhaust pipe including an inner pipe and an outer pipe located outside the inner pipe.

Description

열 확산 장치용 배기관 및 이를 포함하는 열 확산 장치{EXHAUST PIPE AND THERMAL DIFFUSION APPARATUS INCLUDING THE SAME} BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust pipe for a heat spreader,

본 발명은 열 확산 장치용 배기관 및 이를 포함하는 열 확산 장치에 관한 것으로서, 좀더 구체적으로는 구조를 개선한 열 확산 장치용 배기관 및 이를 포함하는 열 확산 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust pipe for a heat spreader and a heat spreader including the same. More particularly, the present invention relates to an exhaust pipe for a heat spreader and a heat spreader including the same.

일반적으로 반도체 소자 등을 제조하기 위하여 다양한 층을 형성하여야 한다. 이에 포토 리소그라피 공정, 도핑 공정, 박막 증착 공정, 식각 공정 등의 다양한 공정 등이 수행된다. In general, various layers must be formed to manufacture semiconductor devices and the like. Various processes such as a photolithography process, a doping process, a thin film deposition process, and an etching process are performed.

도핑 공정으로는 다양한 방법을 사용할 수 있는데, 일례로 확산로 내부에 웨이퍼를 위치시키고 도펀트가 포함된 반응 기체를 확산로의 내부에 분사하는 열 확산 공정이 적용될 수 있다. Various methods may be used for the doping process. For example, a thermal diffusion process may be employed in which a wafer is placed in a diffusion furnace and a reactive gas containing a dopant is injected into the diffusion furnace.

이때, 반응 기체를 배기하는 배기관에서는 반응 기체의 온도가 급속하게 저하되는바, 이에 의하여 반응 기체가 응축되어 배기관에 잔류하게 될 수 있다. 이에 의하여 배기관이 막히거나, 배기관이 파손되는 등의 문제가 발생할 수 있다.At this time, the temperature of the reaction gas is rapidly lowered in the exhaust pipe exhausting the reaction gas, whereby the reaction gas is condensed and may remain in the exhaust pipe. This may cause problems such as clogging of the exhaust pipe, breakage of the exhaust pipe, and the like.

본 실시예는 배기관의 수명을 늘리고 부품 교체를 쉽게 할 수 있는 열 확산 장치용 배기관 및 이를 포함하는 열 확산 장치를 제공하고자 한다. The present embodiment is intended to provide an exhaust pipe for a heat spreader and a heat spreader including the exhaust pipe, which can increase the service life of the exhaust pipe and facilitate parts replacement.

본 실시예에 따른 열 확산 장치는, 피처리 부재가 내부에 위치하는 확산 챔버; 및 상기 확산 챔버의 일측에 위치하며, 내측관 및 상기 내측관 외부에 위치하는 외측관을 포함하는 배기관을 포함한다. The heat spreading device according to the present embodiment includes: a diffusion chamber in which a member to be processed is located; And an exhaust pipe located at one side of the diffusion chamber, the exhaust pipe including an inner pipe and an outer pipe located outside the inner pipe.

본 실시예에 따른 열 확산 장치용 배기관은, 열 확산 장치의 확산 챔버의 일측에서 반응 기체를 배출하는 배기관으로서, 내측관; 및 상기 내측관 외부에 위치하는 외측관을 포함한다. An exhaust pipe for a heat spreader according to the present embodiment is an exhaust pipe for exhausting a reactive gas from one side of a diffusion chamber of a heat spreader, And an outer tube located outside the inner tube.

본 실시예에서는 제2 피팅부의 내측관이 제1 피팅부의 내부까지 연장되는 단일 구조로 형성된다. 이에 따라 반응 기체가 통과하는 배기관의 내부에 틈이 형성되지 않으므로 틈 부분에 반응 기체가 응축되어 잔여물이 남아 배기관의 수명을 줄이는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반응 기체의 응축 등에 의하여 배기관의 내부가 막히거나 배기관에 문제가 있는 경우에는 배기관 전체가 아닌 제2 피팅부만을 교체하면 된다. 이에 따라 배기관의 수명을 늘리고 부품의 교체를 원활하게 할 수 있다. In this embodiment, the inner tube of the second fitting portion is formed in a single structure extending to the inside of the first fitting portion. As a result, there is no gap formed in the exhaust pipe through which the reaction gas passes, so that it is possible to prevent the reactant gas from condensing in the gap to reduce the lifetime of the exhaust pipe. When the inside of the exhaust pipe is clogged due to condensation of the reaction gas or the like or there is a problem with the exhaust pipe, it is only necessary to replace the second fitting portion, not the entire exhaust pipe. As a result, the life of the exhaust pipe can be increased and the parts can be replaced smoothly.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 열 확산 장치를 개략적으로 도시한 개념도이다.
도 2는 도 1의 열 확산 장치의 배기관을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 3은 도 2의 배기관에서 제2 피팅부를 도시한 단면도이다. 1 is a conceptual diagram schematically showing a heat spreading device according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged cross-sectional view of an exhaust pipe of the heat spreading device of FIG.
3 is a cross-sectional view showing the second fitting portion in the exhaust pipe of FIG.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, it is needless to say that the present invention is not limited to these embodiments and can be modified into various forms.

도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다. In the drawings, the same reference numerals are used for the same or similar parts throughout the specification. In the drawings, the thickness, the width, and the like are enlarged or reduced in order to make the description more clear, and the thickness, width, etc. of the present invention are not limited to those shown in the drawings.

그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다. Wherever certain parts of the specification are referred to as "comprising ", the description does not exclude other parts and may include other parts, unless specifically stated otherwise. Also, when a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "on" another portion, it also includes the case where another portion is located in the middle as well as the other portion. When a portion of a layer, film, region, plate, or the like is referred to as being "directly on" another portion, it means that no other portion is located in the middle.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 열 확산 장치를 개략적으로 도시한 개념도이다. 1 is a conceptual diagram schematically showing a heat spreading device according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 열 확산 장치(100)는, 피처리 부재(10)에 열 확산 공정을 수행하는 확산 챔버(20)와, 확산 챔버(20)의 외부에 위치하는 가열 부재(22) 및 단열 부재(24)를 포함하는 확산부(110)를 포함할 수 있다. 그리고 본 실시예에 따른 열 확산 장치(100)는 확산 챔버(20)의 내부로 피처리 부재(10)를 공급하기 위한 로딩부(120)를 더 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다. 1, a heat spreading apparatus 100 according to the present embodiment includes a diffusion chamber 20 for performing a heat diffusion process on a member 10 to be processed, And a diffusion portion 110 including a member 22 and a heat insulating member 24. The heat spreading apparatus 100 according to the present embodiment may further include a loading unit 120 for supplying the processing member 10 into the diffusion chamber 20. This will be described in more detail as follows.

피처리 부재(10)는 열 확산 공정이 필요한 다양한 부재일 수 있는데, 일례로 반도체 기판일 수 있다. 좀더 정확하게는, 실리콘으로 이루어지는 웨이퍼(wafer)일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 피처리 부재(10)가 사용될 수 있음은 물론이다. The member to be processed 10 may be various members requiring a heat diffusion process, for example, a semiconductor substrate. More precisely, it may be a wafer made of silicon. However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that various treatment members 10 may be used.

이러한 다수의 피처리 부재(10)는 고정 부재(42)에 서로 일정한 간격을 두고, 고정 부재(42)에 수직, 또는 2~5도 정도 기울어진 상태로 적재된다. 이러한 고정 부재(42)는 석영 보트(quartz boat)일 수 있다. 이렇게 고정 부재(42)에 고정된 피처리 부재(10)는 로딩부(120)의 패들(122)에 의하여 확산 챔버(20) 내부로 이송될 수 있다. 이에 대해서는 후술한다. The plurality of to-be-processed members 10 are stacked on the stationary member 42 at regular intervals from each other and at an angle of 2 to 5 degrees with respect to the stationary member 42. The fixing member 42 may be a quartz boat. The member to be processed 10 fixed to the fixing member 42 can be transferred into the diffusion chamber 20 by the paddle 122 of the loading unit 120. This will be described later.

확산 챔버(20)는 피처리 부재(10) 및 이를 고정하는 고정 부재(42)가 위치할 수 있도록 중공을 구비하여 부재(10)에 열 확산 공정이 실질적으로 이루어지도록 한다. 이러한 확산 챔버(20)는 열 확산 공정이 이루어질 수 있도록 하는 다양한 형상을 가질 수 있는데, 일례로, 튜브 형상을 가질 수 있다. 이러한 형상에 의하여 나란히 배열된 많은 개수의 피처리 부재(10)가 확산 챔버(20) 내에 위치할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 확산 챔버(20)가 다양한 형상을 가질 수 있으며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다. The diffusion chamber 20 is provided with a hollow so that the member to be processed 10 and the fixing member 42 for fixing it can be positioned so that the thermal diffusion process is substantially performed on the member 10. The diffusion chamber 20 may have various shapes, such as a tube shape, so that the heat diffusion process can be performed. A large number of the processed members 10 arranged in parallel by this shape can be located in the diffusion chamber 20. [ However, the present invention is not limited thereto, and the diffusion chamber 20 may have various shapes, which is also within the scope of the present invention.

이러한 확산 챔버(20)는 열 확산 공정 중에 변형되지 않는 다양한 물질로 형성될 수 있는데, 일례로 석영 등으로 형성될 수 있다. The diffusion chamber 20 may be formed of various materials that are not deformed during the heat diffusion process, for example, quartz or the like.

확산 챔버(20)의 제1 측(도면의 우측)에는 확산 챔버(20)와 로딩부(120) 사이를 개폐하는 도어(27)가 위치한다. 이러한 도어(27)는 피처리 부재(10)가 고정된 고정 부재(42)를 확산 챔버(20) 내부로 이동시킬 때는 개방되고, 열 확산 공정 중에는 폐쇄된다. 그리고 도어(27)의 반대측인 제2 측(도면의 좌측)에는 반응 기체가 주입되는 급기관(26)이 위치하고, 도어(27)가 형성된 제1 측에는 반응 기체가 배출되는 배기관(29)이 형성된다. On the first side (right side of the drawing) of the diffusion chamber 20, there is a door 27 which opens and closes between the diffusion chamber 20 and the loading part 120. The door 27 is opened when the fixed member 42 to which the member to be processed 10 is fixed is moved into the diffusion chamber 20 and is closed during the heat diffusion process. An exhaust pipe 29 for discharging the reactive gas is formed on the first side where the door 27 is formed, on the second side (the left side of the drawing) opposite to the door 27 do.

그리고 피처리 부재(10)와 배기관(29) 사이에는 열 흐름을 차단하고 반응 기체의 배기 면적 및 배기 속도를 줄여 반응 시간을 늘릴 수 있는 배플(baffle)(28)이 위치할 수 있다. 이러한 배플(28)은 다양한 구조 및 방식으로 형성될 수 있다. A baffle 28 can be positioned between the member to be treated 10 and the exhaust pipe 29 to block the heat flow and reduce the exhaust area and the exhaust speed of the reaction gas to increase the reaction time. Such a baffle 28 may be formed in a variety of structures and ways.

확산 챔버(20)의 주변에는 열 확산 공정에 적합한 온도로 확산 챔버(20)를 가열하는 가열 부재(22)가 구비된다. 이에 의하여 피처리 부재(10) 및 반응 기체가 열 확산 공정에 적합한 온도로 가열될 수 있다. 이러한 가열 부재(22)는 확산 챔버(20)를 가열할 수 있는 다양한 구조 및 방식으로 형성될 수 있으며, 본 발명이 이러한 구조 및 방식에 한정되는 것은 아니다. Around the diffusion chamber 20, a heating member 22 for heating the diffusion chamber 20 at a temperature suitable for the thermal diffusion process is provided. Whereby the member to be treated 10 and the reactive gas can be heated to a temperature suitable for the heat diffusion process. Such a heating member 22 may be formed in various structures and methods capable of heating the diffusion chamber 20, and the present invention is not limited to such a structure and a method.

가열 부재(22)의 발열 시 발생되는 각종 불순물(예를 들어, Fe, Mg, Na 등)이 확산 챔버(20) 내부로 침투하는 것을 차단 흡수할 수 있도록 필요에 따라 확산 챔버(20)와 가열 부재(22) 사이에 라이너(liner)(도시하지 않음)가 설치될 수 있다. The diffusion chamber 20 and the heating chamber 20 may be heated and cooled so that various impurities (for example, Fe, Mg, Na, etc.) generated during heating of the heating member 22 may be blocked and absorbed into the diffusion chamber 20. [ A liner (not shown) may be provided between the members 22.

그리고 확산 챔버(20)는 열 확산 공정에 적합한 온도로 유지되어야 하므로 온도 센서(도시하지 않음)를 설치하여 온도를 검출할 수 있고, 검출된 온도에 따라 확산 챔버(20) 내의 온도를 균일하게 유지하는 제어부(도시하지 않음)이 설치될 수 있다. Since the diffusion chamber 20 must be maintained at a temperature suitable for the thermal diffusion process, a temperature sensor (not shown) can be installed to detect the temperature, and the temperature in the diffusion chamber 20 can be uniformly maintained A control unit (not shown) may be provided.

그리고 확산 챔버(20) 및 가열 부재(22)를 감싸면서 단열 부재(24)가 위치한다. 이러한 단열 부재(24)는 확산 챔버(20)의 온도가 열 확산 공정에 적합하게 유지되도록 한다. 단열 부재(24)는 열 전도를 저하시킬 수 있는 다양한 물질로 구성될 수 있으며, 본 발명이 이러한 물질에 한정되는 것은 아니다. Then, the heat insulating member 24 is positioned so as to surround the diffusion chamber 20 and the heating member 22. Such an insulating member 24 allows the temperature of the diffusion chamber 20 to be maintained for a thermal diffusion process. The heat insulating member 24 may be composed of various materials capable of lowering heat conduction, and the present invention is not limited to these materials.

확산 챔버(20)에 피처리 부재(10)를 공급하는 로딩부(120)는 평면 이동하는 패들(122)을 구비한다. 이러한 패들(122) 위에 피처리 부재(10)가 고정된 고정 부재(42)가 위치하고, 이 패들(122)을 이용하여 피처리 부재(10)가 고정된 고정 부재(42)를 확산 챔버(20) 내부로 이송한다. The loading unit 120 for supplying the processing member 10 to the diffusion chamber 20 has planar moving paddles 122. A fixing member 42 to which the member to be processed 10 is fixed is placed on the paddle 122 and a fixing member 42 to which the member 10 to be processed is fixed is placed in the diffusion chamber 20 ).

상술한 열 확산 장치(100)에서 열 확산 공정을 수행하는 경우를 상세하게 설명하면 다음과 같다. 피처리 부재(10)가 고정된 고정 부재(42)를 패들(122) 상에 위치시킨 상태에서 확산 챔버(20)의 도어(27)를 개방하고, 패들(122)을 이동하여 피처리 부재(10)가 고정된 고정 부재(42)를 확산 챔버(20) 내부로 이송한 후에, 패들(122)이 다시 로딩부(120)로 귀환하면 확산 챔버(20)의 도어(27)를 닫는다. 가열 부재(22)를 이용하여 확산 챔버(20)를 열 확산 공정에 적합한 온도로 가열하면서, 급기관(26) 및 주입관(30)을 통하여 확산 챔버(20) 내부로 반응 기체를 공급하면, 반응 기체가 피처리 부재(10)와 반응하여 열 확산 공정이 이루어진다. 열 확산 공정 후의 반응 기체는 배플(28)을 통과하여 배기관(29)을 통하여 배출된다. Hereinafter, the case of performing the thermal diffusion process in the heat spreader 100 will be described in detail. The door 27 of the diffusion chamber 20 is opened while the fixing member 42 to which the member to be processed 10 is fixed is placed on the paddle 122 and the paddle 122 is moved, The door 27 of the diffusion chamber 20 is closed when the paddle 122 returns to the loading unit 120 after the fixed member 42 with the fixed fixing member 10 is transferred into the diffusion chamber 20. [ When the reaction gas is supplied into the diffusion chamber 20 through the air supply pipe 26 and the injection pipe 30 while the diffusion chamber 20 is heated to a temperature suitable for the thermal diffusion process using the heating member 22, The reaction gas reacts with the member to be treated 10 to perform a thermal diffusion process. The reaction gas after the thermal diffusion process passes through the baffle 28 and is discharged through the exhaust pipe 29.

이러한 열 확산 장치(100)는 피처리 부재(10) 상에 다양한 막(일례로, 산화막)을 형성하거나 피처리 부재(10)에 도펀트를 확산시켜 도펀트층을 형성하는 데 사용될 수 있다. The heat spreader 100 may be used to form various films (for example, an oxide film) on the member 10 to be treated or to diffuse the dopant to the member 10 to form a dopant layer.

특히, 실리콘 태양 전지에서 도펀트층(에미터층 또는 후면 전계층)을 형성하는 공정에 사용될 수 있다. 일례로, p형 실리콘 웨이퍼인 피처리 부재(10)를 열 확산 장치(100)의 확산 챔버(20) 내부에 위치시킨 상태에서 n형 원소(일례로, 인(P), 비소(As)) 등을 형성할 수 있는 반응 기체를 주입하고 이에 적합한 온도로 확산 챔버(20)를 가열하여, n형의 에미터층을 형성할 수 있다. 일례로, 인을 이용하여 에미터층을 형성하는 경우에는 800~1000℃에서 염화포스포릴(POCl3) 기체를 반응 기체로 공급하여 에미터층을 형성할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 n형 실리콘 웨이퍼에 p형 원소(일례로, 보론(B), 알루미늄(Al))을 열 확산시켜 p형의 에미터층을 형성할 수도 있다. 또한, 동일한 도전형의 원소를 이용하여 후면 전계층을 형성할 수도 있음은 물론이다. In particular, it can be used in a process of forming a dopant layer (emitter layer or back-front layer) in a silicon solar cell. For example, an n-type element (for example, phosphorus (P), arsenic (As)) may be formed in a state where a member 10 to be processed, which is a p-type silicon wafer, is positioned inside a diffusion chamber 20 of a heat spreader 100, And an n-type emitter layer can be formed by heating the diffusion chamber 20 at a temperature suitable for the injection of the reactive gas. For example, in the case of forming an emitter layer using phosphorus, a phosphorous chloride (POCl 3 ) gas may be supplied to a reaction gas at 800 to 1000 ° C to form an emitter layer. However, the present invention is not limited to this, and a p-type emitter layer may be formed by thermally diffusing a p-type element (for example, boron (B) or aluminum (Al)) on an n-type silicon wafer. It is needless to say that it is also possible to form the rear whole layer by using the elements of the same conductivity type.

여기서, 열 확산 공정이 완료된 후에 반응 기체를 배출하는 배기관(29)은 내부에서의 급속한 온도 저하를 고려한 구조를 가지는데, 이를 도 2 및 도 3을 참조하여 좀더 상세하게 설명한다. Here, the exhaust pipe 29 for discharging the reactive gas after the heat diffusion process is completed has a structure considering a rapid temperature drop inside, which will be described in more detail with reference to FIG. 2 and FIG.

도 2는 도 1의 열 확산 장치의 배기관을 확대하여 도시한 단면도이고, 도 3은 도 2의 배기관에서 제2 피팅부를 도시한 단면도이다. FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of an exhaust pipe of the heat spreading device of FIG. 1, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a second fitting portion of the exhaust pipe of FIG.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예의 배기관(29)은, 확산 챔버(도 1 의 참조부호 20, 이하 동일) 쪽에 위치하는 제1 피팅부(210)와, 제1 피팅부(210)의 단부에 연결되는 제2 피팅부(220)와, 제1 피팅부(210) 및 제2 피팅부(220) 외부에서 이를 고정하는 고정부(230)를 포함한다. 이때, 배기관(29)의 제1 피팅부(210)과 제2 피팅부(220)는, 외측관(212, 222)과, 이 외측관(212, 222)과 이격되면서 내부에 위치하는 내측관(224)을 포함한다. 즉, 본 실시예에서는 배기관(29)이 이중관 구조를 가지게 되는데, 이를 좀더 상세하게 설명하면 다음과 같다. 2 and 3, the exhaust pipe 29 of the present embodiment includes a first fitting portion 210 positioned on the diffusion chamber (reference numeral 20 in FIG. 1), a first fitting portion 210, A second fitting part 220 connected to an end of the first fitting part 210 and a fixing part 230 fixing the same outside the first fitting part 210 and the second fitting part 220. At this time, the first fitting part 210 and the second fitting part 220 of the exhaust pipe 29 are connected to the outer pipe 212, 222 and the inner pipe (224). That is, in this embodiment, the exhaust pipe 29 has a double pipe structure, which will be described in more detail as follows.

제1 피팅부(210)는, 확산 챔버(20)에 연결되는 제1 외측관(212)과, 일측 단부에 위치하는 제1 피팅(216)을 포함한다. 좀더 상세하게는, 제1 피팅부(210)가 확산 챔버(20) 쪽에 위치하는 제1 단부(210a)와, 제1 단부(210a)의 반대편으로 제2 피팅부(220) 쪽에 위치하는 제2 단부(210b)를 구비하고, 제1 피팅(216)이 제2 단부(210b)에 위치한다. The first fitting part 210 includes a first outer tube 212 connected to the diffusion chamber 20 and a first fitting 216 located at one end. More specifically, the first fitting portion 210 includes a first end 210a located on the side of the diffusion chamber 20 and a second end 210b located on the side of the second fitting portion 220 opposite to the first end 210a. And an end portion 210b, and the first fitting 216 is located at the second end portion 210b.

제2 피팅부(220)는, 제2 외측관(222)과, 내측관(224)과, 일측 단부에 위치하는 제2 피팅(226)을 포함한다. 좀더 상세하게는, 제2 피팅부(220)가 제1 피팅부(210) 쪽에 위치하는 제1 단부(220a)와, 제1 단부(220a)의 반대편으로 외측에 위치하는 제2 단부(220b)를 구비하고, 제2 피팅(226)이 제1 단부(220a)에 위치한다.The second fitting portion 220 includes a second outer tube 222, an inner tube 224, and a second fitting 226 located at one end. More specifically, the second fitting portion 220 includes a first end portion 220a located on the first fitting portion 210 side, a second end portion 220b located on the outer side of the first end portion 220a, And the second fitting 226 is located at the first end 220a.

즉, 제1 및 제2 피팅부(210, 220)은 각기 별도의 제1 및 제2 외측관(212, 222)을 포함하고, 내측관(224)은 제2 피팅부(220)에만 포함된다. 이러한 내측관(224)은 제2 피팅부(220)의 제1 및 제2 단부(220a, 220b)에 위치한 결합부(228)에 의하여 제2 외측관(222)에 결합된다. That is, the first and second fitting portions 210 and 220 include first and second outer tubes 212 and 222, respectively, and the inner tube 224 is included only in the second fitting portion 220 . The inner tube 224 is coupled to the second outer tube 222 by a coupling portion 228 located at the first and second ends 220a and 220b of the second fitting portion 220.

일례로, 결합부(228)는 용접 가능한 물질을 포함하여 열 용접에 의하여 형성될 수 있다. 즉, 제2 외측관(222)과 제2 피팅(226) 내부로 내측관(224)을 통과시킨 상태에서 제2 피팅부(220)의 제1 및 제2 단부(220a, 220b)에 열 용접을 수행하여 내측관(224)을 고정할 수 있다. 즉, 기존의 제2 외측관(222) 및 제2 피팅(226)을 그대로 적용하여 단순한 공정으로 내측관(222)를 가지는 본 실시예의 제2 피팅부(220)를 제조할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 결합부(228)가 다양한 물질을 포함할 수 있으며 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있다.In one example, the engagement portion 228 may be formed by thermal welding, including a weldable material. That is, the first and second end portions 220a and 220b of the second fitting portion 220 are thermally welded to each other while the inner tube 224 is passed through the second outer tube 222 and the second fitting 226, So that the inner tube 224 can be fixed. That is, the second fitting part 220 of the present embodiment having the inner tube 222 by a simple process can be manufactured by applying the conventional second outer tube 222 and the second fitting 226 as they are. However, the present invention is not limited thereto, and the coupling portion 228 may include various materials and may be formed by various methods.

본 실시예에서 내측관(224)은 제2 피팅부(220)의 제2 단부(220b)로부터 제2 피팅부(220)의 제1 단부(220a) 및 제1 피팅부(210)의 제2 단부(210b)를 거쳐 제1 단부(210a)까지 연장되도록 위치한다. 즉, 내측관(224)은 제2 피팅부(220)에만 포함되어 제1 피팅부(210) 내부까지 연장되어 형성되어, 단일 구조로 형성된다. 이에 따라 반응 기체가 통과하는 배기관(29)의 내부에 틈이 형성되지 않으므로 틈 부분에 반응 기체가 응축되어 잔여물이 남아 배기관(29)의 수명을 줄이는 것을 방지할 수 있다. 또한, 반응 기체의 응축 등에 의하여 배기관(29) 내부가 막히거나 배기관(29)에 문제가 있는 경우에는 배기관(29) 전체가 아닌 제2 피팅부(220)만을 교체하면 된다. 이에 따라 배기관(29)의 수명을 늘리고 부품의 교체를 원활하게 할 수 있다. The inner tube 224 is inserted into the first fitting part 220 from the second end 220b of the second fitting part 220 to the first end 220a of the second fitting part 220 and the second end 220a of the second fitting part 220, And extend to the first end portion 210a via the end portion 210b. That is, the inner tube 224 is included only in the second fitting part 220 and extends to the inside of the first fitting part 210, and is formed as a single structure. As a result, no gap is formed in the exhaust pipe 29 through which the reaction gas passes, so that it is possible to prevent the reactant gas from condensing in the gap, thereby reducing the life of the exhaust pipe 29. When the inside of the exhaust pipe 29 is clogged due to condensation of the reaction gas or the like or there is a problem with the exhaust pipe 29, only the second fitting portion 220 may be replaced, not the entire exhaust pipe 29. As a result, the service life of the exhaust pipe (29) can be increased and the parts can be replaced smoothly.

제1 피팅부(210)의 제1 피팅(216)과 제2 피팅부(220)의 제2 피팅(226)은 서로 대향하도록 위치하며, 끼움 결합 등에 의하여 서로 고정될 수 있는 다양한 구조를 가질 수 있다. 일례로, 본 실시예에서는 제1 피팅(216)이 암(female) 피팅이고 제2 피팅(226)이 수(male) 피팅이어서, 제2 피팅(226)을 제1 피팅(216)에 삽입하여 고정한다. 예를 들어, 제1 피팅(216)이 깔대기 등과 같은 형상을 가질 수 있고, 제2 피팅(226)이 원구 등과 같은 형상을 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 및 제2 피팅(216, 226)이 다양한 형상을 가질 수 있으며, 제1 피팅(216)이 수 피팅이고 제2 피팅(226)이 암 피팅일 수도 있다. The first fitting 216 of the first fitting part 210 and the second fitting 226 of the second fitting part 220 are positioned to face each other and may have various structures that can be fixed to each other by fitting, have. For example, in this embodiment, the first fitting 216 is a female fitting and the second fitting 226 is a male fitting, so that the second fitting 226 is inserted into the first fitting 216 Fixed. For example, the first fitting 216 may have a shape such as a funnel, and the second fitting 226 may have a shape such as a circle or the like. However, the present invention is not limited thereto, and the first and second fittings 216 and 226 may have various shapes, and the first fitting 216 may be a male fitting and the second fitting 226 may be a female fitting have.

제2 피팅부(220)의 내측관(224)을 제1 피팅부(210)의 제1 외측관(212) 내부로 통과시킨 상태에서, 제1 피팅(216)과 제2 피팅(226)을 이용하여 고정한 후에, 제1 피팅부(220)와 제2 피팅부(230)의 외측을 둘러싸도록 고정부(230)를 위치시킨다. 이에 의하여 제1 피팅부(220)와 제2 피팅부(230)를 안정적으로 고정할 수 있다. 고정부(230)는 다양한 방식 및 구조를 가질 수 있는데, 일례로, 클램프(clamp)일 수 있다. The inner tube 224 of the second fitting portion 220 is passed through the first outer tube 212 of the first fitting portion 210 and the first fitting 216 and the second fitting 226 The fixing portion 230 is positioned so as to surround the outer sides of the first fitting portion 220 and the second fitting portion 230. Thus, the first fitting part 220 and the second fitting part 230 can be stably fixed. Fixing portion 230 may have a variety of configurations and configurations, for example, a clamp.

본 실시예의 배기관(29)을 구성하는 제1 및 제2 피팅부(210, 220)는 석영을 포함하여 우수한 내열성 및 안정성을 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 배기관(29)을 구성하는 제1 및 제2 피팅부(210, 220)가 다양한 물질을 포함할 수 있음은 물론이다. The first and second fitting portions 210 and 220 constituting the exhaust pipe 29 of the present embodiment may include quartz and have excellent heat resistance and stability. However, the present invention is not limited thereto, and it goes without saying that the first and second fitting parts 210 and 220 constituting the exhaust pipe 29 may include various materials.

상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. Features, structures, effects and the like according to the above-described embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to only one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

100: 열 확산 장치
29: 배기관
210: 제1 피팅부
220: 제2 피팅부
230: 고정부 100: heat spreader
29: Exhaust pipe
210: first fitting part
220: second fitting portion
230:

Claims (13)

피처리 부재가 내부에 위치하는 확산 챔버; 및
제1 외측관을 포함하는 제1 피팅부와, 제2 외측관 및 상기 제2 외측관의 내부에 위치하는 내측관을 포함하는 제2 피팅부를 포함하는 배기관을 포함하고,
상기 제1 피팅부는,
제1 단부가 상기 확산 챔버의 일측에 연결되며, 상기 제1 단부에 반대되는 제2 단부에 위치하는 제1 피팅을 포함하고,
상기 제2 피팅부는,
제1 단부에 위치하며 상기 제1 피팅에 결합되는 제2 피팅을 포함하고,
상기 내측관은,
상기 제2 피팅부의 상기 제1 단부에 반대되는 제2 단부로부터 상기 제1 피팅부의 상기 제1 단부까지 연장되고, 결합부에 의해 상기 제2 피팅부의 상기 제1 및 제2 단부 각각에서 상기 제2 피팅 및 상기 제2 외측관 각각에 결합되는
열 확산 장치. A diffusion chamber in which an object to be processed is located; And
And an exhaust pipe including a first fitting portion including a first outer pipe and a second fitting portion including a second outer pipe and an inner pipe located inside the second outer pipe,
The first fitting portion
A first end connected to one side of the diffusion chamber and a second end opposite to the first end,
Wherein the second fitting portion comprises:
And a second fitting located at a first end and coupled to the first fitting,
Wherein the inner tube comprises:
Extending from a second end opposite to the first end of the second fitting portion to the first end of the first fitting portion and extending from the first and second ends of the second fitting portion to the second end of the second fitting portion, Fitting and the second outer tube
Heat spreader. 제1항에 있어서,
상기 내측관은 단일 구조로 형성되고, 상기 제1 및 제2 외측관은 서로 이격된 열 확산 장치. The method according to claim 1,
Wherein the inner tube is formed in a single structure, and the first and second outer tubes are spaced apart from each other. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 제1 피팅과 상기 제2 피팅을 고정하는 고정부를 더 포함하는 열 확산 장치. The method according to claim 1,
And a fixing unit fixing the first fitting and the second fitting. 삭제delete 삭제delete 제5항에 있어서,
상기 결합부가 용접에 의하여 형성되는 열 확산 장치. 6. The method of claim 5,
Wherein said coupling portion is formed by welding. 제1항에 있어서,
상기 배기관이 석영을 포함하는 열 확산 장치. The method according to claim 1,
Wherein the exhaust pipe comprises quartz. 열 확산 장치의 확산 챔버의 일측에서 반응 기체를 배출하는 배기관으로서,
제1 외측관을 포함하는 제1 피팅부; 및
제2 외측관 및 상기 제2 외측관의 내부에 위치하는 내측관을 포함하는 제2 피팅부를 포함하고,
상기 제1 피팅부는,
제1 단부가 상기 확산 챔버의 일측에 연결되며, 상기 제1 단부에 반대되는 제2 단부에 위치하는 제1 피팅을 포함하고,
상기 제2 피팅부는,
제1 단부에 위치하며 상기 제1 피팅에 결합되는 제2 피팅을 포함하고,
상기 내측관은,
상기 제2 피팅부의 상기 제1 단부에 반대되는 제2 단부로부터 상기 제1 피팅부의 상기 제1 단부까지 연장되고, 결합부에 의해 상기 제2 피팅부의 상기 제1 및 제2 단부 각각에서 상기 제2 피팅 및 상기 제2 외측관 각각에 결합되는
열 확산 장치용 배기관. An exhaust pipe for exhausting a reaction gas from one side of a diffusion chamber of a heat diffusion device,
A first fitting portion including a first outer tube; And
And a second fitting portion including a second outer tube and an inner tube positioned inside the second outer tube,
The first fitting portion
A first end connected to one side of the diffusion chamber and a second end opposite to the first end,
Wherein the second fitting portion comprises:
And a second fitting located at a first end and coupled to the first fitting,
Wherein the inner tube comprises:
Extending from a second end opposite to the first end of the second fitting portion to the first end of the first fitting portion and extending from the first and second ends of the second fitting portion to the second end of the second fitting portion, Fitting and the second outer tube
Exhaust pipes for heat spreaders. 제10항에 있어서,
상기 내측관은 단일 구조로 형성되고, 상기 제1 및 제2 외측관은 서로 이격된 열 확산 장치용 배기관.
11. The method of claim 10,
Wherein the inner tube is formed in a single structure, and the first and second outer tubes are spaced apart from each other.
삭제delete 삭제delete
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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