KR101904456B1 - Power cooling water device for tube buried furnace regarding the development of the high temperature furnace firing the electric power semiconductor - Google Patents

Power cooling water device for tube buried furnace regarding the development of the high temperature furnace firing the electric power semiconductor Download PDF

Info

Publication number
KR101904456B1
KR101904456B1 KR1020160128612A KR20160128612A KR101904456B1 KR 101904456 B1 KR101904456 B1 KR 101904456B1 KR 1020160128612 A KR1020160128612 A KR 1020160128612A KR 20160128612 A KR20160128612 A KR 20160128612A KR 101904456 B1 KR101904456 B1 KR 101904456B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cooling
cooling water
tube
upper flange
flange
Prior art date
Application number
KR1020160128612A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20180037860A (en
Inventor
고진섭
강동규
Original Assignee
(주)피앤테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)피앤테크 filed Critical (주)피앤테크
Priority to KR1020160128612A priority Critical patent/KR101904456B1/en
Publication of KR20180037860A publication Critical patent/KR20180037860A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101904456B1 publication Critical patent/KR101904456B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H01L21/205—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy using reduction or decomposition of a gaseous compound yielding a solid condensate, i.e. chemical deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere

Abstract

본 발명은 튜브 매립형 소성로에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 튜브가 매립된 소성로의 하단을 마감하는 베이스 플레이트의 하부에 마련되는 냉각장치에 있어서, 제1상부플랜지, 제2상부플랜지 및, 제2상부플랜지에 마련된 홈에 삽입되는 제1패킹으로 구성되는 상부플랜지부; 상기 상부플랜지부의 하부에 면접하며, 냉각수를 공급하는 제1공급부, 냉각수를 배출하는 제1배출부, 냉각수가 순환되는 제1냉각조로 구성되는 제1냉각부; 상기 제1냉각부하부에 면접하는 하부플랜지, 하부플랜지의 하부에 위치하는 브래킷 및 상기 브래킷에 마련된 홈에 삽입되는 제2패킹으로 구성되는 하부플랜지부; 상기 하부플랜지부 하부에 면접하며, 냉각수를 공급하는 제2공급부, 냉각수를 배출하는 제2배출부, 냉각수가 순환되는 제2냉각조로 구성되는 제2냉각부;를 포함하여 구성되며, 상기 상부플랜지부, 제1냉각부 및 하부플랜지는 소성로에 트레이가 입출가능하도록 중앙부가 천공되며, 상기 제1냉각조는 "ㄱ"자 형상 및 이에 대칭되는 형상의 단면을 가져 상부로는 상부플랜지부를 냉각하며, 측면으로는 적어도 가스 유입관 및 열전쌍 인입관을 냉각하고, 하부로는 하부플랜지를 냉각하는 것을 특징으로 하는 튜브 매립형 소성로용 냉각 장치를 제공한다.The present invention relates to a tube-burnt type baking furnace, and more particularly to a cooling apparatus provided at a lower portion of a base plate for finishing a lower end of a baking furnace in which a tube is buried, comprising a first upper flange, An upper flange portion comprising a first packing inserted into a groove provided in the flange; A first cooling unit which is formed by a first cooling unit which is interposed in the lower portion of the upper flange and which is provided with a first supply unit for supplying cooling water, a first discharge unit for discharging cooling water, A lower flange portion formed by a lower flange that is in contact with the first cooling load portion, a bracket located below the lower flange, and a second packing inserted into the groove provided in the bracket; And a second cooling part which is formed by a second cooling part which is in contact with a lower portion of the lower flange part and which is provided with a second supply part for supplying cooling water, a second discharge part for discharging cooling water, and a cooling water circulating, The first cooling unit and the lower flange are punched in a central portion so that a tray can be input into and exit from the firing furnace. The first cooling bath has an "A" shape and a symmetrical cross section so as to cool the upper flange portion And at least the gas inlet pipe and the thermocouple inlet pipe are cooled at the side face and the lower flange is cooled at the bottom face.

Description

전력 반도체용 초고온 열처리 공정 장비 개발에 대한　튜브 매립형 소성로용 냉각 장치{Power cooling water device for tube buried furnace regarding the development of the high temperature furnace firing the electric power semiconductor}Technical Field [0001] The present invention relates to a cooling apparatus for a tube-buried type baking furnace for the development of ultra-high temperature heat treatment process equipment for power semiconductors,

본 발명은 튜브 매립형 소성로용 냉각 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게 설명하면, 피처리체가 수용되는 튜브가 열처리부에 내설되어, 자칫 발생하기 쉬운 누설의 문제를 해결하기 위하여 설치된 기밀부가 고열에 의하여 훼손되지 않도록 하기 위한 튜브 매립형 소성로용 냉각 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a cooling device for a tube-burnt type baking furnace, and more particularly to a cooling device for a tube-buried type baking furnace. More particularly, the present invention relates to a cooling device for a tube- Buried firing furnace to prevent the tube-embedded firing furnace.

반도체 분야에서 소성로는 피처리체인 반도체 웨이퍼를 산화시키거나, 도판트를 확산시키거나 또는 CVD(Chemical Vapor Deposition)와 같은 증착 공정을 수행하기 위하여 사용된다. In the semiconductor field, a baking furnace is used to oxidize a semiconductor wafer to be treated, diffuse a dopant, or perform a deposition process such as CVD (Chemical Vapor Deposition).

이러한 소성로는 대한민국등록특허 제10-1148330호 열처리로 및 그 제조방법(이하, '선행기술' 이라 함)을 통해 등록된 바 있다.Such a sintering furnace has been registered through the heat treatment furnace of Korean Patent No. 10-1148330 and its manufacturing method (hereinafter referred to as "prior art").

선행기술은 피처리체를 수용하여 열처리하는 처리 용기와, 처리 용기를 둘러싸는 통 형상의 단열재와, 상기 단열재의 내주면을 따라서 배치된 나선 형상의 저항 발열체와, 단열재의 내주면에 축 방향으로 평행하게 설치되어 저항 발열체를, 축 방향을 따르는 소정 피치로 지지하는 지지체를 구비한 열처리로의 제조 방법이며, 축 방향을 따라서 배치된 복수의 단자판을 갖는 나선 형상의 저항 발열체와, 상기 저항 발열체의 내측에 위치하는 기초부와, 이 기초부와 저항 발열체 사이를 통과하여 반경 방향 외측으로 연장되는 동시에 저항 발열체를 지지하는 복수의 지지편을 갖고, 상기 지지편의 상면부가 저항 발열체의 열팽창, 수축에 따른 이동 시에 마찰 저항을 저감시키도록 곡면 형상으로 형성되어 있는 빗 형상의 지지체와, 상기 지지체를 저항 발열체의 주위 방향에서 소정위치에 위치 결정하여 축 방향으로 정렬시키는 지그를 준비하는 공정과, 상기 지그를 회전시키면서 지그 상에 상기 지지체를 개재하여 상기 저항 발열체를 장착하는 공정과, 상기 저항 발열체의 외주에 상기 단자판 및 지지체의 지지편을 피해 여과재를 배치하고, 상기 여과재 상에 상기 저항 발열체의 축 방향을 따라서 연장되는 직경의 막대재를 주위 방향으로 간격을 두고 배치하는 공정과, 상기 저항 발열체를 단열 재료를 이루는 무기질 섬유를 포함하는 현탁액 중에 침지시켜 저항 발열체의 내측으로부터의 흡인에 의해 상기 여과재 상에 상기 단열 재료를 퇴적시키는 공정과, 상기 여과재에 퇴적된 단열 재료를 건조시켜 단열재를 형성하는 공정과, 건조 후에 상기 단열재와 상기 여과재 사이로부터 상기 막대재를 빼내고, 또한 상기 단열재와 상기 저항 발열체 사이로부터 상기 여과재를 빼내는 공정과, 상기 지그를 상기 지지체로부터 제거하는 공정을 발명의 필수 요소로 하고 있으며, 이를 통해 저항 발열체의 열팽창 수축 시의 지지체와 저항 발열체 사이의 마찰 저항을 저감시켜 저항 발열체의 잔류 응력에 의한 영구 왜곡의 발생을 억제할 수 있어 것을 발명의 목적 및 효과로 하고 있다.The present invention relates to a process for producing a heat insulating material, comprising a process container for receiving and heat-treating an object to be processed, a tubular heat insulating material surrounding the process container, a spiral resistive heating body disposed along the inner circumferential surface of the heat insulating material, And a support body for supporting the resistance heating body at a predetermined pitch along the axial direction, the manufacturing method comprising: a spiral resistance heating body having a plurality of terminal plates disposed along the axial direction; And a plurality of support pieces extending between the base and the resistance heating body and extending radially outward and supporting the resistance heating body, wherein when the upper surface of the support is moved along thermal expansion and contraction of the resistance heating body A comb-shaped supporter formed in a curved shape so as to reduce frictional resistance, A method for manufacturing a resistance heating element, comprising the steps of: preparing a jig for aligning in a predetermined position in a circumferential direction of a body and aligning it in an axial direction; mounting the resistance heating body on the jig while rotating the jig, Disposing a filter member on the filter member so as to avoid the terminal plate and the support pieces of the support member and disposing a bar member having a diameter extending along the axial direction of the resistance heating member on the filter member at intervals in the circumferential direction; A step of depositing the heat insulating material on the filter material by suction from the inside of the resistance heating element by immersing the heat insulating material in a suspension containing inorganic fibers constituting the material, a step of drying the heat insulating material deposited on the filter material to form a heat insulating material , The bar material is removed from between the heat insulating material and the filter material after drying, A step of removing the filter medium from between the heat insulating material and the resistance heating element and a step of removing the jig from the support body are required as an essential element of the invention. The friction between the resistance heating element and the supporting body during thermal expansion shrinkage of the resistance heating body It is possible to suppress the occurrence of permanent distortion due to the residual stress of the resistance heating element by reducing the resistance.

그러나 선행기술은 처리 용기(3) 하부가 소성로(1) 외부로 노출되어 효율은 물론, 훼손이 우려되는 문제가 있다.However, in the prior art, there is a problem that the lower part of the processing vessel 3 is exposed to the outside of the firing furnace 1, thereby deteriorating efficiency as well as damage.

처리 용기(3)는 발열체에 의해 고온으로 과열되며, 대략 1000℃ 내지 1700℃ 이상의 환경에서 운용됨에도 불구하고, 하부가 상온에 노출되어 노출된 부분과 노출되지 않은 부분간 경계부를 위주로 극심한 온도차가 발생한다.Although the processing vessel 3 is overheated at a high temperature by a heating element and is operated in an environment of about 1000 ° C to 1700 ° C or more, an extreme temperature difference occurs mainly at the boundary between the exposed portion and the non- do.

운용횟수가 1회인 경우는 큰 문제가 없으나, 반복 공정에 의해 지속적으로 운용되는 경우에는 상기 처리 용기(3)의 상기 경계부를 위주로 크랙(crack)이 발생하며, 따라서 고가의 처리 용기를 전체적으로 교체해야 하는 문제점이 있으며, 이로 인하여 경제적 손실의 발생을 야기한다. In the case where the number of operations is one, there is no serious problem. However, when the operation is continuously performed by the repeated process, a crack occurs mainly in the boundary of the processing vessel 3, , Which causes the occurrence of economic losses.

또한, 처리 용기(3)의 하부가 상온에 노출되어 있으나, 상부에 비해 온도가 낮을 뿐, 표면온도는 상온보다 훨씬 높은 온도를 유지하고 있어, 안전사고에 취약하다는 문제점도 있다. Further, although the lower part of the processing vessel 3 is exposed to room temperature, the temperature is lower than that of the upper part, and the surface temperature is maintained at a temperature much higher than room temperature, which is also vulnerable to safety accidents.

KRKR 10-114833010-1148330 BB

본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 튜브가 소성로내에 내설됨에 따라서 취약해진 기밀을 보강하고, 그 기밀을 위한 기밀부의 열적 훼손을 예방하여 기밀상태를 장기간 유지할 수 있도록 하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been conceived in order to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a method for reinforcing the airtightness which is weakened as the tube is inserted into the firing furnace, So that it can be maintained.

본 발명은 전술한 목적을 달성하기 위하여, 튜브가 매립된 소성로의 하단을 마감하는 베이스 플레이트의 하부에 마련되는 냉각장치에 있어서, 제1상부플랜지, 제2상부플랜지 및, 제2상부플랜지에 마련된 홈에 삽입되는 제1패킹으로 구성되는 상부플랜지부; 상기 상부플랜지부의 하부에 면접하며, 냉각수를 공급하는 제1공급부, 냉각수를 배출하는 제1배출부, 냉각수가 순환되는 제1냉각조로 구성되는 제1냉각부; 상기 제1냉각부하부에 면접하는 하부플랜지, 하부플랜지의 하부에 위치하는 브래킷 및 상기 브래킷에 마련된 홈에 삽입되는 제2패킹으로 구성되는 하부플랜지부; 상기 하부플랜지부 하부에 면접하며, 냉각수를 공급하는 제2공급부, 냉각수를 배출하는 제2배출부, 냉각수가 순환되는 제2냉각조로 구성되는 제2냉각부;를 포함하여 구성되며, 상기 상부플랜지부, 제1냉각부 및 하부플랜지는 소성로에 트레이가 입출가능하도록 중앙부가 천공되며, 상기 제1냉각조는 "ㄱ"자 형상 및 이에 대칭되는 형상의 단면을 가져 상부로는 상부플랜지부를 냉각하며, 측면으로는 적어도 가스 유입관 및 열전쌍 인입관을 냉각하고, 하부로는 하부플랜지를 냉각하는 것을 특징으로 하는 튜브 매립형 소성로용 냉각 장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a cooling device provided at a lower portion of a base plate for finishing a lower end of a furnace in which tubes are embedded, the cooling device comprising: a first upper flange; a second upper flange; An upper flange portion composed of a first packing inserted into the groove; A first cooling unit which is formed by a first cooling unit which is interposed in the lower portion of the upper flange and which is provided with a first supply unit for supplying cooling water, a first discharge unit for discharging cooling water, A lower flange portion formed by a lower flange that is in contact with the first cooling load portion, a bracket located below the lower flange, and a second packing inserted into the groove provided in the bracket; And a second cooling part which is formed by a second cooling part which is in contact with a lower portion of the lower flange part and which is provided with a second supply part for supplying cooling water, a second discharge part for discharging cooling water, and a cooling water circulating, The first cooling unit and the lower flange are punched in a central portion so that a tray can be input into and exit from the firing furnace. The first cooling bath has an "A" shape and a symmetrical cross section so as to cool the upper flange portion And at least the gas inlet pipe and the thermocouple inlet pipe are cooled at the side face and the lower flange is cooled at the bottom face.

상기 제1패킹 및 제2패킹은, 고무재질인 것이 바람직하다. The first packing and the second packing are preferably made of rubber.

상기 브래킷 및 제2냉각부에는 가스 유입관 및 열전쌍 인입관이 통과할 수 있도록 관통공이 형성된 것이 바람직하다. The bracket and the second cooling part may be formed with through holes so that the gas inlet pipe and the thermocouple inlet pipe can pass through.

이상과 같은 본 발명에 따르면, 튜브가 소성로내에 내설됨에 따라서 취약해진 기밀을 보강하고, 그 기밀을 위한 기밀부의 열적 훼손을 예방하여 기밀상태를 장기간 유지할 수 있도록 하는 작용효과가 있다. As described above, according to the present invention, there is an effect of reinforcing the airtightness of the tube, which is weakened as the tube is inserted into the firing furnace, and preventing the airtightness of the airtight portion for airtightness.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 소성로를 설명하기 위해 나타낸 전체도,
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 냉각장치를 설명하기 위해 나타낸 단면도,
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 열처리부를 설명하기 위해 나타낸 단면도,
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 지지대를 설명하기 위해 나타낸 단면도,
도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 셔틀을 설명하기 위해 나타낸 사시도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a whole view for explaining a firing furnace according to a preferred embodiment of the present invention;
2 is a cross-sectional view illustrating a cooling device according to a preferred embodiment of the present invention,
3 is a cross-sectional view illustrating a heat treatment unit according to a preferred embodiment of the present invention,
4 is a cross-sectional view illustrating a support according to a preferred embodiment of the present invention,
5 is a perspective view illustrating a shuttle according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 본 발명을 첨부되는 도면과 바람직한 실시예를 기초로 보다 상세히 설명하기로 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on the accompanying drawings and preferred embodiments. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

본 발명을 설명함에 있어서, 정의되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의 내려진 것으로, 이는 당 분야에 종사하는 기술자의 의도 또는 관례 등에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.In describing the present invention, the defined terms are defined in consideration of the function of the present invention, and it can be changed according to the intention or custom of the technician working in the field, and the definition is based on the contents throughout this specification It should be reduced.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 소성로(100)를 설명하기 위해 나타낸 전체도이며, 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 냉각장치를 설명하기 위해 나타낸 단면도이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 열처리부(110)를 설명하기 위해 나타낸 단면도이며, 도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 지지대를 설명하기 위해 나타낸 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a cooling device according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a cross-sectional view of the firing furnace 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating a support according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG.

도시된 바와 같이, 본 발명의 튜브(126)가 매립된 소성로(100)는 프레임(101)과 베이스 프레임(103)을 기본 골격으로 하여 구성된다. 더 구체적으로는 하우징(122) 내부에 마련되며, 피처리부의 열처리가 이루어지는 열처리부(110), 상기 피처리부가 실장된 트레이(140)를 상기 열처리부(110)로부터 인출 및 인입시키고 상기 열처리부(110)를 컨트롤하는 제어부(170)를 포함하는 소성로를 기본 구성으로 한다. 제어부에는 통상적인 조작부(190)가 구비되어 있다. As shown in the drawing, the firing furnace 100 in which the tube 126 of the present invention is embedded has a frame 101 and a base frame 103 as a basic framework. More specifically, a heat treatment unit 110, which is provided inside the housing 122 and performs heat treatment of the to-be-treated unit, draws and draws the tray 140 mounted with the to-be-treated unit from the heat treatment unit 110, And a control unit 170 for controlling the burner 110. The control unit is provided with a usual operating unit 190.

본 발명의 소성로(100) 하부에는 냉각부(200)가 별도로 마련되는 냉각장치를 개시한다. 냉각장치는 소성로를 위한 직접적 냉각수단은 아니며, 소성로의 기밀을 유지하는 기밀부(제1패킹 및 제2패킹)가 탄성을 갖는 고무 재질의 것을 주로 사용하는 것을 감안하면, 상기 기밀부가 소성로 외측에 구비된다고 하여도 열에 의해 소실될 수 있는 바, 이에 대한 냉각이 필요하다. A cooling device in which a cooling part 200 is separately provided under the firing furnace 100 of the present invention is disclosed. The cooling device is not a direct cooling device for the firing furnace and considering that the airtight parts (the first packing and the second packing) for maintaining the airtightness of the firing furnace are mainly made of a rubber material having elasticity, Even if it is provided, it can be lost by heat, and cooling is required.

이를 구체적으로 설명하면 다음과 같다. This will be described in detail as follows.

본 발명의 냉각장치는 튜브가 매립된 소성로의 하단을 마감하는 베이스 플레이트(103)의 하부에 마련된다. The cooling apparatus of the present invention is provided at the lower portion of the base plate 103 closing the lower end of the baking furnace in which the tubes are buried.

상기 냉각장치는, 베이스 프레임 하부에 순차적으로 구성되는 제1상부플랜지(214), 제2상부플랜지(215) 및, 제2상부플랜지(215)에 마련된 홈에 삽입되는 제1패킹(216)으로 구성되는 상부플랜지부를 갖는다. The cooling device includes a first upper flange 214, a second upper flange 215 and a first packing 216 inserted into a groove provided in the second upper flange 215, sequentially formed below the base frame And has an upper flange portion.

상기 제1상부플랜지(214), 제2상부플랜지(215)는 제2상부플랜지(215)의 하면 가공의 문제로 인하여(K부분) 서로 구분하여 구성되며, 구분 구성시 상기 두 플랜지의 면접위치에서 기밀이 유지될 필요성이 높으므로 제1패킹(216)을 구성하였다. The first upper flange 214 and the second upper flange 215 are separated from each other due to a problem of lowering of the second upper flange 215. When the two flanges 215 The first packing 216 is constructed.

그러나, 후술하는 제2패킹(137)과 마찬가지로 제1패킹(216)은 대개 기밀성의 확보를 위하여 탄성이 있는 고무재질로 구성하게 되며, 이 경우 열에 취약한 상태가 되어 오래지않아 열화되며, 따라서 기밀성이 훼손될 수 있다. However, like the second packing 137 to be described later, the first packing 216 is made of a rubber material having elasticity in order to ensure airtightness. In this case, the first packing 216 is in a state vulnerable to heat and deteriorates for a long time. It can be damaged.

그러므로, 제1패킹(216)을 냉각시켜줄 필요가 있다. 그 밖에도 상부 플랜지들(214, 215) 역시 소성로의 반복적 사용에 의하여 오랜 기간 높은 열에 노출될 경우 형상에 변형이 생기므로, 즉 편평도에 문제가 생길 수 있으므로 기밀성이 훼손될 수 있다. 그러므로, 상부 플랜지들(214, 215) 또한 열 손상으로부터 보호할 필요가 있다. Therefore, it is necessary to cool the first packing 216. In addition, the upper flanges 214 and 215 are also deformed in shape when they are exposed to high heat for a long time due to repeated use of the firing furnace, that is, the flatness may be deteriorated, so that the airtightness may be damaged. Therefore, the upper flanges 214 and 215 also need to be protected against thermal damage.

그러므로, 상기 제2상부플랜지(215)의 하부에 면접하며, 냉각수를 공급하는 제1공급부(212), 냉각수를 배출하는 제1배출부(213), 냉각수가 순환되는 제1냉각조(211)로 구성되는 제1냉각부(210)를 구성하였다. The first cooling unit 211 is disposed at a lower portion of the second upper flange 215 and is connected to the first cooling unit 211 through which the cooling water is circulated. The first cooling unit 210 is constructed.

상기 제1냉각조(211)는 "ㄱ"자 및 그 대칭형상의 단면을 가지며, 위로는 상부 플랜지들(214, 215) 및 제1패킹(216)을 냉각하며, 측면으로는 주로 가스 유입관(G)과 열전쌍 인입관(T)을 열로부터 보호할 수 있다. 따라서, 제1냉각부(210)는 도시되지는 아니하였으나, 상기 가스 유입관(G)과 열전쌍 인입관(T)과 각각 접할 수도 있다. The first cooling tank 211 has an "a" shape and a cross-section of a symmetrical shape. The first cooling tank 211 cools the upper flanges 214 and 215 and the first packing 216 to the upper side and the gas inlet pipe G and the thermocouple inlet tube T can be protected from heat. Therefore, although not shown, the first cooling unit 210 may be in contact with the gas inlet pipe G and the thermocouple inlet pipe T, respectively.

또한, 상기 제1냉각부(210) 하부에 면접하는 하부플랜지(217), 하부플랜지(217)의 하부에 위치하는 브래킷(135) 및 상기 브래킷(135)에 마련된 홈에 삽입되는 제2패킹(137)으로 구성되는 하부플랜지부 또한, 상부플랜지부와 마찬가지로 소성로에서 비롯되는 높은 열에 의하여 반복하여 노출되면 변형이 발생될 우려가 있으며, 이에, 냉각수단이 필요하다. 즉, 상기 브래킷(135) 하부에 면접하며, 냉각수를 공급하는 제2공급부(222), 냉각수를 배출하는 제2배출부(223), 냉각수가 순환되는 제2냉각조(221)로 구성되는 제2냉각부(220)에 의하여 하부플랜지부가 냉각된다. 다만, 하부플랜지(217)는 제1냉각부(210)의 하부에 위치하여 이중으로 냉각될 수 있다.The lower flange 217 and the lower flange 217 of the first cooling unit 210 are installed in the lower part of the lower part of the first cooling part 210, 137 is also repeatedly exposed by the heat generated from the firing furnace as in the case of the upper flange portion, there is a possibility that deformation may occur. Therefore, a cooling means is required. The second cooling unit 221 includes a second supply unit 222 for receiving the cooling water, a second discharge unit 223 for discharging the cooling water, and a second cooling tank 221 for circulating the cooling water. 2 cooling portion 220 cools the lower flange portion. However, the lower flange 217 is positioned below the first cooling part 210 and can be cooled down in a double manner.

또한, 상기 가스 유입관(G)과 열전쌍 인입관(T)은 상기 제2냉각조(221)를 관통하여 형성되므로 이 부분에서도 제2냉각조(221)가 상기 가스 유입관(G)과 열전쌍 인입관(T)과 면접할 수 있으며, 상기 가스 유입관(G)과 열전쌍 인입관(T)의 냉각이 보다 효과적으로 이루어질 수 있다. Since the gas inlet pipe G and the thermocouple inlet pipe T are formed so as to pass through the second cooling bath 221, the second cooling bath 221 is connected to the gas inlet pipe G and the thermocouple It is possible to inspect the inlet pipe T and cool the gas inlet pipe G and the thermocouple inlet pipe T more effectively.

상기 상부플랜지부, 제1냉각부(210) 및 하부플랜지(217)는 소성로에 트레이(140)가 입출가능하도록 중앙부가 천공되어 있으며, 이는 도 2의 단면도를 통하여 확인될 수 있다. The upper flange portion, the first cooling portion 210, and the lower flange 217 are punched in the central portion so that the tray 140 can be input into and exit from the firing furnace, which can be confirmed through the sectional view of FIG.

상기 브래킷 또한 가스유입관 및 열전쌍이 입입될 수 있도록 관통공이 형성된다.The bracket is also formed with a through hole so that a gas inlet tube and a thermocouple can be introduced.

한편, 본 발명의 소성로(100)는 웨이퍼의 열처리를 통한 표면 산화막 형성을 위하여 주로 사용되는 것이며, 이를 위하여 열처리 공정 중 별도로 환원가스를 사용하지 않으므로, 공기가 유입을 차단하기 위한 튜브(126) 단부 밀봉장치를 필요로 하지 않는다. The burning furnace 100 of the present invention is mainly used for forming a surface oxide film through heat treatment of a wafer. For this purpose, since a reducing gas is not used in the heat treatment process, the end of the tube 126 for blocking the inflow of air, No sealing device is required.

통상적으로 열처리시 튜브(126)를 사용하는 이유는 튜브(126) 내의 분위기를 환원분위기로 유지한 상태에서 튜브(126)내에 장입된 기물을 열처리하기 위한 것이다. 이를 위하여 튜브(126)는 외부의 공기가 유입되지 않도록 고밀도로 제작되며, 튜브(126) 내에는 가스 유입관을 연결하여 환원가스를 흘려주고, 상기 가스 유입관은 실리콘과 같은 내열고무에 삽입하여 튜브(126)의 입구를 밀봉함과 동시에 가스 유입관의 단부가 튜브(126)의 내부를 향하도록 구성하여 열처리시 상기 유입관을 통하여 환원가스를 주입한다. 상기 실리콘과 같은 밀봉재에 필요에 따라서 열전쌍이 관통되도록 관통홀을 더 마련하기도 한다. The reason for using the tube 126 in the heat treatment is to heat the article loaded in the tube 126 while the atmosphere in the tube 126 is maintained in the reducing atmosphere. For this purpose, the tube 126 is manufactured at a high density so that no external air is introduced. A gas inlet pipe is connected to the tube 126 to supply a reducing gas. The gas inlet tube is inserted into a heat- The inlet of the tube 126 is sealed and the end of the gas inlet tube is directed to the inside of the tube 126, and a reducing gas is injected through the inlet tube during the heat treatment. A through hole may be further formed in the sealing material such as silicon to penetrate the thermocouple as required.

그러나 상기 실리콘이 내열특성을 갖는다고는 하나, 기물의 열처리 온도가 매우 높은 경우 그 온도에서는 견딜 수 없으므로 튜브(126)의 단부 일정 영역은 외부로 노출되어 있다. 즉, 튜브(126)의 중심부 영역은 발열체(160)가 작용하는 장치의 내부에 위치하며, 튜브(126)의 일 단부는 장치 외측으로 노출된다. However, since the silicon has a heat-resistant property, if the heat treatment temperature of the object is very high, the silicon can not withstand the temperature, so that a certain region of the end of the tube 126 is exposed to the outside. That is, the central region of the tube 126 is located inside the apparatus in which the heating element 160 acts, and one end of the tube 126 is exposed to the outside of the apparatus.

이와 같이 튜브(126)의 일 단부가 장치 외측으로 노출되는 경우에는 튜브(126)의 단부에 대한 밀봉이 용이하기 때문에, 튜브(126)내 분위기를 환원분위기로 유지하면서 동시에 외부로부터 공기가 유입되지 않도록 공기를 차단하기 쉽다. When one end of the tube 126 is exposed to the outside of the apparatus, the end portion of the tube 126 can be easily sealed, so that the atmosphere in the tube 126 is maintained in the reducing atmosphere, It is easy to block air.

그러나, 이 경우 하나의 튜브(126)에 국부적으로 높은 온도차이가 발생되며, 이러한 국부적인 온도차이가 여러차례 반복되는 경우에는 국부적 열팽창 정도의 차이에 따라서 경계부위에 크랙이 발생될 가능성이 높다. 아울러, 튜브(126) 중심부의 온도와 단부간의 온도차가 크므로, 열구배에 의하여 소성되는 기술 또한 국부적으로 소성 정도에 차이가 발생될 가능성도 존재한다. However, in this case, a high temperature difference locally occurs in one of the tubes 126. In the case where the local temperature difference is repeated several times, there is a high possibility that cracks are generated in the boundary portion due to the difference in the degree of local thermal expansion. In addition, since the temperature difference between the temperature of the center of the tube 126 and the end portion is large, there is a possibility that the degree of firing may be locally varied depending on the technique of firing by the thermal gradient.

그러므로, 본 발명에서는 환원분위기를 사용하지 않으므로 굳이 밀봉의 필요성이 없는 튜브(126)를 소성로(100) 내부로 완전하게 매립하는 것이다. 이로써 튜브(126)의 국부적 온도 차이에 따른 파손의 우려가 적어진다. 이는 본 발명의 하나의 특징을 이룬다. Therefore, in the present invention, since the reducing atmosphere is not used, the tube 126, which does not require sealing, is completely buried in the firing furnace 100. This reduces the possibility of breakage due to the local temperature difference of the tube 126. Which is one feature of the present invention.

구체적으로, 상기 열처리부(110)는, 복수의 층으로 이루어지고 하부가 개방된 단열층(121)과, 중심에 천공부(125)가 형성되고, 상기 천공부(125) 내주에 하단으로부터 이격된 걸림턱(124)이 돌출 형성되며 상기 단열층(121) 하부에 배치되는 지지물(123)을 포함하는 단열부(120)를 포함한다. 또한, 상기 단열층(121)의 측면부를 관통하여 인입되는 복수의 발열체(160)도 구비된다. 아울러, 하단이 상기 걸림턱(124)상에 거치되어 상기 단열부(120) 하단으로부터 이격되도록 상기 단열부(120)에 내설되되, 상기 발열체(160)의 내측에 위치되어 상기 발열체(160)로부터 열을 전달받는 튜브(126);를 포함하여 구성된다.Specifically, the heat treatment unit 110 includes a heat insulating layer 121 having a plurality of layers and an open bottom, a perforation 125 formed at the center of the perforated plate 125, And a heat insulating part 120 including a protrusion 123 protruding from the heat insulating layer 121 and disposed under the heat insulating layer 121. Further, a plurality of heating elements 160 penetrating the side surface portion of the heat insulating layer 121 are also provided. The lower end of the heat generating element 160 is mounted on the upper surface of the heat insulating member 120 so as to be spaced apart from the lower end of the heat insulating member 120, And a tube 126 to which heat is transferred.

상기 단열층(121)은 고온에서 견디는 단열재를 여러층 구성하여 단열을 하는 소성로(100)의 통상적인 구성이다. 상기 걸림턱(124)은 상기 튜브(126)의 단부를 하방에서 지지함으로써, 튜브(126)가 중력에 의해 아래로 이탈되는 것을 방지한다. The heat insulating layer 121 is a typical constitution of the firing furnace 100 which forms a plurality of layers of heat insulating material resistant to high temperature to perform heat insulation. The retaining jaw 124 supports the end of the tube 126 from below to prevent the tube 126 from falling down due to gravity.

상기 지지물(123)은, 내화벽돌인 것이며, 상기 천공부(125) 내주에 상기 걸림턱(124)이 돌출 형성되어, 상기 걸림턱(124)에 상기 튜브(126)의 하단과 측면 일부를 지지하는 것이 바람직하다. 이로써, 열처리 과정중 고온에서 튜브(126)가 열유동할 때 튜브(126)의 하단이 잘 지지될 수 있다. 열유동은 열처리 과정 중에서 튜브(126)의 안정 상태를 붕괴시킬 수 있어 바람직하지 않기 때문이다. The supporting member 123 is a refractory brick and the engaging protrusion 124 is protruded from the inner periphery of the perforation 125 so that the lower end and the side portion of the tube 126 are supported by the engaging protrusion 124 . This allows the lower end of the tube 126 to be well supported when the tube 126 is thermally flowing at a high temperature during the heat treatment process. This is because heat flow can disrupt the steady state of the tube 126 during the heat treatment process, which is undesirable.

이와 함께, 상기 단열층(121)의 측면부를 관통하여 상기 튜브(126) 외주를 지지하는 적어도 하나의 고정핀(127)을 더 포함하도록 함으로써, 상기 열유동에 보다 효과적으로 대처할 수 있다. In addition, by further including at least one fixing pin 127 passing through the side surface of the heat insulating layer 121 and supporting the outer circumference of the tube 126, it is possible to more effectively cope with the heat flow.

다만, 상기 단열부(120)의 하단에 형성되는 천공부(125)는 외기와 접촉가능한 채널을 형성하므로, 열처리 과정 중에서는 이를 폐쇄함으로써 단열을 도모하는 것이 필요하며, 기물, 예를 들어 여기서는 웨이퍼를 균일하게 소성하는데에도 도움이 된다. However, since the perforations 125 formed at the lower end of the heat insulating part 120 form a channel that can be in contact with the outside air, it is necessary to heat the heat by closing the heat insulating part during the heat treatment process. Which is also helpful in uniformly firing.

이를 위하여 단열 플레이트(150)를 별도로 더 마련하였으며, 상기 단열 플레이트(150)는 셔틀(130)에 마련되었다. 구체적으로는 상기 트레이(140)가 거치되고, 상기 트레이(140)가 상기 천공부(125)를 통해 상기 튜브(126)로부터 인출되거나, 튜브(126)로 인입되도록 하며, 인입 시 상기 천공을 폐쇄하는 단열 플레이트(150)가 셔틀(130)에 구비된다. For this purpose, a separate heat-insulating plate 150 is provided, and the heat-insulating plate 150 is provided on the shuttle 130. Specifically, the tray 140 is mounted, and the tray 140 is drawn out from the tube 126 through the perforation 125 or is drawn into the tube 126, and when the inlet is closed, The heat insulating plate 150 is provided on the shuttle 130.

도 5는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 셔틀(130)을 설명하기 위해 나타낸 사시도이다.5 is a perspective view illustrating the shuttle 130 according to an exemplary embodiment of the present invention.

여기서, 셔틀(130)이 트레이(140)를 인입하는 방향으로 움직이면 열처리가 시작되는데, 그 경우에도 셔틀(130)의 브래킷(135)에 의하여 천공부(125)가 완전히 밀폐되는 것이 아니기 때문에 상기 셔틀(130)을 통하여 차가운 외기와의 접촉하는 것을 피하기 어렵다. 그러므로, 셔틀(130)과 기물 사이에서 단열의 역할을 하도록 단열 플레이트(150)가 마련되는 것이다. In this case, since the perforation 125 is not completely sealed by the bracket 135 of the shuttle 130, when the shuttle 130 moves in the direction in which the tray 140 is pulled in, It is difficult to avoid the contact with the cool outside air through the opening 130. Therefore, the heat insulating plate 150 is provided so as to serve as an insulation between the shuttle 130 and the object.

상기 셔틀(130)은, 상기 트레이(140)가 거치되는 받침대(131); 상기 제어부(170)의 리프트(180)와 연결되어 상하 이동하는 브래킷(135); 및 상기 브래킷(135)과 받침대(131) 사이에 설치되고 양단 사이에 상기 단열 플레이트(150)가 설치되는 로드(133);를 포함하여 구성된 것이 바람직하다. 여기서, 상기 브래킷(135)은 셔틀(130)의 일 구성을 이루고 있으나, 전술한 바와 같이, 하부 플레이트부의 일 구성을 이루고 있다. 따라서 셔틀(130)과 하부 플레이트부의 브래킷(135)은 동일한 구성이다.The shuttle 130 includes a pedestal 131 on which the tray 140 is mounted; A bracket 135 connected to the lift 180 of the controller 170 to move up and down; And a rod 133 installed between the bracket 135 and the pedestal 131 and between which the heat insulating plate 150 is installed. Here, the bracket 135 is a constitution of the shuttle 130, but has a constitution of the lower plate part as described above. Therefore, the shuttle 130 and the bracket 135 of the lower plate portion have the same configuration.

상기 단열 플레이트(150)는, 상기 튜브(126) 내경에 대응하거나, 다소간 작게 형성되는데, 가급적이면 튜브(126) 내경에 대응되도록 형성되는 것이 바람직하다. 그럼에도 불구하고 튜브(126)와의 간섭이 우려될 수 있으므로 다소간 작게 형성하는 것도 고려할 수 있다. 단열의 효과를 배가시키기 위해서는 상기 단열 플레이트(150)는 다층으로 구성되는 것이 더 좋다. 다만, 단열 플레이트(150)가 접촉된 상태로 다층 배열될 수도 있으나, 가급적 단열 플레이트(150)간에 스페이서(157)를 개재시켜 간격을 유지하는 경우에는 플레이트간 공기가 단열층(121)의 역할을 하여 단열 플레이트(150)간 열전달을 막아주기 때문에 단열이 더욱 효과적일 것이다. The heat insulating plate 150 may be formed to correspond to the inside diameter of the tube 126 or to be somewhat small. Preferably, the heat insulating plate 150 is formed to correspond to the inside diameter of the tube 126. Nevertheless, since the interference with the tube 126 may be a concern, it may be considered to be formed somewhat smaller. In order to double the effect of the heat insulation, it is preferable that the heat insulating plate 150 has a multilayer structure. However, in the case where the spacing is maintained between the heat insulating plates 150 through the spacers 157 as much as possible, the inter-plate air serves as the heat insulating layer 121 Insulation will be more effective because it prevents heat transfer between the heat insulating plates 150.

상기 단열 플레이트(150)는, 최상층에 알루미나(alumina) 소재의 제1플레이트(151)를 구성하고, 상기 제1플레이트(151) 하단으로 인코넬(inconel) 소재의 제2플레이트(153)를 배치하며, 상기 제2플레이트(153) 하단에 일정간격을 두고 적어도 하나가 연속 배치된 서스(SUS) 소재의 제3플레이트(155)를 마련한다. The heat insulating plate 150 includes a first plate 151 made of alumina at the uppermost layer and a second plate 153 made of inconel at the lower end of the first plate 151 And a third plate 155 made of a SUS material is disposed at the lower end of the second plate 153 at regular intervals.

가장 온도가 높은 최상층에 알루미나를 배치하는 것은 위 3종의 플레이트 중에서 내열성이 가장 우수하기 때문이며, 또한 튜브(126)와 동일한 재질을 배치한다는데 의미가 있고, 이는 가열 및 냉각 과정에서 일어나는 튜브(126)의 열팽창 수축률과 동일하게 팽창 수축할 수 있도록 하기 위함이다. The reason why the alumina is disposed on the uppermost layer having the highest temperature is because it has the highest heat resistance among the three types of plates and it is also meaningful to arrange the same material as the tube 126. This is because the tube 126 In the same manner as the thermal expansion shrinkage ratio of the first embodiment.

그 하부로는 인코넬을 배치하는데, 인코넬은 니켈을 주체로 하여 15%의 크로뮴, 6∼∼7%의 철, 2.5%의 타이타늄, 1% 이하의 알루미늄··망가니즈··규소를 첨가한 내열합금이다. 내열성이 좋고, 900℃℃ 이상의 산화기류 속에서도 산화하지 않으며, 황을 함유한 대기에도 침지되지 않는 장점이 있다. Inconel is placed underneath the Inconel. Inconel is made of nickel, mainly composed of 15% chromium, 6 ~ 7% iron, 2.5% titanium, less than 1% aluminum, manganese, Alloy. It is good in heat resistance and does not oxidize even in an oxidizing stream of 900 DEG C or higher and is not immersed in an atmosphere containing sulfur.

그 하부로는 서스를 배치하는데, 열 산화가 일어날 수 있으므로 가장 온도가 낮은 영역에 마련되며, 고강도이므로 상부 단열 플레이트(150)를 안정적으로 지지하는 역할을 한다. Since the heat is oxidized, the sludge is disposed in a lower temperature region. Since the sludge has a high strength, it serves to stably support the upper heat insulating plate 150.

특히 인코넬과 서스 재질의 플레이트들은 금속재질이므로 용접이 가능한 바, 로드(133)에 용접하여 고정함으로써 그 상부구조에 대한 지지력을 보다 강화할 수 있다. In particular, since the plates made of Inconel and Sus are metal, they can be welded and fixed to the rod 133 by welding, so that the supporting force against the upper structure can be further strengthened.

요컨대, 이와 같은 단열 플레이트(150)를 소성로(100)에 구성하였다는 점 또한 본 발명의 특징을 이룬다. In other words, the fact that such a heat insulating plate 150 is formed in the firing furnace 100 is also a feature of the present invention.

이상과 같은 본 발명에 의하면, 튜브(126)를 국부적 극심한 온도차이에 따른 열충격으로부터 보호하여 내구성을 확보함으로써 장기간 사용하는 것이 가능하고, 아울러, 단열을 효과적으로 구현하여 기물의 균일한 소성이 가능하도록 할 수 있다. According to the present invention as described above, it is possible to use the tube 126 for a long period of time by protecting the tube 126 from heat shock due to a local extreme temperature difference, thereby ensuring durability. In addition, .

이상에서 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것이 아니고 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 안정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

100 : 소성로 101 : 프레임
103 : 베이스 프레임 110 : 열처리부
120 : 단열부 121 : 단열층
122 : 하우징 123 : 지지물
124 : 걸림턱 125 : 천공부
126 : 튜브 127 : 고정핀
130 : 셔틀 131 : 받침대
133 : 로드 135 : 브래킷
137 : 제2패킹 140 : 트레이
150 : 단열 플레이트 151 : 제1플레이트
153 : 제2플레이트 155 : 제3플레이트
157 : 스페이서 160 : 발열체
170 : 제어부 180 : 리프트
190 : 조작부 200 : 냉각부
210 : 제1냉각부 211 : 제1냉각조
212 : 제1공급부 213 : 제1배출부
214 : 제1상부플랜지 215 : 제2상부플랜지
220 : 제2냉각부 221 : 제2냉각조
222 : 제2공급부 223 : 제2배출부100: firing furnace 101: frame
103: Base frame 110: Heat treatment unit
120: heat insulating portion 121: insulating layer
122: housing 123: support
124: hanging jaw 125:
126: tube 127: fixing pin
130: shuttle 131: pedestal
133: Rod 135: Bracket
137: Second packing 140: Tray
150: heat insulating plate 151: first plate
153: second plate 155: third plate
157: spacer 160: heating element
170: control unit 180: lift
190: operating part 200: cooling part
210: first cooling section 211: first cooling tank
212: first supply part 213: first discharge part
214: first upper flange 215: second upper flange
220: second cooling section 221: second cooling tank
222: second supply part 223: second discharge part

Claims (3)

튜브가 매립된 소성로의 하단을 마감하는 베이스 플레이트의 하부에 마련되는 냉각장치에 있어서,
제1상부플랜지, 제2상부플랜지 및, 제2상부플랜지에 마련된 홈에 삽입되는 제1패킹으로 구성되는 상부플랜지부;
상기 상부플랜지부의 하부에 면접하며, 냉각수를 공급하는 제1공급부, 냉각수를 배출하는 제1배출부, 냉각수가 순환되는 제1냉각조로 구성되는 제1냉각부;
상기 제1냉각부하부에 면접하는 하부플랜지, 하부플랜지의 하부에 위치하는 브래킷 및 상기 브래킷에 마련된 홈에 삽입되는 제2패킹으로 구성되는 하부플랜지부;
상기 하부플랜지부 하부에 면접하며, 냉각수를 공급하는 제2공급부, 냉각수를 배출하는 제2배출부, 냉각수가 순환되는 제2냉각조로 구성되는 제2냉각부;
를 포함하여 구성되며,
상기 상부플랜지부, 제1냉각부 및 하부플랜지는 소성로에 트레이가 입출가능하도록 중앙부가 천공되며,
상기 제1냉각조는 "ㄱ"자 형상 및 이에 대칭되는 형상의 단면을 가져 상부로는 상부플랜지부를 냉각하며, 측면으로는 적어도 가스 유입관 및 열전쌍 인입관을 냉각하고, 하부로는 하부플랜지를 냉각하며,
상기 브래킷 및 제2냉각부에는 가스 유입관 및 열전쌍 인입관 통과할 수 있도록 관통공이 형성된 것을 특징으로 하는 튜브 매립형 소성로용 냉각 장치.A cooling apparatus provided at a lower portion of a base plate for finishing a lower end of a furnace in which tubes are embedded,
An upper flange portion composed of a first upper flange, a second upper flange, and a first packing inserted in a groove provided in the second upper flange;
A first cooling unit which is formed by a first cooling unit which is placed in a lower portion of the upper flange portion and which is provided with a first supply unit for supplying cooling water, a first discharge unit for discharging cooling water,
A lower flange portion formed by a lower flange that is in contact with the first cooling load portion, a bracket located below the lower flange, and a second packing inserted into the groove provided in the bracket;
A second cooling part formed by a second cooling part which is placed in a lower portion of the lower flange part and is provided with a second supply part for supplying cooling water, a second discharge part for discharging cooling water, and a cooling water circulating;
And,
The upper flange portion, the first cooling portion, and the lower flange are punched in a central portion so that a tray can be input into and out from the firing furnace,
The first cooling bath has an "A" shape and a symmetrical cross section so as to cool the upper flange portion at the upper portion, at least the gas inlet pipe and the thermocouple inlet pipe to cool down, and the lower flange Cooling,
Wherein the bracket and the second cooling part are formed with through holes so as to pass through the gas inlet tube and the thermocouple inlet tube. 제1항에 있어서,
상기 제1패킹 및 제2패킹은,
고무재질인 것을 특징으로 하는 튜브 매립형 소성로용 냉각 장치.The method according to claim 1,
The first packing and the second packing may include:
The cooling device for a tube-buried type baking furnace characterized by being made of a rubber material. 삭제delete
KR1020160128612A 2016-10-05 2016-10-05 Power cooling water device for tube buried furnace regarding the development of the high temperature furnace firing the electric power semiconductor KR101904456B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160128612A KR101904456B1 (en) 2016-10-05 2016-10-05 Power cooling water device for tube buried furnace regarding the development of the high temperature furnace firing the electric power semiconductor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160128612A KR101904456B1 (en) 2016-10-05 2016-10-05 Power cooling water device for tube buried furnace regarding the development of the high temperature furnace firing the electric power semiconductor

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180037860A KR20180037860A (en) 2018-04-13
KR101904456B1 true KR101904456B1 (en) 2018-10-05

Family

ID=61974268

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160128612A KR101904456B1 (en) 2016-10-05 2016-10-05 Power cooling water device for tube buried furnace regarding the development of the high temperature furnace firing the electric power semiconductor

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101904456B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117542767B (en) * 2024-01-10 2024-03-26 合肥费舍罗热工装备有限公司 Vertical semiconductor welding furnace

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299245A (en) * 2001-03-29 2002-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc Semiconductor manufacturing equipment

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002299245A (en) * 2001-03-29 2002-10-11 Hitachi Kokusai Electric Inc Semiconductor manufacturing equipment

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180037860A (en) 2018-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101148728B1 (en) Heat treatment furnace and vertical heat treatment apparatus
JP5248874B2 (en) Heat treatment furnace and vertical heat treatment equipment
KR101142686B1 (en) Heat treatment furnace
TWI497023B (en) Vertical heat treatment apparatus and method for cooling the apparatus
TWI451497B (en) Heat processing furnace and method of manufacturing the same
JP5868619B2 (en) Heat treatment furnace and heat treatment apparatus
TWI466216B (en) Substrate processing device, method for manufacturing semiconductor device and roof insulator
JP5743746B2 (en) Heat treatment furnace and heat treatment apparatus
JP4794360B2 (en) Substrate processing equipment
KR101904456B1 (en) Power cooling water device for tube buried furnace regarding the development of the high temperature furnace firing the electric power semiconductor
KR101891659B1 (en) Tube buried furnace comprising heat insulating plate for developing of the high temperature furnace firing the electric power semiconductor
KR100728408B1 (en) Forced convection assisted rapid thermal furnace
JP5770042B2 (en) Heat treatment equipment
JP4683332B2 (en) Heat treatment equipment
JP5497860B2 (en) Heat treatment furnace and support for heat treatment furnace
JP5743788B2 (en) Heat treatment equipment
TWI784215B (en) Heat treatment device
JP2009239303A (en) Heat processing furnace
JPH05299370A (en) Heat-treating device
JP2004319979A (en) Semiconductor heat treatment apparatus
JP5593474B2 (en) Substrate processing apparatus, semiconductor device manufacturing method, ceiling insulator, and heating apparatus
KR101677661B1 (en) Process chamber included in substrate disposition apparatus
JP2004311775A (en) Semiconductor processing equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right