JP5743788B2 - Heat treatment equipment - Google Patents
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Description
本発明は、熱処理炉を備えた熱処理装置に関する。 The present invention relates to a heat treatment apparatus including a heat treatment furnace.
半導体装置の製造においては、被処理体である半導体ウエハに酸化、拡散、CVD(Chemical Vapor Deposition)などの処理を施すために、各種の熱処理装置が用いられている。そして、その一般的な熱処理装置は、下部に炉口を有し半導体ウエハを収容して熱処理するための処理容器と、この処理容器の周囲を覆うように設けられた断熱材と、断熱材の内周面に設けられ処理容器内のウエハを加熱するヒータとを有する熱処理炉と、処理容器の炉口を閉塞する蓋体と、蓋体上に載置され被処理体を多段に保持する保持具と、蓋体を昇降させる昇降機構とを備えている。 In the manufacture of semiconductor devices, various heat treatment apparatuses are used to perform processes such as oxidation, diffusion, and CVD (Chemical Vapor Deposition) on a semiconductor wafer that is an object to be processed. And the general heat treatment apparatus has a furnace opening in the lower part, a processing container for accommodating and heat-treating a semiconductor wafer, a heat insulating material provided so as to cover the periphery of the processing container, and a heat insulating material A heat treatment furnace provided on the inner peripheral surface and having a heater for heating the wafer in the processing vessel, a lid for closing the furnace port of the processing vessel, and a holder placed on the lid for holding the object to be processed in multiple stages And a lifting mechanism that lifts and lowers the lid.
上記ヒータはヒータエレメントを有し、このヒータエレメントとしては、例えばバッチ処理が可能な熱処理装置の場合でいうと、円筒状の断熱材の内壁面に沿って配置される螺旋状のものが用いられ、炉内を例えば800〜1000℃程度に高温に加熱することができる。また、上記断熱材としては、例えばセラミックファイバ等からなる断熱材料を円筒状に焼成してなるものが用いられ、輻射熱および伝導熱として奪われる熱量を減少させて効率のよい加熱を助長することができる。 The heater has a heater element. As the heater element, for example, in the case of a heat treatment apparatus capable of batch processing, a spiral element arranged along the inner wall surface of a cylindrical heat insulating material is used. The inside of the furnace can be heated to a high temperature of about 800 to 1000 ° C., for example. In addition, as the heat insulating material, for example, a heat insulating material made of a ceramic fiber or the like is fired into a cylindrical shape, and the amount of heat taken as radiant heat and conduction heat is reduced to promote efficient heating. it can.
ところで、従来の熱処理装置において、処理容器内をヒータにより加熱しながら、処理容器内に処理ガスを供給し、その後処理容器内を真空引きする工程が繰り返される。このように処理容器内に処理ガスを供給し、処理容器内を真空引きすることにより、半導体ウエハに対する熱処理が施される。 By the way, in the conventional heat treatment apparatus, a process gas is supplied into the process container while the process container is heated by a heater, and then the process of evacuating the process container is repeated. In this way, the processing gas is supplied into the processing container and the processing container is evacuated to heat-treat the semiconductor wafer.
ところで、従来より熱処理の対象となる半導体ウエハは、直径300mmのものが一般的であった。しかしながら、近年は直径450mmの大型の半導体ウエハも用いられるようになっている。 By the way, conventionally, a semiconductor wafer to be heat-treated is generally 300 mm in diameter. However, in recent years, a large semiconductor wafer having a diameter of 450 mm has been used.
直径450mmの大型の半導体ウエハを熱処理する場合、処理容器および熱処理炉も大型化され、このように熱処理炉が大型化されると、炉口を閉塞する蓋体も大型化することになる。 When heat treating a large semiconductor wafer having a diameter of 450 mm, the processing vessel and the heat treatment furnace are also enlarged, and when the heat treatment furnace is enlarged as described above, the lid for closing the furnace port is also enlarged.
上述のように処理容器内では、熱処理作業中、処理ガスの供給および真空引きが行なわれるが、蓋体が大型化した場合、とりわけ処理容器内の真空時に蓋体に大きな圧力がかかることになる。 As described above, the processing gas is supplied and evacuated during the heat treatment operation in the processing container as described above. However, when the lid is enlarged, a large pressure is applied to the lid particularly during vacuum in the processing container. .
この場合、蓋体の強度を保つため、蓋体の肉厚を大きくすることも考えられるが、これでは蓋体の重量が増加してしまい、蓋体の昇降作業にも支障が生じてしまう。 In this case, in order to maintain the strength of the lid, it is conceivable to increase the thickness of the lid, but this increases the weight of the lid and also hinders the lifting and lowering operation of the lid.
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、処理されるべき被処理体が大型化した場合であっても、蓋体の肉厚を過度に厚くすることなく、蓋体をスムースに昇降することができる熱処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such points, and even when the object to be processed is increased in size, the lid body does not excessively increase the thickness of the lid body. An object of the present invention is to provide a heat treatment apparatus capable of smoothly moving up and down.
本発明は、下部に炉口を有し被処理体を収容して熱処理するための縦型の円筒状処理容器と、処理容器の周囲を覆う断熱材と、断熱材の内周面に設けられたヒータとを有する熱処理炉と、上記処理容器の炉口を閉塞する蓋体と、該蓋体上に載置され被処理体を多段に保持する保持具と、蓋体を昇降させて蓋体により炉口を開閉するとともに上記処理容器内へ保持具を搬入しかつ搬出する昇降機構と備え、上記蓋体は下方へ向って突出する湾曲板からなり、上記蓋体は、550〜750mmの直径を有することを特徴とする熱処理装置である。 The present invention is provided in a vertical cylindrical processing container having a furnace port at the lower part for accommodating a heat treatment object and heat-treating, a heat insulating material covering the periphery of the processing container, and an inner peripheral surface of the heat insulating material. A heat treatment furnace having a heater, a lid that closes the furnace port of the processing vessel, a holder that is placed on the lid and holds the object to be processed in multiple stages, and a lid that moves the lid up and down And a lifting mechanism for loading and unloading the holding tool into and out of the processing container, the lid body is formed of a curved plate protruding downward, and the lid body has a diameter of 550 to 750 mm. It is the heat processing apparatus characterized by having .
本発明は、上記蓋体は5mm以上の厚みを有することを特徴とする熱処理装置である。 The present invention is the heat treatment apparatus, wherein the lid body has a thickness of 5 mm or more.
本発明は、上記蓋体は曲率をもっていることを特徴とする熱処理装置である。 The present invention is the heat treatment apparatus characterized in that the lid body has a curvature.
本発明によれば、蓋体は下方へ向って突出する湾曲板からなるため、平板状の蓋体に比べて、真空時に蓋体に加わる応力を小さく抑えることができ、このことにより蓋体の肉厚を過度に増加させる必要はなく、蓋体の重量増加を抑えることができる。 According to the present invention, since the lid body is composed of a curved plate that protrudes downward, the stress applied to the lid body during vacuum can be reduced compared to a flat lid body. It is not necessary to increase the wall thickness excessively, and an increase in the weight of the lid can be suppressed.
以下に、本発明を実施するための最良の形態について、添付図面を参照して説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.
図1および図7において、符号1は半導体製造装置の一つである縦型の熱処理装置であり、この熱処理装置1は、被処理体例えば半導体ウエハWを一度に多数枚収容して酸化、拡散、減圧CVD等の熱処理を施すことができ、下部に炉口3aが形成された縦型の円筒状処理容器3と、該処理容器3の周囲を覆うように設けられた円筒状の断熱材16と、断熱材16の内周面に設けられウエハWを加熱するヒータ5とを有する熱処理炉2と、処理容器3の炉口3aを閉塞する蓋体10と、蓋体10上に保温筒11を介して載置され半導体ウエハWを多段に保持するボート(保持具)12とを備えている。
1 and 7,
また熱処理装置1は、断熱材16を設置するためのベースプレート6を備えている。このベースプレート6には処理容器3を下方から上方に挿入するための開口部7が形成されており、この開口部7にはベースプレート6と処理容器3との間の隙間を覆うように図示しない断熱材が設けられている。
The
上記処理容器3は、石英製からなり、上端が閉塞され、上述のように下部が炉口3aとして開口された縦長の円筒状に形成されている。処理容器3の下部の開口端には外向きのフランジ3bが形成され、フランジ3bは図示しないフランジ押えを介して上記ベースプレート6に支持されている。また処理容器3には、処理ガスや不活性ガス等を処理容器3内に導入する導入ポート(導入口)8及び処理容器3内のガスを排気するための排気ポート(排気口)8Aが設けられている。導入ポート8にはガス供給源が接続され、排気ポート8Aには例えば10〜10−8Torr程度に減圧制御が可能な真空ポンプを備えた排気系が接続されている。
The
また円筒状処理容器3の下方には、処理容器3の下端開口部(炉口)3aを密封シール10Aを介して閉塞する蓋体10が設けられ、この蓋体10は昇降機構13により昇降移動可能となっている。この蓋体10の上部には、上述のように保温手段である例えば保温筒11が載置され、該保温筒11の上部には例えば直径が450mmのウエハWを多数枚例えば100〜150枚程度上下方向に所定の間隔で搭載する保持具である石英製のボート12が載置されている。蓋体10には、ボート12をその軸心回りに回転する回転機構13Aが設けられている。ボート12は、昇降機構13により駆動される蓋体10の下降移動により処理容器3内から下方のローディングエリア内に搬出(アンロード)され、ウエハWの移替え後、昇降装置13により駆動される蓋体10の上昇移動により処理容器3内に搬入(ロード)される。
Further, a
ところで、図1および図7に示すように、蓋体10は下方へ向って突出する湾曲板からなっている。処理容器10はステンレス等の耐食性金属製の円筒体からなり、これに対応して蓋体もステンレス等の耐食性金属製の湾曲板からなり、平面からみて円板形状をもつ。
By the way, as shown in FIG. 1 and FIG. 7, the
蓋体10の上面には、蓋体10の上面を研削することにより形成された平坦部10aが設けられ、保温筒11はこの蓋体10の平坦部10a上に載置されている。
A
上述のように、被処理体となる半導体ウエハWは450mmの直径をもつ大型のものであり、この大型の半導体ウエハWに対応して蓋体10も550〜750mm前後の直径をもつ。また蓋体10は5mm以上の厚みをもち、曲率をもった湾曲板からなる。
As described above, the semiconductor wafer W to be processed is a large wafer having a diameter of 450 mm, and the
このように、蓋体10が下方へ向って突出する湾曲板からなるため、例えば平板状の蓋体に比べて、とりわけ処理容器3内を真空引きした場合に、蓋体10に加わる応力を小さく抑えることができる。
Thus, since the
このため蓋体10として550〜750mm前後の直径をもつ大きな湾曲板を用いた場合であっても、処理容器3内を真空引きした際、蓋体10に加わる応力を小さく抑えることができ、蓋体10を過度に厚肉とする必要はない。
For this reason, even when a large curved plate having a diameter of about 550 to 750 mm is used as the
このため蓋体10の重量を大きくすることなく、また昇降機構13により蓋体10をスムースに上下移動させることができる。
Therefore, the
次に断熱材16および断熱材16の内周面に設けられたヒータ5について述べる。断熱材16の内周面に軸方向(図示例では上下方向)に多段に形成された溝状の棚部17が形成され、各棚部17に沿ってヒータエレメント18が配置され、このヒータエレメント18によりヒータ5が構成される。断熱材16は、例えばシリカ、アルミナあるいは珪酸アルミナを含む無機質繊維からなっている。断熱材16は、縦に二分割され、ヒータエレメント18の組付を容易にしている。
Next, the
ヒータエレメント18は、帯状の発熱抵抗体を波形に成形(折り曲げ加工)して成る。
The
上記断熱材16には上記ヒータエレメント18を適宜間隔で径方向に移動可能に且つ棚部17から脱落ないし脱出しないように保持するピン部材20が配設されている。上記円筒状の断熱材16の内周面にはこれと同心の環状の溝部21が軸方向に所定ピッチで多段に形成され、隣り合う上部の溝部21と下部の溝部21との間に周方向に連続した環状の上記棚部17が形成されている。
The
上記ピン部材20は、ヒータエレメント18の内周面の谷部18bを基部20aで支持すべく側面コ字状に形成され、その両脚部20bが断熱材16を内側から外側に貫通し、該両脚部20bの端部20cが互いに離反する方向に折り曲げられて断熱材16の外周面に係止されている。
The
また、ヒータエレメント18のうち複数段ごとの各グループの最下段の始端18eと最上段の終端18rとに電極接続用の端子板22がそれぞれ接続されている。これにより、ヒータ5は熱処理炉2内を上下方向に複数のゾーンに分けて温度制御ができるように構成されている。
Also, electrode
ヒータエレメント18の接続(結線)パターンとしては、例えば図4ないし図5に示すものが考えられる。この接続パターンにおいては、各段のヒータエレメント18の両端18、18f、18g…18rが径方向外方に突出するように折り曲げられており、一段目(最下段)始端(右端)18eと、最上段の終端(左端)18rに端子板22、22がそれぞれ接合されている。そして、上下に隣接するヒータエレメント18を直列に接続すべく端部同士例えば一段目の終端18fと二段目の始端18gとが接続板23を介して接続され、二段目の終端18hと三段目の始端18iとが接続板23を介して接続される。
As the connection (connection) pattern of the
断熱材16の形状を保持すると共に断熱材16を補強するために、図1に示すように、断熱材16の外周面は金属製例えばステンレス製の外皮(アウターシェル)28で覆われている。また、外部への熱影響を抑制するために、外皮28の外周面は水冷ジャケット30で覆われている。断熱材16の頂部にはこれを覆う上部断熱材31が設けられ、この上部断熱材31の上部には外皮28の頂部(上端部)を覆うステンレス製の天板32が設けられている。
In order to maintain the shape of the
また熱処理後にウエハを急速降温させて処理の迅速化ないしスループットの向上を図るために、断熱材16には、断熱材16と処理容器3との間の空間33内の雰囲気を外部に排出する排熱系35と、上記空間33内に冷却媒体を導入して強制的に冷却する強制冷却手段36とが設けられている。上記排熱系35は、例えば断熱材16の上部に設けられた排気口37と、該排気口37と図示しない工場排気系とを結ぶ図示しない排熱管とから構成されている。排熱管には図示しない排気ブロワ及び熱交換器が設けられている。
In addition, in order to speed up the processing and improve the throughput by rapidly cooling the wafer after the heat treatment, the
上記強制冷却手段36は、上記断熱材16と外皮28の間に高さ方向に複数形成された環状流路38と、各環状流路38から断熱材16の中心斜め方向へ冷却媒体を吹き出して上記空間33の周方向に旋回流を生じさせるべく断熱材16に設けられた強制冷却用冷却媒体吹出し孔40とを有している。上記環状流路38は、断熱材16の外周面に帯状又は環状の断熱材41を貼り付けるか、或いは断熱材16の外周面を環状に削ることにより形成されている。上記冷却媒体吹出し孔40は、図6(a)、(b)に示すように断熱材16における上下に隣接するヒータエレメント18の間である棚部17にこれを径方向の内外に貫通するように形成されていることが好ましい。このように冷却媒体吹出し孔40を棚部17に設けることにより、ヒータエレメント18に邪魔されることなく冷却媒体を上記空間33に噴出することができる。
The forced cooling means 36 blows out a cooling medium in a direction oblique to the center of the
上記外皮28の外周面には、各環状流路38に冷却媒体を分配供給するための共通の1本の供給ダクト49が高さ方向に沿って設けられ、外皮28には供給ダクト内と各環状流路38とを連通する連通口が形成されている。供給ダクト49には冷却媒体を吸引し、圧送供給する図示しない冷却媒体供給源(例えば送風機)が開閉バルブを介して接続されている。
A
なお、冷却媒体としては、空気、窒素、水等が考えられる。 In addition, air, nitrogen, water, etc. can be considered as a cooling medium.
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。 Next, the operation of the present embodiment having such a configuration will be described.
まずローディングエリア内においてボート12内にウエハWが移載され、次に蓋体10が、昇降機構13により上昇し、保温筒11およびボート12が処理容器3内に挿入され、その後処理容器3の炉口3aが蓋体10により閉塞される。このとき処理容器3のフランジ3bと蓋体10との間に密封シール10Aが介在され、処理容器3の炉口3aを蓋体10により確実に閉塞することができる。
First, the wafer W is transferred into the
次にヒータエレメント18からなるヒータ5が作動し、同時に排熱系35および強制冷却手段36が駆動されて、処理容器3内の温度制御が行なわれる。
Next, the
また、処理容器3内には、以下のような手順で、処理ガスが供給される。
Further, processing gas is supplied into the
すなわち、まず処理容器3内を温度制御しながら、導入ポート8から処理ガスが処理容器3内に供給され、ウエハWに対して所望の熱処理が施される。このとき、蓋体10に設けられている回転機構13Aによりボート12が処理容器3内で回転する。
That is, first, while controlling the temperature inside the
次に処理容器3内のガスが排気ポート8Aから排気され、処理容器3内が真空状態となるまで減圧される。
Next, the gas in the
このようにしてウエハWに対する所望の処理ガスによる熱処理が施され、次にウエハに対して更なる処理ガスによる熱処理が施される。 In this way, the wafer W is heat-treated with a desired process gas, and then the wafer is further heat-treated with a process gas.
すなわち処理容器3に対して上述した温度制御が繰り返され、導入ポート8から別の処理ガスが処理容器3内に供給され、ウエハWに対する更なる熱処理が施される。
That is, the above-described temperature control is repeated for the
このようにしてウエハWに対する熱処理が終了すると、昇降機構13により蓋体10が降下し、蓋体10上に保温筒11を介して保持されているボート12がローディングエリアまで移動する。
When the heat treatment for the wafer W is completed in this manner, the
ところで、上述のように、半導体ウエハWに対する熱処理工程中に、処理容器3内のガスが排気されて処理容器3内が真空状態となるまで減圧される。
Incidentally, as described above, during the heat treatment process for the semiconductor wafer W, the pressure in the
このような場合、蓋体10に対して大きな負圧がかかることになる。本実施の形態によれば、蓋体10が下方に向って突出する湾曲板からなるため、例えば半導体ウエハWが450mmの直径をもつ大型のウエハからなり、これに伴なって蓋体10が550〜750mm前後の直径をもつようになったとしても、平板状の蓋体に比べて蓋体10に加わる応力を小さく抑えることができる。このため蓋体10を過度に厚肉とする必要はない。
In such a case, a large negative pressure is applied to the
次に、蓋体10の形状と、蓋体10に加わるたわみ量との関係について、以下説明する。
Next, the relationship between the shape of the
一例として、蓋体10の形状を平板状のものから湾曲状のものまで種々変化させるとともに、湾曲状のものについては更に曲率半径Rが1200mm、1300mm、1500mmのものを準備した。次に蓋体10の肉厚を5mm、12mm、15mmの3段階で変化させた。
As an example, the shape of the
次にこのような構成からなる蓋体10を用いて処理容器3の炉口3aを閉塞した。次に処理容器3内を真空に維持し(約0Torr)、蓋体10に対するたわみ量を求めた。
Next, the
蓋体10の形状と、蓋体10に加わるたわみ量との関係を図8に示す。
The relationship between the shape of the
図8に示すように、曲率半径Rが1300mmで厚みが5mmの蓋体は、総高さが44mmとなる。また曲率半径Rが1300mmで厚みが5mmの蓋体10は、平板状で厚みが12mmの蓋体のひずみ量(0.47mm)と略同一のひずみ量(0.45mm)をもつことがわかった。
As shown in FIG. 8, the lid having a radius of curvature R of 1300 mm and a thickness of 5 mm has a total height of 44 mm. Further, it was found that the
このため湾曲板からなり曲率半径Rが1300mmの蓋体10は、同様のたわみ量を示す平板状の蓋体10に比べて、蓋体10の肉厚を小さく抑えることができる。
For this reason, the
ここで曲率半径Rが1200mmで厚みが5mmの蓋体10については、さらに小さなたわみ量を示すが、曲率半径が小さすぎて、結局蓋体10の総高さが大きくなり、熱処理炉2の全長も大きくなる。この場合、蓋体10に安定した面積の平坦部10aを取ることはむずかしい。
Here, the
他方、曲率半径Rが1500mmで厚みが5mmの蓋体10は、曲率半径Rが1300mmで厚みが5mmの蓋体10に比べると、たわみ量が大きくなってしまう。
On the other hand, the
このため蓋体10の形状を上述のように5mm以上の厚みをもち、曲率半径Rが1300mmの湾曲板に設定した。
For this reason, the shape of the
W 半導体ウエハ(被処理体)
1 熱処理装置
2 熱処理炉
3 処理容器
3a 炉口
5 ヒータ
10 蓋体
10a 平坦部
11 保温筒
12 ボート
13 昇降機構
16 断熱材
17 棚部
18 ヒータエレメント
W Semiconductor wafer (object to be processed)
DESCRIPTION OF
Claims (3)
上記処理容器の炉口を閉塞する蓋体と、
該蓋体上に載置され被処理体を多段に保持する保持具と、
蓋体を昇降させて蓋体により炉口を開閉するとともに上記処理容器内へ保持具を搬入しかつ搬出する昇降機構と備え、上記蓋体は下方へ向って突出する湾曲板からなり、上記蓋体は、550〜750mmの直径を有することを特徴とする熱処理装置。 A vertical cylindrical processing container having a furnace port at the bottom for accommodating the object to be heat-treated, a heat insulating material covering the periphery of the processing container, and a heater provided on the inner peripheral surface of the heat insulating material A heat treatment furnace having,
A lid for closing the furnace port of the processing vessel;
A holder placed on the lid for holding the object to be processed in multiple stages;
The lid includes a lifting mechanism that moves the lid up and down to open and close the furnace port and carries the holding tool into and out of the processing container. The lid comprises a curved plate protruding downward, and the lid The heat treatment apparatus characterized in that the body has a diameter of 550 to 750 mm .
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