KR101895098B1 - Method for manufacturing laminated body - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 기판과, 보강판을 갖고, 상기 보강판이 수지층 및 지지판을 갖는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공함으로써 적층체를 얻는, 적층체의 제조 방법으로서, 상기 적층체 블록의 측연부를 원판 형상 또는 원통 형상의 회전하는 지석으로 연삭하는 연삭 공정을 갖고, 상기 연삭 공정에 있어서, 상기 지석의 연삭면은, 상기 수지층과 상기 기판의 계면, 및 상기 수지층과 상기 지지판의 계면에 대하여 비스듬히 접촉되는 적층체의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention provides a method for producing a laminate by chamfering a side edge portion of a laminate block having a substrate and a reinforcing plate and a reinforcing plate having a resin layer and a supporting plate, Wherein the grinding surface of the grinding wheel is inclined with respect to an interface between the resin layer and the substrate and an interface between the resin layer and the support plate at an angle to the interface between the resin layer and the support plate To a method for producing a laminated body to be contacted.

Description

적층체의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATED BODY}[0001] METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATED BODY [0002]

본 발명은 적층체의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a laminate.

액정 디스플레이(LCD)나 플라즈마 디스플레이(PDP), 유기 EL 디스플레이(OLED) 등의 표시 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 등의 전자 디바이스는 박형화, 경량화가 요망되고 있고, 이들 전자 디바이스에 사용되는 기판의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 기판의 강성이 낮아지면, 기판의 핸들링성이 나빠진다. 더하여, 박판화에 의해 기판의 두께가 바뀌면, 기존 설비를 사용한 전자 디바이스의 제조가 곤란해진다.Electronic devices such as display panels such as a liquid crystal display (LCD), a plasma display (PDP), and an organic EL display (OLED), solar cells and thin film secondary batteries are required to be thinned and lightweight. Thinning is progressing. If the rigidity of the substrate is lowered by thinning, the handling property of the substrate is deteriorated. In addition, if the thickness of the substrate is changed by thinning, it becomes difficult to manufacture an electronic device using existing equipment.

따라서, 기판에 보강판을 부착하여 적층체 블록으로 하고, 적층체 블록의 기판 위에, 소정의 기능층(예를 들어, 도전층)을 형성하고, 그 후 적층체 블록의 기판으로부터 보강판을 박리하는 방법이 제안되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 상기 방법에 따르면, 기판의 핸들링성을 확보할 수 있으며, 또한 기존의 설비를 사용한 박형의 전자 디바이스의 제조가 가능하다.Therefore, a reinforcing plate is attached to the substrate to form a laminated block, a predetermined functional layer (for example, a conductive layer) is formed on the substrate of the laminated block, and then the reinforcing plate is peeled from the substrate of the laminated block (See, for example, Patent Document 1). According to the above method, handling properties of the substrate can be ensured, and a thin electronic device using existing equipment can be manufactured.

보강판은 기판에 박리 가능하게 결합하는 수지층과, 수지층을 개재해서 기판을 지지하는 지지판을 갖는다. 수지층은 유동성을 갖는 수지 조성물을 지지판 위에 도포하고, 경화시켜서 형성된다. 수지 조성물은, 예를 들어 실리콘 수지 조성물이며, 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산과, 히드로실릴기를 갖는 메틸히드로겐폴리실록산을 포함하고, 백금 촉매의 존재 하에서 가열 경화된다. 이 수지 조성물이 경화물을 포함해서 이루어지는 수지층은, 내열성이나 박리 용이성이 우수하다.The reinforcing plate has a resin layer releasably coupled to the substrate and a support plate for supporting the substrate via the resin layer. The resin layer is formed by applying a resin composition having flowability onto a support plate and curing it. The resin composition is, for example, a silicone resin composition comprising a straight-chain polyorganosiloxane having a vinyl group and a methylhydrogenpolysiloxane having a hydrosilyl group, and is heat-cured in the presence of a platinum catalyst. The resin layer in which the resin composition includes a cured product is excellent in heat resistance and peelability.

일본 특허 공개 2007-326358호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-326358

도 6은 종래의 적층체 블록의 측면도이다. 적층체 블록(111)은 기판(112)과, 기판(112)을 보강하는 보강판(113)을 갖는다. 보강판(113)은 기판(112)에 박리 가능하게 결합하는 수지층(114)과, 수지층(114)을 개재해서 기판(112)을 지지하는 지지판(115)을 갖는다. 적층체 블록(111)의 내충격성의 향상을 목적으로 해서, 적층체 블록(111)의 측연부는 모따기 가공된다.6 is a side view of a conventional laminate block. The laminate block 111 has a substrate 112 and a reinforcing plate 113 for reinforcing the substrate 112. The reinforcing plate 113 has a resin layer 114 that is detachably coupled to the substrate 112 and a support plate 115 that supports the substrate 112 via the resin layer 114. For the purpose of improving the impact resistance of the laminate block 111, the side edge portion of the laminate block 111 is chamfered.

도 7은 도 6에 나타내는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공하는 방법을 도시하는 평면도이다. 도 8은 도 6에 나타내는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공하는 방법을 도시하는 측면도이다.7 is a plan view showing a method of chamfering the side edge portion of the laminate block shown in Fig. 8 is a side view showing a method of chamfering the side edge portion of the laminate block shown in Fig.

적층체 블록(111)의 측연부(111a)는 지석(121)으로 연삭된다. 지석(121)은 원판 형상의 회전 지석이며, 그 외주면(121a)에는 전체 둘레에 걸쳐서 연삭홈(122)(도 8)이 형성되어 있다. 연삭홈(122)의 벽면(122a)과 적층체 블록(111)의 측연부(111a)가 접촉된 상태에서, 지석(121)이 지석(121)의 둘레 방향(도 7의 X 방향)으로 회전되면서, 적층체 블록(111)에 대하여 상대적으로 이동(도 7의 Y 방향)됨으로써, 적층체 블록(111)의 측연부(111a)가 연삭홈(122)의 형상과 동일한 형상으로 연삭된다.The side edge portion 111a of the laminate block 111 is ground into the grindstone 121. [ The grindstone 121 is a disc-shaped rotating grindstone, and a grind groove 122 (FIG. 8) is formed on the entire circumference of the outer peripheral surface 121a. The grinding wheel 121 is rotated in the circumferential direction of the grinding wheel 121 (X direction in FIG. 7) in a state in which the wall surface 122a of the grinding groove 122 is in contact with the side edge portion 111a of the stacking block 111, The side edge portion 111a of the laminate block 111 is ground in the same shape as the shape of the grinding groove 122 by moving relative to the laminate block 111 (Y direction in FIG. 7).

연삭면인 벽면(122a)은 수지층(114) 및 기판(112)의 계면(116), 및 수지층(114) 및 지지판(115)의 계면(117)에 대하여 수직으로 접촉된다. 이 경우, 계면(116) 및 계면(117) 중 적어도 한쪽 근방에 있어서, 기판(112) 및 지지판(115) 중 적어도 한쪽 코너부가 부족한 경우가 있었다.The wall surface 122a as the grinding surface is vertically contacted with the resin layer 114 and the interface 116 of the substrate 112 and the interface 117 between the resin layer 114 and the support plate 115. [ In this case, at least one of the substrate 112 and the support plate 115 may be lacking in the vicinity of at least one of the interface 116 and the interface 117.

벽면(122a)에 포함되는 지립에 의해, 적층체 블록(111)의 측면에 마이크로 균열(118)이 발생하고, 이 마이크로 균열(118)이 계면(116) 및 계면(117) 중 적어도 한쪽에 도달하기 때문이다. 마이크로 균열(118)은, 도 8에 도시한 바와 같이, 벽면(122a)에 대하여 비스듬히 신전하는 경향이 있다.The abrasive grains contained in the wall surface 122a cause the micro cracks 118 to be generated on the side surfaces of the laminate block 111 and the micro cracks 118 reach at least one of the interface 116 and the interface 117 . The micro crack 118 tends to be obliquely extended with respect to the wall surface 122a as shown in Fig.

도 9는 도 7에 나타내는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공함으로써 얻어지는 적층체의 측면도이다. 도 9에 있어서, 연삭 전의 적층체 블록의 상태를 이점쇄선으로 나타낸다.Fig. 9 is a side view of a laminate obtained by chamfering a side edge portion of the laminate block shown in Fig. 7; Fig. In Fig. 9, the state of the laminate block before grinding is indicated by a chain double-dashed line.

적층체 블록(111)의 측연부(111a)를 연삭함으로써 얻어지는 적층체(131)는 적층체 블록(111)과 마찬가지로, 기판(132)과 보강판(133)을 갖고, 보강판(133)은 수지층(134)과 지지판(135)을 갖는다. 적층체(131)의 측면에는, 연삭 중에 발생하는 마이크로 균열(118)(도 8)에 의해, 오목부(139)가 형성되어 있다.The laminate 131 obtained by grinding the side edge portion 111a of the laminate block 111 has the substrate 132 and the reinforcing plate 133 similarly to the laminate block 111 and the reinforcing plate 133 And has a resin layer 134 and a support plate 135. On the side surface of the layered product 131, a concave portion 139 is formed by microcracks 118 (FIG. 8) generated during grinding.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 연삭에 의한 절결의 발생을 저감 가능한 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a method of manufacturing a laminate capable of reducing occurrence of cutting by grinding.

상기 목적을 해결하기 위해서, 본 발명은,In order to solve the above object,

기판과, 상기 기판을 보강하는 보강판을 갖고, 상기 보강판이 상기 기판에 박리 가능하게 결합하는 수지층 및 상기 수지층을 개재해서 상기 기판을 지지하는 지지판을 갖는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공함으로써 적층체를 얻는, 적층체의 제조 방법으로서,A side edge portion of a laminate block having a substrate and a reinforcing plate for reinforcing the substrate, the reinforcing plate having a resin layer releasably engaged with the substrate and a support plate for supporting the substrate via the resin layer is chamfered A method for producing a laminate,

상기 적층체 블록의 측연부를 지석으로 연삭하는 연삭 공정을 갖고, 상기 연삭 공정에 있어서, 상기 지석의 연삭면은, 상기 수지층과 상기 기판의 계면, 및 상기 수지층과 상기 지지판의 계면에 대하여 비스듬히 접촉되는 적층체의 제조 방법을 제공한다.And a grinding step of grinding the side edge portion of the laminate block with a grinding stone, wherein in the grinding step, the grinding surface of the grinding wheel is inclined at an angle between the interface between the resin layer and the substrate and the interface between the resin layer and the support plate A method for producing a laminated body to be contacted is provided.

본 발명에 따르면, 연삭에 의한 절결의 발생을 저감 가능한 적층체의 제조 방법을 제공할 수 있다.INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing a laminate capable of reducing occurrence of cutting due to grinding.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법에서 사용되는 적층체 블록의 측면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법을 도시하는 평면도.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법을 도시하는 측면도.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법에 의해 얻어지는 적층체의 측면도.
도 5a는 연삭면인 벽면과 계면의 이루는 각과, 오프셋양의 관계의 일례를 나타내는 측면도 1.
도 5b는 연삭면인 벽면과 계면의 이루는 각과, 오프셋양의 관계의 일례를 나타내는 측면도 2.
도 5c는 연삭면인 벽면과 계면의 이루는 각과, 오프셋양의 관계의 일례를 나타내는 측면도 3.
도 6은 종래의 적층체 블록의 측면도.
도 7은 도 6에 나타내는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공하는 방법을 도시하는 평면도.
도 8은 도 7에 나타내는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공하는 방법을 도시하는 측면도.
도 9는 도 7에 나타내는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공함으로써 얻어지는 적층체의 측면도.
1 is a side view of a laminated block used in a method of manufacturing a laminated body according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view showing a method of manufacturing a laminate according to an embodiment of the present invention.
3 is a side view showing a method of manufacturing a laminate according to an embodiment of the present invention.
4 is a side view of a laminate obtained by the method for producing a laminate according to one embodiment of the present invention.
5A is a side view showing an example of the relationship between the angle formed between the wall surface which is the grinding surface and the interface and the offset amount.
5B is a side view showing an example of the relationship between the angle formed between the wall surface which is the grinding surface and the interface and the offset amount;
5C is a side view showing an example of the relationship between the angle formed between the wall surface which is the grinding surface and the interface and the offset amount;
6 is a side view of a conventional laminate block.
Fig. 7 is a plan view showing a method of chamfering a side edge portion of the laminate block shown in Fig. 6; Fig.
Fig. 8 is a side view showing a method of chamfering the side edge portion of the laminate block shown in Fig. 7; Fig.
Fig. 9 is a side view of a laminate obtained by chamfering a side edge portion of the laminate block shown in Fig. 7; Fig.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명하지만, 각 도면에 있어서, 동일하거나 또는 대응하는 구성에는 동일하거나 또는 대응하는 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding constituent elements are denoted by the same or corresponding reference numerals, and a description thereof will be omitted.

(적층체 블록)(Laminated block)

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법에서 사용되는 적층체 블록의 측면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a side view of a laminate block used in a method of manufacturing a laminate according to an embodiment of the present invention; FIG.

도 1에 도시한 바와 같이, 적층체 블록(11)은 기판(12)과, 기판(12)을 보강하는 보강판(13)을 갖는다. 보강판(13)은 기판(12)에 박리 가능하게 결합하는 수지층(14)과, 수지층(14)을 개재해서 기판(12)을 지지하는 지지판(15)으로 구성된다. 기판(12)의 측면, 수지층(14)의 측면 및 지지판(15)의 측면은, 동일 평면으로 되어 있다.As shown in Fig. 1, the laminate block 11 has a substrate 12 and a reinforcing plate 13 for reinforcing the substrate 12. The reinforcing plate 13 is composed of a resin layer 14 that is detachably coupled to the substrate 12 and a support plate 15 that supports the substrate 12 via the resin layer 14. The side surface of the substrate 12, the side surface of the resin layer 14, and the side surface of the support plate 15 are coplanar.

적층체 블록(11)은 후술하는 가공 방법으로 가공된 후, 기판(12)을 제품 구조의 일부로서 갖는 제품의 제조에 사용된다. 보강판(13)은 제품의 제조 공정 도중에, 기판(12)으로부터 박리되어, 제품 구조의 일부로는 되지 않는다. 제품으로서는, 예를 들어 표시 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 등의 전자 디바이스를 들 수 있다.The laminate block 11 is processed by a processing method described later, and then used for manufacturing a product having the substrate 12 as a part of the product structure. The reinforcing plate 13 is peeled off the substrate 12 during the manufacturing process of the product, and does not become a part of the product structure. Examples of products include electronic devices such as display panels, solar cells, and thin film secondary batteries.

적층체 블록(11)은 종래의 기판(보강판에 의해 보강되어 있지 않은 기판)을 처리하는 처리 설비를 사용하여 전자 디바이스를 제조하기 위해서, 종래의 기판과 대략 동일한 두께를 가져도 된다. 예를 들어, 현행의 전자 디바이스의 제조 공정이 두께 0.5㎜의 기판을 처리하도록 설계된 것으로서, 기판(12)의 두께와 수지층(14)의 두께의 합이 0.1㎜인 경우, 지지판(15)의 두께를 0.4㎜로 한다. 이하, 도 1에 기초하여, 각 구성에 대하여 설명한다.The laminate block 11 may have a thickness substantially equal to that of a conventional substrate in order to manufacture an electronic device using a processing equipment for processing a conventional substrate (a substrate not reinforced by a reinforcing plate). For example, if the current electronic device manufacturing process is designed to process a substrate having a thickness of 0.5 mm, and the sum of the thickness of the substrate 12 and the thickness of the resin layer 14 is 0.1 mm, The thickness is 0.4 mm. Hereinafter, each configuration will be described with reference to Fig.

(기판)(Board)

기판(12)은 전자 디바이스용 기판이다. 기판(12)의 표면에는, 전자 디바이스의 제조 공정에 있어서, 소정의 기능층(예를 들어, 도전층)이 형성된다. 기능층의 종류는, 전자 디바이스의 종류에 따라 선택되고, 복수의 기능층이 기판(12) 위에 순차 적층되어도 된다.The substrate 12 is a substrate for an electronic device. On the surface of the substrate 12, a predetermined functional layer (for example, a conductive layer) is formed in the manufacturing process of the electronic device. The types of functional layers may be selected depending on the type of electronic device, and a plurality of functional layers may be sequentially stacked on the substrate 12. [

기판(12)의 종류는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 유리 기판, 세라믹스 기판, 수지 기판, 금속 기판, 반도체 기판 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 유리 기판이 바람직하다. 유리 기판은 내약품성, 내투습성이 우수하고, 또한 선팽창 계수가 작기 때문이다. 선팽창 계수가 크면, 전자 디바이스의 제조 공정은 가열 처리를 수반하는 경우가 많으므로, 여러가지 문제가 발생하기 쉽다. 예를 들어, 가열 하에서 TFT(박막 트랜지스터)가 형성된 기판(12)을 냉각하면, 기판(12)의 열수축에 의해, TFT의 위치 어긋남이 과대해질 우려가 있다.The type of the substrate 12 is not particularly limited, and examples thereof include a glass substrate, a ceramics substrate, a resin substrate, a metal substrate, and a semiconductor substrate. Among these, a glass substrate is preferable. This is because the glass substrate is excellent in chemical resistance and moisture permeability, and has a small linear expansion coefficient. If the coefficient of linear expansion is large, the manufacturing process of the electronic device often involves heat treatment, and therefore various problems are likely to occur. For example, when the substrate 12 on which the TFT (thin film transistor) is formed under cooling is cooled, the positional deviation of the TFT may be excessive due to the heat shrinkage of the substrate 12.

유리 기판은, 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판 형상으로 성형하여 얻어진다. 이러한 성형 방법은, 일반적인 것이어도 되고, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로법, 푸르콜법, 러버스법 등이 사용된다. 또한, 특히 두께가 얇은 유리 기판은, 일단 판 형상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단에 의해 잡아늘여서 얇게 하는 방법(리드로우법)으로 성형하여 얻어진다.The glass substrate is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate shape. For example, a float method, a fusion method, a slot down-draw method, a pull-call method, a lubrication method, or the like is used. In particular, a glass substrate having a small thickness can be obtained by heating the glass molded into a plate shape at a moldable temperature, stretching it by stretching or the like and thinning it (lead-through method).

유리 기판의 유리로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 무알칼리 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화 규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리 등을 들 수 있다. 산화물계 유리로서는, 산화물 환산에 의한 산화 규소의 함유량이 40 내지 90질량%의 유리가 바람직하다.The glass of the glass substrate is not particularly limited, and examples thereof include alkali-free glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, and oxide-based glass containing other silicon oxide as a main component. As the oxide-based glass, glass having a silicon oxide content of 40 to 90 mass% in terms of oxide is preferable.

유리 기판의 유리로서는, 전자 디바이스의 종류나 그 제조 공정에 적합한 유리가 채용되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 액정 디스플레이용 유리 기판은, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)를 포함해서 이루어지는 것이 바람직하다. 이와 같이, 유리 기판의 유리는, 적용되는 전자 디바이스의 종류 및 그 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.As the glass of the glass substrate, it is preferable to adopt glass suitable for the kind of the electronic device and the manufacturing process thereof. For example, the glass substrate for a liquid crystal display preferably comprises glass (alkali-free glass) substantially not containing an alkali metal component. Thus, the glass of the glass substrate is appropriately selected based on the kind of electronic device to be applied and the manufacturing process thereof.

수지 기판의 수지는, 결정성 수지여도 되고, 비결정성 수지여도 되며, 특별히 한정되지 않는다.The resin of the resin substrate may be either a crystalline resin or an amorphous resin and is not particularly limited.

상기 결정성 수지로서는, 예를 들어 열가소성 수지인 폴리아미드, 폴리아세탈, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 혹은 신디오택틱폴리스티렌 등을 들 수 있고, 열경화성 수지에서는 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르에테르케톤, 액정 중합체, 불소 수지, 혹은 폴리에테르니트릴 등을 들 수 있다.Examples of the crystalline resin include thermoplastic resins such as polyamide, polyacetal, polybutylene terephthalate, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, syndiotactic polystyrene and the like. In the thermosetting resin, polyphenylene sulfide , Polyether ether ketone, liquid crystal polymer, fluororesin, or polyether nitrile.

상기 비결정성 수지로서, 예를 들어 열가소성 수지인 폴리카르보네이트, 변성 폴리페닐렌에테르, 폴리시클로헥센, 혹은 폴리노르보르넨계 수지 등을 들 수 있고, 열경화성 수지에서는 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 혹은 열가소성 폴리이미드를 들 수 있다.Examples of the amorphous resin include polycarbonate as a thermoplastic resin, modified polyphenylene ether, polycyclohexene, or polynorbornene-based resin. As the thermosetting resin, polysulfone, polyethersulfone, poly A polyamideimide, a polyetherimide, or a thermoplastic polyimide.

수지 기판의 수지로서는, 비결정성에서 열가소성의 수지가 특히 바람직하다.As the resin of the resin substrate, a thermoplastic resin is particularly preferable from the amorphous state.

기판(12)의 두께는, 기판(12)의 종류에 따라 설정된다. 예를 들어, 유리 기판의 경우, 전자 디바이스의 경량화, 박판화를 위해, 바람직하게는 0.7㎜ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.3㎜ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.1㎜ 이하이다. 0.7㎜ 초과인 경우, 유리 기판의 박형화 및/또는 경량화의 요구를 만족시킬 수 없다. 0.3㎜ 이하인 경우, 유리 기판에 양호한 가요성을 부여하는 것이 가능하다. 0.1㎜ 이하인 경우, 유리 기판을 롤 형상으로 권취하는 것이 가능하다. 또한, 유리 기판의 두께는, 유리 기판의 제조가 용이한 것, 유리 기판의 취급이 용이한 것 등의 이유로, 0.03㎜ 이상인 것이 바람직하다.The thickness of the substrate 12 is set according to the type of the substrate 12. For example, in the case of a glass substrate, it is preferably not more than 0.7 mm, more preferably not more than 0.3 mm, and even more preferably not more than 0.1 mm, in order to reduce the weight and thickness of the electronic device. If it is more than 0.7 mm, the demand for thinning and / or lightening of the glass substrate can not be satisfied. When the thickness is 0.3 mm or less, it is possible to impart good flexibility to the glass substrate. When the thickness is 0.1 mm or less, the glass substrate can be rolled up. The thickness of the glass substrate is preferably 0.03 mm or more for easy production of the glass substrate, easy handling of the glass substrate, and the like.

(수지층)(Resin layer)

수지층(14)은 기판(12)에 밀착되면, 박리 조작이 행해질 때까지, 기판(12)의 위치 어긋남을 방지한다. 수지층(14)은 박리 조작에 의해 기판(12)으로부터 용이하게 박리한다. 기판(12)을 용이하게 박리함으로써, 기판(12)의 파손을 방지할 수 있고, 또한 의도하지 않은 위치(수지층(14)과 지지판(15) 사이)에서의 박리를 방지할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 밀착이란 박리 가능하게 결합하는 것을 의미한다. 여기서, 박리 가능하게 결합한다란, 기판(12)을 수지층(14)으로부터 박리할 때, 지지판(15)을 수지층(14)으로부터 박리시키지 않고, 기판(12)을 수지층(14)으로부터 박리할 수 있는 것을 의미한다. 즉, 지지판(15)과 수지층(14)의 결합력이, 기판(12)과 수지층(14)의 결합력보다 큰 것을 의미한다.When the resin layer 14 adheres to the substrate 12, the positional deviation of the substrate 12 is prevented until the peeling operation is performed. The resin layer 14 is easily peeled off from the substrate 12 by the peeling operation. It is possible to prevent breakage of the substrate 12 and to prevent peeling at an unintended position (between the resin layer 14 and the support plate 15). In the present specification, adhesion refers to peelable bonding. The releasable coupling means that the substrate 12 is separated from the resin layer 14 without peeling the support plate 15 from the resin layer 14 when the substrate 12 is peeled from the resin layer 14 It means that it can peel off. That is, the bonding force between the support plate 15 and the resin layer 14 is greater than the bonding force between the substrate 12 and the resin layer 14. [

수지층(14)은 지지판(15)의 결합력이, 기판(12)의 결합력보다 상대적으로 높아지도록 형성된다(형성 방법의 상세한 것은 후술). 이에 의해, 박리 조작이 행해질 때, 적층체 블록(11)이 의도하지 않은 위치(수지층(14)과 지지판(15) 사이)에서 박리하는 것을 방지할 수 있다.The resin layer 14 is formed such that the bonding force of the support plate 15 is relatively higher than the bonding force of the substrate 12 (details of the forming method will be described later). This makes it possible to prevent the laminate block 11 from peeling at an unintended position (between the resin layer 14 and the support plate 15) when the peeling operation is performed.

수지층(14)과 기판(12) 사이에서의 초기 박리 강도는, 전자 디바이스의 제조 공정에 따라서 설정된다. 예를 들어 기판(12)에 판 두께 0.05㎜의 폴리이미드 필름(도레이 듀퐁사 제조, 캡톤 200HV)을 사용한 경우, 하기의 박리 시험에서, 초기 박리 강도의 하한값은 0.3N/25㎜, 바람직하게는 0.5N/25㎜, 보다 바람직하게는 1N/25㎜이다. 또한, 초기 박리 강도의 상한값은 10N/25㎜, 바람직하게는 5N/25㎜이다. 여기서, 「초기 박리 강도」란, 적층체 블록(11)의 제작 직후의 박리 강도를 말하고, 실온에서 측정한 박리 강도를 말한다.The initial peel strength between the resin layer 14 and the substrate 12 is set according to the manufacturing process of the electronic device. For example, when a polyimide film (Capton 200HV, manufactured by Toray DuPont) having a thickness of 0.05 mm is used for the substrate 12, the lower limit value of the initial peel strength in the following peeling test is 0.3 N / 25 mm, 0.5 N / 25 mm, and more preferably 1 N / 25 mm. The upper limit value of the initial peel strength is 10 N / 25 mm, preferably 5 N / 25 mm. Here, the " initial peel strength " refers to the peel strength immediately after the production of the laminate block 11, and refers to the peel strength measured at room temperature.

초기 박리 강도가 0.3N/25㎜ 이상이면 의도하지 않은 분리를 충분히 제한할 수 있다. 한편, 초기 박리 강도가 10N/25㎜ 이하이면, 수지층(14)과 기판(12)의 위치 관계를 수정하는 경우 등에, 기판(12)으로부터 수지층(14)을 박리하는 것이 용이해진다.If the initial peel strength is 0.3 N / 25 mm or more, unintentional separation can be sufficiently restricted. On the other hand, if the initial peel strength is 10 N / 25 mm or less, peeling of the resin layer 14 from the substrate 12 becomes easy, for example, when the positional relationship between the resin layer 14 and the substrate 12 is corrected.

또한, 박리 시험은, 다음의 측정 방법에 의해 나타낸다.The peeling test is shown by the following measuring method.

세로 25㎜×가로 75㎜의 지지판(15) 위의 전체면에 수지층(14)을 형성하고, 세로 25㎜×가로 50㎜의 기판(12)을, 지지판(15)과 기판(12) 중 한쪽 세로의 면이 일치되도록 적층한 것을 평가 샘플로 한다. 그리고, 이 평가 샘플의 기판(12)의 수지층(14)측의 면에 대향하는 면을 양면 테이프로 검사대의 끝에 고정한 다음, 비어져 나와 있는 지지판(세로 25×가로 25㎜)의 중앙부를, 디지털 포스 게이지를 사용하여 수직으로 들어 올려, 박리 강도를 측정한다.A resin layer 14 is formed on the entire surface of a support plate 15 having a length of 25 mm and a width of 75 mm and a substrate 12 having a length of 25 mm and a width of 50 mm is placed on the support plate 15 and the substrate 12 The evaluation sample is obtained by laminating one of the vertical surfaces so as to coincide with each other. The surface of the evaluation sample on the side of the resin layer 14 side of the substrate 12 was fixed to the end of the test strip with a double-sided tape and then the central portion of the support plate (25 mm long by 25 mm wide) Using a digital force gauge, lift it vertically and measure the peel strength.

수지층(14)과 기판(12) 사이에서의 가열 후의 박리 강도는, 전자 디바이스의 제조 공정에 의하지만, 상기 박리 시험에서, 예를 들어 8.5N/25㎜ 이하인 것이 바람직하고, 7.8N/25㎜ 이하가 보다 바람직하고, 4.5N/25㎜ 이하인 것이 더 바람직하다. 여기서, 「가열 후의 박리 강도」란, 수지층(14)이 350℃(박막 트랜지스터를 구성하는 아몰퍼스 실리콘층의 형성 온도에 상당)에서 가열된 후에, 실온에서 측정한 박리 강도를 말한다.The peel strength after heating between the resin layer 14 and the substrate 12 is preferably 8.5 N / 25 mm or less in the peeling test, and is preferably 7.8 N / 25 mm or less, for example, Mm or less, and more preferably 4.5 N / 25 mm or less. Here, the "peeling strength after heating" refers to the peeling strength measured at room temperature after the resin layer 14 is heated at 350 ° C (corresponding to the formation temperature of the amorphous silicon layer constituting the thin film transistor).

가열 후의 박리 강도가 0.3N/25㎜ 이상이면 의도하지 않은 분리를 충분히 제한할 수 있다. 한편, 가열 후의 박리 강도가 10N/25㎜ 이하이면, 기판(12)으로부터 수지층(14)을 박리하는 것이 용이해진다.If the peel strength after heating is 0.3 N / 25 mm or more, unintentional separation can be sufficiently restricted. On the other hand, if the peel strength after heating is 10 N / 25 mm or less, it is easy to peel the resin layer 14 from the substrate 12.

수지층(14)의 수지는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 수지층(14)의 수지로서는, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드실리콘 수지 등을 들 수 있다. 몇몇 종류의 수지를 혼합하여 사용할 수도 있다. 그 중에서도, 내열성이나 박리성의 관점에서, 실리콘 수지, 폴리이미드실리콘 수지가 바람직하다.The resin of the resin layer 14 is not particularly limited. For example, examples of the resin of the resin layer 14 include acrylic resin, polyolefin resin, polyurethane resin, polyimide resin, silicone resin, and polyimide silicone resin. Several kinds of resins may be mixed and used. Among them, a silicone resin and a polyimide silicone resin are preferable from the viewpoint of heat resistance and releasability.

수지층(14)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 내지 50㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 7 내지 20㎛이다. 수지층(14)의 두께를 1㎛ 이상으로 함으로써 수지층(14)과 기판(12) 사이에 기포나 이물이 혼입된 경우에, 기판(12)의 변형을 억제할 수 있다. 한편, 수지층(14)의 두께가 50㎛ 이하이면, 수지층(14)의 형성 시간을 단축할 수 있고, 또한 수지층(14)의 수지를 필요 이상으로 사용하지 않기 때문에 경제적이다.The thickness of the resin layer 14 is not particularly limited, but is preferably 1 to 50 占 퐉, more preferably 5 to 30 占 퐉, and still more preferably 7 to 20 占 퐉. Deformation of the substrate 12 can be suppressed when bubbles or foreign matter are mixed between the resin layer 14 and the substrate 12 by making the thickness of the resin layer 14 at least 1 mu m. On the other hand, if the thickness of the resin layer 14 is 50 m or less, the formation time of the resin layer 14 can be shortened and the resin of the resin layer 14 is not used more than necessary.

또한, 수지층(14)은 2층 이상을 포함해서 이루어져 있어도 된다. 이 경우 「수지층의 두께」는 모든 수지층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.The resin layer 14 may be composed of two or more layers. In this case, the " thickness of the resin layer " means the total thickness of all the resin layers.

또한, 수지층(14)이 2층 이상을 포함해서 이루어지는 경우에는, 각각의 층을 형성하는 수지의 종류가 달라도 된다.In the case where the resin layer 14 includes two or more layers, the types of resins forming the respective layers may be different.

(지지판)(Support plate)

지지판(15)은 수지층(14)을 개재하여, 기판(12)을 지지하여 보강한다. 지지판(15)은 전자 디바이스의 제조 공정에 있어서의 기판(12)의 변형, 흠집 발생, 파손 등을 방지한다.The support plate 15 supports and reinforces the substrate 12 with the resin layer 14 interposed therebetween. The support plate 15 prevents deformation, scratches, breakage, and the like of the substrate 12 in the manufacturing process of the electronic device.

지지판(15)의 종류는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 유리판, 세라믹스판, 수지판, 반도체판, 금속판, 유리/수지 복합판 등이 사용된다. 지지판(15)의 종류는, 전자 디바이스의 종류나 기판(12)의 종류 등에 따라 선정되고, 기판(12)과 동일 종류이면, 지지판(15)과 기판(12)의 열팽창차가 작으므로, 가열에 의한 휨의 발생을 억제할 수 있다.The type of the support plate 15 is not particularly limited, and for example, a glass plate, a ceramic span, a resin plate, a semiconductor plate, a metal plate, a glass / resin composite plate and the like are used. Since the difference in thermal expansion between the support plate 15 and the substrate 12 is small if the type of the support plate 15 is the same as that of the type of the electronic device or the type of the substrate 12, It is possible to suppress the occurrence of warp caused by the warp.

지지판(15)과 기판(12)의 평균 선팽창 계수의 차(절댓값)는 기판(12)의 외형 등에 따라 적절히 설정되지만, 예를 들어 35×10-7/℃ 이하인 것이 바람직하다. 여기서, 「평균 선팽창 계수」란, 50 내지 300℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선팽창 계수(JIS R 3102 : 1995년)를 말한다.The difference (the absolute value) of the average linear expansion coefficient between the support plate 15 and the substrate 12 is appropriately set according to the outer shape of the substrate 12 and the like, but is preferably 35 × 10 -7 / ° C or lower, for example. Here, the "average coefficient of linear expansion" refers to the average coefficient of linear expansion (JIS R 3102: 1995) in the temperature range of 50 to 300 ° C.

지지판(15)의 두께는, 특별히 한정되지 않고 적층체 블록(11)을 기존의 처리 설비에 적합하게 하기 위해서, 0.7㎜ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 지지판(15)의 두께는, 기판(12)을 보강하기 위해서, 0.4㎜ 이상인 것이 바람직하다. 지지판(15)의 두께는, 기판(12)보다 두꺼워도 되고, 얇아도 된다.The thickness of the support plate 15 is not particularly limited, and it is preferable that the thickness of the support plate 15 is 0.7 mm or less in order to make the laminate block 11 suitable for existing processing equipment. In order to reinforce the substrate 12, the thickness of the support plate 15 is preferably 0.4 mm or more. The thickness of the support plate 15 may be thicker than that of the substrate 12, or may be thinner.

(적층체 블록의 제조 방법)(Method for producing laminated block)

적층체 블록(11)을 제조하는 방법으로서는, (1) 지지판(15) 위에 유동성을 갖는 수지 조성물을 도포하고, 경화시켜서, 수지층(14)을 형성한 후, 수지층(14) 위에 기판(12)을 압착하는 방법, (2) 소정의 기재 위에 유동성을 갖는 수지 조성물을 도포하고, 경화시켜서 수지층(14)을 형성한 후, 수지층(14)을 소정의 기재로부터 박리하고, 필름의 형태로, 기판(12)과 지지판(15) 사이에 끼워서 압착하는 방법, (3) 기판(12)과 지지판(15) 사이에 수지 조성물을 끼우고, 경화시켜서 수지층(14)을 형성하는 방법 등이 있다.The laminate block 11 is manufactured by the steps of: (1) applying a resin composition having flowability onto the support plate 15 and curing the resin composition to form a resin layer 14; (2) a method of applying a resin composition having fluidity on a predetermined substrate and curing the resin layer 14 to form a resin layer 14, then peeling the resin layer 14 from a predetermined substrate, (3) a method in which a resin composition is sandwiched between a substrate 12 and a support plate 15 and the resin composition 14 is cured to form a resin layer 14 .

상기 (1)의 방법에서는, 수지 조성물이 경화할 때, 수지 조성물이 지지판(15)과 상호 작용하므로, 지지판(15)과 수지층(14)의 결합력이, 수지층(14)과 기판(12)의 결합력보다 높아지기 쉽다.In the method (1), when the resin composition is cured, the resin composition interacts with the support plate 15, so that the bonding force between the support plate 15 and the resin layer 14 is higher than the bonding force between the resin layer 14 and the substrate 12 ). ≪ / RTI >

상기 (2)의 방법은, 수지층(14)의 압착 후의 결합력이, 기판(12)에 대하여 낮고, 지지판(15)에 대하여 높은 경우에 유효하다. 수지층(14)과의 접촉 전에, 기판(12) 또는 지지판(15)의 표면을 표면 처리하여, 수지층(14)과의 압착 후의 결합력에 차를 생기게 해도 된다.The method (2) is effective when the bonding force of the resin layer 14 after compression is lower than that of the substrate 12 and higher than that of the support plate 15. The surface of the substrate 12 or the support plate 15 may be subjected to a surface treatment before making contact with the resin layer 14 to cause a difference in bonding force between the resin layer 14 and the resin layer 14 after compression.

상기 (3)의 방법은, 수지 조성물의 경화 후의 결합력이, 기판(12)에 대하여 낮고, 지지판(15)에 대하여 높은 경우에 유효하다. 수지 조성물과의 접촉 전에, 기판(12) 또는 지지판(15)의 표면을 표면 처리하여, 수지 조성물의 경화 후의 결합력에 차를 생기게 해도 된다.The method (3) is effective when the bonding force of the resin composition after curing is low with respect to the substrate 12 and high with respect to the support plate 15. The surface of the substrate 12 or the support plate 15 may be subjected to a surface treatment before contact with the resin composition to cause a difference in bonding force after curing of the resin composition.

상기 (1) 내지 (3)의 방법에 있어서, 수지 조성물의 종류는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 수지 조성물은, 경화 기구에 따라, 축합 반응형, 부가 반응형, 자외선 경화형, 전자선 경화형으로 분류되지만, 모두 사용할 수 있다. 이들 중에서도 부가 반응형이 바람직하다. 경화 반응이 용이하고, 수지층(14)을 형성했을 때 박리성의 정도가 양호하고, 내열성도 높기 때문이다.In the above methods (1) to (3), the kind of the resin composition is not particularly limited. For example, the resin composition is classified into a condensation reaction type, an addition reaction type, an ultraviolet ray curable type, and an electron beam curable type according to a curing mechanism, but it can be used in all cases. Of these, the addition reaction type is preferable. This is because the curing reaction is easy and the degree of peelability is good when the resin layer 14 is formed and heat resistance is high.

또한, 수지 조성물은, 형태에 따라, 용제형, 에멀전형, 무용제형으로 분류되지만, 모두 사용 가능하다. 이들 중에서도 무용제형이 바람직하다. 그 이유는, 생산성, 환경 특성의 면이 우수하기 때문이다. 또한, 그 이유는, 수지층(14)을 형성할 때의 경화 시, 즉 가열 경화, 자외선 경화 또는 전자선 경화 시에 발포를 발생하는 용제를 포함하지 않기 때문에, 수지층(14) 중에 기포가 잔류하기 어렵기 때문이다.Further, the resin composition is classified into a solvent type, an emulsion type, and a no-solvent type depending on the form, but it is all usable. Of these, no-solvent formulations are preferred. This is because productivity and environmental characteristics are excellent. The reason for this is that since bubbles are not contained during the curing of the resin layer 14, that is, at the time of heat curing, ultraviolet curing or electron beam curing, the bubbles remain in the resin layer 14 It is difficult to do.

부가 반응형이며, 또한 무용제형인 실리콘 수지 조성물로서는, 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산과, 히드로실릴기를 갖는 메틸히드로겐폴리실록산을 포함하는 것이 있다. 이 실리콘 수지 조성물은, 백금 촉매의 존재 하에서 가열 경화되어, 실리콘 수지층으로 된다.As the silicone resin composition which is an addition reaction type and which is also a non-solvent type, there is one containing a straight-chain polyorganosiloxane having a vinyl group and a methylhydrogenpolysiloxane having a hydrosilyl group. The silicone resin composition is heated and cured in the presence of a platinum catalyst to form a silicone resin layer.

수지 조성물의 도포 방법은, 예를 들어 스프레이 코트법, 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코트법 등이 있다. 이들 도포 방법은, 수지 조성물의 종류에 따라 적절히 선택된다.Examples of the application method of the resin composition include spray coating, die coating, spin coating, dip coating, roll coating, bar coating, screen printing, and gravure coating. These coating methods are appropriately selected depending on the kind of the resin composition.

수지 조성물의 도포 시공량은, 수지 조성물의 종류 등에 따라 적절히 선택된다. 예를 들어, 상기 실리콘 수지 조성물의 경우, 바람직하게는 1 내지 100g/㎡, 보다 바람직하게는 5 내지 20g/㎡이다.The application amount of the resin composition is appropriately selected depending on the type of the resin composition and the like. For example, in the case of the silicone resin composition, it is preferably 1 to 100 g / m 2, more preferably 5 to 20 g / m 2.

수지 조성물의 경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 따라 적절히 선택된다. 예를 들어, 상기 실리콘 수지 조성물로서, 직쇄상 폴리오르가노실록산과 메틸히드로겐폴리실록산의 합계량 100질량부에 대하여, 백금계 촉매를 2질량부 배합한 경우, 대기 중에서 가열하는 온도는, 50℃ 내지 250℃, 바람직하게는 100℃ 내지 200℃이다. 또한, 이 경우의 반응 시간은 5 내지 60분간, 바람직하게는 10 내지 30분간으로 한다. 수지 조성물의 경화 조건이 상기 반응 시간의 범위 및 반응 온도의 범위이면, 실리콘 수지의 산화 분해가 동시에 일어나지 않고, 저분자량의 실리콘 성분이 생성되지 않아, 실리콘 이행성이 높아지지 않는다.The curing conditions of the resin composition are appropriately selected depending on the kind of the resin composition and the like. For example, when 2 parts by mass of the platinum-based catalyst is blended with 100 parts by mass of the total amount of the linear polyorganosiloxane and the methylhydrogenpolysiloxane as the silicone resin composition, 250 deg. C, preferably 100 deg. C to 200 deg. In this case, the reaction time is 5 to 60 minutes, preferably 10 to 30 minutes. If the curing conditions of the resin composition are in the range of the reaction time and the reaction temperature, the oxidative decomposition of the silicone resin does not occur at the same time, and the silicone component of low molecular weight is not produced and the silicone migration property is not increased.

상기 (1) 및 (2)의 방법에 있어서, 압착은, 클린도가 높은 환경 하에서 실시되는 것이 바람직하다. 압착의 방식으로서는, 롤식, 프레스식 등이 있다. 압착을 실시하는 분위기는, 대기압 분위기여도 되지만, 기포의 혼입을 억제하기 위해서, 감압 분위기인 것이 바람직하다. 압착을 실시하는 온도는, 실온보다 높은 온도여도 되지만, 수지층(14)의 열화를 방지하기 위해서, 실온인 것이 바람직하다.In the above methods (1) and (2), it is preferable that the compression bonding is performed in an environment of high cleanliness. As a compression bonding method, there are a roll type, a press type and the like. The atmosphere in which the compression bonding is performed may be an atmospheric pressure atmosphere, but in order to suppress the incorporation of bubbles, a reduced pressure atmosphere is preferable. The temperature at which the compression bonding is performed may be a temperature higher than room temperature, but it is preferable that the temperature is room temperature in order to prevent deterioration of the resin layer 14.

(적층체의 제조 방법)(Method for producing laminate)

도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법을 도시하는 평면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법을 도시하는 측면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법에 의해 얻어지는 적층체의 측면도이다. 또한, 도 4에 있어서, 가공 전의 적층체 블록의 상태를 이점쇄선으로 나타낸다.2 is a plan view showing a method of manufacturing a laminate according to an embodiment of the present invention. 3 is a side view showing a method of manufacturing a laminate according to an embodiment of the present invention. 4 is a side view of a laminate obtained by the method of producing a laminate according to an embodiment of the present invention. In Fig. 4, the state of the laminate block before machining is indicated by a chain double-dashed line.

적층체의 제조 방법은, 내충격성을 향상시키기 위해서, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)를 모따기 가공함으로써, 적층체를 얻는 방법이다. 적층체 블록(11)의 측연부(11a)는, 예를 들어 둥그스름한 형상으로 가공되어도 되고, 구체적으로는, 가공 후 중 적어도 일부의 단면 형상이, 예를 들어 원호 형상 부분, 타원호 형상 부분 또는 포물선 형상 부분을 포함하는 곡면 형상이어도 된다. 또한, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)의 가공 후의 단면 형상은 다각 형상이어도 된다.The method of producing a laminate is a method of obtaining a laminate by chamfering the side edge portion 11a of the laminate block 11 in order to improve impact resistance. The side edge portion 11a of the laminate block 11 may be machined into, for example, a rounded shape. Specifically, at least a part of the cross-sectional shape after machining may be, for example, an arcuate portion, Or a curved surface shape including a parabolic shape portion. The sectional shape of the side edge portion 11a of the laminate block 11 after processing may be a polygonal shape.

적층체의 제조 방법은, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)를 지석(21)으로 연삭하는 공정을 갖는다. 지석(21)은 원판 형상으로 형성된 회전하는 지석이며, 지석(21)의 외주면(21a)에는 전체 둘레에 걸쳐서 연삭홈(22)(도 3)이 형성되어 있다. 연삭홈(22)의 벽면(22a)이 연삭면이며, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)의 가공 후의 단면 형상은, 연삭홈(22)의 단면 형상과 동일한 형상으로 된다. 지석(21)의 형상은 원판 형상으로 한정되지 않고, 원통 형상이어도 된다.The method for manufacturing the laminate includes a step of grinding the side edge portion 11a of the laminate block 11 into the grindstone 21. The grinding wheel 21 is a rotating grinding wheel formed into a disc shape and a grinding groove 22 (Fig. 3) is formed on the outer circumferential face 21a of the grinding wheel 21 over its entire periphery. The wall surface 22a of the grinding groove 22 is the grinding surface and the sectional shape of the side edge portion 11a of the laminate block 11 after machining is the same as the sectional shape of the grinding groove 22. [ The shape of the grinding wheel 21 is not limited to a disc shape but may be a cylindrical shape.

연삭홈(22)은, 예를 들어 연삭홈(22)의 폭 방향 양단부(22b, 22c)로부터 연삭홈(22)의 폭 방향 내측을 향함에 따라 깊어지도록 형성되어 있다. 예를 들어, 연삭홈(22)은 폭 방향 양단부(22b, 22c)로부터 연삭홈(22)의 폭 방향 중앙부(22d)를 향함에 따라 깊어지도록 형성되어 있다.The grinding grooves 22 are formed so as to become deeper as they approach the inner side in the width direction of the grinding grooves 22 from the opposite end portions 22b and 22c in the width direction of the grinding grooves 22, for example. For example, the grinding grooves 22 are formed so as to be deeper as they approach the widthwise center portions 22d of the grinding grooves 22 from the widthwise end portions 22b and 22c.

연삭홈(22)의 벽면(22a)은, 예를 들어 단면 원호 형상의 저면(22a-1)과, 저면(22a-1)의 양 단부 가장자리로부터 외주면(21a)까지 연장하는 2개의 측면(22a-2, 22a-3)으로 구성된다. 2개의 측면(22a-2, 22a-3)은 저면(22a-1)과 원활하게 연결된다.The wall surface 22a of the grinding groove 22 has a bottom surface 22a-1 having a circular arc shape and two side surfaces 22a-1 extending from both end edges of the bottom surface 22a-1 to the outer peripheral surface 21a -2, and 22a-3. The two side surfaces 22a-2 and 22a-3 are smoothly connected to the bottom surface 22a-1.

연삭 공정에 있어서, 연삭홈(22)의 벽면(22a)과 적층체 블록(11)의 측연부(11a)가 접촉된 상태에서, 지석(21)이 지석(21)의 둘레 방향으로 회전(도 2의 X 방향)함으로써, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)가 연삭된다. 그 결과, 도 1에 도시하는 기판(12), 수지층(14) 및 지지판(15)은, 각각 도 3에 도시하는 측연부(12a, 14a, 15a)가 삭감되고, 도 4에 도시하는 기판(32), 수지층(34) 및 지지판(35)으로 된다. 따라서, 도 1에 도시하는 적층체 블록(11)의 측연부(11a)를 모따기 가공함으로써 얻어지는 적층체(31)는 적층체 블록(11)과 마찬가지로, 기판(32)과, 기판(32)을 보강하는 보강판(33)을 갖는다. 보강판(33)은 기판(32)에 박리 가능하게 결합하는 수지층(34)과, 수지층(34)을 개재해서 기판(32)을 지지하는 지지판(35)을 갖는다.The grinding wheel 21 is rotated in the circumferential direction of the grinding wheel 21 in the state that the wall surface 22a of the grinding groove 22 is in contact with the side edge portion 11a of the laminate block 11 2 in the X direction), the side edge portion 11a of the laminate block 11 is ground. As a result, the substrate 12, the resin layer 14, and the support plate 15 shown in Fig. 1 are reduced in side edge portions 12a, 14a, and 15a shown in Fig. 3, respectively, A resin layer 32, a resin layer 34, and a support plate 35. Therefore, the laminated body 31 obtained by chamfering the side edge portion 11a of the laminated body block 11 shown in Fig. 1 has the same structure as that of the laminated body block 11 except that the substrate 32 and the substrate 32 And a reinforcing plate 33 for reinforcement. The reinforcing plate 33 has a resin layer 34 that is detachably coupled to the substrate 32 and a support plate 35 that supports the substrate 32 via the resin layer 34.

연삭 공정에 있어서, 적층체 블록(11)의 적층 방향과 지석(21)의 회전축 방향은 대략 평행하게 배치되어 있는 것이 바람직하고, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)의 둘레 방향을 따라 지석(21)이 상대적으로 이동(도 2의 Y 방향)된다. 따라서, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)가 둘레 방향 전체 둘레에 걸쳐 연삭된다. 또한, 측연부(11a)의 둘레 방향 일부만이 연삭되어도 된다. 또한, 지석(21)측이 이동해도 되고, 적층체 블록(11)측이 이동해도 되고, 양측이 이동해도 된다.It is preferable that the lamination direction of the laminate block 11 and the rotation axis direction of the grinding stone 21 are arranged substantially parallel to each other in the grinding process and that the lamination direction of the laminate block 11 along the circumferential direction of the side edge portion 11a And the grindstone 21 moves relatively (Y direction in Fig. 2). Therefore, the side edge portion 11a of the laminate block 11 is ground over the entire circumferential direction. Further, only a part of the side edge 11a in the circumferential direction may be ground. Further, the grinding wheel 21 side may move, the laminate block 11 side may move, or both sides may move.

연삭 공정에 있어서, 수지층(14)과 기판(12)의 계면(16), 및 수지층(14)과 지지판(15)의 계면(17)은, 각각 연삭홈(22)의 최심부(본 실시 형태에서는, 폭 방향 중앙부(22d))에 대하여, 연삭홈(22)의 폭 방향으로 오프셋되어 있다. 그로 인해, 계면(16, 17)은 각각 지석(21)의 연삭면인 벽면(22a)에 대하여, 수직이 아닌, 비스듬히 접촉된다. 또한, 계면(16, 17)은 연삭홈(22)의 최심부에 대하여, 연삭홈(22)의 폭 방향 한쪽에 오프셋되어 있다.The interface 16 between the resin layer 14 and the substrate 12 and the interface 17 between the resin layer 14 and the support plate 15 are located at the deepest portion of the grinding groove 22 (In the embodiment, the width direction center portion 22d). As a result, the interfaces 16 and 17 are obliquely contacted with the wall surface 22a, which is the grinding surface of the grinding wheel 21, not perpendicularly. The interfaces 16 and 17 are offset from one another in the width direction of the grinding grooves 22 with respect to the deepest portion of the grinding grooves 22.

그런데, 벽면(22a)에 포함되는 지립에 의해, 적층체 블록(11)의 측면에 마이크로 균열이 발생하는 경우, 마이크로 균열은 벽면(22a)에 대하여 비스듬히 신전하는 경향이 있다.However, when micro-cracks are generated on the side surface of the laminate block 11 due to the abrasive grains contained in the wall surface 22a, the micro-cracks tend to extend obliquely with respect to the wall surface 22a.

본 실시 형태에서는, 계면(16, 17)이 지석(21)의 벽면(22a)에 대하여 비스듬히 접촉되므로, 계면(16, 17)을 향하여 적층체 블록(11)의 측면으로부터 비스듬히 마이크로 균열이 신전하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 연삭에 의한 기판(12) 및 지지판(15) 중 적어도 한쪽 코너부 절결의 발생을 저감할 수 있고, 측면에 오목부가 거의 없는 적층체(31)가 얻어진다. 이 효과는 기판(12) 및 지지판(15) 중 적어도 한쪽이 취성 재료로 구성되는 경우에 현저하다. 취성 재료로서는, 유리, 세라믹스, 금속 실리콘 등을 들 수 있다.In this embodiment, since the interfaces 16 and 17 obliquely contact the wall surface 22a of the grinding wheel 21, micro cracks are obliquely extended from the side surface of the laminate block 11 toward the interfaces 16 and 17 Can be suppressed. Therefore, it is possible to reduce the occurrence of at least one corner cutting of the substrate 12 and the support plate 15 by grinding, and the layered product 31 having almost no concave portion on the side surface is obtained. This effect is remarkable when at least one of the substrate 12 and the support plate 15 is made of a brittle material. Examples of the brittle material include glass, ceramics, and metal silicon.

또한, 본 실시 형태의 지석(21)은 외주면(21a)에 연삭홈(22)을 갖지만, 갖고 있지 않아도 되고, 이 경우, 지석(21)의 외주면(21a)이 연삭면이며, 지석(21)의 회전축을 계면(16, 17)에 대하여 비스듬히 접촉된다.In this case, the outer circumferential surface 21a of the grinding wheel 21 is the grinding surface, and the grinding wheel 21 has the grinding recess 22 on the outer circumferential surface 21a, 17 are in contact with each other at an angle.

연삭 공정에 있어서, 연삭홈(22)의 최심부(본 실시 형태에서는, 폭 방향 중앙부(22d))는, 도 3에 도시한 바와 같이, 지지판(15)의 측연부(15a)와 접촉된다. 따라서, 연삭 후에, 도 4에 도시한 바와 같이, 지지판(35)이 기판(32)보다 외측으로 돌출되게 되므로, 제품으로 되는 기판(32)의 손상을 저감할 수 있다.In the grinding process, the deepest portion (in the present embodiment, the widthwise central portion 22d) of the grinding groove 22 is brought into contact with the side edge portion 15a of the support plate 15 as shown in Fig. Therefore, after the grinding, as shown in Fig. 4, the support plate 35 protrudes outward from the substrate 32, so that damage to the substrate 32 as a product can be reduced.

또한, 연삭 공정에 있어서, 계면(16, 17)은 도 3에 도시한 바와 같이, 단면 원호 형상의 저면(22a-1)과 접촉된다. 따라서, 연삭 전에, 상기 오프셋의 양을 조절함으로써, 연삭면인 벽면(22a)과 계면(16, 17)의 이루는 각을 조절할 수 있다.In addition, in the grinding step, the interfaces 16 and 17 are brought into contact with the bottom surface 22a-1 having a circular arc shape as shown in Fig. Therefore, by adjusting the amount of the offset before grinding, the angle formed between the wall surface 22a as the grinding surface and the interfaces 16 and 17 can be adjusted.

도 5a 내지 도 5c는 연삭면인 벽면과 계면의 이루는 각과, 오프셋양의 관계의 일례를 나타내는 측면도로, 도 5a는 오프셋양이 작을 때의 측면도, 도 5b는 오프셋양이 중간일 때의 측면도, 도 5c는 오프셋양이 클 때의 측면도이다.5A is a side view when the offset amount is small, FIG. 5B is a side view when the offset amount is intermediate, FIG. 5A is a side view when the offset amount is small, FIG. 5C is a side view when the offset amount is large.

도 5a 내지 도 5c에 있어서, T1은 기판(12)의 두께, T2는 지지판(15)의 두께를 나타낸다. 또한, 수지층(14)의 두께는, 기판(12)의 두께나 지지판(15)의 두께에 비해, 무시할 수 있을만큼 작으므로, 수지층(14)을 개재하지 않고, 기판(12)과 지지판(15)이 접합되어 있는 것으로 했다. 덧붙이면, 수지층(14)의 유무에 따라, 후술하는 계산 결과(θ와 D의 관계)는 거의 변동되지 않는다. θ는 기판(12)과 지지판(15)의 접합면(18)(계면(16, 17)에 상당)과, 연삭홈(22)의 기판(12)측의 벽면(22a)을 이루는 각을 나타낸다. D는 연삭홈(22)의 최심부(본 실시 형태에서는, 폭 방향 중앙부(22d))에 대한 접합면(18)의 오프셋양을 나타낸다. R은 저면(22a-1)의 곡률 반경을 나타낸다.In Figs. 5A to 5C, T1 is the thickness of the substrate 12, and T2 is the thickness of the support plate 15. Fig. Since the thickness of the resin layer 14 is negligibly smaller than the thickness of the substrate 12 and the thickness of the support plate 15, (15) are bonded to each other. Incidentally, depending on the presence or absence of the resin layer 14, the calculation result (the relationship between? And D) to be described later hardly fluctuates. represents the angle between the joining face 18 (corresponding to the interfaces 16 and 17) of the substrate 12 and the support plate 15 and the wall face 22a of the grinding groove 22 on the substrate 12 side . And D represents the amount of offset of the joint surface 18 with respect to the deepest portion (in the present embodiment, the widthwise central portion 22d) of the grinding groove 22. R represents the radius of curvature of the bottom surface 22a-1.

예를 들어, T1=0.3㎜, T2=0.4㎜, R=0.4㎜인 경우에, D가 0.05㎜(도 5a), 0.15㎜(도 5b), 0.25㎜(도 5c)로 단계적으로 증가하면, θ는 81.9°(도 5a), 65.1°(도 5b), 45.4°(도 5c)로 단계적으로 작아진다.For example, in the case where T1 = 0.3 mm, T2 = 0.4 mm and R = 0.4 mm, when D is increased stepwise to 0.05 mm (Fig. 5A), 0.15 mm (Fig. 5B), and 0.25 mm ? gradually decreases to 81.9 ° (FIG. 5A), 65.1 ° (FIG. 5B) and 45.4 ° (FIG. 5C).

또한, 본 실시 형태에서는, 연삭홈(22)의 저면(22a-1)만이 단면 원호 형상으로 형성되어 있지만, 예를 들어 연삭홈(22)의 벽면(22a)이 전체적으로 단면 원호 형상으로 형성되어 있어도 되고, 단면 원호 형상의 부분의 위치는 특별히 한정되지 않는다.Although only the bottom surface 22a-1 of the grinding groove 22 is formed in an arc shape in section in this embodiment, for example, even if the wall surface 22a of the grinding groove 22 is formed as a circular arc in cross section as a whole And the position of the section of the circular arc shape is not particularly limited.

또한, 적층체 블록(11)은 연삭 공정 전에, 적층체 블록(11)을 소정 치수로 절단하는 공정에 제공되어도 된다.Further, the laminate block 11 may be provided in the step of cutting the laminate block 11 to a predetermined dimension before the grinding step.

(전자 디바이스의 제조 방법)(Manufacturing Method of Electronic Device)

전자 디바이스를 제조하는 방법은, 적층체(31)의 기판(32) 위 중 적어도 일부 영역에, 소정의 기능층(예를 들어, 도전층)을 형성하는 형성 공정과, 소정의 기능층을 형성한 기판(32)으로부터 보강판(33)을 박리하는 박리 공정을 갖는다. 또한, 적층체(31)는 전자 디바이스의 제조 공정에 제공되기 전에, 기판(32)을 연마하는 공정에 제공되어도 된다.A method of manufacturing an electronic device includes a forming step of forming a predetermined functional layer (for example, a conductive layer) on at least a part of a region of the substrate 32 of the layered structure 31, And a peeling step of peeling the reinforcing plate 33 from one substrate 32. Further, the stacked body 31 may be provided in the step of polishing the substrate 32 before being provided to the manufacturing process of the electronic device.

형성 공정에서는, 소정의 기능층을 기판(32) 위에 형성하는 방법으로서, 예를 들어 포토리소그래피법이나 에칭법, 증착법 등이 사용된다. 또한, 기능층을 패턴 형성하기 위해서, 레지스트액 등의 코팅액이 사용된다.In the forming step, for example, a photolithography method, an etching method, a vapor deposition method, or the like is used as a method of forming a predetermined functional layer on the substrate 32. In order to pattern the functional layer, a coating solution such as a resist solution is used.

본 실시 형태의 적층체(31)는, 도 9에 나타내는 종래의 적층체(131)와 달리, 연삭에 의한 기판(12) 및 지지판(15) 중 적어도 한쪽 코너부 절결의 발생을 저감할 수 있고, 적층체(31)의 측면에 오목부가 거의 없으므로, 기판(32) 위에 코팅액을 도포했을 때 적층체(31)의 측면에 부착된 코팅액의 제거가 용이하다. 따라서, 전자 디바이스의 제조 공정의 열처리를 수반하는 공정에 있어서, 코팅액의 잔사가 발진원으로 되는 것을 방지할 수 있어, 전자 디바이스의 수율을 향상시킬 수 있다.Unlike the conventional laminate 131 shown in Fig. 9, the layered product 31 of the present embodiment can reduce occurrence of at least one corner cut out of the substrate 12 and the support plate 15 by grinding , It is easy to remove the coating liquid attached to the side surface of the layered product (31) when the coating liquid is applied on the substrate (32) because there is almost no concave portion on the side surface of the layered product (31). Therefore, it is possible to prevent the residue of the coating liquid from becoming an oscillation source in the process involving the heat treatment in the manufacturing process of the electronic device, and to improve the yield of the electronic device.

박리 공정에서는, 기판(32)으로부터 보강판(33)을 박리하는 방법으로서, 예를 들어 보강판(33)을 구성하는 수지층(34)과 기판(32) 사이에 면도칼 등을 자입해서 간극을 만든 후, 기판(32)측과 지지판(35)측을 떼어내는 방법이 사용된다.As a method for peeling the reinforcing plate 33 from the substrate 32 in the peeling step, for example, a method of inserting a razor blade or the like between the resin layer 34 constituting the reinforcing plate 33 and the substrate 32, A method of peeling off the substrate 32 side and the support plate 35 side is used.

전자 디바이스를 제조하는 방법은, 박리 공정 후, 기판(32) 위 중, 기능층 미형성 영역이나 이미 형성된 기능층 위에 다른 기능층을 적층하는 공정을 더 가져도 된다.The method of manufacturing an electronic device may further include the step of laminating another functional layer on the functional layer non-formation region or the already formed functional layer on the substrate 32 after the peeling process.

또한, 전자 디바이스를 제조하는 방법은, 소정의 기능층을 형성한 2조의 적층체(31)를 사용하여, 전자 디바이스를 조립하고, 그 후 2조의 적층체(31)의 기판(32)으로부터 각각 보강판(33)을 박리하는 방법이어도 된다.The electronic device is manufactured by assembling the electronic device using two stacked bodies 31 having a predetermined functional layer formed thereon and thereafter assembling the electronic devices from the substrate 32 of the two stacked bodies 31 And the reinforcing plate 33 may be peeled off.

이어서, 전자 디바이스의 제조 방법의 구체예에 대하여 설명한다.Next, a specific example of a method of manufacturing an electronic device will be described.

액정 디스플레이(LCD)의 제조 방법은, 예를 들어 적층체의 기판 위에 박막 트랜지스터(TFT) 등을 형성하여 TFT 기판을 제작하는 TFT 기판 제작 공정과, 다른 적층체의 기판 위에 컬러 필터(CF) 등을 형성하여, CF 기판을 제작하는 CF 기판 제작 공정을 갖는다. 또한, 액정 디스플레이의 제조 방법은, TFT 기판과 CF 기판 사이에 액정재를 밀봉하는 조립 공정과, 각 적층체의 기판으로부터 보강판을 박리하는 박리 공정을 갖는다.A method of manufacturing a liquid crystal display (LCD) includes, for example, a TFT substrate manufacturing step of forming a TFT substrate by forming a thin film transistor (TFT) or the like on a substrate of a laminate, And a CF substrate manufacturing step of fabricating a CF substrate. Further, a manufacturing method of a liquid crystal display has an assembling step of sealing the liquid crystal material between the TFT substrate and the CF substrate, and a peeling step of peeling the reinforcing plate from the substrate of each stacked body.

TFT 기판 제작 공정이나 CF 기판 제작 공정에서는, TFT나 CF를 형성하는 방법으로서, 예를 들어 포토리소그래피법이나 에칭법 등이 사용된다. 또한, TFT나 CF 등을 패턴 형성하기 위해서, 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다.In the TFT substrate fabrication process or the CF substrate fabrication process, for example, a photolithography method, an etching method, or the like is used as a method of forming TFTs or CFs. In addition, a resist solution is used as a coating liquid in order to form a pattern of TFT, CF, or the like.

또한, TFT 기판 제작 공정이나 CF 기판 제작 공정 전에, 적층체의 기판 표면이 세정되어도 된다. 세정 방법으로서는, 주지의 드라이 세정이나 웨트 세정이 사용된다.Further, the substrate surface of the laminate may be cleaned before the TFT substrate fabrication process or the CF substrate fabrication process. As the cleaning method, well-known dry cleaning or wet cleaning is used.

조립 공정에서는, TFT 기판과 CF 기판 사이에, 액정재가 주입된다. 액정재를 주입하는 방법으로서는, 감압 주입법 또는 적하 주입법이 있다.In the assembling step, a liquid crystal material is injected between the TFT substrate and the CF substrate. As a method for injecting the liquid crystal material, there are a reduced pressure injection method or a dropwise injection method.

감압 주입법에서는, 예를 들어 우선, 시일재 및 스페이서재를 개재하여, TFT 기판과 CF 기판이 접합되어, 대형 패널이 제작된다. 이때, TFT나 CF가 대향하여 배치되도록, 대형 패널이 제작되고, 복수의 셀로 절단된다. 계속해서, 각 셀의 내부가 감압 분위기로 되고, 각 셀의 측면에 설치된 주입 구멍으로부터 각 셀의 내부에 액정재가 주입된 후, 주입 구멍이 밀봉된다. 계속해서, 각 셀에, 편광판이 부착되고, 백라이트 등이 부착됨으로써, 액정 디스플레이가 제조된다.In the reduced pressure injection method, for example, first, a TFT substrate and a CF substrate are bonded to each other with a sealant and a spacer interposed therebetween to manufacture a large panel. At this time, a large panel is fabricated so that the TFTs or the CFs are arranged so as to face each other and cut into a plurality of cells. Subsequently, the interior of each cell becomes a reduced-pressure atmosphere, and the liquid crystal material is injected into each cell from the injection hole provided in the side surface of each cell, and then the injection hole is sealed. Subsequently, a polarizing plate is attached to each cell, and a backlight or the like is attached to each cell, thereby producing a liquid crystal display.

적하 주입법에서는, 예를 들어 우선, TFT 기판의 TFT 형성면 및 CF 기판의 CF 형성면 중 어느 한쪽에 액정재가 적하되고, 그 후 시일재 및 스페이서재를 개재하여, TFT 기판과 CF 기판이 접합되어, 대형 패널이 제작된다. 이때, TFT나 CF가 대향하여 배치되도록, 대형 패널이 제작된다. 그 후, 대형 패널은, 복수의 셀로 절단된다. 계속해서, 셀에 편광판이 부착되고, 백라이트 등이 부착됨으로써, 액정 디스플레이가 제조된다.In the dropping injection method, for example, liquid crystal material is first dropped onto either the TFT forming surface of the TFT substrate or the CF forming surface of the CF substrate, and then the TFT substrate and the CF substrate are bonded to each other via the sealing material and the spacer material , A large-sized panel is produced. At this time, a large-size panel is manufactured so that the TFTs or the CFs are arranged to face each other. Thereafter, the large panel is cut into a plurality of cells. Subsequently, a polarizing plate is attached to the cell, and a backlight or the like is attached to the liquid crystal display.

박리 공정은 TFT 기판 제작 공정이나 CF 기판 제작 공정 후이며, 조립 공정 전에 행해져도 되고, 조립 공정 도중에 행해져도 된다. 박리 공정은 감압 주입법에 의한 조립 공정 도중에 행해지는 경우, 대형 패널을 제작한 후이며, 대형 패널을 복수의 셀로 절단하기 전에 행해져도 되고, 각 셀에 액정재를 밀봉한 후이며, 각 셀에 편광판을 부착하기 전에 행해져도 된다. 또한, 박리 공정은 적하 주입법에 의한 조립 공정 도중에 행해지는 경우, 대형 패널을 제작한 후이며, 대형 패널을 복수의 셀로 절단하기 전에 행해져도 되고, 대형 패널을 복수의 셀로 절단한 후이며, 각 셀에 편광판을 부착하기 전에 행해져도 된다.The peeling process may be performed after the TFT substrate fabrication process or CF substrate fabrication process, before the assembling process, or during the assembling process. The peeling process may be performed during the assembly process by the low pressure injection method, after the large panel is manufactured, before the large panel is cut into a plurality of cells, or after the liquid crystal material is sealed in each cell, May be carried out before attachment. Further, the peeling process may be performed during the assembly process by the drop injection method, after the large panel is manufactured, before the large panel is cut into a plurality of cells, or after the large panel is cut into a plurality of cells, May be performed before attaching the polarizing plate to the polarizing plate.

유기 EL 디스플레이(OLED)의 제조 방법은, 예를 들어 적층체의 기판 위에, 유기 EL 소자를 형성하는 유기 EL 소자 형성 공정과, 유기 EL 소자가 형성된 기판과 대향 기판을 접합하는 접합 공정과, 적층체의 기판으로부터 보강판을 박리하는 박리 공정을 갖는다.The manufacturing method of the organic EL display (OLED) is, for example, an organic EL element forming step of forming an organic EL element on a substrate of a laminate, a bonding step of bonding the substrate on which the organic EL element is formed and the counter substrate, And a peeling step of peeling the reinforcing plate from the substrate of the sieve.

유기 EL 소자 형성 공정에서는, 유기 EL 소자를 형성하는 방법으로서, 예를 들어 포토리소그래피법이나 증착법 등이 사용된다. 또한, 유기 EL 소자를 패턴 형성하기 위해서, 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다. 유기 EL 소자는, 예를 들어 투명 전극층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등을 포함해서 이루어진다.In the organic EL element formation step, for example, a photolithography method, a vapor deposition method, or the like is used as a method of forming the organic EL element. Further, in order to pattern the organic EL element, a resist solution is used as a coating liquid. The organic EL device includes, for example, a transparent electrode layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, and an electron transporting layer.

또한, 유기 EL 소자 형성 공정 전에, 필요에 따라, 적층체의 기판 표면이 세정되어도 된다. 세정 방법으로서는, 주지의 드라이 세정이나 웨트 세정이 사용된다.Further, before the organic EL element forming step, if necessary, the substrate surface of the laminate may be cleaned. As the cleaning method, well-known dry cleaning or wet cleaning is used.

접합 공정에서는, 유기 EL 소자가 형성된 기판이 복수의 셀로 절단되고, 각 셀에 대향 기판이 부착됨으로써, 유기 EL 디스플레이가 제작된다.In the bonding step, the substrate on which the organic EL element is formed is cut into a plurality of cells, and the opposing substrate is attached to each cell, whereby the organic EL display is manufactured.

박리 공정은, 예를 들어 유기 EL 소자 형성 공정 후이며, 접합 공정 전에 행해져도 되고, 접합 공정 도중이나 후에 행해져도 된다.The peeling step may be performed after the organic EL element forming step, for example, before the bonding step, or may be performed during or after the bonding step.

태양 전지의 제조 방법은, 예를 들어 적층체의 기판 위에, 태양 전지 소자를 형성하는 태양 전지 소자 형성 공정과, 적층체의 기판으로부터 보강판을 박리하는 박리 공정을 갖는다.The solar cell manufacturing method includes, for example, a solar cell element forming step of forming a solar cell element on a substrate of a laminate, and a peeling step of peeling the reinforcing plate from the substrate of the laminate.

태양 전지 소자 형성 공정에서는, 태양 전지 소자를 형성하는 방법으로서, 예를 들어 포토리소그래피법이나 증착법 등이 사용된다. 또한, 태양 전지 소자를 패턴 형성하기 위해서, 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다. 태양 전지 소자는, 예를 들어 투명 전극층, 반도체층 등을 포함해서 이루어진다.In the solar cell element formation step, for example, a photolithography method, a deposition method, or the like is used as a method of forming a solar cell element. Further, in order to pattern the solar cell element, a resist solution is used as a coating liquid. The solar cell element includes, for example, a transparent electrode layer, a semiconductor layer, and the like.

박리 공정은, 예를 들어 태양 전지 소자 형성 공정 후에 행해진다.The peeling process is performed, for example, after the solar cell element forming process.

이상, 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 제한되지 않는다. 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 상기 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 더할 수 있다.Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above embodiment. Various modifications and substitutions can be made without departing from the scope of the present invention.

본 출원은, 2011년 6월 23일 출원의 일본 특허 출원 2011-139630에 기초하는 것으로, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.This application is based on Japanese Patent Application No. 2011-139630 filed on June 23, 2011, the content of which is incorporated herein by reference.

11 : 적층체 블록
12 : 기판
13 : 보강판
14 : 수지층
15 : 지지판
16 : 수지층과 기판의 계면
17 : 수지층과 지지판의 계면
21 : 지석
21a : 외주면
22 : 연삭홈
22a : 벽면
22a-1 : 저면
22a-2 : 측면
22a-3 : 측면
22d : 최심부
31 : 적층체
11: Laminate block
12: substrate
13: reinforced plate
14: Resin layer
15: Support plate
16: Interface between resin layer and substrate
17: Interface between resin layer and support plate
21: Grinding stone
21a: outer peripheral surface
22: Grinding groove
22a: wall surface
22a-1:
22a-2: Side
22a-3: Side
22d:
31:

Claims (6)

기판과, 상기 기판을 보강하는 보강판을 갖고, 상기 보강판이 상기 기판에 박리 가능하게 결합하는 수지층 및 상기 수지층을 개재해서 상기 기판을 지지하는 지지판을 갖는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공함으로써 적층체를 얻는, 적층체의 제조 방법으로서,
상기 적층체 블록의 측연부를 원판 형상 또는 원통 형상의 회전하는 지석으로 연삭하는 연삭 공정을 갖고,
상기 연삭 공정에 있어서, 상기 지석의 연삭면은, 상기 수지층과 상기 기판의 계면, 및 상기 수지층과 상기 지지판의 계면에 대하여 비스듬히 접촉되고,
상기 지석의 외주면에는 연삭홈이 형성되어 있고,
상기 연삭 공정에 있어서,
상기 연삭면인 상기 연삭홈의 벽면과 상기 적층체 블록의 측연부가 접촉된 상태에서, 상기 지석이 상기 지석의 둘레 방향으로 회전됨으로써, 상기 적층체 블록의 측연부가 연삭되고,
상기 수지층과 상기 기판의 계면, 및 상기 수지층과 상기 지지판의 계면은, 각각 상기 연삭홈의 최심부에 대하여, 상기 연삭홈의 폭 방향으로 오프셋되어, 상기 연삭홈의 벽면에 대하여 비스듬히 접촉되고,
상기 연삭홈의 최심부는 상기 지지판의 측연부와 접촉되는 적층체의 제조 방법.
A side edge portion of a laminate block having a substrate and a reinforcing plate for reinforcing the substrate, the reinforcing plate having a resin layer releasably engaged with the substrate and a support plate for supporting the substrate via the resin layer is chamfered A method for producing a laminate,
And a grinding step of grinding the side edge portion of the laminate block with a disk-shaped or cylindrical rotating wheel,
In the grinding step, the grinding surface of the grinding wheel is obliquely contacted with the interface between the resin layer and the substrate and the interface between the resin layer and the support plate,
A grinding groove is formed on an outer peripheral surface of the grinding wheel,
In the grinding step,
The grinding wheel is rotated in the circumferential direction of the grinding wheel in a state where the side face of the laminate block is in contact with the wall face of the grinding groove which is the grinding face,
The interface between the resin layer and the substrate and the interface between the resin layer and the support plate are offset from each other in the width direction of the grinding groove with respect to the deepest portion of the grinding groove and are obliquely contacted with the wall surface of the grinding groove ,
And the deepest portion of the grinding groove is in contact with the side edge portion of the support plate.
삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서,
상기 연삭홈의 벽면은 단면 원호 형상의 부분을 갖고,
상기 연삭 공정에 있어서,
상기 수지층과 상기 기판의 계면, 및 상기 수지층과 상기 지지판의 계면은, 각각 상기 단면 원호 형상의 부분과 접촉되는 적층체의 제조 방법.
The method according to claim 1,
Wherein the wall surface of the grinding groove has a circular arc-shaped portion,
In the grinding step,
Wherein the interface between the resin layer and the substrate and the interface between the resin layer and the support plate are in contact with the portion having the circular arc shape.
제1항 또는 제4항에 있어서,
상기 기판 및 상기 지지판 중 적어도 한쪽이 취성 재료로 구성되는 적층체의 제조 방법.
The method according to claim 1 or 4,
Wherein at least one of the substrate and the support plate is made of a brittle material.
기판과, 상기 기판을 보강하는 보강판을 갖고, 상기 보강판이 상기 기판에 박리 가능하게 결합하는 수지층 및 상기 수지층을 개재해서 상기 기판을 지지하는 지지판을 갖는 적층체로서,
상기 적층체의 측연부의 연삭면이, 상기 수지층과 상기 기판의 계면, 및 상기 수지층과 상기 지지판의 계면에 대하여, 비스듬히 교차하고,
상기 수지층과 상기 기판의 계면과 상기 기판의 측면이 교차하는 각도가, 상기 수지층과 상기 지지판의 계면과 상기 지지판의 측면이 교차하는 각도보다 작은 것을 특징으로 하는 적층체.
A laminate having a substrate and a reinforcing plate for reinforcing the substrate, the reinforcing plate having a resin layer releasably engaged with the substrate and a support plate for supporting the substrate via the resin layer,
The grinding surface of the side edge portion of the laminate is obliquely intersected with the interface between the resin layer and the substrate and the interface between the resin layer and the support plate,
Wherein an angle at which the interface between the resin layer and the substrate intersects the side surface of the substrate is smaller than an angle at which the interface between the resin layer and the support plate intersects the side surface of the support plate.
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