KR101894820B1 - 다중-표면 컴포넌트에 대한 플렉시블 히트 파이프를 이용하는 히트 싱크 연결 - Google Patents
다중-표면 컴포넌트에 대한 플렉시블 히트 파이프를 이용하는 히트 싱크 연결 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101894820B1 KR101894820B1 KR1020150147599A KR20150147599A KR101894820B1 KR 101894820 B1 KR101894820 B1 KR 101894820B1 KR 1020150147599 A KR1020150147599 A KR 1020150147599A KR 20150147599 A KR20150147599 A KR 20150147599A KR 101894820 B1 KR101894820 B1 KR 101894820B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- heat exchanger
- heat
- heat sink
- disposed
- sink base
- Prior art date
Links
- 230000008878 coupling Effects 0.000 title abstract description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 title abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 35
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 25
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 9
- 101150074789 Timd2 gene Proteins 0.000 description 7
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 101710149792 Triosephosphate isomerase, chloroplastic Proteins 0.000 description 3
- 101710195516 Triosephosphate isomerase, glycosomal Proteins 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000002277 temperature effect Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 210000004185 liver Anatomy 0.000 description 1
- MJGFBOZCAJSGQW-UHFFFAOYSA-N mercury sodium Chemical compound [Na].[Hg] MJGFBOZCAJSGQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/427—Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3672—Foil-like cooling fins or heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
- H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
- H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
- H01L2023/4056—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink heatsink to additional heatsink
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
- H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
- H01L2023/4068—Heatconductors between device and heatsink, e.g. compliant heat-spreaders, heat-conducting bands
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
- H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Abstract
기판에 평면형 어레이로 연결된 주(primary) 디바이스 및 적어도 하나의 보조(secondary) 디바이스; 상기 주 디바이스 상에 배치되며 상기 적어도 하나의 보조 디바이스에 대응하는 구역 위의 개구를 갖는 제 1 열 교환기; 상기 적어도 하나의 보조 디바이스 상의 상기 개구 내에 배치된 제 2 열 교환기; 및 상기 제 1 열 교환기 및 상기 제 2 열 교환기에 연결된 적어도 하나의 히트 파이프(heat pipe)를 포함하는, 장치가 개시된다. 다중-칩 패키지 상에 열 교환기를 배치하는 단계로서, 상기 열 교환기는, 제 1 부분, 제 2 부분 및 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분에 연결된 적어도 하나의 히트 파이프를 포함하는, 상기 배치하는 단계; 및상기 열 교환기를 상기 다중-칩 패키지에 결합시키는 단계를 포함하는, 방법이 개시된다.
Description
본 발명은 일반적으로 집적 회로(IC) 디바이스들의 분야에 관한 것이며, 보다 구체적으로는, 다중-표면 컴포넌트들을 위한 플렉시블 히트 파이프들을 통하여 히트 싱크를 연결하는 것과 같은, 다중-칩 패키지들로부터 열(heat)을 제거하기 위한 기술들 및 구성들에 관한 것이다.
도 1은 범용 다중-칩 중앙 프로세싱 유닛(CPU) 패키지의 상단 측면 사시도를 도시한 것이다.
도 2는 그 위에 냉각 솔루션을 갖는 도 1의 라인 2-2'을 통한 도 1의 다중-칩 패키지를 포함하는 어셈블리의 측 단면도를 도시한 것이다.
도 3은 도 2의 라인 3-3'을 통한 단면도를 도시한 것이다.
도 4는 도 2의 히트 싱크의 상단 측면 사시도를 도시한 것이다.
도 5는 도 2의 히트 싱크의 하단 사시도를 도시한 것이다.
도 6은 다중-칩 패키지 및 모든 디바이스들(주 디바이스 및 보조 디바이스들)에 대한 단일 IHS 및 히트 싱크를 포함하는 어셈블리와, 주 디바이스 및 각각의 보조 디바이스에 대한 또는 도 2 내지 도 4에서와 같은 각 쌍의 보조 디바이스들에 대한 개별 IHS 및 히트 싱크를 갖는 어셈블리의 그래픽 비교를 도시한 것이다.
도 7은 라인 7-7' 을 통한 도 2의 어셈블리의 단면을 도시한 것으로서, 제 1 히트 싱크 베이스의 개구들 내의 제 2 히트 싱크 베이스 부분들을 보여준다.
도 8은 히트 싱크 베이스에 연결된 플렉시블 히트 파이프들을 갖는 핀 부분 및 히트 싱크 베이스를 포함하는 히트 싱크의 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 9는 다중-칩 프로세서에 연결되는, 도 8의 히트 싱크의 실시예를 도시한 것이다.
도 10은 도 9의 라인 10-10'을 통한 단면을 도시한 것이다.
도 11은 도 9의 라인 11-11'을 통한 단면을 도시한 것이다.
도 12는 히트 파이프들을 이용하여 히트 싱크를 연결한 것과 연결하지 않은 것의 대표적인 다중-칩 패키지의 대표적 온도 프로파일을 도시한 것이다.
도 13은 도 12의 예에서 히트 싱크들을 연결한 것과 연결하지 않은 것 간의 온도 영향을 도시한 것이다.
도 14는 컴퓨팅 디바이스의 실시예를 예시한 것이다.
도 2는 그 위에 냉각 솔루션을 갖는 도 1의 라인 2-2'을 통한 도 1의 다중-칩 패키지를 포함하는 어셈블리의 측 단면도를 도시한 것이다.
도 3은 도 2의 라인 3-3'을 통한 단면도를 도시한 것이다.
도 4는 도 2의 히트 싱크의 상단 측면 사시도를 도시한 것이다.
도 5는 도 2의 히트 싱크의 하단 사시도를 도시한 것이다.
도 6은 다중-칩 패키지 및 모든 디바이스들(주 디바이스 및 보조 디바이스들)에 대한 단일 IHS 및 히트 싱크를 포함하는 어셈블리와, 주 디바이스 및 각각의 보조 디바이스에 대한 또는 도 2 내지 도 4에서와 같은 각 쌍의 보조 디바이스들에 대한 개별 IHS 및 히트 싱크를 갖는 어셈블리의 그래픽 비교를 도시한 것이다.
도 7은 라인 7-7' 을 통한 도 2의 어셈블리의 단면을 도시한 것으로서, 제 1 히트 싱크 베이스의 개구들 내의 제 2 히트 싱크 베이스 부분들을 보여준다.
도 8은 히트 싱크 베이스에 연결된 플렉시블 히트 파이프들을 갖는 핀 부분 및 히트 싱크 베이스를 포함하는 히트 싱크의 다른 실시예를 도시한 것이다.
도 9는 다중-칩 프로세서에 연결되는, 도 8의 히트 싱크의 실시예를 도시한 것이다.
도 10은 도 9의 라인 10-10'을 통한 단면을 도시한 것이다.
도 11은 도 9의 라인 11-11'을 통한 단면을 도시한 것이다.
도 12는 히트 파이프들을 이용하여 히트 싱크를 연결한 것과 연결하지 않은 것의 대표적인 다중-칩 패키지의 대표적 온도 프로파일을 도시한 것이다.
도 13은 도 12의 예에서 히트 싱크들을 연결한 것과 연결하지 않은 것 간의 온도 영향을 도시한 것이다.
도 14는 컴퓨팅 디바이스의 실시예를 예시한 것이다.
IC 기술 회사들은 프로세서, 메모리 및 컴패니언 칩들(companion chips)로 구성된 보다 집적된 다중-칩 제품들을 개발 중일 수 있다. 패키징은 모든 컴포넌트들에 대한 단일 IHS(Integrated Heat Spreader) 또는 각 컴포넌트에 대한 개별 IHS들로 구성될 수 있다. 도 1은 범용 다중-칩 중앙 프로세싱 유닛(CPU) 패키지의 상단 측면 사시도를 도시한 것이다. 패키지(100)는 프로세서 기판(105) 상에 배치된 다이(110)를 포함한다. 다이(110) 위에는 IHS(120)가 놓이며, 이들 간에는 열적 인터페이스 재료(thermal interface material)(TIM1)가 존재한다. 일 실시예에서, 패키지(100)는 또한 예를 들어, 메모리 칩(130A), 메모리 칩(130B), 메모리 칩(140A), 메모리 칩(140B), 메모리 칩(150A) 및 메모리 칩(150B) 그리고 예를 들어 각각이 프로세서인 컴패니언 칩(160A) 및 컴패니언 칩(160B)으로 이루어지는 보조(secondary) 디바이스들을 포함한다. 메모리 칩들 및 컴패니언 칩들로서의 보조 디바이스들은 일 예라는 것이 인식될 것이다. 다른 실시예에서는, 다른 타입의 디바이스들이 패키지 내에 존재할 수 있다. 주 디바이스(다이(110)) 및 보조 디바이스들(메모리 칩들(130A/B, 140A/B, 150A/B), 및 컴패니언 칩들(160A/B)) 각각은 기판(105)에 평면형 어레이로 연결된다. 일 실시예에서, 보조 디바이스들 중 하나 이상의 두께(z-치수)는 다이(110)의 두께(z-치수)와 상이하다. 일 실시예에서, 보조 디바이스들 중 하나 이상은 다이(110)의 두께보다 작은 z-치수 두께를 갖는다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 보조 디바이스들의 z-방향 두께는, 다이(110) 및 하나 이상의 다른 보조 디바이스들의 두께와 상이하다.
일 실시예에서, 각 보조 디바이스 위에는 IHS가 놓이며, 이들 간에는 TIM1가 존재한다. 이 실시예에서는, 하나의 IHS가 2 개의 보조 디바이스들 위에 놓여있다. 도 1은 메모리 칩(130A) 상의 및 메모리 칩(130B) 상의 IHS(135); 메모리 칩(140A) 상의 및 메모리 칩(140B) 상의 IHS(145); 메모리 칩(150A) 상의 및 메모리 칩(150B) 상의 IHS(155)를 도시한 것이다. 도 1은 또한 컴패니언 칩(160A) 및 컴패니언 칩(160B) 상의 IHS(165)를 보여주고 있다. 메모리 칩들 및 컴패니언 칩들 각각과 그들의 대응하는 IHS 간에는 TIM1이 존재한다. 일 실시예에서, TIM1은 각 IHS와 그것의 각각의 주 디바이스(예를 들어, 다이(110)) 또는 보조 디바이스(예를 들어, 메모리 칩(130A-150A), 컴패니언 칩(160A-B)) 간에서 일정하게 얇거나 효과적으로 최소의 두께를 가짐으로써, 각각의 열 생성 컴포넌트와 냉각 솔루션 간의 열적 성능을 개선시키며, 이에 따라 각 컴포넌트의 온도를 최소화시킨다. 일 실시예에서, 적합한 TIM1은 표준 두께를 갖는 폴리머 TIM이다.
도 1은 각 디바이스에 대한 IHS들 또는 패키지들을 갖는 컴포넌트들의 일 예이다. 각각의 컴포넌트는 다양한 높이들을 갖지만 모두가 적절한 냉각을 필요로 한다.
일부 해법들에서, 그 주안점은 컴포넌트의 접합부로부터 공기-냉각된 히트 싱크의 베이스와 같은 냉각 솔루션 베이스로 달성될 수 있는 열적 개선사항들에 관한 것이다. 도 2는 그 위에 도 1의 다중-칩 패키지를 포함하는 어셈블리의 측면도를 도시한 것이다. 도 2를 참조하면, 어셈블리(101)는 냉각 솔루션(cooling solution)를 포함하며, 이 실시예에서, 냉각 솔루션은 히트 싱크 베이스(heat sink base)(170) 및 핀(fin)들(180)을 포함하는 제 1 부분을 포함하는 히트 싱크인 수동 열 교환기이다. 히트 싱크의 제 1 부분은, 일 실시예에서, 다중-칩 패키지(100)의 구역 부분(area portion) 또는 열 생성 디바이스들을 포함하는 다중-칩 패키지(100)의 구역(예를 들어, 주 디바이스 및 보조 디바이스들을 포함하는 구역)에 걸쳐서 배치된 구역 크기를 포함한다. 도 2는 CPU 다이(110) 및 IHS(120)의 상부 또는 그 위의 열 교환기(히트 싱크)의 제 1 부분을 도시한 것이며, 히트 싱크 베이스(170)는 IHS(120)에 대해 나란하게 된다(justified). 히트 싱크 베이스가 IHS와 물리적으로 접촉하거나 TIM2 재료에 대해서 최소 유효 두께로 IHS(120)의 표면 상에 배치된 TIM2 재료와 접촉한다는 점에서, 히트 싱크 베이스(170)는 IHS(120)에 대해 나란하게 된다.
도 2는 히트 싱크 베이스(170) 및 핀들(180)을 포함하는 열 교환기(히트 싱크)의 제 1 부분이 또한 다중-칩 패키지(100)의 보조 디바이스들, 특히 메모리 다이들(130A, 130B, 140A, 140B, 150A 및 150B) 및 컴패니언 다이들(160A 및 160B)에 대응하는 구역들에 걸쳐 있는 다수의 개구들을 포함하는 것을 도시한 것이다. 이러한 개구들 내에 제 2 열 교환기(히트 싱크) 부분들이 배치되며, 각 부분은 베이스 및 핀 구조물을 포함한다. 도 2는 메모리 다이(140A) 및 메모리 다이(140B)의 상부에 또는 그 위에 배치된 베이스(182A) 상의 제 2 히트 싱크 핀(185A); 메모리 다이(130A) 및 메모리 다이(130B) 상부에 배치된 베이스(182B) 상의 핀(185B); 메모리 다이(150A) 및 메모리 다이(150B) 상부에 배치된 베이스(182C) 상의 히트 싱크 핀(185C); 및 컴패니언 다이(160A) 및 컴패니언 다이(160B) 상부에 배치된 히트 싱크 핀(185D)을 도시한 것이다.
냉각 솔루션을 다중-칩 패키지 상에 도입하는 것은 자가-조절(self-adjusting) 히트 싱크 표면들을 다중-표면 높이 컴포넌트들에 연결시키는 것을 포함할 수 있으며, 이것은 TIM1(다이 및 IHS 간) 및 TIM2(IHS 및 냉각 솔루션 베이스 간) 양쪽 모두를 최소화시킬 수가 있고, 상당히 증가된 열적 성능 및 기회들을 야기할 수 있다. 도 3은 도 2의 라인 3-3'을 통한 단면도이다. 도 3은 다이(160A) 및 다이(160B) 각각과 IHS(165) 간의 TIM1 및 IHS(165)와 히트 싱크 베이스(182D) 간의 TIM2을 예시한다. 도 3은 TIM1 및 TIM2의 두께 그리고 IHS(165)의 두께에 의해 정의되는 히트 싱크 베이스(182D)로의 접합부(190)를 보여주고 있다.
도 4는 도 2의 히트 싱크의 상단 측면 사시도를 도시한 것이다. 도 2는 히트 싱크 핀(180)을 포함하는 히트 싱크의 제 1 부분 및 히트 싱크 핀들(185A, 185B, 185C 및 185D)을 포함하는 제 2 열 교환기 부분들을 도시한 것이다. 도 5는 도 2의 히트 싱크의 하단 사시도를 도시한 것이다. 도 5는 히트 싱크 베이스(170) 및 히트 싱크 베이스(170)의 캐비티들(cavities) 내의 보조 히트 싱크 베이스들(182A-182D)을 포함하는 히트 싱크를 도시한 것이다.
도 6은 다중-칩 패키지 및 모든 디바이스들(주 디바이스 및 보조 디바이스들)에 대한 단일 IHS 및 히트 싱크를 포함하는 어셈블리와, 주 디바이스 및 각 보조 디바이스에 대한 또는 도 2 내지 도 4에서와 같은 각 쌍의 보조 디바이스들에 대한 개별 IHS 및 히트 싱크를 갖는 어셈블리의 그래픽 비교를 도시한 것이다. 도 6은 또한 TIM1 및 TIM2의 상이한 두께들의 효과를 예시한다. 도 6은 개별 IHS 및 히트 싱크들이 냉각 솔루션의 열적 성능을 개선함을 예시한다. 이러한 개선은 그 각각이 하나의 히트 싱크 모듈로 통합되더라도 개별 히트 싱크들 간에는 어떠한 열 전도도 없게 되는 이러한 개별 히트 싱크들을 통해 달성되었다. 이 방식은 열적사항들을 크게 개선하지만, 본질적으로는 도 7에 도시된 바와 같이 각 히트 싱크를 서로 열 전도에 있어서 분리시킨다. 도 7은 라인 7-7'을 통한 도 2의 어셈블리의 단면을 도시한 것이며, 제 1 히트 싱크 베이스(170)의 개구들 내의 제 2 히트 싱크 베이스 부분들(182A-182D)을 보여주고 있다. 도 7은 개구들이 제 1 및 제 2 베이스 부분들을 서로 분리시키는 것을 예시한다. 이러한 타입의 히트 싱크 배열은 CPU 중심적 워크로드(workload) 또는 컴패니언 다이 중심적 워크로드 중 어느 하나를 위해 최적화될 수 있지만, CPU 및 컴패니언 다이들 간에 큰 전력 요구가 전환되는 경우에 동적 워크로드들에 대한 차선의 성능을 야기할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들은, 각 컴포넌트에 대하여 얇은 TIM1 및 TIM2 본드 라인 두께를 계속 제어하면서 냉각 자원들을 서로 연결하여 다수의 히트 싱크들 간의 효과적인 열적 접속들을 생성함으로써, 냉각 솔루션 성능을 더욱 최대화시키는 것에 초점을 맞춘다. 이로 인하여 개별 분리된 히트 싱크들에 비해서 각 컴포넌트에 대한 매우 보다 높은 냉각 능력이 가능하게 된다. 워크로드들은 그 적용에 따라 매우 동적으로 될 것이 예상되기 때문에, 변화하는 전력 상태들에 적응할 수 있는 냉각 솔루션들을 제공할 수 있는 상당한 기회들이 존재한다. 예를 들어, 워크로드가 CPU 중심적인 경우에는, 다른 컴포넌트들이 더 낮은 전력 로드들로 동작하는 동안에, CPU가 모든 연결된 히트 싱크들을 사용하여 그것의 전력 냉각 능력을 증가시킬 수 있다. 워크로드가 컴패니언 다이 중심적이 되도록 변하면, 컴패니언 다이 열은 CPU가 더 낮은 전력으로 동작하는 동안에 모든 연결된 히트 싱크들을 통해 발산될 수 있다.
기본 원리는 다중-칩 패키지 또는 마더보드 상의 심지어 다수의 패키지들 상의 각 컴포넌트의 냉각 능력 및 성능을 더 확장시키는 것이다. 이 방식은 다수의 컴포넌트들의 냉각 솔루션들을 연결 또는 결합시켜서, 각 컴포넌트가 그것의 개별 냉각 능력보다도 크게, 각 컴포넌트의 개별 컴포넌트 전력 냉각 능력을 증가시킬 수 있게 한다. 이 장점은 전력 레벨들이 증가되지 않는 경우에, 온도들을 더 낮추는 것으로서 취해질 수도 있다. 또한, 이 해결 방식은 TIM1 및 TIM2 본드 라인 두께(BLT)를 최소화시키며, 이것은 또한 이전의 워크에서 도시된 바와 같은 각 컴포넌트의 전력 능력을 크게 확장시킨다.
다중-표면 컴포넌트들에 대한 자가-조절 표면들과의 열 부하 결합이 기술된다. 주된 특징은 각 컴포넌트의 전체 전력 능력을 증가시키고/시키거나 컴포넌트 동작 온도들을 감소시키도록, 다수의 컴포넌트들의 냉각 솔루션들을 열 전달 연결하거나 결합하는 것이다. 다수의 높이 표면들로의 자가-조절 방식은 전력 능력을 증가시키고/거나 온도를 감소시키며, 기존의 TIM2들에 대한 계속적인 사용을 가능하게 한다. 컴포넌트당 조절가능한 부하는 보다 강건한 방식으로 바뀌어 진다.
이 문제에 대한 다른 해법들은 하나의 대형 히트 싱크를 유지할 수 있으며, 이는 일부 컴포넌트들가 매우 두꺼운 열적 인터페이스 재료 본드 라인 두께로 인해 상당한 열적 충격(hit)을 받을 수 있음을 의미한다. 일부 해법들은 TIM2 타입들과, 컴포넌트들의 상단 표면과 냉각 솔루션 내의 단일 히트 싱크 간의 본드 라인 두께들의 조합을 구현할 수 있다. 상이한 TIM들의 조합은 최소의 본드 라인 두께(~5 mils)로 주 칩(CPU) 상에 고성능 상 변화 또는 그리스(grease) 재료를 제공하고, 다른 컴포넌트들 상에는 저 성능 갭 충진제 또는 패드 TIM를 제공할 수 있으며, 후자는 매우 두꺼운 본드 라인 두께(~16 mils)를 요구한다. 다수의 컴포넌트들은 이제 성능을 최대화시키기 위해 효율적으로 냉각되는 것이 중요할 수 있기 때문에, 이것은 더 이상이 현실적이지 않을 수도 있다.
컴패니언 칩을 갖는 일부 다중-칩 패키지들은 단일 IHS 방식을 사용하여 두꺼운 TIM1 본드 라인 두께 및 대응하는 열적 페널티(penalty)를 흡수할 수 있지만, 다른 다중-칩 패키지들에서 계획된 것보다 큰 칩 및 보다 낮은 전력 밀도를 가질 수도 있다. 다른 다중-칩 패키지들의 칩 평균 전력 밀도는, 속도 증가 및 프로세스 감축과 함께 다이 구역을 축소하는데 초점을 둔 설계 노력으로 인해 2 배가될 수도 있다.
도 1의 다중-칩 CPU 패키지를 참조하면, 이 패키지는 프로세서 기판 상에 메모리 및 다른 컴패니언 다이 양쪽 모두를 갖는다. 개별 디바이스들 또는 컴포넌트들 각각은 고체 기반 히트 싱크 표면에 대하여 가변하는 z-높이들로 냉각될 필요가 있을 수 있다. TIM1 및 TIM2 본드 라인들 모두를 최소화시키기 위해, 주 히트 싱크 베이스 내에 포함된 다수의 열 전달 표면들을 갖는 히트 싱크가 이용될 수도 있다. 이 히트 싱크는 각 컴포넌트 간의 TIM2 본드 라인을 제어하기 위해, 히트 싱크 표면들 각각이 독립적으로 로딩되게 하는 내부 스프링들을 포함할 수 있다. 내부 스프링들과 더불어서, 플렉시블 히트 파이프가 열 전달 표면들 각각 또는 선택된 것들 내에 내장된다.
도 8은 플렉시블 히트 파이프들이 히트 싱크 베이스에 연결되는 핀 부분 및 히트 싱크 베이스를 포함하는 히트 싱크의 하단 측 사시도를 도시한 것이다. 도 8은 히트 싱크 상에 구현됨으로써, 2 개의 독립적인 열 전달 표면들을 열적으로 접속/연결시키는 플렉시블 히트 파이프들의 구현예를 보여주고 있다.
일 실시예에서, 도 8에 도시된 히트 싱크는 도 2, 도 4 및 도 5를 참조하여 기술된 것과 유사하고, 다중-칩 패키지의 구역 치수와 근사한 구역 치수를 포함하는 제 1 부분을 포함하며, 히트 싱크 베이스(270) 및 핀들(280)을 포함한다. 제 1 부분은 다중-칩 패키지의 보조 디바이스 구역(들)에 대응하는 구역(들)에 걸쳐 있는 하나 이상의 개구들을 포함한다. 히트 싱크의 제 1 부분의 하나 이상의 개구들 내에 제 2 히트 싱크 부분(들)이 배치되며, 각 제 2 히트 싱크 부분은 베이스 및 핀 구조물을 포함한다. 히트 싱크는 또한 제 1 부분 히트 싱크 베이스 및 하나 이상의 제 2 히트 싱크 베이스들에 연결된 하나 이상의 히트 파이프들을 포함한다. 일 실시예에서, 하나 이상의 히트 파이프들은 히트 싱크 베이스들(예를 들어, 히트 싱크 베이스(들) 내의 홈들 또는 채널들) 내에 내장된다. 일 실시예에서, 히트 파이프는 플렉시블 섹션을 가지며, 이 섹션은 2 개 이상의 히트 싱크 베이스들 간의 접합부의 적어도 일부에 걸쳐서 연장된다. 중요한 것은 각 접촉 표면이 상이한 높이들에 있게 하도록 하는 유연성을 갖는 히트 파이프를 사용하여 다수의 냉각 솔루션들을 연결 또는 결합시켜서, TIM1 및 TIM2 본드 라인 두께들 모두를 최소화시키는 것이다. 히트 파이프의 플렉시블 섹션은 제 2 열 전달 표면이 제 1 열 전달 표면에 대해서 상이한 표면으로 알려지게 할 수 있다. 히트 파이프의 플렉시블 섹션은 냉각 솔루션들 간에 열 전달을 가능하게 하며, 이에 따라 각 컴포넌트의 냉각 능력을 증가시키고/거나 컴포넌트 온도들을 워크로드 변화에 따라서 낮게 할 수 있다.
도 8은 다중-칩 패키지용 히트 싱크를 도시한 것이며, 이 히트 싱크는 히트 싱크 베이스(270) 및 핀들(280)을 포함하는 제 1 부분을 포함한다. 이러한 실시예에서, 히트 싱크의 제 1 부분은 그 안에 제 2 히트 싱크 부분을 수용하기 위한 하나의 개구를 포함한다. 도 8은 제 2 히트 싱크 부분이 히트 싱크 베이스(282) 및 핀들(285)을 포함하는 것을 도시한 것이다. 제 2 히트 싱크 부분은 하나 이상의 메모리 다이 또는 컴패니언 다이와 같은 하나 이상의 보조 디바이스들을 포함하는 다중-칩 패키지의 구역에 걸쳐서 정렬된다. 히트 싱크 베이스(270) 및 히트 싱크 베이스(282) 하측에는, 히트 파이프(290A), 히트 파이프(290B), 히트 파이프(290C) 및 히트 파이프(290D)이 존재한다. 일 실시예에서, 각 히트 파이프는 각각의 베이스들의 하측 내로 절삭되거나 또는 이와 달리 형성되는 채널 내에 내장 또는 배치된다. 도 8은 히트 싱크 베이스(270)의 채널에 연결되며 이에 배치되는 히트 파이프(290A) 및 히트 파이프(290D)와 히트 싱크 베이스(270) 및 히트 싱크 베이스(282) 각각의 채널에 연결되며 이에 배치되는 히트 파이프(290B) 및 히트 파이프(290C)를 도시한 것이다. 히트 파이프(290B)는 플렉시블한 부분(295B)을 포함하며, 이 부분은 히트 싱크 베이스(270) 및 히트 싱크 베이스(282) 간의 접합부에 걸쳐서 배치된다. 마찬가지로, 히트 파이프(290C)는 플렉시블한 부분(295C)을 포함하며, 이 부분은 각 히트 싱크 베이스 간의 접합부에 걸쳐서 배치된다. 플렉시블한 부분들(295B 및 295C)은, 이 실시예에서, 아코디언 형상으로 예시되어 있으며, 이 플렉시블 섹션은 각 냉각 솔루션 베이스가 그것의 대응하는 표면에 체결되면, 히트 파이프의 길이를 따라 팽창 또는 수축하는 것을 가능하게 한다.
일 실시예에서, 히트 파이프들(290A-290D) 각각은 유체를 함유한다. 히트 파이프들(290A-290D) 각각의 재료는 관심있는 작동 온도 범위 및 유체 양립성에 맞게 선택된다. 재료의 예들은 유체로서 물을 갖는 구리 및 유체로서 암모니아를 갖는 알루미늄을 포함한다. 다른 재료들이 다른 유체들(예를 들어, 헬륨, 수은 소듐(mercury sodium))에 맞게 선택된다. 일 실시예에서, 히트 파이프들(290A-290D)은 그 내부에 흡수(wicking) 재료를 또한 포함한다. 히트 파이프들(290A-290D)에 대한 대표적인 직경 범위는 0.5 밀리미터(mm) 내지 20 mm이다. 대표적인 예시적 직경은 6 mm 크기이다. 히트 파이프의 단면 형상은 원형, 타원형, 직사각형 또는 다른 형상일 수 있다.
도 9는 히트 싱크가 다중-칩 프로세서에 연결될 때의 히트 싱크의 실시예를 도시한 것이다. 다중-칩 프로세서(200)는 그 위에 IHS(220)를 갖는 마이크로프로세서 또는 중앙 프로세싱 유닛(CPU)(210)을 포함한다. 이러한 실시예에서, 프로세서(200)는 그 위에 IHS(265)을 갖는 하나 이상의 보조 디바이스들(예를 들어, 컴패니언 칩(260A) 및 컴패니언 칩(260B))을 포함한다. 도 10은 도 9의 라인 10-10'을 통한 단면을 도시한 것이다. 도 10은 히트 파이프(290B)가 히트 싱크 베이스(270) 및 히트 싱크 베이스(282) 내에 내장되고 플렉시블한 부분(295B)이 이 베이스들 간의 접합부에 걸쳐서 배치된 것을 보여주고 있다. 히트 싱크 베이스(270)의 하측면에 의해서 정의된 주 열 전달 표면은 IHS(220)로 지칭되며 히트 싱크 베이스(282)의 하측면에 의해서 정의된 열 전달 표면은 컴패니언 칩 IHS(265)로 지칭된다. 또한, 도 9는 (도시된 바와 같은) 히트 싱크 베이스(270)의 보다 높은 표면(superior surface)에 접근가능한 스크루(292)에 의해서 편위(예를 들어, 압축)된 기계적 부하 스프링(291)을 통한, 히트 싱크의 패키지(200)로의 1차적 연결의 예를 도시한 것이다.
이러한 구성에서 각 표면은 다른 핀들(히트 싱크의 제 1 부분의 핀들(280) 및 제 2 부분의 핀들(285))과 열전도에 있어서 격리된 독립적인 히트 싱크 핀들의 세트를 가질 수 있다. 이러한 설계에서, 제 1 냉각 솔루션 부분은 소켓을 활성화시키는데 필요한 힘을 제공하는 기계적 로딩 방식 스프링들에 부착될 수 있다. 이 부하는 히트 싱크 베이스(270)를 통해 CPU IHS(220)로 전달될 수 있다. 제 2 냉각 솔루션 부분은, 제 2 히트 싱크 베이스가 컴패니언 칩(들)의 IHS(들)(예를 들어, IHS(265))과 접촉하는 때에, 파형 스프링 또는 코일 스프링의 압축을 통해서 컴패니언 칩들 각각의 독립적인 로딩을 생성한다. 이러한 파형 또는 코일 스프링들은 다중-표면 히트 싱크에 대해 내부에 위치한다. 도 11은 내부 로딩 스프링(297)의 상대적 위치를 나타내는 다중-표면 히트 싱크의 단면을 도시한 것이다. 스프링(297)은 컴패니언 칩들에 적절한 부하를 제공하는 것 이외에 히트 파이프의 플렉시블 섹션을 변위시키기에 충분한 힘을 생성할 수 있다. 도 11은 각 단부가 제 2 히트 싱크 베이스(282)에 접촉하고 중간 부분이 히트 싱크 베이스(270)에 접촉하는 파형 스프링(297)을 도시한 것이다. 초기에, 제 1 히트 싱크(히트 싱크 베이스(270) 및 핀들(280)) 및 제 2 히트 싱크(히트 싱크 베이스(282) 및 핀들(285))를 포함하는 열 교환기가 다중-칩 패키지(패키지(200)) 상에 배치된다. 스프링(297)을 편위시키기 이전에, 일 실시예에서, 제 2 히트 싱크 베이스(297)는 히트 싱크 베이스(270)의 표면의 평면을 넘어서 연장한다(CPU(CPU(210) 상의 IHS(220))에 나란하게 된 히트 싱크 베이스(270)의 표면(272)을 넘은 거리만큼 연장한다). 수동 열 교환기(히트 싱크)가 다중-칩 패키지(200) 상에 조립됨에 따라, 히트 싱크 베이스(270)는 IHS(220)와 나란하게 되고, 스프링(297)은 편위되며, 제 2 히트 싱크 베이스(282)는 다중-칩 패키지(200)와 멀어지는 방향으로(즉, 히트 싱크 베이스(270)의 표면(272)을 향하는 방향으로) 변위될 수 있다. 기계적 로딩 스프링(291)(도 9 참조)의 편위는, 일 실시예에서, 열 교환기를 다중-칩 패키지에 연결하는데 사용된다(예를 들어, 열 교환기 및 패키지 간의 스크루 연결로 주 스프링의 편위). 기계적 로딩 스프링의 편위는 스프링(297)의 편위를 보조한다. 일 실시예에서, 250 파운드 힘(1112 뉴톤)까지의 사전결정된 양의 힘(예를 들어, 200 파운드 힘(890 뉴톤)이 히트 싱크 베이스(270)를 통해 IHS(220)로 전달된다.
열적 영향은 아래의 도 12 내지 도 13에 도시된 바와 같은 상당한 열적 개선이다. 도 12는 히트 파이프들을 이용하여 히트 싱크를 연결하는 것과 연결하지 않는 것 간의 대표적인 다중-칩 패키지의 대표적 온도 프로파일을 도시한 것이다. 다중-칩 패키지(300)는 제 1 히트 싱크를 사용하는 프로세서(310) 및 예를 들어 히트 파이프들을 통해 제 1 히트 싱크에 연결되지 않은 개별 히트 싱크들을 사용하는 메모리 다이들(330A, 330B, 350A 및 350B) 및 컴패니언 다이들(360A 및 360B)을 포함한다. 다중-칩 패키지(400)는 제 1 히트 싱크를 사용하는 프로세서(410) 및 히트 파이프들을 통해 제 1 히트 싱크 부분에 연결된 히트 싱크 부분들을 사용하는 메모리 다이들(430A, 430B, 450A 및 450B) 및 컴패니언 다이들(460A 및 460B)을 포함한다. 도 13은 도 12의 예에 히트 싱크들을 연결하지 않는 것과 연결한 것 간의 온도 영향을 도시한 것이다. 고밀도 컴패니언 칩들의 온도는 본 예에서 5°C 만큼 감소하며, 이는 아직 최적화되지 않은 것일 수 있다. 다른 개선사항들이 히트 파이프 레이아웃들의 최적화에 의해 획득될 수 있다.
이상의 설명에서는, 공기 냉각과 일반적으로 관련된 핀 부분들 및 베이스를 포함하는 열 교환기가 참조되었다. 다른 실시예에서는, 이 열 교환기가 내부 핀들을 갖는 액체 냉각 베이스를 가질 수도 있다.
다중-표면 컴포넌트들에 대한 플렉시블 히트 파이프들을 통해 히트 싱크를 연결하는 것의 이점들의 몇몇은 다음을 포함한다:
● 각 컴포넌트의 표면에 대한 자가-조절과 함께 히트 싱크 솔루션들을 열 전달 연결함으로써, 컴포넌트들의 온도를 감소시키고/거나 전력 냉각 능력을 증가시킨다.
● 하나의 히트 싱크 어셈블리가 이용되며, 고객들을 위한 단순성을 유지한다.
● 기존의 TIM2들이 계속 사용될 수 있게 한다.
● 컴포넌트당 조절가능한 부하는 보다 강건한 방식으로 바뀐다.
본 발명의 실시예들은 냉각 솔루션 자원들을 연결하고 이러한 자원들을 다양한 컴포넌트 중심적 워크로드들 하에서 사용함으로써, 전력 냉각 능력을 개선한다. 실시예들은 또한 경쟁력 있는 비용으로 냉각 효율을 증가시키며, 이는 모든 컴포넌트들에 대한 보다 낮은 온도를 야기하며, 각각의 냉각 요건들을 만족시킨다. 실시예들은 전력 능력을 증가시키고 온도를 보다 낮게 할 수 있으며, 이는 보다 높은 빈도 기회들 및 개선된 빈(bin) 분할로 이어질 수 있다. 몇몇 경우들에 있어서, 실시예들은 효율적인 열적 패키징 및 냉각 솔루션들에 기초하여 경쟁력 있는 제품의 생산을 가능하게 한다. 실시예들은 또한 공기 냉각 능력을 확장시킬 수 있다.
본 발명의 실시예들은 목표된 바와 같이 구성된 임의의 적합한 하드웨어 및/또는 소프트웨어를 사용하는 시스템으로 구현될 수 있다. 도 14는 일부 실시예들에 따라서, 본 명세서에서 기술된 바와 같은 열 제거 어셈블리와 결합된 IC 패키지 어셈블리(예를 들어, 다중-칩 패키지)를 포함하는 컴퓨팅 디바이스를 개략적으로 예시한 것이다. 컴퓨팅 디바이스(500)는 (예를 들어, 하우징(508) 내에) 마더보드(502)와 같은 보드를 하우징할 수 있다. 마더보드(502)는 프로세서(504) 및 적어도 하나의 통신 칩(506)을 포함하는 다수의 컴포넌트들을 포함할 수 있으며, 이에 한정되지 않는다. 프로세서(504)는 마더보드(502)에 물리적으로 그리고 전기적으로 결합될 수 있다. 일부 구현예들에서, 적어도 하나의 통신 칩(506)도 또한 마더보드(502)에 물리적으로 그리고 전기적으로 결합될 수 있다. 다른 구현예들에서, 통신 칩(506)은 프로세서(504)의 일부일 수 있다.
그것의 응용들에 따라, 컴퓨팅 디바이스(500)는 마더보드(502)에 물리적으로 그리고 전기적으로 결합되거나 결합되지 않을 수 있는 다른 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 이러한 다른 컴포넌트들은, 휘발성 메모리(예를 들어, DRAM(dynamic random access memory), 비-휘발성 메모리(예를 들어, 판독 전용 메모리(ROM)), 플래시 메모리, 그래픽 프로세서, 디지털 신호 프로세서, 암호 프로세서, 칩셋, 안테나, 디스플레이, 터치스크린 디스플레이, 터치스크린 제어기, 배터리, 오디오 코덱, 비디오 코덱, 전력 증폭기, GPS 디바이스, 컴파스, Geiger 카운터, 가속도계, 자이로스코프, 스피커, 카메라 및 대용량 저장 디바이스(예를 들어, 하드 디스크 드라이브, 컴팩트 디스크(CD), DVD(digital versatile disk), 등)를 포함하며, 이에 한정되지 않는다.
통신 칩(506)은 컴퓨팅 디바이스(500)와의 데이터 교환을 위한 무선 통신들을 가능하게 할 수 있다. 용어 "무선" 및 그것의 파생어들은 비고체 매체를 통해서 변조된 전자기적 방사의 사용을 통해서 데이터를 전달할 수 있는 회로들, 디바이스들, 시스템들, 방법들, 기법들, 통신 채널들 등을 기술하는데 사용될 수 있다. 이 용어는 관련 디바이스들이 임의의 유선들을 포함하지 않는다는 것을 암시하지는 않지만, 일부 실시예들에서는 관련 디바이스들이 유선들을 포함하지 않을 수도 있다. 통신 칩(506)은 다수의 무선 표준들 또는 프로토콜들 중 임의의 것을 구현할 수 있고, 이러한 표준들 또는 프로토콜들은 IEEE(Institute for Electrical and Electronic Engineers) 표준들을 포함하며, 이 IEEE 표준들은 Wi-Fi(IEEE 802.11 패밀리), IEEE 802.16 표준들(예를 들어, IEEE 802.16-2005 수정), 임의의 수정사항들, 업데이트들 및/또는 개정사항들과 함께 LTE(Long-Term Evolution) 프로젝트(예를 들어, 어드밴스드 LTE 프로젝트, UMB(ultra mobile broadband) 프로젝트(또한 "3GPP2"로 지칭됨) 등)을 포함하며, 이에 한정되지 않는다. IEEE 802.16 호환가능한 BWA(broadband wireless access) 네트워크들은 일반적으로 Worldwide Interoperability for Microwave Access를 나타내는 두문자어인 WiMAX 네트워크들로 지칭되며, 이는 IEEE 802.16 표준들에 대한 부합성 및 상호동작가능성 테스트들을 통과한 제품들에 대한 인증 마크이다. 통신 칩(506)은 GSM(Global System for Mobile) 통신, GPRS(General Packet Radio Service), UMTS(Universal Mobile Telecommunications System), HSPA(High Speed Packet Access), E-HSPA(Evolved HSPA), 또는 LTE 네트워크에 따라서 동작할 수 있다. 통신 칩(506)은 EDGE(Enhanced Data for GSM Evolution), GERAN(GSM EDGE Radio Access Network), UTRAN(Universal Terrestrial Radio Access Network), 또는 E-UTRAN(Evolved UTRAN)에 따라서 동작할 수 있다. 통신 칩(506)은 CDMA(Code Division Multiple Access), TDMA(Time Division Multiple Access), DECT(Digital Enhanced Cordless Telecommunications), EV-DO(Evolution-Data Optimized), 이들의 파생표준들, 및 3G, 4G, 5G, 및 그 이상으로 지칭되는 임의의 다른 무선 프로토콜들에 따라서 동작할 수 있다. 통신 칩(506)은, 다른 실시예들에서는, 다른 무선 프로토콜들에 따라 동작할 수 있다.
컴퓨팅 디바이스(500)는 복수의 통신 칩들(506)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 통신 칩(506)은 Wi-Fi 및 Bluetooth와 같은 단거리 무선 통신들에 전용될 수 있으며, 제 2 통신 칩(506)은 GPS, EDGE, GPRS, CDMA, WiMAX, LTE, EV-DO, 기타 등과 같은 장거리 무선 통신들에 전용될 수 있다.
컴퓨팅 디바이스(500)의 프로세서(504)는 본 명세서에서 기술된 바와 같은 열 제거 어셈블리에 결합된 IC 패키지 어셈블리(예를 들어, 다중-칩 패키지) 내에 패키징될 수 있다. 예를 들어, 회로 보드는 마더보드(502)일 수 있으며 프로세서(504)는 본 명세서에서 기술된 바와 같이 회로 보드 상에 장착된 열 제거 어셈블리와 결합된 다이 패키지의 다이일 수 있다. 다른 적합한 구성들이 본 명세서에서 기술된 실시예들에 따라서 구현될 수 있다. 용어 "프로세서"는 전자적 데이터를 레지스터들 및/또는 메모리 내에 저장될 수 있는 다른 전자적 데이터로 변환시키도록 레지스터들 및/또는 메모리로부터 전자적 데이터를 프로세싱하는 임의의 디바이스 또는 디바이스의 부분을 지칭할 수 있다.
통신 칩(506)은 본 명세서에서 기술된 열 제거 어셈블리와 결합된 IC 패키지 어셈블리(예를 들어, 다중-칩 패키지) 내에 패키징될 수 있는 다이를 또한 포함할 수 있다. 다른 구현예들에서, 컴퓨팅 디바이스(500) 내에 하우징된 다른 컴포넌트들(예를 들어, 메모리 디바이스 또는 다른 집적 회로 디바이스)은 본 명세서에서 기술된 열 제거 어셈블리와 결합된 IC 패키지 어셈블리(예를 들어, 다중-칩 패키지) 내에 패키징될 수 있는 다이를 포함할 수 있다.
다양한 구현예들에서, 컴퓨팅 디바이스(500)는 랩탑, 넷북, 노트북, 울트라북, 스마트폰, 태블릿, PDA, 울트라 모바일 PC, 이동 전화, 데스크탑 컴퓨터, 서버, 프린터, 스캐너, 모니너, 셋탑 박스, 엔터테인먼트 제어부, 디지털 카메라, 휴대용 음악 플레이어, 또는 디지털 비디오 리코더일 수 있다. 컴퓨팅 디바이스(500)는 일부 실시예들에서 모바일 컴퓨팅 디바이스일 수 있다. 추가 구현예들에서, 컴퓨팅 디바이스(500)는 데이터를 프로세싱하는 임의의 다른 전자적 디바이스일 수 있다.
예들
다양한 실시예들에 따르면, 본 발명은 장치를 기술한다. 장치의 일 예는 2 개 이상의 다이들의 각각의 표면들과 열적으로 결합되도록 구성된 2 개 이상의 표면들을 갖는 열 제거 어셈블리를 포함할 수 있으며, 2 개 이상의 표면들 중 적어도 하나는 히트 파이프의 플렉시블한 부분에 결합된다.
다양한 실시예들에 따라서, 본 발명은 시스템(예를 들어, 컴퓨팅 디바이스)을 기술한다. 시스템의 일 예는 회로 보드, 회로 보드 상에 장착된 복수의 다이들 및 2 개 이상의 다이들의 각각의 표면들과 열적으로 결합되도록 구성된 2 개 이상의 표면들을 갖는 어셈블리를 포함할 수 있으며, 2 개 이상의 표면들 중 적어도 하나는 히트 파이프의 플렉시블한 부분에 결합된다.
예 1은 기판에 평면형 어레이로 연결된 주(primary) 디바이스 및 적어도 하나의 보조(secondary) 디바이스; 주 디바이스 상에 배치되며 적어도 하나의 보조 디바이스에 대응하는 구역 위의 개구를 갖는 제 1 열 교환기; 적어도 하나의 보조 디바이스 상에서 개구 내에 배치된 제 2 열 교환기; 및 제 1 열 교환기 및 제 2 열 교환기에 연결된 적어도 하나의 히트 파이프(heat pipe)를 포함하는, 장치이다.
예 2에서, 예 1의 장치의 제 1 열 교환기 및 적어도 하나의 제 2 열 교환기 각각은 히트 싱크 베이스 및 핀(fin) 구조물을 포함한다.
예 3에서, 히트 싱크 베이스가 적어도 하나의 히트 파이프와 제 1 열 교환기 및 적어도 하나의 제 2 열 교환기 각각의 핀 구조물 간에 배치되도록, 예 2의 장치의 적어도 하나의 히트 파이프는 제 1 열 교환기 및 적어도 하나의 제 2 열 교환기 각각의 히트 싱크 베이스에 연결된다.
예 4에서, 예 2의 장치의 적어도 하나의 히트 파이프는 제 1 열 교환기 및 적어도 하나의 제 2 열 교환기 각각의 히트 싱크 베이스에 내장된다.
예 5에서, 예 1의 장치의 적어도 하나의 히트 파이프는 플렉시블한 부분을 포함한다.
예 6에서, 예 5의 장치의 적어도 하나의 히트 파이프의 플렉시블한 부분은 제 1 열 교환기와 제 2 열 교환기 간의 접합부에 걸쳐서 배치된다.
예 7에서, 예 3의 장치의 기판 상의 주 디바이스의 두께 치수는 적어도 하나의 보조 디바이스의 두께 치수와 상이하며, 제 1 열 교환기의 베이스는 적어도 하나의 제 2 열 교환기가 배치된 면과는 상이한 면에 배치된다.
예 8은 다중-칩 패키지 상의 배치에 사용가능한(operable) 치수들을 갖는 열 교환기를 포함하며, 열 교환기는, 제 1 구역을 갖는 제 1 부분으로서, 제 1 구역 내에 개구를 갖는, 제 1 부분; 개구 내의 배치에 사용가능한 치수를 갖는 제 2 부분; 및 제 1 부분 및 제 2 부분에 연결된 적어도 하나의 히트 파이프를 포함하는, 장치이다.
예 9에서, 예 8의 장치의 열 교환기의 제 1 부분 및 제 2 부분 각각은 히트 싱크 베이스 및 핀 구조물을 포함한다.
예 10에서, 예 8의 장치의 적어도 하나의 히트 파이프는 제 1 히트 싱크 베이스 및 적어도 하나의 제 2 히트 싱크 베이스에 연결된다.
예 11에서, 예 10의 장치의 적어도 하나의 히트 파이프는 제 1 부분 및 적어도 하나의 제 2 부분 각각의 히트 싱크 베이스에 내장된다.
예 12에서, 예 11의 장치의 적어도 하나의 히트 파이프는 플렉시블한 부분을 포함한다.
예 13에서, 예 11의 장치의 적어도 하나의 히트 파이프의 플렉시블한 부분은 제 1 부분과 제 2 부분 간의 접합부에 걸쳐서 배치된다.
예 14는 다중-칩 패키지 상에 열 교환기를 배치하는 단계로서, 열 교환기는, 주 디바이스 상에 배치된 제 1 구역을 갖는 제 1 부분으로서, 제 1 부분은 적어도 하나의 보조 디바이스에 인접한, 제 1 부분; 적어도 하나의 보조 디바이스 상에 배치된 제 2 부분; 및 제 1 부분과 제 2 부분에 연결된 적어도 하나의 히트 파이프를 포함하는, 배치하는 단계; 및 열 교환기를 다중-칩 패키지에 결합시키는 단계를 포함하는, 방법이다.
예 15에서, 예 14의 방법에서, 열 교환기의 제 1 부분 및 제 2 부분 각각은 히트 싱크 베이스 및 핀 구조물을 포함하며, 스프링이 제 1 히트 싱크 베이스 및 적어도 하나의 제 2 히트 싱크 베이스 간에 배치된다.
예 16에서, 예 14의 방법에서, 적어도 하나의 히트 파이프는 제 1 히트 싱크 베이스 및 적어도 하나의 제 2 히트 싱크 베이스에 연결된다.
예 17에서, 예 16의 방법에서, 적어도 하나의 히트 파이프는 제 1 부분 및 적어도 하나의 제 2 부분 각각의 히트 싱크 베이스에 내장된다.
예 18에서, 예 14의 방법에서, 적어도 하나의 히트 파이프는 플렉시블한 부분을 포함한다.
예 19에서, 예 18의 방법에서, 적어도 하나의 히트 파이프의 플렉시블한 부분은 제 1 부분과 제 2 부분 간의 접합부에 걸쳐서 배치된다.
예 20에서, 예 14 내지 예 19의 방법에서, 열 교환기의 제 1 부분은 적어도 하나의 보조 디바이스에 대응하는 구역 위의 개구를 포함하며, 제 2 부분은 개구 내에 배치된다.
예 21은 예 14 내지 예 20의 방법들 중 임의의 것에 의해서 제조된 다중-칩 패키지 어셈블리이다.
다양한 실시예들은 접속사 형태로(그리고) 위에서 기술된 실시예들의 대안(또는) 실시예들을 포함하는 상술한 실시예들의 임의의 적합한 조합을 포함할 수 있다(예를 들어, "및"은 "및/또는"일 수 있다). 일부 실시예들은 다중-칩 패키지로부터 열을 제거하는 하나 이상의 방법들 및/또는 본 명세서에서 기술된 바와 같은 열 제거 어셈블리를 제공 및/또는 제조하는 것과 관련된 동작들을 포함할 수 있다. 또한, 일부 실시예들은 실행될 때에 상술한 실시예들 중 임의의 것의 동작들을 낳는, 그 상에 저장된, 인스트럭션들을 갖는 하나 이상의 제조 물체들(예를 들어, 비일시적 컴퓨터-판독가능한 매체)을 포함할 수 있다. 또한, 일부 실시예들은 상술한 실시예들의 다양한 동작들을 실행하기 위한 임의의 적합한 수단들을 갖는 장치들 또는 시스템들을 포함할 수 있다.
하나 이상의 구현예들의 전술한 설명은 예시 및 서술을 제공하지만, 소진적으로 해석되지 말아야 하거나 정확히 개시된 형태로만 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것이 아니다. 수정사항들 및 변경사항들이 위의 교시사항들을 고려하여서 가능하거나, 본 발명의 다양한 구현예들의 실시로부터 획득될 수도 있다.
Claims (21)
- 히트 싱크(heat sink) 장치로서,
기판에 평면형 어레이로 연결된 주(primary) 디바이스 및 적어도 하나의 보조(secondary) 디바이스와,
상기 주 디바이스 상에 배치되며, 상기 적어도 하나의 보조 디바이스에 대응하는 구역 위의 개구를 갖는 제 1 열 교환기(heat exchanger) - 상기 제 1 열 교환기는 상기 기판에 제 1 스프링으로 연결됨 - 와,
상기 적어도 하나의 보조 디바이스 상에서 상기 개구 내에 배치된 제 2 열 교환기와,
상기 제 1 열 교환기 및 상기 제 2 열 교환기에 연결된 적어도 하나의 히트 파이프(heat pipe) - 상기 적어도 하나의 히트 파이프는 상기 제 1 열 교환기 및 상기 제 2 열 교환기 각각의 히트 싱크 베이스의 하부에 배치된 채널 내에 내장 또는 배치되며, 상기 채널은 상기 히트 싱크 베이스의 하부 표면에 노출되는 리세스 형태임 - 와,
상기 제 1 열 교환기와 상기 제 2 열 교환기에 연결된 제 2 스프링을 포함하는
히트 싱크 장치.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 열 교환기 및 상기 제 2 열 교환기의 각각은 핀(fin) 구조물을 더 포함하는
히트 싱크 장치.
- 제 2 항에 있어서,
상기 히트 싱크 베이스는 상기 제 1 열 교환기 및 상기 적어도 하나의 제 2 열 교환기의 각각의 상기 핀 구조물과 상기 적어도 하나의 히트 파이프 사이에 배치되는
히트 싱크 장치.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 히트 파이프는 플렉시블한 부분을 포함하는
히트 싱크 장치.
- 제 5 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 히트 파이프의 상기 플렉시블한 부분은 상기 제 1 열 교환기와 상기 제 2 열 교환기 간의 접합부에 걸쳐서 배치되는
히트 싱크 장치.
- 제 3 항에 있어서,
상기 기판 상의 상기 주 디바이스의 두께 치수는 상기 적어도 하나의 보조 디바이스의 두께 치수와 상이하며,
상기 제 1 열 교환기의 베이스는 상기 적어도 하나의 제 2 열 교환기가 배치된 면과는 상이한 면에 배치되는
히트 싱크 장치.
- 히트 싱크 장치로서,
다중-칩 패키지 상의 배치에 사용가능한(operable) 치수들을 갖는 열 교환기를 포함하되,
상기 열 교환기는,
내부에 개구가 있는 제 1 구역을 가진 제 1 부분 - 상기 제 1 부분은 상기 다중-칩 패키지에 제 1 스프링으로 연결됨 - 과,
상기 개구 내의 배치에 사용가능한 치수를 가진 제 2 부분과,
상기 열 교환기의 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분에 연결된 적어도 하나의 히트 파이프 - 상기 적어도 하나의 히트 파이프는 상기 열 교환기의 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분 각각의 히트 싱크 베이스의 하부에 배치된 채널 내에 내장 또는 배치되며, 상기 채널은 상기 히트 싱크 베이스의 하부 표면에 노출되는 리세스 형태임 - 와,
상기 열 교환기의 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분에 연결된 제 2 스프링을 포함하는
히트 싱크 장치.
- 제 8 항에 있어서,
상기 열 교환기의 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분의 각각은 핀 구조물을 더 포함하는
히트 싱크 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제 8 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 히트 파이프는 플렉시블한 부분을 포함하는
히트 싱크 장치.
- 제 12 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 히트 파이프의 플렉시블한 부분은 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 간의 접합부에 걸쳐서 배치되는
히트 싱크 장치.
- 다중-칩 패키지 상에 열 교환기를 배치하는 단계 -상기 열 교환기는, 주 디바이스 상에 배치된 제 1 구역을 갖는 제 1 부분으로서, 상기 제 1 부분은 적어도 하나의 보조 디바이스에 대응하는 구역에 인접한, 상기 제 1 부분과, 상기 적어도 하나의 보조 디바이스 상에 배치된 제 2 부분과, 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분에 연결된 적어도 하나의 히트 파이프를 포함하고, 상기 적어도 하나의 히트 파이프는 상기 열 교환기의 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분 각각의 히트 싱크 베이스의 하부에 배치된 채널 내에 내장 또는 배치되며, 상기 채널은 상기 히트 싱크 베이스의 하부 표면에 노출되는 리세스 형태임- 와,
상기 열 교환기를 상기 다중-칩 패키지에 연결하는 단계를 포함하되,
상기 제 1 부분은 상기 다중-칩 패키지에 제 1 스프링으로 연결되고,
상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분은 제 2 스프링으로 연결되는
열 교환기 연결 방법.
- 제 14 항에 있어서,
상기 열 교환기의 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분의 각각은 히트 싱크 베이스 및 핀 구조물을 포함하며, 제 1 히트 싱크 베이스와 적어도 하나의 제 2 히트 싱크 베이스 간에 상기 제 2 스프링이 배치되는
열 교환기 연결 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제 14 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 히트 파이프는 플렉시블한 부분을 포함하는
열 교환기 연결 방법.
- 제 18 항에 있어서,
상기 적어도 하나의 히트 파이프의 상기 플렉시블한 부분은 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 간의 접합부에 걸쳐서 배치되는
열 교환기 연결 방법.
- 제 14 항에 있어서,
상기 열 교환기의 상기 제 1 부분은 상기 적어도 하나의 보조 디바이스에 대응하는 구역 위의 개구를 포함하며,
상기 제 2 부분은 상기 개구 내에 배치되는
열 교환기 연결 방법.
- 제 1 항 내지 제 3 항, 제 5 항 내지 제 9 항, 제 12 항 및 제 13 항 중 어느 한 항에 따른 히트 싱크 장치를 포함하는 다중-칩 패키지 어셈블리.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201462067859P | 2014-10-23 | 2014-10-23 | |
| US62/067,859 | 2014-10-23 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20160048010A KR20160048010A (ko) | 2016-05-03 |
| KR101894820B1 true KR101894820B1 (ko) | 2018-09-04 |
Family
ID=55792576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150147599A KR101894820B1 (ko) | 2014-10-23 | 2015-10-22 | 다중-표면 컴포넌트에 대한 플렉시블 히트 파이프를 이용하는 히트 싱크 연결 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9935033B2 (ko) |
| JP (1) | JP6129929B2 (ko) |
| KR (1) | KR101894820B1 (ko) |
| TW (1) | TWI600091B (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021210914A1 (ko) * | 2020-04-14 | 2021-10-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열판 |
| WO2023022391A1 (ko) * | 2021-08-18 | 2023-02-23 | 삼성전자주식회사 | 칩 패키지 구조 및 이를 포함하는 전자 장치 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BR112017003978A2 (pt) * | 2014-09-27 | 2017-12-12 | Intel Corp | solução de resfriamento autoajustável de múltiplos chips |
| US9806003B2 (en) * | 2016-01-30 | 2017-10-31 | Intel Corporation | Single base multi-floating surface cooling solution |
| US9733680B1 (en) * | 2016-03-16 | 2017-08-15 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Thermal management system including an elastically deformable phase change device |
| CN106413343B (zh) * | 2016-09-12 | 2019-04-26 | 华为技术有限公司 | 散热器、散热装置、散热系统及通信设备 |
| DE102017101582A1 (de) * | 2017-01-26 | 2018-07-26 | Bombardier Primove Gmbh | Empfangsvorrichtung und Verfahren zur Herstellung |
| US10477728B2 (en) * | 2017-12-27 | 2019-11-12 | Juniper Networks, Inc | Apparatus, system, and method for cooling devices containing multiple components |
| US10980151B2 (en) | 2018-07-31 | 2021-04-13 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Flexible heat transfer mechanism configurations |
| TWI707628B (zh) * | 2020-02-27 | 2020-10-11 | 技嘉科技股份有限公司 | 散熱裝置 |
| WO2022006002A1 (en) * | 2020-06-29 | 2022-01-06 | Marvell Asia Pte, Ltd. | Heat sink configuration for multi-chip module |
| US11206747B1 (en) * | 2020-09-25 | 2021-12-21 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Heat release device |
| US11930622B2 (en) | 2022-01-07 | 2024-03-12 | Dell Products Lp | System and method for a 5G cooling module that directs heat into a thermal loop associated with a processing device |
| US12052846B2 (en) * | 2022-02-11 | 2024-07-30 | Quanta Computer Inc. | Combination heat sink |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014148026A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | 日本電気株式会社 | ヒートシンク構造、半導体装置及びヒートシンク搭載方法 |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3233808B2 (ja) * | 1995-03-17 | 2001-12-04 | 富士通株式会社 | 電子パッケージの冷却システム |
| US6152213A (en) * | 1997-03-27 | 2000-11-28 | Fujitsu Limited | Cooling system for electronic packages |
| US5808236A (en) | 1997-04-10 | 1998-09-15 | International Business Machines Corporation | High density heatsink attachment |
| US7405931B2 (en) | 2004-09-20 | 2008-07-29 | Nortel Networks Limited | Floating heatsink for removable components |
| US7583504B2 (en) | 2005-11-11 | 2009-09-01 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Cooling assembly |
| US7646093B2 (en) * | 2006-12-20 | 2010-01-12 | Intel Corporation | Thermal management of dies on a secondary side of a package |
| US20090085187A1 (en) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Ward Scott | Loading mechanism for bare die packages and lga socket |
| KR200457138Y1 (ko) * | 2009-03-11 | 2011-12-07 | 이더테크놀로지(주) | 진동이 없는 칩셋 냉각용 방열 장치 |
| US20110088874A1 (en) * | 2009-10-20 | 2011-04-21 | Meyer Iv George Anthony | Heat pipe with a flexible structure |
| US8355255B2 (en) | 2010-12-22 | 2013-01-15 | Raytheon Company | Cooling of coplanar active circuits |
| US8780561B2 (en) | 2012-03-30 | 2014-07-15 | Raytheon Company | Conduction cooling of multi-channel flip chip based panel array circuits |
| JP5928233B2 (ja) | 2012-08-03 | 2016-06-01 | 富士通株式会社 | 放熱器及び該放熱器を備えた電子装置 |
| US9236323B2 (en) | 2013-02-26 | 2016-01-12 | Intel Corporation | Integrated heat spreader for multi-chip packages |
-
2015
- 2015-10-16 TW TW104134033A patent/TWI600091B/zh not_active IP Right Cessation
- 2015-10-20 US US14/918,119 patent/US9935033B2/en active Active
- 2015-10-22 KR KR1020150147599A patent/KR101894820B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-22 JP JP2015208160A patent/JP6129929B2/ja active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014148026A1 (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-25 | 日本電気株式会社 | ヒートシンク構造、半導体装置及びヒートシンク搭載方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021210914A1 (ko) * | 2020-04-14 | 2021-10-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 방열판 |
| US12063757B2 (en) | 2020-04-14 | 2024-08-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Heat sink |
| WO2023022391A1 (ko) * | 2021-08-18 | 2023-02-23 | 삼성전자주식회사 | 칩 패키지 구조 및 이를 포함하는 전자 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6129929B2 (ja) | 2017-05-17 |
| TWI600091B (zh) | 2017-09-21 |
| KR20160048010A (ko) | 2016-05-03 |
| US20160118315A1 (en) | 2016-04-28 |
| JP2016086165A (ja) | 2016-05-19 |
| TW201635395A (zh) | 2016-10-01 |
| US9935033B2 (en) | 2018-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101894820B1 (ko) | 다중-표면 컴포넌트에 대한 플렉시블 히트 파이프를 이용하는 히트 싱크 연결 | |
| US9806003B2 (en) | Single base multi-floating surface cooling solution | |
| JP6263813B2 (ja) | 熱除去アセンブリ、マルチチップパッケージアセンブリ、およびシステム | |
| US9299635B2 (en) | Ridged integrated heat spreader | |
| US7163050B2 (en) | Heat dissipating device | |
| US7414848B2 (en) | Heat dissipation device | |
| US20070217162A1 (en) | Heat dissipation device | |
| TWI578450B (zh) | 與封裝負載總成相關聯之技術及組配 | |
| US20050241808A1 (en) | Heat dissipation device | |
| CN114730746A (zh) | 用于改善堆叠的底部管芯的冷却的导热柱/有源管芯 | |
| US10108237B1 (en) | Heat dissipating device with improved cooling performance | |
| US20090151899A1 (en) | Cooling apparatus | |
| US11259399B2 (en) | Socket with thermal conductor | |
| US8430153B2 (en) | Heat dissipation device having heat sink enclosing conductive member therein | |
| US20170231116A1 (en) | Heat dissipating device | |
| EP3840037A1 (en) | Package wrap-around heat spreader | |
| US20150235920A1 (en) | Flow diversion devices | |
| US11495518B2 (en) | Multi-surface heat sink suitable for multi-chip packages | |
| KR200319226Y1 (ko) | 방사형 방열핀을 갖는 히트파이프용 방열판 | |
| US20140318757A1 (en) | Heat sink incorporating interlocked fin | |
| KR100616310B1 (ko) | 전자장비용 방열판의 제조방법 | |
| US8579019B2 (en) | Heat dissipation device | |
| KR101444773B1 (ko) | 히트싱크의 제조방법 및 그 히트싱크 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |