KR101890888B1 - 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체, 그 제조방법, 및 이를 포함한 전극 재료 - Google Patents

탄소-공융 갈륨 인듐 복합체, 그 제조방법, 및 이를 포함한 전극 재료 Download PDF

Info

Publication number
KR101890888B1
KR101890888B1 KR1020170018174A KR20170018174A KR101890888B1 KR 101890888 B1 KR101890888 B1 KR 101890888B1 KR 1020170018174 A KR1020170018174 A KR 1020170018174A KR 20170018174 A KR20170018174 A KR 20170018174A KR 101890888 B1 KR101890888 B1 KR 101890888B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
carbon
gallium indium
eutectic gallium
present
eutectic
Prior art date
Application number
KR1020170018174A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180092471A (ko
Inventor
이창영
민혜기
김윤태
Original Assignee
울산과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 울산과학기술원 filed Critical 울산과학기술원
Priority to KR1020170018174A priority Critical patent/KR101890888B1/ko
Publication of KR20180092471A publication Critical patent/KR20180092471A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101890888B1 publication Critical patent/KR101890888B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/168—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C26/00—Alloys containing diamond or cubic or wurtzitic boron nitride, fullerenes or carbon nanotubes
    • C22C2026/002—Carbon nanotubes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

본 발명은, 전기적 및 기계적 성질이 향상된 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체를 제공한다. 본 발명의 일실시예에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체는, 공융 갈륨 인듐; 탄소 나노체; 및 상기 공융 갈륨 인듐과 상기 탄소 나노체를 혼합시켜 고상화하는 혼합 매개체;를 포함한다.

Description

탄소-공융 갈륨 인듐 복합체, 그 제조방법, 및 이를 포함한 전극 재료{Carbon-eutectic gallium indium composite material, and method of manufacturing the same, and electrode material having the same}
본 발명의 기술적 사상은 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 전기적 및 기계적 성질이 향상된 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체, 그 제조방법, 및 이를 이용한 전극 재료에 관한 것이다.
탄소나노튜브는 뛰어난 물리, 화학적, 기계적 및 전기적 물성을 갖고 있기 때문에 매우 다양한 산업에 응용할 수 있는 중요한 신소재 중에 하나이다. 특히, 탄소나노튜브-나노입자 복합체(composite)는 탄소나노튜브의 자체 특성뿐만 아니라 나노입자의 특성을 응용할 수 있어, 촉매, 화학 센서 또는 나노크기의 전자기적 기기에 적용 가능하다. 상기 적용을 위해, 탄소나노튜브 및 나노입자의 고유한 특성을 유지시키면서도 탄소나노튜브에 나노입자를 고정화한 탄소나노튜브-나노입자 복합체 제조를 위한 다양한 기술들이 개발되었다.
공융 갈륨 인듐(eutectic gallium indium, EGaIn)은 상온에서 액체 상태의 금속으로, 3.4 x 104 S/cm 수준의 전도성을 가지며, 공기 중에서 산화막을 형성하여 그 형태를 유지하는 장점이 있어 신축성 전극으로서의 활용가치가 높다. 하지만, 공융 갈륨 인듐은 녹는점이 15.5℃로서 상온에서 여전히 액체 상태라는 한계가 있어, 전기적 및 기계적 특성의 개선을 위하여 복합체를 형성할 필요가 있다.
한국등록특허 제10-0945568호
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 전기적 및 기계적 성질이 향상된 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체를 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 전기적 및 기계적 성질이 향상된 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기술적 사상이 이루고자 하는 기술적 과제는 전기적 및 기계적 성질이 향상된 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체를 포함하는 전극 재료를 제공하는 것이다.
그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체는, 공융 갈륨 인듐; 탄소 나노체; 및 상기 공융 갈륨 인듐과 상기 탄소 나노체를 혼합시켜 고상화하는 혼합 매개체;를 포함한다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 탄소 나노체에 대한 상기 액체 금속체의 접촉각과 비교하여 상기 혼합 매개체에 대한 상기 액체 금속체의 접촉각이 작고, 이에 따라 상기 혼합 매개체가 상기 탄소 나노체와 상기 액체 금속체를 혼합시킬 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 혼합 매개체는, 백금(Pt), 금(Au), 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiO2), 유리(glass), 및 PDMS(Polydimethylsiloxane) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 탄소 나노체는 탄소 나노튜브(carbon nanotube), 그래핀(graphene), 풀러렌(Fullerene) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 탄소 나노체와 상기 혼합 매개체는 화학적으로 결합할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들에 있어서, 상기 탄소 나노체는 COOH기를 포함하고, 상기 혼합 매개체는 환원 반응에 의하여 상기 COOH기를 대체하여 상기 탄소 나노체에 화학적으로 결합할 수 있다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체의 제조 방법은, COOH기를 포함하는 탄소 나노튜브를 제공하는 단계; 상기 탄소 나노튜브와 Pt(NH3)4(NO3)2를 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계; 상기 혼합물을 환원 처리하여 백금(Pt)을 상기 탄소 나노튜브에 화학결합시키는 단계; 및 상기 백금이 화학결합된 상기 탄소 나노튜브와 공융 갈륨 인듐을 혼합하는 단계;를 포함한다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 탄소-액체 금속 복합체는, 액체 금속체; 탄소 나노체; 및 상기 액체 금속체와 상기 탄소 나노체를 혼합시켜 고상화하는 혼합 매개체;를 포함하고, 상기 탄소 나노체에 대한 상기 액체 금속체의 접촉각과 비교하여 상기 혼합 매개체에 대한 상기 액체 금속체의 접촉각이 작고, 이에 따라 상기 혼합 매개체가 상기 탄소 나노체와 상기 액체 금속체를 혼합시킨다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 기술적 사상에 따른 전극 재료는 상술한 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체를 포함한다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체는 백금과 같은 혼합 매개체를 포함함으로써, 탄소 나노체와 공융 갈륨 인듐과의 결합력 증가 및 균일한 혼합을 제공할 수 있고, 고상화할 수 있고, 또한 탄소 나노체로부터 전기적 및 기계적 성질을 개선시킬 수 있으므로, 결과적으로 혼합체의 전기적 및 기계적 성질 등의 특성을 향상시키는 효과를 제공할 수 있다.
상술한 본 발명의 효과들은 예시적으로 기재되었고, 이러한 효과들에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체를 도시하는 사진이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체의 접촉각에 대하여 설명하는 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체를 형성하기 위하여, 공융 갈륨 인듐과 다양한 물질과의 접촉각을 나타내는 사진들이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체의 제조 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 도 4의 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체의 제조 방법에서 백금과 탄소 나노튜브와의 화학결합을 도시하는 개략도이다.
도 6은 탄소 나노튜브에 화학결합된 백금을 도시하는 투사전자현미경 사진이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 기술적 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 본 명세서에서 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다.
현재까지 알려진 공융 갈륨 인듐 복합체 중의 하나는 공융 갈륨 인듐과 실리콘 오일과 같은 유기물질을 혼합하여 형성한다. 그러나, 이러한 공융 갈륨 인듐 복합체는 낮은 전기전도성을 가지는 유기물질을 포함하게 되므로 전체적인 전기전도성이 저하되는 한계가 있다. 공융 갈륨 인듐 복합체의 다른 하나는 공융 갈륨 인듐의 표면에 탄소나노튜브와 같은 나노 입자를 코팅하여 형성한다. 그러나, 이러한 공융 갈륨 인듐 복합체는 표면처리만으로는 물성의 근본적인 개선이 어려운 한계가 있다. 즉, 현재까지의 기술로는 공융 갈륨 인듐과 쉽게 혼합되는 전도성 물질이 개발되지 못하고 있고, 또한 상술한 공융 갈륨 인듐 복합체로는 신축성 전극으로 사용하기에는 한계가 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체는, 공융 갈륨 인듐; 탄소 나노체; 및 상기 공융 갈륨 인듐과 상기 탄소 나노체를 혼합시켜 고상화하는 혼합 매개체;를 포함한다. 특히, 상기 탄소 나노체에 대한 상기 액체 금속체의 접촉각과 비교하여 상기 혼합 매개체에 대한 상기 액체 금속체의 접촉각이 작고, 이에 따라 상기 혼합 매개체가 상기 탄소 나노체와 상기 액체 금속체를 혼합시킬 수 있다.
상기 혼합 매개체는 상기 액체 금속체과의 접촉각을 상기 탄소 나노체에 대한 상기 액체 금속체의 접촉각에 비하여 작게하는 모든 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어 백금(Pt), 금(Au), 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiO2), 유리(glass), 및 PDMS(Polydimethylsiloxane) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 탄소 나노체는 탄소로 구성된 나노 물질을 모두 포함할 수 있고, 예를 들어 탄소 나노튜브(carbon nanotube), 그래핀(graphene), 풀러렌(Fullerene) 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 탄소 나노체와 상기 혼합 매개체는 화학적으로 결합할 수 있다. 예를 들어 상기 탄소 나노체는 COOH기를 포함하고, 상기 혼합 매개체는 환원 반응에 의하여 상기 COOH기를 대체하여 상기 탄소 나노체에 화학적으로 결합할 수 있다.
본 발명의 기술적 사상은 상술한 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체에 한정되는 것은 아니고, 탄소-액체 금속 복합체로 확장하는 경우도 포함할 수 있다. 즉, 본 발명의 기술적 사상에 따른 탄소-액체 금속 복합체는, 액체 금속체; 탄소 나노체; 및 상기 액체 금속체와 상기 탄소 나노체를 혼합시켜 고상화하는 혼합 매개체;를 포함하고, 상기 탄소 나노체에 대한 상기 액체 금속체의 접촉각과 비교하여 상기 혼합 매개체에 대한 상기 액체 금속체의 접촉각이 작고, 이에 따라 상기 혼합 매개체가 상기 탄소 나노체와 상기 액체 금속체를 혼합시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명의 기술적 사상에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체를 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체를 도시하는 사진이다.
도 1의 (a)를 참조하면, 비교예로서 공융 갈륨 인듐 물질이 나타나 있다. 상술한 바와 같이, 상기 공융 갈륨 인듐은 액상이므로, 원하는 기계적 및 전기적 특성을 제공하는 것에 한계가 있다.
도 1의 (b)를 참조하면, 비교예로서 공융 갈륨 인듐과 탄소 나노튜브를 혼합한 혼합물이 나타나 있다. 상술한 바와 같이, 상기 탄소 나노튜브는 상기 공융 갈륨 인듐과 잘 섞이지 못하고, 상기 공융 갈륨 인듐의 표면에만 배치되므로, 역시 원하는 기계적 및 전기적 특성을 제공하는 것에 한계가 있다.
도 1의 (c)를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체가 나타나 있다. 상기 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체는 공융 갈륨 인듐, 탄소 나노튜브, 및 백금이 균일하게 혼합되어 있다. 또한, 상기 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체는 고상으로 형성되어 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체의 접촉각에 대하여 설명하는 개략도이다.
도 2를 참조하면, (a)는 탄소 나노튜브(CNT)에 대한 공융 갈륨 인듐(EGaIn)의 접촉각(θ1)을 도시하고, (b)는 상기 백금(Pt)에 대한 공융 갈륨 인듐(EGaIn)의 접촉각(θ2)을 도시한다. 접촉각(θ2)은 접촉각(θ1)에 비하여 작게 나타나므로, 상기 공융 갈륨 인듐이 상기 탄소 나노튜브에 비하여 백금에 더 잘 혼합되는 것으로 분석된다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체를 형성하기 위하여, 공융 갈륨 인듐과 다양한 물질과의 접촉각을 나타내는 사진들이다.
도 3을 참조하면, 다양한 물질로서, 백금(Pt), 금(Au), 은(Ag), 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiO2), 테플론(Teflon), 유리(glass), 및 PDMS(Polydimethylsiloxane), 및 실란화 PDMS로 형성된 평판 상에 공융 갈륨 인듐을 접촉시킴에 의하여 형성된 접촉 상태를 나타낸다. 상기 물질들 중에 백금(Pt), 금(Au), 실리콘(Si), 실리콘 산화물(SiO2), PDMS(Polydimethylsiloxane)은 탄소 나노튜브에 대한 공융 갈륨 인듐의 접촉각에 대하여 작은 접촉각을 나타낸다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체의 제조 방법을 도시하는 흐름도이다.
도 4를 참조하면, 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체의 제조 방법(S100)은, COOH기를 포함하는 탄소 나노튜브를 제공하는 단계(S110); 상기 탄소 나노튜브와 Pt(NH3)4(NO3)2를 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계(S120); 상기 혼합물을 환원 처리하여 백금(Pt)을 상기 탄소 나노튜브에 화학결합시키는 단계(S130); 및 상기 백금이 화학결합된 상기 탄소 나노튜브와 공융 갈륨 인듐을 혼합하는 단계(S140);를 포함한다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 도 4의 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체의 제조 방법에서 백금과 탄소 나노튜브와의 화학결합을 도시하는 개략도이다.
도 6은 탄소 나노튜브에 화학결합된 백금을 도시하는 투사전자현미경 사진이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 탄소 나노튜브(CNT)는 예를 들어 COOH기를 포함하고, Pt(NH3)4(NO3)2와 혼합되고 환원 처리되어, 상기 탄소 나노튜브에 백금이 화학결합될 수 있고, 이는 도 6의 사진에서도 확인될 수 있다. 상기 탄소 나노튜브는 단일벽 구조를 가지는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 환원 처리는 공기 분위기, 불활성 가스 분위기 또는 수소 가스 등과 같은 환원 가스 분위기 하에서 수행될 수 있다. 상기 백금에 대하여 접촉각이 상대적으로 작은 공융 갈륨 인듐이 접촉됨으로써, 상기 백금을 혼합 매개체로 기능시켜 탄소 나노체와 공융 갈륨 인듐과의 결합력을 증가시키고 또한 균일한 혼합을 이루어낼 수 있다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체는 백금과 같은 혼합 매개체를 포함함으로써, 탄소 나노체와 공융 갈륨 인듐과의 결합력 증가 및 균일한 혼합을 제공할 수 있고, 고상화할 수 있고, 또한 탄소 나노체로부터 전기적 및 기계적 성질을 개선시킬 수 있으므로, 결과적으로 혼합체의 전기적 및 기계적 성질 등의 특성을 향상시키는 효과를 제공할 수 있다. 본 발명의 기술적 사상에 따른 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체는 자양한 전기 전자 제품 등의 전극 재료에 적용될 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 기술적 사상이 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은, 본 발명의 기술적 사상이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

Claims (9)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. COOH기를 포함하는 탄소 나노튜브를 제공하는 단계;
    상기 탄소 나노튜브와 Pt(NH3)4(NO3)2를 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계;
    상기 혼합물을 환원 처리하여 백금(Pt)을 상기 탄소 나노튜브에 화학결합시키는 단계; 및
    상기 백금이 화학결합된 상기 탄소 나노튜브와 공융 갈륨 인듐을 혼합하는 단계;
    를 포함하는, 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체의 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 삭제
KR1020170018174A 2017-02-09 2017-02-09 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체, 그 제조방법, 및 이를 포함한 전극 재료 KR101890888B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170018174A KR101890888B1 (ko) 2017-02-09 2017-02-09 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체, 그 제조방법, 및 이를 포함한 전극 재료

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170018174A KR101890888B1 (ko) 2017-02-09 2017-02-09 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체, 그 제조방법, 및 이를 포함한 전극 재료

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180092471A KR20180092471A (ko) 2018-08-20
KR101890888B1 true KR101890888B1 (ko) 2018-08-22

Family

ID=63442960

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170018174A KR101890888B1 (ko) 2017-02-09 2017-02-09 탄소-공융 갈륨 인듐 복합체, 그 제조방법, 및 이를 포함한 전극 재료

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101890888B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102290112B1 (ko) * 2020-03-18 2021-08-13 포항공과대학교 산학협력단 수소 도핑된 액체금속 산화물을 포함하는 전도성 액체금속 미세입자, 그를 포함하는 전도성 잉크 및 그의 제조방법

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100945568B1 (ko) 2007-09-18 2010-03-09 이화여자대학교 산학협력단 금속 나노입자가 고정화된 이온성 액체-탄소나노튜브 지지체의 복합체 및 이의 제조방법

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Appl. Phys. Lett. 103, 063101 (2013)
SCIENTIFIC REPORTS | 3 : 2257 | DOI: 10.1038/srep02257

Also Published As

Publication number Publication date
KR20180092471A (ko) 2018-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Schütt et al. Hierarchical self-entangled carbon nanotube tube networks
Kharadi et al. Silicene: From material to device applications
Sainsbury et al. Templated assembly of semiconductor and insulator nanoparticles at the surface of covalently modified multiwalled carbon nanotubes
Chu et al. Filling of carbon nanotubes with silver, gold, and gold chloride
Xu et al. Graphene as transparent electrodes: fabrication and new emerging applications
Whitsitt et al. Silica coated single walled carbon nanotubes
KR101583916B1 (ko) 나노카본 강화 알루미늄 복합재 및 그 제조방법
TWI523043B (zh) 透明導電薄膜的製備方法
Faria et al. Unveiling the role of oxidation debris on the surface chemistry of graphene through the anchoring of Ag nanoparticles
Yang et al. pH-Sensitive highly dispersed reduced graphene oxide solution using lysozyme via an in situ reduction method
KR101774645B1 (ko) 그래핀-나노 물질 복합체, 이를 포함하는 유연 및 신축성 복합체 및 이들의 제조방법
Kathiravan et al. Self-assembled hierarchical interfaces of ZnO nanotubes/graphene heterostructures for efficient room temperature hydrogen sensors
Ju et al. Highly sensitive hydrogen gas sensors using single-walled carbon nanotubes grafted with Pd nanoparticles
Alim et al. Recent advances on thermally conductive adhesive in electronic packaging: a review
Viskadouros et al. Enhanced field emission from reduced graphene oxide polymer composites
WO2009139331A9 (ja) 炭素線および炭素膜からなるナノ構造体およびそれらの製造方法
WO2016208170A1 (ja) ナノ炭素複合材料およびその製造方法
EP2402285B1 (en) Method for fabricating composite material comprising nano carbon and metal or ceramic
Li et al. Hybrid strategy of graphene/carbon nanotube hierarchical networks for highly sensitive, flexible wearable strain sensors
Ahn et al. High-performance functional nanocomposites using 3D ordered and continuous nanostructures generated from proximity-field nanopatterning
Wang et al. Noncovalent functionalization of multiwalled carbon nanotubes: application in hybrid nanostructures
Hao et al. Constructing 3D graphene network in rubber nanocomposite via liquid-phase redispersion and self-assembly
Jeong et al. Flexible field emission from thermally welded chemically doped graphene thin films
Li et al. Decoration of multiwall nanotubes with cadmium sulfide nanoparticles
Bao et al. Large-scale synthesis of uniform silver nanowires by high-gravity technology for flexible transparent conductive electrodes

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant