KR101890735B1 - Fringe field switching liquid crystal display device and method of fabricating the same - Google Patents

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Abstract

본 발명의 프린지 필드형(Fringe Field Switching; FFS) 액정표시장치 및 그 제조방법은 데이터라인 상부의 공통전극에 액정의 초기 배향방향과 동일한 방향으로 슬릿을 형성함으로써 데이터라인의 신호지연을 최소화하는 동시에 빛샘 등의 화면 왜곡을 방지하기 위한 것으로, 제 1 기판 위에 형성되며, 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인; 상기 제 1 기판의 화소영역에 형성된 화소전극; 상기 화소전극이 형성된 제 1 기판 위에 형성된 보호막; 상기 보호막이 형성된 제 1 기판 위에 형성되며, 각각의 화소영역 내에서 다수의 제 1 슬릿을 가져 상기 화소전극과 함께 프린지 필드를 발생시키는 공통전극; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성되며, 초기 배향방향을 가지는 액정층; 및 상기 제 1 기판과 대향하여 합착되는 상기 제 2 기판을 포함하며, 상기 데이터라인 상부의 공통전극은 상기 액정층의 초기 배향방향과 동일한 방향으로 다수의 제 2 슬릿을 가지는 것을 특징으로 한다.A Fringe Field Switching (FFS) liquid crystal display device and a method of manufacturing the same of the present invention minimize slippage of a data line by forming a slit in the same direction as the initial alignment direction of liquid crystal on a common electrode on a data line A gate line and a data line formed on the first substrate and crossing each other to define a pixel region; A pixel electrode formed in a pixel region of the first substrate; A protective layer formed on the first substrate on which the pixel electrode is formed; A common electrode formed on the first substrate on which the protective film is formed and having a plurality of first slits in each pixel region to generate a fringe field together with the pixel electrodes; A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate and having an initial alignment direction; And the second substrate bonded to be opposite to the first substrate, wherein the common electrode on the data line has a plurality of second slits in the same direction as the initial alignment direction of the liquid crystal layer.

Description

프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법{FRINGE FIELD SWITCHING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}Field of the Invention [0001] The present invention relates to a fringe field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same. BACKGROUND OF THE INVENTION [0002]

본 발명은 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고해상도 및 광시야각을 구현할 수 있는 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.Field of the Invention [0002] The present invention relates to a fringe field type liquid crystal display and a method of manufacturing the same, and more particularly, to a fringe field type liquid crystal display capable of realizing a high resolution and a wide viewing angle and a method of manufacturing the same.

최근 정보 디스플레이에 관한 관심이 고조되고 휴대가 가능한 정보매체를 이용하려는 요구가 높아지면서 기존의 표시장치인 브라운관(Cathode Ray Tube; CRT)을 대체하는 경량 박막형 평판표시장치(Flat Panel Display; FPD)에 대한 연구 및 상업화가 중점적으로 이루어지고 있다. 특히, 이러한 평판표시장치 중 액정표시장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 액정의 광학적 이방성을 이용하여 이미지를 표현하는 장치로서, 해상도와 컬러표시 및 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터 등에 활발하게 적용되고 있다.Recently, interest in information display has increased, and a demand for using portable information media has increased, and a light-weight flat panel display (FPD) that replaces a cathode ray tube (CRT) And research and commercialization are being carried out. Particularly, among such flat panel display devices, a liquid crystal display (LCD) is an apparatus for displaying an image using the optical anisotropy of a liquid crystal, and is excellent in resolution, color display and picture quality and is actively applied to a notebook or a desktop monitor have.

상기 액정표시장치는 크게 컬러필터(color filter) 기판과 어레이(array) 기판 및 상기 컬러필터 기판과 어레이 기판 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)으로 구성된다.The liquid crystal display comprises a color filter substrate, an array substrate, and a liquid crystal layer formed between the color filter substrate and the array substrate.

이하, 도면을 참조하여 일반적인 액정표시장치에 대해서 상세히 설명한다.Hereinafter, a general liquid crystal display device will be described in detail with reference to the drawings.

도 1은 일반적인 액정표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 분해사시도이다.1 is an exploded perspective view schematically showing a structure of a general liquid crystal display device.

도면에 도시된 바와 같이, 일반적인 액정표시장치는 크게 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 및 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10) 사이에 형성된 액정층(liquid crystal layer)(30)으로 구성된다.As shown in the drawing, a typical liquid crystal display device includes a color filter substrate 5, an array substrate 10, and a liquid crystal layer (not shown) formed between the color filter substrate 5 and the array substrate 10 30).

상기 컬러필터 기판(5)은 적(Red; R), 녹(Green; G) 및 청(Blue; B)의 색상을 구현하는 다수의 서브-컬러필터(7)로 구성된 컬러필터(C)와 상기 서브-컬러필터(7) 사이를 구분하고 액정층(30)을 투과하는 광을 차단하는 블랙매트릭스(Black Matrix; BM)(6), 그리고 상기 액정층(30)에 전압을 인가하는 투명한 공통전극(8)으로 이루어져 있다.The color filter substrate 5 includes a color filter C composed of a plurality of sub-color filters 7 implementing colors of red (R), green (G) and blue (B) A black matrix 6 for separating the sub-color filters 7 from each other and blocking light transmitted through the liquid crystal layer 30 and a transparent common And an electrode (8).

또한, 상기 어레이 기판(10)은 종횡으로 배열되어 다수의 화소영역(P)을 정의하는 다수의 게이트라인(16)과 데이터라인(17), 상기 게이트라인(16)과 데이터라인(17)의 교차영역에 형성된 스위칭소자인 박막 트랜지스터(T) 및 상기 화소영역(P) 위에 형성된 화소전극(18)으로 이루어져 있다.The array substrate 10 includes a plurality of gate lines 16 and data lines 17 arranged vertically and horizontally to define a plurality of pixel regions P and a plurality of gate lines 16 and data lines 17, A thin film transistor T which is a switching element formed in the intersection region and a pixel electrode 18 formed on the pixel region P. [

이와 같이 구성된 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)은 화상표시 영역의 외곽에 형성된 실런트(sealant)(미도시)에 의해 대향하도록 합착되어 액정패널을 구성하며, 상기 컬러필터 기판(5)과 어레이 기판(10)의 합착은 상기 컬러필터 기판(5) 또는 어레이 기판(10)에 형성된 합착키(미도시)를 통해 이루어진다.The color filter substrate 5 and the array substrate 10 constituted as described above are adhered to each other by a sealant (not shown) formed on the periphery of the image display area to constitute a liquid crystal panel, and the color filter substrate 5 (Not shown) formed on the color filter substrate 5 or the array substrate 10 are bonded to each other.

이때, 상기 액정표시장치에 일반적으로 사용되는 구동방식으로 네마틱상의 액정분자를 기판에 대해 수직 방향으로 구동시키는 트위스티드 네마틱(Twisted Nematic; TN)방식이 있으나, 상기 트위스티드 네마틱방식의 액정표시장치는 시야각이 90도 정도로 좁다는 단점을 가지고 있다. 이것은 액정분자의 굴절률 이방성(refractive anisotropy)에 기인하는 것으로 기판과 수평하게 배향된 액정분자가 액정패널에 전압이 인가될 때 기판과 거의 수직방향으로 배향되기 때문이다.In this case, there is a twisted nematic (TN) method in which a nematic liquid crystal molecule is driven in a direction perpendicular to a substrate by a driving method generally used in the liquid crystal display device. However, the twisted nematic liquid crystal display Has a disadvantage that the viewing angle is as narrow as 90 degrees. This is due to the refractive anisotropy of the liquid crystal molecules, because liquid crystal molecules aligned horizontally with the substrate are oriented in a direction substantially perpendicular to the substrate when a voltage is applied to the liquid crystal panel.

이에 액정분자를 기판에 대해 수평한 방향으로 구동시켜 시야각을 170도 이상으로 향상시킨 횡전계(In Plane Switching; IPS)방식 액정표시장치가 있으며, 이를 상세히 설명하면 다음과 같다.There is an in-plane switching (IPS) type liquid crystal display device in which liquid crystal molecules are driven in a horizontal direction with respect to a substrate to improve a viewing angle to 170 degrees or more.

도 2는 횡전계방식 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 나타내는 평면도로써, 화소전극과 공통전극 사이에 형성되는 프린지 필드가 슬릿을 관통하여 화소영역 및 공통전극 상에 위치하는 액정분자를 구동시킴으로써 화상을 구현하는 프린지 필드형(Fringe Field Switching; FFS) 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내고 있다.FIG. 2 is a plan view showing a part of an array substrate of a transverse electric field type liquid crystal display device in which a fringe field formed between a pixel electrode and a common electrode passes through a slit to drive liquid crystal molecules located on a pixel region and a common electrode, FIG. 1 schematically shows a part of an array substrate of a fringe field switching (FFS) liquid crystal display device embodying the present invention.

또한, 도 3은 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 상기 도 2에 도시된 어레이 기판의 A-A'선에 따라 절단한 단면을 예를 들어 나타내고 있다.3 is a cross-sectional view schematically showing a part of an array substrate of a fringe field type liquid crystal display device, and shows a cross section cut along the line A-A 'of the array substrate shown in Fig. 2, for example.

상기 프린지 필드형 액정표시장치는 액정분자가 수평으로 배향되어 있는 상태에서 화소전극과 공통전극을 통해 전계가 수평 및 수직 방향으로 발생하여 액정분자가 트위스트(twist)와 틸트(tilt)되어 구동되어 진다.In the fringe field type liquid crystal display device, an electric field is generated in the horizontal and vertical directions through the pixel electrode and the common electrode in a state in which the liquid crystal molecules are aligned horizontally, so that the liquid crystal molecules are twisted and tilted and driven .

상기 도면들을 참조하면, 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판(10)에는 상기 투명한 어레이 기판(10) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(16)과 데이터라인(17)이 형성되어 있으며, 상기 게이트라인(16)과 데이터라인(17)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있다.Referring to the drawings, a gate line 16 and a data line 17 are formed on an array substrate 10 of a fringe field type liquid crystal display device so as to be vertically and horizontally arranged on the transparent array substrate 10 to define a pixel region And a thin film transistor, which is a switching element, is formed in a crossing region of the gate line 16 and the data line 17. [

상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인(16)의 일부를 구성하는 게이트전극(21), 상기 데이터라인에 연결된 소오스전극(22) 및 화소전극(18)에 연결된 드레인전극(23)으로 구성된다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극(21)과 소오스/드레인전극(22, 23) 사이의 절연을 위한 게이트절연막(15a) 및 상기 게이트전극(21)에 공급되는 게이트전압에 의해 상기 소오스전극(22)과 드레인전극(23) 사이에 전도채널(conductive channel)을 형성하는 액티브층(24)을 포함한다.The thin film transistor is composed of a gate electrode 21 constituting a part of the gate line 16, a source electrode 22 connected to the data line and a drain electrode 23 connected to the pixel electrode 18. The thin film transistor has a gate insulating film 15a for insulation between the gate electrode 21 and the source and drain electrodes 22 and 23 and a source electrode And an active layer 24 forming a conductive channel between the drain electrode 22 and the drain electrode 23.

이때, 상기 액티브층(24)의 소오스/드레인영역은 오믹-콘택층(ohmic contact layer)(25n)을 통해 상기 소오스/드레인전극(22, 23)과 오믹-콘택을 형성하게 된다.At this time, the source / drain region of the active layer 24 forms an ohmic contact with the source / drain electrodes 22 and 23 through an ohmic contact layer 25n.

상기 화소영역 내에는 공통전극(8)과 화소전극(18)이 형성되어 있으며, 이때 상기 공통전극(8)은 박스 형태의 상기 화소전극(18)과 함께 프린지 필드를 발생시키기 위해 상기 공통전극(8) 내에 다수의 슬릿(8s)을 포함하고 있다.A common electrode 8 and a pixel electrode 18 are formed in the pixel region and the common electrode 8 is formed on the common electrode 8 to generate a fringe field together with the pixel electrode 18 in a box shape. 8 includes a plurality of slits 8s.

참고로, 상기 도 3에 도시된 도면부호 15b는 보호막을 나타낸다.For reference, reference numeral 15b shown in FIG. 3 denotes a protective film.

도시하지 않았지만, 이와 같이 구성된 상기 어레이 기판(10)은 컬럼 스페이서에 의해 일정한 셀갭이 유지된 상태에서 화상표시 영역의 외곽에 형성된 실런트에 의해 컬러필터 기판과 대향하여 합착되게 되는데, 이때 상기 컬러필터 기판에는 상기 박막 트랜지스터와 게이트라인 및 데이터라인으로 빛이 새는 것을 방지하는 블랙 매트릭스와 적, 녹 및 청색의 컬러를 구현하는 컬러필터 및 오버코트층(overcoat layer)이 형성되어 있다.Although not shown in the drawings, the array substrate 10 thus formed is adhered to the color filter substrate opposite to the color filter substrate by a sealant formed on the outer periphery of the image display area in a state where a certain cell gap is maintained by the column spacer. A black matrix for preventing light from leaking into the thin film transistors, gate lines and data lines, and a color filter and an overcoat layer for realizing red, green and blue colors are formed.

상기의 프린지 필드형 액정표시장치는 시야각이 넓은 장점을 가지고 있으며, 공통전극(8)이 데이터라인(17) 상부에까지 형성되는 경우 블랙 매트릭스 영역의 축소가 가능하여 개구율이 향상되는 이점이 있다. 즉, 공통전극(8)으로 데이터라인(17)을 실드(shield)함에 따라 블랙 매트릭스의 사이즈를 최소화할 수 있어 화소영역의 개구율을 향상시킬 수 있게 된다.The fringe field type liquid crystal display device has the advantage of wide viewing angle. When the common electrode 8 is formed on the data line 17, the black matrix area can be reduced and the aperture ratio can be improved. In other words, the size of the black matrix can be minimized by shielding the data line 17 with the common electrode 8, and the aperture ratio of the pixel region can be improved.

다만, 이와 같이 공통전극(8)이 데이터라인(17) 상부에까지 형성되는 경우 상기 공통전극(8)과 데이터라인(17) 사이에 커패시턴스(capacitance)가 형성되어 RC 지연(delay)에 의한 데이터라인의 신호지연이 발생하여 소비전력이 상승하게 된다.However, when the common electrode 8 is formed on the data line 17, a capacitance is formed between the common electrode 8 and the data line 17, So that the power consumption is increased.

또한, 이러한 데이터라인의 신호지연은 프린지 필드형 액정표시장치를 고해상도 모델에 적용하는데 한계로 작용하게 된다.In addition, the signal delay of such a data line is a limitation in applying a fringe field type liquid crystal display device to a high resolution model.

본 발명은 상기한 문제를 해결하기 위한 것으로, 고해상도 및 광시야각을 구현하기 위한 프린지 필드형 액정표시장치에 있어, 데이터라인의 신호지연을 최소화하도록 한 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법을 제공하는데 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a fringe field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same that minimize the signal delay of a data line in a fringe field type liquid crystal display device for realizing a high resolution and a wide viewing angle .

기타, 본 발명의 다른 목적 및 특징들은 후술되는 발명의 구성 및 특허청구범위에서 설명될 것이다.Other objects and features of the present invention will be described in the following description of the invention and the claims.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 프린지 필드형 액정표시장치의 제조방법은 제 1 기판과 제 2 기판을 제공하는 단계; 상기 제 1 기판 위에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판의 화소영역에 화소전극을 형성하는 단계; 상기 화소전극이 형성된 제 1 기판 위에 보호막을 형성하는 단계; 상기 보호막이 형성된 제 1 기판 위에 형성되며, 각각의 화소영역 내에서 다수의 제 1 슬릿을 가져 상기 화소전극과 함께 프린지 필드를 발생시키는 공통전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 초기 배향방향을 가지는 액정층을 형성하는 단계; 및 상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며, 상기 데이터라인 상부의 공통전극은 상기 액정층의 초기 배향방향과 동일한 방향으로 다수의 제 2 슬릿이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a fringe field type liquid crystal display device, comprising: providing a first substrate and a second substrate; Forming a gate line and a data line on the first substrate, the gate line and the data line defining pixel regions intersecting with each other; Forming a pixel electrode in a pixel region of the first substrate; Forming a protective film on the first substrate on which the pixel electrode is formed; Forming a common electrode on the first substrate on which the protective film is formed and having a plurality of first slits in each pixel region to generate a fringe field together with the pixel electrodes; Forming a liquid crystal layer having an initial alignment direction between the first substrate and the second substrate; And bonding the first substrate and the second substrate. The common electrode on the data line is formed with a plurality of second slits in the same direction as the initial alignment direction of the liquid crystal layer.

이때, 상기 공통전극은 상기 제 1 기판 위에 단일패턴으로 형성되는 것을 특징으로 한다.In this case, the common electrode is formed in a single pattern on the first substrate.

상기 화소전극은 상기 화소영역 내에 박스 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.And the pixel electrode is formed in a box shape in the pixel region.

상기 데이터라인 상부의 공통전극은 상기 공통전극 내에 상기 데이터라인을 따라 공통전극이 선택적으로 제거된 상기 다수의 제 2 슬릿이 형성되는 것을 특징으로 한다.And the common electrode on the data line is formed with the plurality of second slits in which the common electrode is selectively removed along the data line in the common electrode.

상기 공통전극의 제 1 슬릿 및 데이터라인은 꺾임 구조를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 한다.And the first slit and the data line of the common electrode are formed to have a bent structure.

이때, 상기 꺾임 구조를 가지는 공통전극의 제 1 슬릿 및 데이터라인은 상기 액정층의 초기 배향방향에 대해 일정한 각도로 기울어진 것을 특징으로 한다.In this case, the first slit and the data line of the common electrode having the bent structure are inclined at a predetermined angle with respect to the initial alignment direction of the liquid crystal layer.

본 발명의 프린지 필드형 액정표시장치는 제 1 기판 위에 형성되며, 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인; 상기 제 1 기판의 화소영역에 형성된 화소전극; 상기 화소전극이 형성된 제 1 기판 위에 형성된 보호막; 상기 보호막이 형성된 제 1 기판 위에 형성되며, 각각의 화소영역 내에서 다수의 제 1 슬릿을 가져 상기 화소전극과 함께 프린지 필드를 발생시키는 공통전극; 상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성되며, 초기 배향방향을 가지는 액정층; 및 상기 제 1 기판과 대향하여 합착되는 상기 제 2 기판을 포함하며, 상기 데이터라인 상부의 공통전극은 상기 액정층의 초기 배향방향과 동일한 방향으로 다수의 제 2 슬릿을 가지는 것을 특징으로 한다.A fringe field type liquid crystal display device of the present invention includes a gate line and a data line formed on a first substrate and defining a pixel region intersecting with each other; A pixel electrode formed in a pixel region of the first substrate; A protective layer formed on the first substrate on which the pixel electrode is formed; A common electrode formed on the first substrate on which the protective film is formed and having a plurality of first slits in each pixel region to generate a fringe field together with the pixel electrodes; A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate and having an initial alignment direction; And the second substrate bonded to be opposite to the first substrate, wherein the common electrode on the data line has a plurality of second slits in the same direction as the initial alignment direction of the liquid crystal layer.

이때, 상기 공통전극은 상기 제 1 기판 위에 단일패턴으로 이루어진 것을 특징으로 한다.In this case, the common electrode is formed in a single pattern on the first substrate.

상기 화소전극은 상기 화소영역 내에 박스 형태로 이루어진 것을 특징으로 한다.And the pixel electrode is formed in a box shape in the pixel region.

상기 데이터라인 상부의 공통전극은 상기 공통전극 내에 상기 데이터라인을 따라 공통전극이 선택적으로 제거된 상기 다수의 제 2 슬릿을 가지는 것을 특징으로 한다.And the common electrode on the data line has the plurality of second slits in which the common electrode is selectively removed along the data line in the common electrode.

상기 공통전극의 제 1 슬릿 및 데이터라인은 꺾임 구조를 가지는 것을 특징으로 한다.And the first slit and the data line of the common electrode have a folded structure.

이때, 상기 꺾임 구조를 가지는 공통전극의 제 1 슬릿 및 데이터라인은 상기 액정층의 초기 배향방향에 대해 일정한 각도로 기울어진 것을 특징으로 한다.In this case, the first slit and the data line of the common electrode having the bent structure are inclined at a predetermined angle with respect to the initial alignment direction of the liquid crystal layer.

상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법은 데이터라인 상부의 공통전극에 슬릿을 형성하여 데이터라인과 공통전극 사이의 커패시턴스를 최소화하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 데이터라인의 신호지연을 최소화하여 소비전력을 감소시키는 효과를 제공한다.As described above, the fringe field type liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the present invention are characterized in that the slit is formed in the common electrode on the data line to minimize the capacitance between the data line and the common electrode. Thereby minimizing the signal delay of the data line and reducing power consumption.

또한, 상기 본 발명에 따른 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법은 상기 공통전극의 슬릿을 액정의 초기 배향방향과 동일한 방향으로 형성함에 따라 전계가 인가되더라도 액정의 틀어짐을 방지할 수 있어 빛샘 등의 화면 왜곡을 방지하는 효과를 제공한다.In addition, since the slits of the common electrode are formed in the same direction as the initial alignment direction of the liquid crystal, the fringe field type liquid crystal display device and the method of manufacturing the same according to the present invention can prevent the liquid crystal from being distorted even when an electric field is applied, Thereby preventing screen distortion of the screen.

도 1은 일반적인 액정표시장치의 구조를 개략적으로 나타내는 분해사시도.
도 2는 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 3은 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도.
도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 8은 상기 도 6에 도시된 어레이 기판의 일부를 확대하여 나타내는 평면도.
도 9a 내지 도 9e는 상기 도 6에 도시된 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 평면도.
도 10a 내지 도 10e는 상기 도 7에 도시된 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도.
1 is an exploded perspective view schematically showing a structure of a general liquid crystal display device.
2 is a plan view schematically showing a part of an array substrate of a fringe field type liquid crystal display device.
3 is a cross-sectional view schematically showing a part of an array substrate of a fringe field type liquid crystal display device.
4 is a plan view schematically showing a part of an array substrate of a fringe field type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view schematically showing a part of an array substrate of a fringe field type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention.
6 is a plan view schematically showing a part of an array substrate of a fringe field type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view schematically showing a part of an array substrate of a fringe field type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.
FIG. 8 is an enlarged plan view of a part of the array substrate shown in FIG. 6; FIG.
FIGS. 9A to 9E are plan views sequentially showing the manufacturing steps of the array substrate shown in FIG. 6; FIG.
10A to 10E are sectional views sequentially showing the steps of manufacturing the array substrate shown in FIG. 7;

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 프린지 필드형 액정표시장치 및 그 제조방법의 바람직한 실시예를 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.Hereinafter, preferred embodiments of a fringe field type liquid crystal display device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can easily carry out the present invention. The present invention may be embodied in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도로써, 화소전극과 공통전극 사이에 형성되는 프린지 필드가 슬릿을 관통하여 화소영역 및 화소전극 상에 위치하는 액정분자를 구동시킴으로써 화상을 구현하는 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 나타내고 있다.FIG. 4 is a plan view schematically showing a part of an array substrate of a fringe field type liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, in which a fringe field formed between a pixel electrode and a common electrode passes through a slit, And Fig. 7 shows a part of an array substrate of a fringe field type liquid crystal display device which implements an image by driving liquid crystal molecules located on the fringe field type liquid crystal display device.

이때, 실제의 액정표시장치에서는 N개의 게이트라인과 M개의 데이터라인이 교차하여 MxN개의 화소가 존재하지만 설명을 간단하게 하기 위해 도면에는 하나의 화소를 예를 들어 나타내고 있다.At this time, in an actual liquid crystal display device, N number of gate lines and M number of data lines intersect to form MxN pixels, but one pixel is shown in the drawing for simplicity of explanation.

이때, 도 4에 도시된 바와 같이, 공통전극 및 화소전극이 꺾임 구조를 가지는 경우에는 액정분자가 2방향으로 배열되어 2-도메인(domain)을 형성함으로써 모노-도메인에 비해 시야각이 더욱 향상된다. 다만, 본 발명이 상기 2-도메인 구조의 프린지 필드형 액정표시장치에 한정되는 것은 아니며 본 발명은 2-도메인 이상의 멀티-도메인(multi-domain) 구조의 프린지 필드형 액정표시장치에 적용 가능하다.In this case, as shown in FIG. 4, when the common electrode and the pixel electrode have a bent structure, the liquid crystal molecules are arranged in two directions to form a two-domain structure, thereby further improving the viewing angle compared to the mono-domain. However, the present invention is not limited to the fringe field type liquid crystal display device having the two-domain structure, and the present invention is applicable to a fringe field type liquid crystal display device having a multi-domain structure of two or more domains.

또한, 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 상기 도 4에 도시된 어레이 기판의 B-B'선에 따라 절단한 단면을 예를 들어 나타내고 있다.5 is a cross-sectional view schematically showing a part of an array substrate of the fringe field type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention. The cross-sectional view taken along line B-B 'of the array substrate shown in FIG. For example.

상기 도면들을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 어레이 기판(110)에는 상기 투명한 어레이 기판(110) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(116)과 데이터라인(117)이 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트라인(116)과 데이터라인(117)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있으며, 상기 화소영역 내에는 프린지 필드를 발생시켜 액정분자를 구동시키는 화소전극(118)과 다수의 슬릿(108s, 108s')을 가진 공통전극(108)이 형성되어 있다.Referring to the drawings, a gate line 116 and a data line 117, which are vertically and horizontally arranged on the transparent array substrate 110 to define a pixel region, are formed on the array substrate 110 according to the first embodiment of the present invention. Respectively. In addition, a thin film transistor, which is a switching device, is formed in the intersection region of the gate line 116 and the data line 117. Inside the pixel region, a pixel electrode 118 for driving liquid crystal molecules by generating a fringe field, The common electrode 108 having the slits 108s and 108s' of the pixel electrode 108 is formed.

상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인(116)의 일부를 구성하는 게이트전극(121), 상기 데이터라인(117)에 연결된 소오스전극(122) 및 상기 화소전극(118)에 연결된 드레인전극(123)으로 구성되어 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극(121)과 소오스/드레인전극(122, 123) 사이의 절연을 위한 게이트절연막(115a) 및 상기 게이트전극(121)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소오스전극(122)과 드레인전극(123) 간에 전도채널을 형성하는 액티브층(124)을 포함한다. 이때, 상기 도 4에는 상기 소오스전극(122)의 형태가 "U"자형으로 되어 있어 상기 액티브층(124)의 채널 형태가 "U"자형인 박막 트랜지스터를 예를 들어 나타내고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명은 상기 액티브층(124)의 채널 형태에 관계없이 적용 가능하다.The thin film transistor includes a gate electrode 121 constituting a part of the gate line 116, a source electrode 122 connected to the data line 117 and a drain electrode 123 connected to the pixel electrode 118 . The thin film transistor includes a gate insulating layer 115a for insulation between the gate electrode 121 and the source and drain electrodes 122 and 123 and a source electrode And an active layer 124 that forms a conduction channel between the drain electrode 122 and the drain electrode 123. 4, the source electrode 122 has a U-shaped shape, and the active layer 124 has a U-shaped channel shape. However, the present invention is not limited thereto. The present invention is applicable irrespective of the channel shape of the active layer 124.

이때, 상기 액티브층(124)의 소오스/드레인영역은 오믹-콘택층(125n)을 통해 상기 소오스/드레인전극(122, 123)과 오믹-콘택을 형성하게 된다.At this time, the source / drain regions of the active layer 124 form ohmic contacts with the source / drain electrodes 122 and 123 through the ohmic-contact layer 125n.

그리고, 상기 소오스전극(122)의 일부는 일 방향으로 연장되어 상기 데이터라인(117)을 구성하며, 상기 드레인전극(123)의 일부는 화소영역 쪽으로 연장되어 상기 화소전극(118)에 전기적으로 접속하게 된다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 드레인전극(123)은 콘택홀을 통해 상기 화소전극(118)에 전기적으로 접속할 수 있다.A part of the source electrode 122 extends in one direction to constitute the data line 117. A part of the drain electrode 123 extends toward the pixel region and is electrically connected to the pixel electrode 118. [ . However, the present invention is not limited thereto, and the drain electrode 123 may be electrically connected to the pixel electrode 118 through a contact hole.

전술한 바와 같이 상기 화소영역 내에는 프린지 필드를 발생시키기 위해 공통전극(108)과 화소전극(118)이 형성되어 있는데, 이때 상기 공통전극(108)은 화소부 전체에 걸쳐 단일패턴으로 형성되는 한편 각각의 화소영역 내에서 다수의 제 1 슬릿(108s)을 가지도록 형성되어 있으며, 상기 화소전극(118)은 화소영역 내에 박스 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.As described above, the common electrode 108 and the pixel electrode 118 are formed in the pixel region to generate a fringe field. At this time, the common electrode 108 is formed in a single pattern over the entire pixel portion And a plurality of first slits 108s are formed in each pixel region, and the pixel electrodes 118 are formed in a box shape in a pixel region.

특히, 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치는 상기 데이터라인(117) 상부의 공통전극(108) 내에 상기 데이터라인(117)을 따라 공통전극(108)의 일부가 제거된 제 2 슬릿(108s')이 형성되어 기존 구조의 데이터라인(117)과 공통전극(108) 사이의 커패시턴스를 최소화하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 데이터라인의 신호지연을 최소화하여 소비전력을 감소시킬 수 있게 된다.Particularly, in the fringe field type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention, a part of the common electrode 108 is removed along the data line 117 in the common electrode 108 above the data line 117 The second slit 108s' is formed to minimize the capacitance between the data line 117 and the common electrode 108 of the conventional structure. Accordingly, the signal delay of the data line can be minimized and the power consumption can be reduced.

즉, 도전물질로 이루어진 상기 데이터라인(117)과 공통전극(108) 사이에 유전물질인 보호막(115b)이 존재하여 커패시턴스가 형성되게 되는데, 이를 개선하기 위해 본 발명의 제 1 실시예에서는 상기 공통전극(108)을 그 하부의 데이터라인(117)을 따라 제거하게 된다.That is, a protective film 115b, which is a dielectric material, exists between the data line 117 made of a conductive material and the common electrode 108 to form a capacitance. In order to solve this problem, in the first embodiment of the present invention, The electrode 108 is removed along the data line 117 at the lower portion thereof.

한편, 본 발명의 제 1 실시예는 상기 공통전극(108)의 제 1, 제 2 슬릿(108s, 108s'), 화소전극(118) 및 데이터라인(117)을 꺾임 구조로 형성하여 액정분자의 구동방향이 대칭성을 가지는 멀티-도메인 구조를 형성함으로써, 액정의 복굴절(birefringence) 특성에 의한 이상 광을 서로 상쇄시켜 색전이(color shift) 현상을 최소화할 수 있다. 즉, 액정분자의 복굴절 특성에 의해 액정분자를 바라보는 시야에 따라서 색전이가 발생하게 되는데, 특히 액정분자의 단축방향으로는 옐로우 쉬프트(yellow shift)가 관찰되고, 장축방향으로는 블루 쉬프트(blue shift)가 관찰되게 된다. 따라서, 상기 액정분자의 단축과 장축이 적절하게 배치되는 경우 복굴절 값을 보상하여 색전이를 감소시킬 수 있게 된다.In the first embodiment of the present invention, the first and second slits 108s and 108s', the pixel electrode 118 and the data line 117 of the common electrode 108 are formed in a bent structure, By forming the multi-domain structure in which the driving directions are symmetrical, it is possible to minimize the phenomenon of color shift by offsetting the abnormal light due to the birefringence characteristic of the liquid crystal. That is, embolization occurs depending on the field of view of the liquid crystal molecules due to the birefringence characteristic of the liquid crystal molecules. In particular, a yellow shift is observed in the minor axis direction of the liquid crystal molecule, and a blue shift shift is observed. Therefore, when the short axis and the long axis of the liquid crystal molecule are appropriately arranged, the birefringence value can be compensated to reduce embolization.

이와 같이 구성된 상기 본 발명의 제 1 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치는 상기 데이터라인(117)을 따라 형성된 제 2 슬릿(108s')을 통해 상기 데이터라인(117)의 신호와 공통전극(108) 및 화소전극(118)간 왜곡된 전기장이 발생되어 암(dark) 상태에서 빛샘이 발생하거나 왜곡된 화상이 표시될 가능성이 있다.In the fringe field type liquid crystal display device according to the first embodiment of the present invention configured as described above, a signal of the data line 117 and a signal of the common electrode (not shown) are transmitted through the second slit 108s' formed along the data line 117 108 and the pixel electrode 118 is generated to generate a light leakage in a dark state or a distorted image may be displayed.

이에 본 발명의 제 2 실시예에서는 상기 공통전극의 제 2 슬릿을 다수개로 분할하여 액정의 초기 배향방향과 동일한 방향으로 형성함에 따라 전계가 인가되더라도 액정의 틀어짐을 방지할 수 있게 되는데, 이를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.According to the second embodiment of the present invention, since the second slits of the common electrode are divided into a plurality of portions and formed in the same direction as the initial alignment direction of the liquid crystal, it is possible to prevent the liquid crystal from being distorted even when an electric field is applied. Will be described in detail with reference to FIG.

도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 평면도이다.6 is a plan view schematically showing a part of an array substrate of a fringe field type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention.

이때, 실제의 액정표시장치에서는 N개의 게이트라인과 M개의 데이터라인이 교차하여 MxN개의 화소가 존재하지만 설명을 간단하게 하기 위해 도면에는 하나의 화소를 예를 들어 나타내고 있다.At this time, in an actual liquid crystal display device, N number of gate lines and M number of data lines intersect to form MxN pixels, but one pixel is shown in the drawing for simplicity of explanation.

이때, 전술한 바와 같이 공통전극 및 화소전극이 꺾임 구조를 가지는 경우에는 액정분자가 2방향으로 배열되어 2-도메인을 형성함으로써 모노-도메인에 비해 시야각이 더욱 향상된다. 다만, 본 발명이 상기 2-도메인 구조의 프린지 필드형 액정표시장치에 한정되는 것은 아니며 본 발명은 2-도메인 이상의 멀티-도메인 구조의 프린지 필드형 액정표시장치에 적용 가능하다.At this time, when the common electrode and the pixel electrode have a bending structure, the liquid crystal molecules are arranged in two directions to form a 2-domain, thereby further improving the viewing angle as compared with the mono-domain. However, the present invention is not limited to the fringe field type liquid crystal display device having the two-domain structure, but the present invention is applicable to the fringe field type liquid crystal display device having the multi-domain structure having two or more domains.

또한, 도 7은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치의 어레이 기판 일부를 개략적으로 나타내는 단면도로써, 상기 도 6에 도시된 어레이 기판의 C-C'선에 따라 절단한 단면을 예를 들어 나타내고 있다.7 is a cross-sectional view schematically showing a part of an array substrate of a fringe field type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention. The cross-sectional view taken along line C-C 'of the array substrate shown in FIG. 6 For example.

도 8은 상기 도 6에 도시된 어레이 기판의 일부(P)를 확대하여 나타내는 평면도이다.8 is an enlarged plan view showing a part P of the array substrate shown in Fig.

이때, 상기 도 6 내지 도 8에 도시된 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치는 공통전극에 형성된 제 2 슬릿의 형태를 제외하고는 전술한 본 발명의 제 1 실시예의 구성과 실질적으로 동일한 구성으로 이루어져 있다.The fringe field type liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention shown in FIGS. 6 to 8 has the same structure as that of the first embodiment of the present invention except for the shape of the second slit formed on the common electrode. As shown in Fig.

즉, 상기 도면들을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 어레이 기판(210)에는 상기 투명한 어레이 기판(210) 위에 종횡으로 배열되어 화소영역을 정의하는 게이트라인(216)과 데이터라인(217)이 형성되어 있다. 또한, 상기 게이트라인(216)과 데이터라인(217)의 교차영역에는 스위칭소자인 박막 트랜지스터가 형성되어 있으며, 상기 화소영역 내에는 프린지 필드를 발생시켜 액정분자를 구동시키는 화소전극(218)과 다수의 슬릿(208s, 208s')을 가진 공통전극(208)이 형성되어 있다.In other words, referring to the drawings, the array substrate 210 according to the second embodiment of the present invention includes a gate line 216 and a data line 217 which are vertically and horizontally arranged on the transparent array substrate 210, Is formed. A thin film transistor, which is a switching device, is formed in the intersection region of the gate line 216 and the data line 217. In the pixel region, a pixel electrode 218 for driving the liquid crystal molecules by generating a fringe field, A common electrode 208 having slits 208s and 208s' is formed.

상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트라인(216)의 일부를 구성하는 게이트전극(221), 상기 데이터라인(217)에 연결된 소오스전극(222) 및 상기 화소전극(218)에 연결된 드레인전극(223)으로 구성되어 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트전극(221)과 소오스/드레인전극(222, 223) 사이의 절연을 위한 게이트절연막(215a) 및 상기 게이트전극(221)에 공급되는 게이트 전압에 의해 상기 소오스전극(222)과 드레인전극(223) 간에 전도채널을 형성하는 액티브층(224)을 포함한다. 이때, 상기 도 6에는 상기 소오스전극(222)의 형태가 "U"자형으로 되어 있어 상기 액티브층(224)의 채널 형태가 "U"자형인 박막 트랜지스터를 예를 들어 나타내고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명은 상기 액티브층(224)의 채널 형태에 관계없이 적용 가능하다.The thin film transistor includes a gate electrode 221 constituting a part of the gate line 216, a source electrode 222 connected to the data line 217 and a drain electrode 223 connected to the pixel electrode 218 . The thin film transistor includes a gate insulating film 215a for insulation between the gate electrode 221 and the source and drain electrodes 222 and 223 and a source electrode 222 and a drain electrode 223 formed on the substrate. 6, the source electrode 222 has a U-shaped shape, and the active layer 224 has a U-shaped channel shape. However, the present invention is not limited thereto. The present invention is applicable irrespective of the channel shape of the active layer 224.

이때, 상기 액티브층(224)의 소오스/드레인영역은 오믹-콘택층(225n)을 통해 상기 소오스/드레인전극(222, 223)과 오믹-콘택을 형성하게 된다.At this time, the source / drain regions of the active layer 224 form ohmic contacts with the source / drain electrodes 222 and 223 through the ohmic-contact layer 225n.

그리고, 상기 소오스전극(222)의 일부는 일 방향으로 연장되어 상기 데이터라인(217)을 구성하며, 상기 드레인전극(223)의 일부는 화소영역 쪽으로 연장되어 상기 화소전극(218)에 전기적으로 접속하게 된다. 다만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 드레인전극(223)은 콘택홀을 통해 상기 화소전극(218)에 전기적으로 접속할 수 있다.A part of the source electrode 222 extends in one direction to constitute the data line 217. A part of the drain electrode 223 extends toward the pixel region and is electrically connected to the pixel electrode 218. [ . However, the present invention is not limited thereto, and the drain electrode 223 may be electrically connected to the pixel electrode 218 through a contact hole.

전술한 바와 같이 상기 화소영역 내에는 프린지 필드를 발생시키기 위해 공통전극(208)과 화소전극(218)이 형성되어 있는데, 이때 상기 공통전극(208)은 화소부 전체에 걸쳐 단일패턴으로 형성되는 한편 각각의 화소영역 내에서 다수의 제 1 슬릿(208s)을 가지도록 형성되어 있으며, 상기 화소전극(218)은 화소영역 내에 박스 형태로 형성되는 것을 특징으로 한다.As described above, a common electrode 208 and a pixel electrode 218 are formed in the pixel region to generate a fringe field. At this time, the common electrode 208 is formed in a single pattern over the entire pixel portion The pixel electrode 218 is formed to have a plurality of first slits 208s in each pixel region, and the pixel electrode 218 is formed in a box shape within the pixel region.

특히, 상기 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치는 상기 데이터라인(217) 상부의 공통전극(208) 내에 상기 데이터라인(217)을 따라 공통전극(208)의 일부가 제거된 다수의 제 2 슬릿(208s')이 형성되어 기존 구조의 데이터라인(217)과 공통전극(208) 사이의 커패시턴스를 최소화하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 데이터라인의 신호지연을 최소화하여 소비전력을 감소시킬 수 있게 된다.Particularly, in the fringe field type liquid crystal display device according to the second embodiment of the present invention, part of the common electrode 208 is removed along the data line 217 in the common electrode 208 above the data line 217 A plurality of second slits 208s' are formed so as to minimize the capacitance between the data line 217 and the common electrode 208 of the conventional structure. Accordingly, the signal delay of the data line can be minimized and the power consumption can be reduced.

즉, 도전물질로 이루어진 상기 데이터라인(217)과 공통전극(208) 사이에 유전물질인 보호막(215b)이 존재하여 커패시턴스가 형성되게 되는데, 이를 개선하기 위해 본 발명의 제 2 실시예에서는 전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하게 상기 공통전극(208)을 그 하부의 데이터라인(217)을 따라 제거하게 된다.That is, a protective film 215b, which is a dielectric material, exists between the data line 217 made of a conductive material and the common electrode 208 to form a capacitance. In order to solve this problem, in the second embodiment of the present invention, The common electrode 208 is removed along the lower data line 217 as in the first embodiment of the present invention.

이때, 상기 본 발명의 제 2 실시예는 전술한 본 발명의 제 1 실시예와는 다르게 상기 공통전극(208)의 제 2 슬릿(208s')을 다수개로 분할하여 액정의 초기 배향방향(①)이나 러빙방향과 동일한 방향(③)으로 형성함에 따라 전계가 인가되더라도 액정이 특정 전계방향으로 배열할 수 없도록 하여 액정의 틀어짐을 방지할 수 있는 것을 특징으로 한다. 그 결과 빛샘 등의 화면 왜곡을 방지할 수 있게 된다. 즉, 액정의 초기 배향방향(①)과 공통전극(208)의 제 2 슬릿(208s')의 기울어진 방향(③)이 동일하면 전계가 인가되더라도 액정의 거동 방향성이 없기 때문에 액정이 구동하지 않게 된다. 만약에 액정의 초기 배향방향(①)과 제 2 슬릿(208s')의 기울어진 방향(③)이 다를 경우에는 전계가 인가되면 거동하는 액정이 존재하여 전계가 왜곡되게 된다.The second embodiment of the present invention is different from the first embodiment of the present invention in that the second slits 208s' of the common electrode 208 are divided into a plurality of portions to form an initial alignment direction (1) Or in the same direction as the rubbing direction (3), the liquid crystal can not be arranged in a specific electric field direction even if an electric field is applied, thereby preventing the liquid crystal from being distorted. As a result, it is possible to prevent screen distortion such as light leakage. That is, if the initial alignment direction (1) of the liquid crystal and the inclined direction (3) of the second slit 208s' of the common electrode 208 are the same, no liquid crystal is driven do. If the initial alignment direction (1) of the liquid crystal and the tilted direction (3) of the second slit 208s' are different from each other, there is a liquid crystal acting when an electric field is applied, so that the electric field is distorted.

참고로, 상기 제 2 슬릿(208s')의 기울어진 방향(③)은 제 2 슬릿(208s')의 측면이 이루는 방향이며, 상기 데이터라인(217) 및 제 1 슬릿(208s)은 액정의 초기 배향방향(①)에 대해 소정의 방향(②)으로 기울어지게 형성되어 있다.The data line 217 and the first slit 208s are arranged in a direction perpendicular to the initial direction of the liquid crystal, And is inclined in a predetermined direction (2) with respect to the alignment direction (1).

한편, 본 발명의 제 2 실시예는 상기 공통전극(208)의 제 1 슬릿(208s), 화소전극(218) 및 데이터라인(217)을 꺾임 구조로 형성하여 액정분자의 구동방향이 대칭성을 가지는 멀티-도메인 구조를 형성함으로써, 액정의 복굴절특성에 의한 이상 광을 서로 상쇄시켜 색전이 현상을 최소화할 수 있다.In the second embodiment of the present invention, the first slits 208s, the pixel electrodes 218 and the data lines 217 of the common electrode 208 are formed in a bent structure so that the driving directions of the liquid crystal molecules are symmetrical By forming the multi-domain structure, the abnormal light due to the birefringence characteristic of the liquid crystal can be canceled out to minimize the embolization phenomenon.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치의 제조방법을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a manufacturing method of a fringe field type liquid crystal display device according to a second embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 9a 내지 도 9e는 상기 도 6에 도시된 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 평면도이며, 도 10a 내지 도 10e는 상기 도 7에 도시된 어레이 기판의 제조공정을 순차적으로 나타내는 단면도이다.FIGS. 9A to 9E are plan views sequentially showing the manufacturing steps of the array substrate shown in FIG. 6, and FIGS. 10A to 10E are sectional views sequentially showing the manufacturing steps of the array substrate shown in FIG.

도 9a 및 도 10a에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 투명한 절연물질로 이루어진 어레이 기판(210)에 게이트전극(221)과 게이트라인(216)을 형성한다.As shown in FIGS. 9A and 10A, a gate electrode 221 and a gate line 216 are formed on an array substrate 210 made of a transparent insulating material such as glass.

이때, 상기 게이트전극(221)과 게이트라인(216)은 제 1 도전막을 상기 어레이 기판(210) 전면에 증착한 후 포토리소그래피공정(제 1 마스크공정)을 통해 선택적으로 패터닝하여 형성하게 된다.At this time, the gate electrode 221 and the gate line 216 are formed by selectively depositing a first conductive film on the entire surface of the array substrate 210 and then performing a photolithography process (a first mask process).

여기서, 상기 제 1 도전막은 알루미늄(aluminium; Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(tungsten; W), 구리(copper; Cu), 크롬(chromium; Cr), 몰리브덴(molybdenum; Mo) 및 몰리브덴 합금 등과 같은 저저항 불투명 도전물질로 형성할 수 있다. 또한, 상기 제 1 도전막은 상기 저저항 도전물질이 2가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수 있다.The first conductive layer may include at least one selected from the group consisting of aluminum (Al), aluminum alloy (Al alloy), tungsten (W), copper (Cu), chromium (Cr), molybdenum Or a low-resistance opaque conductive material such as an alloy or the like. The first conductive layer may have a multi-layer structure in which two or more low-resistance conductive materials are stacked.

다음으로, 도 9b 및 도 10b에 도시된 바와 같이, 상기 게이트전극(221)과 게이트라인(216)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 게이트절연막(215a)과 비정질 실리콘 박막 및 n+ 비정질 실리콘 박막을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 9B and 10B, a gate insulating film 215a, an amorphous silicon thin film and an n + amorphous silicon thin film are formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the gate electrode 221 and the gate line 216 are formed .

이후, 포토리소그래피공정(제 2 마스크공정)을 통해 상기 비정질 실리콘 박막과 n+ 비정질 실리콘 박막을 선택적으로 제거함으로써 상기 어레이 기판(210)의 게이트전극(221) 상부에 상기 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 액티브층(224)을 형성한다.Thereafter, the amorphous silicon thin film and the n + amorphous silicon thin film are selectively removed through a photolithography process (second mask process) to form an active layer made of the amorphous silicon thin film on the gate electrode 221 of the array substrate 210 224).

이때, 상기 액티브층(224) 위에는 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어지며, 상기 액티브층(224)과 동일한 형태로 패터닝된 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(225)이 형성되게 된다.At this time, the n + amorphous silicon thin film pattern 225 formed of the n + amorphous silicon thin film and patterned in the same manner as the active layer 224 is formed on the active layer 224.

다음으로, 도 9c 및 도 10c에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(224)과 n+ 비정질 실리콘 박막패턴(225)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 제 2 도전막을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 9C and 10C, a second conductive film is formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the active layer 224 and the n + amorphous silicon thin film pattern 225 are formed.

이때, 상기 제 2 도전막은 소오스전극과 드레인전극 및 데이터라인을 형성하기 위해 구리, 구리 합금, 알루미늄 등과 같은 저저항 불투명 도전물질로 형성할 수 있다. 또한, 상기 제 2 도전막은 상기 저저항 도전물질이 2가지 이상 적층된 다층구조로 형성할 수 있다.At this time, the second conductive layer may be formed of a low-resistance opaque conductive material such as copper, a copper alloy, or aluminum to form a source electrode, a drain electrode, and a data line. The second conductive layer may be formed in a multi-layered structure in which two or more low-resistance conductive materials are stacked.

이후, 포토리소그래피공정(제 3 마스크공정)을 통해 상기 n+ 비정질 실리콘 박막 및 제 2 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 액티브층(224) 위에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 소오스전극(222)과 드레인전극(223)을 형성한다.Thereafter, the n + amorphous silicon thin film and the second conductive film are selectively removed through a photolithography process (a third mask process) to form a source electrode 222 and a drain electrode (not shown) of the second conductive film on the active layer 224 223).

또한, 상기 제 3 마스크공정을 통해 상기 어레이 기판(210)에 상기 게이트라인(216)과 함께 화소영역을 정의하는 데이터라인(217)을 형성하게 된다.In addition, a data line 217 defining a pixel region together with the gate line 216 is formed on the array substrate 210 through the third mask process.

이때, 상기 액티브층(224) 위에는 상기 액티브층(224)의 소오스/드레인영역과 상기 소오스/드레인전극(222, 223) 사이를 오믹-콘택시키는 오믹-콘택층(225n)이 형성되게 된다.At this time, an ohmic contact layer 225n is formed on the active layer 224 for ohmic-contacting the source / drain region of the active layer 224 and the source / drain electrodes 222 and 223.

이때, 본 발명의 제 2 실시예는 상기 액티브층(224)과 오믹-콘택층(225n) 및 데이터 배선, 즉 상기 소오스전극(222)과 드레인전극(223) 및 데이터라인(217)을 2번의 마스크공정을 통해 형성한 경우를 예를 들고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 액티브층(224)과 오믹-콘택층(225n) 및 데이터 배선은 하프-톤 마스크(half tone mask) 또는 회절마스크를 이용하여 한번의 마스크공정으로 형성할 수도 있다.The second embodiment of the present invention differs from the second embodiment in that the active layer 224, the ohmic-contact layer 225n and the data lines, that is, the source electrode 222 and the drain electrode 223 and the data line 217, But the present invention is not limited thereto. The active layer 224, the ohmic contact layer 225n, and the data line may be formed by a single mask process using a half tone mask or a diffraction mask.

다음으로, 도 9d 및 도 10d에 도시된 바와 같이, 상기 액티브층(224)과 소오스/드레인전극(222, 223) 및 데이터라인(217)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 제 3 도전막을 형성한다.Next, as shown in FIGS. 9D and 10D, a third conductive film is formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the active layer 224, the source / drain electrodes 222 and 223, and the data line 217 are formed do.

이때, 상기 제 3 도전막은 화소전극을 형성하기 위해 인듐-틴-옥사이드(Indium Tin Oxide; ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(Indium Zinc Oxide; IZO)와 같은 투과율이 뛰어난 투명한 도전물질로 형성할 수 있다.The third conductive layer may be formed of a transparent conductive material having a high transmittance such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO) to form a pixel electrode. have.

이후, 포토리소그래피공정(제 4 마스크공정)을 통해 상기 제 3 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 화소영역에 상기 제 3 도전막으로 이루어지며 상기 드레인전극(223)과 전기적으로 접속하는 화소전극(218)을 형성한다.Thereafter, the third conductive film is selectively removed through a photolithography process (fourth mask process), thereby forming a pixel electrode 218 made of the third conductive film in the pixel region and electrically connected to the drain electrode 223, .

이때, 상기 제 4 마스크공정을 통해 상기 n+ 비정질 실리콘 박막을 선택적으로 제거하여 상기 액티브층(224) 위에 상기 오믹-콘택층(225n)을 형성할 수도 있다.At this time, the ohmic contact layer 225n may be formed on the active layer 224 by selectively removing the n + amorphous silicon thin film through the fourth mask process.

또한, 상기 본 발명의 제 2 실시예는 데이터 배선을 형성한 후에 화소전극(218)을 형성한 경우를 예를 들고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 상기 화소전극(218)을 형성한 후에 데이터 배선을 형성할 수도 있다.Although the pixel electrode 218 is formed after forming the data line in the second embodiment of the present invention, the present invention is not limited thereto, and the pixel electrode 218 may be formed by forming the pixel electrode 218 The data wiring may be formed later.

이와 같이 화소전극(218)이 형성된 후에는 도 9e 및 도 10e에 도시된 바와 같이, 상기 어레이 기판(210) 전면에 보호막(215b)을 형성한다.After the pixel electrode 218 is formed as described above, a protective film 215b is formed on the entire surface of the array substrate 210, as shown in Figs. 9E and 10E.

이때, 상기 보호막(215b)은 실리콘질화막(SiNx), 실리콘산화막(SiO2)과 같은 무기절연막으로 형성하거나 포토 아크릴과 같은 유기절연막으로 형성할 수 있다.In this case, the protective layer (215b) may be formed of an organic insulating film such as formed of an inorganic insulating film or an acrylic photo, such as a silicon nitride film (SiNx), silicon oxide (SiO 2).

그리고, 상기 보호막(215b)이 형성된 어레이 기판(210) 전면에 제 4 도전막을 형성한다.A fourth conductive layer is formed on the entire surface of the array substrate 210 on which the protective layer 215b is formed.

이때, 상기 제 4 도전막은 공통전극을 형성하기 위해 인듐-틴-옥사이드 또는 인듐-징크-옥사이드와 같은 투과율이 뛰어난 투명한 도전물질로 형성할 수 있다.At this time, the fourth conductive layer may be formed of a transparent conductive material having a high transmittance such as indium-tin-oxide or indium-zinc-oxide to form a common electrode.

이후, 포토리소그래피공정(제 5 마스크공정)을 통해 상기 제 4 도전막을 선택적으로 제거함으로써 상기 어레이 기판(210)의 화소부에 상기 제 4 도전막으로 이루어진 공통전극(208)을 형성하게 된다.Thereafter, the fourth conductive film is selectively removed through a photolithography process (fifth mask process), thereby forming the common electrode 208 made of the fourth conductive film in the pixel portion of the array substrate 210.

이때, 상기 공통전극(208)은 화소부 전체에 걸쳐 단일패턴으로 형성되는 한편, 그 하부의 화소전극(218)과 함께 프린지 필드를 발생시키기 위해 각각의 화소영역 내에서 다수의 제 1 슬릿(208s)을 가지도록 형성되어 있다.At this time, the common electrode 208 is formed in a single pattern over the entire pixel portion, while a plurality of first slits 208s (in the pixel region) are formed in each pixel region to generate a fringe field together with the pixel electrode 218 thereunder. As shown in Fig.

또한, 상기 데이터라인(217) 상부의 공통전극(208)은 기존 구조의 데이터라인(217)과 공통전극(208) 사이의 커패시턴스를 최소화하기 위해 상기 데이터라인(217)을 따라 공통전극(208)의 일부가 제거된 다수의 제 2 슬릿(208s')을 가지도록 형성되어 있다.The common electrode 208 on the data line 217 is connected to the common electrode 208 along the data line 217 in order to minimize the capacitance between the data line 217 and the common electrode 208, Is formed so as to have a plurality of second slits 208s '

특히, 상기 공통전극(208)의 제 2 슬릿(208s')은 빛샘 등의 화면 왜곡을 방지하기 위해 다수개로 분할하여 액정의 초기 배향방향과 동일한 방향으로 형성하게 된다.Particularly, the second slit 208s' of the common electrode 208 is divided into a plurality of portions in order to prevent screen distortion such as light leakage, and is formed in the same direction as the initial alignment direction of the liquid crystal.

이후, 도시하지 않았지만, 이와 같이 구성된 상기 어레이 기판(210)은 컬럼 스페이서에 의해 일정한 셀갭이 유지된 상태에서 화상표시 영역의 외곽에 형성된 실런트에 의해 컬러필터 기판과 대향하여 합착되게 되는데, 이때 상기 컬러필터 기판에는 상기 박막 트랜지스터와 게이트라인 및 데이터라인으로 빛이 새는 것을 방지하는 블랙 매트릭스와 적, 녹 및 청색의 컬러를 구현하는 컬러필터 및 오버코트층이 형성되어 있다.Although not shown in the figure, the array substrate 210 thus formed is adhered to the color filter substrate opposite to the color filter substrate by a sealant formed on the periphery of the image display region in a state where a certain cell gap is maintained by the column spacer, The filter substrate is formed with a black matrix for preventing light from leaking into the thin film transistor, the gate line and the data line, and a color filter and an overcoat layer for realizing red, green and blue colors.

상기 본 발명의 제 1, 제 2 실시예에 따른 프린지 필드형 액정표시장치는 액티브층으로 비정질 실리콘 박막을 이용한 비정질 실리콘 박막 트랜지스터를 예를 들어 설명하고 있으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 본 발명은 상기 액티브층으로 다결정 실리콘 박막 및 산화물 반도체를 이용한 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 및 산화물 박막 트랜지스터 등에도 적용된다.Although the fringe field type liquid crystal display device according to the first and second embodiments of the present invention has been described by taking an amorphous silicon thin film transistor using an amorphous silicon thin film as an active layer, the present invention is not limited thereto, Is applied to the polycrystalline silicon thin film transistor and the oxide thin film transistor using the polycrystalline silicon thin film and the oxide semiconductor as the active layer.

또한, 본 발명은 액정표시장치뿐만 아니라 박막 트랜지스터를 이용하여 제작하는 다른 표시장치, 예를 들면 구동 트랜지스터에 유기전계발광소자(Organic Light Emitting Diodes; OLED)가 연결된 유기전계발광 디스플레이장치에도 이용될 수 있다.In addition, the present invention can be applied not only to a liquid crystal display device but also to other display devices manufactured using thin film transistors, for example, organic electroluminescent display devices in which organic light emitting diodes (OLEDs) have.

상기한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.While a great many are described in the foregoing description, it should be construed as an example of preferred embodiments rather than limiting the scope of the invention. Therefore, the invention should not be construed as limited to the embodiments described, but should be determined by equivalents to the appended claims and the claims.

108,208 : 공통전극 108s,208s, 108s'208s' : 슬릿
110,210 : 어레이 기판 116,216 : 게이트라인
117,217 : 데이터라인 118,218 : 화소전극
121,221 : 게이트전극 122,222 : 소오스전극
123,223 : 드레인전극 124,224 : 액티브층
108, 208: common electrodes 108s, 208s, 108s'208s'
110, 210: array substrate 116, 216: gate line
117, 217: Data lines 118, 218:
121, 221: gate electrodes 122, 222: source electrode
123, 223: drain electrode 124, 224: active layer

Claims (12)

제 1 기판과 제 2 기판을 제공하는 단계;
상기 제 1 기판 위에 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인을 형성하는 단계;
상기 제 1 기판의 화소영역에 화소전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 기판 위에 상기 화소전극을 덮는 보호막을 형성하는 단계;
상기 보호막 위에 공통전극을 형성하는 단계;
상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 초기 배향방향을 가지는 액정층을 형성하는 단계; 및
상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며,
상기 공통전극은
각각의 화소영역 내에 배치되고 상기 화소전극과 함께 프린지 필드를 발생시키기 위한 다수의 제 1 슬릿과,
상기 데이터라인과 중첩되고 상기 액정층의 초기 배향방향과 동일한 방향으로 배치되는 다수의 제 2 슬릿을 포함하며,
상기 다수의 제 2 슬릿은 상기 데이터라인과 상이한 방향으로 배치되는 프린지 필드형 액정표시장치의 제조방법.
Providing a first substrate and a second substrate;
Forming a gate line and a data line on the first substrate, the gate line and the data line defining pixel regions intersecting with each other;
Forming a pixel electrode in a pixel region of the first substrate;
Forming a protective film covering the pixel electrode on the first substrate;
Forming a common electrode on the protective film;
Forming a liquid crystal layer having an initial alignment direction between the first substrate and the second substrate; And
And bonding the first substrate and the second substrate,
The common electrode
A plurality of first slits disposed in respective pixel regions and for generating fringe fields together with the pixel electrodes,
And a plurality of second slits overlapping the data lines and arranged in the same direction as the initial alignment direction of the liquid crystal layer,
Wherein the plurality of second slits are disposed in different directions from the data lines.
제 1 항에 있어서, 상기 공통전극은 상기 제 1 기판 위에 단일패턴으로 형성되는 것을 특징으로 하는 프린지 필드형 액정표시장치의 제조방법.The method according to claim 1, wherein the common electrode is formed in a single pattern on the first substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 화소전극은 상기 화소영역 내에 박스 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 프린지 필드형 액정표시장치의 제조방법.The manufacturing method of a fringe field type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel electrode is formed in a box shape within the pixel region. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 공통전극의 상기 다수의 제 1 슬릿 및 데이터라인은 꺾임 구조를 가지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 프린지 필드형 액정표시장치의 제조방법.The method of claim 1, wherein the plurality of first slits and data lines of the common electrode are formed to have a bent structure. 제 5 항에 있어서, 상기 꺾임 구조를 가지는 공통전극의 제 1 슬릿 및 데이터라인은 상기 액정층의 초기 배향방향에 대해 일정한 각도로 기울어진 것을 특징으로 하는 프린지 필드형 액정표시장치의 제조방법.6. The method of claim 5, wherein the first slits and the data lines of the common electrode having the bent structure are inclined at a predetermined angle with respect to the initial alignment direction of the liquid crystal layer. 제 1 기판 위에 형성되며, 서로 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트라인 및 데이터라인;
상기 제 1 기판의 화소영역에 형성된 화소전극;
상기 화소전극이 형성된 상기 제 1 기판 위에 형성되고 상기 화소전극을 덮는 보호막;
상기 보호막 위에 형성되는 공통전극;
상기 제 1 기판과 제 2 기판 사이에 형성되며, 초기 배향방향을 가지는 액정층; 및
상기 제 1 기판과 대향하여 합착되는 상기 제 2 기판을 포함하며,
상기 공통전극은
각각의 화소영역 내에 배치되고 상기 화소전극과 함께 프린지 필드를 발생시키기 위한 다수의 제 1 슬릿과,
상기 데이터라인과 중첩되고 상기 액정층의 초기 배향방향과 동일한 방향으로 배치되는 다수의 제 2 슬릿을 포함하며,
상기 다수의 제 2 슬릿은 상기 데이터라인과 상이한 방향으로 배치되는 프린지 필드형 액정표시장치.
A gate line and a data line formed on the first substrate and defining pixel regions crossing each other;
A pixel electrode formed in a pixel region of the first substrate;
A protective layer formed on the first substrate on which the pixel electrode is formed and covering the pixel electrode;
A common electrode formed on the protective film;
A liquid crystal layer formed between the first substrate and the second substrate and having an initial alignment direction; And
And the second substrate bonded to the first substrate so as to be opposite to the first substrate,
The common electrode
A plurality of first slits disposed in respective pixel regions and for generating fringe fields together with the pixel electrodes,
And a plurality of second slits overlapping the data lines and arranged in the same direction as the initial alignment direction of the liquid crystal layer,
Wherein the plurality of second slits are arranged in a direction different from the data lines.
삭제delete 제 7 항에 있어서, 상기 화소전극은 상기 화소영역 내에 박스 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 프린지 필드형 액정표시장치.8. The fringe field type liquid crystal display of claim 7, wherein the pixel electrode is formed in a box shape in the pixel region. 삭제delete 제 7 항에 있어서, 상기 공통전극의 상기 다수의 제 1 슬릿 및 데이터라인은 꺾임 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 프린지 필드형 액정표시장치.8. The fringe field type liquid crystal display of claim 7, wherein the plurality of first slits and data lines of the common electrode have a bent structure. 제 11 항에 있어서, 상기 꺾임 구조를 가지는 공통전극의 제 1 슬릿 및 데이터라인은 상기 액정층의 초기 배향방향에 대해 일정한 각도로 기울어진 것을 특징으로 하는 프린지 필드형 액정표시장치.12. The fringe field type liquid crystal display of claim 11, wherein the first slits and the data lines of the common electrode having the bent structure are inclined at a predetermined angle with respect to the initial alignment direction of the liquid crystal layer.
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