KR101876675B1 - 배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기 - Google Patents

배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기 Download PDF

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Abstract

본 발명에서는 배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기에 대해 개시한다. 본 발명의 배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기는 전력계통의 전력량을 계측하는 변류/변성기, 변류/변성기에서 계측된 전력량 및 미리 설정된 동작 파라미터를 저장하는 메모리부, 동작 파라미터에 의해 변류/변성기의 검출 동작을 제어하고 메모리부에 검출된 전력량을 기록하는 MCU를 포함하며, MCU는 전원부에서 메모리부로 공급되는 동작 전원을 모니터링하여 메모리부로 공급되는 동작 전원이 미리 설정된 기준치 이상일 때, 인에이블 상태로 전환되도록 함에 그 기술 특징이 있는바, 디지털 전력 계측기에 구성된 마이크로 컨트롤 유닛과 메모리들이 서로 동일한 시점에 동작이 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 동작 오류를 방지하고 무결성을 제공할 수 있는 효과를 이룰 수 있다.

Description

배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기{DIGITAL POWER TESTERS FOR DISTRIBUTION AND DISTRIBUTION BOARD}
본 발명은 분전반이나 배전반에 구성되는 디지털 전력 계측기에 관한 것으로, 상세하게는 디지털 전력 계측기에 구성된 마이크로 컨트롤 유닛과 메모리들이 서로 동일한 시점에 동작이 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 동작 오류를 방지하고 무결성을 제공할 수 있도록 한 배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기에 관한 것이다.
일반적으로 배전반, 수배전반, 분전반 등의 배전 기기는 고전압의 전력을 소비 계통에 맞게 저전압으로 변환하여, 아파트, 빌딩, 학교, 공장, 항만 등에 필요한 전력을 공급하는 전력공급 장치로서 보통 100kW 내지 2000kW 정도의 용량을 가진다.
분전반, 배전반, 수배전반 등은 최적 운전 제어기 및 전력 감시 제어기 등을 포함하게 되며, 외부의 습기나 이물질 등의 유입을 차단하고 가설이 용이하도록 복층구조를 갖는 단일 외함의 고전압 일체형으로 제작되고 있다.
이러한 배전반이나 수배전반 설비의 전력 감시 제어기로는 디지털 전력 계측기가 주로 이용되고 있다. 디지털 전력 계측기는 마이크로 컨트롤 유닛(MCU; Micro Controller Unit) 등을 이용하여, 전력 계통의 전압, 전류를 계측하고, 전력량을 포함한 다양한 전기량을 연산하여 표시한다.
이러한 전력 감시 제어기는 EEPROM 등의 비휘발성 메모리를 더 구비하여, 계측된 전력량과 각종 동작 파라미터 등을 저장하게 되는데, 전력 감시 제어기가 오류 없이 동작되도록 하기 위해서는 MCU와 메모리의 연계 동작이 원활해야 한다.
하지만, 종래의 전력 감시 제어기는 MCU, 메모리 간의 동작 전원이 상이하여, 정전 및 복전이 반복되는 과정에서 자주 오류가 발생하고 있다. 구체적으로, MCU는 소모 전력과 동작 전원이 약 2V 이하로 낮은데 반해, 메모리의 동작 전원은 약 3V 이상으로 차이가 나기 때문에, 정전 및 복전이 이루어질 때면, MCU와 메모리 간의 데이터 교환에 오류가 발생하기도 하였다.
예를 들면, 동작 전원의 복전시에는 MCU가 낮은 전압 상태에서 먼저 동작이 되고 이후에 메모리가 동작을 개시하게 될 수 있으며, 반대로 정전시에는 메모리가 먼저 동작 중단되고 이후에 MCU의 동작이 중단될 수 있다. 이렇게 동작 개시 및 중단 시점이 상이하면 MCU와 메모리 간의 접근 시점이 불안정해지고, 읽기 및 쓰기 동작 또한 정확성이 떨어져서 무결성을 보장할 수 없는 문제가 발생하였다.
이에, 별도로 전압 검출기와 비교기 및 스위치 컨트롤러 등을 더 설치하여, MCU와 메모리 각각의 동작 전원을 검출하고 비교하고, 동작 전원이 서로 동일해지는 시점에 동시에 동작시키는 방안이 제시되기도 했다. 하지만, 별도의 구성요소들이 많아지면 설치 비용과 부피가 증가할 뿐만 아니라, 관리 요소가 더 부가되어 그 효율이 더욱 저하되어, 그 효용성이 저하될 수밖에 없었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 최소한의 구조 변경만으로, 디지털 전력 계측기에 구성된 마이크로 컨트롤 유닛과 메모리들이 서로 동일한 시점에 동작 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 그 효율성을 높이면서도 동작 오류를 방지하고 무결성을 제공할 수 있는 배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 디지털 전력 계측기는 전력계통의 전력량을 계측하는 변류/변성기, 변류/변성기에서 계측된 전력량 및 미리 설정된 동작 파라미터를 저장하는 메모리부, 동작 파라미터에 의해 전력 계량기의 검출 동작을 제어하고 메모리부에 검출된 전력량을 기록하는 MCU를 포함하며, 여기서 MCU는 전원부에서 메모리부로 공급되는 동작 전원을 모니터링하여 메모리부로 공급되는 동작 전원이 미리 설정된 기준치 이상일 때, 인에이블 상태로 전환되도록 함에 그 기술 특징이 있다.
특히, 본 발명의 MCU는 메모리부로 공급되는 동작 전원을 동시에 입력받아서, 동작 전원의 전압을 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환부, 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여 디지털 신호가 디지털 기준치 이상일 때, 인에이블 신호를 생성 및 출력하는 동작 전원 확인부, 인에이블 신호가 생성되면 메모리부로부터 동작 파라미터를 읽어들여 변류/변성기의 검출 동작을 제어하고, 메모리부에 검출된 전력량을 기록하는 계측 기록부를 포함함에 그 기술 특징이 있다.
상기와 같은 다양한 기술 특징을 갖는 본 발명의 실시 예에 따른 배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기는 최소한의 구조 변경만으로, 디지털 전력 계측기에 구성된 마이크로 컨트롤 유닛과 메모리들의 동작 전원이 서로 상이하더라도 서로 동일한 시점에 동작이 개시되거나 중단될 수 있도록 할 수 있다.
특히, 동작 전원이 상이한 다른 메모리가 적용 및 설치되더라도, 동작 파라미터를 읽어들여 변류/변성기의 검출 동작을 제어하기 때문에, 용이하게 메모리에 대한 변경 사항을 반영하여 문제 없이 사용 가능하다. 그리고 별도의 구성 요소들을 추가하지 않고 최소한 구조 변경을 통해 마이크로 컨트롤 유닛과 메모리들이 동일 시점이 동작 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 그 효율성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, 마이크로 컨트롤 유닛과 메모리들의 동작 전원이 서로 상이하더라도 서로 동일한 시점에 동작이 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 동작 오류를 방지하고 무결성을 제공하여, 신뢰도를 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전력 계통의 배전반 설치 구성을 나타낸 구성도이다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 도 1의 디지털 전력 계측기를 구체적으로 나타낸 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시된 MCU, 메모리부, 전원부의 동작 전원 공급 구조를 구체적으로 나타낸 구성도이다.
도 4는 도 3에 도시된 동작 전원 확인부의 동작 전원 확인 구동 방법을 설명하기 위한 그래프이다.
도 5는 제2 실시 예에 따른 MCU, 메모리부, 전원부의 구성과 동작 전원 공급 구조를 구체적으로 나타낸 구성도이다.
도 6은 도 5에 도시된 동작 전원 확인부의 동작 전원 확인 구동 방법을 설명하기 위한 그래프이다.
전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전력 계통의 배전반 설치 구성을 나타낸 구성도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 배전반(DP), 분전반, 수배전반 등의 배전 기기는 전력 계통이 분배되는 전력 수용소(需用所)에 각각 설치되어, 배전 계통을 지배하고 소비전력 계통으로 전력을 배분한다. 이를 위해, 각각의 배전 기기에는 전력 변전, 개폐, 안전, 계량 등을 행하기 위해서 다양한 개폐기, 차단기, 계기 등이 설치되기도 한다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 도 1의 디지털 전력 계측기를 구체적으로 나타낸 구성도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 디지털 전력 계측기(PM)는 변류/변성기(100)를 통해 출력되는 전력계통의 전압 및 전류를 계측하여 전력량을 검출하는 전압/전류 입력부(200), 변류/변성기(100)에서 검출된 전력량 및 동작 파라미터를 저장하는 메모리부(400), 동작 파라미터에 의해 전압/전류 입력부(200)의 검출 동작을 제어하고, 메모리부(400)에 검출된 전력량을 기록하는 MCU(300)를 포함한다.
변류/변성기(100)는 전력계통의 3상 전압(R,S,T)을 소비전력 계통의 전압 및 전류에 맞게 배전시켜 소비전력 계통으로 출력한다. 이때, 전압/전류 입력부(200)는 변류/변성기(100)를 통해 출력되는 전력계통의 전압 및 전류를 계측하여 전력량을 계측하고, 계측된 전력량을 포함한 다양한 전기량을 표시한다.
메모리부(400)에는 미리 프로그램된 수행 코드에 따라 전압/전류 입력부(200) 및 MCU(300)의 동작에 필요한 동작 파라미터들이 저장된다. 그리고 전압/전류 입력부(200)에서 검출된 전력량에 대한 정보들이 실시간으로 저장된다. 이러한 메모리부(400)는 적어도 하나의 비휘발성 메모리를 포함하여 구성될 수 있다. 통상 백업 메모리로는 하나의 비휘발성 메모리가 사용되지만, 필요에 따라서는 복수의 비휘발성 메모리가 이용될 수도 있다. 이때, 이용되는 비휘발성 메모리로는 EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 중 하나 또는 복수가 적용될 수 있다.
MCU(300)는 메모리부(400)로부터 동작 파라미터를 읽어들여 미리 프로그램된 수행 코드에 따라 동작하며, 전압/전류 입력부(200)의 검출 동작을 제어한다. 그리고 전압/전류 입력부(200)에서 검출된 전력량을 메모리부(400)에 저장한다.
MCU(300)는 메모리부(400)와 동일한 전압 레벨의 동작 전원을 입력받아 동작되는 바, 메모리부(400)에도 동일한 전압 레벨의 동작 전원이 공급된다. 이러한 MCU(300)와 메모리부(400)는 시리얼 인터페이스 신호 사양(예를 들어, SPI 또는 I2C)으로 연결되어 있다.
근래 들어, 전자 회로에 적용되는 MCU(300) 사양은 낮은 소모전력과 낮은 동작전압에서도 동작을 보증하는 추세여서, MCU(300)의 동작 개시 전압이 비휘발성 메모리의 동작 개시 전압보다 낮은 것이 일반적이다.
따라서, MCU(300)를 보급 형태로 그대로 사용하면, 전원부(500)에서 동작 전원을 공급할 때, 동작 전원이 확립되는 시점에 있어 MCU(300)이 먼저 동작하고 메모리부(400)가 이후에 동작을 개시하게 될 수 있으며, 반대로 동작 전원 정전 시에는 메모리부(400)가 먼저 동작을 중단하고 MCU(300)가 이후에 동작을 중단하게 되는 경우가 발생할 수 있다.
이때, 발생될 수 있는 문제점들을 미연에 방지하기 위해, MCU(300)는 정전시에는 디세이블 상태를 유지하다가, 복전이 되면 전원부(500)에서 메모리부(400)로 공급되는 동작 전원을 동시에 제공받아 모니터링한다. 그리고 메모리부(400)로 공급되는 동작 전원이 미리 설정된 기준치 이상이 되면, 메모리부(400)와 함께 인에이블 상태로 전환되도록 프로그램된다.
구체적으로, MCU(300)는 정전시에는 디세이블 상태를 유지하게 되는데, 복전이 되어 전원부(500)에서 메모리부(400)와 동시에 동일한 동작 전원이 입력되면, 메모리부(400)와 함께 받는 동작 전원의 전압 레벨을 모니터링한다. 그리고 모니터링하고 있는 동작 전원의 전압레벨이 미리 설정된 기준치 이상이 되면, 메모리부(400)와 함께 인에이블 상태로 전환된다. 여기서, 미리 설정된 기준치는 메모리부(400)의 동작 개시전압 레벨이 될 수 있다.
MCU(300)는 인에이블 상태가 되었을 때, 메모리부(400)로부터 동작 파라미터를 읽어들여 미리 프로그램된 수행 코드에 따라 동작하며, 전압/전류 입력부(200)의 검출 동작을 제어한다. 그리고 전압/전류 입력부(200)에서 검출된 전력량을 메모리부(400)에 저장한다.
반대로, 정전 상태에 돌입하면, MCU(300)는 메모리부(400)와 함께 받는 동작 전원의 전압 레벨이 미리 설정된 기준치 미만이 되었을 때, 메모리부(400)와 동시에 디세이블 되도록 프로그램된다. 이렇게, MCU(300)와 메모리부(400)가 동작 전원을 동일하게 받도록 구성하고, MCU(300)와 메모리부(400)가 메모리부(400)의 개시 전압 레벨에 따라 동일한 시점에 동시에 동작이 개시되거나 중단되도록 하면, 개시 전압이 상이함에 의해 발생할 수 있었던 문제를 해결할 수 있게 된다.
도 3은 도 2에 도시된 MCU, 메모리부, 전원부의 동작 전원 공급 구조를 구체적으로 나타낸 구성도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, MCU(300)는 메모리부(400)로 공급되는 동작 전원을 동시에 입력받아서, 실시간으로 동작 전원의 전압을 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환부(320), 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여 디지털 신호가 디지털 기준치 이상일 때, 인에이블 신호를 생성 및 출력하는 동작 전원 확인부(330), 및 인에이블 신호가 생성되면 메모리부(400)로부터 동작 파라미터를 읽어들여 전압/전류 입력부(200)의 검출 동작을 제어하고, 메모리부(400)에 검출된 전력량을 기록하는 계측 기록부(310)를 포함한다.
아날로그-디지털 변환부(320)는 MCU(300)에 내장된 구조이기도 하나, MCU(300)의 외부에 별도로 마련될 수도 있다. 이러한 아날로그-디지털 변환부(310)는 MCU(300)의 디세이블 상태에 상관없이, 메모리부(400)로 공급되는 동작 전원을 동시에 입력받아서, 실시간으로 동작 전원의 전압을 디지털 신호로 변환하게 된다. 이렇게 동작 전원의 전압 레벨에 따라 실시간으로 변환되는 디지털 신호는 동작 전원 확인부(330)로 전송된다.
동작 전원 확인부(330)는 아날로그-디지털 변환부(310)에서 실시간으로 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여 디지털 신호가 디지털 기준치 이상일 때는 인에이블 신호를 계측 기록부(310)로 공급한다. 여기서, 미리 설정된 디지털 기준치는 메모리부(400)의 동작 개시전압 레벨을 나타낸 디지털 신호이다.
동작 전원 확인부(330)는 실시간으로 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여 디지털 신호가 디지털 기준치 미만이 되었을 때는 디세이블 신호를 계측 기록부(310)로 공급하게 된다.
이에, 계측 기록부(310)는 동작 전원 확인부(330)로부터 인에이블 신호가 입력되면, 메모리부(400)로부터 동작 파라미터를 읽어들여 전압/전류 입력부(200)의 검출 동작을 제어하고, 메모리부(400)에 검출된 전력량을 기록하게 된다. 반면, 계측 기록부(310)는 동작 전원 확인부(330)로부터 디세이블 신호가 입력되면 메모리부(400)와 함께 디세이블 된다.
도 4는 도 3에 도시된 동작 전원 확인부의 동작 전원 확인 구동 방법을 설명하기 위한 그래프이다.
도 4에 도시된 바와 같이, MCU(300)의 경우는 개시 전압이 약 2.0V 정도가 될 수 있으므로, 동작 전원이 약 2.0V 이상이 될 때, 아날로그-디지털 변환부(320)와 동작 전원 확인부(330)가 인에이블 될 수 있다. 하지만, 메모리부(400)는 개시 전압이 2.9V이기 때문에, 메모리부(400)가 디세이블된 상태에서는 MCU(300)가 비정상 동작할 수가 있다.
즉, 동작 전원 확인부(330)가 인에이블되고, 메모리부(400)가 디세이블된 상태에서는 동작 전원 확인부(330)는 활성화되나 메모리부(400)가 아직 비활성화 상태이므로, 동작 전원 확인부(330)에서 아무리 메모리부(400)로 접근을 시도해도 무결성을 보장할 수 없는 상태이다.
이에, 아날로그-디지털 변환부(320)는 메모리부(400)로 공급되는 동작 전원을 디지털 신호로 변환하고, 동작 전원의 전압 레벨에 따라 실시간으로 변환되는 디지털 신호를 동작 전원 확인부(330)로 전송한다.
동작 전원 확인부(330)는 실시간으로 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여, 디지털 신호가 디지털 기준치 미만일 때는 디세이블 상태를 유지하고, 디지털 신호가 디지털 기준치 이상일 때 인에이블 신호를 계측 기록부(310)로 공급하게 된다.
계측 기록부(310)는 동작 전원 확인부(330)로부터 인에이블 신호가 입력되고 있는 기간에만 인에이블 상태로 전압/전류 입력부(200)를 제어하고, 계측 기록 동작을 수행한다.
이후, 정전이 발생하면, 동작 전원 확인부(330)는 실시간으로 변환되는 디지털 신호가 디지털 기준치 미만일 때는 메모리부(400)와 함께 디세이블 상태가 되며, 계측 기록부(310) 또한 디세이블 상태가 된다.
도 5는 제2 실시 예에 따른 MCU, 메모리부, 전원부의 구성과 동작 전원 공급 구조를 구체적으로 나타낸 구성도이다.
전술한 바와 같이, 디지털 전력 계측기(PM)에 구비되는 메모리부(400)는 EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 중 하나 또는 필요에 따라 복수의 메모리를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한, EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 등의 동작 개시 전압은 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다.
이에, MCU(300)는 메모리부(400)에 포함된 EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 중 적어도 하나의 메모리별로 공급되는 동작 전압을 모니터링하여, 기준치 이상일 때 인에이블되고, 기준치 미만일 때는 디세이블될 수 있다.
만일, 메모리부(400)의 비휘발성 메모리를 변경하여, 동작 전원이 이전과 상이한 비휘발성 메모리가 설치되는 경우, MCU(300)는 자동으로 새로 설치된 비휘발성 메모리의 동작 전원을 인식하여 제어 가능하다.
구체적으로, 디지털 전력 계측기(PM)의 MCU(300)는 비휘발성 메모리별로 공급되는 동작 전원을 각각 입력받기 때문에, 동작 전원이 이전과 상이한 다른 비휘발성 메모리가 설치되더라도 자동으로 동작 파라미터를 읽어들여, 새로 설치된 비휘발성 메모리의 동작 전원을 인식할 수 있다.
이를 위해, 도 5에 도시된 바와 같이, 디지털 전력 계측기(PM)의 MCU(300)는 EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 중 적어도 하나의 메모리별로 공급되는 동작 전원을 각각 입력받아서, 각각의 메모리별 동작 전원의 전압을 디지털 신호로 각각 변환하는 아날로그-디지털 변환부(320), 메모리별로 각각 변환된 디지털 신호를 메모리별로 미리 설정된 각각의 디지털 기준치와 비교하여, 메모리별 디지털 신호가 메모리별로 미리 설정된 디지털 기준치 이상일 때, 인에이블 신호를 생성 및 출력하는 동작 전원 확인부(330), 인에이블 신호가 생성되면 메모리부(400)로부터 동작 파라미터를 읽어들여 전압/전류 입력부(200)의 검출 동작을 제어하고, 메모리부(400)에 검출된 전력량을 기록하는 계측 기록부(310)를 포함한다.
도 6은 도 5에 도시된 동작 전원 확인부의 동작 전원 확인 구동 방법을 설명하기 위한 그래프이다.
도 6을 참조하여, 동작 전원 확인부(330)의 동작을 살펴보면, 동작 전원 확인부(330)는 메모리별로 각각 변환된 디지털 신호를 메모리별로 미리 설정된 각각의 디지털 기준치와 비교한다. 그리고 하여, 메모리별로 각각 변환된 디지털 신호가 어느 하나라도 미리 설정된 각각의 디지털 기준치보다 작을 때는 디세이블 신호를 계측 기록부(310)로 전송한다.
하지만, 메모리별로 각각 변환된 디지털 신호가 미리 설정된 각각의 디지털 기준치 이상이 될 때부터는 인에이블 신호를 생성하여 계측 기록부(310)로 전송하게 된다.
이에, 계측 기록부(310)는 동작 전원 확인부(330)로부터 인에이블 신호가 입력되고 있는 기간에만 인에이블 상태로 전압/전류 입력부(200)를 제어하고, 계측 기록 동작을 수행한다.
이후, 정전이 발생하면, 동작 전원 확인부(330)는 실시간으로 변환되는 디지털 신호가 디지털 기준치 미만일 때는 메모리부(400)와 함께 디세이블 상태가 되며, 계측 기록부(310) 또한 디세이블 상태가 된다.
이상 전술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기는 최소한의 구조 변경만으로, 디지털 전력 계측기(PM)에 구성된 MCU(300)와 메모리들의 동작 전원(특히, 동작 개시 전원)이 서로 상이하더라도 서로 동일한 시점에 동작이 개시되거나 중단될 수 있도록 할 수 있다.
특히, 별도의 구성 요소들을 추가하지 않고 최소한 구조 변경을 통해 MCU(300)와 메모리들이 동일 시점이 동작 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 그 효율성을 더욱 향상시킬 수 있다.
또한, MCU(300)와 메모리들의 동작 전원이 서로 상이하더라도 서로 동일한 시점에 동작이 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 동작 오류를 방지하고 무결성을 제공하여, 신뢰도를 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.
DP: 배전반
PM: 디지털 전력 계측기
100: 변류/변성기
200: 전압/전류 입력부
300: MCU
310: 계측 기록부
320: ADC
330: 동작 전원 확인부
400: 메모리부
500: 전원부

Claims (7)

  1. 전력계통의 전력량을 계측하는 변류/변성기;
    상기 변류/변성기에서 계측된 전력량 및 미리 설정된 동작 파라미터를 저장하는 메모리부;
    상기 동작 파라미터에 의해 상기 변류/변성기의 검출 동작을 제어하고 상기 메모리부에 상기 검출된 전력량을 기록하는 MCU를 포함하며,
    상기 MCU는
    전원부에서 상기 메모리부로 공급되는 동작 전원을 모니터링하여 상기 메모리부로 공급되는 동작 전원이 미리 설정된 기준치 이상일 때, 인에이블 상태로 전환되고,
    상기 미리 설정된 기준치는 상기 메모리부의 동작 개시 전압 레벨로 설정되어, 상기 동작 전원이 미리 설정된 기준치 이상일 때 상기 MCU 와 상기 메모리부가 동시에 동작 개시되는,
    배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 MCU는
    정전 상태에 돌입하면, 상기 전원부에서 상기 메모리부로 공급되는 동작 전원을 모니터링하여 상기 동작 전원이 미리 설정된 기준치 미만이 되었을 때, 디세이블 상태로 전환되는
    배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 MCU는
    상기 메모리부로 공급되는 동작 전원을 입력받아서, 상기 동작 전원의 전압을 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환부;
    상기 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여 상기 디지털 신호가 상기 디지털 기준치 이상일 때, 인에이블 신호를 생성 및 출력하는 동작 전원 확인부;
    상기 인에이블 신호가 생성되면 상기 메모리부로부터 상기 동작 파라미터를 읽어들여 상기 변류/변성기의 검출 동작을 제어하고, 상기 메모리부에 상기 검출된 전력량을 기록하는 계측 기록부를 포함하는
    배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 동작 전원 확인부는
    상기 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여 상기 디지털 신호가 상기 디지털 기준치 미만일 때는 디에이블 신호를 생성 및 출력하여 상기 계측 기록부와 함께 디세이블 되며,
    상기 변환되는 디지털 신호가 상기 디지털 기준치 이상이 될 때부터는 상기 인에이블 신호를 생성하여 상기 계측 기록부로 전송하는
    배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 메모리부는
    EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 중 적어도 하나의 메모리를 포함하는
    배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 MCU는
    상기 EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 중 적어도 하나의 메모리별로 공급되는 동작 전원을 각각 입력받아서, 상기 각각의 메모리별 동작 전원의 전압을 디지털 신호로 각각 변환하는 아날로그-디지털 변환부;
    상기 메모리별로 각각 변환된 디지털 신호를 상기 메모리별로 미리 설정된 각각의 디지털 기준치와 비교하여, 상기 메모리별 디지털 신호가 상기 메모리별로 미리 설정된 디지털 기준치 이상일 때, 인에이블 신호를 생성 및 출력하는 동작 전원 확인부;
    상기 인에이블 신호가 생성되면 상기 메모리부로부터 상기 동작 파라미터를 읽어들여 상기 변류/변성기의 검출 동작을 제어하고, 상기 메모리부에 상기 검출된 전력량을 기록하는 계측 기록부를 포함하는
    배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 동작 전원 확인부는
    상기 메모리별로 각각 변환되는 디지털 신호를 상기 메모리별로 미리 설정된 각각의 디지털 기준치와 비교하여 상기 메모리별로 각각 변환되는 디지털 신호가 상기 메모리별로 미리 설정된 각각의 디지털 기준치 미만일 때는 디세이블 신호를 상기 계측 기록부로 전송하고,
    상기 메모리별로 각각 변환되는 디지털 신호가 상기 메모리별로 미리 설정된 각각의 디지털 기준치 이상이 될 때부터는 상기 인에이블 신호를 생성하여 상기 계측 기록부로 전송하는
    배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
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