KR101876675B1 - Digital power testers for distribution and distribution board - Google Patents

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KR101876675B1
KR101876675B1 KR1020170051093A KR20170051093A KR101876675B1 KR 101876675 B1 KR101876675 B1 KR 101876675B1 KR 1020170051093 A KR1020170051093 A KR 1020170051093A KR 20170051093 A KR20170051093 A KR 20170051093A KR 101876675 B1 KR101876675 B1 KR 101876675B1
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김영돈
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엘에스산전 주식회사
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Abstract

The present invention discloses a digital power meter for a distribution board and a panel board. The digital power meter for a distribution board and a panel board of the present invention comprises: a converter/transformer for measuring an amount of power of a power system; a memory unit for storing the amount of power measured in the converter/transformer and a preset operating parameter; and a micro control unit (MCU) for controlling a detecting operation of the converter/transformer based on the operation parameter and recording the detected amount of power in the memory unit, wherein the MCU monitors an operation power supplied from a power supply unit to the memory unit, and when the operation power supplied to the memory unit is greater than a preset reference value, the MCU is switched to an enable status. The MCU and the memories configured in the digital power meter can be started or stopped each other at the same time, thereby obtaining the effect of preventing malfunction and providing the integrity.

Description

배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기{DIGITAL POWER TESTERS FOR DISTRIBUTION AND DISTRIBUTION BOARD} Technical Field [0001] The present invention relates to a digital power meter for a switchboard and a distribution board,

본 발명은 분전반이나 배전반에 구성되는 디지털 전력 계측기에 관한 것으로, 상세하게는 디지털 전력 계측기에 구성된 마이크로 컨트롤 유닛과 메모리들이 서로 동일한 시점에 동작이 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 동작 오류를 방지하고 무결성을 제공할 수 있도록 한 배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기에 관한 것이다. The present invention relates to a digital power meter configured in a distribution board or an electrical switchboard. More particularly, the present invention relates to a digital power meter in which a micro control unit and memories configured in a digital power meter can start or stop operations at the same time, And to a digital power meter for a distribution board and a distribution board.

일반적으로 배전반, 수배전반, 분전반 등의 배전 기기는 고전압의 전력을 소비 계통에 맞게 저전압으로 변환하여, 아파트, 빌딩, 학교, 공장, 항만 등에 필요한 전력을 공급하는 전력공급 장치로서 보통 100kW 내지 2000kW 정도의 용량을 가진다. Generally, power distribution devices such as switchgear, switchgear, and distribution panel are power supply devices that convert high-voltage electric power to low voltage according to the consumption system and supply electric power to apartments, buildings, schools, factories, ports and so on. Capacity.

분전반, 배전반, 수배전반 등은 최적 운전 제어기 및 전력 감시 제어기 등을 포함하게 되며, 외부의 습기나 이물질 등의 유입을 차단하고 가설이 용이하도록 복층구조를 갖는 단일 외함의 고전압 일체형으로 제작되고 있다. The distribution board, the switchboard, the switchboard, etc., including the optimum operation controller and the power monitoring controller, are manufactured as a single high voltage integral type having a multi-layered structure for preventing the entry of moisture and foreign matter from the outside and making it easy to install.

이러한 배전반이나 수배전반 설비의 전력 감시 제어기로는 디지털 전력 계측기가 주로 이용되고 있다. 디지털 전력 계측기는 마이크로 컨트롤 유닛(MCU; Micro Controller Unit) 등을 이용하여, 전력 계통의 전압, 전류를 계측하고, 전력량을 포함한 다양한 전기량을 연산하여 표시한다. A digital power meter is mainly used as a power monitoring controller of such a switchboard or a switchboard facility. The digital power meter measures the voltage and current of the power system by using a microcontroller unit (MCU) or the like, calculates and displays various electric quantities including the electric power.

이러한 전력 감시 제어기는 EEPROM 등의 비휘발성 메모리를 더 구비하여, 계측된 전력량과 각종 동작 파라미터 등을 저장하게 되는데, 전력 감시 제어기가 오류 없이 동작되도록 하기 위해서는 MCU와 메모리의 연계 동작이 원활해야 한다. The power monitor controller further includes a nonvolatile memory such as an EEPROM to store the measured power amount and various operation parameters. In order for the power monitor controller to operate without errors, the MCU and the memory must be smoothly connected.

하지만, 종래의 전력 감시 제어기는 MCU, 메모리 간의 동작 전원이 상이하여, 정전 및 복전이 반복되는 과정에서 자주 오류가 발생하고 있다. 구체적으로, MCU는 소모 전력과 동작 전원이 약 2V 이하로 낮은데 반해, 메모리의 동작 전원은 약 3V 이상으로 차이가 나기 때문에, 정전 및 복전이 이루어질 때면, MCU와 메모리 간의 데이터 교환에 오류가 발생하기도 하였다. However, in the conventional power monitoring controller, the operation power is different between the MCU and the memory, and errors are frequently generated in the process of repeating the power failure and the power failure. Specifically, since the power consumption of the MCU is less than about 2 V, and the operating power of the memory is about 3 V or more, the data exchange between the MCU and the memory may occur Respectively.

예를 들면, 동작 전원의 복전시에는 MCU가 낮은 전압 상태에서 먼저 동작이 되고 이후에 메모리가 동작을 개시하게 될 수 있으며, 반대로 정전시에는 메모리가 먼저 동작 중단되고 이후에 MCU의 동작이 중단될 수 있다. 이렇게 동작 개시 및 중단 시점이 상이하면 MCU와 메모리 간의 접근 시점이 불안정해지고, 읽기 및 쓰기 동작 또한 정확성이 떨어져서 무결성을 보장할 수 없는 문제가 발생하였다. For example, in the case of recovery of the operating power, the MCU may first be operated in a low voltage state and then the memory may start to operate. Conversely, in the case of a power failure, the memory is stopped first, . If the starting and stopping points are different from each other, the access point between the MCU and the memory becomes unstable, and the read and write operations are also not accurate, thus failing to guarantee the integrity.

이에, 별도로 전압 검출기와 비교기 및 스위치 컨트롤러 등을 더 설치하여, MCU와 메모리 각각의 동작 전원을 검출하고 비교하고, 동작 전원이 서로 동일해지는 시점에 동시에 동작시키는 방안이 제시되기도 했다. 하지만, 별도의 구성요소들이 많아지면 설치 비용과 부피가 증가할 뿐만 아니라, 관리 요소가 더 부가되어 그 효율이 더욱 저하되어, 그 효용성이 저하될 수밖에 없었다. It is also proposed that a voltage detector, a comparator, a switch controller, and the like are additionally provided to detect and compare the operating power of each of the MCU and the memory, and to operate them simultaneously when the operating power becomes equal to each other. However, as the number of separate components increases, the cost and volume of the installation increase, and the efficiency of the system is further degraded due to the addition of management elements.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 최소한의 구조 변경만으로, 디지털 전력 계측기에 구성된 마이크로 컨트롤 유닛과 메모리들이 서로 동일한 시점에 동작 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 그 효율성을 높이면서도 동작 오류를 방지하고 무결성을 제공할 수 있는 배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기를 제공하는데 그 목적이 있다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a digital power meter, And to provide a digital power meter for a distribution board and a distribution board capable of providing integrity.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 디지털 전력 계측기는 전력계통의 전력량을 계측하는 변류/변성기, 변류/변성기에서 계측된 전력량 및 미리 설정된 동작 파라미터를 저장하는 메모리부, 동작 파라미터에 의해 전력 계량기의 검출 동작을 제어하고 메모리부에 검출된 전력량을 기록하는 MCU를 포함하며, 여기서 MCU는 전원부에서 메모리부로 공급되는 동작 전원을 모니터링하여 메모리부로 공급되는 동작 전원이 미리 설정된 기준치 이상일 때, 인에이블 상태로 전환되도록 함에 그 기술 특징이 있다. According to an aspect of the present invention, there is provided a digital power meter including a current transformer for measuring an amount of power in a power system, a memory unit for storing an amount of power measured in the current transformer / Wherein the MCU monitors the operation power supplied from the power supply unit to the memory unit, and when the operation power supplied to the memory unit is equal to or greater than a preset reference value, the MCU monitors the operation power supplied from the power supply unit to the memory unit, , And is switched to the enabled state.

특히, 본 발명의 MCU는 메모리부로 공급되는 동작 전원을 동시에 입력받아서, 동작 전원의 전압을 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환부, 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여 디지털 신호가 디지털 기준치 이상일 때, 인에이블 신호를 생성 및 출력하는 동작 전원 확인부, 인에이블 신호가 생성되면 메모리부로부터 동작 파라미터를 읽어들여 변류/변성기의 검출 동작을 제어하고, 메모리부에 검출된 전력량을 기록하는 계측 기록부를 포함함에 그 기술 특징이 있다. In particular, the MCU of the present invention includes an analog-to-digital converter for simultaneously receiving an operation power supplied to a memory unit and converting a voltage of the operation power supply to a digital signal, a digital-to- An operation power source confirmation unit for generating and outputting an enable signal when the enable signal is generated, and when the enable signal is generated, the operation parameter is read from the memory unit to control the detection operation of the resistance / And a measurement recording unit.

상기와 같은 다양한 기술 특징을 갖는 본 발명의 실시 예에 따른 배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기는 최소한의 구조 변경만으로, 디지털 전력 계측기에 구성된 마이크로 컨트롤 유닛과 메모리들의 동작 전원이 서로 상이하더라도 서로 동일한 시점에 동작이 개시되거나 중단될 수 있도록 할 수 있다. The digital power meter for the switchboard and the distribution board according to the embodiment of the present invention having various technical features as described above can be operated at the same point in time even if the operation power of the micro control unit and the memories constituted in the digital power meter are different from each other only with minimal structural change So that the operation can be started or stopped.

특히, 동작 전원이 상이한 다른 메모리가 적용 및 설치되더라도, 동작 파라미터를 읽어들여 변류/변성기의 검출 동작을 제어하기 때문에, 용이하게 메모리에 대한 변경 사항을 반영하여 문제 없이 사용 가능하다. 그리고 별도의 구성 요소들을 추가하지 않고 최소한 구조 변경을 통해 마이크로 컨트롤 유닛과 메모리들이 동일 시점이 동작 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 그 효율성을 더욱 향상시킬 수 있다. In particular, even if another memory having different operation power is applied and installed, since the operation parameter is read to control the detection operation of the current transformer / transformer, it can be easily used without any problem reflecting the changes to the memory. The efficiency can be further improved by allowing the micro control unit and the memories to start or stop at the same time by minimizing the structure change without adding additional components.

또한, 마이크로 컨트롤 유닛과 메모리들의 동작 전원이 서로 상이하더라도 서로 동일한 시점에 동작이 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 동작 오류를 방지하고 무결성을 제공하여, 신뢰도를 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, even when the operation power of the micro control unit and the memories are different from each other, operation can be started or stopped at the same time, thereby preventing an operation error, providing integrity, and improving reliability.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전력 계통의 배전반 설치 구성을 나타낸 구성도이다.
도 2는 제1 실시 예에 따른 도 1의 디지털 전력 계측기를 구체적으로 나타낸 구성도이다.
도 3은 도 2에 도시된 MCU, 메모리부, 전원부의 동작 전원 공급 구조를 구체적으로 나타낸 구성도이다.
도 4는 도 3에 도시된 동작 전원 확인부의 동작 전원 확인 구동 방법을 설명하기 위한 그래프이다.
도 5는 제2 실시 예에 따른 MCU, 메모리부, 전원부의 구성과 동작 전원 공급 구조를 구체적으로 나타낸 구성도이다.
도 6은 도 5에 도시된 동작 전원 확인부의 동작 전원 확인 구동 방법을 설명하기 위한 그래프이다.
FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of installing an electric distribution panel in a power system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a configuration diagram specifically showing the digital power meter of FIG. 1 according to the first embodiment.
FIG. 3 is a configuration diagram specifically illustrating an operation power supply structure of the MCU, the memory unit, and the power supply unit shown in FIG.
FIG. 4 is a graph for explaining an operation power source confirmation driving method of the operation power source confirmation unit shown in FIG. 3;
FIG. 5 is a configuration diagram specifically showing the configuration of the MCU, the memory unit, the power supply unit, and the operation power supply structure according to the second embodiment.
6 is a graph for explaining an operation power source confirmation driving method of the operation power source confirmation unit shown in FIG.

전술한 목적, 특징 및 장점은 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 후술되며, 이에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명을 설명함에 있어서 본 발명과 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 상세한 설명을 생략한다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 상세히 설명하기로 한다. The above and other objects, features, and advantages of the present invention will become more apparent by describing in detail exemplary embodiments thereof with reference to the attached drawings, which are not intended to limit the scope of the present invention. In the following description, well-known functions or constructions are not described in detail since they would obscure the invention in unnecessary detail. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 전력 계통의 배전반 설치 구성을 나타낸 구성도이다. FIG. 1 is a configuration diagram showing a configuration of installing an electric distribution panel in a power system according to an embodiment of the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 배전반(DP), 분전반, 수배전반 등의 배전 기기는 전력 계통이 분배되는 전력 수용소(需用所)에 각각 설치되어, 배전 계통을 지배하고 소비전력 계통으로 전력을 배분한다. 이를 위해, 각각의 배전 기기에는 전력 변전, 개폐, 안전, 계량 등을 행하기 위해서 다양한 개폐기, 차단기, 계기 등이 설치되기도 한다. As shown in Fig. 1, power distribution apparatuses such as an electric distribution panel (DP), a distribution panel, and a power distribution panel are respectively installed in a power concentration camp where electric power systems are distributed to distribute electric power to a power consumption system do. To this end, various distribution devices are provided with various switches, breakers, and gauges to perform power switching, switching, safety, and metering.

도 2는 제1 실시 예에 따른 도 1의 디지털 전력 계측기를 구체적으로 나타낸 구성도이다. FIG. 2 is a configuration diagram specifically showing the digital power meter of FIG. 1 according to the first embodiment.

도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명의 디지털 전력 계측기(PM)는 변류/변성기(100)를 통해 출력되는 전력계통의 전압 및 전류를 계측하여 전력량을 검출하는 전압/전류 입력부(200), 변류/변성기(100)에서 검출된 전력량 및 동작 파라미터를 저장하는 메모리부(400), 동작 파라미터에 의해 전압/전류 입력부(200)의 검출 동작을 제어하고, 메모리부(400)에 검출된 전력량을 기록하는 MCU(300)를 포함한다. 2, the digital power meter PM of the present invention includes a voltage / current input unit 200 for measuring the voltage and current of the power system output through the DC / A memory unit 400 for storing the amount of power and operation parameters detected by the transformer 100, a control unit for controlling the detection operation of the voltage / current input unit 200 according to operation parameters, and recording the amount of power detected in the memory unit 400 And an MCU 300 that is connected to the network.

변류/변성기(100)는 전력계통의 3상 전압(R,S,T)을 소비전력 계통의 전압 및 전류에 맞게 배전시켜 소비전력 계통으로 출력한다. 이때, 전압/전류 입력부(200)는 변류/변성기(100)를 통해 출력되는 전력계통의 전압 및 전류를 계측하여 전력량을 계측하고, 계측된 전력량을 포함한 다양한 전기량을 표시한다. Transformer / transformer 100 distributes the three-phase voltage (R, S, T) of the power system to the voltage and current of the power system and outputs it to the power system. At this time, the voltage / current input unit 200 measures the voltage and current of the power system output through the transformer / transformer 100 to measure the amount of electricity, and displays various amounts of electricity including the measured amount of electricity.

메모리부(400)에는 미리 프로그램된 수행 코드에 따라 전압/전류 입력부(200) 및 MCU(300)의 동작에 필요한 동작 파라미터들이 저장된다. 그리고 전압/전류 입력부(200)에서 검출된 전력량에 대한 정보들이 실시간으로 저장된다. 이러한 메모리부(400)는 적어도 하나의 비휘발성 메모리를 포함하여 구성될 수 있다. 통상 백업 메모리로는 하나의 비휘발성 메모리가 사용되지만, 필요에 따라서는 복수의 비휘발성 메모리가 이용될 수도 있다. 이때, 이용되는 비휘발성 메모리로는 EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 중 하나 또는 복수가 적용될 수 있다. The memory unit 400 stores operating parameters required for the operations of the voltage / current input unit 200 and the MCU 300 according to pre-programmed execution codes. And information on the amount of power detected by the voltage / current input unit 200 is stored in real time. The memory unit 400 may include at least one non-volatile memory. Usually, one nonvolatile memory is used as the backup memory, but a plurality of nonvolatile memories may be used if necessary. At this time, the nonvolatile memory used is an EEPROM. NVM, NVRAM mask ROM, PROM, and UV-EPROM.

MCU(300)는 메모리부(400)로부터 동작 파라미터를 읽어들여 미리 프로그램된 수행 코드에 따라 동작하며, 전압/전류 입력부(200)의 검출 동작을 제어한다. 그리고 전압/전류 입력부(200)에서 검출된 전력량을 메모리부(400)에 저장한다. The MCU 300 reads operation parameters from the memory unit 400 and operates according to pre-programmed execution codes, and controls the detection operation of the voltage / current input unit 200. And stores the amount of power detected by the voltage / current input unit 200 in the memory unit 400.

MCU(300)는 메모리부(400)와 동일한 전압 레벨의 동작 전원을 입력받아 동작되는 바, 메모리부(400)에도 동일한 전압 레벨의 동작 전원이 공급된다. 이러한 MCU(300)와 메모리부(400)는 시리얼 인터페이스 신호 사양(예를 들어, SPI 또는 I2C)으로 연결되어 있다. The MCU 300 is operated by receiving operation power of the same voltage level as that of the memory unit 400, and the operation power of the same voltage level is supplied to the memory unit 400 as well. The MCU 300 and the memory unit 400 are connected to a serial interface signal specification (for example, SPI or I2C).

근래 들어, 전자 회로에 적용되는 MCU(300) 사양은 낮은 소모전력과 낮은 동작전압에서도 동작을 보증하는 추세여서, MCU(300)의 동작 개시 전압이 비휘발성 메모리의 동작 개시 전압보다 낮은 것이 일반적이다. In recent years, the specification of the MCU 300 applied to the electronic circuit is a tendency to guarantee operation even at low consumption power and low operating voltage, so that the operation start voltage of the MCU 300 is generally lower than the operation start voltage of the nonvolatile memory .

따라서, MCU(300)를 보급 형태로 그대로 사용하면, 전원부(500)에서 동작 전원을 공급할 때, 동작 전원이 확립되는 시점에 있어 MCU(300)이 먼저 동작하고 메모리부(400)가 이후에 동작을 개시하게 될 수 있으며, 반대로 동작 전원 정전 시에는 메모리부(400)가 먼저 동작을 중단하고 MCU(300)가 이후에 동작을 중단하게 되는 경우가 발생할 수 있다. Therefore, when the MCU 300 is used in the form of a power supply, when the power supply 500 supplies the operating power, the MCU 300 operates first and the memory 400 operates after the operating power is established On the other hand, when the operation power is interrupted, the memory unit 400 may stop operating first and the MCU 300 may stop operating thereafter.

이때, 발생될 수 있는 문제점들을 미연에 방지하기 위해, MCU(300)는 정전시에는 디세이블 상태를 유지하다가, 복전이 되면 전원부(500)에서 메모리부(400)로 공급되는 동작 전원을 동시에 제공받아 모니터링한다. 그리고 메모리부(400)로 공급되는 동작 전원이 미리 설정된 기준치 이상이 되면, 메모리부(400)와 함께 인에이블 상태로 전환되도록 프로그램된다. At this time, in order to prevent the problems that may occur, the MCU 300 maintains the disabled state during the power failure, and when the power is restored, the MCU 300 simultaneously supplies the operating power supplied from the power source unit 500 to the memory unit 400 Take and monitor. When the operation power supplied to the memory unit 400 becomes equal to or greater than a predetermined reference value, the memory unit 400 is programmed to be switched to the enabled state.

구체적으로, MCU(300)는 정전시에는 디세이블 상태를 유지하게 되는데, 복전이 되어 전원부(500)에서 메모리부(400)와 동시에 동일한 동작 전원이 입력되면, 메모리부(400)와 함께 받는 동작 전원의 전압 레벨을 모니터링한다. 그리고 모니터링하고 있는 동작 전원의 전압레벨이 미리 설정된 기준치 이상이 되면, 메모리부(400)와 함께 인에이블 상태로 전환된다. 여기서, 미리 설정된 기준치는 메모리부(400)의 동작 개시전압 레벨이 될 수 있다. Specifically, when the power supply unit 500 receives the same operation power simultaneously with the memory unit 400, the MCU 300 receives an operation to be received together with the memory unit 400 Monitor the voltage level of the power supply. When the voltage level of the operating power being monitored is equal to or higher than a preset reference value, the memory unit 400 is switched to the enabled state. Here, the predetermined reference value may be the operation start voltage level of the memory unit 400. [

MCU(300)는 인에이블 상태가 되었을 때, 메모리부(400)로부터 동작 파라미터를 읽어들여 미리 프로그램된 수행 코드에 따라 동작하며, 전압/전류 입력부(200)의 검출 동작을 제어한다. 그리고 전압/전류 입력부(200)에서 검출된 전력량을 메모리부(400)에 저장한다. When the MCU 300 is in an enabled state, the MCU 300 reads operation parameters from the memory unit 400 and operates according to pre-programmed execution codes, and controls the detection operation of the voltage / current input unit 200. And stores the amount of power detected by the voltage / current input unit 200 in the memory unit 400.

반대로, 정전 상태에 돌입하면, MCU(300)는 메모리부(400)와 함께 받는 동작 전원의 전압 레벨이 미리 설정된 기준치 미만이 되었을 때, 메모리부(400)와 동시에 디세이블 되도록 프로그램된다. 이렇게, MCU(300)와 메모리부(400)가 동작 전원을 동일하게 받도록 구성하고, MCU(300)와 메모리부(400)가 메모리부(400)의 개시 전압 레벨에 따라 동일한 시점에 동시에 동작이 개시되거나 중단되도록 하면, 개시 전압이 상이함에 의해 발생할 수 있었던 문제를 해결할 수 있게 된다. Conversely, when entering the blackout state, the MCU 300 is programmed to be disabled at the same time as the memory unit 400 when the voltage level of the operating power received together with the memory unit 400 becomes less than a preset reference value. When the MCU 300 and the memory unit 400 are operated at the same time according to the start voltage level of the memory unit 400, By starting or stopping, the problem that could be caused by the difference in starting voltage can be solved.

도 3은 도 2에 도시된 MCU, 메모리부, 전원부의 동작 전원 공급 구조를 구체적으로 나타낸 구성도이다. FIG. 3 is a configuration diagram specifically illustrating an operation power supply structure of the MCU, the memory unit, and the power supply unit shown in FIG.

도 3에 도시된 바와 같이, MCU(300)는 메모리부(400)로 공급되는 동작 전원을 동시에 입력받아서, 실시간으로 동작 전원의 전압을 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환부(320), 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여 디지털 신호가 디지털 기준치 이상일 때, 인에이블 신호를 생성 및 출력하는 동작 전원 확인부(330), 및 인에이블 신호가 생성되면 메모리부(400)로부터 동작 파라미터를 읽어들여 전압/전류 입력부(200)의 검출 동작을 제어하고, 메모리부(400)에 검출된 전력량을 기록하는 계측 기록부(310)를 포함한다. 3, the MCU 300 includes an analog-to-digital (A / D) converter 320 for simultaneously receiving an operation power supplied to the memory unit 400 and converting the voltage of the operation power source into a digital signal in real time, An operation power verifying unit 330 for generating and outputting an enable signal when the digital signal is equal to or greater than a digital reference value by comparing the digital signal to a predetermined digital reference value, And a measurement recording unit 310 for controlling the detection operation of the voltage / current input unit 200 and recording the detected amount of power in the memory unit 400. [

아날로그-디지털 변환부(320)는 MCU(300)에 내장된 구조이기도 하나, MCU(300)의 외부에 별도로 마련될 수도 있다. 이러한 아날로그-디지털 변환부(310)는 MCU(300)의 디세이블 상태에 상관없이, 메모리부(400)로 공급되는 동작 전원을 동시에 입력받아서, 실시간으로 동작 전원의 전압을 디지털 신호로 변환하게 된다. 이렇게 동작 전원의 전압 레벨에 따라 실시간으로 변환되는 디지털 신호는 동작 전원 확인부(330)로 전송된다. The analog-to-digital conversion unit 320 may be built in the MCU 300, or may be separately provided outside the MCU 300. The analog-to-digital converter 310 receives the operation power supplied to the memory unit 400 at the same time regardless of the disabled state of the MCU 300, and converts the voltage of the operation power supply into a digital signal in real time . The digital signal converted in real time according to the voltage level of the operating power is transmitted to the operation power verifying unit 330.

동작 전원 확인부(330)는 아날로그-디지털 변환부(310)에서 실시간으로 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여 디지털 신호가 디지털 기준치 이상일 때는 인에이블 신호를 계측 기록부(310)로 공급한다. 여기서, 미리 설정된 디지털 기준치는 메모리부(400)의 동작 개시전압 레벨을 나타낸 디지털 신호이다. The operation power verifying unit 330 compares the digital signal converted by the analog-to-digital converter 310 in real time with a predetermined digital reference value and supplies an enable signal to the measurement and recording unit 310 when the digital signal is equal to or higher than the digital reference value . Here, the preset digital reference value is a digital signal indicating the operation start voltage level of the memory unit 400. [

동작 전원 확인부(330)는 실시간으로 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여 디지털 신호가 디지털 기준치 미만이 되었을 때는 디세이블 신호를 계측 기록부(310)로 공급하게 된다. The operation power verifying unit 330 compares the digital signal converted in real time with a predetermined digital reference value, and supplies a disable signal to the measurement recording unit 310 when the digital signal becomes less than the digital reference value.

이에, 계측 기록부(310)는 동작 전원 확인부(330)로부터 인에이블 신호가 입력되면, 메모리부(400)로부터 동작 파라미터를 읽어들여 전압/전류 입력부(200)의 검출 동작을 제어하고, 메모리부(400)에 검출된 전력량을 기록하게 된다. 반면, 계측 기록부(310)는 동작 전원 확인부(330)로부터 디세이블 신호가 입력되면 메모리부(400)와 함께 디세이블 된다. When the enable signal is inputted from the operation power source confirmation unit 330, the measurement record unit 310 reads operation parameters from the memory unit 400 to control the detection operation of the voltage / current input unit 200, And the amount of power detected by the sensor 400 is recorded. On the other hand, when the disable signal is inputted from the operation power verifying unit 330, the measurement record unit 310 is disabled together with the memory unit 400.

도 4는 도 3에 도시된 동작 전원 확인부의 동작 전원 확인 구동 방법을 설명하기 위한 그래프이다. FIG. 4 is a graph for explaining an operation power source confirmation driving method of the operation power source confirmation unit shown in FIG. 3;

도 4에 도시된 바와 같이, MCU(300)의 경우는 개시 전압이 약 2.0V 정도가 될 수 있으므로, 동작 전원이 약 2.0V 이상이 될 때, 아날로그-디지털 변환부(320)와 동작 전원 확인부(330)가 인에이블 될 수 있다. 하지만, 메모리부(400)는 개시 전압이 2.9V이기 때문에, 메모리부(400)가 디세이블된 상태에서는 MCU(300)가 비정상 동작할 수가 있다. As shown in FIG. 4, since the start voltage of the MCU 300 may be about 2.0 V, when the operating power is about 2.0 V or more, the analog-to-digital converter 320 and the operation power check Section 330 may be enabled. However, since the start voltage of the memory unit 400 is 2.9 V, the MCU 300 can operate abnormally when the memory unit 400 is disabled.

즉, 동작 전원 확인부(330)가 인에이블되고, 메모리부(400)가 디세이블된 상태에서는 동작 전원 확인부(330)는 활성화되나 메모리부(400)가 아직 비활성화 상태이므로, 동작 전원 확인부(330)에서 아무리 메모리부(400)로 접근을 시도해도 무결성을 보장할 수 없는 상태이다. That is, when the operation power source confirmation unit 330 is enabled and the memory unit 400 is disabled, the operation power source confirmation unit 330 is activated but the memory unit 400 is still disabled, It is impossible to guarantee the integrity even when the user attempts to access the memory unit 400 in the memory 330.

이에, 아날로그-디지털 변환부(320)는 메모리부(400)로 공급되는 동작 전원을 디지털 신호로 변환하고, 동작 전원의 전압 레벨에 따라 실시간으로 변환되는 디지털 신호를 동작 전원 확인부(330)로 전송한다. The analog-to-digital converter 320 converts the operation power supplied to the memory unit 400 into a digital signal, and outputs the digital signal converted in real time according to the voltage level of the operation power source to the operation power verifier 330 send.

동작 전원 확인부(330)는 실시간으로 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여, 디지털 신호가 디지털 기준치 미만일 때는 디세이블 상태를 유지하고, 디지털 신호가 디지털 기준치 이상일 때 인에이블 신호를 계측 기록부(310)로 공급하게 된다. The operation power verifying unit 330 compares the digital signal converted in real time with a preset digital reference value and keeps the disable state when the digital signal is less than the digital reference value, (310).

계측 기록부(310)는 동작 전원 확인부(330)로부터 인에이블 신호가 입력되고 있는 기간에만 인에이블 상태로 전압/전류 입력부(200)를 제어하고, 계측 기록 동작을 수행한다. The measurement recording unit 310 controls the voltage / current input unit 200 in an enabled state only during a period in which the enable signal is input from the operation power source confirmation unit 330, and performs the measurement recording operation.

이후, 정전이 발생하면, 동작 전원 확인부(330)는 실시간으로 변환되는 디지털 신호가 디지털 기준치 미만일 때는 메모리부(400)와 함께 디세이블 상태가 되며, 계측 기록부(310) 또한 디세이블 상태가 된다. Then, when a power failure occurs, the operation power verifying unit 330 is disabled with the memory unit 400 when the digital signal converted in real time is less than the digital reference value, and the measurement recording unit 310 is also disabled .

도 5는 제2 실시 예에 따른 MCU, 메모리부, 전원부의 구성과 동작 전원 공급 구조를 구체적으로 나타낸 구성도이다. FIG. 5 is a configuration diagram specifically showing the configuration of the MCU, the memory unit, the power supply unit, and the operation power supply structure according to the second embodiment.

전술한 바와 같이, 디지털 전력 계측기(PM)에 구비되는 메모리부(400)는 EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 중 하나 또는 필요에 따라 복수의 메모리를 포함하여 구성될 수 있다. 이러한, EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 등의 동작 개시 전압은 서로 동일할 수도 있고 상이할 수도 있다. As described above, the memory unit 400 included in the digital power meter PM is an EEPROM. NVM, an NVRAM mask ROM, a PROM, and a UV-EPROM, or a plurality of memories as needed. These, EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM, etc. may be the same or different.

이에, MCU(300)는 메모리부(400)에 포함된 EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 중 적어도 하나의 메모리별로 공급되는 동작 전압을 모니터링하여, 기준치 이상일 때 인에이블되고, 기준치 미만일 때는 디세이블될 수 있다. The MCU 300 is connected to the EEPROM included in the memory unit 400. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, and UV-EPROM, and is enabled when it is above the reference value, and can be disabled when it is below the reference value.

만일, 메모리부(400)의 비휘발성 메모리를 변경하여, 동작 전원이 이전과 상이한 비휘발성 메모리가 설치되는 경우, MCU(300)는 자동으로 새로 설치된 비휘발성 메모리의 동작 전원을 인식하여 제어 가능하다. If the nonvolatile memory of the memory unit 400 is changed to provide a nonvolatile memory whose operating power is different from that of the previous one, the MCU 300 automatically recognizes the operating power of the newly installed nonvolatile memory and is controllable .

구체적으로, 디지털 전력 계측기(PM)의 MCU(300)는 비휘발성 메모리별로 공급되는 동작 전원을 각각 입력받기 때문에, 동작 전원이 이전과 상이한 다른 비휘발성 메모리가 설치되더라도 자동으로 동작 파라미터를 읽어들여, 새로 설치된 비휘발성 메모리의 동작 전원을 인식할 수 있다. Specifically, since the MCU 300 of the digital power meter PM receives the operation power supplied to each nonvolatile memory, the operation parameters are automatically read even if other nonvolatile memories having different operation power sources are installed, The operating power of the newly installed nonvolatile memory can be recognized.

이를 위해, 도 5에 도시된 바와 같이, 디지털 전력 계측기(PM)의 MCU(300)는 EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 중 적어도 하나의 메모리별로 공급되는 동작 전원을 각각 입력받아서, 각각의 메모리별 동작 전원의 전압을 디지털 신호로 각각 변환하는 아날로그-디지털 변환부(320), 메모리별로 각각 변환된 디지털 신호를 메모리별로 미리 설정된 각각의 디지털 기준치와 비교하여, 메모리별 디지털 신호가 메모리별로 미리 설정된 디지털 기준치 이상일 때, 인에이블 신호를 생성 및 출력하는 동작 전원 확인부(330), 인에이블 신호가 생성되면 메모리부(400)로부터 동작 파라미터를 읽어들여 전압/전류 입력부(200)의 검출 동작을 제어하고, 메모리부(400)에 검출된 전력량을 기록하는 계측 기록부(310)를 포함한다. To this end, as shown in FIG. 5, the MCU 300 of the digital power meter PM is an EEPROM. An analog-to-digital converter (320) for receiving an operating power supplied to each memory of at least one of an NVM, an NVRAM mask ROM, a PROM and a UV-EPROM, An operation power verifying unit 330 for generating and outputting an enable signal when the digital signals converted for each memory are compared with preset digital reference values for each memory, When the enable signal is generated, a measurement record unit 310 that reads operation parameters from the memory unit 400 to control the detection operation of the voltage / current input unit 200 and records the amount of detected power in the memory unit 400 do.

도 6은 도 5에 도시된 동작 전원 확인부의 동작 전원 확인 구동 방법을 설명하기 위한 그래프이다. 6 is a graph for explaining an operation power source confirmation driving method of the operation power source confirmation unit shown in FIG.

도 6을 참조하여, 동작 전원 확인부(330)의 동작을 살펴보면, 동작 전원 확인부(330)는 메모리별로 각각 변환된 디지털 신호를 메모리별로 미리 설정된 각각의 디지털 기준치와 비교한다. 그리고 하여, 메모리별로 각각 변환된 디지털 신호가 어느 하나라도 미리 설정된 각각의 디지털 기준치보다 작을 때는 디세이블 신호를 계측 기록부(310)로 전송한다. Referring to FIG. 6, the operation power verifying unit 330 compares the converted digital signals for each memory with preset digital reference values for each memory. Then, when any one of the digital signals converted by the memory is smaller than each preset digital reference value, the disable signal is transmitted to the measurement recording unit 310.

하지만, 메모리별로 각각 변환된 디지털 신호가 미리 설정된 각각의 디지털 기준치 이상이 될 때부터는 인에이블 신호를 생성하여 계측 기록부(310)로 전송하게 된다. However, when the converted digital signals for each memory are equal to or greater than predetermined digital reference values, the enable signal is generated and transmitted to the measurement recording unit 310.

이에, 계측 기록부(310)는 동작 전원 확인부(330)로부터 인에이블 신호가 입력되고 있는 기간에만 인에이블 상태로 전압/전류 입력부(200)를 제어하고, 계측 기록 동작을 수행한다. The measurement recording unit 310 controls the voltage / current input unit 200 in an enabled state only during a period in which the enable signal is input from the operation power source confirmation unit 330, and performs the measurement recording operation.

이후, 정전이 발생하면, 동작 전원 확인부(330)는 실시간으로 변환되는 디지털 신호가 디지털 기준치 미만일 때는 메모리부(400)와 함께 디세이블 상태가 되며, 계측 기록부(310) 또한 디세이블 상태가 된다. Then, when a power failure occurs, the operation power verifying unit 330 is disabled with the memory unit 400 when the digital signal converted in real time is less than the digital reference value, and the measurement recording unit 310 is also disabled .

이상 전술한 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기는 최소한의 구조 변경만으로, 디지털 전력 계측기(PM)에 구성된 MCU(300)와 메모리들의 동작 전원(특히, 동작 개시 전원)이 서로 상이하더라도 서로 동일한 시점에 동작이 개시되거나 중단될 수 있도록 할 수 있다. As described above, the digital power meter for the switchboard and the distribution board according to the embodiment of the present invention can operate only the MCU 300 and the operating power sources of the memories (specifically, the operation starting power source Even if they are different from each other, the operation can be started or stopped at the same time.

특히, 별도의 구성 요소들을 추가하지 않고 최소한 구조 변경을 통해 MCU(300)와 메모리들이 동일 시점이 동작 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 그 효율성을 더욱 향상시킬 수 있다. Particularly, the efficiency can be further improved by allowing the MCU 300 and the memories to start or stop at the same time at least by changing the structure without adding additional components.

또한, MCU(300)와 메모리들의 동작 전원이 서로 상이하더라도 서로 동일한 시점에 동작이 개시되거나 중단될 수 있도록 함으로써, 동작 오류를 방지하고 무결성을 제공하여, 신뢰도를 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, even when the MCU 300 and the memories have different operating power sources, operation can be started or stopped at the same point in time, thereby preventing operation errors, providing integrity, and improving reliability.

이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시 예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 이는 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 따라서, 본 발명 사상은 아래에 기재된 특허청구범위에 의해서만 파악되어야 하고, 이의 균등 또는 등가적 변형 모두는 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, Modification is possible. Accordingly, the spirit of the present invention should be understood only in accordance with the following claims, and all equivalents or equivalent variations thereof are included in the scope of the present invention.

DP: 배전반
PM: 디지털 전력 계측기
100: 변류/변성기
200: 전압/전류 입력부
300: MCU
310: 계측 기록부
320: ADC
330: 동작 전원 확인부
400: 메모리부
500: 전원부
DP: Switchboard
PM: Digital Power Meter
100: flow / transformer
200: voltage / current input section
300: MCU
310: Measurement log
320: ADC
330: Operation power verifying unit
400:
500:

Claims (7)

전력계통의 전력량을 계측하는 변류/변성기;
상기 변류/변성기에서 계측된 전력량 및 미리 설정된 동작 파라미터를 저장하는 메모리부;
상기 동작 파라미터에 의해 상기 변류/변성기의 검출 동작을 제어하고 상기 메모리부에 상기 검출된 전력량을 기록하는 MCU를 포함하며,
상기 MCU는
전원부에서 상기 메모리부로 공급되는 동작 전원을 모니터링하여 상기 메모리부로 공급되는 동작 전원이 미리 설정된 기준치 이상일 때, 인에이블 상태로 전환되고,
상기 미리 설정된 기준치는 상기 메모리부의 동작 개시 전압 레벨로 설정되어, 상기 동작 전원이 미리 설정된 기준치 이상일 때 상기 MCU 와 상기 메모리부가 동시에 동작 개시되는,
배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
A transformer / transformer for measuring the power amount of the power system;
A memory unit for storing a measured amount of power and a preset operating parameter in the transducer / transformer;
And an MCU for controlling the detecting operation of the change-over / transforming unit by the operation parameter and recording the detected amount of electric power in the memory unit,
The MCU
Monitoring the operation power supplied from the power supply unit to the memory unit and switching to the enabled state when the operation power supplied to the memory unit is equal to or greater than a predetermined reference value,
Wherein the predetermined reference value is set to an operation start voltage level of the memory unit and the MCU and the memory unit are simultaneously started when the operation power supply is equal to or greater than a preset reference value,
Digital power meter for switchboard and distribution board.
제 1 항에 있어서,
상기 MCU는
정전 상태에 돌입하면, 상기 전원부에서 상기 메모리부로 공급되는 동작 전원을 모니터링하여 상기 동작 전원이 미리 설정된 기준치 미만이 되었을 때, 디세이블 상태로 전환되는
배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
The method according to claim 1,
The MCU
The power supply unit monitors the operation power supplied from the power supply unit to the memory unit and when the operation power is less than a predetermined reference value,
Digital power meter for switchboard and distribution board.
제 1 항에 있어서,
상기 MCU는
상기 메모리부로 공급되는 동작 전원을 입력받아서, 상기 동작 전원의 전압을 디지털 신호로 변환하는 아날로그-디지털 변환부;
상기 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여 상기 디지털 신호가 상기 디지털 기준치 이상일 때, 인에이블 신호를 생성 및 출력하는 동작 전원 확인부;
상기 인에이블 신호가 생성되면 상기 메모리부로부터 상기 동작 파라미터를 읽어들여 상기 변류/변성기의 검출 동작을 제어하고, 상기 메모리부에 상기 검출된 전력량을 기록하는 계측 기록부를 포함하는
배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
The method according to claim 1,
The MCU
An analog-to-digital converter for receiving the operating power supplied to the memory unit and converting a voltage of the operating power to a digital signal;
An operation power verification unit for comparing the converted digital signal with a predetermined digital reference value to generate and output an enable signal when the digital signal is equal to or greater than the digital reference value;
And a metrology record unit for reading the operation parameter from the memory unit when the enable signal is generated to control the detection operation of the metamorphosis / metamorphosis unit and recording the detected amount of power in the memory unit
Digital power meter for switchboard and distribution board.
제 3 항에 있어서,
상기 동작 전원 확인부는
상기 변환되는 디지털 신호를 미리 설정된 디지털 기준치와 비교하여 상기 디지털 신호가 상기 디지털 기준치 미만일 때는 디에이블 신호를 생성 및 출력하여 상기 계측 기록부와 함께 디세이블 되며,
상기 변환되는 디지털 신호가 상기 디지털 기준치 이상이 될 때부터는 상기 인에이블 신호를 생성하여 상기 계측 기록부로 전송하는
배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
The method of claim 3,
The operation power verifying unit
Comparing the digital signal to be converted with a predetermined digital reference value, generating and outputting a disable signal when the digital signal is less than the digital reference value,
And generates the enable signal and transmits the enable signal to the measurement recording unit when the digital signal to be converted becomes the digital reference value or more
Digital power meter for switchboard and distribution board.
제 1 항에 있어서,
상기 메모리부는
EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 중 적어도 하나의 메모리를 포함하는
배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
The method according to claim 1,
The memory unit
EEPROM. NVM, an NVRAM mask ROM, a PROM, and a UV-EPROM
Digital power meter for switchboard and distribution board.
제 5 항에 있어서,
상기 MCU는
상기 EEPROM. NVM, NVRAM Mask ROM, PROM, UV-EPROM 중 적어도 하나의 메모리별로 공급되는 동작 전원을 각각 입력받아서, 상기 각각의 메모리별 동작 전원의 전압을 디지털 신호로 각각 변환하는 아날로그-디지털 변환부;
상기 메모리별로 각각 변환된 디지털 신호를 상기 메모리별로 미리 설정된 각각의 디지털 기준치와 비교하여, 상기 메모리별 디지털 신호가 상기 메모리별로 미리 설정된 디지털 기준치 이상일 때, 인에이블 신호를 생성 및 출력하는 동작 전원 확인부;
상기 인에이블 신호가 생성되면 상기 메모리부로부터 상기 동작 파라미터를 읽어들여 상기 변류/변성기의 검출 동작을 제어하고, 상기 메모리부에 상기 검출된 전력량을 기록하는 계측 기록부를 포함하는
배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
6. The method of claim 5,
The MCU
The EEPROM. An analog-to-digital converter converting an operating power of each memory into a digital signal by receiving operating power supplied to each memory of at least one of NVM, NVRAM mask ROM, PROM, and UV-EPROM;
And an operation power source checking unit for comparing the digital signals converted by the memory with the preset digital reference values for each memory and generating and outputting an enable signal when the memory- ;
And a metrology record unit for reading the operation parameter from the memory unit when the enable signal is generated to control the detection operation of the metamorphosis / metamorphosis unit and recording the detected amount of power in the memory unit
Digital power meter for switchboard and distribution board.
제 6 항에 있어서,
상기 동작 전원 확인부는
상기 메모리별로 각각 변환되는 디지털 신호를 상기 메모리별로 미리 설정된 각각의 디지털 기준치와 비교하여 상기 메모리별로 각각 변환되는 디지털 신호가 상기 메모리별로 미리 설정된 각각의 디지털 기준치 미만일 때는 디세이블 신호를 상기 계측 기록부로 전송하고,
상기 메모리별로 각각 변환되는 디지털 신호가 상기 메모리별로 미리 설정된 각각의 디지털 기준치 이상이 될 때부터는 상기 인에이블 신호를 생성하여 상기 계측 기록부로 전송하는
배전반 및 분전반용 디지털 전력 계측기.
The method according to claim 6,
The operation power verifying unit
Comparing the digital signals converted for each memory with preset digital reference values for each memory, and when a digital signal converted for each memory is less than each digital reference value preset for each memory, a disable signal is transmitted to the measurement recording unit and,
And generates the enable signal and transmits the enable signal to the measurement recording unit when the digital signal converted for each memory becomes equal to or greater than each digital reference value preset for each memory
Digital power meter for switchboard and distribution board.
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