KR101875752B1 - Process chamber - Google Patents

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KR101875752B1
KR101875752B1 KR1020110111294A KR20110111294A KR101875752B1 KR 101875752 B1 KR101875752 B1 KR 101875752B1 KR 1020110111294 A KR1020110111294 A KR 1020110111294A KR 20110111294 A KR20110111294 A KR 20110111294A KR 101875752 B1 KR101875752 B1 KR 101875752B1
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Abstract

공정 챔버는 상승 및 하강 가능한 상부 챔버, 상기 상부 챔버 하부에 형성되고 상기 상부 챔버와 함께 처리공간을 형성하는 하부 챔버, 상기 하부 챔버 상에 형성되어 기판을 지지하는 복수의 서포터 및 상기 기판이 상기 처리공간으로 출입할 수 있도록 개폐가능한 커버 개폐부가 형성되고, 상기 상부 챔버가 상승 하였을 때 발생하는 상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버의 이격을 커버하는 커버부를 포함한다.The process chamber includes an upper chamber that can be raised and lowered, a lower chamber formed below the upper chamber and forming a processing space with the upper chamber, a plurality of supporters formed on the lower chamber to support the substrate, And a cover portion covering the gap between the upper chamber and the lower chamber which is generated when the upper chamber is raised.

Description

공정 챔버{PROCESS CHAMBER}Process chamber {PROCESS CHAMBER}

본 발명은 공정 챔버에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 처리 장치에 제공되어 공정이 수행되는 공정 챔버에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process chamber, and more particularly, to a process chamber provided in a substrate processing apparatus to perform a process.

일반적으로 반도체 소자, 평판 디스플레이 패널 등을 제조하기 위한 기판 처리 장치는 복수 개의 챔버들을 구비한다. 이러한 기판 처리 장치는 복수 개의 공정 챔버들과 적어도 하나의 트랜스퍼 챔버의 배치 형태에 따라 클러스트(cluster) 방식과 인라인(inline) 방식 등이 있다. 이러한 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치는 예를 들어, 기판을 처리하는 공정 챔버, 각각의 공정 챔버들 사이에 구비되어 기판을 공정 챔버로 이송하는 트랜스퍼 챔버, 트랜스퍼 챔버로 기판을 공급하는 로드락 챔버 등을 포함한다. 특히 진공 상태에서 기판을 처리하는 공정 챔버의 경우 작동 전후로 챔버 내외부의 압력 차가 발생한다.In general, a substrate processing apparatus for manufacturing semiconductor devices, flat panel display panels, and the like includes a plurality of chambers. Such a substrate processing apparatus has a cluster system and an inline system according to the arrangement of a plurality of process chambers and at least one transfer chamber. Such a multi-chamber type substrate processing apparatus includes, for example, a process chamber for processing a substrate, a transfer chamber provided between each process chamber for transferring the substrate to the process chamber, a load lock chamber for supplying the substrate to the transfer chamber, and the like . Particularly, in the case of a process chamber for processing a substrate in a vacuum state, a pressure difference occurs inside and outside the chamber before and after the operation.

반도체 제조 공정 중 다수의 공정은 외부와 격리되어 진공 환경이 제공되는 공정 챔버(즉, 진공챔버)에서 진행된다. 예를 들어, 일반적인 기판 처리 장치는 진공 챔버로서 구비되는 공정 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이를 이송 로봇을 이용하여 기판을 제공하는데, 이 때, 공정 챔버와 트랜스퍼 챔버는 진공압과 대기압을 오가며 공정을 수행한다.Many processes in the semiconductor manufacturing process proceed in a process chamber (i.e., a vacuum chamber) that is isolated from the outside and provided with a vacuum environment. For example, a typical substrate processing apparatus provides a substrate between a process chamber and a transfer chamber, which is provided as a vacuum chamber, using a transfer robot, in which the process chamber and the transfer chamber perform a process of passing between vacuum pressure and atmospheric pressure .

먼저, 공정이 시작되면 공정 챔버는 대기압으로 조절되고 트랜스퍼 챔버의 이송 로봇에 의해 기판이 공정 챔버로 반입된다. 이어서, 공정 챔버는 진공압으로 조절되어 기판에 대한 공정을 처리한다. 이 후, 공정이 완료되면 다시 공정 챔버는 대기압으로 조절되고 공정 챔버에서 반출된 기판은 이송 로봇에 의해 트랜스퍼 챔버로 이송된다. 이 과정에서 공정 챔버내의 기압이 대기압에서 진공으로, 다시 진공에서 대기압으로 조절되는 과정에서 챔버 외부의 이물질이 기류에 휩쓸려 챔버 내로 유입되거나 처리공정 시 발생한 흄이 공정 챔버 외부로 유출되는 경우가 발생한다.First, when the process starts, the process chamber is adjusted to atmospheric pressure and the substrate is transferred to the process chamber by the transfer robot of the transfer chamber. The process chamber is then adjusted to vacuum pressure to process the substrate. Thereafter, when the process is completed, the process chamber is again controlled to the atmospheric pressure, and the substrate taken out of the process chamber is transferred to the transfer chamber by the transfer robot. In this process, when the atmospheric pressure in the process chamber is regulated from atmospheric pressure to vacuum, and again from vacuum to atmospheric pressure, foreign substances outside the chamber may be swept into the chamber and introduced into the chamber, or fumes generated during the processing may leak out of the process chamber .

이러한 이물질이나 흄은 처리되는 기판의 품질을 저하시키거나 기판 처리 장치의 작동에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 공정 챔버에 유입되는 이물질이나 유출되는 흄에 대한 문제점을 해결하기 위한 노력이 종래부터 있어왔다. Such foreign matter or fumes may deteriorate the quality of the substrate to be treated or may affect the operation of the substrate processing apparatus. Accordingly, efforts have been made to solve the problems of foreign substances flowing into the process chamber and fumes flowing out.

따라서 본 발명의 실시예들을 통해 해결하고자 하는 과제는 공정 챔버 내의 기압이 대기압, 진공, 다시 대기압으로 변화하는 과정에서 외부의 이물질 유입 및 기판 처리과정 중 약액에서 발생한 흄(fume)이 상기 공정 챔버 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있는 공정 챔버를 제공하는 것이다. Accordingly, a problem to be solved by the embodiments of the present invention is to provide a method and apparatus for removing fumes generated in a chemical liquid during foreign matter inflow and substrate processing in a process of changing atmospheric pressure, And to prevent a process chamber from being leaked to the process chamber.

상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위해 본 발명에 따른 공정 챔버는 상승 및 하강 가능한 상부 챔버, 상기 상부 챔버 하부에 형성되고 상기 상부 챔버와 함께 처리공간을 형성하는 하부 챔버, 상기 하부 챔버 상에 형성되어 기판을 지지하는 복수의 서포터 및 상기 기판이 상기 처리공간으로 출입할 수 있도록 개폐가능한 커버 개폐부가 형성되고, 상기 상부 챔버가 상승 하였을 때 발생하는 상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버의 이격을 커버하는 커버부를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a process chamber including: an upper chamber capable of being raised and lowered; a lower chamber formed below the upper chamber and forming a processing space together with the upper chamber; A plurality of supporters for supporting the substrate, and a cover opening and closing part that is openable and closable so that the substrate can be moved into and out of the processing space is formed. The cover, which covers the gap between the upper chamber and the lower chamber, .

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 커버 개폐부는 상기 하부 챔버와 연결되는 부분의 일 축을 중심으로 힌지를 형성하여 회전하여 개방될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the cover opening / closing part may be opened by rotating and forming a hinge around one axis of a part connected to the lower chamber.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 공정 챔버는 상기 정면, 후면 및 측면 커버들을 포함하므로, 상기 상부 챔버를 상승 시켜 상기 공정 챔버 개방 시에도 챔버 내의 기판이 수용되는 작업공간과 외부의 압력 차를 최소화할 수 있다. Since the process chamber according to the present invention includes the front, rear, and side covers, it is possible to raise the upper chamber to minimize the pressure difference between the work space in which the substrate in the chamber is accommodated and the outside, have.

또한, 상기 정면, 후면 및 측면 커버들이 상기 공정 챔버의 외부와 상기 처리공간을 분리 시키므로, 외부 기류 및 이물질의 유입을 차단할 수 있다. 또한, 상기 처리공간 내에서 공정 진행 중 약액에서 발생하는 흄의 설비 외부로의 확산을 최소화 할 수 있다.In addition, since the front, rear, and side covers separate the processing space from the outside of the process chamber, inflow of external airflow and foreign matter can be blocked. In addition, it is possible to minimize the diffusion of fumes generated in the chemical solution during the process in the processing space to the outside of the facility.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 공정 챔버의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 공정 챔버의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 공정 챔버의 작동을 설명한 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 공정 챔버의 작동을 설명한 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 공정 챔버의 측면커버를 나타낸 측면도이다.Figure 1 is a top view of a process chamber in accordance with one embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of the process chamber shown in FIG.
3 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of the process chamber shown in FIG.
4 is a cross-sectional view illustrating the operation of the process chamber shown in FIG.
5 is a cross-sectional view illustrating the operation of the process chamber shown in FIG.
6 is a side view of a side cover of the process chamber shown in FIG.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 챔버에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a chamber according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 발명의 명확성을 기하기 위해 실제보다 확대하거나, 개략적인 구성을 설명하기 위하여 실제보다 축소하여 도시한 것이다. 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the invention, and are actually shown in a smaller scale than the actual dimensions in order to explain the schematic configuration. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as a second component, and similarly, the second component may also be referred to as a first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used in this application is used only to describe a specific embodiment and is not intended to limit the invention. The singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which this invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries are to be interpreted as having a meaning consistent with the contextual meaning of the related art and are to be interpreted as either ideal or overly formal in the sense of the present application Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버의 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 공정 챔버의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1에 도시된 공정 챔버의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.Figure 1 is a top view of a process chamber in accordance with one embodiment of the present invention. 2 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of the process chamber shown in FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of the process chamber shown in FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(1000)는 상부 챔버(110), 하부 챔버(120), 서포터(130), 커버 개폐부(140), 측면 커버(142) 및 후면 커버(144)를 포함한다.1 to 3, a process chamber 1000 according to an embodiment of the present invention includes an upper chamber 110, a lower chamber 120, a supporter 130, a cover opening / closing part 140, a side cover 142 And a rear cover 144. As shown in Fig.

상기 상부 챔버(110)는 내부에 처리공간이 형성되고 상하로 이동되며, 상기 하부 챔버(120)는 기판 처리 장치의 베이스 프레임(미도시)에 고정 설치된다.The upper chamber 110 has a processing space formed therein and is moved up and down. The lower chamber 120 is fixed to a base frame (not shown) of the substrate processing apparatus.

상기 상부 챔버(110)는 아래로 하강되어 상기 하부 챔버(120)와 결합되어서 공정 처리를 위한 상기 처리공간을 밀폐시킨다. 이를 위해 하부 챔버(120)는 상부 챔버(110)과 결합되는 상부 면의 가장자리 둘레를 따라 오링(O-ring)(미도시)이 설치될 수 있다.The upper chamber 110 is lowered to engage with the lower chamber 120 to seal the processing space for processing. The lower chamber 120 may include an O-ring (not shown) along the periphery of the upper surface coupled to the upper chamber 110.

상기 하부 챔버(120) 상에는 복수개의 상기 서포터들(130)이 형성된다. 상기 서포터들(130)은 기판(10)를 지지하며, 상기 기판(10)을 안정적으로 지지할 수 있도록 적절한 배치로 상기 하부 챔버(120) 상에 배치될 수 있다. A plurality of supporters 130 are formed on the lower chamber 120. The supporters 130 support the substrate 10 and may be disposed on the lower chamber 120 in a suitable arrangement to stably support the substrate 10.

상기 커버 개폐부(140)는 상기 상부 챔버(120) 및 상기 하부 챔버(120)의 일 측면에 인접하여, 상기 기판(10)이 상기 공정 챔버(1000) 내로 출입되는 방향에 형성된다. 따라서 상기 상부 챔버(110)가 상기 하부 챔버(120)에 대해 위로 상승된 상태에서도 상기 공정 챔버(1000)의 상기 처리공간과 상기 공정 챔버(1000) 외부를 차단하는 역할을 한다. 또한 상기 커버 개폐부(140)는 상기 기판(10)이 상기 공정 챔버(1000) 내부로 출입 될 수 있도록 개폐된다. 예를 들어 상기 커버 개폐부(140)는 상기 하부 챔버(120)와 근접하는 부분의 일 축을 중심으로 회전하여 개폐될 수 있다.The cover opening and closing part 140 is formed adjacent to one side of the upper chamber 120 and the lower chamber 120 in a direction in which the substrate 10 enters and exits the process chamber 1000. Accordingly, the process chamber 1000 and the process chamber 1000 are shielded from the process chamber 1000 even when the upper chamber 110 is raised to the lower chamber 120. The cover opening and closing part 140 is opened and closed so that the substrate 10 can be moved into and out of the process chamber 1000. For example, the cover opening / closing part 140 may be opened and closed by rotating about one axis of a portion close to the lower chamber 120.

상기 후면 커버(144)는 상기 상부 챔버(110) 및 상기 하부 챔버(120)의 상기 일 측면에 대향하는 타 측면에 인접하여, 상기 커버 개폐부(140)와 마주보며 형성된다. 따라서 상기 상부 챔버(120)가 상기 하부 챔버(120)에 대해 위로 상승된 상태에서도 상기 공정 챔버(1000)의 상기 처리공간과 상기 공정 챔버(1000) 외부를 차단하는 역할을 한다.The rear cover 144 is formed facing the cover opening / closing part 140, adjacent to the other side opposite to the one side of the upper chamber 110 and the lower chamber 120. Therefore, the process chamber 1000 and the process chamber 1000 are blocked off even when the upper chamber 120 is lifted up relative to the lower chamber 120.

상기 측면 커버(142)는 상기 커버 개폐부(140) 및 상기 후면 커버(1440)에 인접하여 상기 상부 챔버(110) 및 상기 하부 챔버(120)의 측면을 감싸도록 형성된다. 따라서 상기 상부 챔버(110)가 상기 하부 챔버(120)에 대해 위로 상승된 상태에서도 상기 공정 챔버(1000)의 상기 처리공간과 상기 공정 챔버(1000) 외부를 차단하는 역할을 한다. The side cover 142 is formed to surround the side surfaces of the upper chamber 110 and the lower chamber 120 adjacent to the cover opening and closing part 140 and the rear cover 1440. Accordingly, the process chamber 1000 and the process chamber 1000 are shielded from the process chamber 1000 even when the upper chamber 110 is raised to the lower chamber 120.

상기 커버 개폐부(140) 및 상기 후면 커버(144)는 상기 측면 커버(142)와 연결되고, 상기 상부 챔버(110)가 상기 하부 챔버(120)에 대해 위로 상승된 상태에서도 상기 공정 챔버(1000)의 상기 처리공간과 상기 공정 챔버(1000) 외부를 차단하기 위하여, 상기 상부 챔버(120) 및 상기 하부 챔버(120)와 접촉할 수 있다. 이때, 상기 상부 챔버(110)는 위아래로 이동할 수 있으므로, 상기 정면, 후면 및 측면 커버들(140, 144, 142)과의 접촉부분은 마찰력이 작은 물질로 형성될 수 있다. 또는, 상기 정면, 후면 및 측면 커버들(140, 144, 142)은 상기 상부 챔버(120)와 접촉하지 않고 근접하여 형성될 수 있다. The cover opening and closing part 140 and the rear cover 144 are connected to the side cover 142 and the process chamber 1000 is opened even when the upper chamber 110 is raised upward relative to the lower chamber 120. [ The upper chamber 120 and the lower chamber 120 to block the process space of the process chamber 1000 and the process chamber 1000. [ At this time, since the upper chamber 110 can move up and down, the contact portions with the front, rear, and side covers 140, 144, and 142 may be formed of a material having a low frictional force. Alternatively, the front, rear, and side covers 140, 144, and 142 may be formed close to each other without contacting the upper chamber 120.

상기 상부 챔버(110)가 상기 하부 챔버(120)에 대해 위로 상승된 상태에서도 상기 공정 챔버(1000)의 상기 처리공간과 상기 공정 챔버(1000)의 외부는 상기 정면, 후면 및 측면 커버들(140, 144, 142)에 의해 차단된다. 공정 진행에 있어서, 대기압에서 진공 및 진공에서 대기압으로 기압이 조절되는 과정에서 외부의 이물질이 상기 처리공간 내부로 유입되거나, 상기 처리공간 내부에서 발생한 흄이 상기 공정 챔버(1000) 외부로 방출되는 것을 방지할 수 있다.The processing space of the process chamber 1000 and the outer portion of the process chamber 1000 are connected to the front, rear, and side covers 140 (140), even when the upper chamber 110 is raised to the lower chamber 120 , 144, and 142, respectively. In the course of the process, foreign substances are introduced into the processing space in the process of controlling the atmospheric pressure from vacuum to vacuum, and fumes generated in the processing space are discharged to the outside of the process chamber 1000 .

도 4는 기판을 출입하기 위해 도 1에 도시된 공정 챔버의 작동을 설명한 단면도이다. 도 5는 기판의 공정 수행을 위한 도 1에 도시된 공정 챔버의 작동을 설명한 단면도이다.Fig. 4 is a cross-sectional view illustrating the operation of the process chamber shown in Fig. 1 for entering and exiting the substrate. 5 is a cross-sectional view illustrating the operation of the process chamber shown in FIG. 1 for carrying out a process of a substrate.

도 4 내지 도 5를 참조하면, 상기 상부 챔버(110)가 위쪽으로 상승된 상태에서 상기 커버 개폐부(140)가 열리고, 상기 커버 개폐부(140)가 열린 방향에서 상기 기판(10)이 상기 공정 챔버(1000) 내의 상기 처리공간으로 반입 된다. 4 and 5, when the upper chamber 110 is lifted upward, the cover opening / closing part 140 is opened and the substrate 10 is moved in the opening direction of the cover opening / (1000). ≪ / RTI >

상기 기판(10)이 상기 처리공간에 안착하면, 상기 커버 개폐부(140)가 닫히고, 상기 상부 챔버(110)는 아래로 하강되어 상기 하부 챔버(120)와 밀착된다. 상기 처리공간 내부가 진공펌프(미도시)에 의해 진공 처리될 수 있으며, 이에 따라 진공상태에서의 기판 처리 공정이 진행된다. When the substrate 10 is seated in the processing space, the cover opening / closing part 140 is closed and the upper chamber 110 is lowered to be in close contact with the lower chamber 120. The inside of the processing space can be vacuum-processed by a vacuum pump (not shown), and thus the substrate processing process in a vacuum state proceeds.

상기 기판(10)에 대한 상기 기판 처리 공정이 완료되면 상기 상부 챔버(110)는 위쪽으로 상승된다. 이때 상기 처리공간의 압력이 대기압까지 높아지게 되는데 상기 공정 챔버(1000) 외부의 이물질이 상기 처리공간 내로 유입되는 것이 상기 정면, 후면 및 측면 커버들(140, 144, 142)에 의해 방지된다.When the substrate processing process for the substrate 10 is completed, the upper chamber 110 is lifted upward. At this time, the pressure of the processing space is raised to atmospheric pressure, and foreign matter from the outside of the processing chamber 1000 is prevented from entering the processing space by the front, rear, and side covers 140, 144, and 142.

상기 상부 챔버(110)가 상승되고, 상기 처리공간 내의 기압이 대기압에 달하면, 상기 커버 개폐부(140)가 열리고 상기 기판(10)이 반출 된다. When the upper chamber 110 is raised and the atmospheric pressure in the processing space reaches atmospheric pressure, the cover opening / closing part 140 is opened and the substrate 10 is taken out.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버의 측면커버의 측면도이다. 6 is a side view of a side cover of a process chamber in accordance with one embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 공정 챔버는 측면커버(142)에 배기홀(143)이 형성된 것을 제외하고는 도 1에 도시된 공정 챔버(1000)과 동일하므로, 중복되는 설명은 생략한다.Referring to FIG. 6, the process chamber according to the present embodiment is the same as the process chamber 1000 shown in FIG. 1 except that an exhaust hole 143 is formed in the side cover 142, do.

상기 측면커버(142)에는 상기 배기홀(143)이 형성된다. 상기 배기홀은 처리공간에서 공정 중 발생하는 흄을 배기할 수 있는 배기관(미도시)과 연결된다. 따라서 상기 배기홀(142)을 통해 상기 흄이 배기되어 기판(10)의 출입을 위해 커버 개폐부(140)를 개폐하는 경우에도 상기 흄이 상기 공정 챔버 외부로 유출되는 현상을 방지 할 수 있다.The side cover 142 is formed with the exhaust hole 143. The exhaust hole is connected to an exhaust pipe (not shown) capable of exhausting fumes generated during the process in the process space. Therefore, even when the fume is exhausted through the exhaust hole 142 and the cover opening and closing part 140 is opened and closed for the entrance and exit of the substrate 10, the fume can be prevented from flowing out of the process chamber.

상기 커버 개폐부(140), 상기 측면커버(142) 및 상기 후면 커버(144)는 커버부를 형성하며, 상기 커버부는 상기 상부 챔버(110)가 상승하여 상기 작업공간이 개방된 상태에서 상기 공정 챔버 (1000) 외부와 상기 작업 공간을 차단하여 흄의 유출 내지 이물질의 유입을 방지한다.The cover opening / closing part 140, the side cover 142, and the rear cover 144 form a cover part. The cover part opens the upper chamber 110, 1000 to prevent the fumes from flowing out or foreign matter from entering the work space.

본 발명에 따른 상기 공정 챔버(1000)는 상기 정면, 후면 및 측면 커버들(140, 144, 142)를 포함하므로, 상기 상부 챔버를 상승 시켜 상기 공정 챔버(1000) 개방 시에도 챔버 내의 기판이 수용되는 작업공간과 외부의 압력 차를 최소화할 수 있다. Since the process chamber 1000 according to the present invention includes the front, back and side covers 140, 144 and 142, the upper chamber is raised so that even when the process chamber 1000 is opened, The pressure difference between the work space and the outside can be minimized.

또한, 상기 정면, 후면 및 측면 커버들(140, 144, 142)이 상기 공정 챔버(1000)의 외부와 상기 처리공간을 분리 시키므로, 외부 기류 및 이물질의 유입을 차단할 수 있다. 또한, 상기 처리공간 내에서 공정 진행 중 약액에서 발생하는 흄의 설비 외부로의 확산을 최소화 할 수 있다.In addition, since the front, rear, and side covers 140, 144, and 142 separate the processing space from the outside of the process chamber 1000, the inflow of external airflow and foreign matter can be blocked. In addition, it is possible to minimize the diffusion of fumes generated in the chemical solution during the process in the processing space to the outside of the facility.

본 발명에 따른 공정 챔버는 기판 처리 장치에 제공되어 진공 상태로 공정이 수행되는 공정 챔버, 즉 진공 챔버에 사용될 수 있다. 상기 공정 챔버는 상기 공정 챔버의 외부와 처리공간을 분리 시키는 정면, 후면 및 측면 커버들을 포함하여, 상기 공정 챔버의 외부와 상기 처리공간을 분리 시키므로, 작업공간과 외부의 압력 차 최소화할 수 있다. 또한, 외부 기류 및 이물질의 유입을 차단할 수 있다. 또한, 상기 처리공간 내에서 공정 진행 중 약액에서 발생하는 흄의 설비 외부로의 확산을 최소화 할 수 있다.The process chamber according to the present invention can be used in a process chamber, i.e., a vacuum chamber, which is provided in a substrate processing apparatus and is processed in a vacuum state. The process chamber includes front, rear, and side covers separating the process chamber from the outside of the process chamber, thereby separating the process space from the outside of the process chamber, so that the pressure difference between the work space and the outside can be minimized. In addition, the inflow of external airflow and foreign matter can be blocked. In addition, it is possible to minimize the diffusion of fumes generated in the chemical solution during the process in the processing space to the outside of the facility.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

1000 : 공정 챔버 110 : 상부 챔버
120 : 하부 챔버 130 : 서포터
140 : 커버 개폐부 142 : 측면 커버
143 : 배기홀 144 : 후면 커버
10 : 기판1000: process chamber 110: upper chamber
120: lower chamber 130: supporter
140: cover opening and closing part 142: side cover
143: Exhaust hole 144: Rear cover
10: substrate

Claims (4)

내부에 처리공간이 형성되고 상승 및 하강 가능한 상부 챔버;
상기 상부 챔버 하부에 형성되고 상기 상부 챔버가 하강하여 밀착함에 따라 상기 상부 챔버와 함께 상기 처리공간을 형성하는 하부 챔버;
상기 하부 챔버 상에 형성되어 기판을 지지하는 복수의 서포터; 및
상기 상부 챔버가 상승하여도 상기 처리공간이 외부와 차단될 수 있도록 상기 상부 챔버 및 상기 하부 챔버의 일 측면에 형성되는 커버 개폐부, 상기 일 측면에 대향하는 상기 상부 챔버 및 상기 하부 챔버의 타 측면에 형성되는 후면 커버, 및 상기 커버 개폐부 및 상기 후면 커버에 인접하여 상기 상부 챔버 및 상기 하부 챔버의 측면을 감싸도록 형성되는 측면 커버로 이루어지는 커버부를 포함하고,
상기 커버 개폐부는 상기 상부 챔버가 상승하여도 상기 처리공간이 외부와 차단될 수 있도록 폐쇄되고, 상기 상부 챔버가 상승된 이후 상기 처리공간 내의 기압이 대기압에 달할 때에만 상기 처리공간으로 상기 기판이 출입할 수 있도록 개방되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.An upper chamber in which a processing space is formed and which can be raised and lowered;
A lower chamber formed at the lower portion of the upper chamber and forming the processing space together with the upper chamber as the upper chamber is lowered and brought into close contact therewith;
A plurality of supporters formed on the lower chamber to support the substrate; And
A cover opening / closing part formed on one side of the upper chamber and the lower chamber so that the processing space can be shut off from the outside even when the upper chamber is raised, a cover opening and closing part formed on one side of the upper chamber and the other side of the lower chamber And a cover portion formed of a side cover formed to surround the side surfaces of the upper chamber and the lower chamber adjacent to the cover opening and closing portion and the rear cover,
Wherein the cover opening / closing part is closed so that the processing space can be blocked from the outside even when the upper chamber is raised, and only when the atmospheric pressure in the processing space reaches the atmospheric pressure after the upper chamber is raised, Wherein said process chamber is open to allow said process chamber to be opened. 제 1항에 있어서, 상기 커버 개폐부는 상기 하부 챔버와 연결되는 부분의 일 축을 중심으로 힌지를 형성하여 회전하여 개방되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The process chamber of claim 1, wherein the cover opening / closing part is rotated by opening a hinge around one axis of a part connected to the lower chamber. 삭제delete 제1 항에 있어서, 상기 측면커버에는 상기 처리공간에서 공정 중 발생하는 흄을 배기할 수 있는 배기홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The process chamber of claim 1, wherein the side cover is formed with an exhaust hole capable of exhausting fumes generated during the process in the process space.
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