KR20130046744A - Process chamber - Google Patents

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KR20130046744A KR1020110111294A KR20110111294A KR20130046744A KR 20130046744 A KR20130046744 A KR 20130046744A KR 1020110111294 A KR1020110111294 A KR 1020110111294A KR 20110111294 A KR20110111294 A KR 20110111294A KR 20130046744 A KR20130046744 A KR 20130046744A
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Abstract

PURPOSE: A processing chamber is provided to minimize a pressure difference between a working space and the outside by including a front cover, a rear cover, and a side cover. CONSTITUTION: A top chamber(110) vertically moves. A bottom chamber(120) forms a processing space with the top chamber. A plurality of supporters(130) are formed on the bottom chamber. A cover part includes a cover opening and closing part(140) and covers a space between the top chamber and the bottom chamber.

Description

공정 챔버{PROCESS CHAMBER}Process Chamber {PROCESS CHAMBER}

본 발명은 공정 챔버에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기판 처리 장치에 제공되어 공정이 수행되는 공정 챔버에 관한 것이다.The present invention relates to a process chamber, and more particularly, to a process chamber provided to a substrate processing apparatus to perform a process.

일반적으로 반도체 소자, 평판 디스플레이 패널 등을 제조하기 위한 기판 처리 장치는 복수 개의 챔버들을 구비한다. 이러한 기판 처리 장치는 복수 개의 공정 챔버들과 적어도 하나의 트랜스퍼 챔버의 배치 형태에 따라 클러스트(cluster) 방식과 인라인(inline) 방식 등이 있다. 이러한 멀티 챔버 방식의 기판 처리 장치는 예를 들어, 기판을 처리하는 공정 챔버, 각각의 공정 챔버들 사이에 구비되어 기판을 공정 챔버로 이송하는 트랜스퍼 챔버, 트랜스퍼 챔버로 기판을 공급하는 로드락 챔버 등을 포함한다. 특히 진공 상태에서 기판을 처리하는 공정 챔버의 경우 작동 전후로 챔버 내외부의 압력 차가 발생한다.In general, a substrate processing apparatus for manufacturing a semiconductor device, a flat panel display panel, and the like includes a plurality of chambers. Such a substrate processing apparatus includes a cluster method and an inline method according to the arrangement of a plurality of process chambers and at least one transfer chamber. Such a multi-chamber substrate processing apparatus includes, for example, a process chamber for processing a substrate, a transfer chamber provided between the respective process chambers to transfer the substrate to the process chamber, a load lock chamber for supplying the substrate to the transfer chamber, and the like. It includes. In particular, in the case of a process chamber processing a substrate in a vacuum state, a pressure difference inside and outside the chamber occurs before and after operation.

반도체 제조 공정 중 다수의 공정은 외부와 격리되어 진공 환경이 제공되는 공정 챔버(즉, 진공챔버)에서 진행된다. 예를 들어, 일반적인 기판 처리 장치는 진공 챔버로서 구비되는 공정 챔버와 트랜스퍼 챔버 사이를 이송 로봇을 이용하여 기판을 제공하는데, 이 때, 공정 챔버와 트랜스퍼 챔버는 진공압과 대기압을 오가며 공정을 수행한다.Many of the semiconductor manufacturing processes proceed in a process chamber (ie, a vacuum chamber) that is isolated from the outside and provides a vacuum environment. For example, a general substrate processing apparatus provides a substrate using a transfer robot between a process chamber and a transfer chamber provided as a vacuum chamber, wherein the process chamber and the transfer chamber perform a process between vacuum and atmospheric pressure. .

먼저, 공정이 시작되면 공정 챔버는 대기압으로 조절되고 트랜스퍼 챔버의 이송 로봇에 의해 기판이 공정 챔버로 반입된다. 이어서, 공정 챔버는 진공압으로 조절되어 기판에 대한 공정을 처리한다. 이 후, 공정이 완료되면 다시 공정 챔버는 대기압으로 조절되고 공정 챔버에서 반출된 기판은 이송 로봇에 의해 트랜스퍼 챔버로 이송된다. 이 과정에서 공정 챔버내의 기압이 대기압에서 진공으로, 다시 진공에서 대기압으로 조절되는 과정에서 챔버 외부의 이물질이 기류에 휩쓸려 챔버 내로 유입되거나 처리공정 시 발생한 흄이 공정 챔버 외부로 유출되는 경우가 발생한다.First, when the process starts, the process chamber is controlled to atmospheric pressure and the substrate is brought into the process chamber by the transfer robot of the transfer chamber. The process chamber is then adjusted to vacuum pressure to process the process on the substrate. Thereafter, when the process is completed, the process chamber is again adjusted to atmospheric pressure and the substrate taken out of the process chamber is transferred to the transfer chamber by the transfer robot. In this process, when the air pressure in the process chamber is controlled from atmospheric pressure to vacuum, and then back to vacuum pressure, foreign matters outside the chamber are swept into the airflow and flow into the chamber, or fumes generated during the treatment process flow out of the process chamber. .

이러한 이물질이나 흄은 처리되는 기판의 품질을 저하시키거나 기판 처리 장치의 작동에 영향을 줄 수 있다. 따라서, 공정 챔버에 유입되는 이물질이나 유출되는 흄에 대한 문제점을 해결하기 위한 노력이 종래부터 있어왔다. Such foreign matters or fumes may reduce the quality of the substrate to be processed or affect the operation of the substrate processing apparatus. Therefore, efforts have been made to solve the problems of foreign matters flowing into the process chamber and fumes flowing out.

따라서 본 발명의 실시예들을 통해 해결하고자 하는 과제는 공정 챔버 내의 기압이 대기압, 진공, 다시 대기압으로 변화하는 과정에서 외부의 이물질 유입 및 기판 처리과정 중 약액에서 발생한 흄(fume)이 상기 공정 챔버 외부로 유출되는 것을 방지할 수 있는 공정 챔버를 제공하는 것이다. Therefore, the problem to be solved through the embodiments of the present invention is that in the process of changing the atmospheric pressure in the process chamber to atmospheric pressure, vacuum, and back to atmospheric pressure, the foreign matter inflow and the fume generated from the chemical liquid during the substrate processing process outside the process chamber It is to provide a process chamber that can prevent the outflow to.

상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위해 본 발명에 따른 공정 챔버는 상승 및 하강 가능한 상부 챔버, 상기 상부 챔버 하부에 형성되고 상기 상부 챔버와 함께 처리공간을 형성하는 하부 챔버, 상기 하부 챔버 상에 형성되어 기판을 지지하는 복수의 서포터 및 상기 기판이 상기 처리공간으로 출입할 수 있도록 개폐가능한 커버 개폐부가 형성되고, 상기 상부 챔버가 상승 하였을 때 발생하는 상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버의 이격을 커버하는 커버부를 포함한다.In order to achieve the above object of the present invention, the process chamber according to the present invention includes an upper chamber capable of raising and lowering, a lower chamber formed under the upper chamber and forming a processing space together with the upper chamber, and formed on the lower chamber. And a plurality of supporters for supporting the substrate and a cover opening / closing part for opening and closing the substrate so that the substrate can enter and exit the processing space, and a cover covering the separation between the upper chamber and the lower chamber generated when the upper chamber is raised. Contains wealth.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 커버 개폐부는 상기 하부 챔버와 연결되는 부분의 일 축을 중심으로 힌지를 형성하여 회전하여 개방될 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the cover opening and closing portion may be opened by rotating by forming a hinge around one axis of the portion connected to the lower chamber.

이와 같이 구성된 본 발명에 따른 공정 챔버는 상기 정면, 후면 및 측면 커버들을 포함하므로, 상기 상부 챔버를 상승 시켜 상기 공정 챔버 개방 시에도 챔버 내의 기판이 수용되는 작업공간과 외부의 압력 차를 최소화할 수 있다. Since the process chamber according to the present invention configured as described above includes the front, rear and side covers, the pressure difference between the work space in which the substrate is accommodated and the outside of the chamber is minimized even when the process chamber is opened by raising the upper chamber. have.

또한, 상기 정면, 후면 및 측면 커버들이 상기 공정 챔버의 외부와 상기 처리공간을 분리 시키므로, 외부 기류 및 이물질의 유입을 차단할 수 있다. 또한, 상기 처리공간 내에서 공정 진행 중 약액에서 발생하는 흄의 설비 외부로의 확산을 최소화 할 수 있다.In addition, since the front, rear and side covers separate the outside of the process chamber and the processing space, it is possible to block the inflow of external airflow and foreign matter. In addition, it is possible to minimize the diffusion of the fume generated from the chemical liquid during the process in the treatment space to the outside of the facility.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버의 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 공정 챔버의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 공정 챔버의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 공정 챔버의 작동을 설명한 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 공정 챔버의 작동을 설명한 단면도이다.
도 6은 도 1에 도시된 공정 챔버의 측면커버를 나타낸 측면도이다.1 is a plan view of a process chamber in accordance with one embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the process chamber illustrated in FIG. 1.
3 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of the process chamber shown in FIG.
4 is a cross-sectional view illustrating the operation of the process chamber shown in FIG. 1.
5 is a cross-sectional view illustrating the operation of the process chamber shown in FIG. 1.
6 is a side view showing a side cover of the process chamber shown in FIG.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 챔버에 대하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a chamber according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 발명의 명확성을 기하기 위해 실제보다 확대하거나, 개략적인 구성을 설명하기 위하여 실제보다 축소하여 도시한 것이다. 제 1, 제 2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제 1 구성요소는 제 2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제 2 구성요소도 제 1 구성요소로 명명될 수 있다.The present invention is capable of various modifications and various forms, and specific embodiments are illustrated in the drawings and described in detail in the text. It should be understood, however, that the invention is not intended to be limited to the particular forms disclosed, but includes all modifications, equivalents, and alternatives falling within the spirit and scope of the invention. Like reference numerals are used for like elements in describing each drawing. In the accompanying drawings, the dimensions of the structures are enlarged to illustrate the invention, and are actually shown in a smaller scale than the actual dimensions in order to explain the schematic configuration. Terms such as first and second may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another. For example, without departing from the scope of the present invention, the first component may be referred to as the second component, and similarly, the second component may also be referred to as the first component.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular example embodiments only and is not intended to be limiting of the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly indicates otherwise. In this application, the terms "comprises", "having", and the like are used to specify that a feature, a number, a step, an operation, an element, a part or a combination thereof is described in the specification, But do not preclude the presence or addition of one or more other features, integers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof.

한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.On the other hand, unless otherwise defined, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art. Terms such as those defined in the commonly used dictionaries should be construed as having meanings consistent with the meanings in the context of the related art and shall not be construed in ideal or excessively formal meanings unless expressly defined in this application. Do not.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버의 평면도이다. 도 2는 도 1에 도시된 공정 챔버의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다. 도 3은 도 1에 도시된 공정 챔버의 II-II'를 따라 절단한 단면도이다.1 is a plan view of a process chamber in accordance with one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of the process chamber illustrated in FIG. 1. 3 is a cross-sectional view taken along line II-II 'of the process chamber shown in FIG.

도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버(1000)는 상부 챔버(110), 하부 챔버(120), 서포터(130), 커버 개폐부(140), 측면 커버(142) 및 후면 커버(144)를 포함한다.1 to 3, a process chamber 1000 according to an embodiment of the present invention includes an upper chamber 110, a lower chamber 120, a supporter 130, a cover opening part 140, and a side cover 142. ) And a rear cover 144.

상기 상부 챔버(110)는 내부에 처리공간이 형성되고 상하로 이동되며, 상기 하부 챔버(120)는 기판 처리 장치의 베이스 프레임(미도시)에 고정 설치된다.The upper chamber 110 has a processing space formed therein and moves up and down, and the lower chamber 120 is fixed to a base frame (not shown) of the substrate processing apparatus.

상기 상부 챔버(110)는 아래로 하강되어 상기 하부 챔버(120)와 결합되어서 공정 처리를 위한 상기 처리공간을 밀폐시킨다. 이를 위해 하부 챔버(120)는 상부 챔버(110)과 결합되는 상부 면의 가장자리 둘레를 따라 오링(O-ring)(미도시)이 설치될 수 있다.The upper chamber 110 is lowered to be combined with the lower chamber 120 to seal the processing space for process processing. To this end, the lower chamber 120 may be provided with an O-ring (not shown) around the edge of the upper surface coupled with the upper chamber 110.

상기 하부 챔버(120) 상에는 복수개의 상기 서포터들(130)이 형성된다. 상기 서포터들(130)은 기판(10)를 지지하며, 상기 기판(10)을 안정적으로 지지할 수 있도록 적절한 배치로 상기 하부 챔버(120) 상에 배치될 수 있다. A plurality of the supporters 130 are formed on the lower chamber 120. The supporters 130 may support the substrate 10 and may be disposed on the lower chamber 120 in a proper arrangement so as to stably support the substrate 10.

상기 커버 개폐부(140)는 상기 상부 챔버(120) 및 상기 하부 챔버(120)의 일 측면에 인접하여, 상기 기판(10)이 상기 공정 챔버(1000) 내로 출입되는 방향에 형성된다. 따라서 상기 상부 챔버(110)가 상기 하부 챔버(120)에 대해 위로 상승된 상태에서도 상기 공정 챔버(1000)의 상기 처리공간과 상기 공정 챔버(1000) 외부를 차단하는 역할을 한다. 또한 상기 커버 개폐부(140)는 상기 기판(10)이 상기 공정 챔버(1000) 내부로 출입 될 수 있도록 개폐된다. 예를 들어 상기 커버 개폐부(140)는 상기 하부 챔버(120)와 근접하는 부분의 일 축을 중심으로 회전하여 개폐될 수 있다.The cover opening / closing unit 140 is adjacent to one side of the upper chamber 120 and the lower chamber 120, and is formed in a direction in which the substrate 10 enters and exits the process chamber 1000. Therefore, the upper chamber 110 serves to block the processing space of the process chamber 1000 and the outside of the process chamber 1000 even when the upper chamber 110 is raised above the lower chamber 120. In addition, the cover opening and closing portion 140 is opened and closed to allow the substrate 10 to enter and exit the process chamber 1000. For example, the cover opening and closing portion 140 may be opened and closed by rotating about one axis of a portion proximate to the lower chamber 120.

상기 후면 커버(144)는 상기 상부 챔버(110) 및 상기 하부 챔버(120)의 상기 일 측면에 대향하는 타 측면에 인접하여, 상기 커버 개폐부(140)와 마주보며 형성된다. 따라서 상기 상부 챔버(120)가 상기 하부 챔버(120)에 대해 위로 상승된 상태에서도 상기 공정 챔버(1000)의 상기 처리공간과 상기 공정 챔버(1000) 외부를 차단하는 역할을 한다.The rear cover 144 is formed adjacent to the other side of the upper chamber 110 and the lower side of the lower chamber 120 facing the cover opening and closing portion 140. Therefore, the upper chamber 120 serves to block the processing space of the process chamber 1000 and the outside of the process chamber 1000 even when the upper chamber 120 is raised above the lower chamber 120.

상기 측면 커버(142)는 상기 커버 개폐부(140) 및 상기 후면 커버(1440)에 인접하여 상기 상부 챔버(110) 및 상기 하부 챔버(120)의 측면을 감싸도록 형성된다. 따라서 상기 상부 챔버(110)가 상기 하부 챔버(120)에 대해 위로 상승된 상태에서도 상기 공정 챔버(1000)의 상기 처리공간과 상기 공정 챔버(1000) 외부를 차단하는 역할을 한다. The side cover 142 is formed to surround side surfaces of the upper chamber 110 and the lower chamber 120 adjacent to the cover opening and closing portion 140 and the rear cover 1440. Therefore, the upper chamber 110 serves to block the processing space of the process chamber 1000 and the outside of the process chamber 1000 even when the upper chamber 110 is raised above the lower chamber 120.

상기 커버 개폐부(140) 및 상기 후면 커버(144)는 상기 측면 커버(142)와 연결되고, 상기 상부 챔버(110)가 상기 하부 챔버(120)에 대해 위로 상승된 상태에서도 상기 공정 챔버(1000)의 상기 처리공간과 상기 공정 챔버(1000) 외부를 차단하기 위하여, 상기 상부 챔버(120) 및 상기 하부 챔버(120)와 접촉할 수 있다. 이때, 상기 상부 챔버(110)는 위아래로 이동할 수 있으므로, 상기 정면, 후면 및 측면 커버들(140, 144, 142)과의 접촉부분은 마찰력이 작은 물질로 형성될 수 있다. 또는, 상기 정면, 후면 및 측면 커버들(140, 144, 142)은 상기 상부 챔버(120)와 접촉하지 않고 근접하여 형성될 수 있다. The cover opening and closing part 140 and the rear cover 144 are connected to the side cover 142 and the process chamber 1000 even when the upper chamber 110 is raised upward with respect to the lower chamber 120. In order to block the process space of the process chamber and the outside of the process chamber 1000, the upper chamber 120 and the lower chamber 120 may be contacted. In this case, since the upper chamber 110 may move up and down, the contact portions with the front, rear, and side covers 140, 144, and 142 may be formed of a material having a small friction force. Alternatively, the front, rear, and side covers 140, 144, and 142 may be formed in close proximity without contact with the upper chamber 120.

상기 상부 챔버(110)가 상기 하부 챔버(120)에 대해 위로 상승된 상태에서도 상기 공정 챔버(1000)의 상기 처리공간과 상기 공정 챔버(1000)의 외부는 상기 정면, 후면 및 측면 커버들(140, 144, 142)에 의해 차단된다. 공정 진행에 있어서, 대기압에서 진공 및 진공에서 대기압으로 기압이 조절되는 과정에서 외부의 이물질이 상기 처리공간 내부로 유입되거나, 상기 처리공간 내부에서 발생한 흄이 상기 공정 챔버(1000) 외부로 방출되는 것을 방지할 수 있다.Even when the upper chamber 110 is raised above the lower chamber 120, the process space of the process chamber 1000 and the outside of the process chamber 1000 may have the front, rear, and side covers 140. 144, 142). In the process, the foreign matter is introduced into the processing space or the fume generated in the processing space is discharged to the outside of the process chamber 1000 in the process of adjusting the atmospheric pressure from atmospheric pressure to vacuum and vacuum to atmospheric pressure. You can prevent it.

도 4는 기판을 출입하기 위해 도 1에 도시된 공정 챔버의 작동을 설명한 단면도이다. 도 5는 기판의 공정 수행을 위한 도 1에 도시된 공정 챔버의 작동을 설명한 단면도이다.4 is a cross-sectional view illustrating the operation of the process chamber shown in FIG. 1 to enter and leave the substrate. 5 is a cross-sectional view illustrating the operation of the process chamber illustrated in FIG. 1 for performing a process of a substrate.

도 4 내지 도 5를 참조하면, 상기 상부 챔버(110)가 위쪽으로 상승된 상태에서 상기 커버 개폐부(140)가 열리고, 상기 커버 개폐부(140)가 열린 방향에서 상기 기판(10)이 상기 공정 챔버(1000) 내의 상기 처리공간으로 반입 된다. 4 to 5, the cover opening and closing portion 140 is opened while the upper chamber 110 is raised upward, and the substrate 10 is the process chamber in a direction in which the cover opening and closing portion 140 is opened. It is brought into the processing space in 1000.

상기 기판(10)이 상기 처리공간에 안착하면, 상기 커버 개폐부(140)가 닫히고, 상기 상부 챔버(110)는 아래로 하강되어 상기 하부 챔버(120)와 밀착된다. 상기 처리공간 내부가 진공펌프(미도시)에 의해 진공 처리될 수 있으며, 이에 따라 진공상태에서의 기판 처리 공정이 진행된다. When the substrate 10 is seated in the processing space, the cover opening and closing portion 140 is closed, and the upper chamber 110 is lowered to be in close contact with the lower chamber 120. The inside of the processing space may be vacuumed by a vacuum pump (not shown), and thus the substrate treating process in a vacuum state is performed.

상기 기판(10)에 대한 상기 기판 처리 공정이 완료되면 상기 상부 챔버(110)는 위쪽으로 상승된다. 이때 상기 처리공간의 압력이 대기압까지 높아지게 되는데 상기 공정 챔버(1000) 외부의 이물질이 상기 처리공간 내로 유입되는 것이 상기 정면, 후면 및 측면 커버들(140, 144, 142)에 의해 방지된다.When the substrate processing process for the substrate 10 is completed, the upper chamber 110 is raised upward. At this time, the pressure of the processing space is increased to atmospheric pressure, and foreign matters outside the process chamber 1000 are prevented from being introduced into the processing space by the front, rear, and side covers 140, 144, and 142.

상기 상부 챔버(110)가 상승되고, 상기 처리공간 내의 기압이 대기압에 달하면, 상기 커버 개폐부(140)가 열리고 상기 기판(10)이 반출 된다. When the upper chamber 110 is raised and the air pressure in the processing space reaches atmospheric pressure, the cover opening and closing unit 140 is opened and the substrate 10 is carried out.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 공정 챔버의 측면커버의 측면도이다. 6 is a side view of a side cover of a process chamber according to an embodiment of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 공정 챔버는 측면커버(142)에 배기홀(143)이 형성된 것을 제외하고는 도 1에 도시된 공정 챔버(1000)과 동일하므로, 중복되는 설명은 생략한다.Referring to FIG. 6, the process chamber according to the present exemplary embodiment is the same as the process chamber 1000 illustrated in FIG. 1 except that the exhaust hole 143 is formed in the side cover 142, and thus a redundant description thereof is omitted. do.

상기 측면커버(142)에는 상기 배기홀(143)이 형성된다. 상기 배기홀은 처리공간에서 공정 중 발생하는 흄을 배기할 수 있는 배기관(미도시)과 연결된다. 따라서 상기 배기홀(142)을 통해 상기 흄이 배기되어 기판(10)의 출입을 위해 커버 개폐부(140)를 개폐하는 경우에도 상기 흄이 상기 공정 챔버 외부로 유출되는 현상을 방지 할 수 있다.The exhaust hole 143 is formed in the side cover 142. The exhaust hole is connected to an exhaust pipe (not shown) capable of exhausting the fume generated during the process in the processing space. Therefore, even when the fume is exhausted through the exhaust hole 142 to open and close the cover opening / closing unit 140 to access the substrate 10, the fume may be prevented from leaking out of the process chamber.

상기 커버 개폐부(140), 상기 측면커버(142) 및 상기 후면 커버(144)는 커버부를 형성하며, 상기 커버부는 상기 상부 챔버(110)가 상승하여 상기 작업공간이 개방된 상태에서 상기 공정 챔버 (1000) 외부와 상기 작업 공간을 차단하여 흄의 유출 내지 이물질의 유입을 방지한다.The cover opening / closing unit 140, the side cover 142, and the rear cover 144 form a cover unit. The cover unit includes the process chamber in a state where the upper chamber 110 is raised to open the work space. 1000) Block the outside and the work space to prevent the outflow of the fume or the inflow of foreign matter.

본 발명에 따른 상기 공정 챔버(1000)는 상기 정면, 후면 및 측면 커버들(140, 144, 142)를 포함하므로, 상기 상부 챔버를 상승 시켜 상기 공정 챔버(1000) 개방 시에도 챔버 내의 기판이 수용되는 작업공간과 외부의 압력 차를 최소화할 수 있다. Since the process chamber 1000 according to the present invention includes the front, rear, and side covers 140, 144, and 142, the substrate in the chamber is accommodated even when the process chamber 1000 is opened by raising the upper chamber. The pressure difference between the working space and the outside can be minimized.

또한, 상기 정면, 후면 및 측면 커버들(140, 144, 142)이 상기 공정 챔버(1000)의 외부와 상기 처리공간을 분리 시키므로, 외부 기류 및 이물질의 유입을 차단할 수 있다. 또한, 상기 처리공간 내에서 공정 진행 중 약액에서 발생하는 흄의 설비 외부로의 확산을 최소화 할 수 있다.In addition, the front, rear, and side covers 140, 144, and 142 separate the outside of the process chamber from the processing space, thereby preventing the inflow of external airflow and foreign matter. In addition, it is possible to minimize the diffusion of the fume generated from the chemical liquid during the process in the treatment space to the outside of the facility.

본 발명에 따른 공정 챔버는 기판 처리 장치에 제공되어 진공 상태로 공정이 수행되는 공정 챔버, 즉 진공 챔버에 사용될 수 있다. 상기 공정 챔버는 상기 공정 챔버의 외부와 처리공간을 분리 시키는 정면, 후면 및 측면 커버들을 포함하여, 상기 공정 챔버의 외부와 상기 처리공간을 분리 시키므로, 작업공간과 외부의 압력 차 최소화할 수 있다. 또한, 외부 기류 및 이물질의 유입을 차단할 수 있다. 또한, 상기 처리공간 내에서 공정 진행 중 약액에서 발생하는 흄의 설비 외부로의 확산을 최소화 할 수 있다.The process chamber according to the present invention may be provided in a substrate processing apparatus and used in a process chamber, that is, a vacuum chamber, in which a process is performed in a vacuum state. The process chamber includes front, rear, and side covers separating the outside of the process chamber from the process space, thereby separating the outside of the process chamber from the process space, thereby minimizing the pressure difference between the work space and the outside. In addition, it is possible to block the inflow of external airflow and foreign matter. In addition, it is possible to minimize the diffusion of the fume generated from the chemical liquid during the process in the treatment space to the outside of the facility.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit or scope of the present invention as defined by the following claims. It can be understood that it is possible.

1000 : 공정 챔버 110 : 상부 챔버
120 : 하부 챔버 130 : 서포터
140 : 커버 개폐부 142 : 측면 커버
143 : 배기홀 144 : 후면 커버
10 : 기판1000: process chamber 110: upper chamber
120: lower chamber 130: supporter
140: cover opening and closing part 142: side cover
143 exhaust hole 144 rear cover
10: substrate

Claims (2)

상승 및 하강 가능한 상부 챔버;
상기 상부 챔버 하부에 형성되고 상기 상부 챔버와 함께 처리공간을 형성하는 하부 챔버;
상기 하부 챔버 상에 형성되어 기판을 지지하는 복수의 서포터; 및
상기 기판이 상기 처리공간으로 출입할 수 있도록 개폐 가능한 커버 개폐부가 형성되고, 상기 상부 챔버가 상승 하였을 때 발생하는 상기 상부 챔버와 상기 하부 챔버의 이격을 커버하는 커버부를 포함하는 공정 챔버.An upper chamber capable of raising and lowering;
A lower chamber formed below the upper chamber and forming a processing space together with the upper chamber;
A plurality of supporters formed on the lower chamber to support the substrate; And
A cover opening and closing portion is formed to open and close so that the substrate can enter and exit the processing space, the process chamber including a cover portion covering the separation between the upper chamber and the lower chamber generated when the upper chamber is raised. 제 1항에 있어서, 상기 커버 개폐부는 상기 하부 챔버와 연결되는 부분의 일 축을 중심으로 힌지를 형성하여 회전하여 개방되는 것을 특징으로 하는 공정 챔버.The process chamber of claim 1, wherein the cover opening / closing portion is rotated to open by forming a hinge about one axis of a portion connected to the lower chamber.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH11162395A (en) * 1997-11-28 1999-06-18 Nissin Electric Co Ltd Gate valve device for vacuum lock chamber
KR20100039063A (en) * 2008-10-07 2010-04-15 주식회사 맥시스 Assembly for controlling pressure and plasma processing apparatus therewith

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