KR101875426B1 - 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛 - Google Patents

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Abstract

실시 예에 따른 발광 모듈은, 몸체, 상기 몸체 내에 제1 및 제2리드 프레임, 상기 제1 및 제2리드 프레임에 연결된 발광 칩을 포함하는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드의 제1영역 아래에 배치된 제1연결 플레이트; 상기 발광 다이오드의 제2영역 아래에 배치된 제2연결 플레이트; 상기 발광 다이오드의 제1리드 프레임과 상기 제1연결 플레이트를 결합해 주는 제1결합 부재; 및 상기 발광 다이오드의 제2연결 프레임과 상기 제2연결 플레이트를 결합해 주는 제2결합 부재를 포함한다.

Description

발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛{LIGHT EMITTING MODULE AND LIGHT UNIT HAVING THE SAME}
실시 예는 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛에 관한 것이다.
정보처리 기술이 발달함에 따라서, LCD, PDP 및 AMOLED 등과 같은 표시장치들이 널리 사용되고 있다. 이러한 표시장치들 중 액정표시장치(LCD)는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 한다.
이러한 액정표시장치용 백라이트는 광원의 위치에 따라 에지형(edge type) 방식과 직하형(direct type) 방식의 두 종류가 있다.에지형 방식은 액정표시패널의 가장자리에 광원을 설치하여, 광원으로부터 발생된 광이 액정표시패널의 하부에 위치한 투명한 도광판을 통해 액정표시패널에 조사되는 방식이다. 이는 광의 균일성이 좋고, 수명이 길며, 액정표시장치의 박형화에 유리하고, 일반적으로, 중형 및 소형의 액정표시패널에 광을 조사하는데 통상 사용된다. 한편, 직하형 방식은 액정표시패널의 하부에 다수의 광원을 두어 액정표시패널의 전면을 직접 조사하는 방식이다. 이는 높은 휘도를 확보할 수 있고, 일반적으로 대형 및 중형의 액정표시패널에 광을 조사하는데 통상적으로 사용된다.
종래의 액정 표시 패널의 광원으로는 냉음극 형광 램프를 사용하였고, 점차로 고수명, 저전력소모, 경량 및 박형화의 장점을 갖는 LED를 광원으로 사용하고자 하는 연구가 활발히 이루어지고 있다. 하지만, LED는 기존의 형광램프에 비하여 발열량이 많은 단점이 있다. 이러한 LED의 열로 인해 백라이트 어셈블리 내부의 온도를 상승시켜 전자 회로의 신뢰성을 저하시킬 수 있고, 내부 온도차에 의해 부품이나 케이스에 열 응력이 발생하여 변형을 초래하게 되는 문제가 있다.
기존의 LED는 기판 상에 배열되고 상기 기판에 배치된 회로 패턴을 따라 연결되어, 직하형 방식의 광원 또는 에지형 방식의 광원으로 사용하고 있다.
실시 예는 새로운 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.
실시 예는 복수의 발광 다이오드를 서로 분리된 연결 플레이트로 서로 연결해 줄 수 있는 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.
실시 예는 복수의 발광 다이오드와 연결 플레이트를 결합 부재로 체결하여 전기적으로 연결시켜 줄 수 있도록 한 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛을 제공한다.
실시 예에 따른 발광 모듈은, 몸체, 상기 몸체 내에 제1 및 제2리드 프레임, 상기 제1 및 제2리드 프레임에 연결된 발광 칩을 포함하는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드의 제1영역 아래에 배치된 제1연결 플레이트; 상기 발광 다이오드의 제2영역 아래에 배치된 제2연결 플레이트; 상기 발광 다이오드의 제1리드 프레임과 상기 제1연결 플레이트를 결합해 주는 제1결합 부재; 및 상기 발광 다이오드의 제2연결 프레임과 상기 제2연결 플레이트를 결합해 주는 제2결합 부재를 포함한다.
실시 예에 따른 라이트 유닛은, 몸체, 상기 몸체 내에 제1 및 제2리드 프레임, 상기 제1 및 제2리드 프레임에 연결된 발광 칩을 포함하는 복수의 발광 다이오드; 상기 복수의 발광 다이오드의 영역 아래에 배치되며, 인접한 발광 다이오드들을 서로 연결해 주는 복수의 연결 플레이트; 상기 발광 다이오드의 제1리드 프레임과 제2연결 프레임을 서로 다른 연결 플레이트에 결합해 주는 복수의 결합 부재; 및 상기 발광 다이오드와 대응되는 도광판 및 광학 시트 중 적어도 하나를 포함하는 광학 부재를 포함한다.
실시 예는 발광 다이오드의 방열 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 다이오드를 솔더로 접합하지 않기 때문에, 발광 다이오드의 고정이 용이하고, 또 발광 다이오드의 재생 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 다이오드를 갖는 발광 장치 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 제1실시 예에 있어서, 도 1의 발광 모듈의 분해 상태를 나타낸 도면이다.
도 3는 도 2의 발광 모듈의 결합 단면도이다.
도 4는 도 2의 발광 모듈의 제1발광 다이오드의 평면도이다.
도 5는 제2실시 예에 따른 발광 모듈의 결합 단면도이다.
도 6은 실시 예에 있어서, 발광 다이오드의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 7은 제3실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 8 및 도 9는 실시 예에 있어서, 발광 다이오드의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 10은 제4실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 11은 제5실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 12는 제6실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 13은 도 12의 발광 모듈에 있어서, 연결 플레이트와 접착 부재의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 14는 도 12의 발광 모듈에 있어서, 연결 플레이트와 접착 부재의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 15는 도 1의 발광 다이오드의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 16은 제7실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 17은 실시 예에 따른 발광 다이오드의 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 18은 실시 예에 따른 발광 다이오드의 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "위/상(on)"에 또는 "아래/하(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위/상(on)"과 "아래/하(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 우선, 실시 예에 따른 반도체 발광소자에 대해 다양한 실시형태를 통해 구체적으로 설명하고, 이러한 반도체 발광소자를 사용한 발광소자 패키지와 백라이트 장치에 대해 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 표시 장치를 보여주는 분해 사시도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치(100)는 영상이 디스플레이되는 표시 패널(10)과, 상기 표시 패널(10)에 광을 제공하는 백라이트 유닛(20)을 포함한다.
상기 백라이트 유닛(20)은 상기 표시 패널(10)에 면 광원을 제공하는 도광판(70)과, 누설 광을 반사하는 반사 부재(45)와, 상기 도광판(70)의 에지 영역에서 광을 제공하는 발광 모듈(30), 및 표시 장치(100)의 하측 외관을 형성하는 바텀 커버(40)를 포함한다. 도시하지 않았으나, 상기 표시 장치(100)는 상기 표시 패널(10)을 하측에서 지지하는 패널 서포터와, 상기 표시 장치(100)의 테두리를 형성하며 상기 표시 패널(10)의 둘레를 감싸서 지지하는 탑 커버를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널(10)은 상세히 도시되지는 않았지만, 일례를 들면, 서로 대향하여 균일한 셀 갭이 유지되도록 결합된 하부 기판 및 상부 기판과, 상기 두 기판 사이에 개재된 액정층(미도시)을 포함한다. 상기 하부 기판에는 다수의 게이트 라인과 상기 다수의 게이트 라인과 교차하는 다수의 데이터 라인이 형성되며, 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차영역에 박막 트랜지스터(TFT: thin film transistor)가 형성될 수 있다. 상기 상부 기판에는 컬러필터들이 형성될 수 있다. 상기 표시 패널(10)의 구조는 이에 한정되지는 않으며, 상기 표시 패널(10)은 다양한 구조를 가질 수 있다. 다른 예를 들면, 상기 하부 기판은 박막 트랜지스터뿐만 아니라 컬러필터를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 표시 패널(10)은 상기 액정층을 구동하는 방식에 따라 다양한 형태의 구조로 형성될 수 있다. 도시하지 않았으나, 상기 표시 패널(10)의 가장자리에는 게이트 라인에 스캔신호를 공급하는 게이트 구동 PCB(gate driving printed circuit board)와, 데이터 라인에 데이터 신호를 공급하는 데이터 구동 PCB(data driving printed circuit board)가 구비될 수 있다.
상기 표시 패널(10)의 위 및 아래 중 적어도 한 곳에는 편광 필름(미도시)이 배치될 수도 있다. 상기 표시 패널(10)의 아래에는 광학 시트(60)가 배치되며, 상기 광학 시트(60)는 상기 백라이트 유닛(20)에 포함될 수 있으며, 적어도 한 장의 프리즘 시트 또는/및 확산 시트를 포함할 수 있다. 상기 광학 시트(60)는 제거될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 확산 시트는 입사된 광을 고르게 확산시켜 주며, 상기 확산된 광은 프리즘 시트에 의해 표시 패널로 집광될 수 있다. 여기서, 상기 프리즘 시트는 수평 또는/및 수직 프리즘 시트, 한 장 이상의 조도 강화 시트 등을 이용하여 선택적으로 구성할 수 있다. 상기 광학 시트(60)의 종류나 개수 등은 실시 예의 기술적 범위 내에서 추가 또는 삭제될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광모듈(30)은 바텀 커버(40)의 제1측면부(42)의 내측에 배치될 수 있다. 상기 발광모듈(30)은 상기 바텀 커버(40)의 서로 다른 측면부 예컨대, 양 측면부 또는 모든 측면부에 배치될 수 있으며, 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 발광모듈(30)은 복수의 연결 플레이트(32)와, 상기 복수의 연결 플레이트(32) 상에 배열되며 상기 복수의 연결 플레이트(32)와 전기적으로 연결된 복수의 발광 다이오드(34)를 포함한다.
상기 연결 플레이트(32)는 구리(Cu), 철(Fe), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb)과 같은 금속 재질로 형성될 수 있다. 상기 연결 플레이트(32)는 1mm 이상의 두께를 갖는 금속층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 연결 플레이트(32)는 표면에 반사층이 형성될 수 있다. 또한 상기 연결 플레이트(32)의 위 또는/및 아래에는 일부에 절연층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 연결 플레이트(32)는 동일한 크기이거나, 적어도 하나가 다른 크기로 형성될 수 있다. 상기 복수의 연결 플레이트(32)는 상기 도광판(70)의 입광부와 대응되도록 제1방향(X)을 따라 소정 간격을 갖고 배열된다.
도 1, 및 도 4와 같이, 상기 각 연결 플레이트(32)의 너비(W1)는 상기 발광 다이오드(34)의 너비(W2)보다 더 넓게 형성될 수 있다. 이에 따라 각 연결 플레이트(32)는 상기 발광 다이오드(34)로부터 발생된 열을 효과적으로 방열시켜 줄 수 있다.
상기 연결 플레이트(32)는 접착 부재(50)에 의해 상기 바텀 커버(40)의 제1측면부(42) 상에 부착되거나, 다른 방열 플레이트 상에 부착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 접착 부재(50)는 절연성 양면 테이프를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 발광 다이오드(34)는 소정 피치(Pitch)로 상기 도광판(70)의 입광부 방향과 대응되게 제1방향(X)을 따라 배열된다. 상기 복수의 발광 다이오드(34)는 연결 플레이트(32) 상에 배치되고, 상기 연결 플레이트(32)에 의해 서로 연결된다. 상기 연결 플레이트(32)는 상기 복수의 발광 다이오드(34)를 직렬로 연결시켜 줄 수 있으며, 이러한 연결 방식은 배치 위치에 따라 병렬로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 복수의 발광 다이오드(34) 중 적어도 하나는 적어도 한 컬러 예컨대, 백색, 적색, 녹색, 및 청색 중 적어도 하나를 발광하게 된다. 실시 예는 적어도 한 컬러의 광을 발광하는 발광 다이오드를 이용하거나 복수의 컬러를 발광하는 발광 다이오드들을 조합하여 이용할 수 있다. 상기 발광 다이오드(34)는 Ⅲ족-V족 화합물 반도체를 이용한 발광 칩을 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드(34)는 적어도 한 열로 배치될 수 있으며, 일정한 간격 또는 불규칙한 간격으로 배열될 수도 있다.
상기 도광판(70)의 적어도 한 측면(즉, 입광부)에는 상기 복수의 발광 다이오드(34)가 대응되게 배치되며, 상기 복수의 발광 다이오드(34)로부터 발생된 광이 입사된다. 상기 도광판(70)은 면 광원이 발생되는 상면, 상면의 반대측 하면, 적어도 네 개의 측면들을 포함하는 다각형 형상으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판(70)은 압출 성형법에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(70)의 상면 또는/및 하면에는 반사 패턴(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 반사 패턴은 소정의 패턴 예컨대, 도트 패턴 또는/및 프리즘 패턴으로 이루어져 입사되는 광을 반사 또는/및 난반사 시킴으로써, 광은 상기 도광판(70)의 전 표면을 통해 균일하게 조사될 수 있다. 상기 도광판(70)의 하면은 반사 패턴으로 형성될 수 있으며, 상기 상면은 프리즘 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 도광판(70)의 내부에는 산란제가 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(70)의 하부에는 반사 부재(45)가 구비될 수 있다. 상기 반사 부재(45)는 상기 도광판(70)의 하부로 진행하는 광을 표시 패널 방향으로 반사시켜 주게 된다. 상기 백 라이트 유닛(20)은 상기 도광판(70)의 하부로 누설된 광을 상기 반사 부재(45)에 의해 상기 도광판(70)에 재 입사시켜 주므로 광 효율의 저하, 광 특성의 저하 및 암부 발생 등의 문제를 방지할 수 있다. 상기 반사 부재(45)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(45)는 상기 바텀 커버(40)의 바닥부(41A)에 형성된 반사층일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(40)는 상부가 개방된 수납부(41)를 포함하며, 상기 수납부(41)에는 발광 모듈(30), 광학 시트(60), 도광판(70) 및 반사 부재(45)가 수납될 수 있다. 여기서, 상기 도광판(70) 및 광학 시트(60)는 광학 부재로 정의될 수 있다.
상기 바텀 커버(40)는 방열 효율이 높은 금속 예를 들어, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 티타늄(Ti), 탄탈룸(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb) 및 상기 이들의 선택적인 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 바텀 커버(40)의 수납부(41)에는 반사 부재(45), 도광판(70), 광학 시트(60)가 순차적으로 적층될 수 있고, 상기 발광 모듈(30)은 상기 바텀 커버(40)의 제1측면부(42)에서 상기 도광판(70)의 한 측면과 대응되게 배치된다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 발광 다이오드(34)는 제1발광 다이오드(34-1)와 제2발광 다이오드(34-2)를 포함한다. 상기 연결 플레이트(32)는 제1연결 플레이트(321), 제2연결 플레이트(322), 및 제3연결 플레이트(323)를 포함한다. 실시 예는 설명의 편의를 위해 2개의 발광 다이오드(34-1,34-2)와 3개의 연결 플레이트(321,322,323)의 연결 구조를 예로 설명하기로 한다.
상기 발광 다이오드(34)의 구조를 보면, 캐비티(342)를 갖는 몸체(341), 상기 몸체(341)에 적어도 일부가 배치된 복수의 리드 프레임(345,346)과, 상기 몸체(341) 상에 상기 복수의 리드 프레임(345,346)(도2,3 346 도면부호 추가)과 전기적으로 연결되는 발광 칩(101)과, 상기 캐비티(342) 상에 상기 발광 칩(101)을 포위하는 몰딩 부재(349)를 포함한다.
상기 몸체(341)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 몸체(341)는 내부에 캐비티(cavity)(342) 및 그 둘레에 경사면을 갖는 반사부를 포함한다.
상기 복수의 리드 프레임(345,346)은 제1리드 프레임(345) 및 상기 제2리드 프레임(346)으로 구분되며 물리적으로 서로 이격된다. 상기 제1리드 프레임(345)과 상기 제2리드 프레임(346)은 분리부(343)에 의해 분리되고, 상기 분리부(343)는 몸체(341)의 재질과 동일한 절연 재질로 형성될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(345) 및 상기 제2리드 프레임(346)의 내측부는 상기 캐비티(342)의 바닥부에 배치되고, 외측부는 상기 몸체(341)와 접촉되어 배치될 수 있다.
상기 발광 칩(101)은 상기 제1리드 프레임(345) 또는/및 제2리드 프레임(346) 중 적어도 하나의 위에 적어도 하나가 배치되며, 와이어(348)를 이용하여 제1리드 프레임(345) 및 제2리드 프레임(346)과 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 제1리드 프레임(345) 상에 다이 본딩되고 제2리드 프레임(346)과 와이어(348)로 연결되거나, 상기 제1리드 프레임(345)과 상기 제2리드 프레임(346) 상에 플립 방식으로 탑재될 수 있다. 또한 상기 발광 칩(101)은 상기 몸체(341) 상에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 칩(101)은 자외선 대역의 파장부터 가시광선 대역의 파장 범위 내에서 선택적인 피크 파장을 발광하며, 예컨대 청색 LED 칩, 적색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 자외선 LED 칩을 포함한다.
상기 제1리드 프레임(345) 및 제2리드 프레임(346)은 상기 발광 칩(101)에 전원을 공급하고, 상기 발광 칩(101)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 칩(101)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 기능을 할 수도 있다.
상기 몰딩 부재(349)는 상기 발광 칩(101)을 포위하여 상기 발광 칩(101)을 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩 부재(349)에는 형광체가 첨가되고, 상기 형광체는 상기 발광 칩(101)에서 방출된 광의 파장을 변화시켜 주게 된다.
상기 제1리드 프레임(345)은 제1돌출부(345-1)를 포함하며, 상기 제1돌출부(345-1)는 상기 제1리드 프레임(345)으로부터 상기 몸체(341)의 제1측면(S1)보다 더 돌출되게 형성된다. 상기 제1돌출부(345-1)는 상기 제1리드 프레임(345)으로부터 수평하게 돌출되거나, 상기 몸체(341)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
상기 제2리드 프레임(346)은 제2돌출부(346-1)를 포함하며, 상기 제2돌출부(346-1)는 상기 제2리드 프레임(346)으로부터 상기 몸체(341)의 제1측면(S1)의 반대측 제2측면(S2)보다 더 돌출되게 형성된다. 상기 제2돌출부(346-1)는 상기 제2리드 프레임(346)으로부터 수평하게 돌출되거나, 상기 몸체(341)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(345)의 제1돌출부(345-1)는 상기 몸체(341)의 제1측면(S1)으로부터 소정 길이(D2)로 돌출될 수 있으며, 상기 제2돌출부(346-1)는 상기 몸체(341)의 제2측면으로부터 상기 제1돌출부(345-1)와 동일한 길이로 돌출될 수 있다. 여기서, 상기 길이(D2)는 결합 부재(38,39)의 직경보다 더 클 수 있다.
상기 제1돌출부(345-1)에는 제1구멍(345-2)이 형성되며, 상기 제1구멍(345-2)은 상기 제1돌출부(345-1)의 소정 영역에 배치될 수 있다. 상기 제2돌출부(346-1)에는 제2구멍(346-2)이 형성되며, 상기 제2구멍(346-2)은 상기 제2돌출부(346-1)의 소정 영역에 배치될 수 있다.
상기 제1구멍(345-2)과 상기 제2구멍(346-2)은 중심부가 서로 같은 선상에 배치될 수 있으며, 또는 각 구멍(345-2,346-2)의 중심부가 서로 어긋나게 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연결 플레이트(32)에는 제1결합 구멍(331) 및 제2결합 구멍(332)이 형성되며, 상기 제1결합 구멍(331) 및 상기 제2결합 구멍(332)은 상기 연결 플레이트(32)의 상면으로부터 상기 연결 플레이트(32)의 두께보다 낮은 깊이(D3)로 형성된다. 상기 깊이(D3)가 상기 연결 플레이트(32)의 두께보다 얇게 하여, 전기 전도성을 갖는 결합 부재(38,39)가 바텀 커버의 측면부(42)에 접촉되는 것을 방지할 수 있다.
상기 제1발광 다이오드(34-1)는 제1연결 플레이트(321) 및 제2연결 플레이트(322) 상에 배치된다. 상기 제1연결 플레이트(321)는 상기 제1발광 다이오드(34-1)의 제1영역 아래에 배치되고, 상기 제2연결 플레이트(322)는 상기 제1발광 다이오드(34-2)의 제2영역 아래에 배치된다. 즉, 상기 각 발광 다이오드(34-1,34-2) 아래의 서로 다른 영역에 서로 다른 연결 플레이트(321,322)(322,323)이 배치될 수 있다.
상기 몸체(341)에 캐비티(342)가 형성된 면은 상기 몸체가 상기 제1 및 제2연결 플레이트(321,322)와 대향되는 면의 반대측 면일 수 있다.
상기 제1발광 다이오드(34-1)는 상기 제1연결 플레이트(321)에 제1결합 부재(38)로 결합되고, 상기 제2연결 플레이트(322)에 제2결합 부재(39)로 결합된다. 상기 제1결합 부재(38)는 상기 제1발광 다이오드(34-1)의 제1리드 프레임(345)의 제1구멍(345-2)을 통해 상기 제1연결 플레이트(321)의 제1결합 구멍(331)에 결합된다. 상기 제2결합 부재(39)는 상기 제1발광 다이오드(34-1)의 제2리드 프레임(346)의 제2구멍(346-2)을 통해 상기 제2연결 플레이트(322)의 제2결합 구멍(332)에 결합된다. 여기서, 상기 제1결합 부재(38)와 상기 제2결합 부재(39)는 나사 또는 리벳을 포함하며, 일 예로서 나사로 구현될 수 있다. 상기 제1 및 제2결합 부재(38,39)가 나사인 경우, 와셔와 같은 보조 기구물이 더 배치될 수 있다. 상기 제1연결 플레이트(321) 및 상기 제2연결 플레이트(322)의 제1결합 구멍(331) 및 제2결합 구멍(332)은 둘레에 나사 선이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1발광 다이오드(34-1)는 인접한 서로 다른 연결 플레이트(321,322) 예컨대, 제1연결 플레이트(321)와 제2연결 플레이트(322)와 전기적으로 연결된다.
상기 제1연결 플레이트(321)의 제1결합 구멍(331)과 제2연결 플레이트(322)의 제2결합 구멍(332) 간의 간격(D4)은 상기 발광 다이오드(34)의 제1구멍(345-2)과 상기 제2구멍(346-2) 사이의 간격과 동일한 간격으로 형성될 수 있다.
상기 제2발광 다이오드(34-2)는 제2연결 플레이트(322) 및 제3연결 플레이트(323) 상에 배치된다. 상기 제1결합 부재(38)는 상기 제2발광 다이오드(34-2)의 제1리드 프레임(345)의 제1구멍(345-2)을 통해 상기 제2연결 플레이트(322)의 제1결합 구멍(331)에 결합된다. 상기 제2결합 부재(39)는 상기 제2발광 다이오드(34-2)의 제2리드 프레임(346)의 제2구멍(346-2)을 통해 상기 제3연결 플레이트(323)의 제2결합 구멍(332)에 결합된다. 상기 제2연결 플레이트(322) 및 상기 제3연결 플레이트(323)의 제1결합 구멍(331) 및 제2결합 구멍(332)은 둘레에 나사 선이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2발광 다이오드(34-2)는 인접한 서로 다른 연결 플레이트(322,323) 예컨대, 제2연결 플레이트(322)와 제3연결 플레이트(323)와 전기적으로 연결된다. 상기 제2연결 플레이트(322)는 인접한 제1발광 다이오드(34-1)와 제2발광 다이오드(34-2)를 전기적으로 연결 예컨대, 직렬로 연결시켜 줄 수 있다.
여기서, 인접한 연결 플레이트(322,323) 간의 간격(D1)은 상기 발광 다이오드(34)의 분리부(343)의 너비보다 더 넓게 이격될 수 있으며, 이러한 간격(D1)은 인접한 연결 플레이트(321,322)(322,223) 간의 물리적인 접촉을 방지하게 된다.
상기 복수의 연결 플레이트(32:321,322,323)는 상기 바텀 커버의 제1측면부(42) 상에 접착 부재(50)로 접착될 수 있다.
도 4를 참조하면, 제1리드 프레임(345) 및 제2리드 프레임(346)의 너비(W3)은 몸체(341)의 너비(W2)보다 좁은 너비로 형성될 수 있으며, 상기 몸체(341)의 길이(L1)는 제1구멍(345-2)과 제2구멍(346-2) 간의 간격(D4) 보다 좁게 형성될 수 있다. 또한 상기 각 연결 플레이트(34)의 길이는 상기 발광 다이오드(34)의 길이보다 길게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 여기서, 상기 몸체(341)의 너비(W2)는 발광 다이오드(34)의 가로 및 세로 중 어느 한 변이 될 수 있고, 길이(L1)은 상기 몸체(341)의 너비(W2)와 직교하는 방향이 될 수 있다. 예컨대, 몸체(341)가 장변과 단변인 경우, 상기 몸체(341)의 너비(W2)는 단변일 수 있고, 길이(L1)은 몸체(341)의 장변일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 5는 제2실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 제1발광 다이오드(34-1)의 제1리드 프레임(345)은 제1연결 플레이트(321) 상에 제1접착 부재(52)로 접착되고, 제2리드 프레임(346)은 제2연결 플레이트(322) 상에 제2접착 부재(53)로 접착된다. 상기 제1접착 부재(52)와 상기 제2접착 부재(53)는 전도성 테이프를 포함할 수 있다. 상기 제1발광 다이오드(34-1)의 제1리드 프레임(345)과 상기 제2리드 프레임(346)에는 구멍이 형성되지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 여기서, 각 연결 플레이트(321,322,323)에는 하나의 접착 부재가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 6은 실시 예에 있어서, 발광 다이오드의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 6을 참조하면, 발광 다이오드(34)는 제1리드 프레임(345)의 제1돌출부(345-1)에 오목부(345-3)가 배치되며, 상기 제2리드 프레임(346)의 제2돌출부(346-1)에 오목부(346-3)가 배치된다.
상기 제1 및 제2돌출부(345-1,346-1)의 오목부(345-3,346-3)는 반구형의 홈 형상을 포함하며, 나사와 같은 결합 부재가 이탈되지 않을 정도의 곡률을 갖고 오목한 형태로 형성된다. 상기 제1 및 제2돌출부(345-1,346-1)는 별도의 구멍을 형성하지 않아도 되므로, 제1돌출부(345-1) 및 제2돌출부(346-1)의 길이를 줄일 수 있다. 또한 발광 다이오드(34)의 제조공정 상에서 하나의 구멍을 형성한 후, 그 구멍의 중심부를 커팅하여 개별 발광 다이오드로 분리함으로써, 상기의 제1 및 제2돌출부(345-1,346-1)의 오목부(345-3,346-3)가 형성될 수 있다. 이는 제조 공정의 개선 효과가 있다. 상기 제1 및 제2돌출부(345-1,346-1)의 오목부(345-3,346-3)의 개수는 하나 이상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 7은 제3실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 7을 참조하면, 복수의 발광 다이오드는 중간 돌출부(346A)를 통해 서로 연결된 적어도 2개의 발광 다이오드(34-1,34-2)를 포함한다. 상기 제1 및 제2발광 다이오드(34-1,34-2)는 중간 돌출부(346A)에 의해 서로 연결되며, 상기 중간 돌출부(346A)는 제1발광 다이오드(34-1)의 제2리드 프레임(346)과 제2발광 다이오드(34-2)의 제1리드 프레임(345)을 일체로 연결시켜 주며, 상기 제1발광 다이오드(34-1)과 상기 제2발광 다이오드(34-2)의 간격(D5)을 유지시켜 준다.
상기 중간 돌출부(346A)의 길이는 상기 제1발광 다이오드(34-1)의 제2측면(S2)과 상기 제2발광 다이오드(34-2)의 제1측면 사이의 간격(D5)과 동일한 간격일 수 있다. 상기 중간 돌출부(346A)에는 구멍(346-2)이 형성되며, 상기 구멍(346-2)을 통해 결합 부재가 결합될 수 있다.
도 8은 실시 예에 있어서, 발광 다이오드의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 8을 참조하면, 발광 다이오드(44)는 캐비티(442)를 갖는 몸체(441), 상기 몸체(441)의 하면(S3)로부터 이격된 제1리드 프레임(445) 및 제2리드 프레임(446)과, 상기 몸체(441) 상에 상기 제1리드 프레임(445) 및 제2리드 프레임(446)과 전기적으로 와이어(448)로 연결되는 발광 칩(101)과, 상기 몸체(441) 상에 상기 발광 칩(101)를 포위하는 몰딩 부재(449)를 포함한다.
상기 제1리드 프레임(445)과 상기 제2리드 프레임(446)은 상기 몸체(441)의 하면(S3)으로부터 소정 거리(D6) 이격된다. 이에 따라 상기 몸체(441)의 하면(S3)은 제1연결 플레이트 및 제2연결 플레이트 상에 배치될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(445)의 제1돌출부(445-1)는 제1구멍(445-2)을 갖고, 상기 몸체(441)의 제1측면(S1)에서 절곡되어 상기 몸체(441)의 하면(S3)과 수평하게 배치된다.
상기 제2리드 프레임(446)의 제2돌출부(446-1)는 제2구멍(446-2)을 갖고, 상기 몸체(441)의 제2측면(S2)에서 절곡되어 상기 몸체(441)의 하면(S3)과 수평하게 배치된다.
도 9는 실시 예에 있어서, 발광 다이오드의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 발광 다이오드(54)는 몸체(541)의 캐비티(542)의 바닥부 및 측면부에 배치된 제1 및 제2리드 프레임(545,546)과, 제1리드 프레임(545)으로부터 돌출된 제1돌출부(545-1), 상기 제2리드 프레임(546)으로부터 돌출된 제2돌출부(546-1), 상기 제1 및 제2리드 프레임(545,546)과 와이어(548)로 연결되는 발광 칩(101)과, 몰딩 부재(549)를 포함한다.
상기 제1 및 제2리드 프레임(545,546)은 상기 캐비티(542)의 측면부로 절곡된 제1절곡부(545-3,546-3), 상기 제1절곡부(545-3,546-3)로부터 수평하게 절곡된 제2절곡부(545-4,546-4), 상기 제2절곡부(545-4,546-4)로부터 상기 몸체(541)의 각 측면(S1,S2)을 따라 수직하게 절곡된 제3절곡부(545-5,-546-5)를 갖는 제1 및 제2돌출부(545-1,546-1)를 포함한다.
상기 제1돌출부(545-1)는 상기 제1리드 프레임(545)으로부터 상기 몸체(541)의 제1측면(S1)을 따라 배치되고, 상기 몸체(541)의 하면(S3)과 수평한 방향으로 연장되며, 일부에 제1구멍(545-2)이 형성된다.
상기 제2돌출부(546-1)는 상기 제2리드 프레임(546)으로부터 상기 몸체(541)의 제2측면(S2)을 따라 배치되며, 상기 몸체(541)의 하면(S3)과 수평한 방향으로 연장되며, 일부에 제2구멍(546-2)이 형성된다.
도 10은 제4실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 10을 참조하면, 상기 발광 다이오드(64)는 캐비티(642)를 갖는 몸체(641)과, 상기 캐비티(642)에 발광 칩(101) 및 몰딩 부재(649), 상기 캐비티(642)의 바닥에 리드 프레임(645,646) 을 포함한다.
제1연결 플레이트(321)와 제2연결 플레이트(322) 사이의 간격(D5)는 발광 다이오드(34)의 몸체(641)의 길이(L1)보다는 더 넓게 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 발광 다이오드(64)의 몸체(641)의 하부(641-1)는 상기 제1연결 플레이트(321)와 상기 제2연결 플레이트(322) 사이에 배치된다.
상기 발광 다이오드(64)의 제1리드 프레임(645)의 제1돌출부(645-1)는 상기 제1연결 플레이트(321) 상에 배치되며, 제2리드 프레임(646)의 제2돌출부(646-1)는 상기 제2연결 플레이트(322) 상에 배치된다. 상기 발광 다이오드(64)의 제1리드 프레임(645)과 상기 제2리드 프레임(646)의 하면은 상기 몸체(641)의 하면(S3)으로부터 소정 간격(D8)으로 이격된다. 상기 간격(D8)은 상기 연결 플레이트(32)의 두께보다 얇게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 제1 및 제2리드 프레임(645,646)은 제1 및 제2돌출부(645-1,646-1)를 포밍하지 않기 때문에, 몸체(641)와의 갭(Gap)이 거의 발생되지 않아, 습기 침투를 억제할 수 있다.
상기 발광 다이오드(64)의 제1 및 제2리드 프레임(645,646)에 배치된 제1 및 제2구멍(645-2,646-2)을 통해 제1 및 제2결합 부재(38,39)로 각각 결합될 수 있다.
도 11은 제5실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 발광 다이오드(74)는 사이드 뷰(side view) 타입의 패키지로서, 캐비티(742)를 갖는 몸체(741), 상기 몸체(741)에 적어도 일부가 배치된 제1리드 프레임(745) 및 제2리드 프레임(746)과, 상기 몸체(741) 상에 상기 제1리드 프레임(745) 및 제2리드 프레임(746)과 와이어(748)로 전기적으로 연결되는 발광 칩(101)과, 상기 발광 칩(101)를 포위하는 몰딩 부재를 포함한다.
상기 발광 다이오드(74)는 캐비티(742)가 배치된 제4측면(S4)과 실장되는 제5측면(S5)이 인접한 면으로 배치된다. 상기 제4측면(S4)은 제1리드 프레임(745)의 제1돌출부(745-1)와 제2리드 프레임(746)의 제2돌출부(746-1)의 수평한 방향과 거의 직각으로 배치된다. 상기 발광 다이오드(74)는 실장되는 면과 광 출사면이 직각으로 배치된다. 상기 몸체(741)의 캐비티(742)가 형성된 면은 상기 몸체가 상기 제1 및 제2연결 플레이트(321,322)와 대향되는 면과 직각인 면일 수 있다.
제1리드 프레임(745)의 제1돌출부(745-1)와 제2리드 프레임(746)의 제2돌출부(746-1)에는 제1 및 제2구멍(745-2,746-2)이 배치되어, 결합 부재(38,39)가 결합될 수 있다.
도 12는 제5실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 12를 참조하면, 발광 모듈은 제1연결 플레이트(321)와 제2연결 플레이트(322) 사이에 접착 부재(325)가 배치된다. 상기 접착 부재(325)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질을 포함할 수 있으며, 제1연결 플레이트(321)와 상기 제2연결 플레이트(322) 사이를 서로 접착시켜 준다.
또한 상기 제1연결 플레이트(321)는 측면부(321-1)에 단차진 구조를 포함하며, 상기 단차진 구조는 상부보다 하부가 제2연결 플레이트(322) 방향으로 더 돌출될 수 있다.
상기 제2연결 플레이트(322)는 측면부(322-1)에 단차진 구조를 포함하며, 상기 단차진 구조는 상부보다 하부가 제1연결 플레이트(321) 방향으로 더 돌출된다.
상기 접착 부재(325)는 상기 제1연결 플레이트(321)와 상기 제2연결 플레이트(322)의 측면부(321-1,322-1)에 접착되어, 상기 제1연결 플레이트(321)와 상기 제2연결 플레이트(322) 사이의 접착력을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 접착 부재(325)는 상부 너비(D9)가 하부 너비(D10)보다 더 넓은 구조로 형성될 수 있어, 하 방향으로의 이탈을 방지할 수 있다.
도 13 및 도 14은 도 12의 제1연결 플레이트와 제2연결 플레이트의 다른 구조를 나타낸 도면이다.
도 13을 참조하면, 제1연결 플레이트(321) 및 제2연결 플레이트(322)의 측면부(322-1,322-1)에는 요철 구조(321-2,322-2)를 포함한다. 상기 제1연결 플레이트(321)와 상기 제2연결 플레이트(322) 사이에 배치된 접착 부재(325)와 상기 요철 구조(321-2,322-2) 사이의 접착력은 강화될 수 있다. 상기 요철 구조(321-2,322-2)의 형상은 삼각형 형상의 오목부와 볼록부가 교대로 배치될 수 있다.
도 14은 상기 요철 구조(321-3,322-3)가 사각형 형상의 오목부와 볼록부가 교대로 배치된다. 실시 예의 요철 구조(321-3,322-3)는 다각형 형상이거나, 소정의 곡률을 갖는 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 15는 실시 예에 있어서, 발광 다이오드의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 15를 참조하면, 발광 다이오드(84)는 제1캐비티(842)를 갖는 몸체(841), 제2캐비티(842-1)를 갖는 제1리드 프레임(845), 제3 캐비티(842-2)를 갖는 제2리드 프레임(846), 발광 칩들(101), 와이어들(848) 및 몰딩 부재(849)를 포함한다.
상기 몸체(841)는 폴리프탈아미드(PPA:Polyphthalamide)와 같은 수지 재질, 실리콘(Si), 금속 재질, PSG(photo sensitive glass), 사파이어(Al2O3), 인쇄회로기판(PCB) 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 몸체(841)의 상면 형상은 발광 다이오드(84)의 용도 및 설계에 따라 삼각형, 사각형, 다각형, 및 원형 등 다양한 형상을 가질 수 있다. 상기 제1리드 프레임(845) 및 제2리드 프레임(846)은 몸체(841)의 바닥에 배치되어 직하 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 상기 몸체(841)의 측면에 배치되어 에지 타입으로 기판 상에 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
몸체(841)는 상부가 개방되고, 측면과 바닥으로 이루어진 제1캐비티(cavity)(842)를 갖는다. 상기 제1캐비티(842)은 상기 몸체(841)의 상면으로부터 오목한 컵 구조 또는 리세스 구조를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 제1캐비티(842)의 측면은 바닥에 대해 수직하거나 경사질 수 있다.
제1캐비티(842)를 위에서 바라본 형상은 원형, 타원형, 다각형(예컨대, 사각형)일 수 있다. 제1캐비티(842)의 모서리는 곡면이거나, 평면일 수 있다.
상기 제1리드 프레임(845)은 상기 제1캐비티(842)의 제1영역에 배치되며, 상기 제1캐비티(842)의 바닥에 일부가 배치되고 그 중심부에 상기 제1캐비티(842)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제2캐비티(842-1)가 배치된다. 상기 제2캐비티(842-1)는 상기 제1리드 프레임(845)의 상면으로부터 상기 몸체(841)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제2캐비티(842-1)의 측면은 상기 제2캐비티(842-1)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제2캐비티(842-1)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다.
상기 제2리드 프레임(846)은 상기 제1캐비티(842)의 제1영역과 이격되는 제2영역에 배치되며, 상기 제1캐비티(842)의 바닥에 일부가 배치되고, 그 중심부에는 상기 제1캐비티(842)의 바닥보다 더 낮은 깊이를 갖도록 오목한 제3캐비티(842-2)가 형성된다. 상기 제3캐비티(842-2)는 상기 제2리드 프레임(846)의 상면으로부터 상기 몸체(841)의 하면 방향으로 오목한 형상, 예컨대, 컵(Cup) 구조 또는 리세스(recess) 형상을 포함한다. 상기 제3캐비티(842-2)의 측면은 상기 제3캐비티(842-2)의 바닥으로부터 경사지거나 수직하게 절곡될 수 있다. 상기 제3캐비티(842-2)의 측면 중에서 대향되는 두 측면은 동일한 각도로 경사지거나 서로 다른 각도로 경사질 수 있다.
상기 제1리드 프레임(845)의 하면 및 상기 제2리드 프레임(846)의 하면은 상기 몸체(841)의 하면으로 노출되거나, 상기 몸체(841)의 하면과 동일 평면 상에 배치될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(845)의 제1돌출부(845-1)는 제1구멍(845-2)을 갖고, 상기 몸체(841)의 하면에 배치되고 상기 몸체(841)의 제1측면(S1)으로 돌출될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(846)의 제2돌출부(846-1)는 제2구멍(846-2)을 갖고, 상기 몸체(841)의 하면에 배치되고 상기 몸체(841)의 제1측면(S1)의 반대측 제2측면(S2)으로 돌출될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(845) 및 제2리드 프레임(846)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 단일 금속층 또는 다층 금속층으로 형성될 수 있다. 상기 제1, 제2리드 프레임(845,846)의 두께는 동일한 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2캐비티(842-1) 및 상기 제3캐비티(842-2)의 바닥 형상은 직사각형, 정 사각형 또는 곡면을 갖는 원 또는 타원 형상일 수 있다.
상기 몸체(841) 내에는 상기 제1 및 제2리드 프레임(845,846)를 제외한 다른 금속 프레임이 더 배치되어, 방열 프레임이나 중간 연결 단자로 사용된다.
상기 제1리드 프레임(845)의 제2캐비티(842-1) 내에는 제1발광 칩(101)이 배치되며, 상기 제2리드 프레임(846)의 제3캐비티(842-2) 내에는 제2발광 칩(101)이 배치될 수 있다. 상기 발광 칩(101)는 가시광선 대역부터 자외선 대역의 범위 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 레드 LED 칩, 블루 LED 칩, 그린 LED 칩, 엘로우 그린(yellow green) LED 칩 중에서 선택될 수 있다. 상기 발광 칩(101)은 III족 내지 V족 원소의 화합물 반도체 발광소자를 포함한다.
상기 몸체(841)의 제1캐비티(842), 상기 제2캐비티(842-1) 및 제3캐비티(842-2) 중 적어도 한 영역에는 몰딩 부재(849)가 배치되며, 상기 몰딩 부재(849)는 실리콘 또는 에폭시와 같은 투광성 수지층을 포함하며, 단층 또는 다층으로 형성될 수 있다. 상기 몰딩 부재(849) 또는 상기 발광 칩(101) 상에는 방출되는 빛의 파장을 변화하기 위한 형광체를 포함할 수 있으며, 상기 형광체는 발광 칩(101)에서 방출되는 빛의 일부를 여기시켜 다른 파장의 빛으로 방출하게 된다. 상기 형광체는 YAG, TAG, Silicate, Nitride, Oxy-nitride 계 물질 중에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 형광체는 적색 형광체, 황색 형광체, 녹색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(849)의 표면은 플랫한 형상, 오목한 형상, 볼록한 형상 등으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 몸체(841)의 상부에는 렌즈가 더 형성될 수 있으며, 상기 렌즈는 오목 또는/및 볼록 렌즈의 구조를 포함할 수 있으며, 발광 다이오드(84)가 방출하는 빛의 배광(light distribution)을 조절할 수 있다.
상기 제1발광 칩(101)은 상기 제1캐비티(842)의 바닥에 배치된 제1리드 프레임(845)과 제2리드 프레임(846)에 연결될 수 있으며, 그 연결 방식은 와이어(848)를 이용하거나, 다이 본딩 또는 플립 본딩 방식을 이용할 수 있다. 상기 제2발광 칩(101)은 상기 제1캐비티(842-2)의 바닥에 배치된 제1리드 프레임(845)과 제2리드 프레임(846)에 전기적으로 연결될 수 있으며, 그 연결 방식은 와이어(848)를 이용하거나, 다이 본딩 또는 플립 본딩 방식을 이용할 수 있다.
상기 제1캐비티(842) 내에는 보호 소자가 배치될 수 있으며 상기 보호소자는 싸이리스터, 제너 다이오드, 또는 TVS(Transient voltage suppression)로 구현될 수 있으며, 상기 보호소자는 상기 발광 칩을 ESD(electro static discharge)로 부터 보호하게 된다.
도 16은 제6실시 예에 따른 발광 모듈을 나타낸 도면이다.
도 16을 참조하면 발광 다이오드(94)는 캐비티(942)를 갖는 몸체(941), 제1리드 프레임(945), 제2리드 프레임(946), 상기 제1리드 프레임(945)과 제2리드 프레임(946) 사이에 방열 프레임(947), 발광 칩(101) 및 몰딩 부재(949)를 포함한다.
상기 방열 프레임(947) 상에는 발광 칩(101)이 배치되며, 상기 발광 칩(101)은 제1리드 프레임(945)과 제2리드 프레임(946)에 와이어(948)로 연결된다.
상기 제1연결 플레이트(321)는 상기 발광 다이오드(94)의 상기 제1리드 프레임(945) 상에 배치되며, 제2연결 플레이트(322)는 상기 발광 다이오드(94)의 방열 프레임(947)과 상기 제2리드 프레임(946) 상에 배치되며, 결합 부재(38,39)로 결합될 수 있다.
도 17은 도 1의 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 17을 참조하면, 발광 칩(101)은 기판(111), 버퍼층(113), 저전도층(115), 제1도전형 반도체층(117), 활성층(119), 제2클래드층(121), 제2도전형 반도체층(123), 전극층(141), 제2전극(145) 및 제1전극(143)을 포함한다.
상기 기판(111)은 투광성, 절연성 또는 도전성 기판을 이용할 수 있으며, 예컨대, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge, Ga2O3, LiGaO3 중 적어도 하나를 이용할 수 있다. 상기 기판(111)의 상면에는 복수의 돌출부(112)가 형성될 수 있으며, 상기의 복수의 돌출부(112)는 상기 기판(111)의 식각을 통해 형성하거나, 별도의 러프니스와 같은 광 추출 구조로 형성될 수 있다. 상기 돌출부(112)는 스트라이프 형상, 반구형상, 또는 돔(dome) 형상을 포함할 수 있다. 상기 기판(111)의 두께는 30㎛~300㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 기판(111) 위에는 복수의 화합물 반도체층이 성장될 수 있으며, 상기 복수의 화합물 반도체층의 성장 장비는 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition) 등에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다.
상기 기판(111) 위에는 버퍼층(113)이 형성될 수 있으며, 상기 버퍼층(113)은 2족 내지 6족 화합물 반도체를 이용하여 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(113)은 III족-V족 화합물 반도체를 이용한 반도체층을 포함하며, 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체로서, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함한다. 상기 버퍼층(113)은 서로 다른 반도체층을 교대로 배치하여 초 격자 구조로 형성될 수 있다.
상기 버퍼층(113)은 상기 기판(111)과 질화물 계열의 반도체층과의 격자 상수의 차이를 완화시켜 주기 위해 형성될 수 있으며, 결함 제어층으로 정의될 수 있다. 상기 버퍼층(113)은 상기 기판(111)과 질화물 계열의 반도체층 사이의 격자 상수 사이의 값을 가질 수 있다. 상기 버퍼층(113)은 ZnO 층과 같은 산화물로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 버퍼층(113)은 30~500nm 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 버퍼층(113) 위에 저 전도층(115)이 형성되며, 상기 저 전도층(115)은 언도프드 반도체층으로서, 제1도전형 반도체층(117)보다 낮은 전기 전도성을 가진다. 상기 저 전도층(115)은 3족-5족 화합물 반도체를 이용한 GaN계 반도체로 구현될 수 있으며, 이러한 언도프드 반도체층은 의도적으로 도전형 도펀트를 도핑하지 않더라도 제1도전형 특성을 가지게 된다. 상기 언도프드 반도체층은 형성하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 저 전도층(115)은 복수의 제1도전형 반도체층(117) 사이에 형성될 수 있다.
상기 저 전도층(115) 위에는 제1도전형 반도체층(117)이 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(117)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 화합물 반도체로 구현되며, 예컨대 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(117)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1도전형의 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다.
상기 저 전도층(115)과 상기 제1도전형 반도체층(117) 중 적어도 한 층에는 서로 다른 제1층과 제2층이 교대로 배치된 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 상기 제1층과 제2층의 두께는 수 Å 이상으로 형성될 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(117)과 상기 활성층(119) 사이에는 제1클래드층(미도시)이 형성될 수 있으며, 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다. 다른 예로서, 상기 제1 클래드층(미도시)은 InGaN층 또는 InGaN/GaN 초격자 구조로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지 않는다. 상기 제1 클래드층은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(117) 위에는 활성층(119)이 형성된다. 상기 활성층(119)은 단일 우물, 단일 양자 우물, 다중 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층(119)은 우물층과 장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층은 에너지 준위가 연속적인 우물층일 수 있다. 또한 상기 우물층은 에너지 준위가 양자화된 양자 우물(Quantum Well)일 수 있다. 상기의 우물층은 양자 우물층으로 정의될 수 있으며, 상기 장벽층은 양자 장벽층으로 정의될 수 있다. 상기 우물층과 상기 장벽층의 페어는 2~30주기로 형성될 수 있다. 상기 우물층은 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 더 넓은 밴드 갭을 갖는 반도체층으로 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있다. 상기 우물층과 장벽층의 페어는 예컨대, InGaN/GaN, AlGaN/GaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 우물층의 두께는 1.5~5nm 범위 내에 형성될 수 있으며, 예컨대 2~4nm 범위 내에서 형성될 수 있다. 상기 장벽층의 두께는 상기 우물층의 두께보다 더 두껍고 5~30nm의 범위 내에 형성될 수 있으며, 예컨대 5~7nm 범위 내에서 형성될 수 있다. 상기 장벽층 내에는 n형 도펀트를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 활성층(119)은 자외선 대역부터 가시광선 대역의 파장 범위 내에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 예컨대 420nm~450nm 범위의 피크 파장을 발광할 수 있다.
상기 활성층(119) 위에는 제2클래드층(121)이 형성되며, 상기 제2클래드층(121)은 상기 활성층(119)의 장벽층의 밴드 갭보다 더 높은 밴드 갭을 가지며, III-V족 화합물 반도체 예컨대, GaN 계 반도체로 형성될 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 클래드층(121)은 GaN, AlGaN, InAlGaN, InAlGaN 초격자 구조 등을 포함할 수 있다. 상기 제2 클래드층(121)은 n형 또는/및 p형 도펀트를 포함할 수 있으며, 예컨대 제2도전형 또는 저 전도성의 반도체층으로 형성될 수 있다.
상기 제2클래드층(121) 위에는 제2도전형 반도체층(123)이 형성되며, 상기 제2도전형 반도체층(123)은 제2도전형의 도펀트를 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(123)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(123)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등을 포함할 수 있다.
발광 구조물(150)의 층들의 전도성 타입은 반대로 형성될 수 있으며, 예컨대 상기 제2도전형의 반도체층들(121,123)은 n형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층(117)은 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 또한 상기 제2도전형 반도체층(123) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제3도전형 반도체층인 n형 반도체층이 더 형성할 수도 있다. 상기 반도체 발광소자(100)는 상기 제1도전형 반도체층(117), 활성층(119) 및 상기 제2도전형 반도체층(123)을 발광 구조물(150)로 정의될 수 있으며, 상기 발광 구조물(150)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 적어도 한 구조를 포함할 수 있다. 상기 n-p 및 p-n 접합은 2개의 층 사이에 활성층이 배치되며, n-p-n 접합 또는 p-n-p 접합은 3개의 층 사이에 적어도 하나의 활성층을 포함하게 된다.
한편, 상기 기판(111) 위의 화합물 반도체층(113~123)은 다음과 같은 성장 장비에 의해 성장될 수 있다. 상기 성장 장비는 예컨대, 전자빔 증착기, PVD(physical vapor deposition), CVD(chemical vapor deposition), PLD(plasma laser deposition), 이중형의 열증착기(dual-type thermal evaporator) 스퍼터링(sputtering), MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)에 의해 형성할 수 있으며, 이러한 장비로 한정하지는 않는다.
상기 전극층(141)은 전류 확산층으로서, 투광성 및 전기 전도성을 가지는 물질로 형성될 수 있다. 상기 전극층(141)은 화합물 반도체층의 굴절률보다 낮은 굴절률로 형성될 수 있다.
상기 전극층(141)은 제2도전형 반도체층(123)의 상면에 형성되며, 그 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), ZnO, IrOx, RuOx, NiO 등 중에서 선택되며, 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(141)은 반사 전극층으로 형성될 수 있으며, 그 물질은 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt, Ir 및 이들 중 2이상의 합금 중에서 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 제2전극(145)은 상기 제2도전형 반도체층(123) 및/또는 상기 전극층(141) 위에 형성될 수 있으며, 전극 패드를 포함할 수 있다. 상기 제2전극(145)은 암(arm) 구조 또는 핑거(finger) 구조의 전류 확산 패턴이 더 형성될 수 있다. 상기 제2전극(145)은 오믹 접촉, 접착층, 본딩층의 특성을 갖는 금속으로 비 투광성으로 이루어질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1도전형 반도체층(117)의 일부에는 제1전극(143)이 형성된다. 상기 제1전극(143)과 상기 제2전극(145)은 Ti, Ru, Rh, Ir, Mg, Zn, Al, In, Ta, Pd, Co, Ni, Si, Ge, Ag 및 Au와 이들의 선택적인 합금 중에서 선택될 수 있다.
상기 발광 칩(101)의 표면에 절연층이 더 형성될 수 있으며, 상기 절연층은 발광 구조물(145)의 층간 쇼트(short)를 방지하고, 습기 침투를 방지할 수 있다.
도 18은 도 1의 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 18을 참조하면, 도 17의 기판(111)을 제거하여 발광 구조물(150)을 노출시켜 준다. 상기 발광 구조물(150)의 아래에 전류 블록킹층(161), 채널층(163) 및 제2전극(170)이 배치된다. 상기 전류 블록킹층(161)은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 상기 채널층(163) 사이에 적어도 하나가 형성될 수 있다.
상기 전류 블록킹층(161)은 상기 발광 구조물(117) 위에 배치된 제1전극(181)과 상기 발광 구조물(150)의 두께 방향으로 대응되게 배치된다. 상기 전류 블록킹층(161)은 상기 제2전극(170)으로부터 공급되는 전류를 차단하여, 다른 경로로 확산시켜 줄 수 있다.
상기 채널층(163)은 상기 제2도전형 반도체층(123)의 하면 에지를 따라 형성되며, 링 형상, 루프 형상 또는 프레임 형상으로 형성될 수 있다. 상기 채널층(163)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 채널층(163)의 내측부는 상기 제2도전형 반도체층(123) 아래에 배치되고, 외측부는 상기 발광 구조물(150)의 측면보다 더 외측에 배치된다.
상기 제2도전형 반도체층(123) 아래에 제2전극(170)이 형성될 수 있다. 상기 제2전극(170)은 복수의 전도층(165,167,169)을 포함할 수 있다.
상기 제2전극(170)은 오믹 접촉층(165), 반사층(167), 및 본딩층(169)을 포함한다. 상기 오믹 접촉층(165)은 ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등과 같은 저 전도성 물질이거나 Ni, Ag의 금속을 이용할 수 있다. 상기 오믹 접촉층(165) 아래에 반사층(167)이 형성되며, 상기 반사층(167)은 Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 그 조합으로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질로 이루어진 적어도 하나의 층을 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 반사층(167)은 상기 제2도전형 반도체층(123) 아래에 접촉될 수 있으며, 금속으로 오믹 접촉하거나 ITO와 같은 저 전도 물질로 오믹 접촉할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 반사층(167) 아래에는 본딩층(169)이 형성되며, 상기 본딩층(169)은 베리어 금속 또는 본딩 금속으로 사용될 수 있으며, 그 물질은 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 및 Ta와 선택적인 합금 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 본딩층(169) 아래에는 지지 부재(173)가 형성되며, 상기 지지 부재(173)는 전도성 부재로 형성될 수 있으며, 그 물질은 구리(Cu-copper), 금(Au-gold), 니켈(Ni-nickel), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)와 같은 전도성 물질로 형성될 수 있다. 상기 지지부재(173)는 다른 예로서, 전도성 시트로 구현될 수 있다.
여기서, 상기 도 17의 기판은 제거하게 된다. 상기 성장 기판의 제거 방법은 물리적 방법(예: Laser lift off) 또는/및 화학적 방법(습식 에칭 등)으로 제거할 수 있으며, 상기 제1도전형 반도체층(117)을 노출시켜 준다. 상기 기판이 제거된 방향을 통해 아이솔레이션 에칭을 수행하여, 상기 제1도전형 반도체층(117) 상에 제1전극(181)을 형성하게 된다.
상기 제1도전형 반도체층(117)의 상면에는 러프니스와 같은 광 추출 구조(117A)로 형성될 수 있다. 상기 발광 구조물(150)의 측벽보다 외측에는 상기 채널층(163)의 외측부가 노출되며, 상기 채널층(163)의 내측부는 상기 제2도전형 반도체층(123)의 하면에 접촉될 수 있다.
이에 따라 발광 구조물(150) 위에 제1전극(181) 및 아래에 지지 부재(173)를 갖는 수직형 전극 구조를 갖는 발광 칩(102)가 제조될 수 있다.
실시 예에 따른 발광 모듈은 휴대 단말기, 컴퓨터 등의 백라이트 유닛 뿐만 아니라, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판, 가로등 등의 조명 장치에 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 직하 타입의 발광 모듈에는 상기 도광판을 배치하지 않을 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 발광 모듈 위에 렌즈 또는 유리와 같은 투광성 물질이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며, 첨부된 청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에게는 자명할 것이며, 이 또한 첨부된 청구범위에 기재된 기술적 사상에 속한다 할 것이다.
100: 표시장치, 10: 표시 패널, 20:백라이트 유닛, 30:발광 모듈, 32,321,322,323: 연결 플레이트, 34,44,54,64,74,84,94: 발광 다이오드, 40: 바텀 커버, 45: 반사 부재, 60:광학 시트, 70: 도광판, 38,39: 결합 부재, 345,346,445,446,545,546,645,646,745,746,845,846,945,946: 리드 프레임

Claims (20)

  1. 서로 이격되어 배치되는 제1연결 플레이트와 제3연결 플레이트, 상기 제1연결 플레이트와 상기 제3연결 플레이트 사이에 배치되는 제2연결 플레이트를 포함하는 연결 플레이트;
    상기 연결 플레이트에 형성된 복수의 결합구멍;
    상기 연결 플레이트 상에 배치되는 복수의 발광 다이오드;
    상기 복수의 발광 다이오드와 상기 연결 플레이트를 결합시키는 복수의 결합부재를 포함하고,
    상기 복수의 발광 다이오드는,
    몸체;
    상기 몸체 내에 이격되어 배치되는 제1리드 프레임과 제2리드 프레임;
    상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임을 분리시키는 분리부;
    상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 적어도 하나 위에 배치되는 발광 칩을 포함하고,
    상기 제1리드 프레임은 상기 몸체의 제1측면으로 상기 몸체보다 돌출되며 제1구멍을 포함하는 제1돌출부를 포함하고,
    상기 제2리드 프레임은 상기 몸체의 제1측면의 반대측인 제2측면으로 상기 몸체보다 돌출되며 제2구멍을 포함하는 제2돌출부를 포함하며,
    상기 결합부재는 상기 제1구멍 및 상기 제2구멍과 상기 결합 구멍에 배치되어 상기 복수의 발광 다이오드와 상기 연결 플레이트를 결합하고,
    상기 제2연결 플레이트는 제1발광 다이오드의 제2구멍 및 제2발광 다이오드의 제1구멍, 상기 제2연결 플레이트에 형성된 제2결합구멍과 제2결합부재에 의해 상기 제1발광 다이오드 및 상기 제2발광 다이오드와 결합되는 발광 모듈.
  2. 연결 플레이트;
    상기 연결 플레이트 상에 발광 다이오드;
    상기 연결 플레이트와 상기 발광 다이오드를 결합시키는 결합부재를 포함하고,
    상기 발광 다이오드는,
    몸체;
    상기 몸체 내에 배치되는 이격되어 제1리드 프레임과 제2리드 프레임;
    상기 제1리드 프레임과 상기 제2리드 프레임을 분리시키는 분리부;
    상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 적어도 하나 위에 배치되는 발광 칩을 포함하고,
    상기 제1리드 프레임은 상기 몸체의 제1측면으로 상기 몸체보다 돌출되며 제1오목부를 포함하는 제1돌출부를 포함하고,
    상기 제2리드 프레임은 상기 몸체 제1측면의 반대측인 제2측면으로 상기 몸체보다 돌출되며 제2오목부를 포함하는 제2돌출부를 포함하며,
    상기 제1오목부는 상기 몸체의 제1측면에서 제2측면 방향으로 오목하고 상기 제2오목부는 상기 몸체의 제2측면에서 제1측면 방향으로 오목하며,
    상기 발광 다이오드는 상기 제1오목부 및 상기 제2오목부와 상기 결합부재에 의해 상기 연결 플레이트와 결합되는 발광 모듈.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1연결 플레이트는 상기 제1발광 다이오드의 제1구멍 및 상기 제1연결 플레이트에 형성된 제1결합 구멍과 제1결합부재에 의해 상기 제1발광 다이오드와 결합되는 발광 모듈.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제3연결 플레이트는 상기 제2발광 다이오드의 제2구멍 및 상기 제3연결 플레이트에 형성된 제3결합 구멍과 제3결합 부재에 의해 상기 제2발광 다이오드와 결합되는 발광 모듈.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1연결 플레이트와 상기 제2연결 플레이트의 측면부에 단차 구조를 포함하는 발광 모듈.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1연결 플레이트와 상기 제2연결 플레이트의 측면부에 요철 구조를 더 포함하는 발광 모듈.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 제1결합 구멍 내지 상기 제3결합 구멍은 둘레에 나사선을 포함하고,
    상기 제1결합부재 내지 상기 제3결합부재는 나사를 포함하는 발광 모듈.
  8. 제4항에 있어서,
    상기 제1리드 프레임의 제1돌출부는 상기 몸체의 제1측면에서 절곡되어 상기 몸체의 하면과 수평하게 배치되며,
    상기 제2리드 프레임의 제2돌출부는 상기 몸체의 제2측면에서 절곡되어 상기 몸체의 하면과 수평하게 배치되는 발광 모듈.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제1구멍은 상기 제1돌출부가 상기 몸체의 하면과 수평하게 배치된 영역에 배치되고,
    상기 제2구멍은 상기 제2돌출부가 상기 몸체의 하면과 수평하게 배치된 영역에 배치되는 발광 모듈.
  10. 제2항에 있어서,
    상기 제1오목부 및 상기 제2오목부는 반구형의 홈 형상인 발광 모듈.
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