KR101862864B1 - Display device - Google Patents

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Abstract

표시장치가 개시된다. 표시장치는 광원; 상기 광원에 인접하여 배치되는 파장 변환 부재; 및 상기 광원 및 상기 파장 변환 부재 사이에 배치되는 열 전달 부재를 포함한다.A display device is started. The display device includes a light source; A wavelength conversion member disposed adjacent to the light source; And a heat transfer member disposed between the light source and the wavelength conversion member.

Description

표시장치{DISPLAY DEVICE}Display device {DISPLAY DEVICE}

실시예는 표시장치에 관한 것이다.The embodiment relates to a display device.

표시장치들 중에는 영상을 표시하기 위해서, 광을 발생시킬 수 있는 백라이트 유닛을 필요로 하는 장치가 있다. 백라이트 유닛은 액정 등을 포함하는 표시패널에 광을 공급하는 장치로서, 발광장치와 발광장치에서 출력된 광을 액정 측에 효과적으로 전달하기 위한 수단들을 포함한다.Among display devices, there is a device that requires a backlight unit capable of generating light in order to display an image. The backlight unit is a device for supplying light to a display panel including a liquid crystal or the like and includes a light emitting device and means for effectively transmitting the light output from the light emitting device to the liquid crystal side.

이러한 표시장치의 광원으로서, LED(Light Emitted Diode)등이 적용될 수 있다. 또한, 광원으로부터 출력된 광이 표시패널 측에 효과적으로 전달되기 위해, 도광판과 광학시트 등이 적층되어, 사용될 수 있다.As a light source of such a display device, an LED (Light Emitted Diode) or the like can be applied. Further, in order that the light output from the light source is effectively transmitted to the display panel side, a light guide plate and an optical sheet may be laminated and used.

이때, 광원으로부터 발생되는 광의 파장을 변화시켜서, 상기 도광판 또는 상기 표시패널에 백색광을 입사시키는 광학 부재 등이 이러한 표시장치에 적용될 수 있다. 특히, 광의 파장을 변화시키기 위해서, 양자점 등이 사용될 수 있다.At this time, an optical member that changes the wavelength of light generated from the light source and causes white light to enter the light guide plate or the display panel can be applied to such a display device. Particularly, in order to change the wavelength of light, a quantum dot or the like can be used.

양자점은 10nm 이하의 입자 크기를 가지며, 그 크기에 따라 독특한 전기적 광학적 특성을 갖는다. 예컨대, 대략적인 크기가 55 ~ 65Å인 경우 적색계열, 40 ~ 50Å은 녹색계열, 20 ~ 35Å은 청색계열의 색을 발할 수 있으며, 황색은 적색과 녹색을 발하는 양자점의 중간 크기를 갖는다. 빛의 파장에 따른 스펙트럼이 적색에서 청색으로 변하는 추세에 따라 양자점의 크기는 65Å 정도에서 20Å 정도로 순차적으로 변하는 것으로 파악할 수 있으며, 이 수치는 약간의 차이가 있을 수 있다.The quantum dot has a particle size of 10 nm or less and has unique electrical and optical characteristics depending on its size. For example, when the approximate size is 55 to 65 Å, it can emit red, 40 to 50 Å to green, and 20 to 35 Å to blue. Yellow has medium size of red and green quantum dots. As the spectrum of light changes from red to blue, the size of the quantum dots varies from 65 Å to 20 Å, which may be slightly different.

양자점을 포함하는 광학 부재를 형성하기 위해서는, 빛의 삼원색인 RGB 혹은, RYGB를 발하는 양자점을 글래스(glass) 등의 투명 기판에 스핀코팅 하거나 프린팅하여 형성할 수 있다. 여기서, 황색(Y)을 발하는 양자점을 더 포함하는 경우 좀 더 천연광에 가까운 백색광을 얻을 수 있다. 양자점을 분산 담채하는 매트릭스(매질)은 가시광 및 자외선 영역(Far UV 포함)의 빛을 발하거나 또는 가시광 영역의 빛에 관하여 투과성이 뛰어난 무기물이나 고분자를 적용할 수 있다. 예컨대, 무기질 실리카, PMMA(polymethylmethacrylate), PDMS(polydimethylsiloxane), PLA(poly lactic acid), 실리콘 고분자 또는 YAG 등이 될 수 있다. 특히, 이와 같은 양자점 및 매질은 열에 의해서 변성되거나, 손상될 수 있다.In order to form the optical member including the quantum dots, the quantum dots emitting RGB or RYGB, which are three primary colors of light, can be formed by spin coating or printing on a transparent substrate such as glass. Here, when a quantum dot emitting yellow (Y) is further included, white light closer to natural light can be obtained. The matrix (medium) in which the quantum dots are dispersed can apply an inorganic substance or a polymer having excellent transmittance with respect to light in the visible light region and the ultraviolet region (including Far UV) or in the visible light region. For example, it may be inorganic silica, polymethylmethacrylate (PMMA), polydimethylsiloxane (PDMS), poly lactic acid (PLA), silicon polymer or YAG. In particular, such quantum dots and media can be denatured or damaged by heat.

이와 같은 양자점이 적용된 표시장치에 관하여, 한국 특허 공개 공보 10-2011-0012246 등에 개시되어 있다.A display device to which such a quantum dot is applied is disclosed in Korean Patent Laid-Open Publication No. 10-2011-0012246.

실시예는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가지는 표시장치를 제공하고자 한다.The embodiment intends to provide a display device having improved reliability and durability.

일 실시예에 따른 표시장치는 광원; 상기 광원에 인접하여 배치되는 파장 변환 부재; 및 상기 광원 및 상기 파장 변환 부재 사이에 배치되는 열 전달 부재를 포함한다.A display device according to an embodiment includes a light source; A wavelength conversion member disposed adjacent to the light source; And a heat transfer member disposed between the light source and the wavelength conversion member.

일 실시예에 따른 표시장치는 도광판; 상기 도광판의 측면에 배치되는 다수 개의 발광다이오드들; 상기 발광다이오드들 및 상기 도광판 사이에 개재되는 파장 변환 부재; 및 상기 발광다이오드들에 인접하여 배치되고, 상기 발광다이오드들에 각각 대응되는 다수 개의 투과홀들이 형성되는 열 전달 부재를 포함한다.A display device according to an embodiment includes a light guide plate; A plurality of light emitting diodes disposed on a side surface of the light guide plate; A wavelength conversion member interposed between the light emitting diodes and the light guide plate; And a heat transfer member disposed adjacent to the light emitting diodes and having a plurality of through holes corresponding to the light emitting diodes, respectively.

실시예에 따른 표시장치는 상기 열 전달 부재 및 상기 열 방출부를 사용하여, 상기 광원으로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있다. 특히, 상기 열 전달 부재는 상기 공원 및 상기 파장 변환 부재 사이에 개재되어, 상기 광원으로부터 상기 파장 변환 부재를 향하여 방출되는 열을 흡수할 수 있다.The display device according to the embodiment can effectively emit heat generated from the light source by using the heat transfer member and the heat emitting portion. In particular, the heat transfer member is interposed between the park and the wavelength conversion member, and can absorb heat emitted from the light source toward the wavelength conversion member.

즉, 상기 열 전달 부재는 상기 광원으로부터 상기 파장 변환 부재에 방출되는 열을 상기 열 방출부로 전달할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 표시장치는 상기 광원에서 출사되는 광에 의해서, 상기 파장 변환 부재에서 발생되는 열을 상기 열 전달 부재 및 상기 열 방출부에 의해서, 방출시킬 수 있다.That is, the heat transfer member may transfer the heat emitted from the light source to the wavelength conversion member to the heat emission unit. Further, the display device according to the embodiment can emit heat generated in the wavelength conversion member by the heat transfer member and the heat radiation portion by the light emitted from the light source.

이에 따라서, 실시예에 따른 표시장치는 열에 의해서, 상기 파장 변환 부재가 열화되거나, 변성되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 실시예에 따른 표시장치는 상기 파장 변환 부재에 포함된 호스트 및/또는 파장 변환 입자들의 열에 의한 변성을 방지할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 표시장치는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.Accordingly, the display device according to the embodiment can prevent the wavelength conversion member from being deteriorated or denatured by heat. In particular, the display device according to the embodiment can prevent the host and / or the wavelength conversion particles included in the wavelength conversion member from being denatured by heat. Therefore, the display device according to the embodiment can have improved reliability and durability.

또한, 실시예에 따른 표시장치는 상기 파장 변환 부재의 온도를 효과적으로 낮출 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 표시장치는 온도 상승에 따른 상기 파장 변환 입자들의 성능 저하를 감소시키고, 향상된 색 재현율을 가질 수 있다.Further, the display device according to the embodiment can effectively lower the temperature of the wavelength converting member. Accordingly, the display device according to the embodiment can reduce the performance deterioration of the wavelength converting particles due to the temperature rise, and can have an improved color reproduction rate.

도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다.
도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다.
도 4는 도 3에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 5는 발광다이오드들, 열 전달 부재, 파장 변환 부재 및 도광판을 도시한 사시도이다.
도 6은 발광다이오드, 연성인쇄회로기판, 열 전달 부재, 파장 변환 부재 및 도광판 등을 도시한 단면도이다.
도 7은 연성인쇄회로기판을 도시한 평면도이다.
도 8은 다른 실시예에 따른 발광다이오드, 연성인쇄회로기판, 열 전달 부재, 파장 변환 부재 및 도광판 등을 도시한 단면도이다.
1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to an embodiment.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a section cut along AA 'in FIG. 1; FIG.
3 is a perspective view showing the wavelength conversion member according to the embodiment.
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a section cut along BB 'in FIG. 3; FIG.
5 is a perspective view illustrating light emitting diodes, a heat transfer member, a wavelength converting member, and a light guide plate.
6 is a cross-sectional view showing a light emitting diode, a flexible printed circuit board, a heat transfer member, a wavelength converting member, a light guide plate, and the like.
7 is a plan view showing a flexible printed circuit board.
8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode, a flexible printed circuit board, a heat transfer member, a wavelength conversion member, a light guide plate, and the like according to another embodiment.

실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등이 각 기판, 프레임, 시트, 층 또는 패턴 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.In the description of the embodiments, it is described that each substrate, frame, sheet, layer or pattern is formed "on" or "under" each substrate, frame, sheet, In this case, "on" and "under " all include being formed either directly or indirectly through another element. In addition, the upper or lower reference of each component is described with reference to the drawings. The size of each component in the drawings may be exaggerated for the sake of explanation and does not mean the size actually applied.

도 1은 실시예에 따른 액정표시장치를 도시한 분해 사시도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 실시예에 따른 파장 변환 부재를 도시한 사시도이다. 도 4는 도 3에서 B-B`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 5는 발광다이오드들, 열 전달 부재, 파장 변환 부재 및 도광판을 도시한 사시도이다. 도 6은 발광다이오드, 연성인쇄회로기판, 열 전달 부재, 파장 변환 부재 및 도광판 등을 도시한 단면도이다. 도 7은 연성인쇄회로기판을 도시한 평면도이다.1 is an exploded perspective view showing a liquid crystal display device according to an embodiment. 2 is a cross-sectional view showing a section taken along the line A-A in Fig. 3 is a perspective view showing the wavelength conversion member according to the embodiment. Fig. 4 is a cross-sectional view showing a section cut along the line B-B 'in Fig. 3; Fig. 5 is a perspective view illustrating light emitting diodes, a heat transfer member, a wavelength converting member, and a light guide plate. 6 is a cross-sectional view showing a light emitting diode, a flexible printed circuit board, a heat transfer member, a wavelength converting member, a light guide plate, and the like. 7 is a plan view showing a flexible printed circuit board.

도 1 내지 도 7을 참조하면, 실시예에 따른 액정표시장치는 몰드 프레임(10), 백라이트 어셈블리(20) 및 액정패널(30)을 포함한다.1 to 7, a liquid crystal display according to an embodiment includes a mold frame 10, a backlight assembly 20, and a liquid crystal panel 30.

상기 몰드 프레임(10)은 상기 백라이트 어셈블리(20) 및 상기 액정패널(30)을 수용한다. 상기 몰드 프레임(10)은 사각 틀 형상을 가지며, 상기 몰드 프레임(10)으로 사용하는 물질의 예로서는 플라스틱 또는 강화 플라스틱 등을 들 수 있다.The mold frame 10 receives the backlight assembly 20 and the liquid crystal panel 30. The mold frame 10 has a rectangular frame shape. Examples of the material used for the mold frame 10 include plastic or reinforced plastic.

또한, 상기 몰드 프레임(10) 아래에는 상기 몰드 프레임(10)을 감싸며, 상기 백라이트 어셈블리(20)를 지지하는 샤시가 배치될 수 있다. 상기 샤시는 상기 몰드 프레임(10)의 측면에도 배치될 수 있다.In addition, a chassis supporting the mold frame 10 and supporting the backlight assembly 20 may be disposed below the mold frame 10. The chassis may be disposed on a side surface of the mold frame 10.

상기 백라이트 어셈블리(20)는 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치되며, 광을 발생시켜 상기 액정패널(30)을 향하여 출사한다. 상기 백라이트 어셈블리(20)는 반사시트(100), 도광판(200), 광원, 예를 들어, 발광다이오드들(300), 파장 변환 부재(400), 열 전달 부재(700), 열 방출부(800), 다수 개의 광학 시트들(500) 및 연성인쇄회로기판(flexible printed circuit board;FPCB)(600)을 포함한다.The backlight assembly 20 is disposed inside the mold frame 10 and emits light toward the liquid crystal panel 30. The backlight assembly 20 includes a reflective sheet 100, a light guide plate 200, a light source, for example, light emitting diodes 300, a wavelength conversion member 400, a heat transfer member 700, A plurality of optical sheets 500, and a flexible printed circuit board (FPCB) 600.

상기 반사시트(100)는 상기 발광다이오드들(300)로부터 발생하는 광을 상방으로 반사시킨다.The reflective sheet 100 reflects light generated from the light emitting diodes 300 upward.

상기 도광판(200)은 상기 반사시트(100) 상에 배치되며, 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 반사, 굴절 및 산란 등을 통해서 상방으로 반사시킨다.The light guide plate 200 is disposed on the reflective sheet 100 and receives light emitted from the light emitting diodes 300 and reflects the light upward through reflection, refraction and scattering.

상기 도광판(200)은 상기 발광다이오드들(300)을 향하는 입사면을 포함한다. 즉, 상기 도광판(200)의 측면들 중 상기 발광다이오드들(300)을 향하는 면이 입사면이다.The light guide plate 200 includes an incident surface facing the light emitting diodes 300. That is, the surface of the light guide plate 200 facing the light emitting diodes 300 is an incident surface.

상기 발광다이오드들(300)은 상기 도광판(200)의 측면에 배치된다. 더 자세하게, 상기 발광다이오드들(300)은 상기 입사면에 배치된다.The light emitting diodes 300 are disposed on the side surfaces of the light guide plate 200. More specifically, the light emitting diodes 300 are disposed on the incident surface.

상기 발광다이오드들(300)은 광을 발생시키는 광원이다. 더 자세하게, 상기 상기 발광다이오드들(300)은 상기 파장 변환 부재(400)를 향하여 광을 출사한다.The light emitting diodes 300 are light sources for generating light. In more detail, the light emitting diodes 300 emit light toward the wavelength converting member 400.

상기 발광다이오드들(300)은 제 1 광을 발생시킨다. 예를 들어, 상기 제 1 광은 청색 광일 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드들(300)은 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드일 수 있다. 상기 제 1 광은 주로 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색 광일 수 있다. 또한, 상기 발광다이오드들(300)은 자외선을 발생시킬 수 있다.The light emitting diodes 300 generate the first light. For example, the first light may be blue light. That is, the light emitting diodes 300 may be blue light emitting diodes for generating blue light. The first light may be primarily blue light having a wavelength band between about 430 nm and about 470 nm. In addition, the light emitting diodes 300 may generate ultraviolet rays.

상기 발광다이오드들(300)은 상기 연성인쇄회로기판(600)에 실장된다. 상기 발광다이오드들(300)은 상기 연성인쇄회로기판(600) 아래에 배치된다. 상기 발광다이오드들(300)은 상기 연성인쇄회로기판(600)을 통하여 구동신호를 인가받아 구동된다.The light emitting diodes 300 are mounted on the flexible printed circuit board 600. The light emitting diodes 300 are disposed under the flexible printed circuit board 600. The light emitting diodes 300 are driven by receiving a drive signal through the flexible printed circuit board 600.

상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드들(300) 및 상기 도광판(200) 사이에 개재된다. 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 측면에 접착된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 도광판(200)의 입사면에 부착된다. 또한, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드들(300)에 접착될 수 있다.The wavelength converting member 400 is interposed between the light emitting diodes 300 and the light guide plate 200. The wavelength converting member 400 is bonded to the side surface of the light guide plate 200. In more detail, the wavelength conversion member 400 is attached to the incident surface of the light guide plate 200. In addition, the wavelength conversion member 400 may be bonded to the light emitting diodes 300.

상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 제 1 광을 제 2 광 및 제 3 광으로 변환시킬 수 있다.The wavelength converting member 400 receives the light emitted from the light emitting diodes 300 and converts the wavelength. For example, the wavelength conversion member 400 may convert the first light emitted from the light emitting diodes 300 into the second light and the third light.

이때, 상기 제 2 광은 적색 광이고, 상기 제 3 광은 녹색 광일 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 부재(400)는 상기 제 1 광의 일부를 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색 광으로 변환시킬 수 있고, 상기 제 1 광의 다른 일부를 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색 광으로 변환시킬 수 있다.Here, the second light may be red light, and the third light may be green light. That is, the wavelength converting member 400 may convert a portion of the first light to red light having a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm, and may transmit a different portion of the first light to about 520 nm to about 560 nm Green light having a wavelength band between the wavelengths.

이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(400)를 통과하는 제 1 광 및 상기 파장 변환 부재(400)에 의해서 변환된 제 2 광 및 제 3 광은 서로 혼합되어, 백색 광이 형성될 수 있다. 즉, 상기 제 1 광, 상기 제 2 광 및 제 3 광이 혼합되어, 상기 도광판(200)에는 백색 광이 입사될 수 있다.Accordingly, the first light passing through the wavelength conversion member 400 and the second light and the third light converted by the wavelength conversion member 400 may be mixed with each other to form white light. That is, the first light, the second light, and the third light may be mixed, and white light may be incident on the light guide plate 200.

도 2 내지 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 파장 변환 부재(400)는 튜브(410), 밀봉부재(420), 다수 개의 파장 변환 입자들(430) 및 매트릭스(440)를 포함한다.2 to 4, the wavelength converting member 400 includes a tube 410, a sealing member 420, a plurality of wavelength converting particles 430, and a matrix 440.

상기 튜브(410)는 상기 밀봉부재(420), 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 매트릭스(440)를 수용한다. 즉, 상기 튜브(410)는 상기 밀봉부재(420), 상기 파장 변환 입자들(430) 및 상기 매트릭스(440)를 수용하는 용기이다. 또한, 상기 튜브(410)는 일 방향으로 길게 연장되는 형상을 가진다.The tube 410 receives the sealing member 420, the wavelength converting particles 430, and the matrix 440. That is, the tube 410 is a container for accommodating the sealing member 420, the wavelength converting particles 430, and the matrix 440. In addition, the tube 410 has a shape elongated in one direction.

상기 튜브(410)는 사각 튜브(410) 형상을 가질 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)의 길이 방향에 대하여 수직한 단면은 직사각형 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 튜브(410)의 폭은 약 0.6㎜이고, 상기 튜브(410)의 높이는 약 0.2㎜일 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)는 모세관일 수 있다.The tube 410 may have the shape of a rectangular tube 410. That is, the cross section perpendicular to the longitudinal direction of the tube 410 may have a rectangular shape. Further, the width of the tube 410 may be about 0.6 mm, and the height of the tube 410 may be about 0.2 mm. That is, the tube 410 may be a capillary tube.

상기 튜브(410)는 투명하다. 상기 튜브(410)로 사용되는 물질의 예로서는 유리 등을 들 수 있다. 즉, 상기 튜브(410)는 유리 모세관일 수 있다.The tube 410 is transparent. Examples of the material used for the tube 410 include glass and the like. That is, the tube 410 may be a glass capillary tube.

상기 밀봉부재(420)는 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다. 상기 밀봉부재(420)는 상기 튜브(410)의 끝단에 배치된다. 상기 밀봉부재(420)는 상기 튜브(410)의 내부를 밀봉한다. 상기 밀봉부재(420)는 에폭시계 수지(epoxy resin)를 포함할 수 있다.The sealing member 420 is disposed inside the tube 410. The sealing member 420 is disposed at an end of the tube 410. The sealing member (420) seals the inside of the tube (410). The sealing member 420 may include an epoxy resin.

상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다. 더 자세하게, 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 매트릭스(440)에 균일하게 분산되고, 상기 매트릭스(440)는 상기 튜브(410)의 내부에 배치된다.The wavelength converting particles 430 are disposed inside the tube 410. More specifically, the wavelength converting particles 430 are uniformly dispersed in the matrix 440, and the matrix 440 is disposed inside the tube 410.

상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 광의 파장을 변환시킨다. 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 광을 입사받아, 파장을 변환시킨다. 예를 들어, 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 청색 광을 녹색 광 및 적색 광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 일부는 상기 청색 광을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색 광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 다른 일부는 상기 청색 광을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색 광으로 변환시킬 수 있다.The wavelength converting particles 430 convert the wavelength of the light emitted from the light emitting diodes 300. The wavelength converting particles 430 receive the light emitted from the light emitting diodes 300 and convert wavelengths. For example, the wavelength conversion particles 430 may convert blue light emitted from the light emitting diodes 300 into green light and red light. That is, some of the wavelength converting particles 430 convert the blue light into green light having a wavelength band of about 520 nm to about 560 nm, and another part of the wavelength converting particles 430 converts the blue light Can be converted to red light having a wavelength band between about 630 nm and about 660 nm.

이와는 다르게, 상기 파장 변환 입자들(430)은 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 자외선을 청색 광, 녹색 광 및 적색 광으로 변환시킬 수 있다. 즉, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 일부는 상기 자외선을 약 430㎚ 내지 약 470㎚ 사이의 파장대를 가지는 청색 광으로 변환시키고, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 다른 일부는 상기 자외선을 약 520㎚ 내지 약 560㎚ 사이의 파장대를 가지는 녹색 광으로 변환시킬 수 있다. 또한, 상기 파장 변환 입자들(430) 중 또 다른 일부는 상기 자외선을 약 630㎚ 내지 약 660㎚ 사이의 파장대를 가지는 적색 광으로 변환시킬 수 있다.Alternatively, the wavelength converting particles 430 may convert ultraviolet rays emitted from the light emitting diodes 300 into blue light, green light, and red light. That is, a part of the wavelength converting particles 430 converts the ultraviolet ray into blue light having a wavelength range of about 430 nm to about 470 nm, and another part of the wavelength converting particles 430 converts the ultraviolet It can be converted into green light having a wavelength range of 520 nm to 560 nm. Further, another part of the wavelength converting particles 430 may convert the ultraviolet ray into red light having a wavelength band of about 630 nm to about 660 nm.

즉, 상기 발광다이오드들(300)이 청색 광을 발생시키는 청색 발광다이오드인 경우, 청색 광을 녹색 광 및 적색 광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(430)이 사용될 수 있다. 이와는 다르게, 상기 발광다이오드들(300)이 자외선을 발생시키는 UV 발광다이오드인 경우, 자외선을 청색 광, 녹색 광 및 적색 광으로 각각 변환시키는 파장 변환 입자들(430)이 사용될 수 있다.That is, when the light emitting diodes 300 are blue light emitting diodes that generate blue light, the wavelength conversion particles 430 that convert blue light into green light and red light, respectively, may be used. Alternatively, when the light emitting diodes 300 are UV light emitting diodes that generate ultraviolet rays, the wavelength conversion particles 430 may be used to convert ultraviolet light into blue light, green light, and red light, respectively.

상기 파장 변환 입자들(430)은 다수 개의 양자점(QD, Quantum Dot)들일 수 있다. 상기 양자점은 코어 나노 결정 및 상기 코어 나노 결정을 둘러싸는 껍질 나노 결정을 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정에 결합되는 유기 리간드를 포함할 수 있다. 또한, 상기 양자점은 상기 껍질 나노 결정을 둘러싸는 유기 코팅층을 포함할 수 있다.The wavelength conversion particles 430 may be a plurality of quantum dots (QDs). The quantum dot may include core nanocrystals and shell nanocrystals surrounding the core nanocrystals. In addition, the quantum dot may include an organic ligand bound to the shell nanocrystal. In addition, the quantum dot may include an organic coating layer surrounding the shell nanocrystals.

상기 껍질 나노 결정은 두 층 이상으로 형성될 수 있다. 상기 껍질 나노 결정은 상기 코어 나노 결정의 표면에 형성된다. 상기 양자점은 상기 코어 나오 결정으로 입광되는 빛의 파장을 껍질층을 형성하는 상기 껍질 나노 결정을 통해서 파장을 길게 변환시키고 빛의 효율을 증가시길 수 있다.The shell nanocrystals may be formed of two or more layers. The shell nanocrystals are formed on the surface of the core nanocrystals. The quantum dot may convert the wavelength of the light incident on the core core crystal into a long wavelength through the shell nanocrystals forming the shell layer and increase the light efficiency.

상기 양자점은 Ⅱ족 화합물 반도체, Ⅲ족 화합물 반도체, Ⅴ족 화합물 반도체 그리고 VI족 화합물 반도체 중에서 적어도 한가지 물질을 포함할 수 있다. 보다 상세하게, 상기 코어 나노 결정은 Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 또한, 상기 껍질 나노 결정은 CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe 또는 HgS를 포함할 수 있다. 상기 양자점의 지름은 1 nm 내지 10 nm일 수 있다.The quantum dot may include at least one of a group II compound semiconductor, a group III compound semiconductor, a group V compound semiconductor, and a group VI compound semiconductor. More specifically, the core nanocrystals may include Cdse, InGaP, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The shell nanocrystals may include CuZnS, CdSe, CdTe, CdS, ZnSe, ZnTe, ZnS, HgTe or HgS. The diameter of the quantum dot may be 1 nm to 10 nm.

상기 양자점에서 방출되는 빛의 파장은 상기 양자점의 크기에 따라 조절이 가능하다. 상기 유기 리간드는 피리딘(pyridine), 메르캅토 알콜(mercapto alcohol), 티올(thiol), 포스핀(phosphine) 및 포스핀 산화물(phosphine oxide) 등을 포함할 수 있다. 상기 유기 리간드는 합성 후 불안정한 양자점을 안정화시키는 역할을 한다. 합성 후에 댕글링 본드(dangling bond)가 외곽에 형성되며, 상기 댕글링 본드 때문에, 상기 양자점이 불안정해 질 수도 있다. 그러나, 상기 유기 리간드의 한 쪽 끝은 비결합 상태이고, 상기 비결합된 유기 리간드의 한 쪽 끝이 댕글링 본드와 결합해서, 상기 양자점을 안정화 시킬 수 있다.The wavelength of the light emitted from the quantum dot can be adjusted according to the size of the quantum dot. The organic ligand may include pyridine, mercapto alcohol, thiol, phosphine, phosphine oxide, and the like. The organic ligands serve to stabilize unstable quantum dots after synthesis. After synthesis, a dangling bond is formed on the outer periphery, and the quantum dots may become unstable due to the dangling bonds. However, one end of the organic ligand is in an unbonded state, and one end of the unbound organic ligand bonds with the dangling bond, thereby stabilizing the quantum dot.

특히, 상기 양자점은 그 크기가 빛, 전기 등에 의해 여기되는 전자와 정공이 이루는 엑시톤(exciton)의 보어 반경(Bohr raidus)보다 작게 되면 양자구속효과가 발생하여 띄엄띄엄한 에너지 준위를 가지게 되며 에너지 갭의 크기가 변화하게 된다. 또한, 전하가 양자점 내에 국한되어 높은 발광효율을 가지게 된다. Particularly, when the quantum dot has a size smaller than the Bohr radius of an exciton formed by electrons and holes excited by light, electricity or the like, a quantum confinement effect is generated to have a staggering energy level and an energy gap The size of the image is changed. Further, the charge is confined within the quantum dots, so that it has a high luminous efficiency.

이러한 상기 양자점은 일반적 형광 염료와 달리 입자의 크기에 따라 형광파장이 달라진다. 즉, 입자의 크기가 작아질수록 짧은 파장의 빛을 내며, 입자의 크기를 조절하여 원하는 파장의 가시광선영역의 형광을 낼 수 있다. 또한, 일반적 염료에 비해 흡광계수(extinction coefficient)가 100~1000배 크고 양자효율(quantum yield)도 높으므로 매우 센 형광을 발생한다.Unlike general fluorescent dyes, the quantum dots vary in fluorescence wavelength depending on the particle size. That is, as the size of the particle becomes smaller, it emits light having a shorter wavelength, and the particle size can be adjusted to produce fluorescence in a visible light region of a desired wavelength. In addition, since the extinction coefficient is 100 to 1000 times higher than that of a general dye, and the quantum yield is also high, it produces very high fluorescence.

상기 양자점은 화학적 습식방법에 의해 합성될 수 있다. 여기에서, 화학적 습식방법은 유기용매에 전구체 물질을 넣어 입자를 성장시키는 방법으로서, 화학적 습식방법에 의해서, 상기 양자점이 합성될 수 있다.The quantum dot can be synthesized by a chemical wet process. Here, the chemical wet method is a method of growing particles by adding a precursor material to an organic solvent, and the quantum dots can be synthesized by a chemical wet method.

상기 매트릭스(440)는 상기 파장 변환 입자들(430)을 둘러싼다. 즉, 상기 매트릭스(440)는 상기 파장 변환 입자들(430)을 균일하게 내부에 분산시킨다. 상기 매트릭스(440)는 폴리머로 구성될 수 있다. 상기 매트릭스(440)는 투명하다. 즉, 상기 매트릭스(440)는 투명한 폴리머로 형성될 수 있다.The matrix 440 surrounds the wavelength converting particles 430. That is, the matrix 440 uniformly disperses the wavelength converting particles 430 therein. The matrix 440 may be comprised of a polymer. The matrix 440 is transparent. That is, the matrix 440 may be formed of a transparent polymer.

상기 매트릭스(440)는 상기 튜브(410) 내부에 배치된다. 즉, 상기 매트릭스(440)는 전체적으로 상기 튜브(410) 내부에 채워진다. 상기 매트릭스(440)는 상기 튜브(410)의 내면에 밀착될 수 있다.The matrix 440 is disposed within the tube 410. That is, the matrix 440 is entirely filled in the tube 410. The matrix 440 may be in close contact with the inner surface of the tube 410.

상기 밀봉부재(420) 및 상기 매트릭스(440) 사이에는 공기층(450)이 형성된다. 상기 공기층(450)에는 질소로 채워진다. 상기 공기층(450)은 상기 밀봉부재(420) 및 상기 매트릭스(440) 사이에서 완충 기능을 수행한다.An air layer 450 is formed between the sealing member 420 and the matrix 440. The air layer 450 is filled with nitrogen. The air layer 450 performs a buffer function between the sealing member 420 and the matrix 440.

상기 파장 변환 부재(400)는 다음과 같은 방법에 의해서 형성될 수 있다.The wavelength converting member 400 may be formed by the following method.

먼저, 수지 조성물에 상기 파장 변환 입자들(430)이 균일하게 분산된다. 상기 수지 조성물은 투명하다. 상기 수지 조성물은 광 경화성을 가질 수 있다.First, the wavelength converting particles 430 are uniformly dispersed in the resin composition. The resin composition is transparent. The resin composition may have photocurability.

이후, 튜브(410)의 내부는 감압되고, 상기 파장 변환 입자들(430)이 분산된 수지 조성물에 상기 튜브(410)의 입구가 잠기고, 주위의 압력이 상승된다. 이에 따라서, 상기 파장 변환 입자들(430)이 분산된 수지 조성물은 상기 튜브(410) 내부로 유입된다.Thereafter, the inside of the tube 410 is depressurized, and the inlet of the tube 410 is locked in the resin composition in which the wavelength converting particles 430 are dispersed, and the pressure around the tube 410 is raised. Accordingly, the resin composition in which the wavelength converting particles 430 are dispersed is introduced into the tube 410.

이후, 상기 튜브(410) 내로 유입된 수지 조성물의 일부가 제거되고, 상기 튜브(410)의 입구 부분이 비워진다.Thereafter, a part of the resin composition flowing into the tube 410 is removed, and the inlet portion of the tube 410 is emptied.

이후, 상기 튜브(410) 내로 유입된 수지 조성물은 자외선 등에 의해서 경화되고, 상기 매트릭스(440)가 형성된다.Thereafter, the resin composition flowing into the tube 410 is cured by ultraviolet rays or the like, and the matrix 440 is formed.

이후, 상기 튜브(410)의 입구 부분에 에폭시계 수지 조성물이 유입된다. 이후, 유입된 에폭시계 수지 조성물은 경화되고, 상기 밀봉부재(420)가 형성된다. 상기 밀봉부재(420)가 형성되는 공정은 질소 분위기에서 진행되고, 이에 따라서, 질소를 포함하는 공기층(450)이 상기 밀봉부재(420) 및 상기 매트릭스(440) 사이에 형성될 수 있다.Then, the epoxy resin composition flows into the inlet of the tube 410. Thereafter, the introduced epoxy resin composition is cured, and the sealing member 420 is formed. The process of forming the sealing member 420 proceeds in a nitrogen atmosphere so that an air layer 450 containing nitrogen can be formed between the sealing member 420 and the matrix 440.

상기 열 전달 부재(700)는 상기 발광다이오드들(300) 및 상기 파장 변환 부재(400) 사이에 개재된다. 더 자세하게, 상기 열 전달 부재(700)는 상기 발광다이오드들(300)에 인접하여 배치될 수 있다. 상기 열 전달 부재(700)는 상기 발광다이오드(400)와 직접 접촉될 수 있다.The heat transfer member 700 is interposed between the light emitting diodes 300 and the wavelength conversion member 400. More specifically, the heat transfer member 700 may be disposed adjacent to the light emitting diodes 300. The heat transfer member 700 may be in direct contact with the light emitting diode 400.

상기 열 전달 부재(700)는 상기 열 방출부(800)에 연결된다. 상기 열 전달 부재(700)는 상기 열 방출부(800)에 직접 또는 간접적으로 연결될 수 있다. 상기 열 전달 부재(700)의 두께(T)는 약 1㎛ 내지 약 1㎜일 수 있다.The heat transfer member 700 is connected to the heat radiation unit 800. The heat transfer member 700 may be directly or indirectly connected to the heat emitting portion 800. The thickness T of the heat transfer member 700 may be about 1 μm to about 1 mm.

상기 열 전달 부재(700)는 높은 열 전도율을 가진다. 상기 열 전달 부재(700)는 약 22 Kcal/m·hr·℃ 내지 약 400 Kcal/m·hr·℃의 열 전도율을 가질 수 있다. 상기 열 전달 부재(700)는 상기 튜브(410)보다 더 높은 열 전도율을 가질 수 있다.The heat transfer member 700 has a high thermal conductivity. The heat transfer member 700 may have a thermal conductivity of about 22 Kcal / m · hr · ° C to about 400 Kcal / m · hr · ° C. The heat transfer member 700 may have a higher thermal conductivity than the tube 410.

상기 열 전달 부재(700)로 높은 열 전도율을 가지는 금속 또는 세라믹이 사용될 수 있다. 더 자세하게, 상기 열 전달 부재(700)로 사용되는 금속의 예로서는 구리, 은, 알루미늄, 철, 스테인레스 또는 금 등을 들 수 있다. 또한, 상기 열 전달 부재(700)로 상기 금속의 합금 등이 사용될 수 있다. 또한, 상기 열 전달 부재(700)로 열전 재료 등이 사용될 수 있다. 상기 열전 재료의 예로서는 스쿠테루다이트(Skutterudites) 등을 들 수 있다. 상기 열전 재료로 유리질 재료 등이 사용될 수 있다.As the heat transfer member 700, a metal or a ceramic having a high thermal conductivity may be used. More specifically, examples of the metal used as the heat transfer member 700 include copper, silver, aluminum, iron, stainless steel, gold, and the like. In addition, the heat transfer member 700 may be made of an alloy of the metal or the like. Further, a thermoelectric material or the like may be used as the heat transfer member 700. Examples of the thermoelectric material include Skutterudites. As the thermoelectric material, a glass material or the like can be used.

또한, 상기 열 전달 부재(700)는 상기 파장 변환 부재(400)와 서로 대향된다. 상기 열 전달 부재(700)는 상기 파장 변환 부재(400)와 같은 방향으로 연장된다. 상기 열 전달 부재(700)는 상기 파장 변환 부재(400)와 실질적으로 평행할 수 있다. 또한, 상기 열 전달 부재(700) 및 상기 파장 변환 부재(400)는 서로 소정의 간격으로 이격될 수 있다.In addition, the heat transfer member 700 is opposed to the wavelength conversion member 400. The heat transfer member 700 extends in the same direction as the wavelength converting member 400. The heat transfer member 700 may be substantially parallel to the wavelength conversion member 400. [ In addition, the heat transfer member 700 and the wavelength conversion member 400 may be spaced apart from each other by a predetermined distance.

상기 열 전달 부재(700)는 다수 개의 투과 홀들(701)을 포함할 수 있다. 상기 투과 홀들(701)은 상기 발광다이오드들(300)에 각각 대응된다. 더 자세하게, 상기 투과 홀들(701)은 상기 발광다이오드들(300)의 출사면에 각각 대응된다. 더 자세하게, 상기 투과 홀들(701)은 상기 발광디이오드들의 출사면을 노출시킨다.The heat transfer member 700 may include a plurality of through holes 701. The transmission holes 701 correspond to the light emitting diodes 300, respectively. More specifically, the transmission holes 701 correspond to the emission surfaces of the light emitting diodes 300, respectively. More specifically, the transmission holes 701 expose the exit surface of the light emitting diodes.

상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 광은 각각 상기 투과 홀들(701)을 통하여, 상기 파장 변환 부재(400)에 입사된다. 즉, 상기 투과 홀들(701)은 상기 발광다이오드들(300)로부터 출사되는 광이 투과되기 위한 투과부이다.The light emitted from the light emitting diodes 300 is incident on the wavelength conversion member 400 via the transmission holes 701, respectively. That is, the transmissive holes 701 are transmissive portions through which light emitted from the light emitting diodes 300 is transmitted.

상기 투과 홀들(701)의 크기는 상기 발광다이오드들(300)의 출사면의 크기에 대응되거나, 더 클 수 있다. 또한, 상기 투과 홀들(701)의 평면 형상은 상기 발광다이오드들(300)의 출사면의 평면 형상에 대응될 수 있다. 더 자세하게, 상기 투과 홀들(701)의 외곽은 상기 발광다이오드들(300)의 출사면의 외곽의 주위를 둘러쌀 수 있다.The size of the transmission holes 701 may correspond to the size of the emission surface of the light emitting diodes 300 or may be larger. The planar shape of the transmission holes 701 may correspond to a planar shape of an emission surface of the light emitting diodes 300. More specifically, the outer peripheries of the transmission holes 701 can surround the periphery of the outgoing surface of the emitting surface of the light emitting diodes 300.

상기 열 전달 부재(700)는 상기 발광다이오드들(300)에 인접하여 배치되기 때문에, 상기 발광다이오드들(300)로부터 발생되는 열을 상기 열 방출부(800)에 효과적으로 전달할 수 있다. 특히, 상기 열 전달 부재(700)는 상기 발광다이오드들(300) 및 상기 파장 변환 부재(400) 사이에 개재되므로, 상기 파장 변환 부재(400)로 방출되는 열을 흡수하여, 상기 열 방출부(800)에 전달할 수 있다. 이에 따라서, 상기 파장 변환 부재(400)의 온도가 상승되는 현상이 억제될 수 있다.Since the heat transfer member 700 is disposed adjacent to the light emitting diodes 300, the heat generated from the light emitting diodes 300 can be effectively transmitted to the heat emitting unit 800. In particular, since the heat transfer member 700 is interposed between the light emitting diodes 300 and the wavelength conversion member 400, the heat transfer member 700 absorbs heat emitted to the wavelength conversion member 400, 800). Accordingly, the phenomenon that the temperature of the wavelength conversion member 400 is raised can be suppressed.

상기 열 방출부(800)는 상기 열 전달 부재(700)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 열 방출부(800)는 상기 열 전달 부재(700)에 직접 또는 간접적으로 연결될 수 있다. 상기 열 방출부(800)는 상기 열 전달 부재(700)로부터 전달되는 열을 방출한다.The heat discharging part 800 is connected to the heat transmitting member 700. More specifically, the heat releasing part 800 may be connected to the heat transmitting member 700 directly or indirectly. The heat discharging unit 800 discharges heat transmitted from the heat transmitting member 700.

도 1, 도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 열 방출부(800)는 제 1 열 방출부(810) 및 제 2 열 방출부(820)를 포함한다.Referring to FIGS. 1, 6, and 7, the heat emitting unit 800 includes a first heat emitting unit 810 and a second heat emitting unit 820.

상기 제 1 열 방출부(810)는 상기 연성인쇄회로기판(600)에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 1 열 방출부(810)는 상기 연성인쇄회로기판(600) 내에 배치된다. 상기 제 1 열 방출부(810)는 상기 연성인쇄회로기판(600)에 포함될 수 있다. 즉, 상기 제 1 열 방출부(810)는 상기 연성인쇄회로기판(600)의 일부일 수 있다.The first heat emitting portion 810 is disposed on the flexible printed circuit board 600. More specifically, the first heat emitting portion 810 is disposed in the flexible printed circuit board 600. The first heat emitting portion 810 may be included in the flexible printed circuit board 600. That is, the first heat emitting portion 810 may be a part of the flexible printed circuit board 600.

상기 제 1 열 방출부(810)는 상기 파장 변환 부재(400) 상에 배치될 수 있다. 또한, 상기 제 1 열 방출부(810)는 상기 파장 변환 부재(400)가 연장되는 방향으로 연장될 수 있다. 또한, 상기 제 1 열 방출부(810)는 상기 열 전달 부재(700)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 1 열 방출부(810)는 상기 열 전달 부재(700)에 직접 접촉될 수 있다.The first heat emitting portion 810 may be disposed on the wavelength converting member 400. In addition, the first heat emitting portion 810 may extend in a direction in which the wavelength converting member 400 extends. The first heat emitting portion 810 is connected to the heat transfer member 700. More specifically, the first heat emitting portion 810 may be in direct contact with the heat transfer member 700. [

상기 제 1 열 방출부(810)로 높은 열 전도율을 가지는 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 열 방출부(810)로 구리 등과 같은 금속이 사용될 수 있다.A material having a high thermal conductivity may be used for the first heat emitting portion 810. For example, a metal such as copper may be used for the first heat emitting portion 810.

도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 열 방출부(810)는 접촉부(811), 연결 비아(812) 및 방열 패드(813)를 포함한다.6, the first heat emitting portion 810 includes a contact portion 811, a connecting via 812, and a heat radiating pad 813.

상기 접촉부(811)는 상기 열 전달 부재(700)에 직접 또는 간접적으로 접촉된다. 상기 열결 비아는 상기 접촉부(811) 및 상기 방열 패드(813)에 연결된다. 즉, 상기 연결 비아(812)는 상기 접촉부(811) 및 상기 방열 패드(813)를 서로 연결시킨다.The contact portion 811 is directly or indirectly contacted with the heat transfer member 700. The thermal via is connected to the contact portion 811 and the heat radiation pad 813. That is, the connection via 812 connects the contact portion 811 and the heat radiation pad 813 to each other.

상기 방열 패드(813)는 상기 연결 비아(812)에 연결된다. 상기 방열 패드(813)는 외부에 노출될 수 있다. 상기 방열 패드(813)는 상기 열 전달 부재(700)로부터 전달되는 열을, 외부에, 특히, 공기 중으로 방출하는 기능을 수행할 수 있다.The heat dissipation pad 813 is connected to the connection via 812. The heat-radiating pad 813 may be exposed to the outside. The heat dissipation pad 813 may function to discharge the heat transferred from the heat transfer member 700 to the outside, particularly into the air.

상기 제 2 열 방출부(820)는 상기 파장 변환 부재(400) 아래에 배치된다. 더 자세하게, 상기 제 2 열 방출부(820)는 상기 발광다이오드들(300) 아래에 배치될 수 있다. 상기 제 2 열 방출부(820)는 상기 열 전달 부재(700)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 제 2 열 방출부(820)는 상기 열 전달 부재(700)에 직접 접촉될 수 있다.The second heat emitting portion 820 is disposed below the wavelength converting member 400. More specifically, the second heat emitting portion 820 may be disposed below the light emitting diodes 300. The second heat discharging portion 820 is connected to the heat transmitting member 700. More specifically, the second heat releasing portion 820 may be in direct contact with the heat transfer member 700. [

상기 제 2 열 방출부(820)는 상기 파장 변환 부재(400)가 연장되는 방향으로 연장되는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 열 방출부(820)는 상기 파장 변환 부재(400)가 연장되는 방향으로 연장되는 바(bar) 또는 띠 형상을 가질 수 있다.The second heat emitting portion 820 may have a shape extending in a direction in which the wavelength converting member 400 extends. For example, the second heat emitting portion 820 may have a bar shape or a band shape extending in a direction in which the wavelength converting member 400 extends.

상기 제 2 열 방출부(820)로 높은 열 전도율을 가지는 물질이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 제 2 열 방출부(820)로 알루미늄 또는 구리 등과 같은 금속이 사용될 수 있다.A material having a high thermal conductivity may be used for the second heat emitting portion 820. For example, a metal such as aluminum or copper may be used for the second heat emitting portion 820.

상기 제 2 열 방출부(820)는 상기 열 전달 부재(700)로부터 전달되는 열을, 외부에, 특히 공기 중으로 방출하는 기능을 수행할 수 있다.The second heat discharging unit 820 may discharge the heat transferred from the heat transmitting member 700 to the outside, especially into the air.

상기 열 차단부(900)는 상기 열 전달 부재(700) 및 상기 파장 변환 부재(400) 사이에 개재된다. 더 자세하게, 상기 열 차단부(900)는 상기 열 전달 부재(700) 및 상기 파장 변환 부재(400)에 밀착될 수 있다.The heat shielding portion 900 is interposed between the heat transfer member 700 and the wavelength conversion member 400. More specifically, the heat shielding portion 900 may be in close contact with the heat transfer member 700 and the wavelength conversion member 400.

더 자세하게, 상기 열 차단부(900)는 상기 파장 변환 부재(400)의 입사면(401)에 밀착될 수 있다. 또한, 상기 열 차단부(900)는 상기 파장 변환 부재(400)의 상면(402) 및/또는 상기 파장 변환 부재(400)의 하면(403)에도 밀착될 수 있다. 또한, 상기 열 차단부(900)는 상기 도광판(200)에 밀착될 수 있다. 즉, 상기 열 차단부(900)는 상기 파장 변환 부재(400)의 출사면(404) 및 상기 도광판(200)의 입사면에도 밀착될 수 있다. 또한, 상기 열 차단부(900)는 상기 투과 홀들(701)에도 배치될 수 있다. 상기 열 차단부(900)는 상기 발광다이오드들(300)의 출사면에도 밀착될 수 있다.More specifically, the heat shielding portion 900 may be in close contact with the incident surface 401 of the wavelength conversion member 400. The heat shielding portion 900 may also be in close contact with the upper surface 402 of the wavelength conversion member 400 and / or the lower surface 403 of the wavelength conversion member 400. The heat shielding part 900 may be in close contact with the light guide plate 200. That is, the heat shielding portion 900 may be in close contact with the exit surface 404 of the wavelength conversion member 400 and the incident surface of the light guide plate 200. In addition, the heat shielding portion 900 may be disposed in the transmission holes 701. The heat shielding portion 900 may be in close contact with the light emitting surface of the light emitting diodes 300.

상기 열 차단부(900)는 상기 열 전달 부재(700)보다 더 낮은 열 전도율을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 열 차단부(900)의 열 전도율은 약 0.1×10-4cal/sec·cm·℃ 내지 약 1.0×10-4cal/sec·cm·℃일 수 있다.The heat interrupter 900 may have a lower thermal conductivity than the heat transfer member 700. For example, the thermal conductivity of the heat interceptor 900 may be about 0.1 x 10-4 cal / sec · cm · ° C to about 1.0 x 10-4 cal / sec · cm · ° C.

또한, 상기 열 차단부(900)는 투명할 수 있다. 상기 열 차단부(900)의 굴절율은 상기 발광다이오드들(300)의 충진재의 굴절율 및 상기 파장 변환 부재(400)의 튜브(410)의 굴절율 사이일 수 있다. 상기 열 차단부(900)로 다수 개의 기공들을 포함하는 수지가 사용될 수 있다. 또한, 상기 열 차단부(900)로 실리콘계 수지 등이 사용될 수 있다.In addition, the heat shielding part 900 may be transparent. The refractive index of the heat shielding portion 900 may be between the refractive index of the filler of the light emitting diodes 300 and the refractive index of the tube 410 of the wavelength conversion member 400. A resin including a plurality of pores may be used for the heat shielding portion 900. In addition, a silicone resin or the like may be used for the heat shielding part 900.

상기 열 차단부(900)는 발광다이오드들(300)로부터 발생되는 열을 차단한다. 즉, 상기 열 차단부(900)는 상기 발광다이오드들(300)로부터 발생되는 열이 상기 파장 변환 부재(400)로 전달되는 것을 방지한다.The heat interrupter 900 blocks heat generated from the light emitting diodes 300. That is, the heat shielding unit 900 prevents the heat generated from the light emitting diodes 300 from being transmitted to the wavelength conversion member 400.

이에 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 열 차단부(900)를 사용하여, 상기 파장 변환 부재(400)로 전달되는 열을 줄이고, 상기 열 전달 부재(700) 및 열 방출부(800)를 통하여, 효과적으로 열을 방출시킬 수 있다.Accordingly, the liquid crystal display according to the present embodiment reduces heat transmitted to the wavelength converting member 400 using the heat shielding unit 900, and the heat transmitting member 700 and the heat emitting unit 800 ), The heat can be effectively released.

상기 광학 시트들(500)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다. 상기 광학 시트들(500)은 통과하는 광의 특성을 향상시킨다.The optical sheets 500 are disposed on the light guide plate 200. The optical sheets 500 improve the characteristics of light passing therethrough.

상기 연성인쇄회로기판(600)은 상기 발광다이오드들(300)에 전기적으로 연결된다. 상기 발광다이오드들(300)을 실장할 수 있다. 상기 연성인쇄회로기판(600)은 연성인쇄회로기판(600)이며, 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치된다. 상기 연성인쇄회로기판(600)은 상기 도광판(200) 상에 배치된다.The flexible printed circuit board 600 is electrically connected to the light emitting diodes 300. The light emitting diodes 300 may be mounted. The flexible printed circuit board 600 is a flexible printed circuit board 600 and is disposed inside the mold frame 10. The flexible printed circuit board 600 is disposed on the light guide plate 200.

도 6을 참조하면, 상기 연성인쇄회로기판(600)은 상기 제 1 열 방출부(810)를 포함할 수 있다. 상기 연성인쇄회로기판(600)은 지지층(610), 제 1 배선층(620), 제 2 배선층(630), 제 1 보호막(640) 및 제 2 보호막(650)을 포함할 수 있다.Referring to FIG. 6, the flexible printed circuit board 600 may include the first heat emitting portion 810. The flexible printed circuit board 600 may include a support layer 610, a first wiring layer 620, a second wiring layer 630, a first protective layer 640, and a second protective layer 650.

상기 지지층(610)은 상기 제 1 배선층(620), 상기 제 2 배선층(630), 상기 제 1 보호막(640) 및 상기 제 2 보호막(650)을 지지한다. 상기 지지층(610)은 절연층이다. 상기 지지층(610)은 플렉서블 할 수 있다. 상기 지지층(610)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리이미드계 수지 등과 같은 폴리머 등을 들 수 있다.The support layer 610 supports the first wiring layer 620, the second wiring layer 630, the first protective film 640, and the second protective film 650. The supporting layer 610 is an insulating layer. The support layer 610 may be flexible. Examples of the material used for the support layer 610 include polymers such as polyimide resins and the like.

상기 제 1 배선층(620)은 상기 지지층(610) 상에 배치된다. 상기 제 1 배선층(620)은 상기 지지층(610)의 상면에 직접 배치될 수 있다. 상기 제 1 배선층(620)으로 사용되는 물질의 예로서는 구리 등을 들 수 있다.The first wiring layer 620 is disposed on the supporting layer 610. The first wiring layer 620 may be disposed directly on the upper surface of the support layer 610. Examples of the material used for the first wiring layer 620 include copper and the like.

상기 제 2 배선층(630)은 상기 지지층(610) 아래에 배치된다. 상기 제 2 배선층(630)은 상기 지지층(610)의 하면에 직접 배치될 수 있다. 상기 제 2 배선층(630)으로 사용되는 물질의 예로서는 구리 등을 들 수 있다. 상기 제 1 배선층(620) 및 상기 제 2 배선층(630)은 상기 지지층(610)을 관통하는 비아 등을 통해서, 서로 연결될 수 있다.The second wiring layer 630 is disposed under the support layer 610. The second wiring layer 630 may be disposed directly on the lower surface of the supporting layer 610. Examples of the material used for the second wiring layer 630 include copper and the like. The first wiring layer 620 and the second wiring layer 630 may be connected to each other through vias passing through the support layer 610. [

상기 제 2 배선층(630)은 상기 발광다이오드들(300)에 연결된다. 더 자세하게, 상기 발광다이오드들(300)은 솔더 또는 범프 등을 통하여, 상기 제 2 배선층(630)에 전기적으로 접속될 수 있다.The second wiring layer 630 is connected to the light emitting diodes 300. In more detail, the light emitting diodes 300 may be electrically connected to the second wiring layer 630 through solder or bumps.

상기 제 1 보호막(640)은 상기 제 1 배선층(620) 상에 배치된다. 상기 제 1 보호막(640)은 상기 제 1 배선층(620)을 덮는다. 상기 제 1 보호막(640)은 상기 제 1 배선층(620)을 보호한다. 상기 제 1 보호막(640)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리머 등과 같은 절연체일 수 있다.The first protective layer 640 is disposed on the first wiring layer 620. The first protective layer 640 covers the first wiring layer 620. The first protective layer 640 protects the first wiring layer 620. The first protective layer 640 may be an insulator such as a polymer.

상기 제 2 보호막(650)은 상기 제 2 배선층(630) 아래에 배치된다. 상기 제 2 보호막(650)은 상기 제 2 배선층(630)을 덮는다. 상기 제 2 보호막(650)은 상기 제 2 배선층(630)을 보호한다. 상기 제 2 보호막(650)으로 사용되는 물질의 예로서는 폴리머 등과 같은 절연체일 수 있다.The second protective film 650 is disposed under the second wiring layer 630. The second protective film 650 covers the second wiring layer 630. The second protective layer 650 protects the second wiring layer 630. The second protective layer 650 may be an insulator such as a polymer.

상기 제 1 열 방출부(810)는 상기 연성인쇄회로기판(600)에 포함될 수 있다. 즉, 상기 방열 패드(813)는 상기 제 1 배선층(620)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 또한, 상기 연결 비아(812)는 상기 지지층(610)을 관통할 수 있다. 또한, 상기 제 2 배선층(630)과 동일한 층에 형성될 수 있다. 또한, 상기 제 1 보호막(640)은 상기 방열 패드(813)의 상면을 외부에 노출시키는 제 1 오픈 영역(OR1)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제 2 보호막(650)은 상기 접촉부(811)를 상기 열 전달 부재(700)에 노출시키는 제 2 오픈 영역(OR2)을 포함할 수 있다.The first heat emitting portion 810 may be included in the flexible printed circuit board 600. That is, the heat dissipation pad 813 may be formed on the same layer as the first wiring layer 620. Also, the connection via 812 may penetrate the support layer 610. Further, it may be formed in the same layer as the second wiring layer 630. The first protective layer 640 may include a first open region OR1 for exposing an upper surface of the heat radiation pad 813 to the outside. The second protective layer 650 may include a second open region OR2 for exposing the contact portion 811 to the heat transfer member 700. [

상기 몰드 프레임(10) 및 상기 백라이트 어셈블리(20)에 의해서 백라이트 유닛이 구성된다. 즉, 상기 백라이트 유닛은 상기 몰드 프레임(10) 및 상기 백라이트 어셈블리(20)를 포함한다.The mold frame 10 and the backlight assembly 20 constitute a backlight unit. That is, the backlight unit includes the mold frame 10 and the backlight assembly 20.

상기 액정패널(30)은 상기 몰드 프레임(10) 내측에 배치되고, 상기 광학시트들(500)상에 배치된다.The liquid crystal panel 30 is disposed inside the mold frame 10 and disposed on the optical sheets 500.

상기 액정패널(30)은 통과하는 광의 세기를 조절하여 영상을 표시한다. 즉, 상기 액정패널(300)은 영상을 표시하는 표시패널이다. 상기 액정패널(30)은 TFT기판, 컬러필터기판, 두 기판들 사이에 개재되는 액정층 및 편광필터들을 포함한다.The liquid crystal panel 30 displays an image by adjusting the intensity of light passing through the liquid crystal panel 30. That is, the liquid crystal panel 300 is a display panel for displaying an image. The liquid crystal panel 30 includes a TFT substrate, a color filter substrate, a liquid crystal layer interposed between the two substrates, and polarizing filters.

앞서 설명한 바와 같이, 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 열 전달 부재(700) 및 상기 열 방출부(800)를 사용하여, 상기 발광다이오드들(300)로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있다. 특히, 상기 열 전달 부재(700)는 상기 발광다이오드들(300) 및 상기 파장 변환 부재(400) 사이에 개재되어, 상기 발광다이오드들(300)로부터 상기 파장 변환 부재(400)를 향하여 방출되는 열을 흡수할 수 있다.As described above, the liquid crystal display according to the embodiment can efficiently emit heat generated from the light emitting diodes 300 using the heat transfer member 700 and the heat emitting unit 800. Particularly, the heat transfer member 700 is interposed between the light emitting diodes 300 and the wavelength conversion member 400, so that heat emitted from the light emitting diodes 300 toward the wavelength conversion member 400 .

즉, 상기 열 전달 부재(700)는 상기 발광다이오드들(300)로부터 상기 파장 변환 부재(400)에 방출되는 열을 상기 열 방출부(800)로 전달할 수 있다. 또한, 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 광원에서 출사되는 광에 의해서, 상기 파장 변환 부재(400)에서 발생되는 열을 상기 열 전달 부재(700) 및 상기 열 방출부(800)에 의해서, 방출시킬 수 있다.That is, the heat transfer member 700 may transmit heat, which is emitted from the light emitting diodes 300 to the wavelength conversion member 400, to the heat emitting unit 800. Further, in the liquid crystal display according to the embodiment, the heat generated in the wavelength conversion member 400 is emitted by the heat transfer member 700 and the heat emission unit 800 by the light emitted from the light source .

이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 열에 의해서, 상기 파장 변환 부재(400)가 열화되거나, 변성되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 매트릭스(440) 및/또는 상기 파장 변환 입자들(430)의 열에 의한 변성을 방지할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 향상된 신뢰성 및 내구성을 가질 수 있다.Accordingly, the liquid crystal display apparatus according to the embodiment can prevent the wavelength conversion member 400 from being deteriorated or denatured by heat. In particular, the liquid crystal display according to the embodiment can prevent the matrix 440 and / or the wavelength conversion particles 430 from being denatured by heat. Therefore, the liquid crystal display according to the embodiment can have improved reliability and durability.

또한, 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 파장 변환 부재(400)의 온도를 효과적으로 낮출 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 액정표시장치는 온도 상승에 따른 상기 파장 변환 입자들(430)의 성능 저하를 감소시키고, 향상된 색 재현율을 가질 수 있다.
In addition, the liquid crystal display device according to the embodiment can effectively lower the temperature of the wavelength conversion member 400. Accordingly, the liquid crystal display according to the embodiment can reduce the performance degradation of the wavelength converting particles 430 due to a rise in temperature, and can have an improved color reproduction rate.

도 8은 다른 실시예에 따른 발광다이오드, 연성인쇄회로기판, 파장 변환 부재 및 도광판 등을 도시한 단면도이다. 본 실시예에 대한 설명에서는 앞선 액정표시장치에 대한 설명을 참고하고, 투명 열 전달부에 대해서 추가적으로 설명한다. 앞선 실시예에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고, 본 실시예에 대한 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.8 is a cross-sectional view illustrating a light emitting diode, a flexible printed circuit board, a wavelength conversion member, a light guide plate, and the like according to another embodiment. In the description of the present embodiment, the description of the liquid crystal display device will be referred to, and the transparent heat transferring unit will be further described. The description of the foregoing embodiments can be essentially combined with the description of the present embodiment except for the changed portions.

도 8을 참조하면, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 다수 개의 투명 열 전달부(720)를 포함한다. 상기 투명 열 전달부(720)들은 다수 개의 투과 홀들(701)에 각각 배치된다. 또한, 상기 투명 열 전달부(720)들은 발광다이오드들(300)의 출사면, 열 전달 부재(700) 및 열 차단부(900)에 밀착될 수 있다. 특히, 상기 투명 열 전달부(720)는 상기 발광다이오드들(300)의 출사면 및 상기 투과 홀들(701)의 내측면에 직접 접촉될 수 있다.Referring to FIG. 8, the liquid crystal display according to the present embodiment includes a plurality of transparent heat transfer parts 720. The transparent heat transfer parts 720 are disposed in the plurality of through holes 701, respectively. The transparent heat transferring portions 720 may be in close contact with the exit surface of the light emitting diodes 300, the heat transfer member 700, and the heat shielding portion 900. In particular, the transparent heat transfer portion 720 may be in direct contact with the emission surface of the light emitting diodes 300 and the inner surface of the transmission holes 701.

상기 투명 열 전달부(720)는 상기 열 차단부(900)보다 더 높은 열 전도율을 가질 수 있다. 상기 투명 열 전달부(720)는 상기 발광다이오드들(300)로부터 발생되는 열을 상기 열 전달 부재(700)에 전달한다.The transparent heat transfer portion 720 may have a higher thermal conductivity than the thermal cut-off portion 900. The transparent heat transfer unit 720 transfers heat generated from the light emitting diodes 300 to the heat transfer member 700.

상기 투명 열 전달부(720)으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘 옥사이드 또는 마그네슘 플루오라이드 등과 같은 무기 물질 또는 에폭시 수지 등과 같은 유기 물질 등을 들 수 있다.Examples of the material used for the transparent heat transfer part 720 include inorganic materials such as silicon oxide and magnesium fluoride, and organic materials such as epoxy resin.

이에 따라서, 본 실시예에 따른 액정표시장치는 상기 투명 열 전달부(720)를 사용하여, 상기 발광다이오드들(300)로부터 발생되는 열을 효과적으로 방출시킬 수 있다.Accordingly, the liquid crystal display device according to the present embodiment can efficiently emit heat generated from the light emitting diodes 300 using the transparent heat transfer portion 720.

또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.In addition, the features, structures, effects and the like described in the embodiments are included in at least one embodiment of the present invention, and are not necessarily limited to only one embodiment. Furthermore, the features, structures, effects and the like illustrated in the embodiments can be combined and modified by other persons skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.

이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, It will be understood that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments can be modified and implemented. It is to be understood that all changes and modifications that come within the meaning and range of equivalency of the claims are therefore intended to be embraced therein.

Claims (12)

광원;
상기 광원에 인접하여 배치되는 파장 변환 부재; 및
상기 광원 및 상기 파장 변환 부재 사이에 배치되는 열 전달 부재를 포함하고,
상기 광원은 다수 개의 발광다이오드들을 포함하고,
상기 열 전달 부재는 상기 발광다이오드들에 각각 대응되는 다수 개의 투과 홀들을 포함하고,
상기 투과 홀들에 배치되는 투명 열 전달부를 포함하는 표시장치.
Light source;
A wavelength conversion member disposed adjacent to the light source; And
And a heat transfer member disposed between the light source and the wavelength conversion member,
The light source includes a plurality of light emitting diodes,
Wherein the heat transfer member includes a plurality of through holes corresponding to the light emitting diodes,
And a transparent heat transfer portion disposed in the transmission holes.
제 1 항에 있어서, 상기 열 전달 부재에 연결되는 열 방출부를 포함하는 표시장치.The display device according to claim 1, comprising a heat releasing portion connected to the heat transmitting member. 제 1 항에 있어서, 상기 열 전달 부재는 금속 또는 세라믹을 포함하는 표시장치.The display device according to claim 1, wherein the heat transfer member comprises a metal or a ceramic. 제 1 항에 있어서, 상기 열 전달 부재는 열전 재료를 포함하는 표시장치.The display device according to claim 1, wherein the heat transfer member comprises a thermoelectric material. 제 1항에 있어서,
상기 파장 변환 부재는 매트릭스 및 상기 매트릭스 내에 분산되는 양자점을 포함하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the wavelength conversion member comprises a matrix and quantum dots dispersed in the matrix.
제 1 항에 있어서, 상기 발광다이오드들은 상기 투과 홀들을 통하여, 상기 파장 변환 부재에 광을 출사하는 표시장치.The display device according to claim 1, wherein the light emitting diodes emit light to the wavelength conversion member through the transmission holes. 제 1항에 있어서,
상기 투명 열 전달부는 상기 발광다이오드들의 출사면 및 상기 투과 홀들의 내측면에 직접 접촉하는 표시장치.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent heat transfer portion is in direct contact with an emitting surface of the light emitting diodes and an inner surface of the through holes.
제 1 항에 있어서, 상기 열 전달 부재 및 상기 파장 변환 부재 사이에 개재되고, 상기 열 전달 부재보다 더 낮은 열 전도율을 가지는 열 차단부를 포함하는 표시장치.The display device according to claim 1, further comprising a heat blocking portion interposed between the heat transfer member and the wavelength conversion member and having a lower thermal conductivity than the heat transfer member. 도광판;
상기 도광판의 측면에 배치되는 다수 개의 발광다이오드들;
상기 발광다이오드들 및 상기 도광판 사이에 개재되는 파장 변환 부재; 및
상기 발광다이오드들에 인접하여 배치되고, 상기 발광다이오드들에 각각 대응되는 다수 개의 투과홀들이 형성되는 열 전달 부재를 포함하고,
상기 투과 홀들에 배치되는 투명 열 전달부를 포함하는 표시장치.
A light guide plate;
A plurality of light emitting diodes disposed on a side surface of the light guide plate;
A wavelength conversion member interposed between the light emitting diodes and the light guide plate; And
And a heat transfer member disposed adjacent to the light emitting diodes and having a plurality of through holes corresponding to the light emitting diodes,
And a transparent heat transfer portion disposed in the transmission holes.
제 9 항에 있어서, 상기 열 전달 부재는 상기 파장 변환 부재와 서로 대향하는 표시장치.The display device according to claim 9, wherein the heat transfer member is opposed to the wavelength conversion member. 제 9 항에 있어서, 상기 열 전달 부재는 상기 파장 변환 부재와 같은 방향으로 연장되는 표시장치.The display device according to claim 9, wherein the heat transfer member extends in the same direction as the wavelength conversion member. 제 9 항에 있어서, 상기 열 전달 부재에 연결되는 열 방출부를 포함하고,
상기 파장 변환 부재, 상기 열 전달 부재 및 상기 열 방출부는 서로 같은 방향으로 연장되는 표시장치.
10. The heat exchanger according to claim 9, further comprising a heat releasing portion connected to the heat transmitting member,
Wherein the wavelength conversion member, the heat transfer member, and the heat radiation portion extend in the same direction.
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