KR101862003B1 - Built-In Chiller for Semiconductor Process - Google Patents

Built-In Chiller for Semiconductor Process Download PDF

Info

Publication number
KR101862003B1
KR101862003B1 KR1020160071459A KR20160071459A KR101862003B1 KR 101862003 B1 KR101862003 B1 KR 101862003B1 KR 1020160071459 A KR1020160071459 A KR 1020160071459A KR 20160071459 A KR20160071459 A KR 20160071459A KR 101862003 B1 KR101862003 B1 KR 101862003B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
heat exchange
exchange medium
module
main tool
loop system
Prior art date
Application number
KR1020160071459A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20170139240A (en
Inventor
유병철
김형탁
신병현
한제호
Original Assignee
주식회사 에프에스티
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에프에스티 filed Critical 주식회사 에프에스티
Priority to KR1020160071459A priority Critical patent/KR101862003B1/en
Publication of KR20170139240A publication Critical patent/KR20170139240A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101862003B1 publication Critical patent/KR101862003B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H01L35/34—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/01—Manufacture or treatment

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Heat-Pump Type And Storage Water Heaters (AREA)

Abstract

본 발명은 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템에 관한 것으로서, 칠러시스템을 이루는 장치들의 사이즈가 커서 반도체 공정 설비가 설치된 상부층에 근접설치하지 못하고 하부층에 설치하고 있었다. 이에 본 발명은 쿨 루프 시스템의 열전소자모듈과, 핫 루프 시스템의 열교환모듈을 분리하여 온도콘트롤 유닛으로 메인 툴과 근접되게 상부층에 설치하고, 상기 쿨 루프 시스템의 열교환매체 저장탱크와 펌프 및 상기 핫 루프 시스템의 열교환매체 저장탱크, 히터 및 펌프는 하부층에 순환 유닛으로 설치하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라 온도콘트롤유닛이 메인툴과 근접설치되기 때문에 온도콘트롤 응답성을 빠르게 향상시킬 수 있다. 또한 본 발명은 온도 콘트롤 유닛의 쿨 루프와 핫 루프 열교환매체를 환합하여 메인 툴에 공급하는 믹싱 모듈을 더 포함시킴으로써, 메인 툴에서 요구되는 다양한 온도대역의 온도 콘트롤이 가능해진다.The present invention relates to a chiller system for a unit-separated semiconductor process facility, and the chiller system is installed in a lower layer without being installed close to an upper layer in which a semiconductor process facility is installed. Accordingly, the present invention can separate the thermoelectric module of the Cool Loop system and the heat exchange module of the hot loop system and provide the temperature control unit on the upper layer close to the main tool, The heat exchange medium storage tank, the heater and the pump of the loop system are installed as a circulation unit in the lower layer. As a result, the temperature control unit can be installed close to the main tool, so that the temperature control response can be improved quickly. Further, the present invention further includes a mixing module for feeding the cool loop and the hot loop heat exchange medium of the temperature control unit to the main tool, thereby enabling temperature control of various temperature ranges required by the main tool.

Description

유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템{Built-In Chiller for Semiconductor Process}In Chiller for Semiconductor Processes for Semiconductor Process Equipment

본 발명은 반도체 공정 설비의 온도 제어를 위한 칠러 시스템에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 칠러 시스템의 온도 제어 유닛을 분리하여 반도체 공정 설비와 같은 층에 설치하고, 칠러 시스템의 나머지 유닛들은 반도체 공정 설비의 하층에 설치하여 온도 제어 응답성을 향상시키고, 반도체 공정 설비의 온도 분포를 개선할 수 있도록 한 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a chiller system for temperature control of semiconductor processing equipment, and more particularly, to a chiller system in which a temperature control unit of a chiller system is separated and installed in the same layer as a semiconductor process facility, The present invention relates to a chiller system for a semiconductor process equipment, which is installed in a lower layer to improve temperature control responsiveness and improve the temperature distribution of a semiconductor process facility.

반도체를 제조하는 과정에서 반도체 공정용 설비는 항상 그 챔버 내부의 온도를 일정하게 유지시켜야 하며, 이러한 온도 유지의 역할을 하는 장비가 반도체 고정용 칠러(chiller)이다.In the process of manufacturing a semiconductor, the semiconductor process equipment must always keep the temperature inside the chamber constant, and the equipment that serves to maintain such temperature is a semiconductor fixing chiller.

도 1은 반도체 공정 설비의 온도 조절을 위한 칠러 시스템 개요도이다.1 is a schematic diagram of a chiller system for temperature control of semiconductor processing equipment.

이에 도시된 바와 같이 반도체 공정 설비인 챔버(1)의 내부 하측에 웨이퍼(2)가 놓여지는 정전척(3)의 온도를 조절하기 위한 쿨링 플레이트(4)가 설치되고, 챔버(1)의 내부 상측에 공정중 전극을 발생시키는 탑 모듈(5)이 설치되며, 칠러(6)에서 상기 쿨링 플레이트(4)로 열교환매체를 순환시켜 웨이퍼를 냉각시키기 위한 쿨 루프(Cool Loop)(7)와, 상기 탑 모듈(4)로 열교환매체를 순환시켜 냉각시키기 위한 핫 루프(Hot Loop)(8)가 연결된다.A cooling plate 4 for controlling the temperature of the electrostatic chuck 3 on which the wafer 2 is placed is provided inside the chamber 1 as a semiconductor processing facility and the inside of the chamber 1 A cool loop 7 for cooling the wafer by circulating the heat exchange medium from the chiller 6 to the cooling plate 4, A hot loop (8) for cooling the heat exchange medium by circulating the heat exchange medium is connected to the tower module (4).

이처럼 반도체 공정 설비(예; 챔버)를 위한 온도 조절시스템으로서 칠러(6)가 이용되는데, 예컨데, 에칭공정(Etch) 및 화학기상층착공정(CVD)에서는 일반적으로, 도 1과 같이 2개의 루프 즉, 쿨 루프(7)와 핫 루프(8)를 사용하고 있다.As such, the chiller 6 is used as a temperature control system for semiconductor process equipment (e.g., a chamber). For example, in an etching process (Etch) and a chemical vapor deposition process (CVD) That is, the cool loop 7 and the hot loop 8 are used.

그런데 칠러(6)와 챔버(1)의 거리가 가까울수록 온도 제어성이 향상되나 상부층의 공간에 한계가 있어서 일반적으로 칠러는 하부층에 설치하고 있다. 이는 칠러의 구성요소로서 냉각 또는 가열 유닛, 열교환매체를 저장하기 위한 저장탱크, 열교환매체를 이송하기 위한 펌프를 비롯한 많은 부품들을 필요로 하기 때문에 상부층에 설치하지 못하고 하부층에 설치하여 운영하고 있다.However, the closer the distance between the chiller (6) and the chamber (1) is, the more the temperature controllability is improved. However, there is a limit in the space of the upper layer. As a component of the chiller, it requires many components, including a cooling or heating unit, a storage tank for storing the heat exchange medium, and a pump for transferring the heat exchange medium, so it can not be installed on the upper layer but installed on the lower layer.

도 2는 종래 반도체 공정 설비용 칠러 시스템의 구성도이다.2 is a block diagram of a conventional chiller system for a semiconductor process facility.

종래의 반도체 공정 설비용 칠러 시스템은, 도 2에 도시된 바와 같이 반도체 공정 설비인 메인 툴(10)이 상부층에 설치되고, 메인 툴(10)의 하부층에 쿨 루프 시스템(20)과 핫 루프 시스템(30)이 설치되어 구성된다.2, a main tool 10, which is a semiconductor processing facility, is installed on an upper layer, and a cool loop system 20 and a hot loop system 20 are installed in a lower layer of the main tool 10. [ (30).

쿨 루프 시스템(20)은, 외부 냉각수 라인(PCW IN, PCW OUT)을 통해 순환되는 외부 냉각수에 의한 열교환에 의해 방열시키면서 메인 툴(10)에서 요구되는 냉각 온도로 메인 툴(10)을 냉각시키기 위한 열교환매체를 냉각시켜 상기 상부층의 메인 툴(10)로 열교환매체를 공급하는 열전소자모듈(21)과, 상기 상부층의 메인 툴(10)로부터 열교환매체를 회수하여 저장하는 열교환매체 저장탱크(22)와, 상기 열교환매체 저장탱크(22)의 열교환매체를 펌핑하여 상기 열교환모듈(21)로 공급하는 펌프(23)로 구성된다.The cool loop system 20 is configured to cool the main tool 10 to a cooling temperature required by the main tool 10 while dissipating heat by heat exchange with external cooling water circulated through the external cooling water lines PCW IN and PCW OUT A thermoelectric module 21 for cooling the heat exchange medium for supplying the heat exchange medium to the main tool 10 of the upper layer and a heat exchange medium storage tank 22 for recovering and storing the heat exchange medium from the main tool 10 of the upper layer And a pump 23 for pumping the heat exchange medium of the heat exchange medium storage tank 22 and supplying the heat exchange medium to the heat exchange module 21.

핫 루프 시스템(30)은, 상기 외부 냉각수 라인(PCW IN, PCW OUT)을 통해 순환되는 외부 냉각수에 의해 열교환매체를 열교환시켜 메인 툴(10)의 요구 온도에 맞춰 메인 툴(10)로 공급하는 열교환모듈(31)과, 상기 상부층의 메인 툴(10)로부터 회수되는 열교환매체를 저장하는 열교환매체 저장탱크(32)와, 열교환매체 저장탱크(32) 내의 열교환매체를 가열하기 위한 히터(33)와, 상기 히터(33)에 의해 가열이 제어되는 열교환매체 저장탱크(32)의 열교환매체를 펌핑하여 상기 열교환모듈(31)로 공급하는 펌프(34)를 포함하여 구성된다.The hot loop system 30 exchanges heat exchange medium with external cooling water circulated through the external cooling water lines PCW IN and PCW OUT and supplies the heat exchange medium to the main tool 10 in accordance with the required temperature of the main tool 10 A heat exchange medium storage tank 32 for storing a heat exchange medium recovered from the upper tool main tool 10; a heater 33 for heating a heat exchange medium in the heat exchange medium storage tank 32; And a pump 34 for pumping the heat exchange medium of the heat exchange medium storage tank 32 whose heating is controlled by the heater 33 and supplying the heat exchange medium to the heat exchange module 31. [

이와 같은 종래의 칠러 시스템은, 메인 툴(10)이 설치된 상부층에는 칠러시스템의 유닛은 설치되지 않고 하부층에 쿨 루프 시스템(20)과 핫 루프 시스템(30)이 모두 설치되고, 하부층에서 상부층으로 쿨 루프의 열교환매체 공급라인 및 회수라인과, 핫 루프의 열교환매체 공급라인 및 회수라인이 연결되어 설치되는 구조이다. 이는 칠러 시스템을 구성하는 장치들의 사이즈가 커서 메인툴(10)과 같은 상부층에 설치하지 못하기 때문에 모두 하부층에 설치하여 운영하고 있다.In the conventional chiller system, the cooler system 20 and the hot-roof system 30 are installed on the lower layer and the upper layer is cooled on the lower layer without installing the chiller system unit on the upper layer on which the main tool 10 is installed. The heat exchange medium supply line and the recovery line of the loop, and the heat exchange medium supply line and the recovery line of the hot loop are connected and installed. This is because the devices constituting the Chiller system are large in size and can not be installed in the upper layer such as the main tool 10, so they are all installed on the lower layer.

그러므로 하부층에서 상부층으로 쿨 루프 및 핫 루프의 공급라인과 회수라인이 길게 연결되어 있기 때문에 온도 조절 응답속도가 느릴 수밖에 없었다. Therefore, since the cool loop and the hot loop supply line and the recovery line are connected to each other from the lower layer to the upper layer, the temperature control response speed was inevitably slow.

한편, 상기와 같은 종래 칠러 시스템의 문제점을 감안하여 선행기술로서 한국공개특허 10-2015-0007555호의 반도체 공정용 칠러가 제안되었다. 상기 선행기술은, 상층에는 팽창유닛을, 하층에는 냉동유닛을 설치하고 있다. 팽창유닛은 공정 챔버와 같은 상층에 근접하여 팽창밸브와 공급측 온도센서 및 회수측 온도센서와 제어밸브를 설치하고, 하층에는 압축기 응축기 수액기 및 액분리기를 구비한 냉동유닛을 설치한 구성이 제안되었다. In view of the above-mentioned problems of the conventional chiller system, the chiller for the semiconductor process of Korean Patent Laid-open No. 10-2015-0007555 has been proposed as a prior art. In the prior art, an expansion unit is provided in the upper layer and a freezing unit is provided in the lower layer. The expansion unit is provided with an expansion valve, a supply side temperature sensor, a recovery side temperature sensor and a control valve close to the upper layer such as a process chamber, and a refrigeration unit provided with a compressor condenser receiver and a liquid separator in the lower layer .

그러나 상기 종래기술은 냉매를 압축-응축-팽창-증발로 순환시키는 냉각 싸이클을 운영하는 쿨 루프 시스템만을 적용하고 있으며, 핫 루프 시스템에 대한 구성은 설명이 없는 칠러이고, 냉각 싸이클의 냉매를 직접 메인 툴에 공급하는 방식으로서 온도 제어성은 좋다고 볼 수 있으나, 냉매를 보내기 위한 배관내 사용 압력이 높아 냉매 가스의 Leak 위험성이 존재하며 냉매 가스와 척의 반응성이 검증되지 않아 기존에 사용하던 액체 성분의 열교환매체를 선호하고 있다. 또한 핫 루프 시스템을 상부층 또는 하부층에 독립적으로 설치하여 온도를 조절 해야하는 시스템이다.However, the above-mentioned prior art applies only the cool loop system which operates the cooling cycle for circulating the refrigerant through compression-condensation-expansion-evaporation. The configuration for the hot loop system is the unexplained chiller, However, since there is a risk of leaking of the refrigerant gas due to a high operating pressure in the piping for sending the refrigerant, the reactivity of the refrigerant gas and the chuck is not verified, so that the heat exchange medium . In addition, it is a system to adjust the temperature by installing the hot loop system independently in the upper layer or the lower layer.

한국공개특허 10-2015-0007555호(2015.01.21)Korean Patent Laid-Open No. 10-2015-0007555 (Jan. 21, 2015)

본 발명은 칠러 시스템의 열전소자 모듈과 열교환 모듈을 반도체 공정 설비와 근접시켜 상부층에 설치하고, 펌프와 열매체저장 탱크를 포함하는 나머지 유닛은 하부층에 설치하여 온도 제어 반응 속도를 향상시킬 수 있도록 한 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템을 제공하기 위한 것이다.The present invention relates to a chiller system in which a thermoelectric module and a heat exchange module are installed in an upper layer in the vicinity of a semiconductor processing facility and a remaining unit including a pump and a heating medium storage tank is installed in a lower layer, And to provide a chiller system for a removable semiconductor process facility.

또한, 본 발명은, 메인 툴로 연결되는 핫 루프와 쿨 루프의 열교환 매체를 혼합하여 메인 툴에서 요구되는 온도로 빠르게 맞추어 공급할 수 있도록 한 믹싱 모듈을 상부층에 더 설치하여 메인 툴이 원하는 어떠한 온도 대역도 즉시 대응이 가능하도록 하기 위한 것이다.The present invention further provides a mixing module on the upper layer so that a hot loop connected to the main tool and a cool loop heat exchange medium can be quickly mixed with the temperature required by the main tool, So that they can respond immediately.

본 발명은 상기한 기술적 과제를 달성하기 위해, 열전소자모듈과, 열교환매체 저장탱크 및 펌프를 포함하여 이루어지는 쿨 루프 시스템(20)과, 열교환모듈과, 열교환매체 저장탱크, 히터 및 펌프를 포함하여 이루어지는 핫 루프 시스템(30)이 구비되는 반도체 공정 설비용 칠러 시스템에 있어서; 상기 쿨 루프 시스템(20)의 열전소자모듈(110)과, 상기 핫 루프 시스템(30)의 열교환모듈(120)을 분리하여 메인 툴(10)과 근접되게 상부층에 설치하고; 상기 쿨 루프 시스템(20)의 열교환매체 저장탱크(210)와 펌프(220) 및 상기 핫 루프 시스템(30)의 열교환매체 저장탱크(230), 히터(240), 펌프(250)는 하부층에 설치하며; 상기 상부층에 설치되는 핫 루프 시스템(30)의 열교환 모듈(120)에는 상기 하부층의 펌프(250)에서 출력되는 열교환 매체를 입력받아 제1경로와 제2경로의 2출력으로 분배하여 상기 제1경로를 통해 상기 열교환모듈(120)의 입력단으로 열교환매체를 공급하는 제1쓰리웨이 밸브(131)와, 상기 열교환 모듈(120)의 출력단에서 출력되는 열교환매체와, 상기 제1쓰리웨이 밸브(131)의 제2경로를 통해 출력되는 열교환매체를 2 입력으로 입력받아 혼합하여 상기 메인 툴(10)의 핫 루프의 열교환매체로 공급하는 제2쓰리웨이 밸브(132)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템을 제공한다.
또한, 본 발명은 열교환 매체를 냉각시켜 메인 툴로 공급하여 순환시키는 쿨 루프 시스템(20)과 상기 쿨 루프 시스템(20)과는 다른 온도로 열교환 매체를 냉각시켜 상기 메인 툴로 공급하여 순환시키는 핫 루프 시스템(30)이 구비되는 칠러 시스템에 있어서; 상기 쿨 루프 시스템(20)의 열전소자모듈(110)과, 상기 핫 루프 시스템(30)의 열교환 모듈(120)을 분리구성하여 온도 콘트롤 유닛(100)으로 상부층의 메인 툴(10)에 근접 설치하고; 상기 쿨 루프 시스템(20)의 열교환매체 저장탱크(210)와 펌프(220) 및 상기 핫 루프 시스템(30)의 열교환매체 저장탱크(230), 히터(240), 펌프(250)를 순환 유닛(200)으로 구성하여 하부층에 설치하되, 상기 상부층에 설치되는 온도콘트롤 유닛(100)은 상기 열전소자모듈(110)에서 출력되는 열교환매체와 상기 열교환모듈(120)에서 출력되는 열교환 매체 각각의 공급량을 조절하여 혼합한 후 상기 메인툴(10)로 공급하여 하부층의 순환유닛(200)으로 회수시키는 믹싱 모듈(300)을 더 포함하며; 상기 믹싱 모듈(300)은 쿨 루프의 열전소자모듈(110)에서 출력되는 열교환매체의 공급을 제어하는 제1밸브(310)와, 상기 핫 루프의 열교환모듈(120)에서 출력되는 열교환 매체의 공급을 제어하는 제2밸브(320)와, 상기 제1,제2밸브(310)(320)를 통해 출력되는 쿨 루프와 핫 루프의 열교환매체를 혼합하여 출력함과 아울러 상기 메인 툴(10)로부터 열교환매체를 회수하는 혼합탱크(330)와, 상기 혼합 탱크(330)에서 혼합된 열교환매체를 상기 메인 툴(10)로 공급하는 순환펌프(340)와, 상기 혼합탱크(330)의 오버플로우 배관으로 연결되어 하부층 쿨 루프 시스템의 열교환매체 저장탱크(210)와, 핫 루프 시스템의 열교환매체 저장탱크(230)로 공통으로 연결되는 오버플로우 회수배관(350)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템을 제공한다.In order to accomplish the above object, the present invention provides a cooling loop system comprising a thermoelectric module, a heat exchange medium storage tank and a pump, a heat exchange module, a heat exchange medium storage tank, a heater and a pump And a hot-roof system (30) comprising the hot-loop system (30). The thermoelectric module 110 of the cool loop system 20 and the heat exchange module 120 of the hot loop system 30 are separated and installed in the upper layer close to the main tool 10; The heat exchange medium storage tank 210 of the cool loop system 20 and the pump 220 and the heat exchange medium storage tank 230 of the hot loop system 30, the heater 240 and the pump 250 are installed in a lower layer. ; The heat exchange module (120) of the hot-roof system (30) installed in the upper layer receives the heat exchange medium output from the pump (250) of the lower layer and distributes the heat exchange medium to two outputs of a first path and a second path, Way valve 131 for supplying a heat exchange medium to an input end of the heat exchange module 120 through the heat exchange medium 120, a heat exchange medium output from an output end of the heat exchange module 120, Further comprising a second three-way valve (132) for receiving and mixing the heat exchange medium output through the second path of the main tool (10) into a heat exchange medium of a hot loop of the main tool (10) And a chiller system for a removable semiconductor process facility.
The present invention also relates to a cool loop system for cooling a heat exchange medium to supply it to a main tool for circulation, a hot loop system for cooling the heat exchange medium at a temperature different from that of the cool loop system, (30); The thermoelectric module 110 of the cool loop system 20 and the heat exchange module 120 of the hot loop system 30 are separated from each other and the temperature control unit 100 is installed close to the main tool 10 of the upper layer and; The heat exchange medium storage tank 210 of the cool loop system 20 and the pump 220 and the heat exchange medium storage tank 230 of the hot loop system 30, the heater 240 and the pump 250 are connected to the circulation unit The temperature control unit 100 installed in the upper layer controls the supply amount of each of the heat exchange medium output from the thermoelectric module 110 and the heat exchange medium output from the heat exchange module 120, Further comprising: a mixing module (300) for mixing and regulating and supplying the mixture to the main tool (10) and recovering the mixture to the circulation unit (200) of the lower layer; The mixing module 300 includes a first valve 310 for controlling the supply of the heat exchange medium output from the thermoelectric module 110 of the cool loop and a second valve 310 for supplying the heat exchange medium output from the heat exchange module 120 of the hot loop. And a heat exchange medium of a hot loop outputted through the first and second valves 310 and 320 and outputs the mixed cool loop and hot loop heat exchange medium from the main tool 10 A circulation pump 340 for supplying a heat exchange medium mixed in the mixing tank 330 to the main tool 10 and an overflow pipe 330 for supplying the heat exchange medium to the main tool 10; And an overflow recovery pipe (350) connected in common to the heat exchange medium storage tank (210) of the lower layer cool loop system and the heat exchange medium storage tank (230) of the hot loop system. Provides a chiller system for process facilities.

본 발명은 쿨 루프의 열전소자모듈과, 핫 루프의 열교환모듈을 분리하여 상부층에 설치하고, 쿨 루프의 열교환매체 저장탱크, 펌프 및 핫 루프의 열교환매체 저장탱크, 히터, 펌프는 하부층에 설치함으로써, 상부층의 메인툴에 근접하여 칠러의 온도콘트롤 유닛을 설치할 수 있으서 응답성을 빠르게 할 수 있다. 또한 본 발명은 온도콘트롤 유닛에서 쿨루프와 핫루프의 열교환매체를 적절히 혼합하여 메인툴로 공급하도록 믹싱모듈을 더 포함시킴으로써 제3의 온도 대역으로 메인툴의 요구 온도에 빠르게 응답할 수 있고 온도분포도를 향상킬수 있는 효과가 있다.In the present invention, the thermoelectric module of the cool loop and the heat exchange module of the hot loop are separated and installed in the upper layer, and the cooling loop heat exchange medium storage tank, the pump and the hot loop heat exchange medium storage tank, , The temperature control unit of the chiller can be installed close to the main tool on the upper layer, so that the responsiveness can be improved. Further, the present invention can quickly respond to the required temperature of the main tool to the third temperature band by further including a mixing module for appropriately mixing the cool loop and hot loop heat exchange medium in the temperature control unit and supplying the heat exchange medium to the main tool, There is an effect that can improve.

도 1은 반도체 공정 설비의 온도 조절을 위한 칠러 시스템 개요도.
도 2는 종래 반도체 공정 설비용 칠러 시스템의 구성도.
도 3은 본 발명에 의한 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템 개요도.
도 4는 본 발명에 의한 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템 구성도.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템 구성도.
도 6은 본 발명에 의한 믹싱모듈의 다른 실시예를 보인 구성도.
도 7은 본 발명에 의한 믹싱모듈의 또 다른 실시예를 보인 구성도.1 is an overview of a chiller system for temperature control of semiconductor processing equipment.
2 is a block diagram of a conventional chiller system for a semiconductor process facility.
3 is a schematic diagram of a chiller system for a unit separation type semiconductor processing equipment according to the present invention.
4 is a block diagram of a chiller system for a unit separation type semiconductor process facility according to the present invention.
5 is a block diagram of a chiller system for a unit detachable semiconductor process facility according to another embodiment of the present invention.
6 is a view showing another embodiment of the mixing module according to the present invention.
7 is a block diagram showing another embodiment of a mixing module according to the present invention;

이하 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조해서 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 의한 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템 개요도이고, 도 4는 본 발명에 의한 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템 구성도이다. 이에 도시된 바와 같이,FIG. 3 is a schematic diagram of a chiller system for a unit separation type semiconductor processing facility according to the present invention, and FIG. 4 is a diagram illustrating a chiller system for a unit separation type semiconductor processing facility according to the present invention. As shown therein,

열전소자모듈과, 열교환매체 저장탱크 및 펌프를 포함하여 이루어지는 쿨 루프 시스템(20)과, 열교환모듈과, 열교환매체 저장탱크, 히터 및 펌프를 포함하여 이루어지는 핫 루프 시스템(30)이 구비되고, 상기 열전소자모듈과 상기 열교환모듈은, 외부에서 유입되어 순환되는 외부 냉각수에 의해 열교환이 이루어지도록 구성되는 반도체 공정 설비용 칠러 시스템에 있어서,A hot loop system (30) including a cool loop system (20) including a thermoelectric module, a heat exchange medium storage tank and a pump, a heat exchange module, a heat exchange medium storage tank, a heater and a pump, Wherein the thermoelectric module and the heat exchange module are constructed so that heat exchange is performed by external cooling water flowing in from the outside and circulated,

상기 쿨 루프 시스템의 열전소자모듈(110)과, 상기 핫 루프 시스템의 열교환모듈(120)을 분리하여 메인 툴(10)과 근접되게 상부층에 설치하고,The thermoelectric module 110 of the cool loop system and the heat exchange module 120 of the hot loop system are separated from each other and installed on the upper layer close to the main tool 10,

상기 쿨 루프 시스템의 열교환매체 저장탱크(210)와 펌프(220) 및 상기 핫 루프 시스템의 열교환매체 저장탱크(230), 히터(240) 및 펌프(250)는 하부층에 설치하는 것을 특징으로 하는 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템이 구성됨에 특징이 있다.The heat exchange medium storage tank 210 and the pump 220 of the cool loop system and the heat exchange medium storage tank 230 of the hot loop system, the heater 240 and the pump 250 are installed in a lower layer. And a chiller system for a separate semiconductor process facility.

본 발명은, 도 3에 도시된 바와 같이,The present invention, as shown in Fig. 3,

상부층에 설치되는 상기 열전소자모듈(110)과, 상기 열교환 모듈(120)을 하나의 하우징에 내장하여 온도 콘트롤 유닛(100)으로 상부층에 설치하고, The thermoelectric module 110 installed on the upper layer and the heat exchange module 120 are installed in a single housing and are installed on the upper layer by the temperature control unit 100,

상기 쿨 루프 시스템(20)의 열매체 저장탱크(210)와, 펌프(220) 및 상기 핫 루프 시스템(30)의 열매체 저장탱크(230)와 히터(240), 펌프(250)를 하나의 하우징에 내장하여 순환 유닛(200)으로 하부층에 설치하는 것을 특징으로 한다.The heating medium storage tank 210 of the cool loop system 20 and the heating medium storage tank 230 of the pump 220 and the hot loop system 30 and the heater 240 and the pump 250 are connected to a single housing And is installed in the lower layer by the circulation unit (200).

상기 상부층에 설치되는 열전소자모듈(110)과 상기 열교환모듈(120)은, 상부층으로 직접 연결되는 외부 냉각수 라인(PCW IN)(PCW OUT)을 통해 순환되는 외부 냉각수에 의해 열전소자모듈(110)의 방열과, 열교환 모듈(120)의 열교환매체 열교환이 이루어지도록 설치되는 것을 특징으로 한다.The thermoelectric module 110 and the heat exchange module 120 installed in the upper layer are connected to the thermoelectric module 110 by external cooling water circulated through an external cooling water line PCW IN, And heat exchange medium heat exchange of the heat exchange module 120 is performed.

본 발명은, 도 4에 도시된 바와 같이, The present invention, as shown in Fig. 4,

상기 상부층에 설치되는 핫 루프 시스템(30)의 열교환 모듈(120)은,The heat exchange module (120) of the hot loop system (30)

상기 하부층의 펌프(250)에서 출력되는 열교환 매체를 입력받아 제1경로와 제2경로의 2출력으로 분배하여, 상기 제1경로를 통해 상기 열교환모듈(120)의 입력단으로 열교환매체를 공급하는 제1쓰리웨이 밸브(131)와, 상기 열교환 모듈(120)의 출력단에서 출력되는 열교환매체와, 상기 제1쓰리웨이 밸브(131)의 제2경로를 통해 출력되는 열교환매체를 2 입력으로 입력받아 혼합하여 상기 메인 툴(10)의 핫 루프의 열교환매체로 공급하는 제2쓰리웨이 밸브(132)를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.A heat exchanging medium supplied from a pump 250 of the lower layer to a first path and a second path to distribute the heat exchange medium to the input of the heat exchanging module 120 through the first path, A three-way valve 131, a heat exchange medium output from an output end of the heat exchange module 120, and a heat exchange medium output through a second path of the first three-way valve 131, And a second three-way valve (132) for supplying the heat to the heat exchange medium of the hot loop of the main tool (10).

이와 같이 구성된 본 발명은, 쿨 루프 시스템(20)과, 핫 루프 시스템(30)의 열전소자모듈(110)과, 열교환모듈(120)을 온도 콘트롤 유닛(100)으로 분리하여 반도체 공정 설비의 메인 툴(10)에 근접되게 상부층에 설치한다. 이때 상부층에 설치되는 열전소자모듈(110)과 열교환모듈(120)은 모두 외부 냉각수 라인(PCW IN)(PCW OUT)을 통해 순환되는 외부 냉각수에 의해 열교환이 이루어지도록 구성된다.The present invention configured as described above is configured to separate the cool loop system 20, the thermoelectric module 110 of the hot loop system 30 and the heat exchange module 120 into the temperature control unit 100, Is installed on the upper layer close to the tool (10). At this time, the thermoelectric module 110 and the heat exchange module 120 installed in the upper layer are configured to perform heat exchange by external cooling water circulated through the external cooling water line PCW IN (PCW OUT).

본 발명은 쿨 루프 또는 핫 루프 중 어느 하나만을 상부층에 설치하는 칠러 시스템이 아니라 쿨 루프와 핫 루프의 온도콘트롤유닛(100)을 분리하여 모두 상부층에 설치하여 메인 툴(10)에 근접되게 설치할 수 있다.The present invention is not limited to a chiller system in which only a cool loop or a hot loop is installed on an upper layer, but a cooling loop and a temperature control unit 100 for a hot loop are separated from each other, have.

쿨 루프의 쿨링 수단으로서 열전소자모듈(110)을 채용하여 소형화하고, 핫 루프의 열교환 모듈(120)과 함께 하나의 하우징에 내장하여 콤팩트한 구성으로 상부층에 설치함으로써, 메인 툴(10) 즉, 챔버에 근접하여 설치할 수 있게 된다.  The thermoelectric module 110 is employed as a cooling means of the cooling loop and is miniaturized and installed together with the hot loop heat exchange module 120 in a single housing so as to be installed in an upper layer in a compact structure, It can be installed close to the chamber.

그리고 쿨 루프 시스템(20)과 핫 루프 시스템(30)의 열교환매체 저장탱크(210)(230), 펌프(220)(250), 히터(240)를 순환유닛(200)으로 단일 함체에 수납하여 하나의 유닛으로 설치한다.The heat exchange medium storage tanks 210 and 230 of the cool loop system 20 and the hot loop system 30, the pumps 220 and 250 and the heater 240 are accommodated in the single unit by the circulation unit 200 Install in one unit.

상부층과 하부층 사이에는 쿨 루프와 핫 루프의 열교환 매체 공급 및 회수 배관만 연결되고, 상부층의 온도 콘트롤유닛(10)의 열전소자모듈(110)과 열교환모듈(120)에서 각각 열교환매체의 온도조절이 이루어지는 것이므로, 메인툴(10)에 근접된 위치에서 온도 콘트롤이 이루어진 열교환매체를 공급할 수 있어서 온도 콘트롤 응답성을 빠르게 할 수 있는 것이고, 쿨 루프와 핫 루프 모두 상부층에서 온도콘트롤이 이루어지므로 메인 툴의 온도분포를 개선할 수 있는 것이다.Only the heat exchange medium supply and recovery pipes of the cool loop and the hot loop are connected between the upper layer and the lower layer and the temperature control of the heat exchange medium in the thermoelectric module 110 and the heat exchange module 120 of the upper temperature control unit 10 It is possible to supply the heat exchange medium having the temperature control at a position close to the main tool 10, so that the temperature control responsiveness can be improved. Also, since the temperature control is performed in the upper layer in both the cool loop and the hot loop, The temperature distribution can be improved.

한편, 반도체 공정 설비의 메인 툴(10)에 쿨 루프와 핫 루프의 열교환매체를 혼합하여 열교환매체를 정전척의 쿨링 플레이트로 순환시키도록 구성할 수 있다.On the other hand, it is possible to mix the cool loop and the heat exchange medium of the hot loop in the main tool 10 of the semiconductor process facility to circulate the heat exchange medium to the cooling plate of the electrostatic chuck.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템 구성도이다. 이에 도시된 바와 같이,5 is a block diagram of a chiller system for a unit-separated semiconductor process facility according to another embodiment of the present invention. As shown therein,

쿨 루프 시스템(20)과 핫 루프 시스템(30)이 구비되는 칠러 시스템에 있어서, 상기 쿨 루프 시스템(20)의 열전소자모듈(110)과, 상기 핫 루프 시스템(30)의 열교환 모듈(120)을 분리구성하여 온도 콘트롤 유닛(100)으로 상부층의 메인 툴(10)에 근접 설치하고,The cooler system 20 includes a cool loop system 20 and a hot loop system 30. The thermoelectric module 110 of the cool loop system 20 and the heat exchange module 120 of the hot loop system 30, And the temperature control unit 100 is installed close to the main tool 10 in the upper layer,

상기 쿨 루프 시스템(20)의 열교환매체 저장탱크(210)와 펌프(220) 및 상기 핫 루프 시스템(30)의 열교환매체 저장탱크(230), 히터(240), 펌프(250)를 순환 유닛(200)으로 구성하여 하부층에 설치하되,The heat exchange medium storage tank 210 of the cool loop system 20 and the pump 220 and the heat exchange medium storage tank 230 of the hot loop system 30, the heater 240 and the pump 250 are connected to the circulation unit 200, and is installed on a lower layer,

상기 상부층에 설치되는 온도콘트롤 유닛(100)은, 상기 열전소자모듈(110)에서 출력되는 열교환매체와 상기 열교환모듈(120)에서 출력되는 열교환 매체 각각의 공급량을 조절하여 혼합한 후 상기 메인툴(10)로 공급하여 하부층의 순환유닛(200)으로 회수시키는 믹싱 모듈(300)을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.The temperature control unit 100 installed in the upper layer adjusts and mixes the supply amounts of the heat exchange medium output from the thermoelectric module 110 and the heat exchange medium output from the heat exchange module 120, 10 to the circulation unit 200 of the lower layer, and collects the mixed gas into the circulation unit 200 of the lower layer.

상기 믹싱 모듈(300)은,The mixing module (300)

쿨 루프의 열전소자모듈(110)에서 출력되는 열교환매체와 핫 루프의 열교환모듈(120)에서 출력되는 열교환 매체를 혼합하여 메인툴(10)로 공급하는 하나의 혼합밸브(예; 쓰리웨이 밸브)(301)와, 상기 메인툴(10)에서 열교환매체를 회수하는 두 라인 중 한 라인에 설치되어 하부층의 쿨 루프 열교환매체 저장탱크(210)로 회수하는 제1회수밸브(302)와, 상기 메인 툴(10)에서 열교환매체를 회수하는 두 라인중 나머지 한라인에 설치되어 하부층의 핫 루프 열교환매체 저장탱크(230)로 회수하는 제2회수밸브(303)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.A single mixing valve (for example, a three-way valve) for mixing the heat exchange medium output from the thermoelectric element module 110 of the cool loop with the heat exchange medium output from the hot loop heat exchange module 120 and supplying the heat exchange medium to the main tool 10, A first recovery valve 302 installed on one of two lines for recovering the heat exchange medium from the main tool 10 and recovering to a cool loop heat exchange medium storage tank 210 of the lower layer, And a second recovery valve (303) installed in the remaining one of the two lines for recovering the heat exchange medium from the tool (10) and recovering to the hot-roof heat exchange medium storage tank (230) of the lower layer.

이와 같이 각각의 채널로 서로다른 온도의 열교환매체를 메인 툴(10)로 보낼 수 있음은 물론이고, 믹싱 모듈(300)을 더 설치하게 되면, 상부층에 위치한 각각의 서로 다른 온도 채널을 별도의 믹싱 모듈(300)을 이용해 핫이나 쿨이 아닌 제3의 온도로 구현하여 메인 툴(10)로 공급하여 보다 빠르게 온도 콘트롤이 가능해진다.In this way, it is possible to send the heat exchanging media of different temperatures to the main tool 10 through the respective channels, and when the mixing module 300 is further installed, each of the different temperature channels located in the upper layer can be separately mixed The module 300 can be implemented at a third temperature, which is not hot or cool, and supplied to the main tool 10, so that the temperature can be controlled more quickly.

여기서, 도 5는, 한 채널로 메인툴(10)에 열교환매체를 공급하여 순환시키는 구성인데, 도 1과 같이 챔버 내부의 하부 쿨 플레이트와 상부 탑 모듈을 각각 쿨링시키기 위한 2채널 냉각인 경우, 도 5의 믹싱모듈(300)의 출력을 분기시켜 하측 쿨 플레이트와 상측 탑 모듈로 각기 분배량을 조절해서 공급하여 온도조절을 할 수도 있고, 챔버 내부의 하측 쿨 플레이트와 상측 탑 모듈을 각기 서로 다른 온도로 조절해야 하는 경우, 상기 믹싱모듈(300)의 출력은 하측 쿨플레이트로 공급하여 순환시키도록 이용하고, 핫 루프의 열교환모듈(120)의 출력을 분기시켜 하나는 믹싱모듈(300)로 하나는 챔버내의 탑모듈로 각기 공급량을 조절하여 공급하게 하고, 챔버내의 상측 탑모듈에서 회수되는 열교환매체는 하부층의 순환유닛(200)의 열교환매체 저장탱크(230)로 직접 회수하거나, 상기 믹싱모듈(300)의 핫루프측 회수라인으로 공통 연결하여 공통으로 회수되게 구성할 수 있다. 이와 같이 챔버의 온도조절을 상하측 2채널로 조절해야 하는 경우 도 5를 응용하게 쉽게 적용할 수 있음은 자명한 사실이다. 따라서, 도 5에서는 한 채널로 메인 툴(10)에 열교환매체를 공급하여 회수하는 구성 예만을 설명한다.Here, FIG. 5 shows a configuration in which the heat exchange medium is supplied to the main tool 10 through one channel and circulated. In the case of two-channel cooling for cooling the lower cool plate and the upper tower module in the chamber as shown in FIG. 1, The output of the mixing module 300 of FIG. 5 may be branched to control the temperature by controlling the distribution amount of the lower cool plate and the upper tower module, or the lower cool plate and the upper tower module in the chamber may be different from each other The output of the mixing module 300 is supplied to the lower cool plate for circulation, the output of the hot-loop heat exchange module 120 is branched, and one is supplied to the mixing module 300 And the heat exchange medium recovered in the upper tower module in the chamber is directly circulated to the heat exchange medium storage tank 230 of the circulation unit 200 in the lower layer, , Or commonly connected to the hot loop side return line of the mixing module 300 can be configured to be recovered as common. It is obvious that the embodiment of FIG. 5 can be easily applied to the case where the temperature control of the chamber needs to be adjusted to two channels on the upper and lower sides. 5, only a configuration example of supplying and recovering the heat exchange medium to the main tool 10 in one channel will be described.

또한, 상기 믹싱모듈(300)은 서로 다른 온도 대역의 유체를 혼합하는 구성으로서, 여러가지 변형 구성이 있을 수 있다.In addition, the mixing module 300 may be configured to mix fluids having different temperature ranges, and may have various modifications.

도 6은 본 발명에 의한 믹싱모듈의 다른 실시예를 보인 구성도이다.6 is a block diagram showing another embodiment of the mixing module according to the present invention.

상기 믹싱모듈의 다른 예로서, 쿨 루프의 열전소자모듈(110)에서 출력되는 열교환매체와 핫 루프의 열교환모듈(120)에서 출력되는 열교환 매체를 혼합하여 메인 툴(10)로 공급하는 하나의 혼합밸브(301)와, 상기 메인 툴(10)에서 회수되는 열교환매체를 하부층의 쿨 루프의 열교환매체 저장탱크(210)와, 하부층의 핫 루프의 열교환매체 저장탱크(230)로 분배시켜 회수하는 회수분배밸브(304)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.As another example of the mixing module, a mixer for mixing the heat exchange medium output from the thermoelectric module 110 of the Cool Loop and the heat exchange medium output from the hot-loop heat exchange module 120 and supplying the heat exchange medium to the main tool 10 A valve 301 and a number of times the heat exchange medium recovered from the main tool 10 is distributed to a cool loop heat exchange medium storage tank 210 in a lower layer and a hot loop heat exchange medium storage tank 230 in a lower layer, And a dispensing valve (304).

이는 도 5와 비교하여보면, 도 5에서는 메인 툴(10)에서 쿨 루프와 핫 루프로 각각 회수라인을 구성한 예이고, 도 6은 메인 툴(10)에서 하나의 회수라인으로 나와서 회수분배밸브(304)를 통해 쿨프프와 핫루프로 분배하여 회수시키도록 구성한 것이다. 이러한 차이는 회수라인의 배관 설비의 편의성을 도모하기 위한 것이거나 메인 툴(10)의 특성에 따라 적합한 형태를 선택구성할 수 있다.5 is an example in which a recovery line is formed by a cool loop and a hot loop in the main tool 10 in FIG. 5, FIG. 6 is an example of a recovery line from the main tool 10 to a recovery line, 304 to the cool loop and the hot loop. This difference may be for the convenience of the piping facility of the recovery line or may be configured in a suitable form according to the characteristics of the main tool 10. [

도 7은 본 발명에 의한 믹싱모듈의 또 다른 실시예를 보인 구성도이다.7 is a block diagram showing another embodiment of the mixing module according to the present invention.

상기 믹싱모듈(300)의 또 다른 예로서, 쿨 루프의 열전소자모듈(110)에서 출력되는 열교환매체의 공급을 제어하는 제1밸브(310)와, 상기 핫 루프의 열교환모듈(120)에서 출력되는 열교환 매체의 공급을 제어하는 제2밸브(320)와, 상기 제1,제2밸브(310)(320)를 통해 출력되는 쿨 루프와 핫 루프의 열교환매체를 혼합하여 출력함과 아울러 상기 메인 툴(10)로부터 열교환매체를 회수하는 혼합탱크(330)와, 상기 혼합 탱크(330)에서 혼합된 열교환매체를 상기 메인 툴(10)로 공급하는 순환펌프(340)와, 상기 혼합탱크(330)의 오버플로우 배관으로 연결되어 하부층 쿨 루프 시스템의 열교환매체 저장탱크(210)와, 핫 루프 시스템의 열교환매체 저장탱크(230)로 공통으로 연결되는 오버플로우 회수배관(350)을 포함하는 것을 특징으로 한다.As another example of the mixing module 300, a first valve 310 for controlling the supply of the heat exchange medium output from the thermoelectric module 110 of the cool loop, and a second valve 310 for controlling the output of the heat exchange module 120 A second valve 320 for controlling the supply of the heat exchange medium to the first and second valves 310 and 320 and a cool loop and a hot loop heat exchange medium output through the first and second valves 310 and 320, A circulation pump 340 for supplying a heat exchange medium mixed in the mixing tank 330 to the main tool 10 and a mixing tank 330 for collecting a heat exchange medium from the mixing tank 330 And an overflow recovery pipe 350 connected in common to the heat exchange medium storage tank 210 of the lower layer cool loop system and the heat exchange medium storage tank 230 of the hot loop system. .

이와 같이 구성되는 믹싱 모듈(300)은, 쿨루프의 열교환매체와 핫 루프의 열교환매체를 각각 제1,제2밸브(310)(320)를 통해 공급량을 조절하여 혼합탱크(330)로 공급하여 메인 툴(10)에서 회수되는 열교환매체와 혼합한다. 그러므로 메인 툴(10)에서 회수되는 열교환매체에 쿨 루프 또는 핫 루프의 열교환매체를 적절히 조절하여 혼합시킴으로써, 빠르게 원하는 온도로 조절할수 있고, 혼합탱크(330)에서 온도 조절이 이루어진 후 순환펀프(340)를 통해 메인툴(10)로 공급하여 자동 순환되게 한 것이다.The mixing module 300 configured as described above adjusts the supply amount of the cool loop heat exchange medium and the hot loop heat exchange medium through the first and second valves 310 and 320 to supply the mixture to the mixing tank 330 Mixed with the heat exchange medium recovered in the main tool 10. Therefore, by appropriately adjusting and mixing the cool-loop or hot-loop heat exchange medium with the heat exchange medium recovered from the main tool 10, it is possible to rapidly adjust the temperature to a desired temperature. After the temperature control is performed in the mixing tank 330, To the main tool 10 to be automatically circulated.

그리고 혼합탱크(330)의 상단측에는 오버플로우 회수배관(350)을 설치하여 혼합탱크(330)에서 오버플로우되는 열교환 매체를 하부층의 순환유닛(200)으로 회수시키도록 구성한다.An overflow recovery pipe 350 is installed on the upper end of the mixing tank 330 to recover the heat exchange medium overflowed from the mixing tank 330 to the circulation unit 200 of the lower layer.

따라서, 도 7과 같이 혼합탱크(330)를 이용하여 쿨 루프와 핫 루프의 열교환매체를 혼합하여 메인 툴(10)로 공급하는 구성은, 메인 툴(10)에서 회수되는 열교환 매체의 온도가 순환 펌프(340)를 통해 메인 툴(10)로 공급하는 열교환 매체의 온도와 크게 차이가 나지 않기 때문에 제1밸브(310) 또는 제2밸브(320)를 통해 쿨루프의 열교환매체 또는 핫 루프의 열교환매체를 적은량만 혼합하여도 원하는 공급 온도로 조절할수 있다, 그러므로 불필요하게 냉각 또는 히팅하지 않아도 온도조절이 용이해지는 것이다. 이때 혼합탱크(330)에는 오버플로우 회수배관(350)을 설치함으로써 제1,제2밸브(310)(330)를 통해 공급된 열교환매체의 공급량만큼 오버플로우 회수배관(350)을 통해 하부층으로 회수될 수 있다.7, a configuration in which the cooling loop and the heat exchange medium of the hot loop are mixed with each other using the mixing tank 330 and supplied to the main tool 10 is such that the temperature of the heat exchange medium recovered from the main tool 10 is circulated Since the temperature of the heat exchange medium supplied to the main tool 10 through the pump 340 is not greatly different from the temperature of the heat exchange medium supplied to the main tool 10 through the pump 340, Even if a small amount of the medium is mixed, the desired supply temperature can be adjusted. Therefore, the temperature can be easily adjusted without cooling or heating unnecessarily. At this time, the overflow recovery pipe 350 is installed in the mixing tank 330 to recover the amount of the heat exchange medium supplied through the first and second valves 310 and 330 to the lower layer through the overflow recovery pipe 350 .

10 : 메인 툴 20 : 쿨 루프 시스템
30 : 핫 루프 시스템 100 : 온도콘트롤유닛
101 : 외부 냉각수 라인 110 : 열전소자모듈
120 : 열교환모듈 131, 132 : 제1,제3쓰리웨이밸브
200 : 순환 유닛 210, 230 : 열교환매체 저장탱크
220, 250 : 펌프 240 : 히터
300 : 믹싱모듈 301 : 혼합밸브
302, 303 : 제1,제2회수밸브 304 : 회수분배밸브
310, 320 : 제,제2밸브 330 : 혼합탱크
340 : 순환펌프 350 : 오버플로우 회수배관10: main tool 20: cool loop system
30: Hot loop system 100: Temperature control unit
101: external cooling water line 110: thermoelectric module
120: Heat exchange module 131, 132: First and third three way valves
200: circulation unit 210, 230: heat exchange medium storage tank
220, 250: Pump 240: Heater
300: mixing module 301: mixing valve
302, 303: first and second recovery valves 304: recovery and dispensing valve
310, 320: first and second valves 330: mixing tank
340: circulation pump 350: overflow recovery pipe

Claims (8)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 열전소자모듈과, 열교환매체 저장탱크 및 펌프를 포함하여 이루어지는 쿨 루프 시스템(20)과, 열교환모듈과, 열교환매체 저장탱크, 히터 및 펌프를 포함하여 이루어지는 핫 루프 시스템(30)이 구비되는 반도체 공정 설비용 칠러 시스템에 있어서;
상기 쿨 루프 시스템(20)의 열전소자모듈(110)과, 상기 핫 루프 시스템(30)의 열교환모듈(120)을 분리하여 메인 툴(10)과 근접되게 상부층에 설치하고;
상기 쿨 루프 시스템(20)의 열교환매체 저장탱크(210)와 펌프(220) 및 상기 핫 루프 시스템(30)의 열교환매체 저장탱크(230), 히터(240), 펌프(250)는 하부층에 설치하며;
상기 상부층에 설치되는 핫 루프 시스템(30)의 열교환 모듈(120)에는 상기 하부층의 펌프(250)에서 출력되는 열교환 매체를 입력받아 제1경로와 제2경로의 2출력으로 분배하여 상기 제1경로를 통해 상기 열교환모듈(120)의 입력단으로 열교환매체를 공급하는 제1쓰리웨이 밸브(131)와, 상기 열교환 모듈(120)의 출력단에서 출력되는 열교환매체와, 상기 제1쓰리웨이 밸브(131)의 제2경로를 통해 출력되는 열교환매체를 2 입력으로 입력받아 혼합하여 상기 메인 툴(10)의 핫 루프의 열교환매체로 공급하는 제2쓰리웨이 밸브(132)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템.
A cool loop system 20 including a thermoelectric module, a heat exchange medium storage tank and a pump, a heat exchange module, and a hot loop system 30 including a heat exchange medium storage tank, a heater, and a pump. In a facility chiller system,
The thermoelectric module 110 of the cool loop system 20 and the heat exchange module 120 of the hot loop system 30 are separated and installed in the upper layer close to the main tool 10;
The heat exchange medium storage tank 210 of the cool loop system 20 and the pump 220 and the heat exchange medium storage tank 230 of the hot loop system 30, the heater 240 and the pump 250 are installed in a lower layer. ;
The heat exchange module (120) of the hot-roof system (30) installed in the upper layer receives the heat exchange medium output from the pump (250) of the lower layer and distributes the heat exchange medium to two outputs of a first path and a second path, Way valve 131 for supplying a heat exchange medium to an input end of the heat exchange module 120 through the heat exchange medium 120, a heat exchange medium output from an output end of the heat exchange module 120, Further comprising a second three-way valve (132) for receiving and mixing the heat exchange medium output through the second path of the main tool (10) into a heat exchange medium of a hot loop of the main tool (10) Chiller system for separate semiconductor process equipment.
삭제delete 삭제delete 삭제delete 열교환 매체를 냉각시켜 메인 툴로 공급하여 순환시키는 쿨 루프 시스템(20)과 상기 쿨 루프 시스템(20)과는 다른 온도로 열교환 매체를 냉각시켜 상기 메인 툴로 공급하여 순환시키는 핫 루프 시스템(30)이 구비되는 칠러 시스템에 있어서;
상기 쿨 루프 시스템(20)의 열전소자모듈(110)과, 상기 핫 루프 시스템(30)의 열교환 모듈(120)을 분리구성하여 온도 콘트롤 유닛(100)으로 상부층의 메인 툴(10)에 근접 설치하고;
상기 쿨 루프 시스템(20)의 열교환매체 저장탱크(210)와 펌프(220) 및 상기 핫 루프 시스템(30)의 열교환매체 저장탱크(230), 히터(240), 펌프(250)를 순환 유닛(200)으로 구성하여 하부층에 설치하되, 상기 상부층에 설치되는 온도콘트롤 유닛(100)은 상기 열전소자모듈(110)에서 출력되는 열교환매체와 상기 열교환모듈(120)에서 출력되는 열교환 매체 각각의 공급량을 조절하여 혼합한 후 상기 메인툴(10)로 공급하여 하부층의 순환유닛(200)으로 회수시키는 믹싱 모듈(300)을 더 포함하며;
상기 믹싱 모듈(300)은 쿨 루프의 열전소자모듈(110)에서 출력되는 열교환매체의 공급을 제어하는 제1밸브(310)와, 상기 핫 루프의 열교환모듈(120)에서 출력되는 열교환 매체의 공급을 제어하는 제2밸브(320)와, 상기 제1,제2밸브(310)(320)를 통해 출력되는 쿨 루프와 핫 루프의 열교환매체를 혼합하여 출력함과 아울러 상기 메인 툴(10)로부터 열교환매체를 회수하는 혼합탱크(330)와, 상기 혼합 탱크(330)에서 혼합된 열교환매체를 상기 메인 툴(10)로 공급하는 순환펌프(340)와, 상기 혼합탱크(330)의 오버플로우 배관으로 연결되어 하부층 쿨 루프 시스템의 열교환매체 저장탱크(210)와, 핫 루프 시스템의 열교환매체 저장탱크(230)로 공통으로 연결되는 오버플로우 회수배관(350)을 포함하는 것을 특징으로 하는 유닛 분리형 반도체 공정 설비용 칠러 시스템.A cool loop system 20 for cooling and circulating the heat exchange medium to supply it to the main tool and a hot loop system 30 for cooling the heat exchange medium to a temperature different from that of the cool loop system 20 and supplying the coolant to the main tool for circulation ≪ / RTI >
The thermoelectric module 110 of the cool loop system 20 and the heat exchange module 120 of the hot loop system 30 are separated from each other and the temperature control unit 100 is installed close to the main tool 10 of the upper layer and;
The heat exchange medium storage tank 210 of the cool loop system 20 and the pump 220 and the heat exchange medium storage tank 230 of the hot loop system 30, the heater 240 and the pump 250 are connected to the circulation unit The temperature control unit 100 installed in the upper layer controls the supply amount of each of the heat exchange medium output from the thermoelectric module 110 and the heat exchange medium output from the heat exchange module 120, Further comprising: a mixing module (300) for mixing and regulating and supplying the mixture to the main tool (10) and recovering the mixture to the circulation unit (200) of the lower layer;
The mixing module 300 includes a first valve 310 for controlling the supply of the heat exchange medium output from the thermoelectric module 110 of the cool loop and a second valve 310 for supplying the heat exchange medium output from the heat exchange module 120 of the hot loop. And a heat exchange medium of a hot loop outputted through the first and second valves 310 and 320 and outputs the mixed cool loop and hot loop heat exchange medium from the main tool 10 A circulation pump 340 for supplying a heat exchange medium mixed in the mixing tank 330 to the main tool 10 and an overflow pipe 330 for supplying the heat exchange medium to the main tool 10; And an overflow recovery pipe (350) connected in common to the heat exchange medium storage tank (210) of the lower layer cool loop system and the heat exchange medium storage tank (230) of the hot loop system. Chiller system for process equipment.
KR1020160071459A 2016-06-09 2016-06-09 Built-In Chiller for Semiconductor Process KR101862003B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160071459A KR101862003B1 (en) 2016-06-09 2016-06-09 Built-In Chiller for Semiconductor Process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160071459A KR101862003B1 (en) 2016-06-09 2016-06-09 Built-In Chiller for Semiconductor Process

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170139240A KR20170139240A (en) 2017-12-19
KR101862003B1 true KR101862003B1 (en) 2018-05-29

Family

ID=60924047

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160071459A KR101862003B1 (en) 2016-06-09 2016-06-09 Built-In Chiller for Semiconductor Process

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101862003B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102009485B1 (en) 2019-03-18 2019-10-21 주식회사 셀빛 Modular chiller system

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101975007B1 (en) * 2018-09-19 2019-05-07 (주)본씨앤아이 cooling system for semiconductor parts cooling
KR102188286B1 (en) * 2019-05-10 2020-12-08 (주)티티에스 Chiller control apparatus for semiconductor process

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009117443A (en) 2007-11-02 2009-05-28 Tokyo Electron Ltd Device and method for controlling temperature of substrate to be processed, and plasma processing equipment equipped with this
JP2015079930A (en) * 2013-10-17 2015-04-23 テキスト カンパニー リミテッド Temperature control system for semiconductor manufacturing facility
KR101564172B1 (en) * 2014-06-12 2015-10-28 주식회사 스피드터치 A hybrid chiller

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009117443A (en) 2007-11-02 2009-05-28 Tokyo Electron Ltd Device and method for controlling temperature of substrate to be processed, and plasma processing equipment equipped with this
JP2015079930A (en) * 2013-10-17 2015-04-23 テキスト カンパニー リミテッド Temperature control system for semiconductor manufacturing facility
KR101564172B1 (en) * 2014-06-12 2015-10-28 주식회사 스피드터치 A hybrid chiller

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102009485B1 (en) 2019-03-18 2019-10-21 주식회사 셀빛 Modular chiller system

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170139240A (en) 2017-12-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101739369B1 (en) Temperature Control System for Chiller of Semiconductor Device
US10163666B2 (en) Temperature control system for semiconductor manufacturing system
KR100925236B1 (en) Temperature control system for Semiconductor Manufacturing Device
KR101109730B1 (en) Chiller apparatus for semiconductor process and Method for controlling temperature in the same
US8596336B2 (en) Substrate support temperature control
KR101862003B1 (en) Built-In Chiller for Semiconductor Process
US20080271471A1 (en) Temperature Controlling Method for Substrate Processing System and Substrate Processing System
JPH06100408B2 (en) Cooling system
US11226108B2 (en) Heat transfer system
KR102290252B1 (en) Liquid temperature control device and temperature control method using same
KR101940287B1 (en) Temperature regulation device for manufacturing semiconductor
KR20160104654A (en) A fluid handling device and a method of heating or cooling a fluid flow
KR101705667B1 (en) Chiller for semiconductor progress
JP2001034344A (en) Temperature control system
KR102188286B1 (en) Chiller control apparatus for semiconductor process
KR20020066358A (en) Multi-channel temperature control system for semiconductor processing facilities
US20220354022A1 (en) Systems and methods for cooling a fluid circuit for cooling a rack of servers
EP3891573B1 (en) System and method for controlling temperature at test sites
KR20050109322A (en) Apparatus for controlling temptation of multi chemical lines
KR101438182B1 (en) Attachment for controlling the flow rate and temperature of brine
KR101462837B1 (en) Cooling System for Chuck of Semiconductor Manufacturing Device
KR102246406B1 (en) Chiller apparatus for semiconductor process
US20150053375A1 (en) Multi-loop temperature control system for a semiconductor manufacture process

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant