KR101824651B1 - 산화물 반도체 박막트랜지스터 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2는 본발명의 실시예에 따른 표시패널의 단면도.
도 3은 본발명의 실시예에 따른 박막트랜지스터의 층 구조를 보여주는 단면도.
도 4는 본발명의 실시예에 따른 박막트랜지스터에 적용되는 층 구조를 개략적으로 보여주는 단면도.
도 5는 매질이 서로 다른 두 물질의 굴절률 비에 따른 전반사의 임계각을 보여주는 그래프.
도 6a 내지 도 6e는 본발명의 실시예에 따른 박막트랜지스터의 제조 공정을 보여주는 도면.
또한, 전반사층(27) 및 액티브층(28) 각각의 폭은 게이트전극(24)의 폭보다 작게 형성될 수 있다.
그리고, 소스전극(32) 및 드레인 전극(34)은 전반사층(27) 외측에서 게이트절연막(26)과 접촉하고 있으며, 소스전극(32) 및 드레인 전극(34)에 의해 기판(22)을 통하여 입사되는 광(L)이 반사되고 이후 게이트 절연막(26)과 전반사층(27)의 계면에서 효율적으로 전반사 시킬 수 있게 된다.
22: 제 1 기판 40: 제 2 기판
TS: 터치센서 SL: 희생층 GL: 점착제
RL: 롤러 BDP: 베이스표시패널
Claims (10)
- 기판과;
상기 기판 상부에 형성되는 게이트전극과;
상기 게이트전극 상부에 제 1 물질로 형성되는 게이트절연막과;
상기 게이트절연막 상부에 상기 제 1 물질의 굴절률보다 작은 굴절률을 갖는 제 2 물질로 형성되는 전반사층과;
상기 전반사층 상부에 산화물 반도체 물질로 형성되는 액티브층과;
상기 액티브층 상부에 서로 이격하여 형성되는 소스전극 및 드레인전극
을 포함하며,
상기 전반사층 및 액티브층 각각의 폭은 상기 게이트전극의 폭보다 작은
산화물 반도체 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 물질의 굴절률은 2보다 크거나 같고, 상기 제 2 물질의 굴절률은 2보다 작은
산화물 반도체 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 물질은 실리콘질화막(SiNx), 이산화티타늄(TiO2) 및 징크-옥사이드(ZnO) 중 하나이고,
상기 제 2 물질은 이산화규소(SiO2) 및 산화알류미늄(Al2O3) 중 하나인
산화물 반도체 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,
상기 전반사층은,
상기 액티브층과 동일한 폭으로 형성되는
산화물 반도체 박막트랜지스터.
- 제 1 항에 있어서,
상기 산화물 반도체 물질은 갈륨(Ga), 인듐(In), 아연(zinc, Zn) 금속으로 형성되는
산화물 반도체 박막트랜지스터.
- 기판 상부에 게이트전극을 형성하는 제 1 단계와;
상기 게이트전극을 덮도록 상기 기판 전면에 제 1 물질로 게이트절연막을 형성하는 제 2 단계와;
상기 게이트절연막 상부에 상기 제 1 물질의 굴절률보다 작은 굴절률을 가진 제 2 물질로 전반사층을 형성하는 제 3 단계와;
상기 전반사층 상부에 산화물 반도체 물질의 액티브층을 형성하는 제 4 단계와;
상기 액티브층 상부에 서로 이격하여 형성되는 소스전극 및 드레인전극을 형성하는 제 5 단계
를 포함하며,
상기 전반사층 및 액티브층 각각의 폭은 상기 게이트전극의 폭보다 작은
산화물 반도체 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 제 1 물질의 굴절률은 2보다 크거나 같고, 상기 제 2 물질의 굴절률은 2보다 작은
산화물 반도체 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 제 3 단계 및 상기 제 4 단계는,
상기 게이트절연막 상부에 제 2 물질층과 액티브물질층을 순차적으로 형성하는 단계와;
상기 제 2 물질층 및 상기 액티브물질층을 연속적으로 패터닝하여 상기 전반사층과 상기 액티브층을 형성하는 단계를 포함하는
산화물 반도체 박막트랜지스터 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,
상기 제 3 단계 및 상기 제 4 단계는,
상기 게이트절연막 상부에 제 2 물질층과 액티브물질층을 순차적으로 형성하는 단계와;
상기 액티브물질층을 패터닝하여 상기 액티브층을 형성하는 단계를 포함하는
산화물 반도체 박막트랜지스터 제조방법. - 제 1 항에 있어서,
상기 소스 전극 및 드레인 전극은 상기 전반사층의 외측에서 상기 게이트절연막과 접촉하는 산화물 반도체 박막트랜지스터.
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KR100272579B1 (ko) | 1993-11-17 | 2000-12-01 | 구자홍 | 박막트랜지스터 제조방법 |
KR100646975B1 (ko) * | 2005-09-12 | 2006-11-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
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