KR101818456B1

KR101818456B1 - 액정 표시 패널

Info

Publication number: KR101818456B1
Application number: KR1020110050906A
Authority: KR
Inventors: 지문배; 채기성; 김경찬
Original assignee: 엘지디스플레이 주식회사
Priority date: 2011-05-27
Filing date: 2011-05-27
Publication date: 2018-01-16
Also published as: KR20120132214A

Abstract

본 발명은 표면 에너지를 높여 광배향막의 잔상을 해결할 수 있는 액정 표시 패널에 관한 것으로, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 컬러를 구현하기 위한 R,G,B 컬러 필터와, 컬러 필터가 형성될 화소 영역을 구분하는 블랙 매트릭스와, 공통 전극을 포함하는 컬러 필터 기판과, 상기 컬러 필터 기판과 액정을 사이에 두고 합착되며, 박막 트랜지스터와 이와 접속된 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판과, 상기 컬러 필터 기판과 박막 트랜지스터 기판 각각에 형성되며, DC 잔상을 해결하기 위한 제1 광배향막과, 배향막의 표면 이방성을 향상시키기 위한 제2 광배향막으로 구성된 배향막을 포함하며, 상기 제1 광배향막은 하기 [화학식 1]의 화합물을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
[화학식 1]

(여기서, n= 0 이상의 자연수, m= 1 이상의 자연수)

Description

액정 표시 패널{LIQUID CRYSTAL DISPLAY PANEL}

본 발명은 액정 표시 패널에 관한 것으로, 특히 표면 에너지를 높여 광배향막의 잔상을 해결할 수 있는 액정 표시 패널에 관한 것이다.

화상을 표시하는 표시 장치(Display)는 음극선관, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD), 플라즈마 표시 장치(Plasma Display Panel Device; PDP), 전기 발광 표시 장치(Electro Luminescence Display Device; ELD), 유기 발광 전계 표시 장치 등과 같이 종류가 다양하다.

통상, 액정 표시 장치(Liquid Crystal Display; LCD)는 액정 표시 패널에 매트릭스 형태로 배열된 액정셀들 각각이 비디오 신호에 따라 광투과율을 조절하게 함으로써 화상을 표시하게 된다.

여기서, 액정 표시 패널은 액정을 사이에 두고 합착제에 의해 합착되는 박막 트랜지스터 기판 및 칼러 필터 기판을 구비한다.

칼라 필터 기판에는 빛샘 방지를 위한 블랙 매트릭스와, 칼러 구현을 위한 칼러 필터, 화소전극과 수직전계를 이루는 공통전극과, 그들 위에 액정 배향을 위해 도포된 상부 배향막이 형성된다.

박막 트랜지스터 기판에는 하부기판 상에 서로 교차되게 형성된 게이트라인 및 데이터라인과, 그들의 교차부에 형성된 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT)와, 박막트랜지스터와 접속된 화소전극과, 그들 위에 액정 배향을 위해 도포된 하부 배향막이 형성된다.

상부 및 하부 배향막은 배향막의 표면을 일정한 방향성을 가지도록 하기 위해 러빙배향법을 이용한다. 러빙배향법은 기판 상에 유기 고분자를 박막의 형태로 도포한 후, 러빙포가 감겨진 러빙롤을 회전시켜 유기 고분자를 문지름으로써 유기 고분자를 일정방향으로 정렬시키는 방법이다. 그러나, 이 러빙배향법은 기판과 기계적으로 접촉하는 방식으로 러빙 시 오물 및 정전기 등이 발생하여 박막 트랜지스터 소자를 파괴하는 등의 좋지 않은 영향을 미치고 있다. 또한, 패널 크기의 대향화에 따라 러빙 방법은 패널의 표면상에 균일한 배향제를 도포하기 어렵게하며 고정세화에 악영향을 미친다.

이러한 문제를 해결하기 위해 최근 러빙 공정을 행하지 않는 액정의 배향방법으로서 자외선 영역의 직선 편광 조사에 의한 광 배향법이 주목되고 있다. 여기서, 광배향법은 특정 선편광을 이용하여 일정 시간 동안 배향막 표면에 수직하게 자외선을 조사하면 배향막 표면의 기능성 그룹이 중합, 분해 등의 반응을 통해 구조적인 변화를 일으켜 액정이 배향되는 원리를 이용한 것이다. 이를 이용하면 기존의 러빙배향법과 달리 공정 시간이 짧아지고 마더글라스 크기에 관계없이 배향이 가능하며 배향막의 선경사각 조절도 용이하여 다양한 모드에 적용이 가능한 장점을 가진다. 하지만, 광배향법은 러빙배향법보다 표면 에너지(anchoring energy)가 낮으며, 이는 잔상의 원인이 된다. 이에 따라, 표면 에너지를 높여 잔상을 해결할 수 있는 광배향막이 필요하다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 특히 표면 에너지를 높여 광배향막의 잔상을 해결할 수 있는 광배향막을 가지는 액정 표시 패널을 제공하는 것이다.

이를 위하여, 본 발명에 따른 액정 표시 패널은 컬러를 구현하기 위한 R,G,B 컬러 필터와, 컬러 필터가 형성될 화소 영역을 구분하는 블랙 매트릭스와, 공통 전극을 포함하는 컬러 필터 기판과, 상기 컬러 필터 기판과 액정을 사이에 두고 합착되며, 박막 트랜지스터와 이와 접속된 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판과, 상기 컬러 필터 기판과 박막 트랜지스터 기판 각각에 형성되며, DC 잔상을 해결하기 위한 제1 광배향막과, 배향막의 표면 이방성을 향상시키기 위한 제2 광배향막으로 구성된 배향막을 포함하며, 상기 제1 광배향막은

의 화합물을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. (여기서, n= 0 이상의 자연수, m= 1 이상의 자연수)

그리고, 상기 [화학식 1]에서 치환기 R은 하기의 화합물 B-1 내지 B-5 중 적어도 2개 이상의 고리로 이루어진 거대 고리화합물로 형성될 수 있으며, 상기 거대 고리 화합물은 헤테로 원자를 포함하는 고리 화합물인 것을 특징으로 한다.

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B-1 B-2

,

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B-3 B-4

B-5

본 발명에 따른 액정 표시 패널은 DC 잔상을 해결하기 위한 제1 광배향막과, 광배향막의 표면 이방성을 향상시키기 위한 제2 광방향막으로 구성된 상부 및 하부 배향막을 포함한다.

이때, 제1 광배향막은 거대 고리화합물을 가지는 광배향막을 이용함으로써 액정 분자와 배향막 사이의 π전자 비편재화를 구현하여 표면 에너지를 증가시켰으며, 표면 에너지 증가로 인해 잔상을 해결하였다.

또한, 제2 광배향막은 광배향막의 표면 이방성을 향상시킬 수 있는 재질을 이용하여 균일한 액정 배향성을 유지한다.

이와 같이, 본 발명은 제1 광배향막을 통해 DC 잔상을 해결하면서 제2 광배향막을 통해 균일한 액정 배향성을 유지할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시 패널을 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 액정 표시 패널의 단면도를 나타낸 도면이다.
도 3은 광배향막의 DC 잔상과 표면 이방성 간의 Trade off한 관계를 나타낸 그래프이다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명에 따른 π 전자 비편재화를 설명하기 위한 화학식들이며, 도 4a 및 도 4b는 종래 광배향막의 화학식을 나타내고 있으며, 도 4c는 본 발명의 광배향막의 화학식을 나타내고 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 구성 및 그에 따른 작용 효과는 이하의 상세한 설명을 통해 명확하게 이해될 것이다. 본 발명의 상세한 설명에 앞서, 동일한 구성 요소에 대해서는 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호로 표시하며, 공지된 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 구체적인 설명은 생략하기로 함에 유의한다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도 1 내지 도 4c를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 액정 표시 패널을 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 액정 표시 패널의 단면도를 나타낸 도면이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 액정 표시 패널은 액정을 사이에 두고 합착된 컬러 필터 기판(140)과 박막 트랜지스터 기판(100)을 구비한다.

컬러 필터 기판(140)은 상부 기판(141) 상에 형성된 블랙 매트릭스(142), 컬러 필터(144), 평탄화층(146), 공통 전극(148), 상부 배향막(150)을 포함한다.

컬러 필터(144)는 색을 구현하기 위해 적색, 녹색, 청색 컬러 필터(R,G,B)를 포함한다. 적색, 녹색, 청색 컬러 필터(R,G,B)는 각각 자신이 포함하고 있는 적색, 녹색, 청색 안료를 통해 특정 파장의 광을 흡수 또는 투과시킴으로써, 적색, 녹색, 청색을 띄게 된다.

블랙 매트릭스(142)는 컬러 필터(144)가 형성될 화소 영역을 구분함과 아울러 박막 트랜지스터 기판(100)의 게이트 라인 및 데이터 라인, 박막 트랜지스터와 중첩되도록 형성된다. 이러한, 블랙 매트릭스(142)는 원하지 않는 액정 배열로 인해 생긴 투과광을 차단하여 액정 표시 장치의 콘트라스트를 향상시키고 박막 트랜지스터로 직접적인 광조사를 차단하여 박막 트랜지스터의 광누설 전류를 막는다.

공통 전극(176)은 투명 도전층으로 액정 구동시 기준이 되는 공통 전압을 공급한다. 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이 표시 패널은 두 기판에 각각 전극(120,322,176)을 설치하고 액정 방향자가 90°트위스트 되도록 배열한 다음, 전극에 전압을 가하여 액정 방향자를 구동하는 트위스트 네마틱(Twisted-Nemaitc; TN) 방식, 하나의 기판 상에 두 개의 전극을 형성하고 두 전극 사이에서 발생하는 수평 전계로 액정의 방향자를 조절하는 IPS(In-Plane Swiching) 모드, 두 개의 전극을 투명 전도체로 형성하면서 두 개의 전극 사이의 간격을 좁게 형성하여 두 전극 사이에 형성되는 프린지 필드에 의해 액정 분자를 동작시키는 FFS(Fringe Field Swiching) 모드 방식 등의 방식을 이용할 수 있으며, 이에 한정하지 않는다.

평탄화층(146)은 상부 기판(141)의 표면 평탄화를 위하여 컬러 필터(144)와 블랙 매트릭스(142) 상에 형성된다.

박막 트랜지스터 기판(100)은 하부 기판(101) 위에 게이트 라인(106) 및 데이터 라인(104)의 교차로 정의된 화소 영역마다 형성된 박막 트랜지스터(TFT), 화소 전극(122), 하부 배향막(130)을 포함한다.

박막 트랜지스터는 게이트 라인(106)에 공급되는 스캔 신호에 응답하여 데이터 라인의 비디오 신호를 화소 전극(122)에 공급한다. 이를 위해, 박막 트랜지스터(TFT)는 게이트 라인(106)에 접속된 게이트 전극(102), 데이터 라인(104)과 접속된 소스 전극(108), 소스 전극(108)과 대향하게 위치하여 화소 전극(122)과 접속된 드레인 전극(110), 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 게이트 전극(102)과 중첩되게 형성되어 소스 전극(108)과 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 활성층(114), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과의 오믹 접촉을 위하여 채널 영역을 제외한 활성층 위에 형성된 오믹 접촉층(116)을 구비한다.

화소 전극(122)은 메인 박막 트랜지스터(TFT)의 드레인 전극(110)과 컨택홀(120)을 통해 접속되며, 보호막(118) 상에 형성된다. 이러한, 화소 전극(122)은 투명 도전층으로 형성된다. 여기서, 화소 전극(122)은 메인 박막 트랜지스터(TFT)를 통해 비디오 신호가 공급되면 공통 전압이 공급된 공통 전극(148)과 함께 전기장을 생성함으로써 두 전극(122,148) 사이의 액정 분자들(160)의 배열 방향이 변화하며 이에 따라 액정 분자들(160)을 통과하는 광 투과율이 달라지게 됨으로써 계조가 구현된다.

보호막(118)은 박막 트랜지스터(TFT)와 화소 전극(122) 사이에 형성된 데이터 라인(104)과 박막 트랜지스터(TFT)를 보호한다. 여기서, 보호막(118)은 무기 및 유기 보호막의 이중층 또는 이들 중 어느 하나만 형성되는 단일층으로 형성될 수 있다.

상부 및 하부 광배향막(130,150)은 박막 트랜지스터 기판(100) 및 컬러 필터 기판(140) 사이에 형성된 액정(160) 배열 방향을 결정한다. 즉, 액정(160)이 편광된 빛의 개폐자의 역할을 잘 수행할 수 있도록 액정을 한쪽 방향으로 균일하게 배향시켜 주는 액정 구동의 핵심재료이며, 액정 배향막의 액정 배향막의 액정 배향 특성 및 박막으로서의 전기적 특성은 액정 표시 패널의 표시 품질을 좌우한다. 상부 배향막(150)은 블랙 매트릭스(142), 컬러 필터(144) 및 공통 전극(148)이 형성된 상부 기판(141) 상에 형성되고, 하부 배향막(130)은 박막 트랜지스터(TFT) 및 화소 전극(122)이 형성된 하부 기판(101) 상에 형성된다.

여기서, 상부 및 하부 배향막(130,150)은 광배향 물질을 사용하여 형성된다. 이러한, 광배향 물질은 광반응기를 갖는 고분자를 포함하며, 고분자막에 편광된 자외선을 조사하여 광반응을 유도하고 이에 따라 고분자막이 비등방성을 가지도록 한다.상부 및 하부 광배향막(130,150) 각각은 DC 잔상을 해결하기 위한 제1 광배향막(132,152)과, 광배향막의 표면 이방성을 향상시키기 위한 제2 광방향막(134,154)으로 구성된다.

제1 광배향막(132,152)은 하기와 같은 [화학식 1]으로 표시되는 광배향 물질을 사용할 수 있다.

상기 [화학식 1]에서 R로 표시된 링(ring) 부분(

)은 벤젠(bezene)일 수 있으며, 헤테로 원자(Hetero atom)가 치환된 고리 화합물일 수도 있으며, 다수개의 고리 화합물이 연속으로 직접 또는 간접적으로 연결된 화합물일 수 있다. 고리 화합물과 고리 화합물 사이는 하나 또는 다수 개의 알킬기 사슬(alkyl chain)로 이어져 있을 수 있으며, 알킬기 사슬(alkyl chain) 사이에는 헤테로 원자(hetero atom)로 치환될 수 있다.

상기 [화학식 1]에서 n, m은 1 이상의 자연수를 의미하며, n은 0이 될 수 있으나, m은 0이 될 수 없다.

또한, [화학식 1]에서 R로 표시된 링(ring) 부분(

)은 하기 화합물(A-1 내지 A-5) 중 어느 하나일 수 있다.

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,

,

A-1 A-2, A-3

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A-4 A-5

그리고, 상기 [화학식 1]에서 치환기 R은 하기 화합물들(B-1 내지 B-5) 중 적어도 2개 이상의 고리로 이루어진 거대 고리화합물로 형성될 수 있으며, 거대 고리 화합물은 헤테로 원자를 포함하는 모든 고리 화합물일 수 있다.

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B-1 B-2

,

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B-3 B-4

B-5

이와 같이, 본 발명의 제1 광배향막(132,152)은 상술한 [화학식 1]으로 표시되며, [화학식 1]에 거대 고리 화합물을 도입함으로써 DC 잔상을 해결할 수 있다.

구체적으로, 광배향법은 모기판의 크기에 상관없이 균일한 배향을 진행할 수 있지만, 화질에 영향을 주는 잔상 현상이 문제가 되고 있다. 잔상은 패널 내부에 발생하는 직류 전계에 기인되며, 광배향막의 재료적 문제점과 연관되어 있다. 즉, 액정에 DC 전압을 걸면 액정층의 불순물이 이온화되어 + 이온은 - 전극의 배향막에 적층되고, - 이온은 + 전극의 배향막에 적층되어 시간이 지남에 따라 배향막에 흡착된다. 외부에서 걸어준 DC 전압을 없애더라도 배향막에 흡착된 이온들이 액정층으로 확산되어 반대 극성의 이온과 다시 결합하여 잔류 DC 전압이 발생된다. 이러한, DC 잔상을 저감시키기 위해서는 표면 에너지(anchoring energy)가 커야한다. 즉, 광배향막은 표면 에너지가 낮아 잔상의 문제가 발생된다.

이에 따라, 본 발명의 제1 광배향막(132,152)은 상기 [화학식 1]에 다수의 π 전자를 가지는 거대고리화합물을 도입함으로써 표면 에너지를 시킬 수 있다. 이를 설명하자면, 상기 [화학식 1]에 다수의 π 전자를 가지는 거대고리화합물을 도입됨으로써 액정 분자와 배향막 사이의 강한 π-π 전자 비편재화를 유도하여 표면 에너지가 증가된다.

다시 말하자면, 광배향법은 액정 분자와 배향막 사이의 화학적 상호 작용만으로 액정분자의 배향이 조절되므로 표면 에너지가 낮아지며, 이는 잔상의 원인이 되는데 본 발명의 제1 광배향막(132,152)은 거대고리화합물을 통해 액정 분자와 배향막 사이의 강한 π-π 상호 작용을 유도하여 표면 에너지가 높아진다. 이와 같이, 표면 에너지를 증가시켜 잔상의 문제가 해결된다.

또한, 본 발명의 제1 광배향막(132,152)은 제2 광배향막(134,154) 하부에 위치시킨다. 이는, DC 잔상을 하부로 빼주기 위함이다. 즉, 흡착된 이온들을 하부로 빼주면서 DC 잔상을 해결한다. 그리고, 제1 광배향막(132,152)은 거대 고리화합물의 구조에 의한 리지드(rigid)한 성질을 통해 사슬(chain)의 방향성을 증가시킬 수 있다. 이에 따라, 액정 배열을 개선할 수 있다.

이와 같이, 본 발명의 제1 광배향막(132,152)은 거대 고리 화합물을 도입함으로써 π전자 비편재화를 구현하여 표면 에너지를 증가시킬 수 있으며 액정 배열을 개선시킬 수 있다.

도 4a 내지 도 4c를 결부하여 본 발명에 따른 π 전자 비편재화를 설명하기로 한다. 이때, 도 4c는 본 발명의 [화학식 1]에 다수의 π 전자를 가지는 거대고리화합물을 도입한 제1 광배향막에 대한 실시 예이며, 도 4c에 도시된 화학식을 포함하는 화합물에 한정되지 않는다.

도 4a 및 도 4b는 종래 광배향막을 표시하는 화학식이다. 도 4a에 도시된 화학식은 벤젠 고리와 벤젠 고리와 연결된 부분(A 영역; Not conjugated)이 비편재화되지 않았으며, 도 4b에 도시된 화학식은 벤젠 고리와 벤젠 고리가 연결된 부분(B 영역; Partially conjugated)이 벤젠 고리와 벤젠 고리 사이에 산소가 도입되어 부분적으로 비편재화되어 있다. 이와 같이, 도 4a의 화학식과 같이 비편재화되지 않은 구조와, 도 4b의 화학식과 같이 부분적 비편재화는 광배향막의 표면 에너지가 낮아 잔상 특성을 개선할 수 없다.

하지만, 본원 발명은 도 4c에 도시된 바와 같이 벤젠 고리와 벤젠 고리가 연결된 부분(C 영역; conjugated)이 π 전자 비편재화되어 있다. 이와 같이, 본 발명의 제1 광배향막(132,152)은 벤젠 고리와 벤젠 고리가 연결된 부분이 π 전자 비편재화됨으로써 표면 에너지가 증가될 수 있다.

제2 광배향막(134,154)은 광배향막의 균일한 액정 배향성을 유지할 수 있는 재질을 이용한다. 일반적으로 광배향막은 도 3에 그래프와 같이 trade-off한 관계를 가진다. 도 3에 도시된 그래프를 설명하자면, DC 잔상을 해결함에 따라 표면 이방성이 문제가 되고, 표면 이방성이 해결됨에 따라 DC 잔상이 문제가 되는데 두 그래프가 만나는 적절한 지점이 있다. 이와 같은 특성에 따라, 본 발명의 제1 광배향막(132,152)은 DC 잔상을 해결하면서 제2 광배향막(134,154)은 액정 배향성이 좋은 재질로 형성하여 균일한 액정 배향성을 유지한다.

이때, 상부 및 하부 광배향막(130,150) 각각은 제1 및 제2 광배향막(132,134,152,154)으로 두 층으로 구성되는데, 이때 상부 및 하부 배향막(130,150) 각각은 한 층으로 광배향막을 도포한 뒤 UV를 이용하여 제1 및 제2 광배향막(132,134,152,154)으로 상분리시켜 두 층으로 구성될 수 있으며, [화학식 1]에 거대 고리화합물을 가지는 제1 광배향막(132,152)의 재질과 액정 배향성이 좋은 제2 광배향막(134,154)의 재질을 각각 도포하여 두 층으로 구성될 수 있다. 즉, 제1 광배향막(132,152)의 재질을 도포한 후, 그 위에 제2 광배향막(134,154)을 도포하여 두 층으로 이루어진 상부 및 하부 배향막(130,150)을 형성할 수 있다.

이에 따라, 본 발명의 상부 및 하부 광배향막(130,150)은 제1 광배향막(132,152)을 통해 DC 잔상을 해결하면서 제2 광배향막(134,154)을 통해 균일한 액정 배향성을 유지할 수 있다.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.

101 : 하부 기판 102 : 게이트 전극
104 : 데이터 라인 106 : 게이트 라인
108 : 소스 전극 110 : 드레인 전극
112 : 게이트 절연막 114 : 활성층
116 : 오믹 접촉층 118 : 보호막
122 : 화소 전극 130 : 상부 배향막
132,152 : 제1 배향막 134,154 : 제2 배향막
141 : 상부 기판 142 : 블랙 매트릭스
144 : 컬러 필터 146 : 평탄화층
150 : 상부 배향막

Claims

컬러를 구현하기 위한 R,G,B 컬러 필터와, 컬러 필터가 형성될 화소 영역을 구분하는 블랙 매트릭스와, 공통 전극을 포함하는 컬러 필터 기판과;
상기 컬러 필터 기판과 액정을 사이에 두고 합착되며, 박막 트랜지스터와 이와 접속된 화소 전극을 포함하는 박막 트랜지스터 기판과;
상기 컬러 필터 기판과 박막 트랜지스터 기판 각각에 형성되며, DC 잔상을 해결하기 위한 제1 광배향막과, 배향막의 표면 이방성을 향상시키기 위한 제2 광배향막으로 구성된 배향막을 포함하며,
상기 제1 광배향막은 하기의 [화학식 1]로 표시되는 화합물을 포함하여 이루어지고,
[화학식 1]

(여기서, n= 0 이상의 자연수, m= 1 이상의 자연수, R은 고리 화합물)
상기 [화학식 1]에서 R로 표시된 링 부분(
)은 하기의 화합물 A-1 내지A-5 중 어느 하나를 선택하는 액정 표시 패널.

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A-1 A-2, A-3

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A-4 A-5
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
제1항에 있어서,
상기 [화학식 1]에서 상기 고리 화합물 R은 하기의 화합물 B-1 내지 B-5 중 적어도 2 개 이상의 고리로 이루어진 거대 고리화합물로 형성될 수 있으며, 상기 거대 고리 화합물은 헤테로 원자를 포함하는 고리 화합물인 것을 특징으로 하는 액정 표시 패널.

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B-1 B-2

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B-3 B-4

B-5