KR101817208B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 하우징과; 상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 지지 플레이트를 가지는 기판 지지 유닛과; 상기 지지 플레이트에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛과; 상기 지지 플레이트에 지지된 기판을 상기 지지 플레이트 상에 정위치시키는 조정 유닛을 포함하되, 상기 조정 유닛은 상기 지지 플레이트에 어긋나게 지지된 기판의 측면에 상기 지지 플레이트의 내측 방향으로 힘을 가하여 기판을 정위치시킨다.

Description

기판 처리 장치{APPARATUS FOR TREATING SUBSTRATE}
본 발명은 기판을 액 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자를 제조하기 위해서는 세정, 증착, 사진, 식각, 그리고 이온주입 등과 같은 다양한 공정이 수행된다. 이러한 공정들 중 사진 공정은 도포, 노광, 그리고 현상 단계를 순차적으로 수행한다. 도포 공정은 기판의 표면에 레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정이다. 노광 공정은 감광막이 형성된 기판 상에 회로 패턴을 노광하는 공정이다. 현상 공정에 는 기판의 노광 처리된 영역을 선택적으로 현상하는 공정이다.
일반적으로 도포 공정은 막 형성 단계 및 이비알(EBR: Edge Bead removal) 단계를 수행한다. 막 형성 단계는 기판 상에 감광막을 형성하는 단계이고, 이비알 단계는 감광막의 엣지부를 제거하여 기판의 엣지부를 노출시키는 단계이다. 막 형성 단계에서는 기판의 중심에 감광액을 공급하여 감광액을 기판의 전체 영역으로 확산시킨다. 이비알 단계에서는 기판의 엣지부에 엣지 비드 제거액을 공급하여 감광막을 제거한다.
일반적으로 이비알 단계는 감광막이 도포된 기판이 베이크 챔버 내에서 베이킹 된 후, 이비알 공정이 수행되는 챔버에서 수행된다. 이 경우, 베이킹 챔버에서의 온도 변화의 영향 등에 의해, 기판을 반송하는 반송 유닛의 이송 오차가 발생될 수 있다. 반송 유닛의 이송 오차는 기판을 이비알 공정이 수행되는 챔버 내의 기판 지지 유닛 상의 정위치로부터 벗어나게 놓이게 한다. 이는 이비알 공정 결과의 품질을 저하시키는 원인이 된다. 따라서, 기판을 정위치 시키기 위한 별도의 공정이 요구된다.
본 발명은 기판 지지 유닛 상에 기판을 정위치시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명은 기판의 품질 저하를 방지하는 기판 처리 장치를 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는, 하우징과; 상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 지지 플레이트를 가지는 기판 지지 유닛과; 상기 지지 플레이트에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛과; 상기 지지 플레이트에 지지된 기판을 상기 지지 플레이트 상에 정위치시키는 조정 유닛을 포함하되, 상기 조정 유닛은 상기 지지 플레이트에 어긋나게 지지된 기판의 측면에 상기 지지 플레이트의 내측 방향으로 힘을 가하여 기판을 정위치시킨다.
상기 조정 유닛은 상기 지지 플레이트에 어긋나게 지지된 기판의 측면에 상기 지지 플레이트의 내측 방향으로 힘을 가하는 조정 아암을 포함하되, 상기 조정 아암은 상부에서 바라볼 때, 적어도 3개가 상기 지지 플레이트의 둘레 방향을 따라 이격되게 제공된다.
상기 조정 아암은, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 플레이트의 내측으로부터 상기 지지 플레이트의 외측으로 연장되게 제공되고, 길이가 가변되는 가변 바(Bar)와; 상기 가변 바의 끝단으로부터 위 방향으로 돌출된 푸쉬 돌기를 포함하되, 상기 푸쉬 돌기는 내측면이 상기 지지 플레이트에 지지된 기판의 측면과 대향되게 제공된다.
상기 가변 바는 길이 조절 시, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 플레이트의 정위치에 지지된 기판의 중심으로부터 상기 푸쉬 돌기의 내측면까지의 길이가 서로 동일하게 유지된다.
상기 기판 지지 유닛은 상기 지지 플레이트를 지지하는 지지축을 더 포함하되, 상기 가변 바는 상기 지지축의 측면으로부터 연장된다.
상기 푸쉬 돌기는 상기 가변 바와 연결되는 일단을 중심으로 제 1 위치와 제 2 위치 간에 탄성적으로 회전 가능하게 제공되되, 상기 제 1 위치는 상기 푸쉬 돌기의 타단의 위치가 상기 제 2 위치보다 상기 지지 플레이트의 내측에 더 인접하게 위치되는 위치이고, 상기 제 1 위치는 상기 푸쉬 돌기에 외부로부터 힘이 인가되지 않는 경우 상기 타단이 위치되는 위치이다.
상기 지지 플레이트에는 상기 지지 플레이트 상에 지지된 기판을 상기 지지 플레이트의 상면에 흡착시키는 흡착 수단이 제공된다.
상기 흡착 수단은 상기 지지 플레이트의 상면에 형성된 진공홀로 제공된다.
상기 푸쉬 돌기는 상기 가변 바가 최대한 수축되는 경우, 상기 지지 플레이트에 지지된 기판의 하부에 위치된다.
상기 지지 플레이트의 직경은 기판의 직경보다 작거나 동일하게 제공된다.
상기 액 공급 유닛은 기판 상에 형성된 감광막의 엣지부가 제거되도록 엣지 비드 제거액을 상기 지지 플레이트 상에 지지된 기판의 엣지 영역에 공급하는 이비알(EBR) 노즐을 포함한다.
상기 조정 유닛은 상기 가변 바의 길이를 측정하는 길이 측정 부재를 더 포함한다.
상기 조정 유닛은 상기 가변 바 및 상기 흡착 수단을 제어하는 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 플레이트에 정위치된 경우의 기판의 중심으로부터 상기 푸쉬 돌기의 상기 내측면까지의 길이가 기판의 반경보다 길어지도록 상기 가변 바를 인장시키는 인장 단계와; 상기 지지 플레이트 상에 기판이 놓인 후, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 플레이트에 정위치된 경우의 기판의 중심으로부터 상기 푸쉬 돌기의 상기 내측면까지의 길이가 기판의 반경과 동일해질 때까지 상기 가변 바를 수축시키는 제 1 수축 단계와; 상기 지지 플레이트 상에 지지된 기판을 상기 흡착 수단을 이용해 상기 지지 플레이트의 상면에 흡착시키는 흡착 단계와; 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 플레이트에 정위치된 경우의 기판의 중심으로부터 상기 푸쉬 돌기의 상기 내측면까지의 길이가 기판의 반경보다 작아지도록 상기 가변 바를 수축시키는 제 2 수축 단계가 순차적으로 수행되도록 상기 가변 바와 상기 흡착 수단을 제어한다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판 지지 유닛 상에 기판을 정위치시킬 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 기판의 품질 저하를 방지할 수 있다.
도 1는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다.
도 2은 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다.
도 3는 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 4는 도 1의 레지스트 도포 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 기판 지지 유닛 및 조정 유닛을 보여주는 평면도이다.
도 6은 도 4의 기판 지지 유닛 및 조정 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 4의 푸쉬 돌기를 보여주는 측면도이다.
도 8은 도 4의 조정 유닛 및 흡착 수단을 이용하여 기판을 정위치시키는 정위치 방법을 보여주는 순서도이다.
도 9 내지 도 13은 상기 정위치 방법에 따른 조정 유닛 및 흡착 수단의 동작을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 지지 유닛 및 조정 유닛을 보여주는 사시도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
본 실시 예의 설비는 반도체 웨이퍼 또는 평판 표시 패널과 같은 기판에 대해 포토리소그래피 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 특히 본 실시 예의 설비는 노광장치에 연결되어 기판에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행하는 데 사용될 수 있다. 아래에서는 기판로 웨이퍼가 사용된 경우를 예로 들어 설명한다.
도 1는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 설비의 평면도이다. 도 2은 도 1의 설비를 A-A 방향에서 바라본 단면도이다. 도 3는 도 1의 설비를 B-B 방향에서 바라본 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)을 포함한다. 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400), 그리고 인터페이스 모듈(700)은 순차적으로 일 방향으로 일렬로 배치된다.
이하, 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)이 배치된 방향을 제 1 방향(12)이라 칭하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 칭하고, 제 1 방향(12) 및 제 2 방향(14)과 각각 수직한 방향을 제 3 방향(16)이라 칭한다.
기판(W)은 카세트(20) 내에 수납된 상태로 이동된다. 이때 카세트(20)는 외부로부터 밀폐될 수 있는 구조를 가진다. 예컨대, 카세트(20)로는 전방에 도어를 가지는 전면 개방 일체식 포드(Front Open Unified Pod; FOUP)가 사용될 수 있다.
이하에서는 로드 포트(100), 인덱스 모듈(200), 버퍼 모듈(300), 도포 및 현상 모듈(400) 그리고 인터페이스 모듈(700)에 대해 상세히 설명한다.
로드 포트(100)는 기판들(W)이 수납된 카세트(20)가 놓여지는 재치대(120)를 가진다. 재치대(120)는 복수개가 제공되며, 재치대들(200)은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 4개의 재치대(120)가 제공되었다.
인덱스 모듈(200)은 로드 포트(100)의 재치대(120)에 놓인 카세트(20)와 버퍼 모듈(300) 간에 기판(W)을 이송한다. 인덱스 모듈(200)은 프레임(210), 인덱스 로봇(220), 그리고 가이드 레일(230)을 가진다. 프레임(210)은 대체로 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 로드 포트(100)와 버퍼 모듈(300) 사이에 배치된다. 인덱스 모듈(200)의 프레임(210)은 후술하는 버퍼 모듈(300)의 프레임(310)보다 낮은 높이로 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(220)과 가이드 레일(230)은 프레임(210) 내에 배치된다. 인덱스 로봇(220)은 기판(W)을 직접 핸들링하는 핸드(221)가 제 1 방향(12), 제 2 방향(14), 제 3 방향(16)으로 이동 가능하고 회전될 수 있도록 4축 구동이 가능한 구조를 가진다. 인덱스 로봇(220)은 핸드(221), 아암(222), 지지대(223), 그리고 받침대(224)를 가진다. 핸드(221)는 아암(222)에 고정 설치된다. 아암(222)은 신축 가능한 구조 및 회전 가능한 구조로 제공된다. 지지대(223)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 아암(222)은 지지대(223)를 따라 이동 가능하도록 지지대(223)에 결합된다. 지지대(223)는 받침대(224)에 고정결합된다. 가이드 레일(230)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)을 따라 배치되도록 제공된다. 받침대(224)는 가이드 레일(230)을 따라 직선 이동 가능하도록 가이드 레일(230)에 결합된다. 또한, 도시되지는 않았지만, 프레임(210)에는 카세트(20)의 도어를 개폐하는 도어 오프너가 더 제공된다.
버퍼 모듈(300)은 프레임(310), 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)을 가진다. 프레임(310)은 내부가 빈 직육면체의 형상으로 제공되며, 인덱스 모듈(200)과 도포 및 현상 모듈(400) 사이에 배치된다. 제 1 버퍼(320), 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 버퍼 로봇(360)은 프레임(310) 내에 위치된다. 냉각 챔버(350), 제 2 버퍼(330), 그리고 제 1 버퍼(320)는 순차적으로 아래에서부터 제 3 방향(16)을 따라 배치된다. 제 1 버퍼(320)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 도포 모듈(401)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350)는 후술하는 도포 및 현상 모듈(400)의 현상 모듈(402)과 대응되는 높이에 위치된다. 버퍼 로봇(360)은 제 2 버퍼(330), 냉각 챔버(350), 그리고 제 1 버퍼(320)와 제 2 방향(14)으로 일정 거리 이격되게 위치된다.
제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330)는 각각 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 제 2 버퍼(330)는 하우징(331)과 복수의 지지대들(332)을 가진다. 지지대들(332)은 하우징(331) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(332)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(331)은 인덱스 로봇(220), 버퍼 로봇(360), 그리고 후술하는 현상 모듈(402)의 현상부 로봇(482)이 하우징(331) 내 지지대(332)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향, 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향, 그리고 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 1 버퍼(320)는 제 2 버퍼(330)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 다만, 제 1 버퍼(320)의 하우징(321)에는 버퍼 로봇(360)이 제공된 방향 및 후술하는 도포 모듈(401)에 위치된 도포부 로봇(432)이 제공된 방향에 개구를 가진다. 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수와 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 동일하거나 상이할 수 있다. 일 예에 의하면, 제 2 버퍼(330)에 제공된 지지대(332)의 수는 제 1 버퍼(320)에 제공된 지지대(322)의 수보다 많을 수 있다.
버퍼 로봇(360)은 제 1 버퍼(320)와 제 2 버퍼(330) 간에 기판(W)을 이송시킨다. 버퍼 로봇(360)은 핸드(361), 아암(362), 그리고 지지대(363)를 가진다. 핸드(361)는 아암(362)에 고정 설치된다. 아암(362)은 신축 가능한 구조로 제공되어, 핸드(361)가 제 2 방향(14)을 따라 이동 가능하도록 한다. 아암(362)은 지지대(363)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(363)에 결합된다. 지지대(363)는 제 2 버퍼(330)에 대응되는 위치부터 제 1 버퍼(320)에 대응되는 위치까지 연장된 길이를 가진다. 지지대(363)는 이보다 위 또는 아래 방향으로 더 길게 제공될 수 있다. 버퍼 로봇(360)은 단순히 핸드(361)가 제 2 방향(14) 및 제 3 방향(16)을 따른 2축 구동만 되도록 제공될 수 있다.
냉각 챔버(350)는 각각 기판(W)을 냉각한다. 냉각 챔버(350)는 하우징(351)과 냉각 플레이트(352)를 가진다. 냉각 플레이트(352)는 기판(W)이 놓이는 상면 및 기판(W)을 냉각하는 냉각 수단(353)을 가진다. 냉각 수단(353)으로는 냉각수에 의한 냉각이나 열전 소자를 이용한 냉각 등 다양한 방식이 사용될 수 있다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 기판(W)을 냉각 플레이트(352) 상에 위치시키는 리프트 핀 어셈블리(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 하우징(351)은 인덱스 로봇(220) 및 후술하는 현상 모듈(402)에 제공된 현상부 로봇(482)이 냉각 플레이트(352)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 인덱스 로봇(220)이 제공된 방향 및 현상부 로봇(482)이 제공된 방향에 개구(도시되지 않음)를 가진다. 또한, 냉각 챔버(350)에는 상술한 개구를 개폐하는 도어들(도시되지 않음)이 제공될 수 있다.
도포 및 현상 모듈(400)은 노광 공정 전에 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 노광 공정 후에 기판(W)을 현상하는 공정을 수행한다. 도포 및 현상 모듈(400)은 대체로 직육면체의 형상을 가진다. 도포 및 현상 모듈(400)은 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)을 가진다. 도포 모듈(401)과 현상 모듈(402)은 서로 간에 층으로 구획되도록 배치된다. 일 예에 의하면, 도포 모듈(401)은 현상 모듈(402)의 상부에 위치된다.
도포 모듈(401)은 기판(W)에 대해 포토레지스트와 같은 감광액을 도포하는 공정 및 레지스트 도포 공정 전후에 기판(W)에 대해 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 도포 모듈(401)은 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)를 가진다. 레지스트 도포 챔버(410), 베이크 챔버(420), 그리고 반송 챔버(430)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 레지스트 도포 챔버(410)와 베이크 챔버(420)는 반송 챔버(430)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 레지스트 도포 챔버(410)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(420)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(430)는 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(430) 내에는 도포부 로봇(432)과 가이드 레일(433)이 위치된다. 반송 챔버(430)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 도포부 로봇(432)은 베이크 챔버들(420), 레지스트 도포 챔버들(400), 버퍼 모듈(300)의 제 1 버퍼(320) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(433)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(433)은 도포부 로봇(432)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 도포부 로봇(432)은 핸드(434), 아암(435), 지지대(436), 그리고 받침대(437)를 가진다. 핸드(434)는 아암(435)에 고정 설치된다. 아암(435)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(434)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(436)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(435)은 지지대(436)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(436)에 결합된다. 지지대(436)는 받침대(437)에 고정 결합되고, 받침대(437)는 가이드 레일(433)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(433)에 결합된다.
레지스트 도포 챔버들(410)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 레지스트 도포 챔버(410)에서 사용되는 포토 레지스트의 종류는 서로 상이할 수 있다. 일 예로서 포토 레지스트로는 화학 증폭형 레지스트(chemical amplification resist)가 사용될 수 있다. 레지스트 도포 챔버(410)는 기판(W) 상에 포토 레지스트를 도포하는 기판 처리 장치로 제공된다. 기판 처리 장치(800)는 액 도포 공정 및 이비알(EBR: Edge Bead removal) 공정을 수행한다. 도 4는 도 1의 레지스트 도포 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 보여주는 단면도이다. 도 4를 참조하면, 기판 처리 장치(800)는 하우징(810), 기류 제공 유닛(820), 기판 지지 유닛(830), 처리 용기(850), 승강 유닛(890), 액 공급 유닛(840), 그리고 조정 유닛(880)을 포함한다.
하우징(810)은 내부에 공간(812)을 가지는 직사각의 통 형상으로 제공된다. 하우징(810)의 일측에는 개구(미도시)가 형성된다. 개구는 기판(W)이 반출입되는 입구로 기능한다. 개구에는 도어가 설치되며, 도어는 개구를 개폐한다. 도어는 기판 처리 공정이 진행되면, 개구를 차단하여 하우징(810)의 내부 공간(812)을 밀폐한다. 하우징(810)의 하부면에는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)가 형성된다. 하우징(810) 내에 형성된 기류는 내측 배기구(814) 및 외측 배기구(816)를 통해 외부로 배기된다. 일 예에 의하면, 처리 용기(850) 내에 제공된 기류는 내측 배기구(814)를 통해 배기되고, 처리 용기(850)의 외측에 제공된 기류는 외측 배기구(816)를 통해 배기될 수 있다.
기류 제공 유닛(820)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 제공 유닛(820)은 기류 공급 라인(822), 팬(824), 그리고 필터(826)를 포함한다. 기류 공급 라인(822)은 하우징(810)에 연결된다. 기류 공급 라인(822)은 외부의 에어를 하우징(810)에 공급한다. 필터(826)는 기류 공급 라인(822)으로부터 제공되는 에어를 필터(826)링 한다. 필터(826)는 에어에 포함된 불순물을 제거한다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에 설치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 상부면에서 중앙 영역에 위치된다. 팬(824)은 하우징(810)의 내부 공간에 하강 기류를 형성한다. 기류 공급 라인(822)으로부터 팬(824)에 에어가 공급되면, 팬(824)은 아래 방향으로 에어를 공급한다.
기판 지지 유닛(830)은 하우징(810)의 내부 공간에서 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(830)은 기판(W)을 회전시킨다. 기판 지지 유닛(830)은 지지 플레이트(832), 지지축(834), 구동기(836) 및 흡착 수단(838)를 포함한다.
지지 플레이트(832)는 기판을 직접 지지하고 회전시키는 스핀척(832)으로 제공된다. 스핀척(832)은 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 스핀척(832)의 상면에는 기판(W)이 접촉한다. 스핀척(832)은 기판(W)의 직경보다 작거나 동일한 직경을 가지도록 제공된다.
스핀척(832)에는 흡착 수단(838)이 제공된다. 흡착 수단(838)은 스핀척(832)에 지지된 기판(W)을 스핀척(832)의 상면에 흡착시킨다. 일 예에 의하면, 스핀척(832)은 기판(W)을 진공 흡입하여 기판(W)을 척킹할 수 있다. 흡착 수단(838)은 스핀척(832)의 상면에 형성된 진공홀(838)로 제공될 수 있다. 진공홀(838)에는 진공압을 형성시키는 펌프(838a)가 연결된다. 이와 달리, 선택적으로, 스핀척(832)은 정전기를 이용하여 기판(W)을 척킹하는 정전척으로 제공될 수 있다. 이 경우, 흡착 수단(838)은 정전기를 발생시키는 정전척으로 제공될 수 있다.
지지축(834)은 지지 플레이트(832)를 지지한다. 지지축(834)은 스핀척(832)을 회전시키기 위해 구동기(836)의 구동력을 전달하는 회전축(834)으로 제공될 수 있다. 회전축(834) 및 구동기(836)는 스핀척(832)을 회전시키는 회전 구동 부재(834, 836)로 제공된다. 회전축(834)은 스핀척(832)의 아래에서 스핀척(832)을 지지한다. 회전축(834)은 그 길이방향이 상하방향을 향하도록 제공된다. 회전축(834)은 그 중심축을 중심으로 회전 가능하도록 제공된다. 구동기(836)는 회전축(834)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 예컨대, 구동기(836)는 회전축의 회전 속도를 가변 가능한 모터일 수 있다.
처리 용기(850)는 하우징(810)의 내부 공간(812)에 위치된다. 처리 용기(850)는 내부에 처리 공간을 제공한다. 처리 용기(850)는 상부가 개방된 컵 형상을 가지도록 제공된다. 처리 용기(850)는 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 포함한다.
내측 컵(852)은 회전축(834)을 감싸는 원형의 판 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)은 내측 배기구(814)와 중첩되도록 위치된다. 상부에서 바라볼 때 내측 컵(852)의 상면은 그 외측 영역과 내측 영역 각각이 서로 상이한 각도로 경사지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 내측 컵(852)의 외측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 하향 경사진 방향을 향하며, 내측 영역은 기판 지지 유닛(830)으로부터 멀어질수록 상향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 내측 컵(852)의 외측 영역과 내측 영역이 서로 만나는 지점은 기판(W)의 측단부와 상하 방향으로 대응되게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 라운드지도록 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 아래로 오목하게 제공된다. 내측 컵(852)의 상면 외측 영역은 처리액이 흐르는 영역으로 제공될 수 있다.
외측 컵(862)은 기판 지지 유닛(830) 및 내측 컵(852)을 감싸는 컵 형상을 가지도록 제공된다. 외측 컵(862)은 바닥벽(864), 측벽(866), 상벽(870), 그리고 경사벽(870)을 가진다. 바닥벽(864)은 중공을 가지는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 바닥벽(864)에는 회수 라인(865)이 형성된다. 회수 라인(865)은 기판(W) 상에 공급된 처리액을 회수한다. 회수 라인(865)에 의해 회수된 처리액은 외부의 액 재생 시스템에 의해 재사용될 수 있다. 측벽(866)은 기판 지지 유닛(830)을 감싸는 원형의 통 형상을 가지도록 제공된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)의 측단으로부터 수직한 방향으로 연장된다. 측벽(866)은 바닥벽(864)으로부터 위로 연장된다.
경사벽(870)은 측벽(866)의 상단으로부터 외측 컵(862)의 내측 방향으로 연장된다. 경사벽(870)은 위로 갈수록 기판 지지 유닛(830)에 가까워지도록 제공된다. 경사벽(870)은 링 형상을 가지도록 제공된다. 경사벽(870)의 상단은 기판 지지 유닛(830)에 지지된 기판(W)보다 높게 위치된다.
승강 유닛(890)은 내측 컵(852) 및 외측 컵(862)을 각각 승강 이동시킨다. 승강 유닛(890)은 내측 이동 부재(892) 및 외측 이동 부재(894)를 포함한다. 내측 이동 부재(892)는 내측 컵(852)을 승강 이동 시키고, 외측 이동 부재(894)는 외측 컵(862)을 승강 이동시킨다.
액 공급 유닛(840)은 지지 플레이트(832)에 지지된 기판(W) 상에 다양한 종류의 액을 공급한다. 일 예에 의하면, 액 공급 유닛(840)은 기판(W) 상에 처리액, 엣지 비드 제거액, 그리고 세정액을 공급할 수 있다.
액 공급 유닛(840)은 막 형성 유닛(920) 및 이비알 유닛(940)을 포함한다. 막 형성 유닛(920)은 액막을 형성하는 막 형성 공정을 수행한다. 막 형성 유닛(920)은 기판(W) 상에 처리액막을 형성한다. 막 형성 유닛(920)은 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 막 형성 유닛(920)은 가이드 부재, 아암, 도포 노즐(926)을 포함한다. 가이드 부재 및 아암은 도포 노즐(926)을 공정 위치와 대기 위치로 이동시킨다. 여기서 공정 위치는 도포 노즐(926)이 기판(W)과 마주보는 위치이고, 대기 위치는 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 가이드 부재는 아암을 수평 방향으로 이동시키는 가이드 레일을 포함한다. 가이드 레일은 처리 용기(850)의 일측에 위치된다. 가이드 레일은 그 길이 방향이 수평 방향을 향하도록 제공된다. 일 예에 의하면, 가이드 레일의 길이 방향을 제1방향과 평행한 방향을 향하도록 제공될 수 있다. 가이드 레일에는 아암이 설치된다. 아암은 가이드 레일의 내부에 제공된 리니어 모터에 의해 이동될 수 있다. 아암은 상부에서 바라볼 때 가이드 레일과 수직한 길이 방향을 향하도록 제공된다. 아암의 일단은 가이드 레일에 장착된다. 아암의 타단 저면에는 도포 노즐(926)이 설치된다. 선택적으로 아암은 길이 방향이 제3방향을 향하는 회전축에 결합되어 회전될 수 있다.
이비알 유닛(940)은 이비알 공정(EBR: Edge Bead Removal)을 수행한다. 이비알 유닛(940)은 기판(W) 상에 형성된 처리액막 중 엣지부를 제거한다. 이비알 유닛(940)은 기판(W)의 엣지부를 처리액막으로부터 노출시킨다. 이비알 유닛(940)은 가이드 부재, 아암 그리고 이비알 노즐(946)을 포함한다. 이비알 유닛(940)의 가이드 부재 및 아암은 막 형성 유닛(920)의 가이드 부재 및 아암과 동일한 형상을 가지도록 제공된다. 이비알 유닛(940)의 가이드 부재 및 아암은 액막 형성 유닛(920)과 독립적으로 구동 가능하다. 이비알 유닛(940)의 가이드 부재 및 아암에 대한 상세한 설명은 생략한다.
이비알 노즐(946)은 기판(W) 상에 처리액에 의해 형성된 처리액막의 엣지부가 제거되도록 지지 플레이트(832) 상에 지지된 기판(W) 상의 처리액막의 엣지 영역에 엣지 비드 제거액을 토출한다. 이비알 노즐(946)은 아암(944)의 저면에 고정 결합된다. 이비알 노즐(946)은 그 토출구가 하향 경사진 방향을 향하도록 제공된다. 측부에서 바라볼 때 이비알 노즐(946)은 그 토출구가 아래로 갈수록 기판(W)의 엣지부에 가까워지는 방향을 향하게 제공될 수 있다. 이비알 노즐(946)은 기판(W)의 엣지부에 엣지 비드 제거액을 공급한다.
예컨대, 처리액은 유기 물질이고, 엣지 비드 제거액은 유기 물질과 반응할 수 있는 액일 수 있다. 처리액은 포토 레지스트와 같은 감광액이고, 엣지 비드 제거액은 신나(Thinner)일 수 있다.
조정 유닛(1000)은 지지 플레이트(832)에 지지된 기판(W)을 지지 플레이트(832) 상에 정위치 시킨다. 도 5는 도 4의 기판 지지 유닛 및 조정 유닛을 보여주는 평면도이다. 도 6은 도 4의 기판 지지 유닛 및 조정 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 4 내지 도 6을 참조하면, 조정 유닛(1000)은 지지 플레이트(832)에 어긋나게 지지된 기판(W)의 측면에 지지 플레이트(832)의 내측 방향으로 힘을 가하여 기판(W)을 정위치 시킨다. 일 실시 예에 따르면, 조정 유닛(1000)은 조정 아암(1100) 및 제어기(1200)를 포함한다.
조정 아암(1100)은 지지 플레이트(832)에 어긋나게 지지된 기판(W)의 측면에 지지 플레이트(832)의 내측 방향으로 힘을 가한다. 조정 아암(1100)은 상부에서 바라볼 때, 적어도 3개가 지지 플레이트(832)의 둘레 방향을 따라 이격되게 제공된다. 예를 들면, 조정 아암(1100)은 3개가 지지 플레이트(832)의 둘레 방향을 따라 120도 간격으로 설치된다. 일 실시 예에 따르면, 각각의 조정 아암(1100)은 가변 바(Bar, 1110), 푸쉬 돌기(1120) 및 길이 측정 부재(1130)를 포함한다.
가변 바(1110)는 상부에서 바라볼 때, 지지 플레이트(832)의 내측으로부터 지지 플레이트(832)의 외측으로 연장되게 제공된다. 가변 바(1110)는 길이가 가변되게 제공된다. 가변 바(1110)는 길이 조절 시, 상부에서 바라볼 때, 지지 플레이트(832)의 정위치에 지지된 기판(W)의 중심으로부터 푸쉬 돌기(1120)의 내측면까지의 길이가 서로 동일하게 유지된다. 가변 바(1110)는 지지축(834)에 설치된다. 가변 바(1110)는 지지축(834)의 측면으로부터 연장되게 제공된다.
푸쉬 돌기(1120)는 가변 바(1110)의 끝단으로부터 위 방향으로 돌출되게 제공된다. 도 7은 도 4의 푸쉬 돌기를 보여주는 측면도이다. 도 7을 참조하면, 푸쉬 돌기(1120)는 내측면이 지지 플레이트(832)에 지지된 기판(W)의 측면과 대향되게 제공된다. 푸쉬 돌기(1120)는 가변 바(1110)와 연결되는 일단(1121)을 중심으로 제 1 위치(31)와 제 2 위치(32) 간에 탄성적으로 회전 가능하게 제공된다. 제 1 위치(31)는 푸쉬 돌기(1120)의 타단(1122)의 위치가 제 2 위치(32) 보다 지지 플레이트(832)의 내측에 더 인접하게 위치되는 위치이다. 제 1 위치(31)는 푸쉬 돌기(1120)에 외부로부터 힘이 인가되지 않는 경우, 타단(1122)이 위치되는 위치이다. 푸쉬 돌기(1120)는 기판(W)을 정위치시키는 동작을 수행하지 않는 경우, 가변 바(1110)를 최대한 수축시킨다. 가변 바(1110)를 최대한 수축시킨 경우, 푸쉬 돌기(1120)는 액 공급 유닛(840) 등 다른 구성들과의 간섭을 방지하기 위해, 지지 플레이트(832)에 지지된 기판(W)의 하부에 위치되도록 제공된다.
길이 측정 부재(1130)는 가변 바(1110)의 길이를 측정한다. 길이 측정 부재(1130)는 측정된 가변 바(1110)의 길이 값을 제어기(1200)로 전달한다.
제어기(1200)는 가변 바(1110) 및 흡착 수단(838)을 제어한다. 도 8은 도 4의 조정 유닛 및 흡착 수단(838)을 이용하여 기판을 정위치시키는 정위치 방법을 보여주는 순서도이다. 도 8을 참조하면, 정위치 방법은 인장 단계(S10), 제 1 수축 단계(S20), 흡착 단계(S30) 및 제 2 수축 단계(S40)를 포함한다. 제어기(1200)는 인장 단계(S10), 제 1 수축 단계(S20), 흡착 단계(S30) 및 제 2 수축 단계(S40)를 순차적으로 수행되도록 가변 바(1110) 및 흡착 수단(838)을 제어한다. 제어기(1200)는 인장 단계(S10), 제 1 수축 단계(S20), 흡착 단계(S30) 및 제 2 수축 단계(S40)에서 길이 측정 부재(1130)에서 측정한 길이 값에 따라 가변 바(1110)의 길이를 조절한다.
도 9 내지 도 13은 상기 정위치 방법에 따른 조정 유닛(1000) 및 흡착 수단(838)의 동작을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
도 9를 참조하면, 인장 단계(S10)에서 제어기(1200)는 상부에서 바라볼 때, 지지 플레이트(832)에 정위치된 경우의 기판(W)의 중심으로부터 푸쉬 돌기(1120)의 내측면까지의 길이가 기판(W)의 반경보다 길어지도록 가변 바(1110)를 인장시키도록 가변 바(1110)를 제어한다. 이 후, 기판(W)이 지지 플레이트(832) 상에 안착된다.
도 10을 참조하면, 제 1 수축 단계(S20)에서 제어기(1200)는 상부에서 바라볼 때, 지지 플레이트(832) 상에 정위치된 경우의 기판(W)의 중심으로부터 푸쉬 돌기(1120)의 내측면까지의 길이가 기판(W)의 반경과 동일해질 때까지 가변 바(1110)를 수축시키도록 가변 바(1110)를 제어한다. 따라서, 제 1 수축 단계(S20)가 완료되면 기판(W)은 지지 플레이트(832) 상의 정위치에 위치되게 된다.
도 11을 참조하면, 흡착 단계(S30)에서, 제어기(1200)는 기판(W)이 제 1 수축 단계(S20)에 의해 정위치에 위치된 상태에서, 지지 플레이트(832) 상에 지지된 기판(W)을 흡착 수단(838)을 이용해 지지 플레이트(832)의 상면에 흡착시키도록 흡착 수단(838)을 제어한다. 따라서, 제 2 수축 단계(S40)에서 푸쉬 돌기(1120)의 탄성력에 의해 기판(W)이 어긋나는 것을 방지할 수 있다. 제 2 수축 단계(S40)부터 그 이후의 공정은 기판(W)이 흡착 수단(838)에 의해 지지 플레이트(832)의 상면에 흡착된 상태에서 진행된다.
도 12를 참조하면, 제 2 수축 단계(S40)에서 제어기(1200)는 상부에서 바라볼 때, 지지 플레이트(832)에 정위치된 경우의 기판(W)의 중심으로부터 푸쉬 돌기(1120)의 내측면까지의 길이가 기판(W)의 반경보다 작아지도록 가변 바(1110)를 수축시키도록 가변 바(1110)를 제어한다.
도 13을 참조하면, 제 2 수축 단계(S40)가 완료된 경우, 푸쉬 돌기(1120)는 지지 플레이트(832)에 정위치된 기판(W)의 하부에 위치되어 기판(W)의 상부에서 액 공급 유닛(840) 등 다른 구성과의 간섭을 방지할 수 있다.
도 14는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 지지 유닛(8300) 및 조정 유닛(2000)을 보여주는 사시도이다. 도 14를 참조하면, 도 6의 경우와 달리, 가변 바(2110)는 지지 플레이트(8320)의 측면에 설치된다. 가변 바(8110)는 지지 플레이트(8320)의 측면에 형성된 홈을 관통하여 지지 플레이트(8320)의 내외부로 수축 및 인장된다. 이 경우, 지지 플레이트(8320)의 직경은 기판(W)과 동일하게 제공되고, 가변 바(2110)는 상부에서 바라볼 때, 푸쉬 돌기(2120)의 내측면이 지지 플레이트(8320)의 외측면과 동일한 위치까지 수축될 수 있다. 따라서, 도 14의 경우, 제 1 수축 단계(S20) 후 푸쉬 돌기(2120)는 기판(W) 상의 다른 구성들과의 간섭을 방지하기 위해 끝단이 외측으로 이동될 수 있다. 그러므로, 상술한 흡착 단계(S30) 및 제 2 수축 단계(S40)는 요구되지 않을 수 있다.
다시 도 1 내지 도 3을 참조하면, 베이크 챔버(420)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(420)은 포토 레지스트를 도포하기 전에 기판(W)을 소정의 온도로 가열하여 기판(W) 표면의 유기물이나 수분을 제거하는 프리 베이크(prebake) 공정이나 포토레지스트를 기판(W) 상에 도포한 후에 행하는 소프트 베이크(soft bake) 공정 등을 수행하고, 각각의 가열 공정 이후에 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(420)는 냉각 플레이트(421) 또는 가열 플레이트(422)를 가진다. 냉각 플레이트(421)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(423)이 제공된다. 또한 가열 플레이트(422)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(424)이 제공된다. 냉각 플레이트(421)와 가열 플레이트(422)는 하나의 베이크 챔버(420) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(420)들 중 일부는 냉각 플레이트(421)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(422)만을 구비할 수 있다.
현상 모듈(402)은 기판(W) 상에 패턴을 얻기 위해 현상액을 공급하여 포토 레지스트의 일부를 제거하는 현상 공정, 및 현상 공정 전후에 기판(W)에 대해 수행되는 가열 및 냉각과 같은 열처리 공정을 포함한다. 현상모듈(402)은 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)를 가진다. 현상 챔버(460), 베이크 챔버(470), 그리고 반송 챔버(480)는 제 2 방향(14)을 따라 순차적으로 배치된다. 따라서 현상 챔버(460)와 베이크 챔버(470)는 반송 챔버(480)를 사이에 두고 제 2 방향(14)으로 서로 이격되게 위치된다. 현상 챔버(460)는 복수 개가 제공되며, 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다. 베이크 챔버(470)는 제 1 방향(12) 및 제 3 방향(16)으로 각각 복수 개씩 제공된다.
반송 챔버(480)는 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 제 1 방향(12)으로 나란하게 위치된다. 반송 챔버(480) 내에는 현상부 로봇(482)과 가이드 레일(483)이 위치된다. 반송 챔버(480)는 대체로 직사각의 형상을 가진다. 현상부 로봇(482)은 베이크 챔버들(470), 현상 챔버들(460), 버퍼 모듈(300)의 제 2 버퍼(330)와 냉각 챔버(350) 간에 기판(W)을 이송한다. 가이드 레일(483)은 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 나란하도록 배치된다. 가이드 레일(483)은 현상부 로봇(482)이 제 1 방향(12)으로 직선 이동되도록 안내한다. 현상부 로봇(482)은 핸드(484), 아암(485), 지지대(486), 그리고 받침대(487)를 가진다. 핸드(484)는 아암(485)에 고정 설치된다. 아암(485)은 신축 가능한 구조로 제공되어 핸드(484)가 수평 방향으로 이동 가능하도록 한다. 지지대(486)는 그 길이 방향이 제 3 방향(16)을 따라 배치되도록 제공된다. 아암(485)은 지지대(486)를 따라 제 3 방향(16)으로 직선 이동 가능하도록 지지대(486)에 결합된다. 지지대(486)는 받침대(487)에 고정 결합된다. 받침대(487)는 가이드 레일(483)을 따라 이동 가능하도록 가이드 레일(483)에 결합된다.
현상 챔버들(460)은 모두 동일한 구조를 가진다. 다만, 각각의 현상 챔버(460)에서 사용되는 현상액의 종류는 서로 상이할 수 있다. 현상 챔버(460)는 기판(W) 상의 포토 레지스트 중 광이 조사된 영역을 제거한다. 이때, 보호막 중 광이 조사된 영역도 같이 제거된다. 선택적으로 사용되는 포토 레지스트의 종류에 따라 포토 레지스트 및 보호막의 영역들 중 광이 조사되지 않은 영역만이 제거될 수 있다.
현상 챔버(460)는 하우징(461), 지지 플레이트(462), 그리고 노즐(463)을 가진다. 하우징(461)은 상부가 개방된 컵 형상을 가진다. 지지 플레이트(462)는 하우징(461) 내에 위치되며, 기판(W)을 지지한다. 지지 플레이트(462)는 회전 가능하게 제공된다. 노즐(463)은 지지 플레이트(462)에 놓인 기판(W) 상으로 현상액을 공급한다. 노즐(463)은 원형의 관 형상을 가지고, 기판(W)의 중심으로 현상액 공급할 수 있다. 선택적으로 노즐(463)은 기판(W)의 직경에 상응하는 길이를 가지고, 노즐(463)의 토출구는 슬릿으로 제공될 수 있다. 또한, 현상 챔버(460)에는 추가적으로 현상액이 공급된 기판(W) 표면을 세정하기 위해 탈이온수와 같은 세정액을 공급하는 노즐(464)이 더 제공될 수 있다.
현상모듈(402)의 베이크 챔버(470)는 기판(W)을 열처리한다. 예컨대, 베이크 챔버들(470)은 현상 공정이 수행되기 전에 기판(W)을 가열하는 포스트 베이크 공정 및 현상 공정이 수행된 후에 기판(W)을 가열하는 하드 베이크 공정 및 각각의 베이크 공정 이후에 가열된 기판(W)을 냉각하는 냉각 공정 등을 수행한다. 베이크 챔버(470)는 냉각 플레이트(471) 또는 가열 플레이트(472)를 가진다. 냉각 플레이트(471)에는 냉각수 또는 열전 소자와 같은 냉각 수단(473)이 제공된다. 또는 가열 플레이트(472)에는 열선 또는 열전 소자와 같은 가열 수단(474)이 제공된다. 냉각 플레이트(471)와 가열 플레이트(472)는 하나의 베이크 챔버(470) 내에 각각 제공될 수 있다. 선택적으로 베이크 챔버(470)들 중 일부는 냉각 플레이트(471)만을 구비하고, 다른 일부는 가열 플레이트(472)만을 구비할 수 있다.
인터페이스 모듈(700)은 도포 및 현상 모듈(400) 및 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 이송한다. 인터페이스 모듈(700)은 프레임(710), 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)를 가진다. 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 인터페이스 로봇(740)은 프레임(710) 내에 위치된다. 제 1 버퍼(720)와 제 2 버퍼(730)는 서로 간에 일정거리 이격되며, 서로 적층되도록 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 제 2 버퍼(730)보다 높게 배치된다. 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)과 대응되는 높이에 위치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)에 대응되는 높이에 배치된다. 상부에서 바라볼 때 제 1 버퍼(720)는 전처리 모듈(601)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되고, 제 2 버퍼(730)는 후처리 모듈(602)의 반송 챔버(630)와 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 배치되게 위치된다.
인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720) 및 제 2 버퍼(730)와 제 2 방향(14)으로 이격되게 위치된다. 인터페이스 로봇(740)은 제 1 버퍼(720), 제 2 버퍼(730), 그리고 노광 장치(900) 간에 기판(W)을 운반한다.
제 1 버퍼(720)는 레지스트 도포 공정이 수행된 기판(W)들이 노광 장치(900)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 그리고 제 2 버퍼(730)는 노광 장치(900)에서 공정이 완료된 기판(W)들이 도포 및 현상 모듈(400)로 이동되기 전에 이들을 일시적으로 보관한다. 제 1 버퍼(720)는 하우징(721)과 복수의 지지대들(722)을 가진다. 지지대들(722)은 하우징(721) 내에 배치되며, 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되게 제공된다. 각각의 지지대(722)에는 하나의 기판(W)이 놓인다. 하우징(721)은 인터페이스 로봇(740) 하우징(721) 내로 지지대(722)에 기판(W)을 반입 또는 반출할 수 있도록 개구(도시되지 않음)를 가진다. 제 2 버퍼(730)는 제 1 버퍼(720)와 대체로 유사한 구조를 가진다. 인터페이스 모듈에는 기판에 대해 소정의 공정을 수행하는 챔버의 제공 없이 상술한 바와 같이 버퍼들 및 로봇만 제공될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 감광액을 도포하는 공정에 사용되는 처리액을 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치를 예를 들어 설명하였다. 그러나 본 발명은 상술한 예에 한정되지 않으며, 기판 지지 유닛에 기판이 정위치되는 것이 요구되는 장치에 모두 적용 가능하다.
1: 기판 처리 설비 W: 기판
410: 레지스트 도포 챔버 800: 기판 처리 장치
810: 하우징 820: 기류 제공 유닛
830: 기판 지지 유닛 832: 지지 플레이트
838: 흡착 수단 840: 액 공급 유닛
1000: 조정 유닛 1100: 조정 아암
1200: 제어기

Claims (13)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 하우징과;
    상기 하우징 내에서 기판을 지지하는 지지 플레이트를 가지는 기판 지지 유닛과;
    상기 지지 플레이트에 지지된 기판 상에 액을 공급하는 액 공급 유닛과;
    상기 지지 플레이트에 어긋나게 지지된 기판의 측면에 상기 지지 플레이트의 내측 방향으로 힘을 가하여 기판을 상기 지지 플레이트 상에 정위치시키는 조정 유닛을 포함하되,
    상기 조정 유닛은, 상기 지지 플레이트에 어긋나게 지지된 기판의 측면에 상기 지지 플레이트의 내측 방향으로 힘을 가하고, 상부에서 바라볼 때, 적어도 3개가 상기 지지 플레이트의 둘레 방향을 따라 이격되게 제공되는 조정 아암을 포함하고,
    상기 조정 아암은,
    상부에서 바라볼 때, 상기 지지 플레이트의 내측으로부터 상기 지지 플레이트의 외측으로 연장되게 제공되고, 길이가 가변되는 가변 바(Bar)와;
    상기 가변 바의 끝단으로부터 위 방향으로 돌출된 푸쉬 돌기를 포함하되,
    상기 푸쉬 돌기는 내측면이 상기 지지 플레이트에 지지된 기판의 측면과 대향되게 제공된 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 가변 바는 길이 조절 시, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 플레이트의 정위치에 지지된 기판의 중심으로부터 상기 푸쉬 돌기의 내측면까지의 길이가 서로 동일하게 유지되는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛은 상기 지지 플레이트를 지지하는 지지축을 더 포함하되,
    상기 가변 바는 상기 지지축의 측면으로부터 연장되는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 푸쉬 돌기는 상기 가변 바와 연결되는 일단을 중심으로 제 1 위치와 제 2 위치 간에 탄성적으로 회전 가능하게 제공되되,
    상기 제 1 위치는 상기 푸쉬 돌기의 타단의 위치가 상기 제 2 위치보다 상기 지지 플레이트의 내측에 더 인접하게 위치되는 위치이고,
    상기 제 1 위치는 상기 푸쉬 돌기에 외부로부터 힘이 인가되지 않는 경우 상기 타단이 위치되는 위치인 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 지지 플레이트에는 상기 지지 플레이트 상에 지지된 기판을 상기 지지 플레이트의 상면에 흡착시키는 흡착 수단이 제공되는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 흡착 수단은 상기 지지 플레이트의 상면에 형성된 진공홀로 제공되는 기판 처리 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 푸쉬 돌기는 상기 가변 바가 최대한 수축되는 경우, 상기 지지 플레이트에 지지된 기판의 하부에 위치되는 기판 처리 장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 지지 플레이트의 직경은 기판의 직경보다 작거나 동일하게 제공되는 기판 처리 장치.
  11. 제 3 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 액 공급 유닛은 기판 상에 형성된 감광막의 엣지부가 제거되도록 엣지 비드 제거액을 상기 지지 플레이트 상에 지지된 기판의 엣지 영역에 공급하는 이비알(EBR) 노즐을 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제 7 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 있어서,
    상기 조정 유닛은 상기 가변 바의 길이를 측정하는 길이 측정 부재를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 조정 유닛은 상기 가변 바 및 상기 흡착 수단을 제어하는 제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는,
    상부에서 바라볼 때, 상기 지지 플레이트에 정위치된 경우의 기판의 중심으로부터 상기 푸쉬 돌기의 상기 내측면까지의 길이가 기판의 반경보다 길어지도록 상기 가변 바를 인장시키는 인장 단계와;
    상기 지지 플레이트 상에 기판이 놓인 후, 상부에서 바라볼 때, 상기 지지 플레이트에 정위치된 경우의 기판의 중심으로부터 상기 푸쉬 돌기의 상기 내측면까지의 길이가 기판의 반경과 동일해질 때까지 상기 가변 바를 수축시키는 제 1 수축 단계와;
    상기 지지 플레이트 상에 지지된 기판을 상기 흡착 수단을 이용해 상기 지지 플레이트의 상면에 흡착시키는 흡착 단계와;
    상부에서 바라볼 때, 상기 지지 플레이트에 정위치된 경우의 기판의 중심으로부터 상기 푸쉬 돌기의 상기 내측면까지의 길이가 기판의 반경보다 작아지도록 상기 가변 바를 수축시키는 제 2 수축 단계가 순차적으로 수행되도록 상기 가변 바와 상기 흡착 수단을 제어하는 기판 처리 장치.
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