KR101816233B1 - 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 - Google Patents

유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101816233B1
KR101816233B1 KR1020150151083A KR20150151083A KR101816233B1 KR 101816233 B1 KR101816233 B1 KR 101816233B1 KR 1020150151083 A KR1020150151083 A KR 1020150151083A KR 20150151083 A KR20150151083 A KR 20150151083A KR 101816233 B1 KR101816233 B1 KR 101816233B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
compound
organic
Prior art date
Application number
KR1020150151083A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20170050048A (ko
Inventor
이병관
강동민
김창우
장기포
홍진석
김병구
김준석
유은선
정성현
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020150151083A priority Critical patent/KR101816233B1/ko
Publication of KR20170050048A publication Critical patent/KR20170050048A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101816233B1 publication Critical patent/KR101816233B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D498/00—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D498/02—Heterocyclic compounds containing in the condensed system at least one hetero ring having nitrogen and oxygen atoms as the only ring hetero atoms in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D498/04—Ortho-condensed systems
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
    • C07D333/50—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom condensed with carbocyclic rings or ring systems
    • C07D333/76—Dibenzothiophenes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/04—Ortho-condensed systems
    • H01L51/50—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

화학식 Ⅰ로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 적용한 유기 광전자 소자 및 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
상기 화학식 Ⅰ에 대한 상세 내용은 명세서에서 정의한 바와 같다.

Description

유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치{ORGANIC COMPOUND FOR OPTOELECTRONIC DEVICE AND ORGANIC OPTOELECTRONIC DEVICE AND DISPLAY DEVICE}
유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치에 관한 것이다.
유기 광전자 소자(organic optoelectronic device)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유기 광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 엑시톤(exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고, 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼(organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중, 유기 발광 소자(organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치(flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목받고 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 통상 양극(anode)과 음극(cathode) 사이에 유기층이 삽입된 구조로 이루어져 있다. 여기서 유기층은 발광층과 선택적으로 보조층을 포함할 수 있으며, 상기 보조층은 예컨대 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위한 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 차단 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 정공 차단 층에서 선택된 적어도 1층을 포함할 수 있다.
유기 발광 소자의 성능은 상기 유기 층의 특성에 의해 영향을 많이 받으며, 그 중에서도 상기 유기 층에 포함된 유기 재료에 의해 영향을 많이 받는다.
특히 상기 유기 발광 소자가 대형 평판 표시 장치에 적용되기 위해서는 정공 및 전자의 이동성을 높이는 동시에 전기화학적 안정성을 높일 수 있는 유기 재료의 개발이 필요하다.
고효율, 장수명 등의 특성을 가지는 유기 광전자 소자를 제공할 수 있는 화합물을 제공하는 것이다.
상기 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자 및 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장치를 제공하는 것이다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 Ⅰ로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물을 제공한다.
[화학식 Ⅰ]
Figure 112015105324218-pat00001
상기 화학식 Ⅰ에서,
X는 O 또는 S이고,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로, N 또는 CRa이고,
L은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
R1, R2, 및 Ra는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 또는 이들의 조합이고,
여기서 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로고리기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
다른 구현예에 따르면, 서로 마주하는 양극과 음극, 그리고 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함하고, 상기 유기층은 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
고효율 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
도 1 및 도 2는 각각 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 도시한 단면도이다.
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록실기, C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로고리기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
또한 상기 치환된 할로겐기, 히드록실기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로고리기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기 중 인접한 두 개의 치환기가 융합되어 고리를 형성할 수도 있다. 예를 들어, 상기 치환된 C6 내지 C30 아릴기는 인접한 또다른 치환된 C6 내지 C30 아릴기와 융합되어 치환 또는 비치환된 플루오렌 고리를 형성할 수 있다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬(alkyl)기"이란 별도의 정의가 없는 한, 지방족 탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬(saturated alkyl)기"일 수 있다.
상기 알킬기는 C1 내지 C30인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는 C1 내지 C20 알킬기 또는 C1 내지 C10 알킬기일 수도 있다. 예를 들어, C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며, 메틸, 에틸, 프로필, 이소-프로필, n-부틸, 이소-부틸, sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다.
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴(aryl)기"는 탄화수소 방향족 모이어티를 하나 이상 갖는 그룹을 총괄하는 개념으로서, 탄화수소 방향족 모이어티의 모든 원소가 p-오비탈을 가지면서, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 형태, 예컨대 페닐기, 나프틸기 등을 포함하고, 2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 시그마 결합을 통하여 연결된 형태, 예컨대 바이페닐기, 터페닐기, 쿼터페닐기 등을 포함하며, 2 이상의 탄화수소 방향족 모이어티들이 직접 또는 간접적으로 융합된 비방향족 융합 고리도 포함할 수 있다. 예컨대, 플루오레닐기 등을 들 수 있다.
아릴기는 모노시클릭, 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다. 구체적인 예를 들어, 상기 아릴기는 페닐기, 나프틸기, 안트라세닐기, 페난트레닐기, 파이레닐기, 크라이세닐기 등을 의미한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기(heterocyclic group)"는 헤테로아릴기를 포함하는 상위 개념으로서, 아릴기, 시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 탄소 (C) 대신 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하는 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 헤테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다.
일 예로 "헤테로아릴(heteroaryl)기"는 아릴기 내에 탄소 (C) 대신 N, O, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개 함유하는 것을 의미한다. 2 이상의 헤테로아릴기는 시그마 결합을 통하여 직접 연결되거나, 상기 C2 내지 C60 헤테로아릴기가 2 이상의 고리를 포함할 경우, 2 이상의 고리들은 서로 융합될 수 있다. 상기 헤테로아릴기가 융합고리인 경우, 각각의 고리마다 상기 헤테로 원자를 1 내지 3개 포함할 수 있다.
보다 구체적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및/또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트릴기, 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환 또는 비치환된 피레닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 p-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐레닐기, 치환 또는 비치환된 페릴레닐기, 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기, 치환 또는 비치환된 피롤릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸일기, 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아디아졸일기, 치환 또는 비치환된 피리딜기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기, 치환 또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기, 치환 또는 비치환된 페녹사진일기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오페닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸기, 치환 또는 비치환된 벤조티오펜피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 벤조티오펜피리딜기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨란피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨란피리딜기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨란피롤일기, 치환 또는 비치환된 벤조티오펜피롤일기, 치환 또는 비치환된 벤조티오펜티아졸일기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨란티아졸일기, 치환 또는 비치환된 티아졸로퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 옥사졸로퀴놀리닐기, 또는 이들의 조합일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 단일 결합이란 탄소 또는 탄소 이외의 헤테로 원자를 경유하지 않고 직접 연결되는 결합을 의미하는 것으로, 구체적으로 L이 단일 결합이라는 의미는 L과 연결되는 치환기가 중심 코어에 직접 연결되는 것을 의미한다. 즉, 본 명세서에서 단일 결합이란 탄소를 경유하는 메틸렌 등을 의미하는 것이 아니다.
본 명세서에서, 정공 특성이란, 전기장(electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로, HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 화합물을 설명한다.
일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 Ⅰ로 표현된다.
[화학식 Ⅰ]
Figure 112015105324218-pat00002
상기 화학식 Ⅰ에서,
X는 O 또는 S이고,
Y1 및 Y2는 각각 독립적으로, N 또는 CRa이고,
L은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
R1, R2, 및 Ra는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 또는 이들의 조합이고,
여기서 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로고리기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
상기 화학식 Ⅰ로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물은 아졸로헤테로육각환 퀴놀린에 코어를 포함하는 형태이다.
상기 화학식 Ⅰ에서, 아졸로헤테로육각환 내 육각환의 "N"과 오각환의 "N"이 같은 방향으로 위치함으로써, 육각 환의 "N"이 오각환의 "X" 쪽에 위치한 경우에 비해 HOMO 에너지레벨과 LUMO 에너지 레벨을 더 크게 분리하여 높은 삼중항 에너지를 얻을 수 있다. 삼중항 에너지가 높으면 도펀트로부터 에너지 역전이(energy back transfer)를 막을 수 있고 이에 따라 상대적으로 고효율을 낼 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서는 상기 아졸로헤테로육각환에 포함된 질소를 통하여 전자와 정공의 이동을 조절함으로써 원하는 효율 및 장수명의 효과를 얻을 수 있다.
예컨대, 상기 화학식 Ⅰ은 하기 화학식 Ⅰ-1 내지 Ⅰ-3 중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 Ⅰ-1] [화학식 Ⅰ-2] [화학식 Ⅰ-3]
Figure 112015105324218-pat00003
Figure 112015105324218-pat00004
Figure 112015105324218-pat00005
상기 화학식 Ⅰ-1 내지 Ⅰ-3에서, X, L, R1, R2, 및 Ra는 전술한 바와 같다.
본 발명의 가장 구체적인 예로서, 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 화학식 Ⅰ-2로 표현될 수 있다.
상기 화학식 Ⅰ-2로 표현되는 화합물은 충분한 열 안정성을 가질 수 있고, 화학식 I-1로 표현되는 화합물보다 질소 개수가 많아짐에 따라 전자 흐름을 더욱 개선할 수 있고 그에 따라 구동전압을 더욱 개선할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에서 치환기 R1 및 R2를 통하여 HOMO 에너지 레벨 및 LUMO 에너지 레벨을 조절함으로써, 원하는 효율 및 장수명의 효과를 얻을 수 있다.
구체적으로, 치환기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
더욱 구체적으로, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 펜타페닐기, 치환 또는 비치환된 헥사페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 아졸로피리디닐기, 치환 또는 비치환된 아졸리피리미디닐기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 R1 위치에 수소 이외의 치환기, 즉 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 또는 이들의 조합에서 선택되는 치환기를 포함함으로써, 산화 반응 등에 안정한 화합물을 제조할 수 있고, 이러한 화합물을 포함하는 장수명의 소자를 구현할 수 있다.
본 발명의 가장 구체적인 예로서, 상기 R1은 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 펜타페닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 또는 이들의 조합이고,
상기 R2는 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 펜타페닐기, 치환 또는 비치환된 헥사페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 아졸로피리디닐기, 치환 또는 비치환된 아졸리피리미디닐기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 R1 및 R2는 예컨대 치환 또는 비치환된 하기 그룹 Ⅰ에 나열된 기에서 선택될 수 있다.
[그룹 Ⅰ]
Figure 112015105324218-pat00006
상기 그룹 Ⅰ에서,
*은 연결 지점이고, 여기서 "치환"이란, 전술한 바와 같다.
한편, 본 발명의 일 구현예에서 상기 L은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
예컨대, 단일 결합, 및 치환 또는 비치환된 하기 그룹 Ⅱ에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택될 수 있다.
[그룹 Ⅱ]
Figure 112015105324218-pat00007
상기 그룹 Ⅱ에서,
*은 연결 지점이고, 여기서 "치환"이란, 전술한 바와 같다.
상기 유기 광전자 소자용 화합물은 예컨대 하기 그룹 A 또는 그룹 B에 나열된 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[그룹 A]
[A-01] [A-02] [A-03] [A-04]
Figure 112015105324218-pat00008
[A-05] [A-06] [A-07] [A-08]
Figure 112015105324218-pat00009
[A-09] [A-10] [A-11] [A-12]
Figure 112015105324218-pat00010
[A-13] [A-14] [A-15] [A-16]
Figure 112015105324218-pat00011
[A-17] [A-18] [A-19] [A-20]
Figure 112015105324218-pat00012
[A-21] [A-22] [A-23] [A-24]
Figure 112015105324218-pat00013
[A-25] [A-26] [A-27] [A-28]
Figure 112015105324218-pat00014
[A-29] [A-30] [A-31] [A-32]
Figure 112015105324218-pat00015
[A-33] [A-34] [A-35] [A-36]
Figure 112015105324218-pat00016
[A-37] [A-38] [A-39] [A-40]
Figure 112015105324218-pat00017
[A-41] [A-42] [A-43] [A-44]
Figure 112015105324218-pat00018
[A-45] [A-46] [A-47] [A-48]
Figure 112015105324218-pat00019
[그룹 B]
[B-01] [B-02] [B-03] [B-04]
Figure 112015105324218-pat00020
[B-05] [B-06] [B-07] [B-08]
Figure 112015105324218-pat00021
[B-09] [B-10] [B-11] [B-12]
Figure 112015105324218-pat00022
[B-13] [B-14] [B-15] [B-16]
Figure 112015105324218-pat00023
[B-17] [B-18] [B-19] [B-20]
Figure 112015105324218-pat00024
[B-21] [B-22] [B-23] [B-24]
Figure 112015105324218-pat00025
[B-25] [B-26] [B-27] [B-28]
Figure 112015105324218-pat00026
[B-29] [B-30] [B-31] [B-32]
Figure 112015105324218-pat00027
[B-33] [B-34]
Figure 112015105324218-pat00028
이하 상술한 유기 광전자 소자용 화합물을 적용한 유기 광전자 소자를 설명한다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
상기 유기 광전자 소자는 서로 마주하는 양극과 음극, 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함할 수 있고, 상기 유기층은 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 포함할 수 있다.
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자(100)는 서로 마주하는 양극(120)과 음극(110), 그리고 양극(120)과 음극(110) 사이에 위치하는 유기층(105)을 포함한다.
양극(120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극(120)은 예컨대 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연, 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 Al 또는 SnO2와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리(3-메틸티오펜), 폴리(3,4-(에틸렌-1,2-디옥시)티오펜)(polyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피롤 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
음극(110)은 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및/또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극(110)은 예컨대 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 타이타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는 이들의 합금; LiF/Al, LiO2/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층(105)은 전술한 유기 광전자 소자용 화합물 또는 전술한 유기 광전자 소자용 조성물을 포함하는 발광층(130)을 포함한다.
발광층(130)은 예컨대 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 단독으로 포함할 수도 있고 전술한 유기 광전자 소자용 화합물 중 적어도 두 종류를 혼합하여 포함할 수도 있고 전술한 유기 광전자 소자용 조성물을 포함할 수도 있다.
도 2를 참고하면, 유기 발광 소자(200)는 발광층(130) 외에 정공 보조층(140)을 더 포함한다. 정공 보조층(140)은 양극(120)과 발광층(130) 사이의 정공 주입 및/또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층(140)은 예컨대 정공 수송층, 정공 주입층 및/또는 전자 차단층일 수 있으며, 적어도 1층을 포함할 수 있다. 전술한 유기 광전자 소자용 화합물은 발광층(230)에 포함될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에서는 도 1 또는 도 2에서 유기층(105)으로서 추가로 전자 수송층, 전자주입층, 정공주입층 등을 더 포함한 유기발광 소자일 수도 있다.
유기 발광 소자(100, 200)는 기판 위에 양극 또는 음극을 형성한 후, 진공증착법(evaporation), 스퍼터링(sputtering), 플라즈마 도금 및 이온도금과 같은 건식성막법 등으로 유기층을 형성한 후, 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
상술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
합성예 및 실시예에서 사용된 출발물질 및 반응물질은 특별한 언급이 없는한 Sigma-Aldrich 社 또는 TCI 社에서 구입하였다.
합성예 1: Core 1의 합성
[반응식 1]
Figure 112015105324218-pat00029
1단계: 화합물 1의 합성
3-Hydroxy-2-nitropyridine (50 g, 357 mmol)을 N,N-dimethylformamide 900 mL에 녹이고 N-bromosuccinimide (82.57 g, 464 mmol)을 천천히 투입한 뒤, 12 시간 동안 상온에서 교반하였다. 반응이 완료되면 회전 증발기를 이용하여 용액을 농축한 뒤, 증류수와 dichloromethane으로 2회 추출하였다. Methyl alcohol과 증류수를 이용해서 침전을 생성시키고 여과하여 화합물 1과 dibrominated compound를 8: 2의 혼합물 (67.5 g, Y=86.4%)로 얻었다.
2단계: 화합물 2의 합성
화합물 1 (66.7 g, 305 mmol), phenylboronic acid (51.99 g, 426 mmol), tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (21.12 g, 18 mmol), potassium carbonate (147.34 g, 1.06 mol)를 THF, DIW 혼합용액 (2 : 1) 1300mL에 녹인 뒤, 75℃에서 24시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 회전 증발기를 이용하여 THF를 농축한 뒤, 1N HCl을 물층에 가하여 pH 7로 중화시킨다. 그 수용액은 dichloromethane과 2회 추출하고 실리카겔에 여과하여 갈색의 화합물 2 (63.80 g, Y=96.9%)을 얻었다. (여기서 수율은 화합물 1에서 추가 정제하지 않은 dibrominated compound에서 기인한 물질도 포함되어 있다.)
3단계 : 화합물 3의 합성
2단계에서 수득한 화합물 2 (40.0 g, 185 mmol)을 ethyl alcohol 370 mL에 넣고 palladium on activated carbon (1.97 g, 19 mmol)을 천천히 투입한다. Hydrazine monohydrate (18.52 g, 370 mmol)를 dropping funnel을 이용하여 천천히 투입하고 8시간 동안 상온에서 교반한다. 반응이 완료되면 celite에 여과하여 옅은 붉은 색의 화합물 3 (19.87 g, Y=57.7%)을 얻었다. (여기서 수율은 화합물 2에서 추가 정제하지 않은 dibrominated compound에서 기인한 물질도 포함되어 있다.)
4단계: Core 1의 합성
3단계에서 수득한 화합물 3 (19.0 g, 102 mmol)과 3-bromobenzoic acid (36.92 g, 180 mmol)를 polyphosphoric acid 250 mL에 넣고 mechanical stirrer로 230 ℃에서 교반한다. 반응이 완료되면 증류수에서 침전을 생성시키고 침전물을 여과한다. Dichloromethane과 n-hexane의 혼합용액으로 2회 재결정하여 흰색의 화합물 Core 1 (18.4 g, Y=51.3%)을 얻었다.
합성예 2: 화합물 A-08의 합성
[반응식 2]
Figure 112015105324218-pat00030
1단계: 화합물 4의 합성
2-bromotriphenylene (30.0 g, 98 mmol), 3-chlorophenylboronic acid (21.38 g, 137 mmol), tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (5.64 g, 5 mmol), potassium carbonate (33.74 g, 244 mmol)를 THF, DIW 혼합용액 (2 : 1) 720mL에 녹인 뒤, 75℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 분리된 DIW 층을 제거하고 dichloromethane과 2회 추출한다. 유기층을 실리카겔에 여과하고 dichloromethane과 n-hexane 혼합용액으로 재결정하여 흰 색의 화합물 4 (25.7 g, Y=77.7%)을 얻었다.
2단계: 화합물 5의 합성
화합물 4 (25.0 g, 74 mmol)와 bis(pinacolato)diboron (28.10 g, 111 mmol), potassium acetate (21.73 g, 221 mmol) 그리고 [1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene]-dichloropalladium(II) (3.01 g, 5 mmol) 을 N,N-dimethylformamide 370mL에 녹여서 1 L 3 neck flask에 넣고 150℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 용액을 과량의 DIW에 넣어서 침전물을 형성시킨다. 침전물을 여과하고 dichloromethane에 녹여 실리카겔에 여과한다. 여과된 용액에 n-hexane을 추가하고 재결정하여 흰 색의 화합물 5 (24.2 g, Y=76.2 %)을 얻었다.
3단계: A-08의 합성
Core-1 (10.0 g, 28 mmol), 화합물 5 (15.93 g, 37 mmol), tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.65 g, 1 mmol), potassium carbonate (9.84 g, 71 mmol)를 THF, DIW 혼합용액 (2 : 1) 200mL에 녹인 뒤, 75℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 분리된 DIW 층을 제거하고 dichloromethane과 2회 추출한다. 유기층을 실리카겔에 여과하고 toluene으로 재결정하여 흰 색의 화합물 A-08 (14.3 g, Y=87.4 %)을 얻었다.
합성예 3: 화합물 A-15의 합성
[반응식 3]
Figure 112015105324218-pat00031
1단계: 화합물 6의 합성
2-chloro-4,6-diphenyl-1,3,5-triazine (20.0 g, 75 mmol), 3-chlorophenylboronic acid (16.35 g, 105 mmol), potassium carbonate (25.81 g, 187 mmol) 그리고 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (4.32 g, 4 mmol)를 THF, DIW(Delonized water) 혼합용액 (2 : 1) 550mL에 녹인 뒤, 75℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 분리된 DIW 층을 제거하고 dichloromethane과 2회 추출한다. 유기층을 실리카겔에 여과하고 toluene으로 재결정하여 흰 색의 화합물 6 (19.6 g, Y=76.3%)을 얻었다.
2단계: 화합물 7의 합성
화합물 6 (19.0 g, 55 mmol)와 bis(pinacolato)diboron (21.05 g, 83 mmol), potassium acetate (16.27 g, 166 mmol) 그리고 [1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene]-dichloropalladium(II) (2.26 g, 3 mmol) 을 N,N-dimethylformamide 270mL에 녹여서 500 mL 3 neck flask에 넣고 150℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 용액을 과량의 DIW에 넣어서 침전물을 형성시킨다. 침전물을 여과하고 toluene에 끓여 녹여 실리카겔에 여과한다. 여과된 용액으로 재결정하여 흰 색의 화합물 7 (21.0 g, Y=87.3 %)을 얻었다.
3단계: A-15의 합성
Core-1 (10.0 g, 28 mmol), 화합물 7 (16.11 g, 37 mmol), tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.65 g, 1 mmol), potassium carbonate (9.84 g, 71 mmol)를 THF, DIW 혼합용액 (2 : 1) 200mL에 녹인 뒤, 75℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 과량의 methanol에 넣어서 침전물을 형성시킨다. 침전물을 여과하고 chlorobenzene에 끓여 녹여 실리카겔에 여과한다. 여과된 용액으로 재결정하여 흰 색의 화합물 A-15 (11.9 g, Y=72.1 %)을 얻었다.
합성예 4: 화합물 A-20의 합성
[반응식 4]
Figure 112015105324218-pat00032
1단계: 화합물 8의 합성
화합물 1 (20.0 g, 91 mmol)과 benzoic acid (22.31 g, 183 mmol)를 polyphosphoric acid 200 mL에 넣고 mechanical stirrer로 230 ℃에서 교반한다. 반응이 완료되면 증류수에서 침전을 생성시키고 침전물을 여과한다. Dichloromethane과 n-hexane의 혼합용액으로 2회 재결정하여 흰색의 화합물 8 (14.8 g, Y=58.9%)을 얻었다.
2단계: A-20의 합성
화합물 8 (10.0 g, 36 mmol),　3-(9-phenyl-9H-carbazol-3-yl)-9H-carbazole (14.85g, 36 mmol), sodium tert-butoxide (5.24 g, 55 mmol) 그리고 bis(dibenzylideneacetone)palladium(0)　(0.63 g, 1 mmol) 을 xlyene 180 mL에 녹여 500 mL 3neck flask에 넣은 후 교반시킨다. tri-tert-butylphosphine　(2.60 mL, 5 mmol) 을 반응용기에 주사기를 이용하여 넣은 뒤, 140℃에서 24시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 용액을 과량의 methanol에 넣어 침전을 형성시킨다. 형성된 침전물을 여과하고 toluene에 끓여 녹여 실리카겔에 다시 여과한다. 여과된 용액을 재결정하여 흰 색의 화합물 A-20 (14.3 g, Y=65.3%)을 얻었다.
합성예 5: 화합물 A-24의 합성
[반응식 5]
Figure 112015105324218-pat00033
1단계: 화합물 9의 합성
화합물 1 (20.0 g, 91 mmol)과 3-bromobenzoic acid (36.72 g, 183 mmol)를 polyphosphoric acid 300 mL에 넣고 mechanical stirrer로 230℃에서 교반한다. 반응이 완료되면 증류수에서 침전을 생성시키고 침전물을 여과한다. Dichloromethane과 n-hexane의 혼합용액으로 2회 재결정하여 흰색의 화합물 9 (19.6 g, Y=60.6%)을 얻었다.
2단계: 화합물 10의 합성
4-bromodibenzothiophene (30.0 g, 114 mmol), 3-chlorophenylboronic acid (24.96 g, 160 mmol), potassium carbonate (39.39 g, 285 mmol) 그리고 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (6.59 g, 6 mmol)를 THF, DIW 혼합용액 (2 : 1) 800 mL에 녹인 뒤, 75℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 분리된 DIW 층을 제거하고 dichloromethane과 2회 추출한다. 유기층을 실리카겔에 여과하고 dichloromethane : n-hexane 혼합용액으로 재결정하여 흰 색의 화합물 10 (23.83 g, Y=70.9%)을 얻었다.
3단계: 화합물 11의 합성
화합물 10 (23.0 g, 78 mmol)와 bis(pinacolato)diboron (29.72 g, 117 mmol), potassium acetate (22.97 g, 234 mmol) 그리고 [1,1'-bis(diphenylphosphino)ferrocene]-dichloropalladium(II) (3.19 g, 4 mmol) 을 N,N-dimethylformamide 400mL에 넣고 150℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 용액을 과량의 DIW에 넣어서 침전물을 형성시킨다. 침전물을 여과하고 toluene에 끓여 녹여 실리카겔에 여과한다. 여과된 용액으로 재결정하여 흰 색의 화합물 11 (19.1 g, Y=63.4 %)을 얻었다.
4단계: A-24의 합성
화합물 9 (10.0 g, 28 mmol), 화합물 11 (10.91 g, 28 mmol), potassium carbonate (9.76 g, 71 mmol) 그리고 tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.63 g, 1 mmol)를 THF, DIW 혼합용액 (2 : 1) 200 mL에 녹인 뒤, 75℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 분리된 DIW 층을 제거하고 유기층을 회전증발기를 이용해 모두 증발시킨다. Toluene에 끓여 녹여 실리카겔에 여과한다. 여과된 용액을 재결정하여 흰 색의 화합물 A-24 (11.9 g, Y=59.1%)을 얻었다.
합성예 6: A-28의 합성
[반응식 6]
Figure 112015105324218-pat00034
1단계: 화합물 12의 합성
3-Hydroxy-2-nitropyridine (50.0 g, 357 mmol)을 N,N-dimethylformamide 900 mL에 녹이고 N-bromosuccinimide (133.4 g, 749 mmol)을 천천히 투입한 뒤, 12 시간 동안 상온에서 교반하였다. 반응이 완료되면 회전 증발기를 이용하여 용액을 농축한 뒤, 증류수와 dichloromethane으로 2회 추출하였다. Methyl alcohol과 증류수를 이용해서 침전을 생성시키고 여과하여 화합물 12 (76.4 g, Y=71.8%)를 얻었다.
2단계: 화합물 13의 합성
화합물 12 (70.0 g, 235 mmol), phenylboronic acid (63.03 g, 517 mmol), tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (13.58 g, 12 mmol), potassium carbonate (146.15 g, 1.06 mol)를 THF, DIW 혼합용액 (2 : 1) 1600mL에 녹인 뒤, 75℃에서 24시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 회전 증발기를 이용하여 THF를 농축한 뒤, 1N HCl을 물층에 가하여 pH 7로 중화시킨다. 그 수용액은 dichloromethane과 2회 추출하고 실리카겔에 여과하여 갈색의 화합물 13 (54.10 g, Y=78.8%)을 얻었다.
3단계 : 화합물 14의 합성
화합물 13 (50.0 g, 171 mmol)을 ethyl alcohol : tetrahydrofuran = 1 : 1(v/v) 혼합용액 400 mL에 넣고 palladium on activated carbon (1.82 g, 17 mmol)을 천천히 투입한다. Hydrazine monohydrate (25.69 g, 513 mmol)를 dropping funnel을 이용하여 천천히 투입하고 8시간 동안 상온에서 교반한다. 반응이 완료되면 celite에 여과하여 옅은 붉은 색의 화합물 14 (37.1 g, Y=82.7%)을 얻었다.
4단계: Core 2의 합성
화합물 14 (20.0 g, 76 mmol)과 3-bromobenzoic acid (30.7 g, 152 mmol)를 polyphosphoric acid 150 mL에 넣고 mechanical stirrer로 230 ℃에서 교반한다. 반응이 완료되면 증류수에서 침전을 생성시키고 침전물을 여과한다. Dichloromethane과 n-hexane의 혼합용액으로 2회 재결정하여 흰색의 화합물 Core 2 (22.8 g, Y=70.0%)을 얻었다.
5단계: A-28의 합성
Core-2 (10.0 g, 23 mmol), 화합물 5 (10.1 g, 23 mmol), tetrakis(triphenylphosphine)palladium(0) (1.35 g, 1 mmol), potassium carbonate (8.09 g, 59 mmol)를 THF, DIW 혼합용액 (2 : 1) 160mL에 녹인 뒤, 75℃에서 12시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 분리된 DIW 층을 제거하고 dichloromethane과 2회 추출한다. 유기층을 실리카겔에 여과하고 toluene으로 재결정하여 흰 색의 화합물 A-28 (11.9 g, Y=78.1 %)을 얻었다.
합성예 7: A-33의 합성
[반응식 7]
Figure 112015105324218-pat00035
1단계: 화합물 15의 합성
3-Hydroxy-2-nitropyrimidine을 화합물 12의 합성방법에서 NBS의 당량을 조절/진행하여 화합물 15 (73.2 g, Y=69.1%)를 얻었다.
2단계: 화합물 16의 합성
화합물 15를 화합물 13의 합성방법과 같이 진행하여 화합물 16 (63.2 g, Y=92.0%)을 얻었다.
3단계: 화합물 17의 합성
화합물 16을 화합물 14의 합성방법과 같이 진행하여 화합물 17 (45.5 g, Y=84.5%)을 얻었다.
4단계: Core 3의 합성
화합물 17을 Core 2의 합성방법과 같이 진행하여 화합물 Core 3 (38.0 g, Y=58.4%)을 얻었다.
5단계: A-33의 합성
Core 3을 A-28의 합성방법과 같이 진행하여 화합물 A-33 (13.7 g, Y=60.0%)을 얻었다.
합성예 8: A-41의 합성
[반응식 8]
Figure 112015105324218-pat00036
1단계: A-41의 합성
Core 3 (15.0 g, 35 mmol),　구입한 Ph-indolo[2,3-a]carbazole (CAS No. 1024598-06-8) (17.46 g, 36 mmol), sodium tert-butoxide (5.05 g, 53 mmol) 그리고 bis(dibenzylideneacetone)palladium(0)　(0.60 g, 1 mmol) 을 xlyene 180 mL에 녹여 500 mL 3neck flask에 넣은 후 교반시킨다. tri-tert-butylphosphine　(2.50 mL, 5 mmol) 을 반응용기에 주사기를 이용하여 넣은 뒤, 140℃에서 24시간 동안 환류 교반하였다. 반응이 완료되면 용액을 과량의 methanol에 넣어 침전을 형성시킨다. 형성된 침전물을 여과하고 toluene에 끓여 녹여 실리카겔에 다시 여과한다. 여과된 용액을 재결정하여 흰 색의 화합물 A-41 (13.7 g, Y=57.5%)을 얻었다.
합성예 9: A-43의 합성
[반응식 9]
Figure 112015105324218-pat00037
1단계: 화합물 18의 합성
1,2-Diphenylethylenediamine (30 g, 141 mmol) 그리고 ethyl oxamate (24.82 g, 212 mmol) 200 mL의 pyridine에 넣고 12시간 동안 환류 교반한다. 반응이 모두 진행되면 용액을 식히고 과량의 ethyl alcohol/DIW 혼합용액에 투입하여 침전물을 형성한다. 그 침전물을 여과한 후, ethyl alcohol에서 재결정하여 화합물 18 (34.8 g, Y=93.5%)를 얻었다.
2단계: Core 4의 합성
화합물 18을 Core 2의 합성방법과 같이 진행하여 화합물 Core 4 (16.8 g, Y=51.6%)을 얻었다.
3단계: A-43의 합성
Core 4를 A-15의 합성방법과 같이 진행하여 화합물 A-43 (13.7 g, Y=89.3%)을 얻었다.
합성예 10: B-02의 합성
[반응식 10]
Figure 112015105324218-pat00038
1단계: B-02의 합성
합성예 1의 반응식 1에서 3-hydroxy-2-nitropyridine 대신에 2-aminopyridine-3-thiol을 Core 1의 합성방법 4단계의 고리화 반응을 진행 후, 1단계과 같은 조건으로 bromination을 진행한다. 이후, 2단계 조건대로 반응을 진행하여 Core 5 (total Y=25.6%)를 합성하였다. Core 5를 화합물 5와 A-08과 같은 방법으로 합성/정제하여 B-02 (14.3 g, Y=88.9%)를 얻었다.
합성예 11: B-08의 합성
[반응식 11]
Figure 112015105324218-pat00039
1단계: 화합물 19의 합성
합성예 4의 반응식4에서, 화합물1 대신에 2-aminopyridine-3-thiol을 화합물 8의 합성방법과 같이 진행하여 화합물 19 (19.7 g, Y=58.6%)를 얻었다.
2단계: 화합물 20의 합성
화합물 19 (10 g, 47 mmol)을 200 mL의 chloroform 용액에 녹인 후, N-bromosuccinimide (8.38 g, 47 mmol)을 천천히 투입한다. 12시간 후 반응이 완료되면 chloroform과 DIW로 3회 추출한다. Chloroform 유기층을 증발시키고 dichloromethane : n-hexane 혼합용액으로 재결정하여 화합물 20 (11.80 g, Y=86.0%)을 얻었다.
3단계: B-08의 합성
화합물 20을 A-20의 합성방법과 같이 진행하여 B-08 (16.4 g, Y=77.2%)을 얻었다.
유기 발광 소자의 제작
실시예 1
합성예 2 에서 얻은 화합물 A-08을 호스트로 사용하고, acetylacetonatobis(2-phenylquinolinato)iridium (Ir(pq)2acac)를 도펀트로 사용하여 유기발광소자를 제작하였다.
양극으로는 ITO를 1500 Å의 두께로 사용하였고, 음극으로는 알루미늄(Al)을 1000 Å의 두께로 사용하였다. 구체적으로, 유기발광소자의 제조방법을 설명하면, 양극은 15 Ω/㎠의 면저항값을 가진 ITO 유리 기판을 50mm × 50 mm × 0.7 mm의 크기로 잘라서 아세톤과 이소프로필알코올과 순수물 속에서 각 15 분 동안 초음파세정한 후, 30 분 동안 UV 오존 세정하여 사용하였다.
상기 기판 상부에 진공도 650×10-7Pa, 증착속도 0.1 내지 0.3 nm/s의 조건으로 4,4’-bis[N-[4-{N,N-bis(3-methylphenyl)amino}-phenyl]-N-phenylamino]biphenyl [DNTPD]를 진공 증착하여 600Å두께의 정공 주입층을 형성하였다. 이어서 동일한 진공 증착조건에서 HT-1을 진공 증착으로 300Å 두께의 정공 수송층을 형성하였다. 다음으로, 동일한 진공 증착조건에서 합성예 21에서 얻은 화합물 1을 이용하여 막 두께 300 Å의 발광층을 형성하였고, 이 때, 인광 도펀트인 acetylacetonatobis(2-phenylquinolinato)iridium (Ir(pq)2acac)을 동시에 증착하였다. 이 때, 인광 도펀트의 증착속도를 조절하여, 발광층의 전체량을 100 중량%로 하였을 때, 인광 도펀트의 배합량이 7 중량%가 되도록 증착하였다.
상기 발광층 상부에 동일한 진공 증착조건을 이용하여 Bis(2-methyl-8-quinolinolate)-4-(phenylphenolato)aluminium (BAlq)를 증착하여 막 두께 50 Å의 정공저지층을 형성하였다. 이어서, 동일한 진공 증착조건에서 Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium (Alq3)를 증착하여, 막 두께 250 Å의 전자수송층을 형성하였다. 상기 전자수송층 상부에 음극으로서 LiF와 Al을 순차적으로 증착하여 유기광전소자를 제작하였다.
상기 유기광전소자의 구조는 ITO/ DNTPD (60 nm)/ HT-1 (30 nm)/ EML (화합물 A-08 (93 중량%) + Ir(pq)2acac(7 중량%), 30 nm)/ Balq (5 nm)/ Alq3 (25 nm)/ LiF (1 nm) / Al (100 nm) 의 구조로 제작하였다.
실시예 2
상기 실시예 1에서 화합물 A-08 대신에 발광층에 화합물 A-15를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 3
상기 실시예 1에서 화합물 A-08 대신에 발광층에 화합물 A-20를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 4
상기 실시예 1에서 화합물 A-08 대신에 발광층에 화합물 A-24를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 5
상기 실시예 1에서 화합물 A-08 대신에 발광층에 화합물 A-28를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 6
상기 실시예 1에서 화합물 A-08 대신에 발광층에 화합물 A-33를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 7
상기 실시예 1에서 화합물 A-08 대신에 발광층에 화합물 A-41를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 8
상기 실시예 1에서 화합물 A-08 대신에 발광층에 화합물 A-43를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 9
상기 실시예 1에서 화합물 A-08 대신에 발광층에 화합물 B-02를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
실시예 10
상기 실시예 1에서 화합물 A-08 대신에 발광층에 화합물 B-08를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
비교예 1
상기 실시예 1에서 화합물 A-08 대신에 발광층에 CBP를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
상기 유기발광소자 제작에 사용된 DNTPD, BAlq, HT-1, CBP, 및 Ir(pq)2acac의 구조는 하기와 같다.
Figure 112015105324218-pat00040
평가
실시예 1 내지 10과 비교예 1에 따른 유기발광소자의 전압에 따른 전류밀도 변화, 휘도 변화 및 발광효율을 측정하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 1과 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 전류-전압계(Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다.
(2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계(Minolta Cs-1000A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기(1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도(10 mA/cm2)의 전류 효율(cd/A) 을 계산하였다.
(4) 수명 측정
초기휘도(cd/m2)를 3000 cd/m2 로 발광시키고 시간 경과에 따른 휘도의 감소를 측정하여 초기 휘도 대비 90%로 감소하는 시간을 측정하여 결과를 얻었다.
No. 화합물 구동전압 (V) 색
(EL color)		 발광효율
(cd/A)		 97% 수명 (h)
At 3000 cd/m2
실시예 1 A-08 4.8 Green 40.5 120
실시예 2 A-15 4.1 Green 54.8 **
실시예 3 A-20 4.5 Green 61.8 185
실시예 4 A-24 4.7 Green 57.3 130
실시예 5 A-28 4.6 Green 50.1 150
실시예 6 A-33 4.3 Green 53.5 150
실시예 7 A-41 4.2 Green 68.9 200
실시예 8 A-43 4.2 Green 60.0 **
실시예 9 B-02 4.7 Green 41.4 140
실시예 10 B-08 4.5 Green 62.3 180
비교예 1 CBP 4.8 Green 31.4 40 (90%)
** 은 수명 값을 측정하지 않음(데이터 값 없음)
표 1을 참고하면, 실시예 1 내지 10에 따른 유기발광소자는 비교예 1에 따른 유기발광소자와 비교하여 구동전압이 동등 또는 그 이하로 상당히 향상됨과 동시에, 발광효율 및 수명특성이 현저하게 개선된 것을 확인할 수 있다. 특히, 실시예 3, 7 그리고 10에 사용된 A-20, A-41, B-08은 바이폴라(bipolar) 재료므로 전자와 정공 주입의 균형이 잘 이루어져서 특히 발광효율이 높은 것으로 보인다. 실시예 1의 A-08에서 페닐기를 N의 반대방향으로 늘린 A-28을 발광재료로 사용한 실시예 5의 소자는 실시예 1에 비해 전자 수송능력이 뛰어나기 때문에 구동전압, 효율, 수명 면에서 더욱 좋은 결과를 보였다. A 그룹 (옥사졸로헤테로육각환)과 B 그룹 (티아졸로헤테로육각환) 의 산소와 황의 차이를 비교하면 B 그룹이 효율, 수명 면에서 미세하게 우세한 것을 볼 수 있다.
본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
100, 200: 유기 발광 소자
105: 유기층
110: 음극
120: 양극
130: 발광층
140: 정공 보조층

Claims (14)

  1. 서로 마주하는 양극과 음극, 그리고
    상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 1층의 유기층을 포함하고,
    상기 유기층은 하기 화학식 Ⅰ로 표현되는 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자:
    [화학식 Ⅰ]
    Figure 112017070956920-pat00041

    상기 화학식 Ⅰ에서,
    X는 O 또는 S이고,
    Y1 및 Y2는 각각 독립적으로, N 또는 CRa이고,
    L은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
    R1, R2, 및 Ra는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 또는 이들의 조합이고,
    여기서 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C1 내지 C10 알킬실릴기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로고리기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 화학식 Ⅰ-1 내지 Ⅰ-3 중 어느 하나로 표현되는 유기 광전자 소자:
    [화학식 Ⅰ-1] [화학식 Ⅰ-2] [화학식 Ⅰ-3]
    Figure 112017070956920-pat00042
    Figure 112017070956920-pat00043
    Figure 112017070956920-pat00044

    상기 화학식 Ⅰ-1 내지 Ⅰ-3에서,
    X는 O 또는 S이고,
    L은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
    R1, R2, 및 Ra는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 또는 이들의 조합이고,
    여기서 "치환"이란, 상기 제1항에서 정의한 바와 같다.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 화학식 Ⅰ-2로 표현되는 유기 광전자 소자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 또는 이들의 조합인 유기 광전자 소자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 펜타페닐기, 치환 또는 비치환된 헥사페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 아졸로피리디닐기, 치환 또는 비치환된 아졸리피리미디닐기, 또는 이들의 조합인 유기 광전자 소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 하기 그룹 Ⅰ에 나열된 기에서 선택되는 것인 유기 광전자 소자:
    [그룹 Ⅰ]
    Figure 112017070956920-pat00045

    상기 그룹 Ⅰ에서,
    *은 연결 지점이고,
    여기서 "치환"이란, 상기 제1항에서 정의한 바와 같다.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 L은 단일 결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기, 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸렌기, 치환 또는 비치환된 카바졸일렌기, 또는 이들의 조합인 유기 광전자 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 L은 단일 결합, 및 치환 또는 비치환된 하기 그룹 Ⅱ에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택되는 것인 유기 광전자 소자:
    [그룹 Ⅱ]
    Figure 112017070956920-pat00046

    상기 그룹 Ⅱ에서,
    *은 연결 지점이고,
    여기서 "치환"이란, 상기 제1항에서 정의한 바와 같다.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 유기 광전자 소자용 화합물은 하기 나열된 화합물에서 선택되는 유기 광전자 소자:
    [A-01] [A-02] [A-03] [A-04]
    Figure 112017070956920-pat00047

    [A-05] [A-06] [A-07] [A-08]
    Figure 112017070956920-pat00048

    [A-09] [A-10] [A-11] [A-12]
    Figure 112017070956920-pat00049


    [A-13] [A-14] [A-15] [A-16]
    Figure 112017070956920-pat00050

    [A-17] [A-18] [A-19] [A-20]
    Figure 112017070956920-pat00051

    [A-21] [A-22] [A-23] [A-24]
    Figure 112017070956920-pat00052

    [A-25] [A-26] [A-27] [A-28]
    Figure 112017070956920-pat00053

    [A-29] [A-30] [A-31] [A-32]
    Figure 112017070956920-pat00054

    [A-33] [A-34] [A-35] [A-36]
    Figure 112017070956920-pat00055

    [A-37] [A-38] [A-39] [A-40]
    Figure 112017070956920-pat00056

    [A-41] [A-42] [A-43] [A-44]
    Figure 112017070956920-pat00057

    [A-45] [A-46] [A-47] [A-48]
    Figure 112017070956920-pat00058

    [B-01] [B-02] [B-03] [B-04]
    Figure 112017070956920-pat00059

    [B-05] [B-06] [B-07] [B-08]
    Figure 112017070956920-pat00060

    [B-09] [B-10] [B-11] [B-12]
    Figure 112017070956920-pat00061

    [B-13] [B-14] [B-15] [B-16]
    Figure 112017070956920-pat00062

    [B-17] [B-18] [B-19] [B-20]
    Figure 112017070956920-pat00063

    [B-21] [B-22] [B-23] [B-24]
    Figure 112017070956920-pat00064

    [B-25] [B-26] [B-27] [B-28]
    Figure 112017070956920-pat00065

    [B-29] [B-30] [B-31] [B-32]
    Figure 112017070956920-pat00066

    [B-33] [B-34]
    Figure 112017070956920-pat00067

  10. 삭제
  11. 제1항에 있어서,
    상기 유기층은 발광층을 포함하고,
    상기 발광층은 상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 발광층의 호스트로서 포함되는 유기 광전자 소자.
  13. 제1항에 따른 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치.
  14. 하기 나열된 화합물에서 선택된 유기 광전자 소자용 화합물:
    [A-01] [A-02] [A-03] [A-04]
    Figure 112017070956920-pat00070

    [A-05] [A-06] [A-07] [A-08]
    Figure 112017070956920-pat00071

    [A-09] [A-10] [A-11] [A-12]
    Figure 112017070956920-pat00072


    [A-13] [A-14] [A-15] [A-16]
    Figure 112017070956920-pat00073

    [A-17] [A-18] [A-19] [A-20]
    Figure 112017070956920-pat00074

    [A-21] [A-22] [A-23] [A-24]
    Figure 112017070956920-pat00075

    [A-25] [A-26] [A-27] [A-28]
    Figure 112017070956920-pat00076

    [A-29] [A-30] [A-31] [A-32]
    Figure 112017070956920-pat00077

    [A-33] [A-34] [A-35] [A-36]
    Figure 112017070956920-pat00078

    [A-37] [A-38] [A-39] [A-40]
    Figure 112017070956920-pat00079

    [A-41] [A-42] [A-43] [A-44]
    Figure 112017070956920-pat00080

    [A-45] [A-46] [A-47] [A-48]
    Figure 112017070956920-pat00081

    [B-01] [B-02] [B-03] [B-04]
    Figure 112017070956920-pat00082

    [B-05] [B-06] [B-07] [B-08]
    Figure 112017070956920-pat00083

    [B-09] [B-10] [B-11] [B-12]
    Figure 112017070956920-pat00084

    [B-13] [B-14] [B-15] [B-16]
    Figure 112017070956920-pat00085

    [B-17] [B-18] [B-19] [B-20]
    Figure 112017070956920-pat00086

    [B-21] [B-22] [B-23] [B-24]
    Figure 112017070956920-pat00087

    [B-25] [B-26] [B-27] [B-28]
    Figure 112017070956920-pat00088

    [B-29] [B-30] [B-31] [B-32]
    Figure 112017070956920-pat00089

    [B-33] [B-34]
    Figure 112017070956920-pat00090


KR1020150151083A 2015-10-29 2015-10-29 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치 KR101816233B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150151083A KR101816233B1 (ko) 2015-10-29 2015-10-29 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150151083A KR101816233B1 (ko) 2015-10-29 2015-10-29 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170050048A KR20170050048A (ko) 2017-05-11
KR101816233B1 true KR101816233B1 (ko) 2018-01-08

Family

ID=58741129

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150151083A KR101816233B1 (ko) 2015-10-29 2015-10-29 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101816233B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20210097096A (ko) * 2018-11-29 2021-08-06 호도가야 가가쿠 고교 가부시키가이샤 아자벤조옥사졸 고리 구조를 갖는 화합물 및 유기 일렉트로루미네선스 소자
CN112300171B (zh) * 2019-07-30 2023-08-15 江苏三月科技股份有限公司 一种基于咔唑并环类结构的有机化合物及其在oled上的应用
KR20210038783A (ko) * 2019-09-30 2021-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 유기 전계 발광 소자용 화합물
CN114230577A (zh) * 2021-12-29 2022-03-25 川北医学院 噁唑并吡啶类化合物的合成方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070275984A1 (en) * 2004-09-17 2007-11-29 Janssen Pharmaceutica N.V. Novel Thieno-Pyridine and Thieno-Pyrimidine Derivatives and Their Use as Positive Allosteric Modulators of Mglur2-Receptors

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070275984A1 (en) * 2004-09-17 2007-11-29 Janssen Pharmaceutica N.V. Novel Thieno-Pyridine and Thieno-Pyrimidine Derivatives and Their Use as Positive Allosteric Modulators of Mglur2-Receptors

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170050048A (ko) 2017-05-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101818582B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치
TWI679787B (zh) 有機光電裝置及使用其之顯示裝置
JP2021501126A (ja) ヘテロ環化合物およびこれを含む有機発光素子
KR20200072211A (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101904300B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치
KR102199075B1 (ko) 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN111094297B (zh) 有机化合物、组成物、有机光电装置以及显示装置
KR20160149041A (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102171534B1 (ko) 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2018004095A1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN111108108A (zh) 有机化合物、组合物、有机光电装置和显示装置
KR101816233B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR101962420B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20210038221A (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102041587B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20210129497A (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20170068927A (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 및 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치
KR20180032471A (ko) 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
EP4369900A1 (en) Composition for organic optoelectronic device, organic optoelectronic device and display device
KR20210039831A (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
JP7300509B2 (ja) 有機光電子素子用化合物、有機光電子素子、および表示装置
KR102213664B1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102262471B1 (ko) 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20210062568A (ko) 헤테로고리 화합물, 이를 포함하는 유기 발광 소자, 유기 발광 소자의 유기물층용 조성물 및 유기 발광 소자의 제조 방법
KR20170024418A (ko) 유기 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant