KR101804126B1 - 가스분사장치 및 기판처리장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 가스분사장치 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 챔버 공간 내에서 기판 증착에 사용되는 가스를 분사하는 장치 및 이러한 가스분사장치를 이용하여 기판을 증착시키는 장치이다. 본 발명의 실시 형태는 기판지지대를 향해 가스를 분사하는 가스분사장치로서, 상기 기판지지대에 대향하여 마주보는 분사면과, 상기 분사면에 형성되어 가스를 분사하는 분사홀을 포함하고, 상기 분사면은 서로 다른 가스를 분사하는 복수개의 가스분사영역을 가지며, 각각의 가스분사영역은 골짜기 홈으로 파여진 형태를 가진다. 골짜기 홈은, 가스분사영역의 내측가장자리와 외측가장자리를 잇는 골과, 상기 내측가장자리의 끝단과 외측가장자리의 양 끝단을 잇는 산과, 상기 산에서 상기 골 사이를 연결하는 경사면을 포함한다.

Description

가스분사장치 및 기판처리장치{Apparatus for dispensing gas and treating substrate}

본 발명은 가스분사장치 및 기판처리장치에 관한 것으로서, 챔버 공간 내에서 기판 증착에 사용되는 가스를 분사하는 장치 및 이러한 가스분사장치를 이용하여 기판을 증착시키는 장치이다.

일반적으로 반도체장치의 제조 공정시, 박막을 균일하게 증착하기 위해 스퍼터링법(sputtering), 화학기상증착법(chemical vapor deposition: CVD), 원자층증착법(atomic layer deposition: ALD)을 적용한다.

스퍼터링법에 의해 기판과 접착성이 우수한 고순도 박막을 형성할 수 있으나, 공정차이를 갖는 고집적 박막을 스퍼터링법으로 증착하는 경우에는 전체 박막위에서 균일도를 확보하기가 매우 어려워 미세한 패턴을 위한 스퍼터링법의 적용에는 한계가 있다. 화학기상증착법(CVD)은 가장 널리 이용되는 증착기술이지만, 반응들이 빠르기 때문에 원자들의 열역학적(thermaodynamic) 안정성을 제어하기 매우 어렵고, 박막의 물리적, 화학적, 전기적특성을 저하시킨다.

상기의 단점을 극복하고자 제시된 원자층 증착법(ALD)은 소스가스(반응가스)와 퍼지가스를 교대로 공급하여 원자층을 증착하기 위한 방법으로서, 이에 의해 형성된 박막은 양호한 피복특성을 갖고 대구경 기판 및 극박막에 적용되며, 전기적 물리적 특성이 우수하다. 일반적으로 원자층 증착법은, 먼저 제1소스가스를 공급하여 기판 표면에 한 층의 소스를 화학적으로 흡착(chemical adsorption)시키고 여분의 물리적 흡착된 소스들은 퍼지가스를 흘려보내어 퍼지시킨 다음, 한 층의 소스에 반응가스를 공급하여 한 층의 소스와 반응가스를 화학반응시켜 원하는 원자층박막을 증착하고 여분의 반응가스는 퍼지가스를 흘려보내 퍼지시키는 과정을 한 주기(cycle)로 하여 박막을 증착한다

상술한 바와 같이 원자층 증착방법은 표면 반응 메커니즘(surface reaction mechanism)을 이용함으로써 안정된 박막을 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 균일한 박막을 얻을 수 있다. 또한, 원자층 증착법은 소스가스와 반응가스를 서로 분리시켜 순차적으로 주입 및 퍼지시키기 때문에 화학적기상증착법에 비하여 기상반응(gas phase reaction)에 의한 파티클 생성을 억제한다.

원자층 증착을 수행하는 기판처리장치 및 샤워헤드의 일례를 도 1 및 도 2에 도시하였다. 도 1에 도시되어 있는 바와 같이 기판처리장치(10)는 박막 증착이 이루어지는 내부 공간(110)이 형성된 챔버(100)와, 챔버의 내부에 승강 및 회전가능하게 설치되며 기판(W)이 안착되는 기판지지대(200)와, 기판지지대(200)에 안착된 기판에 박막이 형성되도록 그 기판을 향해 원료가스를 분사하는 샤워헤드(300)를 구비한다. 그리고, 기판지지대(200)의 상면에는, 기판(W)이 방사형을 이루도록 복수 배치되어 있다. 샤워헤드(300)는 도 2에 도시한 바와 같이 소스가스 분사영역(310a), 퍼지가스 분사영역(310c), 반응가스 분사영역(310b)이 샤워헤드의 바닥면에 분사홀이 형성되어 있다. 따라서, 기판이 원료가스 및 퍼지가스에 순차적으로 노출됨으로써 박막이 증착된다.

그런데, 기판처리장치(10)에 있어서는, 퍼지 가스, 소스 가스, 반응 가스가 분사되는 샤워헤드의 면이 모두 같은 높이 위치에 있어 박막 증착에 있어 비효율적인 문제가 있다. 즉, 도 1의 A-A' 부분의 샤워헤드 단면도를 도시한 도 3을 참조하면, 퍼지 가스, 소스 가스, 반응 가스가 분사되는 샤워헤드의 분사 영역의 면이 모두 같은 높이 위치에 있기 때문에, 가스 분사 시에 각 가스들이 서로 섞이는 문제가 있다. 또한 샤워헤드를 통한 분사 시에 기판지지대가 회전하게 되는데, 이러한 기판지지대의 회전에 의한 와류에 의해 분사된 가스가 웨이퍼 상에 오랜시간 체류하지 못하고 흩어져 버리는 문제가 있다.

한국공개특허 10-2003-0038168

본 발명의 기술적 과제는 기판 상에 균일하게 박막을 증착하는 가스분사장치 및 기판처리장치를 제공하는데 있다. 또한 본 발명의 기술적 과제는 원자층 증착의 공정 과정에 있어서 기판으로 분사되는 이종 가스들이 서로 섞이지 않도록 하는데 있다. 또한 본 발명의 기술적 과제는 기판 상에 소스가스 및 반응가스가 체류하는 시간을 증대시키도록 하는데 있다.

본 발명의 실시 형태는 기판지지대를 향해 가스를 분사하는 가스분사장치로서, 상기 기판지지대에 대향하여 마주보는 분사면과, 상기 분사면에 형성되어 가스를 분사하는 분사홀을 포함하고, 상기 분사면은 서로 다른 가스를 분사하는 복수개의 가스분사영역을 가지며, 각각의 가스분사영역은 골짜기 홈으로 파여진 형태를 가진다.

또한 상기 가스분사영역은 소스가스 분사영역, 퍼지가스 분사영역, 반응가스 분사영역, 퍼지가스 분사영역을 구비하여, 상기 가스분사장치의 둘레를 따라 방사형으로 형성된다.

또한 골짜기 홈은, 가스분사영역의 내측가장자리와 외측가장자리를 잇는 골과, 상기 내측가장자리의 양 끝단과 외측가장자리의 양 끝단을 잇는 산과, 상기 산에서 상기 골 사이를 연결하는 경사면을 포함한다.

또한 분사홀은, 상기 기판지지대에 대하여 수직 방향으로 형성되된다.

또한 골짜기 홈의 골 깊이는, 반응가스 분사영역의 골의 깊이 > 소스가스 분사영역의 골의 깊이 > 퍼지가스 분사영역의 골의 깊이의 순서로 더 깊게 파여진다.

또한 본 발명의 실시 형태인 기판처리장치는, 공정이 진행되는 내부 공간을 가지는 챔버와, 기판지지대에 대향하여 마주보는 분사면에 가스를 분사하는 분사홀이 형성되며 상기 내부 공간의 상부에 배치된 가스분사장치와, 복수개의 기판을 지지하며 상기 가스분사장치에 대향하여 평행하게 배치되고 회전 가능한 기판 지지대를 포함하며, 상기 분사면은 서로 다른 가스를 분사하는 복수개의 가스분사영역을 가지며, 각각의 가스분사영역은 골짜기 홈으로 파여진다.

본 발명의 실시 형태에 따르면 기판으로 분사되는 이종 가스들을 서로 섞이지 않도록 할 수 있다. 또한 본 발명의 실시 형태에 따르면 기판지지대의 회전에도 불구하고 공정 영역에서의 소스가스의 체류 시간을 증대시킬 수 있다. 또한 본 발명의 실시 형태에 따르면 기판상에 균일한 박막을 형성할 수 있다.

도 1은 기판처리장치를 도시한 그림이다.
도 2는 가스분사장치의 바닥면을 도시한 그림이다.
도 3은 가스분사장치의 단면을 도시한 그림이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 도시한 그림이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 샤워헤드의 바닥면 및 단면도를 도시한 그림이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 골짜기 홈의 골, 산, 경사면을 도시한 그림이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 골짜기 홈의 가장 깊은 골짜기에 분사홀이 형성된 모습을 도시한 그림이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따라 골짜기 홈의 경사면에 분사홀이 형성된 모습을 도시한 그림이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따라 각 가스분사영역마다 골짜기 홈의 파인 깊이가 다른 모습을 도시한 그림이다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.

이하, 설명에서는 가스분사장치의 예로서 샤워헤드를 예를 들어 설명하겠으나, 다른 가스분사장치 역시 본 발명의 실시예가 적용될 수 있다.

도 4는 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 구성을 도시한 그림이며, 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 샤워헤드의 바닥면 및 단면도를 도시한 그림이다.

본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치(10)는 챔버(100)와, 기판지지대(200)와, 샤워헤드(300)를 포함한다.

챔버(100)의 내부에는 기판에 대한 증착, 식각 공정 등이 수행되는 내부 공간이 형성되어 있다. 또한, 챔버(100)에는 기판의 로딩/언로딩을 위하여 기판이 출입되는 게이트(101) 및 챔버 내부의 가스를 배출하기 위한 배기유로(102)가 형성되어 있다.

기판지지대(200)는 복수개의 기판이 안착되는 곳으로 평판 형상으로 형성되며, 기판(W)은 기판지지대(200)에 방사형으로 복수개 배치된다. 기판지지대(200)는 구동축에 결합되어 승강 및 회전가능 하도록 챔버의 내부 공간에 형성된다. 따라서 공정이 진행될 때 기판지지대(200)는 샤워헤드(300)에 대향하여 평행하게 배치되고 회전한다. 기판지지대(600)의 상면에는 기판이 안착되는 복수의 안착부(미도시)가 형성되어있다.

기판지지대(200)에는 방사형을 이루도록 복수개의 기판이 배치될 수 있어, 기판지지대의 회전에 의하여 각 기판은 샤워헤드로부터의 소스가스, 퍼지가스 및 반응가스를 교대로 공급받아, 각 기판에 박막이 동시에 증착된다.

샤워헤드(300)는 가스를 분사하는 장치로서, 챔버 내부 공간의 상부, 즉, 기판지지대(200)의 상방에 설치된다. 샤워헤드(300)는 원자층 증착용(ALD용;Atomic Layer Depositon) 소스가스, 퍼지가스 및 반응가스를 분사하는 복수개의 가스분사영역(310)을 가진다. 샤워헤드는 단일 유닛으로 된 복수개의 가스분사영역(310)을 탑플레이트(350)의 하부(하면)에 복수개로 결합하여 형성할 수 있다. 즉, 샤워헤드는 서로 다른 가스가 유입되는 탑 플레이트(350)와, 상기 탑 플레이트의 하부에 결합되어 서로 다른 가스를 분사하는 복수개의 가스분사유닛으로 된 가스분사영역을 포함한다. 또한 샤워헤드의 중앙부에는 각 가스분사영역에서 분사되는 가스가 섞이지 않도록 커튼 가스 역할을 하는 퍼지 가스가 분사되는 커튼 가스부(311)가 포함된다.

샤워헤드에 구비되는 복수개의 가스분사영역(310)은, 소스가스->퍼지가스->반응가스->퍼지가스의 순서로 분사하는 가스분사영역들이 배치된다. 즉, 소스가스 분사영역, 퍼지가스 분사영역, 반응가스 분사영역으로 된 복수개의 가스분사영역(310)을 구비하여 이들 가스분사영역이 가스분사장치인 샤워헤드의 둘레를 따라 방사형으로 배치되도록 한다.

상기 소스가스 및 반응가스는 원자층 증착 공정에 이용되는 가스로서, 소스가스로는 Zr, Si 등을 함유하는 가스가 사용될 수 있다. 반응가스로는 O₂나 O₃ 등이 사용될 수 있다. 퍼지가스는 증착에 쓰이고 남은 챔버내 기판 상에 잔존하는 소스가스 및 반응가스를 퍼지시켜 배출시키는 가스로서, 아르곤(Ar)이나 질소(N₂)와 같은 비반응가스가 이용될 수 있다.

원자층 증착 과정을 간단히 설명하면, 소스가스 분사영역의 하부에 위치하는 기판은 소스가스를 주입받는다. 이 때, 소스가스의 분자가 기판에 표면 흡착된다. 그 후, 기판지지대가 회전하여 퍼지가스 분사영역의 하부에 위치한 기판은 아르곤(Ar)이나 질소(N₂)와 같은 퍼지가스를 주입받는다. 이러한 퍼지가스는 챔버에 잔류한 미반응 소스가스를 퍼지하여 배출시킨다.

퍼지가 이루어진 후 기판지지대가 회전하여 반응가스 분사영역의 하부에 위치한 기판은, 반응가스를 주입받는다. 소스가스와 반응가스사이의 반응은 표면흡착된 소스가스의 분자가 있는 표면에서만 일어나 소스가스의 분자와 반응가스의 분자의 반응에 의한 원자층박막이 증착된다. 이후, 소스가스와 반응가스의 반응 후 챔버에 잔존하는 미반응 반응가스를 퍼지시킨다.

이와 같은 원자층 증착방식을 이용하여 박막을 증착하면, 기판 표면에 흡착되는 물질(일반적으로 박막의 구성원소를 포함하는 화학분자)에 의해서만 증착이 발생하게 된다. 이 때, 흡착량은 일반적으로 기판 상에서 자체 제한(self-limiting)되기 때문에, 공급되는 반응가스량(소스가스량)에 크게 의존하지 않고 기판 전체에 걸쳐 균일하게 얻어진다. 이에 따라, 위치에 상관없이 일정한 두께의 막을 얻을 수 있고, 수나노미터 단위의 박막의 경우에도 두께 조절이 용이하다. 또한, 공정 가스의 공급 주기당 증착되는 막의 두께가 비례하므로, 공급주기 횟수를 통하여 정확한 막 두께의 조절이 가능해 진다.

본 발명의 실시예에 따른 가스분사장치인 샤워헤드(300)는 복수의 가스분사영역이 샤워헤드의 둘레를 따라 방사형으로 형성된다. 샤워헤드(300)는 가스분사영역의 각 바닥면을 원주방향을 따라 골짜기 홈 형태로 파여지도록 형성한다. 즉, 기판지지대에 대향하여 마주보는 각 가스분사영역(310;310a,310b,310c)의 전체면이 골짜기 홈(V자 홈)으로 파여져 있는 구조를 가지도록 한다.

이를 위하여 가스분사장치인 샤워헤드(300)는 기판지지대에 대향하여 마주보는 분사면, 분사면에 형성되어 가스를 분사하는 분사홀을 포함하며, 분사면은 서로 다른 가스를 분사하는 복수개의 가스분사영역을 가지며, 각각의 가스분사영역은 골짜기 홈으로 파여진다.

상기 골짜기 홈은 가스분사영역의 분사면의 전체면이 V자 형태의 골짜기를 이루며 파인 홈을 말하는 것이다. 상기 골짜기 홈은 가스분사영역의 내측가장자리와 외측가장자리를 잇는 골과, 상기 내측가장자리의 끝단과 외측가장자리의 양 끝단을 잇는 산과, 상기 산에서 상기 골 사이를 연결하는 경사면을 포함한다.

예컨대, 도 6에 도시한 바와 같이 샤워헤드가 원판형태로 구현되어 각 가스분사영역이 부채꼴 형태로 이루어졌을 때, 내측가장자리와 외측가장자리를 잇는 직선 형태의 파여진 골을 가진다. 이러한 내측가장자리의 일끝단과 외측가장자리의 일끝단을 잇는 산을 가지며, 내측가장자리의 타끝단과 외측가장자리의 타끝단을 잇는 산을 가진다.

골의 깊이는 산보다 더 낮은 위치에 놓여져서, 산에서 골을 향해 기울어진 경사면을 가지게 된다. 도 6(a)는 골이 가스분사영역의 중앙에 위치한 모습을 도시한 그림이나, 이에 한정되지 않고 도 6(b)에 도시한 바와 같이 골이 가스분사영역의 중앙이 아닌 지점에 위치할 수 있을 것이다.

한편, 도 5에 도시한 바와 같이 샤워헤드가 원판 형태로 구현되어 원주방향을 따라 소스가스 분사영역(310a), 퍼지가스 분사영역(310c), 반응가스 분사영역(310b), 퍼지가스 분사영역(310c)으로 배치되어 있는 경우, 기판지지대와 샤워헤드간의 거리는, 각 가스분사영역의 가장자리 양측 끝단인 산(a,b,c,d)에서 골(301)로 진행할수록 기판지지대간의 거리는 더 멀어진다.

한편, 가스분사영역의 분사면에 형성된 분사홀은 다양한 위치에 형성될 수 있다. 분사홀은 도 7에 도시한 바와 같이 가스분사영역에서 가장 깊게 파여진 골(301)에 형성될 수 있다. 골(301)에 분사홀(305)이 형성될 경우에는, 경사면(302)은 격벽 역할을 하여 분사홀을 통해 분사된 가스가 다른 가스분사영역으로 퍼지는 것을 최소로 할 수 있다.

또한 분사홀은 도 8에 도시한 바와 같이 가스분사영역(302)의 경사면에 형성될 수 있다. 도 8(a)와 도시한 바와 같이 상기 경사면에 대하여 소정 각도로 기울어져 형성될 수 있는데, 특히, 분사홀(305)이 지판지지대(200)와 직각된 방향으로 형성될 경우 분사된 가스가 다른 가스분사영역으로 퍼지는 것을 최소로 할 수 있다. 또한 도 8(b)에 도시한 바와 같이 분사홀이 기판지지대(200)와 직각된 방향이 아닌 경사면(302)과 직각된 방향으로 형성될 경우 분사된 가스가 다른 가스분사영역으로 퍼지는 것을 최소로 할 수 있을 뿐만 아니라, 가스분사영역에서의 분사 가스의 체류 시간을 증대시킬 수 있다. 서로 마주보는 경사면에서 직각으로 중심을 향해 가스가 분사되기 때문에, 가스 분사 집중도를 높여서 가스 체류 시간을 증대시킬 수 있는 것이다. 공정 진행 시에 하측에 놓인 기판지지대가 회전하기 때문에 분사된 가스가 오랫동안 체류하지 못하고 와류에 의하여 분산될 우려가 있다. 따라서 경사면에서 직각으로 중심을 향해 가스가 분사됨으로 인하여, 가스 공정 영역에서의 가스 체류 시간을 증대시키는 효과를 가져올 수 있다.

한편, 가스분사영역은, 소스가스를 분사하는 소스가스 분사영역, 퍼지가스를 분사하는 퍼지가스 분사영역, 반응가스를 분사하는 반응가스 분사영역을 구비한다.

이러한 각 가스분사영역마다 골짜기 홈의 골의 깊이를 달리 형성할 수 있다. 도 9에 도시한 바와 같이 반응가스 분사영역(310b)의 골의 깊이 > 소스가스 분사영역(301a)의 골의 깊이 > 퍼지가스 분사영역(310c)의 골의 깊이의 순서로 더 깊게 파여지도록 형성한다.

골짜기 홈의 골의 깊이가 깊어질수록 경사면의 기울기가 커져서, 경사면에 직각되게 형성된 분사홀로 인해 가스 집중성이 높아져서 체류시간이 길어진다. 반응가스 분사영역의 골의 깊이를 가장 깊게 한 것은, 반응가스의 집중성을 높여 체류시간을 증대시킴으로써 기판에 달라붙은 소스가스에 반응하여 박막이 증착되기 쉽게 하도록 하기 위함이다. 또한 퍼지가스 분사영역의 골의 깊이를 가장 낮게 하는 것은, 퍼지가스를 집중시키지 않고 퍼뜨려서 소스가스나 반응가스를 퍼지 배출시키기 위함이다.

본 발명을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 발명은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 특허청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 특허청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.

10: 기판처리장치 100: 챔버
110: 내부 공간 200: 기판지지대
300: 샤워헤드 301: 골짜기
302: 경사면 305: 분사홀

Claims (14)

1. 기판지지대를 향해 가스를 분사하는 가스분사장치로서,
   상기 기판지지대에 대향하여 마주보는 분사면;
   상기 분사면에 형성되어 가스를 분사하는 분사홀;을 포함하고,
   상기 분사면은 서로 다른 가스를 분사하는 복수개의 가스분사영역을 가지며, 원주방향을 따라 상기 복수개의 가스분사영역 각각에 골짜기 홈들이 배치되고,
   상기 골짜기 홈은, 가스분사영역의 내측가장자리와 외측가장자리를 잇는 골, 상기 내측가장자리의 양 끝단과 외측가장자리의 양 끝단을 이으며 상기 골과 다른 높이에 위치하는 산, 상기 산에서 상기 골 사이를 연결하고 서로 마주보게 배치되는 경사면들을 포함하는 가스분사장치.
2. 청구항 1에 있어서, 상기 복수개의 가스분사영역은 소스가스 분사영역, 퍼지가스 분사영역, 반응가스 분사영역, 퍼지가스 분사영역을 구비하여, 상기 가스분사장치의 둘레를 따라 방사형으로 형성된 가스분사장치.
3. 삭제
4. 청구항 1에 있어서, 상기 골에 복수개의 분사홀이 형성되어 있는 가스분사장치.
5. 청구항 1에 있어서, 상기 경사면에 복수개의 분사홀이 형성되어 있는 가스분사장치.
6. 청구항 5에 있어서, 상기 분사홀은, 상기 경사면에 대하여 소정 각도로 기울어져 있는 가스분사장치.
7. 청구항 5에 있어서, 상기 분사홀은, 상기 기판지지대에 대하여 수직 방향으로 형성되어 있는 가스분사장치.
8. 청구항 2에 있어서, 골짜기 홈의 골 깊이는, 반응가스 분사영역의 골의 깊이 > 소스가스 분사영역의 골의 깊이 > 퍼지가스 분사영역의 골의 깊이의 순서로 더 깊게 파여진 가스분사장치.
9. 공정이 진행되는 내부 공간을 가지는 챔버;
   기판지지대에 대향하여 마주보는 분사면에 가스를 분사하는 분사홀이 형성되며, 상기 내부 공간의 상부에 배치된 가스분사장치;
   복수개의 기판을 지지하며 상기 가스분사장치에 대향하여 평행하게 배치되고 회전 가능한 기판 지지대;를 포함하며,
   상기 분사면은 서로 다른 가스를 분사하는 복수개의 가스분사영역을 가지며, 원주방향을 따라 상기 복수개의 가스분사영역 각각에 골짜기 홈들이 배치되고,
   상기 골짜기 홈은, 가스분사영역의 내측가장자리와 외측가장자리를 잇는 골, 상기 내측가장자리의 양 끝단과 외측가장자리의 양 끝단을 이으며 상기 골과 다른 높이에 위치하는 산, 상기 산에서 상기 골 사이를 연결하고 서로 마주보게 배치되는 경사면들을 포함하는 기판처리장치.
10. 청구항 9에 있어서, 상기 복수개의 가스분사영역은 소스가스 분사영역, 퍼지가스 분사영역, 반응가스 분사영역, 퍼지가스 분사영역을 구비하여, 상기 가스분사장치의 둘레를 따라 방사형으로 형성된 기판처리장치.
11. 삭제
12. 청구항 9에 있어서, 상기 분사홀은, 상기 경사면에 대하여 소정 각도로 기울어져 있는 기판처리장치.
13. 청구항 9에 있어서, 상기 분사홀은, 상기 기판지지대에 대하여 수직 방향으로 형성되어 있는 기판처리장치.
14. 청구항 10에 있어서, 상기 골의 깊이는, 반응가스 분사영역의 골의 깊이 > 소스가스 분사영역의 골의 깊이 > 퍼지가스 분사영역의 골의 깊이의 순서로 더 깊게 파여진 기판처리장치.

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