KR101800521B1 - 프로브 장치 - Google Patents

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KR101800521B1
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마사타카 하타
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

탑재대에 휨이나 손상이 발생하는 일이 없이, 정확하게 검사를 실시할 수 있는 프로브 장치를 제공한다. 반도체 웨이퍼(W)에 형성된 반도체 디바이스의 전기적인 검사를 실행하는 프로브 장치(100)는 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하기 위한 탑재대(111)를 구비하고, 탑재대(111)는 원판형상의 포스 전극(115)과, 원판형상의 가드 전극(117)과, 포스 전극(115)과 가드 전극(117)과의 사이에 개재하는 원판형상의 절연판(116)을 구비하고, 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)은 각각의 중심부인 원 구멍(120)에 있어서 서로 고정되는 동시에, 직경방향 외측부에 구비되는 긴 구멍(121)을 따라서 탑재대(111)의 직경방향으로 이동할 수 있도록 고정된다.

Description

프로브 장치{PROBE DEVICE}
본 발명은 프로브 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 프로브 장치가 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스의 전기적인 검사를 실행하기 위해서 이용되고 있다. 이러한 프로브 장치는, 반도체 웨이퍼가 탑재된 탑재대를 구동하고, 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스의 전극에 프로브를 접촉시켜 전기적인 도통을 얻는다. 그리고, 반도체 디바이스의 검사는, 측정기(테스터)로부터 프로브를 거쳐서 소정의 검사 신호가 인가된 반도체 디바이스로부터의 출력 신호를 검출하는 것에 의해서 실행되고 있다.
또한, 반도체 디바이스로부터의 미소 전류, 미소 전압을 측정하는 프로브 장치는, 반도체 웨이퍼를 탑재하기 위한 탑재대로서, 절연물층과, 해당 절연물층의 한쪽의 면에 고정 장착된 제 1 도전성층과, 절연물층의 다른쪽의 면에 고정 장착된 제 2 도전성층을 포함하는 탑재대를 사용하고 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
일본 특허 제 3351956 호 공보
그렇지만, 상술의 탑재대를 넓은 온도 범위(예를 들면, 300℃ 이상의 온도 범위)에서 사용할 때에, 절연물층과 도전성층의 열팽창율의 상이에 의해서 탑재대가 휘어, 반도체 디바이스의 전극과 프로브를 정확하게 접촉시키는 것이 곤란하게 되는 일이 있다. 또한, 절연물층과 도전성층의 열팽창율의 상이에 의해 절연물층으로부터 도전성층이 박리되고, 탑재대가 손상되는 일이 있다. 또한, 절연물층과 도전성층의 열팽창율의 상이에 의해 절연물층에 응력이 가해지고, 절연물층이 균열되어, 탑재대가 손상되는 일이 있다.
본 발명의 목적은, 탑재대에 휨이나 손상이 발생하는 일이 없이, 정확하게 검사를 실시할 수 있는 프로브 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 의하면, 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스의 전기적인 검사를 실행하는 프로브 장치에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 탑재하는 탑재대와, 상기 탑재대에 탑재된 상기 반도체 디바이스의 전극에 프로브를 접촉시키는 구동 기구와, 상기 탑재대의 온도를 조절하는 온도 조절 기구를 구비하고, 상기 탑재대는 원판형상의 제 1 전극과, 원판형상의 제 2 전극과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극과의 사이에 개재하는 원판형상의 절연판을 갖고, 상기 제 1 전극과, 상기 제 2 전극과, 상기 절연판은 각각의 중심부에 마련된 고정부에 있어서 서로 고정되는 동시에, 상기 고정부보다 직경방향 외측부에 구비된 걸림고정부에 있어서, 직경방향으로 이동할 수 있도록 고정되는 프로브 장치가 제공된다.
본 발명에 의하면, 탑재대에 휨이나 손상이 발생하는 일이 없이, 정확하게 검사를 실시할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 프로브 장치의 전체 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1 프로브 장치에 있어서의 탑재대의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 3은 도 2에 있어서의 절연판 및 가드 전극을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 4a는 도 3에 있어서의 원 구멍의 수평 단면도이다.
도 4b는 도 3에 있어서의 원 구멍 근방의 수직 단면도이다.
도 5a는 도 3에 있어서의 긴 구멍의 수평 단면도이다.
도 5b는 도 3에 있어서의 긴 구멍 근방의 수직 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하면서 상술한다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 프로브 장치(100)의 전체 구성을 개략적으로 도시하는 평면도이다. 도 1의 프로브 장치(100)는 측정부(110)와, 반송 유닛인 로더부(150)를 구비한다. 측정부(110)는 x-y-z-θ 방향으로 이동할 수 있으며, 반도체 웨이퍼(W)가 탑재되는 원판형상인 형상의 탑재대(111)를 구비하고, 탑재대(111)를 구동 기구(112)에 의해서 구동하는 것에 의해, 프로브 카드에 마련된 프로브(210)(도 2)와 반도체 웨이퍼(W)에 복수 형성된 반도체 디바이스의 전극을 접촉시키고 반도체 디바이스의 전기적 특성을 측정한다.
로더부(150)는, 그 전방측(도 1에 있어서 하측)에 반도체 웨이퍼(W)를 수용하는 웨이퍼 캐리어(웨이퍼 카세트 또는 후프)(151)가 탑재되는 로드 포트(152)를 구비하며, 또한 로드 포트(152)에 인접하도록 웨이퍼 반송 기구(160)를 구비한다. 또한, 로더부(150)는, 그 후방측(도 1에 있어서 상측)에 위치맞춤 기구(170)를 구비한다. 위치맞춤 기구(170)는 반도체 웨이퍼(W)를 회전시켜 반도체 웨이퍼(W)의 노치의 위치와 반도체 웨이퍼(W)의 편심 상태를 검출한다.
웨이퍼 반송 기구(160)는 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하여 반송하기 위한 웨이퍼 반송 아암(161)을 구비하고, 웨이퍼 반송 아암(161)은 반도체 웨이퍼(W)를 진공 흡착하기 위한 흡착부(흡착 패드)(162)를 복수(본 실시 형태에서는 2개) 구비한다. 흡착부(162)에는, 진공 펌프 등의 흡인원에 접속된 미도시의 진공 라인이 접속되어 있다. 또한, 웨이퍼 반송 아암(161)은 필요에 따라서 상하로 중첩하여 복수 구비하여도 좋다.
웨이퍼 반송 기구(160)는, 웨이퍼 반송 아암(161)을 진퇴 및 선회시키는 것에 의해, 로드 포트(152)에 탑재된 웨이퍼 캐리어(151), 위치맞춤 기구(170), 및 측정부(110)의 탑재대(111)의 사이에 반도체 웨이퍼(W)를 반송한다.
로드 포트(152)는 미도시의 상하이동 기구에 의해서 자유 자재로 상하이동하며, 지지 프레임(153)은 로드 포트(152)와 웨이퍼 반송 기구(160)와의 사이에 구비하는 동시에 도시하지 않는 광학 검출기를 구비한다. 그리고, 광학 검출기는, 로드 포트(152)에 탑재된 웨이퍼 캐리어(151)를 상하이동시킬 때, 반도체 웨이퍼(W)의 유무를 검출하는 동시에, 반도체 웨이퍼(W)가 수용되어 있는 웨이퍼 캐리어(151) 내의 슬롯을 검출한다.
도 2는 도 1의 프로브 장치(100)에 있어서의 탑재대(111)의 구성을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 2의 탑재대(111)는 온도 조절 기구(113)를 구비하며, 온도 조절 기구(113)의 상부에는 탑재부(114)를 구비한다. 온도 조절 기구(113)는, 탑재대(111) 상에 탑재된 반도체 웨이퍼(W)를 소정 온도 범위, 예를 들면 300℃ 이상의 범위(본 실시형태에서는 -60℃ 내지 +400℃의 범위)에서 온도 조절할 수 있다.
탑재부(114)는, 탑재부(114)에 탑재되는 반도체 웨이퍼(W)측으로부터, 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)의 3개의 판체가 순차 적층되며, 포스 전극(115)과 가드 전극(117)과의 사이에 절연판(116)이 개재되는 3층 구조를 갖고 있다. 또한, 탑재부(114)는 상기와 같은 3층 구조에 한정되지 않으며, 또한 다층인 4층 구조, 5층 구조 등이어도 좋다.
본 실시형태에 있어서, 포스 전극(115)은 동축 케이블(201)을 거쳐서 측정기(200)의 포스 단자에 접속되어 있다. 또한, 가드 전극(117)은 동축 케이블(201)의 외부 도체를 거쳐서 측정기(200)의 가드 단자에 접속되어 있다. 반도체 웨이퍼(W)에 형성된 반도체 디바이스의 전극에 접촉되는 프로브(210)는 동축 케이블(211)의 내부 도체를 거쳐서 측정기(200)의 포스 단자에 접속되며, 또한 동축 케이블(211)의 외부 도체를 거쳐서 측정기(200)의 가드 단자에 접속되어 있다. 또한, 도 2에는 프로브(210)를 1개만 도시하고 있지만, 복수개의 프로브(210)를 사용하여도 좋다.
포스 전극(115) 및 가드 전극(117)은 측정기(200)와 각각 동전위 또한 저임피던스로 접속된다. 가드 전극(117)은 포스 전극(115)으로부터 절연판(116)을 경유하여 흐르는 누설 전류를 감소시키는 동시에, 가드 전극(117)의 하측으로부터 침입하는 전기적인 노이즈를 차폐한다. 이것에 의해, 반도체 웨이퍼(W)에 형성된 반도체 디바이스의 미소 전류 및 미소 전압을 정확하게 측정할 수 있다.
포스 전극(115) 및 가드 전극(117)을 구성하는 재료로서는, 도전성의 금속, 예를 들면 동, 철, 니켈, 은, 금, 알루미늄, 또는 스테인리스 등을 이용할 수 있다. 또한, 절연판(116)을 구성하는 재료로서는, 절연성 재료, 예를 들면 알루미나 세라믹, 질화 붕소, 석영, 또는 테플론(등록상표) 등을 이용할 수 있다.
절연판(116) 및 가드 전극(117)은 원판형상의 형상을 갖고, 그 중심부에 원형의 관통 구멍인 원 구멍(120)이 형성되어 있다(도 3). 또한, 원 구멍(120)의 주위에는, 탑재대(111)(절연판(116) 및 가드 전극(117))의 직경방향(이하, "직경방향"이라 함)으로 연장되는 긴 구멍(관통 구멍)(121)이 복수(본 실시형태에서는 6개) 형성되어 있다. 절연판(116) 및 가드 전극(117)은 긴 구멍(121)을 최저 1개 구비하고 있으면 좋고, 긴 구멍(121)을 복수 구비하는 경우는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 탑재대(111)(절연판(116) 및 가드 전극(117))의 둘레방향(이하, "둘레방향"이라 함)에 등간격(도 3에서는 60° 간격)으로 구비하는 것이 바람직하다.
도 4a는 도 3에 있어서의 원 구멍(120)의 수평 단면도이며, 도 4b는 도 3에 있어서의 원 구멍(120) 근방의 수직 단면도이다. 또한, 도 5a는 도 3에 있어서의 긴 구멍(121)의 수평 단면도이며, 도 5b는 도 3에 있어서의 긴 구멍(121) 근방의 수직 단면도이다. 도 4b 및 도 5b는 포스 전극(115)의 원 구멍(120) 및 긴 구멍(121)에 대응하는 부분이 비관통 구멍인 것을 도시하고, 해당 비관통 구멍의 내주면에 수나사를 나사 결합할 수 있는 나사 구멍(122)을 갖는 것을 도시한다.
도 4a의 원 구멍(120)(고정부)에는 원통형상의 칼라(130)가 유격 끼워맞추어지고, 해당 칼라(130)는, 절연성 재료, 예를 들면 알루미나 세라믹, 마이카계 세라믹(마이카렉스(Micarex) 등) 등으로 이루어지며, 원통형상 부재의 한쪽의 단부에 플랜지부(131)가 형성되며, 칼라(130)의 중심축을 따라서 수나사(140)를 삽입하기 위한 관통 구멍(132)이 형성된다. 수나사(140)는 예를 들면 절연성 재료로 구성된다.
그리고, 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)을 순차 중첩해서, 가드 전극(117)측으로부터 칼라(130)가 원 구멍(120)에 삽입되는 동시에 수나사(140)가 와셔(133)를 거쳐서 칼라(130)의 관통 구멍(132)에 삽입되며, 나사 구멍(122)에 나사 결합하고 있다.
칼라(130)는, 플랜지부(131)를 제외한 길이(도 4b에 도시하는 도면부호(L1))가, 절연판(116)의 두께와 가드 전극(117)의 두께를 더한 길이(도 4b에 도시하는 도면부호(L2))보다 짧게 설정되어 있다. 이것에 의해, 수나사(140)를 체결했을 때에 플랜지부(131)에 의해서 가드 전극(117)이나 절연판(116)이 포스 전극(115)에 가압된 상태가 되며, 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)이 서로 고정된다. 또한, 원 구멍(120)의 외경은, 예를 들면 1㎜ 내지 20㎜ 정도(본 실시형태에서는 6㎜)로 하는 것이 바람직하다. 또한, 칼라(130)의 외경(플랜지부(131) 이외의 부분의 외경)은, 예를 들면 1㎜ 내지 20㎜ 정도(본 실시형태에서는 6㎜)로 하는 것이 바람직하다.
도 5a 및 도 5b에 있어서, 원 구멍(120)의 주위에 형성된 긴 구멍(121)(걸림고정부)에는 원통형상의 칼라(135)가 유격 끼워맞추어진다. 칼라(135)는, 절연성 재료, 예를 들면 알루미나 세라믹, 마이카계 세라믹(마이카렉스 등) 등으로 이루어지며, 한쪽의 단부에 플랜지부(136)가 형성되며, 칼라(135)의 중심축을 따라서 수나사(140)를 삽입하기 위한 관통 구멍(137)이 형성된다.
그리고, 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)을 순차 중첩해서, 가드 전극(117)측으로부터 칼라(135)가 긴 구멍(121)에 삽입되는 동시에 수나사가 와셔(133)를 거쳐서 칼라(135)의 관통 구멍(137)에 삽입되며, 나사 구멍(122)에 나사 결합되어 있다.
칼라(135)는, 플랜지부(136)를 제외한 길이(도 5b에 도시하는 도면부호(L3))가, 절연판(116)의 두께와 가드 전극(117)의 두께를 더한 길이(도 5b에 도시하는 도면부호(L2))보다 길게 설정되어 있다. 이것에 의해, 수나사(140)를 체결했을 때에 가드 전극(117)의 하측면과 플랜지부(136)의 상측면과의 사이에 간극(d)이 형성되며, 포스 전극(115)에 절연판(116) 및 가드 전극(117)이 고정되지 않으며, 직경방향으로 이동 가능하게 고정되어 있다.
즉, 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)은 긴 구멍(121)을 따라서 직경방향으로 각각 이동 가능하게 되어 있으며, 또한 둘레방향으로는 이동이 제한되어 있다. 따라서, 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)의 각각은 열팽창율이 서로 상이하며, 직경방향에 대한 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)의 신축 길이가 서로 상이한 경우라도, 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)의 각각의 부재에 응력이 가해지지 않는다.
또한, 긴 구멍(121)의 단면 형상에 있어서의 사이즈는, 길이방향이, 예를 들면 1㎜ 내지 20㎜ 정도(본 실시형태에서는 10㎜), 짧은방향이, 예를 들면 1㎜ 내지 20㎜ 정도(본 실시형태에서는 6㎜)로 하는 것이 바람직하다. 또한, 칼라(135)의 외경(플랜지부(131) 이외의 부분의 외경)은, 예를 들면 1㎜ 내지 20㎜ 정도(본 실시형태에서는 6㎜)로 하는 것이 바람직하다.
또한, 가드 전극(117)의 하측면과 플랜지부(136)의 상측면과의 사이에 형성되는 간극(d)은, 예를 들면 0.01㎜ 내지 0.5㎜ 정도가 되도록 설정하는 것이 바람직하다. 이것에 의해, 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)은 서로 두께방향에서 가압되지 않으며, 각각 직경방향으로 이동 가능하게 할 수 있다.
상기 구성의 프로브 장치에서는, 탑재대(111)의 탑재부(114)는 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)이 적층된 3층 구조를 갖고 있지만, 이들 3개의 판체가 중심부인 원 구멍(120)에서 고정되며, 직경방향 외측 부분인 긴 구멍(121)에 있어서, 직경방향으로 이동 가능하게 고정되어 있다.
따라서, 온도 조절 기구(113)에 의해서 넓은 온도 범위(본 실시형태에서는 -60℃ 내지 +400℃의 범위)에서 온도 조정한 경우도, 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)이 직경방향으로 서로 이동하므로, 포스 전극(115), 절연판(116), 및 가드 전극(117)이 각각 갖는 열팽창율이 상이한 것에 의해서 생기는 신축 길이의 상위에 기인하는 응력의 발생을 억제할 수 있다.
즉, 탑재부(114)에 휨이 발생하여 프로브(210)를 반도체 웨이퍼(W)에 형성된 반도체 디바이스의 전극에 정확하게 접촉할 수 없게 되는 것을 방지하여, 더욱 정확하게 반도체 디바이스의 검사를 실시할 수 있다. 또한, 절연판(116)으로부터의 포스 전극(115) 및 가드 전극(117)의 박리, 및 절연판(116)이 균열되는 등의 탑재대(111)의 손상을 방지할 수 있다.
다음에, 상기 구성의 프로브 장치(100)에 의한 반도체 웨이퍼(W)의 검사 순서에 대해 설명한다.
우선, 로더부(150)의 로드 포트(152)에 반도체 웨이퍼(W)를 수용한 웨이퍼 캐리어(151)가 탑재되면, 상하이동 기구는 웨이퍼 캐리어(151) 및 로드 포트(152)를 상하이동하며, 광학 검출기는 반도체 웨이퍼(W)가 수용되어 있는 웨이퍼 캐리어(151) 내의 슬롯을 검출한다.
웨이퍼 반송 기구(160)의 웨이퍼 반송 아암(161)은 반도체 웨이퍼(W)를 흡착하고, 위치맞춤 기구(170)에 반송한다. 그리고, 위치맞춤 기구(170)는 반도체 웨이퍼(W)의 노치를 검출하여 반도체 웨이퍼(W)의 위치를 검지한다.
위치맞춤 기구(170)에 의한 위치 검출의 종료 후, 웨이퍼 반송 기구(160)의 웨이퍼 반송 아암(161)은 반도체 웨이퍼(W)를 위치맞춤 기구(170)로부터 취출하고, 측정부(110)의 탑재대(111) 상에 반도체 웨이퍼(W)를 탑재한다.
탑재대(111) 상의 반도체 웨이퍼(W)의 반도체 디바이스에 프로브(210)를 접촉시키면 전기적인 도통이 얻어지고(도 2), 측정기(200)로부터 반도체 디바이스에 테스트 신호를 공급하는 동시에 반도체 디바이스로부터의 출력 신호를 측정하며, 반도체 디바이스의 전기적인 특성이 검사된다.
그 후, 반도체 웨이퍼(W)의 반도체 디바이스의 전기적인 특성의 검사가 종료되면, 웨이퍼 반송 기구(160)의 웨이퍼 반송 아암(161)은 탑재대(111) 상의 반도체 웨이퍼(W)를 취출해서 웨이퍼 캐리어(151)에 수용하고, 반도체 웨이퍼(W)의 검사를 종료한다.
이상, 본 발명에 대하여 상기 실시형태를 이용하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
본 출원은 2013년 3월 27일에 출원된 일본 출원 제 2013-065510 호에 근거하는 우선권을 주장하는 것이며, 해당 일본 출원에 기재된 전체 내용을 본 출원에 원용한다.
100 : 프로브 장치
110 : 측정부
111 : 탑재대
150 : 로더부
151 ; 웨이퍼 캐리어
152 : 로드 포트
153 : 지지 프레임
160 : 웨이퍼 반송 기구
161 : 웨이퍼 반송 아암
162 : 흡착부
170 : 위치맞춤 기구

Claims (10)

  1. 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스의 전기적인 검사를 실행하는 프로브 장치에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼를 탑재하는 탑재대와,
    상기 탑재대에 탑재된 상기 반도체 디바이스의 전극에 프로브를 접촉시키는 구동 기구와,
    상기 탑재대의 온도를 조절하는 온도 조절 기구를 구비하고,
    상기 탑재대는 원판형상의 제 1 전극과, 원판형상의 제 2 전극과, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극과의 사이에 개재되는 원판형상의 절연판을 갖고,
    상기 제 1 전극과, 상기 제 2 전극과, 상기 절연판은 각각의 중심부에 마련된 고정부에 있어서 서로 고정되는 동시에, 상기 고정부보다 직경방향 외측부에 구비된 걸림고정부에 있어서 직경방향으로 이동할 수 있도록 고정되며,
    상기 걸림고정부에서는, 상기 제 1 전극에 나사 구멍이 형성되는 동시에, 상기 절연판 및 상기 제 2 전극에는 상기 나사 구멍에 대응하는 위치에 상기 절연판 및 상기 제 2 전극을 두께 방향으로 관통하는 긴 구멍이 형성되며,
    상기 제 1 전극과 상기 절연판과 상기 제 2 전극을 순차 중첩해서 상기 제 2 전극측으로부터 삽입되는 수나사를 상기 나사 구멍에 나사 결합시키며,
    상기 고정부에서는, 상기 제 1 전극에 다른 나사 구멍이 형성되는 동시에, 상기 절연판 및 상기 제 2 전극에는 상기 다른 나사 구멍에 대응하는 위치에 상기 절연판 및 상기 제 2 전극을 두께 방향으로 관통하는 원 구멍이 형성되며,
    상기 고정부의 원 구멍 및 상기 걸림고정부의 긴 구멍에는, 원통형상 부재의 한쪽의 단부에 플랜지부를 갖는 칼라가 각각 유격 끼워맞추어지고, 상기 칼라에는 상기 원통형상 부재의 중심축을 따라서 상기 수나사를 삽입하기 위한 관통 구멍이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 걸림고정부는 상기 탑재대의 둘레방향에 간격을 두고 복수 배치되는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 긴 구멍의 수평 단면 형상이 상기 직경방향으로 연장되는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 수나사가 절연성 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  6. 삭제
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 고정부에서는, 상기 칼라의 플랜지부를 제외한 길이가, 상기 절연판의 두께와 상기 제 2 전극의 두께를 더한 길이보다 짧게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 걸림고정부에서는, 상기 칼라의 플랜지부를 제외한 길이가, 상기 절연판의 두께와 상기 제 2 전극의 두께를 더한 길이보다 길게 설정되어 있는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 칼라가 절연성 재료로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
  10. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 제 5 항 및 제 7 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제 1 전극이 포스 전극(force electrode)이며, 상기 제 2 전극이 가드 전극(guard electrode)인 것을 특징으로 하는
    프로브 장치.
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