KR101798959B1 - 컨택터 및 이를 구비하는 전자기기 - Google Patents

컨택터 및 이를 구비하는 전자기기 Download PDF

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KR101798959B1
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김대겸
조승훈
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주식회사 모다이노칩
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Abstract

본 발명은 컨택부; 및 상기 컨택부와 절연되고 적어도 일 영역이 내부 회로에 실장되는 복합 보호부를 포함하며, 상기 컨택부와 상기 복합 보호부는 상기 내부 회로를 통해 전기적으로 연결된 컨택터 및 이를 구비하는 전자기기를 제시한다.

Description

컨택터 및 이를 구비하는 전자기기{Contactor and electronic device having the same}
본 발명은 컨택터에 관한 것으로, 특히 충전기 또는 변압기를 사용하는 전자기기를 통한 누설 전류에 의해 사용자가 감전되는 것을 방지할 수 있는 컨택터 및 이를 구비하는 전자기기에 관한 것이다.
다기능을 가지는 전자기기에는 그 기능에 따라 다양한 부품들이 집적되어 있다. 또한, 전자 기기에는 기능별로 다양한 주파수 대역 무선 LAN(wireless LAN), 블루투스(bluetooth), GPS(Global Positioning System) 등 다른 주파수 대역 등을 수신할 수 있는 안테나가 구비되며, 이중 일부는 내장형 안테나로서, 전자 기기를 구성하는 케이스에 설치될 수 있다. 따라서, 케이스에 설치된 안테나와 전자 기기의 내장 회로 기판 사이에 전기적 접속을 위한 컨택터가 설치된다.
한편, 최근 들어 고급스런 이미지와 내구성이 강조되면서, 케이스가 금속 소재로 이루어진 전자기기의 보급이 증가하고 있다. 즉, 테두리를 금속으로 제작하거나, 전면의 화면 표시부를 제외한 나머지 케이스를 금속으로 제작한 전자기기의 보급이 증가하고 있다.
그런데, 케이스가 금속 소재로 이루어진 경우, 외부의 금속 케이스를 통하여 순간적으로 높은 전압을 갖는 정전기가 유입될 수 있으며, 이러한 정전기는 컨택터를 통하여 내부 회로로 유입되어 내부 회로를 파손시킬 수 있다.
또한, 금속 케이스를 적용한 전자 기기에 과전류 보호 회로가 내장되지 않거나 저품질의 소자를 사용한 비정품 충전기 또는 불량 충전기를 이용하여 충전함으로써 누설 전류(Leakage Current)가 발생된다. 이러한 누설 전류는 전자기기의 접지 단자로 전달되고, 다시 접지 단자로부터 금속 케이스로 전달되어 금속 케이스에 접촉된 사용자가 감전될 수 있다. 결국, 금속 케이스를 이용한 전자기기에 비정품 충전기를 이용한 충전 중 전자기기를 이용하면 감전 사고가 발생할 수 있다.
따라서, 정전기에 의한 내부 회로의 파괴 및 사용자의 감전 사고를 방지할 수 있는 컨택터가 필요하다.
한국등록특허 제10-1001354호 한국등록특허 제10-0809249호
본 발명은 이동 가능한 전자기기 내에 마련되어 누설 전류에 의한 사용자의 감전을 방지할 수 있는 컨택터를 제공한다.
본 발명은 ESD(ElectroStatic Discharge) 등의 과전압에 의해 절연 파괴되지 않는 복합 보호부를 포함하는 컨택터를 제공한다.
본 발명은 외부로부터 유입되는 통신 신호의 감쇄를 최소화하여 전달할 수 있는 컨택터를 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따른 컨택터는 컨택부; 및 상기 컨택부와 절연되고 적어도 일 영역이 내부 회로에 실장되는 복합 보호부를 포함하며, 상기 컨택부와 상기 복합 보호부는 상기 내부 회로를 통해 전기적으로 연결된다.
상기 컨택부는 전도성 고무, 전도성 실리콘, 내부에 전도성 도선이 삽입된 탄성체, 표면이 도체로 코팅 또는 접합된 탄성체 중 어느 하나를 포함한다.
상기 컨택부는 적어도 일 영역에 형성된 개구를 포함하고, 상기 복합 보호부가 상기 개구 내에 마련된다.
상기 컨택부는 적어도 일부가 상기 복합 보호부의 측면을 따라 하측으로 연장 형성되어 상기 내부 회로에 실장된다.
상기 복합 보호부 및 상기 컨택부가 전기적으로 접촉되는 실장부를 더 포함한다.
상기 컨택부와 전기적으로 연결되고 상기 복합 보호부와 전기적으로 절연되어 적어도 일부가 상기 내부 회로에 실장되는 완충 부재를 더 포함한다.
상기 복합 보호부 및 상기 완충 부재가 전기적으로 접촉되며, 상기 내부 회로 상에 실장되는 실장부를 더 포함한다.
상기 실장부는, 절연층과, 상기 절연층의 일면에 형성되며, 상기 복합 보호부와 상기 컨택터 또는 완충 부재가 접촉되는 도전 패드와, 상기 절연층의 타면에 형성되며 상기 내부 회로에 실장되는 도전층을 포함한다.
상기 도전 패드는 상기 복합 보호부의 제 1 외부 전극이 접촉되는 제 1 도전 패드와, 상기 복합 보호부의 제 2 외부 전극과 상기 컨택터 또는 완충 부재가 각각 접촉되는 제 2 도전 패드를 포함한다.
상기 절연층 내에 형성되며, 상기 제 1 도전 패드와 상기 도전층을 연결하는 도전성 비아를 더 포함한다.
상기 복합 보호부와 대향되어 상기 컨택부 상에 마련된 접촉부를 더 포함한다.
본 발명의 다른 양태에 따른 전자기기는 사용자가 접촉 가능한 도전체와 내부 회로를 포함하는 전자기기로서, 상기 도전체와 상기 내부 회로 사이에 본 발명의 일 양태에 따른 컨택터가 마련된다.
상기 내부 회로는 상기 복합 보호부의 일 영역이 실장되는 제 1 실장 영역과, 상기 복합 보호부의 타 영역과 상기 컨택부가 실장되는 제 2 실장 영역을 포함한다.
상기 내부 회로는 상기 복합 보호부의 일 영역 및 타 영역이 각각 실장되는 제 1 및 제 2 실장 영역과, 상기 컨택부가 실장되는 제 3 및 제 4 실장 영역을 포함하고, 상기 제 3 및 제 4 실장 영역은 상기 제 1 또는 제 2 실장 영역과 연결된다.
상기 복합 보호부가 실장된 두 실장 영역 중에서 상기 컨택부와 연결되지 않은 일 실장 영역이 접지 단자와 연결된다.
본 발명의 실시 예들에 따른 컨택터는 컨택부와 복합 보호부를 포함하여 전자기기의 사용자가 접촉 가능한 도전체와 전자기기 내부의 내부 회로 사이에 마련된다. 또한, 컨택부와 복합 보호부는 전기적으로 직접 연결되지 않고, 내부 회로를 통해 간접 연결된다. 즉, 복합 보호부의 두 외부 전극이 내부 회로 상에 서로 이격되어 실장되고, 컨택부가 복합 보호부의 어느 하나와 연결되도록 내부 회로 상에 실장된다.
따라서, 내부 회로로부터 유입될 수 있는 누설 전류는 복합 보호부에 의해 차단되고, 외부로부터 인가되는 ESD 등의 과도 전압은 컨택부, 내부 회로 및 복합 보호부를 통해 접지 단자로 바이패스된다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 컨택터의 사시도 및 측면도.
도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 컨택터가 실장되는 회로 기판의 평면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 컨택터가 내부 회로에 실장된 상태의 평면도.
도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 컨택터의 복합 보호부의 일 예에 따른 단면도.
도 7 및 도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 컨택터의 사시도 및 측면도.
도 9는 본 발명의 실시 예들에 따른 컨택부의 형상을 도시한 도면.
도 10 및 도 11은 내부 회로의 다른 구조를 도시한 도면.
도 12 및 도 13은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 컨택터의 분해 사시도 및 결합 사시도.
도 14는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 복합 보호부의 단면도.
도 15는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 컨택터가 내부 회로 상에 실장된 상태의 도면.
도 16 내지 도 18은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 컨택터의 분리 사시도 및 측면도.
도 19는 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 컨택터가 전도체와 내부 회로 사이에 마련된 측면도.
도 20 및 도 21는 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 컨택터의 개략도 및 내부 회로의 개략도.
도 22 및 도 23은 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 컨택터의 개략도 및 내부 회로의 개략도.
도 24 및 도 25는 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 컨택터의 개략도 및 일 측면도.
도 26 및 도 27은 본 발명의 제 8 실시 예에 따른 컨택터의 일 측면도.
도 28 및 도 29는 본 발명의 실시 예들에 따른 컨택터가 실장되는 내부 회로의 평면도.
도 30 및 도 31은 본 발명의 실시 예들에 따른 복합 보호부의 과전압 보호 부재의 단면 개략도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한 다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 컨택터의 사시도이고, 도 2는 일 측면도이며, 도 3은 타 측면도이다. 즉, 도 2는 도 1의 Y 방향으로 본 측면도이고, 도 3은 도 1의 X 방향에서 본 측면도이다. 이때, 도 2는 도전체와 내부 회로 사이에 마련된 상태를 도시한다. 또한, 도 4는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 컨택터가 실장되는 회로 기판의 평면도이고, 도 5는 제 1 실시 예에 따른 컨택터가 내부 회로에 실장된 상태의 평면도이다. 그리고, 도 6은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 컨택터의 복합 보호부의 일 예에 따른 단면도이다.
도 1 내지 도 6을 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 컨택터는 전자기기의 외부에 마련되며 사용자가 접촉할 수 있는 전도체(10)와 전자기기 내부에 마련되며 전자기기의 각종 기능을 수행하는 내부 회로(20) 사이에 마련될 수 있다. 이러한 컨택터는 적어도 일 영역이 전도체(10)와 접촉되고 타 영역이 내부 회로(20)에 접촉되는 컨택부(1000)와, 컨택부(1000) 내측에 마련되며 적어도 일 영역이 내부 회로(20)에 접촉되는 복합 보호부(2000)를 포함할 수 있다. 여기서, 전도체(10)는 전자기기의 전체적인 외관을 형성하는 케이스의 적어도 일부를 포함할 수 있다. 즉, 케이스의 테두리가 금속 등의 도전성 물질로 형성되어 전도체(10)를 이룰 수 있고, 케이스 전체가 금속 등의 도전성 물질로 형성되어 전도체(10)를 이룰 수 있다. 그리고, 전도체(10), 즉 케이스의 적어도 일부는 필요에 따라 외부와 통신할 수 있는 안테나로 기능할 수 있다. 즉, 전자기기에는 별도의 안테나가 구비되지 않을 수 있다. 물론, 전자기기는 별도의 안테나가 구비되는 동시에 케이스의 적어도 일부가 전도체(10)로 이루어질 수 있다. 또한, 내부 회로(20)는 전자기기의 각종 기능을 수행하기 위한 마련된 복수의 수동 소자, 능동 소자 등이 마련되는 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB)을 포함하며, 적어도 일 영역에 접지 단자가 마련될 수 있다. 그리고, 내부 회로(20)는 도 4에 도시된 바와 같이 복합 보호부(2000)의 일 영역이 실장되는 제 1 실장 영역(21)과, 복합 보호부(2000)의 타 영역이 실장되는 제 2 실장 영역(22)과, 컨택부(1000)의 타 영역이 실장되는 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)을 포함할 수 있다. 즉, 제 1 실장 영역(21)에는 복합 보호부(2000)의 제 1 외부 전극(2510)이 실장되고, 제 2 실장 영역(22)에는 복합 보호부(2000)의 제 2 외부 전극(2520)이 실장되며, 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)에는 컨택부(1000)의 타 영역의 하면이 각각 실장될 수 있다. 여기서, 제 1 실장 영역(21)은 제 2 실장 영역(22), 그리고 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)과 이격되어 절연되고, 제 2 실장 영역(22)과 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)은 전기적으로 서로 연결될 수 있다. 따라서, 컨택부(1000)와 복합 보호부(2000)는 전기적으로 직접 연결되지 않고, 내부 회로(20)를 통해 전기적으로 간접 연결될 수 있다.
1. 컨택부
컨택부(1000)는 전자 기기의 외부에서 외력이 가해질 때, 그 충격을 완화할 수 있도록 탄성력을 가지며, 도전성의 물질을 포함하는 재료로 이루어진다. 이러한 컨택부(1000)는 전도성 가스켓을 이용할 수 있다. 즉, 컨택부(1000)는 전도성 고무, 전도성 실리콘, 내부에 전도성 도선이 삽입된 탄성체, 표면이 도체로 코팅 또는 접합된 탄성체 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 전도성 가스켓을 이용한 컨택부(1000)는 복합 보호부(2000)를 세면에서 감싸도록 마련될 수 있다. 즉, 컨택부(1000)는 Y 방향으로 서로 대향되는 두 측면과, Y 방향으로 대향되는 두 측면의 상측에 마련된 상면을 포함하고, 이들 두 측면 및 상면 사이에 X 방향으로 관통공(1300)이 형성될 수 있다. 관통공(1300)은 원형, 타원형, 다각형 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 또한, 컨택부(1000)는 관통공(1300) 내측에 복합 보호부(2000)가 마련될 수 있다. 즉, 컨택부(1000)는 일측이 개방되고, 개방된 영역에 복합 보호부(2000)가 마련될 수 있다. 이때, 복합 보호부(2000)는 적어도 일부가 컨택부(1000) 외측으로 노출될 수 있다. 예를 들어, 복합 보호부(2000)의 외부 전극(2510, 2520) 중 적어도 하나가 컨택부(1000)의 외측으로 노출될 수 있다. 즉, 복합 보호부(2000)가 외부 전극(2510, 2520)까지 컨택부(1000) 내측에 마련되는 경우 외부 전극(2510, 2520)의 적어도 일부와 컨택부(1000)가 내부 회로(20) 상에서 전기적으로 연결될 수도 있기 때문에 이를 방지하기 위해 외부 전극(2510, 2520)이 컨택부(1000) 외측으로 노출될 수 있다. 예를 들어, 제 2 외부 전극(2520)은 내부 회로(20)를 통해 컨택부(1000)와 연결되고 제 1 외부 전극(2510)은 내부 회로(20)를 통해 컨택부(1000)와 연결되지 않지만, 제 1 외부 전극(2510)이 컨택부(1000)의 내측에 마련되는 경우 컨택부(1000)와 제 1 외부 전극(2510)이 접촉될 수 있기 때문에 적어도 제 1 외부 전극(2510)은 컨택부(1000) 외측으로 노출되도록 마련되는 것이 바람직하다. 한편, 컨택부(1000)의 내측면은 복합 보호부(2000)의 측면에 접촉될 수 있다. 이때, 컨택부(1000)의 내측면과 복합 보호부(2000)의 측면 사이에 접착 부재 등이 마련되어 컨택부(1000)와 복합 보호부(2000)가 접착 고정될 수 있다. 한편, 컨택부(1000)의 상면과 복합 보호부(2000)의 상면 사이에 관통공(1300)이 일부 잔류할 수 있다. 즉, 컨택부(1000)의 상면과 복합 보호부(2000)의 상면 사이에 공간이 있을 수 있다. 이러한 공간은 컨택부(1000)의 탄성력 또는 충격 완화 효과를 향상시키기 위해 보조적으로 형성될 수 있다.
이러한 가스켓 형태의 컨택부(1000)는 탄성력을 가지는 탄성 코어(1100)와, 탄성 코어(1100)의 표면에 형성된 도전층(1200)을 포함할 수 있다. 즉, 탄성 코어(1100)의 외측 표면에 도전층(1200)이 형성되어 전도성 가스켓 형태의 컨택부(1000)가 구현될 수 있다. 탄성 코어(1100)는 컨택부(1000)의 전체적인 형상을 유지한다. 즉, 탄성 코어(1100)는 Y 방향으로 대향되는 두 측면과, 두 측면 사이의 상측에 마련된 상면을 포함할 수 있다. 이러한 탄성 코어(1100)는 탄성력을 갖고 절연성 물질로 형성될 수 있다. 예를 들어, 탄성 코어(1100)는 폴리우레탄 폼, PVC, 실리콘, 에틸렌 비닐아세테이트코폴리머, 폴리에틸린 등의 고분자 합성수지, 천연 고무(NR), 부틸렌 고무(SBR), 에틸렌프로필렌 고무(EPDM), 나이크릴 고무(NBR), 네오프렌(Neoprene) 등의 고무, 합성고무 시트(solid sheets) 또는 스폰지 시트(sponge sheet) 등을 이용할 수 있다.
도전층(1200)은 탄성 코어(1100)의 외주면을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 도전층(1200)은 카본블랙, 그라파이트, 금, 은, 구리, 니켈, 알루미늄 등 다양한 도전 재료로 형성될 수 있다. 도전층(1200)은 필름 형태로 제작되어 탄성 코어(1100)를 감싸도록 형성되며, 접착제가 도포되어 탄성 코어(1100)에 접착될 수 있다. 또한, 도전층(1200)은 탄성 코어(1100)의 하면까지 연장 형성될 수 있다. 즉, 컨택부(1000)의 두 측면의 하면은 내부 회로(20) 상에 실장되는데, 컨택부(1000)와 내부 회로(20)의 도전성을 향상시키기 위해 탄성 코어(1100)의 하면에 도전층(1200)이 형성될 수 있다. 한편, 탄성 코어(1100)의 표면에 도전층(1200)이 형성되지 않고, 탄성 코어(1100)에 도전성 파우더가 혼합될 수 있다. 따라서, 탄성 코어(1100)가 도전성을 가질 수도 있다.
2. 복합 보호부
복합 보호부(2000)는 외부로부터 인가되는 ESD 등의 과전압을 내부 회로(20)의 접지 단자로 바이패스시키고, 내부 회로(20)로부터의 누설 전류를 차단할 수 있다. 이러한 복합 보호부(2000)는 소정 전압 이하에서는 절연 상태를 유지하고, 소정 전압 이상의 전압에서는 전기적으로 도통되는 특성을 가질 수 있다. 예를 들어, 복합 보호부(2000)는 소정 전압 이상에서 도통되는 바리스터, 서프레서, 다이오드 등으로 이루어질 수 있다. 여기서, 복합 보호부(2000)를 도통시키기 위한 전압, 즉 항복 전압 또는 방전 개시 전압은 외부의 정격 전압보다 높고 복합 보호부(2000)의 절연 파괴 전압보다 낮을 수 있다. 즉, 정격 전압보다 높고 절연 파괴 전압보다 낮은 과전압이 인가될 때 복합 보호부(2000)는 도통되어 인가되는 과전압을 내부 회로(20)의 접지 단자로 바이패스시킬 수 있다. 또한, 복합 보호부(2000)는 통신 신호를 전달하기 위해 캐패시터 등을 더 구비할 수 있다. 이러한 복합 보호부(2000)의 예가 도 6에 도시되어 있다. 도 6은 서프레서 타입의 복합 보호부(2000)의 단면도로서, 과전압 보호부(2300)와, 적어도 하나의 캐패시터부(2200, 2400)를 포함할 수 있다.
도 6에 도시된 바와 같이 복합 보호부(2000)는 복수의 시트(100; 101 내지 111)가 적층된 적층체(2100)와, 적층체(2100) 내에 마련되며 복수의 내부 전극(200; 201 내지 208)을 구비하는 적어도 하나의 캐패시터부(2200, 2400)와, 적어도 하나의 방전 전극(310; 311, 312)과 과전압 보호 부재(320)를 구비하는 과전압 보호부(2300)를 포함할 수 있다. 즉, 적층체(2100) 내의 복수의 시트(100) 중에서 선택된 시트(100) 상에 복수의 내부 전극(200) 및 방전 전극(310)을 포함하는 도전층이 형성될 수 있다. 예를 들어, 적층체(2100) 내에 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 2400)가 마련되고, 그 사이에 과전압 보호부(2300)가 마련될 수 있다. 즉, 적층체(2100) 내부에 제 1 캐패시터부(2200), 과전압 보호부(2300), 제 2 캐패시터부(2400)이 적층되어 복합 보호부(2000)가 구현될 수 있다. 또한, 적층체(2100)의 서로 대향하는 두 측면에 형성되어 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 2400)와 과전압 보호부(2300)와 연결되는 외부 전극(2510, 2520; 2500)을 더 포함할 수 있다. 물론, 복합 보호부(2000)는 적어도 하나의 캐패시터부와 적어도 하나의 과전압 보호부를 포함할 수 있다. 즉, 과전압 보호부(2300)의 하측 또는 상측의 어느 하나에 캐패시터부가 마련될 수 있고, 서로 이격된 둘 이상의 과전압 보호부(2300)의 상측 및 하측에 적어도 하나의 캐패시터부가 마련될 수도 있다. 또한, 과전압 보호부(2300)는 적층체(2100) 내부 또는 적층체(2100) 외부에 마련될 수 있는데, 본 실시 예들은 적층체(2100) 내부에 형성되는 경우를 설명하겠다. 과전압 보호부(2300)가 적층체(2100) 외부에 형성되는 경우 과전압 보호 부재(320)가 적층체(2100)와 외부 전극(2500) 사이에 형성되고, 방전 전극(310)이 적층체(2100) 내부에 형성될 수 있다. 이러한 복합 보호부(2000)는 도 2에 도시된 바와 같이 전자기기의 내부 회로(예를 들어 PCB)(20) 상에 마련될 수 있다. 즉, 복합 보호부(2000)는 일측이 내부 회로(20)의 제 1 실장 영역(21)에 실장되고 타측이 내부 회로(20)의 제 2 실장 영역(22)에 실장될 수 있다. 예를 들어, 제 1 외부 전극(2510)이 제 1 실장 영역(21) 상에 실장되고, 제 2 외부 전극(2520)이 제 2 실장 영역(22) 상에 실장될 수 있다. 한편, 감지 방지부(2200)에 대한 보다 상세한 설명은 후술하도록 한다.
이렇게 복합 보호부(2000)가 도전체(10)와 내부 회로(20) 사이에 마련되어 내부 회로(20)로부터 유입되는 누설 전류를 차단할 수 있다. 또한, ESD 전압을 접지 단자로 바이패스시키고, ESD에 의해 절연이 파괴되지 않아 누설 전류를 지속적으로 차단할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 복합 보호부(2000)는 감전 전압 이하에서 절연 상태를 유지하여 내부 회로(20)로부터 유입되는 누설 전류를 차단하고, ESD 전압 이상에서 도전 상태를 유지하여 외부로부터 전자기기 내부로 인가되는 ESD 전압을 접지 단자로 바이패스시킨다. 따라서, 누설 전류에 의한 사용자의 감전을 방지할 수 있고, 외부로부터 인가되는 과전압에 의한 전자기기의 내부 회로를 보호할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 컨택터는 컨택부(1000)가 복합 보호부(2000)의 측면에 접촉되도록 마련되어 내부 회로(20)에 실장된다. 즉, 내부 회로(20)는 복합 보호부(2000)의 일 영역이 실장되는 제 1 실장 영역(21)과, 복합 보호부(2000)의 타 영역이 실장되는 제 2 실장 영역(22)과, 컨택부(1000)가 실장되는 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)을 포함하고, 제 1 실장 영역(21)은 제 2 내지 제 4 실장 영역(22, 23, 24)과 이격되어 절연되고, 제 2 실장 영역(22)과 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)는 전기적으로 연결될 수 있다. 따라서, 컨택부(1000)와 복합 보호부(2000)가 전기적으로 직접 연결되지 않고 내부 회로(20)를 통해 전기적으로 간접 연결될 수 있다. 즉, 컨택부(1000)와 복합 보호부(2000)는 제 2 내지 4 실장 영역(22, 23, 24)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 제 1 실장 영역(21)을 접지 단자와 연결될 수 있다. 따라서, 외부로부터 인가되는 ESD 등의 과전압은 컨택부(1000)를 통해 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)의 적어도 하나로 전달된 후 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)과 전기적으로 연결된 제 2 실장 영역(22)으로 전달되고, 제 2 실장 영역(22)과 연결된 복합 보호부(2000)의 타측, 예를 들어 제 2 외부 전극(2520)으로 전달된 후 복합 보호부(2000) 내부의 과전압 보호부(2300)를 통해 복합 보호부(2000)의 일측, 예를 들어 제 1 외부 전극(2510)으로 전달되어 제 1 실장 영역(21)와 연결된 접지 단자로 바이패스된다.
도 7은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 컨택터의 사시도이고, 도 8은 X 방향으로 본 측면도이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 컨택터는 전도성 가스켓 형상의 컨택부(1000)와, 컨택부(1000) 내측에 마련된 복합 보호부(2000)를 포함할 수 있다. 컨택부(1000)는 하부가 개방되고 내부에 소정의 공간이 형성된 형상으로 마련될 수 있다. 즉, 컨택부(1000)는 소정 두께로 마련되고 하부가 개방되고 측부 및 상부가 폐쇄된 형태로 마련될 수 있다. 이러한 컨택부(1000) 내측에 복합 보호부(2000)가 마련될 수 있다. 이때, 복합 보호부(2000)는 컨택부(1000)와 접촉되지 않고 컨택부(1000) 내측에 마련될 수 있다.
한편, 컨택부(1000)는 내부에는 도 9에 도시된 바와 같이 다양한 형상의 관통구(1300)가 형성될 수 있다. 즉, 도 9의 (a) 내지 도 9의 (f)에 각각 도시된 바와 같이 사각형, 상부 모서리가 라운드한 형태, 반원형, 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 형태(사다리꼴), 상부 모서리가 모따기된 형태, 상부로 갈수록 폭이 넓어지다가 다시 좁아지는 형태 등 다양한 형태로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 컨택터는 도 10에 도시된 바와 같은 내부 회로(20) 상에 실장될 수 있다. 여기서, 내부 회로(20)는 서로 이격된 제 1 내지 제 4 실장 영역(21, 22, 23, 24)을 포함할 수 있다. 즉, 내부 회로(20)가 제 1 내지 제 4 실장 영역(21, 22, 23, 24)을 포함하고, 본 발명의 제 1 실시 예는 제 2 실장 영역(21)과 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)이 외부에서 연결되는 것으로 설명하였지만, 내부 회로(20)는 도 10에 도시된 바와 같이 제 1 내지 제 4 실장 영역(21, 22, 23, 24)이 서로 이격되도록 마련될 수 있다. 이때, 제 2 실장 영역(22)에는 복합 보호부(2000)의 일 영역, 예를 들어 제 2 외부 전극(2520)이 실장될 수 있고, 제 1 실장 영역(21)에는 복합 보호부(2000)의 타 영역, 예를 들어 제 1 외부 전극(2510)이 실장될 수 있으며, 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)에는 컨택부(1000)가 실장될 수 있다. 또한, 제 2 실장 영역(22)과 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)이 내부 회로(20) 내측에서 연결될 수 있다.
물론, 본 발명에 따른 컨택터는 도 11에 도시된 바와 같은 내부 회로(20) 상에 실장될 수도 있다. 즉, 내부 회로(20)는 도 11에 도시된 바와 같이 제 1 및 제 2 실장 영역(21, 22)을 포함할 수 있다. 여기서, 제 1 및 제 2 실장 영역(21, 22)은 소정 간격 이격되고, 제 1 실장 영역(21) 상에 복합 보호부(2000)의 일측이 실장되고, 제 2 실장 영역(22) 상에 복합 보호부(2000)의 타측 및 컨택부(1000)가 실장될 수 있다.
도 12 및 도 13은 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 컨택터의 분해 사시도 및 결합 사시도이고, 도 14는 복합 보호부의 단면도이다. 또한, 도 15는 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 컨택터가 내부 회로 상에 실장된 상태를 도시한 사시도이다.
도 12 내지 도 15를 참조하면, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 컨택터는 일 영역이 전도체(10)에 접촉되고 타 영역이 완충 부재(3000)에 접촉되는 컨택부(1000)와, 컨택부(1000) 하측에 마련되며 일 영역이 내부 회로(20)에 접촉되는 복합 보호부(2000)와, 컨택부(1000)와 복합 보호부(2000) 사이에 마련되고 일 영역이 내부 회로(20)에 접촉되는 완충 부재(3000)를 포함할 수 있다. 또한, 복합 보호부(2000)는 도 14에 도시된 바와 같이 적층체(2100)의 하면에 제 1 및 제 2 외부 전극(2510, 2520)이 형성되고, 적층체(2100) 내부에 연결 전극(2710, 2720; 2700)이 형성되어 적층체(2100) 내부의 도전체, 즉 내부 전극(200) 및 방전 전극(310)과 제 1 및 제 2 외부 전극(2510, 2520)을 연결시킨다. 한편, 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예는 컨택부(1000)의 적어도 일부가 복합 보호부(2000)의 측면을 따라 하측으로 연장 형성되지만, 본 발명의 제 3 실시 예는 복합 보호부(2000) 상에 대략 육면체 형상으로 마련될 수 있다. 또한, 컨택부(1000)는 내부에 관통공(1300)이 형성될 수 있다. 이러한 컨택부(1000)는 제 1 및 제 2 실시 예에서 설명한 것과 형태만 상이하고 구성 등은 동일하므로 상세한 설명을 생략하기로 한다. 또한, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 컨택터를 본 발명의 제 1 및 제 2 실시 예에 제시되지 않은 내용을 중심으로 설명하면 다음과 같다.
복합 보호부(2000)는 적층체(2100) 내부에 복수의 내부 전극(200)을 포함하는 적어도 하나의 캐패시터부(2200, 2400)과, 적어도 하나의 방전 전극(310)을 포함하는 적어도 하나의 과전압 보호부(2300)가 마련되며, 적층체(2100) 외부에 외부 전극(2500)이 마련될 수 있다. 이때, 외부 전극(2500)는 적어도 일부가 내부 회로(20)와 대면하는 적층체(2100)의 일면, 예를 들어 적층체(2100)의 하부면에 이격되어 형성될 수 있다. 즉, 외부 전극(2500)는 적층체(2100)의 두 측면으로부터 하측으로 연장되어 하부면에 형성될 수 있고, 적층체(2100)의 하부면에만 형성될 수 있는데, 본 발명의 제 3 실시 예는 외부 전극(2500)이 적층체(2100)의 하부면에만 형성되는 경우를 설명한다. 한편, 외부 전극(2500)은 서로 다른 길이로 형성될 수 있는데, 예를 들어 제 1 외부 전극(2510)이 제 2 외부 전극(2520)보다 길게 형성될 수 있다. 물론, 제 1 및 제 2 외부 전극(2510, 2520)이 동일 길이로 형성될 수도 있고, 제 2 외부 전극(2520)이 제 1 외부 전극(2510)보다 길게 형성될 수도 있다. 또한, 적층체(2100) 내부에는 내부 전극(200) 및 방전 전극(310)과 연결되어 외부로 인출되는 연결 전극(2710, 2720)이 마련되며, 연결 전극(2710, 2720)를 통해 하측의 외부 전극(2510, 2520)과 연결될 수 있다. 이때, 연결 전극(2710, 2720)은 적층체(2100)의 외부 측면에 노출되지 않도록 적층체(2100)의 가장자리로부터 소정 간격 이격되어 내측으로 형성될 수 있다. 이러한 연결 전극(2700)을 형성하기 위해 적층체(2100)의 소정 영역에 비아홀을 형성한 후 도전성 물질로 비아홀을 매립할 수 있다. 예를 들어, 소정 영역에 개구가 형성된 복수의 시트(100)를 적층한 후 도금 공정으로 개구를 매립하여 연결 전극(2700)을 형성할 수 있고, 계속된 도금 공정으로 연결 전극(2700)으로부터 외부 전극(2500)을 형성할 수도 있다. 이렇게 적층체(2100)의 하부에 외부 전극(2500)을 형성하고 연결 전극(2700)을 이용하여 내부 전극(200) 및 방전 전극(310)을 연결함으로써 생산성을 향상시킬 수 있다. 즉, 제 1 및 제 2 실시 예는 외부 전극(2500)이 적층체(2100)의 측면 뿐만 아니라 하면 및 상면에 형성되는데, 상면에 형성되는 외부 전극(2500)의 일부는 컨택부(1000)와 절연시켜야 하므로 컨택터(1000)의 형상 및 사이즈에 제약이 있지만, 제 3 실시 예는 컨택터(1000)의 형상 및 사이즈에 제약이 없게 된다. 따라서, 제 3 실시 예는 제 1 및 제 2 실시 예에 비해 컨택터(1000)와 복합 보호부(2000)의 결합 공정을 용이하게 할 수 있어 생산성을 향상시킬 수 있다.
3. 완충 부재
완충 부재(3000)는 컨택부(1000)의 하면과 접촉되고, 복합 보호부(2000)의 측면에 접촉되어 내부 회로(20) 방향으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 완충 부재(3000)는 복합 보호부(2000)의 상면 및 측면을 감싸도록 마련될 수 있다. 이러한 완충 부재(3000)는 복합 보호부(2000)의 상면에 접촉되어 마련되는 평판부(3100)와, 평판부(3100)의 가장자리로부터 하측으로 연장된 연장부(3200)를 포함할 수 있다. 평판부(3100)는 예를 들어 컨택부(1000)의 일 방향의 길이 또는 복합 보호부(2000)의 일 방향의 길이와 동일 길이로 마련될 수 있다. 예를 들어, 컨택부(1000), 복합 보호부(2000) 및 평판부(3100)는 동일 길이로 마련될 수 있다. 그러나, 평판부(3100)가 컨택부(1000) 및/또는 복합 보호부(2000)보다 짧은 길이로 마련될 수도 있다. 연장부(3200)는 평판부(3100)의 가장자리로부터 하측으로 연장되며, 내부 회로(20)에 접촉될 수 있다. 즉, 연장부(3200)는 복합 보호부(2000)의 높이와 같거나 이보다 낮은 높이로 마련될 수 있다. 또한, 평판부(3100)는 컨택부(1000)의 하면과 복합 보호부(2000)의 상면 사이에 마련되며, 적어도 평판부(3100)와 컨택부(1000) 사이에 결합 부재(미도시) 등이 마련되어 컨택부(1000)와 완충 부재(3000)는 결합될 수 있다. 여기서, 컨택부(1000)와 완충 부재(3000)는 전기적으로 연결되어야 하므로 결합 부재는 전도성 접착제, 납땜 등을 포함할 수 있다. 또한, 평판부(3100)와 복합 보호부(2000) 사이에도 결합 부재가 마련될 수 있고, 그에 따라 컨택부(1000), 복합 보호부(2000) 및 완충 부재(3000)가 결합될 수 있다. 예를 들어, 양면 접착 테이프, 접착제, 솔더 등의 접착 부재를 이용하여 완충 부재(3000)와 복합 보호부(2000)를 접착시킬 수 있다. 그리고, 연장부(3200)와 복합 보호부(2000) 사이에도 결합 부재가 마련될 수 있는데, 연장부(3200)와 복합 보호부(2000) 사이의 결합 부재는 솔더링 시 연장부(3200)와 복합 보호부(2000) 사이로 유입되는 솔더 크림일 수 있다. 즉, 연장부(3200)를 내부 회로(20)에 실장하기 위해 솔더링하는데, 이때 솔더 크림(30)이 연장부(3200)와 복합 보호부(2000)를 실장하는 동시에 연장부(3200)와 복합 보호부(2000) 사이로 유입되어 연장부(3200)와 복합 보호부(2000)가 결합될 수 있다. 따라서, 평판부(3100) 및 연장부(3200)로 이루어진 완충 부재(3000)가 복합 보호부(2000)를 감싸 고정하게 된다. 한편, 이러한 완충 부재(3000)는 도전성 물질로 형성될 수 있는데, 예를 들어 구리(Cu) 등의 금속 물질로 형성될 수 있다.
이러한 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 컨택터는 제 1 및 제 2 실장 영역(21, 22)이 분리된 내부 회로(20) 상에 실장될 수 있다. 즉, 제 1 외부 전극(2510)이 제 1 실장 영역(21)에 실장되고 제 2 외부 전극(2520) 및 완충 부재(4000)와 연결된 실장부(3000)의 하부면이 제 2 실장 영역(22)에 실장될 수 있다.
상기한 바와 같이 완충 부재(3000)는 컨택부(1000)의 적어도 일 영역, 예를 들어 컨택부(1000)의 하측에 마련되어 내부 회로(20)에 실장될 수 있다. 완충 부재(3000)와 컨택부(1000)가 전기적으로 연결되므로 컨택부(1000)가 완충 부재(3000)를 통해 내부 회로(20)와 연결될 수 있다. 따라서, 컨택부(1000)는 완충 부재(3000)에 의해 예를 들어 안테나로 기능할 수 있는 전자기기의 케이스 등의 도전체(10)와 내부 회로(20)를 연결하고, 외부로부터 내부 회로(20)로 인가되는 통신 신호를 내부 회로(20)로 전달하고, 외부로부터 인가될 수 있는 ESD 등의 과전압을 내부 회로(20)로 전달할 수도 있다.
도 16은 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 컨택터의 분리 사시도이다. 또한, 도 17은 도 16의 X 방향을 따라 절취한 단면도이고, 도 18는 도 16의 Y 방향을 따라 절취한 단면도이다. 또한, 도 19는 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 컨택터가 전도체와 내부 회로 사이에 마련된 단면도이다.
도 16 내지 도 19를 참조하면, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 컨택터는 적어도 일 영역이 전도체(10)와 접촉되는 컨택부(1000)와, 컨택부(1000)와 절연되어 컨택부(1000)의 하측에 마련되고 누설 전류를 차단하는 복합 보호부(2000)와, 평판부(3100)가 컨택부(1000)와 복합 보호부(2000) 사이에 마련되고 연장부(3200)가 복합 보호부(2000)의 측면을 따라 하측으로 연장된 완충 부재(3000)와, 복합 보호부(2000)의 하측에 마련되어 완충 부재(3000)의 타 영역 및 복합 보호부(2000)가 실장되는 실장부(4000)를 포함할 수 있다. 한편, 본 발명의 제 4 실시 예는 제 3 실시 예를 이용하여 실장부(4000)를 더 포함하지만, 제 1 및 제 2 실시 예를 이용하여 실장부(4000)를 더 포함할 수도 있다. 즉, 완충 부재(3000)를 구비하지 않고 일 영역이 복합 보호부(2000)의 측면을 따라 하측 연장 형성된 컨택터(1000)가 실장부(4000)에 실장될 수 있다. 이러한 제 4 실시 예에 따른 컨택터는 컨택부(1000)가 전도체(10)와 접촉되고 실장부(4000)가 내부 회로(20) 상에 실장될 수 있다. 또한, 컨택부(1000)와 복합 보호부(2000)는 본 발명의 실시 예들에서 설명한 내용과 동일하고 완충 부재(3000)는 본 발명의 제 3 실시 예에서 설명한 내용과 동일하므로 그 자세한 설명은 생략한다.
4. 실장부
실장부(4000)는 복합 보호부(2000) 하측에 마련되며, 복합 보호부(2000)와 완충 부재(3000)의 연장부(3200)가 실장될 수 있다. 또한, 복합 보호부(2000) 및 연장부(3200)가 실장된 실장부(4000)는 내부 회로(20) 상에 실장될 수 있다. 이러한 실장부(4000)는 소정 두께의 판 형상으로 마련될 수 있고, 적어도 일면에 도전층이 형성될 수 있다. 예를 들어, 실장부(4000)는 소정 두께의 판 형상으로 마련된 절연층(4100)과, 절연층(4100)의 일면 상에 형성된 도전 패드(4200)과, 절연층(4100)의 타면 상에 형성된 도전층(4300)을 포함할 수 있다. 또한, 절연층(4100) 내에 형성되어 도전 패드(4200)와 도전층(4300)을 연결하는 도전성 비아(4400)를 더 포함할 수 있다.
절연층(4100)은 소정 두께를 갖는 대략 사각형의 판 형상으로 마련될 수 있다. 절연층(4100)은 복합 보호부(2000)의 사이즈보다 크게 마련될 수 있다. 즉, X 방향의 길이가 복합 보호부(2000)의 길이보다 길고, Y 방향의 폭이 복합 보호부(2000)의 폭보다 크게 마련될 수 있다. 이러한 절연층(4100)은 예를 들어 내부 회로(20)를 구성하는 PCB 재질, 예를 들어 수지로 형성될 수 있다.
도전 패드(4200)는 절연층(4100)의 일면 상에 형성된다. 즉, 도전 패드(4200)은 복합 보호부(2000) 및 연장부(3000)와 대면하는 절연층(4100)의 일면 상에 형성된다. 이러한 도전 패드(4200)는 절연층(4100)의 일면 상에 소정 높이로 형성될 수도 있고, 절연층(4100)에 소정 깊이로 형성되어 상면이 절연층(4100) 상에 노출될 수도 있다. 도전 패드(4200)는 복합 보호부(2000)의 제 1 및 제 2 외부 전극(2510, 2520)과 연장부(3000)가 각각 접촉되어 실장될 수 있다. 즉, 도전 패드(4200)는 복합 보호부(2000)의 제 1 외부 전극(2510)이 실장되는 제 1 도전 패드(4210)와, 복합 보호부(2000)의 제 2 외부 전극(2520)과 연장부(3000)가 실장되는 제 2 도전 패드(4220)를 포함할 수 있다. 여기서, 제 2 도전 패드(4220)는 제 2 외부 전극(2520) 및 연장부(3200)가 실장되어야 하므로 제 1 도전 패드(4210)보다 넓은 면적으로 형성될 수 있다. 또한, 복합 보호부(2000) 및 연장부(3200)는 납땜, 도전성 접착제 등에 의해 도전 패드(4200) 상에 실장될 수 있다.
도전층(4300)은 도전 패드(4220)가 형성되지 않은 절연층(4100)의 타면 상에 형성될 수 있다. 여기서, 도전층(4300)은 절연층(4100)의 타면 상에 소정 높이로 형성될 수도 있고, 절연층(4100) 내에 소정 깊이로 형성되어 표면이 절연층(4100)의 타면에 노출될 수도 있다. 이러한 도전층(4300)은 내부 회로(20) 상에 접촉되며 내부 회로(20)와 컨택터를 연결하는 역할을 한다. 여기서, 도전층(4300)는 도전성 접착제 등을 이용하여 내부 회로(20) 상에 실장될 수 있다.
한편, 제 1 도전 패드(4210)와 적어도 일부 중첩되는 영역의 절연층(4100) 내에는 도전성 비아(4400)가 형성될 수 있다. 즉, 도전성 비아(4400)는 절연층(4100)의 소정 영역에 형성되며 도전성 물질이 매립되어 형성된다. 도전성 비아(4400)에 의해 제 1 도전 패드(4210)와 도전층(4300)이 전기적으로 연결된다.
이렇게 컨택부(1000)와 연결된 연장부(3000) 및 복합 보호부(2000)가 실장부(4000) 상에 실장된다. 또한, 연장부(3000) 및 복합 보호부(2000)가 실장된 실장부(4000)는 내부 회로(20) 상에 실장될 수 있다. 따라서, 컨택부(1000)와 복합 보호부(2000)가 실장부(4000)를 통해 내부 회로(20)와 연결될 수 있다. 이에 따라, 컨택터는 예를 들어 안테나로 기능할 수 있는 전자기기의 케이스 등의 도전체(10)와 내부 회로(20) 사이에 연결되어 외부로부터 공급되는 통신 신호를 내부 회로(20)로 전달하고, 외부로부터 인가될 수 있는 ESD 등의 과전압을 내부 회로(20)의 접지 단자로 바이패스할 수 있다.
상기한 바와 같이 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 컨택터는 실장부(4000)의 제 1 도전 패드(4210) 상에 복합 보호부(2000)의 일 영역이 실장되고, 제 2 도전 패드(4220) 상에 복합 보호부(2000)의 타 영역 및 컨택부(1000)와 전기적으로 연결된 완충 부재(3000)의 연장부(3200)가 실장된다. 따라서, 컨택부(1000)와 복합 보호부(2000)가 전기적으로 직접 연결되지 않고 연장부(3200)와 실장부(4000)를 통해 전기적으로 간접 연결될 수 있다. 또한, 실장부(4000)는 내부 회로(20) 상에 실장되고 실장부(4000)의 일부와 연결된 내부 회로(20)의 일부는 접지 단자와 연결될 수 있다. 따라서, 외부로부터 인가되는 ESD 등의 과전압은 컨택부(1000) 및 연장부(3200)를 통해 제 2 도전 패드(4220)로 전달된 후 제 2 도전 패드(4220)과 연결된 복합 보호부(2000)의 타측, 예를 들어 제 2 외부 전극(2520)으로 전달되고, 복합 보호부(2000) 내부의 과전압 보호부(2300)를 통해 복합 보호부(2000)의 일측, 예를 들어 제 1 외부 전극(2510)으로 전달되어 제 1 도전 패드(4210)과 연결된 접지 단자로 바이패스된다.
도 20은 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 컨택터의 개략도이고, 도 21은 이를 실장하기 위한 내부 회로의 개략도이다.
도 20을 참조하면, 본 발명의 제 5 실시 예에 따른 컨택터는 컨택부(1000)와, 컨택부(1000) 하측에 마련된 복합 보호부(2000)를 포함할 수 있다. 여기서, 컨택부(1000)의 하측으로 소정의 공간이 마련되고, 복합 보호부(2000)가 컨택부(1000) 하측의 공간 내에 마련된다. 이러한 본 발명의 제 5 실시 예를 이전에 설명한 다른 실시 예들과 차이나는 내용을 중심으로 설명하면 다음과 같다.
컨택부(1000)는 지지부(1500)와, 지지부(1500)와 이격되어 마련된 접촉부(1600)와, 지지부(1500)와 접촉부(1600) 사이에 마련된 연결부(1700)를 포함할 수 있다. 즉, 지지부(1500)의 상측에 도전체(10)에 접촉되는 접촉부(1600)가 마련되고, 지지부(1500)의 일단과 접촉부(1600)의 일단 사이에 연결부(1700)가 마련될 수 있다. 지지부(1500)는 소정 두께를 갖는 판 형상의 평판부(1510)와, 평판부(1510)의 두 가장자리에서 하측으로 연장 형성된 소정 폭의 연장부(1520, 1530)을 포함할 수 있다. 이때, 두 연장부(1520, 1530)에 의해 평판부(1510) 하측에는 관통 개구(1540)가 형성될 수 있다. 즉, 관통 개구(1540)는 평판부(1510)의 길이 방향과 직교하는 방향으로 형성될 수 있다. 이렇게 마련된 지지부(1500) 상에 클립 형태의 접촉부 및 연결부(1600, 1700)가 마련될 수 있다. 접촉부(1600)는 일단이 연결부(1700)와 연결되고, 연결부(1700)로부터 일 방향으로 연장 형성되며, 일부가 도전체(10)를 향해 예컨대, 상향 경사지도록 연장되어 도전체(10)와 접촉될 수 있다. 또한, 접촉부(1600)의 타단과 인접한 영역은 도전체(10)가 위치된 방향으로 볼록한 곡률을 가지는 형상일 수 있다. 예를 들어, 접촉부(1600)는 소정 길이로 수평을 이루고 그로부터 소정 길이로 상향 경사지게 형성된 후 다시 소정 길이로 하항 경사지게 형성될 수 있다. 이때, 접촉부(1600)의 도전체(10)와 접촉되는 영역은 예를 들어 타원형, 반원형 등의 원형을 이룰 수 있다. 연결부(1700)는 지지부(1500)의 평판부(1510)의 일단과 접촉부(1600)의 일단을 연결하도록 형성되는데, 곡률을 가지도록 형성될 수 있다. 이러한 연결부(1700)는 외력에 의해 가압되면 내부 회로(20)가 위치된 방향으로 눌려지고, 외력이 해제되면, 원래 상태로 복원되는 탄성력을 가진다. 따라서, 컨택부(1000)는 적어도 연결부(1700)가 탄성력을 갖는 금속 물질로 형성될 수 있다. 한편, 관통 개구(1540)에 복합 보호부(2000)가 마련될 수 있다. 이때, 복합 보호부(2000)는 지지부(1500)와 접촉되지 않고 관통 개구(1540)에 마련될 수 있다. 복합 보호부(2000)는 도 20에 도시된 바와 같이 평판부(1510)와 직교하는 방향으로 관통 개구(1540) 내에 마련될 수도 있고, 평판부(1510)와 평행한 방향으로 마련될 수도 있다.
한편, 지지부(1500)는 가스켓 재질로 형성되어 탄성 복원력을 가질 수 있다. 즉, 고무 등의 재질로 지지부(1500)가 형성되고 그 상부에 클립이 마련되어 가스켓과 클립이 결합된 형태로 컨택부(1000)가 형성될 수 있다. 물론, 지지부(1500)는 클립과 마찬가지로 구리 등의 금속 재질로 제작될 수도 있다. 예를 들어, 지지부(1500)가 금속 재질로 제작되고, 그 상부의 접촉부 및 연결부(1600, 1700) 등이 가스켓 재질로 형성될 수도 있다.
또한, 지지부(1500)의 하면은 내부 회로(20) 상에 실장될 수 있고, 복합 보호부(2000) 또한 두 외부 전극(2510, 2520)이 내부 회로(20) 상에 실장될 수 있다. 즉, 도 20 및 도 21에 도시된 바와 같이 복합 보호부(2000)의 제 1 및 제 2 외부 전극(2510, 2520)이 제 1 및 제 2 실장 영역(21, 22) 상에 실장되고, 지지부(1500)의 두 연장부(1520, 1530)는 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)에 각각 실장될 수 있다. 이때, 제 1 및 제 2 실장 영역(21, 22)은 전기적으로 절연되며, 복합 보호부(2000)에 의해 연결될 수 있다. 또한, 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)은 서로 이격되어 마련될 수 있다. 그리고, 제 3 및 4 실장 영역(23, 24)의 적어도 어느 하나는 제 1 및 제 2 실장 영역(21, 22)의 어느 하나와 내부 회로(20)의 적어도 일 영역을 통해 연결될 수 있다. 예를 들어, 제 1 실장 영역(21)은 제 1 외부 전극(2510)과 연결되고 도전 라인(25c)을 통해 접지 단자와 연결되며, 제 2 실장 영역(22)은 내부 회로(20) 내의 예를 들어 도전 라인(25a, 25b)을 통해 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)의 적어도 어느 하나와 연결될 수 있다. 따라서, 내부 회로(20)를 통해 유입될 수 있는 누설 전류가 차단되며, 외부로부터 인가되는 ESD 전압은 클립 형태의 접촉부 및 연결부(1600, 1700)와 평판부(1510) 및 적어도 하나의 연장부(1520, 1530)을 통해 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)의 적어도 하나로 전달되며, 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)의 적어도 하나로 전달된 ESD 전압은 다시 제 2 실장 영역(22)을 통해 복합 보호부(2000)로 전달되며, 제 1 실장 영역(21)을 통해 접지 단자로 바이패스된다.
한편, 본 발명의 제 5 실시 예는 컨택부(1000) 및 복합 보호부(2000)가 내부 회로(20)에 직접 실장되지 않고 실장부를 통해 실장될 수도 있다. 즉, 도 16 내지 도 19를 이용하여 설명한 본 발명의 제 4 실시 예와 마찬가지로 컨택부(1000) 및 복합 보호부(2000)가 그 하측에 마련된 실장부(도 16 내지 도 19의 도면부호 4000)에 실장된 후 내부 회로(20)에 실장될 수 있다.
도 22는 본 발명의 제 6 실시 예에 따른 컨택터의 개략도이고, 도 23은 이를 실장하기 위한 내부 회로의 개략도이다.
도 22를 참조하면, 지지부(1500)는 어느 한쪽이 막힌 형상으로 마련될 수도 있다. 즉, 평판부(1510)의 길이 방향 가장자리에 하측으로 제 1 및 제 2 연장부(1520, 1530)가 형성되고, 길이 방향으로 제 1 및 제 2 연장부(1520, 1530) 외곽부 사이에 제 3 연장부(1550)가 형성될 수 있다. 여기서, 지지부(1500), 제 1 및 제 2 연장부(1520, 1530) 등의 구성은 상기 제 5 실시 예에서 설명된 내용과 동일하다. 따라서, 평판부(1510) 하측에 평판부(1510)의 길이 방향과 직교하는 방향으로 한쪽이 개방되고 한쪽이 막힌 공동(1560)이 형성될 수 있다. 또한, 공동(1560) 내부에 복합 보호부(2000)가 마련될 수 있다. 지지부(1500)가 이렇게 형성되면 탄성 복원력을 증가시킬 수 있다.
이러한 제 6 실시 예에 따른 컨택터는 도 23에 도시된 바와 같이 내부 회로(20) 상에 실장될 수 있다. 이때, 도전 라인(25a, 25b)는 지지부(1500)의 제 3 연장부(1550) 하측에 마련될 수 있다.
한편, 본 발명의 제 6 실시 예 또한 컨택부(1000) 및 복합 보호부(2000)가 내부 회로(20)에 직접 실장되지 않고 본 발명의 제 4 실시 예에서 설명한 바와 같이 실장부에 실장된 후 내부 회로(20)에 실장될 수 있다.
도 24 및 도 25는 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 컨택터의 사시도 및 일 측면도이다. 본 발명의 제 7 실시 예는 제 5 실시 예와 다르게 관통 개구(1540)가 평판부(1510)의 길이 방향으로 형성된다. 즉, 도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이 지지부(1500)는 제 1 및 제 2 연장부(1520, 1530)가 평판부(1510)의 길이 방향 하측으로 연장 형성된다. 따라서, 평판부(1510)와 두 연장부(1520, 1530)에 의해 평판부(1510)의 길이 방향으로 관통 개구(1540)가 형성된다. 그리고, 관통 개구(1540) 내에 길이 방향으로 복합 보호부(2000)가 마련된다. 이때, 복합 보호부(2000)는 도 25에 도시된 바와 같이 평판부(1510) 및 두 연장부(1520, 1530)와 접촉되지 않고 이격되어 마련될 수 있다. 이러한 본 발명의 제 7 실시 예에 따른 컨택터의 경우에도 도 23을 이용하여 설명한 바와 같이 내부 회로(20) 상에 실장된다. 한편, 본 발명의 제 7 실시 예 또한 컨택부(1000) 및 복합 보호부(2000)가 내부 회로(20)에 직접 실장되지 않고 본 발명의 제 4 실시 예에서 설명한 바와 같이 실장부에 실장된 후 내부 회로(20)에 실장될 수 있다.
도 26 및 도 27은 본 발명의 제 8 실시 예에 따른 컨택터의 도면이다. 여기서, 도 26은 복합 보호부가 마련되지 않은 상태의 일 측면도이고, 도 27는 복합 보호부가 마련된 상태의 일 측면도이다.
도 26 및 도 27에 도시된 바와 같이, 컨택터는 가스켓 형태의 컨택부(1000)와, 복합 보호부(2000)를 포함할 수 있다. 즉, 컨택부(1000)는 본 발명의 제 1 실시 예 등에서 설명한 바와 같이 전도성 고무, 전도성 실리콘, 내부에 전도성 도선이 삽입된 탄성체, 표면이 도체로 코팅 또는 접합된 탄성체 중 어느 하나를 포함하는 가스켓으로 형성될 수 있다. 또한, 컨택부(1000)는 내측에 일 방향으로 관통하는 관통공(1300)이 형성된다. 그리고, 컨택부(1000) 내부에는 관통공(1300)의 형성 방향, 즉 일 방향으로 분리부(1700)가 형성될 수 있다. 분리부(1700)는 컨택부(1000)의 높이 방향으로 예를 들어 중간 부분에 소정의 두께로 형성될 수 있다. 이러한 분리부(1700)에 의해 관통공(1300)은 제 1 및 제 2 관통공(1300a, 1300b)로 분리될 수 있다. 즉, 컨택부(1000)는 내부에 수평 방향으로 분리부(1700)가 형성되어 분리부(1700) 상측에 제 1 관통공(1300a)이 형성되고 분할부(1700) 하측에 제 2 관통공(1300b)이 형성된다. 또한, 제 2 관통공(1300b) 내측에 복합 보호부(2000)가 마련되며, 복합 보호부(2000)는 상면 및 두 측면에 컨택부(1000)에 접촉될 수 있다. 즉, 복합 보호부(2000)는 상면이 분리부(1700)의 하면에 접촉되고 측면이 컨택부(1000)의 두 측면과 접촉될 수 있다.
한편, 컨택부와 복합 보호부 등이 실장되는 내부 회로는 다양하게 변형 가능하며, 이를 도 28 및 도 29에 도시하였다.
도 28 및 도 29는 컨택부 또는 완충 부재 및 복합 보호부가 실장되는 내부 회로의 평면 개략도이다. 각도의 도 28 및 도 29의 (a)는 컨택터가 실장되기 이전의 내부 회로의 평면도이고, (b)는 컨택터가 실장된 후의 평면도이다. 한편, 도 28 및 도 29는 컨택부가 실장되는 경우의 예를 도시하였다.
도 28의 (a)에 도시된 바와 같이, 제 1 내지 제 4 실장 영역(21 내지 24)은 서로 이격되어 있고, 제 2 실장 영역(22)과 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)는 전기적으로 연결된다. 이때, 제 2 실장 영역(22)와 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)은 PCB 내부에서 서로 연결될 수 있다. 또한, 제 2 실장 영역(22)과 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24) 사이에는 표면에 절연층(25)이 형성되어 이들 실장 영역이 분리된다. 또한, 제 1 실장 영역(21)은 절연층(25) 아래에서 도전 라인과 연결되어 접지 단자에 연결된다. 이러한 내부 회로의 제 1 및 제 2 실장 영역(21, 22)에 도 21의 (b)에 도시된 바와 같이 복합 보호부(2000)를 실장하고 제 3 및 제 4 실장 영역(23, 24)에 컨택부(1000)를 실장할 수 있다.
또한, 도 29에 도시된 바와 같이, 제 2 내지 제 4 실장 영역(22 내지 24)는 전기적으로 서로 연결되고, 제 1 실장 영역(21)는 전기적으로 연결되지 않는다.
상기한 바와 같이 본 발명의 실시 예들에 따른 컨택터는 컨택부(1000) 및 복합 보호부(2000)가 결합된 복합 소자 또는 컨택부(1000), 완충 부재(3000) 및 복합 보호부(2000)가 결합된 복합 소자 상태에서는 전기적으로 연결되어 있지 않고, SMD 실장 시 내부 회로(20), 즉 PCB에 의해서만 전기적으로 연결된다. 즉, SMD 실장 후 컨텍부(1000) 또는 완충 부재(3000)는 내부 회로(20)를 통해 복합 보호부(2000)의 일 외부 전극과 연결되며, 타 외부 전극과는 연결되지 않으며, 복합 보호부(2000)의 내부 구조, 즉 내부 전극(200) 및 방전 전극(310)에 의해 외부 전극끼리 연결된다. 또한, 컨택부(1000) 또는 완충 부재(3000)와 복합 보호부(2000)가 실장부(4000)에 실장되는 경우에도 경우에도 실장부(4000)가 내부 회로(20)에 실장된 후 컨택부(1000) 및 복합 보호부(2000)가 내부 회로(20)를 통해 전기적으로 연결된다. 따라서, 외부로부터 인가되는 ESD 등의 고전압은 내부 회로(20)의 접지 단자로 바이패스시킬 수 있고, 내부 회로(20)로부터 누설되는 전류는 차단될 수 있다. 또한, RF 신호는 복합 보호부(2000)의 캐패시터에 의해서 통과될 수 있다. 한편, 컨택부(1000)와 복합 보호부(2000)의 접촉 저항은 PCB 실장 전에는 100MΩ 이상이고 PCB 실장 후에는 10Ω 이하일 수 있다. 즉, 내부 회로(20) 실장 전에는 전기적으로 연결되지 않고 내부 회로(20) 실장 후에 전기적으로 연결될 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시 예들에 따른 복합 보호부에 대해 설명한다.
도 6에 도시된 바와 같이, 복합 보호부(2000)는 복수의 시트(100; 101 내지 111)가 적층된 적층체(2100)과, 적층체(2100) 내에 마련되며 복수의 내부 전극(200; 201 내지 208)을 구비하는 적어도 하나의 캐패시터부(2200, 2400)와, 적어도 하나의 방전 전극(310; 311, 312)과 과전압 보호 부재(320)를 구비하는 과전압 보호부(2300)를 포함할 수 있다. 또한, 적층체(2100) 내에 마련되며, 도전층 등이 형성되지 않는 소정 두께의 더미층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 즉, 적층체(2100) 내의 복수의 시트(100) 중에서 선택된 시트(100) 상에 복수의 내부 전극(200) 및 방전 전극(310)을 포함하는 도전층이 형성될 수 있다. 예를 들어, 적층체(2100) 내에 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 4000)가 마련되고, 그 사이에 과전압 보호부(2300)가 마련될 수 있다. 즉, 적층체(2100) 내부에 제 1 캐패시터부(2200), 과전압 보호부(2300) 및 제 2 캐패시터부(2400)가 적층되어 복합 보호부(2000)가 구현될 수 있다. 또한, 적층체(2100)의 서로 대향하는 두 측면에 형성되어 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 2400)와 과전압 보호부(2300)와 연결되는 외부 전극(2510, 2520; 2500)을 더 포함할 수 있다. 물론, 복합 보호부(2000)는 적어도 하나의 캐패시터부와 적어도 하나의 과전압 보호부를 포함할 수 있다. 즉, 과전압 보호부(2300)의 하측 또는 상측의 어느 하나에 캐패시터부가 마련될 수 있고, 서로 이격된 둘 이상의 과전압 보호부(2300)의 상측 및 하측에 적어도 하나의 캐패시터부가 마련될 수도 있다. 또한, 과전압 보호부(2300)는 적층체(2100) 내부 또는 적층체(2100) 외부에 마련될 수 있는데, 본 실시 예들은 적층체(2100) 내부에 형성되는 경우를 설명하겠다. 과전압 보호부(2300)가 적층체(2100) 외부에 형성되는 경우 과전압 보호 부재(320)가 적층체(2100)와 외부 전극(2500) 사이에 형성되고, 방전 전극(310)이 적층체(2100) 내부에 형성될될 수 있다. 이러한 복합 보호부(2000)는 전자기기의 내부 회로(예를 들어 PCB)(20) 상에 마련될 수 있다. 즉, 복합 보호부(2000)는 일측이 내부 회로(20)에 접촉되고 타측이 전자기기의 도전체(10)와 이격될 수 있다. 물론, 도전체(10)와 복합 보호부(2000) 사이에 컨택부(1000)가 마련되므로 복합 보호부(2000)의 타측은 컨택부(1000)와 이격되고 경우에 따라 컨택부(1000)와 접촉될 수 있다. 이렇게 복합 보호부(2000)가 도전체(10)와 내부 회로(20) 사이에 마련되어 내부 회로(20)로부터 유입되는 누설 전류를 차단할 수 있다. 또한, ESD 등의 과전압을 접지 단자로 바이패스시키고, ESD 등의 과전압에 의해 절연이 파괴되지 않아 누설 전류를 지속적으로 차단할 수 있다. 즉, 본 발명에 따른 복합 보호부(2000)는 감전 전압 이하에서 절연 상태를 유지하여 내부 회로(20)로부터 유입되는 누설 전류를 차단하고, ESD 전압 이상에서 도전 상태를 유지하여 외부로부터 전자기기 내부로 인가되는 ESD 전압을 접지 단자로 바이패스시킨다.
2.1. 적층체
적층체(2100)는 복수의 시트(101 내지 111; 100)가 적층되어 형성된다. 이러한 적층체(2100)는 일 방향(예를 들어 X 방향) 및 이와 직교하는 타 방향(예를 들어 Y 방향)으로 각각 소정의 길이 및 폭을 각각 갖고, 수직 방향(예를 들어 Z 방향)으로 소정의 높이를 갖는 대략 육면체 형상으로 마련될 수 있다. 즉, 외부 전극(2500)의 형성 방향을 X 방향, 즉 길이라 할 때, 이와 수평 방향으로 직교하는 방향을 Y 방향을 폭으로 하고, 수직 방향을 Z 방향, 즉 두께로 할 수 있다. 여기서, X 방향으로의 길이는 Y 방향으로의 폭 및 Z 방향으로의 높이보다 크고, Y 방향으로의 폭은 Z 방향으로의 높이와 같거나 다를 수 있다. 폭(Y 방향)과 높이(Z 방향)가 다를 경우 폭은 높이보다 크거나 작을 수 있다. 예를 들어, 길이, 폭 및 높이의 비는 2∼5:1:0.5∼1일 수 있다. 즉, 폭을 기준으로 길이가 폭보다 2배 내지 5배 정도 클 수 있고, 높이는 폭보다 0.5배 내지 1배일 수 있다. 그러나, 이러한 X, Y 및 Z 방향의 길이는 하나의 예로서 방전 감지 소자가 연결되는 전자기기의 내부 구조, 방전 감지 소자의 형상 등에 따라 다양하게 변형 가능하다. 또한, 적층체(2100) 내부에는 적어도 하나의 캐패시터부(2200, 2400)와 적어도 하나의 과전압 보호부(2300)가 마련될 수 있다. 예를 들어, 제 1 캐패시터부(2200), 과전압 보호부(2300) 및 제 2 캐패시터부(2400)가 시트(100)의 적층 방향, 즉 Z 방향으로 마련될 수 있다. 복수의 시트(100)는 MLCC, LTCC, HTCC 등의 유전체 재료를 이용하여 형성할 수 있다. 여기서, MLCC 유전체 물질은 BaTiO3 및 NdTiO3의 적어도 어느 하나를 주성분으로 Bi2O3, SiO2, CuO, MgO, ZnO 중 적어도 하나 이상이 첨가되고, LTCC 유전체 물질은 Al2O3, SiO2, 글래스 물질을 포함할 수 있다. 또한, 시트(100)는 MLCC, LTCC, HTCC 이외에 BaTiO3, NdTiO3, Bi2O3, BaCO3, TiO2, Nd2O3, SiO2, CuO, MgO, Zn0, Al2O3 중의 하나 이상을 포함하는 물질로 형성될 수 있다. 그리고, 시트(100)는 상기 물질들 이외에 예를 들어 Pr계, Bi계, ST계 세라믹 물질 등 바리스터 특성을 가지는 재료로 형성될 수도 있다. 물론, 시트(100)는 MLCC, LTCC, HTCC 및 바리스터 특성을 가지는 재료를 혼합하여 형성할 수도 있다. 예를 들어, 시트(100)는 BaTiO3, NdTiO3, Bi2O3, ZnO, TiO2, SiO2, Al2O3, B2O3를 포함할 수 있고, 이들 물질의 함량을 조절함으로써 유전율을 조절할 수 있다. 따라서, 시트(100)는 재질에 따라 각각 소정의 유전율, 예를 들어 5∼20000, 바람직하게는 7∼4000, 더욱 바람직하게는 100∼3000의 유전율을 가질 수 있다. 예를 들어, 시트(100)는 BaTiO3, NdTiO3, Bi2O3, ZnO, TiO2, SiO2, Al2O3, B2O3를 포함할 수 있는데, BaTiO3의 함량을 증가시켜 유전율을 높일 수 있고, NdTiO3 및 SiO2의 함량을 증가시켜 유전율을 낮출 수 있다. 또한, 복수의 시트(100)는 모두 동일 두께로 형성될 수 있고, 적어도 어느 하나가 다른 것들에 비해 두껍거나 얇게 형성될 수 있다. 즉, 과전압 보호부(2300)의 시트는 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 4000)의 시트와 다른 두께로 형성될 수 있고, 과전압 보호부(2300)와 제 1 및 제 2 캐패시터(2200, 4000) 사이에 형성된 시트가 다른 시트들과 다른 두께로 형성될 수 있다. 예를 들어, 과전압 보호부(2300)와 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 4000) 사이의 시트, 즉 제 5 및 제 7 시트(105, 107)의 두께는 과전압 보호부(2300)의 시트, 즉 제 6 시트(106)보다 얇거나 같은 두께로 형성되거나, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 4000)의 내부 전극 사이의 시트(102 내지 104, 108 내지 110)보다 얇거나 같은 두께로 형성될 수 있다. 즉, 과전압 보호부(2300)와 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 4000) 사이의 간격은 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 4000)의 내부 전극 사이의 간격보다 얇거나 같게 형성되거나, 과전압 보호부(2300)의 두께보다 얇거나 같게 형성될 수 있다. 물론, 제 1 및 제 2 캐패시터(2200, 4000)의 시트(102 내지 104, 108 내지 110)은 동일 두께로 형성될 수 있고, 어느 하나가 다른 하나보다 얇거나 두꺼울 수도 있다. 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 4000)의 시트(102 내지 104, 108 내지 110) 중의 어느 하나의 두께를 다르게 함으로써 정전용량을 조정할 수 있다. 한편, 시트들(100)은 예를 들어 1㎛∼5000㎛의 두께로 형성될 수 있고, 2500㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있다. 이때, 시트들(100)은 ESD 인가 시 파괴되지 않는 두께로 형성될 수 있다. 즉, 시트들(100)은 사이즈가 작은 복합 보호부(2000)에 적용되는 경우 얇은 두께로 형성될 수 있고, 사이즈가 큰 복합 보호부(2000)에 적용되는 경우 두꺼운 두께로 형성될 수 있는데, 모든 경우에서 ESD 인가 시 파괴되지 않는 두께로 형성될 수 있다. 예를 들어, 시트들(100)이 동일한 수로 적층되는 경우 복합 보호부(2000)의 사이즈가 작을수록 두께가 얇아지고 복합 보호부(2000)이 사이즈가 커질수록 두께가 두꺼울 수 있다. 물론, 얇은 시트(100)가 큰 사이즈의 복합 보호부(2000)에도 적용될 수 있는데, 이 경우 시트(100)의 적층 수가 증가하게 된다. 또한, 적층체(2100)는 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 4000)의 하부 및 상부에 각각 마련된 하부 커버층(미도시) 및 상부 커버층(미도시)을 더 포함할 수 있다. 물론, 제 1 시트(101)가 하부 커버층으로 기능하고 제 11 시트(111)가 상부 커버층으로 기능할 수도 있다. 하부 및 상부 커버층은 자성체 시트가 복수 적층되어 마련될 수 있으며, 동일 두께로 형성될 수 있다. 여기서, 자성체 시트로 이루어진 하부 및 상부 커버층의 최외곽, 즉 하부 및 상부 표면에 비자성 시트, 예를 들어 유리질의 시트가 더 형성될 수 있다. 또한, 하부 및 상부 커버층은 내부의 시트들, 즉 제 2 내지 제 10 시트(102 내지 110)보다 두꺼울 수 있다. 따라서, 제 1 및 제 11 시트(101, 111)이 하부 및 상부 커버층으로 기능하는 경우 제 2 내지 제 10 시트(102 내지 110)보다 두껍게 형성될 수 있다.
2.2. 제 1 캐패시터부
제 1 캐패시터부(2200)는 과전압 보호부(2300)의 하측에 마련되며, 적어도 둘 이상의 내부 전극과, 이들 사이에 마련된 적어도 둘 이상의 시트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 1 캐패시터부(2200)는 제 1 내지 4 시트(101 내지 104)와, 제 1 내지 4 시트(101 내지 104) 상에 각각 형성된 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)를 포함할 수 있다. 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)는 예를 들어 1㎛∼10㎛의 두께로 형성할 수 있다. 여기서, 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)은 X 방향으로 서로 대향되도록 형성된 외부 전극(2510, 2520; 2500)과 일측이 연결되고 타측이 이격되도록 형성된다. 제 1 및 제 3 내부 전극(201, 203)은 제 1 및 제 3 시트(101, 103) 상에 각각 소정 면적으로 형성되며, 일측이 제 1 외부 전극(2510)과 연결되고 타측이 제 2 외부 전극(2520)과 이격되도록 형성된다. 제 2 및 제 4 내부 전극(202, 204)는 제 2 및 제 4 시트(102, 104) 상에 각각 소정 면적으로 형성되며 일측이 제 2 외부 전극(2520)과 연결되고 타측이 제 1 외부 전극(2510)과 이격되도록 형성된다. 즉, 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)는 외부 전극(2500)의 어느 하나와 교대로 연결되며 제 2 내지 제 4 시트(202 내지 204)를 사이에 두고 소정 영역 중첩되도록 형성된다. 이때, 제 1 내지 제 4 내부 전극(201, 204)은 제 1 내지 제 4 시트(101 내지 104) 각각의 면적 대비 10% 내지 95%의 면적으로 각각 형성된다. 또한, 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)은 이들 전극 각각의 면적 대비 10% 내지 95%의 면적으로 중첩되도록 형성된다. 한편, 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)은 예를 들어 정사각형, 직사각형, 소정의 패턴 형상, 소정 폭 및 간격을 갖는 스파이럴 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 제 1 캐패시터부(2200)는 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204) 사이에 캐패시턴스가 각각 형성되며, 캐패시턴스는 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204)의 길이 또는 중첩 면적, 시트들(101 내지 104)의 두께 등에 따라 조절될 수 있다. 한편, 제 1 캐패시터부(2200)는 제 1 내지 제 4 내부 전극(201 내지 204) 이외에 적어도 하나 이상의 내부 전극이 더 형성되고, 적어도 하나의 내부 전극이 형성되는 적어도 하나의 시트가 더 형성될 수도 있다. 또한, 제 1 캐패시터부(2200)는 두개의 내부 전극이 형성될 수도 있다. 즉, 본 실시 예는 제 1 캐패시터(2200)의 내부 전극이 네개 형성되는 것을 예로 설명하였으나, 내부 전극은 둘 이상 복수로 형성될 수 있다.
2.3. 과전압 보호부
과전압 보호부(2300)는 수직 방향으로 이격되어 형성된 적어도 두개의 방전 전극(310; 311, 312)과, 적어도 두개의 방전 전극(310) 사이에 마련된 적어도 하나의 과전압 보호 부재(320)를 포함할 수 있다. 예를 들어, 과전압 보호부(2300)는 제 5 및 제 6 시트(105, 106)와, 제 5 및 제 6 시트(105, 106) 상에 각각 형성된 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)과, 제 6 시트(106)를 관통하여 형성된 과전압 보호 부재(320)를 포함할 수 있다. 여기서, 과전압 보호 부재(320)는 적어도 일부가 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)과 연결되도록 형성될 수 있다. 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 캐패시터부(2200, 4000)의 내부 전극들(200)과 동일 두께로 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 1㎛∼10㎛의 두께로 형성할 수 있다. 그러나, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 캐패시터부(2200, 4000)의 내부 전극(200)보다 얇거나 두껍게 형성될 수도 있다. 제 1 방전 전극(311)은 제 1 외부 전극(2510)과 연결되어 제 5 시트(105) 상에 형성되며 말단부가 과전압 보호 부재(320)와 연결되도록 형성된다. 제 2 방전 전극(312)은 제 2 외부 전극(2520)과 연결되어 제 6 시트(106) 상에 형성되며 말단부가 과전압 보호 부재(320)와 연결되도록 형성된다. 여기서, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)의 과전압 보호 부재(320)와 접촉되는 영역은 과전압 보호 부재(320)와 동일 크기 또는 이보다 작게 형성될 수 있다. 또한, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 과전압 보호 부재(320)를 벗어나지 않고 완전히 중첩되어 형성될 수도 있다. 즉, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)의 가장자리는 과전압 보호 부재(320)의 가장자리와 수직 성분을 이룰 수 있다. 물론, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 과전압 보호 부재(320)의 일부에 중첩되도록 형성될 수도 있다. 예를 들어, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)는 과전압 보호 부재(320)의 수평 면적의 10% 내지 100% 중첩되도록 형성될 수 있다. 즉, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 과전압 보호 부재(320)를 벗어나게 형성되지 않는다. 한편, 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)은 과전압 보호 부재(320)와 접촉되는 일 영역이 접촉되지 않은 영역보다 크게 형성될 수 있다. 과전압 보호 부재(320)는 제 6 시트(106)의 소정 영역, 예를 들어 중심부에 형성되어 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)과 연결될 수 있다. 이때, 과전압 보호 부재(320)는 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)과 적어도 일부 중첩되도록 형성될 수 있다. 즉, 과전압 보호 부재(320)는 제 1 및 제 2 방전 전극(311, 312)과 수평 면적의 10% 내지 100% 중첩되도록 형성될 수 있다. 과전압 보호 부재(320)는 제 6 시트(106)의 소정 영역, 예를 들어 중심부에 소정 크기의 관통홀을 형성하고 인쇄 공정을 이용하여 관통홀의 적어도 일부를 도포하거나 매립하도록 형성될 수 있다. 과전압 보호 부재(320)는 적층체(2100) 두께의 1%∼20%의 두께로 형성되고, 적층체(2100)의 일 방향 길이의 3%∼50%의 길이로 형성될 수 있다. 이때, 과전압 보호 부재(320)가 복수로 형성되는 경우 복수의 과전압 보호 부재(320)의 두께의 합은 적층체(2100) 두께의 1%∼50%로 형성될 수 있다. 또한, 과전압 보호 부재(320)는 적어도 일 방향, 예를 들어 X 방향으로 길이가 긴 장공형으로 형성될 수 있고, X 방향의 길이 는 시트(100)의 X 방향 길이의 5%∼75%로 형성될 수 있다. 그리고, 과전압 보호 부재(320)는 Y 방향으로의 폭이 시트(100)의 Y 방향 폭의 3%∼50%로 형성될 수 있다. 이러한 과전압 보호 부재(320)는 예를 들어 50㎛∼1000㎛의 직경과 5㎛∼200㎛의 두께로 형성될 수 있다. 이때, 과전압 보호 부재(320)의 두께가 얇을수록 방전 개시 전압이 낮아진다. 과전압 보호 부재(320)는 도전 물질과 절연 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 이때, 절연 물질은 복수의 기공(pore)을 갖는 다공성의 절연 물질일 수 있다. 예를 들어, 도전성 세라믹과 절연성 세라믹의 혼합 물질을 제 6 시트(106) 상에 인쇄하여 과전압 보호 부재(320)를 형성할 수 있다. 한편, 과전압 보호 부재(320)는 적어도 하나의 시트(100) 상에 형성될 수도 있다. 즉, 수직 방향으로 적층된 적어도 하나, 예를 들어 두개의 시트(100)에 과전압 보호 부재(320)가 각각 형성되고, 그 시트(100) 상에 서로 이격되도록 방전 전극이 형성되어 과전압 보호 부재(320)와 연결될 수 있다. 과전압 보호 부재(320)의 구조, 재료 등의 보다 자세한 설명은 후술하도록 하겠다.
2.4. 제 2 캐패시터부
제 2 캐패시터부(2400)는 과전압 보호부(2300)의 상측에 마련되며, 적어도 둘 이상의 내부 전극과, 이들 사이에 마련된 적어도 둘 이상의 시트를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제 2 캐패시터부(2200)는 제 7 내지 제 10 시트(107 내지 110)와, 제 7 내지 제 10 시트(107 내지 110) 상에 각각 형성된 제 5 내지 제 8 내부 전극(205 내지 208)을 포함할 수 있다. 여기서, 제 5 내지 제 8 내부 전극(205 내지 208)은 X 방향으로 서로 대향되도록 형성된 외부 전극(2510, 2520; 2500)과 일측이 연결되고 타측이 이격되도록 형성된다. 제 5 및 제 7 내부 전극(205, 207)은 제 7 및 제 9 시트(107, 109) 상에 소정 면적으로 형성되며, 일측이 제 1 외부 전극(2510)과 연결되고 타측이 제 2 외부 전극(2520)과 이격되도록 형성된다. 제 6 및 제 8 내부 전극(206, 208)는 제 8 및 제 10 시트(108, 110) 상에 각각 소정 면적으로 형성되며 일측이 제 2 외부 전극(2520)과 연결되고 타측이 제 1 외부 전극(2510)과 이격되도록 형성된다. 즉, 제 5 내지 제 8 내부 전극(205 내지 108)이 외부 전극(2500)의 어느 하나와 교대로 연결되며 제 8 내지 제 10 시트(208 내지 110)를 사이에 두고 소정 영역 중첩되도록 형성된다. 이때, 제 5 내지 제 8 내부 전극(205 내지 208)은 제 7 내지 제 10 시트(107 내지 110) 각각의 면적 대비 10% 내지 85%의 면적으로 각각 형성된다. 또한, 제 5 내지 제 8 내부 전극(205 내지 208)은 이들 전극 각각의 면적 대비 10% 내지 85%의 면적으로 중첩되도록 형성된다. 또한, 제 5 내지 제 8 내부 전극(205 내지 208)은 예를 들어 1㎛∼10㎛의 두께로 형성할 수 있다. 한편, 제 5 내지 제 8 내부 전극(205 내지 208)은 예를 들어 정사각형, 직사각형, 소정의 패턴 형상, 소정 폭 및 간격을 갖는 스파이럴 형상 등 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 이러한 제 2 캐패시터부(2400)는 제 5 내지 제 8 내부 전극(205 내지 208) 사이에 캐패시턴스가 각각 형성되며, 캐패시턴스는 제 5 내지 제 8 내부 전극(205 내지 208)의 길이 또는 중첩 면적, 시트들(108 내지 110)의 두께 등에 따라 조절될 수 있다. 한편, 제 2 캐패시터부(2400)는 제 3 및 제 4 내부 전극(203, 204) 이외에 적어도 하나 이상의 내부 전극이 더 형성되고, 적어도 하나의 내부 전극이 형성되는 적어도 하나의 시트가 더 형성될 수도 있다. 또한, 제 2 캐패시터부(2400)는 두개의 내부 전극이 형성될 수도 있다. 즉, 본 실시 예는 제 2 캐패시터(4000)의 내부 전극이 네개 형성되는 것을 예로 설명하였으나, 내부 전극은 둘 이상 복수로 형성될 수 있다.
한편, 제 1 캐패시터부(2200)의 내부 전극들(201 내지 204)과 제 2 캐패시터부(2400)의 내부 전극들(205 내지 208)은 동일 형상 및 동일 면적으로 형성될 수 있고, 중첩 면적 또한 동일할 수 있다. 또한, 제 1 캐패시터부(2200)의 시트들(101 내지 104)와 제 2 캐패시터부(2400)의 시트들(107 내지 110)은 동일 두께를 가질 수 있다. 이때, 제 1 시트(101)가 하부 커버층으로 기능할 경우 제 1 시트(101)는 나머지 시트들에 비해 두껍게 형성될 수 있다. 따라서, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 4000)는 캐패시턴스가 동일할 수 있다. 그러나, 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 4000)는 캐패시턴스가 다를 수 있으며, 이 경우 내부 전극의 면적 또는 길이, 내부 전극의 중첩 면적, 시트의 두께의 적어도 어느 하나가 서로 다를 수 있다. 또한, 캐패시터부(2200, 2400)의 내부 전극(201 내지 208)는 과전압 보호부(2300)의 방전 전극(310)보다 길거나 같게 형성될 수 있고, 면적 또한 크거나 같게 형성될 수 있다.
한편, 캐패시터부(2200, 2400)의 내부 전극들(201 내지 208)의 두께는 적층체(2100) 두께의 0.05%∼50%로 형성될 수 있다. 즉, 내부 전극들(201 내지 208) 각각의 두께의 합은 적층체(2100) 두께의 0.05%∼50%로 형성될 수 있다. 이때, 내부 전극들(201 내지 208) 각각의 두께는 동일할 수도 있고, 적어도 어느 하나가 다를 수 있다. 예를 들어, 내부 전극들(201 내지 208)의 적어도 하나가 나머지보다 두껍거나 얇게 형성될 수 있다. 또한, 내부 전극들(201 내지 208) 각각은 적어도 일 영역의 두께가 다른 영역과 다를 수 있다. 그러나, 내부 전극들(201 내지 208) 중에서 적어도 하나의 두께가 다른 경우와, 내부 전극들(201 내지 208) 각각의 적어도 일 영역의 두께가 다른 경우에도 내부 전극들(201 내지 208)의 두께의 합은 적층체(2100) 두께의 0.05%∼50%로 형성될 수 있다. 또한, 캐패시터부(2200, 2400)의 내부 전극들(201 내지 208)의 단면적은 적층체(2100) 단면적의 0.05%∼50%로 형성될 수 있다. 즉, 내부 전극들(201 내지 208)의 두께 방향, 즉 Z 방향으로의 단면적의 합은 적층체(2100)의 단면적의 0.05%∼50%로 형성될 수 있다. 이때, 내부 전극들(201 내지 208) 각각은 단면적이 동일할 수도 있고, 적어도 어느 하나가 다를 수 있다. 그러나, 내부 전극들(201 내지 208) 중에서 적어도 하나의 단면적이 다른 경우에도 내부 전극들(201 내지 208)의 단면적의 합은 적층체(2100) 단면적의 0.05%∼50%로 형성될 수 있다. 그리고, 캐패시터부(2200, 2400)의 내부 전극들(201 내지 208) 각각의 길이 및 폭은 시트(100)의 길이 및 폭의 95% 이하로 형성될 수 있다. 즉, 내부 전극들(201 내지 208)은 X 방향의 길이가 시트(100)의 X 방향 길이의 10%∼95%로 형성되고, Y 방향의 폭이 시트(100)의 Y 방향 폭의 10%∼95%로 형성될 수 있다. 그러나, 내부 전극들(201 내지 208)은 시트(100)를 사이에 두고 적어도 일부 영역이 중첩되어 형성되어야 하므로 길이 및 폭이 시트(100) 길이 및 폭의 50%∼95%로 형성되는 것이 바람직하고, 80%∼95%로 형성되는 것이 더욱 바람직하다. 여기서, 내부 전극들(210 내지 208) 중에서 적어도 어느 하나의 길이가 다른 내부 전극의 길이와 다를 수 있다. 예를 들어, 하나의 내부 전극의 길이가 다른 내부 전극들의 길이보다 길거나 짧을 수 있다. 하나의 내부 전극의 길이가 다른 내부 전극들보다 길 경우 중첩 면적이 증가하게 되고, 작을 경우 중첩 면적이 줄어들게 된다. 따라서, 적어도 어느 하나의 내부 전극의 길이를 다르게 함으로써 정전용량을 조정할 수 있다.
2.5. 외부 전극
외부 전극(2510, 2520; 2500)는 적층체(2100)의 서로 대향되는 두 측면에 마련되어 제 1 및 제 2 캐패시터부(2200, 2400)와 과전압 보호부(2300)의 내부 전극과 연결된다. 또한, 외부 전극(2500)은 적층체(2100)의 하면으로 연장 형성될 수 있다. 즉, 적층체(2100)의 하면이 내부 회로(20)와 대면하고 외부 전극(2500)이 내부 회로(20) 상에 실장되어야 하므로 적층체(2100)의 서로 대향되는 양 측면에 형성된 외부 전극(2510, 2520)은 적층체(2100)의 하면으로 연장 형성될 수 있다. 이때, 적층체(2100)의 하면에 연장 형성된 외부 전극(2500)은 서로 소정 간격 이격될 수 있다. 또한, 외부 전극(2500)의 적어도 하나는 적층체(2100)의 상면으로 연장 형성될 수 있다. 이때, 적층체(2100)의 상면으로 연장된 외부 전극(2500)은 컨택부(1000) 또는 완충 부재(3000)와 접촉되지 않도록 한다. 예를 들어, 적층체(2100)의 길이를 컨택부(1000) 또는 완충 부재(3000)의 길이보다 길게 형성함으로써 적층체(2100)의 상면으로 연장 형성된 외부 전극(2500)이 컨택부(1000) 또는 완충 부재(3000)와 접촉되지 않도록 한다. 이렇게 적층체(2100)의 하면에 제 1 및 제 2 외부 전극(2510, 2520)이 연장 형성되어 내부 회로(20)에 실장될 수 있다.
이러한 외부 전극(2500)은 적어도 하나의 층으로 형성될 수 있다. 외부 전극(2500)은 Ag 등의 금속층으로 형성될 수 있고, 금속층 상에 적어도 하나의 도금층이 형성될 수도 있다. 예를 들어, 외부 전극(2500)은 구리층, Ni 도금층 및 Sn 또는 Sn/Ag 도금층이 형성될 수도 있다. 또한, 외부 전극(2500)은 예를 들어 0.5%∼20%의 Bi2O3 또는 SiO2를 주성분으로 하는 다성분계의 글래스 프릿(Glass frit)을 금속 분말과 혼합하여 형성할 수 있다. 이때, 글래스 프릿과 금속 분말의 혼합물은 페이스트 형태로 제조되어 적층체(2100)의 두면에 도포될 수 있다. 이렇게 외부 전극(2500)에 글래스 프릿이 포함됨으로써 외부 전극(2500)과 적층체(2100)의 밀착력을 향상시킬 수 있고, 내부 전극(200)과 외부 전극(2500)의 컨택 반응을 향상시킬 수 있다. 또한, 글래스가 포함된 도전성 페이스트가 도포된 후 그 상부에 적어도 하나의 도금층이 형성되어 외부 전극(2500)이 형성될 수 있다. 즉, 글래스가 포함된 금속층과, 그 상부에 적어도 하나의 도금층이 형성되어 외부 전극(2500)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 외부 전극(2500)은 글래스 프릿과 Ag 및 Cu의 적어도 하나가 포함된 층을 형성한 후 전해 또는 무전해 도금을 통하여 Ni 도금층 및 Sn 도금층 순차적으로 형성할 수 있다. 이때, Sn 도금층은 Ni 도금층과 같거나 두꺼운 두께로 형성될 수 있다. 물론, 외부 전극(2500)은 적어도 하나의 도금층만으로 형성될 수도 있다. 즉, 페이스트를 도포하지 않고 적어도 1회의 도금 공정을 이용하여 적어도 일층의 도금층을 형성하여 외부 전극(2500)을 형성할 수도 있다. 한편, 외부 전극(2500)은 2㎛∼100㎛의 두께로 형성될 수 있으며, Ni 도금층이 1㎛∼10㎛의 두께로 형성되고, Sn 또는 Sn/Ag 도금층은 2㎛∼10㎛의 두께로 형성될 수 있다.
2.6. 표면 개질 부재
한편, 외부 전극(2500)을 형성하기 이전에 적층체(2100)의 표면에 산화물을 분포시켜 표면 개질 부재(미도시), 즉 절연 부재를 형성할 수 있다. 이때, 산화물은 입자 상태 또는 용융 상태로 적층체(2100)의 표면에 분산되어 분포될 수 있다. 또한, 산화물은 외부 전극(2500)의 일부를 인쇄 공정으로 형성하기 이전에 분포시킬 수도 있고, 도금 공정을 실시하기 이전에 분포시킬 수도 있다. 즉, 산화물은 도금 공정으로 외부 전극(2500)을 형성할 때 도금 공정 이전에 적층체(2100) 표면에 분포될 수 있다. 이렇게 도금 공정 이전에 산화물을 분포시킴으로써 적층체(2100) 표면의 저항을 균일하게 할 수 있고, 그에 따라 도금 공정이 균일하게 실시될 수 있다. 즉, 적층체(2100)의 표면은 적어도 일 영역의 저항이 다른 영역의 저항과 다를 수 있는데, 저항이 불균일한 상태에서 도금 공정을 실시하면 저항이 낮은 영역에 저항이 높은 영역보다 도금이 잘 진행되어 도금층의 성장 불균일이 발생된다. 따라서, 이러한 문제를 해결하기 위해 적층체(2100)의 표면 저항을 균일하게 유지해야 하고, 이를 위해 적층체(2100)의 표면에 입자 상태 또는 용융 상태의 산화물을 분산시켜 저항 조절 부재를 형성할 수 있다. 이때, 산화물은 적층체(2100)의 표면에 부분적으로 분포될 수도 있으며, 적층체(2100)의 표면에 전체적으로 분포되어 막 형태로 형성될 수 있고, 적어도 일 영역에 막 형태로 형성되고 적어도 일 영역에 부분적으로 분포될 수도 있다. 예를 들어, 산화물이 적층체의 표면에 섬(island) 형태로 분포되어 저항 조절 부재가 형성될 수 있다. 즉, 적층체(2100) 표면에 입자 상태 또는 용융 상태의 산화물이 서로 이격되어 섬 형태로 분포될 수 있고, 그에 따라 적층체(2100) 표면의 적어도 일부가 노출될 수 있다. 또한, 산화물이 적층체(2100)의 전체 표면에 분포되고, 입자 상태 또는 용융 상태의 산화물이 서로 연결되어 소정 두께의 산화물 막이 형성될 수 있다. 이때, 적층체(2100) 표면에 산화물 막이 형성되므로 적층체(2100)의 표면은 노출되지 않을 수 있다. 그리고, 산화물은 적어도 일 영역에는 막 형태로 형성되고, 적어도 일부에는 섬 형태로 분포될 수 있다. 즉, 적어도 둘 이상의 산화물이 연결되어 적어도 일 영역에는 막으로 형성되고, 적어도 일부에는 섬 형태로 형성될 수 있다. 따라서, 적층체 표면의 적어도 일부가 산화물에 의해 노출될 수 있다. 적어도 일부에 섬 형태로 분포되는 산화물로 이루어진 저항 조절 부재(400)의 총 면적은 적층체(2100) 표면 전체 면적의 예를 들어 10% 내지 90%일 수 있다. 여기서, 적층체(2100)의 표면 저항을 균일하게 하기 위한 입자 상태 또는 용융 상태의 산화물은 적어도 하나 이상의 산화물이 이용될 수 있는데, 예를 들어 Bi2O3, BO2, B2O3, ZnO, Co3O4, SiO2, Al2O3, MnO, H2BO3, H2BO3, Ca(CO3)2, Ca(NO3)2, CaCO3 중 적어도 하나 이상을 이용할 수 있다.
한편, 표면 개질 부재는 적층체(2100)의 전체 영역에 분포할 수도 있고, 적어도 일 영역에만 분포할 수도 있다. 즉, 표면 개질 부재는 적층체(2100)의 표면 전체에 형성될 수도 있고, 적층체(2100)의 외부 전극(2500)과 접촉되는 영역에만 형성될 수 있다. 다시 말하면, 표면 개질 부재가 적층체(2100) 표면의 일부에 형성되는 표면 개질 부재는 적층체(2100)와 외부 전극(2500) 사이에 형성될 수 있다. 이때, 표면 개질 부재는 외부 전극(2500)의 연장 영역에 접촉되어 형성될 수 있다. 즉, 적층체(2100)의 상부면 및 하부면으로 연장 형성된 외부 전극(2500)의 일 영역과 적층체(2100) 사이에 표면 개질 부재가 마련될 수 있다. 또한, 표면 개질 부재는 그 상부에 형성되는 외부 전극(2500)보다 같거나 다른 크기로 마련될 수 있다. 예를 들어, 적층체(2100)의 상부면 및 하부면으로 연장 형성된 외부 전극(2500)의 일부의 면적보다 50% 내지 150%의 면적으로 형성될 수 있다. 즉, 표면 개질 부재는 외부 전극(2500)의 연장 영역의 크기보다 작거나 큰 크기로 형성될 수도 있고, 같은 크기로 형성될 수도 있다. 물론, 표면 개질 부재는 적층체(2100)의 측면에 형성된 외부 전극(2500)과의 사이에도 형성될 수 있다. 이러한 표면 개질 부재는 유리(glass) 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 표면 개질 부재는 소정 온도, 예를 들어 950℃ 이하에서 소성 가능한 무(無)붕규산 유리(non-borosilicate glass)(SiO2-CaO-ZnO-MgO계 유리)를 포함할 수 있다. 또한, 표면 개질 부재는 자성체 물질이 더 포함될 수 있다. 즉, 표면 개질 부재가 형성될 영역이 자성체 시트로 이루어져 있으면 표면 개질 부재와 자성체 시트의 결합을 용이하게 하기 위해 표면 개질 부재 내에 자성체 물질이 일부 포함될 수 있다. 이때, 자성체 물질은 예를 들어 NiZnCu계 자성체 분말을 포함하며, 유리 물질 100wt%에 대하여 자성체 물질이 예를 들어 1∼15wt% 포함될 수 있다. 한편, 표면 개질 부재는 적어도 일부가 적층체(2100)의 표면에 형성될 수 있다. 이때, 유리 물질은 적어도 일부가 적층체(2100) 표면에 고르게 분포될 수 있고, 적어도 일부가 서로 다른 크기로 불규칙적으로 분포될 수도 있다. 물론, 표면 개질 부재는 적층체(2100)의 표면에 연속적으로 형성되어 막 형태를 가질 수도 있다. 또한, 적층체(2100)의 적어도 일부 표면에는 오목부가 형성될 수도 있다. 즉, 유리 물질이 형성되어 볼록부가 형성되고 유리 물질이 형성되지 않은 영역의 적어도 일부가 패여 오목부가 형성될 수도 있다. 이때, 유리 물질은 적층체(2100) 표면으로부터 소정 깊이로 형성되어 적어도 일부가 적층체(2100) 표면보다 높게 형성될 수 있다. 즉, 표면 개질 부재는 적어도 일부가 적층체(2100)의 표면과 동일 평면을 이룰 수 있고, 적어도 일부가 적층체(2100)의 표면보다 높게 유지될 수 있다. 이렇게 외부 전극(2500) 형성 이전에 적층체(2100)의 일부 영역에 유리 물질을 분포시켜 표면 개질 부재를 형성함으로써 적층체(2100) 표면을 개질시킬 수 있고, 그에 따라 표면의 저항을 균일하게 할 수 있다. 따라서, 외부 전극(2500)의 형상을 제어할 수 있고, 그에 따라 외부 전극의 형성을 용이하게 할 수 있다.
2.7. 내부 전극 및 방전 전극의 구성
한편, 캐패시터부(2200, 2400)의 내부 전극들(201 내지 208)과 과전압 보호부(2300)의 방전 전극(311, 312)은 도전성 물질로 형성될 수 있는데, 예를 들어 Al, Cu, Ag, Pt, Au 등의 금속 또는 금속 합금으로 형성될 수 있다. 즉, 내부 전극들(201 내지 208)과 방전 전극(310)은 하나의 금속 또는 적어도 둘 이상의 금속 합금으로 형성될 수 있다. 물론, 내부 전극들(201 내지 208)과 방전 전극(310)은 도전성을 갖는 금속 산화물, 금속 질화물 등으로 형성될 수도 있다. 내부 전극들(201 내지 208)과 방전 전극(310)은 이러한 금속, 금속 합금 또는 금속 화합물의 페이스트를 도포하여 형성할 수 있고, 스퍼터, CVD 등의 증착 방법으로 형성할 수도 있다. 또한, 내부 전극들(201 내지 208)과 방전 전극(310)은 적층체(2100)를 이루는 성분이 포함될 수 있다. 즉, 내부 전극들(201 내지 208)과 방전 전극(310)은 도전성 물질 뿐만 아니라 시트(100)를 이루는 성분이 포함될 수 있다. 즉, MLCC 등의 유전체 재료 분말, BaTiO3, BaCO3, TiO2, Nd2O3, Bi2O3, Zn0, Al2O3 중의 하나 이상을 포함하는 물질이 포함된 도전성 물질을 이용하여 내부 전극들(201 내지 208)과 방전 전극(310)을 형성할 수 있다. 이때, 적층체 성분, 즉 시트의 성분은 20% 이하로 도전성 물질에 포함될 수 있는데, 예를 들어 시트의 성분와 도전성 물질의 혼합물을 100이라 할 때 시트 성분이 1∼20 정도 포함될 수 있다. 이렇게 시트 성분이 포함됨으로써 내부 전극들(201 내지 208)과 방전 전극(310)의 수축률을 적층체(2100)와 유사하게 할 수 있고, 전극들과 시트(100)의 결합력을 향상시킬 수 있다.
2.8. 캐패시터부와 과전압 보호부의 두께
여기서, 과전압 보호부(2300)와 캐패시터부(2200, 2400) 사이의 거리는 캐패시터부(2200, 2400) 내의 두 내부 전극 사이의 거리보다 짧거나 같을 수 있다. 즉, 과전압 보호부(2300)와 캐패시터부(2200, 2400) 사이에 위치한 제 5 및 제 7 시트(105, 107)의 각각의 두께는 캐패시터부(2200, 2400) 내의 내부 전극(200) 사이에 위치한 시트들(102 내지 104, 107 내지 110)의 두께보다 얇거나 같을 수 있다. 또한, 과전압 보호부(2300)와 캐패시터부(2200, 2400) 사이의 거리는 과전압 보호부(2300)의 두 방전 전극(310) 사이의 거리보다 짧거나 같을 수 있다. 즉, 과전압 보호부(2300)와 캐패시터부(2200, 2400) 사이에 위치한 제 5 및 제 7 시트(105, 107)의 각각의 두께는 과전압 보호 부재(320)가 형성된 제 6 시트(106)의 두께보다 얇거나 같을 수 있다. 결국, 과전압 보호부(2300)와 캐패시터부(2200, 2400) 사이에 위치한 제 5 및 제 7 시트(105, 107)의 각각의 두께는 캐패시터부(2200, 2400) 내의 내부 전극(200) 사이에 위치한 시트들(102 내지 104, 107 내지 110)의 두께보다 얇거나 같은 두께로 형성되거나, 과전압 보호부(2300)의 두 방전 전극(310) 사이의 거리(B)보다 얇거나 같은 두께로 형성될 수 있다. 즉, 과전압 보호부(2300)와 캐패시터부(2200, 2400) 사이의 거리를 A1 및 A2, 캐패시터부(2200, 2400) 내의 두 내부 전극 사이의 거리를 C1 및 C2, 그리고 과전압 보호부(2300)의 두 방전 전극(300) 사이의 거리를 B라 할 때 A1=A2≤C1=C2 또는 A1=A2≤B일 수 있다. 물론, A1과 A2, 그리고 C1과 C2는 같지 않을 수도 있다. 한편, 최하층 및 최상층의 시트, 즉 제 1 및 제 11 시트(101, 111)의 두께는 각각 10㎛ 이상 적층체(2100) 두께의 50% 이하일 수 있다. 이때, 제 1 및 제 11 시트(101, 111)의 두께를 각각 D1 및 D2라 할 때 B≤D1=D2일 수 있으며, D1과 D2가 다를 수도 있다.
한편, 본 발명의 제 1 실시 예는 적층체(2100) 내에 하나의 과전압 보호 부재(320)를 구비하는 과전압 보호부(2300)가 마련된 경우를 설명하였으나, 과전압 보호 부재(320)가 둘 이상 복수 마련될 수도 있어 과전압 보호부(2300)가 복수 마련될 수도 있다. 예를 들어, 수직 방향으로 과전압 보호 부재(320)가 적어도 둘 이상 형성되고 과전압 보호 부재(320) 사이에 방전 전극이 더 형성되어 하나의 복합 보호부(2000)가 적어도 하나의 캐패시터와 둘 이상의 과전압 보호부로 이루어질 수 있다. 또한, 캐패시터부(2200, 2400)의 내부 전극들(200)과 과전압 보호부(2300)의 방전 전극(310) 및 과전압 보호 부재(320)가 Y 방향으로 적어도 둘 이상 형성될 수 있다. 따라서, 하나의 적층체(2100) 내에 복수의 복합 보호부(2000)가 병렬로 마련될 수도 있다.
도 30은 본 발명의 일 실시 예의 복합 보호부의 과전압 보호 부재(320)의 단면 개략도이다.
도 30의 (a)에 도시된 바와 같이, 과전압 보호 부재(320)는 도전 물질과 절연 물질을 혼합하여 형성할 수 있다. 즉, 과전압 보호 부재(320)는 도전 물질과 절연 물질이 혼합된 과전압 보호 물질이 적어도 하나의 시트(100)에 형성된 관통홀의 적어도 일부에 도포되거나 매립되어 형성될 수 있다. 예를 들어, 과전압 보호 부재(320)는 도전성 세라믹과 절연성 세라믹을 혼합한 과전압 보호 물질을 이용하여 형성할 수 있다. 이 경우 과전압 보호 부재(320)는 도전성 세라믹과 절연성 세라믹을 예를 들어 10:90 내지 90:10의 혼합 비율로 혼합하여 형성할 수 있다. 절연성 세라믹의 혼합 비율이 증가할수록 방전 개시 전압이 높아지고, 도전성 세라믹의 혼합 비율이 증가할수록 방전 개시 전압이 낮아질 수 있다. 따라서, 소정의 방전 개시 전압을 얻을 수 있도록 도전성 세라믹과 절연성 세라믹의 혼합 비율을 조절할 수 있다. 이때, 과전압 보호 부재(320)에는 복수의 기공(미도시)이 형성될 수 있다. 즉, 과전압 보호 부재(320)는 다공성의 절연 물질을 이용하므로 복수의 기공이 형성될 수 있다. 기공이 형성됨으로써 ESD 전압을 더욱 용이하게 접지 단자로 바이패스시킬 수 있다.
또한, 과전압 보호 부재(300)은 도전층과 절연층을 적층하여 소정의 적층 구조로 형성할 수 있다. 즉, 과전압 보호 부재(300)은 도전층과 절연층을 적어도 1회 적층하여 도전층과 절연층이 구분되어 형성할 수 있다. 예를 들어, 과전압 보호 부재(320)는 도전층과 절연층이 적층되어 2층 구조로 형성될 수 있고, 도전층, 절연층 및 도전층이 적층되어 3층 구조로 형성될 수 있다. 또한, 도전층(321)과 절연층(322)이 복수회 반복 적층되어 3층 이상의 적층 구조로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 도 30의 (b)에 도시된 바와 같이 제 1 도전층(321a), 절연층(322) 및 제 2 도전층(321b)이 적층된 3층 구조의 과전압 보호 부재(300)이 형성될 수 있다. 한편, 도전층과 절연층을 복수회 적층하는 경우 최상층 및 최하층은 도전층이 위치할 수 있다. 이때, 도전층(321)과 절연층(322)의 적어도 일부에는 복수의 기공(미도시)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 도전층(321) 사이에 형성된 절연층(322)은 다공성 구조로 형성되므로 절연층(322) 내에 복수의 기공이 형성될 수 있다.
또한, 과전압 보호 부재(320)는 소정 영역에 공극(void)이 더 형성될 수도 있다. 예를 들어, 도전 물질과 절연 물질이 혼합된 층의 사이에 공극이 형성될 수 있고, 도전층과 절연층 사이에 공극이 형성될 수도 있다. 즉, 도전 물질과 절연 물질의 제 1 혼합층, 공극 및 제 2 혼합층이 적층 형성될 수 있고, 도전층, 공극 및 절연층이 적층 형성될 수도 있다. 예를 들어, 과전압 보호 부재(320)는 도 30의 (c)에 도시된 바와 같이 제 1 도전층(321a), 제 1 절연층(322a), 공극(323), 제 2 절연층(322b) 및 제 2 도전층(321b)이 적층되어 형성될 수 있다. 즉, 도전층(321) 사이에 절연층(322)이 형성되고, 절연층(322) 사이에 공극(323)이 형성될 수 있다. 물론, 도전층, 절연층, 공극이 반복 적층되어 과전압 보호 부재(320)가 형성될 수도 있다. 한편, 도전층(321), 절연층(322) 및 공극(323)이 적층되는 경우 이들 모두의 두께가 모두 동일할 수 있고, 적어도 어느 하나의 두께가 다른 것들에 비해 얇을 수 있다. 예를 들어, 공극(323)이 도전층(321) 및 절연층(322)보다 얇을 수 있다. 또한, 도전층(321)은 절연층(322)과 동일 두께로 형성될 수도 있고, 절연층(322)보다 두껍거나 얇게 형성될 수도 있다. 한편, 공극(323)은 고분자 물질을 충진한 후 소성 공정을 실시하여 고분자 물질을 제거함으로써 형성할 수 있다. 예를 들어, 도전성 세라믹이 포함된 제 1 고분자 물질, 절연성 세라믹이 포함된 제 2 고분자 물질, 그리고 도전성 세라믹 또는 절연성 세라믹 등이 포함되지 않은 제 3 고분자 물질을 비아홀 내에 충진한 후 소성 공정을 실시하여 고분자 물질을 제거함으로써 도전층, 절연층 및 공극이 형성될 수 있다. 한편, 공극(323)은 층이 구분되지 않고 형성될 수도 있다. 예를 들어, 도전층(321a, 321b) 사이에 절연층(322)이 형성되고 절연층(322) 내에 수직 방향 또는 수평 방향으로 복수의 기공이 연결되어 공극(323)이 형성될 수 있다. 즉, 공극(323)은 절연층(322) 내에 복수의 기공으로 형성될 수 있다. 물론, 공극(323)이 복수의 기공에 의해 도전층(321)에 형성될 수도 있다.
또한, 과전압 보호 부재(320)는 다공성 절연 물질 및 도전 물질을 포함하는 ESD 보호 물질이 홀의 일부에 도포되고 나머지 영역은 ESD 보호 물질이 도포되지 않아 공극이 형성될 수 있다. 물론, 과전압 보호 부재(320)는 관통홀 내부에 ESD 보호 물질이 형성되지 않고 도 30의 (d)에 도시된 바와 같이 두 방전 전극(311, 312) 사이에 공극(323)이 형성될 수도 있다.
한편, 과전압 보호 부재(320)에 이용되는 도전층(321)은 소정의 저항을 갖고 전류를 흐르게 할 수 있다. 예를 들어, 도전층(321)은 수Ω 내지 수백㏁을 갖는 저항체일 수 있다. 이러한 도전층(321)은 ESD 등이 과전압이 유입될 경우 에너지 레벨을 낮춰 과전압에 의한 복합 보호부의 구조적인 파괴가 일어나지 않도록 한다. 즉, 도전층(321)은 전기 에너지를 열 에너지로 변환시키는 히트 싱크(heat sink)의 역할을 한다. 이러한 도전층(321)은 도전성 세라믹을 이용하여 형성할 수 있으며, 도전성 세라믹은 La, Ni, Co, Cu, Zn, Ru, Bi 중의 하나 이상을 포함한 혼합물을 이용할 수 있다. 또한, 도전층(321)은 1㎛∼50㎛의 두께로 형성할 수 있다. 즉, 도전층(321)이 복수의 층으로 형성될 경우 전체 두께의 합이 1㎛∼50㎛로 형성될 수 있다.
또한, 과전압 보호 부재(320)에 이용되는 절연층(322)은 방전 유도 물질로 이루어질 수 있고, 다공성 구조를 가진 전기 장벽으로 기능할 수 있다. 이러한 절연층(322)은 절연성 세라믹으로 형성될 수 있고, 절연성 세라믹은 50∼25000 정도의 유전율을 갖는 강유전체 물질이 이용될 수 있다. 예를 들어, 절연성 세라믹은 MLCC 등의 유전체 재료 분말, SiO2, Fe2O3, Co3O4, BaTiO3, BaCO3, TiO2, Nd, Bi, Zn, Al2O3 중의 하나 이상을 포함한 혼합물을 이용하여 형성할 수 있다. 이러한 절연층(322)은 1㎚∼30㎛ 정도 크기의 기공이 복수 형성되어 30%∼80%의 기공률로 형성된 다공성 구조로 형성될 수 있다. 이때, 기공 사이의 최단 거리의 평균은 1㎚∼50㎛ 정도일 수 있다. 즉, 절연층(322)은 기공률이 클수록 기공 사이의 거리가 짧아지고 기공의 크기가 클수록 기공 사이의 거리가 가까울 수 있다. 절연층(322)은 전류가 흐르지 못하는 전기 절연 물질로 형성되지만, 기공이 형성되므로 기공을 통해 전류가 흐를 수 있다. 이때, 기공의 크기가 커지거나 기공률이 커질수록 방전 개시 전압이 낮아질 수 있고, 이와 반대로 기공의 크기가 작아지거나 기공률이 낮아지면 방전 개시 전압이 높아질 수 있다. 그러나, 기공의 크기가 30㎛를 초과하거나 기공률이 80%를 초과하면 과전압 보호 부재(320)의 형상 유지가 어려울 수 있다. 따라서, 과전압 보호 부재(320)의 형상을 유지하면서 방전 개시 전압을 조절하도록 절연층(322)의 기공 크기 및 기공률을 조절할 수 있다. 한편, 과전압 보호 부재(320)가 절연 물질과 도전 물질의 혼합 물질로 형성되는 경우 절연 물질은 미세 기공 및 기공률을 갖는 절연성 세라믹을 이용할 수 있다. 또한, 절연층(322)은 미세 기공에 의해 시트(100)의 저항보다 낮은 저항을 갖고, 미세 기공을 통해 부분 방전이 이루어질 수 있다. 즉, 절연층(322)은 미세 기공이 형성되어 미세 기공을 통해 부분 방전이 이루어진다. 이러한 절연층(322)은 1㎛∼50㎛의 두께로 형성할 수 있다. 즉, 절연층(322)이 복수의 층으로 형성될 경우 전체 두께의 합이 1㎛∼50㎛로 형성될 수 있다.
한편, 과전압 보호 부재(320)는 PVA(Polyvinyl Alcohol) 또는 PVB(Polyvinyl Butyral) 등의 유기물에 Ru, Pt, Pd, Ag, Au, Ni, Cr, W, Fe 등에서 선택된 적어도 하나의 도전성 물질을 혼합한 물질로 형성할 수 있다. 또한, 과전압 보호 부재(320)는 상기 혼합 물질에 ZnO 등의 바리스터 물질 또는 Al2O3 등의 절연성 세라믹 물질을 더 혼합하여 형성할 수도 있다.
상기한 바와 같은 본 발명에 따른 복합 보호부(2000)는 내부 회로(20)의 접지 단자로부터 금속 케이스 등의 도전체(10)로 전달되는 누설 전류를 차단할 수 있고, 외부로부터 도전체(10)를 통해 내부 회로(20)로 인가되는 ESD 등의 과전압을 접지 단자로 바이패스시킬 수 있다. 즉, 본 발명의 복합 보호부(2000)는 정격 전압 및 감전 전압에서는 외부 전극(2500) 사이에서 전류가 흐르지 못하고, ESD 전압에서는 과전압 보호부(2300)를 통해 전류가 흘러 ESD 전압이 접지 단자로 바이패스된다. 한편, 복합 보호부(2000)는 방전 개시 전압이 정격 전압보다 높고 ESD 전압보다 낮을 수 있다. 예를 들어, 복합 보호부(2000)는 정격 전압이 100V 내지 240V일 수 있고, 감전 전압은 회로의 동작 전압과 같거나 높을 수 있으며, 외부의 정전기 등에 의해 발생되는 ESD 전압은 감전 전압보다 높을 수 있고, 방전 개시 전압은 350V∼15kV일 수 있다. 또한, 캐패시터부(2200, 2400)에 의해 외부와 내부 회로(20) 사이에 통신 신호가 전달될 수 있다. 즉, 외부로부터의 통신 신호, 예를 들어 RF 신호는 캐패시터부(2200, 2400)에 의해 내부 회로(20)로 전달될 수 있고, 내부 회로(20)로부터의 통신 신호는 캐패시터부(2200, 2400)에 의해 외부로 전달될 수 있다. 따라서, 별도의 안테나가 마련되지 않고 금속 케이스 등의 도전체(10)를 안테나로 이용하는 경우에도 캐패시터부(2200, 2400)를 이용하여 외부와의 통신 신호를 주고받을 수 있다. 결국, 본 발명에 따른 복합 보호부(2000)는 내부 회로(20)의 접지 단자로부터 유입되는 누설 전류를 차단하고, 외부로부터 인가되는 ESD 전압을 접지 단자로 바이패스시키며, 외부와 전자기기 사이에 통신 신호를 전달할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 복합 보호부(2000)는 내압 특성이 높은 시트(100)를 복수 적층하여 캐패시터부(2200, 2400)를 형성함으로써 불량 충전기에 의한 내부 회로(20)에서 도전체(10)로의 예를 들어 310V의 감전 전압이 인가될 때 누설 전류가 흐르지 않도록 절연 저항 상태를 유지할 수 있고, 과전압 보호부(2400) 역시 도전체(10)에서 내부 회로(20)로의 ESD 전압 유입 시 ESD 전압을 바이패스시켜 소자의 파손없이 높은 절연 저항 상태를 유지할 수 있다. 즉, 과전압 보호부(2300)는 에너지 레벨을 낮춰 전기 에너지를 열 에너지로 변환시키는 도전층(310)과 다공성 구조로 이루어져 미세 기공을 통해 전류를 흐르게 하는 절연층(320)으로 이루어진 과전압 보호 부재(300)을 포함함으로써 외부로부터 유입되는 ESD 전압을 바이패스시켜 회로를 보호할 수 있다. 따라서, ESD 전압에 의해서도 절연 파괴되지 않고, 그에 따라 금속 케이스 등의 도전체(10)를 구비하는 전자기기 내에 마련되어 불량 충전기에서 발생된 누설 전류가 전자기기의 금속 케이스를 통해 사용자에게 전달되는 것을 지속적으로 방지할 수 있다. 한편, 일반적인 MLCC(Multi Layer Capacitance Circuit)는 감전 전압은 보호하지만 ESD에는 취약한 소자로 이는 반복적인 ESD 인가 시 전하 차징(Charging)에 의한 누설 포인트(Leak point)로 스파크(Spark)가 발생하여 소자 파손 현상이 발생될 수 있다. 그러나, 본 발명은 캐패시터부 사이에 도전층과 절연층을 포함하는 과전압 보호 부재가 형성됨으로써 ESD 전압을 과전압 보호 부재를 통해 패스시킴으로써 캐패시터부가 파괴되지 않는다.
또한, 본 발명에 따른 복합 보호부는 방전 전극(311, 312)와 인접한 두 내부 전극, 즉 제 4 및 제 5 내부 전극(204, 205)이 방전 전극(311, 312)과 동일 외부 전극(2500)과 연결될 수 있다. 즉, 제 1, 제 3, 제 5 및 제 7 내부 전극(201, 203, 205, 207)은 제 2 외부 전극(5200)과 연결되고, 제 2, 제 4, 제 6 및 제 8 내부 전극(202, 204, 206, 208)은 제 1 외부 전극(5100)과 연결된다. 또한, 제 1 방전 전극(311)은 제 1 외부 전극(5100)과 연결되고, 제 2 방전 전극(312)은 제 2 외부 전극(5200)과 연결된다. 따라서, 제 1 방전 전극(311)과 이와 인접한 제 4 내부 전극(204)은 제 1 외부 전극(5100)과 연결되고, 제 2 방전 전극(312)과 이와 인접한 제 5 내부 전극(205)은 제 2 외부 전극(5200)과 연결된다.
상기한 바와 같이 방전 전극(310)과 이와 인접한 내부 전극(200)이 동일 외부 전극(2500)과 연결됨으로써 시트(100)가 열화, 즉 절연 파괴되는 경우에도 ESD 전압이 전자기기 내부로 인가되지 않는다. 즉, 방전 전극(310)과 인접한 내부 전극(200)이 서로 다른 외부 전극(2500)과 연결된 경우 시트(100)가 절연 파괴되면 일 외부 전극(2500)을 통해 인가되는 ESD 전압이 방전 전극(310)과 인접한 내부 전극(200)을 통해 타 외부 전극(2500)으로 흐르게 된다. 예를 들어, 제 1 방전 전극(311)이 제 1 외부 전극(5100)과 연결되고 이와 인접한 제 4 내부 전극(204)이 제 2 외부 전극(5200)과 연결된 경우 시트(100)가 절연 파괴되면 제 1 방전 전극(311)과 제 4 내부 전극(204) 사이에 도전 경로가 형성되어 제 1 외부 전극(5100)을 통해 인가되는 ESD 전압이 제 1 방전 전극(311), 절연 파괴된 제 5 시트(105) 및 제 2 내부 전극(202)으로 흐르게 되고, 그에 따라 제 2 외부 전극(5200)을 통해 내부 회로로 인가될 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해서는 시트(100)의 두께를 두껍게 형성할 수 있지만, 이 경우 복합 보호부의 사이즈가 커지는 문제가 있다. 그러나, 방전 전극(310)과 이와 인접한 내부 전극(200)이 동일 외부 전극(2500)과 연결됨으로써 시트(100)가 절연 파괴되는 경우에도 ESD 전압이 전자기기 내부로 인가되지 않는다. 또한, 시트(100)의 두께를 두껍게 형성하지 않고도 ESD 전압이 인가되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예는 과전압 보호 부재(320)가 시트(106)에 형성된 관통홀에 ESD 보호 물질이 매립 또는 도포되어 형성되었다. 그러나, 과전압 보호 부재(320)는 시트의 소정 영역에 형성되고, 과전압 보호 부재(320)에 각각 접촉되도록 방전 전극(310)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 제 6 시트(106) 상에 두 방전 전극(311, 312)이 수평 방향으로 소정 간격 이격되어 형성되고, 두 방전 전극(311, 312) 사이에 과전압 보호 부재(320)가 형성될 수 있다. 이때, 과전압 보호 부재(320)는 두 방전 전극(311, 312)에 소정 영역 중첩되어 형성될 수 있다. 한편, 두 방전 전극(311, 312)이 수평 방향으로 이격되어 형성될 경우 과전압 보호 부재(320)는 공극일 수 있다. 즉, 두 방전 전극(311, 312)이 수평 방향으로 소정 간격 이격되고 그 사이에 방전 공간이 마련될 수 있다.
한편, 본 발명의 실시 예들에 따른 복합 보호부는 과전압 보호부(2300)의 과전압 보호 부재(320)를 적어도 하나 이상 형성할 수 있다. 즉, 외부 전극이 형성된 방향으로 과전압 보호 부재(300)을 하나 형성할 수도 있고, 외부 전극 형성 방향으로 과전압 보호 부재(320)를 둘 이상 복수로 형성할 수 있다. 이때, 이와 직교하는 방향으로도 과전압 보호 부재(320)가 복수 형성될 수 있다. 예를 들어, 동일 평면 상에 두개의 과전압 보호 부재을 형성할 수도 있고, 동일 평면 상에 세개의 과전압 보호 부재을 형성할 수도 있다. 적어도 두개 이상의 과전압 보호 부재는 방전 전극에 의해 연결될 수 있다. 또한, 네개의 과전압 보호 부재가 두개씩 상하로 나뉘어 형성될 수도 있고, 여섯개의 과전압 보호 부재가 세개씩 상하로 나뉘어 형성될 수 있다. 상하 이격되어 형성된 과전압 보호 부재들(320)은 상측 과전압 보호 부재들이 서로 연결되고 하측 과전압 보호 부재들이 서로 연결될 수 있다. 이렇게 복수의 과전압 보호 부재(320)가 형성되는 경우에도 각 과전압 보호 부재(320)는 동일 구조로 형성될 수 있고, 서로 다른 구조로 형성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 복합 보호부는 적층체(2100) 내에 수평 방향으로 복수의 캐패시터부(2200, 2400)와 복수의 과전압 보호부(2300)가 형성될 수 있다. 즉, 수직 방향으로 적층된 적어도 하나의 캐패시터부(2200, 2400)와 과전압 보호부(2300)가 수평 방향으로 적어도 둘 이상 배열되고, 수평 방향으로 배열된 적어도 둘 이상의 외부 전극(2500)와 연결됨으로써 복수의 캐패시터와 복수의 과전압 보호부로 이루어진 복수의 복합 보호부가 병렬로 마련될 수 있다. 따라서, 하나의 적층체(2100) 내에 두개 이상이 복합 보호부가 구현될 수 있다. 한편, 복수의 캐패시터부는 적어도 어느 하나의 적어도 어느 하나의 내부 전극이 다른 길이로 형성될 수 있다. 즉, 수평 방향으로 형성되어 서로 다른 캐패시터부를 이루는 복수의 내부 전극 중에서 적어도 하나의 내부 전극이 다른 내부 전극보다 짧거나 길게 형성될 수 있다. 물론, 내부 전극의 길이 뿐만 아니라 내부 전극의 중첩 면적, 내부 전극의 적층 수의 적어도 하나를 조절하여 캐패시턴스를 조절할 수 있다. 따라서, 복수의 캐패시터 중에서 적어도 어느 하나의 캐패시턴스를 다르게 할 수 있다. 즉, 하나의 적층체 내에 적어도 어느 하나가 다른 캐패시턴스를 갖는 복수의 캐패시터를 구현할 수 있다.
그리고, 도 31에 도시된 바와 같이 과전압 보호부(3000)는 둘 이상의 방전 전극(310)과, 방전 전극(310) 사이에 형성된 과전압 보호 부재(320)와, 방전 전극(310)과 과전압 보호 부재(320) 사이에 형성된 방전 유도층(330)을 포함할 수 있다. 즉, 방전 전극(310)과 과전압 보호 부재(320) 사이에 방전 유도층(330)이 더 형성될 수 있다. 이때, 방전 전극(310)은 도전층(311a, 312a)과, 도전층(311a, 312a)의 적어도 일 표면에 형성된 다공성 절연층(311b, 312b)을 포함할 수 있다. 물론, 방전 전극(310)은 표면에 다공성 절연층이 형성되지 않은 도전층일 수도 있다. 이러한 방전 유도층(330)은 과전압 보호 부재(320)를 다공성 절연 물질을 이용하여 형성하는 경우 형성될 수 있다. 이때, 방전 유도층(330)은 과전압 보호 부재(320)보다 밀도가 높은 유전체층으로 형성될 수 있다. 즉, 방전 유도층(330)은 도전 물질로 형성될 수도 있고, 절연 물질로 형성될 수도 있다. 예를 들어, 다공성 ZrO를 이용하여 과전압 보호 부재(320)를 형성하고 Al을 이용하여 방전 전극(310)을 형성하는 경우 과전압 보호 부재(320)와 방전 전극(310) 사이에 AlZrO의 방전 유도층(330)이 형성될 수 있다. 한편, 과전압 보호 부재(320)으로서 ZrO 대신에 TiO를 이용할 수 있고, 이 경우 방전 유도층(330)은 TiAlO로 형성될 수 있다. 즉, 방전 유도층(330)은 방전 전극(310)과 과전압 보호 부재(320)의 반응으로 형성될 수 있다. 물론, 방전 유도층(330)은 시트(100) 물질이 더 반응하여 형성될 수 있다. 이 경우 방전 유도층(330)은 방전 전극 물질(예를 들어 Al), 과전압 보호 부재 물질(예를 들어 ZrO), 그리고 시트 물질(예를 들어 BaTiO3)의 반응에 의해 형성될 수 있다. 또한, 방전 유도층(330)은 시트(100) 물질과 반응하여 형성될 수 있다. 즉, 과전압 보호 부재(320)가 시트(100)와 접촉되는 영역에는 과전압 보호 부재(320)와 시트(100)의 반응으로 방전 유도층(330)이 형성될 수 있다. 따라서, 방전 유도층(330)은 과전압 보호 부재(320)를 둘러싸도록 형성될 수 있다. 이때, 과전압 보호 부재(320)와 방전 전극(310) 사이의 방전 유도층(330)과 과전압 보호 부재(320)와 시트(100) 사이의 방전 유도층(330)은 서로 다른 조성을 가질 수 있다. 한편, 방전 유도층(330)은 적어도 일 영역이 제거되어 형성될 수 있고, 적어도 일 영역의 두께가 다른 영역과 다르게 형성될 수도 있다. 즉, 방전 유도층(330)은 적어도 일 영역이 제거되어 불연속적으로 형성될 수 있고, 두께가 적어도 일 영역의 두께가 다르게 불균일하게 형성될 수 있다. 이러한 방전 유도층(330)은 소성 공정 시 형성될 수 있다. 즉, 소정의 온도에서 소성 공정 시 방전 전극 물질, ESD 보호 물질 등이 상호 확산하여 방전 전극(310)과 과전압 보호 부재(320) 사이에 방전 유도층(330)이 형성될 수 있다. 한편, 방전 유도층(330)은 과전압 보호 부재(320) 두께의 10%∼70%의 두께로 형성될 수 있다. 즉, 과전압 보호 부재(320)의 일부 두께가 방전 유도층(330)으로 변화될 수 있다. 따라서, 방전 유도층(330)은 과전압 보호 부재(320)보다 얇게 형성될 수 있고, 방전 전극(310)보다 두껍거나 같거나 얇은 두께로 형성될 수 있다. 이러한 방전 유도층(330)에 의해 ESD 전압이 과전압 보호 부재(320)으로 유도되거나 과전압 보호 부재(320)으로 유도되는 방전 에너지의 레벨을 저하시킬 수 있다. 따라서, ESD 전압을 더욱 용이하게 방전하여 방전 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 방전 유도층(330)이 형성됨으로써 이종의 물질의 과전압 보호 부재(320)으로의 확산을 방지할 수 있다. 즉, 시트 물질과 방전 전극 물질의 과전압 보호 부재(320)으로의 확산을 방지할 수 있고, 과전압 보호 부재 물질의 외부 확산을 방지할 수 있다. 따라서, 방전 유도층(330)이 확산 배리어(diffusion barrier)로서 이용될 수 있고, 그에 따라 과전압 보호 부재(320)의 파괴를 방지할 수 있다. 한편, 과전압 보호 부재(320)에 도전성 물질을 더 포함할 수 있는데, 이 경우 도전성 물질은 절연성 세라믹으로 코팅할 수 있다. 예를 들어, 과전압 보호 부재(320)가 다공성 절연 물질과 도전성 물질이 혼합되어 형성되는 경우 도전 물질은 NiO, CuO, WO 등을 이용하여 코팅할 수 있다. 따라서, 도전성 물질이 다공성 절연 물질과 함께 ESD 보호층(320)의 재료로서 이용될 수 있다. 또한, 과전압 보호 부재(320)으로 다공성의 절연 물질 이외에 도전 물질을 더 이용하는 경우, 예를 들어 두개의 도전층(321a, 321b) 사이에 절연층(322)이 형성되는 경우 방전 유도층(330)은 도전층(321)과 절연층(322) 사이에 형성될 수 있다. 한편, 방전 전극(310)은 도 30에 도시된 바와 같이 일부 영역이 제거된 형상으로 형성될 수 있다. 즉, 방전 전극(310)은 부분적으로 제거되고 제거된 영역에 방전 유도층(330)이 형성될 수 있다. 그러나, 방전 전극(310)이 부분적으로 제거되더라도 평면 상으로 전체적으로 연결된 형상을 유지하므로 전기적인 특성이 저하되지는 않는다. 물론, 내부 전극(200) 또한 부분적으로 제거된 영역이 존재할 수 있지만, 이 경우에도 전기적 특성이 저하되지 않는다.
한편, 본 발명의 실시 예들에 따른 복합 보호부(2000)는 과전압 보호 부재(320)를 구비하는 과전압 보호부(2300)를 포함하였다. 그러나, 복합 보호부(2000)는 배리스터 물질, MLCC 물질, LTCC, HTCC, 압전체, 자성체 중 적어도 일부를 이용할 수 있고, 과도 전압을 차단할 수 있는 다양한 형태로 제작될 수 있다. 즉, 복합 보호부(2000)의 적층체를 이루는 시트가 상기 물질의 일부일 수 있고, 과전압 보호부의 적어도 일부가 상기 물질의 적어도 일부를 포함할 수 있다. 예를 들어, 복합 보호부(2000)는 소정 전압 미만에서는 절연 상태를 유지하고, 소정 전압 이상에서는 도통 상태를 유지할 수 있는 배리스터, 다이오드 등으로 구현될 수 있다. 즉, 복합 보호부(2000)는 항복 전압이 정격 전압보다 높고 ESD 전압보다 낮은 배리스터로 이루어질 수 있다. 이를 위해 복합 보호부(2000)는 배리스터 물질로 이루어진 복수의 시트와 복수의 내부 전극이 적층된 구조로 이루어질 수 있다. 따라서, 항복 전압 미만에서는 캐패시터로 동작하고 항복 전압 이상에서는 배리스터로 동작할 수 있다. 물론, 배리스터부와 캐패시터부가 적층되어 복합 보호부(2000)가 구현될 수도 있다. 즉, 본 발명의 상기 실시 예들에서 설명한 과전압 보호부(2300)가 과전압 보호 부재(320)를 구비하지 않고 배리스터 물질로 형성될 수 있다. 물론, 복합 보호부(2000)의 표면이 상기 물질의 적어도 일부로 형성될 수도 있다.
본 발명은 상기에서 서술된 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있다. 즉, 상기의 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명의 범위는 본원의 특허 청구 범위에 의해서 이해되어야 한다.
1000 : 컨택부 2000 : 복합 보호부
3000 : 완충 부재 4000 : 실장부

Claims (15)

  1. 전자기기의 사용자가 접촉 가능한 도전체와 상기 전자기기의 내부 회로 사이에 마련 가능한 감전 방지 컨택터로서,
    상기 도전체와 접촉 가능한 컨택부; 및
    적어도 일 영역이 상기 내부 회로에 실장 가능한 복합 보호부를 포함하며,
    상기 컨택부는 적어도 일부가 상기 내부 회로에 실장 가능하고,
    상기 컨택부와 상기 복합 보호부는 상기 내부 회로를 통해 전기적으로 연결 가능한 컨택터.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 컨택부는 전도성 고무, 전도성 실리콘, 내부에 전도성 도선이 삽입된 탄성체, 표면이 도체로 코팅 또는 접합된 탄성체 중 어느 하나를 포함하는 컨택터.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 컨택부는 적어도 일 영역에 형성된 개구를 포함하고, 상기 복합 보호부가 상기 개구 내에 마련된 컨택터.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 컨택부는 적어도 일부가 상기 복합 보호부의 측면을 따라 하측으로 연장 형성되어 상기 내부 회로에 실장되는 컨택터.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 복합 보호부 및 상기 컨택부가 전기적으로 접촉되는 실장부를 더 포함하는 컨택터.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 컨택부와 전기적으로 연결되고 상기 복합 보호부와 전기적으로 절연되어 적어도 일부가 상기 내부 회로에 실장되는 완충 부재를 더 포함하는 컨택터.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 복합 보호부 및 상기 완충 부재가 전기적으로 접촉되며, 상기 내부 회로 상에 실장되는 실장부를 더 포함하는 컨택터.
  8. 청구항 5에 있어서, 상기 실장부는,
    절연층과,
    상기 절연층의 일면에 형성되며, 상기 복합 보호부와 상기 컨택터 또는 완충 부재가 접촉되는 도전 패드와,
    상기 절연층의 타면에 형성되며 상기 내부 회로에 실장되는 도전층을 포함하는 컨택터.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 도전 패드는 상기 복합 보호부의 제 1 외부 전극이 접촉되는 제 1 도전 패드와, 상기 복합 보호부의 제 2 외부 전극과 상기 컨택터 또는 완충 부재가 각각 접촉되는 제 2 도전 패드를 포함하는 컨택터.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 절연층 내에 형성되며, 상기 제 1 도전 패드와 상기 도전층을 연결하는 도전성 비아를 더 포함하는 컨택터.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 복합 보호부와 대향되어 상기 컨택부 상에 마련된 접촉부를 더 포함하는 컨택터.
  12. 사용자가 접촉 가능한 도전체와 내부 회로를 포함하는 전자기기로서,
    상기 도전체와 상기 내부 회로 사이에 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항 기재의 컨택터가 마련된 전자기기.
  13. 청구항 12에 있어서, 상기 내부 회로는 상기 복합 보호부의 일 영역이 실장되는 제 1 실장 영역과, 상기 복합 보호부의 타 영역과 상기 컨택부가 실장되는 제 2 실장 영역을 포함하는 전자기기.
  14. 청구항 12에 있어서, 상기 내부 회로는 상기 복합 보호부의 일 영역 및 타 영역이 각각 실장되는 제 1 및 제 2 실장 영역과, 상기 컨택부가 실장되는 제 3 및 제 4 실장 영역을 포함하고, 상기 제 3 및 제 4 실장 영역은 상기 제 1 또는 제 2 실장 영역과 연결된 전자기기.
  15. 청구항 14에 있어서, 상기 복합 보호부가 실장된 두 실장 영역 중에서 상기 컨택부와 연결되지 않은 일 실장 영역이 접지 단자와 연결된 전자기기.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4618361B2 (ja) * 2008-10-21 2011-01-26 Ｔｄｋ株式会社 積層コンデンサの製造方法
KR200449179Y1 (ko) * 2009-12-31 2010-06-22 주식회사 협진아이엔씨 휴대폰용 접속단자
KR101366212B1 (ko) * 2012-09-26 2014-02-24 대일티앤씨 주식회사 터미널 콘택트

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101585604B1 (ko) 2015-07-01 2016-01-14 주식회사 아모텍 감전보호용 컨택터 및 이를 구비한 휴대용 전자장치

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