KR101796519B1

KR101796519B1 - Circuit board and circuit board assembly

Info

Publication number: KR101796519B1
Application number: KR1020170078558A
Authority: KR
Inventors: 민태홍; 강명삼; 이정한; 고영관
Original assignee: 삼성전기주식회사
Priority date: 2014-05-16
Filing date: 2017-06-21
Publication date: 2017-11-15
Also published as: KR20170074836A; KR20150131933A

Abstract

열전도성 물질로 이루어지며, 적어도 일부가 절연부에 삽입되는 제1 열전달
용 구조체; 상기 제1 열전달용 구조체에 일면이 접촉되는 제1 비아; 상기 제1 비아의 타면이 접촉되는 제1 금속패턴; 및 상기 제1 금속패턴에 연결되는 제1 결합부재;를 포함하며, 방열성능 향상, 경박단소화, 신뢰성 향상, 노이즈 감소, 제조효율 향상 중 적어도 하나가 가능한 회로기판이 개시된다.A first heat transfer member made of a thermally conductive material, at least a part of which is inserted into the insulating portion,
; A first via contacting one surface of the first heat transfer structure; A first metal pattern to which the other surface of the first via contacts; And a first coupling member connected to the first metal pattern, wherein a circuit board capable of at least one of heat radiation performance improvement, light weight reduction, reliability improvement, noise reduction, and manufacturing efficiency improvement is disclosed.

Description

CIRCUIT BOARD AND CIRCUIT BOARD ASSEMBLY BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명의 일실시예는 회로기판 및 회로기판 조립체에 관련된다.One embodiment of the invention relates to circuit boards and circuit board assemblies.

전자기기의 경량화, 소형화, 고속화, 다기능화, 고성능화 추세에 대응하기Responding to trends in weight reduction, miniaturization, speedup, multi-function, and high performance of electronic devices

위하여 인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB) 등의 회로기판에 복수의 배선층을 형성하는 이른바 다층기판 기술들이 개발되었으며, 더 나아가, 능동소자나 수동소자 등의 전자부품을 다층기판에 탑재하는 기술도 개발되었다.Called multi-layer substrate technologies for forming a plurality of wiring layers on a circuit board such as a printed circuit board (PCB) have been developed. Further, a technology for mounting electronic components such as active elements and passive elements on a multi- Developed.

한편, 다층기판에 연결되는 어플리케이션 프로세서(Application processor; AP)등이 다기능화 및 고성능화 됨에 따라, 발열량이 현저하게 증가되고 있는 실정이다.Meanwhile, as application processors (APs) and the like connected to the multilayer substrate are made multifunctional and have high performance, the amount of heat generated is remarkably increased.

KR 10-0976201 B1KR 10-0976201 B1 JP 2000-349435 A1JP 2000-349435 A1 JP 1999-284300 A1JP 1999-284300 A1

본 발명의 예시적인 실시예에 따른 회로기판은 제1 열전달용 구조체를 포함하며, 제1 열전달용 구조체는 열전도성이 높은 재질로 이루어진다.A circuit board according to an exemplary embodiment of the present invention includes a first heat transfer structure, and the first heat transfer structure is made of a material having high thermal conductivity.

일실시예에서, 제1 열전달용 구조체는 구리 등의 금속재질 로 이루어질 수 있고, 다른 실시예에서, 제1 열전달용 구조체는 흑연, 그라파이트, 그래핀 등 열전도성이 높은 비금속 재질로 이루어질 수 있다.In one embodiment, the first heat transfer structure may be made of a metal such as copper, and in another embodiment, the first heat transfer structure may be made of a non-metallic material having high thermal conductivity such as graphite, graphite, or graphene.

한편, 제1 열전달용 구조체의 표면에는 밀착력 향상부가 구비되어 절연부와의 밀착성을 향상시킬 수 있다.On the other hand, the surface of the first heat transfer structure may be provided with an adhesion enhancing portion to improve adhesion with the insulating portion.

본 발명의 일실시예에 따르면, 회로기판의 경박단소화와 더불어 방열성능이 향상된다.According to an embodiment of the present invention, heat dissipation performance is improved in addition to light weight shortening of a circuit board.

또한, 회로기판의 신뢰성을 확보하면서도 방열성능을 향상시킬 수 있으므로, 전자제품의 고성능화로 인한 발열 문제에 효과적으로 대응할 수 있다.In addition, since the heat radiation performance can be improved while ensuring the reliability of the circuit board, it is possible to effectively cope with the heat generation problem due to the high performance of the electronic product.

또한, 일실시예에서 전원노이즈 등의 문제를 감소시키면서도 핫스팟 등 국지적 영역의 발열로 인한 문제를 해결할 수 있다.In addition, in one embodiment, it is possible to solve the problem caused by heat generation in a local area such as a hot spot while reducing problems such as power supply noise and the like.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판을 개략적으로 예시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 회로기판을 개략적으로 예시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판의 평면형상을 개략적으로 예시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판을 개략적으로 예시한 수평단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 회로기판을 개략적으로 예시한 수평단면도이다.
도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판의 주요부를 개략적으로 예시한 부분발췌단면도이다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 제2 열전달용 구조체를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 열전달용 구조체를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제2 열전달용 구조체를 설명하기 위한 도면이다.
도 10a는 열전달용 구조체의 표면에 프라이머층을 구비한 상태에서 리플로우 테스트를 수행한 결과를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 10b는 열전달용 구조체의 표면에 프라이머층을 구비한 상태에서 솔더팟 테스트를 수행한 결과를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 11a는 열전달용 구조체에 직접 절연부를 접촉시킨 상태에서 리플로우 테스트를 수행한 결과를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 11b는 열전달용 구조체에 직접 절연부를 접촉시킨 상태에서 솔더팟 테스트를 수행한 결과를 개략적으로 예시한 도면이다.
도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 열전달용 구조체의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 열전달용 구조체의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 코어부를 처리하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.1 is a cross-sectional view schematically illustrating a circuit board according to an embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view schematically illustrating a circuit board according to another embodiment of the present invention.
3 is a schematic view illustrating a planar shape of a circuit board according to an embodiment of the present invention.
4 is a horizontal cross-sectional view schematically illustrating a circuit board according to an embodiment of the present invention.
5 is a horizontal cross-sectional view schematically illustrating a circuit board according to another embodiment of the present invention.
6 is a partially cutaway cross-sectional view schematically illustrating a major portion of a circuit board according to an embodiment of the present invention.
7 is a view for explaining a second heat transfer structure according to an embodiment of the present invention.
8 is a view for explaining a second heat transfer structure according to another embodiment of the present invention.
9 is a view for explaining a second heat transfer structure according to another embodiment of the present invention.
10A is a schematic view illustrating a result of performing a reflow test in a state where a primer layer is provided on a surface of a heat-conducting structure.
10B is a schematic view illustrating a result of performing a solder pot test in a state where a primer layer is provided on a surface of a heat transfer structure.
11A is a schematic view illustrating a result of performing a reflow test in a state where an insulation portion is directly in contact with a heat-conducting structure.
FIG. 11B is a schematic view illustrating a result of conducting a solder pot test in a state where an insulation portion is directly in contact with a heat-conducting structure.
12 is a view illustrating a manufacturing process of a heat transfer structure according to an embodiment of the present invention.
13 is a view for explaining a manufacturing process of a heat transfer structure according to another embodiment of the present invention.
14 is a view for explaining a process of processing a core according to an embodiment of the present invention.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성 및 작용효과를 더욱 상세하게 설명한다.Hereinafter, the configuration and operation effects of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판(100)을 개략적으로 예시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 회로기판(100)을 개략적으로 예시한 단면도이며, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판(100)의 평면형상을 개략적으로 예시한 도면이고, 도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판(100)을 개략적으로 예시한 수평단면도이며, 도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 회로기판(100)을 개략적으로 예시한 수평단면도이고, 도 6은 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판(100)의 주요부를 개략적으로 예시한 부분발췌단면도이며, 도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 제2 열전달용 구조체를 설명하기 위한 도면이고, 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제2 열전달용 구조체를 설명하기 위한 도면이며, 도 9는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제2 열전달용 구조체를 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a circuit board 100 according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a circuit board 100 according to another embodiment of the present invention, and FIG. 3 4 is a horizontal cross-sectional view schematically illustrating a circuit board 100 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view of a circuit board 100 according to an embodiment of the present invention. 5 is a horizontal cross-sectional view schematically illustrating a circuit board 100 according to another embodiment of the present invention. FIG. 6 is a partial cross-sectional view schematically illustrating a main portion of a circuit board 100 according to an embodiment of the present invention. FIG. 7 is a view for explaining a second heat transfer structure according to an embodiment of the present invention, FIG. 8 is a view for explaining a second heat transfer structure according to another embodiment of the present invention, and FIG. 9 is a cross-sectional view of another embodiment of the present invention 2 is a view for explaining a structure for heat transfer.

본 발명의 일실시예에 따른 회로기판(100)은 제1 열전달용 구조체(110)를 포함하며, 제1 열전달용 구조체(110)는 적어도 일부가 절연부(120)에 삽입된다. 이때, 제1 열전달용 구조체(110)는 열전도성이 높은 재료로 이루어진다. 그리고, 제1 열전달용 구조체(110)는 덩어리 형상으로 이루어진다. 일실시예에서, 제1 열전달용 구조체(110)는 상면과 하면을 포함하는 원기둥 또는 다각기둥 형상으로 이루어질 수 있다. 또한, 제1 열전달용 구조체(110)는 구리(Cu) 등의 금속재질로 이루어질 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 열전달용 구조체(110)는 흑연, 그라파이트, 그래핀 등 열전도성이 높은 비금속 재질로 이루어질 수 있다.The circuit board 100 according to an embodiment of the present invention includes a first heat transfer structure 110 and at least a portion of the first heat transfer structure 110 is inserted into the insulation portion 120. At this time, the first heat transfer structure 110 is made of a material having high thermal conductivity. The first heat transfer structure 110 is formed in a lump shape. In one embodiment, the first heat transfer structure 110 may have a cylindrical or polygonal shape including an upper surface and a lower surface. In addition, the first heat transfer structure 110 may be made of a metal such as copper (Cu). In another embodiment, the first heat transfer structure 110 may be made of a non-metallic material having high thermal conductivity such as graphite, graphite, or graphene.

일실시예에서, 절연부(120)는 한 개의 절연층으로 이루어지거나, 복수의 절연층으로 이루어진다. 여기서, 도 1에는 절연부(120)가 3개의 절연층(10, 121, 121')으로 이루어지고, 중심부에 위치되는 절연층이 코어부(10)인 경우가 예시되어 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.In one embodiment, the insulating portion 120 is formed of one insulating layer or a plurality of insulating layers. 1 illustrates the case where the insulating part 120 is formed of three insulating layers 10, 121 and 121 'and the insulating layer positioned at the center part is the core part 10. However, no.

일실시예에서, 제1 열전달용 구조체(110)는 절연부(120)의 중간에 위치된다. 도시된 바와 같이 코어부(10)가 구비된 경우, 코어부(10)를 관통하는 캐비티(C1)가 형성되어 캐비티(C1) 내에 제1 열전달용 구조체(110)가 삽입될 수 있다. In one embodiment, the first heat transfer structure 110 is located in the middle of the insulation portion 120. As shown in the figure, when the core part 10 is provided, the cavity C1 passing through the core part 10 is formed and the first heat transfer structure 110 can be inserted into the cavity C1.

일실시예에서, 절연부(120)에 형성되는 비아가 제1 열전달용 구조체(110)에 접촉될 수 있다. 이하에서는, 제1 열전달용 구조체(110)의 상부에 위치하는 비아를 제1 비아(V1), 하부에 위치하는 비아를 제2 비아(V2)라 칭한다. 이때, 절연부(120)에는 적어도 하나의 금속패턴이 구비될 수 있으며, 이하에서는, 제1 비아(V1)에 접촉되는 금속패턴을 제1 금속패턴(131), 제2 비아(V2)에 접촉되는 금속패턴을 제2 금속패턴(141)이라 칭한다. 또한, 절연부(120)에는 제4 비아(V4) 및 제5 비아(V5)가 구비될 수 있으며, 제4 비아(V4)의 일단에 접촉되는 금속패턴을 제3 금속패턴(133), 제5 비아(V5)의 타단에 접촉되는 금속패턴을 제4 금속패턴(142)이라 칭한다.In one embodiment, the vias formed in the insulating portion 120 may contact the first heat transfer structure 110. Hereinafter, the vias located above the first heat transfer structure 110 will be referred to as a first via V1 and the vias located below the second via V2 will be referred to as a second via V2. Hereinafter, a metal pattern that is in contact with the first via V1 is referred to as a first metal pattern 131, a second via V2 is contacted with the metal pattern, Is referred to as a second metal pattern 141. The insulating portion 120 may include a fourth via hole V4 and a fifth via hole V5. The metal pattern that contacts one end of the fourth via hole V4 may include a third metal pattern 133, 5 The metal pattern which is in contact with the other end of the via V5 is referred to as a fourth metal pattern 142. [

일실시예에서, 제1 열전달용 구조체(110)는 열을 머금는 기능을 수행할 수 있으며, 이러한 기능은 제1 열전달용 구조체(110)의 부피가 클수록 증가한다. 따라서, 도 1 등에 도시된 바와 같이, 제1 열전달용 구조체(110)는 기둥 형상으로 이루어질 수 있다. 이렇게 기둥 형상으로 이루어짐에 따라, 하면의 면적이 동일하다면 제1 열전달용 구조체(110)의 체적을 최대화할 수 있다. 그리고, 제1 열전달용 구조체(110)의 하면 및 상면 형상이 다각형 특히 사각형을 이루게 되면, 제1 열전달용 구조체(110)의 하면 및 상면 형상이 원형이나 타원형인 경우에 비하여 제1 전자부품(500)의 소형화 추세나 회로기판(100)의 소형화, 패턴 피치의 미세화 등에 부응할 수 있다. 또한, 도시된 바와 같이, 제1 열전달용 구조체(110)는 제1 비아(V1) 내지 제7 비아(V7)와 같은 일반적인 비아에 비하여 체적이 월등히 크다. 따라서, 제1 열전달용 구조체(110)의 표면, 특히 상면이나 하면에는 비아가 복수 개 접촉될 수 있다. 즉, 제1 열전달용 구조체(110)의 상면 및 하면의 면적 자체가 통상의 비아들보다는 클 뿐만 아니라, 전체 체적 또한 2배 이상 크다는 것이다. 이에 따라, 열원으로부터 열을 신속하게 흡수하여, 제1 열전달용 구조체(110)와 연결된 다른 경로로 분산시킬 수 있다. 또한, 제1 열전달용 구조체(110)의 두께를 증가시키면 제1 열전달용 구조체(110)와 핫스팟 사이의 거리가 감소되어 핫스팟의 열이 제1 열전달용 구조체(110)로 이동되는 시간이 더 단축될 수 있다.In one embodiment, the first heat transfer structure 110 may function to heat the heat, and this function increases as the volume of the first heat transfer structure 110 increases. Therefore, as shown in FIG. 1 and the like, the first heat transfer structure 110 may have a columnar shape. As a result, the volume of the first heat transfer structure 110 can be maximized if the area of the bottom surface is the same. If the lower surface and the upper surface of the first heat transfer structure 110 are polygonal, particularly quadrilateral, the lower surface and the upper surface of the first heat transfer structure 110 are circular or elliptical, ), Miniaturization of the circuit board 100, miniaturization of the pattern pitch, and the like. Also, as shown in the drawing, the first heat transfer structure 110 is much larger in volume than general vias such as the first vias V1 through the seventh vias V7. Therefore, a plurality of vias may be brought into contact with the surface of the first heat transfer structure 110, particularly, the upper surface or the lower surface. That is, the top surface and the bottom surface of the first heat transfer structure 110 are not only larger than ordinary vias but also have a total volume of two times or more. Accordingly, the heat can be quickly absorbed from the heat source, and can be dispersed into another path connected to the first heat transfer structure 110. Further, if the thickness of the first heat transfer structure 110 is increased, the distance between the first heat transfer structure 110 and the hot spot is reduced, and the time required for the heat of the hot spot to move to the first heat transfer structure 110 is shortened .

일실시예에서, 회로기판(100)의 일방에는 제1 전자부품(500)이 실장될 수 있다. 또한, 회로기판(100)은 메인보드 등 부가기판(800)의 일방에 실장될 수 있다. 여기서, 제1 전자부품(500)은 어플리케이션 프로세서(Application Processor;AP) 등의 부품일 수 있으며, 동작시 열이 발생될 수 있다.In one embodiment, the first electronic component 500 may be mounted on one side of the circuit board 100. In addition, the circuit board 100 may be mounted on one side of the additional board 800 such as a main board. Here, the first electronic component 500 may be a component such as an application processor (AP), and may generate heat during operation.

한편, 제1 전자부품(500)이 동작함에 따라 열이 발생되는데, 제1 전자부품(500)에서 발생된 열을 감지해보면, 다른 영역에 비하여 상대적으로 발열이 심해서 온도가 높게 측정되는 영역이 존재한다. 이러한 영역을 핫스팟(Hot spot)이라 칭하기도 한다. 이러한 핫스팟은 회로기판(100) 중 소정의 영역에 형성될 수 있으며, 특히 제1 전자부품(500) 한 지점 또는 복수의 지점을 중심으로 핫스팟이 형성될 수 있다. 또한, 이러한 핫스팟은 제1 전자부품(500)의 전원단자 부근이나, 스위칭 소자가 상대적으로 밀집된 영역에 형성되기도 한다.When the first electronic component 500 is operated, heat is generated. When the heat generated in the first electronic component 500 is sensed, a region where the temperature is relatively high is measured because the heat is relatively heavier than other regions do. These areas are also referred to as hot spots. Such a hot spot may be formed in a predetermined area of the circuit board 100, and in particular, a hot spot may be formed around one point or a plurality of points of the first electronic part 500. Such a hot spot may be formed in the vicinity of the power supply terminal of the first electronic component 500, or in a region where the switching elements are relatively densely packed.

다른 한편으로, 제1 전자부품(500)은 상대적으로 고성능 스펙을 갖는 영역과, 상대적으로 저성능 스펙을 갖는 영역을 각각 포함할 수 있다. 예컨대, 클럭 스피드(Clock Speed)가 1.8GHz인 코어들이 연결된 프로세서와 클럭 스피드가 1.2GHz인 코어들이 연결된 프로세서가 제1 전자부품(500)에서 영역을 달리하여 구비될 수 있다는 것이다. 도 3을 참조하면, 일실시예에서, 제1 전자부품(500)은 제1 단위영역(510) 및 제2 단위영역(520)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 단위영역(510)은 제2 단위영역(520)에 비해서 더 빠른 스피드로 연산과정을 수행하게 되며, 이에 따라, 제1 단위영역(510)은 제2 단위영역(520)보다 더 많은 전력을 소모하게 되고, 또한, 제1 단위영역(510)은 제2 단위영역(520)보다 더 많은 열을 발생시킬 수 있다.On the other hand, the first electronic component 500 may include a region having a relatively high performance specification and an area having a relatively low performance specification, respectively. For example, a processor to which cores with clock speeds of 1.8 GHz are connected and a processor to which cores with a clock speed of 1.2 GHz are connected may be provided in different areas in the first electronic component 500. Referring to FIG. 3, in one embodiment, the first electronic component 500 may include a first unit area 510 and a second unit area 520. At this time, the first unit area 510 performs a calculation process at a speed higher than that of the second unit area 520, so that the first unit area 510 has a higher speed than the second unit area 520 And the first unit area 510 can generate more heat than the second unit area 520. In addition,

본 발명의 일실시예에 따른 회로기판(100)은 핫스팟에 인접한 영역에 제1 열전달용 구조체(110)가 위치한다. 이에 따라, 핫스팟에서 발생된 열을 신속하게 전달받고, 회로기판(100)의 다른 영역이나, 회로기판(100)이 결합되는 메인보드(예컨대, 도 1의 부가기판(800)) 등의 다른 디바이스로 열을 신속하게 분산시킬 수 있다.In the circuit board 100 according to an embodiment of the present invention, the first heat transfer structure 110 is located in an area adjacent to the hot spot. Accordingly, the heat generated in the hot spot is quickly received, and heat is transferred to other areas of the circuit board 100 or other devices such as a main board (for example, the additional board 800 in FIG. 1) to which the circuit board 100 is coupled The heat can be dispersed quickly.

일실시예에서, 제1 열전달용 구조체(110)의 적어도 일부는 제1 전자부품(500)의 수직 하방 영역에 위치한다.In one embodiment, at least a portion of the first heat transfer structure 110 is located in a region below the first electronic component 500 vertically.

한편, 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판(100)에는 제2 전자부품(200)이 더 구비될 수 있다. 이때, 캐패시터, 인덕터, 저항 등의 소자가 제2 전자부품(200)에 해당될 수 있다.Meanwhile, the circuit board 100 according to an embodiment of the present invention may further include a second electronic component 200. At this time, elements such as a capacitor, an inductor, and a resistor may correspond to the second electronic component 200.

제1 전자부품(500)이 어플리케이션 프로세서인 경우, 전원 노이즈를 감소시키기 위해서 캐패시터 등이 제1 전자부품(500)과 연결될 수 있다. 이때, 캐패시터와 제1 전자부품(500) 사이의 경로가 짧아질수록 전원 노이즈의 감소 효과가 증대된다.When the first electronic component 500 is an application processor, a capacitor or the like may be connected to the first electronic component 500 to reduce power supply noise. At this time, as the path between the capacitor and the first electronic component 500 is shortened, the effect of reducing power supply noise is increased.

따라서, 제2 전자부품(200)의 적어도 일부는 제1 전자부품(500)의 수직 하방 영역에 위치될 수 있고, 이에 따라, 전원 노이즈의 감소 효과를 높일 수 있다.Therefore, at least a part of the second electronic component 200 can be located in a region below the first electronic component 500 in the vertical direction, thereby increasing the effect of reducing the power supply noise.

일실시예에서, 제1 전자부품(500) 수직 하방 영역에 제1 열전달용 구조체(110)의 대부분이 위치될 수 있다. 또한, 제1 열전달용 구조체(110) 상면의 면적은 제1 전자부품(500) 상면의 면적보다 작을 수 있다. 더 나아가, 제1 열전달용 구조체(110) 상면의 면적은 제1 전자부품(500)의 핫스팟 영역의 너비에 대응되도록 결정될 수 있다.In one embodiment, most of the first heat transfer structure 110 may be located in a region below the first electronic component 500 vertically. The area of the upper surface of the first heat transfer structure 110 may be smaller than the area of the upper surface of the first electronic component 500. Further, the area of the upper surface of the first heat transfer structure 110 may be determined so as to correspond to the width of the hot spot region of the first electronic component 500.

이에 따라, 핫스팟의 열이 제1 열전달용 구조체(110)로 신속하게 이동될 수 있다. 또한, 회로기판(100)의 경량화 및 워피지 감소에 유리하다. 그뿐만 아니라, 제1 열전달용 구조체(110)를 회로기판(100)에 배치시키는 공정의 효율성이 향상될 수 있다.As a result, the heat of the hot spot can be quickly transferred to the first heat transfer structure 110. Further, it is advantageous in reducing the weight of the circuit board 100 and reducing the warpage. In addition, the efficiency of the step of disposing the first heat transfer structure 110 on the circuit board 100 can be improved.

한편, 제1 전자부품(500)의 수직 하방 영역에 제2 전자부품(200)의 대부분이 위치될 수 있다. 이때, 제1 전자부품(500)의 수직 하방 영역 중에서, 전술한 제1 열전달용 구조체(110)가 위치하지 않는 영역에 제2 전자부품(200)이 위치될 수 있다. 또한, 제1 열전달용 구조체(110)는 제2 전자부품(200)에 비하여 핫스팟에 가까운 영역에 위치될 수 있다.On the other hand, most of the second electronic component 200 can be positioned in a region below the first electronic component 500 in the vertical direction. At this time, the second electronic component 200 may be positioned in a region of the first electronic component 500 that is not vertically below the first heat transfer structure 110. Also, the first heat transfer structure 110 may be located in a region closer to the hot spot than the second electronic component 200. [

도 1 내지 도 4를 참조하면, 코어부(10)에 구비된 캐비티(C1, C2)들 내부에 제1 열전달용 구조체(110)들과 제2 전자부품(200)들이 삽입될 수 있음이 이해될 수 있을 것이다. 즉, 코어부(10)에 제1 캐비티(C1) 및 제2 캐비티(C2)가 구비되어, 제1 캐비티(C1)에는 제1 열전달용 구조체(110)가 삽입되며, 제2 캐비티(C2)에는 제2 전자부품(200)이 삽입될 수 있다는 것이다. 또한, 제1 전자부품(500)의 수직 하방 영역에서 제1 열전달용 구조체(110)들과 제2 전자부품(200)들이 인접되게 배치될 수 있으며, 특히 제1 열전달용 구조체(110)들은 도 3에 예시된 핫스팟 부근에 집중적으로 배치될 수 있음이 이해될 수 있을 것이다. 한편, 도 5에는 절연부(120)에 코어부(10)가 없는 경우의 평면형상이 개략적으로 예시되어 있다.1 to 4, it is understood that the first heat transfer structures 110 and the second electronic components 200 may be inserted into the cavities C1 and C2 provided in the core portion 10, . That is, the first cavity C1 and the second cavity C2 are provided in the core portion 10, the first heat transfer structure 110 is inserted into the first cavity C1, The second electronic component 200 can be inserted. In addition, the first heat transfer structures 110 and the second electronic components 200 may be disposed adjacent to each other in a region below the first electronic component 500, It will be understood that the present invention can be concentratedly disposed in the vicinity of the hot spot illustrated in FIG. On the other hand, FIG. 5 schematically illustrates a planar shape in the case where the core portion 10 is not provided in the insulating portion 120.

이에 따라, 제2 전자부품(200)에 의한 전원 노이즈 감소 효과를 최대화하면서도 핫스팟의 열을 신속하게 이동시킬 수 있다.As a result, the heat of the hot spot can be quickly moved while maximizing the power noise reduction effect of the second electronic component 200.

일실시예에서, 제1 전자부품(500)은 솔더(S) 등에 의하여 회로기판(100)에 결합될 수 있다. 이때, 제1 전자부품(500)은 솔더(S)에 의하여 전술한 제1 금속패턴(131), 제3 금속패턴(133), 제7 금속패턴(134) 등에 결합될 수 있다.In one embodiment, the first electronic component 500 may be coupled to the circuit board 100 by solder S or the like. At this time, the first electronic component 500 may be coupled to the first metal pattern 131, the third metal pattern 133, the seventh metal pattern 134, or the like by the solder S.

또한, 회로기판(100)의 제2 금속패턴(141), 제4 금속패턴(142), 제5 금속패턴(143), 제6 금속패턴(144) 등은 솔더(S)를 매개로 메인보드 등의 부가기판(800)에 연결될 수 있다. 일실시예에서, 제2 금속패턴(141)과 부가기판(800) 사이에는 일반적인 솔더(S)가 아니라 제1 열전달용 구조체(110)와 유사한 재질 및 형상으로 이루어지는 제3 열전달용 구조체(L1)가 구비될 수 있다. 즉, 제1 열전달용 구조체(110)의 열을 부가기판(800)으로 신속하게 전달하기 위하여, 일반적인 솔더(S)보다 열전도성이 큰 물질로 덩어리 형상을 이루는 제3 열전달용 구조체(L1)를 이용하여 제2 금속패턴(141)과 부가기판(800)을 연결할 수 있다는 것이다. 또한, 제3 열전달용 구조체(L1)의 열을 신속하게 받아 분산 또는 발산할 수 있도록 부가기판(800)에 방열부(L2)를 구비할 수 있다. 이 방열부(L2)는 부가기판(800)의 상면 방향으로 노출되며, 필요에 따라 하면 방향으로도 노출되어 열 발산 효율을 향상시킬 수 있다.The second metal pattern 141, the fourth metal pattern 142, the fifth metal pattern 143 and the sixth metal pattern 144 of the circuit board 100 are electrically connected to each other through the solder S, May be connected to the additional substrate 800. A third heat transfer structure L1 having a similar material and shape to the first heat transfer structure 110 is formed between the second metal pattern 141 and the additional substrate 800, May be provided. That is, in order to quickly transfer the heat of the first heat transfer structure 110 to the additional substrate 800, a third heat transfer structure L1 having a larger thermal conductivity than the general solder S The second metal pattern 141 and the additional substrate 800 can be connected to each other. In addition, the heat dissipating unit L2 may be provided on the additional substrate 800 so that the heat of the third heat transfer structure L1 can be quickly received and dispersed or diverged. The heat dissipating unit L2 is exposed in the direction of the top surface of the additional substrate 800 and may be exposed in a downward direction as needed to improve heat dissipation efficiency.

한편, 기판의 최외곽에 구비되며 다른 전자부품, 예컨대, 전술한 제1 전자부품(500) 또는 부가기판(800) 등과 연결되는 금속패턴을 패드(Pad)라고 칭할 수 있다. 이때, 최외곽 금속층에는 패드 외에도 각종 회로패턴 등이 구비될 수 있으며, 솔더레지스트층(도시되지 않음)을 구비하여 이러한 회로패턴이나 절연부(120) 등이 보호될 수 있도록 할 수도 있다. 여기서, 외부 디바이스와의 연결이 필요한 패드들은 적어도 일부가 솔더레지스트층 외부로 노출될 수 있다. 그리고, 이렇게 솔더레지스트층 외부로 노출된 패드와 외부 디바이스의 단자 사이에는 솔더(S)나 와이어(미도시됨) 등의 결합부재가 구비되어 물리적 결합이 구현된다.A metal pattern provided at the outermost portion of the substrate and connected to other electronic components such as the first electronic component 500 or the additional substrate 800 may be referred to as a pad. At this time, the outermost metal layer may be provided with various circuit patterns in addition to the pads, and may be provided with a solder resist layer (not shown) to protect the circuit patterns, the insulating portion 120, and the like. Here, at least a part of the pads which need to be connected to the external device may be exposed to the outside of the solder resist layer. A coupling member such as solder S or wire (not shown) is provided between the pads exposed to the outside of the solder resist layer and the terminals of the external device to realize physical coupling.

여기서, 도 1에 예시된 바와 같이 제1 내지 제7 금속패턴이 절연부(120) 외면으로 노출되게 구비되는 경우, 제1 내지 제7 금속패턴은 전술한 패드로 이해될 수 있다. 또한, 솔더레지스트층 외부로 노출된 금속패턴들의 표면에는 니켈-금 도금층 등 다양한 표면처리층이 구비될 수 있다.Here, when the first to seventh metal patterns are exposed on the outer surface of the insulating part 120 as illustrated in FIG. 1, the first to seventh metal patterns may be understood as the above-described pads. The surface of the metal patterns exposed to the outside of the solder resist layer may be provided with various surface treatment layers such as a nickel-gold plating layer.

또한, 도시되지는 않았지만, 제1 금속패턴(131) 외면을 덮는 절연층 및 이 절연층 외면에 형성된 패드가 더 구비되고, 이 절연층을 관통하는 비아에 의하여 제1 금속패턴(131)과 패드가 연결될 수도 있다. 즉, 필요에 따라 절연층 및 금속층을 포함하는 빌드업층이 더 구비될 수 있다는 것이다. 이 경우 전술한 제1 금속패턴(131)은 패드가 아니며, 회로기판의 최외곽 금속층에 형성된 패드와 비아 등을 통해 연결될 수 있다.Further, although not shown, an insulating layer covering the outer surface of the first metal pattern 131 and a pad formed on the outer surface of the insulating layer are further provided. The first metal pattern 131 and the pad Lt; / RTI > That is, if necessary, a build-up layer including an insulating layer and a metal layer may be further included. In this case, the first metal pattern 131 is not a pad but may be connected to a pad formed on the outermost metal layer of the circuit board through a via or the like.

이에 따라, 핫스팟에서 발생된 열이 제1 금속패턴(131)-제1 비아(V1)-제1 열전달용 구조체(110)-제2 비아(V2)-제2 금속패턴(141)의 경로를 거쳐 부가기판(800)으로 신속하게 전달될 수 있다.Accordingly, the heat generated in the hot spot is transmitted through the path of the first metal pattern 131 - the first via V1 - the first heat transfer structure 110 - the second via V2 - the second metal pattern 141 And can be quickly transferred to the additional substrate 800.

다른 한편으로, 제1 전자부품(500)의 단자 중에서 제1 금속패턴(131)에 연결되는 단자가 신호 송수신용 단자인 경우에는 제1 비아(V1), 제1 열전달용 구조체(110), 제2 비아(V2), 제2 금속패턴(141)을 포함하는 경로는 신호전송 기능을 수행할 수 있다. 이때, 제2 금속패턴(141)에 연결되는 부가기판(800)의 접속패드 또는 단자들 또한 신호전송 기능을 수행할 수 있다.On the other hand, when the terminal connected to the first metal pattern 131 among the terminals of the first electronic component 500 is a signal transmission / reception terminal, the first via V1, the first heat transfer structure 110, The second via pattern V2, and the second metal pattern 141 may perform a signal transmission function. At this time, connection pads or terminals of the additional substrate 800 connected to the second metal pattern 141 may also perform a signal transmission function.

반면, 제1 전자부품(500)의 단자 중에서제1 금속패턴(131)에 연결되는 단자가 신호 송수신용 단자가 아닌 경우에는 제1 비아(V1), 제1 열전달용 구조체(110), 제2 비아(V2), 제2 금속패턴(141)을 포함하는 경로는 미도시된 별도의 접지단자(Ground terminal)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 제2 금속패턴(141)에 연결되는 부가기판(800)의 접속패드 또는 단자들 또한 미도시된 별도의 접지단자와 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서, 접지단자는 회로기판(100)이나 부가기판(800) 중 적어도 하나에 구비될 수 있다.If the terminal connected to the first metal pattern 131 among the terminals of the first electronic component 500 is not a terminal for signal transmission and reception, the first via V1, the first heat transfer structure 110, The path including the via (V2) and the second metal pattern 141 may be electrically connected to a separate ground terminal (not shown). At this time, the connection pads or terminals of the additional substrate 800 connected to the second metal pattern 141 may also be electrically connected to a separate ground terminal (not shown). Here, the ground terminal may be provided on at least one of the circuit board 100 and the additional substrate 800.

또한, 제1 전자부품(500)의 단자 중에서 제1 금속패턴(131)에 연결되는 단자가 전원단자인 경우에는, 제1 비아(V1), 제1 열전달용 구조체(110), 제2 비아(V2), 제2 금속패턴(141)을 포함하는 경로는 미도시된 별도의 전원 제공회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 제2 금속패턴(141)에 연결되는 부가기판(800)의 접속패드 또는 단자들 또한 미도시된 별도의 전원 제공회로와 전기적으로 연결될 수 있다. 여기서 전원 제공회로는 회로기판(100)이나 부가기판(800) 중 적어도 하나에 구비될 수 있다.When the terminal connected to the first metal pattern 131 among the terminals of the first electronic component 500 is a power supply terminal, the first via V1, the first heat transfer structure 110, V2, and the second metal pattern 141 may be electrically connected to a separate power supply circuit (not shown). At this time, the connection pads or terminals of the additional substrate 800 connected to the second metal pattern 141 may also be electrically connected to a separate power supply circuit (not shown). Here, the power supply circuit may be provided on at least one of the circuit board 100 and the additional board 800. [

또한, 제1 전자부품(500)의 단자 중에서 제1 금속패턴(131)에 연결되는 단자가 더미단자일 수 있다. 이때, 더미단자는 제1 전자부품(500)의 열을 제1 전자부품(500) 외부로 전달하는 통로로써의 기능만을 수행하는 것일 수도 있다.In addition, a terminal connected to the first metal pattern 131 among the terminals of the first electronic component 500 may be a dummy terminal. At this time, the dummy terminal may function only as a passage for transmitting the heat of the first electronic part 500 to the outside of the first electronic part 500.

전술한 바와 같이, 제1 전자부품(500)의 단자들은 신호 입출력용, 전원 입출력용 및 열 방출용 단자로 구분될 수 있다. 이때, 특정 단자가 각각 한 가지의 기능만을 수행해야만 한다는 것은 아니다, 즉, 신호나 전원을 입출력하면서도 열 방출에 활용될 수도 있다는 것이다. 다만, 제1 전자부품(500)의 핫스팟 영역에 구비되는 단자들이 열 방출 기능을 수행할 수 있게 되면 핫스팟의 열이 보다 신속하게 배출될 수 있다. 이와 같이 열 방출 기능을 수행하는 단자에 전술한 제1 결합부재가 접촉하고, 이 제1 결합부재에 제1 금속패턴(141)이 접촉되도록 함으로써 핫스팟과 제1 열전달용 구조체(110) 사이의 열 이동이 보다 원활해질 수 있다.As described above, the terminals of the first electronic component 500 can be divided into signal input / output, power input / output and heat output terminals. In this case, it is not necessarily that each specific terminal has to perform only one function, that is, it can be used for heat emission while inputting and outputting a signal or a power source. However, if the terminals provided in the hot spot region of the first electronic component 500 can perform the heat releasing function, the heat of the hot spot can be discharged more quickly. As described above, the first joining member is brought into contact with the terminal for performing the heat releasing function, and the first metal pattern 141 is brought into contact with the first joining member, so that the heat between the hot spot and the first heat transfer structure 110 Movement can be made more smooth.

일실시예에서, 제1 열전달용 구조체(110)에 전기적으로 연결되는 제1 전자부품(500)의 적어도 한 단자가 열 방출 기능만 수행하는 더미단자일 수 있다. 이때, 제1 전자부품(500)의 단자 중에서 신호 전송만을 위한 다른 단자가 제1 열전달용 구조체(110)에 연결될 경우 신호 손실 현상이 발생될 수 있다. 따라서, 제1 전자부품(500)의 단자 중 신호 전송만을 위한 단자는 제1 열전달용 구조체(110)에 전기적으로 연결되지 않도록 할 수 있다. 즉, 제1 전자부품(500)의 단자 중 신호 전송만을 위한 단자에 연결되는 패드에 연결되는 비아나 회로패턴 등은 제1 열전달용 구조체(110)에 전기적으로 연결되지 않도록 할 수 있다.In one embodiment, at least one terminal of the first electronic component 500 electrically connected to the first heat transfer structure 110 may be a dummy terminal performing only a heat releasing function. At this time, signal loss may occur when another terminal for signal transmission among the terminals of the first electronic component 500 is connected to the first heat transfer structure 110. Therefore, the terminals for signal transmission among the terminals of the first electronic component 500 may not be electrically connected to the first heat transfer structure 110. That is, a via or a circuit pattern connected to a pad connected to a terminal for signal transmission among the terminals of the first electronic component 500 may not be electrically connected to the first heat transfer structure 110.

도 1 내지 도 9를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판(100)은 코어부(10)를 포함할 수 있다. 코어부(10)는 회로기판(100)의 강성을 보강하여 워피지로 인한 문제를 완화시키는 역할을 수행할 수 있다. 또한, 열전도성이 큰 물질을 코어부(10)에 포함시킴으로써, 전술한 핫스팟 등의 국지적 영역에서 발생된 열을 회로기판(100)의 다른 부분으로 신속하게 분산시켜 과열로 인한 문제를 완화시킬 수도 있다.Referring to FIGS. 1 to 9, a circuit board 100 according to an embodiment of the present invention may include a core portion 10. The core portion 10 reinforces the rigidity of the circuit board 100 and can mitigate the problem caused by warpage. By including a material having a high thermal conductivity in the core portion 10, it is possible to quickly disperse the heat generated in the local region such as the hot spot described above to other portions of the circuit board 100 to mitigate the problem of overheating have.

한편, 코어부(10)의 상면에는 제1 상부 절연층(121)이 구비되고, 코어부(10)의 하면에는 제1 하부 절연층(121')이 구비될 수 있다. 또한, 필요에 따라 제2 상부 절연층(122) 및 제2 하부 절연층(122')이 더 구비될 수도 있다.The first upper insulating layer 121 may be formed on the upper surface of the core portion 10 and the first lower insulating layer 121 may be provided on the lower surface of the core portion 10. In addition, the second upper insulating layer 122 and the second lower insulating layer 122 'may be further provided if necessary.

일실시예에서, 코어부(10)에는 제2 열전달용 구조체가 포함될 수 있다. 예컨대, 코어부(10)는 그라파이트 또는 그래핀 등으로 이루어진 제1 코어층(11)을 포함할 수 있다. 여기서, 그라파이트 등은 XY 평면 방향으로의 열전도도가 월등히 높으며, 이에 따라, 열을 효과적이고 신속하게 확산시킬 수 있다.In one embodiment, the core portion 10 may include a second heat transfer structure. For example, the core portion 10 may include a first core layer 11 made of graphite, graphene or the like. Here, the graphite or the like has a much higher thermal conductivity in the XY plane direction, and accordingly, the heat can be diffused effectively and quickly.

일실시예에서, 제2 열전달용 구조체는 제1 열전달용 구조체(110)의 측면에 직접 접촉될 수 있다. 예컨대, 코어부(10)에 구비되는 제1 캐비티(C1)로 제2 열전달용 구조체의 측면이 노출되고, 제1 열전달용 구조체(110)가 제1 캐비티(C1)에 접촉될 수 있다는 것이다. 다른 실시예에서, 제2 열전달용 구조체와 제1 열전달용 구조체(110) 사이의 영역에 열전도성이 높은 물질이 구비될 수도 있다. 이때 열전도성이 높은 물질로 써멀 인터페이스 머터리얼(Thermal Interface Material; TIM)을 적용할 수 있다. 이 TIM에는 고분자-금속 복합재료, 세라믹 복합재료 및 탄소계 복합 재료 등이 포함될 수 있다. 예컨대, 에폭시와 탄소섬유 충전제가 혼합된 물질(열전도도 약 660W/mk), 질화실리콘(Silicon Nitride; Si3N4, 열전도도 약 200~320W/mk), 에폭시와 질화붕소(Boron Nitride; BN, 열전도도 약 19W/mk)가 써멀 인터페이스 머터리얼로 적용될 수 있다. 이에 따라, 제1 열전달용 구조체(110)로 유입된 열이, 수직방향으로 이동될 뿐만 아니라, 제2 열전달용 구조체를 통해 수평방향으로도 신속하게 분산될 수 있다. In one embodiment, the second heat transfer structure may be in direct contact with the side surface of the first heat transfer structure 110. For example, the side surface of the second heat transfer structure may be exposed to the first cavity C1 provided in the core portion 10, and the first heat transfer structure 110 may be brought into contact with the first cavity C1. In another embodiment, a material having high thermal conductivity may be provided in a region between the second heat transfer structure and the first heat transfer structure 110. At this time, a thermal interface material (TIM) can be applied as a material having high thermal conductivity. The TIM may include a polymer-metal composite material, a ceramic composite material, and a carbon-based composite material. (Thermal conductivity of about 660 W / mK), silicon nitride (Si3N4, thermal conductivity of about 200 to 320 W / mk), epoxy and boron nitride (BN, thermal conductivity About 19 W / mk) can be applied as a thermal interface material. Accordingly, the heat introduced into the first heat transfer structure 110 can be dispersed not only in the vertical direction but also in the horizontal direction through the second heat transfer structure.

이렇게, 제1 열전달용 구조체(110)와 제2 열전달용 구조체가 직접 접촉되거나 TIM을 매개로 연결됨에 따라, 제1 전자부품(500) 등의 열이 제1 열전달용 구조체(110)로 신속하게 이동된 후, 하방으로만 전달되는 경우에 비하여 더 신속하게 열이 분산될 수 있다. 또한, 회로기판(100)의 관점에서 핫스팟 등의 특정 영역만 과도하게 온도가 상승하는 경우에 비하여, 회로기판(100) 전체에 고르게 열이 분산됨에 따라 회로기판(100)에 탑재된 각종 부품이나 요소들 각각의 온도 편차가 완화될 수 있으므로 신뢰성이 향상될 수 있다. 또한, 회로기판(100) 전체로 신속하게 열이 분산되므로, 회로기판(100) 전체가 일종의 방열판 역할을 수행하게 되어 결과적으로 방열 면적이 증가되는 효과를 구현할 수 있다.As the first heat transfer structure 110 and the second heat transfer structure are in direct contact with each other or are connected to each other through the TIM, the heat of the first electronic component 500 and the like can be quickly transferred to the first heat transfer structure 110 The heat can be dispersed more quickly than when it is transferred only downward. In addition, as compared with the case where the temperature rises excessively only in a specific region such as a hot spot from the viewpoint of the circuit board 100, various components mounted on the circuit board 100 Reliability can be improved since the temperature deviation of each of the elements can be mitigated. In addition, since the heat is quickly dispersed to the entire circuit board 100, the entire circuit board 100 functions as a heat sink, and as a result, the heat radiating area can be increased.

일실시예에서, 코어부(10)의 표면에는 제1 회로패턴(P1) 및 제2 회로패턴(P2) 등이 구비될 수 있고, 코어부(10)를 관통하는 스루비아(TV)에 의하여 제1 회로패턴(P1)과 제2 회로패턴(P2)이 전기적으로 연결될 수 있다. 또한, 제1 회로패턴(P1)은 제4 비아(V4)에 의하여 제3 금속패턴(133)과 연결될 수 있고, 제2 회로패턴(P2)은 제5 비아(V5)에 의하여 제4 금속패턴(142)과 연결될 수 있다. 그리고, 제3 금속패턴(133)은 솔더(S)에 의하여 제1 전자부품(500)과 연결될 수 있으며, 제4 금속패턴(142)은 솔더(S)에 의하여 부가기판(800)의 접속패드(810)와 연결될 수 있다. 이에 따라, 제1 전자부품(500)과 부가기판(800) 사이에 전기적 신호를 송수신할 수 있는 경로가 더 확보될 수 있다.The first circuit pattern P1 and the second circuit pattern P2 may be provided on the surface of the core portion 10 and may be formed on the surface of the core portion 10 by a through- The first circuit pattern P1 and the second circuit pattern P2 may be electrically connected. The first circuit pattern P1 can be connected to the third metal pattern 133 by the fourth vias V4 and the second circuit pattern P2 can be connected to the fourth metal pattern 133 by the fifth vias V5. Lt; RTI ID = 0.0 > 142 < / RTI > The third metal pattern 133 may be connected to the first electronic component 500 by the solder S and the fourth metal pattern 142 may be connected to the connection pad of the additional substrate 800 by the solder S. [ Lt; RTI ID = 0.0 > 810 < / RTI > Accordingly, a path for transmitting and receiving an electrical signal between the first electronic component 500 and the additional substrate 800 can be further secured.

한편, 제1 코어층(11)의 일면에는 제2 코어층(12)이 구비되고, 제1 코어층(11)의 타면에는 제3 코어층(13)이 구비될 수 있다. 일실시예에서, 제2 코어층(12) 및 제3 코어층(13) 중 적어도 하나는 PPG 등의 절연물질로 이루어질 수 있다. 다른 실시예에서, 제2 코어층(12) 및 제3 코어층(13)은 구리나 인바(Invar) 등의 금속으로 이루어질 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 제1 코어층(11)이 인바(Invar)로 이루어지고 제2 코어층(12) 및 제3 코어층(13)이 구리로 이루어질 수도 있다. 여기서, 제2 코어층(12) 및 제3 코어층(13)중 적어도 하나가 도전성 물질로 이루어진 경우에는, 코어부(10) 표면에 제1 회로패턴(P1)이나 제2 회로패턴(P2) 등이 구비됨에 따라 의도하지 않은 경로로 신호가 전송되는 문제가 발생될 수 있으므로, 코어부(10)의 표면에 절연성을 확보하기 위한 수단이 구비될 수 있다.The first core layer 11 may have a second core layer 12 on one side and the third core layer 13 on the other side of the first core layer 11. In one embodiment, at least one of the second core layer 12 and the third core layer 13 may be made of an insulating material such as PPG. In another embodiment, the second core layer 12 and the third core layer 13 may be made of a metal such as copper or Invar. In another embodiment, the first core layer 11 may be made of Invar and the second core layer 12 and the third core layer 13 may be made of copper. When at least one of the second core layer 12 and the third core layer 13 is made of a conductive material, the first circuit pattern P1 or the second circuit pattern P2 is formed on the surface of the core portion 10, The signal may be transmitted through an unintended path. Therefore, a means for securing insulation on the surface of the core portion 10 may be provided.

일실시예에서, 코어부(10)의 제2 캐비티(C2)에는 제2 전자부품(200)이 삽입된다. 그리고, 제2 전자부품(200)은 제6 비아(V6)에 의하여 제7 금속패턴(134)과 연결되고, 제7 비아(V7)에 의하여 제6 금속패턴(144)과 연결될 수 있다. 한편, 제2 전자부품(200)은 인덕터, 캐패시터 등의 수동소자일 수 있으며, 필요에 따라 IC 등의 능동소자가 제2 전자부품(200)으로써 탑재될 수도 있다. 특히, 제2 전자부품(200)이 캐패시터인 경우, 제7 금속패턴(134)과 연결되는 제1 전자부품(500)의 단자는 전원단자일 수 있다. 즉, 제2 전자부품(200)이 디커플링 캐패시터로써 탑재되어 제1 전자부품(500)의 전원 노이즈를 감소시키는 역할을 수행할 수 있다는 것이다.In one embodiment, the second electronic component 200 is inserted into the second cavity C2 of the core portion 10. The second electronic component 200 may be connected to the seventh metal pattern 134 by the sixth via V6 and may be connected to the sixth metal pattern 144 by the seventh via V7. Meanwhile, the second electronic component 200 may be a passive component such as an inductor or a capacitor, and an active component such as an IC may be mounted as the second electronic component 200, if necessary. In particular, when the second electronic component 200 is a capacitor, the terminal of the first electronic component 500 connected to the seventh metal pattern 134 may be a power supply terminal. That is, the second electronic component 200 may be mounted as a decoupling capacitor to reduce power supply noise of the first electronic component 500.

이 경우, 제2 전자부품(200)과 제1 전자부품(500) 사이의 경로가 짧아질 수록 노이즈 감소효과가 향상되는데, 이를 위하여 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판(100)에서는 제2 전자부품(200)의 적어도 일부가 제1 전자부품(500)의 수직 하방 영역에 배치한다.In this case, as the path between the second electronic component 200 and the first electronic component 500 is shortened, the noise reduction effect is improved. To this end, in the circuit board 100 according to the embodiment of the present invention, At least a part of the electronic component (200) is disposed in a region below the first electronic component (500).

도시되지는 않았지만, 코어부(10)를 관통하는 캐비티 대신 코어부(10)의 일부가 함몰된 리세스부가 구비될 수 있으며, 이 리세스부에 제1 열전달용 구조체(110)나 제2 전자부품(200)을 삽입할 수 있다.Although not shown, a recess may be provided in which a part of the core portion 10 is embedded instead of a cavity passing through the core portion 10, and the first heat transfer structure 110 or the second The component 200 can be inserted.

한편, 도 1을 참조하면, 제1 열전달용 구조체(110)의 두께는 제2 회로패턴(P2)의 하면 부터 제1 회로패턴(P1)의 상면 까지의 두께보다 두껍게 구현될 수 있다. 더 나아가, 제1 열전달용 구조체(110)의 상면은 제1 회로패턴(P1)의 상면에 비하여 회로기판(100)의 상면에 가깝게 위치될 수 있다. 이에 따라, 제1 열전달용 구조체(110)의 열용량이 증가되어 열을 머금는 기능이 향상될 수 있다. 또한, 제1 열전달용 구조체(110)와 핫스팟 사이의 거리가 감소되어 핫스팟의 열이 제1 열전달용 구조체(110)로 이동되는 시간이 더 단축될 수 있다.1, the thickness of the first heat transfer structure 110 may be greater than the thickness from the lower surface of the second circuit pattern P2 to the upper surface of the first circuit pattern P1. Furthermore, the upper surface of the first heat transfer structure 110 may be positioned closer to the upper surface of the circuit board 100 than the upper surface of the first circuit pattern P1. Accordingly, the heat capacity of the first heat transfer structure 110 is increased, and the function of cooling the heat can be improved. In addition, the distance between the first heat transfer structure 110 and the hot spot is reduced, and the time required for the heat of the hot spot to move to the first heat transfer structure 110 can be further shortened.

일실시예에서, 제1 열전달용 구조체(110)의 저면은 제2 회로패턴(P2)의 하면과 동일한 수평면 상에 위치될 수 있다. 이 경우에도, 제1 열전달용 구조체(110)의 두께는 제2 회로패턴(P2)의 하면 부터 제1 회로패턴(P1)의 상면 까지의 두께보다 크도록 함으로써 제1 열전달용 구조체의 열용량을보다 증가시키고, 핫스팟과의 거리를 단축시킬 수 있다.In one embodiment, the bottom surface of the first heat transfer structure 110 may be located on the same horizontal plane as the lower surface of the second circuit pattern P2. In this case, the thickness of the first heat transfer structure 110 is set to be larger than the thickness from the lower surface of the second circuit pattern P2 to the upper surface of the first circuit pattern P1 so that the heat capacity of the first heat transfer structure And the distance from the hot spot can be shortened.

도시되지는 않았지만, 다른 실시예에서, 제1 열전달용 구조체(110)의 상면이 제1 회로패턴(P1)의 상면과 동일한 수평면에 위치될 수 있다. 이 경우에도, 제1 열전달용 구조체(110)의 두께는 제2 회로패턴(P2)의 하면 부터 제1 회로패턴(P1)의 상면 까지의 두께보다 크도록 함으로써 제1 열전달용 구조체의 열용량을보다 증가시킬 수 있다. 이상에서는 이론적이거나 이상적인 기하학적 관계에 대하여 설명하였지만, 이러한 구조를 실제 설계에 반영하여 제품으로 구현할 경우, 제조공정에서 반영되는 각종 편차가 발생된다. 예컨대, 코어부의 양면이 완전한 평면을 이루지 않거나, 코어부에 회로패턴을 형성하는 과정에서 회로패턴간의 두께편차가 발생될 수도 있다는 것이다. 따라서, 본 발명의 권리범위를 해석함에 있어서, 현실적인 공정편차 등이 고려되어야 할 것이다. 또한, 전자제품의 슬림화 및 배선패턴의 고밀도화 추세 등에 의하여 회로기판을 제조하는 과정에서 어느 정도의 휨 현상(Warpage)이 발생될 수 있다. 이러한 휨 현상이 심화되면 배선의 단락이나 크랙 등의 문제를 유발하므로 휨 현상을 최소화하고자 하는 노력이 계속되고 있다. 그러나, 현실적으로 휨 현상을 완전히 배제하기는 어려우며, 소정의 허용범위 내에서는 휨 현상이 발생되더라도 양품으로 취급할 수 있다. 따라서, 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판 역시, 실제 구현될 경우 소정의 범위 내에서의 휨 현상은 허용될 것이며, 전술한 제1 열전달용 구조체(110)의 두께나 위치에 대한 설명을 이해함에 있어서, 휨 현상의 허용범위도 고려되어야 할 것이다.Although not shown, in another embodiment, the upper surface of the first heat transfer structure 110 may be located on the same horizontal plane as the upper surface of the first circuit pattern P1. In this case, the thickness of the first heat transfer structure 110 is set to be larger than the thickness from the lower surface of the second circuit pattern P2 to the upper surface of the first circuit pattern P1 so that the heat capacity of the first heat transfer structure . Although theoretical or ideal geometrical relationships have been described above, when such a structure is reflected in the actual design and implemented as a product, various deviations are reflected in the manufacturing process. For example, both sides of the core portion may not be perfectly flat, or a thickness variation may occur between the circuit patterns in the process of forming the circuit pattern in the core portion. Therefore, in interpreting the scope of right of the present invention, actual process deviations and the like should be considered. In addition, some warpage may occur in the process of manufacturing a circuit board by slimming the electronic product and increasing the density of the wiring pattern. If such a warp phenomenon becomes severe, problems such as short-circuiting and cracking of the wiring are caused. Therefore, efforts to minimize warpage continue. However, in reality, it is difficult to completely eliminate the warping phenomenon, and even if a warping phenomenon occurs within a predetermined allowable range, it can be treated as a good product. Therefore, if the circuit board according to an embodiment of the present invention is actually implemented, warping within a predetermined range will be allowed, and the description of the thickness and position of the first heat transfer structure 110 will be understood The permissible range of the warping phenomenon should also be considered.

또한, 도 2를 참조하면, 제1 상부 절연층(121) 상에 제2 상부 절연층(122)이 형성될 수도 있지만, 이 경우에도, 회로기판(100)의 외면과 제1 열전달용 구조체(110) 사이에 구비되는 제1 비아(V1) 또는 제2 비아(V2)의 높이는 회로기판(100)의 외면과 내층패턴(P1', P2') 사이를 연결하는 비아의 높이보다 작도록 함으로써 제1 열전달용 구조체(110)의 열용량을 증가시키는 동시에 열 분산 속도를 향상시킬 수 있음이 이해될 수 있을 것이다. 도시되지는 않았지만, 제1 열전달용 구조체의 상부면이 제1 상부 절연층으로 덮혀질 수 있다. 그리고, 제1 열전달용 구조체에 일면이 접촉되는 비아의 타면이 제1 상부 절연층에 구비되는 회로패턴에 접촉될 수 있다. 그리고, 제2 상부 절연층을 관통하는 다른 비아 및 제2 상부 절연층 표면에 구비되는 다른 회로패턴 및 솔더볼을 거쳐 제1 전자부품과 연결될 수도 있다. 즉, 제1 열전달용 구조체(110) 상에 형성되는 빌드업 층의 수는 필요에 따라 변경될 수 있다는 것이며, 다만, 적어도 열용양 측면에서는 제1 열전달용 구조체의 두께가 클수록 유리하다는 점이 이해될 수 있을 것이다.2, the second upper insulating layer 122 may be formed on the first upper insulating layer 121. In this case, however, the outer surface of the circuit board 100 and the first heat- The height of the first via V1 or the second via V2 provided between the inner layer patterns P1 'and P2' is made smaller than the height of the vias connecting between the outer surface of the circuit board 100 and the inner layer patterns P1 'and P2' It will be understood that the heat capacity of the heat transfer structure 110 can be increased and the heat dissipation rate can be improved. Although not shown, the upper surface of the first heat transfer structure may be covered with the first upper insulating layer. The other surface of the via, which is in contact with the first heat transfer structure on one side, may be in contact with the circuit pattern provided on the first upper insulation layer. The via hole may be connected to the first electronic component through another via hole penetrating through the second upper insulating layer, another circuit pattern provided on the surface of the second upper insulating layer, and a solder ball. That is, it is understood that the number of the build-up layers formed on the first heat transfer structure 110 can be changed as needed, but it is understood that the larger the thickness of the first heat transfer structure is, It will be possible.

도 6을 참조하면, 코어부(10)의 표면에 절연막(14)이 구비될 수 있다. 일실시예에서, 제1 코어층(11) 내지 제3 코어층(13)이 열전도성을 가질 뿐만 아니라 전기 전도성을 가질 수도 있다. 따라서, 코어부(10) 표면에 제1 회로패턴(P1) 등을 구비할 경우 코어부(10)에 의하여 원하지 않는 경로로 통전되는 현상을 방지할 필요가 있다. 여기서 절연막(14)은 페럴린(Parylene) 등을 코어부(10) 표면에 기상증착하여 형성될 수 있다. 즉, 도 6에 예시된 스루비아(TV)를 형성하기 위한 스루비아홀을 코어부(10)에 가공한 상태에서, 코어부(10) 표면에 절연물질을 제공함으로써 스루비아(TV)홀 내부에도 절연막(14)을 형성할 수 있다. 이에 따라 스루비아(TV)나 제1 회로패턴(P1), 제2 회로패턴(P2) 등과 코어부(10) 사이의 절연성을 확보할 수 있게 되는 것이다.Referring to FIG. 6, an insulating film 14 may be provided on the surface of the core portion 10. In one embodiment, the first to third core layers 11 to 13 may have electrical conductivity as well as have thermal conductivity. Therefore, when the first circuit pattern P1 is provided on the surface of the core portion 10, it is necessary to prevent the core portion 10 from being energized by an undesired path. Here, the insulating film 14 may be formed by vapor-depositing ferrite or the like on the surface of the core portion 10. That is, by providing an insulating material on the surface of the core portion 10 in a state where the through-hole for forming the through-via (TV) illustrated in FIG. 6 is processed in the core portion 10, The insulating film 14 can be formed. This makes it possible to secure the insulation between the core portion 10 and the through-via (TV), the first circuit pattern P1, the second circuit pattern P2, and the like.

한편, 일실시예에서, 제2 코어층(12)과 제3 코어층(13)을 관통하여 제1 코어층(11)의 일부를 노출시키는 코어비아홀이 형성될 수 있다. 이 코어비아홀에 도전성 물질이 구비되어 이루어지는 제8비아는 제1 코어층(11)과 직접 접촉될 수 있다. 여기서, 코어비아홀이 구비된 상태에서 코어부(10) 표면에 절연막(14)을 형성할 경우, 노출된 제1 코어층(11) 표면에도 절연막(14)이 형성되므로 제1 코어층(11)과 제8 비아(V8)는 절연막(14)을 사이에 두고 접촉될 수 있다. 이렇게 제1 코어층(11)과 직접(또는 절연막(14)이 있을 경우 간접)적으로 접촉되는 제8 비아(V8)로 열이 이동될 경우 제1 코어층(11)을 따라 회로기판(100)에 수평인 방향으로 열이 신속하게 분산될 수 있게 된다.Meanwhile, in one embodiment, a core via hole may be formed through the second core layer 12 and the third core layer 13 to expose a portion of the first core layer 11. The eighth via formed by providing the core via hole with the conductive material may be in direct contact with the first core layer 11. [ The insulating layer 14 is formed on the surface of the exposed first core layer 11 when the insulating layer 14 is formed on the surface of the core portion 10 with the core via hole. And the eighth via V8 may be in contact with each other with the insulating film 14 therebetween. When the heat is transferred to the eighth via V8 directly contacting the first core layer 11 (or indirectly when the insulating film 14 is present), the first core layer 11 is electrically connected to the circuit board 100 The heat can be quickly dispersed in the horizontal direction.

일실시예에서 제2 열전달용 구조체가 그라파이트 또는 그래핀으로 이루어질 수 있는데, 이 경우 그라파이트 또는 그래핀 등은 층간 결합력이 상대적으로 낮은 편이다. 따라서, 회로기판(100)을 제조하는 과정에서 제2 열전달용 구조체가 파손되거나, 회로기판(100)이 완성된 후에도 층간 결합력이 약화되어 신뢰성 문제를 유발할 수 있다.In one embodiment, the second heat transfer structure may be made of graphite or graphene. In this case, graphite or graphene has a relatively low interlayer bonding force. Therefore, even after the second heat transfer structure is damaged in the process of manufacturing the circuit board 100 or the circuit board 100 is completed, the interlayer coupling force may be weakened, which may cause reliability problems.

도 6에 예시된 바와 같이, 제1 코어층(11)에 관통공(11c)이 구비되고, 제2 코어층(12) 및 제3 코어층(13)이 관통공(11c)를 통해 일체로 연결되어 제1 코어층(11)을 견고하게 지지하도록 할 수 있다. 이에 따라, 제1 코어층(11)이 그라파이트 등으로 이루어지더라도 층간 결합력이 강화될 수 있다.6, the first core layer 11 is provided with a through hole 11c and the second core layer 12 and the third core layer 13 are integrally formed through the through hole 11c So that the first core layer 11 can be firmly supported. Accordingly, even if the first core layer 11 is made of graphite or the like, the interlayer coupling force can be strengthened.

한편, 도 7을 참조하면, 제1 코어층(11) 외면에 프라이머층(111)이 구비된 예가 도시되어 있다. 즉, 그라파이트 시트의 외면에 프라이머층(111)을 구비함으로써 층간 결합력을 향상시킬 수 있다는 것이다. 이때, 프라이머층(111)은 그라파이트의 끼리의 층간 결합력을 향상시킬 뿐만 아니라, 제1 코어층(11)과 제2 코어층(12) 사이 및 제1 코어층(11)과 제3 코어층(13) 사이의 층간 결합력을 향상시키는 기능도 수행할 수 있다.Referring to FIG. 7, an example in which the primer layer 111 is provided on the outer surface of the first core layer 11 is shown. That is, the interlayer coupling force can be improved by providing the primer layer 111 on the outer surface of the graphite sheet. At this time, the primer layer 111 not only improves the interlayer coupling force between the graphites but also improves the interlayer coupling force between the first core layer 11 and the second core layer 12 and between the first core layer 11 and the third core layer 11 13) can be also improved.

다른 실시예에서, 도 8을 참조하면, 그라파이트의 표면에 프라이머층(111)이 구비되어 이루어지는 단위체들(11-1, 11-2, 11-3, 11-4)을 수직방향으로 적층하여 제1 코어층(11)을 구현할 수 있다. 이 경우 제1 코어층(11)의 수평방열 기능 감소를 최소화하면서도 제1 코어층(11)의 수직방향의 박리 문제를 완화시킬 수 있다.8, the unit pieces 11-1, 11-2, 11-3, and 11-4 having the primer layer 111 on the surface of the graphite are stacked in the vertical direction, One core layer 11 can be realized. In this case, the problem of peeling in the vertical direction of the first core layer 11 can be alleviated while the decrease in the horizontal heat radiation function of the first core layer 11 is minimized.

또 다른 실시예에서, 도 9를 참조하면, 그라파이트의 표면에 프라이머층(111)이 구비되어 이루어지는 단위체들(11-1', 11-2', 11-3', 11-4')을 수평방향으로 결합하여 제1 코어층(11)을 구현할 수 있다. 여기서, 그라파이트의 XY 평면은 수직방향에 평행하도록 배치될 수 있다. 이 경우, 수평방향의 방열기능은 다소 감소되지만, 제1 코어층(11)을 이용한 수직방열 성능이 향상될 수 있다.9, the unit pieces 11-1 ', 11-2', 11-3 ', and 11-4' including the primer layer 111 on the surface of the graphite are arranged horizontally Direction to form the first core layer 11. Here, the XY plane of the graphite can be arranged to be parallel to the vertical direction. In this case, although the heat radiation function in the horizontal direction is somewhat reduced, the vertical heat radiation performance using the first core layer 11 can be improved.

한편, 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판(100)에 포함되는 제1 열전달용 구조체(110)는 절연부(120)와의 밀착력 향상을 위한 밀착력 향상부를 구비한다.Meanwhile, the first heat transfer structure 110 included in the circuit board 100 according to an embodiment of the present invention includes an adhesion enhancing part for enhancing the adhesion with the insulating part 120.

제1 열전달용 구조체(110)의 표면이 절연부(120)와 직접 접촉될 경우 리플로우(Reflow) 공정이나 솔더팟(Solder pot) 공정 등을 진행하는 과정에서 제1 열전달용 구조체(110)와 절연부(120) 사이가 벌어지는 현상이 발생될 수 있으며, 이러한 현상을 디라미네이션(Delamination) 현상이라고 칭하기도 한다. 이때, 절연부(120)와의 밀착력을 향상시키기 위한 수단으로써, 제1 열전달용 구조체(110)의 표면에 구비된 프라이머층(111)을 포함할 수 있다. 일실시예에서, 프라이머층(111)은 이소프로필알코올(Iso Propyl alcohol) 및 아크릴(Acryl) 계 실란(Silan)을 포함하는 프라이머로 이루어질 수 있다.When the surface of the first heat transfer structure 110 is directly in contact with the insulating portion 120, the first heat transfer structure 110 and the second heat transfer structure 110 may be formed in a process of reflow, solder pot, A phenomenon that the insulating portions 120 are opened may occur, and this phenomenon may be referred to as a delamination phenomenon. At this time, the first heat transfer structure 110 may include a primer layer 111 provided on the surface of the first heat transfer structure 110 as a means for improving the adhesion with the insulation part 120. In one embodiment, the primer layer 111 may be composed of a primer comprising isopropyl alcohol (Iso Propyl alcohol) and acrylic silane (Silan).

또한, 프라이머층(111)은 MPS(3-(trimethoxysilyl)propylmethacrylate)로 이루어질 수 있으며, 프라이머층(111)에는 실란계 첨가제가 추가될 수 있다.In addition, the primer layer 111 may be made of MPS (3- (trimethoxysilyl) propylmethacrylate), and the primer layer 111 may be added with a silane-based additive.

도 10a는 열전달용 구조체의 표면에 프라이머층(111)을 구비한 상태에서 리플로우 테스트를 수행한 결과를 개략적으로 예시하고, 도 10b는 열전달용 구조체의 표면에 프라이머층(111)을 구비한 상태에서 솔더팟 테스트를 수행한 결과를 개략적으로 예시한다. 그리고, 도 11a는 열전달용 구조체에 직접 절연부(120)를 접촉시킨 상태에서 리플로우 테스트를 수행한 결과를 개략적으로 예시하고, 도 11b는 열전달용 구조체에 직접 절연부(120)를 접촉시킨 상태에서 솔더팟 테스트를 수행한 결과를 개략적으로 예시한다.10A schematically shows a result of performing a reflow test in a state that a primer layer 111 is provided on a surface of a heat-conducting structure, FIG. 10B illustrates a state in which a primer layer 111 is provided on a surface of the heat- The solder pot test is performed in the following manner. 11A schematically illustrates a result of performing a reflow test in a state in which the insulation portion 120 is in direct contact with the heat transfer structure, and FIG. 11B illustrates a state in which the insulation portion 120 is in direct contact with the heat transfer structure The solder pot test is performed in the following manner.

도 10a 내지 도 11b를 참조하면, 프라이머층(111)이 없을 경우 리플로우 공정을 수행하거나 솔더팟 공정을 수행하게 되면 열전달용 구조체와 절연부(120) 사이에 들뜬 공간(D)이 형성되지만, 열전달용 구조체의 표면에 프라이머가 구비됨에 따라 열전달용 구조체와 절연부(120) 사이의 밀착력이 향상될 수 있음이 이해될 수 있을 것이다. 여기서, 열전달용 구조체는 전술한 제1 열전달용 구조체(110) 또는 제2 열전달용 구조체 중 적어도 하나를 의미할 수 있다.10A to 11B, when the reflow process or the solder pot process is performed in the absence of the primer layer 111, a space D is formed between the heat transfer structure and the insulation portion 120, It will be understood that the adhesion between the heat-conducting structure and the insulating portion 120 can be improved by providing the primer on the surface of the heat-conducting structure. Here, the heat transfer structure may mean at least one of the first heat transfer structure 110 or the second heat transfer structure.

한편, 제1 열전달용 구조체(110)의 표면에 흑화처리 및 조면화처리 등의 표면처리를 수행함에 따라 제1 열전달용 구조체(110)와 절연부(120) 사이의 밀착력이 향상될 수도 있다.On the other hand, the adhesion between the first heat transfer structure 110 and the insulation portion 120 may be improved by performing surface treatment such as blackening and roughening treatment on the surface of the first heat transfer structure 110.

다만, 제1 열전달용 구조체(110)의 표면에 전술한 바와 같은 표면처리를 하게 되면, 제조공정에서 일부 문제가 발생될 수 있다. 예컨대, 표면처리로 인하여 제1 열전달용 구조체(110)의 색상이 달라질 수 있는데, 이 경우, 제1 열전달용 구조체(110) 등을 절연부(120) 상의 소정의 위치에 실장하는 자동화 장비가 제1 열전달용 구조체(110)를 인식하는 과정에서 잦은 오류가 유발될 수 있다.However, if the surface of the first heat transfer structure 110 is subjected to the above-described surface treatment, some problems may occur in the manufacturing process. For example, the color of the first heat transfer structure 110 may be changed due to the surface treatment. In this case, an automatic equipment for mounting the first heat transfer structure 110 or the like at a predetermined position on the insulation portion 120 1 errors may be caused in the process of recognizing the heat transfer structure 110.

이에 따라, 본 발명의 일실시예에 따른 회로기판(100)은 제1 열전달용 구조체(110)와 절연부(120) 사이의 디라미네이션 현상이 감소될 수 있다.Accordingly, in the circuit board 100 according to an embodiment of the present invention, the delamination phenomenon between the first heat transfer structure 110 and the insulation portion 120 can be reduced.

한편, 도 1 등을 다시 참조하면, 제1 열전달용 구조체(110)의 표면에 프라이머층(111)이 구비된 경우, 전술한 제1 비아(V1)나 제2 비아(V2)는 프라이머층(111) 역시 관통하여 제1 열전달용 구조체(110)와 직접 접촉될 수 있다. 이에 따라, 프라이머층(111)으로 인한 열전달 성능 감소를 최소화할 수 있다. 여기서, 프라이머층(111)에 대한 이해를 돕기 위하여 도면에서는 프라이머층(111)의 두께를 과장되게 표현한 경우가 있다. 그러나, 프라이머층(111)은 얇은 막 형태로 구현될 수 있는 바, 실제로 구현된 회로기판에서는 도시된 것보다 현저히 얇은 두께를 가질 수 있다. 따라서, 본 발명을 이해함에 있어서, 도면의 과장된 표현 역시 고려되어야 할 것이다. 특히, 도 1에는 프라이머층(111)의 하면이 제2 회로패턴(P2)과 동일한 평면에 위치하는 것으로 표현되어 있으며, 이에 따라, 프라이머층(111)을 제외한 제1 열전달용 구조체(110)의 저면이 제2 회로패턴(P2)보다 약간 높은 곳에 위치하는 것으로 표현되어 있다. 그러나, 프라이머층(111)의 두께는 제2 회로패턴(P2)의 두께나 제1 열전달용 구조체(110)의 두께에 비하여 매우 작으므로 제1 열전달용 구조체(110)와 제2 회로패턴(P2)의 위치관계를 이해함에 있어서는 프라이머층(111)의 두께가 무시될 수 있다.1 and the like, when the primer layer 111 is provided on the surface of the first heat transfer structure 110, the first via V1 and the second via V2 described above are formed on the primer layer 111 may also pass through and directly contact the first heat transfer structure 110. Thus, the reduction of the heat transfer performance due to the primer layer 111 can be minimized. Here, in order to facilitate understanding of the primer layer 111, the thickness of the primer layer 111 may be exaggerated in the figure. However, the primer layer 111 may be implemented in the form of a thin film, and may have a significantly thinner thickness than that shown in the actual implemented circuit board. Therefore, in order to understand the present invention, the exaggerated expression of the drawings should also be considered. 1 shows that the lower surface of the primer layer 111 is located on the same plane as the second circuit pattern P2 and thus the surface of the first heat transfer structure 110 excluding the primer layer 111 And the bottom surface is located slightly higher than the second circuit pattern P2. However, since the thickness of the primer layer 111 is much smaller than the thickness of the second circuit pattern P2 and the thickness of the first heat transfer structure 110, the first heat transfer structure 110 and the second circuit pattern P2 The thickness of the primer layer 111 can be ignored.

도 12는 본 발명의 일실시예에 따른 제1 열전달용 구조체(110)의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.12 is a view illustrating a manufacturing process of the first heat transfer structure 110 according to an embodiment of the present invention.

도 12를 참조하면, 구리 등의 금속재질로 이루어진 금속판(110-1)을 제공한 후, 금속판(110-1) 상에 레지스트층(R)을 형성한다. 다음으로, 제1 열전달용 구조체(110)의 형상에 대응되도록 레지스트층(R)을 패터닝하여 개구부(H1-1, H1-2)를 형성한 뒤, 에칭공정을 수행함으로써 애칭홀(E1, E2)을 형성한다. 이때, 하나의 금속판(110-1)으로 복수 개의 제1 열전달용 구조체(110)를 형성하고자 할 경우, 후속공정 진행의 편의를 도모하기 위하여 커넥팅부(CN)가 남아있는 상태 까지만 에칭공정을 수행한다. 다음으로, 레지스트층(R)를 제거한 뒤 에칭된 금속판(110-1)을 별도의 플레이트(P)에 배치하고 커텍팅부(CN)를 제거한다. 이에 따라, 제1 열전달용 구조체(110)를 제조할 수 있다. 이때, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 제1 열전달용 구조체(110)의 측면에는 에칭에 따른 흔적이 잔류될 수 있다. 즉, 제1 열전달용 구조체(110)의 측면이 제1 열전달용 구조체(110)의 내측으로 인입된 오목한 형상을 이룰 수 있다는 것이다.Referring to FIG. 12, a metal plate 110-1 made of a metal such as copper is provided, and then a resist layer R is formed on the metal plate 110-1. Next, the opening portions H1-1 and H1-2 are formed by patterning the resist layer R so as to correspond to the shape of the first heat transfer structure 110, and then the etching process is performed to form the nicking holes E1 and E2 ). At this time, when a plurality of first heat transfer structures 110 are to be formed of one metal plate 110-1, an etching process is performed only until the connecting portion CN remains to facilitate the progress of the subsequent process do. Next, after the resist layer R is removed, the etched metal plate 110-1 is placed on a separate plate P and the CNT is removed. Thus, the first heat transfer structure 110 can be manufactured. At this time, as shown in FIG. 12, a trace due to etching may remain on the side surface of the first heat transfer structure 110. That is, the side surface of the first heat transfer structure 110 may be recessed to the inside of the first heat transfer structure 110.

도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 열전달용 구조체(110)의 제조과정을 설명하기 위한 도면이다.13 is a view for explaining a manufacturing process of the first heat transfer structure 110 according to another embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 씨드층(SE) 상에 레지스트층(R)을 형성한 뒤 제1 열전달용 구조체(110)의 형상에 대응되는 부분이 오픈되도록 레지스트층(R)을 패터닝한다. 다음으로, 1회 이상의 도금을 수행하여 제1 열전달용 구조체(110)를 형성한 뒤, 레지스트층(R)과 잔여 씨드층을 제거하여 제1 열전달용 구조체(110)를 제조할 수 있다. 이때, 제1 열전달용 구조체(110)의 두께를 증가시키기 위해서는 수 내지 수백 회의 도금을 다단으로 진행할 수도 있으며, 이렇게 다단 도금을 수행한 경우 그 단면에서 층상구조가 확인될 수 있다. 여기서, I는 씨드층(SE)을 지지하기 위한 요소로써 금속 또는 비금속 재질로 이루어지는 일종의 플레이트일 수 있다.13, after a resist layer R is formed on a seed layer SE, the resist layer R is patterned such that a portion corresponding to the shape of the first heat transfer structure 110 is opened. Next, the first heat transfer structure 110 may be formed by performing at least one time of plating to form the first heat transfer structure 110, and then removing the resist layer R and the remaining seed layer. In this case, in order to increase the thickness of the first heat transfer structure 110, several to several hundreds of times of plating may be performed in multiple stages. In such a multi-stage plating process, the layer structure may be confirmed on its cross section. Here, I is an element for supporting the seed layer SE and may be a kind of plate made of a metal or a non-metal material.

도 12를 참조하여 설명한 실시예에 따르면, 제1 열전달용 구조체(110)의 두께의 균일성이 높아지는 반면, 제1 열전달용 구조체(110)의 측면부의 형상이 상대적으로 불규칙해진다. 또한, 그 결과 제1 열전달용 구조체(110)의 가로, 세로 폭의 편차가 상대적으로 커진다. 따라서, 제1 열전달용 구조체(110)의 두께 제어가 중요한 경우, 본 실시예에 따른 방법으로 제1 열전달용 구조체(110)를 제조할 수 있다.According to the embodiment described with reference to FIG. 12, the uniformity of the thickness of the first heat transfer structure 110 is increased, while the shape of the side portion of the first heat transfer structure 110 becomes relatively irregular. As a result, the deviation of the width of the first heat transfer structure 110 becomes relatively large. Therefore, when thickness control of the first heat transfer structure 110 is important, the first heat transfer structure 110 can be manufactured by the method according to the present embodiment.

반대로, 도 13을 참조하여 설명한 실시예에 따르면, 제1 열전달용 구조체(110)의 폭의 균일성은 향상될 수 있지만, 도금공정의 편차로 인해 두께 편차가 상대적으로 증가될 수 있다. 따라서, 제1 열전달용 구조체(110)의 폭 제어가 중요한 경우, 본 실시예에 따른 방법으로 제1 열전달용 구조체(110)를 제조할 수 있다.Conversely, according to the embodiment described with reference to Fig. 13, the uniformity of the width of the first heat transfer structure 110 can be improved, but the thickness deviation can be relatively increased due to the deviation of the plating process. Accordingly, when width control of the first heat transfer structure 110 is important, the first heat transfer structure 110 can be manufactured by the method according to the present embodiment.

도 14는 본 발명의 일실시예에 따른 코어부(10)를 처리하는 과정을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 14 is a view for explaining a process of processing the core unit 10 according to an embodiment of the present invention.

도 14를 참조하면, 제1 코어층(11), 제2 코어층(12) 및 제3 코어층(13)을 포함하는 코어에 비아홀(VH1)을 형성하고, 비아홀(VH1) 내면을 포함하여 코어 표면에 절연막(14)을 형성한 후 제1 회로패턴(P1), 스루비아(TV), 제2 회로패턴(P2)을 형성할 수 있다. 이에 따라, 제1 회로패턴(P1) 등과 코어부(10) 사이의 절연성이 확보될 수 있다.14, a via hole VH1 is formed in a core including a first core layer 11, a second core layer 12 and a third core layer 13, and a via hole VH1 The first circuit pattern P1, the through-via (TV), and the second circuit pattern P2 can be formed after the insulating film 14 is formed on the core surface. Thus, the insulation between the first circuit pattern P1 and the like and the core portion 10 can be secured.

100 : 회로기판
110 : 제1 열전달용 구조체
111 : 프라이머층
120 : 절연부
121 : 제1 상부 절연층
121': 제1 하부 절연층
122 : 제2 상부 절연층
122': 제2 하부 절연층
131 : 제1 금속패턴
133 : 제3 금속패턴
134 : 제7 금속패턴
141 : 제2 금속패턴
142 : 제4 금속패턴
143 : 제5 금속패턴
144 : 제6 금속패턴
S : 솔더
200 : 제2 전자부품
V1 : 제1 비아
V2 : 제2 비아
V4 : 제4 비아
V5 : 제5 비아
V6 : 제6 비아
V7 : 제7 비아
V8 : 제8 비아
10 : 코어부
11 : 제1 코어층
12 : 제2 코어층
13 : 제3 코어층
14 : 절연막
P1 : 제1 회로패턴
P2 : 제2 회로패턴
TV : 스루비아
500 : 제1 전자부품
800 : 부가기판
810 : 접속패드
L1 : 제3 열전달용 구조체
L2 : 방열부
C1 : 제1 캐비티
C2 : 제2 캐비티100: circuit board
110: first heat transfer structure
111: primer layer
120:
121: first upper insulating layer
121 ': a first lower insulating layer
122: second upper insulating layer
122 ': a second lower insulating layer
131: first metal pattern
133: Third metal pattern
134: Seventh metal pattern
141: second metal pattern
142: fourth metal pattern
143: fifth metal pattern
144: Sixth metal pattern
S: Solder
200: second electronic component
V1: 1st Via
V2: Second Via
V4: fourth vias
V5: fifth via
V6: 6th Via
V7: Seventh Via
V8: Eighth Via
10: core part
11: First core layer
12: second core layer
13: third core layer
14:
P1: 1st circuit pattern
P2: second circuit pattern
TV: Survia
500: first electronic component
800: additional substrate
810: connection pad
L1: third heat transfer structure
L2:
C1: first cavity
C2: second cavity

Claims

A circuit board on which a first electronic component including a first region and a second region that is higher in temperature than the first region in operation can be mounted,
The circuit board includes:
Insulating portion;
A first heat transfer structure made of a thermally conductive material and at least a part of which is inserted into the insulation portion;
An adhesion enhancing part formed on a surface of the first heat transfer structure and interposed between the insulation part and the first heat transfer structure;
A first metal pattern formed on one surface of the insulating portion;
A first via formed in the insulating portion, the first via passing through the adhesion enhancing portion and having one side in contact with the first heat transfer structure and the other side in contact with the first metal pattern;
A first engaging member connected to the first metal pattern; And
And a second electronic component provided in the insulating portion, at least a part of which is located vertically below the first electronic component.

The method according to claim 1,
And the first coupling member is connectable to the first electronic component.

The method of claim 2,
Wherein at least a portion of the first heat transfer structure is located vertically below the first electronic component.

The method according to claim 1,
A third metal pattern formed on one surface of the insulating portion and not electrically connected to the first metal pattern;
Further comprising:
Wherein heat is passed through the first metal pattern,
An electric signal is passed through the third metal pattern,
Wherein the first engaging member is connectable to the first metal pattern.

The method according to claim 1,
Wherein the first heat transfer structure comprises:
Layered structure by multi-stage plating,
Wherein at least one side of the first heat transfer structure except the upper surface and the lower surface is concave.

The method according to claim 1,
Wherein the first heat transfer structure comprises a hexahedron including an upper surface and a lower surface,
And a plurality of vias are brought into contact with the same surface among the surfaces of the first heat transfer structure.

The method according to claim 1,
Wherein the first heat transfer structure comprises a hexahedron including an upper surface and a lower surface, one surface of the first via contacting the upper surface of the first heat transfer structure,
A second metal pattern formed on the other surface of the insulating portion;
A second via formed in the insulating portion, the second via penetrating through the adhesion enhancing portion, one surface of the second via contacting the lower surface of the first heat transfer structure and the other surface contacting the second metal pattern; And
And a second coupling member connected to the second metal pattern.

The method of claim 7,
And the second coupling member is connectable to the additional substrate.

The method of claim 8,
The additional substrate passes through the additional substrate to expose an upper surface and a lower surface,
And a heat dissipation unit formed of a thermally conductive material, wherein the second engagement member is in contact with the heat dissipation unit, and the second engagement member is made of a thermally conductive material.

A circuit board on which a first electronic component can be mounted,
The circuit board includes:
A core portion having a first cavity and a second cavity;
A first heat transfer structure formed at least partially in the first cavity and made of a thermally conductive material;
A second electronic component at least partially inserted into the second cavity, and at least a part of which is positioned vertically below the first electronic component;
An insulating layer covering the first heat transfer structure, the second electronic component, and the core portion;
An adhesion enhancing part formed on a surface of the first heat transfer structure and interposed between the insulation layer and the first heat transfer structure and between the core part and the first heat transfer structure; And
A via formed in the insulating layer and penetrating through the adhesion enhancing portion and having one side in contact with the first heat transfer structure; Lt; / RTI >
The core portion
A first core layer including a second heat transfer structure made of a thermally conductive material;
A second core layer provided on one surface of the first core layer; And
A third core layer provided on the other surface of the first core layer;
.

The method of claim 10,
Wherein the second heat transfer structure comprises:
And a first unit comprising a primer layer on the surface of the graphite or graphene.

The method of claim 11,
Wherein the second heat transfer structure comprises:
And a second unit body coupled to an upper surface of the first unit body, wherein the second unit body includes a primer layer on the surface of the graphite or graphene.

The method of claim 11,
Wherein the second heat transfer structure comprises:
Further comprising: a second unit body coupled to a side surface of the first unit body excluding the upper and lower surfaces thereof, wherein a primer layer is provided on the surface of the graphite or graphene.

11. The circuit board according to claim 10, wherein the second heat transfer structure comprises graphite or graphene.

[10] The method of claim 10, wherein the first core layer is provided with a through-
And the second core layer and / or the third core layer fill at least a part of the through-hole.

16. The apparatus of claim 15,
And a through-hole penetrating the core portion,
Wherein an insulating film is provided on a surface of the core portion including the via hole.

17. The method of claim 16,
And a core via hole penetrating the second core layer and the third core layer to expose the first core layer.

11. The circuit board according to claim 10, wherein a thermally conductive insulating material is provided in a region between the core portion and the first heat transfer structure.

11. The circuit board according to claim 10, wherein at least a part of the first heat transfer structure contacts the second heat transfer structure.

[12] The method of claim 10, further comprising: forming a first circuit pattern on an upper surface of the core portion; And
And a second circuit pattern provided on a lower surface of the core portion,
Wherein a thickness of the first heat transfer structure is thicker than a thickness from a lower surface of the second circuit pattern to an upper surface of the first circuit pattern.

The method of claim 10,
Wherein at least a part of the first heat transfer structure is located in a region below a vertical direction of the first electronic component.

The circuit board according to any one of claims 1 to 21, wherein the adhesion enhancer comprises a silane.

23. The circuit board of claim 22, wherein the silane is acrylic.

The method according to any one of claims 1 to 9,
A core portion made of a thermally conductive material; And
And an insulating layer provided on at least one side of the core portion.

The method according to any one of claims 1 to 9,
A cavity is formed in the insulating portion, and the first heat transfer structure is disposed in the cavity.