KR101778041B1 - 저온 전극 노출형 열전 모듈 및 그 제조 방법 - Google Patents

저온 전극 노출형 열전 모듈 및 그 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 열전 소자의 산화를 방지하기 위한 산화방지막이 형성된 저온 전극 노출형 열전 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 서로 마주하며 이격되도록 배치된 저온 기판 및 고온 기판; 상기 저온 기판 및 고온 기판의 내측 면에 각각 배치된 저온 전극 및 고온 전극; 상기 저온 전극 및 고온 전극 사이에 개재되며, 상기 저온 전극 및 고온 전극과 전기적으로 접합된 열전소자; 및 상기 고온 기판, 상기 고온 전극 및 상기 열전소자에 코팅되어 산화를 방지하는 산화방지막을 포함한다.

Description

저온 전극 노출형 열전 모듈 및 그 제조 방법{THERMOELECTRIC MODULE EXPOSING ELECTRODES OF LOW TEMPERATURE AND FABRICATION METHOD THEREOF}
본 발명은 저온 전극 노출형 열전 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 열전 소자의 산화를 방지하기 위한 산화방지막이 형성된 저온 전극 노출형 열전 모듈 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
수십 년간 저효율 에너지 변환 기술로 알려진 열전발전기술은 중온(300~700℃) 영역에서 10% 이상의 효율이 가능한 것으로 보고되고 있으며 신규 에너지 재생기술로 크게 주목받으며 국내외에서 활발히 연구가 진행되고 있다.
열전발전은 고온부와 저온부의 온도 차로 발전을 하는 것으로 중온 열전 모듈은 그 사용 온도가 평균 약 500~600℃에 육박하는 등 비교적 높기 때문에 열전소재의 산화 및 승화에 의한 열화가 발생할 수 있으며, 이와 같이 열전발전 모듈을 공기 중에 노출하여 사용할 경우 열전소재가 산화하여 발전량은 줄어들고 저항을 증가하는 등 모듈 자체의 효율이 현저히 감소하므로 열전소재의 산화를 방지할 수 있는 기술이 필수적으로 요구된다.
종래의 산화를 방지하기 위한 기술은 일본공개특허공보 특개 제2015-18853호에 개시된 바와 같이 열전모듈을 제작한 후에 액상인 산화방지제에 담그거나(침지법) 산화방지를 위한 에어로겔(Aerogel) 등의 충전재를 밖에서부터 채워 넣는 방식을 사용해왔다.
그러나, 상술한 바와 같은 종래의 산화방지를 위한 기술은 이미 만들어진 열전 모듈 외부에서 산화방지 물질을 채우는 것이기 때문에 열전 모듈의 안쪽까지 균일하게 산화방지 물질이 채워지지 않는 문제점이 있다.
또한, 상술한 종래의 방식에 의하여 형성된 열전모듈의 산화방지막은 산화방지가 굳이 필요하지 않은 저온 전극 부분까지 코팅되므로 고온부에서 저온부까지 산화방지막을 통한 열전달 경로가 형성되고, 이를 통하여 열전모듈의 효율의 손실이 발생할 수 있는 문제점이 있다.
일본공개특허공보 특개 제2015-18853호(2015. 1. 29.)
본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 저온부의 접합 전에 플라즈마 스프레이 코팅 방식을 이용하여 열전소자에 산화방지 물질을 분사함으로써 산화방지막이 균일하게 형성될 수 있도록 하는 저온 전극 노출형 열전 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여, 열전 소자에 형성된 산화방지막 중 저온부에 접합되는 부분에 대하여 연마 공정을 수행함으로써, 저온부가 접합된 이후에 열전 모듈의 고온부에서 저온부로 열이 전달되는 경로를 제거할 수 있는 저온 전극 노출형 열전 모듈 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 저온 전극 노출형 열전 모듈은, 서로 마주하며 이격되도록 배치된 저온 기판 및 고온 기판; 상기 저온 기판 및 고온 기판의 내측 면에 각각 배치된 저온 전극 및 고온 전극; 상기 저온 전극 및 고온 전극 사이에 개재되며, 상기 저온 전극 및 고온 전극과 전기적으로 접합된 열전소자; 및 상기 고온 기판, 상기 고온 전극 및 상기 열전소자에 코팅되어 산화를 방지하는 산화방지막을 포함한다.
여기서, 산화방지막은, 상기 저온 전극에 접하는 면이 연마되어 상기 고온 기판 및 상기 고온 전극으로부터 상기 저온 전극을 향하는 열전달 경로가 제거된 구조일 수 있다.
또한, 상기 산화방지막은, 플라즈마 스프레이 공정에 의하여 형성될 수 있다.
한편, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 저온 전극 노출형 열전 모듈의 제조 방법은, 고온 전극 및 열전소자가 적층되어 배치된 고온 기판을 형성하는 단계; 상기 고온 기판의 상기 고온 전극 및 상기 열전소자가 적층된 면에 산화방지막을 코팅하는 단계; 상기 열전소자의 저온 전극 접합면에 형성된 상기 산화방지막을 연마하는 단계; 상기 열전 소자와 대응되는 저온 전극이 적층되어 배치된 저온 기판을 형성하는 단계; 및 상기 고온 기판 상에 상기 저온 기판을 배치시키고, 저온 전극과 열전소자를 서로 접합시키는 단계를 포함할 수 있다.
또한, 상기 산화방지막은, 상기 고온 기판 및 상기 고온 전극으로부터 상기 저온 전극을 향하는 열전달 경로가 제거될 때까지 상기 저온 전극에 접하는 면이 연마될 수 있다.
한편, 상기 코팅하는 단계는, 플라즈마 스프레이 공정을 이용하여 코팅하는 단계일 수 있다.
본 발명은 저온부의 접합 전에 플라즈마 스프레이 코팅 방식을 이용하여 열전소자에 직접 산화방지 물질을 고르게 분사함으로써 산화방지막이 균일하게 열전소자 표면에 밀착되어 형성될 수 있도록 하는 효과를 갖는다.
한편, 본 발명은 열전 소자에 형성된 산화방지막 중 저온부에 접합되는 부분에 대하여 연마 공정을 수행함으로써, 저온부가 접합된 이후에 열전 모듈의 고온부에서 저온부로 열이 전달되는 경로를 제거하여 열전 모듈의 효율을 높이는 효과를 갖는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 저온 전극 노출형 열전 모듈을 도시한 도면이다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 저온 전극 노출형 열전 모듈의 제조 방법을 도시한 측면도이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 저온 전극 노출형 열전 모듈의 제조 방법을 도시한 도면이다.
도 4a 및 도 4b는 산화방지막을 전면적으로 코팅한 열전 모듈과 저온 전극 노출형 열전 모듈의 열손실을 비교하기 위한 도면이다.
개시된 기술에 관한 설명은 구조적 내지 기능적 설명을 위한 실시예에 불과하므로, 개시된 기술의 권리범위는 본문에 설명된 실시예에 의하여 제한되는 것으로 해석되어서는 아니 된다. 즉, 실시예는 다양한 변경이 가능하고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 개시된 기술의 권리범위는 기술적 사상을 실현할 수 있는 균등물들을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 본 출원에서 서술되는 용어의 의미는 다음과 같이 이해되어야 할 것이다.
“제1”, “제2” 등의 용어는 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하기 위한 것으로 이들 용어들에 의해 권리범위가 한정되어서는 아니 된다. 예를 들어, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결될 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 한편, 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함하는 것으로 이해되어야 하고, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 실시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
각 단계들은 문맥상 명백하게 특정 순서를 기재하지 않은 이상 명기된 순서와 다르게 일어날 수 있다. 즉, 각 단계들은 명기된 순서와 동일하게 일어날 수도 있고 실질적으로 동시에 수행될 수도 있으며 반대의 순서대로 수행될 수도 있다.
여기서 사용되는 모든 용어들은 다르게 정의되지 않는 한, 개시된 기술이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미를 지니는 것으로 해석될 수 없다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 저온 전극 노출형 열전 모듈을 나타낸 도면으로, 본 발명의 일 실시예에 의한 저온 전극 노출형 열전 모듈은, 고온 기판(100), 고온 전극(200), 열전소자(300), 산화방지막(400), 저온 전극(500) 및 저온 기판(600)을 포함한다.
고온 기판(100) 및 저온 기판(600)은, 서로 마주하며 이격되도록 배치된다. 이때, 고온 기판(100) 및 저온 기판(600)은, 고온 전극(200), 열전소자(300), 저온 전극(500)을 지지하는 역할을 수행하게 된다. 또한, 고온 기판(100) 및 저온 기판(600)은, 열전소자(300)가 복수개 구비된 일반적인 형태에서 복수개의 열전소자(300)를 연결하는 기반 구조를 제공할 수 있다.
한편, 고온 기판(100) 및 저온 기판(600)은, 열전발전을 위한 외부 장치에 접하여 열전소자(300)와의 열교환을 통해 외부 장치로부터 열을 흡수하거나 외부 장치로 열을 방출하는 등 외부 장치와 열전소자(300) 간의 열전달을 수행할 수 있으며, 이를 위하여 고온 기판(100) 및 저온 기판(600)은 열전도율이 높은 세라믹(Ceramic) 기판일 수 있으나 열전도율이 좋은 금속, 예를 들면 알루미늄, 구리 등으로 이루어질 수도 있으며 그 소재에 한정되지 않는다.
또한, 고온 전극(200) 및 저온 전극(500)은, 고온 기판(100) 및 저온 기판(600)의 내측면에 각각 배치된다. 이때, 고온 전극(200) 및 저온 전극(500)은, 와이어(도시되지 않음)에 의해 외부 전원 장치와 접속되어, 외부 전원 장치로 전원을 공급하거나 공급받을 수 있다. 즉, 본 발명의 열전 모듈이 발전장치의 역할을 할 경우, 전원을 외부 전원 장치로 공급할 수 있으며, 냉각장치의 역할을 할 경우, 전원을 외부 전원 장치로부터 공급받을 수 있다.
한편, 열전소자(300)는, 고온 전극(200) 및 저온 전극(500) 사이에 개재되며, 고온 전극(200) 및 저온 전극(500)과 전기적으로 접합된다. 이때, 열전소자(300)는, P형 반도체와 N형 반도체를 포함할 수 있다. 이때, P형 반도체와 N형 반도체는 동일한 평면상에 교대로 배열될 수 있다. 또한, 열전소자(300)는, 중온영역에서 사용하기에 적합한 규화 마그네슘(
Figure 112016009480518-pat00001
) 등일 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
여기서, 고온 전극(200) 및 저온 전극(500)과 열전소자(300)는 솔더(solder, 도시되지 않음)에 의해 서로 접합되어 있을 수 있다. 이때, 솔더는 PbSn 또는 CuAgSn등과 같이 주석(Sn)을 포함할 수 있다. 한편, 고온 전극(200) 및 저온 전극(500)과 열전소자(300)는, 중온의 비교적 고온을 견딜 수 있는 방식인 브레이징(Brazing), 은 페이스트(Ag paste) 이용, 확산 접합(Diffusion bonding) 등과 같은 방식에 따라 접합될 수도 있다.
또한, 산화방지막(400)은, 고온 기판(100), 고온 전극(200) 및 열전소자(300)에 코팅되어 열전소자(300)의 산화 또는 승화를 방지하는 역할을 한다.
여기서, 산화방지막(400)을 형성하기 위해 플라즈마 스프레이(Plasma spray) 코팅 기술을 사용할 수 있는데, 플라즈마 스프레이 코팅 기술은 코팅하고자 하는 분말 형태의 소재, 예를 들면, 산화지르코늄(
Figure 112016009480518-pat00002
), 이산화 규소(
Figure 112016009480518-pat00003
) 등을 고온의 플라즈마 열원에 투입하여 용융시킨 후, 이를 열전소재로 사용될 모재 표면에 고속으로 분사, 밀착시켜서 구조적으로 매우 치밀한 코팅막을 형성할 수 있는 기술이다. 플라즈마 스프레이 코팅 공정은 다른 표면막 형성 방법, 예를 들면 침지법(Dipping method) 등에 비해 소재 및 제조 공정의 종류에 대한 제한이 적고 대면적 코팅이 가능하여 수율을 높일 수 있으며 모재에 영향을 최소화할 수 있다.
한편, 산화방지막(400)은, 저온 전극(500)에 접하는 면이 연마되어 고온 기판(100) 및 고온 전극(200)으로부터 저온 전극(500)을 향하는 열전달 경로가 제거될 수 있다. 즉, 산화방지막(400)을 통한 열전달로 인하여 열전 모듈의 효율이 손실되는 것을 방지할 수 있다.
도 2a 내지 도 2d는 본 발명의 일 실시예에 따른 저온 전극 노출형 열전 모듈의 제조 방법을 도시한 단면도이고, 도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 저온 전극 노출형 열전 모듈의 제조 방법을 도시한 도면으로, 이에 대하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 2a 및 도 3a에 도시된 바와 같이 고온 전극(200) 및 열전소자(300)가 적층되어 배치된 고온 기판(100)을 형성한다.
이를 위하여, 먼저 열전도율이 좋은 소재, 예를 들면 세라믹 소재인 고온 기판(100)을 준비한다. 이때, 고온 기판(100)은 우수한 열전도율을 갖는 금속 소재로 이루어져 있을 수 있으며, 고온 기판(100)이 금속 소재로 이루어질 경우, 고온 기판(100) 내측면 상에 절연층(도시되지 않음)을 형성할 수 있다.
이후에, 고온 기판(100)의 내측면 상에 고온 전극(200)을 형성한다. 이때, 고온 전극(200)은 도전물질을 증착하여 도전막을 형성한 후, 도전막을 패터닝하여 형성할 수 있으나, 이에 한정되지 않으며, 도금공정 및 인쇄공정 등을 통해 형성할 수도 있다.
다음에, 고온 전극(200) 상에 솔더층(도시되지 않음)을 형성한다. 여기서, 솔더층은 은 페이스트 등 금속 페이스트를 인쇄하여 형성할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
이후에, 솔더층 상에 열전소자(300)를 배치한다, 여기서, 열전소자(300)는 도 3a에 도시된 바와 같이 P형 반도체와 N형 반도체를 포함할 수 있으며, 이때, P형 반도체와 N형 반도체를 서로 교대로 배치시킬 수 있다.
여기서, 고온 전극(200)에 열전소자(300)를 접합하는 방식은 상술한 은 페이스트를 이용한 방법에 한정되지 않으며, 브레이징, 확산 접합과 같은 방식을 사용할 수도 있다.
다음에, 도 2b 및 도 3b에 도시된 바와 같이 고온 기판(100)의 고온 전극(200) 및 열전소자(300)가 적층된 면에 산화방지막(400)을 코팅한다. 이때, 코팅 공정은 플라즈마 스프레이(310)를 이용한 공정을 사용할 수 있으며, 코팅 공정이 고온 기판(100)의 고온 전극(200) 및 열전소자(300)가 적층된 면에 균일하게 적용된다. 즉, 고온부에 해당하는 고온 전극(200) 및 열전소자(300)에 모두 산화방지막(400)을 코팅하므로, 열전소자(300)뿐 아니라 고온 전극(200)의 산화방지도 가능하다.
이후에, 도 2c 및 도 3c에 도시된 바와 같이 열전소자(300)의 저온 전극(500) 접합면에 형성된 산화방지막(400)을 연마하여 열전소자(300)의 상부가 드러나도록 한다. 이때, 연마 공정은 화학적 기계 연마(Chemical Mechanical Planarization) 공정 등을 사용할 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
즉, 열전소자(300) 상에 형성된 산화방지막(400) 중 저온 전극(500)에 접하는 면에 형성된 산화방지막(400)을 연마하여 고온 기판(100) 및 고온 전극(200)으로부터 저온 전극(500)을 향하는 열전달 경로를 제거하게 된다.
다음에, 열전 소자(300)와 대응되는 저온 전극(500)이 적층되어 배치된 저온 기판(600)을 형성한다. 여기서, 저온 전극(500) 및 저온 기판(600)을 포함하는 저온부는 실제 발전 단계에서 최대 약 200℃ 내외의 온도를 유지하기 때문에 산화방지막(400)으로 코팅되지 않더라도 산화로 인한 효율 저하의 문제가 발생하지 않는다.
이후에, 도 2d 및 도 3d에 도시된 바와 같이 고온 기판(100) 상에 저온 기판(600)을 배치시키고, 저온 전극(500)과 열전소자(300)를 서로 접합시킨다. 이때, 저온 전극(500)과 열전소자(300)를 접합시키는 공정은 저온 공정이므로 솔더링(Soldering) 공정 등 다양한 접합 공정을 사용할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 전면적으로 코팅한 산화방지막(10)을 갖는 열전 모듈과 저온 전극 노출형 산화방지막(400)을 갖는 열전 모듈의 열손실을 비교하기 위한 도면으로, 도 4a와 같이 열전 모듈에 산화방지막(10)이 전면적으로 코팅된 경우에는 고온부로부터 저온부로 많은 열손실 경로(11)가 형성되나, 도 4b와 같이 산화방지막(400)이 부분적으로 코팅되는 경우에는 열이 손실되는 열전달 경로(401)가 대부분 차단됨을 알 수 있다.
이러한 개시된 기술인 방법 및 장치는 이해를 돕기 위하여 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 개시된 기술의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 정해져야 할 것이다.
100: 고온 기판
200: 고온 전극
300: 열전소자
400: 산화방지막
500: 저온 전극
600: 저온 기판

Claims (6)

  1. 서로 마주하며 이격되도록 배치된 저온 기판 및 고온 기판;
    상기 저온 기판 및 고온 기판의 내측 면에 각각 배치된 저온 전극 및 고온 전극;
    상기 저온 전극 및 고온 전극 사이에 개재되며, 상기 저온 전극 및 고온 전극과 전기적으로 접합된 열전소자; 및
    상기 고온 기판, 상기 고온 전극 및 상기 열전소자에 코팅되어 산화를 방지하는 산화방지막을 포함하는 저온 전극 노출형 열전 모듈.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 산화방지막은, 상기 저온 전극에 접하는 면이 연마되어 상기 고온 기판 및 상기 고온 전극으로부터 상기 저온 전극을 향하는 열전달 경로가 제거된 구조인 저온 전극 노출형 열전 모듈.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 산화방지막은, 플라즈마 스프레이 공정에 의하여 형성되는 저온 전극 노출형 열전 모듈.
  4. 고온 전극 및 열전소자가 적층되어 배치된 고온 기판을 형성하는 단계;
    상기 고온 기판의 상기 고온 전극 및 상기 열전소자가 적층된 면에 산화방지막을 코팅하는 단계;
    상기 열전소자의 저온 전극 접합면에 형성된 상기 산화방지막을 연마하는 단계;
    상기 열전 소자와 대응되는 저온 전극이 적층되어 배치된 저온 기판을 형성하는 단계; 및
    상기 고온 기판 상에 상기 저온 기판을 배치시키고, 저온 전극과 열전소자를 서로 접합시키는 단계를 포함하는 저온 전극 노출형 열전 모듈의 제조 방법.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 산화방지막은, 상기 고온 기판 및 상기 고온 전극으로부터 상기 저온 전극을 향하는 열전달 경로가 제거될 때까지 상기 저온 전극에 접하는 면이 연마되는 저온 전극 노출형 열전 모듈의 제조 방법.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 코팅하는 단계는, 플라즈마 스프레이 공정을 이용하여 코팅하는 단계인 저온 전극 노출형 열전 모듈의 제조 방법.
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KR102198213B1 (ko) * 2017-10-31 2021-01-04 한국전기연구원 확산방지층과 산화방지막, 산화막이 형성된 열전레그가 구비된 열전모듈 제조방법 및 그에 의한 열전모듈
KR102050138B1 (ko) * 2017-12-07 2019-11-28 한국세라믹기술원 전극층/절연층 다층기판 및 그 제조방법과 이를 포함한 열전발전 모듈

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4296066B2 (ja) 2003-09-12 2009-07-15 株式会社東芝 熱電変換装置
JP2010503219A (ja) 2006-08-30 2010-01-28 テンプロニクス，インコーポレイテッド 均一ギャップを備える近接電極

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4296066B2 (ja) 2003-09-12 2009-07-15 株式会社東芝 熱電変換装置
JP2010503219A (ja) 2006-08-30 2010-01-28 テンプロニクス，インコーポレイテッド 均一ギャップを備える近接電極

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200126660A (ko) 2019-04-30 2020-11-09 한국전기연구원 일체형 열전소자기판 및 이를 이용한 열전소자

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