KR101765419B1 - 압전 스피커 및 이의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

저주파 영역의 출력 음압을 향상시키고, 음의 왜곡을 방지할 수 있는 압전 스피커 및 이의 제조방법이 개시된다. 이는 압전소자에 압전소자를 관통하는 관통홀을 형성하고, 관통홀의 형태와 배열을 조절함으로써 저주파 영역의 출력 음압을 향상시킬 수 있다. 또한, 관통홀을 압전소자의 중심으로부터 비대칭으로 형성함으로써 구조적 대칭성에 기인한 음의 왜곡을 감소시킬 수 있고, 여러 가지 진동 모드에 따른 진동의 영향으로 압전 스피커의 피크 딥 현상을 완화시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

압전 스피커 및 이의 제조방법{Piezoelectric Speaker and Method of Manufacturing the Same}
본 발명은 압전 스피커 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 압전소자를 관통하는 관통홀을 통해 저주파 영역의 출력 음압을 향상시키고, 음의 왜곡을 방지할 수 있는 압전 스피커 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
소비자의 수요가 점점 모바일화와 소형화를 지향함에 따라, 기존의 자석 코일을 이용한 스피커에 대한 대안으로 압전 스피커가 주목을 받고 있다. 압전 스피커는 얇고 가벼우며 전력소모가 작은 장점이 있어 휴대용 전자기기, 초박형 TV, 자동차 등 다양한 용도에 적용될 수 있다.
일반적으로 압전 스피커는 폴리머 또는 금속 진동판 양면에 전극이 형성된 압전소자를 접착제로 부착한 구조로 되어 있다. 압전소자의 양면에 교류 전압을 인가함으로써 압전소자의 형상 변형이 발생하며, 압전소자의 형상 변형을 진동판에 전달함으로써 소리를 발생시킨다. 종래의 압전 스피커는 금속진동판의 상부에 압전소자가 부착된 압전 스피커로서 압전소자에 가해지는 신호에 의하여 금속 진동판에 변위가 발생하여 음향을 발생시킨다.
이러한 구조의 압전 스피커는 압전소자에 비하여 금속 진동판의 두께가 상대적으로 두꺼우므로 저주파의 영역의 음을 재생하기가 어려운 점이 있다. 금속 진동판의 임피던스와 공기의 음향임피던스의 큰 차이로 인하여 저음역영역의 재생이 어려워 저주파부터 고주파까지의 음질감을 구현하기 어렵다.
압전 스피커는 공진 현상을 이용하기 때문에 음압의 주파수 특성에 있어서 큰 피크 딥이 (음압손실) 발생하여 고주파수까지 충분한 음압을 얻는 것이 곤란하다.
한국특허공개 10-2016-0015348
본 발명이 이루고자 하는 제1 기술적 과제는 저주파 영역에서의 출력음압이 향상된 압전 스피커를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명이 이루고자 하는 제2 기술적 과제는 상기 제1 기술적 과제를 달성하기 위한 압전 스피커의 제조방법을 제공하는데 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 일 측면은 압전 스피커를 제공한다. 상기 압전 스피커는 전기 신호를 물리적 진동으로 변환하는 압전소자, 상기 압전소자의 상부, 하부 또는 내부에 형성된 전극, 상기 압전소자의 하부에 형성된 접착층 및 상기 접착층에 의해 상기 압전소자에 부착되는 진동판을 포함하고, 상기 압전소자에는 상기 압전소자를 관통하는 관통홀이 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 관통홀은 상기 상부, 하부 또는 내부 전극에 수직한 방향으로 형성될 수 있다.
상기 압전소자는 적어도 두 개 이상의 관통홀을 갖을 수 있다.
상기 관통홀은 상기 압전소자의 중심으로부터 비대칭으로 형성될 수 있다.
상기 관통홀은 상기 상부 또는 하부 전극을 포함하여 형성될 수 있다.
상기 관통홀은 상기 내부 전극을 포함하여 형성될 수 있다.
상기 관통홀은 비어있을 수 있다.
상기 관통홀은 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 및 고무 중 어느 하나로 채워지거나, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 및 고무 중 어느 하나와 글라스 비드로 채워질 수 있다.
상기 관통홀의 직경은 50μm이상, 상기 압전소자 폭의 50%이하로 형성될 수 있다.
상기 관통홀은 원, 타원, 또는 다각형으로 형성될 수 있다.
상기 과제를 이루기 위하여 본 발명의 다른 측면은 압전 스피커 제조방법을 제공한다. 상기 압전 스피커 제조방법은 슬러리를 이용하여 그린 시트를 제작하는 단계, 상기 그린 시트를 적층하는 단계, 상기 적층하여 형성된 압전소자에 관통홀을 형성하는 단계, 상기 관통홀이 형성된 압전소자에 상부 전극 또는 하부 전극을 형성하는 단계, 상기 압전소자 하부에 접착층을 형성하는 단계 및 상기 접착층을 이용하여 상기 압전소자와 진동판을 부착하는 단계를 포함한다.
상기 그린 시트는 닥터 블레이드법(Doctor Blade Method), 코마 코터, 또는 다이코터를 이용하여 제작될 수 있다.
상술한 본 발명에 따르면, 본 발명의 압전 스피커는 압전소자의 표면을 관통하는 관통홀이 형성되며, 관통홀의 형태와 배열을 조절함으로써 종래의 압전 스피커에 비해 저주파 영역에서 출력 음압을 향상시킬 수 있다.
또한, 관통홀을 압전소자의 중심으로부터 비대칭으로 형성함으로써 구조적 대칭성에 기인한 음의 왜곡을 감소시킬 수 있고, 여러 가지 진동 모드에 따른 진동의 영향으로 압전 스피커의 피크 딥 현상을 완화시킬 수 있다.
본 발명의 기술적 효과들은 이상에서 언급한 것들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 압전 스피커를 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 압전소자와 전극들을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 관통홀이 형성된 압전소자의 도면이다.
도 4는 본 발명의 압전 스피커의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 압전 스피커와 종래의 압전 스피커의 음압 특성을 나타내는 그래프이다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
실시예
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 압전 스피커를 도시한 단면도이고, 도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 압전소자와 전극들을 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 실시예의 압전 스피커는 압전소자(100), 상기 압전소자의 상부, 하부 또는 내부에 형성된 전극(110,120,102,103), 접착층(200) 및 진동판(300)을 포함한다. 또한, 상기 압전소자(100)에는 압전소자(100)를 관통하는 관통홀(130)이 형성된다.
압전소자(100)는 복수의 압전층(101)이 적층된 적층체로 구성된다. 또한, 복수의 압전층(101) 상에는 내부 전극(102,103)을 포함할 수 있다. 복수의 압전층(101) 상에 내부 전극(102,103)이 적층되어 복수의 압전층(101)과 내부 전극(102,103)이 교대로 형성될 수 있다. 내부 전극(102,103)은 일예로, 양극 내부 전극(102)과 음극 내부 전극(103)일 수 있으며, 양극 내부 전극(102)과 음극 내부 전극(103)은 복수의 압전층(101) 상에 교대로 배치될 수 있다.
내부 전극(102,103)은 전도성이 양호한 금속 재질로 구성될 수 있으며, 주로 Ag 및 Pd를 함유하는 금속재로 구성될 수 있다. 또한, 상기 내부 전극(102,103)은 압전층(101) 상에 스크린 인쇄법등에 의해서 형성될 수 있다. 이러한 내부 전극(102,103)은 압전층(101)이 복수로 적층된 적층체 내에서 양극과 음극을 형성하게 되며, 압전층(101)과 교대로 적층을 반복하여 극성을 가진 압전소자(100)를 구성할 수 있다.
또한, 압전층(101) 사이에 배치된 내부 전극들(102,103)은 교대로 양극과 음극을 형성하면서 같은 극성을 가진 내부 전극(102,103)끼리 전기적으로 연결되고, 각 극성의 내부 전극(102,103)들은 적층체의 상부와 하부에 형성된 상부 전극(110) 및 하부 전극(120)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다.
이때, 압전층(101)의 적층시 최상부층은 노출되는 내부 전극(102,103)을 보호하기 위하여 내부 전극(102,103)이 형성되지 않은 압전층(101)이 추가로 적층될 수 있다.
상기한 압전소자(100)에는 압전소자(100)를 관통하는 소정의 직경을 가지는 관통홀(130)이 형성된다.
관통홀(130)은 압전소자(100)를 관통하여 형성되되, 압전소자(100)의 내부에 형성된 내부 전극(102,103) 또는 압전소자의 외부에 형성된 상부 또는 하부 전극(110,120)에 수직한 방향으로 형성될 수 있다. 이러한 관통홀(130)은 압전소자(100)에 적어도 두 개 이상이 형성될 수 있으며, 압전소자(100)의 중심으로부터 비대칭으로 형성될 수 있다. 또한, 관통홀(130)은 상기 내부 전극(102,103)을 포함하여 형성되거나, 상부 또는 하부 전극(110,120)을 포함하여 형성될 수 있으며, 내부, 상부 및 하부 전극(102,103,110,120)을 모두 포함하여 형성될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 관통홀이 형성된 압전소자의 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 관통홀(130)의 위치는 압전소자(100)의 중심으로부터 비대칭적으로 형성되되, 용도에 따라 전체적인 관통홀(130) 형태를 불규칙적으로 형성될 수도 있고, 특정한 형태를 가지며 형성될 수도 있다. 즉, 관통홀(130)은 압전소자(100)의 용도에 따라 다양한 홀의 배열과 크기를 조합하여 형성될 수 있다. 다만, 관통홀(130)이 형성되는 위치가 한쪽으로 집중되어 집중되는 부위의 기계적 강도가 떨어지지 않도록 배치하는 것이 바람직하다.
상기와 같이, 관통홀(130)을 압전소자(100)의 중심으로부터 비대칭으로 형성함으로써, 구조적 대칭성에 기인한 음의 왜곡을 감소시킬 수 있고, 여러 가지 진동모드에 따른 진동의 영향으로 압전 스피커의 피크 딥 현상을 완화하며, 저주파 음압 특성을 개선하는 효과가 있다.
또한, 관통홀(130)의 직경은 50μm이상, 상기 압전소자(100) 폭(두께 방향에 수직한 방향의 길이)의 50%이하로 형성됨이 바람직하다. 일예로, 압전소자(100)에 형성된 관통홀(130)의 직경이 50μm보다 작으면, 압전소자(100)에 관통홀(130)을 형성하더라도 압전 스피커의 저주파 음압 향상의 효과가 나타나지 않으며, 관통홀(130)의 직경이 압전소자(100) 폭의 50%보다 크면, 압전소자(100)의 기계적인 강도에 문제가 발생되게 된다.
상술한 바와 같이, 적층형 압전소자(100)에 압전소자(100)를 관통하는 관통홀(130)을 형성하고, 관통홀(130)의 형태와 배열을 조절함으로써, 종래의 압전 스피커에 비해 저주파 영역에서 출력 음압을 향상시킬 수 있다. 또한, 관통홀(130)을 압전소자(100)의 중심으로부터 비대칭으로 형성함으로써, 구조적 대칭성에 기인한 음의 왜곡을 감소시킬 수 있고, 여러 가지 진동 모드에 따른 진동의 영향으로 압전 스피커의 피크 딥 현상을 완화시킬 수 있다.
형성된 관통홀(130)은 내부가 비어있어 공기와 접촉되도록 형성되거나, 공기와 압전소자(100)의 임피던스 매칭을 위해 관통홀(130) 내부에 폴리머 수지를 이용하여 채워질 수 있다. 즉, 관통홀(130)은 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 및 고무 중 어느 하나로 채워지거나, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 및 고무 중 어느 하나와 글라스 비드로 채워질 수 있다. 관통홀(130) 내부에 수지가 충진되면 댐핑효과(Damping Effect)가 유발되어 공진이 억제되므로, 음압이 주파수별로 peak나 deep없이 일정하게 생성될 수 있다.
관통홀(130)의 형상은 원으로 형성될 수 있으나, 원 이외에도 타원 또는 다각형으로 형성될 수 있다.
계속해서, 상부 전극(110)과 하부 전극(120)은 도 1 및 도 2에 도시한 바와 같이, 압전소자(100)의 상호 대향하는 양측면 끝단 수직방향으로 각각 형성되고, 각각의 양측 끝단은 복수로 적층된 압전층(101) 외측 가장자리에 각각 배치되는 구조로 형성될 수 있다. 특히, 상부 전극(140)은 내부 전극의 일부(102)와 전기적인 단락을 이루며, 내부 전극의 나머지 요소(103)는 하부 전극(120)과 전기적인 단락을 이룬다.
상기 상부 전극(110)과 하부 전극(120)은 압전층(101) 외측에 배치되어 외부에서 전원이 인가되는 기능을 수행하기 위한 것으로, 일예로, Ag와 유리를 함유하는 전극재료를 이용하여 스크린 인쇄법에 의해 형성될 수 있다.
또한, 상부 전극(110)의 표면 상에는 제1 리드 단자(140)가 형성되고, 하부 전극(120)의 표면 상에는 제2 리드 단자(150)가 형성된다. 따라서, 각각의 리드 단자들(140,150)을 통해 상부 전극(110)과 하부 전극(120)은 외부 전원과 전기적으로 연결될 수 있다.
즉, 각각의 리드 단자들(140,150)에 교류 전압이 인가되면 리드 단자들(140,150)과 연결된 상부 전극(110) 및 하부 전극(120)에 교류 전압이 인가되고, 상부 전극(110) 및 하부 전극(120)에 연결된 내부 전극(102,103)을 통해 압전소자(100)에 외부 전원이 전달된다. 전달된 외부 전원에 의해 압전소자(100)의 형상 변형이 발생하며, 압전소자(100)의 형상 변형을 후술할 진동판(300)에 전달함으로써 진동판(300)에 변위가 발생하여 음향을 발생시킨다.
접착층(200)은 압전소자(100)의 하부 또는 진동판(300)의 상부에 형성될 수 있다. 접착층(200) 물질로는 실리콘 에폭시, 열경화성 수지 등이 사용될 수 있으며, 접착층(200)에 의해 압전소자(100)와 진동판(300)이 서로 부착될 수 있다.
진동판(300)은 압전소자(100)에 인가되는 전기적 신호에 의해 발생되는 기계적 신호를 음향적으로 변환시키는 수단으로서, 접착층(200)에 의해 압전소자(100)는 진동판(300)에 고정된다.
진동판(300)은 압전소자(100)와 유사한 두께를 갖거나, 압전소자(100)에 비해 두꺼운 두께를 가질 수 있으며, 유연하고 탄성이 높은 재료로 제조될 수 있다. 일예로써, 고무, 실리콘, 우레탄 등의 폴리머와 탄소나노튜브 및 그래핀 등의 나노구조물질을 합성한 재료로 이루어질 수 있다.
이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 압전 스피커의 제조 방법을 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명의 압전 스피커의 제조방법을 나타내는 순서도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명에 따른 압전 스피커의 제조 방법은 슬러리를 이용하여 그린 시트를 제작하는 단계(S410), 그린 시트를 적층하는 단계(S420), 적층하여 형성된 압전소자(100)에 관통홀(130)을 형성하는 단계(S430), 상기 관통홀(130)이 형성된 압전소자(100)에 상부 전극(110) 또는 하부 전극(120)을 형성하는 단계(S440), 압전소자(100) 하부에 접착층(200)을 형성하는 단계(S450) 및 접착층(200)을 이용하여 압전소자(100)와 진동판(300)을 부착하는 단계(S460)를 포함한다.
슬러리를 이용하여 그린 시트를 제작하는 단계(S410)에서는 티탄산 지르콘산 납(PZT) 분말을 이용하여 테이프캐스팅용 슬러리를 만든다. 슬러리는 테이프캐스팅 후 적층, 펀칭, 소결 공정을 거쳐 제조될 수 있다. 슬러리는 원료 분말 이외에 용매, 분산제, 바인더 또는 가소제등이 첨가될 수 있으며, 본 실시예에서의 용매는 에탄올과 톨루엔, 분산제는 BYK2001, 바인더는 PVB, 가소제는 DOP(di-octyl-phthalate)가 사용될 수 있다. 여기서, 슬러리의 고형분 농도는 50%이며 분산체는 고형분의 약 1% 무게 만큼 사용된다. 상기한 슬러리를 이용하여 닥터 블레이드법(doctor blade method), 코마 코터, 또는 다이코터를 이용하여 그린 시트를 제작한다. 그린 시트는 폭 20cm로 캐스팅 되며, 건조 온도는 약80℃이다.
또한, 상기 그린 시트에는 내부 전극(102,103)이 형성될 수 있다. 내부 전극(102,103)의 재료로서 Ag 및 Pd를 함유하는 전극 페이스트를 스크린 인쇄법에 의해 상기 그린 시트에 도포한다.
그린 시트를 적층하는 단계(S420)는 상기 전극 페이스트가 도포된 그린 시트를 복수의 층이 되도록 적층할 수 있으며, 본 실시예에서는 세 개의 층으로 적층될 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다. 내부 전극(102,103)은 복수로 적층된 적층체 내에서 양극과 음극을 형성하게 되기 때문에 극성을 가진 압전소자(100)를 구성할 수 있다.
또한, 적층된 층중에 최상층에는 노출되는 내부 전극(102,103)을 보호하기 위해 전극 페이스트가 도포되어 있지 않은 그린 시트를 1층 겹쳐서 적층하여 가압함으로써 적층 성형체가 제작될 수 있다. 상기 전극 페이스트가 도포되어 있지 않은 그린 시트는 필요에 따라 다수의 층으로 겹쳐서 적층될 수 있다.
적층하여 형성된 압전소자(100)에 관통홀(130)을 형성하는 단계(S430)에서는 압전 스피커의 저주파 음압을 향상시키기 위해 내부 전극(102,103)면에 수직한 방향으로 압전소자(100)에 관통홀(130)이 형성될 수 있다. 관통홀(130)은 압전소자(100)에 적어도 두 개 이상이 형성될 수 있으며, 압전소자(100)의 중심으로부터 비대칭적으로 형성되되, 용도에 따라 전체적인 관통홀(130) 형태를 불규칙적으로 형성될 수도 있고, 특정한 형태를 가지며 형성될 수도 있다. 즉, 관통홀(130)은 압전소자(100)의 용도에 따라 다양한 홀의 배열과 크기를 조합하여 형성될 수 있다. 또한, 관통홀(130)의 직경은 50μm이상, 상기 압전소자(100) 폭의 50%이하로 형성됨이 바람직하다.
형성된 관통홀(130)은 내부가 비어있어 공기와 접촉되도록 형성되거나, 공기와 압전소자(100)의 임피던스 매칭을 위해 관통홀(130) 내부에 폴리머 수지를 이용하여 채워질 수 있다. 즉, 관통홀(130)은 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 및 고무 중 어느 하나로 채워지거나, 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 및 고무 중 어느 하나와 글라스 비드로 채워질 수 있다.
상기한 바와 같이, 압전소자(100)를 관통하는 관통홀(130)을 형성하고, 관통홀(130)의 형태와 배열을 조절함으로써, 종래의 압전 스피커에 비해 저주파 영역에서 출력 음압을 향상시킬 수 있고, 관통홀(130)을 압전소자(100)의 중심으로부터 비대칭으로 형성함으로써, 구조적 대칭성에 기인한 음의 왜곡을 감소시킬 수 있고, 압전 스피커의 피크 딥 현상을 완화하여 저주파 음압 특성을 개선할 수 있다.
계속해서 상기 관통홀(130)이 형성된 적층 성형체를 500℃, 1시간 대기 중에서 탈지하고 1100℃, 3시간 대기 중에서 소성하여 적층체를 얻는다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 소결이 완료된 소결체의 두께는 약250μm, 직경은 약40mm일 수 있다.
관통홀(130)이 형성된 압전소자(100)에 상부 전극(110) 및 하부 전극(120)을 형성하는 단계(S440)에서는 적층체의 길이 방향(x)의 양단면부를 컷팅하고, 내부 전극(102,103)의 선단을 적층체의 측면에 노출시켜서 적층체의 양측 주면에 상부 전극(110) 및 하부 전극(120)을 형성하기 위해 전극 재료로서 Ag와 유리를 함유하는 전극 페이스트를 압전소자(100)의 주면의 편측에 스크린 인쇄법에 의해 도포한다.
그 후에 길이 방향(x)의 양측면에 외부 전극 재료로서 Ag와 유리를 함유하는 전극 페이스트를 딥 코팅과 스크린 인쇄에 의해 도포하고 700℃, 10분 동안 대기 중에서 열처리하여 홀이 형성된 압전소자(100)를 중심으로 상부 전극(110) 및 하부 전극(120)이 형성된 구조를 얻는다.
또한, 상부 전극(110)의 표면 상에는 제1 리드 단자(140)를 형성하고, 하부 전극(120)의 표면 상에는 제2 리드 단자(150)를 형성한다. 따라서, 각각의 리드 단자들(140,150)을 통해 상부 전극(110)과 하부 전극(120)은 외부 전원과 전기적으로 연결될 수 있다.
압전소자(100) 하부에 접착층(200)을 형성하는 단계(S450)에서 접착층(200)은 압전소자(100)의 하부 또는 진동판(300)의 상부에 형성될 수 있다. 접착층(200) 물질로는 실리콘 에폭시, 열경화성 수지 등이 사용될 수 있으며, 접착층(200)에 의해 압전소자(100)와 진동판(300)이 서로 부착될 수 있다.
접착층(200)을 이용하여 압전소자(100)와 진동판(300)을 부착하는 단계(S460)에서 진동판(300)은 접착층(200)에 의해 압전소자(100)의 하부에 부착되며, 압전소자(100)와 유사한 두께를 갖거나, 압전소자(100)에 비해 두꺼운 두께를 가질 수 있다. 또한, 유연하고 탄성이 높은 재료로 제조될 수 있으며, 일예로써, 고무, 실리콘, 우레탄 등의 폴리머와 탄소나노튜브 및 그래핀 등의 나노구조물질을 합성한 재료로 이루어질 수 있다.
실험예
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 압전 스피커와 종래의 압전 스피커의 음압 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5를 참조하면, 본 발명에 따른 압전 스피커를 제작하고, 종래의 압전 스피커와 본 발명에 따른 압전 스피커에 대한 음압을 각각 측정하였다. 상기 도 5에서 점선은 Sonitron 사의 모델명 PAA-STEPUPBTL-01에 대한 음압을 측정한 그래프이고, 실선은 본 발명에 따른 압전 스피커의 음압을 측정한 그래프이다.
점선에 따른 종래의 압전 스피커는, 압전체는 둥근 원형이며 37mm의 직경을 가진다. 또한, 본 발명에 따른 압전 스피커는 42mm의 직사각형 형상을 가진다. 통상적으로 압전체의 면적이 클수록 음압은 증가하는 경향을 가진다. 따라서, 음압의 측정 이전에 면적이 큰 압전 스피커가 높은 음압을 가질 것으로 예상되었으나, 본 발명의 압전 스피커가 저주파 대역에서 상대적으로 높은 음압을 가지는 것을 알 수 있다. 특히, 8.8KHz 근방에서 음압이 급격히 감소하는 피그 딥 현상이 현저히 개선됨을 확인 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 압전 스피커 및 압전 스피커 제조방법에 의하면, 압전소자(100)에 압전소자(100)를 관통하는 관통홀(130)을 형성하고, 관통홀(130)의 형태와 배열을 조절함으로써 저주파 영역의 출력 음압을 향상시킬 수 있다. 또한, 관통홀(130)을 압전소자(100)의 중심으로부터 비대칭으로 형성함으로써 구조적 대칭성에 기인한 음의 왜곡을 감소시킬 수 있고, 여러 가지 진동 모드에 따른 진동의 영향으로 압전 스피커의 피크 딥 현상을 완화하며, 저주파 음압 특성을 개선하는 효과가 있다.
한편, 본 명세서와 도면에 개시된 본 발명의 실시 예들은 이해를 돕기 위해 특정 예를 제시한 것에 지나지 않으며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다. 여기에 개시된 실시 예들 이외에도 본 발명의 기술적 사상에 바탕을 둔 다른 변형 예들이 실시 가능하다는 것은, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것이다.
100 : 압전소자 101 : 압전층
102,103 : 내부 전극 110 : 상부 전극
120 : 하부 전극 130 : 관통홀
140 : 제1 리드 단자 150 : 제2 리드 단자
200 : 접착층 300 : 진동판

Claims (14)

  1. 전기 신호를 물리적 진동으로 변환하는 압전소자;
    상기 압전소자의 상부, 하부 또는 내부에 형성된 전극;
    상기 압전소자의 하부에 형성된 접착층; 및
    상기 접착층에 의해 상기 압전소자에 부착되는 진동판을 포함하고,
    상기 압전소자에는 상기 압전소자를 관통하는 두 개 이상의 관통홀이 형성되되, 상기 관통홀은 상기 상부, 하부 또는 내부 전극에 수직한 방향으로 형성되고, 상기 압전소자의 중심으로부터 비대칭으로 형성되는 것인 압전 스피커.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 관통홀은 상기 상부 또는 하부 전극을 포함하여 형성되는 것인 압전 스피커.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 관통홀은 상기 내부 전극을 포함하여 형성되는 것인 압전 스피커.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 관통홀은 비어있는 것인 압전 스피커.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 관통홀은 에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 및 고무 중 어느 하나로 채워지거나,
    에폭시계 수지, 아크릴계 수지, 실리콘계 수지 및 고무 중 어느 하나와 글라스 비드로 채워지는 것인 압전 스피커.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 관통홀의 직경은 50μm이상, 상기 압전소자 폭의 50%이하로 형성되는 것인 압전 스피커.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 관통홀은 원, 타원, 또는 다각형으로 형성되는 것인 압전 스피커.
  11. 두 개 이상의 관통홀이 형성되고, 상부, 하부 또는 내부에 전극을 가지는 압전소자를 제조하는 단계;
    상기 압전소자 하부에 접착층을 형성하는 단계; 및
    상기 접착층을 이용하여 상기 압전소자와 진동판을 부착하는 단계를 포함하고,
    상기 관통홀은 상기 상부 또는 하부 전극에 수직한 방향으로 형성되고, 상기 압전소자의 중심으로부터 비대칭으로 형성되는 것인 압전 스피커 제조방법.
  12. 삭제
  13. 제11항에 있어서,
    상기 관통홀의 직경은 50μm이상, 상기 압전소자 폭의 50%이하로 형성되는 것인 압전 스피커 제조방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 압전소자를 제조하는 단계는,
    슬러리를 이용하여 그린 시트를 제작하는 단계;
    상기 그린 시트를 적층하는 단계; 및
    적층물에 관통홀을 형성하는 단계를 더 포함하고,
    상기 그린 시트는 닥터 블레이드법(Doctor Blade Method), 코마 코터, 또는 다이코터를 이용하여 제작되는 것인 압전 스피커 제조방법.
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