KR101758620B1 - Method for controlling semiconductor fabrication equipment using control system - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 공조 시스템이 가동되는 작업장에서 제1 면에 복수개의 단위 반도체칩이 패턴화된 웨이퍼를 커팅하여 반도체칩을 제조하는 반도체 설비의 관리방법으로서, 상기 웨이퍼의 제1 면이 상부에 위치하도록 상기 웨이퍼를 바텀지그 내에 구비시키는 웨이퍼장착단계와, 상기 제1 면의 적어도 일부에 레진을 토출시켜 구비시키는 레진토출단계와, 상기 제1 면의 상부에서 상기 레진을 탑지그를 이용하여 가압하여 상기 웨이퍼의 제1 면에 도포시키는 도포단계와, 상기 제1 면에 도포된 레진을 경화시키는 경화단계와, 상기 레진이 노출되도록 상기 웨이퍼의 제1 면의 반대면인 제2 면을 연삭하는 연삭단계와, 상기 단위 반도체칩을 분할하는 분할단계를 포함하는 반도체 제조공정을 수행하는 반도체 설비를 운용하기 위한 제1반도체 설비 운용 단계; 및 관리시스템을 통해 상기 반도체 설비를 관리하는 단계를 포함하며, 상기 공조 시스템은, 적어도 하나 이상의 실내기와 이를 제어하기 위한 하나의 실외기가 통신 가능하도록 연결된 냉난방 장치를 복수 개 구성하고, 적어도 하나 이상의 환기장치와 이를 제어하기 위한 하나의 제어수단이 통신 가능하도록 연결된 환기 시스템을 복수 개 구성하고, 상기 냉난방 장치와 환기 시스템간의 연동 운전을 제어하기 위한 중앙 제어장치를 상기 냉난방 장치 및 환기 시스템과 통신 가능하도록 연결 구성되는 공조 시스템을 이용한 반도체 설비의 관리방법을 제공한다
따라서, 반도체칩 제조 과정상의 공정사고를 미연에 방지하여 반도체칩의 생산수율을 높이고 품질을 향상시킬 수 있다.The present invention relates to a method of managing a semiconductor facility for manufacturing a semiconductor chip by cutting a wafer in which a plurality of unit semiconductor chips are patterned on a first surface in a worksite in which an air conditioning system is operated, A resin discharging step of discharging a resin on at least a part of the first surface; and a step of pressing the resin on the first surface by using the top jig, A curing step of curing the resin applied to the first surface, a grinding step of grinding a second surface which is an opposite surface of the first surface of the wafer to expose the resin, A first semiconductor facility operation step of operating a semiconductor facility for performing a semiconductor manufacturing process including dividing the unit semiconductor chip; And managing the semiconductor equipment through a management system, wherein the air conditioning system comprises a plurality of cooling / heating units connected to communicate at least one indoor unit and one outdoor unit for controlling the same, and at least one ventilation unit A central control device for controlling the interlocking operation between the cooling / heating device and the ventilation system can be communicated with the cooling / heating device and the ventilation system A method of managing a semiconductor facility using a connected air conditioning system is provided
Accordingly, it is possible to prevent a process accident in the process of manufacturing the semiconductor chip, thereby improving the production yield and quality of the semiconductor chip.
Description
본 발명은 냉난방공조 제어 시스템을 이용한 반도체 설비의 관리방법 에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 공정효율을 향상시키고, 공정 중에 발생하는 오염을 방지하여 고품질의 반도체칩을 제조하되, 반도체 설비의 상태가 자동으로 관리되도록 함으로써, 예측하지 못한 공정사고를 미연에 방지할 수 있도록 하는 냉난방공조 제어 시스템을 이용한 반도체 설비의 관리방법 에 관한 것이다.The present invention relates to a method of managing a semiconductor facility using a cooling / heating air-conditioning control system, and more particularly, to a method of managing a semiconductor facility using a heating / The present invention relates to a method of managing a semiconductor facility using a cooling / heating air-conditioning control system that can prevent unexpected process accidents by automatically managing the system.
반도체는 기판인 웨이퍼 상에 하나 이상을 층을 증착시키면서 패턴화하여 다수의 반도체칩을 형성시키고 이들 반도체칩을 분할 (dicing)함으로써, 다수의 반도체칩 (die)로 형성하여 제조된다. 상기 반도체칩은 상기 웨이퍼의 표면에 절연막 또는 도전막을 형성시키고, 마스크 (mask), 노광 (photo) 등을 이용한 리소그래피 (lithography) 및 에칭 (etching)이 수행되어 제조된다. 웨이퍼의 두께는 수백㎛인데 반하여 상기 웨이퍼상에 구비되는 반도체칩의 두께는 대략 수㎛ 정도로 구비되는데, 이는 웨이퍼에 소정의 강도를 부여함으로써 웨이퍼를 핸들링하는 과정에서 발생하는 반도체칩의 파손을 방지하기 위함이다. 반면, 이와 같은 웨이퍼의 두께는 반도체칩을 제조하는 방법의 효율을 저하시키고, 반도체장비의 소형화에 제약이 되어 이를 방지하기 위하여 종래에는 웨이퍼의 배면을 그라운딩하여 (grounding) 개별 반도체칩을 분리하는 공정을 수행했다. 이와 같이 개별 반도체칩을 분리하는 공정으로는 대표적으로 통상의 다이싱 공정 (conventional dicing process)과, DBG 공정 (dicing before grinding process)이 널리 알려져 있다. 통상의 다이싱 공정은 백그라운드 테이프 (background tape)를 패턴화된 웨이퍼의 표면에 라미네이팅한 후 웨이퍼의 배면을 그라운딩하고, 이어서 테이프를 제거한 후에 웨이퍼를 다이싱 테이프 (dicing tape)에 마운팅시킨 후 다이싱하고 반도체칩을 분할 (pick-up)하는 방법이다. DBG 공정은 패턴화된 웨이퍼의 표면을 하프커팅한 후 그 위에 백그라운드 테이프를 라미네이팅시키고, 이어서 웨이퍼의 배변을 그라운딩 후 픽업 테이프 (pick-up tape)에 마운팅시킨 후 백그라운 테이프를 제거하여 반도체칩을 분할하는 방법이다. 전술한 통상의 다이싱 공정은 반도체칩을 분할하는 공정에서 웨이퍼의 배면에서 칩핑이 발생하는 문제가 있고, DBG 공정은 그라운딩하는 과정에서 반도체칩의 측벽사이의 홈에 실리콘 더스트 등이 삽입되는 등 오염의 문제가 발생하고, 웨이퍼의 배면을 그라운딩 하는 과정에서 반도체칩이 밀리는 등의 불량이 발생하여 문제가 된다. 이와 같은 통상의 다이싱 공정 및 DBG 공정에 의해서는 보다 얇은 두께의 웨이퍼를 사용하는 것과, 보다 작은 크기 및 두께를 갖는 반도체칩을 제작하기 어려운 문제점이 있다. 아울러, 이러한 반도체칩의 제작과정 상에서 설비 상의 예측하지 못한 공정사고를 미연에 방지하기 위한 효과적인 수단이 부재한 문제점이 있다.A semiconductor is manufactured by forming a plurality of semiconductor chips by patterning while layering at least one layer on a wafer, which is a substrate, and forming a plurality of semiconductor dies by dicing the semiconductor chips. The semiconductor chip is manufactured by forming an insulating film or a conductive film on the surface of the wafer and performing lithography and etching using a mask, photo, or the like. The thickness of the semiconductor chip mounted on the wafer is about several micrometers, while the thickness of the wafer is several hundreds of micrometers. By providing a predetermined strength to the wafer, the semiconductor chip is prevented from being damaged during handling of the wafer. It is for this reason. On the other hand, the thickness of such a wafer lowers the efficiency of a method of manufacturing a semiconductor chip and restricts downsizing of the semiconductor equipment. In order to prevent this, it is necessary to ground the backside of the wafer and separate the individual semiconductor chips . Conventionally, a conventional dicing process and a DBG process (dicing before grinding process) are widely known as processes for separating individual semiconductor chips. In a typical dicing process, a background tape is laminated to the surface of the patterned wafer, then the backside of the wafer is ground, then the tape is removed, the wafer is mounted on a dicing tape, And picking up the semiconductor chips. The DBG process involves half-cutting the surface of the patterned wafer, laminating a background tape thereon, then grounding the defecation of the wafer, mounting it on a pick-up tape, and removing the back- It is a way to divide. In the above-described conventional dicing process, there is a problem that chipping occurs in the back surface of the wafer in the process of dividing the semiconductor chip. In the DBG process, in the course of grounding, silicon dust or the like is inserted into the grooves between the side walls of the semiconductor chip, A problem arises such that the semiconductor chip is pushed in the course of grounding the backside of the wafer, which is a problem. There is a problem in that it is difficult to use a wafer having a thinner thickness and to manufacture a semiconductor chip having a smaller size and a thickness by the conventional dicing process and the DBG process. In addition, there is a problem in that there is no effective means for preventing unforeseen process accidents on the equipment in the process of manufacturing such a semiconductor chip.
본 발명은, 반도체 공정효율을 향상시키고, 공정 중에 발생하는 오염을 방지하여 고품질의 반도체칩을 제조하되, 반도체 설비의 상태가 자동으로 관리되도록 함으로써, 예측하지 못한 공정사고를 미연에 방지할 수 있도록 하는 반도체 설비의 관리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention relates to a semiconductor device which improves the efficiency of a semiconductor process and prevents contamination occurring during the process, thereby manufacturing a high-quality semiconductor chip, and automatically controlling the state of the semiconductor device, thereby preventing unforeseen process accidents And to provide a method of managing a semiconductor facility.
본 발명은, 공조 시스템이 가동되는 작업장에서 제1 면에 복수개의 단위 반도체칩이 패턴화된 웨이퍼를 커팅하여 반도체칩을 제조하는 반도체 설비의 관리방법으로서, 상기 웨이퍼의 제1 면이 상부에 위치하도록 상기 웨이퍼를 바텀지그 내에 구비시키는 웨이퍼장착단계와, 상기 제1 면의 적어도 일부에 레진을 토출시켜 구비시키는 레진토출단계와, 상기 제1 면의 상부에서 상기 레진을 탑지그를 이용하여 가압하여 상기 웨이퍼의 제1 면에 도포시키는 도포단계와, 상기 제1 면에 도포된 레진을 경화시키는 경화단계와, 상기 레진이 노출되도록 상기 웨이퍼의 제1 면의 반대면인 제2 면을 연삭하는 연삭단계와, 상기 단위 반도체칩을 분할하는 분할단계를 포함하는 반도체 제조공정을 수행하는 반도체 설비를 운용하기 위한 제1반도체 설비 운용 단계; 및 관리시스템을 통해 상기 반도체 설비를 관리하는 단계를 포함하며, 상기 공조 시스템은, 적어도 하나 이상의 실내기와 이를 제어하기 위한 하나의 실외기가 통신 가능하도록 연결된 냉난방 장치를 복수 개 구성하고, 적어도 하나 이상의 환기장치와 이를 제어하기 위한 하나의 제어수단이 통신 가능하도록 연결된 환기 시스템을 복수 개 구성하고, 상기 냉난방 장치와 환기 시스템간의 연동 운전을 제어하기 위한 중앙 제어장치를 상기 냉난방 장치 및 환기 시스템과 통신 가능하도록 연결 구성되는 공조 시스템을 이용한 반도체 설비의 관리방법을 제공한다.The present invention relates to a method of managing a semiconductor facility for manufacturing a semiconductor chip by cutting a wafer in which a plurality of unit semiconductor chips are patterned on a first surface in a worksite in which an air conditioning system is operated, A resin discharging step of discharging a resin on at least a part of the first surface; and a step of pressing the resin on the first surface by using the top jig, A curing step of curing the resin applied to the first surface, a grinding step of grinding a second surface which is an opposite surface of the first surface of the wafer to expose the resin, A first semiconductor facility operation step of operating a semiconductor facility for performing a semiconductor manufacturing process including dividing the unit semiconductor chip; And managing the semiconductor equipment through a management system, wherein the air conditioning system comprises a plurality of cooling / heating units connected to communicate at least one indoor unit and one outdoor unit for controlling the same, and at least one ventilation unit A central control device for controlling the interlocking operation between the cooling / heating device and the ventilation system can be communicated with the cooling / heating device and the ventilation system The present invention provides a method of managing a semiconductor facility using an air conditioning system constituting a connection.
본 발명에 따른 냉난방공조 제어 시스템을 이용한 반도체 설비의 관리방법 은 다음과 같은 효과를 가진다.The method for managing a semiconductor facility using the cooling / heating air-conditioning control system according to the present invention has the following effects.
첫째, 반도체칩 제조 과정 상의 공정사고를 미연에 방지하여 반도체칩의 생산수율을 높이고 품질 향상이 가능하다.First, it prevents the process accidents in the semiconductor chip manufacturing process, thereby improving the production yield and quality of the semiconductor chip.
둘째, 제조원가와 반도체칩의 불량을 저감시키는 반도체칩 제조방법을 제공할 수 있다.Second, it is possible to provide a manufacturing cost and a semiconductor chip manufacturing method for reducing defects of the semiconductor chip.
셋째, 고품질 및 박형의 반도체칩을 높은 공정효율로 제조할 수 있는 반도체칩의 제조방법을 제공할 수 있다.Thirdly, it is possible to provide a semiconductor chip manufacturing method capable of manufacturing high-quality and thin-type semiconductor chips with high process efficiency.
넷째, 웨이퍼를 커팅하여 복수개의 단위 반도체칩을 제조하는 공정에서 공정효율과 반도체칩의 정밀도를 향상시킬 수 있는 신규한 반도체칩 제조방법을 제공할 수 있다.Fourth, a novel semiconductor chip manufacturing method capable of improving process efficiency and accuracy of a semiconductor chip in a process of cutting a wafer and manufacturing a plurality of unit semiconductor chips can be provided.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 설비의 관리방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 도 1에 따른 반도체칩의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3a는 제1 면이 패턴화된 웨이퍼의 사시도이다.
도 3b는 도 3a의 A-A에 따른 단면도이다.
도 4a는 도 2에 따른 탑지그 및 바텀지그의 사시도이다.
도 4b는 도 2에 따른 바텀지그의 다른 실시예를 도시한 사시도 및 분해사시도이다.
도 5는 바텀지그 내에 웨이퍼가 장착된 모습을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6a는 웨이퍼 상에 레진이 구비되는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6b는 웨이퍼의 영역을 구분한 도면이다.
도 7 및 도 8은 사이드커팅단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9는 연삭단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 10은 도 1에 따른 웨이퍼 연마장치의 사시도이다.
도 11은 도 10의 웨이퍼 연마장치의 확대도이다.
도 12는 도 10의 웨이퍼 연마장치의 내부 구성도이다.
도 13 내지 도 14는 도 10에 따른 웨이퍼 연마장치의 다른 실시예를 도시한 개략도이다.
도 15는 도 13에 따른 구성들 중 완충모듈의 일실예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 16은 도 13에 따른 구성들 중 완충모듈의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 17는 도 13에 따른 구성들 중 최상단보강판, 복수의 중단 보강체, 최하단보강판의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 18은 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 19 내지 도 18은 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 22는 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 23은 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 24는 도 1에 따른 관리시스템을 개략적으로 도시한 개념도이다.
도 25는 도 24에 따른 관리시스템을 이용한 설비 관리방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.
도 26은 도 1에 따른 냉난방공조 제어 시스템의 개념도이다.
도 27은 도 26에 따른 부하 제어 객체의 매개변수를 예시한 도면이며,
도 28은 도 26에 따른 휴대 단말기의 블록도이다.
도 29는 도 1에 따른 공조 시스템을 개념적으로 나타낸 도면이다.
도 30은 도 29에 따른 공조 시스템에 대한 구축 상태의 실시예를 나타낸 구성도이다.
도 31 및 도 32는 도 29에 따른 공조 시스템의 제어방법을 순차적으로 도시한 플로차트이다.1 is a flowchart illustrating a method of managing a semiconductor facility according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the semiconductor chip shown in FIG.
Figure 3a is a perspective view of a wafer with a first side patterned.
FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 3A.
4A is a perspective view of the top and bottom jigs according to FIG.
4B is a perspective view and an exploded perspective view showing another embodiment of the bottom jig according to FIG.
5 is a cross-sectional view schematically showing a wafer mounted in the bottom jig.
6A is a schematic view showing the step of providing a resin on a wafer.
FIG. 6B is a view showing the area of the wafer.
Figs. 7 and 8 schematically show a side cutting step. Fig.
9 is a view schematically showing the grinding step.
10 is a perspective view of the wafer polishing apparatus according to FIG.
11 is an enlarged view of the wafer polishing apparatus of Fig.
12 is an internal configuration diagram of the wafer polishing apparatus of FIG.
13 to 14 are schematic views showing another embodiment of the wafer polishing apparatus according to Fig.
15 is a view schematically showing an example of a buffer module among the configurations according to FIG.
FIG. 16 is a view schematically showing another embodiment of the buffer module among the configurations according to FIG.
Fig. 17 is a view showing another embodiment of the uppermost stiffener, the plurality of stopped stiffeners, and the lowermost stiffener of the structures according to Fig. 13. Fig.
FIG. 18 is a view showing another embodiment of the shock absorber unit among the structures according to FIG.
19 to 18 are views showing still another embodiment of the shock absorber among the structures according to FIG.
FIG. 22 is a view showing another embodiment of the shock absorber unit among the structures according to FIG.
23 is a view showing still another embodiment of the shock absorber unit among the structures according to FIG.
24 is a conceptual diagram schematically showing the management system according to FIG.
25 is a flowchart sequentially showing a facility management method using the management system according to FIG.
26 is a conceptual diagram of a cooling / heating air-conditioning control system according to FIG.
27 is a diagram illustrating parameters of a load control object according to FIG. 26,
FIG. 28 is a block diagram of the portable terminal according to FIG. 26; FIG.
FIG. 29 is a view conceptually showing the air conditioning system according to FIG. 1. FIG.
Fig. 30 is a configuration diagram showing an embodiment of a construction state of the air conditioning system according to Fig. 29;
FIG. 31 and FIG. 32 are a flowchart sequentially showing the control method of the air conditioning system according to FIG.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도 1을 참조하면 반도체 설비의 관리방법은, 반도체 설비 운용 단계와 반도체 설비 관리 단계를 포함한다.
<반도체 설비 운용 단계(S110)>
이하, 첨부된 도면들을 참고하여 상기 반도체 설비(403) 운용 단계(S110)에 대해 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체칩의 제조방법을 나타낸 흐름도이다. 일 실시예는 제1 면에 복수개의 단위 반도체칩이 패턴화된 웨이퍼를 커팅하여 제조하는 반도체칩 제조방법으로, 상기 웨이퍼의 제1 면이 상부에 위치하도록 상기 웨이퍼를 바텀지그 내에 구비시키는 웨이퍼장착단계 (S111); 상기 제1 면의 적어도 일부에 레진을 토출시켜 구비시키는 레진토출단계 (S112); 상기 제1 면의 상부에서 상기 레진을 탑지그를 이용하여 가압하여 상기 웨이퍼의 제1 면에 도포시키는 도포단계 (S113); 상기 제1 면에 도포된 레진을 경화시키는 경화단계 (S114); 상기 레진이 노출되도록 상기 웨이퍼의 제1 면의 반대면인 제2 면을 연삭하는 (grounding) 연삭단계 (S115); 및 상기 단위 반도체칩을 분할하는 분할단계 (S116);를 포함한다. 웨이퍼를 이용하여 반도체칩을 제조하는 공정에서, 상기 웨이퍼의 제1 면에는 화학기상증착법 (Chemical Vapor Deposition, CVD), 물리기상증착법 (Physical Vapor Deposition, PVD), 원자층증착법 (Atomic Layer Deposition, ALD), 스핀코팅 (Spin Coating) 등과 같은 공정으로 박막을 석막하여 복수개의 막들이 증착되고, 복수개의 막들은 회로설계에 따라 리소그래피 (lithography) 공정 등에 의하여 패턴화된다. 상기 웨이퍼의 제1 면 상에는 소정 간격 서로 이격된 복수개의 반도체칩이 패턴화되고, 이는 연삭 (grounding)/분할 (dicing) 등과 같은 공정에 의하여 커팅되어 별도의 단위 반도체칩으로 분할된다. 본 발명의 일 실시예는 패턴화된 웨이퍼의 제1 면 상에 구비된 복수개의 반도체칩을 단위 반도체칩으로 분할하는 반도체칩 제조방법에 대한 것으로, 본 발명의 실시예에 따르면 박형의 반도체칩을 고품질로 제조할 수 있다.
도 2a는 제1 면이 패턴화된 웨이퍼의 사시도이고, 도 2b는 도 2a의 A-A에 따른 단면도이다. 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 탑지그 및 바텀지그의 사시도이고, 도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 바텀지그의 사시도 및 분해사시도이다. 도 4는 바텀지그 내에 웨이퍼가 장착된 모습을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 1과 함께, 도 2a 내지 도 4를 참조하면, 상기 웨이퍼장착단계 (S111)에서는 제1 면이 패턴화되어 복수개의 반도체칩 (11)이 구비된 웨이퍼 (10)를 바텀지그 (110) 내부 공간 (111)에 장착시킬 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)는 패턴화된 제1 면 (10a)과 상기 제1 면 (10a)의 반대면으로 상기 웨이퍼 (10)의 배면인 제2 면 (10b)으로 이루어지고, 상기 제1 면 (10a)에는 복수개의 반도체칩 (11)이 구비될 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a) 상에 이웃하는 반도체칩 (11) 사이에는 이격부 (12)가 구비되고, 상기 이격부 (12)를 통하여 패턴화되어 구비된 복수개의 반도체칩 (11)들은 개개의 별도의 단위 반도체칩 (11)으로 분할된다. 상기 웨이퍼 (10)는 후속하는 공정을 수행하기 위하여 지그 (100) 내부에 구비될 수 있다. 상기 지그 (100)는 상기 웨이퍼 (10)가 안착되는 바텀지그 (110)와 상기 바텀지그 (110)의 개방된 상부면을 덮도록 구비되는 탑지그 (120)로 이루어질 수 있다. 상기 탐지그 (120)는 상기 바텀지그 (110)의 단면에 대응하는 크기로 구비될 수 있는데, 바람직하게는 상기 탑지그 (120)의 외경 (c)은 상기 바텀지그 (110)의 외경 (b2)과 같거나 또는 더 크게 구비될 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)는 제1 면 (11)이 상부측에 구비되도록 상기 바텀지그 (110)의 내부 공간 (111)에 장착될 수 있다. 상기 바텀지그 (110)는 상부면이 개구되는 박스형으로 구비되고, 상기 바텀지그 (110)의 내부 공간 (111)은 상기 웨이퍼 (10)가 용이하게 안착되도록 상기 바텀지그 (110)의 상부면과 상기 내부 공간 (111)의 단면적은 대략 동일하게 구비될 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)는 상기 바텀지그 (110)의 상부면을 통해서 상기 상부면에 수직하도록 상기 바텀지그 (110)의 내부 공간 (1110) 내에 장착되므로 상기 웨이퍼 (10)의 높이 균형을 용이하게 제어할 수 있다. 상기 바텀지그 (110)의 내경 (b1)은 상기 웨이퍼 (10)의 직경 (a)과 같거나 크게 구비되며, 상기 바텀지그 (110)의 내부 높이 (d)는 상기 웨이퍼 (10)의 두께 (t)보다 제1 높이 (h)만큼 더 크게 구비될 수 있다. 상기 웨이퍼장착단계 (S111)에서 제1 높이 (h)는 50㎛ 내지 500㎛일 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)는 바텀지그 (110) 내에 장착된 후 이후 레진토출단계 (S112)에서 상기 탑지그 (120)를 통하여 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a)에 구비된 레진을 가압할 수 있다. 이때, 상기 제1 높이 (h)는 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비되는 레진이 구비될 수 있는 공간을 제어함으로써 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a)에 레진이 균일하게 코팅될 수 있도록 보조적인 기능을 할 수 있다. 예컨대, 탑지그 (120)를 통하여 상기 레진은 제1 높이 (h)만큼 웨이퍼 (10)의 상부에 더 도포되어 구비될 수 있는데, 상기 제1 높이 (h)가 50㎛ 미만인 경우 상기 레진이 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a) 상에 구비되는 이격부 (12)에 충분히 충진되지 못하거나 혹은 반도체칩 (11)을 고정하는 고정력이 부족하여 반도체칩 (11)을 분할하는 과정에서 반도체칩 (11)의 칩핑 등의 문제가 발생하여 박형의 고품질의 반도체칩 (11)을 제조하기 어렵다. 또한, 상기 제1 높이 (h)는 500㎛이면 충분함에도 500㎛를 초과하는 경우, 불필요한 레진의 소비가 증가되어 원료비가 증가되며 경화시간이 증가되어 공정효율을 저하시킨다. 별법으로, 상기 웨이퍼장착단계 (S111)에서 상기 바텀지그 (110')는 상부면이 개구되는 박스형으로 구비되고, 상기 바텀지그 (110')는 상부면 및 하부면이 모두 개구된 원통형의 제1 바디부 (112)와 상기 제1 바디부 (112)와 상보적으로 분리 및 결합이 가능하도록 구비되는 제2 바디부 (113)로 이루어질 수 있다. 상기 제1 및 제2 바디부 (112, 113)는 각각 체결홀 (112a, 113a)이 구비되고, 상기 체결홀 (112a, 113a)은 별도의 체결부재 (114)에 의하여 체결되어 상기 제1 및 제2 바디부 (112, 113)를 연결시킬 수 있다. 본 실시예에 따른 바텀지그 (110')는 일체형이 아닌 메인 몸체인 제1 바디부 (112)와 바닥면을 포함하는 제2 바디부 (113)가 분리되는 형태로 구비될 수 있다. 상기 바텀지그 (110')는 내부 단면적인 대략 웨이퍼 (10)의 면적과 유사하게 구비되므로, 상기 웨이퍼 (10)를 상기 바텀지그 (110') 내에서 분리하기 쉽지 않을 수 있다. 반면, 본 실시예에 따른 바텀지그 (110')는 결합 및 분리가 가능하도록 구비됨으로써, 웨이퍼 (10) 상에 레진을 용이하게 구비시키고, 또한 레진이 구비된 웨이퍼 (10)는 상기 제2 바디부 (113)를 분리시킴으로써 용이하게 탈거시킬 수 있다.
상기 바텀지그 (110')는 제1 바디부 (112)와 제2 바디부 (113)가 서로 결합하는 부분이 상보적으로 형성되며, 상기 제1 및 제2 바디부 (112, 113)에는 각각 서로 대응하는 위치에 체결홀 (112a, 113a)이 구비될 수 있다. 상기 체결홀 (112a, 113a)은 상기 제1 및 제2 바디부 (112, 113)에서 소정 간격 이격되어 복수개가 구비될 수 있으며, 상기 체결홀 (112a, 113a)은 U자형태의 별도의 체결부재가 삽입되어 체결시킴으로써 제1 및 제2 바디부 (112, 113)를 연결시킬 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)는 상기 바텀지그 (110) 내에 안착되고, 이후 레진토출단계 (S112)에서 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a)에는 레진이 토출될 수 있다. 상기 레진은 상기 웨이퍼 (10) 상에 균일하도록 도포되는 것이 바람직하고, 따라서 상기 바텀지그 (110) 내에 장착된 웨이퍼 (10)도 소정의 평탄도를 유지하도록 구비될 수 있다. 상기 레진토출단계 (S112) 이전에 상기 바텀지그 (110) 내에 장착된 웨이퍼 (10)의 위치를 정렬하도록 프리얼라인단계를 더 포함할 수 있다. 상기 바텀지그 (110)의 내부에는 장착된 웨이퍼 (10)의 평탄한 정도를 확인할 수 있도록 하나 이상의 레벨센서 (미도시)가 구비되고, 상기 레벨센서의 의하여 측정된 웨이퍼 (10)의 평탄도는 제어부로 전달된다. 상기 제어부는 전달받은 웨이퍼 (10)의 평탄도와 미리 입력한 값과의 차이점을 비교하여 범위 내인 경우 유지하고 범위 외인 경우 상기 프리얼라인단계를 통하여 상기 웨이퍼 (10)의 얼라인을 다시 조절한 후 상기 레진토출단계 (S112)를 수행할 수 있다.
도 5a는 웨이퍼 상에 레진이 구비되는 단계를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 5b는 웨이퍼의 영역을 구분한 도면이다. 도 1과 함께, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 레진토출단계 (S112)에서 상기 레진 (R)은 탑지그 (120)에 구비된 분사노즐을 통하여 토출되며 대략 액체상태로 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비될 수 있으며, 상기 레진 (R)은 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 에폭시 수지, 폴리에스터 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지 중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다. 상기 레진토출단계 (S112)에서 상기 레진 (R)은 1g 내지 20g의 범위의 양으로 구비될 수 있다. 상기 레진 (R)은 웨이퍼 (10) 상에 구비될 때 소정의 범위 내로 구비되는 것이 바람직한데, 상기 레진 (R)의 양이 1g 미만일 경우에는 상기 웨이퍼 (10)의 이격부 (12) 내에 일부 미충전 영역이 형성되거나 혹은 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a) 상에 레진 (R)이 균일하게 도포되지 않는다. 반면, 레진 (R)의 양이 20g 초과인 경우, 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a) 상부에 레진이 불필요하게 두꺼운 두께로 도포되어 추후 레진 (R) 제거하는 과정에서 별도의 공정을 필요로 하고, 웨이퍼 (10)의 외측으로 오버플로우되는 레진 (R)이 다량 발생되어 문제된다. 예컨대, 상기 레진 (R)이 토출되는 양은 웨이퍼 (10)의 싸이즈와 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비되는 레진 (R)의 두께에 의하여 다양한 범위로 제어될 수 있다. 별법으로, 상기 웨이퍼 (10)는 상기 제1 면 (10a)의 중심부인 한 개의 메인중심부 (MC)와, 상기 메인중심부 (MC)를 중심으로 4등분한 각각의 면적에 대한 중심부인 네개의 서브중심부 (SC)를 포함하도록 영역을 구분할 수 있다. 상기 레진 (R)은 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a)에 구비되는 레진 (R)의 총량 100%에 대해서 상기 메인중심부 (MC)에 40% 내지 60%가 구비되고, 상기 서브중심부 (SC)에 각각 10% 내지 15%가 구비될 수 있다. 상기 레진 (R)은 웨이퍼 (10) 상에서 균일하게 도포되고, 반도체칩 사이의 미세한 이격부에 미충진 영역이 없도록 충진되되 대략 균일한 밀도를 갖도록 충진되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 레진 (R)을 웨이퍼 (10) 상에 소정의 함량 및 위치로 구비시킬 수 있는데, 상기 메인중심부 (MC)에 40% 미만으로 구비시키는 경우 상기 웨이퍼 (10)의 메인중심부 (MC)와 외곽 사이의 구간에서 이격부에서의 미충전영역이 발생하고, 상기 메인중심부 (MC)에 60% 초과로 구비시키는 경우 상기 웨이퍼 (10)의 메인중심부 (MC)에서 외곽으로 갈수록 두께가 감소하는 방향으로 경사지도록 레진이 구비되어 문제된다. 또한, 상기 레진 (R)을 메인중심부 (MC)에만 구비시키는 경우, 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비되는 레진 (R)의 두께 균일도를 제어하기 위하여 별도의 부재를 필요로 하고 공정시간을 증가시킬 수 있다. 따라서, 상기 레진 (R)은 메인중심부 (MC)뿐 아니라 일부를 서브중심부 (SM)에 균등분할하여 구비시킴으로써 웨이퍼 (10) 상에 구비되어 도포된 레진 (R)의 충진정도 및 균일도를 향상시킬 수 있고, 구체적으로는 4개의 서브중심부 (SM)에는 구비되는 레진 (R)의 총량에 대해서 각각 10% 내지 15%로 구비된다. 보다 구체적으로는, 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비되는 레진 (R)의 총량에 대해서 메인중심부 (MC)에는 50%가 구비되고, 상기 서브중심부 (SM)에는 각각 12.5%씩 구비된다. 상기 도포단계 (S113)에서 상기 레진 (R)을 0.01kgf/cm2 내지 1kgf/cm2의 압력으로 가압할 수 있다. 상기 레진 (R)은 소정의 점도를 갖도록 멜팅 (melting) 상태로 구비될 수 있으며, 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비된 레진 (R)을 탑지그 (120)를 통하여 가압시킴으로써 웨이퍼 (10) 상의 레진 (R)의 충진정도 및 균일도가 균일하도록 제어하고 공정시간을 단축시킬 수 있다. 상기 레진 (R)을 가압하는 압력이 0.01kgf/cm2 미만인 경우 웨이퍼 (10)의 이격부의 내부측 모서리부가 미충진되는 영역이 형성될 수 있고, 1kgf/cm2 초과인 경우 웨이퍼 (10) 상에 구비되는 레진 (R)의 전체적인 밀도가 상이하게 구비되고, 위치에 따라 레진 (R)의 물성이 차이가 있어 일률적인 공정제어가 어려워 문제된다. 상기 레진 (R)은 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a) 상에 이웃하는 반도체칩 (11) 사이의 이격부 (12)에 충진 및 보충되고, 후속하는 연삭단계 (S115) 및 분할단계 (S116)에 의하여 반도체칩 (11)이 단위 반도체칩으로 개별화되는 과정에서 각각의 반도체칩 (11)을 고정하여 지지하여 상기 반도체칩의 에지부에서 발생하는 칩핑 및 크랙을 방지할 수 있다. 또한, 상기 이격부 (12)에 충진되어 있어 웨이퍼 (10)를 연삭하는 과정에서 발생하는 실리콘 더스트 등이 상기 이격부 (12) 내에 유입되는 것을 방지하여 반도체칩 (11)의 오염 및 회로결함 등을 방지할 수 있다. 상기 도포단계 (S113)에서 상기 레진 (R)은 탑지그 (120)에 의하여 가압되되 상기 탑지그 (120)는 상기 바텀지그 (110)의 개구된 상부면의 외경 (b2)보다 같거나 큰 직경 (c)으로 구비될 수 있다. 또한, 상기 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)의 내부의 적어도 일부에는 불소코팅부를 포함할 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)는 상기 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)의 상보적인 결합에 의하여 레진 (R)이 도포되고 상기 레진 (R)은 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)의 내부에 접촉하여 상기 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)를 오염시킬 수 있고, 이는 후속하는 별도의 웨이퍼 (10)에 대한 도포단계 (S113)에서 이물질로 작용하여 반도체칩의 불량의 원인이 될 수 있다. 반면, 본 실시예에 따른 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)의 내부의 적어도 일부, 바람직하게는 상기 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)의 내부 전체에는 불소코팅부를 구비함으로써 상기 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)의 레진 (R)에 의한 오염을 방지할 수 있다. 별법으로, 상기 탑지그 (120)의 상부면에는 상기 레진 (R)으로 가해지는 압력을 측정하는 센서 (121)가 구비될 수 있다. 상기 센서 (121)는 상기 탑지그 (120)의 중심부를 기준으로 서로 동일한 간격으로 이격되어 구비되는 제1 내지 제4 센서를 포함하고, 상기 제1 내지 제4 센서에서 측정된 레진의 압력은 제어부 (미도시)로 전달되며, 상기 제어부는 상기 측정된 레진 (R)의 압력과 미리 입력된 기준값과 비교하여 상기 탑지그 (120)에서 상기 레진 (R)으로 가해지는 압력을 제어할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에서, 상기 웨이퍼 상에 구비되는 레진 (R)은 상기 웨이퍼의 제1 면에 전체적으로 도포되는 과정에서 상기 탑지그 (120)에 의하여 상기 레진 (R)으로 가해지는 압력을 측정할 수 있다. 웨이퍼의 크기 (면적)이 증가할수록 상기 탑지그 (120)를 통해서 가해지는 압력은 웨이퍼의 위치에 따라 상이하게 가해질 수 있고, 이는 상기 웨이퍼 상에 도포되는 레진 (R)의 밀도에 영향을 미칠 수 있다. 반면, 본 실시예에 따른 탑지그 (120)에는 제1 내지 제4 센서를 구비함으로써 상기 탑지그 (120)를 통하여 웨이퍼에 도포되는 레진 (R)에 가해지는 압력이 대략 일정하도록 제어함으로써 넓은 면적의 웨이퍼를 제조하는 공정에서도 레진 (R)의 밀도가 전체적으로 균일하도록 제어할 수 있다. 예컨대, 상기 탑지그 (120)에 구비되는 제1 내지 제4 센서를 이용하여 넓은 면적에 대해서 가해지는 압력이 서로 차이가 나지 않도록 제어할 수 있으며, 상기 제어부를 통하여 상기 탑지그 (120)에서 가해지는 압력이 미리 입력된 압력범위 내에 포함되도록 제어함으로써 고정을 효율적으로 제어할 수 있다. 별법으로, 상기 바텀지그 (110)에는 상기 바텀지그 (110) 내부는 상기 바텀지그 (110) 내에 구비되는 웨이퍼 (10)에 가해지는 압력을 측정하는 바텀센서를 더 포함할 수 있다. 상기 바텀센서는 하나 이상으로 구비될 수 있으며, 상기 제1 내지 제 4 센서와 함께 구비되거나, 혹은 단독으로 구비될 수 있다. 상기 바텀센서는 상기 탑지그 (120)에 의하여 웨이퍼 (10) 상에 가해지는 압력을 측정할 수 있으며, 이를 제어부로 전달하여 상기 웨이퍼 (10)에 균일한 압력이 작용하도록 제어할 수 있다. 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a)에 레진 (R)이 구비된 후 경화단계 (S114)를 통하여 레진 (R)은 경화되어 반도체칩의 이격부 사이 및 반도체칩의 상부면을 고정시킬 수 있다. 상기 경화단계 (S114)에서 탑지그 (120)를 통하여 상기 레진 (R)에 가해지는 경화가압력은 10kgf/cm2 내지 100kgf/cm2이고, 경화온도는 50℃ 내지 200℃일 수 있다. 상기 레진 (R)에 가해지는 경화가압력 및 경화온도가 전술한 범위 내에 포함되지 않는 경우에는 이격부 사이에 구비되는 레진 (R)의 일부가 경화되지 못하는 문제가 생길 수 있다. 상기 경화단계 (S114)를 통하여 경화된 레진 (R)의 두께는 상기 제1 면 (10a)을 기준으로 10㎛ 내지 200㎛일 수 있다. 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비되는 상기 경화된 레진 (R)의 두께가 10㎛ 미만인 경우 레진 (R)에 의하여 반도체칩의 상부면을 충분히 고정시키기 못해 후속하는 연삭단계 (S115)에서 반도체칩의 밀림현상이 발생하고, 200㎛이면 상기 반도체칩을 고정하는 데 충분하므로 200㎛를 초과하는 경우 불필요한 생산비를 증가시키고 상기 레진 (R)을 제거하는 데 소요되는 시간이 증가하여 공정효율을 저하시킨다.
도 6 및 도 7은 사이드커팅단계를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1과 함께 도 6 및 도 7을 참조하면, 경화단계 (S114) 이후에 상기 웨이퍼 (10)의 노치부와 플랫부의 외측으로 오버플로우되어 경화된 레진 (R)을 제거하는 사이드커팅단계를 더 포함할 수 있다. 상기 사이드커팅단계는 나이프 (30) 등과 같은 절단부재를 이용하여 수행되며, 상기 웨이퍼 (10)의 외곽을 따라 불필요하게 돌출된 레진 (R)을 절단하여 웨이퍼 (10)에서 분리시킬 수 있다. 상기 경화단계 (S114) 이후에 수행되는 웨이퍼 (10)의 배면을 연삭하는 연삭단계 (S115) 이전에 수행되고, 상기 웨이퍼 (10) 상에 경화된 레진 (R) 중 불필요한 부분을 제거함으로써 연삭단계 (S115)에서 레진 (R)에 의한 웨이퍼 (10)의 연삭위치가 제안되는 것을 방지함으로써 연삭의 정밀도를 향상시키고 연삭효율을 향상시킬 수 있다. 별법으로, 상기 바텀지그 내에 구비되는 웨이퍼 (10)는 공차없이 바텀지그에 의하여 제공되는 공간에 형합되도록 구비될 수 있다. 상기 바텀지그와 웨이퍼 (10) 사이의 여유공간이 없어 레진 (R)의 오버플로우를 방지할 수 있으며, 이에 의하여 상기 사이드커팅단계를 생략하여 공정을 효율적으로 운영할 수 있다.
도 8은 연삭단계를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1과 함께 도 8을 참조하면, 상기 연삭단계 (S115)는, 예컨대 백그라인딩 (back grinding)의 일종으로 연마기 (40)를 이용하여 상기 웨이퍼 (10)의 제2 면 (10b)를 연삭하여 상기 이격부 (12)에 구비된 경화된 레진 (R)이 노출시킬 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼 (10)는 이격부 (12)에 충진된 레진 (R)이 영향을 받지 않도록 상기 웨이퍼 (10)의 이격부 (12)의 하단부까지 연삭된다. 상기 연삭단계 (S115)에서 사용되는 연마기 (40)는 평평한 면으로 상기 웨이퍼 (10)의 제2 면 (10b)을 균일하도록 연삭할 수 있으며, 연삭이 완료된 웨이퍼 (10)는 반도체칩 (11)과 이격부 (12)가 동일한 바닥면을 갖도록 연삭되므로 상기 웨이퍼 (10)의 제2 면 (10b)은 반도체칩 (11)과 이격부 (12)에 구비된 레진 (R)이 서로 교대로 구비될 수 있다. 상기 분할단계 (S116)는 제2 면 (10b)이 연삭된 웨이퍼 (10)를 각각의 단위 반도체칩 (11)으로 분할할 수 있다. 상기 연삭단계 (S115)가 종료된 후, 상기 웨이퍼 (10)의 제2 면에 마운트 테이프를 부착시켜 웨이퍼를 고정시킨 후 상기 마운트 테이프를 양측으로 팽창시키는 등에 의하여 상기 반도체칩 (11)을 분할하거나, 혹은 핀 등을 이용하여 반도체칩을 밀어 올려 상기 반도체칩을 분할할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서 제1 면에 복수개의 단위 반도체칩이 패턴화된 웨이퍼를 커팅하여 제조하는 반도체칩 제조방법은, 상기 웨이퍼의 제1 면이 상부에 위치하도록 상기 웨이퍼를 바텀지그 내에 구비시키는 웨이퍼장착단계; 상기 바텀지그 내에 장착된 웨이퍼의 위치를 정렬하는 프리얼라인단계; 상기 제1 면의 적어도 일부에 레진을 토출시켜 구비시키는 레진토출단계; 상기 제1 면의 상부에서 상기 레진을 탑지그를 이용하여 가압하여 상기 웨이퍼의 제1 면에 도포시키는 도포단계; 상기 제1 면에 도포된 레진을 경화시키는 경화단계; 상기 웨이퍼의 노치부와 플랫부의 외측으로 오버플로우되어 경화된 레진을 제거하는 사이드커팅단계; 상기 레진이 노출되도록 상기 웨이퍼의 제1 면의 반대면인 제2 면을 연삭하는 연삭단계; 및 상기 단위 반도체칩을 분할하는 분할단계;를 포함하고, 상기 경화단계에서 상기 탑지그의 상부면에는 상기 레진으로 가해지는 압력을 측정하는 센서가 구비되고, 상기 센서는 상기 탑지그의 중심부를 기준으로 서로 동일한 간격으로 이격되어 구비되는 제1 내지 제4 센서를 포함하고, 상기 제1 내지 제4 센서에서 측정된 레진의 압력은 제어부로 전달되며, 상기 제어부는 상기 측정된 레진의 압력과 미리 입력된 기준값과 비교하여 상기 탑지그에서 상기 레진으로 가해지는 압력을 제어한다. 전술한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 따른 반도체칩의 제조방법은 이웃하는 반도체칩 사이의 이격부에 레진을 충진시킴으로써 반도체칩을 분할하는 과정에서 반도체칩 사이에 실리콘 더스트 등의 유입 및 반도체칩의 밀림현상등을 빙지할 수 있다. 또한, 반도체칩의 칩핑을 방지할 수 있으므로, 통상의 방식에 의한 반도체칩보다 2배 이상의 강도를 갖는 박형화된 고품질의 반도체칩을 용이하게 제조할 수 있다. 또한, 생산비의 측면에서도 통상의 다이싱 공정에 대해서는 절반수준의 생산비가 소요되고, DBG 공정과 비교한 경우에는 60% 내지 70% 수준의 비용만이 소비되므로 제조원가를 절감할 수 있다.
한편, 상기 반도체 설비(403) 운용 단계(S110)는, 웨이퍼 연마 장치를 이용하여 상기 웨이퍼를 연마 가공하기 위한 웨이퍼 연마 가공 단계를 더 포함한다. 이하에서 상기 웨이퍼 연마 장치에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.
웨이퍼 연마 장치 1
도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 연마장치(2100)는 몸체부(B), 연마부(2110), 세정부(2120), 확대표시부(2130), 시편홀딩부(2140), 이송유닛(2150), 왕복이동유닛(2160)이 일체로 이루어져 있다. 연마부(2110)는 원통형의 연마제(2111)를 포함하여 형성되어 웨이퍼를 연마한다. 연마부(2110)는 연마제(2111)를 지지하며 연마제(2111)가 중심축을 기준으로 하여 회전되도록 하기 위한 베어링과 전기모터 등을 구비할 수 있다. 회전하는 원통형의 연마제(2111)에 의해 연마가 행해지므로, 연마 시 선접촉이 이루어져 웨이퍼의 모든 면이 균일하게 연마된다. 연마제는 고체 숫돌입자(연마용 입자)와 산화성 물질을 주성분으로 하는 것이 일반적이다. 고체 숫돌입자로서는 수 10∼수100nm의 입자직경을 갖는 알루미나 숫돌입자나실리카(silica)숫돌입자가 사용될 수 있다. 산화성물질로서는 과산화수소(H2O2), 질산 제2철(Fe(NO3)3), 과옥소산칼륨 (KIO3)이 사용될 수 있다. 세정부(2120)는 연마부(2110)에서 연마된 웨이퍼를 세정하고 건조한다. 따라서 세정부(2120)는 세척수를 분사하는 세척수 분사노즐(2121), 세척수가 묻은 웨이퍼를 건조시키기 위해 기체를 공급하는 에어 분사노즐(2122)을 포함하고 있다. 확대표시부(2130)는 웨이퍼의 영상을 획득하여 확대, 표시한다. 따라서 작업자는 확대표시부(2130)를 통해 웨이퍼의 연마 상태를 확인할 수 있다. 확대표시부(2130)는 웨이퍼의 영상을 획득하여 전기신호로 변환하는 CCD 또는 CMOS 등의 이미지 센서(2131), 이미지 센서로부터 받은 신호를 처리하여 표시장치로 전송하는 제어회로(2132), 제어회로(2132)로부터 전송된 신호를 화면에 표시하는 LCD, PDP, LED, OLED 등의 디스플레이 장치(2133) 등을 포함 할 수 있다. 시편홀딩부(2140)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 리니어모터(2141)와 리니어모터(2141) 하측에 결합된 압전구동기(2142), 압전구동기(2142) 하측에 결합된 진공 척(2143)으로 이루어져 있다. 이와 같이 구성된 시편홀딩부(2140)는 진공 척(2143)의 흡인력에 의해 웨이퍼(W)를 홀딩하며 웨이퍼(W)를 상하 이동시킨다. 종래에는 웨이퍼를 홀딩하기 위해 몰딩하거나 접착제를 사용하였는데, 이런 방식은 견고하지만 번거롭고 시간이 많이 걸리는 단점이 있었다. 본 발명에 따른 방식은 웨이퍼의 탈부착이 용이하여 작업시간과 비용을 줄일 수 있다는 장점이 있다. 진공 척은 다공질 금속을 이용하여 제작하는 것이 바람직하다. 또한, 압전구동기(2142)와 리니어모터(2141)를 이용하여 웨이퍼가 연마제(2111)에 닿는 힘을 피드백 받아 조절함으로써, 정확한 연마량 조절이 가능하게 된다. 이송유닛(2150)은 연마부(2110), 세정부(2120), 확대표시부(2130) 간에 시편홀딩부(2140)가 이송되도록 한다. 이송유닛(2150)으로는 시편홀딩부(2140)의 이송을 안내하기 위한 엘엠(Linear Module; LM) 가이드(미도시)와 시편홀딩부(2140)에 이송력을 제공하는 공압실린더(미도시)가 사용될 수도 있고 리니어모터(미도시)가 사용될 수도 있다. 정밀한 제어를 위해서는 리니어모터가 바람직하다. 그리고 이러한 공압실린더나 리니어모터를 동작시키기 위한 제어장치를 더 구비하여 웨이퍼를 연마한 후, 웨이퍼를 시편홀딩부로부터 탈착하는 등의 수작업 없이 버튼 조작을 통해 시편홀딩부를 이송시켜 연마된 양과 표면 상태의 확인이 가능하므로 작업효율성이 대폭 향상된다. 왕복이동유닛(미도시)은 연마부(2110)가 웨이퍼를 연마 시 시편홀딩부(2140)가 좌우로 왕복이동하도록 한다. 왕복 이동유닛으로는 엘엠 가이드와 공압실린더가 사용되거나 리니어모터가 사용될 수 있다. 직선왕복운동하면서 웨이퍼가 연마됨에 따라, 1회 직선왕복 운동하는데 연마되는 양을 측정하여 연마량을 정확하게 조절할 수 있게 된다. 한편, 이러한 웨이퍼 연마 장치는 공조 시스템 또는 냉난방공조 제어 시스템이 가동되는 작업장에서 수행된다. 이하에서는 상기 공조 시스템과 상기 냉난방공 제어 시스템에 대하여 각각 설명하기로 한다.
공조 시스템
도 29 내지 도 32에 도시된 바와 같이 상기 공조 시스템은 적어도 하나 이상의 실내기와 이를 제어하기 위한 하나의 실외기가 통신 가능하도록 연결된 냉난방 장치를 복수 개 구성하고, 적어도 하나 이상의 환기장치와 이를 제어하기 위한 하나의 제어수단이 통신 가능하도록 연결된 환기 시스템을 복수 개 구성하고, 상기 냉난방 장치와 환기 시스템간의 연동 운전을 제어하기 위한 중앙처리장치를 상기 냉난방 장치 및 환기 시스템과 통신 가능하도록 연결 구성된다. 여기서, 상기 냉난방 장치의 실외기와 실내기, 또는 상기 환기 시스템의 제어수단과 환기장치는 유,무선 통신라인을 통해 연결되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 중앙처리장치와 냉난방 장치, 또는 중앙처리장치와 환기 시스템은 네트워크 프로토콜에 의한 데이터 송수신이 이루어지도록 네트워크 통신라인을 통해 연결되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 중앙처리장치는 상기 냉난방 장치 또는 환기 시스템과 이더넷(Ethernet)을 통해 유기적으로 연결되어 상기 냉난방 장치 또는 환기 시스템의 운전을 원격 제어하는 고급 중앙제어기와, 상기 냉난방 장치 또는 환기 시스템이 이더넷을 통해 상기 고급 중앙제어기와 접속하기 위한 이더넷 게이트웨이로 구성되는데 특징이 있다. 그리고, 상기 중앙처리장치는 상기 냉난방 장치 또는 환기 시스템과 네트워크 통신라인을 통해 연결되어 상기 냉난방 장치 또는 환기 시스템의 운전을 제어하는 단순 중앙제어기로 구성된다. 그리고, 상기 중앙처리장치는 상기 냉난방 장치 또는 환기 시스템의 소비 전력을 파악하여 각 실내기 또는 환기 장치의 전력을 제어하기 위한 적산전력 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고, 상기 냉난방 장치의 실외기는 실외정보 및 자신에게 연결된 실내기의 정보를 상기 중앙처리장치로 송신하고, 상기 중앙처리장치에서 출력된 각 실내기의 운전 제어신호를 수신하여 해당 실내기의 운전을 제어하도록 구성된다.그리고, 상기 환기 시스템의 제어수단은 자신에게 연결된 환기장치의 정보를 상기 중앙처리장치로 송신하고, 상기 중앙처리장치에서 출력된 각 환기장치의 운전 제어신호를 수신하여 해당 환기장치의 운전을 제어하도록 구성된다. 상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하나의 실외기에 적어도 하나 이상의 실내기가 연결된 냉난방 장치 및, 하나의 제어기에 적어도 하나 이상의 환기장치가 연결된 환기 시스템으로 구성되는 공조 시스템의 제어방법에 있어서, 상기 냉난방 장치 및 환기 시스템과 통신라인으로 연결된 중앙처리장치에서, 상기 실외기 및 제어기와의 상호 데이터 통신을 통해 각 구역(Zone)별 실내기 및 환기장치의 연동 운전조건을 설정하는 단계; 그리고, 상기 설정된 운전조건에 따라 구역별 실내기와 환기장치를 연동 운전하도록 제어하는 단계로 이루어진 공조 시스템의 제어방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 하나의 실외기에 적어도 하나 이상의 실내기가 연결된 냉난방 장치 및, 하나의 제어기에 적어도 하나 이상의 환기장치가 연결된 환기 시스템으로 구성되는 공조 시스템의 제어방법에 있어서, 상기 냉난방 장치 및 환기 시스템과 통신망으로 연결된 중앙처리장치에서, 상기 실외기 및 제어기와의 네트워크 통신을 통해 각 구역별 실내기 및 환기장치의 연동 운전조건을 설정하는 단계; 그리고, 상기 설정된 운전조건에 따라 구역별 실내기와 환기장치를 연동 운전하도록 원격 제어하는 단계로 이루어진 공조 시스템의 제어방법을 제공한다. 따라서, 본 발명에 의하면 다수의 냉난방 장치와 다수의 환기 시스템으로 이루어진 공조 시스템을 구현할 수 있으며, 중앙처리장치를 통하여 냉난방 장치와 환기 시스템간의 연동 운전을 제어할 수 있다. 이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 도 29과 도 30는 공조 시스템에 대한 구축 상태를 나타낸 도면으로, 공조 시스템은 다수의 냉난방 장치(60100)와 다수의 환기시스템(60200)이 네트워크 통신라인을 통해 중앙처리장치(60300)에 연결되어, 중앙처리장치(60300)에 의해 냉난방장치(60100)와 환기 시스템(60200)간의 연동운전 제어가 이루어지도록 구성된다. 상세하게 설명하면, 적어도 하나 이상의 실내기(60110)와 이를 제어하기 위한 하나의 실외기(60130)가 통신 가능하도록 연결된 냉난방 장치(60100)를 복수 개 구성하고, 적어도 하나 이상의 환기장치(60210)와 이를 제어하기 위한 하나의 제어수단(60230, 250, 250')이 통신 가능하도록 연결된 환기 시스템(60200)을 복수 개 구성하고, 상기 냉난방 장치(60100)와 환기 시스템(60200)간의 연동 운전을 제어하기 위한 중앙처리장치(60300)를 상기 냉난방 장치(60100) 및 환기 시스템(60200)과 통신 가능하도록 연결 구성한다.
여기서, 상기 냉난방 장치(60100)는 멀티 타입과 다 압축기 타입의 경우 하나의 실외기에 다수의 실내기가 연결 구성되며, 패키지 타입(PAC; package air conditioner)과 벽장착 타입(60RAC; room air conditioner)의 경우 실외기와 실내기가 일대일 연결 구성된다. 이때, 상기 냉난방 장치(60100)의 실내기(60110)와 실외기(60130)는 유,무선 통신라인(60150)을 통해 연결되어, 실내기(60110)와 실외기(60130)간의 데이터 송수신이 가능하다. 이러한 구성에 의하면, 상기 실외기(60130)는 자신에게 연결된 모든 실내기(60110)의 실내정보를 공유하게 되며, 이를 중앙처리장치(60300)로 송신함과 아울러 상기 중앙처리장치(60300)에서 출력된 운전 제어신호에 따라 해당 실내기(60110)를 제어하게 된다. 그리고, 상기 환기 시스템(60200)은 다수 개의 환기 장치(60210)를 그룹으로 나누어 그룹별로 제어할 수 있는 그룹 제어기(60230)와, 하나 이상의 그룹 제어기(60230)와의 데이터 전달을 수행하는 메인 제어기(60250)로 구성된다. 또한, 환기 장치(60210)를 일대 일로 연결 구성하여 개별 제어할 수 있는 개별 제어기(60250')로 구성될 수 있다. 이때, 상기 환기장치(60210)와 그룹 제어기(60230), 또는 그룹 제어기(60230)와 메인 제어기(60250), 또는 환기장치(60210)와 개별제어기(60250')는 각각 유,무선 통신라인(60260)을 통해 서로 연결 구성되어 환기장치(60210)와 제어수단(60그룹 제어기, 메인 제어기, 개별 제어기)(60230, 60250, 60250')간의 데이터 송수신이 가능하다. 이러한 구성에 의하면, 상기 그룹 제어기(60230), 메인 제어기(60250) 및 개별 제어기(60250')는 자신에게 연결된 모든 환기장치(60210)의 정보를 공유하게 되며, 이를 중앙처리장치(60300)로 송신함과 아울러 중앙처리장치(60300)에서 출력된 운전 제어신호에 따라 해당 환기장치(60210)를 제어하게 된다. 그리고, 상기 중앙처리장치(60300)와 냉난방 장치(60100), 또는 중앙처리장치(60300)와 환기 시스템(60200)은 네트워크 프로토콜에 의한 데이터 송수신이 이루어지도록 네트워크 통신라인(60500)을 통해 연결 구성된다. 다시 말해, 실내기(60110)의 실내정보를 공유하는 실외기(60130)와; 환기장치(60210)의 정보를 공유하는 제어수단(그룹 제어기, 메인 제어기, 개별 제어기)(60230, 60250, 60250')은 중앙처리장치(60300)와의 데이터 송수신이 가능하도록 네트워크 통신라인(60500)을 통해 연결된다. 즉, 상기 중앙처리장치(60300)는 네트워크 통신을 통해 냉난방 장치(60100)의 실외기(60130)와 환기 시스템(60200)의 제어수단(60230, 60250, 60250')으로부터 실내기(60110) 및 환기장치(60210)의 정보를 공유할 수 있으며, 이러한 정보를 근거하여 실내기(60110) 및 환기장치(60210)의 연동 운전을 제어할 수 있다. 보통, 실내기(60110)와 환기장치(60210)의 경우 한 구역(Zone)에 함께 설치하게 되므로 구역별(660A)(660B)(660C)로 해당 구역의 실내 정보를 고려하여 동일구역에 설치된 실내기(60110)와 환기장치(60210)를 연동 운전시키는 것이 실내 공기질을 향상시키는데 효과적이다. 여기서, 상기 중앙처리장치(60300)는 이더넷(Ethernet)(60311)을 통해 냉난방 장치(60100) 또는 환기 시스템(60200)과 유기적으로 연결되어 상기 냉난방 장치(60100) 또는 환기 시스템(60200)의 연동 운전을 원격 제어하는 고급 중앙제어기(60310)와, 상기 냉난방 장치(60100) 또는 환기 시스템(60200)이 네트워크 통신라인(60500)에 연결되어 이더넷(60311)을 통해 고급 중앙제어기(60310)에 접속하기 위한 이더넷 게이트웨이(60313)로 구성된다.
한편, 상기 중앙처리장치(60300)는 냉난방 장치(60100) 및 환기 시스템(60200)과 네트워크 통신라인(60500)을 통해 단순 연결되어 상기 냉난방 장치(60100) 또는 환기 시스템(60200)의 운전을 제어하는 단순 중앙제어기(60330)로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 16실의 실내기 정보를 가진 실외기의 경우 16실 제어용 단순 중앙제어기를 이용하여 16실의 실내기를 제어할 수 있다.그리고, 상기 중앙처리장치(60300)는 통신 가능하게 연결된 모든 실내기(60110) 또는 환기 장치(60210)의 소비 전력을 파악하여 각 실내기(60110) 또는 환기 장치(60210)의 전력을 제어하기 위한 적산전력 시스템(60350)을 더 포함하여 구성할 수 있다. 이러한 구성에 의하면, 상기 중앙처리장치(60300)는 냉난방 장치(60100)와 환기 시스템(60200)간의 네트워크 통신을 통해 모든 실내기(60110) 및 환기장치(60210)의 전력에 대한 중앙 제어가 가능하다. 이와 같이 구성된 본 발명에 따른 공조 시스템에 있어, 냉난방 장치(60100)와 환기 시스템(60200)의 연동 운전 제어방법의 실시예를 설명하면 다음과 같다. 도 31는 여름철의 경우 공조 시스템의 연동 운전 제어방법을 도시한 순서도이다. 본 발명에 따른 공조 시스템의 중앙처리장치(60300)는 냉난방 장치(60100) 및 환기 시스템(60200)과의 데이터 송수신이 가능하도록 네트워크 통신라인(60500)을 통해 연결 구성된다. 도시한 바와 같이, 상기 중앙처리장치(60300)는 모든 실내기(60110)의 정보를 공유하는 실외기(60130)로부터 현재 실외온도와 각 구역별 실내기(60110)에서 감지된 실내온도를 주기적으로 수신하게 된다(S610). 이때, 상기 중앙처리장치(60300)는 현재 실외온도와 각 구역의 실내온도 레벨을 근거하여 구역별 실내기(60110)와 환기장치(60210)의 연동 운전을 제어하기 위한 운전 제어신호를 출력하게 된다. 이어서, 상기 중앙처리장치(60300)에서 출력된 운전 제어신호는 네트워크 통신을 통해 냉난방 장치(60100)의 실외기(60130)와 환기 시스템(60200)의 제어수단(60230, 60250, 60250')으로 전송되고, 상기 실외기(60130)와 제어수단(60230, 60250, 60250')은 중앙처리장치(60200)로부터 전송된 운전 제어신호에 따라 각 구역의 실내기(60110)와 환기장치(60210)의 운전을 제어하게 된다. 상세히 설명하면, 상기 실외기(60130)로부터 수신된 실외온도 레벨을 판단하여(S612), 현재 실외온도가 기 설정된 제 1 실외 설정온도(T1) 이상으로 높을 경우 구역별 실내기(60110)의 실내온도 레벨을 판단한다(S614). 현재 실외 온도가 제 1 실외설정온도(T1) 이상으로 높고 특정 구역의 실내온도가 제 1 실내설정온도(60C1) 이상으로 높을 경우 해당 구역의 실내온도를 신속하게 내리기 위해 환기장치(60210)를 정지시키고 실내기(60110)의 풍량(60냉풍)을 '강풍'으로 설정한다(S616). 한편, 현재 실외 온도가 제 1 실외설정온도(T1) 이상으로 높으나 실내온도가 제 1 실내설정온도(60C1)보다 낮고 제 2 실내설정온도(60C2)보다 높으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '약풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '중풍'으로 설정한다(S618, S20). 그리고, 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T1) 이상으로 높으나 실내온도가 제 2 실내설정온도(60C2)보다 낮으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '중풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '약풍'으로 설정한다(S622). 한편, 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T1)보다 낮고 제 2 실외설정온도(T2)보다 높을 경우, 특정 구역의 실내온도가 제 1 실내설정온도(60C1)보다 낮고 제 2 실내설정온도(60C2)보다 높으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '약풍'으로 설정하고실내기(60110)를 '중풍'으로 설정한다(S624~S28). 그리고, 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T1)보다 낮고 제 2 실외설정온도(T2)보다 높을 경우, 실내온도가 제 2 실내 설정온도(60C2)보다 낮으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '중풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '약풍'으로 설정한다(S630). 그리고, 현재 실외온도가 제 2 실외설정온도(T2) 이하로 낮을 경우 해당 구역의 실내온도를 유지하기 위해 환기장치(60210)를 '강풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 정지시킨다(S632). 이와 같이, 여름철 환기장치(60210)와 실내기(60110)의 연동운전을 제어하는데 있어, 주기적으로 실외기(60130)로부터 현재 실외온도와 각 구역별 실내기(60110)의 실내온도를 수신하여 실외온도 및 각 구역의 실내온도에 따라 환기장치(60210)와 실내기(60110)의 운전 조건을 재설정한다. 도 32는 겨울철의 경우 공조 시스템의 연동 운전 제어방법을 도시한 순서도이다. 도시한 바와 같이, 상기 중앙처리장치(60300)는 모든 실내기(60110)의 정보를 공유하는 실외기(60130)로부터 현재 실외온도와 각 구역별 실내기(60110)에서 감지된 실내온도를 주기적으로 수신하게 된다(S650). 이때, 상기 중앙처리장치(60300)는 현재 실외온도와 각 구역의 실내온도 레벨을 근거하여 구역별 실내기(60110)와 환기장치(60210)의 연동 운전을 제어한다. 상세히 설명하면, 상기 실외기(60130)로부터 수신된 실외온도 레벨을 판단하여(S652), 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T11) 이하로 낮을 경우 구역별 실내기(60110)의 실내온도 레벨을 판단한다(S654). 현재 실외 온도가 제 1 실외설정온도(T11) 이하로 낮고 특정 구역의 실내온도가 제 1 실내설정온도(H1) 이하로 낮을 경우 해당 구역의 실내온도를 신속하게 올리기 위해 환기장치(60210)를 정지시키고 실내기(60110)의 풍량(60온풍)을 '강풍'으로 설정 한다(S656). 한편, 현재 실외 온도가 제 1 실외설정온도(T11) 이하로 낮으나 실내온도가 제 1 실내설정온도(H1)보다 높고 제 2 실내설정온도(H2)보다 낮으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '약풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '중풍'으로 설정한다(S658, S60). 그리고, 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T11) 이하로 낮으나 실내온도가 제 2 실내설정온도(H2)보다 높으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '중풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '약풍'으로 설정한다(S662). 한편, 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T11)보다 높고 제 2 실외설정온도(T22)보다 낮을 경우, 특정 구역의 실내온도가 제 1 실내설정온도(H1)보다 높고 제 2 실내설정온도(H2)보다 낮으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '약풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '중풍'으로 설정한다(S664~S668). 그리고, 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T11)보다 높고 제 2 실외설정온도(T22)보다 낮을 경우, 실내온도가 제 2 실내설정온도(H2)보다 높으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '중풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '약풍'으로 설정한다(S670). 그리고, 현재 실외온도가 제 2 실외설정온도(T22) 이상으로 높을 경우 해당 구역의 실내온도를 유지하기 위해 환기장치(60210)를 '강풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 정지시킨다(S672). 이러한 공조 과정에서 실외기(60130)로부터 현재 실외온도와 각 구역별 실내기(60110)의 실내온도를 주기적으로 수신하여 실외온도 및 각 구역의 실내온도에 따라 환기장치(60210)와 실내기(60110)의 운전 조건을 재설정한다.따라서, 본 발명은 다수의 냉난방 장치(60100)와 환기 시스템(60200)을 네트워크 통신라인(60500)을 통해 중앙처리장치(60300)로 연결 구성함으로써 중앙처리장치(60300)에서 다수의 냉난방 장치(60100)와 환기 시스템(60200)에 대한 연동 운전을 제어할 수 있다. 그리고, 다수의 실내기(60110) 정보를 가진 실외기(60130), 또는 다수의 환기장치(60210) 정보를 가진 제어수단(60230, 250, 250')와 데이터 송수신이 가능하므로 냉난방 장치(60100)와 환기 시스템(60200)에 대한 구역별 제어 및 그룹별 제어가 가능하다.
냉난방 공조 제어 시스템
도 26 내지 도 28에 도시된 바와 같이 상기 냉난반 공조 제어 시스템은 복수 개의 냉난방공조 장치(5010)에 대한 모니터링 및 제어기능을 수행하는 제어시스템으로서, 상기 복수 개의 냉난방공조 장치(5010) 각각의 운전상태에 대한 정보인 운전 데이터를 제공받고 소정의 알고리즘에 따라 상기 냉난방공조 장치를 제어하기 위한 운전 파라미터를 상기 냉난방공조 장치에 제공하는 중앙처리장치(50150); 상기 복수 개의 냉난방공조 장치(5010)와 개별적인 프로토콜로 각각 연결되고 상기 중앙처리장치(50150)와 TCP/IP프로토콜로 연결되어, 상기 냉난방공조 장치(5010)와 상기 중앙처리장치(50150) 사이에서 프로토콜을 상호 변환하면서 데이터를 중계하는 프로토콜 컨버터(50110); 및 상기 운전 데이터를 사용자에게 표시하고, 상기 운전 파라미터를 관리자로부터 제공받아 상기 중앙처리장치에 제공하는 휴대 단말기(50130)를 포함하는 것을 특징으로 하되, 상기 프로토콜 컨버터(50110)는 백넷(BACnet) 프로토콜 컨버터(50112)를 더 포함한다.
보다 구체적으로 부연 설명하자면, 상기 냉난방공조 제어 시스템은 프로토콜 컨버터(Protocol Converter)(50110), 휴대 단말기(50130) 및 중앙처리장치(50150)를 포함한다. 상기 프로토콜 컨버터(50110)에는 적어도 하나의 각종 냉난방공조 장치(5010)가 연결되며, 휴대 단말기(50130)와 중앙처리장치(50150)는 인터넷을 통해 클라우드(50170)에 연결되어 있다. 여기서, 클라우드(50170)는 클라우드 서비스를 제공하는 각종 서버, 즉 클라우드 서버를 의미한다. 프로토콜 컨버터(50110)는 복수 개의 냉난방공조 장치(5010)들과 중앙처리장치(50150) 사이에 마련되어 냉난방공조 장치(5010)와 중앙처리장치(50150) 간의 프로토콜을 상호 변환시킨다. 이 경우, 상기 프로토콜 컨버터(50110)는 도 26에 나타낸 것과 같이 모드 버스 프로토콜(50Modbus)(50111) 및 프로토콜 컨버터(50150)는 백넷(50BACnet) 프로토콜 컨버터(50112)를 더 포함하여 구성된다. 부하 제어 객체(50LCO)는 부하 상태의 제어와 모니터링을 위한 매개변수와 인터페이스를 제공하고 있는데, 도 27은 부하 제어 객체에 정의되어 있는 매개변수를 예시하고 있다. 도 27에서 나타낸 것과 같이 부하 제어 객체에서는 부하의 상태를 제어하기 위한 변수뿐만아니라 사용자가 부하를 제어하기 위해 필요한 인터페이스를 제공하고 있다.
도 27에서 도시된 BACnet LCO의 매개변수 중에서, 특히 부하의 상태를 제어하기 위한 변수는 'Requested Shed Level', 'Start Time', 'Shed Duration'이 있다. 'Requested Shed Level'은 희망하는 부하의 전력 사용 레벨을 의미하며, 이 변수를 이용하여 부하의 전력 에너지 사용량을 제어할 수 있다. 'Start Time'과 'Shed Duration' 은 각각 부하 제어를 위한 시작 시간과 제어 지속 시간을 의미하는 값으로, 이들을 통해 부하의 동작 시간을 제어할 수 있다. 예를 들어, 부하 제어 객체(LCO)의 부하를 언제부터(Start Time), 얼마 동안(Shed Duration), 어느 정도의 값(Requested Shed Level)으로 제어하게 된다. 이 경우, 상기 백넷(BACnet) 프로토콜 컨버터(50112)는 도 26 에 나타낸 것과 같이 백넷 클라인언트(50120)와 더 연결되는 것이 더 바람직하다. 또한, 상기 백넷(BACnet) 프로토콜 컨버터(50112)는 도 26 에 나타낸 것과 같이 그 설정을 일종의 메모리 매핑(50memory mapping)의 형태로 제어할 수 있도록 설정 제어 외부 단말기(50140)와 더 연결되는 것이 바람직하다. 한편, 복수 개의 냉난방공조 장치(5010)는 RS-485, RS-232C, ASIC/2-7540 또는 MODBUS 485 RTU 등과 같이 종래에 알려진 통신 프로토콜을 가진다. 이러한 프로토콜은 자체의 독립적이고 개별적인 연결만을 가능하게 한다. 이에 반하여, 프로토콜 컨버터(50110)와 중 앙제어장치(50150) 사이에는 TCP/IP 프로토콜로 연결되므로, 프로토콜 컨버터 (50110)는 냉난방공조 장치(5010)들이 자신들의 특정 통신 프로토콜을 통해 제공하는 정보를 TCP/IP로 일괄 변환하여 중앙처리장치(50150)에게 제공한다. 휴대 단말기(50130)는 이동통신 또는 무선랜 인터페이스를 이용하여 인터넷에 접속할 수 있는 모바일 단말기가 해당하며, 본 발명이 제시하는 기능 이외에 다양한 기능(전화, 카메라, 위치 인식 등)을 수행하기 위한 각종 구성을 포함한다. 다만, 이러한 구성 중 본 발명의 설명에 필수적이지 않은 구성에 대하여는 도면에 도시하지 않고 설명하지 않는다.
도 28을 참조하면, 휴대 단말기(50130)는 본 발명의 특징적인 냉난방공조 제어를 수행하기 위하여, 표시부(50201), 입력부(50203), 네트워크 인터페이스부(50205) 및 제어부(50210)를 포함한다. 표시부(50201)는 엘시디(50LCD), 오엘이디(50OLED) 등과 같이 각종 정보를 시각적으로 인식할 수 있도록 표시하는 장치이고, 입력부(50203)는 사용자의 제어명령을 입력받기 위한 장치이다. 예컨대, 표시부(50201)와 입력부(50203)가 하나의 터치스크린(Touch Screen) 형태로 마련되는 것이 바람직하다. 네트워크 인터페이스부(50205)는 WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access), LTE(Long Term Evolution) 등의 이동통신망 또는 무선랜(Wireless LAN) 등의 무선 인터페이스를 구비하여 인터넷을 통해 중앙처리장치(50150)에 접속하여, 중앙처리장치(50150)와 제어부(50210) 사이의 각종 정보를 상호 전달한다. 이하에서 예컨대 중앙처리장치(50150)와 휴대 단말기(50130)의 제어부(50210) 사이의 정보 전달이 네트워크 인터페이스부(50205)를 경유하지 않고 이루어지는 것처럼 설명되더라도, 이러한 표현은 단지 설명을 간단히 하기 위한 것이어서 실질적으로는 반드시 네트워크 인터페이스부(50205)를 통해 정보가 전달된다. 제어부(50210)는 휴대 단말기(50130)의 전반적인 동작을 제어하며, 본발명의 냉난방공조 제어를 수행하기 위하여 특별히 제어 클라이언트(50211)를 포함한다. 제어부(50210)는 본 발명을 위해 특별히 설치된 구성으로 해석될 수도 있으나, 일반적으로는 휴대 단말기(50130)의 주된 또는 기본 기능(예컨대, 전화, 통신 등)을 수행하기 위해 설치된 구성일 수도 있다. 이처럼 제어부(50210)가 휴대 단말기(50130)의 기본 기능을 수행하기 위해 설치된 구성일 경우, 제어부(50210)는 휴대단말기(50130)가 기본적으로 보유하는 하드웨어인 프로세서 칩(Processor Chip)과, 그 칩에 기반하여 동작하는 운영체제 프로그램(OS: Operating System)으로 구현되는 구성을 기능적으로 지시한 것일 수 있다. 다시 말해, 본 발명이 수행되지 않는 종래의 단말기 역시 제어부(50210)를 구비할 수 있다. 이러한 경우, 제어 클라이언트(50211)는 그 운영체제 프로그램상에서 동작하는 소프트웨어인 어플리케이션 (Application)으로서 본 발명의 실시를 위해 종래의 단말기에 설치된 것일 수 있다. 다시 말해 종래의 단말기에 본 발명의 제어클라이언트(50211)가 설치되면 본 발명의 휴대 단말기(50130)가 되는 것이다. 한편, 이러한 어플리케이션은 '프로그램 분배 서버(미도시)'에 마련되고 컴퓨터로 읽을 수 있는 저장매체에 기록된 프로그램일 수 있으며, 휴대 단말기(50130)가 인터넷을 통해 분배 서버(미도시)에 접속하여 해당 어플리케이션을 다운로드 받아 설치할 수도 있다. 제어 클라이언트(50211)는 중앙처리장치(50150) 또는 클라우드(50170)로부터 냉난방 장치(5010)의 운전 데이터를 제공받아 관리자에게 표시하고, 관리자의 제어명령을 중앙처리장치(50150)에게 제공한다. 이를 위해, 제어 클라이언트(50211)는 운전 데이터의 표시 및 제어 명령의 수집을 위한 그래픽 인터페이스를 제공할 수 있다. 중앙처리장치(50150)는 프로토콜 컨버터(50110)를 통해 복수 개의 냉난방공조 장치(5010)와 연결된다. 중앙처리장치(50150)는 각 냉난방공조 장치(5010)의 제어를 위한 운전 파라미터를 휴대 단말기(50130)로부터 제공받아 해당 냉난방공조 장치(5010)에게 제공하며, 그 제어결과를 프로토콜 컨버터(50110)를 통해 냉난방공조 장치(5010)로부터 제공받아 관리한다. 한편, 냉난방공조 장치(5010)가 직접 IP 망에 접속할 수 있는 경우에는 프로토콜 컨버터(50110)를 거치지 않고 직접 중앙처리장치(50150)와 연결되어 데이터를 송수신할 수 있다. 중앙처리장치(50150)는 냉난방공조 장치(5010) 각각의 현재 상태/ 제어결과/ 적용 중인 운전 파라미터 등을 포함하는 각종 정보를 자신의 표시장치(미도시)에 표시함과 동시에 클라우드(50170)에 제공한다. 휴대 단말기(50130)의 제어 클라이언트(50211)는 입력부(50203)로부터 관리자의 요청을 입력받으면, 클라우드(50170)에 접속하여 해당 운전 데이터를 다운받아 표시부(50201)를 통해 표시함으로써, 관리자가 상황을 모니터링하고 제어할 수 있도록 한다. 중앙처리장치(50150)는 에너지 절감을 위하여 다수의 제어 알고리즘을 수행한다. 먼저, 중앙처리장치(50150)는 복수 개의 냉난방공조 장치(5010)들 중에서 에너지 절감 성능이 우수한(예컨대, 최고 값을 가진) 냉난방공조 장치(5010)에 적용된 운전 파라미터를 '모범-운전 파라메타'로 지정하여, 동일하거나 유사한(50예커내, 에너지 소모량이 기준 값 이상인) 냉난방공조 장치(5010)에 이식함으로써 전체냉난방공조 장치(5010)의 에너지 절감 성능이 개선되도록 한다. 다음으로, 냉난방공조 장치(5010)가 냉동장치인 경우, 중앙처리장치(50150)는 해당 냉난방공조 장치(5010)로부터 수신된 운전 데이터를 분석하여, 해당 냉동장치의 냉수 출구 온도가 7°를 중심으로 헌팅이 심할 경우에 더 높은 설정온도를 가지도록 제어한다. 통상 냉동에 있어서 냉수 출구온도는 7°이며, 수신된 운전데이터가 7°를 중심으로 헌팅이 심하다는 것은 냉동기의 작동이 빈번하게 온(On)/오프(Off) 된다는 것을 의미한다. 따라서, 높은 설정온도(예를 들면 8°또는 9°)로 운전하면, 압축기의 입력 전류(즉, 소비전력)이 줄어 에너지가 절감되는 최적의 운전 조건을 유지할 수 있다. 한편, 냉각수 온도 제어. 냉각수 온도는 외부에 설치된 냉각탑에서 온도를 낮춰서 표준 32°정도의 냉각수를 계속 보내주고 있다. 냉각수가 통과하는 응축기의 전열관이 오염이 되면, 냉각수 전열관의 전열 성능이 하락하여 제 성능을 내지 못하게 되고, 정격보다 높은 소비입력이 투입되어도 표준 성능을 내지 못하게 된다. 이때, 중앙처리장치(50150)는 운전 데이터를 이용하여 이러한 사항을 파악하고, 관리자로 하여금 해당 전열관의 세관작업을 실시하도록 경고 메시지를 표시할 수 있다. 또한, 중앙처리장치(50150)는 특정 사이트(예컨대, 공장)에 복수 개의 냉동기가 설치된 경우에. 해당 냉동기의 온/오프 동작이 일반적인 기준 횟수 이상으로 많은 경우에 복수 개의 냉동기 중 하나를 오프하는 제어를 수행할 수 있다.
웨이퍼 연마 장치 2
도 13 내지 도 14를 참조하면, 도 10에 따른 웨이퍼 연마장치의 다른 실시예로서, 상기 웨이퍼 연마장치(100)의 몸체부(B) 상에는 바닥부와의 완충을 위한 완충모듈이 구비된다.후술하는 하부유닛(3812)과 몸체부(B)의 저면부 사이의 이격거리를 조절하기 위한 리프팅수단(LU)이 더 구비되며, 상기 완충유닛(3811)은 상기 하부유닛(3812) 상에서 일정 범위 내로 유동 가능하도록 복수 구비된다. 상기 완충유닛(3811)은, 상기 하부유닛(3812)의 각 모서리부 상에 위치되는 제1모드와, 상기 각 모서리부로부터 상기 하부유닛(3812)의 가상의 중심점을 향하여 동시적 또는 비동시적으로 유동되는 제2모드로 동작하도록 구비된다. 이하에서 상기 완충모듈에 대해서 구체적으로 설명하기로 한다.
완충모듈
도 15는 도 13에 따른 구성들 중 일부를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 15를 참조하면, 상기 완충모듈(381)은 바닥부과 접하는 하부유닛(3812)과, 상기 하부유닛(3812)의 상방에서 상기 몸체부와 접하는 완충유닛(3811)을 포함한다. 여기서, 상기 완충유닛(3811)은 상기 몸체부 저면과 마주 접하는 상부고정판(3811a)과, 상기 하부유닛(3812)과 마주접하는 하부고정판(3811b)과, 상기 상부고정판(3811a)과 상기 하부고정판(3811b) 사이에 구비되는 탄성하우징(3811c, 3811d)을 포함한다. 이때 상기 탄성하우징(3811c, 3811d)은 외측면부가 지그재그 형태로 형성 된다. 여기서 상기 탄성하우징(3811c, 3811d)은 내부에 탄성충진제(3811e)가 충진되되, 상기 탄성충진제(3811e)는 상기 탄성하우징(3811c, 3811d)의 형상에 대응하도록 충진되어지며, 상기 탄성충진제(3811e)는 종방향을 따라 소정의 완충공간(H1)이 복수 형성되며, 상기 각 완충공간(H1)들 사이에는 내부 보강판이 각각 구비된다. 이때 상기 완충공간(H1)은 상기 내부 보강판의 너비 이상의 너비를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 상기 내부 보강판들 중 상기 상부고정판(3811a)과 마주하는 최상단보강판(3811f)은 하부면에 소정형상의 하면돌기부(T1)가 형성된다. 상기 내부 보강판들 중 상기 하부고정판(3811b)과 마주하는 최하단보강판(3811g)은 상부면에 소정형상의 상면돌기부(T2)가 형성되며, 상기 최상단보강판(3811f)과 상기 최하단보강판(3811g) 사이에 위치되는 중단 보강체(3811h)들은 각각 상부면과 하부면에 상면돌기부(T2)와 하면돌기부(T1)가 형성된다. 상기 최상단보강판(3811f), 상기 중단 보강체(3811h) 및 상기 최하단보강판(3811g) 각각은, 외부의 충격에 기반하는 진동이 발생되면 상기 상면돌기부(T2)와 상기 하면돌기부(T1)가 상기 완충공간(H1)을 경유하여 상호 접촉되게 된다. 여기서, 상기 상면돌기부(T2)와 상기 하면돌기부(T1)는 상호 형합적인 요철형태로 형성되는 것이 바람직하다.
도 16은 도 13에 따른 구성들 중 완충모듈의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 16를 참조하면, 상기 상부고정판(3811a)은 상기 몸체부 저면과 마주 접하는 상방의 제1고정판(3811a1)과, 수평방향 상으로 슬라이딩 가능하도록 상기 제1고정판(3811a1)의 하부에 결속되며, 상기 탄성하우징(3811c, 3811d), 상기 최상단보강판(3811b1)과 마주 접하는 제2고정판(3811a2)을 포함한다. 상기 하부고정판(3811b)은 상기 하부유닛(3812)과 마주 접하는 하방의 제3고정판(3811b1)과, 수평방향 상으로 슬라이딩 가능하도록 상기 제3고정판(3811b1)의 상부에 결속되며, 상기 탄성하우징(3811c, 3811d) 및 상기 최하단보강판(3811g)과 마주 접하는 제4고정판(3811b2)을 포함한다. 상기 탄성충진제(3811e)는 중앙부에 소정의 중공영역(H2)이 형성되며, 상기 중공영역(H2) 상에는 외부의 충격에 대응하여 상기 몸체부에 대한 완충을 위한 완충구(3811i)가 구비된다. 상기 완충구(3811i)는 탄성수단을 매개로 상호 결속되는 상판(3811i1)과 하판(3811i2)을 포함하며, 상기 상판(3811i1)과 상기 하판(3811i2)은 각각 상기 상부고정판(3811a)과 상기 하부고정판(3811b)에 수평방향상으로 슬라이딩 가능하도록 결속된다.
도 17는 도 13에 따른 구성들 중 최상단보강판, 복수의 중단 보강체, 최하단보강판의 다른 실시예를 도시한 도면이다. 도 17을 참조하면, 상기 최상단보강판(3811f)은 상기 상부고정판(3811a)과 접촉되는 최상단상판(3811f1)과, 상기 최상단 상판과 탄성체(E2)를 매개로 결속되는 최상단하판(3811f2)을 포함한다. 여기서 상기 최상단하판(3811f2)의 저면에는 하면돌기부(T1)가 형성된다. 상기 중단 보강체(3811h)은 상기 완충공간(H1)을 사이에 두고 상기 최상단 하판(3811f)과 대향하는 중단상판(3811h1)과, 상기 중단상판(3811h1)과 탄성체를 매개로 결속되는 중단하판(3811h2)을 포함한다. 여기서 상기 중단상판(3811h1)의 상면에는 상면돌기부(T2)가 형성된다. 상기 최하단보강판(3811g)은 상기 완충공간을 사이에 두고 상기 중단하판(3811h2)과 대향하는 최하단상판(3811g1)과, 상기 최하단상판(3811g1)과 탄성체를 매개로 결속되는 최하단하판(3811g2)을 포함한다. 여기서 상기 최하단상판(3811g1)의 상면에는 상면돌기부(T2)가 형성된다.
도 18은 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛(3811)의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다. 도 18을 참조하면, 상기 제2고정판(3811a2)은 상기 제1고정판(3811a1)의 면적을 초과하도록 적어도 양쪽 외측으로 연장되며, 상기 제2고정판(3811a2)의 양쪽 외측의 각 단부에는 상방으로 연장형성되는 상방돌출부(UT)가 형성된다. 상기 제4고정판(3811b2)은 상기 제3고정판(3811b1)의 면적을 초과하도록 적어도 양쪽 외측으로 연장되며, 상기 제4고정판(3811b2)의 양쪽 외측의 각 단부에는 상방으로 연장형성되는 하방돌출부(DT)가 형성된다. 여기서 상기 상방돌출부(UT)는 적어도 일부가 상기 제1고정판(3811a1)과 대향하도록 위치되어, 상기 상방돌출부(UT) 및 상기 제1고정판(3811a1)은 상호 간에 탄성수단(E5)으로 결속되어 탄성복원력이 부여된다. 상기 하방돌출부(DT)는 적어도 일부가 상기 제4고정판(3811b2)과 대향하도록 위치되어, 상기 하방돌출부(DT) 및 상기 제4고정판(3811b2)은 상호 간에 탄성수단(E6)으로 결속되어 탄성복원력이 부여된다. 한편 상기 완충유닛(3811)은 전체적인 형상이 직육면체 또는 정육면체 등의 형상으로 가정하여 설명하였다. 즉, 상기 상부고정판(3811a), 상기 하부고정판(3811b), 상기 탄성하우징(3811c)은 직육면체 또는 적육면체로 형성되는 것이다. 여기서 상기 탄성하우징(3811c)는 전술한 바와 같이 지그재그 형태로 형성되어 외부의 충격에 대하여 상방과 하방으로 보다 원활한고 안정적인 완충이 가능하게 해주는 것이다. 상기 완충구(3811i) 역시 상기 탄성하우징(3811c)와 함께 외부의 충격에 대응하여 보다 용이한 완충이 가능하게 해준다. 상기 최상단보강판(3811f), 최하단보강판(3811g), 중단 보강체(3811h) 역시 외부의 충격에 대응하여 상기 탄성충진체(3811e) 상에서 상기 완충공간(H1)을 경유한채 상호 상방과 하방 간에 완충되어 접촉한다. 이때 상기 최상단보강판(3811f), 최하단보강판(3811g), 중단 보강체(3811h)은 상기 상면돌기부(T2)와 상기 하면돌기부(T1)를 통해 수평방향으로의 유동을 억제시키는 역할을 하여 추가적으로 충격에 의한 유동을 방지시키게 된다. 즉 도면에 도시되지 않았으나 상기 완충유닛(3811)은 충격이 가해지기 전과 충격이 가해진 후를 비교 했을 때, 충격이 가해진 후의 형상은 상방과 하방간에 일정하게 가압된 형상을 뛰게 되는 것이다.
도 19 내지 도 21은 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다. 이하에서 기술적 특징이 있는 부분을 중심으로 설명한다. 도 19 내지 도 21을 참조하면, 완충모듈(381)은, 바닥부과 접하는 하부유닛과, 상기 하부유닛의 상방에서 상기 몸체부와 접하는 완충유닛(3811)을 포함하며, 상기 완충유닛(3811)은, 상기 몸체부 저면과 마주 접하는 상부고정판(3811a)과, 상기 하부유닛과 마주접하는 하부고정판(3811b)과, 상기 상부고정판(3811a)과 상기 하부고정판(3811b) 사이에 구비되는 탄성하우징(3811c, 3811d)을 포함하며, 상기 탄성하우징(3811c, 3811d)은 외측면부가 지그재그 형태로 형성된다. 상기 탄성하우징(3811c, 3811d)은 내부에 탄성충진제(3811e)가 충진되되, 상기 탄성충진제(3811e)는 상기 탄성하우징(3811c, 3811d)의 형상에 대응하도록 충진되며, 상기 탄성 충진제는 종방향을 따라 복수의 완충공간(H1)이 형성되며, 상기 각 완충공간(H1)들 사이에는 내부 보강판이 각각 구비되며, 상기 완충공간(H1)은 상기 내부 보강판의 너비 이상의 너비를 가지도록 형성되되, 상기 내부 보강판들 중 상기 상부고정판(3811a)과 마주하는 최상단 보강판은 하부면에 소정형상의 하면돌기부(T1)가 형성되며, 상기 내부 보강판들 중 상기 하부고정판(3811b)과 마주하는 최하단 보강판은 상부면에 소정형상의 상면돌기부(T2)가 형성되며, 상기 최상단 보강판과 상기 최하단 보강판 사이에 위치되는 중단 보강체(3811h)들은 각각 상부면과 하부면에 돌기부(T3)가 형성된다. 상기 상부고정판(3811a) 상에는 상기 상부고정판(3811a)과 상기 몸체부 상호간에 발생되는 제1 가압힘을 측정하기 위한 제1 가압힘 측정센서(S1)가 상호 이격되어 복수로 구비되며, 상기 하부고정판(3811b) 상에는 상기 하부고정판(3811b)과 상기 하부유닛 상호간에 발생되는 제2 가압힘을 측정하기 위한 제2 가압힘 측정센서(S2)가 상호 이격되어 복수로 구비된다. 상기 완충공간(H1)들 사이에 위치되는 상기 탄성충진제(3811e) 상에는 제2 완충공간(H3)이 각각 형성되며, 상기 상부고정판(3811a)과 상기 하부고정판(3811b) 사이에는 소정 형상의 지지유닛(3191)이 구비된다. 상기 각 중단 보강체(3811h)은 상기 제2 완충공간(H3) 상에 위치된 채, 상기 지지유닛(3191) 상에 결속되어 회전 가능하도록 구비되며, 상기 지지유닛(3191) 상에는 구동수단(3190)이 복수로 구비된다. 상기 각 중단 보강체(3811h)은 상기 구동수단(3190)에 연동되어 동작된다. 상기 각 중단 보강체(3811h)은, 상기 구동수단(3190)을 통하여 상기 제2 완충공간(H3) 상에서 길이방향 상의 일측과 타측으로 유동 가능하도록 구비된다. 상기 완충유닛(3811)의 동작을 제어하기 위한 제어부를 더 포함하며, 상기 제어부는 측정된 상기 제1 가압힘과 상기 제2 가압힘에 기반하여, 상기 중단 보강체(3811h)의 동작을 제어하되, 상기 제1 가압힘과 상기 제2 가압힘이 기 설정값을 초과하는 경우, 상기 각 중단 보강체(3811h)을 고속으로 회전시키고, 기 설정값 미만인 경우, 상기 중단 보강체(3811h)을 저속으로 회전시킨다. 상기 구동수단(3190)은 상기 지지유닛(3191) 상에서 일정 범위로 승하강이 가능하도록 구비되며, 상기 제어부는, 상기 구동수단(3190)을 통해 상기 중단 보강체(3811h)의 높이를 조정하되, 상기 제1 가압힘이 기 설정값을 초과하는 경우, 상기 구동수단(3190)들 중 상방 일부의 구동수단(3190)을 상방으로 유동되도록 하고, 상기 제2 가압힘이 기 설정값을 초과하는 경우, 상기 구동수단(3190)들 중 하방 일부의 구동수단(3190)을 하방으로 유동되도록 한다.
보다 구체적으로 상기 구동수단(3190)은 상기 지지유닛(3191) 상에 장착되어 토오크를 발생시키되 상기 지지유닛(3191) 상에서 승하강 가능한 구동부(3191)와, 상기 구동부(3191) 상기 중단 보강체(3811h) 상호간을 연동시키는 실린더(3193)와 피스톤(3194)을 포함한다. 여기서, 상기 중단 보강체(3811h)은 상기 구동부(3191)의 유동 또는 상기 실린더(3193)와 상기 피스톤(3194)의 유동에 기반하여 상하 좌우 등으로 유동이 가능한 것이다. 상기 중단 보강체(3811h)는, 높이방향 상에서 홀수열에 구비되는 홀수열 중단 보강체(3811h)와, 짝수열에 구비되는 짝수열 중단 보강체(3811h)를 포함하며, 높이방향 가상의 중심축을 기준으로, 상기 홀수열 중단 보강체(3811h)는 상기 중심축 상에 위치되며, 상기 짝수열 중단 보강체(3811h)는 상기 중심축의 전후에 각각 구비된다.
도 22는 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다. 이하에서 기술적 특징이 있는 부분을 중심으로 설명하기로 한다. 도 22를 참조하면, 상기 상부 고정판(3811a) 및 상기 하부 고정판(3811b) 사이에서 상기 상부 고정판(3811a)과 상기 하부 고정판(3811b) 상호간에 탄성력복원력을 발생시키기 위한 탄성모듈(200)과, 상기 상부 고정판(3811a) 및 상기 하부 고정판(3811b)의 각 단부를 클램핑하는 클램핑모듈(300)을 더 포함한다. 상기 도 3은 상기 탄성모듈(200)에 기반하여 상기 상부 고정판(3811a) 및 상기 하부 고정판(3811b)을 상호간에 가압되도록 클램핑시킨다. 상기 탄성모듈(200)은, 상기 상부 고정판(3811a)과 마주 접하는 제1지지구(3201)와, 상기 하부 고정판(3811b)과 마주 접하는 제2지지구(3202)와, 상기 제1지지구(3201)와 상기 제2지지구(3202) 상호간에 결속되는 탄성부재를 포함한다. 상기 제1지지구(3201)와 마주 접하는 상기 상부 고정판(3811a)의 제1영역 상에는 제1탄성력 감지센서(S3)가 구비되며, 상기 제2지지구(3202)와 마주 접하는 상기 하부 고정판(3811b)의 제2영역 상에는 제2탄성력 감지센서(S4)가 구비된다. 상기 제어부는 상기 제1탄성력 감지센서(S3) 및 상기 제2탄성력 감지센서(S4)에 기반하여 상기 도 3의 클램핑 동작을 제어한다. 상기 도 3은, 소정의 중앙본체(3301)와, 상기 중앙본체(3301) 일방으로부터 승하강 가능하도록 구비되는 제1유동체(3302)와, 상기 중앙본체(3301) 타방으로부터 승하강 가능하도록 구비되는 제2유동체(3303)를 포함한다. 상기 제1지지구(3201)는 상기 제1유동체(3302) 상에 결속되어 독립적으로 승하강 가능하도록 구비되며, 상기 제2지지구(3202)는 상기 제2유동체(3303) 상에 결속되어 독립적으로 승하강 가능하도록 구비되며, 상기 제1유동체(3302) 상에는 상기 상부 고정판(3811a)을 사이에 두고 상기 제1지지구(3201)와 대향하는 제3지지구(3304)가 구비된다. 상기 제2유동체(3303) 상에는 상기 하부 고정판(3811b)을 사이에 두고 상기 제2지지구(3202)와 대향하는 제4지지구(3305)가 구비된다. 상기 제3지지구(3304)는 상기 제1유동체(3302)의 길이방향으로부터 수직하여 외측으로 출몰 가능하도록 구비되며, 상기 제4지지구(3305)는 상기 제2유동체(3303)의 길이방향으로부터 수직하여 외측으로 출몰 가능하도록 구비된다. 제어부는 상기 도 3 및 상기 탄성모듈의 일련의 동작을 순차적 또는 비순차적으로 제어한다. 상기 도 3과 상기 탄성모듈 상호 간에 유기적인 동작 방식에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 23a은 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다. 도 23a을 참조하면, 상부 고정판(3811a)과 하부 고정판(3811b) 사이에 제1 완충부재(3401)가 구비되며, 상기 제1 완충부재(3401)는 상기 탄성하우징(3811c)과 이웃하여 형합되도록 구비되는데, 외부의 충격에 의하여 파쇄되는 경질 유리 재질을 포함한다. 상기 제1 완충부재(3401)는 복수의 열로 구비되며 복수의 열로 구비된 상기 제1 완충부재(3401)들 사이에는 경질 유리 재질인 제2 완충부재(3402)가 구비되며, 상기 제2 완충부재(3402)는 상기 제1 완충부재(3401)는 상이한 강도를 가진다. 상기 제1 완충부재(3401) 및 상기 제2 완충부재(3402)는 각각 경질 유리 재질인 제3 완충부재(34011, 34021)가 내장되며, 상기 제3 완충부재(3401)는 상기 제1 완충부재(3401) 및 상기 제2 완충부재(3402)와 상이한 강도를 가진다. 상기 탄성모듈(200)과 상기 탄성하우징(3811c) 사이에는 소정의 구획판(308)이 구비되며, 상기 구획판(308)과 상기 탄성하우징(3811c) 사이에는 제4 완충부재(3403) 및 제5 완충부재(3404)가 구비된다. 상기 제4 완충부재(3403)는 상기 탄성하우징(3811c)과 형합되도록 구비되며, 상기 제5 완충부재(3404)는 상기 구획판(308)과 상기 제4 완충부재(3403) 사이에 구비된다.
도 23b는 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다. 도 23b를 참조하면 상기 상부 고정판(3811a)은, 상기 제1 가압힘 측정센서(S1)가 상호 이격되어 복수로 구비되는 제1 상부 고정판(381ac)과, 상기 제1 상부 고정판(381ac)의 상부에 위치되어 상기 몸체부(B) 저면과 마주접하는 제2 상부 고정판(381ab)을 포함한다. 상기 제1 상부 고정판(381ac) 상에는 소정의 제1 가이드부(392)가 구비되며, 상기 제1 가압힘 측정센서(S1)는 상기 제1 가이드부(392) 상에서 좌측, 우측, 상측, 하측으로 각각 유동되도록 구비된다.
상기 제2 상부 고정판(381ab) 상에는 상기 몸체부(B) 저면을 흡착하는 흡착부(391)가 구비된다. 상기 제2 상부 고정판(381ab) 상에는 소정의 제2 가이드부(393)가 구비되며, 상기 흡착부(391)는 상기 제2 가이드부(393) 상에서 좌측, 우측, 상측 및 하측으로 각각 유동되도록 구비된다. 상기 흡착부(391)는 상기 제1 가압힘 측정센서(S1)와 마주하여 접촉 가능하도록 구비된다.
상기 흡착부(391)는, 흡착몸체부(B)(3911)와 상기 흡착몸체부(B)의 상방에 플랜d지부(3922)를 포함하되, 상기 제1 가압힘 측정센서(S1)와 대응하도록 복수 구비되어, 상기 플랜지부(3922)를 통해 상기 몸체부(B)와 접하며, 상기 제어부는 상기 제1 가압힘 측정센서(S1)와 상기 흡착부(391)를 상호 대응하도록 유동시키되, 상기 제1 가압힘 측정센서(S1)는 상기 흡착부(391)를 통해 상기 제1 가압힘을 측정한다. 이러한 구성적 특징은 상기 하부 고정판(3811b)에 대해서도 적용이 가능하다.
한편,도 13 내지 도14를 참조하여 전술한 구성들에 추가설명하면, 상기 하부유닛(3812)과 상기 몸체부(B)의 저면부 사이의 이격거리를 조절하기 위한 리프팅수단(LU)이 구비되며, 상기 완충유닛(3811)은 상기 하부유닛(3812) 상에서 일정 범위 내로 유동 가능하도록 복수 구비된다. 상기 완충유닛(3811)은, 상기 하부유닛(3812)의 각 모서리부 상에 위치되는 제1모드와, 상기 각 모서리부로부터 상기 하부유닛(3812)의 가상의 중심점을 향하여 동시적 또는 비동시적으로 유동되는 제2모드로 동작하도록 구비된다.
상기 제어부는 상기 리프팅수단(LU)을 통하여 상기 하부유닛(3812)과 상기 몸체부(B)의 저면부 사이를 일정하게 이격시킨 상태에서 상기 완충유닛(3811)을 상기 제1모드 또는 상기 제2모드로 동작시킨다. 상기 리프팅수단(LU)은 상기 제1모드를 기준으로 상기 완충유닛(3811) 사이에 구비되는 제1리프팅수단(LU1)과, 상기 제1모드 상태에서 상기 완충유닛(3811)의 저면에 구비되며 상기 제2모드 상태에서 상방으로 돌출되어 리프팅을 수행하는 제2리프팅수단(LU2)과, 상기 제1모드를 기준으로 상기 완충유닛(3811) 사이에 상기 제1리프팅수단(LU1)보다 작은 직경으로 구비되는제3리프팅수단(LU3)을 포함한다.
상기 제어부는 1차적으로 상기 제1리프팅수단(LU1)과 상기 제3리프팅수단(LU3)을 1차적으로 구동시키며, 2차적으로 상기 완충유닛(3811)을 제1모드로 동작시키며, 3차적으로 상기 제2리프팅 수단을 구동시킨다.
<반도체 설비 관리 단계(S120)>
이하, 도 24 내지 도 25를 참고하여 상기 반도체 설비 관리 단계에 대해 설명하도록 한다. 반도체 설비를 관리하는 단계는, 호스트와 반도체 설비 간에 온라인 통신이 복구되었는가의 여부를 판단하여 상기 온라인 통신이 복구되었으면 상기 반도체 설비로부터 비상상태 데이터를 수신하는 단계와; 상기 비상상태 데이터를 써치하여 상기 반도체 설비가 경고상태인가의 여부를 판단하는 단계와; 상기 반도체 설비가 경고상태이면, 상기 경고상태가 위험상태인가의 여부를 판단하는 단계와; 상기 경고상태가 위험상태이면, 상기 반도체 설비의 변수 아이디 키 값을 변경하고 상기 변수 아이디를 반도체 설비 제어 메시지에 실은 후 상기 반도체 설비 제어 메시지를 상기 반도체 설비로 다운로드하여 상기 반도체 설비를 오프시키는 단계와; 상기 경고상태가 위험상태가 아니면, 소정의 로트 투입 신호가 입력되었는가의 여부를 판단한 후 상기 로트 투입 신호가 입력되었으면, 경고 메시지를 O/I PC로 다운로드하는 단계를 포함한다. 바람직하게, 상기 반도체 설비 제어 메시지는 스트림 펑션 메시지인 것을 특징으로 한다. 바람직하게, 상기 반도체 설비 제어 메시지는 S2F21 또는 S2F41인 것을 특징으로 한다. 바람직하게, 상기 변수 아이디는 ECID인 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 본 발명에서는 온라인 통신 복구시점 이후의 반도체 설비 비상상태가 정확히 관리된다. 좀더 상세히 설명하면 도 24에 도시된 바와 같이, 호스트(401)에는 온라인 통신 복구시점 이후, 반도체 설비(403)로부터 업로드되는 비상상태 데이터를 감시하는 비상상태 감시모듈(4020)이 구비된다. 이에 따라, 온라인 통신 복구시점 이후, 반도체 설비(403)의 비상상태는 비상상태 감시모듈(4020)에 의해 실시간으로 파악된다. 여기서, 작업자는 비상상태 감시모듈(4020)을 설치할 때에 이에 대응되는 반도체 설비(403)에도 보고 기능을 부여함으로써, 반도체 설비(403)의 비상상태가 비상상태 감시모듈(4020)로 실시간으로 보고될 수 있도록 한다. 이러한 비상상태 파악 후, 비상상태 감시모듈(4020)은 반도체 설비(403)의 비상상태를 작업자에게 신속히 전달하거나, 아예 반도체 설비(403) 전체를 오프시킴으로써, 비상상태의 반도체 설비(403)로 로트(4010)가 투입되지 못하도록 한다. 도 25를 참조하여 이를 구체적으로 설명하면, 먼저, 비상상태 감시모듈(4020)은 호스트(401)와 반도체 설비(403) 사이의 온라인 통신이 복구되었는가의 여부를 판단한다(S411). 이때, 호스트(401)와 반도체 설비(403) 사이의 온라인 통신이 복구되지 않았으면, 비상상태 감시모듈(4020)은 플로우를 종료한다. 반면에, 호스트(401)와 반도체 설비(403) 사이의 온라인 통신이 복구되었으면, 비상상태 감시모듈(4020)은 반도체 설비서버를 통해 반도체 설비(403)로부터 업로드되는 비상상태 데이터를 실시간으로 수신한다(S412). 이에 따라, 온라인 통신 복구시점 이후의 반도체 설비(403)의 비상상태는 비상상태 감시모듈(4020)에 의해 신속히 파악된다. 이어서, 비상상태 감시모듈(4020)은 비상상태 데이터를 써치하여 반도체 설비(403)의 상태가 경고상태인가의 여부를 판단한다(S420). 이때, 반도체 설비(403)의 상태가 경고상태가 아니고, 정상적인 런상태로 판정되면, 비상상태 감시모듈(4020)은 플로우를 상술한 단계 S11로 진행하여 비상상태 데이터 수신을 지속적으로 수행한다. 반면에, 반도체 설비(403)의 상태가 경고상태면, 비상상태 감시모듈(4020)은 이러한 경고상태가 위험상태인가의 여부를 다시 판단하여 반도체 설비(403)의 불안정 정도를 파악한다(S430). 이때, 반도체 설비(403)의 경고상태가 위험상태여서, 반도체 설비(403)가 매우 불안정한 상태에 있는 것으로 판정되면, 비상상태 감시모듈(4020)은 이러한 결과를 호스트(401)로 전달하고, 호스트(401)는 그 즉시 이에 해당하는 반도체 설비(403)의 변수 아이디 키 값을 오프 상태로 변경함으로써, 반도체 설비(403)에 의한 공정진행을 완전히 차단한다(S441). 여기서, 바람직하게, 호스트(401)가 변경하는 변수 아이디는 반도체 설비(403)의 상태를 일괄적으로 변경시킬 수 있는 ECID(Equipment Constant ID)이다. 계속해서, 비상상태 감시모듈(4020)은 상술한 과정을 통해 키 값이 변경된 변수 아이디를 호스트(401)로부터 전달받아 이를 반도체 설비 제어 메시지에 실은 후 반도체 설비서버를 통해 반도체 설비(403)로 다운로드한다(S442). 이에 따라, 반도체 설비(403)는 즉시 오프된다. 본 발명의 경우, 호스트(401)는 비상상태 감시모듈(4020)을 통해 온라인 통신 복구시점 이후의 반도체 설비(403)의 비상상태를 정확히 파악한 후, 만약, 반도체 설비(403)의 상태가 경고상태, 특히, 위험상태인 경우, 반도체 설비(403)를 아예 오프시켜 반도체 설비(403)에 의한 공정진행을 완전히 차단시킴으로써, 공정사고를 미연에 방지한다. 이때, 본 발명의 특징에 따르면, 비상상태 감시모듈(4020)로부터 반도체 설비(403)로 다운로드되는 반도체 설비 제어 메시지는 통신전달이 원할한 스트림 펑션 메시지(Stream function message)이다. 여기서, 바람직하게, 반도체 설비 제어 메시지의 스트림 펑션 형태는 표준화 규격에 적절한 S2F21 또는 S2F41이다. 일례로, 비상상태 감시모듈(4020)이 상술한 과정을 통해 반도체 설비(403)의 비상상태를 파악한 후, 반도체 설비(403)의 상태를 아예 오프시키고자 하면, 비상상태 감시모듈(4020)은 호스트(401)를 통해 그 키 값이 '오프' 상태로 변경된 ECID를 전달 받은 후 이를 스트림 펑션 메시지 S2F21 또는 S2F41에 실어 반도체 설비(403)로 다운로드함으로써, 반도체 설비(403)의 상태를 변경된 ECID의 키 값에 맞추어 '오프'상태로 신속히 변경시킨다. 이에 따라, 예측하지 못한 공정사고는 미연에 방지된다. 한편, 반도체 설비(403)의 경고상태가 위험상태가 아니어서, 반도체 설비(403)가 약간 불안정한 상태에 있는 것으로 판정되면, 비상상태 감시모듈(4020)은 O/I PC(402)로 로트 투입 신호가 입력되었는가의 여부를 다시 판단한다(S451). 이때, O/I PC(402)로 로트 투입 신호가 입력되지 않았으면, 비상상태 감시모듈(4020)은 아직 작업자에 의한 공정 진행이 이루어지지 않는 것으로 판정하고, 플로우를 종료한다. 반면에, O/I PC(402)로 로트 투입 신호가 입력되었으면, 비상상태 감시모듈(4020)은 작업자에 의해 비상상태의 반도체 설비(403)로 로트(4010)가 투입되는 것으로 판정하고, 텍스트를 실은 경고 메시지를 O/I PC(402)로 다운로드함으로써, 작업자가 반도체 설비(403)의 비상상태를 시각적으로 확인할 수 있도록 한다(S452). 일례로 비상상태 감시모듈(4020)은 반도체 설비(403)의 비상상태를 텍스트 데이터로 처리한 후, 예컨대, '현재 반도체 설비는 경고상태입니다. 트랙 인 과정을 중지시켜 주십시오.' 등의 텍스트 데이터를 실은 경고 메시지를 O/I PC(402)로 다운로드함으로써, 작업자가 반도체 설비(403)의 비상상태를 파악하여 이에 부합되는 추후 작업을 신속히 수행할 수 있도록 한다. 이에 따라, 작업자의 실수에 의해 비상상태의 반도체 설비(403)로 로트(4010)가 로딩되는 문제점은 미연에 방지된다. 호스트(401)는 비상상태 감시모듈(4020)을 통해 반도체 설비(403)의 비상상태를 정확히 파악한 후, O/I PC(402)로 로트(4010) 투입신호가 입력되면, 상술한 경고 메시지를 디스플레이시켜 작업자의 주의를 환기시킴으로써, 예측하지 못한 공정사고를 미연에 방지할 수 있다. 더욱이, 본 발명의 경우, 호스트(401)는 비상상태 감시모듈(4020)을 통해 온라인 통신 복구시점 이후의 반도체 설비 비상상태가 작업자의 확인 작업 없이도 자동으로 관리되도록 함으로써, 작업자의 업무부담을 현저히 저감시킬 수 있다. 이러한 경고 메시지의 형태는 O/I PC(402)의 사양에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 이후, 비상상태 감시모듈(4020)은 상술한 각 단계를 지속적으로 반복함으로써, 반도체 설비(403)의 비상상태 상황을 효율적으로 관리한다. 이와 같이, 본 발명에서는 비상상태 감시모듈을 통해 온라인 통신 복구시점 이후, 반도체 설비의 비상상태가 자동으로 관리되도록 함으로써, 예측하지 못한 공정사고를 미연에 방지할 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Referring to FIG. 1, a method of managing a semiconductor facility includes a semiconductor facility operation stage and a semiconductor facility management stage.
≪ Semiconductor facility operation step S110 >
Hereinafter, the operation step (S110) of the
1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention. One embodiment is a semiconductor chip manufacturing method for manufacturing a semiconductor chip by cutting a patterned wafer of a plurality of unit semiconductor chips on a first surface, the method comprising: mounting a wafer in the bottom jig such that a first side of the wafer is positioned on the top side Step S111; A resin discharging step (S112) of discharging resin to at least a part of the first surface; (S113) applying the resin on the first surface of the wafer by pressing the resin on top of the first surface using a topping paper; A curing step (S114) of curing the resin coated on the first side; Grinding (S115) grounding a second surface opposite to the first surface of the wafer to expose the resin; And a dividing step (S116) of dividing the unit semiconductor chip. (CVD), physical vapor deposition (PVD), atomic layer deposition (ALD), and atomic layer deposition (ALD) are performed on the first surface of the wafer in the process of manufacturing a semiconductor chip using the wafer. ), Spin coating, etc., and a plurality of films are deposited by lithography or the like according to a circuit design. A plurality of semiconductor chips spaced apart from each other by a predetermined distance are patterned on the first surface of the wafer and cut by a process such as grounding / dicing to be divided into separate unit semiconductor chips. One embodiment of the present invention relates to a semiconductor chip manufacturing method for dividing a plurality of semiconductor chips provided on a first side of a patterned wafer into unit semiconductor chips. According to an embodiment of the present invention, And can be manufactured with high quality.
2A is a perspective view of a wafer having a first surface patterned, and FIG. 2B is a cross-sectional view along AA of FIG. 2A. FIG. 3A is a perspective view of a top jig and a bottom jig according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a perspective view and an exploded perspective view of a bottom jig according to another embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view schematically showing a wafer mounted in the bottom jig.
2A to FIG. 4, in the wafer mounting step S111, the first surface is patterned to form a
The bottom jig 110 'is complementarily formed with a portion where the
FIG. 5A is a view schematically showing a step of providing a resin on a wafer, and FIG. 5B is a view showing a region of a wafer. 5A and 5B, in the resin discharging step S112, the resin R is discharged through a spray nozzle provided in the
In another embodiment of the present invention, the resin (R) provided on the wafer measures the pressure applied to the resin (R) by the top jig (120) in the process of being entirely applied to the first side of the wafer can do. As the size (area) of the wafer increases, the pressure applied through the
6 and 7 are views schematically showing a side cutting step. Referring to FIGS. 6 and 7 together with FIG. 1, a side cutting step of removing the hardened resin R by overflowing the notched portion and the flat portion of the
8 is a view schematically showing the grinding step. Referring to FIG. 8 together with FIG. 1, the grinding step S115 is performed by grinding the
Meanwhile, the step (S110) of operating the
10 to 12, a
Air conditioning system
29 to 32, the air conditioning system includes a plurality of cooling / heating units connected to communicate at least one indoor unit and one outdoor unit for controlling the same, and at least one ventilation unit and one And a central processing unit for controlling an interlocking operation between the cooling / heating unit and the ventilation system is connected to the cooling / heating unit and the ventilation system so that the central processing unit can communicate with the cooling / heating unit and the ventilation system. Here, it is preferable that the outdoor unit and the indoor unit of the cooling / heating unit, or the control means of the ventilation system and the ventilator are connected through a wired or wireless communication line. The central processing unit, the cooling / heating unit, or the central processing unit and the ventilation system are preferably connected through a network communication line so that data transmission / reception by a network protocol is performed. The central processing unit is connected to the cooling / heating unit or the ventilation system through an Ethernet to control the operation of the cooling / heating unit or the ventilation system. The cooling / heating unit or the ventilation system controls the operation of the Ethernet And an Ethernet gateway for accessing the advanced central controller through the Ethernet gateway. The central processing unit is composed of a cooling / heating unit or a simple central controller connected to the ventilation system through a network communication line to control operation of the air conditioning or ventilation system. The central processing unit may further include an integrated power system for controlling the power of each indoor unit or the ventilator by sensing the power consumption of the cooling / heating unit or the ventilation system. The outdoor unit of the cooling / heating unit transmits information on outdoor information and indoor unit connected thereto to the central processing unit, receives operation control signals of the indoor units output from the central processing unit, and controls operation of the indoor unit The control means of the ventilation system transmits the information of the ventilator connected to the ventilator to the central processing unit, receives the operation control signal of each ventilator output from the central processing unit, Respectively. In order to achieve the above object, the present invention provides a control method of an air conditioning system comprising an air conditioning system in which at least one indoor unit is connected to one outdoor unit, and a ventilation system in which at least one ventilation unit is connected to one controller, Setting an interlocking operation condition of an indoor unit and a ventilation unit for each zone through a mutual data communication with the outdoor unit and the controller in a central processing unit connected to the device and the ventilation system and the communication line; And controlling the indoor unit and the ventilation unit to operate in an interlocking manner according to the set operation conditions. The present invention also provides a control method for an air conditioning system including an air conditioning system in which at least one indoor unit is connected to one outdoor unit and a ventilation system in which at least one ventilation unit is connected to one controller, Setting an interlocking operation condition of an indoor unit and a ventilator in each zone through a network communication with the outdoor unit and the controller in a central processing unit connected to a communication network; And controlling the indoor unit and the ventilation unit to operate in an interlocked manner according to the set operation conditions. Therefore, according to the present invention, it is possible to implement an air conditioning system including a plurality of cooling and heating units and a plurality of ventilation systems, and to control the interlocking operation between the air conditioning unit and the ventilation system through the central processing unit. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 29 and 30 show the construction of the air conditioning system. In the air conditioning system, a plurality of cooling and
In the case of the multi-type and multi-compressor type, the cooling /
The
HVAC control system
As shown in FIGS. 26 to 28, the cold rolling avalanche air conditioning control system is a control system that performs monitoring and control functions for a plurality of heating and cooling
More specifically, the cooling / heating air conditioning control system includes a
Among the parameters of the BACnet LCO shown in FIG. 27, there are the 'Requested Shed Level', the 'Start Time', and the 'Shed Duration' for controlling the state of the load. 'Requested Shed Level' means the power usage level of the desired load, which can be used to control the power energy usage of the load. 'Start Time' and 'Shed Duration' mean the start time and control duration for load control, respectively, through which the operation time of the load can be controlled. For example, the load of the load control object (LCO) can be controlled from a predetermined value (Requested Shed Level) at any time from (Start Time) to (Shed Duration). In this case, it is more preferable that the
28, the
Referring to Figs. 13 to 14, as another embodiment of the wafer polishing apparatus according to Fig. 10, a buffer module for buffering the bottom portion with the body portion B of the
Buffer module
FIG. 15 is a view schematically showing a part of the configurations according to FIG. Referring to FIG. 15, the
FIG. 16 is a view schematically showing another embodiment of the buffer module among the configurations according to FIG. 16, the
Fig. 17 is a view showing another embodiment of the uppermost stiffener, the plurality of stopped stiffeners, and the lowermost stiffener of the structures according to Fig. 13. Fig. 17, the
FIG. 18 is a view showing another embodiment of the
19 to 21 are views showing still another embodiment of the shock absorber unit among the structures according to FIG. Hereinafter, the description will be focused on the technical features. 19 to 21, the
More specifically, the
FIG. 22 is a view showing another embodiment of the shock absorber unit among the structures according to FIG. Hereinafter, the description will be focused on the technical features. 22, an elastic module 200 for generating an elastic force restricting force between the
FIG. 23A is a view showing another embodiment of the shock absorber among the configurations according to FIG. 23A, a
FIG. 23B is a view showing another embodiment of the shock absorber among the structures according to FIG. Referring to FIG. 23B, the
And a
The
13 to 14, a lifting unit (LU) for adjusting a separation distance between the
The control unit controls the
The control unit primarily drives the first lifting unit LU1 and the third lifting unit LU3 and secondarily operates the
≪ Semiconductor facility management step (S120) >
Hereinafter, the semiconductor facility management step will be described with reference to FIGS. The step of managing the semiconductor facility includes the steps of: determining whether online communication between the host and the semiconductor facility has been restored; receiving emergency state data from the semiconductor facility if the online communication is restored; Determining whether the semiconductor facility is in a warning state by searching the emergency state data; Determining whether the warning condition is in a dangerous state if the semiconductor facility is in a warning state; Changing the variable ID key value of the semiconductor facility, loading the variable ID into the semiconductor facility control message, downloading the semiconductor facility control message to the semiconductor facility and turning off the semiconductor facility if the warning condition is in a dangerous state ; If the warning state is not a dangerous state, it is determined whether or not a predetermined lot input signal has been input, and if the lot input signal is input, a warning message is downloaded to the O / I PC. Preferably, the semiconductor facility control message is a stream function message. Preferably, the semiconductor facility control message is S2F21 or S2F41. Preferably, the variable ID is an ECID. Accordingly, in the present invention, the emergency state of the semiconductor equipment after the online communication recovery time is accurately managed. More specifically, as shown in FIG. 24, the
While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.
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100 : 웨이퍼 연마장치 110 : 연마부
111 : 연마제 120 : 세정부
121 : 세척수 분사노즐 122 : 에어 분사노즐
130 : 확대표시부 131 : 이미지 센서
132 : 제어장치 133 : 디스플레이 장치
140 : 시편홀딩부 150 : 이송유닛
160 : 왕복이동유닛100: wafer polishing apparatus 110: polishing unit
111: abrasive agent 120:
121: wash water spray nozzle 122: air spray nozzle
130: magnification display section 131: image sensor
132: Control device 133: Display device
140: specimen holding unit 150: transfer unit
160: reciprocating unit
Claims (16)
상기 웨이퍼의 제1 면이 상부에 위치하도록 상기 웨이퍼를 바텀지그 내에 구비시키는 웨이퍼장착단계와, 상기 제1 면의 적어도 일부에 레진을 토출시켜 구비시키는 레진토출단계와, 상기 제1 면의 상부에서 상기 레진을 탑지그를 이용하여 가압하여 상기 웨이퍼의 제1 면에 도포시키는 도포단계와, 상기 제1 면에 도포된 레진을 경화시키는 경화단계와, 상기 레진이 노출되도록 상기 웨이퍼의 제1 면의 반대면인 제2 면을 연삭하는 연삭단계와, 상기 단위 반도체칩을 분할하는 분할단계를 포함하는 반도체 제조공정을 수행하는 반도체 설비를 운용하기 위한 제1 반도체 설비 운용 단계; 및 관리시스템을 통해 상기 반도체 설비를 관리하는 단계를 포함하며,
상기 공조 시스템은,
적어도 하나 이상의 실내기와 이를 제어하기 위한 하나의 실외기가 통신 가능하도록 연결된 냉난방 장치를 복수 개 구성하고, 적어도 하나 이상의 환기장치와 이를 제어하기 위한 하나의 제어수단이 통신 가능하도록 연결된 환기 시스템을 복수 개 구성하고, 상기 냉난방 장치와 환기 시스템간의 연동 운전을 제어하기 위한 중앙 제어장치를 상기 냉난방 장치 및 환기 시스템과 통신 가능하도록 연결 구성되며,
상기 제1 반도체 설비 운용 단계는,
웨이퍼 연마 장치를 이용하여 분할된 상기 웨이퍼를 연마 가공하는 웨이퍼 연마 가공 단계를 더 포함하며,
상기 웨이퍼 연마 장치는 소정의 몸체부를 포함하며,
상기 몸체부는 저면부 상에 바닥부와의 완충을 위한 완충모듈이 구비되며,
상기 완충모듈은,
상기 바닥부와 접하는 하부유닛과, 상기 하부유닛의 상방에서 상기 몸체부와 접하는 완충유닛을 포함하며, 상기 완충유닛은, 상기 몸체부 저면과 마주 접하는 상부고정판과, 상기 하부유닛과 마주접하는 하부고정판과, 상기 상부고정판과 상기 하부고정판 사이에 구비되는 탄성하우징을 포함하며,
상기 탄성하우징은 외측면부가 지그재그 형태로 형성되며, 상기 탄성하우징은 내부에 탄성충진재가 충진되되, 상기 탄성충진재는 상기 탄성하우징의 형상에 대응하도록 충진되며, 상기 탄성 충진재는 종방향을 따라 복수의 완충공간이 형성되며, 상기 각 완충공간들 사이에는 내부 보강판이 각각 구비되며, 상기 완충공간은 상기 내부 보강판의 너비 이상의 너비를 가지도록 형성되되, 상기 내부 보강판들 중 상기 상부고정판과 마주하는 최상단 보강판은 하부면에 소정형상의 하면돌기부가 형성되며, 상기 내부 보강판들 중 상기 하부고정판과 마주하는 최하단 보강판은 상부면에 소정형상의 상면돌기부가 형성되며, 상기 최상단 보강판과 상기 최하단 보강판 사이에 위치되는 중단 보강체들은 각각 상부면과 하부면에 상면돌기부와 하면돌기부가 형성되며,
상기 상부고정판 상에는 상기 상부고정판과 상기 하부유닛 상호간에 발생되는 제1 가압힘을 측정하기 위한 제1 가압힘 측정센서가 상호 이격되어 복수로 구비되며, 상기 하부고정판 상에는 상기 하부고정판과 상기 하부유닛 상호간에 발생되는 제2 가압힘을 측정하기 위한 제2 가압힘 측정센서가 상호 이격되어 복수로 구비되는 공조 시스템을 이용한 반도체 설비의 관리방법.There is provided a method of managing a semiconductor facility for manufacturing a semiconductor chip by cutting a wafer in which a plurality of unit semiconductor chips are patterned on a first surface in a workplace in which an air conditioning system is operated,
Comprising: a wafer mounting step of mounting the wafer in a bottom jig so that a first surface of the wafer is positioned at an upper portion; a resin discharging step of discharging resin at least a part of the first surface; A curing step of curing the resin coated on the first side, and a curing step of curing the resin coated on the first side of the wafer so that the resin is exposed to the opposite side of the first side of the wafer A first semiconductor facility operation step for operating a semiconductor facility for performing a semiconductor manufacturing process including grinding a second surface of the unit semiconductor chip and dividing the unit semiconductor chip; And managing the semiconductor facility through a management system,
The air-
A plurality of cooling and heating units connected to each other so that at least one indoor unit and one outdoor unit for controlling the indoor unit can communicate with each other, and at least one ventilation unit and a plurality of ventilation systems connected to each other so that one control unit And a central control device for controlling an interlocking operation between the cooling / heating device and the ventilation system is connected to the cooling / heating device and the ventilation system so as to be communicable therewith,
The first semiconductor facility operation step includes:
Further comprising a wafer polishing step of polishing the wafer divided by the wafer polishing apparatus,
The wafer polishing apparatus includes a predetermined body portion,
The body part is provided with a buffer module for buffering the bottom part on the bottom part,
The buffer module includes:
And a shock absorbing unit which is in contact with the body part above the lower unit, wherein the shock absorbing unit comprises: an upper fixed plate which is in contact with the bottom surface of the body part; and a lower fixed plate which is in contact with the lower unit, And an elastic housing provided between the upper fixing plate and the lower fixing plate,
Wherein the elastic housing is formed in a zigzag shape on an outer side thereof, the elastic housing is filled with an elastic filler, the elastic filler is filled to correspond to the shape of the elastic housing, and the elastic filler has a plurality of A buffer space is formed in the buffer space, and an inner reinforcing plate is provided between each of the buffer spaces. The buffer space is formed to have a width greater than the width of the inner reinforcing plate, The uppermost reinforcing plate is formed with a bottom protrusion having a predetermined shape on a lower surface thereof. The lowermost reinforcing plate of the inner reinforcing plates facing the lower fixing plate has a top surface protrusion of a predetermined shape on an upper surface thereof, The interrupted reinforcements positioned between the lowermost reinforcing plates have upper and lower protrusions on the upper and lower surfaces, respectively, And,
A first pressing force measuring sensor for measuring a first pressing force generated between the upper fixing plate and the lower unit is provided on the upper fixing plate so as to be spaced apart from each other and on the lower fixing plate, And a second pressing force measuring sensor for measuring a second pressing force generated in the second pressing force measuring sensor are spaced apart from each other.
상기 웨이퍼장착단계에서,
상기 바텀지그는 상부면이 개구되는 박스형으로 구비되고, 상기 바텀지그는 원통형의 제1 바디부와 상기 제1 바디부와 상보적으로 분리 및 결합이 가능하도록 구비되는 제2 바디부로 이루어지며,
상기 제1 및 제2 바디부는 각각 체결홀이 구비되고, 상기 체결홀은 별도의 체결부재에 의하여 체결되어 상기 제1 및 제2 바디부를 연결시키는 공조 시스템을 이용한 반도체 설비의 관리방법.The method according to claim 1,
In the wafer mounting step,
The bottom jig includes a first body part having a cylindrical shape and a second body part provided to be capable of separating and coupling with the first body part,
Wherein the first and second body portions are each provided with a fastening hole and the fastening hole is fastened by a separate fastening member to connect the first and second body portions.
상기 완충공간들 사이에 위치되는 상기 탄성충진재 상에는 제2 완충공간이 각각 형성되며, 상기 상부고정판과 상기 하부고정판 사이에는 소정 형상의 지지유닛이 구비되며, 상기 각 중단 보강체는 상기 제2 완충공간 상에 위치된 채, 상기 지지유닛 상에 결속되어 회전 가능하도록 구비되며, 상기 지지유닛 상에는 구동수단이 복수로 구비되며, 상기 각 중단 보강체는, 상기 구동수단을 통하여 상기 제2 완충공간 상에서 길이방향 상의 일측과 타측으로 유동 가능하도록 구비되는 공조 시스템을 이용한 반도체 설비의 관리방법.The method of claim 2,
A second buffer space is formed on the elastic filling material located between the buffer spaces, and a supporting unit having a predetermined shape is provided between the upper fixing plate and the lower fixing plate, And a plurality of driving means are provided on the supporting unit, and each of the intermittent reinforcing members is arranged on the support unit in such a manner that a length Wherein the air conditioning system is provided so as to be able to flow to one side and the other side in the direction.
상기 완충유닛의 동작을 제어하기 위한 제어부를 더 포함하며,
상기 제어부는 측정된 상기 제1 가압힘과 상기 제2 가압힘에 기반하여, 상기 중단 보강체의 동작을 제어하되, 상기 제1 가압힘과 상기 제2 가압힘이 기 설정값을 초과하는 경우, 상기 각 중단 보강체를 고속으로 회전시키고, 기 설정값 미만인 경우, 상기 중단 보강체를 저속으로 회전시키며,
상기 구동수단은 상기 지지유닛 상에서 일정 범위로 승하강이 가능하도록 구비되며, 상기 제어부는, 상기 구동수단을 통해 상기 중단 보강체의 높이를 조정하되, 상기 제1 가압힘이 기 설정값을 초과하는 경우, 상기 구동수단들 중 상방 일부의 구동수단을 상방으로 유동되도록 하고, 상기 제2 가압힘이 기 설정값을 초과하는 경우, 상기 구동수단들 중 하방 일부의 구동수단을 하방으로 유동되도록 하는 공조 시스템을 이용한 반도체 설비의 관리방법.The method of claim 3,
And a control unit for controlling the operation of the shock absorber unit,
Wherein the control unit controls the operation of the intermittent reinforcement based on the measured first pressing force and the second pressing force, wherein when the first pressing force and the second pressing force exceed a predetermined value, Rotating the intermittent reinforcement member at a high speed, and rotating the intermittent reinforcement member at a low speed when the intermittent reinforcement member is below a predetermined value,
Wherein the driving unit is provided so as to be able to move up and down within a predetermined range on the support unit, and the control unit adjusts the height of the interrupted reinforcing member through the driving unit, wherein the first pressing force exceeds a predetermined value The control means causes the driving means of the upper portion of the driving means to flow upward and controls the driving means of the lower portion of the driving means to flow downward when the second pressing force exceeds the predetermined value, Method of management of semiconductor equipment using system.
상기 최상단 보강판 및 상기 최하단 보강판 각각은,
외부의 충격에 기반하는 진동이 발생되면 상기 상면돌기부와 상기 하면돌기부가 상기 완충공간를 경유하여 상기 중단 보강체에 접촉되며,
상기 최상단 보강판 및 상기 최하단 보강판의 상기 상면돌기부와 상기 하면돌기부는, 상기 중단 보강체의 돌기부와 상호 대응하는 요철형태로 형성되며,
상기 상부고정판은, 상기 몸체부 저면과 마주 접하는 상방의 제1고정판과, 수평방향 상으로 슬라이딩 가능하도록 상기 제1고정판의 하부에 결속되며, 상기 탄성하우징, 상기 최상단 보강판과 마주 접하는 제2고정판을 포함하는 공조 시스템을 이용한 반도체 설비의 관리방법.The method of claim 4,
Wherein each of the uppermost stiffening plate and the lowermost stiffening plate includes:
When the vibration based on an external impact is generated, the upper surface projection part and the lower surface projection part are in contact with the intermittent reinforcement body via the buffer space,
The upper surface protrusion and the lower surface projection of the uppermost reinforcing plate and the lowermost reinforcing plate are formed in a concavo-convex shape corresponding to the protrusion of the interrupted reinforcing body,
The upper fixing plate includes a first fixing plate which is in contact with the bottom surface of the body portion and a second fixing plate which is coupled to a lower portion of the first fixing plate so as to be slidable in the horizontal direction, The method comprising the steps of:
상기 하부고정판은,
상기 하부유닛과 마주 접하는 하방의 제3고정판과, 수평방향 상으로 슬라이딩 가능하도록 상기 제3고정판의 상부에 결속되며, 상기 탄성하우징, 상기 최하단 보강판과 마주 접하는 제4고정판을 포함하며,
상기 제2고정판은 상기 제1고정판의 면적을 초과하도록 적어도 양쪽 외측으로 연장되며, 상기 제2고정판의 양쪽 외측의 각 단부에는 상방으로 연장형성되는 상방돌출부가 형성되며, 상기 제4고정판은 상기 제3고정판의 면적을 초과하도록 적어도 양쪽 외측으로 연장되며, 상기 제4고정판의 양쪽 외측의 각 단부에는 상방으로 연장형성되는 하방돌출부가 형성되며,
상기 상방돌출부는 적어도 일부가 상기 제1고정판과 대향하도록 위치되어, 상기 상방돌출부 및 상기 제1고정판은 상호 간에 탄성수단으로 결속되어 탄성복원력이 부여되며, 상기 하방돌출부는 적어도 일부가 상기 제4고정판과 대향하도록 위치되어, 상기 하방돌출부 및 상기 제4고정판은 상호 간에 탄성수단으로 결속되어 탄성복원력이 부여되며,
상기 중단 보강체는,
높이방향 상에서 홀수열에 구비되는 홀수열 중단 보강체와, 짝수열에 구비되는 짝수열 중단 보강체를 포함하며, 높이방향 가상의 중심축을 기준으로, 상기 홀수열 중단 보강체는 상기 중심축 상에 위치되며, 상기 짝수열 중단 보강체는 상기 중심축의 전후에 각각 구비되는 공조 시스템을 이용한 반도체 설비의 관리방법.The method of claim 5,
The lower fixing plate,
And a fourth fixing plate coupled to an upper portion of the third fixing plate so as to be slidable in a horizontal direction and being in contact with the elastic housing and the lowermost reinforcing plate,
Wherein the second fixing plate extends at least outwardly beyond the area of the first fixing plate and the upper fixing protrusion is formed at each end of the outer sides of the second fixing plate so as to extend upwardly, And a third protruding portion extending upward is formed at each end of the outer sides of both sides of the fourth fixing plate,
Wherein the upper projecting portion and the first fixing plate are coupled with each other by elastic means to impart an elastic restoring force and at least a part of the lower projecting portion is engaged with the fourth fixing plate, Wherein the lower protrusion and the fourth fixing plate are coupled to each other by elastic means to give an elastic restoring force,
Wherein the break-
Numbered column interrupter provided in an odd-numbered column in a height direction, and an even-numbered column interrupter provided in an even-numbered column, wherein the odd column interrupter is located on the central axis And the even-numbered row interruption reinforcing members are provided before and after the center axis, respectively.
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