KR101756082B1 - Method for controlling semiconductor fabrication equipment - Google Patents

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KR101756082B1 KR1020170057147A KR20170057147A KR101756082B1 KR 101756082 B1 KR101756082 B1 KR 101756082B1 KR 1020170057147 A KR1020170057147 A KR 1020170057147A KR 20170057147 A KR20170057147 A KR 20170057147A KR 101756082 B1 KR101756082 B1 KR 101756082B1
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박종성
박민우
김관석
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박종성
박민우
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Abstract

본 발명은, 제1 면에 복수개의 단위 반도체칩이 패턴화된 웨이퍼를 커팅하여 반도체칩을 제조하는 반도체 설비의 관리방법으로서, 상기 웨이퍼의 제1 면이 상부에 위치하도록 상기 웨이퍼를 바텀지그 내에 구비시키는 웨이퍼장착단계와, 상기 제1 면의 적어도 일부에 레진을 토출시켜 구비시키는 레진토출단계와, 상기 제1 면의 상부에서 상기 레진을 탑지그를 이용하여 가압하여 상기 웨이퍼의 제1 면에 도포시키는 도포단계와, 상기 제1 면에 도포된 레진을 경화시키는 경화단계와, 상기 레진이 노출되도록 상기 웨이퍼의 제1 면의 반대면인 제2 면을 연삭하는 연삭단계와, 상기 단위 반도체칩을 분할하는 분할단계를 포함하는 반도체 제조공정을 수행하는 반도체 설비를 운용하기 위한 반도체 설비 운용 단계; 및 관리시스템을 통해 상기 반도체 설비를 관리하는 단계를 포함하는 반도체 설비의 관리방법을 제공한다.
따라서, 반도체칩 제조 과정 상의 공정사고를 미연에 방지하여 반도체칩의 생산수율을 높이고 품질을 향상시킬 수 있다.
The present invention relates to a semiconductor device management method for manufacturing a semiconductor chip by cutting a wafer on which a plurality of unit semiconductor chips are patterned on a first surface, the method comprising the steps of: placing the wafer in a bottom jig A resin discharging step of discharging a resin on at least a part of the first surface; and a step of applying the resin on the first surface of the wafer by pressing the resin on the first surface with the use of an overlay, A grinding step of grinding a second surface which is an opposite surface of the first surface of the wafer so that the resin is exposed; A semiconductor facility operation step for operating a semiconductor facility for performing a semiconductor manufacturing process including a dividing step for dividing the semiconductor facility; And managing the semiconductor equipment through a management system.
Accordingly, it is possible to prevent a process accident in the process of manufacturing the semiconductor chip, thereby improving the production yield and quality of the semiconductor chip.

Description

반도체 설비의 관리방법 {METHOD FOR CONTROLLING SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT}[0001] METHOD FOR CONTROLLING SEMICONDUCTOR FABRICATION EQUIPMENT [0002]

본 발명은 반도체 설비의 관리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 공정효율을 향상시키고, 공정 중에 발생하는 오염을 방지하여 고품질의 반도체칩을 제조하되, 반도체 설비의 상태가 자동으로 관리되도록 함으로써, 예측하지 못한 공정사고를 미연에 방지할 수 있도록 하는 반도체 설비의 관리방법에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to a semiconductor device manufacturing method, a semiconductor device manufacturing method, and a semiconductor device manufacturing method. More particularly, the present invention relates to a semiconductor device manufacturing method, And to a method of managing a semiconductor facility that can prevent unforeseen process accidents in advance.

반도체는 기판인 웨이퍼 상에 하나 이상을 층을 증착시키면서 패턴화하여 다수의 반도체칩을 형성시키고 이들 반도체칩을 분할 (dicing)함으로써, 다수의 반도체칩 (die)로 형성하여 제조된다. 상기 반도체칩은 상기 웨이퍼의 표면에 절연막 또는 도전막을 형성시키고, 마스크 (mask), 노광 (photo) 등을 이용한 리소그래피 (lithography) 및 에칭 (etching)이 수행되어 제조된다. 웨이퍼의 두께는 수백㎛인데 반하여 상기 웨이퍼상에 구비되는 반도체칩의 두께는 대략 수㎛ 정도로 구비되는데, 이는 웨이퍼에 소정의 강도를 부여함으로써 웨이퍼를 핸들링하는 과정에서 발생하는 반도체칩의 파손을 방지하기 위함이다. 반면, 이와 같은 웨이퍼의 두께는 반도체칩을 제조하는 방법의 효율을 저하시키고, 반도체장비의 소형화에 제약이 되어 이를 방지하기 위하여 종래에는 웨이퍼의 배면을 그라운딩하여 (grounding) 개별 반도체칩을 분리하는 공정을 수행했다. 이와 같이 개별 반도체칩을 분리하는 공정으로는 대표적으로 통상의 다이싱 공정 (conventional dicing process)과, DBG 공정 (dicing before grinding process)이 널리 알려져 있다. 통상의 다이싱 공정은 백그라운드 테이프 (background tape)를 패턴화된 웨이퍼의 표면에 라미네이팅한 후 웨이퍼의 배면을 그라운딩하고, 이어서 테이프를 제거한 후에 웨이퍼를 다이싱 테이프 (dicing tape)에 마운팅시킨 후 다이싱하고 반도체칩을 분할 (pick-up)하는 방법이다. DBG 공정은 패턴화된 웨이퍼의 표면을 하프커팅한 후 그 위에 백그라운드 테이프를 라미네이팅시키고, 이어서 웨이퍼의 배변을 그라운딩 후 픽업 테이프 (pick-up tape)에 마운팅시킨 후 백그라운 테이프를 제거하여 반도체칩을 분할하는 방법이다. 전술한 통상의 다이싱 공정은 반도체칩을 분할하는 공정에서 웨이퍼의 배면에서 칩핑이 발생하는 문제가 있고, DBG 공정은 그라운딩하는 과정에서 반도체칩의 측벽사이의 홈에 실리콘 더스트 등이 삽입되는 등 오염의 문제가 발생하고, 웨이퍼의 배면을 그라운딩 하는 과정에서 반도체칩이 밀리는 등의 불량이 발생하여 문제가 된다. 이와 같은 통상의 다이싱 공정 및 DBG 공정에 의해서는 보다 얇은 두께의 웨이퍼를 사용하는 것과, 보다 작은 크기 및 두께를 갖는 반도체칩을 제작하기 어려운 문제점이 있다. 아울러, 이러한 반도체칩의 제작과정 상에서 설비 상의 예측하지 못한 공정사고를 미연에 방지하기 위한 효과적인 수단이 부재한 문제점이 있다.A semiconductor is manufactured by forming a plurality of semiconductor chips by patterning while layering at least one layer on a wafer, which is a substrate, and forming a plurality of semiconductor dies by dicing the semiconductor chips. The semiconductor chip is manufactured by forming an insulating film or a conductive film on the surface of the wafer and performing lithography and etching using a mask, photo, or the like. The thickness of the semiconductor chip mounted on the wafer is about several micrometers, while the thickness of the wafer is several hundreds of micrometers. By providing a predetermined strength to the wafer, the semiconductor chip is prevented from being damaged during handling of the wafer. It is for this reason. On the other hand, the thickness of such a wafer lowers the efficiency of a method of manufacturing a semiconductor chip and restricts downsizing of the semiconductor equipment. In order to prevent this, it is necessary to ground the backside of the wafer and separate the individual semiconductor chips . Conventionally, a conventional dicing process and a DBG process (dicing before grinding process) are widely known as processes for separating individual semiconductor chips. In a typical dicing process, a background tape is laminated to the surface of the patterned wafer, then the backside of the wafer is ground, then the tape is removed, the wafer is mounted on a dicing tape, And picking up the semiconductor chips. The DBG process involves half-cutting the surface of the patterned wafer, laminating a background tape thereon, then grounding the defecation of the wafer, mounting it on a pick-up tape, and removing the back- It is a way to divide. In the above-described conventional dicing process, there is a problem that chipping occurs in the back surface of the wafer in the process of dividing the semiconductor chip. In the DBG process, in the course of grounding, silicon dust or the like is inserted into the grooves between the side walls of the semiconductor chip, A problem arises such that the semiconductor chip is pushed in the course of grounding the backside of the wafer, which is a problem. There is a problem in that it is difficult to use a wafer having a thinner thickness and to manufacture a semiconductor chip having a smaller size and a thickness by the conventional dicing process and the DBG process. In addition, there is a problem in that there is no effective means for preventing unforeseen process accidents on the equipment in the process of manufacturing such a semiconductor chip.

한국공개특허 제10-1999-0065483호Korean Patent Publication No. 10-1999-0065483

본 발명은, 반도체 공정효율을 향상시키고, 공정 중에 발생하는 오염을 방지하여 고품질의 반도체칩을 제조하되, 반도체 설비의 상태가 자동으로 관리되도록 함으로써, 예측하지 못한 공정사고를 미연에 방지할 수 있도록 하는 반도체 설비의 관리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention relates to a semiconductor device which improves the efficiency of a semiconductor process and prevents contamination occurring during the process, thereby manufacturing a high-quality semiconductor chip, and automatically controlling the state of the semiconductor device, thereby preventing unforeseen process accidents And to provide a method of managing a semiconductor facility.

본 발명은, 제1 면에 복수개의 단위 반도체칩이 패턴화된 웨이퍼를 커팅하여 반도체칩을 제조하는 반도체 설비의 관리방법으로서, 상기 웨이퍼의 제1 면이 상부에 위치하도록 상기 웨이퍼를 바텀지그 내에 구비시키는 웨이퍼장착단계와, 상기 제1 면의 적어도 일부에 레진을 토출시켜 구비시키는 레진토출단계와, 상기 제1 면의 상부에서 상기 레진을 탑지그를 이용하여 가압하여 상기 웨이퍼의 제1 면에 도포시키는 도포단계와, 상기 제1 면에 도포된 레진을 경화시키는 경화단계와, 상기 레진이 노출되도록 상기 웨이퍼의 제1 면의 반대면인 제2 면을 연삭하는 연삭단계와, 상기 단위 반도체칩을 분할하는 분할단계를 포함하는 반도체 제조공정을 수행하는 반도체 설비를 운용하기 위한 반도체 설비 운용 단계; 및 관리시스템을 통해 상기 반도체 설비를 관리하는 단계를 포함하는 반도체 설비의 관리방법을 제공한다.The present invention relates to a semiconductor device management method for manufacturing a semiconductor chip by cutting a wafer on which a plurality of unit semiconductor chips are patterned on a first surface, the method comprising the steps of: placing the wafer in a bottom jig A resin discharging step of discharging a resin on at least a part of the first surface; and a step of applying the resin on the first surface of the wafer by pressing the resin on the first surface with the use of an overlay, A grinding step of grinding a second surface which is an opposite surface of the first surface of the wafer so that the resin is exposed; A semiconductor facility operation step for operating a semiconductor facility for performing a semiconductor manufacturing process including a dividing step of dividing the semiconductor facility; And managing the semiconductor equipment through a management system.

본 발명에 따른 반도체 설비의 관리방법은 다음과 같은 효과를 가진다.The method of managing semiconductor equipment according to the present invention has the following effects.

첫째, 반도체칩 제조 과정 상의 공정사고를 미연에 방지하여 반도체칩의 생산수율을 높이고 품질 향상이 가능하다.First, it prevents the process accidents in the semiconductor chip manufacturing process, thereby improving the production yield and quality of the semiconductor chip.

둘째, 제조원가와 반도체칩의 불량을 저감시키는 반도체칩 제조방법을 제공할 수 있다.Second, it is possible to provide a manufacturing cost and a semiconductor chip manufacturing method for reducing defects of the semiconductor chip.

셋째, 고품질 및 박형의 반도체칩을 높은 공정효율로 제조할 수 있는 반도체칩의 제조방법을 제공할 수 있다.Thirdly, it is possible to provide a semiconductor chip manufacturing method capable of manufacturing high-quality and thin-type semiconductor chips with high process efficiency.

넷째, 웨이퍼를 커팅하여 복수개의 단위 반도체칩을 제조하는 공정에서 공정효율과 반도체칩의 정밀도를 향상시킬 수 있는 신규한 반도체칩 제조방법을 제공할 수 있다.Fourth, a novel semiconductor chip manufacturing method capable of improving process efficiency and accuracy of a semiconductor chip in a process of cutting a wafer and manufacturing a plurality of unit semiconductor chips can be provided.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체 설비의 관리방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 도 1에 따른 반도체칩의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 3a는 제1 면이 패턴화된 웨이퍼의 사시도이다.
도 3b는 도 3a의 A-A에 따른 단면도이다.
도 4a는 도 2에 따른 탑지그 및 바텀지그의 사시도이다.
도 4b는 도 2에 따른 바텀지그의 다른 실시예를 도시한 사시도 및 분해사시도이다.
도 5는 바텀지그 내에 웨이퍼가 장착된 모습을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 6a는 웨이퍼 상에 레진이 구비되는 단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 6b는 웨이퍼의 영역을 구분한 도면이다.
도 7 및 도 8은 사이드커팅단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 9는 연삭단계를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 10은 도 1에 따른 웨이퍼 연마장치의 사시도이다.
도 11은 도 10의 웨이퍼 연마장치의 확대도이다.
도 12는 도 10의 웨이퍼 연마장치의 내부 구성도이다.
도 13 내지 도 14는 도 10에 따른 웨이퍼 연마장치의 다른 실시예를 도시한 개략도이다.
도 15는 도 13에 따른 구성들 중 완충모듈의 일실예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 16은 도 13에 따른 구성들 중 완충모듈의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 17는 도 13에 따른 구성들 중 최상단보강판, 복수의 중단 보강체, 최하단보강판의 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 18은 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 19 내지 도 18은 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 22는 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 23a는 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 23b는 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다.
도 24는 도 1에 따른 관리시스템을 개략적으로 도시한 개념도이다.
도 25는 도 24에 따른 관리시스템을 이용한 설비 관리방법을 순차적으로 도시한 순서도이다.
도 26은 도 1에 따른 냉난방공조 제어 시스템의 개념도이다.
도 27은 도 26에 따른 부하 제어 객체의 매개변수를 예시한 도면이며,
도 28은 도 26에 따른 휴대 단말기의 블록도이다.
도 29는 도 1에 따른 공조 시스템을 개념적으로 나타낸 도면이다.
도 30은 도 29에 따른 공조 시스템에 대한 구축 상태의 실시예를 나타낸 구성도이다.
도 31 및 도 32는 도 29에 따른 공조 시스템의 제어방법을 순차적으로 도시한 플로차트이다.
1 is a flowchart illustrating a method of managing a semiconductor facility according to an embodiment of the present invention.
2 is a flowchart illustrating a method of manufacturing the semiconductor chip shown in FIG.
Figure 3a is a perspective view of a wafer with a first side patterned.
FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 3A.
4A is a perspective view of the top and bottom jigs according to FIG.
4B is a perspective view and an exploded perspective view showing another embodiment of the bottom jig according to FIG.
5 is a cross-sectional view schematically showing a wafer mounted in the bottom jig.
6A is a schematic view showing the step of providing a resin on a wafer.
FIG. 6B is a view showing the area of the wafer.
Figs. 7 and 8 schematically show a side cutting step. Fig.
9 is a view schematically showing the grinding step.
10 is a perspective view of the wafer polishing apparatus according to FIG.
11 is an enlarged view of the wafer polishing apparatus of Fig.
12 is an internal configuration diagram of the wafer polishing apparatus of FIG.
13 to 14 are schematic views showing another embodiment of the wafer polishing apparatus according to Fig.
15 is a view schematically showing an example of a buffer module among the configurations according to FIG.
FIG. 16 is a view schematically showing another embodiment of the buffer module among the configurations according to FIG.
Fig. 17 is a view showing another embodiment of the uppermost stiffener, the plurality of stopped stiffeners, and the lowermost stiffener of the structures according to Fig. 13. Fig.
FIG. 18 is a view showing another embodiment of the shock absorber unit among the structures according to FIG.
19 to 18 are views showing still another embodiment of the shock absorber among the structures according to FIG.
FIG. 22 is a view showing another embodiment of the shock absorber unit among the structures according to FIG.
FIG. 23A is a view showing still another embodiment of the shock absorber among the configurations according to FIG.
FIG. 23B is a view showing another embodiment of the shock absorber among the structures according to FIG.
24 is a conceptual diagram schematically showing the management system according to FIG.
25 is a flowchart sequentially showing a facility management method using the management system according to FIG.
26 is a conceptual diagram of a cooling / heating air-conditioning control system according to FIG.
27 is a diagram illustrating parameters of a load control object according to FIG. 26,
FIG. 28 is a block diagram of the portable terminal according to FIG. 26; FIG.
FIG. 29 is a view conceptually showing the air conditioning system according to FIG. 1. FIG.
Fig. 30 is a configuration diagram showing an embodiment of a construction state of the air conditioning system according to Fig. 29;
FIG. 31 and FIG. 32 are a flowchart sequentially showing the control method of the air conditioning system according to FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도 1을 참조하면 반도체 설비의 관리방법은, 반도체 설비 운용 단계와 반도체 설비 관리 단계를 포함한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. Referring to FIG. 1, a method of managing a semiconductor facility includes a semiconductor facility operation stage and a semiconductor facility management stage.

<반도체 설비 운용 단계(S110)>&Lt; Semiconductor facility operation step S110 >

이하, 첨부된 도면들을 참고하여 상기 반도체 설비(403) 운용 단계(S110)에 대해 설명하도록 한다.Hereinafter, the operation step (S110) of the semiconductor device 403 will be described with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 반도체칩의 제조방법을 나타낸 흐름도이다. 일 실시예는 제1 면에 복수개의 단위 반도체칩이 패턴화된 웨이퍼를 커팅하여 제조하는 반도체칩 제조방법으로, 상기 웨이퍼의 제1 면이 상부에 위치하도록 상기 웨이퍼를 바텀지그 내에 구비시키는 웨이퍼장착단계 (S111); 상기 제1 면의 적어도 일부에 레진을 토출시켜 구비시키는 레진토출단계 (S112); 상기 제1 면의 상부에서 상기 레진을 탑지그를 이용하여 가압하여 상기 웨이퍼의 제1 면에 도포시키는 도포단계 (S113); 상기 제1 면에 도포된 레진을 경화시키는 경화단계 (S114); 상기 레진이 노출되도록 상기 웨이퍼의 제1 면의 반대면인 제2 면을 연삭하는 (grounding) 연삭단계 (S115); 및 상기 단위 반도체칩을 분할하는 분할단계 (S116);를 포함한다. 웨이퍼를 이용하여 반도체칩을 제조하는 공정에서, 상기 웨이퍼의 제1 면에는 화학기상증착법 (Chemical Vapor Deposition, CVD), 물리기상증착법 (Physical Vapor Deposition, PVD), 원자층증착법 (Atomic Layer Deposition, ALD), 스핀코팅 (Spin Coating) 등과 같은 공정으로 박막을 석막하여 복수개의 막들이 증착되고, 복수개의 막들은 회로설계에 따라 리소그래피 (lithography) 공정 등에 의하여 패턴화된다. 상기 웨이퍼의 제1 면 상에는 소정 간격 서로 이격된 복수개의 반도체칩이 패턴화되고, 이는 연삭 (grounding)/분할 (dicing) 등과 같은 공정에 의하여 커팅되어 별도의 단위 반도체칩으로 분할된다. 본 발명의 일 실시예는 패턴화된 웨이퍼의 제1 면 상에 구비된 복수개의 반도체칩을 단위 반도체칩으로 분할하는 반도체칩 제조방법에 대한 것으로, 본 발명의 실시예에 따르면 박형의 반도체칩을 고품질로 제조할 수 있다. 1 is a flowchart illustrating a method of manufacturing a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention. One embodiment is a semiconductor chip manufacturing method for manufacturing a semiconductor chip by cutting a patterned wafer of a plurality of unit semiconductor chips on a first surface, the method comprising: mounting a wafer in the bottom jig such that a first side of the wafer is positioned on the top side Step S111; A resin discharging step (S112) of discharging resin to at least a part of the first surface; (S113) applying the resin on the first surface of the wafer by pressing the resin on top of the first surface using a topping paper; A curing step (S114) of curing the resin coated on the first side; Grinding (S115) grounding a second surface opposite to the first surface of the wafer to expose the resin; And a dividing step (S116) of dividing the unit semiconductor chip. (CVD), physical vapor deposition (PVD), atomic layer deposition (ALD), and atomic layer deposition (ALD) are performed on the first surface of the wafer in the process of manufacturing a semiconductor chip using the wafer. ), Spin coating, etc., and a plurality of films are deposited by lithography or the like according to a circuit design. A plurality of semiconductor chips spaced apart from each other by a predetermined distance are patterned on the first surface of the wafer and cut by a process such as grounding / dicing to be divided into separate unit semiconductor chips. One embodiment of the present invention relates to a semiconductor chip manufacturing method for dividing a plurality of semiconductor chips provided on a first side of a patterned wafer into unit semiconductor chips. According to an embodiment of the present invention, And can be manufactured with high quality.

도 2a는 제1 면이 패턴화된 웨이퍼의 사시도이고, 도 2b는 도 2a의 A-A에 따른 단면도이다. 도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 탑지그 및 바텀지그의 사시도이고, 도 3b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 바텀지그의 사시도 및 분해사시도이다. 도 4는 바텀지그 내에 웨이퍼가 장착된 모습을 개략적으로 나타낸 단면도이다.Figure 2a is a perspective view of a wafer with a first side patterned, and Figure 2b is a cross-sectional view along line A-A of Figure 2a. FIG. 3A is a perspective view of a top jig and a bottom jig according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3B is a perspective view and an exploded perspective view of a bottom jig according to another embodiment of the present invention. 4 is a cross-sectional view schematically showing a wafer mounted in the bottom jig.

도 1과 함께, 도 2a 내지 도 4를 참조하면, 상기 웨이퍼장착단계 (S111)에서는 제1 면이 패턴화되어 복수개의 반도체칩 (11)이 구비된 웨이퍼 (10)를 바텀지그 (110) 내부 공간 (111)에 장착시킬 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)는 패턴화된 제1 면 (10a)과 상기 제1 면 (10a)의 반대면으로 상기 웨이퍼 (10)의 배면인 제2 면 (10b)으로 이루어지고, 상기 제1 면 (10a)에는 복수개의 반도체칩 (11)이 구비될 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a) 상에 이웃하는 반도체칩 (11) 사이에는 이격부 (12)가 구비되고, 상기 이격부 (12)를 통하여 패턴화되어 구비된 복수개의 반도체칩 (11)들은 개개의 별도의 단위 반도체칩 (11)으로 분할된다. 상기 웨이퍼 (10)는 후속하는 공정을 수행하기 위하여 지그 (100) 내부에 구비될 수 있다. 상기 지그 (100)는 상기 웨이퍼 (10)가 안착되는 바텀지그 (110)와 상기 바텀지그 (110)의 개방된 상부면을 덮도록 구비되는 탑지그 (120)로 이루어질 수 있다. 상기 탐지그 (120)는 상기 바텀지그 (110)의 단면에 대응하는 크기로 구비될 수 있는데, 바람직하게는 상기 탑지그 (120)의 외경 (c)은 상기 바텀지그 (110)의 외경 (b2)과 같거나 또는 더 크게 구비될 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)는 제1 면 (11)이 상부측에 구비되도록 상기 바텀지그 (110)의 내부 공간 (111)에 장착될 수 있다. 상기 바텀지그 (110)는 상부면이 개구되는 박스형으로 구비되고, 상기 바텀지그 (110)의 내부 공간 (111)은 상기 웨이퍼 (10)가 용이하게 안착되도록 상기 바텀지그 (110)의 상부면과 상기 내부 공간 (111)의 단면적은 대략 동일하게 구비될 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)는 상기 바텀지그 (110)의 상부면을 통해서 상기 상부면에 수직하도록 상기 바텀지그 (110)의 내부 공간 (1110) 내에 장착되므로 상기 웨이퍼 (10)의 높이 균형을 용이하게 제어할 수 있다. 상기 바텀지그 (110)의 내경 (b1)은 상기 웨이퍼 (10)의 직경 (a)과 같거나 크게 구비되며, 상기 바텀지그 (110)의 내부 높이 (d)는 상기 웨이퍼 (10)의 두께 (t)보다 제1 높이 (h)만큼 더 크게 구비될 수 있다. 상기 웨이퍼장착단계 (S111)에서 제1 높이 (h)는 50㎛ 내지 500㎛일 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)는 바텀지그 (110) 내에 장착된 후 이후 레진토출단계 (S112)에서 상기 탑지그 (120)를 통하여 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a)에 구비된 레진을 가압할 수 있다. 이때, 상기 제1 높이 (h)는 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비되는 레진이 구비될 수 있는 공간을 제어함으로써 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a)에 레진이 균일하게 코팅될 수 있도록 보조적인 기능을 할 수 있다. 예컨대, 탑지그 (120)를 통하여 상기 레진은 제1 높이 (h)만큼 웨이퍼 (10)의 상부에 더 도포되어 구비될 수 있는데, 상기 제1 높이 (h)가 50㎛ 미만인 경우 상기 레진이 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a) 상에 구비되는 이격부 (12)에 충분히 충진되지 못하거나 혹은 반도체칩 (11)을 고정하는 고정력이 부족하여 반도체칩 (11)을 분할하는 과정에서 반도체칩 (11)의 칩핑 등의 문제가 발생하여 박형의 고품질의 반도체칩 (11)을 제조하기 어렵다. 또한, 상기 제1 높이 (h)는 500㎛이면 충분함에도 500㎛를 초과하는 경우, 불필요한 레진의 소비가 증가되어 원료비가 증가되며 경화시간이 증가되어 공정효율을 저하시킨다. 별법으로, 상기 웨이퍼장착단계 (S111)에서 상기 바텀지그 (110')는 상부면이 개구되는 박스형으로 구비되고, 상기 바텀지그 (110')는 상부면 및 하부면이 모두 개구된 원통형의 제1 바디부 (112)와 상기 제1 바디부 (112)와 상보적으로 분리 및 결합이 가능하도록 구비되는 제2 바디부 (113)로 이루어질 수 있다. 상기 제1 및 제2 바디부 (112, 113)는 각각 체결홀 (112a, 113a)이 구비되고, 상기 체결홀 (112a, 113a)은 별도의 체결부재 (114)에 의하여 체결되어 상기 제1 및 제2 바디부 (112, 113)를 연결시킬 수 있다. 본 실시예에 따른 바텀지그 (110')는 일체형이 아닌 메인 몸체인 제1 바디부 (112)와 바닥면을 포함하는 제2 바디부 (113)가 분리되는 형태로 구비될 수 있다. 상기 바텀지그 (110')는 내부 단면적인 대략 웨이퍼 (10)의 면적과 유사하게 구비되므로, 상기 웨이퍼 (10)를 상기 바텀지그 (110') 내에서 분리하기 쉽지 않을 수 있다. 반면, 본 실시예에 따른 바텀지그 (110')는 결합 및 분리가 가능하도록 구비됨으로써, 웨이퍼 (10) 상에 레진을 용이하게 구비시키고, 또한 레진이 구비된 웨이퍼 (10)는 상기 제2 바디부 (113)를 분리시킴으로써 용이하게 탈거시킬 수 있다.2A to FIG. 4, in the wafer mounting step S111, the first surface is patterned to form a wafer 10 having a plurality of semiconductor chips 11 in the bottom jig 110 And can be mounted in the space 111. The wafer 10 comprises a patterned first face 10a and a second face 10b which is the back face of the wafer 10 opposite to the first face 10a, 10a may be provided with a plurality of semiconductor chips 11. A plurality of semiconductor chips 11 provided on the first surface 10a of the wafer 10 are provided with spacing portions 12 between adjacent semiconductor chips 11, 11 are divided into individual separate unit semiconductor chips 11. The wafer 10 may be provided inside the jig 100 to perform a subsequent process. The jig 100 may include a bottom jig 110 on which the wafer 10 is placed and a top jig 120 provided to cover the open upper surface of the bottom jig 110. Preferably, the outer diameter c of the top jig 120 is greater than the outer diameter b2 of the bottom jig 110. That is, ) Or greater. The wafer 10 may be mounted on the inner space 111 of the bottom jig 110 such that the first surface 11 is provided on the upper side. The bottom jig 110 is provided in a box shape having an open upper surface and the inner space 111 of the bottom jig 110 is connected to the upper surface of the bottom jig 110, Sectional area of the inner space 111 may be substantially the same. The wafer 10 is mounted in the inner space 1110 of the bottom jig 110 so as to be perpendicular to the upper surface of the bottom jig 110 so that the balance of the wafer 10 can be easily controlled can do. The inner diameter b1 of the bottom jig 110 is equal to or greater than the diameter a of the wafer 10 and the inner height d of the bottom jig 110 is equal to or greater than the thickness a of the wafer 10 t, which is greater than the first height h. In the wafer mounting step S111, the first height h may be 50 to 500 mu m. The wafer 10 is mounted in the bottom jig 110 and thereafter pressed through the top jig 120 in the resin discharging step S112 to press the resin provided on the first surface 10a of the wafer 10 . The first height h controls the space in which the resin provided on the wafer 10 is provided so that the resin can be uniformly coated on the first surface 10a of the wafer 10. [ You can do auxiliary functions. For example, the resin may be applied over the top 10 of the wafer 10 by a first height h through a top jig 120, and when the first height h is less than 50 탆, In the process of dividing the semiconductor chip 11 due to the insufficient fixing force for fixing the semiconductor chip 11 or the semiconductor chip 11 is not sufficiently filled in the spacing portion 12 provided on the first surface 10a of the wafer 10, There arises a problem such as chipping of the chip 11, and it is difficult to manufacture a thin, high-quality semiconductor chip 11. In addition, if the first height (h) is 500 m, if it is more than 500 m, the consumption of unnecessary resin is increased, the raw material cost is increased, and the curing time is increased to lower the process efficiency. Alternatively, in the wafer mounting step S111, the bottom jig 110 'is provided in a box shape having an open top surface, and the bottom jig 110' has a cylindrical first A body part 112 and a second body part 113 which can be separated and combined with the first body part 112 in a complementary manner. The first and second body portions 112 and 113 are provided with fastening holes 112a and 113a and the fastening holes 112a and 113a are fastened by separate fastening members 114, The second body portions 112 and 113 can be connected. The bottom jig 110 'according to the present embodiment may have a first body part 112 as a main body and a second body part 113 including a bottom surface separately from each other. Since the bottom jig 110 'is similar in area to the area of the wafer 10, the wafer 10 may not be easily separated from the bottom jig 110'. In contrast, the bottom jig 110 'according to the present embodiment is provided so as to be able to be coupled and separated, thereby easily providing the resin on the wafer 10, and the wafer 10 provided with the resin, It can be easily removed by separating the portion 113.

상기 바텀지그 (110')는 제1 바디부 (112)와 제2 바디부 (113)가 서로 결합하는 부분이 상보적으로 형성되며, 상기 제1 및 제2 바디부 (112, 113)에는 각각 서로 대응하는 위치에 체결홀 (112a, 113a)이 구비될 수 있다. 상기 체결홀 (112a, 113a)은 상기 제1 및 제2 바디부 (112, 113)에서 소정 간격 이격되어 복수개가 구비될 수 있으며, 상기 체결홀 (112a, 113a)은 U자형태의 별도의 체결부재가 삽입되어 체결시킴으로써 제1 및 제2 바디부 (112, 113)를 연결시킬 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)는 상기 바텀지그 (110) 내에 안착되고, 이후 레진토출단계 (S112)에서 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a)에는 레진이 토출될 수 있다. 상기 레진은 상기 웨이퍼 (10) 상에 균일하도록 도포되는 것이 바람직하고, 따라서 상기 바텀지그 (110) 내에 장착된 웨이퍼 (10)도 소정의 평탄도를 유지하도록 구비될 수 있다. 상기 레진토출단계 (S112) 이전에 상기 바텀지그 (110) 내에 장착된 웨이퍼 (10)의 위치를 정렬하도록 프리얼라인단계를 더 포함할 수 있다. 상기 바텀지그 (110)의 내부에는 장착된 웨이퍼 (10)의 평탄한 정도를 확인할 수 있도록 하나 이상의 레벨센서 (미도시)가 구비되고, 상기 레벨센서의 의하여 측정된 웨이퍼 (10)의 평탄도는 제어부로 전달된다. 상기 제어부는 전달받은 웨이퍼 (10)의 평탄도와 미리 입력한 값과의 차이점을 비교하여 범위 내인 경우 유지하고 범위 외인 경우 상기 프리얼라인단계를 통하여 상기 웨이퍼 (10)의 얼라인을 다시 조절한 후 상기 레진토출단계 (S112)를 수행할 수 있다. The bottom jig 110 'is complementarily formed with a portion where the first body part 112 and the second body part 113 are coupled to each other and the first and second body parts 112 and 113 And fastening holes 112a and 113a may be provided at positions corresponding to each other. The fastening holes 112a and 113a may be spaced a predetermined distance from the first and second body portions 112 and 113. The fastening holes 112a and 113a may be formed in a U- The first and second body parts 112 and 113 can be connected by inserting and fastening the member. The wafer 10 is placed in the bottom jig 110 and then resin can be discharged onto the first surface 10a of the wafer 10 in the resin discharging step S112. The resin is preferably applied uniformly on the wafer 10, so that the wafer 10 mounted in the bottom jig 110 may be provided to maintain a predetermined level of flatness. And aligning the positions of the wafers 10 mounted in the bottom jig 110 before the resin discharging step S112. In the bottom jig 110, at least one level sensor (not shown) is provided to check the flatness of the mounted wafer 10, and the flatness of the wafer 10, measured by the level sensor, Lt; / RTI &gt; The control unit compares the flatness of the transferred wafer 10 with the previously input value and keeps the difference if it is within the range. If the difference is out of the range, the controller 10 adjusts the alignment of the wafer 10 through the pre- The resin discharging step S112 may be performed.

도 5a는 웨이퍼 상에 레진이 구비되는 단계를 개략적으로 도시한 도면이고, 도 5b는 웨이퍼의 영역을 구분한 도면이다. 도 1과 함께, 도 5a 및 도 5b를 참조하면, 상기 레진토출단계 (S112)에서 상기 레진 (R)은 탑지그 (120)에 구비된 분사노즐을 통하여 토출되며 대략 액체상태로 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비될 수 있으며, 상기 레진 (R)은 페놀 수지, 요소 수지, 멜라민 수지, 에폭시 수지, 폴리에스터 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지 중 어느 하나 이상으로 이루어질 수 있다. 상기 레진토출단계 (S112)에서 상기 레진 (R)은 1g 내지 20g의 범위의 양으로 구비될 수 있다. 상기 레진 (R)은 웨이퍼 (10) 상에 구비될 때 소정의 범위 내로 구비되는 것이 바람직한데, 상기 레진 (R)의 양이 1g 미만일 경우에는 상기 웨이퍼 (10)의 이격부 (12) 내에 일부 미충전 영역이 형성되거나 혹은 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a) 상에 레진 (R)이 균일하게 도포되지 않는다. 반면, 레진 (R)의 양이 20g 초과인 경우, 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a) 상부에 레진이 불필요하게 두꺼운 두께로 도포되어 추후 레진 (R) 제거하는 과정에서 별도의 공정을 필요로 하고, 웨이퍼 (10)의 외측으로 오버플로우되는 레진 (R)이 다량 발생되어 문제된다. 예컨대, 상기 레진 (R)이 토출되는 양은 웨이퍼 (10)의 싸이즈와 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비되는 레진 (R)의 두께에 의하여 다양한 범위로 제어될 수 있다. 별법으로, 상기 웨이퍼 (10)는 상기 제1 면 (10a)의 중심부인 한 개의 메인중심부 (MC)와, 상기 메인중심부 (MC)를 중심으로 4등분한 각각의 면적에 대한 중심부인 네개의 서브중심부 (SC)를 포함하도록 영역을 구분할 수 있다. 상기 레진 (R)은 상기 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a)에 구비되는 레진 (R)의 총량 100%에 대해서 상기 메인중심부 (MC)에 40% 내지 60%가 구비되고, 상기 서브중심부 (SC)에 각각 10% 내지 15%가 구비될 수 있다. 상기 레진 (R)은 웨이퍼 (10) 상에서 균일하게 도포되고, 반도체칩 사이의 미세한 이격부에 미충진 영역이 없도록 충진되되 대략 균일한 밀도를 갖도록 충진되는 것이 바람직하다. 이때, 상기 레진 (R)을 웨이퍼 (10) 상에 소정의 함량 및 위치로 구비시킬 수 있는데, 상기 메인중심부 (MC)에 40% 미만으로 구비시키는 경우 상기 웨이퍼 (10)의 메인중심부 (MC)와 외곽 사이의 구간에서 이격부에서의 미충전영역이 발생하고, 상기 메인중심부 (MC)에 60% 초과로 구비시키는 경우 상기 웨이퍼 (10)의 메인중심부 (MC)에서 외곽으로 갈수록 두께가 감소하는 방향으로 경사지도록 레진이 구비되어 문제된다. 또한, 상기 레진 (R)을 메인중심부 (MC)에만 구비시키는 경우, 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비되는 레진 (R)의 두께 균일도를 제어하기 위하여 별도의 부재를 필요로 하고 공정시간을 증가시킬 수 있다. 따라서, 상기 레진 (R)은 메인중심부 (MC)뿐 아니라 일부를 서브중심부 (SM)에 균등분할하여 구비시킴으로써 웨이퍼 (10) 상에 구비되어 도포된 레진 (R)의 충진정도 및 균일도를 향상시킬 수 있고, 구체적으로는 4개의 서브중심부 (SM)에는 구비되는 레진 (R)의 총량에 대해서 각각 10% 내지 15%로 구비된다. 보다 구체적으로는, 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비되는 레진 (R)의 총량에 대해서 메인중심부 (MC)에는 50%가 구비되고, 상기 서브중심부 (SM)에는 각각 12.5%씩 구비된다. 상기 도포단계 (S113)에서 상기 레진 (R)을 0.01kgf/cm2 내지 1kgf/cm2의 압력으로 가압할 수 있다. 상기 레진 (R)은 소정의 점도를 갖도록 멜팅 (melting) 상태로 구비될 수 있으며, 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비된 레진 (R)을 탑지그 (120)를 통하여 가압시킴으로써 웨이퍼 (10) 상의 레진 (R)의 충진정도 및 균일도가 균일하도록 제어하고 공정시간을 단축시킬 수 있다. 상기 레진 (R)을 가압하는 압력이 0.01kgf/cm2 미만인 경우 웨이퍼 (10)의 이격부의 내부측 모서리부가 미충진되는 영역이 형성될 수 있고, 1kgf/cm2 초과인 경우 웨이퍼 (10) 상에 구비되는 레진 (R)의 전체적인 밀도가 상이하게 구비되고, 위치에 따라 레진 (R)의 물성이 차이가 있어 일률적인 공정제어가 어려워 문제된다. 상기 레진 (R)은 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a) 상에 이웃하는 반도체칩 (11) 사이의 이격부 (12)에 충진 및 보충되고, 후속하는 연삭단계 (S115) 및 분할단계 (S116)에 의하여 반도체칩 (11)이 단위 반도체칩으로 개별화되는 과정에서 각각의 반도체칩 (11)을 고정하여 지지하여 상기 반도체칩의 에지부에서 발생하는 칩핑 및 크랙을 방지할 수 있다. 또한, 상기 이격부 (12)에 충진되어 있어 웨이퍼 (10)를 연삭하는 과정에서 발생하는 실리콘 더스트 등이 상기 이격부 (12) 내에 유입되는 것을 방지하여 반도체칩 (11)의 오염 및 회로결함 등을 방지할 수 있다. 상기 도포단계 (S113)에서 상기 레진 (R)은 탑지그 (120)에 의하여 가압되되 상기 탑지그 (120)는 상기 바텀지그 (110)의 개구된 상부면의 외경 (b2)보다 같거나 큰 직경 (c)으로 구비될 수 있다. 또한, 상기 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)의 내부의 적어도 일부에는 불소코팅부를 포함할 수 있다. 상기 웨이퍼 (10)는 상기 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)의 상보적인 결합에 의하여 레진 (R)이 도포되고 상기 레진 (R)은 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)의 내부에 접촉하여 상기 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)를 오염시킬 수 있고, 이는 후속하는 별도의 웨이퍼 (10)에 대한 도포단계 (S113)에서 이물질로 작용하여 반도체칩의 불량의 원인이 될 수 있다. 반면, 본 실시예에 따른 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)의 내부의 적어도 일부, 바람직하게는 상기 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)의 내부 전체에는 불소코팅부를 구비함으로써 상기 탑지그 (120) 및 바텀지그 (110)의 레진 (R)에 의한 오염을 방지할 수 있다. 별법으로, 상기 탑지그 (120)의 상부면에는 상기 레진 (R)으로 가해지는 압력을 측정하는 센서 (121)가 구비될 수 있다. 상기 센서 (121)는 상기 탑지그 (120)의 중심부를 기준으로 서로 동일한 간격으로 이격되어 구비되는 제1 내지 제4 센서를 포함하고, 상기 제1 내지 제4 센서에서 측정된 레진의 압력은 제어부 (미도시)로 전달되며, 상기 제어부는 상기 측정된 레진 (R)의 압력과 미리 입력된 기준값과 비교하여 상기 탑지그 (120)에서 상기 레진 (R)으로 가해지는 압력을 제어할 수 있다. FIG. 5A is a view schematically showing a step of providing a resin on a wafer, and FIG. 5B is a view showing a region of a wafer. 5A and 5B, in the resin discharging step S112, the resin R is discharged through a spray nozzle provided in the top jig 120 and is discharged into the wafer 10 The resin (R) may be at least one selected from the group consisting of phenol resin, urea resin, melamine resin, epoxy resin, polyester resin, polycarbonate resin, polyimide resin, polyamide resin, phenoxy resin, And an ester resin. In the resin discharging step S112, the resin R may be provided in an amount ranging from 1 g to 20 g. When the amount of the resin R is less than 1 g, a portion of the resin R in the spacing portion 12 of the wafer 10 is partially An unfilled region is formed or the resin R is not uniformly applied on the first surface 10a of the wafer 10. [ On the other hand, when the amount of the resin (R) is more than 20 g, a resin is unnecessarily thickly applied on the first surface (10a) of the wafer (10) And a large amount of resin R is overflowed to the outside of the wafer 10, which is a problem. For example, the amount of the resin (R) to be discharged may be controlled in various ranges depending on the size of the wafer (10) and the thickness of the resin (R) provided on the wafer (10). Alternatively, the wafer 10 may include one main center MC and a fourth central portion MC about the center of the first surface 10a, The region can be divided to include the center portion SC. The resin R is provided in the main center portion MC at a ratio of 40% to 60% with respect to a total amount 100% of the resin R provided on the first surface 10a of the wafer 10, And 10% to 15%, respectively. It is preferable that the resin R is uniformly applied on the wafer 10 and filled to have a substantially uniform density so as to have no unfilled region in the minute spacing between the semiconductor chips. At this time, the resin (R) may be provided on the wafer 10 at a predetermined content and position. When the main center portion MC is less than 40%, the main center portion MC of the wafer 10, And the thickness of the non-filled region in the main center portion MC is greater than 60%, the thickness decreases from the main central portion MC of the wafer 10 to the outer periphery thereof There is a problem. Further, when the resin R is provided only in the main central portion MC, a separate member is required to control the thickness uniformity of the resin R provided on the wafer 10, . Therefore, the resin R is divided equally into the sub-center SM as well as the main center MC to improve the filling degree and uniformity of the applied resin R on the wafer 10 Specifically, 10% to 15% of the total amount of the resin (R) provided in the four sub-centers (SM). More specifically, the main center portion MC is provided with 50% of the total amount of the resin R provided on the wafer 10, and the sub-center portion SM is provided with 12.5% each. In the applying step S113, the resin R can be pressed at a pressure of 0.01 kgf / cm 2 to 1 kgf / cm 2. The resin R may be provided in a melting state so as to have a predetermined viscosity so that the resin R provided on the wafer 10 is pressed through the top jig 120, The filling degree and the uniformity of the resin (R) can be controlled to be uniform and the processing time can be shortened. If the pressure to press the resin R is less than 0.01 kgf / cm 2, a region where the inner side edge of the separation portion of the wafer 10 is unfilled can be formed. If the pressure is greater than 1 kgf / cm 2, And the physical properties of the resin (R) are different depending on the positions, which makes it difficult to control the process uniformly. The resin R is filled and replenished in the spacing 12 between the adjacent semiconductor chips 11 on the first side 10a of the wafer 10 and is subjected to a subsequent grinding step S115 and a splitting step The semiconductor chips 11 can be fixed and supported by the semiconductor chips 11 in the course of individualization of the semiconductor chips 11 into the unit semiconductor chips by S116 so that chipping and cracks occurring at the edge portions of the semiconductor chips can be prevented. It is also possible to prevent the silicon dust or the like generated in the process of grinding the wafer 10 from being filled into the spacing portion 12 into the spacing portion 12 to prevent contamination of the semiconductor chip 11, Can be prevented. In the applying step S113, the resin R is pressed by the top jig 120, and the top jig 120 has a diameter equal to or greater than the outer diameter b2 of the open top surface of the bottom jig 110, (c). At least a part of the inside of the top jig 120 and the bottom jig 110 may include a fluorine coating portion. The resin R is applied to the wafer 10 by the complementary coupling between the top jig 120 and the bottom jig 110 and the resin R is transferred to the inside of the top jig 120 and the bottom jig 110 So that the top jig 120 and the bottom jig 110 can be contaminated and this acts as a foreign substance in the coating step S113 for the subsequent separate wafer 10, . The top jig 120 and the bottom jig 110 may have a fluorine coating on at least a part of the interior of the top jig 120 and the bottom jig 110, The contamination of the jig 120 and the bottom jig 110 by the resin R can be prevented. Alternatively, the upper surface of the top jig 120 may be provided with a sensor 121 for measuring a pressure applied to the resin R. The sensor 121 includes first to fourth sensors spaced apart from each other with a predetermined distance from the center of the top jig 120. The pressure of the resin measured by the first to fourth sensors And the controller may control the pressure applied to the resin R in the top jig 120 by comparing the measured pressure of the resin R with a previously inputted reference value.

본 발명의 다른 실시예에서, 상기 웨이퍼 상에 구비되는 레진 (R)은 상기 웨이퍼의 제1 면에 전체적으로 도포되는 과정에서 상기 탑지그 (120)에 의하여 상기 레진 (R)으로 가해지는 압력을 측정할 수 있다. 웨이퍼의 크기 (면적)이 증가할수록 상기 탑지그 (120)를 통해서 가해지는 압력은 웨이퍼의 위치에 따라 상이하게 가해질 수 있고, 이는 상기 웨이퍼 상에 도포되는 레진 (R)의 밀도에 영향을 미칠 수 있다. 반면, 본 실시예에 따른 탑지그 (120)에는 제1 내지 제4 센서를 구비함으로써 상기 탑지그 (120)를 통하여 웨이퍼에 도포되는 레진 (R)에 가해지는 압력이 대략 일정하도록 제어함으로써 넓은 면적의 웨이퍼를 제조하는 공정에서도 레진 (R)의 밀도가 전체적으로 균일하도록 제어할 수 있다. 예컨대, 상기 탑지그 (120)에 구비되는 제1 내지 제4 센서를 이용하여 넓은 면적에 대해서 가해지는 압력이 서로 차이가 나지 않도록 제어할 수 있으며, 상기 제어부를 통하여 상기 탑지그 (120)에서 가해지는 압력이 미리 입력된 압력범위 내에 포함되도록 제어함으로써 고정을 효율적으로 제어할 수 있다. 별법으로, 상기 바텀지그 (110)에는 상기 바텀지그 (110) 내부는 상기 바텀지그 (110) 내에 구비되는 웨이퍼 (10)에 가해지는 압력을 측정하는 바텀센서를 더 포함할 수 있다. 상기 바텀센서는 하나 이상으로 구비될 수 있으며, 상기 제1 내지 제 4 센서와 함께 구비되거나, 혹은 단독으로 구비될 수 있다. 상기 바텀센서는 상기 탑지그 (120)에 의하여 웨이퍼 (10) 상에 가해지는 압력을 측정할 수 있으며, 이를 제어부로 전달하여 상기 웨이퍼 (10)에 균일한 압력이 작용하도록 제어할 수 있다. 웨이퍼 (10)의 제1 면 (10a)에 레진 (R)이 구비된 후 경화단계 (S114)를 통하여 레진 (R)은 경화되어 반도체칩의 이격부 사이 및 반도체칩의 상부면을 고정시킬 수 있다. 상기 경화단계 (S114)에서 탑지그 (120)를 통하여 상기 레진 (R)에 가해지는 경화가압력은 10kgf/cm2 내지 100kgf/cm2이고, 경화온도는 50℃ 내지 200℃일 수 있다. 상기 레진 (R)에 가해지는 경화가압력 및 경화온도가 전술한 범위 내에 포함되지 않는 경우에는 이격부 사이에 구비되는 레진 (R)의 일부가 경화되지 못하는 문제가 생길 수 있다. 상기 경화단계 (S114)를 통하여 경화된 레진 (R)의 두께는 상기 제1 면 (10a)을 기준으로 10㎛ 내지 200㎛일 수 있다. 상기 웨이퍼 (10) 상에 구비되는 상기 경화된 레진 (R)의 두께가 10㎛ 미만인 경우 레진 (R)에 의하여 반도체칩의 상부면을 충분히 고정시키기 못해 후속하는 연삭단계 (S115)에서 반도체칩의 밀림현상이 발생하고, 200㎛이면 상기 반도체칩을 고정하는 데 충분하므로 200㎛를 초과하는 경우 불필요한 생산비를 증가시키고 상기 레진 (R)을 제거하는 데 소요되는 시간이 증가하여 공정효율을 저하시킨다.In another embodiment of the present invention, the resin (R) provided on the wafer measures the pressure applied to the resin (R) by the top jig (120) in the process of being entirely applied to the first side of the wafer can do. As the size (area) of the wafer increases, the pressure applied through the top jig 120 can be differently applied depending on the position of the wafer, which can affect the density of the resin R applied on the wafer have. On the other hand, in the top jig 120 according to the present embodiment, the first to fourth sensors are provided so that the pressure applied to the resin R applied to the wafer through the top jig 120 is controlled to be substantially constant, The density of the resin R can be controlled so as to be uniform as a whole. For example, the first to fourth sensors provided in the top jig 120 may be used to control the pressure applied to a large area to be different from each other. The fixation can be efficiently controlled by controlling the losing pressure to be included in the pre-input pressure range. Alternatively, the bottom jig 110 may further include a bottom sensor for measuring a pressure applied to the wafer 10 provided in the bottom jig 110. The bottom sensor may be provided in at least one or more of the first to fourth sensors, or may be provided alone. The bottom sensor can measure a pressure applied to the wafer 10 by the top jig 120 and can transmit the uniform pressure to the wafer 10 by controlling the pressure. After the resin R is provided on the first side 10a of the wafer 10, the resin R is cured through the curing step S114 to fix the spacing between the semiconductor chips and the upper surface of the semiconductor chip have. The curing pressure applied to the resin R through the top jig 120 in the curing step S114 may be 10 kgf / cm 2 to 100 kgf / cm 2, and the curing temperature may be 50 ° C to 200 ° C. If the curing applied to the resin (R) does not include the pressure and the curing temperature within the above-mentioned range, a part of the resin (R) provided between the spacers may not be cured. The thickness of the resin (R) cured through the curing step (S114) may be 10 to 200 占 퐉 based on the first surface (10a). If the thickness of the hardened resin R provided on the wafer 10 is less than 10 mu m, the upper surface of the semiconductor chip can not be sufficiently fixed by the resin R, If the thickness is more than 200 μm, the unnecessary production cost is increased and the time required to remove the resin (R) is increased to lower the process efficiency.

도 6 및 도 7은 사이드커팅단계를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1과 함께 도 6 및 도 7을 참조하면, 경화단계 (S114) 이후에 상기 웨이퍼 (10)의 노치부와 플랫부의 외측으로 오버플로우되어 경화된 레진 (R)을 제거하는 사이드커팅단계를 더 포함할 수 있다. 상기 사이드커팅단계는 나이프 (30) 등과 같은 절단부재를 이용하여 수행되며, 상기 웨이퍼 (10)의 외곽을 따라 불필요하게 돌출된 레진 (R)을 절단하여 웨이퍼 (10)에서 분리시킬 수 있다. 상기 경화단계 (S114) 이후에 수행되는 웨이퍼 (10)의 배면을 연삭하는 연삭단계 (S115) 이전에 수행되고, 상기 웨이퍼 (10) 상에 경화된 레진 (R) 중 불필요한 부분을 제거함으로써 연삭단계 (S115)에서 레진 (R)에 의한 웨이퍼 (10)의 연삭위치가 제안되는 것을 방지함으로써 연삭의 정밀도를 향상시키고 연삭효율을 향상시킬 수 있다. 별법으로, 상기 바텀지그 내에 구비되는 웨이퍼 (10)는 공차없이 바텀지그에 의하여 제공되는 공간에 형합되도록 구비될 수 있다. 상기 바텀지그와 웨이퍼 (10) 사이의 여유공간이 없어 레진 (R)의 오버플로우를 방지할 수 있으며, 이에 의하여 상기 사이드커팅단계를 생략하여 공정을 효율적으로 운영할 수 있다.6 and 7 are views schematically showing a side cutting step. Referring to FIGS. 6 and 7 together with FIG. 1, a side cutting step of removing the hardened resin R by overflowing the notched portion and the flat portion of the wafer 10 after the curing step S114 . The side cutting step is performed using a cutting member such as a knife 30 and the resin R unnecessarily protruded along the outer periphery of the wafer 10 can be cut and separated from the wafer 10. [ Is carried out before the grinding step S115 for grinding the rear surface of the wafer 10 performed after the hardening step S114 and the grinding step S115 is performed by removing an unnecessary portion of the hardened resin R on the wafer 10 It is possible to prevent the proposal of the grinding position of the wafer 10 by the resin R in step S115, thereby improving the accuracy of grinding and improving the grinding efficiency. Alternatively, the wafer 10 provided in the bottom jig may be provided to fit into the space provided by the bottom jig without any tolerance. There is no space between the bottom jig and the wafer 10 to prevent overflow of the resin R, thereby omitting the side cutting step, thereby efficiently operating the process.

도 8은 연삭단계를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 1과 함께 도 8을 참조하면, 상기 연삭단계 (S115)는, 예컨대 백그라인딩 (back grinding)의 일종으로 연마기 (40)를 이용하여 상기 웨이퍼 (10)의 제2 면 (10b)를 연삭하여 상기 이격부 (12)에 구비된 경화된 레진 (R)이 노출시킬 수 있다. 이때, 상기 웨이퍼 (10)는 이격부 (12)에 충진된 레진 (R)이 영향을 받지 않도록 상기 웨이퍼 (10)의 이격부 (12)의 하단부까지 연삭된다. 상기 연삭단계 (S115)에서 사용되는 연마기 (40)는 평평한 면으로 상기 웨이퍼 (10)의 제2 면 (10b)을 균일하도록 연삭할 수 있으며, 연삭이 완료된 웨이퍼 (10)는 반도체칩 (11)과 이격부 (12)가 동일한 바닥면을 갖도록 연삭되므로 상기 웨이퍼 (10)의 제2 면 (10b)은 반도체칩 (11)과 이격부 (12)에 구비된 레진 (R)이 서로 교대로 구비될 수 있다. 상기 분할단계 (S116)는 제2 면 (10b)이 연삭된 웨이퍼 (10)를 각각의 단위 반도체칩 (11)으로 분할할 수 있다. 상기 연삭단계 (S115)가 종료된 후, 상기 웨이퍼 (10)의 제2 면에 마운트 테이프를 부착시켜 웨이퍼를 고정시킨 후 상기 마운트 테이프를 양측으로 팽창시키는 등에 의하여 상기 반도체칩 (11)을 분할하거나, 혹은 핀 등을 이용하여 반도체칩을 밀어 올려 상기 반도체칩을 분할할 수 있다. 본 발명의 다른 실시예에서 제1 면에 복수개의 단위 반도체칩이 패턴화된 웨이퍼를 커팅하여 제조하는 반도체칩 제조방법은, 상기 웨이퍼의 제1 면이 상부에 위치하도록 상기 웨이퍼를 바텀지그 내에 구비시키는 웨이퍼장착단계; 상기 바텀지그 내에 장착된 웨이퍼의 위치를 정렬하는 프리얼라인단계; 상기 제1 면의 적어도 일부에 레진을 토출시켜 구비시키는 레진토출단계; 상기 제1 면의 상부에서 상기 레진을 탑지그를 이용하여 가압하여 상기 웨이퍼의 제1 면에 도포시키는 도포단계; 상기 제1 면에 도포된 레진을 경화시키는 경화단계; 상기 웨이퍼의 노치부와 플랫부의 외측으로 오버플로우되어 경화된 레진을 제거하는 사이드커팅단계; 상기 레진이 노출되도록 상기 웨이퍼의 제1 면의 반대면인 제2 면을 연삭하는 연삭단계; 및 상기 단위 반도체칩을 분할하는 분할단계;를 포함하고, 상기 경화단계에서 상기 탑지그의 상부면에는 상기 레진으로 가해지는 압력을 측정하는 센서가 구비되고, 상기 센서는 상기 탑지그의 중심부를 기준으로 서로 동일한 간격으로 이격되어 구비되는 제1 내지 제4 센서를 포함하고, 상기 제1 내지 제4 센서에서 측정된 레진의 압력은 제어부로 전달되며, 상기 제어부는 상기 측정된 레진의 압력과 미리 입력된 기준값과 비교하여 상기 탑지그에서 상기 레진으로 가해지는 압력을 제어한다. 전술한 바와 같이 본 발명의 실시예들에 따른 반도체칩의 제조방법은 이웃하는 반도체칩 사이의 이격부에 레진을 충진시킴으로써 반도체칩을 분할하는 과정에서 반도체칩 사이에 실리콘 더스트 등의 유입 및 반도체칩의 밀림현상등을 빙지할 수 있다. 또한, 반도체칩의 칩핑을 방지할 수 있으므로, 통상의 방식에 의한 반도체칩보다 2배 이상의 강도를 갖는 박형화된 고품질의 반도체칩을 용이하게 제조할 수 있다. 또한, 생산비의 측면에서도 통상의 다이싱 공정에 대해서는 절반수준의 생산비가 소요되고, DBG 공정과 비교한 경우에는 60% 내지 70% 수준의 비용만이 소비되므로 제조원가를 절감할 수 있다.8 is a view schematically showing the grinding step. Referring to FIG. 8 together with FIG. 1, the grinding step S115 is performed by grinding the second surface 10b of the wafer 10 using a grinder 40 as a kind of back grinding The cured resin R provided on the spacing portion 12 can be exposed. At this time, the wafer 10 is ground to the lower end of the spacing portion 12 of the wafer 10 so that the resin R filled in the spacing portion 12 is not affected. The grinding machine 40 used in the grinding step S115 may grind the second surface 10b of the wafer 10 to be even with a flat surface, The second surface 10b of the wafer 10 is formed such that the semiconductor chip 11 and the resin R provided in the spacing portion 12 are alternately arranged . In the dividing step S116, the wafer 10 on which the second surface 10b is ground can be divided into the unit semiconductor chips 11. After the grinding step S115 is completed, the semiconductor chip 11 is divided or divided by fixing the wafer by attaching a mount tape to the second surface of the wafer 10 and then expanding the mount tape to both sides Alternatively, the semiconductor chip can be divided by pushing up the semiconductor chip using a pin or the like. According to another embodiment of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor chip by cutting a wafer having a plurality of unit semiconductor chips patterned on a first surface thereof, the method comprising the steps of: A wafer mounting step; A prealigning step of aligning the position of the wafer mounted in the bottom jig; A resin discharging step of discharging resin on at least a part of the first surface; Applying the resin on the first surface of the wafer by pressing the resin on top of the first surface using a topping paper; A curing step of curing the resin coated on the first side; A side cutting step of removing the hardened resin by overflowing the notched portion and the flat portion of the wafer; A grinding step of grinding a second face opposite to the first face of the wafer so that the resin is exposed; And a dividing step of dividing the unit semiconductor chip. In the curing step, a sensor for measuring a pressure applied to the resin is provided on an upper surface of the overlay, Wherein the pressure of the resin measured by the first to fourth sensors is transmitted to the controller, and the controller controls the pressure of the resin to be measured and the previously input reference value To control the pressure applied to the resin in the top jig. As described above, in the method of manufacturing a semiconductor chip according to the embodiments of the present invention, resin is filled in the spacing part between neighboring semiconductor chips, so that in the process of dividing the semiconductor chip, And the like. Further, since it is possible to prevent chipping of the semiconductor chip, it is possible to easily manufacture a thin, high-quality semiconductor chip having a strength two times or more higher than that of the semiconductor chip by a conventional method. In terms of the production cost, the conventional dicing process requires a production cost of half the level, and in comparison with the DBG process, only the cost of 60% to 70% is consumed, thereby reducing the manufacturing cost.

한편, 상기 반도체 설비(403) 운용 단계(S110)는, 웨이퍼 연마 장치를 이용하여 상기 웨이퍼를 연마 가공하기 위한 웨이퍼 연마 가공 단계를 더 포함한다. 이하에서 상기 웨이퍼 연마 장치에 대하여 구체적으로 설명하기로 한다.Meanwhile, the step (S110) of operating the semiconductor facility 403 further includes a wafer polishing process for polishing the wafer using the wafer polishing apparatus. Hereinafter, the wafer polishing apparatus will be described in detail.

웨이퍼 연마 장치 1Wafer Polishing Apparatus 1

도 10 내지 도 12에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 웨이퍼 연마장치(2100)는 몸체부(B), 연마부(2110), 세정부(2120), 확대표시부(2130), 시편홀딩부(2140), 이송유닛(2150), 왕복이동유닛(2160)이 일체로 이루어져 있다. 연마부(2110)는 원통형의 연마제(2111)를 포함하여 형성되어 웨이퍼를 연마한다. 연마부(2110)는 연마제(2111)를 지지하며 연마제(2111)가 중심축을 기준으로 하여 회전되도록 하기 위한 베어링과 전기모터 등을 구비할 수 있다. 회전하는 원통형의 연마제(2111)에 의해 연마가 행해지므로, 연마 시 선접촉이 이루어져 웨이퍼의 모든 면이 균일하게 연마된다. 연마제는 고체 숫돌입자(연마용 입자)와 산화성 물질을 주성분으로 하는 것이 일반적이다. 고체 숫돌입자로서는 수 10∼수100nm의 입자직경을 갖는 알루미나 숫돌입자나실리카(silica)숫돌입자가 사용될 수 있다. 산화성물질로서는 과산화수소(H2O2), 질산 제2철(Fe(NO3)3), 과옥소산칼륨 (KIO3)이 사용될 수 있다. 세정부(2120)는 연마부(2110)에서 연마된 웨이퍼를 세정하고 건조한다. 따라서 세정부(2120)는 세척수를 분사하는 세척수 분사노즐(2121), 세척수가 묻은 웨이퍼를 건조시키기 위해 기체를 공급하는 에어 분사노즐(2122)을 포함하고 있다. 확대표시부(2130)는 웨이퍼의 영상을 획득하여 확대, 표시한다. 따라서 작업자는 확대표시부(2130)를 통해 웨이퍼의 연마 상태를 확인할 수 있다. 확대표시부(2130)는 웨이퍼의 영상을 획득하여 전기신호로 변환하는 CCD 또는 CMOS 등의 이미지 센서(2131), 이미지 센서로부터 받은 신호를 처리하여 표시장치로 전송하는 제어회로(2132), 제어회로(2132)로부터 전송된 신호를 화면에 표시하는 LCD, PDP, LED, OLED 등의 디스플레이 장치(2133) 등을 포함 할 수 있다. 시편홀딩부(2140)는, 도 11에 도시된 바와 같이, 리니어모터(2141)와 리니어모터(2141) 하측에 결합된 압전구동기(2142), 압전구동기(2142) 하측에 결합된 진공 척(2143)으로 이루어져 있다. 이와 같이 구성된 시편홀딩부(2140)는 진공 척(2143)의 흡인력에 의해 웨이퍼(W)를 홀딩하며 웨이퍼(W)를 상하 이동시킨다. 종래에는 웨이퍼를 홀딩하기 위해 몰딩하거나 접착제를 사용하였는데, 이런 방식은 견고하지만 번거롭고 시간이 많이 걸리는 단점이 있었다. 본 발명에 따른 방식은 웨이퍼의 탈부착이 용이하여 작업시간과 비용을 줄일 수 있다는 장점이 있다. 진공 척은 다공질 금속을 이용하여 제작하는 것이 바람직하다. 또한, 압전구동기(2142)와 리니어모터(2141)를 이용하여 웨이퍼가 연마제(2111)에 닿는 힘을 피드백 받아 조절함으로써, 정확한 연마량 조절이 가능하게 된다. 이송유닛(2150)은 연마부(2110), 세정부(2120), 확대표시부(2130) 간에 시편홀딩부(2140)가 이송되도록 한다. 이송유닛(2150)으로는 시편홀딩부(2140)의 이송을 안내하기 위한 엘엠(Linear Module; LM) 가이드(미도시)와 시편홀딩부(2140)에 이송력을 제공하는 공압실린더(미도시)가 사용될 수도 있고 리니어모터(미도시)가 사용될 수도 있다. 정밀한 제어를 위해서는 리니어모터가 바람직하다. 그리고 이러한 공압실린더나 리니어모터를 동작시키기 위한 제어장치를 더 구비하여 웨이퍼를 연마한 후, 웨이퍼를 시편홀딩부로부터 탈착하는 등의 수작업 없이 버튼 조작을 통해 시편홀딩부를 이송시켜 연마된 양과 표면 상태의 확인이 가능하므로 작업효율성이 대폭 향상된다. 왕복이동유닛(미도시)은 연마부(2110)가 웨이퍼를 연마 시 시편홀딩부(2140)가 좌우로 왕복이동하도록 한다. 왕복 이동유닛으로는 엘엠 가이드와 공압실린더가 사용되거나 리니어모터가 사용될 수 있다. 직선왕복운동하면서 웨이퍼가 연마됨에 따라, 1회 직선왕복 운동하는데 연마되는 양을 측정하여 연마량을 정확하게 조절할 수 있게 된다. 한편, 이러한 웨이퍼 연마 장치는 공조 시스템 또는 냉난방공조 제어 시스템이 가동되는 작업장에서 수행된다. 이하에서는 상기 공조 시스템과 상기 냉난방공 제어 시스템에 대하여 각각 설명하기로 한다.10 to 12, a wafer polishing apparatus 2100 according to a preferred embodiment of the present invention includes a body portion B, a polishing portion 2110, a cleaning portion 2120, an enlarged display portion 2130, A holding unit 2140, a transfer unit 2150, and a reciprocating unit 2160 are integrally formed. The polishing section 2110 is formed by including a cylindrical polishing agent 2111 to polish the wafer. The polishing unit 2110 may include a bearing and an electric motor for supporting the polishing compound 2111 and rotating the polishing compound 2111 with respect to the central axis. Since the polishing is performed by the rotating cylindrical abrasive 2111, line contact occurs during polishing, and all the surfaces of the wafer are uniformly polished. The abrasive is mainly composed of solid abrasive grains (abrasive grains) and oxidizing materials. As the solid abrasive grains, alumina abrasive grains or silica abrasive grains having a particle diameter of several tens to several hundreds of nm may be used. As the oxidizing substance, hydrogen peroxide (H2O2), ferric nitrate (Fe (NO3) 3) and potassium oxalate (KIO3) can be used. The cleaning section 2120 cleans and dries the polished wafer from the polishing section 2110. Therefore, the washing section 2120 includes a washing water spraying nozzle 2121 for spraying washing water, and an air spraying nozzle 2122 for supplying gas to dry the wafer with washing water. The enlarged display section 2130 acquires an image of the wafer and enlarges and displays the image. Accordingly, the operator can confirm the polishing state of the wafer through the enlarged display section 2130. [ The enlarged display section 2130 includes an image sensor 2131 such as CCD or CMOS for acquiring an image of the wafer and converting it into an electric signal, a control circuit 2132 for processing the signal received from the image sensor and transmitting the signal to the display device, A display device 2133 such as an LCD, a PDP, an LED, and an OLED for displaying a signal transmitted from the display device 2132 on the screen. 11, the sample holding unit 2140 includes a piezoelectric actuator 2142 coupled to the linear motor 2141 and the linear motor 2141 under the vacuum chuck 2143 coupled to the lower side of the piezoelectric actuator 2142, ). The specimen holding unit 2140 thus configured holds the wafer W by the suction force of the vacuum chuck 2143 and moves the wafer W up and down. Conventionally, molding or adhesive is used to hold a wafer, but this method is robust, but has a disadvantage that it is troublesome and time consuming. The method according to the present invention is advantageous in that it is easy to attach and detach wafers, thereby reducing work time and cost. The vacuum chuck is preferably fabricated using a porous metal. Further, by controlling the force of the wafer contacting the abrasive 2111 by using the piezoelectric actuator 2142 and the linear motor 2141, it is possible to control the accurate polishing amount. The transfer unit 2150 allows the specimen holding part 2140 to be transferred between the polishing part 2110, the cleaning part 2120 and the enlarged display part 2130. The transfer unit 2150 includes a linear module (LM) guide (not shown) for guiding the transfer of the specimen holding part 2140 and a pneumatic cylinder (not shown) for providing a transfer force to the specimen holding part 2140. [ Or a linear motor (not shown) may be used. A linear motor is preferred for precise control. Further, a control device for operating the pneumatic cylinder or the linear motor is further provided, and the wafer is polished. Then, the specimen holding part is transferred through button operation without any manual operation such as detaching the wafer from the specimen holding part, Because it can be confirmed, work efficiency is greatly improved. The reciprocating unit (not shown) causes the sample holder 2140 to reciprocate right and left when the polishing unit 2110 polishes the wafer. As the reciprocating unit, an LM guide and a pneumatic cylinder may be used, or a linear motor may be used. As the wafer is polished while linearly reciprocating, it is possible to precisely adjust the amount of polishing by measuring the amount of polishing performed once in a linear reciprocating motion. On the other hand, such a wafer polishing apparatus is performed in a workplace where an air conditioning system or a cooling / heating air conditioning control system is operated. Hereinafter, the air conditioning system and the cooling / heating air control system will be described, respectively.

공조 시스템Air conditioning system

도 29 내지 도 32에 도시된 바와 같이 상기 공조 시스템은 적어도 하나 이상의 실내기와 이를 제어하기 위한 하나의 실외기가 통신 가능하도록 연결된 냉난방 장치를 복수 개 구성하고, 적어도 하나 이상의 환기장치와 이를 제어하기 위한 하나의 제어수단이 통신 가능하도록 연결된 환기 시스템을 복수 개 구성하고, 상기 냉난방 장치와 환기 시스템간의 연동 운전을 제어하기 위한 중앙처리장치를 상기 냉난방 장치 및 환기 시스템과 통신 가능하도록 연결 구성된다. 여기서, 상기 냉난방 장치의 실외기와 실내기, 또는 상기 환기 시스템의 제어수단과 환기장치는 유,무선 통신라인을 통해 연결되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 중앙처리장치와 냉난방 장치, 또는 중앙처리장치와 환기 시스템은 네트워크 프로토콜에 의한 데이터 송수신이 이루어지도록 네트워크 통신라인을 통해 연결되는 것이 바람직하다. 그리고, 상기 중앙처리장치는 상기 냉난방 장치 또는 환기 시스템과 이더넷(Ethernet)을 통해 유기적으로 연결되어 상기 냉난방 장치 또는 환기 시스템의 운전을 원격 제어하는 고급 중앙제어기와, 상기 냉난방 장치 또는 환기 시스템이 이더넷을 통해 상기 고급 중앙제어기와 접속하기 위한 이더넷 게이트웨이로 구성되는데 특징이 있다. 그리고, 상기 중앙처리장치는 상기 냉난방 장치 또는 환기 시스템과 네트워크 통신라인을 통해 연결되어 상기 냉난방 장치 또는 환기 시스템의 운전을 제어하는 단순 중앙제어기로 구성된다. 그리고, 상기 중앙처리장치는 상기 냉난방 장치 또는 환기 시스템의 소비 전력을 파악하여 각 실내기 또는 환기 장치의 전력을 제어하기 위한 적산전력 시스템을 더 포함하는 것을 특징으로 한다. 그리고, 상기 냉난방 장치의 실외기는 실외정보 및 자신에게 연결된 실내기의 정보를 상기 중앙처리장치로 송신하고, 상기 중앙처리장치에서 출력된 각 실내기의 운전 제어신호를 수신하여 해당 실내기의 운전을 제어하도록 구성된다.그리고, 상기 환기 시스템의 제어수단은 자신에게 연결된 환기장치의 정보를 상기 중앙처리장치로 송신하고, 상기 중앙처리장치에서 출력된 각 환기장치의 운전 제어신호를 수신하여 해당 환기장치의 운전을 제어하도록 구성된다. 상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 하나의 실외기에 적어도 하나 이상의 실내기가 연결된 냉난방 장치 및, 하나의 제어기에 적어도 하나 이상의 환기장치가 연결된 환기 시스템으로 구성되는 공조 시스템의 제어방법에 있어서, 상기 냉난방 장치 및 환기 시스템과 통신라인으로 연결된 중앙처리장치에서, 상기 실외기 및 제어기와의 상호 데이터 통신을 통해 각 구역(Zone)별 실내기 및 환기장치의 연동 운전조건을 설정하는 단계; 그리고, 상기 설정된 운전조건에 따라 구역별 실내기와 환기장치를 연동 운전하도록 제어하는 단계로 이루어진 공조 시스템의 제어방법을 제공한다. 또한, 본 발명은 하나의 실외기에 적어도 하나 이상의 실내기가 연결된 냉난방 장치 및, 하나의 제어기에 적어도 하나 이상의 환기장치가 연결된 환기 시스템으로 구성되는 공조 시스템의 제어방법에 있어서, 상기 냉난방 장치 및 환기 시스템과 통신망으로 연결된 중앙처리장치에서, 상기 실외기 및 제어기와의 네트워크 통신을 통해 각 구역별 실내기 및 환기장치의 연동 운전조건을 설정하는 단계; 그리고, 상기 설정된 운전조건에 따라 구역별 실내기와 환기장치를 연동 운전하도록 원격 제어하는 단계로 이루어진 공조 시스템의 제어방법을 제공한다. 따라서, 본 발명에 의하면 다수의 냉난방 장치와 다수의 환기 시스템으로 이루어진 공조 시스템을 구현할 수 있으며, 중앙처리장치를 통하여 냉난방 장치와 환기 시스템간의 연동 운전을 제어할 수 있다. 이하 상기의 목적을 구체적으로 실현할 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명한다. 도 29과 도 30는 공조 시스템에 대한 구축 상태를 나타낸 도면으로, 공조 시스템은 다수의 냉난방 장치(60100)와 다수의 환기시스템(60200)이 네트워크 통신라인을 통해 중앙처리장치(60300)에 연결되어, 중앙처리장치(60300)에 의해 냉난방장치(60100)와 환기 시스템(60200)간의 연동운전 제어가 이루어지도록 구성된다. 상세하게 설명하면, 적어도 하나 이상의 실내기(60110)와 이를 제어하기 위한 하나의 실외기(60130)가 통신 가능하도록 연결된 냉난방 장치(60100)를 복수 개 구성하고, 적어도 하나 이상의 환기장치(60210)와 이를 제어하기 위한 하나의 제어수단(60230, 250, 250')이 통신 가능하도록 연결된 환기 시스템(60200)을 복수 개 구성하고, 상기 냉난방 장치(60100)와 환기 시스템(60200)간의 연동 운전을 제어하기 위한 중앙처리장치(60300)를 상기 냉난방 장치(60100) 및 환기 시스템(60200)과 통신 가능하도록 연결 구성한다.29 to 32, the air conditioning system includes a plurality of cooling / heating units connected to communicate at least one indoor unit and one outdoor unit for controlling the same, and at least one ventilation unit and one And a central processing unit for controlling an interlocking operation between the cooling / heating unit and the ventilation system is connected to the cooling / heating unit and the ventilation system so that the central processing unit can communicate with the cooling / heating unit and the ventilation system. Here, it is preferable that the outdoor unit and the indoor unit of the cooling / heating unit, or the control means of the ventilation system and the ventilator are connected through a wired or wireless communication line. The central processing unit, the cooling / heating unit, or the central processing unit and the ventilation system are preferably connected through a network communication line so that data transmission / reception by a network protocol is performed. The central processing unit is connected to the cooling / heating unit or the ventilation system through an Ethernet to control the operation of the cooling / heating unit or the ventilation system. The cooling / heating unit or the ventilation system controls the operation of the Ethernet And an Ethernet gateway for accessing the advanced central controller through the Ethernet gateway. The central processing unit is composed of a cooling / heating unit or a simple central controller connected to the ventilation system through a network communication line to control operation of the air conditioning or ventilation system. The central processing unit may further include an integrated power system for controlling the power of each indoor unit or the ventilator by sensing the power consumption of the cooling / heating unit or the ventilation system. The outdoor unit of the cooling / heating unit transmits information on outdoor information and indoor unit connected thereto to the central processing unit, receives operation control signals of the indoor units output from the central processing unit, and controls operation of the indoor unit The control means of the ventilation system transmits the information of the ventilator connected to the ventilator to the central processing unit, receives the operation control signal of each ventilator output from the central processing unit, Respectively. In order to achieve the above object, the present invention provides a control method of an air conditioning system comprising an air conditioning system in which at least one indoor unit is connected to one outdoor unit, and a ventilation system in which at least one ventilation unit is connected to one controller, Setting an interlocking operation condition of an indoor unit and a ventilation unit for each zone through a mutual data communication with the outdoor unit and the controller in a central processing unit connected to the device and the ventilation system and the communication line; And controlling the indoor unit and the ventilation unit to operate in an interlocking manner according to the set operation conditions. The present invention also provides a control method for an air conditioning system including an air conditioning system in which at least one indoor unit is connected to one outdoor unit and a ventilation system in which at least one ventilation unit is connected to one controller, Setting an interlocking operation condition of an indoor unit and a ventilator in each zone through a network communication with the outdoor unit and the controller in a central processing unit connected to a communication network; And controlling the indoor unit and the ventilation unit to operate in an interlocked manner according to the set operation conditions. Therefore, according to the present invention, it is possible to implement an air conditioning system including a plurality of cooling and heating units and a plurality of ventilation systems, and to control the interlocking operation between the air conditioning unit and the ventilation system through the central processing unit. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. 29 and 30 show the construction of the air conditioning system. In the air conditioning system, a plurality of cooling and heating units 60100 and a plurality of ventilation systems 60200 are connected to the central processing unit 60300 through a network communication line , And the central processing unit (60300) controls the interlocking operation between the cooling / heating unit (60100) and the ventilation system (60200). In detail, a plurality of cooling and heating units 60100 connected to communicate with at least one indoor unit 60110 and one outdoor unit 60130 for controlling the indoor unit 60110 are provided, and at least one ventilation unit 60210 and a control unit A plurality of ventilation systems 60200 are connected so that one control means 60230, 250 and 250 'for communicating with the ventilation system 60200 can communicate with the ventilation system 60200, The processing apparatus 60300 is connected to the cooling / heating apparatus 60100 and the ventilation system 60200 so as to be communicable with each other.

여기서, 상기 냉난방 장치(60100)는 멀티 타입과 다 압축기 타입의 경우 하나의 실외기에 다수의 실내기가 연결 구성되며, 패키지 타입(PAC; package air conditioner)과 벽장착 타입(60RAC; room air conditioner)의 경우 실외기와 실내기가 일대일 연결 구성된다. 이때, 상기 냉난방 장치(60100)의 실내기(60110)와 실외기(60130)는 유,무선 통신라인(60150)을 통해 연결되어, 실내기(60110)와 실외기(60130)간의 데이터 송수신이 가능하다. 이러한 구성에 의하면, 상기 실외기(60130)는 자신에게 연결된 모든 실내기(60110)의 실내정보를 공유하게 되며, 이를 중앙처리장치(60300)로 송신함과 아울러 상기 중앙처리장치(60300)에서 출력된 운전 제어신호에 따라 해당 실내기(60110)를 제어하게 된다. 그리고, 상기 환기 시스템(60200)은 다수 개의 환기 장치(60210)를 그룹으로 나누어 그룹별로 제어할 수 있는 그룹 제어기(60230)와, 하나 이상의 그룹 제어기(60230)와의 데이터 전달을 수행하는 메인 제어기(60250)로 구성된다. 또한, 환기 장치(60210)를 일대 일로 연결 구성하여 개별 제어할 수 있는 개별 제어기(60250')로 구성될 수 있다. 이때, 상기 환기장치(60210)와 그룹 제어기(60230), 또는 그룹 제어기(60230)와 메인 제어기(60250), 또는 환기장치(60210)와 개별제어기(60250')는 각각 유,무선 통신라인(60260)을 통해 서로 연결 구성되어 환기장치(60210)와 제어수단(60그룹 제어기, 메인 제어기, 개별 제어기)(60230, 60250, 60250')간의 데이터 송수신이 가능하다. 이러한 구성에 의하면, 상기 그룹 제어기(60230), 메인 제어기(60250) 및 개별 제어기(60250')는 자신에게 연결된 모든 환기장치(60210)의 정보를 공유하게 되며, 이를 중앙처리장치(60300)로 송신함과 아울러 중앙처리장치(60300)에서 출력된 운전 제어신호에 따라 해당 환기장치(60210)를 제어하게 된다. 그리고, 상기 중앙처리장치(60300)와 냉난방 장치(60100), 또는 중앙처리장치(60300)와 환기 시스템(60200)은 네트워크 프로토콜에 의한 데이터 송수신이 이루어지도록 네트워크 통신라인(60500)을 통해 연결 구성된다. 다시 말해, 실내기(60110)의 실내정보를 공유하는 실외기(60130)와; 환기장치(60210)의 정보를 공유하는 제어수단(그룹 제어기, 메인 제어기, 개별 제어기)(60230, 60250, 60250')은 중앙처리장치(60300)와의 데이터 송수신이 가능하도록 네트워크 통신라인(60500)을 통해 연결된다. 즉, 상기 중앙처리장치(60300)는 네트워크 통신을 통해 냉난방 장치(60100)의 실외기(60130)와 환기 시스템(60200)의 제어수단(60230, 60250, 60250')으로부터 실내기(60110) 및 환기장치(60210)의 정보를 공유할 수 있으며, 이러한 정보를 근거하여 실내기(60110) 및 환기장치(60210)의 연동 운전을 제어할 수 있다. 보통, 실내기(60110)와 환기장치(60210)의 경우 한 구역(Zone)에 함께 설치하게 되므로 구역별(660A)(660B)(660C)로 해당 구역의 실내 정보를 고려하여 동일구역에 설치된 실내기(60110)와 환기장치(60210)를 연동 운전시키는 것이 실내 공기질을 향상시키는데 효과적이다. 여기서, 상기 중앙처리장치(60300)는 이더넷(Ethernet)(60311)을 통해 냉난방 장치(60100) 또는 환기 시스템(60200)과 유기적으로 연결되어 상기 냉난방 장치(60100) 또는 환기 시스템(60200)의 연동 운전을 원격 제어하는 고급 중앙제어기(60310)와, 상기 냉난방 장치(60100) 또는 환기 시스템(60200)이 네트워크 통신라인(60500)에 연결되어 이더넷(60311)을 통해 고급 중앙제어기(60310)에 접속하기 위한 이더넷 게이트웨이(60313)로 구성된다.In the case of the multi-type and multi-compressor type, the cooling / heating apparatus 60100 is configured such that a plurality of indoor units are connected to one outdoor unit and a package air conditioner (PAC) and a room air conditioner The outdoor unit and the indoor unit are connected by a one-to-one connection. The indoor unit 60110 and the outdoor unit 60130 of the cooling and heating unit 60100 are connected to each other through an oil and wireless communication line 60150 so that data can be exchanged between the indoor unit 60110 and the outdoor unit 60130. According to this configuration, the outdoor unit 60130 shares indoor information of all the indoor units 60110 connected to the outdoor unit 60110, transmits the indoor information to the central processing unit 60300, And controls the corresponding indoor unit 60110 according to the control signal. The ventilation system 60200 includes a group controller 60230 that can group a plurality of ventilation devices 60210 into groups and control them in groups, and a main controller 60250 that performs data transfer with the at least one group controller 60230. [ ). Further, the ventilator 60210 can be constituted by a separate controller 60250 'that can individually control and connect the ventilators 60210 one-to-one. At this time, the ventilator 60210 and the group controller 60230, or the group controller 60230 and the main controller 60250, or the ventilator 60210 and the individual controller 60250 ' (60 group controllers, main controllers, individual controllers) (60230, 60250, 60250 '), which are connected to each other through a bus (not shown). According to this configuration, the group controller 60230, the main controller 60250, and the individual controller 60250 'share the information of all the ventilators 60210 connected thereto and transmit them to the central processing unit 60300 And controls the ventilator 60210 in accordance with the operation control signal output from the central processing unit 60300. The central processing unit 60300 and the cooling and heating unit 60100 or the central processing unit 60300 and the ventilation system 60200 are connected to each other through a network communication line 60500 so as to transmit and receive data by a network protocol . In other words, an outdoor unit 60130 that shares indoor information of the indoor unit 60110; The control means (group controller, main controller, individual controller) 60230, 60250, 60250 'sharing the information of the ventilation device 60210 is connected to the network communication line 60500 so as to be able to exchange data with the central processing unit 60300 Lt; / RTI &gt; That is, the central processing unit 60300 is connected to the outdoor unit 60130 of the cooling / heating unit 60100 and the control unit 60230, 60250, and 60250 'of the ventilation system 60200 via the network communication to the indoor unit 60110 and the ventilator 60210, and can control the interlocking operation of the indoor unit 60110 and the ventilator 60210 based on this information. Since the indoor unit 60110 and the ventilation unit 60210 are installed together in one zone, the indoor units 60110 and 60210 are installed in the same zone in consideration of the indoor information of the corresponding zone by the zones 660A, 660B, and 660C 60110 and the ventilator 60210 are effective for improving indoor air quality. The central processing unit 60300 is connected to the heating / cooling unit 60100 or the ventilation system 60200 through an Ethernet 60311 and is connected to the cooling / heating unit 60100 or the ventilation system 60200 An air conditioner 60100 or ventilation system 60200 is connected to the network communication line 60500 and connected to the advanced central controller 60310 via the Ethernet 60311 And an Ethernet gateway 60313.

한편, 상기 중앙처리장치(60300)는 냉난방 장치(60100) 및 환기 시스템(60200)과 네트워크 통신라인(60500)을 통해 단순 연결되어 상기 냉난방 장치(60100) 또는 환기 시스템(60200)의 운전을 제어하는 단순 중앙제어기(60330)로 구성될 수도 있다. 예를 들어, 16실의 실내기 정보를 가진 실외기의 경우 16실 제어용 단순 중앙제어기를 이용하여 16실의 실내기를 제어할 수 있다.그리고, 상기 중앙처리장치(60300)는 통신 가능하게 연결된 모든 실내기(60110) 또는 환기 장치(60210)의 소비 전력을 파악하여 각 실내기(60110) 또는 환기 장치(60210)의 전력을 제어하기 위한 적산전력 시스템(60350)을 더 포함하여 구성할 수 있다. 이러한 구성에 의하면, 상기 중앙처리장치(60300)는 냉난방 장치(60100)와 환기 시스템(60200)간의 네트워크 통신을 통해 모든 실내기(60110) 및 환기장치(60210)의 전력에 대한 중앙 제어가 가능하다. 이와 같이 구성된 본 발명에 따른 공조 시스템에 있어, 냉난방 장치(60100)와 환기 시스템(60200)의 연동 운전 제어방법의 실시예를 설명하면 다음과 같다. 도 31는 여름철의 경우 공조 시스템의 연동 운전 제어방법을 도시한 순서도이다. 본 발명에 따른 공조 시스템의 중앙처리장치(60300)는 냉난방 장치(60100) 및 환기 시스템(60200)과의 데이터 송수신이 가능하도록 네트워크 통신라인(60500)을 통해 연결 구성된다. 도시한 바와 같이, 상기 중앙처리장치(60300)는 모든 실내기(60110)의 정보를 공유하는 실외기(60130)로부터 현재 실외온도와 각 구역별 실내기(60110)에서 감지된 실내온도를 주기적으로 수신하게 된다(S610). 이때, 상기 중앙처리장치(60300)는 현재 실외온도와 각 구역의 실내온도 레벨을 근거하여 구역별 실내기(60110)와 환기장치(60210)의 연동 운전을 제어하기 위한 운전 제어신호를 출력하게 된다. 이어서, 상기 중앙처리장치(60300)에서 출력된 운전 제어신호는 네트워크 통신을 통해 냉난방 장치(60100)의 실외기(60130)와 환기 시스템(60200)의 제어수단(60230, 60250, 60250')으로 전송되고, 상기 실외기(60130)와 제어수단(60230, 60250, 60250')은 중앙처리장치(60200)로부터 전송된 운전 제어신호에 따라 각 구역의 실내기(60110)와 환기장치(60210)의 운전을 제어하게 된다. 상세히 설명하면, 상기 실외기(60130)로부터 수신된 실외온도 레벨을 판단하여(S612), 현재 실외온도가 기 설정된 제 1 실외 설정온도(T1) 이상으로 높을 경우 구역별 실내기(60110)의 실내온도 레벨을 판단한다(S614). 현재 실외 온도가 제 1 실외설정온도(T1) 이상으로 높고 특정 구역의 실내온도가 제 1 실내설정온도(60C1) 이상으로 높을 경우 해당 구역의 실내온도를 신속하게 내리기 위해 환기장치(60210)를 정지시키고 실내기(60110)의 풍량(60냉풍)을 '강풍'으로 설정한다(S616). 한편, 현재 실외 온도가 제 1 실외설정온도(T1) 이상으로 높으나 실내온도가 제 1 실내설정온도(60C1)보다 낮고 제 2 실내설정온도(60C2)보다 높으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '약풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '중풍'으로 설정한다(S618, S20). 그리고, 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T1) 이상으로 높으나 실내온도가 제 2 실내설정온도(60C2)보다 낮으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '중풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '약풍'으로 설정한다(S622). 한편, 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T1)보다 낮고 제 2 실외설정온도(T2)보다 높을 경우, 특정 구역의 실내온도가 제 1 실내설정온도(60C1)보다 낮고 제 2 실내설정온도(60C2)보다 높으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '약풍'으로 설정하고실내기(60110)를 '중풍'으로 설정한다(S624~S28). 그리고, 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T1)보다 낮고 제 2 실외설정온도(T2)보다 높을 경우, 실내온도가 제 2 실내 설정온도(60C2)보다 낮으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '중풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '약풍'으로 설정한다(S630). 그리고, 현재 실외온도가 제 2 실외설정온도(T2) 이하로 낮을 경우 해당 구역의 실내온도를 유지하기 위해 환기장치(60210)를 '강풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 정지시킨다(S632). 이와 같이, 여름철 환기장치(60210)와 실내기(60110)의 연동운전을 제어하는데 있어, 주기적으로 실외기(60130)로부터 현재 실외온도와 각 구역별 실내기(60110)의 실내온도를 수신하여 실외온도 및 각 구역의 실내온도에 따라 환기장치(60210)와 실내기(60110)의 운전 조건을 재설정한다. 도 32는 겨울철의 경우 공조 시스템의 연동 운전 제어방법을 도시한 순서도이다. 도시한 바와 같이, 상기 중앙처리장치(60300)는 모든 실내기(60110)의 정보를 공유하는 실외기(60130)로부터 현재 실외온도와 각 구역별 실내기(60110)에서 감지된 실내온도를 주기적으로 수신하게 된다(S650). 이때, 상기 중앙처리장치(60300)는 현재 실외온도와 각 구역의 실내온도 레벨을 근거하여 구역별 실내기(60110)와 환기장치(60210)의 연동 운전을 제어한다. 상세히 설명하면, 상기 실외기(60130)로부터 수신된 실외온도 레벨을 판단하여(S652), 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T11) 이하로 낮을 경우 구역별 실내기(60110)의 실내온도 레벨을 판단한다(S654). 현재 실외 온도가 제 1 실외설정온도(T11) 이하로 낮고 특정 구역의 실내온도가 제 1 실내설정온도(H1) 이하로 낮을 경우 해당 구역의 실내온도를 신속하게 올리기 위해 환기장치(60210)를 정지시키고 실내기(60110)의 풍량(60온풍)을 '강풍'으로 설정 한다(S656). 한편, 현재 실외 온도가 제 1 실외설정온도(T11) 이하로 낮으나 실내온도가 제 1 실내설정온도(H1)보다 높고 제 2 실내설정온도(H2)보다 낮으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '약풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '중풍'으로 설정한다(S658, S60). 그리고, 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T11) 이하로 낮으나 실내온도가 제 2 실내설정온도(H2)보다 높으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '중풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '약풍'으로 설정한다(S662). 한편, 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T11)보다 높고 제 2 실외설정온도(T22)보다 낮을 경우, 특정 구역의 실내온도가 제 1 실내설정온도(H1)보다 높고 제 2 실내설정온도(H2)보다 낮으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '약풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '중풍'으로 설정한다(S664~S668). 그리고, 현재 실외온도가 제 1 실외설정온도(T11)보다 높고 제 2 실외설정온도(T22)보다 낮을 경우, 실내온도가 제 2 실내설정온도(H2)보다 높으면 해당 구역의 환기장치(60210)를 '중풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 '약풍'으로 설정한다(S670). 그리고, 현재 실외온도가 제 2 실외설정온도(T22) 이상으로 높을 경우 해당 구역의 실내온도를 유지하기 위해 환기장치(60210)를 '강풍'으로 설정하고 실내기(60110)를 정지시킨다(S672). 이러한 공조 과정에서 실외기(60130)로부터 현재 실외온도와 각 구역별 실내기(60110)의 실내온도를 주기적으로 수신하여 실외온도 및 각 구역의 실내온도에 따라 환기장치(60210)와 실내기(60110)의 운전 조건을 재설정한다.따라서, 본 발명은 다수의 냉난방 장치(60100)와 환기 시스템(60200)을 네트워크 통신라인(60500)을 통해 중앙처리장치(60300)로 연결 구성함으로써 중앙처리장치(60300)에서 다수의 냉난방 장치(60100)와 환기 시스템(60200)에 대한 연동 운전을 제어할 수 있다. 그리고, 다수의 실내기(60110) 정보를 가진 실외기(60130), 또는 다수의 환기장치(60210) 정보를 가진 제어수단(60230, 250, 250')와 데이터 송수신이 가능하므로 냉난방 장치(60100)와 환기 시스템(60200)에 대한 구역별 제어 및 그룹별 제어가 가능하다.The central processing unit 60300 is connected to the air conditioning unit 60100 and the ventilation system 60200 through a network communication line 60500 to control the operation of the air conditioning unit 60100 or the ventilation system 60200 And a simple central controller 60330. For example, in the case of an outdoor unit having 16 indoor units information, 16 indoor units can be controlled by using a simple central controller for controlling 16 rooms. The central processing unit 60300 is connected to all indoor units 60110 or an integrated power system 60350 for controlling the power of each indoor unit 60110 or the ventilator 60210 by monitoring the power consumption of the ventilator 60210. According to such a configuration, the central processing unit 60300 can centrally control the power of all the indoor units 60110 and the ventilator 60210 through network communication between the cooling / heating unit 60100 and the ventilation system 60200. In the air conditioning system according to the present invention configured as described above, an embodiment of the interlocking operation control method of the air conditioner 60100 and the ventilation system 60200 will be described. 31 is a flowchart showing a method of controlling an interlocked operation of an air conditioning system in the case of summer. The central processing unit 60300 of the air conditioning system according to the present invention is connected through a network communication line 60500 so as to transmit and receive data to and from the air conditioner 60100 and the ventilation system 60200. As shown in the figure, the central processing unit 60300 periodically receives the outdoor temperature and the indoor temperature sensed by the indoor unit 60110 from the outdoor unit 60130 sharing information of all the indoor units 60110 (S610). At this time, the central processing unit 60300 outputs an operation control signal for controlling the interlocking operation of the indoor unit 60110 and the ventilator 60210 according to the zone, based on the outdoor temperature and the indoor temperature level of each zone. Subsequently, the operation control signal output from the central processing unit 60300 is transmitted to the outdoor unit 60130 of the cooling / heating unit 60100 and the control unit 60230, 60250, 60250 'of the ventilation system 60200 through the network communication , The outdoor unit 60130 and the control units 60230, 60250, and 60250 'control operations of the indoor unit 60110 and the ventilator 60210 in the respective zones according to the operation control signal transmitted from the central processing unit 60200 do. In detail, the outdoor temperature level received from the outdoor unit 60130 is determined (S612). If the outdoor temperature is higher than the predetermined first outdoor set temperature T1, the indoor temperature level of the indoor unit 60110 (S614). If the current outdoor temperature is higher than the first outdoor preset temperature T1 and the indoor temperature of the specific area is higher than the first indoor set temperature 60C1, the ventilator 60210 is stopped to quickly lower the indoor temperature of the corresponding area And sets the air volume (60 cold air) of the indoor unit 60110 as 'strong wind' (S616). On the other hand, if the outdoor temperature is higher than the first outdoor preset temperature T1 but the indoor temperature is lower than the first indoor set temperature 60C1 and higher than the second indoor set temperature 60C2, And sets the indoor unit 60110 to 'Storm' (S618 and S20). If the current outdoor temperature is higher than the first outdoor preset temperature T1 but the indoor temperature is lower than the second indoor set temperature 60C2, the ventilator 60210 of the corresponding area is set as' To &quot; weak wind &quot; (S622). On the other hand, when the outdoor temperature is lower than the first outdoor set temperature T1 and higher than the second outdoor set temperature T2, the indoor temperature of the specific area is lower than the first indoor set temperature 60C1 and the second indoor set temperature 60C2, the ventilator 60210 of the corresponding area is set as a "weak wind", and the indoor unit 60110 is set as a "blow" (S624 to S28). If the outdoor temperature is lower than the first outdoor preset temperature T1 and higher than the second outdoor preset temperature T2 and the indoor temperature is lower than the second indoor set temperature 60C2, And sets the indoor unit 60110 as 'weak wind' (S630). If the current outdoor temperature is lower than the second outdoor preset temperature T2, the ventilator 60210 is set to 'strong wind' and the indoor unit 60110 is stopped to maintain the indoor temperature of the corresponding area (S632). In order to control the interlocking operation of the ventilation device 60210 and the indoor unit 60110 in this way, the outdoor temperature and the indoor temperature of the indoor unit 60110 are periodically received from the outdoor unit 60130, The operating conditions of the ventilator 60210 and the indoor unit 60110 are reset according to the indoor temperature of the area. 32 is a flowchart showing a control method of an interlocked operation of the air conditioning system in the winter season. As shown in the figure, the central processing unit 60300 periodically receives the outdoor temperature and the indoor temperature sensed by the indoor unit 60110 from the outdoor unit 60130 sharing information of all the indoor units 60110 (S650). At this time, the central processing unit 60300 controls the interlocking operation of the indoor unit 60110 and the ventilator 60210 according to the zone, based on the outdoor temperature and the indoor temperature level of each zone. More specifically, the outdoor temperature level received from the outdoor unit 60130 is determined (S652). If the outdoor temperature is lower than the first outdoor preset temperature T11, the indoor temperature level of the indoor unit 60110 is determined (S654). When the outdoor temperature is lower than the first outdoor preset temperature T11 and the indoor temperature of the specific area is lower than the first indoor set temperature H1, the ventilation device 60210 is stopped to quickly raise the indoor temperature of the corresponding area And sets the air volume (60 warm air) of the indoor unit 60110 to 'strong wind' (S656). On the other hand, if the current outdoor temperature is lower than the first outdoor preset temperature T11 but the indoor temperature is higher than the first indoor set temperature H1 and lower than the second indoor set temperature H2, the ventilator 60210 of the corresponding area And sets the indoor unit 60110 as 'Storm' (S658, S60). If the current outdoor temperature is lower than the first outdoor preset temperature T11 but the indoor temperature is higher than the second indoor set temperature H2, the ventilator 60210 of the corresponding area is set as a 'stall', and the indoor unit 60110 And sets it to "weak wind" (S662). On the other hand, when the current outdoor temperature is higher than the first outdoor preset temperature T11 and lower than the second outdoor preset temperature T22, the indoor temperature of the specific zone is higher than the first indoor set temperature H1 and the second indoor set temperature H2, the ventilator 60210 of the corresponding area is set to 'weak wind', and the indoor unit 60110 is set to 'stern' (S664 to S668). If the outdoor temperature is higher than the first outdoor preset temperature T11 and lower than the second outdoor preset temperature T22 and the indoor temperature is higher than the second indoor indoor temperature H2, the ventilator 60210 And the indoor unit 60110 is set as a 'weak wind' (S670). If the current outdoor temperature is higher than the second outdoor preset temperature T22, the ventilator 60210 is set to 'strong wind' and the indoor unit 60110 is stopped (S672) to maintain the indoor temperature of the corresponding zone. In this air conditioning process, the current outdoor temperature and the indoor temperature of the indoor unit 60110 are periodically received from the outdoor unit 60130, and the operation of the ventilator 60210 and the indoor unit 60110 is performed according to the outdoor temperature and the room temperature of each zone The present invention resides in that a plurality of cooling and heating apparatuses 60100 and a ventilation system 60200 are connected to a central processing unit 60300 via a network communication line 60500 so that a plurality The cooling / heating apparatus 60100 and the ventilation system 60200 can be controlled. Since it is possible to transmit and receive data to and from the outdoor unit 60130 having information on a plurality of indoor units 60110 or the control units 60230, 250 and 250 'having information on a plurality of the ventilating units 60210, Zone control and group control for system 60200 is possible.

냉난방 공조 제어 시스템HVAC control system

도 26 내지 도 28에 도시된 바와 같이 상기 냉난반 공조 제어 시스템은 복수 개의 냉난방공조 장치(5010)에 대한 모니터링 및 제어기능을 수행하는 제어시스템으로서, 상기 복수 개의 냉난방공조 장치(5010) 각각의 운전상태에 대한 정보인 운전 데이터를 제공받고 소정의 알고리즘에 따라 상기 냉난방공조 장치를 제어하기 위한 운전 파라미터를 상기 냉난방공조 장치에 제공하는 중앙처리장치(50150); 상기 복수 개의 냉난방공조 장치(5010)와 개별적인 프로토콜로 각각 연결되고 상기 중앙처리장치(50150)와 TCP/IP프로토콜로 연결되어, 상기 냉난방공조 장치(5010)와 상기 중앙처리장치(50150) 사이에서 프로토콜을 상호 변환하면서 데이터를 중계하는 프로토콜 컨버터(50110); 및 상기 운전 데이터를 사용자에게 표시하고, 상기 운전 파라미터를 관리자로부터 제공받아 상기 중앙처리장치에 제공하는 휴대 단말기(50130)를 포함하는 것을 특징으로 하되, 상기 프로토콜 컨버터(50110)는 백넷(BACnet) 프로토콜 컨버터(50112)를 더 포함한다. As shown in FIGS. 26 to 28, the cold rolling avalanche air conditioning control system is a control system that performs monitoring and control functions for a plurality of heating and cooling air conditioning apparatuses 5010, and controls the operation of each of the plurality of heating and cooling air conditioning apparatuses 5010 A central processing unit (50150) for receiving operation data, which is information on a state, and providing operation parameters for controlling the heating and cooling air conditioning apparatus according to a predetermined algorithm to the air conditioning and heating air conditioning apparatus; The air conditioner 5050 is connected to the plurality of cooling and heating air conditioners 5010 through respective protocols and is connected to the central processing unit 50150 through a TCP / IP protocol, A protocol converter 50110 for relaying data while converting the protocol converter 50110; And a portable terminal (50130) for displaying the operation data to the user and receiving the operation parameter from the manager and providing the operation parameter to the central processing unit. The protocol converter (50110) Gt; 50112 &lt; / RTI &gt;

보다 구체적으로 부연 설명하자면, 상기 냉난방공조 제어 시스템은 프로토콜 컨버터(Protocol Converter)(50110), 휴대 단말기(50130) 및 중앙처리장치(50150)를 포함한다. 상기 프로토콜 컨버터(50110)에는 적어도 하나의 각종 냉난방공조 장치(5010)가 연결되며, 휴대 단말기(50130)와 중앙처리장치(50150)는 인터넷을 통해 클라우드(50170)에 연결되어 있다. 여기서, 클라우드(50170)는 클라우드 서비스를 제공하는 각종 서버, 즉 클라우드 서버를 의미한다. 프로토콜 컨버터(50110)는 복수 개의 냉난방공조 장치(5010)들과 중앙처리장치(50150) 사이에 마련되어 냉난방공조 장치(5010)와 중앙처리장치(50150) 간의 프로토콜을 상호 변환시킨다. 이 경우, 상기 프로토콜 컨버터(50110)는 도 26에 나타낸 것과 같이 모드 버스 프로토콜(50Modbus)(50111) 및 프로토콜 컨버터(50150)는 백넷(50BACnet) 프로토콜 컨버터(50112)를 더 포함하여 구성된다. 부하 제어 객체(50LCO)는 부하 상태의 제어와 모니터링을 위한 매개변수와 인터페이스를 제공하고 있는데, 도 27은 부하 제어 객체에 정의되어 있는 매개변수를 예시하고 있다. 도 27에서 나타낸 것과 같이 부하 제어 객체에서는 부하의 상태를 제어하기 위한 변수뿐만아니라 사용자가 부하를 제어하기 위해 필요한 인터페이스를 제공하고 있다.More specifically, the cooling / heating air conditioning control system includes a protocol converter 50110, a portable terminal 50130, and a central processing unit 50150. At least one cooling and heating air conditioner 5010 is connected to the protocol converter 50110 and the portable terminal 50130 and the central processing unit 50150 are connected to the cloud 50170 via the Internet. Here, the cloud 50170 denotes various servers providing cloud services, that is, a cloud server. The protocol converter 50110 is provided between the plurality of cooling and heating air conditioners 5010 and the central processing unit 50150 to convert protocols between the cooling and heating air conditioner 5010 and the central processing unit 50150. In this case, the protocol converter 50110 is further configured to include a Modbus protocol (50Modbus) 50111 and a protocol converter 50150 as a 50BACnet protocol converter 50112 as shown in Fig. The load control object 50LCO provides parameters and interfaces for controlling and monitoring the load state. FIG. 27 illustrates the parameters defined in the load control object. As shown in FIG. 27, the load control object provides not only a variable for controlling the state of the load but also an interface necessary for the user to control the load.

도 27에서 도시된 BACnet LCO의 매개변수 중에서, 특히 부하의 상태를 제어하기 위한 변수는 'Requested Shed Level', 'Start Time', 'Shed Duration'이 있다. 'Requested Shed Level'은 희망하는 부하의 전력 사용 레벨을 의미하며, 이 변수를 이용하여 부하의 전력 에너지 사용량을 제어할 수 있다. 'Start Time'과 'Shed Duration' 은 각각 부하 제어를 위한 시작 시간과 제어 지속 시간을 의미하는 값으로, 이들을 통해 부하의 동작 시간을 제어할 수 있다. 예를 들어, 부하 제어 객체(LCO)의 부하를 언제부터(Start Time), 얼마 동안(Shed Duration), 어느 정도의 값(Requested Shed Level)으로 제어하게 된다. 이 경우, 상기 백넷(BACnet) 프로토콜 컨버터(50112)는 도 26 에 나타낸 것과 같이 백넷 클라인언트(50120)와 더 연결되는 것이 더 바람직하다. 또한, 상기 백넷(BACnet) 프로토콜 컨버터(50112)는 도 26 에 나타낸 것과 같이 그 설정을 일종의 메모리 매핑(50memory mapping)의 형태로 제어할 수 있도록 설정 제어 외부 단말기(50140)와 더 연결되는 것이 바람직하다. 한편, 복수 개의 냉난방공조 장치(5010)는 RS-485, RS-232C, ASIC/2-7540 또는 MODBUS 485 RTU 등과 같이 종래에 알려진 통신 프로토콜을 가진다. 이러한 프로토콜은 자체의 독립적이고 개별적인 연결만을 가능하게 한다. 이에 반하여, 프로토콜 컨버터(50110)와 중 앙제어장치(50150) 사이에는 TCP/IP 프로토콜로 연결되므로, 프로토콜 컨버터 (50110)는 냉난방공조 장치(5010)들이 자신들의 특정 통신 프로토콜을 통해 제공하는 정보를 TCP/IP로 일괄 변환하여 중앙처리장치(50150)에게 제공한다. 휴대 단말기(50130)는 이동통신 또는 무선랜 인터페이스를 이용하여 인터넷에 접속할 수 있는 모바일 단말기가 해당하며, 본 발명이 제시하는 기능 이외에 다양한 기능(전화, 카메라, 위치 인식 등)을 수행하기 위한 각종 구성을 포함한다. 다만, 이러한 구성 중 본 발명의 설명에 필수적이지 않은 구성에 대하여는 도면에 도시하지 않고 설명하지 않는다.Among the parameters of the BACnet LCO shown in FIG. 27, there are the 'Requested Shed Level', the 'Start Time', and the 'Shed Duration' for controlling the state of the load. 'Requested Shed Level' means the power usage level of the desired load, which can be used to control the power energy usage of the load. 'Start Time' and 'Shed Duration' mean the start time and control duration for load control, respectively, through which the operation time of the load can be controlled. For example, the load of the load control object (LCO) can be controlled from a predetermined value (Requested Shed Level) at any time from (Start Time) to (Shed Duration). In this case, it is more preferable that the BACnet protocol converter 50112 is further connected to the BACnet client 50120 as shown in FIG. The BACnet protocol converter 50112 is further connected to the configuration control external terminal 50140 so as to control the configuration in the form of a memory mapping (50memory mapping) as shown in FIG. 26 . On the other hand, the plurality of cooling and heating air conditioners 5010 have conventionally known communication protocols such as RS-485, RS-232C, ASIC / 2-7540 or MODBUS 485 RTU. These protocols allow for their own independent and individual connections. On the other hand, since the protocol converter 50110 and the central control unit 50150 are connected by the TCP / IP protocol, the protocol converter 50110 can transmit the information provided by the air conditioning and heating equipment 5010 through their specific communication protocol TCP / IP, and provides them to the central processing unit 50150. The mobile terminal 50130 corresponds to a mobile terminal capable of accessing the Internet using a mobile communication or a wireless LAN interface. In addition to the functions provided by the present invention, various configurations (phones, . However, among these configurations, configurations that are not essential to the description of the present invention are not shown in the drawings and will not be described.

도 28을 참조하면, 휴대 단말기(50130)는 본 발명의 특징적인 냉난방공조 제어를 수행하기 위하여, 표시부(50201), 입력부(50203), 네트워크 인터페이스부(50205) 및 제어부(50210)를 포함한다. 표시부(50201)는 엘시디(50LCD), 오엘이디(50OLED) 등과 같이 각종 정보를 시각적으로 인식할 수 있도록 표시하는 장치이고, 입력부(50203)는 사용자의 제어명령을 입력받기 위한 장치이다. 예컨대, 표시부(50201)와 입력부(50203)가 하나의 터치스크린(Touch Screen) 형태로 마련되는 것이 바람직하다. 네트워크 인터페이스부(50205)는 WCDMA(Wideband Code Division Multiple Access), LTE(Long Term Evolution) 등의 이동통신망 또는 무선랜(Wireless LAN) 등의 무선 인터페이스를 구비하여 인터넷을 통해 중앙처리장치(50150)에 접속하여, 중앙처리장치(50150)와 제어부(50210) 사이의 각종 정보를 상호 전달한다. 이하에서 예컨대 중앙처리장치(50150)와 휴대 단말기(50130)의 제어부(50210) 사이의 정보 전달이 네트워크 인터페이스부(50205)를 경유하지 않고 이루어지는 것처럼 설명되더라도, 이러한 표현은 단지 설명을 간단히 하기 위한 것이어서 실질적으로는 반드시 네트워크 인터페이스부(50205)를 통해 정보가 전달된다. 제어부(50210)는 휴대 단말기(50130)의 전반적인 동작을 제어하며, 본발명의 냉난방공조 제어를 수행하기 위하여 특별히 제어 클라이언트(50211)를 포함한다. 제어부(50210)는 본 발명을 위해 특별히 설치된 구성으로 해석될 수도 있으나, 일반적으로는 휴대 단말기(50130)의 주된 또는 기본 기능(예컨대, 전화, 통신 등)을 수행하기 위해 설치된 구성일 수도 있다. 이처럼 제어부(50210)가 휴대 단말기(50130)의 기본 기능을 수행하기 위해 설치된 구성일 경우, 제어부(50210)는 휴대단말기(50130)가 기본적으로 보유하는 하드웨어인 프로세서 칩(Processor Chip)과, 그 칩에 기반하여 동작하는 운영체제 프로그램(OS: Operating System)으로 구현되는 구성을 기능적으로 지시한 것일 수 있다. 다시 말해, 본 발명이 수행되지 않는 종래의 단말기 역시 제어부(50210)를 구비할 수 있다. 이러한 경우, 제어 클라이언트(50211)는 그 운영체제 프로그램상에서 동작하는 소프트웨어인 어플리케이션 (Application)으로서 본 발명의 실시를 위해 종래의 단말기에 설치된 것일 수 있다. 다시 말해 종래의 단말기에 본 발명의 제어클라이언트(50211)가 설치되면 본 발명의 휴대 단말기(50130)가 되는 것이다. 한편, 이러한 어플리케이션은 '프로그램 분배 서버(미도시)'에 마련되고 컴퓨터로 읽을 수 있는 저장매체에 기록된 프로그램일 수 있으며, 휴대 단말기(50130)가 인터넷을 통해 분배 서버(미도시)에 접속하여 해당 어플리케이션을 다운로드 받아 설치할 수도 있다. 제어 클라이언트(50211)는 중앙처리장치(50150) 또는 클라우드(50170)로부터 냉난방 장치(5010)의 운전 데이터를 제공받아 관리자에게 표시하고, 관리자의 제어명령을 중앙처리장치(50150)에게 제공한다. 이를 위해, 제어 클라이언트(50211)는 운전 데이터의 표시 및 제어 명령의 수집을 위한 그래픽 인터페이스를 제공할 수 있다. 중앙처리장치(50150)는 프로토콜 컨버터(50110)를 통해 복수 개의 냉난방공조 장치(5010)와 연결된다. 중앙처리장치(50150)는 각 냉난방공조 장치(5010)의 제어를 위한 운전 파라미터를 휴대 단말기(50130)로부터 제공받아 해당 냉난방공조 장치(5010)에게 제공하며, 그 제어결과를 프로토콜 컨버터(50110)를 통해 냉난방공조 장치(5010)로부터 제공받아 관리한다. 한편, 냉난방공조 장치(5010)가 직접 IP 망에 접속할 수 있는 경우에는 프로토콜 컨버터(50110)를 거치지 않고 직접 중앙처리장치(50150)와 연결되어 데이터를 송수신할 수 있다. 중앙처리장치(50150)는 냉난방공조 장치(5010) 각각의 현재 상태/ 제어결과/ 적용 중인 운전 파라미터 등을 포함하는 각종 정보를 자신의 표시장치(미도시)에 표시함과 동시에 클라우드(50170)에 제공한다. 휴대 단말기(50130)의 제어 클라이언트(50211)는 입력부(50203)로부터 관리자의 요청을 입력받으면, 클라우드(50170)에 접속하여 해당 운전 데이터를 다운받아 표시부(50201)를 통해 표시함으로써, 관리자가 상황을 모니터링하고 제어할 수 있도록 한다. 중앙처리장치(50150)는 에너지 절감을 위하여 다수의 제어 알고리즘을 수행한다. 먼저, 중앙처리장치(50150)는 복수 개의 냉난방공조 장치(5010)들 중에서 에너지 절감 성능이 우수한(예컨대, 최고 값을 가진) 냉난방공조 장치(5010)에 적용된 운전 파라미터를 '모범-운전 파라메타'로 지정하여, 동일하거나 유사한(50예커내, 에너지 소모량이 기준 값 이상인) 냉난방공조 장치(5010)에 이식함으로써 전체냉난방공조 장치(5010)의 에너지 절감 성능이 개선되도록 한다. 다음으로, 냉난방공조 장치(5010)가 냉동장치인 경우, 중앙처리장치(50150)는 해당 냉난방공조 장치(5010)로부터 수신된 운전 데이터를 분석하여, 해당 냉동장치의 냉수 출구 온도가 7°를 중심으로 헌팅이 심할 경우에 더 높은 설정온도를 가지도록 제어한다. 통상 냉동에 있어서 냉수 출구온도는 7°이며, 수신된 운전데이터가 7°를 중심으로 헌팅이 심하다는 것은 냉동기의 작동이 빈번하게 온(On)/오프(Off) 된다는 것을 의미한다. 따라서, 높은 설정온도(예를 들면 8°또는 9°)로 운전하면, 압축기의 입력 전류(즉, 소비전력)이 줄어 에너지가 절감되는 최적의 운전 조건을 유지할 수 있다. 한편, 냉각수 온도 제어. 냉각수 온도는 외부에 설치된 냉각탑에서 온도를 낮춰서 표준 32°정도의 냉각수를 계속 보내주고 있다. 냉각수가 통과하는 응축기의 전열관이 오염이 되면, 냉각수 전열관의 전열 성능이 하락하여 제 성능을 내지 못하게 되고, 정격보다 높은 소비입력이 투입되어도 표준 성능을 내지 못하게 된다. 이때, 중앙처리장치(50150)는 운전 데이터를 이용하여 이러한 사항을 파악하고, 관리자로 하여금 해당 전열관의 세관작업을 실시하도록 경고 메시지를 표시할 수 있다. 또한, 중앙처리장치(50150)는 특정 사이트(예컨대, 공장)에 복수 개의 냉동기가 설치된 경우에. 해당 냉동기의 온/오프 동작이 일반적인 기준 횟수 이상으로 많은 경우에 복수 개의 냉동기 중 하나를 오프하는 제어를 수행할 수 있다.28, the portable terminal 50130 includes a display unit 50201, an input unit 50203, a network interface unit 50205, and a control unit 50210 to perform the cooling / heating air conditioning control characteristic of the present invention. The display unit 50201 is a device for displaying various information such as the LCD 50LCD and the LED 50OLED so as to be visually recognizable. The input unit 50203 is a device for receiving a user's control command. For example, the display unit 50201 and the input unit 50203 are preferably provided in the form of a single touch screen. The network interface unit 50205 has a wireless interface such as a mobile communication network such as Wideband Code Division Multiple Access (WCDMA) or Long Term Evolution (LTE) or a wireless LAN, And transfers various information between the central processing unit 50150 and the control unit 50210 to each other. Although it is described below that information transfer between the central processing unit 50150 and the control unit 50210 of the portable terminal 50130 is performed without going through the network interface unit 50205, this expression is for simplicity of explanation only In practice, information is always transmitted through the network interface unit 50205. The control unit 50210 controls the overall operation of the portable terminal 50130 and specifically includes a control client 50211 to perform the cooling / heating air conditioning control of the present invention. The control unit 50210 may be interpreted as a configuration specifically installed for the present invention, but it may be a configuration that is generally installed to perform a main or basic function (e.g., telephone, communication, etc.) of the portable terminal 50130. When the control unit 50210 is installed to perform the basic functions of the portable terminal 50130, the control unit 50210 includes a processor chip, which is hardware that is basically possessed by the portable terminal 50130, (OS) that operates on the basis of an operating system (OS). In other words, a conventional terminal in which the present invention is not performed may also include a control unit 50210. [ In this case, the control client 50211 may be an application, which is software operating on the operating system program, and installed in a conventional terminal for the implementation of the present invention. In other words, when the control client 50211 of the present invention is installed in a conventional terminal, it becomes the portable terminal 50130 of the present invention. The application may be a program recorded in a computer-readable storage medium provided in a program distribution server (not shown), and the portable terminal 50130 may access the distribution server (not shown) via the Internet The application can be downloaded and installed. The control client 50211 receives the operation data of the cooling and heating unit 5010 from the central processing unit 50150 or the cloud 50170 and displays it to the manager and provides the control command of the manager to the central processing unit 50150. To this end, the control client 50211 may provide a graphical interface for displaying operation data and for collecting control commands. The central processing unit 50150 is connected to the plurality of heating and cooling air conditioning apparatuses 5010 through the protocol converter 50110. The central processing unit 50150 receives the operation parameters for controlling the respective heating and cooling air conditioning apparatus 5010 from the portable terminal 50130 and provides the operation parameters to the corresponding heating and cooling air conditioning apparatus 5010 and outputs the control results to the protocol converter 50110 And the air conditioner 5010 receives and manages the air conditioner. On the other hand, when the heating / cooling air conditioner 5010 can directly connect to the IP network, it can directly transmit / receive data by being connected to the central processing unit 50150 without going through the protocol converter 50110. The central processing unit 50150 displays various kinds of information including the current state / control result / applied operating parameter of each of the heating and cooling air conditioning apparatuses 5010 on its display device (not shown) to provide. The control client 50211 of the portable terminal 50130 receives the request of the manager from the input unit 50203 and connects to the cloud 50170 to download the corresponding operation data and displays the downloaded operation data through the display unit 50201, Monitoring, and control. The central processing unit 50150 performs a plurality of control algorithms for energy saving. First, the central processing unit 50150 compares the operating parameters applied to the heating and cooling air conditioning apparatus 5010 having excellent energy saving performance (for example, the highest value) among the plurality of heating and cooling air conditioning apparatuses 5010 as an 'exemplary operating parameter' And the energy saving performance of the entire air conditioning and air-conditioning apparatus 5010 is improved by implanting the same in the heating / cooling air conditioner 5010 which is the same or similar (in 50 cases, the energy consumption is equal to or greater than the reference value). Next, when the cooling / heating air-conditioning apparatus 5010 is a refrigerating apparatus, the central processing unit 50150 analyzes the operation data received from the air-conditioning and air-conditioning apparatus 5010 to determine whether the cold water outlet temperature of the refrigerating apparatus is 7 ° So as to have a higher set temperature when hunting is severe. The temperature of the cold water outlet is usually 7 ° in the case of freezing, and the fact that the received operation data is hunting around 7 ° means that the operation of the freezer is frequently turned on / off. Therefore, when the motor is operated at a high set temperature (for example, 8 or 9), the input current (i.e., power consumption) of the compressor is reduced and the optimum operating condition in which energy is saved can be maintained. On the other hand, cooling water temperature control. The cooling water temperature is lowered at the cooling tower installed in the outside, and the cooling water of the standard 32 ° is continuously supplied. If the heat transfer pipe of the condenser through which the cooling water passes is contaminated, the heat transfer performance of the cooling water heat transfer pipe is lowered and the performance is not achieved. Even if the consumption input higher than the rated value is inputted, the standard performance is not obtained. At this time, the central processing unit 50150 can recognize such matters by using the operation data, and display a warning message so that the manager can carry out the customs work of the corresponding heat transfer pipe. Also, in the case where a plurality of freezers are installed in a specific site (e.g., a factory) When the on / off operation of the refrigerator is greater than the reference number of times, control is performed to turn off one of the plurality of refrigerators.

웨이퍼 연마 장치 2Wafer Polishing Apparatus 2

도 13 내지 도 14를 참조하면, 도 10에 따른 웨이퍼 연마장치의 다른 실시예로서, 상기 웨이퍼 연마장치(100)의 몸체부(B) 상에는 바닥부와의 완충을 위한 완충모듈이 구비된다.후술하는 하부유닛(3812)과 몸체부(B)의 저면부 사이의 이격거리를 조절하기 위한 리프팅수단(LU)이 더 구비되며, 상기 완충유닛(3811)은 상기 하부유닛(3812) 상에서 일정 범위 내로 유동 가능하도록 복수 구비된다. 상기 완충유닛(3811)은, 상기 하부유닛(3812)의 각 모서리부 상에 위치되는 제1모드와, 상기 각 모서리부로부터 상기 하부유닛(3812)의 가상의 중심점을 향하여 동시적 또는 비동시적으로 유동되는 제2모드로 동작하도록 구비된다. 이하에서 상기 완충모듈에 대해서 구체적으로 설명하기로 한다. Referring to Figs. 13 to 14, as another embodiment of the wafer polishing apparatus according to Fig. 10, a buffer module for buffering the bottom portion with the body portion B of the wafer polishing apparatus 100 is provided. (LU) for adjusting the separation distance between the lower unit 3812 and the bottom portion of the body portion B, and the buffer unit 3811 is arranged on the lower unit 3812 within a certain range And a plurality of flow paths are provided. The buffering unit 3811 includes a first mode located on each corner of the lower unit 3812 and a second mode in which the buffer unit 3811 is moved simultaneously or non-dynamically from the respective corner toward the virtual center of the lower unit 3812 And to operate in a second mode of flow. Hereinafter, the buffer module will be described in detail.

완충모듈Buffer module

도 15는 도 13에 따른 구성들 중 일부를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 15를 참조하면, 상기 완충모듈(381)은 바닥부과 접하는 하부유닛(3812)과, 상기 하부유닛(3812)의 상방에서 상기 몸체부와 접하는 완충유닛(3811)을 포함한다. 여기서, 상기 완충유닛(3811)은 상기 몸체부 저면과 마주 접하는 상부고정판(3811a)과, 상기 하부유닛(3812)과 마주접하는 하부고정판(3811b)과, 상기 상부고정판(3811a)과 상기 하부고정판(3811b) 사이에 구비되는 탄성하우징(3811c, 3811d)을 포함한다. 이때 상기 탄성하우징(3811c, 3811d)은 외측면부가 지그재그 형태로 형성 된다. 여기서 상기 탄성하우징(3811c, 3811d)은 내부에 탄성충진재(3811e)가 충진되되, 상기 탄성충진재(3811e)는 상기 탄성하우징(3811c, 3811d)의 형상에 대응하도록 충진되어지며, 상기 탄성충진재(3811e)는 종방향을 따라 소정의 완충공간(H1)이 복수 형성되며, 상기 각 완충공간(H1)들 사이에는 내부 보강판이 각각 구비된다. 이때 상기 완충공간(H1)은 상기 내부 보강판의 너비 이상의 너비를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. 상기 내부 보강판들 중 상기 상부고정판(3811a)과 마주하는 최상단보강판(3811f)은 하부면에 소정형상의 하면돌기부(T1)가 형성된다. 상기 내부 보강판들 중 상기 하부고정판(3811b)과 마주하는 최하단보강판(3811g)은 상부면에 소정형상의 상면돌기부(T2)가 형성되며, 상기 최상단보강판(3811f)과 상기 최하단보강판(3811g) 사이에 위치되는 중단 보강체(3811h)들은 각각 상부면과 하부면에 상면돌기부(T2)와 하면돌기부(T1)가 형성된다. 상기 최상단보강판(3811f), 상기 중단 보강체(3811h) 및 상기 최하단보강판(3811g) 각각은, 외부의 충격에 기반하는 진동이 발생되면 상기 상면돌기부(T2)와 상기 하면돌기부(T1)가 상기 완충공간(H1)을 경유하여 상호 접촉되게 된다. 여기서, 상기 상면돌기부(T2)와 상기 하면돌기부(T1)는 상호 형합적인 요철형태로 형성되는 것이 바람직하다.FIG. 15 is a view schematically showing a part of the configurations according to FIG. Referring to FIG. 15, the buffer module 381 includes a lower unit 3812 in contact with the bottom portion and a buffer unit 3811 in contact with the body portion from above the lower unit 3812. The buffer unit 3811 includes an upper fixing plate 3811a that faces the bottom of the body portion, a lower fixing plate 3811b that faces the lower unit 3812, and a lower fixing plate 3811b that faces the upper fixing plate 3811a and the lower fixing plate 3811b. And elastic housings 3811c and 3811d provided between the two housings 3811a and 3811b. At this time, the outer side portions of the elastic housings 3811c and 3811d are formed in a zigzag shape. An elastic filler 3811e is filled in the elastic housings 3811c and 3811d so that the elastic fillers 3811e are filled to correspond to the shapes of the elastic housings 3811c and 3811d and the elastic fillers 3811e A plurality of predetermined buffer spaces H1 are formed along the longitudinal direction, and internal reinforcing plates are provided between the respective buffer spaces H1. At this time, it is preferable that the buffer space H1 is formed to have a width equal to or larger than the width of the inner reinforcing plate. The uppermost reinforcing plate 3811f facing the upper fixing plate 3811a among the inner reinforcing plates has a bottom protrusion T1 of a predetermined shape on the lower surface thereof. The uppermost reinforcing plate 3811g of the lower reinforcing plate 3811b facing the lower fixing plate 3811b has a predetermined upper surface protrusion T2 formed on the upper surface of the upper reinforcing plate 3811f and the uppermost reinforcing plate 3811f, 3811g are formed with upper surface protrusions T2 and lower surface protrusions T1 on the upper surface and the lower surface, respectively. Each of the upper end reinforcing plate 3811f, the intermediate reinforcing member 3811h and the lower end reinforcing plate 3811g may be formed such that the upper protrusion T2 and the lower protrusion T1 And are brought into mutual contact via the buffer space H1. Here, the upper surface protruding portion T2 and the lower surface protruding portion T1 may be formed as concave and convex shapes that are mutually combined.

도 16은 도 13에 따른 구성들 중 완충모듈의 다른 실시예를 개략적으로 도시한 도면이다. 도 16를 참조하면, 상기 상부고정판(3811a)은 상기 몸체부 저면과 마주 접하는 상방의 제1고정판(3811a1)과, 수평방향 상으로 슬라이딩 가능하도록 상기 제1고정판(3811a1)의 하부에 결속되며, 상기 탄성하우징(3811c, 3811d), 상기 최상단보강판(3811b1)과 마주 접하는 제2고정판(3811a2)을 포함한다. 상기 하부고정판(3811b)은 상기 하부유닛(3812)과 마주 접하는 하방의 제3고정판(3811b1)과, 수평방향 상으로 슬라이딩 가능하도록 상기 제3고정판(3811b1)의 상부에 결속되며, 상기 탄성하우징(3811c, 3811d) 및 상기 최하단보강판(3811g)과 마주 접하는 제4고정판(3811b2)을 포함한다. 상기 탄성충진재(3811e)는 중앙부에 소정의 중공영역(H2)이 형성되며, 상기 중공영역(H2) 상에는 외부의 충격에 대응하여 상기 몸체부에 대한 완충을 위한 완충구(3811i)가 구비된다. 상기 완충구(3811i)는 탄성수단을 매개로 상호 결속되는 상판(3811i1)과 하판(3811i2)을 포함하며, 상기 상판(3811i1)과 상기 하판(3811i2)은 각각 상기 상부고정판(3811a)과 상기 하부고정판(3811b)에 수평방향상으로 슬라이딩 가능하도록 결속된다.FIG. 16 is a view schematically showing another embodiment of the buffer module among the configurations according to FIG. 16, the upper fixing plate 3811a includes a first fixing plate 3811a1 disposed above and facing the bottom of the body, a second fixing plate 3811a1 coupled to a lower portion of the first fixing plate 3811a1 to be slidable in a horizontal direction, And a second fixing plate 3811a2 facing the elastic housing 3811c and 3811d and the uppermost reinforcing plate 3811b1. The lower fixing plate 3811b is connected to a lower third fixing plate 3811b1 which is in contact with the lower unit 3812 and to an upper portion of the third fixing plate 3811b1 so as to be slidable in the horizontal direction, 3811c and 3811d, and a fourth fixing plate 3811b2 facing the lowermost reinforcing plate 3811g. The elastic filler 3811e is formed with a predetermined hollow region H2 at its central portion and a buffer 3811i for buffering the body portion corresponding to an external impact is provided on the hollow region H2. The buffer 3811i includes an upper plate 3811i1 and a lower plate 3811i2 which are coupled to each other via elastic means and the upper plate 3811i1 and the lower plate 3811i2 are connected to the upper plate 3811a and the lower And is fixed to the fixed plate 3811b so as to be slidable in the horizontal direction.

도 17는 도 13에 따른 구성들 중 최상단보강판, 복수의 중단 보강체, 최하단보강판의 다른 실시예를 도시한 도면이다. 도 17을 참조하면, 상기 최상단보강판(3811f)은 상기 상부고정판(3811a)과 접촉되는 최상단상판(3811f1)과, 상기 최상단 상판과 탄성체(E2)를 매개로 결속되는 최상단하판(3811f2)을 포함한다. 여기서 상기 최상단하판(3811f2)의 저면에는 하면돌기부(T1)가 형성된다. 상기 중단 보강체(3811h)은 상기 완충공간(H1)을 사이에 두고 상기 최상단 하판(3811f)과 대향하는 중단상판(3811h1)과, 상기 중단상판(3811h1)과 탄성체를 매개로 결속되는 중단하판(3811h2)을 포함한다. 여기서 상기 중단상판(3811h1)의 상면에는 상면돌기부(T2)가 형성된다. 상기 최하단보강판(3811g)은 상기 완충공간을 사이에 두고 상기 중단하판(3811h2)과 대향하는 최하단상판(3811g1)과, 상기 최하단상판(3811g1)과 탄성체를 매개로 결속되는 최하단하판(3811g2)을 포함한다. 여기서 상기 최하단상판(3811g1)의 상면에는 상면돌기부(T2)가 형성된다.Fig. 17 is a view showing another embodiment of the uppermost stiffener, the plurality of stopped stiffeners, and the lowermost stiffener of the structures according to Fig. 13. Fig. 17, the uppermost reinforcing plate 3811f includes an uppermost upper plate 3811f1 contacting the upper fixing plate 3811a and an uppermost lower plate 3811f2 coupled to the uppermost plate via the elastic body E2 do. Here, a bottom projection portion T1 is formed on the bottom surface of the uppermost lower plate 3811f2. The suspended reinforcement member 3811h includes an intermediate upper plate 3811h1 facing the uppermost lower plate 3811f with the buffer space H1 interposed therebetween and a lower bottom plate 3811h1 coupled with the intermediate upper plate 3811h1 via an elastic body 3811h2). An upper surface protrusion T2 is formed on the upper surface of the intermediate upper plate 3811h1. The lowermost reinforcing plate 3811g includes a lowermost top plate 3811g1 facing the bottom plate 3811h2 with the buffer space therebetween and a lowermost bottom plate 3811g2 joined with the bottom plate 3811g1 via an elastic body . An upper surface protrusion T2 is formed on the upper surface of the lowermost top plate 3811g1.

도 18은 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛(3811)의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다. 도 18을 참조하면, 상기 제2고정판(3811a2)은 상기 제1고정판(3811a1)의 면적을 초과하도록 적어도 양쪽 외측으로 연장되며, 상기 제2고정판(3811a2)의 양쪽 외측의 각 단부에는 상방으로 연장형성되는 상방돌출부(UT)가 형성된다. 상기 제4고정판(3811b2)은 상기 제3고정판(3811b1)의 면적을 초과하도록 적어도 양쪽 외측으로 연장되며, 상기 제4고정판(3811b2)의 양쪽 외측의 각 단부에는 상방으로 연장형성되는 하방돌출부(DT)가 형성된다. 여기서 상기 상방돌출부(UT)는 적어도 일부가 상기 제1고정판(3811a1)과 대향하도록 위치되어, 상기 상방돌출부(UT) 및 상기 제1고정판(3811a1)은 상호 간에 탄성수단(E5)으로 결속되어 탄성복원력이 부여된다. 상기 하방돌출부(DT)는 적어도 일부가 상기 제4고정판(3811b2)과 대향하도록 위치되어, 상기 하방돌출부(DT) 및 상기 제4고정판(3811b2)은 상호 간에 탄성수단(E6)으로 결속되어 탄성복원력이 부여된다. 한편 상기 완충유닛(3811)은 전체적인 형상이 직육면체 또는 정육면체 등의 형상으로 가정하여 설명하였다. 즉, 상기 상부고정판(3811a), 상기 하부고정판(3811b), 상기 탄성하우징(3811c)은 직육면체 또는 적육면체로 형성되는 것이다. 여기서 상기 탄성하우징(3811c)는 전술한 바와 같이 지그재그 형태로 형성되어 외부의 충격에 대하여 상방과 하방으로 보다 원활한고 안정적인 완충이 가능하게 해주는 것이다. 상기 완충구(3811i) 역시 상기 탄성하우징(3811c)와 함께 외부의 충격에 대응하여 보다 용이한 완충이 가능하게 해준다. 상기 최상단보강판(3811f), 최하단보강판(3811g), 중단 보강체(3811h) 역시 외부의 충격에 대응하여 상기 탄성충진체(3811e) 상에서 상기 완충공간(H1)을 경유한채 상호 상방과 하방 간에 완충되어 접촉한다. 이때 상기 최상단보강판(3811f), 최하단보강판(3811g), 중단 보강체(3811h)은 상기 상면돌기부(T2)와 상기 하면돌기부(T1)를 통해 수평방향으로의 유동을 억제시키는 역할을 하여 추가적으로 충격에 의한 유동을 방지시키게 된다. 즉 도면에 도시되지 않았으나 상기 완충유닛(3811)은 충격이 가해지기 전과 충격이 가해진 후를 비교 했을 때, 충격이 가해진 후의 형상은 상방과 하방간에 일정하게 가압된 형상을 뛰게 되는 것이다.FIG. 18 is a view showing another embodiment of the shock absorber unit 3811 among the structures according to FIG. 18, the second fixing plate 3811a2 extends at least outward beyond the area of the first fixing plate 3811a1, and the second fixing plate 3811a2 extends upward at both ends of both sides of the second fixing plate 3811a2 The upper projecting portion UT is formed. The fourth fixing plate 3811b2 extends at least outward beyond the area of the third fixing plate 3811b1 and has a downward protruding portion DT extending upward at each end of the outer sides of the fourth fixing plate 3811b2 Is formed. At least a part of the upper projecting portion UT is positioned to face the first fixing plate 3811a1. The upper projecting portion UT and the first fixing plate 3811a1 are coupled to each other by elastic means E5, Restoring force is given. At least a part of the downward projecting portion DT is positioned to face the fourth fixing plate 3811b2 so that the lower protrusion DT and the fourth fixing plate 3811b2 are bound to each other by the elastic means E6, . On the other hand, the buffer unit 3811 has been described on the assumption that the overall shape is a rectangular parallelepiped or a cuboid. That is, the upper fixing plate 3811a, the lower fixing plate 3811b, and the elastic housing 3811c are formed of a rectangular parallelepiped or hexahedron. Here, the elastic housing 3811c is formed in a zigzag shape as described above, so that the shock absorbing member 3811c can smoothly bend upward and downward more smoothly against external shocks. The shock absorber 3811i also allows the shock absorber 3811i to buffer more easily in response to an external impact with the elastic housing 3811c. The uppermost reinforcing plate 3811f, the lowermost reinforcing plate 3811g and the interrupted reinforcing member 3811h are also connected to the elastic filler 3811e via the buffer space H1, Contact in a buffered manner. At this time, the uppermost reinforcing plate 3811f, the lowermost reinforcing plate 3811g, and the intermediate reinforcing member 3811h serve to suppress the flow in the horizontal direction through the upper surface protruding portion T2 and the lower surface protruding portion T1, Thereby preventing the flow caused by the impact. That is, although not shown in the figure, when the shock absorber 3811 is compared with the shock absorber before and after the impact, the shape after the impact is exerted is constantly pressed between the upper and lower sides.

도 19 내지 도 21은 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다. 이하에서 기술적 특징이 있는 부분을 중심으로 설명한다. 도 19 내지 도 21을 참조하면, 완충모듈(381)은, 바닥부과 접하는 하부유닛과, 상기 하부유닛의 상방에서 상기 몸체부와 접하는 완충유닛(3811)을 포함하며, 상기 완충유닛(3811)은, 상기 몸체부 저면과 마주 접하는 상부고정판(3811a)과, 상기 하부유닛과 마주접하는 하부고정판(3811b)과, 상기 상부고정판(3811a)과 상기 하부고정판(3811b) 사이에 구비되는 탄성하우징(3811c, 3811d)을 포함하며, 상기 탄성하우징(3811c, 3811d)은 외측면부가 지그재그 형태로 형성된다. 상기 탄성하우징(3811c, 3811d)은 내부에 탄성충진재(3811e)가 충진되되, 상기 탄성충진재(3811e)는 상기 탄성하우징(3811c, 3811d)의 형상에 대응하도록 충진되며, 상기 탄성충진재는 종방향을 따라 복수의 완충공간(H1)이 형성되며, 상기 각 완충공간(H1)들 사이에는 내부 보강판이 각각 구비되며, 상기 완충공간(H1)은 상기 내부 보강판의 너비 이상의 너비를 가지도록 형성되되, 상기 내부 보강판들 중 상기 상부고정판(3811a)과 마주하는 최상단 보강판은 하부면에 소정형상의 하면돌기부(T1)가 형성되며, 상기 내부 보강판들 중 상기 하부고정판(3811b)과 마주하는 최하단 보강판은 상부면에 소정형상의 상면돌기부(T2)가 형성되며, 상기 최상단 보강판과 상기 최하단 보강판 사이에 위치되는 중단 보강체(3811h)들은 각각 상부면과 하부면에 돌기부(T3)가 형성된다. 상기 상부고정판(3811a) 상에는 상기 상부고정판(3811a)과 상기 몸체부 상호간에 발생되는 제1 가압힘을 측정하기 위한 제1 가압힘 측정센서(S1)가 상호 이격되어 복수로 구비되며, 상기 하부고정판(3811b) 상에는 상기 하부고정판(3811b)과 상기 하부유닛 상호간에 발생되는 제2 가압힘을 측정하기 위한 제2 가압힘 측정센서(S2)가 상호 이격되어 복수로 구비된다. 상기 완충공간(H1)들 사이에 위치되는 상기 탄성충진재(3811e) 상에는 제2 완충공간(H3)이 각각 형성되며, 상기 상부고정판(3811a)과 상기 하부고정판(3811b) 사이에는 소정 형상의 지지유닛(3191)이 구비된다. 상기 각 중단 보강체(3811h)은 상기 제2 완충공간(H3) 상에 위치된 채, 상기 지지유닛(3191) 상에 결속되어 회전 가능하도록 구비되며, 상기 지지유닛(3191) 상에는 구동수단(3190)이 복수로 구비된다. 상기 각 중단 보강체(3811h)은 상기 구동수단(3190)에 연동되어 동작된다. 상기 각 중단 보강체(3811h)은, 상기 구동수단(3190)을 통하여 상기 제2 완충공간(H3) 상에서 길이방향 상의 일측과 타측으로 유동 가능하도록 구비된다. 상기 완충유닛(3811)의 동작을 제어하기 위한 제어부를 더 포함하며, 상기 제어부는 측정된 상기 제1 가압힘과 상기 제2 가압힘에 기반하여, 상기 중단 보강체(3811h)의 동작을 제어하되, 상기 제1 가압힘과 상기 제2 가압힘이 기 설정값을 초과하는 경우, 상기 각 중단 보강체(3811h)을 고속으로 회전시키고, 기 설정값 미만인 경우, 상기 중단 보강체(3811h)을 저속으로 회전시킨다. 상기 구동수단(3190)은 상기 지지유닛(3191) 상에서 일정 범위로 승하강이 가능하도록 구비되며, 상기 제어부는, 상기 구동수단(3190)을 통해 상기 중단 보강체(3811h)의 높이를 조정하되, 상기 제1 가압힘이 기 설정값을 초과하는 경우, 상기 구동수단(3190)들 중 상방 일부의 구동수단(3190)을 상방으로 유동되도록 하고, 상기 제2 가압힘이 기 설정값을 초과하는 경우, 상기 구동수단(3190)들 중 하방 일부의 구동수단(3190)을 하방으로 유동되도록 한다.19 to 21 are views showing still another embodiment of the shock absorber unit among the structures according to FIG. Hereinafter, the description will be focused on the technical features. 19 to 21, the buffer module 381 includes a lower unit in contact with the bottom portion and a buffer unit 3811 in contact with the body portion above the lower unit, A lower fixing plate 3811b facing the lower unit and an elastic housing 3811c provided between the upper fixing plate 3811a and the lower fixing plate 3811b, 3811d, and the outer side portions of the elastic housings 3811c, 3811d are formed in a zigzag shape. An elastic filler 3811e is filled in the elastic housing 3811c and 3811d so that the elastic filler 3811e is filled to correspond to the shape of the elastic housing 3811c and 3811d, A plurality of cushioning spaces H1 are formed in the cushioning space H1 and an inner reinforcing plate is provided between the cushioning spaces H1. The cushioning space H1 is formed to have a width greater than the width of the inner reinforcing plate, The uppermost reinforcing plate facing the upper fixing plate 3811a of the inner reinforcing plates is formed with a bottom protrusion T1 having a predetermined shape on a lower surface thereof, The reinforcing plate has an upper surface protruding portion T2 having a predetermined shape on the upper surface thereof and the intervening reinforcing members 3811h positioned between the uppermost reinforcing plate and the lowest reinforcing plate have projections T3 on the upper and lower surfaces, . A plurality of first pressing force measuring sensors S1 for measuring a first pressing force generated between the upper fixing plate 3811a and the body portion are spaced apart from each other on the upper fixing plate 3811a, And a second pressing force measurement sensor S2 for measuring a second pressing force generated between the lower fixing plate 3811b and the lower unit is spaced apart from the lower fixing plate 3811b. A second cushioning space H3 is formed on the elastic filler 3811e positioned between the buffer spaces H1 and a support unit 3811b having a predetermined shape is provided between the upper and lower fixing plates 3811a and 3811b. (3191). Each stop reinforcement member 3811h is disposed on the support unit 3191 while being positioned on the second cushion space H3 so as to be rotatable. On the support unit 3191, driving means 3190 . Each of the suspended reinforcing members 3811h is operated in conjunction with the driving means 3190. [ Each of the suspended reinforcing members 3811h is provided so as to be able to flow to one side and the other side in the longitudinal direction on the second cushioning space H3 through the driving means 3190. [ The control unit further includes a control unit for controlling the operation of the buffer unit 3811. The control unit controls the operation of the interrupt reinforcement member 3811h based on the measured first pressing force and the second pressing force When the first pressing force and the second pressing force exceed a predetermined value, the stopping reinforcing member 3811h is rotated at a high speed, and when the first pressing force and the second pressing force are less than a predetermined value, . The driving unit 3190 is provided to be able to move up and down within a certain range on the supporting unit 3191 and the control unit adjusts the height of the interrupted reinforcing member 3811h through the driving unit 3190, When the first pressing force exceeds a predetermined value, the driving means (3190) of the upper portion of the driving means (3190) is caused to flow upward, and when the second pressing force exceeds the predetermined value , And a part of the downward driving means (3190) of the driving means (3190) is caused to flow downward.

보다 구체적으로 상기 구동수단(3190)은 상기 지지유닛(3191) 상에 장착되어 토오크를 발생시키되 상기 지지유닛(3191) 상에서 승하강 가능한 구동부(3191)와, 상기 구동부(3191) 상기 중단 보강체(3811h) 상호간을 연동시키는 실린더(3193)와 피스톤(3194)을 포함한다. 여기서, 상기 중단 보강체(3811h)은 상기 구동부(3191)의 유동 또는 상기 실린더(3193)와 상기 피스톤(3194)의 유동에 기반하여 상하 좌우 등으로 유동이 가능한 것이다. 상기 중단 보강체(3811h)는, 높이방향 상에서 홀수열에 구비되는 홀수열 중단 보강체(3811h)와, 짝수열에 구비되는 짝수열 중단 보강체(3811h)를 포함하며, 높이방향 가상의 중심축을 기준으로, 상기 홀수열 중단 보강체(3811h)는 상기 중심축 상에 위치되며, 상기 짝수열 중단 보강체(3811h)는 상기 중심축의 전후에 각각 구비된다.More specifically, the driving unit 3190 includes a driving unit 3191 mounted on the supporting unit 3191 to generate torque and being able to move up and down on the supporting unit 3191, 3811h and a piston 3194. The cylinder 3193 and the piston 3194 cooperate with each other. The suspended reinforcement member 3811h can flow vertically and horizontally based on the flow of the driving unit 3191 or the flow of the cylinder 3193 and the piston 3194. The suspended reinforcement member 3811h includes an odd column interrupted reinforcement member 3811h provided in an odd column in a height direction and an even column interrupted reinforcement member 3811h provided in an even column, , The odd column interrupted reinforcing members 3811h are located on the center axis, and the even column interrupted reinforcing members 3811h are provided before and after the center axis, respectively.

도 22는 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다. 이하에서 기술적 특징이 있는 부분을 중심으로 설명하기로 한다. 도 22를 참조하면, 상기 상부 고정판(3811a) 및 상기 하부 고정판(3811b) 사이에서 상기 상부 고정판(3811a)과 상기 하부 고정판(3811b) 상호간에 탄성력복원력을 발생시키기 위한 탄성모듈(200)과, 상기 상부 고정판(3811a) 및 상기 하부 고정판(3811b)의 각 단부를 클램핑하는 클램핑모듈(300)을 더 포함한다. 상기 도 3은 상기 탄성모듈(200)에 기반하여 상기 상부 고정판(3811a) 및 상기 하부 고정판(3811b)을 상호간에 가압되도록 클램핑시킨다. 상기 탄성모듈(200)은, 상기 상부 고정판(3811a)과 마주 접하는 제1지지구(3201)와, 상기 하부 고정판(3811b)과 마주 접하는 제2지지구(3202)와, 상기 제1지지구(3201)와 상기 제2지지구(3202) 상호간에 결속되는 탄성부재를 포함한다. 상기 제1지지구(3201)와 마주 접하는 상기 상부 고정판(3811a)의 제1영역 상에는 제1탄성력 감지센서(S3)가 구비되며, 상기 제2지지구(3202)와 마주 접하는 상기 하부 고정판(3811b)의 제2영역 상에는 제2탄성력 감지센서(S4)가 구비된다. 상기 제어부는 상기 제1탄성력 감지센서(S3) 및 상기 제2탄성력 감지센서(S4)에 기반하여 상기 도 3의 클램핑 동작을 제어한다. 상기 도 3은, 소정의 중앙본체(3301)와, 상기 중앙본체(3301) 일방으로부터 승하강 가능하도록 구비되는 제1유동체(3302)와, 상기 중앙본체(3301) 타방으로부터 승하강 가능하도록 구비되는 제2유동체(3303)를 포함한다. 상기 제1지지구(3201)는 상기 제1유동체(3302) 상에 결속되어 독립적으로 승하강 가능하도록 구비되며, 상기 제2지지구(3202)는 상기 제2유동체(3303) 상에 결속되어 독립적으로 승하강 가능하도록 구비되며, 상기 제1유동체(3302) 상에는 상기 상부 고정판(3811a)을 사이에 두고 상기 제1지지구(3201)와 대향하는 제3지지구(3304)가 구비된다. 상기 제2유동체(3303) 상에는 상기 하부 고정판(3811b)을 사이에 두고 상기 제2지지구(3202)와 대향하는 제4지지구(3305)가 구비된다. 상기 제3지지구(3304)는 상기 제1유동체(3302)의 길이방향으로부터 수직하여 외측으로 출몰 가능하도록 구비되며, 상기 제4지지구(3305)는 상기 제2유동체(3303)의 길이방향으로부터 수직하여 외측으로 출몰 가능하도록 구비된다. 제어부는 상기 도 3 및 상기 탄성모듈의 일련의 동작을 순차적 또는 비순차적으로 제어한다. 상기 도 3과 상기 탄성모듈 상호 간에 유기적인 동작 방식에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다.FIG. 22 is a view showing another embodiment of the shock absorber unit among the structures according to FIG. Hereinafter, the description will be focused on the technical features. 22, an elastic module 200 for generating an elastic force restricting force between the upper fixing plate 3811a and the lower fixing plate 3811b between the upper fixing plate 3811a and the lower fixing plate 3811b, And a clamping module 300 for clamping the respective ends of the upper fixing plate 3811a and the lower fixing plate 3811b. 3, the upper fixing plate 3811a and the lower fixing plate 3811b are clamped so as to be pressed against each other based on the elastic module 200. [ The elastic module 200 includes a first support member 3201 which is in contact with the upper fixing plate 3811a, a second support member 3202 which is in contact with the lower fixing plate 3811b, 3201) and the second support member (3202). The first elastic force detection sensor S3 is provided on the first area of the upper fixing plate 3811a which is in contact with the first supporting plate 3201 and the lower fixing plate 3811b The second elastic force detection sensor S4 is provided on the second area of the second elastic force sensor S4. The control unit controls the clamping operation of FIG. 3 based on the first elastic force detection sensor S3 and the second elastic force detection sensor S4. 3 is a perspective view of the main body 3301. The main body 3301 includes a first main body 3301 and a second main body 3302. The first main body 3301 includes a central body 3301, And a second fluid 3303. The first support member 3201 is coupled to the first fluid member 3302 so that the second support member 3202 can move up and down independently of the first support member 3202. The second support member 3202 is coupled to the second fluid member 3303, And a third support member 3304 is provided on the first fluid 3302 so as to face the first support member 3201 with the upper support plate 3811a interposed therebetween. A fourth support member 3305 is provided on the second fluid 3303 so as to face the second support member 3202 with the lower support plate 3811b interposed therebetween. The third support member 3304 is vertically protruded outward from the longitudinal direction of the first fluid member 3302 and the fourth support member 3305 extends from the longitudinal direction of the second fluid member 3303 And can vertically protrude outward. The control unit sequentially or non-sequentially controls the series of operations of FIG. 3 and the elastic module. A detailed description of the organic operation mode between FIG. 3 and the elastic module will be omitted.

도 23a은 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다. 도 23a을 참조하면, 상부 고정판(3811a)과 하부 고정판(3811b) 사이에 제1 완충부재(3401)가 구비되며, 상기 제1 완충부재(3401)는 상기 탄성하우징(3811c)과 이웃하여 형합되도록 구비되는데, 외부의 충격에 의하여 파쇄되는 경질 유리 재질을 포함한다. 상기 제1 완충부재(3401)는 복수의 열로 구비되며 복수의 열로 구비된 상기 제1 완충부재(3401)들 사이에는 경질 유리 재질인 제2 완충부재(3402)가 구비되며, 상기 제2 완충부재(3402)는 상기 제1 완충부재(3401)는 상이한 강도를 가진다. 상기 제1 완충부재(3401) 및 상기 제2 완충부재(3402)는 각각 경질 유리 재질인 제3 완충부재(34011, 34021)가 내장되며, 상기 제3 완충부재(3401)는 상기 제1 완충부재(3401) 및 상기 제2 완충부재(3402)와 상이한 강도를 가진다. 상기 탄성모듈(200)과 상기 탄성하우징(3811c) 사이에는 소정의 구획판(308)이 구비되며, 상기 구획판(308)과 상기 탄성하우징(3811c) 사이에는 제4 완충부재(3403) 및 제5 완충부재(3404)가 구비된다. 상기 제4 완충부재(3403)는 상기 탄성하우징(3811c)과 형합되도록 구비되며, 상기 제5 완충부재(3404)는 상기 구획판(308)과 상기 제4 완충부재(3403) 사이에 구비된다.FIG. 23A is a view showing another embodiment of the shock absorber among the configurations according to FIG. 23A, a first cushioning member 3401 is provided between an upper fixing plate 3811a and a lower fixing plate 3811b, and the first cushioning member 3401 is formed so as to be adjacent to the elastic housing 3811c And includes a hard glass material which is shattered by an external impact. The first cushioning member 3401 is provided in a plurality of rows and a second cushioning member 3402 made of a hard glass material is provided between the first cushioning members 3401 having a plurality of rows, The first buffer member 3402 has different strengths. The first cushioning member 3401 and the second cushioning member 3402 each include third cushioning members 34011 and 34021 made of a hard glass material and the third cushioning member 3401 includes a first cushioning member 3401, (3401) and the second buffer member (3402). A predetermined partition plate 308 is provided between the elastic module 200 and the elastic housing 3811c and between the partition plate 308 and the elastic housing 3811c a fourth buffer member 3403 and a second buffer member 3403 are interposed between the partition plate 308 and the elastic housing 3811c. 5 buffer member 3404 is provided. The fourth cushioning member 3403 is formed to be in contact with the elastic housing 3811c and the fifth cushioning member 3404 is provided between the partition plate 308 and the fourth cushioning member 3403.

도 23b는 도 13에 따른 구성들 중 완충유닛의 또 다른 실시예를 도시한 도면이다. 도 23b를 참조하면 상기 상부 고정판(3811a)은, 상기 제1 가압힘 측정센서(S1)가 상호 이격되어 복수로 구비되는 제1 상부 고정판(381ac)과, 상기 제1 상부 고정판(381ac)의 상부에 위치되어 상기 몸체부(B) 저면과 마주접하는 제2 상부 고정판(381ab)을 포함한다. 상기 제1 상부 고정판(381ac) 상에는 소정의 제1 가이드부(392)가 구비되며, 상기 제1 가압힘 측정센서(S1)는 상기 제1 가이드부(392) 상에서 좌측, 우측, 상측, 하측으로 각각 유동되도록 구비된다. FIG. 23B is a view showing another embodiment of the shock absorber among the structures according to FIG. Referring to FIG. 23B, the upper fixing plate 3811a includes a first upper fixing plate 381ac and a second upper fixing plate 381c. The first upper fixing plate 3811a includes a plurality of first pressing force measuring sensors S1, And a second upper fixing plate 381ab which faces the bottom surface of the body part B. The first pressing force measuring sensor S1 is provided on the first upper fixing plate 381ac with a predetermined first guide portion 392. The first pressing force measuring sensor S1 is disposed on the first guide portion 392 to the left, Respectively.

상기 제2 상부 고정판(381ab) 상에는 상기 몸체부(B) 저면을 흡착하는 흡착부(391)가 구비된다. 상기 제2 상부 고정판(381ab) 상에는 소정의 제2 가이드부(393)가 구비되며, 상기 흡착부(391)는 상기 제2 가이드부(393) 상에서 좌측, 우측, 상측 및 하측으로 각각 유동되도록 구비된다. 상기 흡착부(391)는 상기 제1 가압힘 측정센서(S1)와 마주하여 접촉 가능하도록 구비된다.And a suction unit 391 for suctioning the bottom of the body part B is provided on the second upper fixing plate 381ab. A predetermined second guide portion 393 is provided on the second upper fixing plate 381ab and the suction portion 391 is provided on the second guide portion 393 so as to flow leftward, do. The suction unit 391 is provided so as to be able to come into contact with the first pressing force measuring sensor S1.

상기 흡착부(391)는, 흡착몸체부(B)(3911)와 상기 흡착몸체부(B)의 상방에 플랜d지부(3922)를 포함하되, 상기 제1 가압힘 측정센서(S1)와 대응하도록 복수 구비되어, 상기 플랜지부(3922)를 통해 상기 몸체부(B)와 접하며, 상기 제어부는 상기 제1 가압힘 측정센서(S1)와 상기 흡착부(391)를 상호 대응하도록 유동시키되, 상기 제1 가압힘 측정센서(S1)는 상기 흡착부(391)를 통해 상기 제1 가압힘을 측정한다. 이러한 구성적 특징은 상기 하부 고정판(3811b)에 대해서도 적용이 가능하다.The suction unit 391 includes a suction body B 3911 and a flange portion 3922 above the suction body B so as to correspond to the first pressing force measurement sensor S1 And the control unit causes the first pressing force measuring sensor S1 and the suction unit 391 to flow in correspondence with each other, The first pressing force measuring sensor (S1) measures the first pressing force through the adsorbing part (391). This structural feature is also applicable to the lower fixing plate 3811b.

한편,도 13 내지 도14를 참조하여 전술한 구성들에 추가설명하면, 상기 하부유닛(3812)과 상기 몸체부(B)의 저면부 사이의 이격거리를 조절하기 위한 리프팅수단(LU)이 구비되며, 상기 완충유닛(3811)은 상기 하부유닛(3812) 상에서 일정 범위 내로 유동 가능하도록 복수 구비된다. 상기 완충유닛(3811)은, 상기 하부유닛(3812)의 각 모서리부 상에 위치되는 제1모드와, 상기 각 모서리부로부터 상기 하부유닛(3812)의 가상의 중심점을 향하여 동시적 또는 비동시적으로 유동되는 제2모드로 동작하도록 구비된다.13 to 14, a lifting unit (LU) for adjusting a separation distance between the lower unit 3812 and the bottom portion of the body portion B is provided And a plurality of the buffer units 3811 are provided so as to be able to flow within a certain range on the lower unit 3812. The buffering unit 3811 includes a first mode located on each corner of the lower unit 3812 and a second mode in which the buffer unit 3811 is moved simultaneously or non-dynamically from the respective corner toward the virtual center of the lower unit 3812 And to operate in a second mode of flow.

상기 제어부는 상기 리프팅수단(LU)을 통하여 상기 하부유닛(3812)과 상기 몸체부(B)의 저면부 사이를 일정하게 이격시킨 상태에서 상기 완충유닛(3811)을 상기 제1모드 또는 상기 제2모드로 동작시킨다. 상기 리프팅수단(LU)은 상기 제1모드를 기준으로 상기 완충유닛(3811) 사이에 구비되는 제1리프팅수단(LU1)과, 상기 제1모드 상태에서 상기 완충유닛(3811)의 저면에 구비되며 상기 제2모드 상태에서 상방으로 돌출되어 리프팅을 수행하는 제2리프팅수단(LU2)과, 상기 제1모드를 기준으로 상기 완충유닛(3811) 사이에 상기 제1리프팅수단(LU1)보다 작은 직경으로 구비되는제3리프팅수단(LU3)을 포함한다.The control unit controls the buffer unit 3811 in the first mode or the second mode in a state in which the lower unit 3812 and the bottom portion of the body portion B are spaced apart from each other through the lifting means LU, Mode. The lifting means LU includes a first lifting means LU1 provided between the buffering units 3811 on the basis of the first mode and a second lifting means LU2 provided on the bottom surface of the buffering unit 3811 in the first mode, A second lifting means LU2 protruding upward in the second mode and performing a lifting operation; and a second lifting means LU2 protruding upward in the second mode and having a smaller diameter than the first lifting means LU1 between the buffering unit 3811 on the basis of the first mode And a third lifting means LU3 provided.

상기 제어부는 1차적으로 상기 제1리프팅수단(LU1)과 상기 제3리프팅수단(LU3)을 1차적으로 구동시키며, 2차적으로 상기 완충유닛(3811)을 제1모드로 동작시키며, 3차적으로 상기 제2리프팅 수단을 구동시킨다.The control unit primarily drives the first lifting unit LU1 and the third lifting unit LU3 and secondarily operates the buffering unit 3811 in the first mode, And drives the second lifting means.

<반도체 설비 관리 단계(S120)>&Lt; Semiconductor facility management step (S120) >

이하, 도 24 내지 도 25를 참고하여 상기 반도체 설비 관리 단계에 대해 설명하도록 한다. 반도체 설비를 관리하는 단계는, 호스트와 반도체 설비 간에 온라인 통신이 복구되었는가의 여부를 판단하여 상기 온라인 통신이 복구되었으면 상기 반도체 설비로부터 비상상태 데이터를 수신하는 단계와; 상기 비상상태 데이터를 써치하여 상기 반도체 설비가 경고상태인가의 여부를 판단하는 단계와; 상기 반도체 설비가 경고상태이면, 상기 경고상태가 위험상태인가의 여부를 판단하는 단계와; 상기 경고상태가 위험상태이면, 상기 반도체 설비의 변수 아이디 키 값을 변경하고 상기 변수 아이디를 반도체 설비 제어 메시지에 실은 후 상기 반도체 설비 제어 메시지를 상기 반도체 설비로 다운로드하여 상기 반도체 설비를 오프시키는 단계와; 상기 경고상태가 위험상태가 아니면, 소정의 로트 투입 신호가 입력되었는가의 여부를 판단한 후 상기 로트 투입 신호가 입력되었으면, 경고 메시지를 O/I PC로 다운로드하는 단계를 포함한다. 바람직하게, 상기 반도체 설비 제어 메시지는 스트림 펑션 메시지인 것을 특징으로 한다. 바람직하게, 상기 반도체 설비 제어 메시지는 S2F21 또는 S2F41인 것을 특징으로 한다. 바람직하게, 상기 변수 아이디는 ECID인 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 본 발명에서는 온라인 통신 복구시점 이후의 반도체 설비 비상상태가 정확히 관리된다. 좀더 상세히 설명하면 도 24에 도시된 바와 같이, 호스트(401)에는 온라인 통신 복구시점 이후, 반도체 설비(403)로부터 업로드되는 비상상태 데이터를 감시하는 비상상태 감시모듈(4020)이 구비된다. 이에 따라, 온라인 통신 복구시점 이후, 반도체 설비(403)의 비상상태는 비상상태 감시모듈(4020)에 의해 실시간으로 파악된다. 여기서, 작업자는 비상상태 감시모듈(4020)을 설치할 때에 이에 대응되는 반도체 설비(403)에도 보고 기능을 부여함으로써, 반도체 설비(403)의 비상상태가 비상상태 감시모듈(4020)로 실시간으로 보고될 수 있도록 한다. 이러한 비상상태 파악 후, 비상상태 감시모듈(4020)은 반도체 설비(403)의 비상상태를 작업자에게 신속히 전달하거나, 아예 반도체 설비(403) 전체를 오프시킴으로써, 비상상태의 반도체 설비(403)로 로트(4010)가 투입되지 못하도록 한다. 도 25를 참조하여 이를 구체적으로 설명하면, 먼저, 비상상태 감시모듈(4020)은 호스트(401)와 반도체 설비(403) 사이의 온라인 통신이 복구되었는가의 여부를 판단한다(S411). 이때, 호스트(401)와 반도체 설비(403) 사이의 온라인 통신이 복구되지 않았으면, 비상상태 감시모듈(4020)은 플로우를 종료한다. 반면에, 호스트(401)와 반도체 설비(403) 사이의 온라인 통신이 복구되었으면, 비상상태 감시모듈(4020)은 반도체 설비서버를 통해 반도체 설비(403)로부터 업로드되는 비상상태 데이터를 실시간으로 수신한다(S412). 이에 따라, 온라인 통신 복구시점 이후의 반도체 설비(403)의 비상상태는 비상상태 감시모듈(4020)에 의해 신속히 파악된다. 이어서, 비상상태 감시모듈(4020)은 비상상태 데이터를 써치하여 반도체 설비(403)의 상태가 경고상태인가의 여부를 판단한다(S420). 이때, 반도체 설비(403)의 상태가 경고상태가 아니고, 정상적인 런상태로 판정되면, 비상상태 감시모듈(4020)은 플로우를 상술한 단계 S11로 진행하여 비상상태 데이터 수신을 지속적으로 수행한다. 반면에, 반도체 설비(403)의 상태가 경고상태면, 비상상태 감시모듈(4020)은 이러한 경고상태가 위험상태인가의 여부를 다시 판단하여 반도체 설비(403)의 불안정 정도를 파악한다(S430). 이때, 반도체 설비(403)의 경고상태가 위험상태여서, 반도체 설비(403)가 매우 불안정한 상태에 있는 것으로 판정되면, 비상상태 감시모듈(4020)은 이러한 결과를 호스트(401)로 전달하고, 호스트(401)는 그 즉시 이에 해당하는 반도체 설비(403)의 변수 아이디 키 값을 오프 상태로 변경함으로써, 반도체 설비(403)에 의한 공정진행을 완전히 차단한다(S441). 여기서, 바람직하게, 호스트(401)가 변경하는 변수 아이디는 반도체 설비(403)의 상태를 일괄적으로 변경시킬 수 있는 ECID(Equipment Constant ID)이다. 계속해서, 비상상태 감시모듈(4020)은 상술한 과정을 통해 키 값이 변경된 변수 아이디를 호스트(401)로부터 전달받아 이를 반도체 설비 제어 메시지에 실은 후 반도체 설비서버를 통해 반도체 설비(403)로 다운로드한다(S442). 이에 따라, 반도체 설비(403)는 즉시 오프된다. 본 발명의 경우, 호스트(401)는 비상상태 감시모듈(4020)을 통해 온라인 통신 복구시점 이후의 반도체 설비(403)의 비상상태를 정확히 파악한 후, 만약, 반도체 설비(403)의 상태가 경고상태, 특히, 위험상태인 경우, 반도체 설비(403)를 아예 오프시켜 반도체 설비(403)에 의한 공정진행을 완전히 차단시킴으로써, 공정사고를 미연에 방지한다. 이때, 본 발명의 특징에 따르면, 비상상태 감시모듈(4020)로부터 반도체 설비(403)로 다운로드되는 반도체 설비 제어 메시지는 통신전달이 원할한 스트림 펑션 메시지(Stream function message)이다. 여기서, 바람직하게, 반도체 설비 제어 메시지의 스트림 펑션 형태는 표준화 규격에 적절한 S2F21 또는 S2F41이다. 일례로, 비상상태 감시모듈(4020)이 상술한 과정을 통해 반도체 설비(403)의 비상상태를 파악한 후, 반도체 설비(403)의 상태를 아예 오프시키고자 하면, 비상상태 감시모듈(4020)은 호스트(401)를 통해 그 키 값이 '오프' 상태로 변경된 ECID를 전달 받은 후 이를 스트림 펑션 메시지 S2F21 또는 S2F41에 실어 반도체 설비(403)로 다운로드함으로써, 반도체 설비(403)의 상태를 변경된 ECID의 키 값에 맞추어 '오프'상태로 신속히 변경시킨다. 이에 따라, 예측하지 못한 공정사고는 미연에 방지된다. 한편, 반도체 설비(403)의 경고상태가 위험상태가 아니어서, 반도체 설비(403)가 약간 불안정한 상태에 있는 것으로 판정되면, 비상상태 감시모듈(4020)은 O/I PC(402)로 로트 투입 신호가 입력되었는가의 여부를 다시 판단한다(S451). 이때, O/I PC(402)로 로트 투입 신호가 입력되지 않았으면, 비상상태 감시모듈(4020)은 아직 작업자에 의한 공정 진행이 이루어지지 않는 것으로 판정하고, 플로우를 종료한다. 반면에, O/I PC(402)로 로트 투입 신호가 입력되었으면, 비상상태 감시모듈(4020)은 작업자에 의해 비상상태의 반도체 설비(403)로 로트(4010)가 투입되는 것으로 판정하고, 텍스트를 실은 경고 메시지를 O/I PC(402)로 다운로드함으로써, 작업자가 반도체 설비(403)의 비상상태를 시각적으로 확인할 수 있도록 한다(S452). 일례로 비상상태 감시모듈(4020)은 반도체 설비(403)의 비상상태를 텍스트 데이터로 처리한 후, 예컨대, '현재 반도체 설비는 경고상태입니다. 트랙 인 과정을 중지시켜 주십시오.' 등의 텍스트 데이터를 실은 경고 메시지를 O/I PC(402)로 다운로드함으로써, 작업자가 반도체 설비(403)의 비상상태를 파악하여 이에 부합되는 추후 작업을 신속히 수행할 수 있도록 한다. 이에 따라, 작업자의 실수에 의해 비상상태의 반도체 설비(403)로 로트(4010)가 로딩되는 문제점은 미연에 방지된다. 호스트(401)는 비상상태 감시모듈(4020)을 통해 반도체 설비(403)의 비상상태를 정확히 파악한 후, O/I PC(402)로 로트(4010) 투입신호가 입력되면, 상술한 경고 메시지를 디스플레이시켜 작업자의 주의를 환기시킴으로써, 예측하지 못한 공정사고를 미연에 방지할 수 있다. 더욱이, 본 발명의 경우, 호스트(401)는 비상상태 감시모듈(4020)을 통해 온라인 통신 복구시점 이후의 반도체 설비 비상상태가 작업자의 확인 작업 없이도 자동으로 관리되도록 함으로써, 작업자의 업무부담을 현저히 저감시킬 수 있다. 이러한 경고 메시지의 형태는 O/I PC(402)의 사양에 따라 다양하게 선택될 수 있다. 이후, 비상상태 감시모듈(4020)은 상술한 각 단계를 지속적으로 반복함으로써, 반도체 설비(403)의 비상상태 상황을 효율적으로 관리한다. 이와 같이, 본 발명에서는 비상상태 감시모듈을 통해 온라인 통신 복구시점 이후, 반도체 설비의 비상상태가 자동으로 관리되도록 함으로써, 예측하지 못한 공정사고를 미연에 방지할 수 있다.Hereinafter, the semiconductor facility management step will be described with reference to FIGS. The step of managing the semiconductor facility includes the steps of: determining whether online communication between the host and the semiconductor facility has been restored; receiving emergency state data from the semiconductor facility if the online communication is restored; Determining whether the semiconductor facility is in a warning state by searching the emergency state data; Determining whether the warning condition is in a dangerous state if the semiconductor facility is in a warning state; Changing the variable ID key value of the semiconductor facility, loading the variable ID into the semiconductor facility control message, downloading the semiconductor facility control message to the semiconductor facility and turning off the semiconductor facility if the warning condition is in a dangerous state ; If the warning state is not a dangerous state, it is determined whether or not a predetermined lot input signal has been input, and if the lot input signal is input, a warning message is downloaded to the O / I PC. Preferably, the semiconductor facility control message is a stream function message. Preferably, the semiconductor facility control message is S2F21 or S2F41. Preferably, the variable ID is an ECID. Accordingly, in the present invention, the emergency state of the semiconductor equipment after the online communication recovery time is accurately managed. More specifically, as shown in FIG. 24, the host 401 is provided with an emergency state monitoring module 4020 for monitoring emergency state data uploaded from the semiconductor facility 403 after an online communication recovery time. Accordingly, after the online communication recovery point, the emergency state of the semiconductor facility 403 is grasped in real time by the emergency state monitoring module 4020. [ Here, the operator gives the reporting function to the semiconductor equipment 403 corresponding to the emergency state monitoring module 4020, so that the emergency state of the semiconductor facility 403 is reported to the emergency state monitoring module 4020 in real time . The emergency state monitoring module 4020 can promptly transmit the emergency state of the semiconductor facility 403 to the worker or turn off the entire semiconductor facility 403 so that the lot of the semiconductor equipment 403 in the emergency state (4010) can not be inserted. 25, first, the emergency state monitoring module 4020 determines whether online communication between the host 401 and the semiconductor facility 403 has been restored (S411). At this time, if online communication between the host 401 and the semiconductor facility 403 has not been restored, the emergency state monitoring module 4020 ends the flow. On the other hand, if online communication between the host 401 and the semiconductor facility 403 has been restored, the emergency state monitoring module 4020 receives emergency state data uploaded from the semiconductor facility 403 via the semiconductor facility server in real time (S412). Accordingly, the emergency state of the semiconductor facility 403 after the on-line communication recovery point is quickly detected by the emergency state monitoring module 4020. [ Next, the emergency state monitoring module 4020 searches the emergency state data to determine whether the state of the semiconductor facility 403 is a warning state (S420). At this time, if the state of the semiconductor facility 403 is not the warning state and it is determined that the normal state is the run state, the emergency state monitoring module 4020 proceeds to the step S11 to continue the emergency state data reception. On the other hand, if the state of the semiconductor facility 403 is a warning state, the emergency state monitoring module 4020 determines again whether the warning state is in a dangerous state to determine the instability of the semiconductor facility 403 (S430) . At this time, if the warning state of the semiconductor facility 403 is in a dangerous state and it is determined that the semiconductor facility 403 is in a very unstable state, the emergency state monitoring module 4020 transmits the result to the host 401, The semiconductor device 401 immediately turns off the process of the semiconductor device 403 by changing the variable ID key value of the corresponding semiconductor device 403 to the off state at step S441. Here, preferably, the variable ID changed by the host 401 is an ECID (Equipment Constant ID) that can change the status of the semiconductor facility 403 collectively. Subsequently, the emergency state monitoring module 4020 receives the variable ID whose key value is changed from the host 401 through the above-described process, loads it in the semiconductor facility control message, downloads it to the semiconductor facility 403 through the semiconductor facility server (S442). Thus, the semiconductor facility 403 is immediately turned off. In the case of the present invention, the host 401 accurately grasps the emergency state of the semiconductor device 403 after the on-line communication recovery time through the emergency state monitoring module 4020, In particular, in a dangerous state, the semiconductor device 403 is completely turned off to completely block the process progress by the semiconductor device 403, thereby preventing a process accident in advance. According to an aspect of the present invention, the semiconductor facility control message downloaded from the emergency state monitoring module 4020 to the semiconductor facility 403 is a stream function message, which is desired to be communicated. Here, preferably, the stream function form of the semiconductor facility control message is S2F21 or S2F41 appropriate to the standardization standard. For example, if the emergency state monitoring module 4020 detects the emergency state of the semiconductor facility 403 through the above process and desires to turn off the state of the semiconductor facility 403 altogether, the emergency state monitoring module 4020 The ECID having the key value changed to the 'off' state is received through the host 401 and is loaded into the stream function message S2F21 or S2F41 to be downloaded to the semiconductor facility 403 so that the state of the semiconductor facility 403 is changed to the ECID Quickly change to 'off' according to key value. As a result, unpredictable process accidents are prevented in advance. On the other hand, if it is determined that the warning state of the semiconductor facility 403 is not in a dangerous state and the semiconductor facility 403 is in a slightly unstable state, the emergency state monitoring module 4020 sets the lot to the O / It is again determined whether or not a signal is input (S451). At this time, if the lot input signal is not input to the O / I PC 402, the emergency state monitoring module 4020 determines that the process progress by the operator has not yet been completed, and ends the flow. On the other hand, if the lot input signal is input to the O / I PC 402, the emergency state monitoring module 4020 determines that the lot 4010 is inputted to the semiconductor equipment 403 in the emergency state by the operator, To the O / I PC 402 so that the operator can visually confirm the emergency state of the semiconductor facility 403 (S452). For example, the emergency state monitoring module 4020 processes the emergency state of the semiconductor facility 403 as text data, and then, for example, 'the present semiconductor facility is in a warning state. Please stop the track-in process. ' Etc. to the O / I PC 402 so that the operator can grasp the emergency state of the semiconductor facility 403 and can quickly carry out subsequent work in conformity with the emergency state. Accordingly, the problem that the lot 4010 is loaded by the semiconductor equipment 403 in the emergency state due to the operator's mistake is prevented in advance. The host 401 accurately grasps the emergency state of the semiconductor facility 403 through the emergency state monitoring module 4020 and then receives the above warning message when the input signal of the lot 4010 is input to the O / By displaying the operator's attention, it is possible to prevent unforeseen process accidents in advance. Further, in the present invention, the host 401 can automatically manage the emergency state of the semiconductor equipment after the on-line communication recovery time through the emergency state monitoring module 4020, without requiring confirmation by the operator, thereby significantly reducing the workload of the worker . The form of the warning message may be variously selected according to the specifications of the O / I PC 402. Then, the emergency state monitoring module 4020 efficiently manages the emergency state of the semiconductor facility 403 by continuously repeating the above-described steps. As described above, according to the present invention, the emergency state of the semiconductor equipment is automatically managed after the on-line communication recovery time through the emergency state monitoring module, so that unexpected process accidents can be prevented in advance.

본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments, but, on the contrary, is intended to cover various modifications and equivalent arrangements included within the spirit and scope of the appended claims. Accordingly, the true scope of the present invention should be determined by the technical idea of the appended claims.

100 : 웨이퍼 연마장치 110 : 연마부
111 : 연마제 120 : 세정부
121 : 세척수 분사노즐 122 : 에어 분사노즐
130 : 확대표시부 131 : 이미지 센서
132 : 제어장치 133 : 디스플레이 장치
140 : 시편홀딩부 150 : 이송유닛
160 : 왕복이동유닛
100: wafer polishing apparatus 110: polishing unit
111: abrasive agent 120:
121: wash water spray nozzle 122: air spray nozzle
130: magnification display section 131: image sensor
132: Control device 133: Display device
140: specimen holding unit 150: transfer unit
160: reciprocating unit

Claims (18)

제1 면에 복수개의 단위 반도체칩이 패턴화된 웨이퍼를 커팅하여 반도체칩을 제조하는 반도체 설비의 관리방법으로서,
상기 웨이퍼의 제1 면이 상부에 위치하도록 상기 웨이퍼를 바텀지그 내에 구비시키는 웨이퍼장착단계와, 상기 제1 면의 적어도 일부에 레진을 토출시켜 구비시키는 레진토출단계와, 상기 제1 면의 상부에서 상기 레진을 탑지그를 이용하여 가압하여 상기 웨이퍼의 제1 면에 도포시키는 도포단계와, 상기 제1 면에 도포된 레진을 경화시키는 경화단계와, 상기 레진이 노출되도록 상기 웨이퍼의 제1 면의 반대면인 제2 면을 연삭하는 연삭단계와, 상기 단위 반도체칩을
분할하는 분할단계를 포함하는 반도체 제조공정을 수행하는 반도체 설비를 운용하기 위한 반도체 설비 운용 단계; 및 관리시스템을 통해 상기 반도체 설비를 관리하는 반도체 설비 관리 단계를 포함하며,
상기 웨이퍼장착단계에서,
상기 바텀지그는 상부면이 개구되는 박스형으로 구비되고, 상기 바텀지그는 원통형의 제1 바디부와 상기 제1 바디부와 상보적으로 분리 및 결합이 가능하도록 구비되는 제2 바디부로 이루어지는 반도체 설비의 관리방법.
A method of managing a semiconductor device for manufacturing a semiconductor chip by cutting a wafer having a plurality of unit semiconductor chips patterned on a first surface thereof,
Comprising: a wafer mounting step of mounting the wafer in a bottom jig such that a first surface of the wafer is positioned at an upper portion; a resin discharging step of discharging resin at least a part of the first surface; A curing step of curing the resin coated on the first side, and a curing step of curing the resin coated on the first side of the wafer so that the resin is exposed to the opposite side of the first side of the wafer A grinding step of grinding a second surface of the unit semiconductor chip,
A semiconductor facility operation step for operating a semiconductor facility for performing a semiconductor manufacturing process including a dividing step for dividing the semiconductor facility; And a semiconductor facility management step of managing the semiconductor facility through a management system,
In the wafer mounting step,
The bottom jig includes a first body portion having a cylindrical shape and a second body portion provided to be capable of separating and coupling with the first body portion. How to manage.
청구항 1에 있어서,
상기 반도체 설비를 관리하는 단계는,
호스트와 상기 반도체 설비 간에 온라인 통신이 복구 여부를 판단하여 상기 온라인 통신이 복구되었으면 상기 반도체 설비로부터 비상상태 데이터를 수신하는 단계와, 상기 비상상태 데이터를 서치하여 상기 반도체 설비가 경고상태인가의 여부를 판단하는 단계와, 상기 반도체 설비가 경고상태이면, 상기 경고상태가 위험상태인가의 여부를 판단하는 단계와, 상기 경고상태가 위험상태이면, 상기 반도체 설비의 변수 아이디 키 값을 변경하고 상기 변수 아이디를 반도체 설비 제어 메시지에 실은 후 상기 반도체 설비 제어 메시지를 상기 반도체 설비로 다운로드하여 상기 반도체 설비를 오프시키는 단계와, 상기 경고상태가 위험상태가 아니면, 소정의 로트 투입 신호가 입력되었는가의 여부를 판단한 후 상기 로트 투입 신호가 입력되었으면, 경고 메시지를 O/I PC로 다운로드하는 단계를 포함하는 반도체 설비의 관리방법.
The method according to claim 1,
Wherein the step of managing the semiconductor equipment comprises:
Receiving emergency state data from the semiconductor equipment if online communication between the host and the semiconductor facility is restored and determining whether the online communication is restored, searching the emergency state data to determine whether the semiconductor facility is in a warning state Determining whether the warning state is in a dangerous state if the semiconductor facility is in a warning state; and changing the variable ID key value of the semiconductor facility when the warning state is in a dangerous state, After the semiconductor facility control message is loaded into the semiconductor facility control message, downloading the semiconductor facility control message to the semiconductor facility and turning off the semiconductor facility; and if the warning state is not a dangerous state, determining whether a predetermined lot introduction signal has been input If the lot input signal has been input after this, Method of managing whether a semiconductor equipment comprising a step of downloading to the O / I PC.
삭제delete 청구항 1에 있어서,
상기 제1 및 제2 바디부는 각각 체결홀이 구비되고, 상기 체결홀은 별도의 체결부재에 의하여 체결되어 상기 제1 및 제2 바디부를 연결시키는 반도체 설비의 관리방법.
The method according to claim 1,
Wherein the first and second body portions are each provided with a fastening hole and the fastening hole is fastened by a separate fastening member to connect the first and second body portions.
청구항 4에 있어서,
상기 반도체 설비 운용 단계는,
웨이퍼 연마 장치를 이용하여 상기 웨이퍼를 연마 가공하는 웨이퍼 연마 가공 단계를 더 포함하며,
상기 웨이퍼 연마 장치는,
소정의 몸체부와,
상기 몸체부 상에 구비되며 가로축을 중심으로 회전하는 원통형의 연마체를 구비하여 웨이퍼를 연마하는 연마부와, 상기 연마부의 측부에 형성되어 웨이퍼를 세정하고 건조하는 세정부와, 상기 세정부의 측부에 형성되어 웨이퍼의 영상을 획득하여 확대, 표시하는 확대표시부와, 리니어모터와 상기 리니어모터 하측에 결합된 압전구동기, 상기 압전구동기 하측에 결합되며 다공질 금속으로된 진공 척을 구비하여, 웨이퍼를 홀딩하고 승강시키는 시편홀딩부와, 상기 시편홀딩부를 상기 연마부, 세정부, 확대표시부 간에 가로로 이동시키는 이송유닛과, 상기 연마부가 웨이퍼를 연마 시 상기 시편홀딩부가 좌우로 왕복 이동하도록 하는 왕복이동유닛과, 상기 몸체부 상에 구비되어 바닥부와의 완충을 위한 완충모듈을 포함하며,
상기 연마부가 웨이퍼를 연마 시, 웨이퍼가 회전하는 연마체 위에서 연마체의 축에 수평하게 설치된 상태로 직선 왕복운동하면서 연마됨으로써, 선접촉 연마가 이루어지는 반도체 설비의 관리방법.
The method of claim 4,
In the semiconductor facility operation step,
Further comprising a wafer polishing step of polishing the wafer using a wafer polishing apparatus,
The wafer polishing apparatus comprises:
A predetermined body portion,
A polishing part provided on the body part and having a cylindrical polishing body rotated around a horizontal axis to polish the wafer; a cleaning part formed on a side of the polishing part to clean and dry the wafer; A piezoelectric actuator coupled to a lower side of the linear motor and a vacuum chuck made of a porous metal and coupled to the lower side of the piezoelectric actuator, A transfer unit for horizontally moving the specimen holding part between the polishing part, the cleaning part and the enlarged display part; and a reciprocating unit for reciprocating the specimen holding part, And a buffer module provided on the body portion and buffering the buffer portion with the bottom portion,
Wherein said polishing portion is polished while linearly reciprocating while being placed horizontally on a shaft of a polishing body on a polishing body on which a wafer is rotated during polishing of the wafer so that line contact polishing is performed.
청구항 5에 있어서,
상기 완충모듈은,
상기 바닥부와 접하는 하부유닛과, 상기 하부유닛의 상방에서 상기 몸체부와 접하는 완충유닛을 포함하며, 상기 완충유닛은, 상기 몸체부 저면과 마주 접하는 상부고정판과, 상기 하부유닛과 마주접하는 하부고정판과, 상기 상부고정판과 상기 하부고정판 사이에 구비되는 탄성하우징을 포함하며,
상기 탄성하우징은 외측면부가 지그재그 형태로 형성되며, 상기 탄성하우징은 내부에 탄성충진재가 충진되되, 상기 탄성충진재는 상기 탄성하우징의 형상에 대응하도록 충진되며, 상기 탄성 충진재는 종방향을 따라 복수의 완충공간이 형성되며, 상기 각 완충공간들 사이에는 내부 보강판이 각각 구비되며, 상기 완충공간은 상기 내부 보강판의 너비 이상의 너비를 가지도록 형성되되, 상기 내부 보강판들 중 상기 상부고정판과 마주하는 최상단 보강판은 하부면에 소정형상의 하면돌기부가 형성되며, 상기 내부 보강판들 중 상기 하부고정판과 마주하는 최하단 보강판은 상부면에 소정형상의 상면돌기부가 형성되며, 상기 최상단 보강판과 상기 최하단 보강판 사이에 위치되는 중단 보강체들은 각각 상부면과 하부면에 상면돌기부와 하면돌기부가 돌기부가 형성되며,
상기 상부고정판 상에는 상기 상부고정판과 상기 하부유닛 상호간에 발생되는 제1 가압힘을 측정하기 위한 제1 가압힘 측정센서가 상호 이격되어 복수로 구비되며, 상기 하부고정판 상에는 상기 하부고정판과 상기 하부유닛 상호간에 발생되는 제2 가압힘을 측정하기 위한 제2 가압힘 측정센서가 상호 이격되어 복수로 구비되는 반도체 설비의 관리방법.
The method of claim 5,
The buffer module includes:
And a shock absorbing unit which is in contact with the body part above the lower unit, wherein the shock absorbing unit comprises: an upper fixed plate which is in contact with the bottom surface of the body part; and a lower fixed plate which is in contact with the lower unit, And an elastic housing provided between the upper fixing plate and the lower fixing plate,
Wherein the elastic housing is formed in a zigzag shape on an outer side thereof, the elastic housing is filled with an elastic filler, the elastic filler is filled to correspond to the shape of the elastic housing, and the elastic filler has a plurality of A buffer space is formed in the buffer space, and an inner reinforcing plate is provided between each of the buffer spaces. The buffer space is formed to have a width greater than the width of the inner reinforcing plate, The uppermost reinforcing plate is formed with a bottom protrusion having a predetermined shape on a lower surface thereof. The lowermost reinforcing plate of the inner reinforcing plates facing the lower fixing plate has a top surface protrusion of a predetermined shape on an upper surface thereof, The interrupted reinforcements positioned between the lowermost reinforcing plates are provided with upper and lower protrusions on the upper and lower surfaces, respectively, Additional formed,
A first pressing force measuring sensor for measuring a first pressing force generated between the upper fixing plate and the lower unit is provided on the upper fixing plate so as to be spaced apart from each other and on the lower fixing plate, And a second pressing force measuring sensor for measuring a second pressing force generated in the second pressing force measuring sensor.
청구항 6에 있어서,
상기 완충유닛의 동작을 제어하기 위한 제어부를 더 포함하며,
상기 완충공간들 사이에 위치되는 상기 탄성충진재 상에는 제2 완충공간이 각각 형성되며, 상기 상부고정판과 상기 하부고정판 사이에는 소정 형상의 지지유닛이 구비되며, 상기 각 중단 보강체는 상기 제2 완충공간 상에 위치된 채, 상기 지지유닛 상에 결속되어 회전 가능하도록 구비되며, 상기 지지유닛 상에는 구동수단이 복수로 구비되며, 상기 각 중단 보강체는 상기 구동수단에 연동되어 동작되는 이물질 제거장치의 제거유닛. 상기 각 중단 보강체는, 상기 구동수단을 통하여 상기 제2 완충공간 상에서 길이방향 상의 일측과 타측으로 유동 가능하도록 구비되며,
상기 제어부는 측정된 상기 제1 가압힘과 상기 제2 가압힘에 기반하여, 상기 중단 보강체의 동작을 제어하되, 상기 제1 가압힘과 상기 제2 가압힘이 기 설정값을 초과하는 경우, 상기 각 중단 보강체를 고속으로 회전시키고, 기 설정값 미만인 경우, 상기 중단 보강체를 저속으로 회전시키며,
상기 구동수단은 상기 지지유닛 상에서 일정 범위로 승하강이 가능하도록 구비되며, 상기 제어부는, 상기 구동수단을 통해 상기 중단 보강체의 높이를 조정하되, 상기 제1 가압힘이 기 설정값을 초과하는 경우, 상기 구동수단들 중 상방 일부의 구동수단을 상방으로 유동되도록 하고, 상기 제2 가압힘이 기 설정값을 초과하는 경우, 상기 구동수단들 중 하방 일부의 구동수단을 하방으로 유동되도록 하는 반도체 설비의 관리 방법.
The method of claim 6,
And a control unit for controlling the operation of the shock absorber unit,
A second buffer space is formed on the elastic filling material located between the buffer spaces, and a supporting unit having a predetermined shape is provided between the upper fixing plate and the lower fixing plate, And a plurality of driving means are provided on the supporting unit, and each of the intermittent reinforcing members is provided on the supporting unit in such a manner as to be removable from the foreign material removing device operated in conjunction with the driving unit unit. Wherein each of the interrupted reinforcing members is provided so as to be able to flow to one side and the other side in the longitudinal direction on the second buffer space through the driving means,
Wherein the control unit controls the operation of the intermittent reinforcement based on the measured first pressing force and the second pressing force, wherein when the first pressing force and the second pressing force exceed a predetermined value, Rotating the intermittent reinforcement member at a high speed, and rotating the intermittent reinforcement member at a low speed when the intermittent reinforcement member is below a predetermined value,
Wherein the driving unit is provided so as to be able to move up and down within a predetermined range on the support unit, and the control unit adjusts the height of the interrupted reinforcing member through the driving unit, wherein the first pressing force exceeds a predetermined value And a control means for controlling the driving means of the lower one of the driving means to flow downward when the second pressing force exceeds the predetermined value, How to manage facilities.
청구항 7에 있어서,
상기 최상단 보강판 및 상기 최하단 보강판 각각은,
외부의 충격에 기반하는 진동이 발생되면 상기 상면돌기부와 상기 하면돌기부가 상기 완충공간를 경유하여 상기 중단 보강체에 접촉되며,
상기 최상단 보강판 및 상기 최하단 보강판의 상기 상면돌기부와 상기 하면돌기부는, 상기 중단 보강체의 돌기부와 상호 대응하는 요철형태로 형성되며,
상기 상부고정판은, 상기 몸체부 저면과 마주 접하는 상방의 제1고정판과, 수평방향 상으로 슬라이딩 가능하도록 상기 제1고정판의 하부에 결속되며, 상기 탄성하우징, 상기 최상단 보강판과 마주 접하는 제2고정판을 포함하며,
상기 하부고정판은,
상기 하부유닛과 마주 접하는 하방의 제3고정판과, 수평방향 상으로 슬라이딩 가능하도록 상기 제3고정판의 상부에 결속되며, 상기 탄성하우징, 상기 최하단 보강판과 마주 접하는 제4고정판을 포함하며,
상기 제2고정판은 상기 제1고정판의 면적을 초과하도록 적어도 양쪽 외측으로 연장되며, 상기 제2고정판의 양쪽 외측의 각 단부에는 상방으로 연장형성되는 상방돌출부가 형성되며, 상기 제4고정판은 상기 제3고정판의 면적을 초과하도록 적어도 양쪽 외측으로 연장되며, 상기 제4고정판의 양쪽 외측의 각 단부에는 상방으로 연장형성되는 하방돌출부가 형성되며,
상기 상방돌출부는 적어도 일부가 상기 제1고정판과 대향하도록 위치되어, 상기 상방돌출부 및 상기 제1고정판은 상호 간에 탄성수단으로 결속되어 탄성복원력이 부여되며, 상기 하방돌출부는 적어도 일부가 상기 제4고정판과 대향하도록 위치되어, 상기 하방돌출부 및 상기 제4고정판은 상호 간에 탄성수단으로 결속되어 탄성복원력이 부여되며,
상기 중단 보강체는,
높이방향 상에서 홀수열에 구비되는 홀수열 중단 보강체와, 짝수열에 구비되는 짝수열 중단 보강체를 포함하며, 높이방향 가상의 중심축을 기준으로, 상기 홀수열 중단 보강체는 상기 중심축 상에 위치되며, 상기 짝수열 중단 보강체는 상기 중심축의 전후에 각각 구비되는 반도체 설비의 관리 방법.
The method of claim 7,
Wherein each of the uppermost stiffening plate and the lowermost stiffening plate includes:
When the vibration based on an external impact is generated, the upper surface projection part and the lower surface projection part are in contact with the intermittent reinforcement body via the buffer space,
The upper surface protrusion and the lower surface projection of the uppermost reinforcing plate and the lowermost reinforcing plate are formed in a concavo-convex shape corresponding to the protrusion of the interrupted reinforcing body,
The upper fixing plate includes a first fixing plate which is in contact with the bottom surface of the body portion and a second fixing plate which is coupled to the lower portion of the first fixing plate so as to be slidable in the horizontal direction, / RTI &gt;
The lower fixing plate,
And a fourth fixing plate coupled to an upper portion of the third fixing plate so as to be slidable in a horizontal direction and being in contact with the elastic housing and the lowermost reinforcing plate,
Wherein the second fixing plate extends at least outwardly beyond the area of the first fixing plate and the upper fixing protrusion is formed at each end of the outer sides of the second fixing plate so as to extend upwardly, And a third protruding portion extending upward is formed at each end of the outer sides of both sides of the fourth fixing plate,
Wherein the upper projecting portion and the first fixing plate are coupled with each other by elastic means to impart an elastic restoring force and at least a part of the lower projecting portion is engaged with the fourth fixing plate, Wherein the lower protrusion and the fourth fixing plate are coupled to each other by elastic means to give an elastic restoring force,
Wherein the break-
Numbered column interrupter provided in an odd-numbered column in a height direction and an even-numbered column interrupter provided in an even-numbered column, wherein the odd column interrupter is located on the central axis And the even-numbered row interruption reinforcing members are provided before and after the center axis, respectively.
청구항 8에 있어서,
상기 상부 고정판 및 상기 하부 고정판 사이에서 상기 상부 고정판과 상기 하부 고정판 상호간에 탄성력복원력을 발생시키기 위한 탄성모듈과, 상기 상부 고정판 및 상기 하부 고정판의 각 단부를 클램핑하는 클램핑부재를 포함하는 가압력 조절 수단을 더 포함하며,
상기 가압력 조절수단은 상기 상부 고정판 및 상기 하부 고정판의 양측면 상에 구비되며,
상기 클램핑부재는 상기 탄성모듈에 기반하여 상기 상부 고정판 및 상기 하부 고정판을 상호간에 가압되도록 클램핑시키며,
상기 탄성모듈은,
상기 상부 고정판과 마주 접하는 제1지지구와, 상기 하부 고정판과 마주 접하는 제2지지구와, 상기 제1지지구와 상기 제2지지구 상호간에 결속되는 탄성부재를 포함하되,
상기 제1지지구와 마주 접하는 상기 상부 고정판의 제1영역 상에는 제1탄성력 감지센서가 구비되며, 상기 제2지지구와 마주 접하는 상기 하부 고정판의 제2영역 상에는 제2탄성력 감지센서가 구비되며, 상기 제어부는 상기 제1탄성력 감지센서 및 상기 제2탄성력 감지센서에 기반하여 상기 클램핑부재의 클램핑 동작을 제어하는 반도체 설비의 관리 방법.
The method of claim 8,
An elastic module for generating an elastic force restoring force between the upper fixing plate and the lower fixing plate between the upper fixing plate and the lower fixing plate and a clamping member for clamping the ends of the upper fixing plate and the lower fixing plate, Further,
Wherein the pressing force adjusting means is provided on both side surfaces of the upper fixing plate and the lower fixing plate,
Wherein the clamping member clamps the upper and lower fixing plates so as to be pressed against each other based on the elastic module,
The elastic module includes:
A first support member which is in contact with the upper fixing plate, a second support member which is in contact with the lower fixing plate, and an elastic member which is coupled between the first support member and the second support member,
A first elastic force detection sensor is provided on a first region of the upper fixed plate which is in contact with the first support member and a second elastic force detection sensor is provided on a second region of the lower fixed plate which is in contact with the second support member, Wherein the clamping operation of the clamping member is controlled based on the first elastic force detection sensor and the second elastic force detection sensor.
청구항 9에 있어서,
상기 클램핑부재는,
소정의 중앙본체와, 상기 중앙본체 일방으로부터 승하강 가능하도록 구비되는 제1유동체와, 상기 중앙본체 타방으로부터 승하강 가능하도록 구비되는 제2유동체를 포함하며, 상기 제1지지구는 상기 제1유동체 상에 결속되어 독립적으로 승하강 가능하도록 구비되며, 상기 제2지지구는 상기 제2유동체 상에 결속되어 독립적으로 승하강 가능하도록 구비되며, 상기 제1유동체 상에는 상기 상부 고정판을 사이에 두고 상기 제1지지구와 대향하는 제3지지구가 구비되며, 상기 제2유동체 상에는 상기 하부 고정판을 사이에 두고 상기 제2지지구와 대향하는 제4지지구가 구비되며, 상기 제3지지구는 상기 제1유동체의 길이방향으로부터 수직하여 외측으로 출몰 가능하도록 구비되며, 상기 제4지지구는 상기 제2유동체의 길이방향으로부터 수직하여 외측으로 출몰 가능하도록 구비되는 반도체 설비의 관리 방법.
The method of claim 9,
The clamping member
A first fluid body which is provided so as to be able to move up and down from one side of the central body, and a second fluid body that is movable up and down from the other side of the central body, And the second support member is coupled to the second fluid member so that the second support member can independently move up and down, and the first support member is supported on the first support member by the first support member And a fourth support member opposed to the second support member with the lower support plate interposed therebetween, wherein the third support member is provided on the second fluid member in a longitudinal direction of the first fluid member And the fourth support member is vertically and externally projected from the longitudinal direction of the second fluid, Management method of a semiconductor equipment provided to enable.
청구항 10에 있어서,
상기 상부 고정판과 상기 하부 고정판 사이에 제1 완충부재가 구비되며, 상기 제1 완충부재는 상기 탄성하우징과 이웃하여 형합되도록 구비되며, 외부의 충격에 의하여 파쇄되는 경질 유리 재질이며, 상기 제1 완충부재는 복수의 열로 구비되며 복수의 열로 구비된 상기 제1 완충부재들 사이에는 경질 유리 재질인 제2 완충부재가 구비되며, 상기 제2 완충부재는 상기 제1 완충부재는 상이한 강도를 가지는 반도체 설비의 관리 방법.
The method of claim 10,
A first cushioning member is provided between the upper fixing plate and the lower fixing plate, the first cushioning member is made of a hard glass material which is formed to be adjacent to the elastic housing and is formed by fracturing by external impact, Wherein the first buffer member is provided with a plurality of rows and a second buffer member made of a hard glass material is provided between the first buffer members having a plurality of rows, Management method.
청구항 11에 있어서,
상기 제1 완충부재 및 상기 제2 완충부재는 각각 경질 유리 재질인 제3 완충부재가 내장되며,
상기 제3 완충부재는 상기 제1 완충부재 및 상기 제2 완충부재와 상이한 강도를 가지며,
상기 탄성모듈과 상기 탄성하우징 사이에는 소정의 구획판이 구비되며,
상기 구획판과 상기 탄성하우징 사이에는 제4 완충부재 및 제5 완충부재가 구비되며,
상기 제4 완충부재는 상기 탄성하우징과 형합되도록 구비되며,
상기 제5 완충부재는 상기 구획판과 상기 제4 완충부재 사이에 구비되는 반도체 설비의 관리방법.
The method of claim 11,
The first cushioning member and the second cushioning member each include a third cushioning member made of a hard glass material,
The third buffering member has a strength different from that of the first buffering member and the second buffering member,
A predetermined partition plate is provided between the elastic module and the elastic housing,
A fourth buffer member and a fifth buffer member are provided between the partition plate and the elastic housing,
The fourth cushioning member is provided to be in contact with the elastic housing,
And the fifth buffer member is provided between the partition plate and the fourth buffer member.
청구항 12에 있어서,
상기 하부유닛과 상기 몸체부의 저면부 사이의 이격거리를 조절하기 위한 리프팅수단이 구비되며,
상기 완충유닛은 상기 하부유닛 상에서 일정 범위 내로 유동 가능하도록 복수 구비되며,
상기 완충유닛은,
상기 하부유닛의 각 모서리부 상에 위치되는 제1모드와, 상기 각 모서리부로부터 상기 하부유닛의 가상의 중심점을 향하여 동시적 또는 비동시적으로 유동되는 제2모드로 동작하도록 구비되는 반도체 설비의 관리 방법.
The method of claim 12,
And lifting means for adjusting a distance between the lower unit and the bottom portion of the body portion,
Wherein the buffer unit is provided with a plurality of buffer units capable of flowing within a certain range on the lower unit,
The buffer unit includes:
A first mode being located on each corner of the lower unit, and a second mode of operating in a second mode of simultaneous or asynchronous flow from the respective corner toward the virtual center of the lower unit. Way.
청구항 13에 있어서,
상기 제어부는,
상기 리프팅수단을 통하여 상기 하부유닛과 상기 몸체부의 저면부 사이를 일정하게 이격시킨 상태에서 상기 완충유닛을 상기 제1모드 또는 상기 제2모드로 동작시키는 반도체 설비의 관리 방법.
14. The method of claim 13,
Wherein,
Wherein the buffer unit is operated in the first mode or the second mode while the lower unit and the bottom surface portion of the body portion are spaced apart from each other by the lifting means.
청구항 14에 있어서,
상기 리프팅수단은,
상기 제1모드를 기준으로 상기 완충유닛 사이에 구비되는 제1리프팅수단과,
상기 제1모드 상태에서 상기 완충유닛의 저면에 구비되며 상기 제2모드 상태에서 상방으로 돌출되어 리프팅을 수행하는 제2리프팅수단과,
상기 제1모드를 기준으로 상기 완충유닛 사이에 상기 제1리프팅수단보다 작은 직경으로 구비되는제3리프팅수단을 포함하며,
상기 제어부는,
1차적으로 상기 제1리프팅수단과 상기 제3리프팅수단을 1차적으로 구동시키며, 2차적으로 상기 완충유닛을 제1모드로 동작시키며, 3차적으로 상기 제2리프팅 수단을 구동시키는 반도체 설비의 관리 방법.
15. The method of claim 14,
Said lifting means comprising:
First lifting means provided between the buffer units on the basis of the first mode,
Second lifting means provided on the bottom surface of the shock absorber in the first mode and protruding upward in the second mode to perform lifting,
And third lifting means between the buffering units with a smaller diameter than the first lifting means on the basis of the first mode,
Wherein,
The first lifting means and the third lifting means are primarily driven, the buffering unit is operated in the first mode and the second lifting means is driven in a third order, Way.
청구항 15에 있어서,
상기 상부 고정판은,
상기 제1 가압힘 측정센서가 상호 이격되어 복수로 구비되는 제1 상부 고정판과 상기 제1 상부 고정판의 상부에 위치되어 상기 몸체부 저면과 마주접하는 제2 상부 고정판을 포함하되,
상기 제1 상부 고정판 상에는 상기 제1 가압힘 측정센서를 좌측, 우측, 상측, 하측으로 각각 유동시키기 위한 유동부가 구비되며,
상기 제2 상부 고정판 상에는 상기 몸체부 저면을 흡착하는 흡착부가 구비되는 반도체 설비의 관리 방법.
16. The method of claim 15,
The upper fixing plate includes:
A first upper fixing plate having a plurality of first pressing force measuring sensors spaced from each other and a second upper fixing plate positioned on an upper portion of the first upper fixing plate and facing the bottom of the body,
A flow unit for flowing the first pressing force measuring sensor from the left side to the right side, the upper side and the lower side is provided on the first upper fixing plate,
And a suction unit for suctioning the bottom of the body portion is provided on the second upper fixing plate.
청구항 16에 있어서,
상기 제2 상부 고정판 상에는 상기 흡착부를 좌측, 우측, 상측 및 하측으로 각각 유동시키기 위한 제2유동부가 구비되며,
상기 흡착부는 상기 제1 가압힘 측정센서와 마주하여 접촉 가능하도록 구비되는 반도체 설비의 관리 방법.
18. The method of claim 16,
A second flow portion for flowing the adsorption portion leftward, rightward, upward and downward, respectively, is provided on the second upper fixing plate,
Wherein the adsorption unit is provided so as to be able to come into contact with the first pressing force measuring sensor.
청구항 17에 있어서,
상기 흡착부는,
흡착몸체부와 상기 흡착몸체의 상방에 플랜지부를 포함하되,
상기 제1 가압힘 측정센서와 대응하도록 복수 구비되어, 상기 플랜지부를 통해 상기 몸체부와 접하며,
상기 제어부는 상기 제1 가압힘 측정센서와 상기 흡착부를 상호 대응하도록 유동시키되,
상기 제1 가압힘 측정센서는 상기 흡착부를 통해 상기 제1 가압힘을 측정하는 반도체 설비의 관리방법.
18. The method of claim 17,
The adsorption unit
And a flange portion above the adsorption body,
A plurality of second pressing force measuring sensors provided corresponding to the first pressing force measuring sensor,
Wherein the controller controls the first pressing force measurement sensor and the adsorption unit to mutually correspond,
Wherein the first pressing force measuring sensor measures the first pressing force through the adsorption unit.
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