KR101743492B1 - Substrate treating apparatus and method - Google Patents

Substrate treating apparatus and method Download PDF

Info

Publication number
KR101743492B1
KR101743492B1 KR1020110056340A KR20110056340A KR101743492B1 KR 101743492 B1 KR101743492 B1 KR 101743492B1 KR 1020110056340 A KR1020110056340 A KR 1020110056340A KR 20110056340 A KR20110056340 A KR 20110056340A KR 101743492 B1 KR101743492 B1 KR 101743492B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
unit
substrate
nozzle
vision
nozzle unit
Prior art date
Application number
KR1020110056340A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20120137052A (en
Inventor
장수일
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020110056340A priority Critical patent/KR101743492B1/en
Publication of KR20120137052A publication Critical patent/KR20120137052A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101743492B1 publication Critical patent/KR101743492B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements

Abstract

기판처리장치 및 그의 처리 방법이 개시된다. 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치 및 그의 처리 방법은 프레임; 상기 프레임의 내부 하단에 제공되고, 상면에 기판을 지지하는 기판지지유닛; 상기 기판지지유닛의 상면에 놓인 기판으로 처리액을 토출하는 적어도 하나의 노즐유닛; 상기 기판지지유닛의 상부에 제공되어 상기 노즐유닛의 위치를 검출하는 비젼유닛; 및 상기 비젼유닛으로부터 전송된 상기 노즐유닛의 위치데이터와 기입력된 상기 노즐유닛의 기준데이터를 비교하여 상기 노즐유닛의 위치 변동 여부를 감지하는 제어부를 포함한다.A substrate processing apparatus and a processing method thereof are disclosed. An apparatus and a method for processing a substrate according to an embodiment of the present invention include a frame; A substrate supporting unit provided on an inner lower side of the frame and supporting the substrate on an upper surface thereof; At least one nozzle unit for discharging the treatment liquid to the substrate placed on the upper surface of the substrate supporting unit; A vision unit provided on an upper portion of the substrate supporting unit to detect a position of the nozzle unit; And a controller for comparing the position data of the nozzle unit transmitted from the vision unit with reference data of the nozzle unit inputted and detecting whether the position of the nozzle unit is changed.

Description

기판처리장치 및 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD}[0001] SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND METHOD [0002]

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 노즐의 위치를 검출하기 위한 비젼유닛을 갖는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus having a vision unit for detecting the position of a nozzle.

일반적으로 반도체 소자는 다양한 공정들 예를 들어, 증착, 포토리소그래피, 식각, 화학적 기계적 연마, 세정, 건조 등과 같은 단위 공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다. 이러한 단위 공정들 중 연마, 식각, 세정 및 건조 공정은 각각의 단위 공정들을 수행하는 동안 반도체 기판 표면에 잔류하는 이물질 또는 불필요한 막을 제거하는 공정이다.Semiconductor devices are typically fabricated by repeated processes of unit processes such as deposition, photolithography, etching, chemical mechanical polishing, cleaning, drying, and the like. Among these unit processes, the polishing, etching, cleaning and drying processes are processes for removing foreign substances or unnecessary films remaining on the surface of the semiconductor substrate during each unit process.

세정 및 건조 공정을 수행하는 기판 처리 장치는 다수의 기판을 동시에 세정하는 배치식 세정 장치와, 낱장 단위로 기판을 세정하는 매엽식 세정 장치로 구분된다. 이 중 매엽식 세정 장치는 공정을 처리하는 챔버(또는 처리조)와, 챔버 내부에 설치되어 낱장의 기판을 지지하는 척 및 기판 표면으로 처리액들을 공급하는 적어도 하나의 노즐들을 포함한다. 매엽식 세정 장치는 공정이 개시되면, 척에 기판이 안착되고 노즐은 기판 표면으로 처리액들 예를 들어, 세정액, 린스액 및 건조 가스 등을 토출하여 기판을 세정 및 건조시킨다.The substrate processing apparatus for performing the cleaning and drying process is divided into a batch type cleaning apparatus for simultaneously cleaning a plurality of substrates and a single wafer type cleaning apparatus for cleaning a substrate by a single unit. The single wafer type cleaning apparatus includes a chamber (or a processing bath) for processing the process, a chuck installed inside the chamber and supporting the single substrate, and at least one nozzle for supplying the processing solutions to the substrate surface. When the single-wafer type cleaning apparatus is started, the substrate is placed on the chuck, and the nozzle cleans and dries the substrate by discharging processing solutions such as a cleaning liquid, a rinsing liquid and a drying gas onto the substrate surface.

본 발명의 실시예들은 비젼유닛을 구비한 기판처리장치를 제공하고자 한다.Embodiments of the present invention are intended to provide a substrate processing apparatus having a vision unit.

본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The objects of the present invention are not limited thereto, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

본 발명의 일 측면에 따르면, 프레임; 상기 프레임의 내부 하단에 제공되고, 상면에 기판을 지지하는 기판지지유닛; 상기 기판지지유닛의 상면에 놓인 기판으로 처리액을 토출하는 적어도 하나의 노즐유닛; 상기 기판지지유닛의 상부에 제공되어 상기 노즐유닛의 위치를 검출하는 비젼유닛; 및 상기 비젼유닛으로부터 전송된 상기 노즐유닛의 위치데이터와 기입력된 상기 노즐유닛의 기준데이터를 비교하여 상기 노즐유닛의 위치 변동 여부를 감지하는 제어부를 포함하는 기판처리장치가 제공될 수 있다.According to an aspect of the present invention, A substrate supporting unit provided on an inner lower side of the frame and supporting the substrate on an upper surface thereof; At least one nozzle unit for discharging the treatment liquid to the substrate placed on the upper surface of the substrate supporting unit; A vision unit provided on an upper portion of the substrate supporting unit to detect a position of the nozzle unit; And a controller for comparing the position data of the nozzle unit transmitted from the vision unit with the reference data of the nozzle unit inputted and detecting whether the position of the nozzle unit is fluctuated.

또한, 상기 비젼유닛은, 상기 노즐유닛에 대한 캡쳐 영상을 획득하는 촬영부재; 상기 촬영부재의 상기 캡쳐 영상 획득시 광을 조사하는 조명부재; 및 상기 캡쳐 영상으로부터 상기 노즐유닛의 상기 위치데이터를 연산하고, 상기 위치데이터를 상기 제어부로 전송하는 비젼처리부를 포함할 수 있다.The vision unit may further include: an imaging member that acquires a captured image of the nozzle unit; An illumination member for irradiating light upon acquiring the captured image of the imaging member; And a vision processor for calculating the position data of the nozzle unit from the captured image and transmitting the position data to the controller.

본 발명의 다른 측면에 따르면, 촬영부재가 노즐유닛의 영상을 캡쳐하여 비젼처리부로 전송하는 제1단계; 상기 제1단계 이후에, 상기 비젼처리부가 상기 영상으로부터 상기 노즐유닛의 위치데이터를 연산하여 제어부로 전송하는 제2단계; 및 상기 제2단계 이후에, 상기 제어부가 상기 위치데이터와 기입력된 상기 노즐의 기준데이터를 비교하여 오차값을 연산하는 제3단계를 포함하는 기판처리장치의 처리방법이 제공될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of capturing an image, comprising: a first step of capturing an image of a nozzle unit and transmitting the captured image to a vision processor; After the first step, the vision processing unit calculates position data of the nozzle unit from the image and transmits the calculated position data to the control unit; And a third step of, after the second step, the control unit compares the positional data with the reference data of the previously input nozzle to calculate an error value.

또한, 상기 기판처리장치의 처리방법은 상기 제3단계 이후에, 상기 오차값이 기설정된 허용범위를 벗어나면 상기 제어부가 경고알람을 발산하는 제4-1단계; 및 상기 오차값이 기설정된 허용범위 내이면 상기 제어부가 공정을 계속 진행하게 하는 제4-2단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the processing method of the substrate processing apparatus may further include a fourth step of, after the third step, if the error value is out of a predetermined allowable range, the control section may generate a warning alarm; And a fourth step of causing the controller to continue the process if the error value is within a predetermined allowable range.

또한, 상기 기판처리장치의 처리방법은 제4-2단계 이후에, 상기 제어부가 상기 위치데이터와 상기 기준데이터를 비교하여 상기 오차값을 연산하는 제5단계; 및 상기 오차값이 기설정된 허용범위를 벗어난 경우, 상기 제어부가 상기 오차값과 기입력된 상기 촬영부재의 위치데이터를 비교하여 상기 촬영부재의 위치를 티칭하는 제6단계를 더 포함할 수 있다.In addition, the method of the substrate processing apparatus may further include a fifth step of, after step 4-2, the control unit comparing the position data and the reference data to calculate the error value; And a sixth step of, when the error value is out of a predetermined allowable range, comparing the error value with position data of the photographing member previously input and teaching the position of the photographing member.

본 발명의 실시예들은 기판처리장치에 비젼유닛을 구비함으로써 노즐의 위치 변동 여부를 검출할 수 있다.Embodiments of the present invention can detect whether the position of the nozzle is changed by providing a vision unit in the substrate processing apparatus.

또한, 본 발명의 실시예들은 기판처리장치의 설치데이터베이스를 이용하여 공정 진행 중 노즐의 위치 변동 여부를 판단할 수 있다.In addition, embodiments of the present invention can determine whether the nozzle position is changed during the process by using the installation database of the substrate processing apparatus.

또한, 본 발명의 실시예들은 기판처리장치의 설치데이터베이스를 이용하여 공정 진행 중 촬영부재의 티칭 작업을 수행할 수 있다.In addition, embodiments of the present invention can perform a teaching operation of an imaging member during a process operation using an installation database of the substrate processing apparatus.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 도 1의 기판처리부의 구성을 도시한 도면이다.
도 3은 도 2의 기판처리부의 평면도이다.
도 4는 도 2의 기판처리부의 측면도이다.
도 5는 도 2의 기판처리부의 블럭도이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 비젼유닛을 이용하여 노즐유닛들의 위치 변동 여부를 감지하는 처리 순서를 도시한 순서도이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 비젼유닛을 이용하여 촬영부재를 티칭하는 순서를 도시한 순서도이다.
1 is a view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.
Fig. 2 is a view showing the configuration of the substrate processing section of Fig. 1. Fig.
3 is a plan view of the substrate processing section of Fig.
4 is a side view of the substrate processing section of Fig.
5 is a block diagram of the substrate processing unit of FIG.
FIG. 6 is a flowchart illustrating a processing procedure for detecting whether a position of a nozzle unit is changed using a vision unit according to an embodiment of the present invention.
7 is a flowchart showing a procedure for teaching the photographing member using the vision unit according to the embodiment of the present invention.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판처리장치 및 그의 처리 방법을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a substrate processing apparatus and a processing method thereof according to preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 개략적인 구성을 도시한 도면이다.1 is a view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 기판처리장치(100)는 매엽식으로 기판(예를 들어, 웨이퍼 등)을 공정처리하는 장치이다. 기판처리장치(100)는 로딩/언로딩부(10), 인덱스(Index)(40), 버퍼부(30), 메인이송로봇(Main Transfer Robot)(50), 복수개의 기판처리부(110) 및 제어부(102)를 포함한다. 기판처리장치(100)는 기판을 연마하는 연마공정과 연마공정 후 기판을 세정하는 세정공정을 하나의 기판처리부(110)에서 순차적으로 처리한다. 본 발명은 노즐을 이용하여 기판에 처리액을 공급하여 공정(예를 들어, 식각, 도포, 현상공정 등)을 처리하는 다양한 기판처리장치에 구비될 수 있다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 100 is a device that processes a substrate (e.g., a wafer or the like) in a single-wafer process. The substrate processing apparatus 100 includes a loading / unloading unit 10, an index 40, a buffer unit 30, a main transfer robot 50, a plurality of substrate processing units 110, And a control unit 102. The substrate processing apparatus 100 sequentially processes the polishing process for polishing the substrate and the cleaning process for cleaning the substrate after the polishing process in one substrate processing section 110. The present invention can be provided in various substrate processing apparatuses that process (for example, etching, coating, developing process, etc.) by supplying a process liquid to a substrate using a nozzle.

로딩/언로딩부(10)는 다수의 로드포트(11a~11d)를 포함한다. 로드포트(11a~11d)들 각각에는 기판들이 수납되는 캐리어 예를 들어, 풉(Front Open Unified Pod : FOUP)(12a~12d)이 안착된다. 풉(12a~12d)에는 각 기판처리부(110)에서 처리 완료된 기판들 또는 각 기판처리부(110)에 투입할 기판들을 수납한다.The loading / unloading section 10 includes a plurality of load ports 11a to 11d. In each of the load ports 11a to 11d, a carrier, for example, a FOUP (FOUP) 12a to 12d, on which the substrates are housed, is seated. The FOUPs 12a to 12d contain substrates processed by the substrate processing units 110 or substrates to be supplied to the respective substrate processing units 110. [

로딩/언로딩부(10)와 버퍼부(30) 사이에는 인덱스(40)가 배치된다. 인덱스(40)에는 제1이송레일(42) 및 인덱스로봇(20)이 제공된다. 인덱스로봇(20)은 제1이송레일(42)을 따라 이동하면서 로딩/언로딩부(10)와 버퍼부(30) 사이에 기판들을 이송한다.An index 40 is disposed between the loading / unloading section 10 and the buffer section 30. [ The index 40 is provided with a first transfer rail 42 and an index robot 20. The index robot 20 moves the substrates along the first transfer rail 42 and transfers the substrates between the loading / unloading unit 10 and the buffer unit 30.

버퍼부(30)는 인덱스(40)의 일측에 설치된다. 버퍼부(30)는 인덱스로봇(20)에 의해 이송된 기판들을 수납하고, 기판처리부(110)들에서 처리된 기판들을 수납한다.The buffer unit 30 is installed at one side of the index 40. The buffer unit 30 accommodates the substrates transferred by the index robot 20 and accommodates substrates processed in the substrate processing units 110. [

메인이송로봇(50)은 이송통로(60)에 설치된다. 이송통로(60)에는 제2이송레일(62)이 구비되고, 제2이송레일(62)에는 메인이송로봇(50)이 설치된다. 메인이송로봇(50)은 제2이송레일(62)을 따라 이동하면서, 버퍼부(30)와 기판처리부(110)들 간에 기판을 이송한다.The main transfer robot 50 is installed in the transfer passage 60. A second conveyance rail 62 is provided in the conveyance passage 60 and a main conveyance robot 50 is provided in the second conveyance rail 62. The main transfer robot 50 moves the substrate along the second transfer rail 62 and transfers the substrate between the buffer unit 30 and the substrate processing units 110.

이송통로(60)의 양측에는 복수 개의 기판처리부(110)들이 배치되고, 각 기판처리부(110)는 기판을 연마 및 세정공정 처리한다. 각 기판처리부(110)에는 기판 상부에서 기판으로 처리액을 공급하는 노즐유닛(140,150)을 촬영하도록 비젼유닛(도 2의 190)이 구비된다. 기판처리장치(100)는 적어도 두 개 이상의 기판처리부(110)가 이송통로(60)를 사이에 두고 서로 마주하게 배치된다. 기판처리부(110)들은 다층으로 배치될 수 있다. 기판처리부(110)들은 평면상에서 볼 때, 이송통로(60)의 양측에 각각 두 개씩, 제2이송통로(60)를 따라 병렬 배치된다. 기판처리부(110)들은 한 층에 두 개씩 두 개의 층으로 적층된다. 기판처리부(110)들의 개수와 배치 구조는 기판처리장치(100)의 공정 효율 및 풋 프린트에 따라 다양하게 변형 가능하다.A plurality of substrate processing units 110 are disposed on both sides of the transfer passage 60, and each substrate processing unit 110 processes the substrate by polishing and cleaning processes. Each of the substrate processing units 110 is provided with a vision unit 190 (FIG. 2) for imaging the nozzle units 140 and 150 for supplying the processing liquid to the substrate from above the substrate. The substrate processing apparatus 100 is disposed such that at least two substrate processing units 110 are opposed to each other with the transfer passage 60 interposed therebetween. The substrate processing units 110 may be arranged in multiple layers. The substrate processing units 110 are arranged in parallel along the second conveyance passage 60, two on each side of the conveyance passage 60 when viewed in a plan view. The substrate processing units 110 are stacked in two layers of two on one layer. The number and arrangement of the substrate processing units 110 can be variously changed according to the process efficiency and the footprint of the substrate processing apparatus 100.

기판처리장치(100)는 기판처리부(110)들이 다수의 층 및 다수의 열로 배치되므로, 동시에 다수의 기판을 연마 및 세정할 수 있다. 기판처리부(110)는 기판처리장치(100)의 제반 동작을 제어하는 제어부(102)와 전기적으로 연결되고, 제어부(102)의 제어에 따라 기판을 연마 및 세정한다.The substrate processing apparatus 100 can polish and clean a plurality of substrates at the same time since the substrate processing units 110 are arranged in a plurality of layers and a plurality of rows. The substrate processing unit 110 is electrically connected to a control unit 102 that controls all operations of the substrate processing apparatus 100 and polishes and cleans the substrate under the control of the control unit 102. [

제어부(102)는 컴퓨터, 터치스크린, 프로그램어블 로직 컨트롤러 및 컨트롤러 등으로 구비된다. 제어부(132)는 적어도 하나가 구비된다. 일 예로, 제어부(102)는 기판처리부(110)들을 개별적으로 제어하기 위해 복수 개가 구비되거나, 하나로 구비되어 기판처리부(110)들을 통합 제어할 수 있다. 제어부(102)는 비젼유닛(190)과 전기적으로 연결되어, 기판처리부(110)들 각각에 제공되는 적어도 하나의 노즐유닛(140,150)들의 위치 변동 여부를 판단하여 알람 발생을 제어한다.
The control unit 102 includes a computer, a touch screen, a programmable logic controller, and a controller. At least one control unit 132 is provided. For example, the control unit 102 may include a plurality of substrate processing units 110 to control the substrate processing units 110, or may integrally control the substrate processing units 110. The control unit 102 is electrically connected to the vision unit 190 to determine whether the position of at least one of the nozzle units 140 and 150 provided in each of the substrate processing units 110 changes or not.

도 2는 도 1의 기판처리부의 구성을 도시한 도면이다. 도 3은 도 2의 기판처리부의 평면도이다. 도 4는 도 2의 기판처리부의 측면도이다. 도 5는 도 2의 기판처리부의 블럭도이다.Fig. 2 is a view showing the configuration of the substrate processing section of Fig. 1. Fig. 3 is a plan view of the substrate processing section of Fig. 4 is a side view of the substrate processing section of Fig. 5 is a block diagram of the substrate processing unit of FIG.

기판처리부(110)는 프레임(104), 용기유닛(bowl unit)(112), 기판지지유닛(120), 연마유닛(130), 제1 및 제2노즐유닛(140,150), 브러쉬유닛(160), 에어로졸유닛(170), 패드컨디셔닝유닛(180), 그리고 비젼유닛(190)을 포함한다.The substrate processing unit 110 includes a frame 104, a bowl unit 112, a substrate supporting unit 120, a polishing unit 130, first and second nozzle units 140 and 150, a brush unit 160, An aerosol unit 170, a pad conditioning unit 180, and a vision unit 190.

기판지지유닛(120)은 용기유닛(112)의 내부에 배치된다. 기판지지유닛(120)에는 메인이송로봇(50)으로부터 이송된 기판(W)이 안착된다. 기판지지유닛(120)은 기판(W)의 연마공정과 세정공정이 이루어지는 동안 기판(W)을 지지 및 고정시킨다. 이 때, 비젼유닛(190)은 프레임(111)의 상부에 설치되어, 공정 진행 중 또는 공정 완료된 후에 기판(W)으로 처리액을 토출하는 노즐유닛(140,150)에 대한 영상을 획득한다. 영상 획득의 범위는 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 토출단(152)을 포함하는 범위(도 3의 RANGE_C)일 수 있다.The substrate support unit 120 is disposed inside the container unit 112. The substrate W transferred from the main transfer robot 50 is seated on the substrate supporting unit 120. The substrate supporting unit 120 supports and fixes the substrate W while the polishing process and the cleaning process of the substrate W are performed. At this time, the vision unit 190 is installed on the upper part of the frame 111 to acquire an image of the nozzle units 140 and 150 that discharge the treatment liquid onto the substrate W during or after the process. The range of the image acquisition may be a range (RANGE_C in FIG. 3) including the discharge end 152 of the first or second nozzle unit 140 or 150.

기판지지유닛(120)은 기판(W)이 안착되는 스핀헤드(도 3의 122), 스핀헤드(122)와 결합되어 스핀헤드(122)를 회전시키는 회전축(도 4의 124) 및, 회전축(124)을 회전시키는 구동부(미도시됨)를 포함한다. 회전축(124)은 스핀헤드(122)의 하단 중앙에 결합된다. 회전축(124)은 원기둥 형상을 가진다. 회전축(124)은 연마공정 및 세정공정이 진행되는 동안 스핀헤드(122)를 회전시킨다. 구동부는 연마공정 및 세정공정시 제어부(102)의 제어를 받아서 스핀헤드(122)를 회전시킨다.The substrate supporting unit 120 includes a spin head (122 in FIG. 3) on which the substrate W is placed, a rotating shaft (124 in FIG. 4) for rotating the spin head 122 in combination with the spin head 122, (Not shown) that rotates the light sources 124. The rotation axis 124 is coupled to the center of the lower end of the spin head 122. The rotary shaft 124 has a cylindrical shape. The rotating shaft 124 rotates the spin head 122 during the polishing process and the cleaning process. The driving unit rotates the spin head 122 under the control of the control unit 102 during the polishing process and the cleaning process.

용기유닛(112)은 기판지지유닛(120)을 둘러싸고, 기판(W)의 연마공정 및 세정공정이 이루어지는 공간을 제공한다. 용기유닛(112)은 상부가 개방되며, 개방된 상부를 통해 스핀헤드(122)가 노출된다. 일 예로, 용기유닛(112)은 연마 및 세정공정을 각각 처리하기 위한 제1 및 제2처리용기(bowl)(도 4의 112a,112b)를 포함한다. 용기유닛(112)은 제1 및 제2처리용기(112a,112b)에 대응하여 연마 및 세정공정에서 사용된 처리액을 각각 회수하는 제1 및 제2회수통(미도시됨) 및, 연마 및 세정공정시, 각 공정에 따라 스핀헤드(122)와 용기유닛(112) 간의 수직 위치가 조절되도록 제1 및 제2처리용기(112a,112b)를 상하로 이동시키는 승강부재(미도시됨) 등을 포함한다. 용기유닛(112)의 외측에는 연마유닛(130), 제1 및 제2노즐유닛(140,150), 브러쉬유닛(160), 에어로졸유닛(170) 및 패드컨디셔닝유닛(180)이 설치된다. 용기유닛(112)의 상부에는 비젼유닛(190)이 설치된다.The container unit 112 surrounds the substrate supporting unit 120 and provides a space for polishing and cleaning the substrate W. [ The container unit 112 is open at the top and the spin head 122 is exposed through the open top. In one example, the container unit 112 includes first and second processing vessels (112a, 112b of FIG. 4) for respectively processing the polishing and cleaning processes. The container unit 112 includes first and second collection bins (not shown) for collecting the processing liquid used in the polishing and cleaning process corresponding to the first and second processing vessels 112a and 112b, An elevating member (not shown) for moving the first and second processing vessels 112a and 112b up and down so that the vertical position between the spin head 122 and the container unit 112 is adjusted according to each step in the cleaning process . A polishing unit 130, first and second nozzle units 140 and 150, a brush unit 160, an aerosol unit 170 and a pad conditioning unit 180 are installed outside the container unit 112. A vision unit 190 is installed on the upper part of the container unit 112.

연마유닛(130)은 기판지지유닛(120)에 고정된 기판(W)의 표면을 화학적 기계적으로 연마하여 기판(W)의 표면을 연마한다. 연마유닛(130)은 기판 표면을 연마하는 연마헤드(134)를 포함한다. 연마헤드(134)는 기판(W)과 접촉하여 기판(W)의 표면을 연마하는 연마패드(132)를 갖는다. 연마헤드(134)는 연마공정시 스핀헤드(122)에 고정된 기판(W)의 상부에 배치된다. 연마헤드(134)는 기판(W)을 연마하기 위한 슬러리(slurry) 등의 처리액을 분사하면서 기판(W)에 접촉된 상태로 회전하여 기판(W)의 표면을 연마한다. 이 때, 연마헤드(134)는 연마패드(132)를 기판(W)의 표면에 가압하면서 회전시킨다. 연마헤드(134)는 연마공정 시, 상하 이동 및, 기판(W)의 중심 영역과 가장자리 사이를 스윙 이동하여 기판(W)의 상부에서 원호 형태로 수평 왕복 이동한다. 또 연마유닛(130)은 연마공정이 완료되면, 연마헤드(134)가 패드컨디셔닝유닛(180)에 수용된 상태로 대기하며, 이 때, 연마패드(132)의 세정 및 재생 공정이 이루어진다.The polishing unit 130 chemically and mechanically polishes the surface of the substrate W fixed to the substrate holding unit 120 to polish the surface of the substrate W. [ The polishing unit 130 includes a polishing head 134 for polishing the surface of the substrate. The polishing head 134 has a polishing pad 132 for polishing the surface of the substrate W in contact with the substrate W. [ The polishing head 134 is disposed on the top of the substrate W fixed to the spin head 122 in the polishing process. The polishing head 134 rotates in contact with the substrate W to polish the surface of the substrate W while spraying a treatment liquid such as a slurry for polishing the substrate W. [ At this time, the polishing head 134 presses the polishing pad 132 against the surface of the substrate W and rotates. The polishing head 134 moves upward and downward and swings between the central region and the edge of the substrate W and horizontally reciprocates in the form of an arc from the top of the substrate W during the polishing process. When the polishing process is completed, the polishing unit 130 waits while the polishing head 134 is housed in the pad conditioning unit 180, and a cleaning and regeneration process of the polishing pad 132 is performed at this time.

제1 및 제2노즐유닛(140,150)은 기판(W)의 연마공정 및 세정공정에 필요한 처리액을 기판지지유닛(120)에 고정된 기판(W)에 공급한다.The first and second nozzle units 140 and 150 supply the processing liquid necessary for the polishing process and the cleaning process of the substrate W to the substrate W fixed to the substrate supporting unit 120.

제1노즐유닛(140)은 용기유닛(112)을 사이에 두고 연마유닛(130)과 마주하게 설치되며, 용기유닛(112)의 외측벽에 고정 설치된다. 연마공정 또는 세정공정시, 제1노즐유닛(140)은 스핀헤드(122)에 고정된 기판(W)에 처리액을 분사하여 기판(W)을 세정한다. 제1노즐유닛(140)은 용기유닛(112)의 측벽 상단에 고정된 다수의 분사 노즐들을 구비하여, 기판(W)로 처리액을 분사한다. 분사노즐들에서 분사되는 처리액은 기판(W)의 세정 또는 건조를 위한 처리액일 수도 있고, 건조를 위한 건조 가스일 수도 있다.The first nozzle unit 140 is installed to face the polishing unit 130 with the container unit 112 interposed therebetween and fixed to the outer wall of the container unit 112. In the polishing process or the cleaning process, the first nozzle unit 140 blows the process liquid onto the substrate W fixed to the spin head 122 to clean the substrate W. The first nozzle unit 140 has a plurality of injection nozzles fixed to the upper end of the side wall of the container unit 112 to spray the process liquid onto the substrate W. [ The treatment liquid sprayed from the spray nozzles may be a treatment liquid for cleaning or drying the substrate W, or may be a dry gas for drying.

제2노즐유닛(150)은 용기유닛(112) 및 제1노즐유닛(140)을 사이에 두고 연마유닛(130)과 마주하게 설치된다. 제2노즐유닛(150)은 처리액을 분사하는 약액노즐을 구비하고, 세정공정시 스핀헤드(122)에 고정된 기판(W)에 처리액을 분사하여 기판(W)을 세정한다. 제2노즐유닛(150)은 스윙 이동이 가능하며, 세정공정시 스윙 동작을 통해 약액노즐의 토출단(152)을 스핀헤드(122)의 상부에 배치시킨 상태에서 처리액을 분사한다. 제2노즐유닛(150)은 기판(W) 상부와 용기유닛(112)의 외측 사이를 직선 왕복 이동 가능하도록 제공될 수 있다.The second nozzle unit 150 is installed facing the polishing unit 130 with the container unit 112 and the first nozzle unit 140 interposed therebetween. The second nozzle unit 150 has a chemical liquid nozzle for spraying the processing liquid. In the cleaning process, the processing liquid is sprayed onto the substrate W fixed to the spin head 122 to clean the substrate W. The second nozzle unit 150 is capable of swinging, and sweeps the cleaning liquid in a state in which the discharge end 152 of the chemical liquid nozzle is disposed above the spin head 122 through a swing operation. The second nozzle unit 150 may be provided to be reciprocable linearly between the upper portion of the substrate W and the outer side of the container unit 112.

브러쉬유닛(160)은 연마공정 후 기판(W) 표면의 이물질을 물리적으로 제거한다. 브러쉬유닛(160)은 기판(W)에 표면에 접촉되어 기판(W) 표면의 이물질을 물리적으로 닦아내는 브러쉬패드를 구비하고, 스윙이 가능하다. 세정공정시, 브러쉬유닛(160)은 스윙동작을 통해 브러쉬패드를 스핀헤드(122)의 상부에 배치시킨 상태에서 브러쉬패드를 회전시켜 스핀헤드(122)에 고정된 기판(W)을 세정한다. 브러쉬유닛(160)의 일측에는 에어로졸유닛(170)이 배치된다.The brush unit 160 physically removes foreign substances on the surface of the substrate W after the polishing process. The brush unit 160 has a brush pad that physically wipes foreign matter on the surface of the substrate W by contacting the surface of the substrate W, and is swingable. In the cleaning process, the brush unit 160 rotates the brush pad in a state where the brush pad is disposed on the upper portion of the spin head 122 through the swing operation, thereby cleaning the substrate W fixed to the spin head 122. An aerosol unit (170) is disposed on one side of the brush unit (160).

에어로졸유닛(170)은 스핀헤드(122)에 고정된 기판(W)에 처리액을 미세 입자 형태로 고압 분무하여 기판(W) 표면의 이물질을 제거한다. 일 예로, 에어로졸유닛(170)은 초음파를 이용하여 처리액을 미세 입자 형태로 분무한다.The aerosol unit 170 removes foreign matters on the surface of the substrate W by spraying the treatment liquid onto the substrate W fixed to the spin head 122 at high pressure in the form of fine particles. In one example, the aerosol unit 170 uses ultrasonic waves to spray the treatment liquid in the form of fine particles.

브러쉬유닛(160)과 에어로졸유닛(170)은 연마 완료된 기판(W)을 기판지지유닛(120)에 고정된 상태에서 세정 공정을 처리하는 세정유닛이다. 브러쉬유닛(160)은 비교적 큰 입자의 이물질을 제거하는 데 사용되며, 에어로졸유닛(170)은 브러쉬유닛(160)에 비해 비교적 작은 입자의 이물질을 제거하는 데 사용된다.The brush unit 160 and the aerosol unit 170 are cleaning units that process the cleaning process while the polished substrate W is fixed to the substrate supporting unit 120. The brush unit 160 is used to remove foreign matter of relatively large particles, and the aerosol unit 170 is used to remove particles of relatively small particles as compared with the brush unit 160.

패드컨디셔닝유닛(180)은 연마유닛(130)이 홈 포트(home port)에서 대기 중일 때, 연마유닛(130)을 세정 및 재생시킨다. 패드컨디셔닝유닛(180)은 내부에 연마헤드(132)가 수용되어, 연마패드의 재생공정을 처리한다. 따라서 연마유닛(130)은 연마공정이 완료되면, 도 4에 도시된 바와 같이, 연마헤드(132)가 패드컨디셔닝유닛(180)으로 이동하여, 연마헤드(132)가 수용된 상태로 대기하며, 이 때, 연마패드의 재생공정을 처리한다.The pad conditioning unit 180 cleans and regenerates the polishing unit 130 when the polishing unit 130 is in standby at the home port. The pad conditioning unit 180 receives a polishing head 132 therein to process the polishing process of the polishing pad. 4, the polishing head 132 moves to the pad conditioning unit 180, and the polishing head 130 waits while the polishing head 132 is accommodated. , The polishing process of the polishing pad is processed.

비젼유닛(190)은 기판(W)의 상부에 위치된 노즐유닛들(140,150)의 영상을 촬영하여 비젼처리한다. 비젼유닛(190)은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 촬영부재(192), 조명부재(194), 그리고 비젼처리부(196)를 포함한다.The vision unit 190 takes an image of the nozzle units 140 and 150 positioned on the upper side of the substrate W and performs a vision process. The vision unit 190 includes a photographing member 192, a lighting member 194, and a vision processing unit 196, as shown in Figs.

촬영부재(192)는 일 예로, 카메라, 이미지센서 등으로 제공된다. 쵤영부재(192)는 기판지지유닛(120)의 상부에 제공된다. 촬영부재(192)는 기판지지유닛(120)에 대향하여 프레임(104)의 상부 일측 모서리에 제공될 수 있다. 촬영부재(192)는 기판지지유닛(120)에 로딩된 기판(W)으로 처리액을 토출하는 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 토출단(152)을 포함하는 범위(RANGE_C)를 촬영한다. 촬영부재(192)는 기판지지유닛(120)에 안착된 기판(W)으로 처리액을 토출하는 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 토출단(152)에 대한 캡쳐 영상을 획득하여 이를 비젼처리부(196)로 전송한다.The photographing member 192 is provided, for example, as a camera, an image sensor, or the like. The projection member 192 is provided on the upper portion of the substrate supporting unit 120. The imaging member 192 may be provided at one upper edge of the frame 104 in opposition to the substrate supporting unit 120. [ The image pickup member 192 is disposed in a range RANGE_C including the discharge end 152 of the first or second nozzle unit 140 or 150 for discharging the processing liquid to the substrate W loaded in the substrate supporting unit 120. [ . The imaging member 192 acquires a captured image of the discharging end 152 of the first or second nozzle unit 140 or 150 that discharges the processing liquid onto the substrate W placed on the substrate supporting unit 120 And transmits it to the vision processor 196.

조명부재(194)는 촬영부재(192)의 일측에 설치되어 촬영부재(192)가 선명한 영상을 획득할 수 있도록 광을 출력한다.The illumination member 194 is disposed on one side of the imaging member 192 to output light so that the imaging member 192 can acquire a clear image.

비젼처리부(196)는 촬영부재(192)로부터 제공된 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 캡쳐 영상을 분석하여 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치데이터를 연산한다. 이를 위해 비젼처리부(196)는 내부에 캡쳐 영상을 분석 처리하는 비젼알고리즘(미도시)를 구비한다. 일 예로, 비젼알고리즘(미도시)은 캡쳐 영상으로부터 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치데이터를 좌표값으로 산출한다. 비젼처리부(196)는 산출한 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치데이터를 제어부(102)로 전송한다.The vision processor 196 analyzes the captured image of the first or second nozzle unit 140 or 150 provided from the imaging member 192 to calculate the position data of the first or second nozzle unit 140 or 150. [ To this end, the vision processor 196 includes a vision algorithm (not shown) for analyzing the captured image. As an example, a vision algorithm (not shown) calculates positional data of the first or second nozzle unit 140 or 150 from the captured image as coordinate values. The vision processor 196 transmits the calculated position data of the first or second nozzle unit 140 or 150 to the control unit 102.

제어부(102)는 비젼처리부(196)로부터 전송된 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치데이터와 기입력된 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 기준데이터를 비교하여 오차값을 연산한 후, 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치 변동 여부를 판단한다. 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 기준데이터는 기판처리부(110)의 초기 설치시 셋팅되는 값들이다. 제어부(102)는 오차값이 허용범위를 벗어난 경우 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치가 변동되었다고 판단하고, 경고알람 등을 발산한다. 한편, 제어부(102)는 오차값이 허용범위 내인 경우, 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치가 정상이라고 판단하고, 공정을 계속 진행하게 한다.The control unit 102 compares the position data of the first or second nozzle unit 140 or 150 transmitted from the vision processor 196 with the reference data of the first or second nozzle unit 140 or 150 After the error value is calculated, it is determined whether the position of the first or second nozzle unit 140 or 150 is changed. The reference data of the first or second nozzle unit 140 or 150 are values set at the initial installation of the substrate processing unit 110. [ The control unit 102 determines that the position of the first or second nozzle unit 140 or 150 has changed when the error value is out of the allowable range, and emits a warning alarm or the like. On the other hand, when the error value is within the allowable range, the controller 102 determines that the position of the first or second nozzle unit 140 or 150 is normal, and causes the process to continue.

한편, 제어부(102)가 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치를 정상으로 판단한 상태에서 공정 진행 중, 상술한 과정들을 통해 도출된 오차값이 허용범위를 벗어난 경우, 제어부(102)는 촬영부재(192)가 설정위치를 이탈하였다고 판단하여 경고알람 등을 발산할 수 있다. 또한, 제어부(102)는 오차값과 촬영부재(192)의 초기 설정 위치에 대한 기준데이터를 비교하여 촬영부재(192)의 위치를 티칭할 수 있다.
Meanwhile, when the control unit 102 determines that the position of the first or second nozzle unit 140 or 150 is normal, and the error value derived from the above-described processes is out of the allowable range during the process, May determine that the photographing member 192 has moved out of the set position and may emit a warning alarm or the like. Also, the control unit 102 can compare the error value with the reference data for the initial setting position of the imaging member 192, and can teach the position of the imaging member 192. [

도 6은 본 발명의 실시예에 따른 비젼유닛을 이용하여 노즐유닛들의 위치 변동 여부를 감지하는 처리 순서를 도시한 순서도이다.FIG. 6 is a flowchart illustrating a processing procedure for detecting whether a position of a nozzle unit is changed using a vision unit according to an embodiment of the present invention.

이하의 설명에서, 초기 촬영부재(192)와 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치가 모두 변경된 경우는 제외한다.In the following description, the case where both of the positions of the initial photographing member 192 and the first or second nozzle unit 140 or 150 are changed is excluded.

단계 S500에서 제어부(102)는 공정 조건, 공정 플로우 등을 포함하는 레시피(Recipe)를 분석한다. 제어부(102)는 분석된 레시피에 대응하는 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치데이터를 기준데이터로 설정한다. 여기서 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 기준데이터는 상술한 바와 같이 기판처리부(110)의 초기 설치시 셋팅되는 값들이다. 한편, 제어부(102)는 촬영부재(192)의 위치를 정상으로 판단한다.In step S500, the control unit 102 analyzes a recipe including process conditions, process flows, and the like. The control unit 102 sets the position data of the first or second nozzle unit 140 or 150 corresponding to the analyzed recipe as reference data. Here, the reference data of the first or second nozzle unit 140 or 150 are values set at the initial installation of the substrate processing unit 110 as described above. On the other hand, the control unit 102 determines that the position of the photographing member 192 is normal.

단계 S510에서 촬영부재(192)는 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 영상을 캡쳐하여 비젼처리부(196)로 전송한다. 캡쳐되는 영상의 영역은 도 5에서 도시된 영역(RANGE_C)일 수 있다.In step S510, the image capturing member 192 captures an image of the first or second nozzle unit 140 or 150 and transmits it to the vision processor 196. [ The area of the captured image may be the area RANGE_C shown in Fig.

단계 S520에서 비젼처리부(196)는 캡쳐된 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 영상을 캘리브레이션(Calibration) 처리하고, 이로부터 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치데이터를 검출한다. 일 예로, 비젼처리부(196)는 캡쳐된 영상에서 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)을 표현하는 픽셀(pixel)들을 추출하고, 이들을 분석하여 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치데이터를 검출할 수 있다. 한편, 비젼처리부(196)는 상술한 과정을 거쳐 검출된 위치데이터를 제어부(102)로 전송한다.In step S520, the vision processor 196 calibrates an image of the captured first or second nozzle unit 140 or 150, from which the position data of the first or second nozzle unit 140 or 150 . In one example, the vision processor 196 extracts pixels representing the first or second nozzle unit 140 or 150 in the captured image and analyzes them to determine whether the first or second nozzle unit 140 or 150 Can be detected. Meanwhile, the vision processor 196 transmits the detected position data to the controller 102 through the above-described process.

단계 S530과 단계 S540에서 제어부(102)는 전송받은 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치데이터와 기입력된 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 기준데이터를 비교하여 오차값을 연산한다.In steps S530 and S540, the controller 102 compares the position data of the first or second nozzle unit 140 or 150 and the reference data of the first or second nozzle unit 140 or 150 And calculates an error value.

단계 S550에서 제어부(102)는 연산된 오차값이 허용되는 오차범위를 벗어나면 알람을 발생시켜 작업자가 인지하도록 한다.In step S550, when the calculated error value is out of an allowable error range, an alarm is generated and the operator recognizes the alarm.

반면, 단계 S560에서 제어부(102)는 연산된 오차값이 허용되는 오차범위 내이면 공정이 계속 진행되도록 한다.
On the other hand, in step S560, the control unit 102 causes the process to proceed if the calculated error value is within an allowable error range.

도 7은 본 발명의 실시예에 따른 비젼유닛을 이용하여 촬영부재를 티칭하는 순서를 도시한 순서도이다.7 is a flowchart showing a procedure for teaching the photographing member using the vision unit according to the embodiment of the present invention.

도 6에 도시된 과정들을 통해 제1 또는 제2노즐유닛(140 또는 150)의 위치를 보정한 후, 공정이 진행되는 과정에서 단계 S510 내지 단계 S540을 통해 연산된 오차값이 허용되는 오차범위를 벗어난 경우, 제어부(102)는 촬영부재(192)가 초기 설정된 위치를 벗어났다고 판단한다.After correcting the position of the first or second nozzle unit 140 or 150 through the processes shown in FIG. 6, an error value calculated through steps S510 to S540 in the course of the process is set to an allowable error range The control unit 102 determines that the photographing member 192 is out of the initially set position.

따라서, 단계 S610에서 제어부(102)는 오차값과 기입력된 촬영부재(192)의 초기 설정된 위치데이터를 비교한 후, 촬영부재(192)의 위치를 티칭한다.
Therefore, in step S610, the control unit 102 compares the error value with the initially set position data of the previously-input imaging member 192, and then teaches the position of the imaging member 192. [

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention.

따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 **
100 : 기판처리장치 102 : 제어부
104 : 프레임 110 : 기판처리부
140,150 : 노즐유닛 190 : 비젼유닛
192 : 촬영부재 196 : 비젼처리부
[0001] Description of the Prior Art [0002]
100: substrate processing apparatus 102:
104: frame 110: substrate processing section
140, 150: nozzle unit 190: vision unit
192: photographing member 196: vision processor

Claims (5)

기판처리장치에 있어서,
프레임;
상기 프레임의 내부 하단에 제공되고, 상면에 기판을 지지하는 기판지지유닛;
상기 기판지지유닛의 상면에 놓인 기판으로 처리액을 토출하는 적어도 하나의 노즐유닛;
상기 기판지지유닛의 상부에 제공되어 상기 노즐유닛의 위치를 검출하는 비젼유닛; 및
상기 비젼유닛으로부터 전송된 상기 노즐유닛의 위치데이터와 기입력된 상기 노즐유닛의 기준데이터를 비교하여 상기 노즐유닛의 위치 변동 여부를 감지하는 제어부
를 포함하고,
상기 비젼유닛은,
상기 노즐유닛에 대한 캡쳐 영상을 획득하는 촬영부재를 포함하며,
상기 제어부는,
상기 노즐 유닛의 위치가 정상으로 판단된 후, 상기 비젼유닛으로부터 전송된 상기 위치데이터와 상기 기준데이터를 비교하여 연산된 오차값이 기설정된 허용범위를 벗어난 경우, 상기 오차값과 기입력된 상기 촬영부재의 위치데이터를 비교하여 촬영부재의 위치를 티칭하는 기판처리장치.
In the substrate processing apparatus,
frame;
A substrate supporting unit provided on an inner lower side of the frame and supporting the substrate on an upper surface thereof;
At least one nozzle unit for discharging the treatment liquid to the substrate placed on the upper surface of the substrate supporting unit;
A vision unit provided on an upper portion of the substrate supporting unit to detect a position of the nozzle unit; And
A control unit for comparing the position data of the nozzle unit transmitted from the vision unit with reference data of the nozzle unit inputted and detecting whether the position of the nozzle unit is changed,
Lt; / RTI >
The vision unit includes:
And a photographing member for obtaining a captured image for the nozzle unit,
Wherein,
When the error value calculated by comparing the position data transmitted from the vision unit with the reference data after the position of the nozzle unit is determined to be normal is out of a predetermined allowable range, And compares the position data of the member to teach the position of the photographing member.
제1항에 있어서,
상기 비젼유닛은,
상기 촬영부재의 상기 캡쳐 영상 획득시 광을 조사하는 조명부재; 및
상기 캡쳐 영상으로부터 상기 노즐유닛의 상기 위치데이터를 연산하고, 상기 위치데이터를 상기 제어부로 전송하는 비젼처리부
를 더 포함하는 기판처리장치.
The method according to claim 1,
The vision unit includes:
An illumination member for irradiating light upon acquiring the captured image of the imaging member; And
Calculating a position data of the nozzle unit from the captured image, and transmitting the position data to the control unit,
Wherein the substrate processing apparatus further comprises:
기판처리장치의 처리방법에 있어서,
촬영부재가 노즐유닛의 영상을 캡쳐하여 비젼처리부로 전송하는 제1단계;
상기 제1단계 이후에, 상기 비젼처리부가 상기 영상으로부터 상기 노즐유닛의 위치데이터를 연산하여 제어부로 전송하는 제2단계;
상기 제2단계 이후에, 상기 제어부가 상기 위치데이터와 기입력된 상기 노즐의 기준데이터를 비교하여 오차값을 연산하는 제3단계;
상기 제3 단계 이후에, 상기 오차값이 기설정된 허용범위를 벗어나면 상기 제어부가 경고알람을 발산하는 제4-1단계;
상기 오차값이 기설정된 허용범위 내이면 상기 제어부가 공정을 계속 진행하게 하는 제4-2단계;
상기 제4-2단계 이후에, 상기 제어부가 상기 위치데이터와 상기 기준데이터를 비교하여 상기 오차값을 연산하는 제5단계; 및
상기 오차값이 기설정된 허용범위를 벗어난 경우, 상기 제어부가 상기 오차값과 기입력된 상기 촬영부재의 위치데이터를 비교하여 상기 촬영부재의 위치를 티칭하는 제6단계를 포함하는 기판처리장치의 처리방법.











A method of processing a substrate processing apparatus,
A first step of capturing an image of the nozzle unit by the photographing member and transmitting the captured image to the vision processor;
After the first step, the vision processing unit calculates position data of the nozzle unit from the image and transmits the calculated position data to the control unit;
A third step of, after the second step, the control unit compares the position data with the reference data of the previously input nozzle to calculate an error value;
A fourth step of, after the third step, if the error value is out of a predetermined allowable range, the control unit emits a warning alarm;
(4-2) allowing the controller to continue the process if the error value is within a predetermined allowable range;
A fifth step of, after the step 4-2, the controller compares the position data and the reference data and calculates the error value; And
And a sixth step of comparing the error value with position data of the photographing member previously entered and teaching the position of the photographing member when the error value is out of a predetermined allowable range Way.











삭제delete 삭제delete
KR1020110056340A 2011-06-10 2011-06-10 Substrate treating apparatus and method KR101743492B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110056340A KR101743492B1 (en) 2011-06-10 2011-06-10 Substrate treating apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110056340A KR101743492B1 (en) 2011-06-10 2011-06-10 Substrate treating apparatus and method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20120137052A KR20120137052A (en) 2012-12-20
KR101743492B1 true KR101743492B1 (en) 2017-06-05

Family

ID=47904310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110056340A KR101743492B1 (en) 2011-06-10 2011-06-10 Substrate treating apparatus and method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101743492B1 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7282640B2 (en) * 2019-09-12 2023-05-29 株式会社Screenホールディングス SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD

Also Published As

Publication number Publication date
KR20120137052A (en) 2012-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101570618B1 (en) Displacement detecting apparatus, substrate processing apparatus, displacement detecting method, and substrate processing method
US9698062B2 (en) System and method for performing a wet etching process
US9555436B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate treatment method for discharging treatment solution from nozzle to substrate
JP6278759B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6251086B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR20190040240A (en) Detection method and detection device
KR101191034B1 (en) Monitoring system and method
US20220208581A1 (en) Contamination control in semiconductor manufacturing systems
KR101743492B1 (en) Substrate treating apparatus and method
KR20110019239A (en) Substrate treating apparatus and method for treating thereof
CN110651356A (en) Cleaning device, substrate processing device, maintenance method for cleaning device, and computer-readable recording medium containing maintenance program for cleaning device
JP6397557B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
KR101098980B1 (en) Substrate polishing apparatus and method for detecting slip of substrate thereof
KR100470230B1 (en) Chemical Mechanical Polishing Apparatus
KR101066596B1 (en) Substrate polishing apparatus
JP2007324610A (en) Device and method for substrate processing
KR20170058070A (en) Substrate cleaning module for inspection apparatus and probe station having the same
JP6785605B2 (en) Substrate processing method, substrate processing equipment, and recording medium
TWI826926B (en) Imaging for monitoring thickness in a substrate cleaning system and a polishing system
WO2023189894A1 (en) Substrate processing apparatus, inspection method therefor, and substrate processing system
KR20160112242A (en) Inspecting method and Apparatus for treating a substrate
TW202413887A (en) Imaging for monitoring thickness in a substrate cleaning system and a polishing system
KR20050037822A (en) Semiconductor srd apparatus with wafer detecting sensor
KR20180080431A (en) Apparatus for treating substrate and the method thereof
KR20060124818A (en) Equipment for detecting wafer flat zone of semiconductor coating device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right