KR101738887B1 - METHOD AND DEVICE FOR Actinic EUV PELLICLE INSPECTION - Google Patents
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Abstract
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 펠리클 검사 장치에 있어서, 광원을 출력하는 EUV 소스부와, 상기 EUV 소스부로부터 광을 반사시키는 미러와, 상기 미러로부터 반사된 광을 투과 및 반사시키는 빔 스플리터와, 상기 빔 스플리터로부터 반사된 광을 전달받아 상기 전달된 광의 세기를 검출하는 제1광측정센서와, 상기 빔 스플리터의 하부에 소정간격 이격되고, 상기 빔 스플리터에 의해 투과된 광을 투과시키는 펠리클과, 상기 펠리클의 하부에 소정간격 이격되고, 상기 펠리클을 투과한 광을 전달받아 상기 전달된 광의 세기를 검출하는 제2광측정센서와, 상기 제1광측정센서 및 제2광측정센서에서 검출된 값을 비교하여 상기 펠리클의 투과율 및 결함여부를 측정하는 연산부를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사장치가 제공된다.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 EUV 광원을 이용한 펠리클 검사 장치에 따르면, 광측정센서가 두 개 구비되어 펠리클의 투과율 측정 및 결함을 검사하는데 편리하며, x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지가 구비되어 펠리클 z축으로 이동하여 펠리클에 입사되는 상기 광의 크기를 제어함으로써 미시적 측정이 가능한 효과가 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a pellicle inspecting apparatus comprising: an EUV source unit for outputting a light source; a mirror for reflecting light from the EUV source unit; a beam for transmitting and reflecting light reflected from the mirror; A first light measuring sensor which receives light reflected from the beam splitter and detects the intensity of the transmitted light, and a second light measuring sensor which is spaced apart from the bottom of the beam splitter by a predetermined distance and which transmits the light transmitted by the beam splitter A second light measuring sensor which is spaced apart from the pellicle by a predetermined distance and receives the light transmitted through the pellicle and detects the intensity of the transmitted light; And a calculator for comparing the detected values and measuring the transmittance and defectiveness of the pellicle.
As described above, according to the pellicle inspecting apparatus using the EUV light source according to the present invention, two optical measurement sensors are provided to easily measure the transmittance of pellicle and to inspect defects. There is an effect that microscopic measurement can be performed by controlling the size of the light incident on the pellicle by moving in the z-axis of the pellicle.
Description
본 발명은 펠리클 검사 장치에 관한 것으로, 특히 EUV 광원을 사용하는 노광장치의 펠리클의 투과율 및 결함을 측정할 수 있는 액티닉(Actinic) EUV 펠리클 검사 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a pellicle inspecting apparatus, and more particularly, to an Actinic EUV pellicle inspecting apparatus capable of measuring the transmittance and defects of a pellicle of an exposure apparatus using an EUV light source.
반도체 소자는 산화실리콘에서 고순도의 실리콘을 추출한 것을 단결정으로 성장시키고 이를 원판 모양으로 잘라서 웨이퍼를 만드는 과정, 상기 웨이퍼의 전체 표면에 막을 형성하고 필요한 부분을 제거하여 일정한 패턴을 형성하는 과정, 형성된 패턴에 따라 불순물 이온을 도핑하고 금속배선을 통하여 최초 설계된 회로를 구현하며 필요한 소자로 만들기 위한 패키지 공정 등이 포함된 일련의 웨이퍼 가공 과정을 통하여 제조된다. A semiconductor device includes a process of forming a wafer by making a silicon wafer of high purity silicon oxide extracted from silicon oxide and cutting it into a disk shape, forming a film on the entire surface of the wafer, removing necessary portions to form a uniform pattern, And a packaging process for doping impurity ions and implementing the initially designed circuit through metallization and for making the necessary devices.
위와 같은 제조과정에 있어서, 통상 '노광공정'이라 불리는 공정은 웨이퍼 표면에 일정한 패턴을 형성하는 과정과 관련된 것이다. 즉, 노광 공정은 사진 기술과 화학적 부식법을 병용한 것으로, 웨이퍼 상에 감광제(Photoresist)를 도포한 후, 상기 웨이퍼를 원하는 방향의 빛만 통과시키도록 패턴 정보가 담겨있는 마스크를 투과한 빛에 노출시키면, 상기 감광제는 마스크에 담겨진 패턴에 따라 원하는 영역에서만 감광하게 되므로, 감광된 영역의 감광제를 제거함으로써 웨이퍼 표면에 원하는 패턴이 형성될 수 있는 것이다.In the above manufacturing process, a process commonly referred to as an " exposure process " relates to a process of forming a uniform pattern on a wafer surface. That is, the exposure process is a combination of a photolithography technique and a chemical corrosion process. After a photoresist is applied on a wafer, the wafer is exposed to light transmitted through a mask containing pattern information, The photosensitive agent is photosensitive only in a desired region according to a pattern embedded in the mask, so that a desired pattern can be formed on the wafer surface by removing the photosensitive agent in the photosensitive region.
한편, 반도체 집적 회로의 집적도가 증가함에 따라, 회로 패턴이 미세화되고, 종래 사용되어 오던 가시광이나 자외선을 사용한 노광장치로는 해상도가 부족해지고 있다. 반도체 제조공정에서 노광장치의 해상도는 전사 광학계의 개구수(NA)에 비례하고, 노광에 사용하는 광의 파장에 반비례한다.On the other hand, as the degree of integration of the semiconductor integrated circuit increases, the circuit pattern becomes finer, and exposure apparatuses using visible light or ultraviolet rays, which have been conventionally used, have become insufficient in resolution. In the semiconductor manufacturing process, the resolution of the exposure apparatus is proportional to the numerical aperture (NA) of the transfer optical system, and is inversely proportional to the wavelength of light used for exposure.
그 때문에 해상도를 높이는 한 시도로서, 가시광이나 자외선광 대신 파장이 짧은 EUV(Extreme Ultraviolet)광원을 노광 전사에 사용하는 시도가 이루어지고 있다. Therefore, an attempt has been made to use an EUV (Extreme Ultraviolet) light source having a shorter wavelength in place of visible light or ultraviolet light for exposure transfer as an attempt to increase the resolution.
이러한 노광장치에는 웨이퍼 위의 패터닝을 위한 EUV 마스크가 사용되는데 이 마스크를 보호할 수 있는 보호필름(Pellicle)의 개발도 필수적이다.In such an exposure apparatus, an EUV mask for patterning on a wafer is used, and development of a protective film (pellicle) capable of protecting the mask is also essential.
상기와 같은 보호필름인 펠리클을 개발 및 이용하는데 있어, 펠리클의 투과율, 균일도 및 결함(defect) 등의 검사는 EUV 광원에서 이루어지는 액티닉(Actinic) EUV 펠리클 검사 방법이 필요하다. (여기서, 액티닉(Actinic)이라 함은 공정에 사용되는 장비의 광원과 측정, 계측하는 장비의 광원이 같은 경우에 Actinic이라 한다.)In the development and utilization of the pellicle as the protective film, inspection of the transmittance, uniformity, and defect of the pellicle requires an actinic EUV pellicle inspection method in the EUV light source. (Actinic) means the light source of the equipment used in the process and the light source of the measuring and measuring equipment.
따라서 본 발명의 목적은 전술된 바와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로, EUV 광원을 사용하는 노광장치의 펠리클의 투과율 측정 및 투과율을 이용한 결함을 검사할 수 있는 EUV 광원을 이용한 펠리클 검사 장치 및 방법을 제공하는데 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a pellicle inspecting apparatus using an EUV light source capable of inspecting defects using transmittance measurement and transmittance of a pellicle of an exposure apparatus using an EUV light source, Method.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 펠리클 검사 장치에 있어서, 광원을 출력하는 EUV 소스부와, 상기 EUV 소스부로부터 광을 반사시키는 미러와, 상기 미러로부터 반사된 광을 투과 및 반사시키는 빔 스플리터와, 상기 빔 스플리터로부터 반사된 광을 전달받아 상기 전달된 광의 세기를 검출하는 제1광측정센서와, 상기 빔 스플리터의 하부에 소정간격 이격되고, 상기 빔 스플리터에 의해 투과된 광을 투과시키는 펠리클과, 상기 펠리클의 하부에 소정간격 이격되고, 상기 펠리클을 투과한 광을 전달받아 상기 전달된 광의 세기를 검출하는 제2광측정센서와, 상기 제1광측정센서 및 제2광측정센서에서 검출된 값을 비교하여 상기 펠리클의 투과율 측정 및 결함여부를 결정하는 연산부를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사장치가 제공된다.According to another aspect of the present invention, there is provided a pellicle inspecting apparatus comprising: an EUV source unit for outputting a light source; a mirror for reflecting light from the EUV source unit; a beam for transmitting and reflecting light reflected from the mirror; A first light measuring sensor which receives light reflected from the beam splitter and detects the intensity of the transmitted light, and a second light measuring sensor which is spaced apart from the bottom of the beam splitter by a predetermined distance and which transmits the light transmitted by the beam splitter A second light measuring sensor which is spaced apart from the pellicle by a predetermined distance and receives the light transmitted through the pellicle and detects the intensity of the transmitted light; And a calculator for comparing the detected values to determine the transmittance of the pellicle and determining whether the pellicle is defective.
또한, 상기 펠리클은 마운트에 의해 고정되고, 상기 마운트는 x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지로 구성되되, 상기 3축 스테이지가 z축으로 이동하여 상기 빔 스플리터와 상기 펠리클 사이의 거리를 조정함으로써 상기 펠리클에 입사되는 상기 광의 크기를 제어할 수 있는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사장치가 제공된다.The pellicle is fixed by a mount, and the mount is constituted by a three-axis stage capable of moving in the x, y, and z axes, wherein the three-axis stage moves in the z-axis to change the distance between the beam splitter and the pellicle The size of the light incident on the pellicle can be controlled by controlling the size of the pellicle.
광원을 이용한 펠리클 검사 방법에 있어서, EUV 소스부로부터 광이 출력되는 단계와, 상기 광을 빔 스플리터에 의해 투과 및 반사시키는 단계와, 상기 빔 스플리터에 의해 투과 및 반사된 광을 제1광측정센서와 제2광측정센서에 전사시키는 단계와, 상기 제1광측정센서와 제2광측정센서를 동기화시키는 단계와, x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지에 상기 펠리클을 장착하는 단계와, 상기 펠리클의 투과율 및 결함을 결정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사 방법이 제공된다.A method for inspecting a pellicle using a light source, the method comprising: outputting light from an EUV source unit; transmitting and reflecting the light through a beam splitter; To a second optical measurement sensor; synchronizing the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor; mounting the pellicle on a three-axis stage capable of moving in the x, y, z axes And determining a permeability and a defect of the pellicle.
또한, 상기 제1광측정센서와 제2광측정센서의 동기화 단계는 상기 제1광측정센서 및 제2광측정센서에서 검출된 광의 세기를 측정하는 단계와, 상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 측정된 광의 세기가 같아지도록 '출력전압 증폭률'을 조절하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사 방법이 제공된다.The synchronization of the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor may include measuring the intensity of light detected by the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor, And adjusting the 'output voltage gain' so that the intensity of the light measured by the optical measuring sensor becomes the same.
또한, 상기 펠리클의 투과율 및 결함 결정 단계는 EUV 소스부로부터 광이 출력되는 단계와, 상기 광을 빔 스플리터에 의해 투과 및 반사시키는 단계와, 상기 빔 스플리터에 의해 투과 및 반사된 광을 제1광측정센서와 제2광측정센서에 전사시키는 단계와, 상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 검출된 광의 세기를 비교하여 상기 펠리클의 투과율 및 결함여부를 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사 방법이 제공된다.The pellicle transmittance and defect determination step may include the steps of outputting light from an EUV source unit, transmitting and reflecting the light through a beam splitter, and transmitting and reflecting the light transmitted and reflected by the beam splitter, And measuring a transmittance and a defect of the pellicle by comparing the intensity of the light detected by the first optical measurement sensor and the intensity of light detected by the second optical measurement sensor. A pellicle inspection method is provided.
또한, 상기 펠리클의 투과율 측정 단계는 상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 검출된 광의 세기를 비교하여 상기 펠리클의 투과율을 측정하는 거시적 측정단계와, 상기 거시적 측정단계에서 펠리클의 투과율이 불량한 경우 상기 펠리클의 투과율 불량영역의 투과율을 재측정 하는 미시적 측정단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사 방법이 제공된다.In addition, the step of measuring the transmittance of the pellicle includes a macroscopic measurement step of measuring the transmittance of the pellicle by comparing the intensity of light detected by the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor, and measuring a transmittance of the pellicle in the macroscopic measurement step And a microscopic measuring step of re-measuring the transmittance of the pellicle in the poor transmittance region when the pellicle is in a poor state.
또한, 상기 거시적 측정단계는 x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지를 z축 이동하여 빔 사이즈의 크기를 조정하는 단계와, 상기 펠리클의 각 영역별로 상기 3축 스테이지의 x, y축의 이동량을 결정하는 단계와, 상기 3축 스테이지를 x, y축으로 이동하여 스캐닝하면서 상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 광의 세기를 측정하는 단계와, 상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 측정된 검출 값을 비교하여 펠리클의 투과율을 획득하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사 방법이 제공된다.The macroscopic measurement step may include a step of moving the three-axis stage moving in the x, y, and z axes by z-axis to adjust the size of the beam size, and the step of adjusting the sizes of the x- and y-axes of the three- Measuring the intensity of light in the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor while moving the three-axis stage in the x and y directions and scanning the optical measurement; Comparing the measured values measured by the two light measuring sensors to obtain a transmittance of the pellicle; The pellicle inspection method is characterized in that the pellicle inspection method is provided.
또한, 상기 미시적 측정단계는 x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지를 z축 이동하여 빔 사이즈의 크기를 조정하는 단계와, 상기 펠리클의 각 영역별로 상기 3축 스테이지의 x, y축의 이동량을 결정하는 단계와, 상기 3축 스테이지를 x, y축으로 이동하여 스캐닝하면서 상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 광의 세기를 측정하는 단계와, 상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 측정된 검출 값을 비교하여 펠리클의 투과율을 획득하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사 방법이 제공된다. The microscopic measurement step may include the steps of adjusting a size of a beam size by moving a three-axis stage that can move in the x, y, and z axes in a z axis direction; Measuring the intensity of light in the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor while moving the three-axis stage in the x and y directions and scanning the optical measurement; And comparing the measured values measured by the two light measuring sensors to obtain the transmittance of the pellicle.
이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따른 EUV 광원을 이용한 펠리클 검사 장치에 따르면, 광측정센서가 두 개 구비되어 펠리클의 투과율 및 결함을 측정하는데 편리하며, x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지가 구비되어 펠리클 z축으로 이동하여 펠리클에 입사되는 상기 광원의 크기를 제어함으로써 미시적 측정이 가능한 효과가 있다.As described above, according to the pellicle inspecting apparatus using the EUV light source according to the present invention, it is convenient to measure the transmittance and defects of the pellicle by providing two optical measuring sensors, There is provided an effect that microscopic measurement can be performed by controlling the size of the light source which is moved on the z axis of the pellicle and is incident on the pellicle.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 EUV 광원을 이용한 펠리클 검사 장치를 도시한 도면.
도 2는 도 1의 "A"부를 확대한 확대도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 EUV 광원을 이용한 펠리클 검사방법의 흐름을 나타내는 순서도.
도 4는 본 발명의 펠리클의 투과율 및 결함측정의 흐름을 나타내는 순서도.1 illustrates a pellicle inspection apparatus using an EUV light source according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view of an enlarged view of the portion "A" in Fig.
3 is a flowchart showing a flow of a pellicle inspection method using an EUV light source according to an embodiment of the present invention.
4 is a flow chart showing the flow of permeability and defect measurement of the pellicle of the present invention.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 나열한 설명에 한정되는 것이 아니라, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 설명들은 본 발명의 실시를 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 이하 첨부된 도면을 참고하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.Brief Description of the Drawings The advantages and features of the present invention, and how to accomplish them, will be apparent from the following detailed description taken in conjunction with the accompanying drawings. The present invention may, however, be embodied in many different forms and should not be construed as being limited to the embodiments set forth herein. Rather, these embodiments are provided so that this disclosure will be thorough and complete and will fully convey the concept of the invention to those skilled in the art. To fully inform the scope of the invention. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 EUV 광원을 이용한 펠리클 검사 장치를 도시한 도면이다. 도 2는 도 1의 "A"부를 확대한 확대도이다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 EUV 광원을 이용한 펠리클 검사방법의 흐름을 나타내는 순서도이다. 도 4는 본 발명의 펠리클의 투과율 및 결함측정의 흐름을 나타내는 순서도이다.1 is a view showing a pellicle inspecting apparatus using an EUV light source according to an embodiment of the present invention. Fig. 2 is an enlarged view of the "A" portion of Fig. 1 enlarged. 3 is a flowchart showing a flow of a pellicle inspection method using an EUV light source according to an embodiment of the present invention. Fig. 4 is a flowchart showing the flow of the measurement of the transmittance and the defect of the pellicle of the present invention.
도 1 및 도 2를 참조하면, 펠리클 검사 장치는 EUV 소스부(10), 미러(20), 빔 스플리터(30), 제1광측정센서(40), 펠리클(50),제2광측정센서(60), 제어부(70) 및 3축 스테이지(미도시)로 이루어진다. 1 and 2, the pellicle inspection apparatus includes an
상기 EUV 소스부(10)는 광을 출력하며, 상기 미러(20)는 상기 EUV 소스부(10)로부터 출력된 광을 직각방향으로 반사시키고, 상기 빔 스플리터(30)는 상기 미러(20)로부터 반사된 광을 투과 및 반사시킨다.The EUV
상기 제1광측정센서(40)는 상기 빔 스플리터(30)로부터 반사된 광(1st EUV Beam)을 전달받아 상기 전달된 광의 세기를 검출하고, 상기 펠리클(50)은 상기 빔 스플리터(30)의 하부에 소정간격 이격되고, 상기 빔 스플리터(30)에 의해 투과된 광(2nd EUV Beam)을 투과시킨다.The first
상기 제2광측정센서(60)는 상기 펠리클(50)의 하부에 소정간격 이격되고, 상기 펠리클(50)을 투과한 광을 전달받아 상기 전달된 광의 세기를 검출하고, 상기 연상부(70)는 상기 제1광측정센서(40) 및 제2광측정센서(60)에서 검출된 값을 비교하여 상기 펠리클(50)의 투과율 및 결함여부를 측정한다.The second
또한, 상기 펠리클(50)은 마운트에 의해 고정되고, 상기 마운트는 x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지로 구성되며, 상기 3축 스테이지가 z축으로 이동하여 상기 빔 스플리터(30)와 상기 펠리클(50) 사이의 거리를 조정함으로써 상기 펠리클(50)에 입사되는 상기 광의 크기를 제어할 수 있다.The
이하 도 3 내지 도4를 참조하여 펠리클 검사 방법에 관하여 설명하기로 한다. EUV 소스부(10)로부터 광이 출력되는 광 출력 단계(S310)와, 상기 EUV 소스부(10)로부터 출력된 광은 미러(20)에 의해서 직각방향으로 반사되어 상기 반사된 광을 빔 스플리터(30)에 의해 투과 및 반사시키는 단계(S320)와, 상기 빔 스플리터(30)에 의해 투과 및 반사된 광을 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)에 전사시키는 단계(S330)와, 상기 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)를 동기화시키는 단계(S340)와, x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지에 상기 펠리클(50)을 장착시키는 펠리클 삽입 단계(S350)와, 상기 펠리클(50)의 투과율 및 결함을 결정하는 단계(360)를 포함한다.Hereinafter, the pellicle inspection method will be described with reference to FIGS. 3 to 4. FIG. A light output step S310 in which light is output from the
이하, 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)를 동기화시키는 단계(S340)의 구체적인 과정에 대해 설명하기로 한다.Hereinafter, a specific process of the step S340 of synchronizing the first
상기 제1광측정센서(40) 및 제2광측정센서(60)에서 검출된 광의 세기를 측정하기 위해서, EUV 소스부(10)로부터 출력되는 초기 광의 세기가 I인 초기 광이 빔 스플리터(30)에 의해 투과 및 반사되어 초기 광이 분기된다.In order to measure the intensity of the light detected by the first
이때, 빔 스플리터(30)에 의해 반사되어 제1광측정센서(40)에 입사되는 광(1st EUV Beam)을 X라 하고, 빔 스플리터(30)를 투과해 제2광측정센서(60)에 입사되는 광(2nd EUV Beam)을 Y라 하고, 빔 스플리터(30)의 반사율을 A, 투과율을 B라고 한다면, 제1광측정센서(40)에 입사되는 광 X의 세기는 빔 스플리터(30)의 반사율 A에 의해 결정되고, 제2광측정센서(60)에 입사하는 광 Y의 세기는 빔 스플리터(30)의 투과율 B에 의해 결정된다.At this time, the light (1st EUV beam) reflected by the
즉, 
또한, 제1광측정센서(40)에 입사되는 광에 의한 출력전압 증폭률을 dX, 제2광측정센서(60)에 입사되는 광에 의한 출력전압 증폭률을 dY라고 한다면, 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)에 측정되는 광의 세기의 측정값이 같아지도록 출력전압 증폭률 dX, dY를 조절한다.Assuming that the output voltage amplification factor by the light incident on the first
즉, 
예를 들어 빔 스플리터(30)의 반사율 A와 투과율 B가 같다면, X=Y가 되고 증폭률 또한 dX=dY 가 되고 증폭률 dX, dY 가 동일한 값을 갖게 되지만 하드웨어의 오차를 감안하여 소프트웨어의 보정값 C가 추가된다.(여기서 C는 1의 근삿값을 갖는다.)For example, if the reflectance A and the transmittance B of the
즉, 
이로써 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)의 동기화가 이루어지게 된다.Thus, the first
또한, 상기 펠리클(50)의 투과율 및 결함을 결정하는 단계(360)의 구체적인 과정에 대해 설명하기로 한다. A specific procedure of the step 360 of determining the transmittance and defects of the
상기 펠리클(50)의 투과율 및 결함 결정 단계는 EUV 소스부(10)로부터 광이 출력되는 단계(S310)와, 상기 광을 빔 스플리터(30)에 의해 투과 및 반사시키는 단계(S320)와, 상기 빔 스플리터(30)에 의해 투과 및 반사된 광을 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)에 전사시키는 단계(S330)와, 상기 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)에서 검출된 광의 세기를 비교하여 상기 펠리클(50)의 투과율 및 결함여부를 측정하는 단계(S340)를 포함한다.The light transmittance and defect determination step of the
상기 펠리클(50)의 투과율 측정 단계(S340)는, 상기 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)에서 검출된 광의 세기를 비교하여 상기 펠리클(50)의 투과율을 측정하는 거시적 측정단계와, 상기 거시적 측정단계에서 펠리클(50)의 투과율이 불량한 경우 상기 펠리클(50)의 투과율 불량영역의 투과율을 재측정 하는 미시적 측정단계를 포함한다. The transmittance measurement step S340 of the
상기 거시적 측정단계는 x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지를 z축 이동하여 빔 사이즈의 크기를 조정하는 단계와, 상기 펠리클(50)의 각 영역별로 상기 3축 스테이지의 x, y축의 이동량을 결정하는 단계와, 상기 3축 스테이지를 x, y축으로 이동하여 스캐닝하면서 상기 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)에서 광의 세기를 측정하는 단계와, 상기 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)에서 측정된 검출 값을 비교하여 펠리클의 투과율을 획득하는 단계를 포함한다.The macroscopic measurement step includes the steps of adjusting the size of the beam size by moving the three-axis stage capable of moving in the x, y, and z axes in the z axis direction; Measuring the intensity of light in the first
여기서 상기 빔 스플리터(30)에 의해 반사된 광은 제1광측정센서(40)에 입사되며, 투과된 광은 상기 펠리클(50)을 통과하여 제2광측정센서(60)에 입사된다.The light reflected by the
상기 펠리클(50)을 통과하여 제2광측정센서(60)에 입사된 광 Y`이라하고, 펠리클(50)의 투과율을 P라고 하면, The light Y 'passing through the
가 성립되고 상기 식(3)에 상기 식(4)을 대입하면,(4) is substituted into the equation (3)
을 얻을 수 있으며 상기 식(6)을 이용하여 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)에서 얻은 광의 세기로 펠리클(50)의 투과율 P를 얻을 수 있다. And the transmittance P of the
또한, 상기 미시적 측정단계는 x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지를 z축 이동하여 빔 사이즈의 크기를 조정하는 단계와, 상기 펠리클(50)의 각 영역별로 상기 3축 스테이지의 x, y축의 이동량을 결정하는 단계와, 상기 3축 스테이지를 x, y축으로 이동하여 스캐닝하면서 상기 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)에서 광의 세기를 측정하는 단계와, 상기 제1광측정센서(40)와 제2광측정센서(60)에서 측정된 검출 값을 비교하여 펠리클(50)의 투과율을 획득하는 단계를 포함하며, 펠리클(50)의 투과율 P를 얻는 방법은 상기에서 설명한 바와 동일하다. The microscopic measurement step may include the steps of adjusting a size of a beam by moving a three-axis stage that can move in the x, y, and z axes in the z axis, and adjusting the size of the three- measuring the intensity of light in the first
본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구의 범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구의 범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the foregoing detailed description, and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and the equivalents thereof are included in the scope of the present invention Should be interpreted.
10 : EUV 소스부 20 : 미러
30 : 빔 스플리터 40 : 제1광측정센서
50 : 펠리클 60 : 제2광측정센서
70 : 연산부10: EUV source part 20: mirror
30: beam splitter 40: first light measuring sensor
50: Pellicle 60: Second optical measuring sensor
70:
Claims (8)
EUV 소스부로부터 광이 출력되는 단계;
상기 광을 빔 스플리터에 의해 투과 및 반사시키는 단계;
상기 빔 스플리터에 의해 투과 및 반사된 광을 제1광측정센서와 제2광측정센서에 전사시키는 단계;
상기 제1광측정센서와 제2광측정센서를 동기화시키는 단계;
x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지에 상기 펠리클을 장착하는 펠리클 삽입 단계;
상기 펠리클의 투과율 및 결함을 결정하는 단계; 를 포함하되,
상기 제1광측정센서와 제2광측정센서의 동기화 단계는,
상기 제1광측정센서 및 제2광측정센서에서 검출된 광의 세기를 측정하는 단계;
상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 측정된 광의 세기가 같아지도록 '출력전압 증폭률'을 조절하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사 방법.In a pellicle inspection method using a light source,
Outputting light from an EUV source part;
Transmitting and reflecting the light by a beam splitter;
Transferring the light transmitted and reflected by the beam splitter to the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor;
Synchronizing the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor;
a pellicle inserting step of mounting the pellicle on a three-axis stage capable of moving in the x, y, and z axes;
Determining a transmittance and a defect of the pellicle; , ≪ / RTI &
Wherein the step of synchronizing the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor comprises:
Measuring the intensity of light detected by the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor;
Adjusting the 'output voltage gain' so that the intensity of light measured by the first light measuring sensor and the light intensity measured by the second light measuring sensor becomes the same; Wherein the pellicle inspection method comprises the steps of:
EUV 소스부로부터 광이 출력되는 단계;
상기 광을 빔 스플리터에 의해 투과 및 반사시키는 단계;
상기 빔 스플리터에 의해 투과 및 반사된 광을 제1광측정센서와 제2광측정센서에 전사시키는 단계;
상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 검출된 광의 세기를 비교하여 상기 펠리클의 투과율 및 결함여부를 측정하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사 방법. 4. The method of claim 3, wherein the pellicle transmittance and defect determination steps comprise:
Outputting light from an EUV source part;
Transmitting and reflecting the light by a beam splitter;
Transferring the light transmitted and reflected by the beam splitter to the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor;
Measuring a transmittance and a defect of the pellicle by comparing intensity of light detected by the first light measuring sensor and the second light measuring sensor; Wherein the pellicle inspection method comprises the steps of:
상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 검출된 광의 세기를 비교하여 상기 펠리클의 투과율을 측정하는 거시적 측정단계;
상기 거시적 측정단계에서 펠리클의 투과율이 불량한 경우 상기 펠리클의 투과율 불량영역의 투과율을 재측정 하는 미시적 측정단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사 방법.6. The method of claim 5, wherein measuring the transmittance of the pellicle comprises:
A macroscopic measurement step of measuring a transmittance of the pellicle by comparing intensity of light detected by the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor;
A microscopic measuring step of remeasuring the transmittance of the pellicle in the poor transmittance region when the transmittance of the pellicle is poor in the macroscopic measuring step; Wherein the pellicle inspection method comprises the steps of:
x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지를 z축 이동하여 빔 사이즈의 크기를 조정하는 단계;
상기 펠리클의 각 영역별로 상기 3축 스테이지의 x, y축의 이동량을 결정하는 단계;
상기 3축 스테이지를 x, y축으로 이동하여 스캐닝하면서 상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 광의 세기를 측정하는 단계;
상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 측정된 검출 값을 비교하여 펠리클의 투과율을 획득하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사 방법. 7. The method of claim 6,
moving a three-axis stage capable of moving in the x, y, and z axes along a z axis to adjust a size of a beam size;
Determining a movement amount of the x-axis and the y-axis of the three-axis stage for each region of the pellicle;
Measuring the intensity of light in the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor while scanning the three-axis stage in the x and y axes;
Obtaining a transmittance of the pellicle by comparing the measured values measured by the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor; Wherein the pellicle inspection method comprises the steps of:
x, y, z 축으로 이동할 수 있는 3축 스테이지를 z축 이동하여 빔 사이즈의 크기를 조정하는 단계;
상기 펠리클의 각 영역별로 상기 3축 스테이지의 x, y축의 이동량을 결정하는 단계;
상기 3축 스테이지를 x, y축으로 이동하여 스캐닝하면서 상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 광의 세기를 측정하는 단계;
상기 제1광측정센서와 제2광측정센서에서 측정된 검출 값을 비교하여 펠리클의 투과율을 획득하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 펠리클 검사 방법.
7. The method of claim 6, wherein the micro-
moving a three-axis stage capable of moving in the x, y, and z axes along a z axis to adjust a size of a beam size;
Determining a movement amount of the x-axis and the y-axis of the three-axis stage for each region of the pellicle;
Measuring the intensity of light in the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor while scanning the three-axis stage in the x and y axes;
Obtaining a transmittance of the pellicle by comparing the measured values measured by the first optical measurement sensor and the second optical measurement sensor; Wherein the pellicle inspection method comprises the steps of:
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020160005224A KR101738887B1 (en) | 2016-01-15 | 2016-01-15 | METHOD AND DEVICE FOR Actinic EUV PELLICLE INSPECTION |
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