KR20200032571A - Measuring apparatus for measuring transmittance and flatness of EUV light for blank mask and measuring method using the same - Google Patents

Measuring apparatus for measuring transmittance and flatness of EUV light for blank mask and measuring method using the same Download PDF

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Abstract

The present invention relates to a measuring device (10) for measuring reflexibility and flatness of a blank mask, which comprises: a measurement unit (100) for measuring the amount of EUV light and the amount of EUV light reflected by a mask (20); a vacuum chamber (200) in which the measurement unit (100) is provided therein to maintain vacuum; and a detection unit (300) for detecting the amount of light measured by the measurement unit (100).

Description

EUV 광용 블랭크 마스크 반사율 및 평탄도를 측정하는 측정 장치 및 이를 이용한 측정 방법{Measuring apparatus for measuring transmittance and flatness of EUV light for blank mask and measuring method using the same}Measuring apparatus for measuring the reflectance and flatness of the EUV light blank mask and measuring method using the same {Measuring apparatus for measuring transmittance and flatness of EUV light for blank mask and measuring method using the same}

본 발명은 EUV(Extreme ultraviolet) 광용 블랭크 마스크(blank mask)의 반사율 및 평탄도를 측정하는 측정 장치 및 이를 이용한 측정 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a measuring device for measuring reflectivity and flatness of a blank mask for extreme ultraviolet (EUV) light and a measuring method using the same.

반도체 소자의 고집적화가 진행될수록 반도체 소자의 선폭이 줄어들게 되고, 반도체 소자의 선폭이 줄어들수록 리소그래피(Lithography) 공정에 사용되는 노광원의 파장도 줄어들게 된다.As the integration of semiconductor devices progresses, the line width of the semiconductor device decreases, and as the line width of the semiconductor device decreases, the wavelength of the exposure source used in the lithography process decreases.

예를 들면, 종래에는 I 라인(line) 또는 G라인과 같은 비교적 긴 파장의 노광원을 이용하여 노광공정을 수행하였지만, 현재에는 주로 248,193nm 파장을 쓰는 KrF, ArF 노광원을 이용하여 노광공정을 수행하고 있다. For example, in the prior art, an exposure process was performed using an exposure source having a relatively long wavelength, such as an I line or a G line. Currently, the exposure process is performed using a KrF and ArF exposure source mainly using a wavelength of 248,193 nm. Is doing.

최근에는 그 이하의 파장, 즉 13.4nm 파장의 EUV 광원을 이용한 공정이 개발되고 있다. Recently, a process using an EUV light source having a wavelength of less than 13.4 nm has been developed.

KrF, ArF 노광공정에서는 빛이 블랭크 마스크(blank mask)를 반사하여 웨이퍼에 패턴을 형성하는 방법을 이용하는 반면, EUV의 경우에는 빛이 블랭크 마스크(blank mask)에서 대부분 흡수되기 때문에 투과 블랭크 마스크(blank mask)가 아닌 EUV 빛이 반사하는 반마스크를 이용하여 노광공정을 수행한다.In the KrF and ArF exposure process, a method of forming a pattern on a wafer by reflecting a blank mask is used, whereas in the case of EUV, since the light is mostly absorbed by a blank mask, a transparent blank mask is used. exposure process is performed using a semi-mask that is reflected by EUV light instead of mask).

즉, EUV용 블랭크 마스크(blank mask)는 반사층과 흡수층 패턴으로 구성되는데 반사층에 의해 반사된 EUV 광원이 패터닝에 직접 기여하게 되고, 흡수층 패턴에 도달한 빛은 흡수되어 패터닝에 기여하지 못하게 된다. That is, the blank mask for the EUV (blank mask) is composed of a reflective layer and an absorbing layer pattern. The EUV light source reflected by the reflective layer directly contributes to the patterning, and the light reaching the absorbing layer pattern is absorbed and thus does not contribute to the patterning.

현재 반도체 제조 공정의 공정 효율을 향상시키기 위해, 고출력의 광원을 극자외선 리소그래피 노광장비에 적용하려는 연구가 계속되고 있으며, 노광공정의 생산성을 향상시키기 위해 높은 뱐사도를 갖는 고성능의 극자외선 노광 공정용 블랭크 마스크(blank mask)에 대한 요구가 증가하고 있다.  In order to improve the process efficiency of the current semiconductor manufacturing process, research is continuing to apply a high-power light source to extreme ultraviolet lithography exposure equipment, and it is for high-performance extreme ultraviolet exposure processes with high irradiance to improve the productivity of the exposure process. There is an increasing demand for blank masks.

따라서 블랭크 마스크(blank mask)의 반사율 및 평탄도를 측정하여 불량 여부를 평가하기 위한 블랭크 마스크(blank mask)의 검사 장치 및 검사 방법에 대한 연구가 필요한 실정이다. Therefore, there is a need to study a blank mask inspection apparatus and an inspection method for evaluating the defect by measuring reflectivity and flatness of a blank mask.

대한민국 등록특허공보 등록번호 제10-1738887호Republic of Korea Registered Patent Publication No. 10-1738887 대한민국 공개특허공보 공개번호 제10-2017-0110759호Republic of Korea Patent Publication No. 10-2017-0110759

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 블랭크 마스크(blank mask)의 전면적에 대한 반사율 및 평탄도를 측정하여 불량 여부를 평가하기 위한 블랭크 마스크(blank mask)의 반사율 및 평탄도를 측정하는 측정 장치 및 이를 이용한 측정 방법을 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.The present invention is to solve the above-mentioned problems, measuring the reflectivity and flatness of the blank mask to evaluate the defect by measuring the reflectivity and flatness of the entire area of the blank mask (blank mask) It is intended to provide an apparatus and a measurement method using the same, and has a purpose.

그러나 본 발명의 목적은 상기에 언급된 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.However, the object of the present invention is not limited to the above-mentioned object, another object not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 마스크(mask)의 반사율 및 평탄도를 측정하는 측정 장치(10)는 상기 EUV 광의 광량과 마스크(mask)(20)에 의해 반사된 EUV 광의 광량을 측정하는 측정부(100)와, 상기 측정부(100)가 내부에 구비되어 진공을 유지하는 진공챔버(200)와, 상기 측정부(100)에 의해 측정된 광량을 검출하는 검출부(300)를 포함하여 이루어진다.In order to achieve the above object, the measuring device 10 for measuring the reflectance and flatness of a mask according to the present invention measures the amount of light of the EUV light and the amount of light of the EUV light reflected by the mask 20. The measurement unit 100 includes a vacuum chamber 200 in which the measurement unit 100 is provided to maintain a vacuum, and a detection unit 300 for detecting the amount of light measured by the measurement unit 100 Is done by

또한, 상기 측정부(100)는 상기 EUV 광이 출력되는 광원부(110)와, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광의 기준광량을 실시간으로 측정하는 제1광학부(120)와, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 마스크(mask)(20)를 통해 반사된 비교광량을 실시간으로 측정하는 제2광학부(130)와, 상기 마스크(mask)(20)를 지지하면서 x, y 축으로 이동되어 마스크(mask)(20)의 전면적에 대해 스캐닝 할 수 있도록 하는 스테이지부(140)를 포함하여 이루어진다.In addition, the measurement unit 100 includes a light source unit 110 for outputting the EUV light, a first optical unit 120 for measuring the reference light amount of the EUV light output from the light source unit 110 in real time, and the light source unit ( While supporting the second optical unit 130 and the mask 20, the EUV light output from 110 is measured in real time by comparing the amount of comparative light reflected through the mask 20, x, y It comprises a stage unit 140 that is moved in the axis to allow scanning of the entire area of the mask (mask) (20).

또한, 상기 제1광학부(120)는 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광을 반사시키거나 통과시키는 초퍼 휠(chopper wheel)(121)과, 상기 광원부(110)에서 출력되어 상기 초퍼 휠(121)에 의해 반사된 EUV 광을 수집하여 측정하는 제1감지기(122)를 포함하여 이루어진다.In addition, the first optical unit 120 is a chopper wheel (chopper wheel) 121 for reflecting or passing the EUV light output from the light source unit 110, and the chopper wheel output from the light source unit 110 ( 121) to collect and measure the EUV light reflected by the first detector (122).

그리고 상기 제2광학부(130)는 상기 광원부(110)에서 출력되어 상기 초퍼 휠(121)을 통과한 EUV 광을 상기 마스크(mask)(20)로 반사시키는 반사거울(131)과, 상기 마스크(mask)(20)를 통해 반사된 EUV 광을 수집하여 측정하는 제2감지기(132)를 포함하여 이루어진다.And the second optical unit 130 is reflected from the light source unit 110, the reflection mirror 131 for reflecting the EUV light passing through the chopper wheel 121 to the mask (mask) 20, and the mask It comprises a second detector 132 to collect and measure the EUV light reflected through the (mask) (20).

또한, 상기 검출부(300)는 상기 제1감지기(122) 및 제2감지기(132)에서 검출된 값을 비교하여 상기 마스크(mask)(20)의 반사율을 측정하는 제1연산부(310)와, 상기 제1연산부(310)에서 측정된 마스크(mask)(20)의 전면적에 대한 반사율을 통해 상기 마스크(mask)(20)의 평탄도(uniformity)를 측정하는 제2연산부(320)를 포함하여 이루어진다.In addition, the detection unit 300 compares the values detected by the first sensor 122 and the second sensor 132, the first operation unit 310 to measure the reflectivity of the mask (mask) 20, Including a second operation unit 320 for measuring the uniformity of the mask (mask) 20 through the reflectivity of the entire surface of the mask (mask) 20 measured by the first operation unit 310 Is done.

또한, 상기 제1광학부(120)는 상기 초퍼 휠(121)을 회전시키는 구동모터(미도시)를 더 포함한다.In addition, the first optical unit 120 further includes a drive motor (not shown) that rotates the chopper wheel 121.

그리고 상기 초퍼 휠(121)은 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광을 상기 제1감지기(122)로 반사시키는 반사영역(121a)과, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 반사거울(131)로 입사되도록 통과되는 관통영역(121b)이 형성된다.In addition, the chopper wheel 121 has a reflection area 121a for reflecting the EUV light output from the light source unit 110 to the first sensor 122, and the EUV light output from the light source unit 110 is the reflection mirror. A through region 121b is passed through to be incident on the 131 is formed.

이때, 상기 초퍼 휠(121)은 광축과 수직한 면에 대해 4˚~8˚ 기울어져 구비될 수 있다. At this time, the chopper wheel 121 may be provided at an angle of 4 ° to 8 ° with respect to a plane perpendicular to the optical axis.

또한, 상기 초퍼 휠(121)은 원형의 형상이되, 상기 반사영역(121a)과 관통영역(121b)은 번갈아 형성되어 상기 초퍼 휠(121)이 회전함에 따라 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 반사영역(121a)과 관통영역(121b)에 순차 반복적으로 입사된다. In addition, the chopper wheel 121 has a circular shape, and the reflective region 121a and the through region 121b are alternately formed, and the EUV output from the light source unit 110 as the chopper wheel 121 rotates. Light is sequentially and repeatedly incident on the reflective region 121a and the through region 121b.

또한, 상기 반사영역(121a)에는 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광을 반사시키는 반사체가 부착되고, 상기 관통영역(121b)에는 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 통과되도록 관통구멍이 형성된다.In addition, a reflector reflecting the EUV light output from the light source unit 110 is attached to the reflection area 121a, and a through hole is formed in the through area 121b to allow the EUV light output from the light source unit 110 to pass therethrough. Is formed.

또한, 상기 초퍼 휠(121)에는 초퍼 휠(121)의 중심을 기준으로 방사상 등간격으로 가상의 구획선이 4개 형성될 때, 각각의 구획선에 의해 형성된 4개의 영역에는 2개의 반사영역(121a-1,121a-2)과 2개의 관통영역(121b-1,121b-2)이 형성되고, 제1반사영역(121a-1)과 제2반사영역(121a-2) 사이에 제1관통영역(121b-1)과 제2관통영역(121b-2)이 형성되도록 배치된다. In addition, when four virtual partition lines are formed on the chopper wheel 121 at equal intervals radially based on the center of the chopper wheel 121, two reflective areas 121a- are formed on four areas formed by each partition line. 1,121a-2) and two through regions 121b-1 and 121b-2 are formed, and the first through region 121b- between the first reflection region 121a-1 and the second reflection region 121a-2. 1) and the second through region 121b-2 are arranged to be formed.

또한, 상기 스테이지부(140)는 상기 마스크(mask)(20)를 지지하는 스테이지(141)와, 상기 스테이지(141)를 x축으로 구동하는 x축 구동부(142)와, 상기 스테이지(141)를 y축으로 구동하는 y축 구동부(143)를 포함하되, 상기 스테이지(141)에는 진공용 관통공(141a)이 형성되어 상기 관통공(141a) 상에 상기 마스크(mask)(20)가 구비된다. In addition, the stage unit 140 includes a stage 141 supporting the mask 20, an x-axis driving unit 142 driving the stage 141 on the x-axis, and the stage 141. It includes a y-axis driving unit 143 to drive the y-axis, the stage 141 is formed with a vacuum through-hole 141a is provided with the mask (mask) 20 on the through-hole 141a do.

또한, 상기 제2감지기(132)는 상기 스테이지(141)의 상부측에 구비된다.In addition, the second sensor 132 is provided on the upper side of the stage 141.

또한, 상기 구동모터에는 모터 회전축의 회전각도 및 회전수를 검출하는 엔코더가 장착되되, 상기 스테이지부(140)는, 상기 초퍼 휠(121)이 회전되어 반사영역(121a)에 EUV 광이 입사될 때의 엔코더 신호값을 통해 상기 x축 및 y축 구동부(142,143)를 구동시키는 스테이지 구동 제어부(미도시)를 더 포함한다.In addition, the drive motor is equipped with an encoder that detects the rotation angle and the number of revolutions of the motor rotation shaft, the stage unit 140, the chopper wheel 121 is rotated, the EUV light is incident on the reflection area 121a It further includes a stage driving control unit (not shown) for driving the x-axis and y-axis driving units 142 and 143 through an encoder signal value.

또한, 상기 검출부(300)는, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광으로부터 상기 제1감지기(122)에서 측정된 광량과 상기 마스크(20)가 장착되지 않은 상태에서 상기 제2감지기(132)에서 측정된 광량을 비교하여 각각의 광량에 대한 측정값이 동일하도록 보정값을 생성하는 보정값 생성부(미도시)를 더 포함한다.In addition, the detection unit 300, the amount of light measured by the first sensor 122 from the EUV light output from the light source unit 110 and the mask 20 is not mounted, the second sensor 132 Further comprising a correction value generating unit (not shown) for comparing the measured light amount in the step to generate a correction value so that the measured value for each light amount is the same.

또한, 상기 측정 장치를 이용한 마스크의 반사율을 측정하는 측정 방법은 a, 상기 진공챔버(200)의 내부를 진공으로 형성하는 단계와, b, 상기 스테이지(141)에 상기 마스크(20)를 장착하는 단계와, c, 상기 광원부(110)로부터 EUV 광이 출력되는 단계와, d, 상기 초퍼 휠(121)에 의해 순차 반복적으로 반사 및 반사되어 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광을 제1감지기(122)와 제2감지기(132)에 전사시키는 단계와, e, 상기 검출부(300)의 제1연산부(310)를 통해 상기 마스크(20)의 전면적에 대한 반사율을 측정하는 단계를 포함하여 이루어진다.In addition, the measuring method for measuring the reflectivity of the mask using the measuring device is a, forming the inside of the vacuum chamber 200 by vacuum, b, mounting the mask 20 to the stage 141 Step, c, the step of outputting the EUV light from the light source unit 110, d, the first sensor to the EUV light that is sequentially reflected and reflected by the chopper wheel 121 and output from the light source unit 110 (122) and transferring to the second sensor 132, e, through the first operation unit 310 of the detection unit 300, measuring the reflectivity of the entire surface of the mask 20. .

또한, 상기 d 단계는, d-1. 상기 마스크(20)의 반사율을 측정하기 위한 초기상태로 세팅하는 단계와, d-2, 상기 초퍼 휠(121)의 관통영역(121b)에 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 통과되는 단계와, d-3, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 초퍼 휠(121)의 반사영역(121a)에 입사되도록 초퍼 휠(121)을 회전시키는 단계와, d-4, 상기 스테이지 구동 제어부의 제어를 통해 상기 x축 또는 y축 구동부(142,143)를 구동시켜 상기 스테이지(141)를 이동시키는 단계와, d-5. 상기 초퍼 휠(121)의 반사영역(121a)에 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 입사되는 단계와, d-6, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 초퍼 휠(121)의 관통영역(121a)에 입사되도록 초퍼 휠(121)을 회전시키는 단계와, d-7, 상기 d-2 단계와 d-6 단계를 반복실행 하는 단계를 포함한다.In addition, the step d, d-1. Setting the initial state for measuring the reflectivity of the mask 20, d-2, the step of passing the EUV light output from the light source unit 110 through the through region 121b of the chopper wheel 121 Wow, d-3, rotating the chopper wheel 121 so that the EUV light output from the light source unit 110 enters the reflection region 121a of the chopper wheel 121, and d-4, the stage driving Moving the stage 141 by driving the x-axis or y-axis driving units 142 and 143 through control of a control unit, and d-5. The EUV light output from the light source unit 110 is incident on the reflection area 121a of the chopper wheel 121, and d-6, the EUV light output from the light source unit 110 is the chopper wheel 121. And rotating the chopper wheel 121 so as to be incident on the through region 121a, and repeating steps d-7, d-2, and d-6.

또한, 상기 d-1 단계는 d-1-1, 상기 마스크(20)를 일정간격으로 구획하여 x축, y축에 대한 좌표(Xi,Yj)를 설정하는 단계와, d-1-2, 상기 스테이지(141)를 구동시켜 상기 마스크(20)의 제1좌표(X1,Y1)에 EUV 광이 반사되도록 세팅하는 단계와, d-1-3, 상기 초퍼 휠(121)의 관통영역(121a)에 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 입사되도록 세팅하는 단계를 포함한다.In addition, the step d-1 is a step d-1-1, partitioning the mask 20 at regular intervals to set coordinates (Xi, Yj) for the x-axis and the y-axis, and d-1-2, Setting the EUV light to be reflected in the first coordinates (X1, Y1) of the mask 20 by driving the stage 141, d-1-3, through region 121a of the chopper wheel 121 ) Setting the EUV light output from the light source unit 110 to be incident.

또한, 상기 d-2 단계는 d-2-1, 상기 관통영역(121b)에 입사된 EUV 광이 통과되는 단계와, d-2-2, 상기 관통영역(121b)에 통과된 EUV 광이 상기 반사거울(131)에 입사되는 단계와, d-2-3, 상기 반사거울(131)에 입사된 EUV 광이 반사되어 상기 마스크(20)로 입사되는 단계와, d-2-4, 상기 마스크(20)로 입사된 EUV 광은 마스크(20)를 반사하여 상기 스테이지(141)의 하부측에 구비된 상기 제2감지기(132)로 입사되는 단계와, d-2-5, 상기 제2감지기(132)에서 검출된 광량을 측정하는 단계를 포함한다.In addition, in step d-2, d-2-1, the EUV light incident on the through region 121b passes, and d-2-2, the EUV light passing through the through region 121b passes through the d-2 stage. The step of being incident on the reflective mirror 131, d-2-3, the step of being reflected by the EUV light incident on the reflective mirror 131 and being incident on the mask 20, d-2-4, the mask The EUV light incident on (20) reflects the mask 20 and is incident on the second sensor 132 provided on the lower side of the stage 141, d-2-5, the second sensor And measuring the amount of light detected in step 132.

또한, 상기 d-3 단계는 d-3-1, 상기 반사영역(121a)에 입사된 EUV 광이 반사되는 단계와, d-3-2, 상기 반사영역(121a)에서 반사된 EUV 광이 상기 제1감지기(122)로 입사되는 단계와, d-3-3, 상기 제1감지기(122)에서 검출된 광량을 측정하는 단계를 포함한다. In addition, in step d-3, d-3-1, the EUV light incident on the reflective region 121a is reflected, and d-3-2, the EUV light reflected in the reflective region 121a is the Including the step of incident to the first sensor 122, d-3-3, measuring the amount of light detected by the first sensor 122.

또한, 상기 e 단계 이후에, f, 상기 검출부(300)의 제2연산부(320)를 통해 마스크(20)의 평면도를 측정하는 단계를 더 포함한다. In addition, after the e step, f, further comprising the step of measuring the plan view of the mask 20 through the second operation unit 320 of the detection unit 300.

또한, 상기 b 단계 이전에, b-1, 상기 초퍼 휠(121)의 반사영역(121a)에 상기 광원부(110)로부터 EUV 광이 출력되는 단계와, b-2, 상기 반사영역(121a)에 의해 반사된 EUV 광의 광량을 제1감지기(122)를 통해 측정하는 단계와, b-3, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 초퍼 휠(121)의 관통영역(121b)에 입사되도록 초퍼 휠(121)을 회전시키는 단계와, b-4, 상기 반사거울(131)에 의해 반사된 EUV 광의 광량을 제2감지기(132)를 통해 측정하는 단계와, b-5, 상기 보정값 생성부를 통해 상기 반사거울(131)과 반사영역(121a)에 의해 반사된 EUV 광의 광량을 비교하여 보정값을 생성하는 단계를 포함한다.In addition, before step b, b-1, the step of outputting EUV light from the light source unit 110 to the reflective region 121a of the chopper wheel 121, and b-2, to the reflective region 121a Measuring the amount of EUV light reflected by the first sensor 122, and b-3, so that the EUV light output from the light source unit 110 is incident on the through region 121b of the chopper wheel 121 Rotating the chopper wheel 121, b-4, measuring the amount of EUV light reflected by the reflection mirror 131 through the second sensor 132, b-5, generating the correction value And comparing the amount of light of the EUV light reflected by the reflection mirror 131 and the reflection region 121a through a unit to generate a correction value.

또한, 상기 e 단계는, e-1, 상기 제1연산부(310)는 상기 보정값 생성부에서 생성된 보정값을 적용하여 상기 마스크(20)의 반사율을 측정하는 단계를 포함한다.In addition, step e, e-1, the first operation unit 310 includes measuring the reflectivity of the mask 20 by applying the correction value generated by the correction value generation unit.

본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로 더욱 명백해질 것이다.Features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description based on the accompanying drawings.

이에 앞서 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.Prior to this, the terms or words used in the specification and claims should not be interpreted in a conventional and lexical sense, and the inventor can appropriately define the concept of terms in order to best describe his or her invention. Based on the principle that it should be interpreted as meanings and concepts consistent with the technical idea of the present invention.

이상에서 살펴본 바와 같이 본 발명에 따르면, EUV 광용 마스크(mask)의 반사율 및 평탄도를 측정하는 측정 장치 및 이를 이용한 측정 방법에 의해서 마스크(mask)의 반사율을 용이하고 효율적으로 측정할 수 있는 효과가 있다.As described above, according to the present invention, the effect of easily and efficiently measuring the reflectivity of the mask (mask) by a measuring device for measuring the reflectivity and flatness of the EUV light mask (mask) and a measuring method using the same have.

도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 측정 장치의 개략적인 구성도,
도 2 내지 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 측정 장치의 개략적인 작동상태를 나타낸 구성도,
도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 초퍼 휠의 정면도,
도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 측정 장치의 개략적인 작동 시스템을 나타낸 블록도,
도 6 내지 10은 본 발명의 발람직한 일실시예에 따른 EUV 광용 마스크(mask)의 반사율 및 평탄도를 측정하는 측정 방법을 나타낸 순서도이다. 1 is a schematic configuration diagram of a measuring device according to a preferred embodiment of the present invention,
2 to 3 is a schematic view showing a schematic operating state of the measuring device according to an embodiment of the present invention,
Figure 4 is a front view of the chopper wheel according to an embodiment of the present invention,
Figure 5 is a block diagram showing a schematic operating system of a measuring device according to an embodiment of the present invention,
6 to 10 are flowcharts illustrating a measuring method for measuring reflectivity and flatness of a mask for EUV light according to a preferred embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 이 과정에서 도면에 도시된 선들의 두께나 구성요소의 크기 등은 설명의 명료성과 편의상 과장되게 도시되어 있을 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In this process, the thickness of the lines or the size of components shown in the drawings may be exaggerated for clarity and convenience.

또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 이러한 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 하여 내려져야 할 것이다.In addition, terms to be described later are terms defined in consideration of functions in the present invention, which may vary according to a user's or operator's intention or practice. Therefore, definitions of these terms should be made based on the contents throughout the present specification.

아울러, 아래의 실시 예는 본 발명의 권리범위를 한정하는 것이 아니라 본 발명의 청구범위에 제시된 구성요소의 예시적인 사항에 불과하며, 본 발명의 명세서 전반에 걸친 기술사상에 포함되고 청구범위의 구성요소에서 균등물로서 치환 가능한 구성요소를 포함하는 실시예는 본 발명의 권리범위에 포함될 수 있다.In addition, the following examples are not intended to limit the scope of the present invention, but are merely illustrative of the components presented in the claims of the present invention, and are included in the technical idea throughout the specification of the present invention and constitute the claims. Embodiments that include a substitutable component as an equivalent in the elements can be included in the scope of the present invention.

첨부된 도 1은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 측정 장치의 개략적인 구성도, 도 2 내지 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 측정 장치의 개략적인 작동상태를 나타낸 구성도, 도 4는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 초퍼 휠의 정면도, 도 5는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 측정 장치의 개략적인 작동 시스템을 나타낸 블록도, 도 6 내지 10은 본 발명의 발람직한 일실시예에 따른 EUV 광용 마스크(mask)의 반사율 및 평탄도를 측정하는 측정 방법을 나타낸 순서도이다. 1 is a schematic configuration diagram of a measuring device according to a preferred embodiment of the present invention, and FIGS. 2 to 3 are schematic views showing a schematic operating state of a measuring device according to a preferred embodiment of the present invention, FIG. 4 Is a front view of a chopper wheel according to a preferred embodiment of the present invention, Figure 5 is a block diagram showing a schematic operating system of a measuring device according to a preferred embodiment of the present invention, Figures 6 to 10 are preferred embodiments of the present invention It is a flow chart showing a measuring method for measuring reflectivity and flatness of a mask for EUV light according to an embodiment.

도 1 이하에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 측정 장치(10)는 EUV 광의 광량과 마스크(mask)(20)에 의해 반사된 EUV 광의 광량을 측정하는 측정부(100)와, 상기 측정부(100)가 내부에 구비되어 진공을 유지하는 진공챔버(200)와, 상기 측정부(100)에 의해 측정된 광량을 검출하는 검출부(300)를 포함하여 이루어져 EUV 광용 마스크(mask)의 반사율 및 평탄도를 측정한다. As shown in FIG. 1 or less, the measuring device 10 according to the present invention includes a measuring unit 100 for measuring the amount of EUV light and the amount of EUV light reflected by the mask 20, and the measuring unit The reflectivity of the EUV light mask (mask), which includes a vacuum chamber (200) provided therein to maintain a vacuum and a detector (300) for detecting the amount of light measured by the measuring unit (100), and Measure flatness.

이때, 상기 측정부(100)는 상기 EUV 광이 출력되는 광원부(110)와, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광의 기준광량을 실시간으로 측정하는 제1광학부(120)와, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 마스크(mask)(20)를 통해 반사된 비교광량을 실시간으로 측정하는 제2광학부(130)와, 상기 마스크(mask)(20)를 지지하면서 x, y 축으로 이동되어 마스크(mask)(20)의 전면적에 대해 스캐닝 할 수 있도록 하는 스테이지부(140)를 포함하여 이루어진다. At this time, the measurement unit 100 includes a light source unit 110 for outputting the EUV light, a first optical unit 120 for measuring the reference light amount of the EUV light output from the light source unit 110 in real time, and the light source unit ( While supporting the second optical unit 130 and the mask 20, the EUV light output from 110 is measured in real time by comparing the amount of comparative light reflected through the mask 20, x, y It comprises a stage unit 140 that is moved in the axis to allow scanning of the entire area of the mask (mask) (20).

또한, 상기 제1광학부(120)는 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광을 반사시키거나 통과시키는 초퍼 휠(chopper wheel)(121)과, 상기 광원부(110)에서 출력되어 상기 초퍼 휠(121)에 의해 반사된 EUV 광을 수집하여 측정하는 제1감지기(122)를 포함하여 이루어진다.In addition, the first optical unit 120 is a chopper wheel (chopper wheel) 121 for reflecting or passing the EUV light output from the light source unit 110, and the chopper wheel output from the light source unit 110 ( 121) to collect and measure the EUV light reflected by the first detector (122).

그리고 상기 제2광학부(130)는 상기 광원부(110)에서 출력되어 상기 초퍼 휠(121)을 통과한 EUV 광을 상기 마스크(mask)(20)로 반사시키는 반사거울(131)과, 상기 마스크(mask)(20)를 통해 반사된 EUV 광을 수집하여 측정하는 제2감지기(132)를 포함하여 이루어진다. And the second optical unit 130 is reflected from the light source unit 110, the reflection mirror 131 for reflecting the EUV light passing through the chopper wheel 121 to the mask (mask) 20, and the mask It comprises a second detector 132 to collect and measure the EUV light reflected through the (mask) (20).

또한, 상기 검출부(300)는 상기 제1감지기(122) 및 제2감지기(132)에서 검출된 값을 비교하여 상기 마스크(mask)(20)의 반사율을 측정하는 제1연산부(310)와, 상기 제1연산부(310)에서 측정된 마스크(mask)(20)의 전면적에 대한 반사율을 통해 상기 마스크(mask)(20)의 평탄도(uniformity)를 측정하는 제2연산부(320)를 포함하여 이루어진다.In addition, the detection unit 300 compares the values detected by the first sensor 122 and the second sensor 132, the first operation unit 310 to measure the reflectivity of the mask (mask) 20, Including a second operation unit 320 for measuring the uniformity of the mask (mask) 20 through the reflectivity of the entire surface of the mask (mask) 20 measured by the first operation unit 310 Is done.

또한, 상기 반사율은 아래의 [수학식1]을 만족한다.In addition, the reflectance satisfies [Equation 1] below.

[수학식1][Equation 1]

반사율(T1)=[비교광량(L2)/기준광량(L1)]ㅧ100%Reflectance (T1) = [Comparative light amount (L2) / Reference light amount (L1)] ㅧ 100%

또한, 상기 검출부(300)는 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광으로부터 상기 제1감지기(122)에서 측정된 광량(L1)과 상기 마스크(20)가 장착되지 않은 상태에서 상기 제2감지기(132)에서 측정된 광량(L3)을 비교하여 각각의 광량에 대한 측정값이 동일하도록 보정값을 생성하는 보정값 생성부(미도시)를 더 포함할 수 있다.In addition, the detection unit 300 is the second sensor in the state that the light amount (L1) and the mask 20 measured by the first sensor 122 from the EUV light output from the light source unit 110 is not mounted ( 132) may further include a correction value generator (not shown) that compares the measured light amount L3 to generate a correction value so that the measured values for each light amount are the same.

즉, 상기 마스크(20)가 장착되지 않은 상태에서 상기 제1감지기(122)와 제2감지기(132)에 측정된 광량을 비교함으로써 상기 초퍼 휠(121)의 반사영역(121a)과 상기 반사거울(131) 각각의 반사율에 따른 차이를 보정하는 보정값을 생성할 수 있다.That is, by comparing the amount of light measured by the first sensor 122 and the second sensor 132 without the mask 20 mounted, the reflective area 121a and the reflective mirror of the chopper wheel 121 are compared. (131) A correction value that corrects a difference according to each reflectance may be generated.

따라서 상기 제1연산부(310)는 상기 보정값 생성부에서 생성된 보정값을 적용하여 상기 마스크(20)의 반사율을 측정할 수 있다.Therefore, the first operation unit 310 may measure the reflectivity of the mask 20 by applying the correction value generated by the correction value generation unit.

예를 들어, 상기 보정값은 아래의 [수학식2]를 만족할 때,For example, when the correction value satisfies [Equation 2] below,

[수학식2][Equation 2]

보정값(C)=L1-L3Correction value (C) = L1-L3

상기 보정값이 적용된 반사율은 아래의 [수학식3]을 만족한다.The reflectance to which the correction value is applied satisfies [Equation 3] below.

[수학식3][Equation 3]

반사율(T2)=(비교광량(L2)+C/기준광량(L1))ㅧ100%Reflectance (T2) = (Comparative light amount (L2) + C / Reference light amount (L1)) ㅧ 100%

한편, 상기 스테이지부(140)는 상기 마스크(mask)(20)를 지지하는 스테이지(141)와, 상기 스테이지(141)를 x축으로 구동하는 x축 구동부(142)와, 상기 스테이지(141)를 y축으로 구동하는 y축 구동부(143)를 포함하여 이루어지고 상기 스테이지(141)에는 진공용 관통공(141a)이 형성되어 상기 관통공(141a) 상에 상기 마스크(mask)(20)가 구비된다. Meanwhile, the stage unit 140 includes a stage 141 supporting the mask 20, an x-axis driving unit 142 driving the stage 141 on the x-axis, and the stage 141. It comprises a y-axis driving unit 143 to drive the y-axis and the stage 141 is formed with a vacuum through hole (141a) is the mask (mask) 20 on the through hole (141a) It is provided.

또한, 상기 제2감지기(132)는 상기 스테이지(141)의 진공용 관통공(141a)과 대응되도록 상기 스테이지부(140)의 하부측에 구비된다.In addition, the second sensor 132 is provided on the lower side of the stage portion 140 to correspond to the through-hole for vacuum 141a of the stage 141.

즉, 상기 측정부(100)는 상기 광원부(110)가 일측에 배치되어 타측방향으로 EUV 광이 출력되고, 상기 EUV 광이 입사되도록 상기 광원부(110)의 타측에 상기 반사거울(131)이 배치된다.That is, in the measurement unit 100, the light source unit 110 is disposed on one side and EUV light is output in the other direction, and the reflection mirror 131 is disposed on the other side of the light source unit 110 so that the EUV light is incident. do.

또한, 상기 광원부(110)와 반사거울(131) 사이에 상기 초퍼 휠(121)이 배치되어 상기 초퍼 휠(121)의 타측에 상기 반사거울(131)이 구비된다. In addition, the chopper wheel 121 is disposed between the light source unit 110 and the reflection mirror 131 to provide the reflection mirror 131 on the other side of the chopper wheel 121.

이때, 상기 초퍼 휠의 축방향 중심축은 상기 광원부(110)와 반사거울(131) 사이에 형성된 임의의 광축과 이격되어 배치된다.At this time, the axial center axis of the chopper wheel is arranged to be spaced apart from any optical axis formed between the light source unit 110 and the reflective mirror 131.

따라서 상기 초퍼 휠(121)의 소정의 일측면에 광원부(110)에서 나오는 EUV광이 입사된다. Therefore, EUV light emitted from the light source unit 110 is incident on one side of the chopper wheel 121.

또한, 상기 반사거울(131)의 하부측에 상기 스테이지부(140)가 배치되며, 상기 스테이지부(140)에 상기 마스크(20)가 구비된다.In addition, the stage portion 140 is disposed on the lower side of the reflective mirror 131, and the mask 20 is provided on the stage portion 140.

그리고 상기 스테이지부(140)의 상부측 소정 위치에 상기 제2감지기(132)가 배치되어 상기 마스크(20)에서 반사된 EUV광이 상기 제2감지기(132)로 입사된다.In addition, the second detector 132 is disposed at a predetermined position on the upper side of the stage unit 140, and EUV light reflected from the mask 20 is incident on the second detector 132.

또한, 상기 초퍼 휠(121)에서 반사된 EUV 광이 입사되도록 상기 제1감지기(122)는 상기 초퍼 휠(121)의 일측 소정 위치에서 상기 광원부(110)와 이격되도록 배치된다. In addition, the first sensor 122 is disposed to be spaced apart from the light source unit 110 at a predetermined position on one side of the chopper wheel 121 so that EUV light reflected from the chopper wheel 121 is incident.

한편, 상기 제1광학부(120)는 상기 초퍼 휠(121)을 회전시키는 구동모터(미도시)를 더 포함한다.Meanwhile, the first optical unit 120 further includes a driving motor (not shown) that rotates the chopper wheel 121.

그리고 상기 초퍼 휠(121)은 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광을 상기 제1감지기(122)로 반사시키는 반사영역(121a)과, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 반사거울(131)로 입사되도록 통과되는 관통영역(121b)이 형성된다.In addition, the chopper wheel 121 has a reflection area 121a for reflecting the EUV light output from the light source unit 110 to the first sensor 122, and the EUV light output from the light source unit 110 is the reflection mirror. A through region 121b is passed through to be incident on the 131 is formed.

또한, 상기 초퍼 휠(121)은 원형의 형상으로 구비되는 것이 바람직하며, 상기 반사영역(121a)과 관통영역(121b)은 번갈아 형성되어, 상기 초퍼 휠(121)이 회전함에 따라 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 반사영역(121a)과 관통영역(121b)에 순차 반복적으로 입사된다. In addition, the chopper wheel 121 is preferably provided in a circular shape, the reflection area 121a and the through area 121b are alternately formed, the light source unit 110 as the chopper wheel 121 rotates EUV light output from) is sequentially and repeatedly incident on the reflective region 121a and the through region 121b.

이때, 상기 반사영역(121a)과 관통영역(121b)은 다수개 형성되어 순차 반복적으로 형성된다.At this time, a plurality of the reflective regions 121a and the through regions 121b are formed and sequentially formed.

본 발명의 일실시예로써 상기 초퍼 휠(121)에는 초퍼 휠(121)의 중심을 기준으로 방사상 등간격으로 가상의 구획선이 4개 형성될 때, 각각의 구획선에 의해 형성된 4개의 영역에는 2개의 반사영역(121a-1,121a-2)과 2개의 관통영역(121b-1,121b-2)이 형성되고, 제1반사영역(121a-1)과 제2반사영역(121a-2) 사이에 제1관통영역(121b-1)과 제2관통영역(121b-2)이 형성되도록 배치되는 것이 바람직하다. As one embodiment of the present invention, when four virtual partition lines are formed at equal intervals on the basis of the center of the chopper wheel 121 in the chopper wheel 121, two are formed in four regions formed by each partition line. The reflective regions 121a-1 and 121a-2 and two through regions 121b-1 and 121b-2 are formed, and a first is formed between the first reflective region 121a-1 and the second reflective region 121a-2. It is preferable that the through region 121b-1 and the second through region 121b-2 are formed to be formed.

또한, 상기 구획선은 4개 이상 형성되어 상기 초퍼 휠(121)을 더 많은 반사영역(121a)과 관통영역(121b) 구분하여 구성할 수 있다.In addition, four or more partition lines may be formed to divide the chopper wheel 121 into more reflective regions 121a and through regions 121b.

즉, 상기 초퍼 휠(121)의 반사영역(121a)과 관통영역(121b)의 개수와 회전수를 증가시킴으로써 더 많은 반사빔과 관통빔을 비교 측정할 수 있다.That is, more reflection beams and through beams can be compared and measured by increasing the number and number of rotations of the reflection area 121a and the penetration area 121b of the chopper wheel 121.

이때, 상기 반사영역(121a)에는 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광을 반사시키는 반사체가 부착되고, 상기 관통영역(121b)에는 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 통과되도록 관통구멍이 형성된다.In this case, a reflector for reflecting the EUV light output from the light source unit 110 is attached to the reflection area 121a, and a through hole is formed in the through area 121b to allow the EUV light output from the light source unit 110 to pass therethrough. Is formed.

또한, 상기 반사체는 상기 반사거울(131)과 동일 사양으로서 반사량은 동일하다. In addition, the reflector has the same specifications as the reflection mirror 131, and the reflection amount is the same.

또한, 상기 초퍼 휠(121)은 광축과 수직한 면에 대해 4˚~8˚ 기울어져 구비될 수 있으며, 상기 초퍼 휠(121)은 6˚ 기울어져 구비되는 것이 바람직하다.In addition, the chopper wheel 121 may be provided at an angle of 4 ° to 8 ° with respect to a plane perpendicular to the optical axis, and the chopper wheel 121 is preferably provided at an angle of 6 °.

따라서 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광은 초퍼 휠(121)에 4˚~8˚의 각도로 입사되며, 상기 반사영역(121a)의 반사체에 반사된 EUV 광은 -4˚~-8˚의 각도로 반사되어 상기 제1감지기(122)에 입사된다. Accordingly, the EUV light output from the light source unit 110 is incident on the chopper wheel 121 at an angle of 4 ° to 8 °, and the EUV light reflected on the reflector of the reflection area 121a is -4 ° to -8 °. It is reflected at an angle of and is incident on the first sensor 122.

또한, 상기 구동모터에는 모터 회전축의 회전각도 및 회전수를 검출하는 엔코더가 장착되되, 상기 스테이지부(140)는, 상기 초퍼 휠(121)이 회전되어 반사영역(121a)에 EUV 광이 입사될 때의 엔코더 신호값을 통해 상기 x축 및 y축 구동부(142,143)를 구동시키는 스테이지 구동 제어부(미도시)를 더 포함하여 이루어진다.In addition, the drive motor is equipped with an encoder that detects the rotation angle and the number of revolutions of the motor rotation shaft, the stage unit 140, the chopper wheel 121 is rotated, the EUV light is incident on the reflection area 121a It further comprises a stage driving control unit (not shown) for driving the x-axis and y-axis driving unit (142,143) through the encoder signal value at the time.

따라서 상기 구동모터에는 엔코더(encoder)가 장착되어 제어함으로써 초퍼 휠(121)을 동등한 툴로 회전시켜 EUV 광의 투과 및 반사에 대한 동기를 일정하게 맞출 수 있다. Therefore, by controlling the drive motor is equipped with an encoder, the chopper wheel 121 can be rotated with an equivalent tool to keep the synchronization of EUV light transmission and reflection constant.

즉 상기 초퍼 휠(121)을 반사영역(121a)과 관통영역(121b)으로 구획한 후, 회전시킴으로써 실시간으로 기준광량과 비교광량을 측정하여 비교함으로써 마스크(20)의 반사도를 측정할 수 있다. That is, after dividing the chopper wheel 121 into the reflection area 121a and the through area 121b, the reflectivity of the mask 20 can be measured by measuring and comparing the reference light amount and the comparative light amount in real time by rotating.

또한, 상기 스테이지(141)를 x축, y축 방향으로 구동시키면서 상기 마스크(20)의 전면적에 대한 반사율을 측정할 수 있음과 동시에, 마스크(20)의 전면적에 대한 반사율을 통해 평면도(uniformity) 또한 측정할 수 있다. In addition, while driving the stage 141 in the x-axis and y-axis directions, it is possible to measure the reflectivity of the entire area of the mask 20 and at the same time, the uniformity of the mask 20 through the reflectance of the entire area of the mask 20 It can also be measured.

즉, 일실시예로써 상기 마스크(20)를 전면적에 대해 일정간격으로 구획하여 x축, y축에 대한 좌표[(Xi,Yj), 이때 (i=1,2,…,n),(j=1,2,…,m)]을 설정하고, 좌표(X1,Y1)의 위치에서 비교광량(L2)을 측정한 후, 상기 초퍼 휠(121)을 1/4(90˚) 회전하여 기준광량(L1)을 측정하여 마스크(20)의 (X1,Y1)에 대응되는 위치에서의 반사율을 측정한다.That is, as an embodiment, the mask 20 is divided at regular intervals with respect to the entire area, and coordinates with respect to the x-axis and the y-axis [(Xi, Yj), where (i = 1,2, ..., n), (j = 1,2,…, m)], and after measuring the comparative light amount L2 at the position of the coordinates (X1, Y1), rotate the chopper wheel 121 1/4 (90˚) to reference By measuring the light amount L1, the reflectivity at a position corresponding to (X1, Y1) of the mask 20 is measured.

그리고 좌표 (X1,Y1)에서의 기준광량(L1)을 측정할 때, 상기 스테이지(141)를 이동시키며, 좌표 (X1,Y1)에서의 기준광량(L1)을 측정한 후, 초퍼 휠(121)을 1/4(90˚) 회전하여 좌표 (X2,Y1)에 대응되는 구역의 비교광량(L2)을 측정한다.And when measuring the reference light amount L1 at the coordinates (X1, Y1), the stage 141 is moved, and after measuring the reference light amount L1 at the coordinates (X1, Y1), the chopper wheel 121 ) Is rotated 1/4 (90˚) to measure the comparative light amount (L2) of the area corresponding to the coordinates (X2, Y1).

또한, 좌표 (X2,Y1)에 대응되는 구역의 비교광량(L2)을 측정한 후, 상기 초퍼 휠(121)을 1/4(90˚) 회전하여 기준광량(L1)을 측정하여 마스크(20)의 (X2,Y1)에 대응되는 위치에서의 반사율을 측정하며, 상기와 같은 과정을 반복함으로써 상기 마스크(20)의 전면적에 대한 반사율을 측정할 수 있다.In addition, after measuring the comparative light amount L2 of the area corresponding to the coordinates (X2, Y1), the chopper wheel 121 is rotated 1/4 (90 °) to measure the reference light amount L1 to measure the mask 20 ), The reflectance at a position corresponding to (X2, Y1) is measured, and by repeating the above process, the reflectance of the entire area of the mask 20 can be measured.

따라서 마스크(20)의 반사율을 측정할 때, 실시간으로 비교광량(L2)→기준광량(L1)을 반복 측정(바로 이전의 레이저를 이용하여 광량을 비교)하기 때문에 레이저의 시간에 따른 광량변화의 오차를 줄여 측정된 반사율을 정확성과 신뢰성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.Therefore, when the reflectance of the mask 20 is measured, the amount of light change over time of the laser is measured because the comparative light amount L2 → the reference light amount L1 is repeatedly measured in real time (compared with the previous laser). It is possible to improve the accuracy and reliability of the measured reflectance by reducing errors.

즉, 상기 마스크(20)의 반사율이 작으면 반도체 공정에 있어 효율이 떨어지고, 평면도가 좋지 않으면 마스크(20)를 통하여 EUV용 마스크(mask)로 입사되는 빔의 광량이 각기 달라 마스크(mask)에서 반사되는 빔의 양이 달라져 웨이퍼(wafer)에 도달하는 광량이 변화하여 패턴형상에 영향을 끼치게 된다. That is, if the reflectivity of the mask 20 is small, the efficiency is reduced in a semiconductor process, and if the planarity is not good, the amount of beams incident on the EUV mask through the mask 20 is different from each other. As the amount of reflected beam is changed, the amount of light reaching the wafer is changed to affect the pattern shape.

따라서 본 발명은 초퍼 휠(121)을 회전시켜 광원부(110)로부터 출력되는 EUV광을 반사시키거나 통과시켜 기준광량→비교광량→기준광량→비교광량→기준광량…을 순차 반복적으로 기준광량과 비교광량의 데이터를 실시간으로 비교함으로써 마스크(20)의 반사도를 측정하여 측정 정확도와 신뢰성을 향상시킬 수 있다. Therefore, the present invention rotates the chopper wheel 121 to reflect or pass the EUV light output from the light source unit 110, the reference light amount → comparative light amount → reference light amount → comparative light amount → reference light amount ... By sequentially and repeatedly comparing the data of the reference light amount and the comparative light amount in real time, the reflectivity of the mask 20 can be measured to improve measurement accuracy and reliability.

한편, 상기 측정 장치를 이용한 마스크의 반사율을 측정하는 측정 방법은 a, 상기 진공챔버(200)의 내부를 진공으로 형성하는 단계(S110)와, b, 상기 스테이지(141)에 상기 마스크(20)를 장착하는 단계(S120)와, c, 상기 광원부(110)로부터 EUV 광이 출력되는 단계(S130)와, d, 상기 초퍼 휠(121)에 의해 순차 반복적으로 투과 및 반사되어 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광을 제1감지기(122)와 제2감지기(132)에 전사시키는 단계(S140)와, e, 상기 검출부(300)의 제1연산부(310)를 통해 상기 마스크(20)의 전면적에 대한 반사율을 측정하는 단계(S150)를 포함하여 이루어진다.On the other hand, the measurement method for measuring the reflectance of the mask using the measuring device is a, forming the inside of the vacuum chamber 200 by vacuum (S110), b, the mask 20 on the stage 141 Mounting step (S120), c, the EUV light is output from the light source unit 110 (S130), d, repeatedly transmitted and reflected by the chopper wheel 121, the light source unit 110 The step (S140) of transferring the EUV light output from the first detector 122 and the second sensor 132, e, the first operation unit 310 of the detection unit 300 through the mask of the mask 20 It comprises a step (S150) of measuring the reflectivity for the entire area.

또한, 상기 d 단계(S140)는, d-1. 상기 마스크(20)의 반사율을 측정하기 위한 초기상태로 세팅하는 단계(S141)와, d-2, 상기 초퍼 휠(121)의 관통영역(121b)에 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 통과되는 단계(S142)와, d-3, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 초퍼 휠(121)의 반사영역(121a)에 입사되도록 초퍼 휠(121)을 회전시키는 단계(S143)와, d-4, 상기 스테이지 구동 제어부의 제어를 통해 상기 x축 또는 y축 구동부(142,143)를 구동시켜 상기 스테이지(141)를 이동시키는 단계(S144)와, d-5. 상기 초퍼 휠(121)의 반사영역(121a)에 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 입사되는 단계(S145)와, d-6, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 초퍼 휠(121)의 관통영역(121a)에 입사되도록 초퍼 휠(121)을 회전시키는 단계(S146)와, d-7, 상기 d-2 단계와 d-6 단계를 반복실행 하는 단계를 포함한다.In addition, the step d (S140), d-1. Setting the initial state for measuring the reflectivity of the mask 20 (S141), d-2, the EUV light output from the light source unit 110 in the through region 121b of the chopper wheel 121 is Step (S142) of passing, and step of rotating the chopper wheel (121) so that the EUV light output from the light source unit (110) is incident on the reflection area (121a) of the chopper wheel (121) (S143). W, d-4, step (S144) of moving the stage 141 by driving the x-axis or y-axis driving unit (142,143) under the control of the stage driving control unit, and d-5. Step (S145) of the EUV light output from the light source unit 110 is incident on the reflection area 121a of the chopper wheel 121, and d-6, the EUV light output from the light source unit 110 is the chopper wheel And rotating the chopper wheel 121 so that it enters the through region 121a of (121) (S146), and repeating steps d-7 and d-2 and d-6.

또한, 상기 d-1 단계(S141)는 d-1-1, 상기 마스크(20)를 일정간격으로 구획하여 x축, y축에 대한 좌표(Xi,Yj)를 설정하는 단계와, d-1-2, 상기 스테이지(141)를 구동시켜 상기 마스크(20)의 제1좌표(X1,Y1)에 EUV 광이 반사되도록 세팅하는 단계와, d-1-3, 상기 초퍼 휠(121)의 관통영역(121a)에 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 입사되도록 세팅하는 단계를 포함한다.Further, in step d-1 (S141), d-1-1, the mask 20 is partitioned at regular intervals to set coordinates (Xi, Yj) for the x-axis and the y-axis, and d-1 -2, setting the EUV light to be reflected in the first coordinates (X1, Y1) of the mask 20 by driving the stage 141, and d-1-3, through the chopper wheel 121 And setting the EUV light output from the light source unit 110 to be incident on the region 121a.

또한, 상기 d-2 단계(S142)는 d-2-1, 상기 관통영역(121b)에 입사된 EUV 광이 통과되는 단계(S142-1)와, d-2-2, 상기 관통영역(121b)에 통과된 EUV 광이 상기 반사거울(131)에 입사되는 단계(S142-2)와, d-2-3, 상기 반사거울(131)에 입사된 EUV 광이 반사되어 상기 마스크(20)로 입사되는 단계(S142-3)와, d-2-4, 상기 마스크(20)로 입사된 EUV 광은 마스크(20)를 반사하여 상기 스테이지(141)의 하부측에 구비된 상기 제2감지기(132)로 입사되는 단계(S142-4)와, d-2-5, 상기 제2감지기(132)에서 검출된 광량을 측정하는 단계(S142-5)를 포함한다.In addition, in step d-2 (S142), d-2-1, EUV light incident on the through region 121b passes (S142-1), d-2-2, and through region 121b. ) The EUV light passed through the reflection mirror 131 (S142-2), and d-2-3, the EUV light incident on the reflection mirror 131 is reflected to the mask 20 Step S142-3, d-2-4, EUV light incident on the mask 20 reflects the mask 20, and the second sensor provided on the lower side of the stage 141 ( 132) and the step (S142-4), d-2-5, measuring the amount of light detected by the second sensor (132) (S142-5).

또한, 상기 d-3 단계(S143)는 d-3-1, 상기 반사영역(121a)에 입사된 EUV 광이 반사되는 단계(S143-1)와, d-3-2, 상기 반사영역(121a)에서 반사된 EUV 광이 상기 제1감지기(122)로 입사되는 단계(S143-2)와, d-3-3, 상기 제1감지기(122)에서 검출된 광량을 측정하는 단계(S143-3)를 포함한다. In addition, in step d-3 (S143), d-3-1, EUV light incident on the reflective region 121a is reflected (S143-1), and d-3-2 and the reflective region 121a. ) EUV light reflected from the first sensor 122 is incident (S143-2), d-3-3, measuring the amount of light detected by the first sensor 122 (S143-3) ).

또한, 상기 e 단계(S150) 이후에, f, 상기 검출부(300)의 제2연산부(320)를 통해 마스크(20)의 평면도를 측정하는 단계를 더 포함한다. In addition, after the e step (S150), f, further comprising the step of measuring the plan view of the mask 20 through the second operation unit 320 of the detection unit 300.

또한, 상기 b 단계(S120) 이전에, b-1, 상기 초퍼 휠(121)의 반사영역(121a)에 상기 광원부(110)로부터 EUV 광이 출력되는 단계와, b-2, 상기 반사영역(121a)에 의해 반사된 EUV 광의 광량을 제1감지기(122)를 통해 측정하는 단계와, b-3, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 초퍼 휠(121)의 관통영역(121b)에 입사되도록 초퍼 휠(121)을 회전시키는 단계와, b-4, 상기 반사거울(131)에 의해 반사된 EUV 광의 광량을 제2감지기(132)를 통해 측정하는 단계와, b-5, 상기 보정값 생성부를 통해 상기 반사거울(131)과 반사영역(121a)에 의해 반사된 EUV 광의 광량을 비교하여 보정값을 생성하는 단계를 포함한다.In addition, before step b (S120), b-1, the step of outputting the EUV light from the light source unit 110 in the reflection area 121a of the chopper wheel 121, b-2, the reflection area ( Measuring the amount of EUV light reflected by 121a) through the first sensor 122, and b-3, the EUV light output from the light source unit 110 passes through the region 121b of the chopper wheel 121 Rotating the chopper wheel 121 to be incident on the b-4, measuring the amount of light of the EUV light reflected by the reflection mirror 131 through the second sensor 132, b-5, the And comparing the amount of light of the EUV light reflected by the reflection mirror 131 and the reflection area 121a through a correction value generation unit to generate a correction value.

또한, 상기 e 단계(S150)는, e-1, 상기 제1연산부(310)는 상기 보정값 생성부에서 생성된 보정값을 적용하여 상기 마스크(20)의 반사율을 측정하는 단계를 포함한다.In addition, the e step (S150), e-1, the first operation unit 310 includes measuring the reflectivity of the mask 20 by applying the correction value generated by the correction value generation unit.

이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.Although the present invention has been described in detail through specific embodiments, the present invention is specifically for describing the present invention, and the present invention is not limited to this, and by those skilled in the art within the technical spirit of the present invention. It is clear that the modification and improvement are possible.

본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 범주에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 명확해질 것이다.All simple modifications or changes of the present invention belong to the scope of the present invention, and the specific protection scope of the present invention will be clarified by the appended claims.

10 : 측정 장치 20 : 마스크(mask)
100 : 측정부 110 : 광원부
120 : 제1광학부 121 : 초퍼 휠
121a : 반사영역 121b : 관통영역
122 : 제1감지기 130 : 제2광학부
131 : 반사거울 132 : 제2감지기
140 : 스테이지부 141 : 스테이지
141a : 진공용 관통공 142 : x축 구동부
143 : y축 구동부 200 : 진공챔버
300 : 검출부 310 : 제1연산부
320 : 제2연산부 10: measuring device 20: mask (mask)
100: measuring unit 110: light source unit
120: first optical department 121: chopper wheel
121a: reflection area 121b: through area
122: first detector 130: second optical department
131: reflection mirror 132: second sensor
140: stage unit 141: stage
141a: vacuum through hole 142: x-axis drive
143: y-axis driving unit 200: vacuum chamber
300: detection unit 310: first operation unit
320: second computation department

Claims (15)

EUV(Extreme ultraviolet) 광용 블랭크 마스크(blank mask)의 반사율 및 평탄도를 측정하는 측정 장치에 있어서,
상기 측정 장치(10)는,
상기 EUV 광의 광량과 마스크(mask)(20)에 의해 반사된 EUV 광의 광량을 측정하는 측정부(100)와,
상기 측정부(100)가 내부에 구비되어 진공을 유지하는 진공챔버(200)와,
상기 측정부(100)에 의해 측정된 광량을 검출하는 검출부(300)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 측정 장치.
In the measurement device for measuring the reflectance and flatness of the blank mask for EUV (Extreme ultraviolet) light,
The measuring device 10,
A measuring unit 100 for measuring the amount of EUV light and the amount of EUV light reflected by the mask 20;
The measurement unit 100 is provided inside the vacuum chamber 200 to maintain a vacuum,
A measurement device comprising a detection unit (300) for detecting the amount of light measured by the measurement unit (100).
제1항에 있어서, 상기 측정부(100)는,
상기 EUV 광이 출력되는 광원부(110)와,
상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광의 기준광량을 실시간으로 측정하는 제1광학부(120)와,
상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 마스크(mask)(20)를 통해 반사된 비교광량을 실시간으로 측정하는 제2광학부(130)와,
상기 마스크(mask)(20)를 지지하면서 x, y 축으로 이동되어 마스크(mask)(20)의 전면적에 대해 스캐닝할 수 있도록 하는 스테이지부(140)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 측정 장치.
According to claim 1, The measuring unit 100,
A light source unit 110 through which the EUV light is output,
A first optical unit 120 for measuring the reference light amount of the EUV light output from the light source unit 110 in real time,
A second optical unit 130 that measures in real time the amount of comparative light reflected by the EUV light output from the light source unit 110 through the mask 20;
A measurement device comprising a stage unit 140 that is moved in the x and y axes while supporting the mask 20 to scan the entire area of the mask 20.
제2항에 있어서, 상기 제1광학부(120)는,
상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광을 반사시키거나 통과시키는 초퍼 휠(chopper wheel)(121)과, 상기 광원부(110)에서 출력되어 상기 초퍼 휠(121)에 의해 반사된 EUV 광을 수집하여 측정하는 제1감지기(122)를 포함하여 이루어지되,
상기 제2광학부(130)는,
상기 광원부(110)에서 출력되어 상기 초퍼 휠(121)을 통과한 EUV 광을 상기 마스크(mask)(20)로 반사시키는 반사거울(131)과, 상기 마스크(mask)(20)를 통해 반사된 EUV 광을 수집하여 측정하는 제2감지기(132)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 측정 장치.
The method of claim 2, wherein the first optical unit 120,
The chopper wheel (121) for reflecting or passing the EUV light output from the light source unit 110, and the EUV light output from the light source unit 110 and reflected by the chopper wheel 121 is collected, It comprises a first detector 122 to measure,
The second optical unit 130,
The reflection mirror 131 for reflecting the EUV light output from the light source unit 110 and passing through the chopper wheel 121 to the mask 20 and the reflection through the mask 20 A measurement device comprising a second sensor (132) for collecting and measuring EUV light.
제3항에 있어서, 상기 검출부(300)는,
상기 제1감지기(122) 및 제2감지기(132)에서 검출된 값을 비교하여 상기 마스크(mask)(20)의 반사율을 측정하는 제1연산부(310)와,
상기 제1연산부(310)에서 측정된 마스크(mask)(20)의 전면적에 대한 반사율을 통해 상기 마스크(mask)(20)의 평탄도(uniformity)를 측정하는 제2연산부(320)를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 측정 장치.
The method of claim 3, wherein the detection unit 300,
A first operation unit 310 that compares the values detected by the first sensor 122 and the second sensor 132 to measure the reflectivity of the mask 20,
Including a second operation unit 320 for measuring the uniformity of the mask (mask) 20 through the reflectivity of the entire surface of the mask (mask) 20 measured by the first operation unit 310 Measurement device characterized in that made.
제3항에 있어서, 상기 제1광학부(120)는,
상기 초퍼 휠(121)을 회전시키는 구동모터(미도시)를 더 포함하되, 상기 초퍼 휠(121)은,
상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광을 상기 제1감지기(122)로 반사시키는 반사영역(121a)과,
상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 반사거울(131)로 입사되도록 통과되는 관통영역(121b)이 형성된 것을 특징으로 하는 측정 장치.
The method of claim 3, wherein the first optical unit 120,
Further comprising a drive motor (not shown) for rotating the chopper wheel 121, the chopper wheel 121,
A reflection region 121a for reflecting the EUV light output from the light source unit 110 to the first sensor 122,
A measuring device characterized in that a through region (121b) passing through the EUV light output from the light source unit 110 is incident on the reflective mirror 131 is formed.
제5항에 있어서,
상기 초퍼 휠(121)은 광축과 수직한 면에 대해 4˚~8˚ 기울어져 구비된 것을 특징으로 하는 측정 장치.
The method of claim 5,
The chopper wheel 121 is a measuring device characterized in that it is provided with an inclination of 4˚ to 8˚ with respect to the plane perpendicular to the optical axis.
제3항에 있어서, 상기 스테이지부(140)는,
상기 마스크(mask)(20)를 지지하는 스테이지(141)와,
상기 스테이지(141)를 x축으로 구동하는 x축 구동부(142)와,
상기 스테이지(141)를 y축으로 구동하는 y축 구동부(143)를 포함하되,
상기 스테이지(141)에는 진공용 관통공(141a)이 형성되어 상기 관통공(141a) 상에 상기 마스크(mask)(20)가 구비되는 것을 특징으로 하는 측정 장치.
According to claim 3, The stage unit 140,
A stage 141 supporting the mask 20,
An x-axis driving unit 142 for driving the stage 141 in the x-axis,
It includes a y-axis driving unit 143 for driving the stage 141 in the y-axis,
The stage 141 has a through-hole for vacuum 141a is formed, the measuring device characterized in that the mask (mask) 20 is provided on the through-hole 141a.
제7항에 있어서,
상기 제2감지기(132)는 상기 스테이지(141)의 상부측에 구비된 것을 특징으로 하는 측정 장치.
The method of claim 7,
The second sensor 132 is a measuring device characterized in that provided on the upper side of the stage (141).
제7항에 있어서,
상기 구동모터에는 모터 회전축의 회전각도 및 회전수를 검출하는 엔코더가 장착되되, 상기 스테이지부(140)는,
상기 초퍼 휠(121)이 회전되어 반사영역(121a)에 EUV 광이 입사될 때의 엔코더 신호값을 통해 상기 x축 및 y축 구동부(142,143)를 구동시키는 스테이지 구동 제어부(미도시)를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 측정 장치.
The method of claim 7,
The drive motor is equipped with an encoder that detects the rotation angle and the number of revolutions of the motor rotation shaft, the stage unit 140,
The chopper wheel 121 is rotated to further include a stage driving control unit (not shown) that drives the x-axis and y-axis driving units 142 and 143 through encoder signal values when EUV light is incident on the reflection area 121a. Measurement device characterized in that made by.
제4항에 있어서, 상기 검출부(300)는,
상기 반사영역(121a)에 의해 반사된 EUV 광이 제1감지기(122)를 통해 측정된 광량과, 상기 마스크(20)가 장착되지 않은 상태에서 상기 반사거울(131)에 의해 반사된 EUV 광이 제2감지기(132)를 통해 측정된 광량을 통해,
상기 반사영역(121a)과 상기 반사거울(131)에서 반사된 광량이 동일하도록 보정값을 생성하는 보정값 생성부(미도시)를 더 포함하되,
상기 제1연산부(310)는 상기 보정값 생성부에서 생성된 보정값을 적용하여 상기 마스크(20)의 반사율을 측정하는 것을 특징으로 하는 측정 장치.
The method of claim 4, wherein the detection unit 300,
The amount of EUV light reflected by the reflection area 121a is measured through the first sensor 122 and the EUV light reflected by the reflection mirror 131 when the mask 20 is not mounted. Through the amount of light measured through the second sensor 132,
Further comprising a correction value generating unit (not shown) for generating a correction value so that the amount of light reflected from the reflection area 121a and the reflection mirror 131 is the same,
The first operation unit 310 is a measuring device characterized in that to measure the reflectivity of the mask 20 by applying the correction value generated by the correction value generation unit.
제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 측정 장치를 이용한 마스크의 반사율 측정 방법에 있어서,
a, 상기 진공챔버(200)의 내부를 진공으로 형성하는 단계와,
b, 상기 스테이지(141)에 상기 마스크(20)를 장착하는 단계와,
c, 상기 광원부(110)로부터 EUV 광이 출력되는 단계와,
d, 상기 초퍼 휠(121)에 의해 순차 반복적으로 투과 및 반사되어 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광을 제1감지기(122)와 제2감지기(132)에 전사시키는 단계와,
e, 상기 검출부(300)의 제1연산부(310)를 통해 상기 마스크(20)의 전면적에 대한 반사율을 측정하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 측정 방법.
A method for measuring the reflectance of a mask using the measuring device of any one of claims 1 to 10,
a, forming a vacuum inside the vacuum chamber 200,
b, mounting the mask 20 to the stage 141,
c, the step of outputting the EUV light from the light source unit 110,
d, transferring and transmitting the EUV light output from the light source unit 110 sequentially and repeatedly by the chopper wheel 121 to the first sensor 122 and the second sensor 132,
e, measuring method comprising the step of measuring the reflectivity of the entire surface of the mask 20 through the first operation unit 310 of the detection unit 300.
제11항에 있어서, 상기 d 단계는,
d-1. 상기 마스크(20)의 반사율을 측정하기 위한 초기상태로 세팅하는 단계와,
d-2, 상기 초퍼 휠(121)의 관통영역(121b)에 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 통과되는 단계와,
d-3, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 초퍼 휠(121)의 반사영역(121a)에 입사되도록 초퍼 휠(121)을 회전시키는 단계와,
d-4, 상기 스테이지 구동 제어부의 제어를 통해 상기 x축 또는 y축 구동부(142,143)를 구동시켜 상기 스테이지(141)를 이동시키는 단계와,
d-5. 상기 초퍼 휠(121)의 반사영역(121a)에 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 입사되는 단계와,
d-6, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 초퍼 휠(121)의 관통영역(121a)에 입사되도록 초퍼 휠(121)을 회전시키는 단계와,
d-7, 상기 d-2 단계와 d-6 단계를 반복실행 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
The method of claim 11, wherein step d,
d-1. Setting the initial state for measuring the reflectivity of the mask 20, and
d-2, the step of passing the EUV light output from the light source unit 110 through the through region 121b of the chopper wheel 121,
d-3, rotating the chopper wheel 121 so that the EUV light output from the light source unit 110 enters the reflection area 121a of the chopper wheel 121,
d-4, moving the stage 141 by driving the x-axis or y-axis driving units 142 and 143 through control of the stage driving control unit,
d-5. The step of the EUV light output from the light source unit 110 is incident on the reflection region 121a of the chopper wheel 121,
d-6, rotating the chopper wheel 121 so that the EUV light output from the light source unit 110 enters the through region 121a of the chopper wheel 121,
d-7, the measurement method comprising the step of repeating steps d-2 and d-6.
제12항에 있어서, 상기 e 단계 이후에,
f, 상기 검출부(300)의 제2연산부(320)를 통해 마스크(20)의 평면도를 측정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
The method of claim 12, after step e,
f, a measuring method further comprising the step of measuring the plan view of the mask 20 through the second operation unit 320 of the detection unit 300.
제12항에 있어서, 상기 b 단계 이전에,
b-1, 상기 초퍼 휠(121)의 반사영역(121a)에 상기 광원부(110)로부터 EUV 광이 출력되는 단계와,
b-2, 상기 반사영역(121a)에 의해 반사된 EUV 광의 광량을 제1감지기(122)를 통해 측정하는 단계와,
b-3, 상기 광원부(110)에서 출력된 EUV 광이 상기 초퍼 휠(121)의 관통영역(121b)에 입사되도록 초퍼 휠(121)을 회전시키는 단계와,
b-4, 상기 반사거울(131)에 의해 반사된 EUV 광의 광량을 제2감지기(132)를 통해 측정하는 단계와,
b-5, 상기 보정값 생성부를 통해 상기 반사거울(131)과 반사영역(121a)에 의해 반사된 EUV 광의 광량을 비교하여 보정값을 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
The method of claim 12, prior to step b,
b-1, the step of outputting the EUV light from the light source unit 110 in the reflective region 121a of the chopper wheel 121,
b-2, measuring the amount of light of the EUV light reflected by the reflection area 121a through the first sensor 122,
b-3, rotating the chopper wheel 121 so that the EUV light output from the light source unit 110 enters the through region 121b of the chopper wheel 121,
b-4, measuring the amount of EUV light reflected by the reflection mirror 131 through the second sensor 132,
b-5, a measurement method comprising comparing the amount of light of EUV light reflected by the reflection mirror 131 and the reflection area 121a through the correction value generation unit to generate a correction value.
제14항에 있어서, 상기 e 단계는,
e-1, 상기 제1연산부(310)는 상기 보정값 생성부에서 생성된 보정값을 적용하여 상기 마스크(20)의 반사율을 측정하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.The method of claim 14, wherein step e,
e-1, The first operation unit 310 comprises measuring the reflectivity of the mask 20 by applying the correction value generated by the correction value generation unit.
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