KR101738214B1 - 2차원 주석 구조체 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

2차원 주석 구조체의 제조 방법이 제공된다. 상기 2차원 주석 구조체의제조 방법은, 기판 상에, 주석(Sn) 및 산소족(chalcogen) 원소의 화합물을 갖는 중간막(intermediate layer)을 형성하는 단계, 및 상기 중간막에 환원제(reduction agent)를 제공하는 방법으로, 상기 중간막의 상기 주석 및 산소족 원소의 화합물로부터 산소족 원소를 제거하여, 상기 기판 상에 2차원 주석층을 형성하는 단계를 포함한다.

Description

2차원 주석 구조체 및 그 제조 방법{2-dimensional tin structure and method of fabricating the same}
본 발명은 2차원 주석 구조체 및 그 제조 방법에 관련된 것으로, 보다 상세하게는, 주석 및 산소족 원소의 화합물을 갖는 중간막으로부터 산소적 원소를 제거하는 2차원 주석 구조체의 제조 방법에 관련된 것이다.
위상 절연체(topological insulator)란, 내부에는 전기가 통하지 않지만, 외부에는 전기가 통하는 위상학적인 물체로, 그래핀 등 2차원 물질과는 다른 새로운 종류의 전자 소재로 각광받고 있다.
예를 들어, 대한민국 특허 공개공보 10-2012-0059064(출원번호 10-2010-0120670)에는 발광 구조체로부터 전류 누설을 방지하기 위해, Bi1-xSbx, Bi1-xSex, Bi1-xTex 및, SbxTey 등으로 구성되는 위상 절연체를 포함하는 발광 소자를 개시하고 있다.
이러한 위상 절연체는, 비스무트(Bi), Te(텔루륨) 등과 같은 상대적으로 무거운 원소 내부에서 강하게 발생되는 스핀-궤도 결합 현상에 의해 위상학적 특성을 가진다.
스핀-궤도 결합 현상으로 인해 전도 밴드에 있는 에너지 밴드 중, 스핀 Down 밴드가 에너지가 낮아지는 쪽으로 움직여 가전도 밴드보다 더 아래로 내려오며, 가전도 밴드 중 스핀 Up 밴드가 에너지가 높아져서 전도 밴드보다 더 높이 올라가는 과정으로서 밴드 역전 현상이 일어난다. 이러한 현상으로 스핀 Up 전자와 스핀 Down 전자는 서로 겹치기 않고 한 방향으로 움직이기 때문에, 전자들 간의 산란이 일어나지 않아 무손실 전자 수송이 가능하다.
현재, 이러한 현상을 갖는 위상 절연체는 일반적으로 반데르발스 결합(Van der waals coupling)으로 이루어진 HgTe, Bi2Te3, Bi2Se3, Sb2Te3 등과 같은 이성분계 물질과 Ge1Bi4Te7과 Ge1Bi2Te4와 같은 삼성분계 물질들에서 발견되었다.
현재 발견된 위상 절연체는 매우 낮은 온도에서 그 특성이 관찰되고 있다. 이들 위상 절연체는 온도가 증가할수록 밴드갭이 커지면서 저항이 생긴다. 이는 실생활에 적용하기에 매우 어려우며, 적용을 하더라도 극도의 저온을 요구하기 때문에 액체 질소 또는 액체 헬륨 같은 냉각물질이 필수적으로 사용되어야 하는 단점이 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 제조 공정이 용이한 2차원 주석 구조체의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 제조 단가가 감소된 2차원 주석 구조체 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는, 대면적화가 용이한 2차원 주석 구조체 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 기술적 과제는 상대적으로 고온에서 위상 절연체 특성을 유지하는 2차원 주석 구조체 및 그 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 2차원 주석 구조체의 제조 방법을 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 2차원 주석 구조체의 제조 방법은, 기판 상에, 주석(Sn) 및 산소족(chalcogen) 원소의 화합물을 갖는 중간막(intermediate layer)을 형성하는 단계, 및 상기 중간막에 환원제(reduction agent)를 제공하는 방법으로, 상기 중간막의 상기 주석 및 산소족 원소의 화합물로부터 산소족 원소를 제거하여, 상기 기판 상에 2차원 주석층을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 중간막은, 주석(Sn) 및 황(S)의 화합물, 주석(Sn) 및 셀레늄(Se)의 화합물, 또는, 주석(Sn) 및 텔루륨(Te)의 화합물 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 중간막에 포함된 상기 주석 및 산소족 원소의 화합물은 결정질인 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 주석 및 산소족 원소의 화합물을 포함하는 상기 중간막은, 140~150℃ 공정 온도에서 형성되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 주석 및 산소족 원소의 화합물을 포함하는 상기 중간막은, 원자층 증착법으로 형성되는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 환원제는, 수소 가스, 또는 플루오린 가스 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 기판은, 육방 구조(hexagonal structure) 또는 벌집 구조를(honeycomb structure)를 갖는 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 2차원 주석 구조체의 제조 방법은, 상기 2차원 주석층에 기능화 원소(functionalized atom)를 갖는 소스(source)를 제공하여, 상기 기능화 원소를 상기 2차원 주석층과 결합시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 환원제는, 상기 소스에 포함된 상기 기능화 원소와 동일한 원소를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 2차원 주석층에 상기 기능화 원소를 갖는 소스를 제공하는 단계는, 상기 2차원 주석층이 형성된 후 상기 2차원 주석층에 상기 환원제를 계속해서 제공하는 단계인 것을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 주석 및 황의 화합물은, SnS2, SnSe2, 또는 SnTe2 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 기술적 과제를 제공하기 위해, 본 발명은 2차원 주석 구조체를 제공한다.
일 실시 예에 따르면, 상기 2차원 주석 구조체는, 벌집 구조로 배열된 2차원 주석층, 및 상기 2차원 주석층의 주석 원소와 결합된 기능화 원소를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 기능화 원소는, 수소 또는 플루오린 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 기판 상에 주석 및 산소족 원소의 화합물을 갖는 중간막을 형성하고, 상기 중간막에 환원제를 제공하는 방법으로, 상기 중간막의 주석 및 산소족 원소의 화합물로부터 산소족 원소를 제거하여 2차원 주석층이 형성될 수 있다. 이로 인해, 제조 공정이 용이하고, 제조 단가가 감소되고, 대면적화가 용이한 2차원 주석 구조체의 제조 방법이 제공될 수 있다.
또한, 상기 2차원 주석층의 주석과 기능화 원소가 결합되어, 상대적으로 고온에서 위상 절연체 특성을 유지할 수 있는, 2차원 주석 구조체 및 그 제조 방법이 제공될 수 있다.
도 1 은 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 2 내지 4는 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법에 따라 제조된 중간막의 결정 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법에 따라 제조된 2차원 주석층의 결정 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법에 따라 기능화 원소와 결합된 2차원 주석 구조체의 결정 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법에 따른 중간막의 특성을 설명하기 위한 XRD 그래프이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법에 따른 중간막의 TEM 회절 패턴이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 막 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.
명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다.
또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.
도 1 은 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법을 설명하기 위한 순서도이고, 도 2 내지 4는 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법을 설명하기 위한 공정 단면도들이고, 도 5는 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법에 따라 제조된 중간막의 결정 구조를 설명하기 위한 도면이고, 도 6은 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법에 따라 제조된 2차원 주석층의 결정 구조를 설명하기 위한 도면이고, 도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법에 따라 기능화 원소와 결합된 2차원 주석 구조체의 결정 구조를 설명하기 위한 도면이다.
도 1, 도 2, 및 도 5를 참조하면, 기판(100)이 준비된다. 일 실시 예에 따르면, 상기 기판(100)은, 육방 구조(hexagonal structure) 또는 벌집 구조를(honeycomb structure)를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 기판(100)은, MoS2, WS2, 그래핀, 및/또는 h-BN 등으로 형성될 수 있다. 이로 인해, 후술되는 바와 같이, 상기 기판(100) 상에 형성되는 중간막(110)의 결정 구조가 육방 구조로 용이하게 형성될 수 있다.
또는, 상술된 바와 달리, 다른 실시 예에 따르면, 상기 기판(100)은, 반도체 기판, 유리 기판, 또는 플라스틱 기판 등 다양한 기판이 사용될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 기판(100) 상에는 산화물, 질화물, 또는 탄화물 등이 형성될 수 있다.
상기 기판(100) 상에 중간막(110, intermediate layer)이 형성될 수 있다(S110). 상기 중간막(110)은 주석(Sn) 및 산소족(chalcogen) 원소의 화합물로 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 중간막(110)은, 주석(Sn) 및 황(S)의 화합물(예를 들어, SnS2), 주석(Sn) 및 셀레늄(Se)의 화합물(예를 들어, SnSe2), 또는 주석(Sn) 및 텔루륨(Te)의 화합물(예를 들어, SnTe2) 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 중간막(110)에 포함된 상기 주석 및 산소족 원소의 화합물은 결정질(crystalline)일 수 있다. 예를 들어, 상기 중간막(110)이 SnS2로 형성되는 경우, 도 5에 도시된 것과 같이, 상기 중간막(110)은, 주석(10)과 황(20)이 결합된 2차원(2-dimensional) 육방 구조(hexagonal structure)를 가질 수 있다.
상기 중간막(110)은 원자층 증착법(ALD)으로 형성될 수 있다. 상기 중간막(110)은, 주석을 포함하는 전구체(예를 들어, TDMASn(Tetrakis(dimethylamino)Tin))와 황을 포함하는 전구체(예를 들어, H2S)를 이용하여 형성될 수 있다. 상기 중간막(110)은, 상기 주석을 포함하는 전구체를 상기 기판(100) 상에 제공하는 단계, 상기 주석을 포함하는 전구체를 퍼지(purge)하는 단계, 상기 황을 포함하는 전구체를 상기 기판(100) 상에 제공하는 단계, 및 상기 황을 포함하는 전구체를 퍼지하는 단계를 포함하는 단위 공정으로 형성될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 상기 단위 공정은 1회 수행될 수 있다.
이 경우, 상기 중간막(110)은 140~150℃ 공정 온도에서, 형성될 수 있다. 이로 인해, 상기 중간막(110)은 후술되는 2차원 주석층을 형성하기 용이한 육방 구조를 가질 수 있다.
만약, 150℃를 넘는 공정 온도에서 주석을 포함하는 전구체 및 황을 포함하는 전구체를 이용하여 원자층 증착법을 수행하는 경우, 상기 중간막(110)은, 사방정계(orthorhombic structure) 결정 구조를 갖는 SnS로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 중간막(110)으로부터 2차원 주석층을 형성하는 것이 용이하지 않다. 또한, 140℃보다 낮은 공정 온도에서, 주석을 포함하는 전구체 및 황을 포함하는 전구체를 이용하여 원자층 증착법을 수행하는 경우, 상기 중간막(110)은, 비정질 상태의 SnS2로 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 중간막(110)으로부터 2차원 주석층을 형성하는 것이 용이하지 않다.
하지만, 상술된 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따르면, 140~150℃ 공정 온도에서 원자층 증착법으로 육방 구조를 갖는 상기 중간막(110)이 형성될 수 있다. 이에 따라, 상기 중간막(110)으로부터 후술되는 2차원 주석층이 용이하게 형성될 수 있다.
도 1, 도 3 및 도 6을 참조하면, 상기 중간막(110)에 환원제(120, reduction agent)를 제공하는 방법으로, 상기 중간막(110)의 상기 주석 및 산소족 원소의 화합물로부터 산소족 원소를 제거하여, 상기 기판(100) 상에 2차원 주석층(130, 2-dimensional tin layer)이 형성될 수 있다(S120).
상기 중간막(110)에 상기 환원제(120)를 제공하는 단계는 고(高) 진공(예를 들어, 10-9 Torr 이하) 상태에서 수행될 수 있다. 이로 인해, 상기 중간막(110)의 상기 주석 및 산소족 원소의 화합물에서 산소족 원소가 제거됨과 동시에, 상기 기판(100) 상에 잔존된 주석들이 재배열되어, 도 6에 도시된 것과 같이, 벌집 구조(honeycomb structure)로 주석(10)이 결합된 상기 2차원 주석층(130)이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 환원제(120)는 수소(H) 가스 또는 플루오린(F) 가스 중에서 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다. 다른 실시 예에 따르면, 사기 환원제(120)는 플라즈마(plasma)일 수 있다.
도 1, 도 4 및 도 7을 참조하면, 상기 2차원 주석층(130)이 형성된 후, 상기 2차원 주석층(130)에 기능화 원소(functionalized atom)를 갖는 소스(140, source)가 제공될 수 있다(S130). 도 7에 도시된 것과 같이, 상기 소스(140)에 포함된 상기 기능화 원소(30)가 상기 2차원 주석층(130)에 포함된 주석(10)과 결합되어, 기능화된 2차원 주석층(150, functionalized 2-dimensional tin layer)이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 따르면, 상기 기능환 원소를 포함하는 소스(140)는, 도 3를 참조하여 설명된 상기 환원제(120)와 동일할 수 있다. 예를 들어, 상기 소스(140)는 수소 가스 또는 플루오린 가스이고, 이 경우, 상기 2차원 주석층(130)의 주석과 결합되는 상기 기능화 원소는 수소 또는 플루오린 일 수 있다. 이 경우, 상기 2차원 주석층(130)에 상기 소스(140)를 제공하는 단계는, 상기 환원제(120)를 상기 2차원 주석층(130)이 형성된 후에도 계속해서 상기 기판(100) 상에 제공하는 단계일 수 있다.
본 발명의 실시 예에 따르면, 상기 기능화 원소에 의해 상기 2차원 주석층(130)의 신뢰성 및 물성이 개선될 수 있다. 다시 말하면, 상기 기능화 원소와 2차원 주석층이 결합된 상기 기능화된 2차원 주석층(150)은, 기능화 원소가 결합되지 않은 2차원 주석층과 비교하여, 상대적으로 고온에서도 위상 절연체의 특성을 유지할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법에 따른 중간막의 특성을 설명하기 위한 XRD 그래프이고, 도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 2차원 주석 구조체의 제조 방법에 따른 중간막의 TEM 회절 패턴이다.
도 8을 참조하면, 60℃~180℃의 공정 온도에서 TDMASn 전구체와 H2S 반응 가스를 챔버 내에 공급하여, 원자층 증착법으로 50nm 두께의 SnSx(X는 양의 정수)막을 증착하였다. 도 8에서 알 수 있듯이, (001)면에서 피크(peak)를 갖는 140~150℃의 공정 온도에서는 육방 구조(hexagonal structure)를 갖는 SnS2가 형성되었으며, 피크를 갖지 않는 140℃보다 낮은 온도에서는 비정질 상태의 SnS2가 형성되었으며, (120) 및 (111) 면에서 피크를 갖는 150℃보다 높은 온도에서 사방정계 결정 구조의 SnS가 형성된 것을 확인할 수 있다.
도 9를 참조하면, 도 9의 (a) 내지 (c)는 각각, 100℃, 140℃, 및 180℃에서 증착된 SnSx막들의 TEM 회절 패턴들이다. 공정 온도 100℃에서 비정질 상태의 SnS2 막이 증착되었고, 공정 온도 140℃에서 육방 구조를 갖는 SnS2 막이 증착되었고, 공정 온도 180℃에서 사방정계 결정 구조를 갖는 SnS 막이 증착되었다.
도 8 및 9에서 알 수 있듯이, 본 발명의 실시 예에 따라, 140~150℃의 공정온도에서 주석 및 황의 화합물을 갖는 중간막을 형성하는 경우, 상기 중간막이, 벌집 구조의 2차원 주석층을 용이하게 형성할 수 있는, 육방 구조를 가질 수 있음을 확인할 수 있다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
100: 기판
110: 중간막
120: 환원제
130: 2차원 주석층
140: 소스
150: 기능화된 2차원 주석층

Claims (13)

  1. 기판 상에, 주석(Sn) 및 산소족(chalcogen) 원소의 화합물을 갖는 중간막(intermediate layer)을 140~150℃ 공정온도에서 형성하는 단계; 및
    상기 중간막에 환원제(reduction agent)를 제공하는 방법으로, 상기 중간막의 상기 주석 및 산소족 원소의 화합물로부터 산소족 원소를 제거하여, 상기 기판 상에 2차원 주석층을 형성하는 단계를 포함하는 2차원 주석 구조체의 제조 방법.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 중간막은, 주석(Sn) 및 황(S)의 화합물, 주석(Sn) 및 셀레늄(Se)의 화합물, 또는, 주석(Sn) 및 텔루륨(Te)의 화합물 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 2차원 주석 구조체의 제조 방법.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 중간막에 포함된 상기 주석 및 산소족 원소의 화합물은 결정질인 것을 포함하는 2차원 주석 구조체의 제조 방법.
  4. 삭제
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 주석 및 산소족 원소의 화합물을 포함하는 상기 중간막은, 원자층 증착법으로 형성되는 것을 포함하는 2차원 주석 구조체의 제조 방법.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 환원제는, 수소 가스, 또는 플루오린 가스 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 2차원 주석 구조체의 제조 방법.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 기판은, 육방 구조(hexagonal structure) 또는 벌집 구조를(honeycomb structure)를 갖는 것을 포함하는 2차원 주석 구조체의 제조 방법.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 2차원 주석층에 기능화 원소(functionalized atom)를 갖는 소스(source)를 제공하여, 상기 기능화 원소를 상기 2차원 주석층과 결합시키는 단계를 더 포함하는 2차원 주석 구조체의 제조 방법.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 환원제는, 상기 소스에 포함된 상기 기능화 원소와 동일한 원소를 포함하는 2차원 주석 구조체의 제조 방법.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 2차원 주석층에 상기 기능화 원소를 갖는 소스를 제공하는 단계는, 상기 2차원 주석층이 형성된 후 상기 2차원 주석층에 상기 환원제를 계속해서 제공하는 단계인 것을 포함하는 2차원 주석 구조체의 제조 방법.
  11. 제2 항에 있어서,
    상기 주석 및 황의 화합물은, SnS2, SnSe2, 또는 SnTe2 중에서 적어도 어느 하나를 포함하는 2차원 주석 구조체의 제조 방법.
  12. 삭제
  13. 삭제
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