KR101737909B1 - 도전 산화물층의 증착 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 제1 전력 공급부로부터 DC 또는 DC 펄스 전압이 인가되는 제1 타겟 및 제1 마이크로웨이브 생성부에서 생성된 마이크로웨이브를 전달하는 제1 도파관을 구비하고 있고, 제1 공정 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와 연결되어 있는 제1 공정 챔버; 및 제2 전력 공급부로부터 DC 또는 DC 펄스 전압이 인가되는 제2 타겟 및 제2 마이크로웨이브 생성부에서 생성된 마이크로웨이브를 전달하는 제2 도파관을 구비하고 있고, 제2 공정 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와 연결되어 있는 제2 공정 챔버를 포함하고, 상기 제1 전력 공급부는 방전을 일으키지 않는 제1 전압이 상기 제1 타겟에 인가되도록 설정되어 있고, 상기 제2 전력 공급부는 방전 안정화전압의 30 내지 80%의 제2 전압이 상기 제2 타겟에 인가되도록 설정되어 있는 도전 산화물의 증착 장비 및 증착 방법을 제공한다.

Description

도전 산화물층의 증착 방법 {Method for depositing a conductive oxide layer}

본 발명은 도전 산화물층의 증착 장비 및 방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 스퍼터링(Sputtering) 공정에 의한 도전 산화물층의 증착 장비 및 방법에 관한 것이다.

도전 산화물층은 디스플레이 장치 분야에서 널리 이용되고 있다. ITO와 같은 도전 산화물층은 도전성을 띠면서 투명하기 때문에 화상을 표시하는 디스플레이 장치에 다양한 용도로 이용될 수 있다. 예로서, 도전 산화물층은 박막 트랜지스터의 액티브층 재료로 이용되어 투명 디스플레이 장치 구현에 이용될 수도 있고, 유기 발광 디스플레이 장치의 양극(anode) 재료로 이용될 수도 있다.

이와 같은 도전 산화물층은 주로 스퍼터링(Sputtering) 공정에 의해서 기판 상에 증착한다. 스퍼터링 공정은 진공상태의 챔버 내에 타겟(Target)을 위치시킨 후 플라즈마 방전을 통해서 상기 타겟에 이온을 충돌시킴으로써 상기 타겟을 이루는 물질이 튀어나와 기판 상에 박막이 증착되는 원리를 이용한 증착 방법이다.

이와 같은 스퍼터링 공정에 의해서 도전 산화물층을 증착하는 방법은 대한민국 공개특허 제2014-0099340호에 개시된 바 있다.

그러나, 종래의 스퍼터링 공정에 의한 도전 산화물층의 증착 방법은 다음과 같은 한계를 가지고 있다.

종래의 스퍼터링 공정에 의해 형성된 도전 산화물층은 저항이 크기 때문에 우수한 도전성 특성이 요구되는 디스플레이 장치의 전극으로 이용하는데 한계가 있다.

한편 얻어지는 도전 산화물층의 저항을 줄이기 위해서 스퍼터링 공정시 기판을 가열하는 방안이 고안되었는데, 기판을 가열하게 되면 저항이 낮은 도전 산화물층을 얻을 수 있지만 그 경우에는 적용할 수 있는 응용분야가 한정된다는 제약이 따른다. 예로서, 디스플레이 장치로 널리 이용되는 유기 발광 표시 장치의 경우 유기 발광층이 형성된 상태에서 도전 산화물층을 형성해야 하는데, 상기 유기 발광층은 열에 약하기 때문에 기판을 가열한 상태에서 도전 산화물층을 형성할 수는 없다. 따라서, 도전 산화물층의 저항을 낮추기 위해서 기판을 가열하는 방법은 유기 발광 표시 장치에는 적용할 수 없게 된다.

본 발명은 상기와 같은 종래의 문제를 해결하기 위해 고안된 것으로서 본 발명은 기판을 가열하지 않으면서도 저항이 낮은 도전 산화물층을 증착할 수 있는 증착 장비 및 증착 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 제1 전력 공급부로부터 DC 또는 DC 펄스 전압이 인가되는 제1 타겟 및 제1 마이크로웨이브 생성부에서 생성된 마이크로웨이브를 전달하는 제1 도파관을 구비하고 있고, 제1 공정 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와 연결되어 있는 제1 공정 챔버; 및 제2 전력 공급부로부터 DC 또는 DC 펄스 전압이 인가되는 제2 타겟 및 제2 마이크로웨이브 생성부에서 생성된 마이크로웨이브를 전달하는 제2 도파관을 구비하고 있고, 제2 공정 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와 연결되어 있는 제2 공정 챔버를 포함하고, 상기 제1 전력 공급부는 방전을 일으키지 않는 제1 전압이 상기 제1 타겟에 인가되도록 설정되어 있고, 상기 제2 전력 공급부는 방전 안정화전압의 30 내지 80%의 제2 전압이 상기 제2 타겟에 인가되도록 설정되어 있는 도전 산화물의 증착 장비를 제공한다.

본 발명은 또한, 제1 타겟 및 제1 도파관을 구비하고 있고, 제1 공정 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와 연결되어 있는 제1 공정 챔버; 제2 타겟 및 제2 도파관을 구비하고 있고, 제2 공정 가스를 공급하는 제2 가스 공급부와 연결되어 있는 제2 공정 챔버; 상기 제1 공정 챔버와 상기 제2 공정 챔버 사이에 기판 이동을 위한 슬릿을 구비하고 있는 격벽; 및 상기 제2 공정 챔버 내의 제2 공정 가스가 상기 제1 공정 챔버 내로 진입하는 것을 방지하기 위한 가스 흡입 기구를 포함하고 있는 도전 산화물의 증착 장비를 제공한다.

본 발명은 또한, 상온에서 제1 챔버 내에 제1 공정 가스를 공급하고, 상기 제1 공정 가스에 마이크로웨이브를 조사하여 상기 제1 공정 가스를 플라즈마 방전시키고, 제1 타겟에 상기 제1 공정 가스의 플라즈마 방전을 일으키지 않는 제1 전압을 인가하여 기판의 표면 처리 및 시드층을 형성하는 공정; 및 상온에서 제2 챔버 내에 제2 공정 가스를 공급하고, 제2 타겟에 초기 방전 전압을 인가하여 상기 제2 공정 가스를 플라즈마 방전시키고 방전 안정화전압의 30 내지 80%의 제2 전압을 인가하여 상기 플라즈마 방전을 유시시킨 후, 상기 플라즈마에 마이크로 웨이브를 조사하여 상기 시드층 상에 도전 산화물을 증착하는 공정을 포함하는 도전 산화물층의 증착 방법을 제공한다.

본 발명의 일시예에 따르면, 산화물의 증착 이전에 기판에 대한 표면 처리 공정 및 시드층 형성 공정을 추가로 수행함으로써 상온에서 공정 진행을 하면서도 최종적으로 얻어지는 산화물층의 저항이 낮아지는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 일반적인 스퍼터(sputter)에 비하여 낮은 전압으로 산화물 박막을 증착하기 때문에 얻어지는 산화물층의 저항이 낮아지는 효과가 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 장비의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 공정 순서도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 장비의 개략도이다.
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다양한 형태의 가스 흡입기구를 보여주는 도면이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 장비의 개략도이다.
도 6은 공정 조건 변경에 따른 ITO 박막의 면저항 변화를 보여주는 그래프이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.

본 발명의 실시예를 설명하기 위한 도면에 개시된 형상, 크기, 비율, 각도, 개수 등은 예시적인 것이므로 본 발명이 도시된 사항에 한정되는 것은 아니다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 본 명세서 상에서 언급한 '포함한다', '갖는다', '이루어진다' 등이 사용되는 경우 '~만'이 사용되지 않는 이상 다른 부분이 추가될 수 있다. 구성 요소를 단수로 표현한 경우에 특별히 명시적인 기재 사항이 없는 한 복수를 포함하는 경우를 포함한다.

구성 요소를 해석함에 있어서, 별도의 명시적 기재가 없더라도 오차 범위를 포함하는 것으로 해석한다.

위치 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~상에', '~상부에', '~하부에', '~옆에' 등으로 두 부분의 위치 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 두 부분 사이에 하나 이상의 다른 부분이 위치할 수도 있다.

시간 관계에 대한 설명일 경우, 예를 들어, '~후에', '~에 이어서', '~다음에', '~전에' 등으로 시간적 선후 관계가 설명되는 경우, '바로' 또는 '직접'이 사용되지 않는 이상 연속적이지 않은 경우도 포함할 수 있다.

제1, 제2 등이 다양한 구성요소들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 구성요소들은 이들 용어에 의해 제한되지 않는다. 이들 용어들은 단지 하나의 구성 요소를 다른 구성요소와 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 구성요소는 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 구성요소일 수도 있다.

본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하고, 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시할 수도 있다.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 장비의 개략도이다.

도 1에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 장비는 챔버(Chamber)(10), 타겟(Target)(20), 지지대(30), 전력 공급부(40), 마이크로웨이브 생성부(Microwave Generator)(50), 도파관(55), 및 가스 공급부(60)를 포함하여 이루어진다.

상기 챔버(10)는 반응 공간을 형성한다. 따라서, 상기 챔버(10) 내에서 스퍼터링 공정에 의해 기판(S) 상에 도전 산화물층이 증착될 수 있다. 특히, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 마이크로웨이브 생성부(50)에서 생성된 마이크로웨이브가 상기 도파관(55)을 통해서 상기 챔버(10) 내에 입사됨으로써 상기 마이크로웨이브와 플라즈마가 결합하여 전자 사이클로트론 공명(ECR: Electron Cyclotron Resonance)을 일으킴으로써 고밀도의 플라즈마가 발생할 수 있다.

상기 타겟(20)은 상기 챔버(10) 내에 형성되어 있다. 상기 타겟(20)은 상기 기판(S) 상에 증착되는 도전 산화물층을 구성하는 도전 산화물로 이루어질 수 있다. 예로서, 상기 증착되는 도전 산화물층이 ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어진 경우 상기 타겟(20)도 ITO로 이루어질 수 있다. 상기 타겟(20)은 스퍼터링 공정을 위한 음극(Cathode)으로 기능할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 타겟(20)은 도전성 물질인 도전 산화물로 이루어지기 때문에, 상기 타겟(20) 자체를 음극으로 이용할 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 타겟(20)과 별도로 음극을 구성하는 것도 가능하다.

상기 타겟(20)은 원통형으로 형성되어 회전가능하게 설치될 수 있지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니다. 또한, 상기 원통형의 타겟(20) 내부에 마그네트를 위치시킴으로써 상기 마그네트를 통해서 상기 타겟(20) 주변에 자기장을 형성하여 상기 타겟(20) 주변에서 고밀도의 플라즈마가 형성되도록 구성할 수 있다.

상기 지지대(30)에는 상기 기판(S)이 안착된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 스퍼터링에 의한 박막 증착 공정이 상온(15 ~ 25℃)에서 수행되기 때문에, 상기 지지대(30)는 상기 기판(S)을 가열하기 위한 별도의 히터를 구비할 필요가 없다.

상기 전력 공급부(40)는 상기 음극으로 기능하는 타겟(20)에 전압을 인가하여 상기 타겟(20)을 방전시킬 수 있다. 이와 같이 타겟(20)을 방전시키면 플라즈마 이온들이 가속되면서 상기 타겟(20) 표면에 충돌하여 스퍼터링에 의한 증착 공정이 이루어지게 된다. 상기 전력 공급부(40)는 DC, 펄스 DC, 또는 MF 등의 전력원으로 이루어질 수 있다. 상기 전력 공급부(40)는 전력선(41)을 통해서 상기 타겟(20)에 연결될 수 있다.

상기 마이크로웨이브 생성부(Microwave Generator)(50)는 마이크로웨이브를 생성함으로써 상기 챔버(10) 내의 반응 공간에서 전자 사이클로트론 공명(ECR: Electron Cyclotron Resonance)을 일으키도록 한다. 상기 마이크로웨이브 생성부(50)에서 생성된 마이크로웨이브는 상기 도파관(55)을 통해 상기 챔버(10) 내의 반응 공간으로 조사되며, 반응 공간으로 조사된 마이크로웨이브는 플라즈마와 결합되어 전자 사이클로트론 공명을 일으키고, 그에 따라 고밀도의 플라즈마를 발생시킨다. 상기 마이크로웨이브 생성부(50)는 마이크로웨이브 배관(51)을 통해서 상기 도파관(55)에 연결될 수 있다.

상기 도파관(55)은 상기 마이크로웨이브 생성부(50)에서 생성된 마이크로웨이브가 상기 챔버(10) 내의 반응공간으로 조사될 수 있도록 한다. 이를 위해서, 상기 도파관(55)은 상기 마이크로웨이브 생성부(50)와 연결되어 있으며 또한 상기 챔버(10) 내부에 형성되어 있다. 상기 도파관(55)은 상기 타겟(20)과 상기 기판(S) 사이의 반응공간을 향하도록 설치될 수 있다. 상기 도파관(55)은 도시된 바와 같이 상기 타겟(20)의 일 측에 1개만 배치될 수도 있지만 상기 타겟(20)의 일 측 및 타 측에 각각 1개씩 총 2개가 배치될 수도 있다. 상기 도파관(55)이 2개 배치될 경우 각각의 도파관(55)은 하나의 마이크로웨이브 생성부(50)와 연결될 수 있다.

상기 가스 공급부(60)는 상기 챔버(10) 내부에 공정 가스를 공급한다. 구체적으로, 상기 가스 공급부(60)는 가스 공급관(61)과 연결되어 있어 상기 가스 공급관(61)을 통해서 상기 챔버(10) 내부에 공정 가스를 공급한다. 상기 공정 가스는 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스로 이루어질 수 있지만, 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스와 산소 가스의 조합으로 이루어질 수도 있다. 상기 공정 가스가 불활성 가스와 산소 가스의 조합으로 이루어진 경우에는, 상기 가스 공급부(60)는 불활성 가스를 공급하는 제1 가스 공급부와 산소 가스를 공급하는 제2 가스 공급부의 조합으로 이루어질 수 있다.

이하에서는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 공정에 대해서 설명하기로 한다. 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 공정 순서도이다. 전술한 도 1에 따른 증착 장비를 참조하여 도 2에 따른 증착 공정에 대해서 설명하면 다음과 같다.

우선, 기판에 대한 표면 처리 및 시드층(seed layer) 형성 공정을 수행한다(10S).

상기 기판에 대한 표면 처리 및 시드층 형성 공정(10S)은 상기 챔버(10) 내에 제1 공정 가스를 공급하고, 상기 제1 공정 가스를 플라즈마 방전시킨 후, DC 또는 DC 펄스 전압을 인가하는 공정을 포함하여 이루어진다. 이와 같은 기판에 대한 표면 처리 및 시드층 형성 공정(10S)은 상온(15 ~ 25℃)에서 수행될 수 있다.

상기 제1 공정 가스는 산소 가스를 포함하지 않은 불활성 가스로 이루어질 수 있다. 예로서, 상기 제1 공정 가스는 아르곤(Ar) 가스로 이루어질 수 있다. 상기 챔버(10) 내에 제1 공정 가스를 공급하기 전에 상기 챔버(10) 내에는 베이스 압력(Base Pressure)이 조성되어 있다.

상기 제1 공정 가스를 플라즈마 방전시키는 공정은 상기 마이크로웨이브 생성부(50)에서 생성된 마이크로웨이브를 상기 도파관(55)을 통해 상기 챔버(10) 내의 제1 공정 가스에 조사하는 공정으로 이루어질 수 있다. 이와 같이 제1 공정 가스에 마이크로웨이브를 조사함으로써 상기 제1 공정 가스를 플라즈마 방전시킬 수 있으며, 따라서, 상기 조사하는 마이크로웨이브의 파워는 상기 제1 공정 가스를 플라즈마 방전시킬 수 있을 정도로 조절한다. 예를 들어, 제1 공정 가스로 아르곤(Ar)을 이용할 경우 1Kw의 마아크로웨이브를 조사하면 상기 아르곤이 플라즈마 방전될 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 따르면 마이크로웨이브를 조사하여 상기 제1 공정 가스를 플라즈마 방전시키게 되고, 상기 DC 또는 DC 펄스 전압의 인가에 의해서 상기 제1 공정 가스를 플라즈마 방전시키는 것이 아니다. 따라서, 상기 DC 또는 DC 펄스 전압을 플라즈마 방전 전압 이하의 전압으로 설정함으로써 상온(15 ~ 25℃)에서 기판에 대한 표면 처리 및 시드층 형성 공정(10S)을 수행할 수 있게 되는 것이다.

상기 제1 공정 가스를 플라즈마 방전시킨 상태에서 상기 DC 또는 DC 펄스 전압을 인가하게 되면, 첫째 상기 플라즈마 내에 존재하는 전자가 기판(S)에 충돌함으로써 상기 기판에 대한 표면 처리 공정이 이루어지고, 둘째 상기 플라즈마 내에 존재하는 양이온이 상기 타겟(20)에 충돌하여 상기 타겟(20)을 구성하는 도전 산화물의 일부가 상기 기판(S) 상에 증착함으로써 상기 시드층(seed layer) 형성 공정이 이루어진다.

상기 DC 또는 DC 펄스 전압을 인가하는 공정은 상기 전력 공급부(40)에서 상기 타겟(20)에 제1 전압을 인가하는 공정으로 이루어질 수 있다.

상기 타겟(20)에 제1 전압이 인가되면 상기 타겟(20)과 상기 기판(S) 사이에 전기장이 형성되어 상기 플라즈마 내에 존재하는 전자가 상기 기판(S)에 충돌하여 상기 기판(S)에 대한 표면처리가 이루어질 수 있다. 또한, 상기 타겟(20)에 제1 전압이 인가되면 상기 타겟(20)과 상기 기판(S) 사이에 전기장이 형성되어 상기 플라즈마 내에 존재하는 양이온이 상기 타겟(20)에 충돌한다. 그리하면, 미량의 도전 산화물이 상기 타겟(20)에서 튕겨져 나와 상기 기판(S) 상에 수Å 내지 수십Å 두께의 시드층이 형성될 수 있다.

이와 같이, 상기 DC 또는 DC 펄스 전압을 인가하는 공정에 의해서 상기 기판(S)에 대한 표면 처리 공정과 시드층 형성 공정이 함께 수행될 수 있고, 특히, 상기 기판(S)에 대한 표면 처리 공정과 시드층 형성 공정이 동시에 수행될 수 있다.

상기 기판(S)에 대한 표면처리 및 시드층 형성 공정(10S)은 본격적인 스퍼터링 공정 이전에 수행하는 것으로서, 전술한 바와 같이, 상기 표면 처리 및 시드층 형성 공정(10S) 시에 인가하는 상기 제1 전압은 상기 타겟(20)과 상기 기판(S) 사이에 전기장을 형성하면서도 상기 타겟(20)에 방전을 일으키지 않는 전압 범위이다. 즉, 상기 제1 전압은 상기 타겟(20)에 방전을 일으킬 수 있는 최소 전압보다 낮은 전압이다. 특히, 상기 제1 전압은 후술하는 박막 증착 공정(30S) 시에 인가되는 제2 전압 보다 낮은 전압이다. 예를 들어, 상기 타겟(20)에 50V의 DC전압을 인가하게 되면 상기 타겟(20)에 방전이 일어나지 않으면서 상기 기판(S)에 대한 표면처리 및 시드층 형성 공정(10S)을 수행할 수 있다.

결국, 상기 기판에 대한 표면 처리 및 시드층(seed layer) 형성 공정(10S)은 상온(15 ~ 25℃)에서 상기 챔버(10) 내에 제1 공정 가스를 공급하고, 상기 마이크로웨이브 생성부(50)에서 생성된 마이크로웨이브를 상기 챔버(10) 내의 제1 공정 가스에 조사하여 상기 제1 공정 가스를 플라즈마 방전시킨 후, DC 또는 DC 펄스 전압을 인가하는 공정으로 이루어질 수 있다. 다만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 상기 DC 또는 DC 펄스 전압을 인가하는 공정을 상기 마이크로웨이브 조사 공정 이전에 수행하는 것도 가능하며, 이 경우는 상기 인가된 DC 또는 DC 펄스 전압이 유지되는 상태에서 상기 마이크로웨이브 조사 공정을 수행하게 된다.

다음, 상기 시드층 상에 도전 산화물을 증착한다(20S).

상기 시드층 상에 도전 산화물을 증착하는 공정(20S)은 상기 챔버(10) 내에 제2 공정 가스를 공급하고, DC 또는 DC 펄스 전압을 인가하여 상기 제2 공정 가스를 플라즈마 방전시키는 공정을 포함하여 이루어진다. 이와 같은 도전 산화물의 증착 공정(20S)은 상온(15 ~ 25℃)에서 수행될 수 있다.

상기 제2 공정 가스는 산소 가스를 포함하지 않은 불활성 가스, 예로서 아르곤(Ar) 가스로 이루어질 수 있지만, 경우에 따라서 산소 가스와 불활성 가스의 혼합 가스로 이루어질 수도 있다. 상기 산소 가스의 함량을 조절함으로써 최종적으로 얻어지는 도전 산화물의 저항을 조절할 수 있다.

상기 DC 또는 DC 펄스 전압을 인가하는 공정은 상기 전력 공급부(40)에서 상기 타겟(20)에 초기 방전 전압을 인가하고. 그 후 상기 초기 방전 전압보다 낮은 방전 안정화전압을 유지하고, 그 후 상기 방전 안정화전압보다 낮은 제2 전압을 인가하는 공정으로 이루어질 수 있다. 상기 타겟(20)에 상기 초기 방전 전압이 인가되면 상기 타겟(20)과 상기 기판(S) 사이에 전기장이 형성되면서 상기 제2 공정 가스가 플라즈마 방전되고, 그 후 상기 방전 안정화전압을 거쳐서 상기 제2 전압이 인가되면 상기 플라즈마 방전이 유지된다. 그에 따라, 상기 플라즈마 내에 존재하는 양이온이 상기 타겟(20)에 충돌되도록 함으로써 상기 타겟(20)을 구성하는 도전 산화물을 상기 기판(S) 상에 증착하는 스퍼터링 공정이 이루어진다.

이때, 상기 제2 전압은 상기 타겟(20)에 최초로 방전을 일으키는 초기 방전 전압보다는 낮지만 방전을 유지시킬 수 있는 전압이며, 구체적으로 상기 방전 안정화전압의 30 내지 80%의 전압이 될 수 있다. 예를 들어, 상기 타겟(20)에 170V의 DC전압을 인가하게 되면 상기 타겟(20)에서 도전 산화물이 튕겨져 나와 스퍼터링 공정이 수행된다.

상기 전력 공급부(40)에서 상기 타겟(20)에 전압을 인가하여 플라즈마 방전시킨 이후에 상기 플라즈마의 이온밀도를 증가시키기 위해서 상기 마이크로웨이브 생성부(50)에서 생성된 마이크로웨이브를 상기 도파관(55)을 통해 상기 챔버(10) 내의 플라즈마에 조사하는 공정을 추가로 수행할 수 있다. 이와 같이 플라즈마에 마이크로웨이브를 조사하게 되면 상기 마이크로웨이브와 플라즈마가 결합하여 전자 사이클로트론 공명을 일으킴으로써 고밀도의 플라즈마가 발생할 수 있다.

특히, 상기 마이크로웨이브를 조사하게 되면 상기 제2전압을 상기 방전 안정화 전압의 30 내지 80%의 전압으로 낮출 수 있다. 즉, 상기 마이크로웨이브의 조사에 의해서 상기 방전 안정화 전압의 30 내지 80%의 전압으로 조절된 상기 제2 전압이 상기 타겟(20)에 인가될 수 있다.

이와 같이 상기 DC 또는 DC 펄스 전압의 인가와 상기 마이크로웨이브의 조사를 병행함으로서 고밀도의 플라즈마를 발생시킬 수 있기 때문에, 상기 제2 전압을 낮출 수 있다. 특히, 상기 제2 전압을 안정적으로 방전을 일으키는 방전 안정화 전압 보다 낮은 전압으로 설정할 수 있으며, 구체적으로, 상기 마이크로웨이브의 파워를 적절히 조절함으로써 상기 제2 전압을 방전 안정화 전압의 30 내지 80%의 전압으로 설정하는 것이 가능하다.

결과적으로, 상기 시드층 상에 도전 산화물을 증착하는 공정(20S)은 상온(15 ~ 25℃)에서 상기 챔버(10) 내에 제2 공정 가스를 공급하고, DC 또는 DC 펄스 전압을 인가하여 상기 제2 공정 가스를 플라즈마 방전시키고, 상기 플라즈마에 마이크로웨이브를 조사하는 공정으로 이루어질 수 있다.

이때, 상기 마이크로웨이브의 파워는 전술한 기판에 대한 표면 처리 및 시드층 형성 공정(10S) 시와 동일하게 설정할 수 있다. 즉, 상기 플라즈마의 이온밀도를 증가시키기 위해 조사하는 마이크로웨이브의 파워는 상기 제2 공정 가스를 플라즈마 방전시킬 수 있을 정도로 조절할 수 있으며, 예로서 1Kw로 이루어질 수 있다.

이상과 같이, 본 발명은 표면처리 및 시드층 형성 공정과 증착 공정의 2단계 공정을 통해서 상온의 낮은 온도 및 방전 안정화 전압보다 낮은 전압에서 낮은 면저항을 가지는 도전 산화물층을 증착할 수 있는 장점이 있다.

이상 설명한 도전 산화물층의 증착방법은 전술한 도 1에 따른 증착 장비를 이용하여 수행할 수 있으며, 이 경우에는 하나의 동일한 챔버(10) 및 그 내부에 배치된 동일한 타겟(20)을 이용하여 상기 표면 처리 및 시드층 형성 공정(10S), 및 상기 도전 산화물 증착 공정(20S)을 수행할 수 있다.

다만, 도전 산화물층의 증착방법은 후술하는 도 3 및 도 4에 따른 증착 장비를 이용하여 수행할 수도 있으며, 이 경우에는 제1 공정 챔버(200) 내에서 상기 표면 처리 및 시드층 형성 공정(10S)을 수행하고, 이어서 제2 공정 챔버(300) 내에서 상기 도전 산화물 증착 공정(20S)을 수행할 수 있다.

도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 장비의 개략도이다.

도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 장비는, 로딩 챔버(100), 제1 게이트 밸브(150), 제1 공정 챔버(200), 제2 공정 챔버(300), 제2 게이트 밸브(350), 언로딩 챔버(400), 및 격벽(450)을 포함하여 이루어진다.

상기 로딩 챔버(100)는 증착 장비의 최전방에 마련되어 있다. 상기 로딩 챔버(100)는 증착 장비 내부를 대기상태에서 진공분위기로 전환될 수 있도록 1차 진공 처리하는 용도로 사용될 수 있다. 따라서, 도시하지는 안았지만, 상기 로딩 챔버(100)는 진공 펌프와 연결되어 있다.

기판(S)은 상기 로딩 챔버(100)를 통해 증착 장비 내로 로딩된 후 이후의 공정 진행이 이루어진다. 구체적으로 도시하지는 않았지만, 상기 기판(S)은 이송 롤러 또는 컨베이어 벨트 등과 같은 이송 수단에 의해 상기 로딩 챔버(100), 상기 제1 공정 챔버(200), 상기 제2 공정 챔버(300), 및 상기 언로딩 챔버(400)의 순으로 이송된다.

상기 제1 게이트 밸브(150)는 상기 로딩 챔버(100)와 상기 제1 공정 챔버(200) 사이에 위치한다. 상기 제1 게이트 밸브(150)가 열리면 상기 기판(S)이 상기 로딩 챔버(100)에서 상기 제1 공정 챔버(200)로 진입하게 된다.

상기 제1 공정 챔버(200) 내에는 제1 타겟(Target)(220)과 제1 도파관(255)이 배치되어 있다.

상기 제1 타겟(220)은 제1 전력선(241)을 통해서 제1 전력 공급부(240)에 연결되어 있다. 상기 제1 타겟(220)은 상기 기판(S) 상에 증착되는 도전 산화물층, 예로서, ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다. 상기 제1 타겟(220)은 스퍼터링 공정을 위한 음극(Cathode)으로 기능할 수 있으며, 원통형으로 형성되어 회전가능하게 설치될 수 있다. 또한, 상기 원통형의 제1 타겟(220) 내부에 마그네트가 위치될 수 있다. 상기 제1 전력 공급부(240)는 DC, 펄스 DC, 또는 MF 등의 전력원으로 이루어질 수 있다.

상기 제1 도파관(255)은 제1 마이크로웨이브 배관(251)을 통해서 제1 마이크로웨이브 생성부(250)에 연결되어 있다. 상기 제1 도파관(255)은 도시된 바와 같이 상기 제1 타겟(220)의 일 측에 1개만 배치될 수도 있지만 상기 제1 타겟(220)의 일 측 및 타 측에 각각 1개씩 총 2개가 배치될 수도 있다. 상기 제1 도파관(255)이 2개 배치될 경우 각각의 제1 도파관(255)은 하나의 제1 마이크로웨이브 생성부(250)와 연결될 수 있다.

또한 제1 공정 챔버(200) 내부는 제1 가스 공급관(261)을 통해서 제1 가스 공급부(260)와 연결되어 있다. 상기 제1 가스 공급부(260)는 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스를 포함하여 이루어질 수 있다.

이와 같은 제1 공정 챔버(200) 내에서는 전술한 도 2의 기판에 대한 표면 처리 및 시드층 형성 공정(10S)이 수행된다.

따라서, 상기 제1 가스 공급부(260)에는 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스를 제1 공정 가스로 포함하고 있고 산소 가스는 포함하고 있지 않다.

또한, 상기 제1 타겟(Target)(220)에 연결되는 상기 제1 전력 공급부(240)는 DC 또는 DC 펄스 전압을 인가하도록 구성되며, 상기 제1 전력 공급부(240)에서 인가하는 DC 또는 DC 펄스 전압은 상기 제1 타겟(220)과 상기 기판(S) 사이에 전기장을 형성하면서도 상기 제1 타겟(220)에 방전을 일으키지 않는 제1 전압 범위로 설정된다. 전술한 바와 같이, 상기 제1 전압은 상기 제1 타겟(220)에 방전을 일으킬 수 있는 최소 전압보다 낮은 전압으로 설정된다.

또한, 상기 제1 도파관(255)에 연결되는 상기 제1 마이크로웨이브 생성부(250)는 상기 제1 공정 가스를 플라즈마 방전시킬 수 있는 파워를 인가하도록 구성된다.

상기 제2 공정 챔버(300) 내에는 제2 타겟(320a, 320b)과 제2 도파관(355a, 355b)이 배치되어 있다.

상기 제2 타겟(320a, 320b)은 제2 전력선(341a, 341b)을 통해서 제2 전력 공급부(340a, 340b)에 연결되어 있다. 도면에는 상기 제2 타겟(320a, 320b), 상기 제2 전력선(341a, 341b), 및 상기 제2 전력 공급부(340a, 340b)가 각각 2개씩 인라인(in-line)으로 연결된 모습을 도시하였지만, 각각 3개 이상씩 인라인으로 연결될 수도 있고, 각각 1개씩 형성될 수도 있다. 상기 제2 타겟(320a, 320b) 각각은 상기 기판(S) 상에 증착되는 도전 산화물층, 예로서, ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어질 수 있다. 상기 제2 타겟(320a, 320b) 각각은 음극으로 기능할 수 있고, 원통형으로 형성되어 회전가능하게 설치될 수 있으며, 그 내부에 마그네트가 위치될 수 있다. 상기 제2 전력 공급부(340a, 340b) 각각은 DC, 펄스 DC, 또는 MF 등의 전력원으로 이루어질 수 있다.

상기 제2 도파관(355a, 355b) 각각은 제2 마이크로웨이브 배관(351a, 351b)을 통해서 제2 마이크로웨이브 생성부(350)에 연결될 수 있다. 도면에는 하나의 제2 마이크로웨이브 생성부(350)에 2개의 제2 도파관(355a, 355b)이 연결되어 있는 모습을 도시하였지만, 반드시 그에 한정되는 것은 아니고, 2개의 제2 도파관(355a, 355b)이 각각의 제2 마이크로웨이브 생성부(350)에 연결되는 것도 가능하다. 상기 제2 도파관(355a, 355b) 각각은 도시된 바와 같이 상기 제2 타겟(320a, 320b) 각각의 일 측에 1개만 배치될 수도 있지만 상기 제2 타겟(320a, 320b) 각각의 일 측 및 타 측에 각각 1개씩 총 2개가 배치될 수도 있다.

또한 제2 공정 챔버(300) 내부는 제2 가스 공급관(361)을 통해서 제2 가스 공급부(360)와 연결되어 있다. 상기 제2 가스 공급부(360)는 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스를 포함하여 이루어질 수도 있고, 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스 및 산소 가스를 포함하여 이루어질 수도 있다.

이와 같은 제2 공정 챔버(300) 내에서는 전술한 도 2의 시드층 상에 도전 산화물을 증착하는 공정(20S)이 수행된다.

따라서, 상기 제2 가스 공급부(360)는 아르곤(Ar)과 같은 불활성 가스를 공급하는 가스 공급부와 산소 가스를 공급하는 가스 공급부를 포함할 수

또한, 상기 제2 타겟(320a, 320b)에 연결되는 상기 제2 전력 공급부(340a, 340b)는 DC 또는 DC 펄스 전압을 인가하도록 구성되며, 상기 제2 전력 공급부(340a, 340b)에서 인가하는 DC 또는 DC 펄스 전압은 상기 제2 타겟(320a, 320b)에 방전을 일으키는 초기 방전 전압, 방전 안정화 전압 및 제2 전압 범위로 설정된다. 전술한 바와 같이, 상기 제2 전압은 상기 제2 도파관(355a, 355b)을 통해 마이크로웨이브가 인가된 이후에 방전 안정화 전압의 30 내지 80%의 전압으로 조절될 수 있다.

또한, 상기 제2 도파관(355a, 355b)에 연결되는 상기 제2 마이크로웨이브 생성부(350)는 상기 제2 공정 가스를 플라즈마 방전시킬 수 있는 파워를 인가하도록 구성된다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 공정 챔버(200) 내에서는 전술한 도 2의 기판에 대한 표면 처리 및 시드층 형성 공정(10S)이 수행되고, 상기 제2 공정 챔버(300) 내에서는 전술한 도 2의 시드층 상에 도전 산화물을 증착하는 공정(20S)이 수행된다. 따라서, 상기 제1 공정 챔버(200)와 상기 제2 공정 챔버(300)를 분리하기 위해서 상기 제1 공정 챔버(200)와 상기 제2 공정 챔버(300) 사이에는 격벽(450)이 형성되어 있다. 상기 격벽(450)에는 슬릿(451)이 형성되어, 상기 슬릿(451)을 통해서 기판(S)이 제1 공정 챔버(200)에서 제2 공정 챔버(300)로 이동할 수 있다.

한편, 상기 제2 공정 챔버(300) 내부의 가스, 특히 산소 가스가 상기 제1 공정 챔버(200) 내부로 진입하는 것을 방지할 필요가 있다. 이를 위해서 상기 제2 공정 챔버(300) 내부는 펌프 라인(471)을 통해서 진공 펌프(470)와 연결될 수 있다. 상기 진공 펌프(470)는 상기 제2 공정 챔버(300) 내부의 가스를 빨아들임으로써 상기 제2 공정 챔버(300) 내부의 가스가 상기 제1 공정 챔버(200) 내부로 진입하는 것을 방지할 수 있다.

또한, 화살표로 인출된 확대도에서 알 수 있듯이, 상기 슬릿(451) 주위의 격벽(450)에 가스 흡입 기구(490)을 설치하여 상기 제2 공정 챔버(300) 내부의 가스가 상기 제1 공정 챔버(200) 내부로 진입하는 것을 방지할 수 있다.

상기 가스 흡입 기구(490)는, 오른쪽 확대도에서와 같이 상기 격벽(450)의 표면에서 돌출된 형태로 구성될 수도 있고, 왼쪽 확대도에서와 같이 상기 격벽(450)의 내부로 삽입된 형태로 구성될 수도 있다. 이때, 상기 격벽(450)은 상기 제2 공정 챔버(300) 내부의 가스를 흡입할 수 있도록 상기 제2 공정 챔버(300) 내부쪽으로 형성된다.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 다양한 형태의 가스 흡입 기구(490)를 보여주는 도면으로서 이는 제2 공정 챔버(300)의 내부에서 상기 슬릿(450)이 형성된 격벽(450)을 바라보는 방향에서의 도면이다.

도 4a 및 도 4b에서 알 수 있듯이, 격벽(450)에는 기판 이동을 위한 슬릿(451)이 형성되어 있고, 상기 슬릿(451) 주위에 가스 흡입기구(490)가 형성되어 있다.

상기 슬릿(451)은 기판이 수평으로 진입할 수 있도록 가로 방향으로 길게 형성되어 있다.

상기 가스 흡입 기구(490)는 도 4a와 같이 상기 슬릿(451)의 상측에 형성된 제1 가스 흡입기구(490a) 및 상기 슬릿(451)의 하측에 형성된 제2 가스 흡입기구(490b)를 포함할 수 있다. 상기 제1 가스 흡입 기구(490a) 및 상기 제2 가스 흡입기구(490b)는 상기 슬릿(451)과 나란하게 가로 방향으로 길게 형성되어 있으며, 상기 슬릿(451)의 길이보다 길게 형성되는 것이 상기 제2 공정 챔버(300) 내부의 가스가 상기 제1 공정 챔버(200) 내부로 진입하는 것을 방지하는데 보다 바람직할 수 있다.

상기 가스 흡입 기구(490)는 도 4b와 같이 상기 슬릿(451)의 상측에 형성된 제1 가스 흡입기구(490a), 상기 슬릿(451)의 하측에 형성된 제2 가스 흡입 기구(490b), 및 상기 제1 가스 흡입 기구(490a) 및 상기 제2 가스 흡입 기구(490b)를 연결하는 제3 가스 흡입 기구(490a)를 포함할 수 있다. 상기 제1 가스 흡입 기구(490a) 및 상기 제2 가스 흡입 기구(490b)는 전술한 도 4a와 같다. 상기 제3 가스 흡입 기구(490a)는 상기 제1 가스 흡입 기구(490a)의 일단 및 상기 제2 가스 흡입 기구(490b)의 일단을 연결하고, 상기 제1 가스 흡입 기구(490a)의 타단 및 상기 제2 가스 흡입 기구(490b)의 타단을 연결한다.

이상과 같이, 상기 가스 흡입 기구(490)는 도 4b와 같이 상기 슬릿(451)의 둘레를 둘러싸는 밀폐형 구조로 이루어질 수도 있고 도 4a와 같이 상기 슬릿(451)의 상측과 하측에 형성되는 오픈형 구조로 이루어질 수도 있다.

상기 제2 게이트 밸브(350)는 상기 언로딩 챔버(400)와 상기 제2 공정 챔버(300) 사이에 위치한다. 상기 제2 게이트 밸브(350)가 열리면 공정 처리가 완료된 기판(S)이 상기 제2 공정 챔버(300)에서 상기 언로딩 챔버(400)로 진입하게 된다.

상기 언로딩 챔버(400)는 증착 장비의 최후방에 마련되어 있어, 공정 진행이 완료된 기판(S)은 상기 언로딩 챔버(400)에서 언로딩된 후 후속 공정 장비로 이동하게 된다.

도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 장비의 개략도이다.

도 5에서 알 수 있듯이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 장비는, 로딩 챔버(100), 제1 게이트 밸브(150), 제1 공정 챔버(200), 제2 공정 챔버(300), 제2 게이트 밸브(350), 언로딩 챔버(400), 및 제3 게이트 밸브(480)를 포함하여 이루어진다.

도 5에 도시한 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 도전 산화물층의 증착 장비는 격벽(450)을 제거하고 제3 게이트 밸브(480)를 형성한 점에서 전술한 도 3에 도시한 증착 장비와 구별된다. 따라서, 전술한 도 3과 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 이하에서는 상이한 구성에 대해서만 설명하기로 한다.

도 5에 따르면, 상기 제1 공정 챔버(200)와 상기 제2 공정 챔버(300) 사이에 상기 제3 게이트 밸브(480)가 형성되어 있다. 따라서, 전술한 도 3에서와 같이, 상기 제1 공정 챔버(200)와 상기 제2 공정 챔버(300) 사이의 분리를 위해서 격벽(450)이 필요하지 않다.

상기 제1 공정 챔버(200)와 상기 제2 공정 챔버(300) 사이에 상기 제3 게이트 밸브(480)가 형성되어 있기 때문에, 전술한 도 3에 따른 증착 장비에 비하여 상기 제1 공정 챔버(200)와 상기 제2 공정 챔버(300) 사이가 물리적으로 완전히 구별되어 있다. 따라서, 상기 제2 공정 챔버(300) 내부의 가스가 상기 제1 공정 챔버(200) 내부로 진입할 가능성이 없기 때문에 전술한 도 3에 따른 증착 장비에서 구성된 펌프 라인(471) 및 진공 펌프(470)가 필요하지 않게 된다.

도 6은 공정 조건 변경에 따른 ITO 박막의 면저항 변화를 보여주는 그래프로서, 구체적으로, 아래 표 1과 같은 공정 조건으로 증착한 ITO 박막의 면저항(Sheet resistance)을 나타낸 것이다. 아래 표 1에서 각각의 공정은 모두 상온에서 수행하였다.

No.	표면처리공정	시드층 형성공정	박막 증착 공정
1	Ar가스/MW 1KW/DC 20V	DC 20V	Ar+산소가스/DC170V/MW1kW
2	Ar+산소가스/MW 1KW/DC 20V	DC 20V	Ar+산소가스/DC170V/MW1kW
3	Ar가스/MW 1KW	-	Ar+산소가스/DC170V/MW1kW
4	-	-	Ar+산소가스/DC170V/MW1kW

제1 실험예(No.1)는 제1 챔버 내에 Ar가스를 공급한 후 1KW의 마이크로웨이브(MW)를 조사하고 이어서 DC 20V를 인가하여 표면처리 공정을 수행하고, DC 20V를 유지하면서 시드층을 형성하고, 그 후 제2 챔버로 이동한 후 제2 챔버 내에 Ar과 산소의 혼합가스를 공급한 후 DC 170V를 인가하고 1KW의 마이크로웨이브(MW)를 조사하여 ITO 박막을 증착한 것이다.

제2 실험예(No.2)는 제1 챔버 내에 Ar와 산소의 혼합가스를 공급한 후 1KW의 마이크로웨이브(MW)를 조사하고 이어서 DC 20V를 인가하여 표면처리 공정을 수행하고, DC 20V를 유지하면서 시드층을 형성하고, 그 후 제2 챔버로 이동한 후 제2 챔버 내에 Ar과 산소의 혼합가스를 공급한 후 DC 170V를 인가하고 1KW의 마이크로웨이브(MW)를 조사하여 ITO 박막을 증착한 것이다.

제3 실험예(No.3)는 제1 챔버 내에 Ar가스를 공급한 후 1KW의 마이크로웨이브(MW)를 조사하여 표면처리 공정을 수행하고, 그 후 제2 챔버로 이동한 후 제2 챔버 내에 Ar과 산소의 혼합가스를 공급한 후 DC 170V를 인가하고 1KW의 마이크로웨이브(MW)를 조사하여 ITO 박막을 증착한 것이다.

제4 실험예(No.4)는 표면처리 공정과 시드층 형성 공정을 수행하지 않고, 제2 챔버 내에 Ar과 산소의 혼합가스를 공급한 후 DC 170V를 인가하고 1KW의 마이크로웨이브(MW)를 조사하여 ITO 박막을 증착한 것이다.

도 6에서 알 수 있듯이, 시드층 형성 공정을 수행하지 않은 제3 실험예(No.3) 및 표면 처리 공정과 시드층 형성 공정 모두를 수행하지 않은 제4 실험예(No.4)보다 제1 실험예(No.1)와 제2 실험예(No.1)의 경우가 ITO 박막의 면저항이 작음을 알 수 있다. 또한, 표면 처리 공정시 Ar만을 공급한 제1 실험예(No.1)가 Ar과 산소의 혼합가스를 공급한 제2 실험예(No.2)에 비하여 ITO 박막의 면저항이 작음을 알 수 있다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다. 그러므로, 본 발명의 범위는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

10: 챔버 20: 타겟
30: 지지대 40: 전력 공급부
50: 마이크로웨이브 생성부 60: 가스 공급부

Claims (8)

1. 상온에서 제1 챔버 내에 제1 공정 가스를 공급하고, 상기 제1 공정 가스에 마이크로웨이브를 조사하여 상기 제1 공정 가스를 플라즈마 방전시키고, 제1 타겟에 상기 제1 공정 가스의 플라즈마 방전을 일으키지 않는 제1 전압을 인가하여 기판의 표면 처리 및 시드층을 형성하는 공정; 및
   상온에서 제2 챔버 내에 제2 공정 가스를 공급하고, 제2 타겟에 초기 방전 전압을 인가하여 상기 제2 공정 가스를 플라즈마 방전시킨 후 방전 안정화전압의 30 내지 80%의 제2 전압을 인가하여 상기 플라즈마 방전을 유지시키고, 상기 플라즈마에 마이크로 웨이브를 조사하여 상기 시드층 상에 도전 산화물을 증착하는 공정을 포함하는 도전 산화물층의 증착 방법.
2. 제1항에 있어서,
   상기 제1 공정 가스에 마이크로웨이브를 조사하여 상기 제1 공정 가스를 플라즈마 방전시키고, 그 이후에 상기 제1 타겟에 상기 제1 전압을 인가하는 공정을 수행하는 도전 산화물층의 증착 방법.
3. 제1항에 있어서,
   상기 제1 타겟에 상기 제1 전압을 인가하는 공정은 상기 제1 공정 가스에 마이크로웨이브를 조사하는 공정 이전에 수행하고, 상기 제1 전압이 유지된 상태에서 상기 제1 공정 가스에 마이크로웨이브를 조사하는 도전 산화물층의 증착 방법.
4. 제1항에 있어서,
   상기 제1 공정 가스는 불활성 가스로 이루어지고, 상기 제2 공정 가스는 불활성 가스와 산소 가스의 혼합 가스로 이루어진 도전 산화물층의 증착 방법.
5. 제1항에 있어서,
   상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버는 동일한 챔버이고, 상기 제1 타겟과 상기 제2 타겟은 동일한 챔버 내에 배치된 동일한 타겟으로 이루어져,
   상기 표면 처리 및 시드층을 형성하는 공정, 및 상기 도전 산화물을 증착하는 공정은 동일한 챔버 내에서 수행하는 도전 산화물층의 증착 방법.
6. 제1항에 있어서,
   상기 제1 챔버와 상기 제2 챔버는 상이한 챔버이고, 상기 제1 타겟과 상기 제2 타겟은 상이한 타겟으로 이루어져,
   상기 제1 챔버 내에서 상기 표면 처리 및 시드층을 형성하는 공정을 수행하고, 이어서 상기 제2 챔버 내에서 상기 도전 산화물을 증착하는 공정을 수행하는 도전 산화물층의 증착 방법.
7. 제6항에 있어서,
   상기 제2 챔버 내의 제2 공정 가스가 상기 제1 챔버 내로 진입하는 것을 방지하기 위해서 상기 제2 공정 가스를 흡입하는 공정을 추가로 포함하는 도전 산화물층의 증착 방법.
8. 제1항에 있어서,
   상기 제2 타겟에 제2 전압을 인가하는 공정 이전에 상기 초기 방전 전압보다 낮은 방전 안정화 전압을 유지하는 공정을 추가로 포함하고,
   상기 방전 안정화 전압을 유지한 이후에 상기 제2 챔버 내에 마이크로 웨이브를 조사하는 공정을 수행하고,
   상기 제2 챔버 내에 마이크로 웨이브를 조사하는 공정 이후에 상기 방전 안정화 전압의 30 내지 80%로 조절된 상기 제2 전압을 인가하는 공정을 수행하는 도전 산화물층의 증착 방법.

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