KR101734603B1 - 페닐 에스테르를 가진 열 인터페이스 물질 - Google Patents
페닐 에스테르를 가진 열 인터페이스 물질 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101734603B1 KR101734603B1 KR1020127015155A KR20127015155A KR101734603B1 KR 101734603 B1 KR101734603 B1 KR 101734603B1 KR 1020127015155 A KR1020127015155 A KR 1020127015155A KR 20127015155 A KR20127015155 A KR 20127015155A KR 101734603 B1 KR101734603 B1 KR 101734603B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- interface material
- thermal interface
- heat
- heat sink
- phenyl ester
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 35
- -1 phenyl ester Chemical class 0.000 title claims abstract description 11
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims abstract description 9
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims abstract description 9
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims abstract description 9
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims abstract description 9
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims abstract description 6
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 claims abstract 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 0 *C(C*c1cc(OCC2OC2)ccc1)c(cc1)ccc1OCC1OC1 Chemical compound *C(C*c1cc(OCC2OC2)ccc1)c(cc1)ccc1OCC1OC1 0.000 description 2
- FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N C(C1OC1)Oc1ccccc1 Chemical compound C(C1OC1)Oc1ccccc1 FQYUMYWMJTYZTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N Epichlorohydrin Chemical compound ClCC1CO1 BRLQWZUYTZBJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000539 dimer Substances 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005382 thermal cycling Methods 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K5/00—Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
- C09K5/08—Materials not undergoing a change of physical state when used
- C09K5/14—Solid materials, e.g. powdery or granular
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C69/00—Esters of carboxylic acids; Esters of carbonic or haloformic acids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K5/00—Heat-transfer, heat-exchange or heat-storage materials, e.g. refrigerants; Materials for the production of heat or cold by chemical reactions other than by combustion
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
- C08K3/02—Elements
- C08K3/08—Metals
- C08K2003/0812—Aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2205/00—Aspects relating to compounds used in compression type refrigeration systems
- C09K2205/10—Components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73253—Bump and layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
Abstract
열 인터페이스 물질은 페닐 에스테르 및 열 전도성 충전제를 포함한다. 상기 물질은 선택적으로 견과류 오일 유래의 에폭시 수지 및 에폭시화 이량체 지방산을 포함한다.
Description
본 발명은 열-발생 전자 장치로부터 전달된 열을 흡수하고 소실시키는 히트 싱크(heat sink)로 열을 전달하기 위해 이용되는 열 전도성 물질에 관한 것이다.
반도체를 포함하는 전자 장치는 작동 중에 상당한 양의 열을 발생시킨다. 발생되는 열의 정도는 반도체의 성능과 관련되며, 성능이 더 낮은 장치가 더 낮은 정도의 열을 발생시킨다. 주목할 만한 성능을 달성하기 위해서 냉각되어야 하는 반도체를 냉각시키기 위해서, 히트 싱크가 장치에 부착된다. 작동시에, 사용 중에 발생된 열은 반도체로부터 열이 무해하게 소멸되는 히트 싱크로 전달된다. 반도체로부터 히트 싱크로 열 전달을 최대화하기 위해서, 열 인터페이스 물질(TIM)으로 알려진, 열 전도성 물질이 이용된다. TIM은 열 전달을 촉진하기 위해 이상적으로 히트 싱크 및 반도체 사이에 밀접한 접촉을 제공한다.
반도체 제조업자들에 의해 현재 사용되는 다양한 유형의 TIM이 있으며, 모두 그것들 자체의 장점 및 단점을 가진다. 고성능 반도체보다 상대적으로 더 낮은 정도의 열을 발생시키는 반도체에 대한, 바람직한 열적 해결책은 전도성 물질로써 알루미늄을 포함하는 써멀 겔(thermal gel)의 사용이다. 이러한 물질은 적당한 열 전도성(3 내지 4 W/m-K)을 제공하지만, 응력하에서 박리되기 쉬울 수 있다.
그러므로, 다루고 적용하기 쉽고 그렇지만 또한 매우 적당한 열 전도성 및 믿을만한 성능을 제공하는 열 인터페이스 물질을 제공하는 것은 이로울 것이다.
본 발명은 열-발생 반도체-포함 장치에서 열 인터페이스 물질로서의 사용을 위한 조성물이다.
한 실시양태에서, 조성물은 알루미늄 금속 입자와 페닐 에스테르를 포함한다. 또 다른 실시양태에서, 조성물은 추가로 에폭시화 이량체 수지를 포함한다. 제3의 실시양태에서, 조성물은 추가로 견과류 오일 유래의 에폭시 지방산을 포함한다. 모든 실시양태에서, 촉매는 임의적이다. 금속 입자는 실질적으로 전혀 첨가되는 납이 없다. 주요 수지 요소로서 페닐 에스테르의 존재는 조성물을 더 유연하게 만들고, 따라서 크래킹(cracking)을 방지하고 히트 싱크 및 반도체 사이의 접촉을 증가시킨다. 그러므로, 페닐 에스테르의 존재는 열 분해를 억제하도록 작용하고 따라서 시간이 지남에 따라 열 임피던스(thermal impedance)를 안정하게 유지시키도록 작용한다.
에폭시화 이량체 지방산 및 일부 실시양태에서 추가적으로 견과유 유래의 에폭시 수지의 사용은 열 인터페이스 물질에 대한 최적 범위의 모듈러스(modulus)를 제공한다. 이러한 에폭시는 물리적으로 땜납 입자들을 열 인터페이스 물질 내에 연결된채 제자리에 유지시키는 겔-유사 또는 점착성 덩어리를 형성하고 따라서 시간이 지남에 따라 열 임피던스가 안정하게 유지된다.
또 다른 실시양태에서, 본 발명은 상기 설명에 따른 열 발생 요소, 히트 싱크 및 열 인터페이스 물질을 포함하는 전자 장치이다.
도 1은 히트 싱크, 방열판(heat spreader), 및 열 인터페이스 물질을 갖는 전자 요소의 측면도이다.
본 발명의 열 인터페이스 물질은 열 소실이 요구되는 임의의 열-발생 요소 및 특히, 반도체 장치에서 열-발생 요소와 함께 이용될 수 있다. 이러한 장치에서, 열 인터페이스 물질은 열-발생 요소 및 히트 싱크 사이에 층을 형성하고 소실되어야 할 열을 히트 싱크로 전달한다. 열 인터페이스 물질은 또한 방열판을 포함하는 장치에서도 사용될 수 있다. 그러한 장치에서, 열 인터페이스 물질의 층은 열-발생 요소 및 방열판 사이에 배치되고 열 인터페이스 물질의 제2 층은 방열판 및 히트 싱크 사이에 배치된다.
한 실시양태에서, 페닐 에스테르는 하기로 구성된 군으로부터 선택된다.
페닐 에스테르는 조성물의 총 중량을 기준으로 5 내지 35 중량 백분율 범위 내로 조성물에 존재할 것이다.
에폭시화 이량체 지방산은 이량체 지방산 및 에피클로로히드린의 반응 생성물이다. 한 실시양태에서, 에폭시화 이량체 지방산은 R이 C34H68로 표현되는 34 탄소 사슬인 하기의 구조를 갖는다:
이것은 뉴져지의 CVC 케미칼(CVC Chemical)로부터 상업적으로 입수가능하다.
견과류 오일 유래의 에폭시 수지는 하기 구조중 하나 또는 둘 모두를 포함한다:
이러한 수지는 뉴저지의 카돌라이트 코포레이션(Cardolite Corporation)으로부터 상업적으로 입수가능하다. 일관능성 에폭시 또는 2관능성 에폭시 중의 어느 하나 또는 임의의 비율의 블렌드는 TIM 조성물 내에 동등하게 효과적이다.
에폭시 관능기를 위한 촉매의 사용은 선택적이나, 에폭시 관능기를 중합화 또는 경화하기에 적합한 당해 분야에 공지된 임의의 촉매가 사용될 수 있다. 적합한 촉매의 예는 퍼옥시드 및 아민을 포함한다. 촉매가 사용될 때, 촉매는 유효량으로 사용될 것이고; 한 실시양태에서, 유효량은 조성물에 대하여 0.2 내지 2 중량% 범위이다.
은 입자 또한 존재할 수 있지만, 알루미늄 금속 입자는 땜납 또는 은에 비하여 저 비용이기 때문에 열 인터페이스 물질에서 전형적으로 사용된다. 전형적인 예가 되는 알루미늄 금속 분말은 일리노이의 토얄 아메리카(Toyal America)로부터 상업적으로 입수가능하다. 한 실시양태에서, 금속 분말은 약 1-10 마이크로미터의 평균 입자 크기를 가진다. 한 실시양태에서, 금속 분말은 총 조성물에 대하여 50 내지 95 중량 백분율의 범위로 조성물 내에 존재할 것이다.
도 1에서 도해되는 한 실시양태에서, 두 층의 열 인터페이스 물질을 이용하는 전자 요소(10)는 내부연결(14)을 통해 실리콘 다이(silicon die)(12)에 부착된 기재(11)를 포함한다. 실리콘 다이는 하나 이상의 다이 측면과 인접한 열 인터페이스 물질(15)을 통해 전달되는 열을 발생시킨다. 방열판(16)은 열 인터페이스 물질에 인접하여 위치하고 제1 열 인터페이스 물질 층을 통과하는 열의 일부분을 소실시키도록 작용한다. 히트 싱크(17)는 방열판에 인접하게 위치하여 임의의 전달된 열 에너지를 소실시킨다. 열 인터페이스 물질은 방열판 및 히트 싱크 사이에 위치한다. 열 인터페이스 물질(18)은 보통 열 인터페이스 물질(15)보다 더 두껍다.
실시예
하기 표에 보여지는 중량 백분율로 성분을 포함하도록 조성물을 제조했다. 본 발명의 샘플은 A, B, C 및 D로 확인된다. 비교 샘플은 E, F 및 G로 확인된다. 그것들 모두 중합체 수지 및 알루미늄 분말의 액체 반응성 혼합물로 구성된다.
실리콘 다이 및 구리 플랭크(plank) 사이에 배치된 TIM 조성물 내의 저항성을 측정하여 열 전도성에 대해 상기 TIM 조성물을 시험했다. 실리콘 다이를 가열했고 열 주입량을 전압 및 전류 계량기의 조합을 사용해 측정했다. TIM을 통해 구리 히트 싱크로 전달된 열 및 히트 싱크의 온도는 열전대(thermocouple)로 판독했다. 이 값들로부터 저항력을 계산했다.
결과는 표에 보고되고, 비교 조성물과 비교하여 페닐 에스테르를 포함하는 본 발명의 조성물은 특히 베이킹(baking) 및 열순환(thermal cycling)의 신뢰성 시험 후에 안전하고 더 낮은 열 임피던스를 보였다. 낮은 열 임피던스는 열 소실을 위해 필요하고 또한 열 임피던스가 시간이 지남에 따라 안정하게 유지되어 사용되는 최종 장치의 더 긴 수명을 보장하는 것은 중요하다.
결과는 추가로 페닐 에스테르를 포함하는 본 발명의 조성물이 고온에 노출 후에 증가하지 않는 더 낮은 모듈러스를 보이는 것을 보여준다. 낮은 모듈러스는 조성물이 부드럽고 유연하게 유지되도록 하기 위해 요구되고 더 우수한 열 전도성을 가져온다. 고온 베이킹 후에 모두 모듈러스에서 상당한 증가를 보였던 비교 조성물과 대조적이다. 이러한 비교 조성물은 높은 열 분해를 보이고, 단단하고 잘 부러지게 되며, 궁극적으로 그것의 기재에 대한 TIM의 계면 박리를 야기한다.
Claims (12)
- (a) 하기의 페닐 에스테르 및
(b) 열 전도성 충전제
를 포함하는 열 인터페이스 물질. - 제1항에 있어서, 추가로 (c) 에폭시화 이량체 지방산을 포함하는 열 인터페이스 물질.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열 전도성 충전제가 알루미늄 분말인 열 인터페이스 물질.
- 제2항에 있어서, 상기 에폭시화 이량체 지방산이 하기 구조를 갖는 것인 열 인터페이스 물질.
- 제2항에 있어서, 추가로 견과류 오일 유래의 에폭시 수지를 포함하는 열 인터페이스 물질.
- 제5항에 있어서, 상기 견과류 오일 유래의 에폭시 수지가 하기 구조중 하나 또는 둘 모두를 포함하는 열 인터페이스 물질:
- 제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 페닐 에스테르가 총 조성물에 대하여 5 내지 35 중량 백분율 범위의 양으로 존재하는 열 인터페이스 물질.
- 제2항 또는 제5항에 있어서, 상기 에폭시화 이량체 지방산이 총 조성물에 대하여 1 내지 10 중량 백분율 범위의 양으로 존재하는 열 인터페이스 물질.
- 제5항에 있어서, 상기 견과류 오일 유래의 에폭시 수지가 총 조성물에 대하여 1 내지 10 중량 백분율 범위의 양으로 존재하는 열 인터페이스 물질.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 열 전도성 충전제가 총 조성물에 대하여 50 내지 95 중량 백분율 범위의 양으로 존재하는 열 인터페이스 물질.
- 반도체 칩, 방열판, 및 그것들 사이에 제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항의 열 인터페이스 물질을 포함하는 조립체.
- 방열판, 히트 싱크, 및 그것들 사이에 제1항, 제2항 및 제5항 중 어느 한 항의 열 인터페이스 물질을 포함하는 조립체.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US26115209P | 2009-11-13 | 2009-11-13 | |
| US61/261,152 | 2009-11-13 | ||
| PCT/US2010/055924 WO2011059942A2 (en) | 2009-11-13 | 2010-11-09 | Thermal interface material with phenyl ester |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120096505A KR20120096505A (ko) | 2012-08-30 |
| KR101734603B1 true KR101734603B1 (ko) | 2017-05-11 |
Family
ID=43992353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020127015155A KR101734603B1 (ko) | 2009-11-13 | 2010-11-09 | 페닐 에스테르를 가진 열 인터페이스 물질 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120279697A1 (ko) |
| EP (1) | EP2499211A4 (ko) |
| JP (1) | JP5856972B2 (ko) |
| KR (1) | KR101734603B1 (ko) |
| CN (1) | CN102648266B (ko) |
| TW (1) | TWI491722B (ko) |
| WO (1) | WO2011059942A2 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9157019B2 (en) * | 2013-03-26 | 2015-10-13 | Jiali Wu | Thermal conductivity improved composition with addition of nano particles used for interface materials |
| WO2016196936A1 (en) * | 2015-06-04 | 2016-12-08 | Henkel IP & Holding GmbH | Thermally conductive interface formulations and methods thereof |
| WO2023074258A1 (ja) * | 2021-10-28 | 2023-05-04 | 東洋紡株式会社 | 活性エステル化合物 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008124797A1 (en) * | 2007-04-09 | 2008-10-16 | Designer Molecules, Inc. | Curatives for epoxy compositions |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3650637B2 (ja) * | 1994-10-26 | 2005-05-25 | ジャパンエポキシレジン株式会社 | エポキシ樹脂組成物 |
| JP2915379B2 (ja) * | 1996-06-18 | 1999-07-05 | レイセオン・カンパニー | 落下衝撃に耐える導電接着剤 |
| JP2003327845A (ja) * | 2002-05-14 | 2003-11-19 | Japan U-Pica Co Ltd | 耐衝撃性成形材料組成物 |
| US7108806B2 (en) * | 2003-02-28 | 2006-09-19 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Conductive materials with electrical stability and good impact resistance for use in electronics devices |
| JP2004266134A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | ダイボンディング用樹脂ペースト及びそれを用いた発光ダイオード |
| JP2006522491A (ja) * | 2003-04-02 | 2006-09-28 | ハネウエル・インターナシヨナル・インコーポレーテツド | 熱相互接続および界面システム、製造方法、およびその使用方法 |
| US7551346B2 (en) * | 2003-11-05 | 2009-06-23 | E Ink Corporation | Electro-optic displays, and materials for use therein |
| US7759421B2 (en) * | 2004-04-21 | 2010-07-20 | Achilles Corporation | Heat-stable soft resinous sheet articles and compositions therefor |
| US7312261B2 (en) * | 2004-05-11 | 2007-12-25 | International Business Machines Corporation | Thermal interface adhesive and rework |
| US20070179232A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Thermal Interface Material |
| US7825188B2 (en) * | 2006-12-19 | 2010-11-02 | Designer Molecules, Inc. | Thermoplastic elastomer with acyloxyphenyl hard block segment |
| KR100829071B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2008-05-19 | (주)디피아이 홀딩스 | 에폭시 수지, 이를 포함하는 에폭시 수지 조성물, 도료조성물 및 이를 이용한 도막의 형성 방법 |
| TW200934861A (en) * | 2008-02-01 | 2009-08-16 | Jun-Wei Su | Thermal interface material, manufacturing method thereof, and electronic device applying the material |
-
2010
- 2010-11-09 EP EP10830575.6A patent/EP2499211A4/en not_active Withdrawn
- 2010-11-09 WO PCT/US2010/055924 patent/WO2011059942A2/en active Application Filing
- 2010-11-09 JP JP2012538878A patent/JP5856972B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-09 CN CN201080051061.0A patent/CN102648266B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-11-09 KR KR1020127015155A patent/KR101734603B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-11 TW TW099138861A patent/TWI491722B/zh not_active IP Right Cessation
-
2012
- 2012-05-11 US US13/469,679 patent/US20120279697A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008124797A1 (en) * | 2007-04-09 | 2008-10-16 | Designer Molecules, Inc. | Curatives for epoxy compositions |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2499211A2 (en) | 2012-09-19 |
| US20120279697A1 (en) | 2012-11-08 |
| JP5856972B2 (ja) | 2016-02-10 |
| JP2013510926A (ja) | 2013-03-28 |
| KR20120096505A (ko) | 2012-08-30 |
| WO2011059942A3 (en) | 2011-09-09 |
| TW201134934A (en) | 2011-10-16 |
| EP2499211A4 (en) | 2018-01-17 |
| CN102648266A (zh) | 2012-08-22 |
| WO2011059942A2 (en) | 2011-05-19 |
| TWI491722B (zh) | 2015-07-11 |
| CN102648266B (zh) | 2014-10-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6841867B2 (en) | Gel thermal interface materials comprising fillers having low melting point and electronic packages comprising these gel thermal interface materials | |
| US7060747B2 (en) | Chain extension for thermal materials | |
| US6791839B2 (en) | Thermal interface materials and methods for their preparation and use | |
| US6469379B1 (en) | Chain extension for thermal materials | |
| US20030128521A1 (en) | Electronic packages having good reliability comprising low modulus thermal interface materials | |
| JP2009096961A (ja) | リワーク性に優れた熱伝導性シリコーングリース組成物 | |
| KR20150110580A (ko) | 열전도성 실리콘 조성물, 열전도성 층 및 반도체 장치 | |
| WO2004038732A1 (en) | Heat softening thermally conductive compositions and methods for their preparation | |
| KR101563042B1 (ko) | 에폭시화 너트쉘 오일을 포함하는 열전재 | |
| KR101734603B1 (ko) | 페닐 에스테르를 가진 열 인터페이스 물질 | |
| KR20150073950A (ko) | 반도체 장치 | |
| JP5047505B2 (ja) | 放熱性に優れる電子装置およびその製造方法 | |
| JP2008258254A (ja) | 熱伝導性接着剤及びそれを用いた放熱モジュール、電力変換装置 | |
| Kohli et al. | Advanced thermal interface materials for enhanced flip chip BGA | |
| JP3739335B2 (ja) | 放熱部材及びパワーモジュール | |
| KR100568429B1 (ko) | 자기점착성을 구비하는 열전도성 실리콘고무 조성물 | |
| JP7119528B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2022080051A (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| N231 | Notification of change of applicant | ||
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |