KR101726496B1 - 윤활제 없는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘 - Google Patents

윤활제 없는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘 Download PDF

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Abstract

마찰이 개선된 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 은, 서로 접촉하여 협동하도록 배열된 제 1 마찰 표면 (20) 과 제 2 마찰 표면 (30) 을 각각 포함하는, 제 1 컴포넌트 (2) 및 제 2 컴포넌트 (3) 를 포함하며, 여기서 제 2 마찰 표면 (30) 은 실리콘 (Si), 실리콘 다이옥사이드 (SiO2), 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘, 또는 실리콘과 실리콘 산화물의 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 취득된 적어도 하나의 실리콘 기반 재료를 포함하고, 여기서 제 1 마찰 표면 (20) 은 화학량 공식 Si3N4 의 고체 실리콘 질화물로 구성된 고체 엘리먼트의 표면에 의해 형성된다.

Description

윤활제 없는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘{TIMEPIECE ESCAPEMENT MECHANISM WITHOUT LUBRICATION}
본 발명은 서로 접촉하여 협동하도록 배열된 제 1 마찰 표면 및 제 2 마찰 표면을 각각 포함하는 제 1 컴포넌트와 제 2 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트들의 적어도 하나의 쌍을 포함하는, 마찰이 개선된 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘에 관한 것이다.
본 발명은 또한, 그러한 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 영구적으로 움직이는 컴포넌트들을 포함하는 타임피스 메커니즘들의 분야에 관한 것이고, 더 구체적으로 이스케이프먼트 메커니즘들의 분야에 관한 것이다.
타임피스 설계자들은 항상 타임피스 무브먼트들의 정확한 동작을 보장하면서, 유지보수 운용 빈도를 감소시키는 결과로 무브먼트들의 신뢰도를 증가시키도록 노력해왔다.
휠들과 피니언들 및 움직이는 컴포넌트들의 윤활은 해결하기 어려운 문제이다. 길이 마찰학 테스팅은 윤활을 간략하게 하거나 심지어 제거하기 위한 솔루션들을 개발하는데 요구된다.
더 구체적으로, 낮고 안정적인 마찰 계수 및 적은 마모를 갖는 마찰 접촉에서 재료들의 쌍들을 정의하는 것을 시도하고, 시간에 걸쳐 훌륭한 저항성을 나타냄으로써, 이스케이프먼트 메커니즘들의 윤활제 없는 동작을 달성하는 것이 요구된다.
CSEM 이라는 명칭의 EP 특허 출원 번호 제 0732635A1 호는, 규정되지 않은 구조에서 실리콘 질화물을 포함하는 마찰 표면을 갖는 마이크로기계 컴포넌트, 특히 이스케이프먼트의 팔레트 레버의 제조를 개시한다. 이 문헌은 마찰이 개선된 카운터-피스를 갖는 쌍을 예상한다: 이 문헌은 티타늄 탄화물 쌍에 비해 티타늄 질화물, 또는 실리콘 탄화물 쌍에 비해 티타늄 질화물을 언급한다.
Messrs Deng 및 Ko 에 의한 문헌 XP XP002734688, "A study of static friction between silicon and silicon compounds" 은 시간에 걸쳐 적은 마모를 위해 실리콘 질화물-실리콘 쌍의 정확한 마이크로공학들에서의 사용 및 개선된 마찰학을 설명한다.
Messrs Stoffel, Kovacs, Kronsat, Mueller 에 의한 문헌 XP002734924, "LPCVD against PECVD for micromechanical applications" 은 마찰 특성들을 보장하기 위해 PECVD 또는 LPCVD 에 의해 획득되는 비-화학량적 실리콘 질화물의 사용을 개시한다.
본 발명은 상기 문제에 대한 솔루션을 제공하는 것을 제안한다.
본 발명은 특히, 이스케이프먼트에서 고 성능 마찰 재료로서 실리콘 질화물의 활용에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 서로 접촉하여 협동하도록 배열된 제 1 마찰 표면 및 제 2 마찰 표면을 각각 포함하는 제 1 컴포넌트와 제 2 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트들의 적어도 하나의 쌍을 포함하는, 마찰이 개선된 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘에 관한 것으로, 제 2 마찰 표면은 실리콘 (Si), 실리콘 다이옥사이드 (SiO2), 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘, 또는 실리콘과 실리콘 산화물의 혼합물로부터 취득된 적어도 하나의 실리콘 기반 재료를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 제 1 마찰 표면은 화학량 공식 Si3N4 의 고체 실리콘 질화물로 구성된 고체 엘리먼트의 표면에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 또한, 그러한 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 실리콘 질화물의 층은 제 1 또는 제 2 마찰 표면들 중 하나를 형성하기 위해, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD) 에 의해 또는 화학 기상 증착 (CVD) 에 의해, 또는 캐소드 스퍼터링에 의해 기판에 적용되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 또한, 그러한 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 실리콘 질화물 컴포넌트는 상기 제 1 또는 제 2 마찰 표면들 (20; 30) 중 하나를 형성하기 위해 신터링에 의해 기판에 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 특징에 따르면, 제 1 마찰 표면 및 대향하는 제 2 표현에 의해 형성된 각 쌍은 Si3N4/Si 쌍으로 만들어진다.
본 발명의 다른 특징들 및 장점들은 첨부된 도면들을 참조하여 하기의 상세한 설명을 읽을때 명백할 것이다.
도 1 은 본 발명에 따라 배열된 접촉 표면들 상에 특히 이스케이프 휠과 접촉하여 협동하는 팔레트-스톤을 포함하는 이스케이프먼트 메커니즘의 개략적인 플랜 뷰를 도시한다.
도 2 는 대향하는 접촉 표면들 간에 협동의 개략적인 뷰를 도시한다.
도 3 은 본 발명에 따라 배열된 한 쌍의 컴포넌트들을 포함하는 이스케이프먼트 메커니즘을 포함하는 무브먼트를 포함하는 타임피스의 블록 다이어그램들을 도시한다.
도 4 는 상부 점선 곡선 상의 사파이어/다이아몬드형-카본 (또는 DLC) 쌍에 대하여, 그리고 하부 파선 곡선 상의 다이아몬드/다이아몬드형-카본 (또는 DLC) 쌍에 대하여, GPa-1 의 x 축 상의 접촉 압력의 역의 함수로서 y 축상에 마찰 계수를 도시하는 다이어그램이다.
도 5 는 Si3N4/나노결정질 다이아몬드 (또는 NCD) 쌍에 대하여,
- 상부 점선에서, 대시 선 곡선 상의 다이아몬드형 카본 (또는 DLC)/루비 쌍에 대하여,
- 그리고 중간의 파선 곡선에서 카본-주입형 실리콘/루비 쌍에 대하여,
- 그리고 하부의 거의 수평의 실선 곡선 상의 본 발명에 의해 선호되는 Si3N4/Si 쌍에 대하여 도 4 의 다이어그램과 유사한 다이어그램이다.
본 발명은 타임피스 이스케이프먼트가 윤활제 없이 동작하는 것을 허용하는 재료로서 실리콘 질화물의 활용에 관한 것이다.
언어의 편리함을 위해, "실리콘 질화물" 은:
- 거의 일반적인 경우에 또는 얇은 층에서 고체일 수도 있는 화학량적 실리콘 (Si3N4);
- 또는 바람직하게 얇은 층에 적용되지만 또한 고체 컴포넌트로 형성될 수도 있는, 비-화학량적 화합물 SixNyHz (여기서 x 는 1 과 동일하고, y 는 0.8 과 5.0 사이에 포함되며, z 는 0.00 과 0.70 사이, 및 더 구체적으로 0.04 와 0.70 사이에 포함됨)
로 형성된 넓은 관점의 재료에서 사용될 것이다.
"고체 (solid)" 는 여기에서 최소 치수가 0.10 mm 보다 큰 컴포넌트를 의미하지만, "얇은 층" 의 최소 치수는 10 마이크로미터 미만이고, 바람직하게 1 마이크로미터 미만이다.
사실, 테스트들은 실리콘 또는 실리콘 산화물에 비해 실리콘 질화물의 마찰이 타임피스 메커니즘에서 및 더 구체적으로 이스케이프먼트 메커니즘의 경우에 특히 바람직한 특성들을 보이는 것을 확립했다.
상기 마찰 쌍은 넓은 힘-속도 범위 (1mN - 100 mN 및 1 cm/s - 10 cm/s) 에 걸쳐 0.17 미만의 낮은 마찰 계수를 갖는다.
이하 언급되는 저자들의 작업은, 강한 탄성의 재료들에 대하여, 압력의 함수로서 전단 응력에 있어서의 증가로 인해, 마찰 계수는 통상적으로 타입: μ=S/P+α 의 도 4 에 의해 예시된 규칙을 따라 변화하는 것을 증명하며, 여기서 S: 전단 응력 한계, P: 헤르츠 압력, α: 파라미터이다.
파라미터 S 는 압력의 함수로써 그 쌍의 의존도를 결정하고, 결과적으로 접촉 압력들 및 접촉력들이 상당히 변화하는 이스케이프먼트에서 건조 마찰의 경우에 고려하기에 특별히 유용하다.
다른 마찰 쌍들과 비교하여, 실리콘 질화물/Si 또는 실리콘 질화물/SiO2 쌍들은 도 5 에 도시된 것과 같이 정상적인 적용된 힘의 함수로서 마찰 계수의 낮은 의존도를 보인다. 이 결과, 매우 낮은 파라미터 S 를 발생한다. 상기 거동은, 수직력이 접촉들 또는 충돌들 동안 통상적으로 0 내지 100 nM 만큼 상당히 변화하기 때문에, 이스케이프먼트에서 특히 유용하다. 접촉의 손실 및 접촉 동안, 실리콘 질화물은 통상적으로 이스케이프먼트의 임계 동작 임계치로서 고려되는 값인, 0.2 미만의 낮은 마찰 계수를 유지한다.
따라서 본 발명은 상기의 결과들에 기초하여 마찰이 개선된, 타임피스 메커니즘 및 특히 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 에 관한 것이다.
따라서, 본 발명에 따르면, 상기 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 은 서로 접촉하여 협동하도록 배열된 제 1 마찰 표면 (20) 과 제 2 마찰 표면 (30) 을 각각 포함하는, 제 1 컴포넌트 (2) 및 제 2 컴포넌트 (3) 를 포함하는 컴포넌트들의 적어도 하나의 쌍을 포함한다.
제 1 마찰 표면 (20, 30) 은 화학량적 실리콘 질화물 (Si3N4) 또는 비-화학량적 실리콘 질화물 (SixNyHz) 인 실리콘 질화물을 포함하며, 여기서 x 는 1 과 동일하고, y 는 0.8 과 5.0 사이에 포함되며, z 는 0.00 과 0.70 사이에 포함된다.
제 2 마찰 표면 (30, 20) 은 실리콘 (Si), 실리콘 다이옥사이드 (SiO2), 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘, 또는 실리콘과 실리콘 산화물의 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 취득된 적어도 하나의 실리콘 기반 재료를 포함한다.
"비정질 실리콘 (a-Si)" 은 여기에서 비정질 구조의 50 nm 내지 10 마이크로미터의 얇은 층에서 PECVD 에 의해 퇴적된 실리콘을 의미하며; 이는 또한 수소화되거나 n-타입 도핑되거나 p-타입 도핑될 수도 있다.
"다결정 실리콘 (p-Si)" 은 여기에서 마이크로결정질 실리콘의 그레인들로 형성되고 LPCVD 에 의해 퇴적된 실리콘을 의미하며, 그레인 사이즈는 10 nm 부터 1000 nm 까지이고; 이는 또한 n-타입 도핑되거나 p-타입 도핑될 수도 있다. E 는 160 GPa 에 인접하다.
"다공성 실리콘" 은 여기서 아노다이징 (전해질 HF 및 전류) 에 기초하여 복잡한 제작 프로세스에 따라 만들어진, 2 nm 내지 10 마이크로미터의 공극 사이즈를 갖는 재료를 의미한다.
특히, 이들 제 1 또는 제 2 마찰 표면들 (20, 30) 중 적어도 하나는, 바람직하게 화학량적 공식 Si3N4 에서 비-제한적 방식으로가 아니라 고체 실리콘 질화물로 구성된 고체 엘리먼트의 표면에 의해, 또는 바람직하게 비-화학량적 구성 SixNyHz 에 제한되지 않은 얇은 층의 표면에 의해 형성되며, 여기서 x 는 1 과 동일하고, y 는 0.8 과 5.0 사이에 포함되며, z 는 0.00 과 0.70 사이에 포함된다.
더 구체적으로, z 는 0.04 와 0.70 사이에 포함된다.
실리콘 질화물을 포함하는 제 1 마찰 표면과 동일한 방식으로, 제 2 마찰 표면은 고체 컴포넌트의 표면 또는 얇은 층의 표면일 수도 있다.
본 발명의 특히 유리한 응용은, Si + SiO2 로 구성된 휠들과 접촉하는, Si3N4 로 구성된 팔레트-스톤들의 협동이다.
다른 유리한 응용은, Si + SiO2 로 구성된 단일 피스 팔레트 레버 또는 Si + SiO2 로 구성된 팔레트-스톤들이 제공된 종래의 팔레트 레버와 마찰 접촉하는, 예를 들면 레이저 절단 또는 그와 유사하게 Si3N4 로 구성된 휠들을 갖는 "고체 실리콘 질화물" 응용에 관련된다.
시계학에서 사용될 수 있는 조합들은 특히, 다음과 같다:
- 얇은 층들에서의 임의의 형태의 실리콘 질화물, 또는 고체 실리콘 질화물로 구성된 팔레트-스톤들과 협동하는, 임의의 형태의 SiO2, 고체 석영 SiO2, Si + SiO2 로 구성된 휠;
- 임의의 형태의 SiO2, 특히 고체 Si + SiO2, SiO2 로 구성된 팔레스-스톤들과 협동하는, 임의의 형태의 질화물, Si + 실리콘 질화물, 고체 실리콘 질화물로 구성된 휠들;
- 팔레트-스톤들은 팔레트 레버와 단일 피스로 만들어질 수도 있다.
유리한 응용은 산화된 Si 로 구성된 휠, 및 고체 Si3N4 로 구성된 팔레트-스톤들 또는 실리콘 질화물로 코팅된 산화된 Si 로 구성된 팔레트-스톤들과 관련된다.
특정 변형에서, 제 1 마찰 표면 (20) 및 제 2 마찰 표면 (30) 은 각각 실리콘 질화물을 포함한다.
본 발명의 유리한 구현에서, 마찰 표면들 (20, 30) 중 실리콘 질화물을 포함하는 마찰 표면은 실리콘 질화물 (Si3N4) 을 포함하거나 실리콘 질화물 (Si3N4) 로 형성된다.
바람직하게, 실리콘 질화물을 포함하는 마찰 표면 (20, 30) 은 2 마이크로미터 미만의 두께의 실리콘 질화물 층의 표면이다.
바람직하게, 그러한 실리콘 질화물 층의 두께는 50 nm 와 1000 nm 사이에 포함된다. 더 구체적으로, 실리콘 질화물의 이러한 얇은 층의 두께는 50 나노미터와 500 나노미터 사이에 포함된다.
본 발명의 특정 변형에서, 실리콘 질화물을 포함하는 마찰 표면 (20, 30) 은 석영 또는 실리콘 또는 실리콘 산화물, 또는 실리콘과 실리콘 산화물의 혼합물로 형성된 기판을 커버하는 실리콘 질화물 층의 표면이다.
특정 변형에서, 실리콘 질화물을 포함하는 표면 (20, 30) 을 대향하는 마찰 표면 (30, 20) 은 실리콘 (Si), 실리콘 다이옥사이드 (SiO2), 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘을 포함하는 그룹으로부터 취득된 적어도 하나의 실리콘 기반 재료를 포함하며, 상기 그룹으로부터 취득된 하나 이상의 실리콘 기반 재료로만 형성된 층의 표면이다.
도 5 에 도시된 것과 같이, Si3N4/Si 쌍은 윤활제를 전혀 요구하지 않고, 마찰 토크가 실질적으로 일정한, 특별히 유리한 결과들을 제공한다.
실제로, 도 5 의 다양한 쌍들에 대응하는 실험적 포인트들 사이에 평균 선의 형상을 제공하는 식들은:
상부 점선 곡선 상의 Si3N4/나노결정질 다이아몬드 (또는 NCD) 쌍에 대하여 Y=0.1356X-0.0068,
- 대시 선 곡선 상의 다이아몬드형 카본 (또는 DLC)/루비 쌍에 대하여 Y=0.0288X+0.0928,
- 중간의 파선 곡선 상의 카본-주입형 실리콘/루비 쌍에 대하여 Y=0.0097X+0.1302,
- 하부의 거의 수평의 실선 곡선 상의 본 발명에 의해 선호되는 Si3N4/Si 쌍에 대하여 Y=0.0024X+0.1362 이다.
본 발명은 또한 그러한 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 을 제조하는 방법에 관한 것이다.
상기 방법에 따르면, 실리콘 질화물의 층은 이들 제 1 또는 제 2 마찰 표면들 (20, 30) 중 하나를 형성하기 위해, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD) 에 의해 또는 화학 기상 증착 (CVD) 에 의해 또는 캐소드 스퍼터링에 의해 기판에 적용된다.
더 구체적으로, 실리콘 질화물 컴포넌트는 제 1 또는 제 2 마찰 표면들 (20, 30) 중 하나를 형성하기 위해, 신터링에 의해 또는 고체 프로세싱에 의해, 앞서 정의된 것과 같이 최소 치수가 0.10 mm 보다 큰 고체 컴포넌트의 형태로, 기판에 만들어진다.
특히, 실리콘 질화물을 포함하거나 실리콘 질화물로 형성된 층의 퇴적을 위해, MEMS 에 특화된 당업자에게 알려진 기술들 중 하나 이상이 사용될 수도 있다. LPCVD (low-pressure chemical vapour deposition), PECVD (plasma enhanced chemical vapour deposition), CVD (chemical vapour deposition), ALD (atomic layer deposition), 캐소드 스퍼터링, 이온 주입 및 유사 프로세스들이 사용될 수도 있다.
바람직하게, 0.2 와 1.2 사이의 Si/N 비율이 사용될 것이다. 더 구체적으로, 0.4 의 Si/N 값은 화학량적이다 (Gardeniers 등에 따라, Si 에서 풍부한 실리콘 질화물, 낮은 응력 또는 압축의 SixNyHz).
바람직하게, 2% H 와 30% H 사이의 수소 농도가 선택될 것이다.
바람직하게, 비-제한적인 방식으로, 통상의 Si 기판이 선택될 것이다.
서브-층과 관련하여, SiO2 는 비-제한적인 방식으로, 통상적으로 50 nm 와 2000 nm 사이의 두께, 또는 폴리-Si, SiC 등에서 선택될 수도 있다.
실리콘 질화물 퇴적과 관련된 기술적 제한들은 MEMS 분야의 당업자에게 알려져 있다.
따라서, 실리콘 질화물 층의 두께는 바람직하게 50 nm 와 1000 nm 사이에 포함된다.
실리콘 질화물의 압축 상태와 관련하여, Si 의 농도에 있어서의 증가는 실리콘 질화물에서의 장력들을 감소시키고 심지어 그 질화물을 압축력이 있게 할 수도 있는 것이 MEMS 에서 특화된 당업자에게 알려져있다. 압축 응력을 갖는 재료들은 일반적으로 마찰 마모에 있어서 감소를 발생하는 것으로 알려져 있다. 이는 Si 풍부 실리콘 질화물에 대응한다.
본 발명의 적절한 구현을 위해, 실리콘 질화물 층이 기판에 적절히 부착되고, 그 재료들의 탄성률이 너무 멀어지지 않도록 하는 것이 중요하다. 근본적인 재료들의 본질은 덜 중요하다. 실리콘 질화물 층이 100 nm 에 인접한 두께를 초과할 경우, 마찰은 상기 실리콘 질화물 층에 의해 결정된다.
단일-피스 Si3N4 로 구성된 팔레스 스톤들은 당업자에게 알려진 다결정 루비의 제조를 위해 사용된 것과 동일한 기술들에 의해 생성될 수도 있다.
또한, 현재에 달성하는 것은 어렵지만, 유리하게 예컨대, SiO2 로 구성된 휠에 비해 실리콘 질화물의 팔레트-스톤에 대하여, Si 또는 SiO2 와 마찰 접촉하는 고체 실리콘 질화물을 고려하는 것이 가능하다.
본 발명은 다수의 장점들을 갖는다:
- 마찰 속도의 함수로서 마찰 계수의 의존도가 낮다. 그 속도는 통상적으로 0 cm/s 와 3 cm/s 사이에서 변화하기 때문에, 이스케이프먼트의 경우에 특히 유용하다.
- 속도 및 압력의 함수로서 안정적인 마찰 계수는 일반적으로 마찰 접촉하는 재료들의 가속화된 열화를 발생하는, 스틱-슬립의 출현의 위험을 감소시킨다.
- 마찰에 불히나 제 3 바디를 형성하는 위험이 없다.
- 주변 매체와의 클리닝, 열화, 상호작용에 영향받지 않게 하는, 특히 그 화학량적 형태 Si3N4 에서 실리콘 질화물의 화학적 반응성이 낮다.
- 마모가 적다.
실리콘 질화물은 또한, 특히 PECVD 코팅에 의해 특히 실리콘 또는 실리콘 산화물 상에서 간단한 구현의 장점을 갖는다. 이러한 퇴적 방법은 실리콘 산업에서 널리 알려져 있고 사용된다.
본 발명은 다양한 형태들로 실리콘 질화물의 사용을 허용한다: PECVD, CVD, 캐소드 스퍼터링, 고체, 신터링, 등등에 의한 퇴적.
본 발명은 비-제한적인 파트너들, 예컨대: Si, SiO2, 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘과 실리콘 질화물의 마찰 접촉을 포함한다.
당업자는 다음 출판물들을 참조할 수도 있다:
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[3]: P.W. Bridgeman, “shearing phenomena at high pressures particularly in inorganic compounds,” Proc. Am. Acad. Arts Sci. 71, 387, 1936.

Claims (11)

  1. 마찰이 개선된 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 으로서,
    서로 접촉하여 협동하도록 배열된 제 1 마찰 표면 (20) 과 제 2 마찰 표면 (30) 을 각각 포함하는, 제 1 컴포넌트 (2) 및 제 2 컴포넌트 (3) 를 포함하는 컴포넌트들의 적어도 하나의 쌍을 포함하며,
    상기 제 2 마찰 표면 (30) 은 실리콘 (Si), 실리콘 다이옥사이드 (SiO2), 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘, 또는 실리콘과 실리콘 산화물의 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 취득된 적어도 하나의 실리콘 기반 재료를 포함하고,
    상기 제 1 마찰 표면 (20) 은 화학량 공식 Si3N4 의 고체 실리콘 질화물로 구성된 고체 엘리먼트의 표면에 의해 형성되고,
    상기 적어도 하나의 쌍은, 윤활제를 요구하는 것 없이, 1 mN 내지 100 mN 및 1 cm/s 내지 10 cm/s 의 힘-속도 범위에 걸쳐 0.17 미만의 마찰계수를 가지고, 상기 제 1 마찰 표면 (20) 은 1000 나노미터 미만의 두께의 실리콘 질화물 층의 표면인 것을 특징으로 하는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 마찰 표면 (20) 은 50 나노미터와 500 나노미터 사이의 두께의 실리콘 질화물 층의 표면인 것을 특징으로 하는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘.
  4. 제 1 항에 있어서,
    실리콘 (Si), 실리콘 다이옥사이드 (SiO2), 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘을 포함하는 그룹으로부터 취득된 적어도 하나의 실리콘 기반 재료를 포함하는 상기 제 2 마찰 표면 (30) 은, 상기 그룹으로부터 취득된 하나 이상의 실리콘 기반 재료들로만 형성된 층의 표면인 것을 특징으로 하는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘은, 상기 제 1 마찰 표면 (20) 을 포함하는 상기 제 1 컴포넌트 (2) 를 각각 형성하는 팔레트-스톤들 (25) 을 포함하고, 상기 팔레트-스톤들 (25) 은 상기 제 2 마찰 표면 (30) 을 포함하는 상기 제 2 컴포넌트 (3) 를 형성하는 이스케이프 휠 (35) 과 협동하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘.
  6. 제 1 항에 기재된 적어도 하나의 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 을 포함하는 타임피스 무브먼트 (200).
  7. 제 6 항에 기재된 적어도 하나의 타임피스 무브먼트 (200) 또는 제 1 항에 기재된 적어도 하나의 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 을 포함하는, 타임피스 (300).
  8. 제 1 항에 기재된 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 을 제조하는 방법으로서,
    실리콘 질화물의 층이 상기 제 2 마찰 표면 (30) 을 형성하기 위해, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD) 에 의해, 또는 화학 기상 증착 (CVD) 의해, 또는 캐소드 스퍼터링에 의해 기판에 적용되는 것을 특징으로 하는 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법.
  9. 제 1 항에 기재된 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 을 제조하는 방법으로서,
    실리콘 질화물 컴포넌트는 상기 제 1 마찰 표면 (20) 또는 상기 제 2 마찰 표면 (30) 중 하나를 형성하기 위해 신터링에 의해 기판에 만들어지는 것을 특징으로 하는 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법.
  10. 제 1 항에 기재된 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 을 제조하는 방법으로서,
    실리콘 질화물 컴포넌트는 상기 제 1 마찰 표면 (20) 또는 상기 제 2 마찰 표면 (30) 중 하나를 형성하기 위해 프로세싱에 의해 최소 치수가 0.10 mm 보다 큰 고체 컴포넌트의 형태로 기판에 만들어지는 것을 특징으로 하는 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법.
  11. 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
    대향하는 제 1 마찰 표면 (20) 및 제 2 마찰 표면 (30) 에 의해 형성된 각 쌍은 Si3N4/Si 쌍으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법.
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