KR101726496B1 - 윤활제 없는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘 - Google Patents
윤활제 없는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101726496B1 KR101726496B1 KR1020150064062A KR20150064062A KR101726496B1 KR 101726496 B1 KR101726496 B1 KR 101726496B1 KR 1020150064062 A KR1020150064062 A KR 1020150064062A KR 20150064062 A KR20150064062 A KR 20150064062A KR 101726496 B1 KR101726496 B1 KR 101726496B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- silicon
- friction surface
- friction
- silicon nitride
- escapement mechanism
- Prior art date
Links
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 title claims abstract description 26
- 238000005461 lubrication Methods 0.000 title description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 59
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 23
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims abstract description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 4
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000002783 friction material Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052961 molybdenite Inorganic materials 0.000 description 1
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052982 molybdenum disulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002114 nanocomposite Substances 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
- G04B15/00—Escapements
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04D—APPARATUS OR TOOLS SPECIALLY DESIGNED FOR MAKING OR MAINTAINING CLOCKS OR WATCHES
- G04D3/00—Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials
- G04D3/0074—Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials for treatment of the material, e.g. surface treatment
- G04D3/0087—Watchmakers' or watch-repairers' machines or tools for working materials for treatment of the material, e.g. surface treatment for components of the escapement mechanism, e.g. lever escapement, escape wheel
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
- G04B15/00—Escapements
- G04B15/06—Free escapements
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/34—Nitrides
- C23C16/345—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
- G04B15/00—Escapements
- G04B15/14—Component parts or constructional details, e.g. construction of the lever or the escape wheel
-
- G—PHYSICS
- G04—HOROLOGY
- G04B—MECHANICALLY-DRIVEN CLOCKS OR WATCHES; MECHANICAL PARTS OF CLOCKS OR WATCHES IN GENERAL; TIME PIECES USING THE POSITION OF THE SUN, MOON OR STARS
- G04B17/00—Mechanisms for stabilising frequency
- G04B17/04—Oscillators acting by spring tension
- G04B17/06—Oscillators with hairsprings, e.g. balance
- G04B17/066—Manufacture of the spiral spring
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Lubricants (AREA)
Abstract
마찰이 개선된 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 은, 서로 접촉하여 협동하도록 배열된 제 1 마찰 표면 (20) 과 제 2 마찰 표면 (30) 을 각각 포함하는, 제 1 컴포넌트 (2) 및 제 2 컴포넌트 (3) 를 포함하며, 여기서 제 2 마찰 표면 (30) 은 실리콘 (Si), 실리콘 다이옥사이드 (SiO2), 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘, 또는 실리콘과 실리콘 산화물의 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 취득된 적어도 하나의 실리콘 기반 재료를 포함하고, 여기서 제 1 마찰 표면 (20) 은 화학량 공식 Si3N4 의 고체 실리콘 질화물로 구성된 고체 엘리먼트의 표면에 의해 형성된다.
Description
본 발명은 서로 접촉하여 협동하도록 배열된 제 1 마찰 표면 및 제 2 마찰 표면을 각각 포함하는 제 1 컴포넌트와 제 2 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트들의 적어도 하나의 쌍을 포함하는, 마찰이 개선된 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘에 관한 것이다.
본 발명은 또한, 그러한 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명은 영구적으로 움직이는 컴포넌트들을 포함하는 타임피스 메커니즘들의 분야에 관한 것이고, 더 구체적으로 이스케이프먼트 메커니즘들의 분야에 관한 것이다.
타임피스 설계자들은 항상 타임피스 무브먼트들의 정확한 동작을 보장하면서, 유지보수 운용 빈도를 감소시키는 결과로 무브먼트들의 신뢰도를 증가시키도록 노력해왔다.
휠들과 피니언들 및 움직이는 컴포넌트들의 윤활은 해결하기 어려운 문제이다. 길이 마찰학 테스팅은 윤활을 간략하게 하거나 심지어 제거하기 위한 솔루션들을 개발하는데 요구된다.
더 구체적으로, 낮고 안정적인 마찰 계수 및 적은 마모를 갖는 마찰 접촉에서 재료들의 쌍들을 정의하는 것을 시도하고, 시간에 걸쳐 훌륭한 저항성을 나타냄으로써, 이스케이프먼트 메커니즘들의 윤활제 없는 동작을 달성하는 것이 요구된다.
CSEM 이라는 명칭의 EP 특허 출원 번호 제 0732635A1 호는, 규정되지 않은 구조에서 실리콘 질화물을 포함하는 마찰 표면을 갖는 마이크로기계 컴포넌트, 특히 이스케이프먼트의 팔레트 레버의 제조를 개시한다. 이 문헌은 마찰이 개선된 카운터-피스를 갖는 쌍을 예상한다: 이 문헌은 티타늄 탄화물 쌍에 비해 티타늄 질화물, 또는 실리콘 탄화물 쌍에 비해 티타늄 질화물을 언급한다.
Messrs Deng 및 Ko 에 의한 문헌 XP XP002734688, "A study of static friction between silicon and silicon compounds" 은 시간에 걸쳐 적은 마모를 위해 실리콘 질화물-실리콘 쌍의 정확한 마이크로공학들에서의 사용 및 개선된 마찰학을 설명한다.
Messrs Stoffel, Kovacs, Kronsat, Mueller 에 의한 문헌 XP002734924, "LPCVD against PECVD for micromechanical applications" 은 마찰 특성들을 보장하기 위해 PECVD 또는 LPCVD 에 의해 획득되는 비-화학량적 실리콘 질화물의 사용을 개시한다.
본 발명은 상기 문제에 대한 솔루션을 제공하는 것을 제안한다.
본 발명은 특히, 이스케이프먼트에서 고 성능 마찰 재료로서 실리콘 질화물의 활용에 관한 것이다.
이를 위해, 본 발명은 서로 접촉하여 협동하도록 배열된 제 1 마찰 표면 및 제 2 마찰 표면을 각각 포함하는 제 1 컴포넌트와 제 2 컴포넌트를 포함하는 컴포넌트들의 적어도 하나의 쌍을 포함하는, 마찰이 개선된 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘에 관한 것으로, 제 2 마찰 표면은 실리콘 (Si), 실리콘 다이옥사이드 (SiO2), 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘, 또는 실리콘과 실리콘 산화물의 혼합물로부터 취득된 적어도 하나의 실리콘 기반 재료를 포함하는 것을 특징으로 하고, 상기 제 1 마찰 표면은 화학량 공식 Si3N4 의 고체 실리콘 질화물로 구성된 고체 엘리먼트의 표면에 의해 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 또한, 그러한 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 실리콘 질화물의 층은 제 1 또는 제 2 마찰 표면들 중 하나를 형성하기 위해, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD) 에 의해 또는 화학 기상 증착 (CVD) 에 의해, 또는 캐소드 스퍼터링에 의해 기판에 적용되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 또한, 그러한 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 실리콘 질화물 컴포넌트는 상기 제 1 또는 제 2 마찰 표면들 (20; 30) 중 하나를 형성하기 위해 신터링에 의해 기판에 만들어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 특징에 따르면, 제 1 마찰 표면 및 대향하는 제 2 표현에 의해 형성된 각 쌍은 Si3N4/Si 쌍으로 만들어진다.
본 발명의 다른 특징들 및 장점들은 첨부된 도면들을 참조하여 하기의 상세한 설명을 읽을때 명백할 것이다.
도 1 은 본 발명에 따라 배열된 접촉 표면들 상에 특히 이스케이프 휠과 접촉하여 협동하는 팔레트-스톤을 포함하는 이스케이프먼트 메커니즘의 개략적인 플랜 뷰를 도시한다.
도 2 는 대향하는 접촉 표면들 간에 협동의 개략적인 뷰를 도시한다.
도 3 은 본 발명에 따라 배열된 한 쌍의 컴포넌트들을 포함하는 이스케이프먼트 메커니즘을 포함하는 무브먼트를 포함하는 타임피스의 블록 다이어그램들을 도시한다.
도 4 는 상부 점선 곡선 상의 사파이어/다이아몬드형-카본 (또는 DLC) 쌍에 대하여, 그리고 하부 파선 곡선 상의 다이아몬드/다이아몬드형-카본 (또는 DLC) 쌍에 대하여, GPa-1 의 x 축 상의 접촉 압력의 역의 함수로서 y 축상에 마찰 계수를 도시하는 다이어그램이다.
도 5 는 Si3N4/나노결정질 다이아몬드 (또는 NCD) 쌍에 대하여,
- 상부 점선에서, 대시 선 곡선 상의 다이아몬드형 카본 (또는 DLC)/루비 쌍에 대하여,
- 그리고 중간의 파선 곡선에서 카본-주입형 실리콘/루비 쌍에 대하여,
- 그리고 하부의 거의 수평의 실선 곡선 상의 본 발명에 의해 선호되는 Si3N4/Si 쌍에 대하여 도 4 의 다이어그램과 유사한 다이어그램이다.
도 1 은 본 발명에 따라 배열된 접촉 표면들 상에 특히 이스케이프 휠과 접촉하여 협동하는 팔레트-스톤을 포함하는 이스케이프먼트 메커니즘의 개략적인 플랜 뷰를 도시한다.
도 2 는 대향하는 접촉 표면들 간에 협동의 개략적인 뷰를 도시한다.
도 3 은 본 발명에 따라 배열된 한 쌍의 컴포넌트들을 포함하는 이스케이프먼트 메커니즘을 포함하는 무브먼트를 포함하는 타임피스의 블록 다이어그램들을 도시한다.
도 4 는 상부 점선 곡선 상의 사파이어/다이아몬드형-카본 (또는 DLC) 쌍에 대하여, 그리고 하부 파선 곡선 상의 다이아몬드/다이아몬드형-카본 (또는 DLC) 쌍에 대하여, GPa-1 의 x 축 상의 접촉 압력의 역의 함수로서 y 축상에 마찰 계수를 도시하는 다이어그램이다.
도 5 는 Si3N4/나노결정질 다이아몬드 (또는 NCD) 쌍에 대하여,
- 상부 점선에서, 대시 선 곡선 상의 다이아몬드형 카본 (또는 DLC)/루비 쌍에 대하여,
- 그리고 중간의 파선 곡선에서 카본-주입형 실리콘/루비 쌍에 대하여,
- 그리고 하부의 거의 수평의 실선 곡선 상의 본 발명에 의해 선호되는 Si3N4/Si 쌍에 대하여 도 4 의 다이어그램과 유사한 다이어그램이다.
본 발명은 타임피스 이스케이프먼트가 윤활제 없이 동작하는 것을 허용하는 재료로서 실리콘 질화물의 활용에 관한 것이다.
언어의 편리함을 위해, "실리콘 질화물" 은:
- 거의 일반적인 경우에 또는 얇은 층에서 고체일 수도 있는 화학량적 실리콘 (Si3N4);
- 또는 바람직하게 얇은 층에 적용되지만 또한 고체 컴포넌트로 형성될 수도 있는, 비-화학량적 화합물 SixNyHz (여기서 x 는 1 과 동일하고, y 는 0.8 과 5.0 사이에 포함되며, z 는 0.00 과 0.70 사이, 및 더 구체적으로 0.04 와 0.70 사이에 포함됨)
로 형성된 넓은 관점의 재료에서 사용될 것이다.
"고체 (solid)" 는 여기에서 최소 치수가 0.10 mm 보다 큰 컴포넌트를 의미하지만, "얇은 층" 의 최소 치수는 10 마이크로미터 미만이고, 바람직하게 1 마이크로미터 미만이다.
사실, 테스트들은 실리콘 또는 실리콘 산화물에 비해 실리콘 질화물의 마찰이 타임피스 메커니즘에서 및 더 구체적으로 이스케이프먼트 메커니즘의 경우에 특히 바람직한 특성들을 보이는 것을 확립했다.
상기 마찰 쌍은 넓은 힘-속도 범위 (1mN - 100 mN 및 1 cm/s - 10 cm/s) 에 걸쳐 0.17 미만의 낮은 마찰 계수를 갖는다.
이하 언급되는 저자들의 작업은, 강한 탄성의 재료들에 대하여, 압력의 함수로서 전단 응력에 있어서의 증가로 인해, 마찰 계수는 통상적으로 타입: μ=S/P+α 의 도 4 에 의해 예시된 규칙을 따라 변화하는 것을 증명하며, 여기서 S: 전단 응력 한계, P: 헤르츠 압력, α: 파라미터이다.
파라미터 S 는 압력의 함수로써 그 쌍의 의존도를 결정하고, 결과적으로 접촉 압력들 및 접촉력들이 상당히 변화하는 이스케이프먼트에서 건조 마찰의 경우에 고려하기에 특별히 유용하다.
다른 마찰 쌍들과 비교하여, 실리콘 질화물/Si 또는 실리콘 질화물/SiO2 쌍들은 도 5 에 도시된 것과 같이 정상적인 적용된 힘의 함수로서 마찰 계수의 낮은 의존도를 보인다. 이 결과, 매우 낮은 파라미터 S 를 발생한다. 상기 거동은, 수직력이 접촉들 또는 충돌들 동안 통상적으로 0 내지 100 nM 만큼 상당히 변화하기 때문에, 이스케이프먼트에서 특히 유용하다. 접촉의 손실 및 접촉 동안, 실리콘 질화물은 통상적으로 이스케이프먼트의 임계 동작 임계치로서 고려되는 값인, 0.2 미만의 낮은 마찰 계수를 유지한다.
따라서 본 발명은 상기의 결과들에 기초하여 마찰이 개선된, 타임피스 메커니즘 및 특히 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 에 관한 것이다.
따라서, 본 발명에 따르면, 상기 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 은 서로 접촉하여 협동하도록 배열된 제 1 마찰 표면 (20) 과 제 2 마찰 표면 (30) 을 각각 포함하는, 제 1 컴포넌트 (2) 및 제 2 컴포넌트 (3) 를 포함하는 컴포넌트들의 적어도 하나의 쌍을 포함한다.
제 1 마찰 표면 (20, 30) 은 화학량적 실리콘 질화물 (Si3N4) 또는 비-화학량적 실리콘 질화물 (SixNyHz) 인 실리콘 질화물을 포함하며, 여기서 x 는 1 과 동일하고, y 는 0.8 과 5.0 사이에 포함되며, z 는 0.00 과 0.70 사이에 포함된다.
제 2 마찰 표면 (30, 20) 은 실리콘 (Si), 실리콘 다이옥사이드 (SiO2), 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘, 또는 실리콘과 실리콘 산화물의 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 취득된 적어도 하나의 실리콘 기반 재료를 포함한다.
"비정질 실리콘 (a-Si)" 은 여기에서 비정질 구조의 50 nm 내지 10 마이크로미터의 얇은 층에서 PECVD 에 의해 퇴적된 실리콘을 의미하며; 이는 또한 수소화되거나 n-타입 도핑되거나 p-타입 도핑될 수도 있다.
"다결정 실리콘 (p-Si)" 은 여기에서 마이크로결정질 실리콘의 그레인들로 형성되고 LPCVD 에 의해 퇴적된 실리콘을 의미하며, 그레인 사이즈는 10 nm 부터 1000 nm 까지이고; 이는 또한 n-타입 도핑되거나 p-타입 도핑될 수도 있다. E 는 160 GPa 에 인접하다.
"다공성 실리콘" 은 여기서 아노다이징 (전해질 HF 및 전류) 에 기초하여 복잡한 제작 프로세스에 따라 만들어진, 2 nm 내지 10 마이크로미터의 공극 사이즈를 갖는 재료를 의미한다.
특히, 이들 제 1 또는 제 2 마찰 표면들 (20, 30) 중 적어도 하나는, 바람직하게 화학량적 공식 Si3N4 에서 비-제한적 방식으로가 아니라 고체 실리콘 질화물로 구성된 고체 엘리먼트의 표면에 의해, 또는 바람직하게 비-화학량적 구성 SixNyHz 에 제한되지 않은 얇은 층의 표면에 의해 형성되며, 여기서 x 는 1 과 동일하고, y 는 0.8 과 5.0 사이에 포함되며, z 는 0.00 과 0.70 사이에 포함된다.
더 구체적으로, z 는 0.04 와 0.70 사이에 포함된다.
실리콘 질화물을 포함하는 제 1 마찰 표면과 동일한 방식으로, 제 2 마찰 표면은 고체 컴포넌트의 표면 또는 얇은 층의 표면일 수도 있다.
본 발명의 특히 유리한 응용은, Si + SiO2 로 구성된 휠들과 접촉하는, Si3N4 로 구성된 팔레트-스톤들의 협동이다.
다른 유리한 응용은, Si + SiO2 로 구성된 단일 피스 팔레트 레버 또는 Si + SiO2 로 구성된 팔레트-스톤들이 제공된 종래의 팔레트 레버와 마찰 접촉하는, 예를 들면 레이저 절단 또는 그와 유사하게 Si3N4 로 구성된 휠들을 갖는 "고체 실리콘 질화물" 응용에 관련된다.
시계학에서 사용될 수 있는 조합들은 특히, 다음과 같다:
- 얇은 층들에서의 임의의 형태의 실리콘 질화물, 또는 고체 실리콘 질화물로 구성된 팔레트-스톤들과 협동하는, 임의의 형태의 SiO2, 고체 석영 SiO2, Si + SiO2 로 구성된 휠;
- 임의의 형태의 SiO2, 특히 고체 Si + SiO2, SiO2 로 구성된 팔레스-스톤들과 협동하는, 임의의 형태의 질화물, Si + 실리콘 질화물, 고체 실리콘 질화물로 구성된 휠들;
- 팔레트-스톤들은 팔레트 레버와 단일 피스로 만들어질 수도 있다.
유리한 응용은 산화된 Si 로 구성된 휠, 및 고체 Si3N4 로 구성된 팔레트-스톤들 또는 실리콘 질화물로 코팅된 산화된 Si 로 구성된 팔레트-스톤들과 관련된다.
특정 변형에서, 제 1 마찰 표면 (20) 및 제 2 마찰 표면 (30) 은 각각 실리콘 질화물을 포함한다.
본 발명의 유리한 구현에서, 마찰 표면들 (20, 30) 중 실리콘 질화물을 포함하는 마찰 표면은 실리콘 질화물 (Si3N4) 을 포함하거나 실리콘 질화물 (Si3N4) 로 형성된다.
바람직하게, 실리콘 질화물을 포함하는 마찰 표면 (20, 30) 은 2 마이크로미터 미만의 두께의 실리콘 질화물 층의 표면이다.
바람직하게, 그러한 실리콘 질화물 층의 두께는 50 nm 와 1000 nm 사이에 포함된다. 더 구체적으로, 실리콘 질화물의 이러한 얇은 층의 두께는 50 나노미터와 500 나노미터 사이에 포함된다.
본 발명의 특정 변형에서, 실리콘 질화물을 포함하는 마찰 표면 (20, 30) 은 석영 또는 실리콘 또는 실리콘 산화물, 또는 실리콘과 실리콘 산화물의 혼합물로 형성된 기판을 커버하는 실리콘 질화물 층의 표면이다.
특정 변형에서, 실리콘 질화물을 포함하는 표면 (20, 30) 을 대향하는 마찰 표면 (30, 20) 은 실리콘 (Si), 실리콘 다이옥사이드 (SiO2), 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘을 포함하는 그룹으로부터 취득된 적어도 하나의 실리콘 기반 재료를 포함하며, 상기 그룹으로부터 취득된 하나 이상의 실리콘 기반 재료로만 형성된 층의 표면이다.
도 5 에 도시된 것과 같이, Si3N4/Si 쌍은 윤활제를 전혀 요구하지 않고, 마찰 토크가 실질적으로 일정한, 특별히 유리한 결과들을 제공한다.
실제로, 도 5 의 다양한 쌍들에 대응하는 실험적 포인트들 사이에 평균 선의 형상을 제공하는 식들은:
상부 점선 곡선 상의 Si3N4/나노결정질 다이아몬드 (또는 NCD) 쌍에 대하여 Y=0.1356X-0.0068,
- 대시 선 곡선 상의 다이아몬드형 카본 (또는 DLC)/루비 쌍에 대하여 Y=0.0288X+0.0928,
- 중간의 파선 곡선 상의 카본-주입형 실리콘/루비 쌍에 대하여 Y=0.0097X+0.1302,
- 하부의 거의 수평의 실선 곡선 상의 본 발명에 의해 선호되는 Si3N4/Si 쌍에 대하여 Y=0.0024X+0.1362 이다.
본 발명은 또한 그러한 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 을 제조하는 방법에 관한 것이다.
상기 방법에 따르면, 실리콘 질화물의 층은 이들 제 1 또는 제 2 마찰 표면들 (20, 30) 중 하나를 형성하기 위해, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD) 에 의해 또는 화학 기상 증착 (CVD) 에 의해 또는 캐소드 스퍼터링에 의해 기판에 적용된다.
더 구체적으로, 실리콘 질화물 컴포넌트는 제 1 또는 제 2 마찰 표면들 (20, 30) 중 하나를 형성하기 위해, 신터링에 의해 또는 고체 프로세싱에 의해, 앞서 정의된 것과 같이 최소 치수가 0.10 mm 보다 큰 고체 컴포넌트의 형태로, 기판에 만들어진다.
특히, 실리콘 질화물을 포함하거나 실리콘 질화물로 형성된 층의 퇴적을 위해, MEMS 에 특화된 당업자에게 알려진 기술들 중 하나 이상이 사용될 수도 있다. LPCVD (low-pressure chemical vapour deposition), PECVD (plasma enhanced chemical vapour deposition), CVD (chemical vapour deposition), ALD (atomic layer deposition), 캐소드 스퍼터링, 이온 주입 및 유사 프로세스들이 사용될 수도 있다.
바람직하게, 0.2 와 1.2 사이의 Si/N 비율이 사용될 것이다. 더 구체적으로, 0.4 의 Si/N 값은 화학량적이다 (Gardeniers 등에 따라, Si 에서 풍부한 실리콘 질화물, 낮은 응력 또는 압축의 SixNyHz).
바람직하게, 2% H 와 30% H 사이의 수소 농도가 선택될 것이다.
바람직하게, 비-제한적인 방식으로, 통상의 Si 기판이 선택될 것이다.
서브-층과 관련하여, SiO2 는 비-제한적인 방식으로, 통상적으로 50 nm 와 2000 nm 사이의 두께, 또는 폴리-Si, SiC 등에서 선택될 수도 있다.
실리콘 질화물 퇴적과 관련된 기술적 제한들은 MEMS 분야의 당업자에게 알려져 있다.
따라서, 실리콘 질화물 층의 두께는 바람직하게 50 nm 와 1000 nm 사이에 포함된다.
실리콘 질화물의 압축 상태와 관련하여, Si 의 농도에 있어서의 증가는 실리콘 질화물에서의 장력들을 감소시키고 심지어 그 질화물을 압축력이 있게 할 수도 있는 것이 MEMS 에서 특화된 당업자에게 알려져있다. 압축 응력을 갖는 재료들은 일반적으로 마찰 마모에 있어서 감소를 발생하는 것으로 알려져 있다. 이는 Si 풍부 실리콘 질화물에 대응한다.
본 발명의 적절한 구현을 위해, 실리콘 질화물 층이 기판에 적절히 부착되고, 그 재료들의 탄성률이 너무 멀어지지 않도록 하는 것이 중요하다. 근본적인 재료들의 본질은 덜 중요하다. 실리콘 질화물 층이 100 nm 에 인접한 두께를 초과할 경우, 마찰은 상기 실리콘 질화물 층에 의해 결정된다.
단일-피스 Si3N4 로 구성된 팔레스 스톤들은 당업자에게 알려진 다결정 루비의 제조를 위해 사용된 것과 동일한 기술들에 의해 생성될 수도 있다.
또한, 현재에 달성하는 것은 어렵지만, 유리하게 예컨대, SiO2 로 구성된 휠에 비해 실리콘 질화물의 팔레트-스톤에 대하여, Si 또는 SiO2 와 마찰 접촉하는 고체 실리콘 질화물을 고려하는 것이 가능하다.
본 발명은 다수의 장점들을 갖는다:
- 마찰 속도의 함수로서 마찰 계수의 의존도가 낮다. 그 속도는 통상적으로 0 cm/s 와 3 cm/s 사이에서 변화하기 때문에, 이스케이프먼트의 경우에 특히 유용하다.
- 속도 및 압력의 함수로서 안정적인 마찰 계수는 일반적으로 마찰 접촉하는 재료들의 가속화된 열화를 발생하는, 스틱-슬립의 출현의 위험을 감소시킨다.
- 마찰에 불히나 제 3 바디를 형성하는 위험이 없다.
- 주변 매체와의 클리닝, 열화, 상호작용에 영향받지 않게 하는, 특히 그 화학량적 형태 Si3N4 에서 실리콘 질화물의 화학적 반응성이 낮다.
- 마모가 적다.
실리콘 질화물은 또한, 특히 PECVD 코팅에 의해 특히 실리콘 또는 실리콘 산화물 상에서 간단한 구현의 장점을 갖는다. 이러한 퇴적 방법은 실리콘 산업에서 널리 알려져 있고 사용된다.
본 발명은 다양한 형태들로 실리콘 질화물의 사용을 허용한다: PECVD, CVD, 캐소드 스퍼터링, 고체, 신터링, 등등에 의한 퇴적.
본 발명은 비-제한적인 파트너들, 예컨대: Si, SiO2, 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘과 실리콘 질화물의 마찰 접촉을 포함한다.
당업자는 다음 출판물들을 참조할 수도 있다:
[1]: I.L Singer, R.N. Bolster, 등의 ”Hertzian stress contribution to low friction behavior of thin MoS2 coatings,” Applied Physics Letters, Vol. 57, 1990.
[2]: Chromik, R.R., Wahl, K.J.: Friction of microscale contacts on diamond-like carbon nanocomposite coatings. In: Proceedings of the World Tribology Congress III - 2005, pp. 829-830. American Society of Mechanical Engineers, New York, NY, 2005.
[3]: P.W. Bridgeman, “shearing phenomena at high pressures particularly in inorganic compounds,” Proc. Am. Acad. Arts Sci. 71, 387, 1936.
Claims (11)
- 마찰이 개선된 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 으로서,
서로 접촉하여 협동하도록 배열된 제 1 마찰 표면 (20) 과 제 2 마찰 표면 (30) 을 각각 포함하는, 제 1 컴포넌트 (2) 및 제 2 컴포넌트 (3) 를 포함하는 컴포넌트들의 적어도 하나의 쌍을 포함하며,
상기 제 2 마찰 표면 (30) 은 실리콘 (Si), 실리콘 다이옥사이드 (SiO2), 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘, 또는 실리콘과 실리콘 산화물의 혼합물을 포함하는 그룹으로부터 취득된 적어도 하나의 실리콘 기반 재료를 포함하고,
상기 제 1 마찰 표면 (20) 은 화학량 공식 Si3N4 의 고체 실리콘 질화물로 구성된 고체 엘리먼트의 표면에 의해 형성되고,
상기 적어도 하나의 쌍은, 윤활제를 요구하는 것 없이, 1 mN 내지 100 mN 및 1 cm/s 내지 10 cm/s 의 힘-속도 범위에 걸쳐 0.17 미만의 마찰계수를 가지고, 상기 제 1 마찰 표면 (20) 은 1000 나노미터 미만의 두께의 실리콘 질화물 층의 표면인 것을 특징으로 하는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 마찰 표면 (20) 은 50 나노미터와 500 나노미터 사이의 두께의 실리콘 질화물 층의 표면인 것을 특징으로 하는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
실리콘 (Si), 실리콘 다이옥사이드 (SiO2), 비정질 실리콘 (a-Si), 다결정 실리콘 (p-Si), 다공성 실리콘을 포함하는 그룹으로부터 취득된 적어도 하나의 실리콘 기반 재료를 포함하는 상기 제 2 마찰 표면 (30) 은, 상기 그룹으로부터 취득된 하나 이상의 실리콘 기반 재료들로만 형성된 층의 표면인 것을 특징으로 하는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘. - 제 1 항에 있어서,
상기 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘은, 상기 제 1 마찰 표면 (20) 을 포함하는 상기 제 1 컴포넌트 (2) 를 각각 형성하는 팔레트-스톤들 (25) 을 포함하고, 상기 팔레트-스톤들 (25) 은 상기 제 2 마찰 표면 (30) 을 포함하는 상기 제 2 컴포넌트 (3) 를 형성하는 이스케이프 휠 (35) 과 협동하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘. - 제 1 항에 기재된 적어도 하나의 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 을 포함하는 타임피스 무브먼트 (200).
- 제 6 항에 기재된 적어도 하나의 타임피스 무브먼트 (200) 또는 제 1 항에 기재된 적어도 하나의 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 을 포함하는, 타임피스 (300).
- 제 1 항에 기재된 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 을 제조하는 방법으로서,
실리콘 질화물의 층이 상기 제 2 마찰 표면 (30) 을 형성하기 위해, 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (PECVD) 에 의해, 또는 화학 기상 증착 (CVD) 의해, 또는 캐소드 스퍼터링에 의해 기판에 적용되는 것을 특징으로 하는 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법. - 제 1 항에 기재된 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 을 제조하는 방법으로서,
실리콘 질화물 컴포넌트는 상기 제 1 마찰 표면 (20) 또는 상기 제 2 마찰 표면 (30) 중 하나를 형성하기 위해 신터링에 의해 기판에 만들어지는 것을 특징으로 하는 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법. - 제 1 항에 기재된 이스케이프먼트 메커니즘 (100) 을 제조하는 방법으로서,
실리콘 질화물 컴포넌트는 상기 제 1 마찰 표면 (20) 또는 상기 제 2 마찰 표면 (30) 중 하나를 형성하기 위해 프로세싱에 의해 최소 치수가 0.10 mm 보다 큰 고체 컴포넌트의 형태로 기판에 만들어지는 것을 특징으로 하는 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법. - 제 9 항 또는 제 10 항에 있어서,
대향하는 제 1 마찰 표면 (20) 및 제 2 마찰 표면 (30) 에 의해 형성된 각 쌍은 Si3N4/Si 쌍으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 이스케이프먼트 메커니즘을 제조하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP14167573.6 | 2014-05-08 | ||
| EP14167573.6A EP2942147B1 (fr) | 2014-05-08 | 2014-05-08 | Mécanisme d'échappement d'horlogerie sans lubrification |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20150128601A KR20150128601A (ko) | 2015-11-18 |
| KR101726496B1 true KR101726496B1 (ko) | 2017-04-12 |
Family
ID=50678063
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020150064062A KR101726496B1 (ko) | 2014-05-08 | 2015-05-07 | 윤활제 없는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9612576B2 (ko) |
| EP (1) | EP2942147B1 (ko) |
| JP (1) | JP5938122B2 (ko) |
| KR (1) | KR101726496B1 (ko) |
| CN (1) | CN105093897B (ko) |
| HK (1) | HK1217775A1 (ko) |
| RU (1) | RU2674288C2 (ko) |
| TW (1) | TWI654504B (ko) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3002637B1 (fr) | 2014-09-29 | 2018-11-28 | Richemont International S.A. | Système horloger avec des propriétés tribologiques améliorées |
| EP3382468B1 (fr) * | 2017-03-30 | 2020-01-15 | The Swatch Group Research and Development Ltd | Mouvement avec prolongateur de réserve de marche |
| JP7103041B2 (ja) | 2018-08-03 | 2022-07-20 | セイコーエプソン株式会社 | アンクル、ムーブメント、時計 |
| EP3956731A2 (fr) * | 2019-04-15 | 2022-02-23 | Rolex Sa | Composant horloger de type came |
| EP3783445B1 (fr) | 2019-08-22 | 2023-06-14 | ETA SA Manufacture Horlogère Suisse | Mécanisme régulateur d'horlogerie à haut facteur de qualité et à lubrification minimale |
| EP4016049B1 (fr) * | 2020-12-15 | 2024-05-01 | Patek Philippe SA Genève | Méthode de modélisation du coefficient de frottement d'un système mécanique comprenant au moins deux pièces micromécaniques destinées à coopérer entre elle par glissement ou roulement |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008544290A (ja) * | 2005-06-28 | 2008-12-04 | ウーテーアー・エス・アー・マニファクチュール・オロロジェール・スイス | 強化された微小機械部品 |
| JP2012092351A (ja) * | 2006-04-28 | 2012-05-17 | Nissan Motor Co Ltd | 低摩擦潤滑アセンブリー |
| JP2014070253A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Seiko Instruments Inc | 機械部品の製造方法、及び機械部品 |
Family Cites Families (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CH564219A (ko) * | 1969-07-11 | 1975-07-15 | ||
| JPH0723650Y2 (ja) * | 1990-05-14 | 1995-05-31 | ヤンマーディーゼル株式会社 | シリンダとピストンリングの組合せ |
| FR2731715B1 (fr) * | 1995-03-17 | 1997-05-16 | Suisse Electronique Microtech | Piece de micro-mecanique et procede de realisation |
| US6755566B2 (en) * | 2001-02-15 | 2004-06-29 | Konrad Damasko | Clockwork |
| EP1298106A4 (en) * | 2001-04-20 | 2007-04-04 | Sumitomo Electric Industries | COMPOSITE FRITTE PRODUCT BASED ON SILICON NITRIDE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
| WO2003003108A1 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Citizen Watch Co., Ltd. | Ecran lcd et procede de fabrication correspondant |
| US6968814B2 (en) * | 2002-03-28 | 2005-11-29 | Stefan Battlogg | Device for converting a rotational movement into a reciprocating movement |
| JP2007519203A (ja) * | 2004-10-05 | 2007-07-12 | エムライズ・コーポレイシヨン | 王冠状の戻り止めを備えた回転式回路選択装置 |
| US7731415B2 (en) * | 2005-07-04 | 2010-06-08 | Montres Breguet Sa | High-performance lever escapement |
| DE102005039358B4 (de) * | 2005-08-19 | 2016-12-08 | Physik Instrumente (Pi) Gmbh & Co. Kg | Piezoelektrischer Aktor für einen Ultraschallmotor |
| JP2007316048A (ja) | 2006-04-28 | 2007-12-06 | Nissan Motor Co Ltd | 超低摩擦潤滑アセンブリーを適用させた時計 |
| TWI461865B (zh) | 2006-06-23 | 2014-11-21 | Omega Sa | 用於機械式時計機心之擺輪游絲調節系統及具有此系統之時計 |
| JP4869817B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2012-02-08 | 川崎重工業株式会社 | 摩擦撹拌接合装置 |
| ATE433136T1 (de) * | 2007-03-09 | 2009-06-15 | Eta Sa Mft Horlogere Suisse | Hemmung mit tangentialimpulsen |
| DE102008029429A1 (de) | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Konrad Damasko | Verfahren zum Herstellen von mechanischen Funktionselementen für Uhrwerke sowie nach diesem Verfahren hergestelltes Funktionselement |
| EP2189854A1 (fr) * | 2008-11-21 | 2010-05-26 | Nivarox-FAR S.A. | Procédé de fabrication d'une pièce de micromécanique |
| DE102009002425A1 (de) * | 2009-04-16 | 2010-10-21 | Albert Handtmann Elteka Gmbh & Co Kg | Lageranordnung mit Lagerelement aus Eltimid |
| WO2010133607A2 (en) | 2009-05-18 | 2010-11-25 | The Swatch Group Research And Development Ltd | Method for coating micromechanical parts with high tribological performances for application in mechanical systems |
| EP2363762B1 (fr) * | 2010-03-04 | 2017-11-22 | Montres Breguet SA | Pièce d'horlogerie comportant un mouvement mécanique à haute fréquence |
| CH702930A2 (fr) * | 2010-04-01 | 2011-10-14 | Patek Philippe Sa Geneve | Echappement d'horlogerie à protection contre les chocs. |
| EP2400352A1 (fr) | 2010-06-22 | 2011-12-28 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Système d'échappement pour pièce d'horlogerie |
| EP2442189A1 (fr) * | 2010-10-15 | 2012-04-18 | ETA SA Manufacture Horlogère Suisse | Assemblage d'une pièce ne comportant pas de domaine plastique |
| EP2453038A1 (en) * | 2010-11-16 | 2012-05-16 | The Swatch Group Research and Development Ltd. | Method for coating micromechanical parts with dual diamond coating |
| EP2511229B1 (de) * | 2011-04-12 | 2017-03-08 | GFD Gesellschaft für Diamantprodukte mbH | Flankenverstärktes mikromechanisches Bauteil |
| US9958830B2 (en) * | 2011-07-21 | 2018-05-01 | The Swatch Group Research And Development Ltd | Functional micromechanical assembly |
| EP2743782B1 (fr) * | 2012-12-11 | 2016-02-03 | Nivarox-FAR S.A. | Dispositif d'assemblage par déformation de bras élastiques |
-
2014
- 2014-05-08 EP EP14167573.6A patent/EP2942147B1/fr active Active
-
2015
- 2015-04-21 TW TW104112715A patent/TWI654504B/zh active
- 2015-04-22 US US14/693,086 patent/US9612576B2/en active Active
- 2015-04-29 RU RU2015116541A patent/RU2674288C2/ru active
- 2015-05-07 KR KR1020150064062A patent/KR101726496B1/ko active IP Right Grant
- 2015-05-07 CN CN201510227807.3A patent/CN105093897B/zh active Active
- 2015-05-07 JP JP2015094628A patent/JP5938122B2/ja active Active
-
2016
- 2016-05-23 HK HK16105829.8A patent/HK1217775A1/zh unknown
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008544290A (ja) * | 2005-06-28 | 2008-12-04 | ウーテーアー・エス・アー・マニファクチュール・オロロジェール・スイス | 強化された微小機械部品 |
| JP2012092351A (ja) * | 2006-04-28 | 2012-05-17 | Nissan Motor Co Ltd | 低摩擦潤滑アセンブリー |
| JP2014070253A (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-21 | Seiko Instruments Inc | 機械部品の製造方法、及び機械部品 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US9612576B2 (en) | 2017-04-04 |
| RU2015116541A (ru) | 2016-11-20 |
| TW201608348A (zh) | 2016-03-01 |
| US20150323901A1 (en) | 2015-11-12 |
| JP2015215350A (ja) | 2015-12-03 |
| TWI654504B (zh) | 2019-03-21 |
| RU2015116541A3 (ko) | 2018-11-08 |
| JP5938122B2 (ja) | 2016-06-22 |
| RU2674288C2 (ru) | 2018-12-06 |
| EP2942147A1 (fr) | 2015-11-11 |
| KR20150128601A (ko) | 2015-11-18 |
| CN105093897A (zh) | 2015-11-25 |
| EP2942147B1 (fr) | 2018-11-21 |
| HK1217775A1 (zh) | 2017-01-20 |
| CN105093897B (zh) | 2017-08-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101726496B1 (ko) | 윤활제 없는 타임피스 이스케이프먼트 메커니즘 | |
| KR101700031B1 (ko) | 윤활 없는 접촉 쌍을 갖는 타임피스 메카니즘 | |
| KR102066321B1 (ko) | 마이크로기계 시계 부품을 제조하기 위한 방법 및 상기 마이크로기계 시계 부품 | |
| CN112415881B (zh) | 具有高品质因数和最小润滑的钟表调速器机构 | |
| Gusso et al. | Dispersion force for materials relevant for micro-and nanodevices fabrication | |
| CN109072407B (zh) | 特别是活塞环的滑动元件 | |
| JP2023536030A (ja) | 切断刃及び脱毛デバイス | |
| JP7204776B2 (ja) | シリコンベースの時計用バネの製作方法 | |
| JP2018003880A (ja) | 摺動部材 | |
| CH709609A2 (fr) | Mécanisme d'échappement d'horlogerie sans lubrification. | |
| CN106502081B (zh) | 包含经润滑表面的微机械钟表部件和制造方法 | |
| KR102004591B1 (ko) | 마이크로기계 시계 부품을 제조하기 위한 방법 및 상기 마이크로기계 시계 부품 | |
| Cardinale et al. | Micromachined silicon cantilever beams for thin-film stress measurement | |
| US20200192300A1 (en) | Strengthened timepiece component | |
| CN106558499B (zh) | Mos晶体管的形成方法 | |
| Koide et al. | Diamond FET and MEMS Dvivices | |
| Zhang | Silicon carbide and diamond materials development for micro-and nano-electromechanical systems | |
| Ballarin et al. | Electropolishing of n-type polycrystalline 3C-silicon carbide | |
| Carlisle | Diamond MEMS: wafer scale processing, devices, and technology insertion |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| AMND | Amendment | ||
| E601 | Decision to refuse application | ||
| X091 | Application refused [patent] | ||
| AMND | Amendment | ||
| X701 | Decision to grant (after re-examination) | ||
| GRNT | Written decision to grant |